CN110660642A - 半导体器件及其制造方法 - Google Patents

半导体器件及其制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN110660642A
CN110660642A CN201910603519.1A CN201910603519A CN110660642A CN 110660642 A CN110660642 A CN 110660642A CN 201910603519 A CN201910603519 A CN 201910603519A CN 110660642 A CN110660642 A CN 110660642A
Authority
CN
China
Prior art keywords
film
oxide semiconductor
light
substrate
oxide
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201910603519.1A
Other languages
English (en)
Inventor
秋元健吾
本田达也
曾根宽人
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Co Semiconductor Energy Research Institute
Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Original Assignee
Co Semiconductor Energy Research Institute
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Co Semiconductor Energy Research Institute filed Critical Co Semiconductor Energy Research Institute
Publication of CN110660642A publication Critical patent/CN110660642A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
    • H01L29/78696—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film characterised by the structure of the channel, e.g. multichannel, transverse or longitudinal shape, length or width, doping structure, or the overlap or alignment between the channel and the gate, the source or the drain, or the contacting structure of the channel
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/165—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on translational movement of particles in a fluid under the influence of an applied field
    • G02F1/166—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on translational movement of particles in a fluid under the influence of an applied field characterised by the electro-optical or magneto-optical effect
    • G02F1/167—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on translational movement of particles in a fluid under the influence of an applied field characterised by the electro-optical or magneto-optical effect by electrophoresis
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
    • H01L21/02164—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material being a silicon oxide, e.g. SiO2
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
    • H01L21/0217—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material being a silicon nitride not containing oxygen, e.g. SixNy or SixByNz
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02172—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides
    • H01L21/02175—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides characterised by the metal
    • H01L21/02178—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides characterised by the metal the material containing aluminium, e.g. Al2O3
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • H01L21/02266—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by physical ablation of a target, e.g. sputtering, reactive sputtering, physical vapour deposition or pulsed laser deposition
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612—Formation types
    • H01L21/02617—Deposition types
    • H01L21/02631—Physical deposition at reduced pressure, e.g. MBE, sputtering, evaporation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/34—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies not provided for in groups H01L21/0405, H01L21/0445, H01L21/06, H01L21/16 and H01L21/18 with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/42—Bombardment with radiation
    • H01L21/423—Bombardment with radiation with high-energy radiation
    • H01L21/428—Bombardment with radiation with high-energy radiation using electromagnetic radiation, e.g. laser radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/34—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies not provided for in groups H01L21/0405, H01L21/0445, H01L21/06, H01L21/16 and H01L21/18 with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/46—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/428
    • H01L21/461—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/428 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/465—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/34—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies not provided for in groups H01L21/0405, H01L21/0445, H01L21/06, H01L21/16 and H01L21/18 with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/46—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/428
    • H01L21/477—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1222—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer
    • H01L27/1225—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer with semiconductor materials not belonging to the group IV of the periodic table, e.g. InGaZnO
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
    • H01L27/127—Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or patterning of the active layer specially adapted to the circuit arrangement
    • H01L27/1274—Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or patterning of the active layer specially adapted to the circuit arrangement using crystallisation of amorphous semiconductor or recrystallisation of crystalline semiconductor
    • H01L27/1285—Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or patterning of the active layer specially adapted to the circuit arrangement using crystallisation of amorphous semiconductor or recrystallisation of crystalline semiconductor using control of the annealing or irradiation parameters, e.g. using different scanning direction or intensity for different transistors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/04—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their crystalline structure, e.g. polycrystalline, cubic or particular orientation of crystalline planes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/04—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their crystalline structure, e.g. polycrystalline, cubic or particular orientation of crystalline planes
    • H01L29/045—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their crystalline structure, e.g. polycrystalline, cubic or particular orientation of crystalline planes by their particular orientation of crystalline planes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
    • H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
    • H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
    • H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
    • H01L29/66477—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET
    • H01L29/66742—Thin film unipolar transistors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
    • H01L29/66969—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies not comprising group 14 or group 13/15 materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
    • H01L29/7869—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film having a semiconductor body comprising an oxide semiconductor material, e.g. zinc oxide, copper aluminium oxide, cadmium stannate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
    • H01L29/7869—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film having a semiconductor body comprising an oxide semiconductor material, e.g. zinc oxide, copper aluminium oxide, cadmium stannate
    • H01L29/78693—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film having a semiconductor body comprising an oxide semiconductor material, e.g. zinc oxide, copper aluminium oxide, cadmium stannate the semiconducting oxide being amorphous
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02521—Materials
    • H01L21/02551—Group 12/16 materials
    • H01L21/02554—Oxides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02521—Materials
    • H01L21/02565—Oxide semiconducting materials not being Group 12/16 materials, e.g. ternary compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02656—Special treatments
    • H01L21/02664—Aftertreatments
    • H01L21/02667—Crystallisation or recrystallisation of non-monocrystalline semiconductor materials, e.g. regrowth

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Molecular Biology (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Recrystallisation Techniques (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Electrochromic Elements, Electrophoresis, Or Variable Reflection Or Absorption Elements (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Dram (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)

Abstract

本申请的发明名称为“半导体器件及其制造方法”。本发明涉及半导体器件及其制造方法。本发明的目的在于通过使用以氧化锌为典型的氧化物半导体膜形成薄膜晶体管，以低成本提供一种半导体器件及其制造方法，而不使制造工序复杂化。本发明的半导体器件之一，在衬底上形成栅极，覆盖栅极地形成栅极绝缘膜，在栅极绝缘膜上形成氧化物半导体膜，并且在氧化物半导体膜上形成第一导电膜和第二导电膜，其中氧化物半导体膜在沟道形成区域中至少包括结晶化了的区域。

Description

半导体器件及其制造方法
本申请是如下发明专利申请的分案申请：
发明名称：半导体器件及其制造方法；申请号：201510518307.5；申请日：2006年9月29日。
技术领域
本发明涉及一种半导体器件及其制造方法。本发明特别涉及使用氧化物半导体的半导体器件。此外，本发明还涉及具备该半导体器件的电子设备。
背景技术
以液晶显示器（LCD）和EL显示器为典型的平板显示器（FPD）作为代替常规的CRT的显示器引人注目。尤其是，安装有有源矩阵驱动的大型液晶面板的大屏幕液晶电视的开发对液晶面板的制造者已经成为该致力进行的重要课题。此外，大屏幕的EL电视的开发也在展开。
在常规的液晶器件或场致发光显示器（以下称作发光显示器或EL显示器）中，使用结晶硅或非晶硅的薄膜晶体管（以下示为TFT）作为驱动每个像素的半导体元件。
与使用非晶硅膜的TFT相比使用结晶硅膜的TFT的迁移率高二位以上（包括二位），从而当用于扫描线驱动电路或信号线驱动电路等时可以期待高速动作，所述扫描线驱动电路用于选择发光显示器的像素，所述信号线驱动电路用于将视频信号供给给被选择了的像素。然而，与将非晶硅用作半导体膜时相比，将结晶硅用作半导体膜时为了使半导体膜结晶化而使步骤复杂化，从而具有一个难点，即成品率降低而且成本上升。此外，用于该结晶化的加热温度为550℃或更高，不易使用熔点低的树脂或塑料等的衬底。
另一方面，将非晶硅用作半导体膜的TFT由于不进行高温加热，所以可以使用树脂衬底或塑料衬底，从而可以以低成本制造。然而，使用非晶硅的半导体膜形成沟道形成区域的TFT的迁移率最大也只能得到0.2至1.0cm2/V·s左右，而且耗电量也高。
此外，当将非晶硅膜形成在衬底上时，一般使用等离子体CVD法。等离子体CVD法当淀积时需要在高真空下进行的加热，有可能给在塑料衬底或衬底上的有机树脂膜损伤。此外，除了使用等离子体CVD法淀积非晶硅膜之外使用溅射法淀积时，也在非晶硅膜淀积了之后被暴露在空气中，则有可能在表面上形成很薄的绝缘膜。
作为代替这种由硅构成的半导体的材料，近年来，有将氧化锌等氧化物半导体用于沟道形成区域来形成TFT的报告（例如参见专利文献1、非专利文献1）。由于氧化物半导体具有与由包括非晶硅的半导体构成的TFT相同或比它高的迁移率，所以被谋求进一步提高其特性。
[专利文献1] 日本专利申请特开2000-150900号
[非专利文献1] Elvira M.C.Fortunato 以及六名 Applied Physics Letters（应用物理快报） Vol.85、No.13、P 2541（2004）。
发明内容
鉴于上述课题，本发明的目的在于提供一种半导体器件和其制造方法，该半导体器件具有提高了特性的半导体元件。
此外，另一方面，为了如液晶电视那样以更廉价的工序制造大面积装置，衬底的面积越来越大。然而，有一个问题，即因为衬底的大型化，容易受弯曲和扭曲的影响。此外，在热处理步骤中衬底被加热到高温度，就有一个问题，即扭曲和收缩导致衬底的尺寸的变化，从而光刻步骤的对准的精度降低。
由此，本发明的目的在于提供一种技术，该技术在用于半导体器件的半导体元件的结晶化步骤中即使在单边超过1米那样的大型衬底上也可以以高成品率制造半导体器件。
如上所述，本发明的目的在于提供一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件可以以比以前低成本且高生产率制造，并且具有进一步提高了特性的半导体元件。
在本发明中使用化合物半导体作为半导体，优选使用氧化物半导体。作为氧化物半导体，例如使用氧化锌（ZnO）、氧化钛（TiO2）、InGaO3(ZnO)5、氧化镁锌（MgxZn1-xO）、氧化镉锌（CdxZn1-xO）、氧化镉（CdO）或In-Ga-Zn-O之类的非晶氧化物半导体（a-IGZO）等。本发明旨在通过灯光快速退火（LRTA: lamp rapid thermal annealing，或简单称作灯加热）加热邻接于化合物半导体的栅极，选择性地促进化合物半导体的结晶化，以制造使用至少在沟道形成区域中包括促进了该结晶化的区域的化合物半导体的TFT。
本发明之一具有形成在衬底上的栅极、覆盖栅极而被形成的绝缘膜、以及形成在绝缘膜上的氧化物半导体膜，该氧化物半导体膜具有第一氧化物半导体区域和第二氧化物半导体区域，并且在与栅极重叠的位置中被形成的第一氧化物半导体区域的结晶性比第二氧化物半导体区域高。注意，结晶性表示结晶中的原子排列的规则性的程度。如果使用结晶性良好（也称为结晶性高、改善了结晶性）的氧化物半导体膜而制造TFT，其电特性则良好。
此外，本发明之一在衬底上具有栅极和氧化物半导体膜，该氧化物半导体膜在中间夹着绝缘膜与栅极重叠的区域中包括一部分被结晶化了的区域。
此外，本发明之一在衬底上具有栅极、氧化物半导体膜、以及导电膜，该导电膜提供得与氧化物半导体膜接触，该氧化物半导体膜在中间夹着绝缘膜与栅极重叠的区域中具有一部分被结晶化了的区域。
此外，本发明之一具有形成在衬底上的栅极、覆盖栅极而被形成的绝缘膜、以及形成在绝缘膜上的氧化物半导体膜，该氧化物半导体膜至少在与栅极重叠的区域中被结晶化。注意，被结晶化是指从非晶状态生成结晶核或从生成了结晶核的状态生长晶粒的情况。
此外，本发明之一具有形成在衬底上的栅极、覆盖栅极而被形成的绝缘膜、形成在绝缘膜上的导电膜、以及形成在绝缘膜和导电膜上的氧化物半导体膜，该氧化物半导体膜至少在与所述栅极重叠的区域中被结晶化。
此外，本发明之一具有形成在衬底上的栅极、覆盖栅极而被形成的绝缘膜、形成在绝缘膜上的导电膜、以及形成在绝缘膜和导电膜上的氧化物半导体膜，其中栅极的对用于结晶化的光源的反射率比导电膜低。注意，当导电膜为具有遮光性的金属膜等时采用对反射率的比较。
此外，本发明之一具有形成在衬底上的栅极、覆盖栅极而被形成的绝缘膜、形成在绝缘膜上的导电膜、以及形成在绝缘膜和导电膜上的氧化物半导体膜，其中栅极的热吸收率比导电膜高。
此外，本发明之一在衬底上形成栅极；在栅极上形成绝缘膜；以及在绝缘膜上形成氧化物半导体膜；并且对栅极进行LRTA，使与栅极重叠的氧化物半导体膜的一部分结晶化。
此外，本发明之一在衬底上形成栅极；覆盖栅极地形成绝缘膜；以及在绝缘膜上形成氧化物半导体膜；并且通过对栅极进行LRTA，在氧化物半导体膜中形成第一氧化物半导体区域和第二氧化物半导体区域，其中形成在与栅极重叠的位置中的第一氧化物半导体区域的结晶性比所述第二氧化物半导体区域高。
此外，本发明之一在衬底上形成栅极；在栅极上形成绝缘膜；在绝缘膜上形成导电膜；以及在绝缘膜和导电膜上形成氧化物半导体膜；并且通过对栅极进行LRTA，选择性地使氧化物半导体膜的一部分结晶化。
此外，本发明之一在衬底上形成栅极；覆盖栅极地形成绝缘膜；在绝缘膜上形成氧化物半导体膜；以及在氧化物半导体膜上形成导电膜；并且通过对栅极进行LRTA，选择性地使氧化物半导体膜的一部分结晶化。
此外，本发明之一在衬底上形成栅极；覆盖栅极地形成绝缘膜；在绝缘膜上形成导电膜；以及在绝缘膜和导电膜上形成氧化物半导体膜；并且通过对栅极进行LRTA，在氧化物半导体膜中形成第一氧化物半导体区域和第二氧化物半导体区域。此时，形成在与栅极重叠的位置中的第一氧化物半导体区域的结晶性比第二氧化物半导体区域高。
此外，本发明之一在衬底上形成栅极；覆盖栅极地形成绝缘膜；在绝缘膜上形成氧化物半导体膜；以及在氧化物半导体膜上形成导电膜；并且通过对栅极进行灯加热，在氧化物半导体膜中形成第一氧化物半导体区域和第二氧化物半导体区域。此时形成在与栅极重叠的位置中的第一氧化物半导体区域的结晶性比第二氧化物半导体区域高。
上述导电膜由选自Al、Ti、Cu、Au、Ag、Mo、Ni、Ta、Zr、以及Co中的一种或多种元素形成。
上述氧化物半导体膜优选至少包含氧化锌（ZnO）。例如，InGaO3(ZnO)5、MgxZn1-xO或CdxZn1-xO。
上述衬底为选自有机树脂衬底、无机树脂衬底、塑料衬底、以及玻璃衬底中的任何一种。
上述氧化物半导体膜通过溅射法形成。
在上述氧化物半导体膜中可以添加有氮。通过添加氮，在氧化物半导体膜呈现n型的半导体特性的情况下，氮起受主杂质作用。因此，可以控制使用添加有氮的氧化物半导体膜而制造的晶体管的阈值电压。
本发明之一使用W、TaN、或Cr中的任何一种或者包含它们中的任何一种的合金作为栅极。
本发明之一通过辐射卤灯的灯光而进行对氧化物半导体膜的结晶化。
本发明之一使用波长区域为800至2400nm的光作为灯光。而且，使用可见光或红外光区域的波长。
本发明之一为具有上述半导体器件的液晶电视机或EL电视机。
此外，在本发明中，可以代替LRTA辐射激光束来进行加热处理，例如可以作为激光束辐射红外光激光束、可见光激光束、或紫外光激光束等来选择性地改善氧化物半导体膜的结晶性。或者，还可以在进行灯加热的同时辐射激光束来选择性地改善氧化物半导体膜的结晶性。在使用激光辐照的情况下，可以使用连续振荡型的激光束（CW激光束）或脉冲振荡型的激光束（脉冲激光束）。在此可以使用的激光束为由如下激光器中的一种或多种振荡出来的激光束：Ar激光器、Kr激光器、以及受激准分子激光器等的气体激光器；将在单晶的YAG、YVO4、镁橄榄石（Mg2SiO4）、YAlO3、GdVO4、或者多晶（陶瓷）的YAG、Y2O3、YVO4、YAlO3、GdVO4中添加Nd、Yb、Cr、Ti、Ho、Er、Tm、Ta之中的一种或多种作为掺杂物而获得的材料用作介质的激光器；玻璃激光器；红宝石激光器；变石激光器；Ti:蓝宝石激光器；铜蒸汽激光器；或者金蒸汽激光器。通过照射这种激光束的基波以及这种基波的第二高次谐波至第四高次谐波的激光束，可以使其结晶性良好。注意，作为激光束优选使用比氧化物半导体膜的带隙能极大的激光束。例如，可以使用由KrF、ArF、XeCl、或XeF的受激准分子激光振荡器发射的激光束。
此外，在本发明中，半导体器件就是具有包括半导体元件（晶体管或二极管等）的电路的器件，作为半导体器件可以举出由半导体元件构成的集成电路、显示器、无线标签、IC标签等。作为显示器，可以典型地举出液晶显示器、发光器件、DMD（数字微镜设备）、PDP（等离子体显示面板）、FED（场致发光器件）、以及电泳显示器（电子纸）等的显示器。
此外，在本发明中，显示器就是使用显示元件的器件，即图像显示装置。此外，显示器包括以下模块：在显示面板上安装有连接器如柔性印刷布线（FPC）、TAB（带式自动接合）胶带或TCP（薄膜封装）的模块；在TAB胶带或TCP的端部安装有印刷布线板的模块；或在显示元件上通过COG（玻璃上芯片）方式直接安装有IC（集成电路）或CPU的模块。
注意，在本发明中，氧化物半导体膜至少在沟道形成区域中被结晶化，或者在该区域中改善结晶性即可。此外，沟道形成区域不需要全部都被结晶化，至少在栅极一侧的部分被结晶化即可。
注意，作为化合物半导体，除了氧化物半导体之外还可以使用氮化物半导体或碳化物半导体。此外，还可以使用对可见光具有透光性的半导体。
在本发明中，通过LRTA加热栅极，使氧化物半导体膜的沟道形成区域中的结晶性良好。其结果，由于氧化物半导体膜仅仅局部性地被加热，所以衬底的大部分没有被加热，以可以抑制衬底的收缩（缩小）或弯曲的同时进行结晶化步骤。因此，可以在使步骤简单化的同时制造具有提高了迁移率特性的半导体元件的半导体器件。
此外，在以下情况下，即在衬底上形成栅极；在栅极上形成用作栅极绝缘膜的绝缘膜；在绝缘膜上形成对LRTA的光源的反射率比栅极高的布线；并且在布线上形成氧化物半导体膜之后从衬底表面或背面进行LRTA，由于布线对LRTA的光源的反射率比栅极高，所以比栅极被加热得少。由此，可以使用低电阻的铜、铝、银等的熔点比较低的导电膜作为布线。其结果，可以提供廉价的半导体器件。
此外，氧化物半导体膜即使暴露于含氧的气氛中也不像非晶硅膜那样因为被氧化在表面上没有形成绝缘膜。因此，即使在形成膜之后暴露于空气中，膜的变化也很少。
此外，在使用ZnO作为氧化物半导体膜的情况下，可以将氧化物半导体膜的结晶步骤中的热处理温度设定为350℃左右或更低。这是因为ZnO即使在350℃左右或更低的热处理温度下也可以充分地促进结晶化的缘故。其结果，在使用树脂衬底的情况下也可以抑制衬底的收缩。
此外，由于使用对从灯发射的光的反射率低于源极布线和漏极布线的材料作为栅极而进行灯加热，所以利用从栅极传导的热量使至少ZnO的沟道形成区域中改善结晶性，另一方面源极布线和漏极布线不容易被加热，从而可以使用熔点比较低的材料作为源极布线和漏极布线。例如，在使用Al作为源极布线和漏极布线的情况下，热处理温度可以为350℃或更低，所以可以抑制Al扩散到半导体层中。
如上所述，可以以低温热处理（350℃左右或更低）制造半导体器件，从而工序很廉价。
再者，由于氧化物半导体具有透光性，所以通过其源电极和漏极等由具有透光性的导电膜形成，并且在其上形成像素电极，就可以提高像素部分的开口率。在使用氧化锌作为氧化物半导体的情况下，氧化锌与铟锡氧化物（ITO）相比，资源丰富并且电阻低，所以通过代替ITO使用氧化锌作为像素电极，可以得到廉价的半导体器件。
在将硅用于半导体膜的情况下，需要与沟道形成区域重叠地提供遮光膜，以便防止光照射到沟道形成区域。其结果，在像素部分降低开口率。另一方面，在将氧化锌用于氧化物半导体膜的情况下，由于锌有较丰富的资源，并且氧化锌具有透光性，所以通过使用包括具有透光性的铟锡氧化物（ITO）、由铟锡氧化物和氧化硅构成的ITSO、有机铟、有机锡、氧化锌、氮化钛等的透明导电材料形成源电极、漏极、以及像素电极，在透过型显示面板中可以实现开口率大的大型显示。此外，可以有效地利用背光，而实现节电化。例如，通过将显示面板贴合在建筑物的窗户上或汽车、火车、飞机等的挡风玻璃上，还可以实现直接显示图像或文字信息的抬头显示器。
附图说明
图1A和1B为说明根据本发明的半导体器件的制造步骤的截面图；
图2为说明本发明的氧化物半导体膜的结晶化的温度依赖性的图；
图3A至3C为说明根据本发明的半导体器件的制造步骤的截面图；
图4A至4H为说明根据本发明的半导体器件的制造步骤的截面图；
图5A至5C为说明根据本发明的半导体器件的制造步骤的截面图；
图6A至6F为说明根据本发明的半导体器件的制造步骤的截面图；
图7为根据本发明的半导体器件的截面图；
图8A至8F为表示根据本发明的发光元件的方式的图；
图9A至9F为说明根据本发明的显示面板的像素电路及其工作结构的图；
图10A至10C为对根据本发明的驱动电路的安装进行说明的图；
图11为说明根据本发明的显示模块的图；
图12A至12F为说明电子设备的一例的图；
图13A和13B为根据本发明的半导体器件的截面图；
图14A和14B为本发明的半导体器件中的像素的电路图和截面图；
图15为根据本发明的半导体器件的截面图；
图16为表示本发明的半导体器件中的元件衬底的一个方式的图；
图17A和17B为表示本发明的半导体器件中的元件衬底的一个方式的图；
图18A和18B为表示本发明的半导体器件的结构的框图；
图19A和19B为表示根据本发明的LRTA设备的结构的图；
图20为说明根据本发明的电子设备的一例的图；
图21为说明根据本发明的电子设备的一例的图。
具体实施方式
下面，关于本发明的实施方式将参照附图给予说明。但是，本发明可能通过多种不同的方式来实施，所属领域的普通人员可以很容易地理解一个事实就是其方式和详细内容可以被变换为各种各样的形式，而不脱离本发明的宗旨及其范围。例如，本实施方式和本实施例可以适当地组合来实施本发明。因此，本发明不应该被解释为仅限定在实施方式所记载的内容中。
实施方式1
在本实施方式中，将参照图1A和1B说明TFT的制造步骤，所述TFT中将通过LRTA改善了结晶性的氧化物半导体膜的一部分的区域用作沟道形成区域。
首先，在衬底101上形成基底膜102。作为衬底101，可以使用聚对苯二甲酸乙二醇酯（PET）、聚萘二甲酸乙二醇酯（PEN）、聚醚砜（PES）、丙烯酸、以及聚酰亚胺等的塑料（合成树脂）或玻璃。
作为基底膜102，使用氧化硅膜、氮化硅膜、氧氮化硅膜（SiOxNy）（x＞y）或氮氧化硅膜（SiNxOy）（x＞y）等的绝缘膜的单层或叠层。通过溅射法或CVD法等形成基底膜102即可。注意，虽然可以不提供，然而在本发明中优选形成基底膜102。通过形成基底膜102，可以抑制从形成在基底膜102上的电极或布线等产生的热量传递到衬底101一侧。作为基底膜102，例如可以使用膜厚度为10至400nm的氮氧化硅膜。随后，在基底膜102上形成栅极103。
通过溅射法形成膜厚度为100至200nm的栅极103即可。此外，可以使用选自钽（Ta）、钨（W）、钛（Ti）、钼（Mo）、铬（Cr）、以及铌（Nb）等的元素、以上述元素为主要成分的合金材料或化合物材料来形成栅极103。此外，栅极103还可以由以掺杂有磷等杂质元素的多晶硅为典型的半导体材料形成。
接着，以50至500nm左右的膜厚度形成覆盖栅极103的栅极绝缘膜104。作为栅极绝缘膜104，通过溅射法或各种CVD法如等离子体CVD法等单独或层叠形成含有硅的氧化物或硅的氮化物的膜。具体地，以单层结构形成含有氧化硅的膜（SiOx）、含有氧氮化硅的膜（SiOxNy）、含有氮氧化硅的膜（SiNxOy），或者，适当地层叠上述膜来形成。此外，还可以通过在含有氧、氮、或氧和氮的气氛中对栅极103进行高密度等离子体处理，使栅极103的表面氧化或氮化，以形成栅极绝缘膜。通过高密度等离子体处理而形成了的栅极绝缘膜优异于膜厚度和膜质量等的均匀性并且可以形成致密的膜。作为含氧的气氛，可以使用氧（O2）、二氧化氮（NO2）或一氧化二氮（N2O）与稀有气体的混合气体；或者，氧（O2）、二氧化氮（NO2）或一氧化二氮（N2O）与稀有气体、以及氢（H2）的混合气体。此外，作为含氮的气氛，可以使用氮（N2）或氨（NH3）与稀有气体的混合气体；或者，氮（N2）或氨（NH3）与稀有气体、以及氢（H2）的混合气体。可以由高密度等离子体所生成的氧基（有时包括OH基）或氮基（有时包括NH基）使栅极103的表面氧化或氮化。
当进行高密度等离子体处理形成栅极绝缘膜104时，以覆盖栅极103地形成厚度为1至20nm，优选为5至10nm的绝缘膜。这种情况下的反应是固相反应，因此可以极度降低该栅极绝缘膜104和栅极103之间的界面态密度。此外，由于栅极103直接被氧化或氮化，所以可以使被形成的栅极绝缘膜104的厚度均匀。就是说，通过这里所示的高密度等离子体处理使电极的表面固相氧化，可以形成具有良好均匀性和低界面态密度的绝缘膜。这里，选自钽（Ta）、钨（W）、钛（Ti）、钼（Mo）、铬（Cr）、以及铌（Nb）等的元素、以上述元素为主要成分的合金材料或化合物材料的氧化物用作栅极绝缘膜104。
注意，栅极绝缘膜104可以仅仅使用通过高密度等离子体处理形成的绝缘膜，还可以通过利用等离子体或热反应的CVD法层叠包含氧化硅、含氧的氮化硅、含氮的氧化硅等的另一个绝缘膜中的至少一个。在哪一种情况下，当将晶体管制成其具有的栅极绝缘膜的一部分或全部包含通过高密度等离子体形成的绝缘膜时，可以减少特性的不均匀性。
此外，栅极绝缘膜104可以使用与氧化物半导体膜的匹配性良好的氧化铝（Al2O3）、氮化铝（AlN）、氧化钛（TiO2）、氧化锆（ZrO2）、氧化锂（Li2O）、氧化钾（K2O）、氧化钠（Na2O）、氧化铟（In2O3）、氧化钇（Y2O3）、锆酸钙（CaZrO3）或至少含有上述材料中的两种的材料，也可以单独形成或者层叠两层或更多层来形成。
接着，在栅极绝缘膜104上膜厚度成为50至200nm地形成布线105。作为布线材料，使用银（Ag）、铝（Al）、金（Au）、铜（Cu）、以及它们的合金等。只要比用于栅极103的材料反射率高就可以用作布线材料，通过考虑到与栅极103的关系而适当地组合来使用。布线可以层叠而形成，例如，可以采用从衬底一侧层叠铝和钛的布线。钛对使氧化物半导体膜和铝的电接触特性良好很有效。钛还具有抑制铝扩散到氧化物半导体膜中的功能。此外，布线还可以由透明导电膜形成，例如铟锡氧化物（ITO: Indium Tin Oxide）、含有氧化硅的铟锡氧化物（ITSO）、铟锌氧化物（IZO: Indium Zinc Oxide）、氧化铟（In2O3）、氧化锡（SnO2）、氧化锌（ZnO）、添加有铝的氧化锌（AlZnO）、添加有镓的氧化锌（GaZnO）、氧化锌（ZnO）等。注意，作为布线105优选使用对灯光的反射率比栅极103高或透光率比它高（或者，热吸收率比它低）的材料。
接下来，在栅极绝缘膜104和布线105上形成氧化物半导体膜106。作为氧化物半导体膜106可以使用如下状态的氧化锌（ZnO），即非晶（非晶质的）状态、多晶状态、或非晶状态和多晶状态同时存在的微晶（也称作微晶体）状态，所述氧化锌中添加有元素周期表中第一族元素（例如，锂（Li）、钠（Na）、钾（K）、铷（Rb）、铯（Cs））、第十三族元素（例如，硼（B）、镓（Ga）、铟（In）、铊（Tl））、第十四族元素（例如，碳（C）、硅（Si）、锗（Ge）、锡（Sn）、铅（Pb））、第十五族元素（例如，氮（N）、磷（P）、砷（As）、锑（Sb）、铋（Bi））或第十七族元素（例如，氟（F）、氯（Cl）、溴（Br）、碘（I））等杂质元素中的一种或多种，或者，还可以使用什么杂质元素都没添加有的氧化锌。此外，还可以使用氧化钛（TiO2）、InGaO3(ZnO)5、氧化镁锌（MgxZn1-xO）、氧化镉锌（CdxZn1-xO）、氧化镉（CdO）、以及In-Ga-Zn-O之类的非晶氧化物半导体（a-IGZO）中的任何一种。氧化物半导体膜106以25至200nm（优选以30至150nm）的厚度在0.4Pa的压强下并且以Ar(氩):O2＝50:5sccm的流量的条件下通过溅射法淀积，然后，使用稀释到0.05%的氢氟酸通过蚀刻来形成为所希望的图形。与使用非晶硅膜的半导体膜相比，氧化物半导体膜106由于不会被氧化并且不在高真空中也可以形成，从而工序很廉价。此外，包含氧化锌的氧化物半导体膜由于难受到等离子体的影响，所以还可以使用等离子体CVD（也称作PCVD或PECVD）法淀积。在CVD法的装置中，等离子体CVD法的装置尤其简单，而且其生产率也高。
接着，对衬底101的背面进行LRTA（图1A）。LRTA以250至570℃（优选以300至400℃，更优选以300至350℃）进行1分钟至1小时，优选进行10分钟至30分钟。通过来自选自卤素灯、金属卤化物灯、氙弧灯、炭弧灯、高压钠灯、以及高压汞灯中的一种或多种的辐射进行LRTA。通过LRTA法可以以短时间进行热处理，所以只要布线105的反射率或透过率比栅极103高就可以使用熔点较低的材料。具有红外光区域、可见光区域、紫外光区域等的波长的光可以用于LRTA法。注意，可以使用激光束代替LRTA来进行加热处理，例如，可以使用红外光激光、可见光激光、紫外光激光等作为激光束。此外，可以组合LRTA和激光束辐照来选择性地改善氧化物半导体膜的结晶性。在使用激光辐照的情况下，可以使用连续振荡型激光束（CW激光束）和脉冲振荡型激光束（脉冲激光束）。作为这里可以使用的激光束，可以使用由如下激光器的一种或多种振荡的激光束：气体激光器如Ar激光器、Kr激光器、受激准分子激光器等；以将Nd、Yb、Cr、Ti、Ho、Er、Tm和Ta中的一种或多种作为掺杂剂添加的单晶YAG、YVO4、镁橄榄石（Mg2SiO4）、YAlO3、GdVO4、或者多晶（陶瓷）YAG、Y2O3、YVO4、YAlO3、GdVO4作为介质的激光器；玻璃激光器；红宝石激光器；变石激光器；Ti：蓝宝石激光器；铜蒸汽激光器；或者金蒸汽激光器。通过照射上述激光束的基波以及该基波的第二至第四高次谐波的激光束，可以使结晶性良好。注意，作为激光束优选使用其能量比氧化物半导体膜的带隙大的激光束。例如可以使用由KrF、ArF、XeCl或XeF的受激准分子激光振荡器发射的激光束。
此时，栅极103由与布线105相比对灯光的反射率低且吸收更大的热量的材料形成，从而栅极103加热到比布线105更高的温度。由此，栅极103周围的氧化物半导体膜106被加热，以形成第二氧化物半导体区域108和第一氧化物半导体区域107，该第一氧化物半导体膜107的结晶性比第二氧化物半导体区域108良好（参照图1B）。这里，使用卤素灯对栅极103照射灯光使它加热到约300℃，并且利用其热量使氧化物半导体膜106结晶化来改善结晶性。此时，由于将对灯光的反射率或透过率比栅极103高的材料用于布线105，所以即使在使氧化物半导体膜106结晶化，布线105的温度也成为300℃或更低。
这里，将用作氧化物半导体膜的ZnO的结晶性的热处理温度依赖性示出于图2。图2示出在以下情况下测定了（002）面的X射线的强度的结果，即喷射流量为Ar:O2＝50:5(sccm)的比例的成膜气体的状态（as-depo）；以200℃、300℃、350℃各个温度加热1小时的情况。随着热处理温度的上升，（002）面的强度高峰变大。由此，至少直到350℃，热处理温度越高ZnO的结晶性也越高。一般来说，由于结晶性越进展迁移率越高，所以热处理优选以350℃左右进行。注意，若衬底没有闪烁等问题，就可以进行ZnO达到400℃左右的热处理。
另一方面，在图1A中，与形成有栅极103或布线105的区域相比，没形成有栅极103和布线105的区域，即层叠有衬底101、基底膜102、栅极绝缘膜104、以及氧化物半导体膜106的区域中灯光容易透过，从而该区域不容易吸收热量，其加热温度比布线105低。因此，衬底101的大部分区域为350℃或更低，所以不容易产生收缩。注意，没形成有栅极103的区域越大，抑制衬底101收缩的效果越大。
接着，通过在氧化物半导体膜106上形成层间绝缘膜、源电极、漏极、像素电极、发光元件等结构来形成半导体器件。
在本发明中，在使用ZnO作为半导体的情况下，由于可以以300℃左右的热处理温度改善ZnO层的结晶性，所以与使用结晶硅膜作为半导体膜的情况相比，可以抑制热处理温度。另外，由于使用透光性高的氧化物半导体膜并通过LRTA选择性地加热栅极，从而可以抑制衬底的闪烁，而不使衬底的大部分被加热。此外，由于将对灯光的反射率比栅极高的材料用于布线，即使在将加热布线的温度抑制为350℃左右，也可以改善氧化物半导体膜的结晶性。由此，可以使用熔点低的Al布线。此外，可以防止氧化物半导体膜中的氧气扩散在Al中而形成绝缘膜。Al布线很廉价且低电阻，从而可以以低成本并且良好生产率来制造功能好的半导体器件。
实施方式2
在本实施方式中，将使用图3A至3C说明与实施方式1不同的结构。注意，至在衬底301上形成基底膜302、栅极303、以及栅极绝缘膜304的步骤，参照实施方式1所示的至在衬底101上形成基底膜102、栅极103、以及栅极绝缘膜104的步骤而进行。
在栅极绝缘膜304上形成第一氧化物半导体膜305。作为氧化物半导体膜305可以使用三种状态的添加有元素周期表中第一族元素、第十三族元素、第十四族元素、第十五族元素或第十七族元素等杂质元素中的一种或多种的氧化锌（ZnO）、或者什么杂质元素都没有添加的氧化锌，所述三种状态如下：非晶（非晶质）状态；多晶状态；以及非晶状态和多晶状态同时存在的微晶（也称作微晶体）状态。此外，还可以使用InGaO3(ZnO)5、氧化镁锌（MgxZn1-xO）、氧化镉锌（CdxZn1-xO）、氧化镉（CdO）、或In-Ga-Zn-O之类的非晶氧化物半导体（a-IGZO）中的任何一种。这里，通过溅射法以50至200nm（优选以100至150nm）的厚度形成第一氧化物半导体膜305。
接下来，从衬底表面进行LRTA，以便使结晶性良好（图3A）。LRTA以250至570℃（优选以300至400℃，更优选以300至350℃）进行1分钟至1小时，更优选进行10至30分钟即可，并且通过从选自卤素灯、金属卤化物灯、氙弧灯、炭弧灯、高压钠灯、以及高压汞灯中的一种或多种的辐射来进行。在本实施方式中，在氧气氛中进行30分钟的灯加热，以便使栅极303达到约300℃，以使中间夹着栅极绝缘膜304与栅极303重叠的第一氧化物半导体膜305的区域提高结晶性。因为第一氧化物半导体膜305具有透光性，所以通过优先加热栅极303，第一氧化物半导体膜305的结晶性从栅极303的周围向外侧提高。于是，如图3B所示，第二氧化物半导体膜被形成，该第二氧化物半导体膜包括第二氧化物半导体区域309以及比第二氧化物半导体区域309结晶性良好的第一氧化物半导体区域308。注意，在图3A中虽然从衬底301的表面一侧进行灯加热，然而还可以从衬底背面进行LRTA。因为氧化物半导体膜305具有透光性，所以即使进行LRTA，衬底的大部分区域也不容易加热。由此，如果使用熔点低的树脂等作为衬底，也可以抑制由衬底的缩小等导致的变形。注意，还可以通过提高LRTA的输出功率从衬底表面进行灯加热，而直接改善氧化物半导体膜表面附近的结晶性。此外，通过调节灯光的波长、栅极的反射率、以及氧化物半导体膜的膜厚度，当从衬底的表面进行灯加热时，在栅极反射的灯光在氧化物半导体膜的栅极绝缘膜304一侧的表面附近被吸收，使得与栅极重叠的氧化物半导体膜的栅极绝缘膜304一侧的表面附近被优先结晶化。此外，在使用玻璃衬底作为衬底的情况下，灯光利用从可见光至红外光的区域。这种波长区域的光不容易被玻璃衬底吸收，从而可以将玻璃衬底的加热限度抑制得最小。灯加热可以多次进行。通过多次进行，可以在抑制衬底温度的上升的同时以长时间加热栅极。
注意，还可以代替LRTA而照射激光束或紫外光，或者组合它们选择性的改善氧化物半导体膜的结晶性。在使用激光辐照的情况下，可以使用连续振荡型激光束（CW激光束）和脉冲振荡型激光束（脉冲激光束）。作为这里可以使用的激光束，可以使用由如下激光器的一种或多种振荡的激光束：气体激光器如Ar激光器、Kr激光器、受激准分子激光器等；以将Nd、Yb、Cr、Ti、Ho、Er、Tm和Ta中的一种或多种作为掺杂剂添加的单晶YAG、YVO4、镁橄榄石（Mg2SiO4）、YAlO3、GdVO4、或者多晶（陶瓷）YAG、Y2O3、YVO4、YAlO3、GdVO4作为介质的激光器；玻璃激光器；红宝石激光器；变石激光器；Ti：蓝宝石激光器；铜蒸汽激光器；或者金蒸汽激光器。通过照射上述激光束的基波以及该基波的第二至第四高次谐波的激光束，可以使结晶性良好。注意，作为激光束优选使用其能量比氧化物半导体膜的带隙大的激光束。例如可以使用由KrF、ArF、XeCl或XeF的受激准分子激光震荡器发射的激光束。
接着，通过溅射法在第一氧化物半导体区域308和第二氧化物半导体区域309上按顺序沉积Ti和Al，以形成Ti层和Al层。然后，通过使用光刻法和Cl2气体对Ti和Al层进行干蚀刻，形成成为源极布线和漏极布线的布线306和布线307（图3C）。在加速电压为1.5kW、压强为0.4Pa的情况下使用Ar（流量为30sccm）以10至200nm的膜厚度形成布线306和307。注意，虽然层叠形成布线306和307，然而只要使用与氧化物半导体膜305的匹配性好的材料，就可以单独形成布线306和307。作为布线306和307可以适当地使用铝（Al）、钨（W）、钼（Mo）、锆（Zr）、铪（Hf）、钒（V）、铌（Nb）、钽（Ta）、铬（Cr）、钴（Co）、镍（Ni）、铂（Pt）、钛（Ti）、钕（Nd）等的金属、上述金属的合金或其金属氮化物、铟锡氧化物（ITO）、铟锌氧化物（IZO）、包含氧化硅的铟锡氧化物（ITSO）、氧化铟（In2O3）、氧化锡（SnO2）、氧化锌（ZnO）、添加有铝的氧化锌（AlZnO）、或添加有镓的氧化锌（GaZnO）等的具有透光性的材料。
之后，在氧化物半导体膜305、布线306、以及布线307上形成层间绝缘膜、布线、像素电极、发光元件等的结构，以制造半导体器件。
在本实施方式中，在对氧化物半导体膜305进行LRTA来改善结晶性之后形成布线。因此，布线306可以使用对灯光的反射率比栅极303低的材料并且其材料不局限于实施方式1所述的材料，只要是与氧化物半导体膜305的匹配性好的材料即可。
注意，通过LRTA的加热在形成氧化物半导体膜305之后使它加工成所要求的形状之前或使它加工成所要求的形状之后都可以进行。
在本发明中，当使用氧化锌作为半导体膜时以300℃左右的热处理温度改善半导体膜的结晶性，所以与使用结晶硅膜作为半导体膜的情况相比可以抑制热处理温度，从而可以以低成本进行结晶化步骤。此外，本发明由于使用透光性高的氧化物半导体膜通过LRTA选择性的加热栅极，所以衬底的大部分没有被加热，以可以抑制衬底的收缩。
实施方式3
将参照图4A至5C说明本发明的实施方式。本实施方式为具有沟道保护型的薄膜晶体管的半导体器件的例子。
作为衬底400，使用由硼硅酸钡玻璃、硼硅酸铝玻璃等构成的玻璃衬底、硅衬底、具有耐热性的塑料衬底或树脂衬底。作为塑料衬底或树脂衬底，可以使用聚对苯二甲酸乙二醇酯（PET）、聚萘二甲酸乙二醇酯（PEN）、聚醚砜（PES）、丙烯酸、聚酰亚胺等。此外，可以通过CMP法等抛光衬底400的表面，以使它平坦化。还可以在衬底400上形成绝缘层。绝缘层通过CVD法、等离子体CVD法、溅射法、旋转涂敷法等已知的方法使用含硅的氧化物材料、氮化物材料的至少一种由单层或叠层形成。可以不形成该绝缘层，然而，该绝缘层具有遮断来自衬底400的污染物质的效果以及抑制热量传到衬底的效果。
在衬底400上形成导电膜401。导电膜401被加工成所要求的形状，而成为栅极。导电膜401优选通过印刷法、电场电镀法、蒸发沉积法等的方法使用对用于LRTA加热的光源的波长的反射率低（容易吸收热量，即容易被加热）的材料形成。通过使用反射率低的材料，可以进行之后的加热步骤。作为导电膜401，可以适当地使用金属如钨（W）、钼（Mo）、锆（Zr）、铪（Hf）、钒（V）、铌（Nb）、钽（Ta）、铬（Cr）、钴（Co）、镍（Ni）、铂（Pt）、钛（Ti）、钕（Nd）等；它们的合金；或它们的金属氮化物。此外，还可以层叠上述材料的多个层形成导电膜401。典型地是，可以在衬底表面上形成氮化钽膜，并且在其上层叠钨膜。此外，还可以使用在硅中添加赋予一个导电类型的杂质元素的材料。例如，可以使用具有n型的硅膜等，该硅膜包含如磷（P）等赋予n型的杂质元素。导电膜401以10至200nm的膜厚度形成。
在本实施方式中，通过溅射法使用钨（W）形成膜厚度为150nm的导电膜401。
使用光刻步骤在导电膜401上形成由抗蚀剂构成的掩模，并且使用该掩模将导电膜401加工成所要求的形状，以形成栅极402（参照图4B）。
接着，在栅极402上形成栅极绝缘膜403a和栅极绝缘膜403b，以形成两层的叠层结构。优选地，通过在保持真空状态下改变反应气体，在同一容器内且相同的温度下，连续叠层来形成绝缘层。当在保持真空状态下连续地形成时，可以防止要叠层的膜之间的界面受到污染。
栅极绝缘膜403a和栅极绝缘膜403b可以适当地使用氧化硅（SiOx）、氮化硅（SiNx）、氧氮化硅（SiOxNy）（x＞y）、氮氧化硅（SiNxOy）（x＞y）等。再者，可以使栅极402氧化来形成氧化膜而代替栅极绝缘膜403a。注意，优选使用氮化硅（SiNx）、氮氧化硅（SiNxOy）（x＞y）等形成栅极绝缘膜403a，以便防止杂质等从衬底一侧扩散。此外，优选使用氧化硅（SiOx）、氧氮化硅（SiOxNy）（x＞y）形成栅极绝缘膜403b。注意，为了以低成膜温度形成栅极漏电流少的致密的绝缘膜，优选将氩等稀有气体元素包含在反应气体中，以使它混入在要形成的绝缘膜中。在本实施方式中，使用SiH4和NH3作为反应气体以50至140nm的膜厚度由氮化硅膜形成栅极绝缘膜403a，并且使用SiH4和N2O作为反应气体以100nm的膜厚度由氧化硅膜层叠形成栅极绝缘膜403b。注意，优选将栅极绝缘膜403a和栅极绝缘膜403b的膜厚度分别设定为50至100nm。
此外，栅极绝缘膜403b可以由与之后要形成的氧化物半导体膜的匹配性良好的氧化铝（Al2O3）或氮化铝（AlN）形成。在此情况下，通过使用绝缘性高的氧化硅、氮化硅、氧氮化硅、氮氧化硅等作为栅极绝缘膜403a，并且使用与氧化物半导体膜的界面特性好的氧化铝或氮化铝作为栅极绝缘膜403b，可以形成可靠性高的栅极绝缘膜。注意，还可以将栅极绝缘膜形成为三层，并且将第三层作为使用氧化铝或氮化铝的栅极绝缘膜。
接着，在栅极绝缘膜403b上形成氧化物半导体膜404。通过溅射法在流量为Ar:O2=50:5（sccm）、压强为0.4Pa的情况下以100nm的膜厚度形成氧化物半导体膜404。
作为氧化物半导体膜404可以使用三种状态的添加有元素周期表中第一族元素、第十三族元素、第十四族元素、第十五族元素或第十七族元素等杂质元素中的一种或多种的氧化锌（ZnO）、或者什么杂质元素都没有添加的氧化锌，所述三种状态如下：非晶（非晶质）状态；多晶状态；以及非晶状态和多晶状态同时存在的微晶（也称作微晶体）状态。此外，还可以使用氧化钛（TiO2）、InGaO3(ZnO)5、氧化镁锌（MgxZn1-xO）、氧化镉锌（CdxZn1-xO）、氧化镉（CdO）、或In-Ga-Zn-O之类的非晶氧化物半导体（a-IGZO）中的任何一种。
注意，在将ZnO用作氧化物半导体膜404的情况下，优选掺杂氮。ZnO本来呈现n型半导体的性质。通过添加氮，氮对ZnO起受主杂质的作用，结果可以控制阈值电压。
接着，使用LRTA法从衬底400的表面或背面进行对氧化物半导体膜404的加热（图4D）。LRTA通过从选自卤素灯、氙弧灯、金属卤化物灯、炭弧灯、高压钠灯、以及高压汞灯中的一种或多种的辐射来进行。LRTA以250至570℃（优选以300至400℃，更优选以300至350℃）进行1分钟至1小时，优选进行10至30分钟。在本实施方式，以卤素灯为光源在氧气氛中并且在300℃、30分钟的条件下进行灯加热。
通过进行LRTA，以短时间选择性地加热栅极402，在形成在栅极402周围的用虚线所示的区域434中由加热的热量形成结晶性提高了的第一氧化物半导体区域。另一方面，在用虚线所示的区域434之外的区域424中很少吸收灯光，从而该区域几乎没有被加热，以形成结晶性与第一氧化物半导体区域不同的第二氧化物半导体区域（图4E）。因此，仅仅形成有栅极402的区域被选择性地加热，而其它区域没有被加热，从而可以抑制衬底400的缩小和弯曲。注意，通过提高LRTA的输出功率从衬底表面进行灯加热，而直接改善氧化物半导体膜表面附近的结晶性。此外，还可以通过调节灯光的波长、栅极的反射率、以及氧化物半导体膜的膜厚度，当从衬底的表面进行灯加热时，在栅极反射的灯光在氧化物半导体膜的栅极绝缘膜403b一侧的表面附近被吸收，以与栅极重叠的氧化物半导体膜的栅极绝缘膜403b一侧的表面附近被优先结晶化。此外，在使用玻璃衬底作为衬底的情况下，灯光利用从可见光至红外光的区域。这种波长区域的光不容易被玻璃衬底吸收，从而可以将玻璃衬底的加热限度抑制得最小。注意，灯加热可以多次进行。通过多次进行，可以在抑制衬底温度的上升的同时以长时间加热栅极。
注意，还可以代替LRTA而照射激光束或紫外光，或者组合它们选择性的改善氧化物半导体膜的结晶性。在使用激光辐照的情况下，可以使用连续振荡型激光束（CW激光束）和脉冲振荡型激光束（脉冲激光束）。作为这里可以使用的激光束，可以使用由如下激光器的一种或多种振荡的激光束：气体激光器如Ar激光器、Kr激光器、受激准分子激光器等；以将Nd、Yb、Cr、Ti、Ho、Er、Tm和Ta中的一种或多种作为掺杂剂添加的单晶YAG、YVO4、镁橄榄石（Mg2SiO4）、YAlO3、GdVO4、或者多晶（陶瓷）YAG、Y2O3、YVO4、YAlO3、GdVO4作为介质的激光器；玻璃激光器；红宝石激光器；变石激光器；Ti：蓝宝石激光器；铜蒸汽激光器；或者金蒸汽激光器。通过照射上述激光束的基波以及该基波的第二至第四高次谐波的激光束，可以使结晶性良好。注意，作为激光束优选使用其能量比氧化物半导体膜的带隙大的激光束。例如可以使用由KrF、ArF、XeCl或XeF的受激准分子激光振荡器发射的激光束。
接着，在氧化物半导体膜404上形成保护膜405，并且在保护膜405上形成抗蚀剂406（参照图4F）。将抗蚀剂406作为掩模通过光刻步骤将保护膜405加工成所要求的形状，以形成沟道保护膜407。作为沟道保护膜可以适当地使用氧化硅（SiOx）、氮化硅（SiNx）、氧氮化硅（SiOxNy）（x＞y）、氮氧化硅（SiNxOy）（x＞y）等。通过形成沟道保护膜407，当形成源极层和漏极层时可以防止沟道部的半导体层被蚀刻。在本实施方式中，形成氮化硅膜作为保护膜405，以形成沟道保护膜407（参照图4G）。
接着，使用光刻步骤由抗蚀剂制作掩模408（图4H），并且使用该掩模408对氧化物半导体膜404进行蚀刻，以形成被加工成所要求的形状的氧化物半导体膜409（也称作岛状氧化物半导体膜）（图5A）。注意，对蚀刻使用稀释了的氢氟酸。之后，在氧化物半导体膜409上形成第一导电膜411和第二导电膜412，并且使用光刻步骤由抗蚀剂形成掩模413（图5B）。使用掩模413将第一导电膜411和第二导电膜412加工成所要求的形状，形成用作源电极或漏极的第一导电膜414a和414b以及第二导电膜415a和415b（图5C）。
作为掩模可以使用包含感光剂的市场上销售的抗蚀剂材料，例如可以使用作为典型的正性抗蚀剂的酚醛树酯、作为感光剂的萘醌二叠氮化物、作为负性抗蚀剂的基托树脂、二苯基硅二醇、以及产酸剂等。使用任何材料，其表面张力和粘度该通过调整溶剂的浓度或加界面激活剂等而适当地调整。此外，当使用包含具有感光性的感光物质的导电材料作为导电膜时，即使不形成由抗蚀剂构成的掩模，也通过直接对导电膜照射激光束，并且由曝光和蚀刻剂进行去除，而可以加工成所要求的形状。在此情况下，可以不形成掩模，从而有步骤简单化的优点。
包含感光性物质的导电材料可以包括诸如Ag、Au、Cu、Ni、Al和Pt等金属或其合金以及感光性树脂，该感光树脂由有机高分子树脂、光重合起动剂、光重合单体或溶剂等构成。作为有机高分子树脂，使用酚醛清漆树脂、丙烯酸类共聚物、甲基丙烯酸类共聚物、纤维素衍生物、环化橡胶类树脂等。
注意，在形成第一导电膜411之前，可以将例如由添加有铝的氧化锌（AlZnO）或添加有镓的氧化锌（GaZnO）构成的导电膜再一层形成在氧化物半导体膜404上而作为n型氧化物半导体。通过形成由AlZnO或GaZnO构成的导电膜，第一导电膜411和氧化物半导体膜409的匹配性良好，以可以降低源电极和漏极的接触电阻。此外，还可以采用在GaZnO上形成Ti或在Ti上形成GaZnO的层叠结构。
此外，作为第一导电膜414a和414b以及第二导电膜415a和415b，可以适当地使用铝（Al）、钨（W）、钼（Mo）、锆（Zr）、铪（Hf）、钒（V）、铌（Nb）、钽（Ta）、铜（Cu）、铬（Cr）、钴（Co）、镍（Ni）、铂（Pt）、钛（Ti）、钕（Nd）等的金属或其合金，或者其金属氮化物。例如，可以考虑如下组合：第一导电膜为Ti，并且第二导电膜为Al；第一导电膜为Ta，并且第二导电膜为W；第一导电膜为TaN，并且第二导电膜为Al；第一导电膜为TaN，并且第二导电膜为Cu；以及第一导电膜为Ti，第二导电膜为Al，并且第三导电膜为Ti。第一层和第二层中的任一个可以由AgPdCu合金形成。而且，也可以采用按顺序层叠W、Al和Si的合金（Al-Si）、以及TiN的三层结构。可以使用氮化钨代替W，可以使用Al和Ti的合金膜（Al-Ti）代替Al和Si的合金（Al-Si），或者可以使用Ti代替TiN。为了改善耐热性，铝可以添加0.5至5原子%的元素，诸如钛、硅、钪、钕和铜等。
此外，作为形成第一导电膜411和第二导电膜412的导电材料，可以使用铟锡氧化物（ITO）、铟锌氧化物（IZO）、含有氧化硅的铟锡氧化物（ITSO）、氧化铟（In2O3）、氧化锡（SnO2）、氧化锌（ZnO）、氧化钛等的具有透光性的材料、以及适当组合它们的材料。
注意，在本实施方式中，在对氧化物半导体膜305进行LRTA使它改善其结晶性之后，形成第一导电膜411和第二导电膜412。因此，第一导电膜411和第二导电膜412可以由比栅极402对灯光的反射率低的材料形成，用作布线或电极的导电材料只要与氧化物半导体膜305的匹配性好，就不局限于实施方式1中举出的材料。
注意，在本实施方式中，蚀刻加工可以采用等离子体蚀刻（干蚀刻）或湿蚀刻的任一种，然而当处理大面积衬底时等离子体蚀刻更合适。作为蚀刻气体，使用CF4、NF3、SF6、CHF3等的氟类、以Cl2、BCl3、SiCl4或CCl4等为典型的氯类气体或者O2气体，还可以适当地添加He和Ar等的惰性气体。此外，如果应用大气压放电的蚀刻加工，就可以局部放电加工，从而无须在衬底的整个面上形成掩模层。
注意，在本实施方式的光刻步骤中，可以在涂敷抗蚀剂之前将膜厚度为几nm左右的绝缘膜形成在氧化物半导体膜的表面上。通过该步骤可以避免氧化物半导体膜和抗蚀剂直接接触，从而可以防止包含在抗蚀剂中的杂质进入在氧化物半导体膜中。
通过上述步骤可以制造沟道部分的半导体层没有蚀刻的底栅型（也称作反交错型）的薄膜晶体管。注意，在本实施方式中虽然制造了底栅型TFT，然而只要将中间夹着栅极绝缘膜形成在提供在衬底上的氧化物半导体膜上的栅极通过LRTA加热，并且可以改善至少氧化物半导体膜的沟道形成区域的结晶性，就可以采用顶栅型TFT。
本实施方式可以与实施方式1和2适当地组合。
实施方式4
将使用图6A至6F对本发明的实施方式进行说明。本实施方式为在实施方式3中具有沟道蚀刻型薄膜晶体管的半导体器件的例子。由此，对于相同的部分或具有相同功能的部分省略其重复说明。
在衬底600上形成栅极层602，并且覆盖栅极层602地形成栅极绝缘膜603a和栅极绝缘膜603b（参照图6A）。在栅极绝缘膜603b上形成氧化物半导体膜，并且形成具有第一氧化物半导体区域604和第二氧化物半导体区域605的氧化物半导体膜，所述第一氧化物半导体区域604为由虚线所示的区域并且通过从衬底表面进行LRTA提高其结晶性，所述第二氧化物半导体区域605没有比第一氧化物半导体区域604进行结晶化（参照图6B）。在氧化物半导体膜上提供掩模608（图6C），使用光刻步骤将它加工成所要求的形状，以形成氧化物半导体膜609（图6D）。
接着，形成第一导电膜611和第二导电膜612。然后形成由抗蚀剂构成的掩模613（参照图6E）。在本实施方式中，通过溅射法形成分别包含钛和铝的导电膜作为第一导电膜611和第二导电膜612。
之后，通过光刻步骤通过掩模613将第一导电膜611和第二导电膜612加工成所要求的形状，以形成用作源极或漏极的第一导电膜615a、615b以及第二导电膜616a、616b（图6F）。
通过上述步骤可以制造沟道部分的一部分的半导体层被蚀刻的薄膜晶体管。
注意，在本实施方式中，还可以再加在氧化物半导体膜和第一导电膜611之间提供例如由掺杂有铝的氧化锌（AlZnO）或掺杂有镓的氧化锌（GaZnO）构成的导电膜以作为n型氧化物半导体。此外，还可以采用例如将Ti形成在GaZnO上或将GaZnO形成在Ti上的叠层结构。通过形成n型氧化物半导体膜，使成为源极以及漏极的第一导电膜611与氧化物半导体膜的连接良好，从而可以降低接触电阻。
本实施方式可以与实施方式1至3适当地组合。
实施方式5
将使用图7对根据实施方式3或4形成的底栅型薄膜晶体管和像素电极彼此连接的发光器件进行说明。注意，本实施方式的薄膜晶体管为沟道蚀刻型。
图7表示用于驱动电路的TFT的截面图以及用于像素部分的TFT的截面图。701相当于用于驱动电路的TFT的截面图，702相当于用于像素部分的TFT的截面图，以及703相当于由该TFT 702供给电流的发光元件的截面图。TFT 701和TFT 702为底栅型。
驱动电路的TFT 701具有形成在衬底700上的栅极710、覆盖栅极710的栅极绝缘膜711、以及中间夹着栅极绝缘膜711与栅极710重叠并且含有氧化锌的氧化物半导体膜712。TFT 701还具有用作源极或漏极的第一导电膜713和第二导电膜714。注意，第一导电膜713和第二导电膜714还用作布线层。
在图7中，栅极绝缘膜711由两层绝缘膜形成，然而，本发明不局限于该结构。栅极绝缘膜711还可以由单层或三层以上（包括三层）的绝缘膜形成。
此外，第二导电膜714由铝或含有铝的合金形成。而且，一对第二导电膜714中间夹着氧化物半导体膜712的沟道形成区域彼此相对。
此外，第一导电膜713由钛形成。第一导电膜713不必形成，然而如果提供，氧化物半导体膜712与第二导电膜714的电接触性更良好。此外，第一导电膜713还具有阻挡层的功能，该阻挡层防止在氧化物半导体膜712中的氧扩散到第二导电膜中。其结果，可以提高TFT的可靠性。注意，人们知道氧化物半导体膜即使对它没做什么也呈现n型。因此，还可以通过对沟道被形成的第一氧化物半导体膜添加赋予p型导电性的杂质，控制其导电类型，以便其导电类型尽可能接近I型（也称作本征型，该类型定义为具有相同数量的负电荷和正电荷的导电类型）。
像素部分的TFT 702具有形成在衬底700上的栅极720、覆盖栅极720的栅极绝缘膜711、以及中间夹着栅极绝缘膜711与栅极720重叠的氧化物半导体膜722。TFT 702还具有用作源极或漏极的一对第一导电膜723以及第二导电膜724。
此外，第二导电膜724由铝或含铝的合金形成。此外，一对第二导电膜724中间夹着氧化物半导体膜722的沟道被形成的区域彼此相对。
此外，第一导电膜723由钛形成。第一导电膜723不必形成，然而如果提供，与氧化物半导体膜722的电接触性变得更良好。此外，第一导电膜723还具有阻挡层的功能，该阻挡层防止在氧化物半导体膜722中的氧扩散到第二导电膜724中。结果，可以提高TFT的可靠性。注意，人们知道氧化物半导体膜722即使对它没做什么也呈现n型。因此，还可以对沟道被形成的第一氧化物半导体膜添加赋予p型导电性的杂质来控制其导电类型，以便其导电类型尽可能接近I型。
此外，覆盖TFT 701和TFT 702地形成由绝缘膜构成的第一钝化膜740和第二钝化膜741。可以通过等离子体CVD法或溅射法等薄膜形成法使用氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氧氮化硅、氧氮化铝、或氧化铝、类金刚石碳（DLC）、含有氮的碳（CN）、以及其他绝缘材料形成第一钝化膜740和第二钝化膜741。覆盖TFT 701和TFT 702的钝化膜不限定于两层，可以为单层，还可以为三层或更多层。例如，第一钝化膜740可以由氮化硅形成，第二钝化膜741可以由氧化硅形成。通过由氮化硅或氮氧化硅形成钝化膜，可以防止来自外部的杂质进入半导体元件中，还可以防止TFT 701和TFT 702因为受水分等的影响而恶化。在本实施方式中在相同的室内替换气体，连续形成第一钝化膜740和第二钝化膜741。
接着，第二导电膜724的一方连接到发光元件703的像素电极730。
接着，选择性地形成绝缘层729（也称作隔壁、堤、堤坝）。在像素电极730上具有开口部分并且覆盖第二钝化膜741地形成绝缘层729。在本实施方式中，覆盖整个表面地形成绝缘层729，然后通过抗蚀剂等的掩模来蚀刻，以加工成所要求的形状。
绝缘层729可以由如下材料形成，即由氧化硅、氮化硅、氧氮化硅、氧化铝、氮化铝、氧氮化铝、以及其他无机绝缘材料；或硅氧烷类材料为起始材料而形成的硅、氧、氢构成的化合物中含有Si-O-Si键的无机硅氧烷；诸如甲基或苯基的有机基取代硅上的氢的有机硅氧烷之类的绝缘材料。还可以使用丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂等的感光性或非感光性材料来形成。绝缘层729优选具有曲率半径连续改变的形状，这样可以提高在上面形成的场致发光层731和相对电极732的被覆盖性。
接着，在像素电极730上接触地形成场致发光层731。作为场致发光层731，分别通过使用蒸发掩模的蒸发沉积法等选择性地形成呈现红色（R）、绿色（G）、蓝色（B）发光的材料。呈现红色（R）、绿色（G）、蓝色（B）发光的材料与彩色过滤器相同可以通过液滴喷射法形成（低分子量或高分子量材料等），并且此时不使用掩模也可以分别涂敷RGB，从而是优选的。注意，除了由RGB三种颜色的组合之外，还可以为加翡翠绿的四种颜色。此外，还可以加朱红。此外，还可以组合包括呈现白色发光的EL元件的像素。
与该场致发光层731接触地形成相对电极732。注意，发光元件703具有阳极和阴极，其中任一方用作像素电极，另一方用作相对电极。这样，完成使用发光元件并且具有显示功能的发光器件。
在本发明中，由于氧化物半导体膜的沟道形成区域至少包括结晶化了的区域，所以可以得到具有与使用非晶硅膜的TFT相比高的迁移率的TFT。此外，该TFT在结晶化步骤的温度比使用结晶硅膜的TFT低，所以工序很廉价。
本实施方式可以与实施方式1至4适当地组合。
实施方式6
在本实施方式中，将使用图13A至18B说明一种液晶显示器，该液晶显示器中由应用了本发明的底栅型薄膜晶体管构成的半导体元件与像素电极彼此连接。注意，直到形成第二钝化膜741的步骤可以参照实施方式5进行，从而在此使用与图7相同的符号，省略其说明。
如图13A所示，在形成第二钝化膜741之后，覆盖该第二钝化膜741地形成绝缘层1329。
接着，形成通过接触孔分别连接到第二导电膜714和724的布线1371、1372、1373、以及1374。第二导电膜724通过布线1374电连接到液晶元件1303的像素电极1330。在制造透光型的液晶显示面板的情况下，作为像素电极1330可以使用包含氧化钨的铟氧化物、包含氧化钨的铟锌氧化物、包含氧化钛的铟氧化物、以及包含氧化钛的铟锡氧化物等。当然，还可以使用铟锡氧化物（ITO）、铟锌氧化物（IZO）、添加了氧化硅的铟锡氧化物（ITSO）等。此外，在制造反射型显示面板的情况下，作为具有反射性的金属薄膜可以使用由钛、钨、镍、金、铂、银、铝、镁、钙、锂、以及它们的合金构成的导电膜等。像素电极1330可以使用蒸发沉积法、溅射法、CVD法、印刷法或液滴喷射法等来形成。
此外，在像素电极1330上与它接触地形成定向膜1331。另一方面，在中间夹着像素电极1330相对于第一衬底700的第二衬底1340下按顺序层叠相对电极1341和定向膜1342。在像素电极1330以及定向膜1331与相对电极1341以及定向膜1342之间提供有液晶1343。像素电极1330、液晶1343、以及相对电极1341重叠的部分相当于液晶元件1303。注意，如图13B所示，像素电极1330可以延长形成在TFT 702上。氧化物半导体膜对可见光具有透光性，所以在使用包含具有透光性的铟锡氧化物（ITO）、由铟锡氧化物和氧化硅构成的ITSO、有机铟、有机锡、氧化锌或氮化钛等的透明导电膜作为第一导电膜713、723以及第二导电膜714、724的情况下，可以提高像素部分的开口率。
由间隔物1361控制在像素电极1330和相对电极1341之间的距离（盒间隙）。在图13A中，通过将提供在第一衬底700一侧的绝缘膜加工成所要求的形状来形成间隔物1361，然而还可以将另行准备的球状间隔物分散在定向膜1331上控制盒间隙。1362相当于密封剂，可以由该密封剂1362将液晶1343密封在第一衬底700和第二衬底1340之间。
在第一衬底700的未形成有TFT 701和TFT 702的一面提供有偏振光片1350。此外，在第二衬底1340的与形成有相对电极1341的一面相反的表面上提供有偏振光片1351。注意，在本发明的液晶显示器中，定向膜和偏振光片的数目和提供它们的位置不局限于图13A所示的结构。
本发明改善了至少氧化物半导体膜的沟道形成区域中的结晶性，所以可以获得具有比使用非晶硅膜的TFT高的迁移率的TFT。此外，该TFT与使用结晶硅膜的TFT相比结晶化步骤的温度低，从而工序很廉价。再者，由于通过灯加热选择性地提高氧化物半导体膜的结晶性，所以与使氧化物半导体膜的所有部分结晶化时相比可以缩短为了结晶化所需要的时间。由此，可以提高成品率。此外，选择性地并且短时间进行结晶化，所以不容易发生衬底的收缩，从而可以使用树脂衬底等熔点比较低的衬底。因此，可以以低成本制造TFT。
此外，沟道形成区域不吸收可见光，所以不发生不需要的光载流子。由此，可以形成优异于耐光性的TFT。
接着，对本发明的液晶显示器所具有的像素的别的结构进行说明。图14A表示像素的电路图的一个方式，图14B表示对应于图14A的像素的截面结构的一个方式。
在图14A和14B中，1501相当于开关TFT，而1502相当于液晶元件，所述开关TFT用于控制向像素的视频信号的输入。具体而言，通过开关TFT 1501输入到像素的视频信号的电势被供给到液晶元件1502的像素电极。此外，1503相当于用于在开关TFT 1501关断（OFF）时保持液晶元件1502的像素电极和相对电极之间的电压的电容元件。
具体而言，开关TFT 1501的栅极连接到扫描线G，其源极区域和漏极区域中的一方连接到信号线S，而另一方连接到液晶元件1502的像素电极1504。电容元件1503所具有的两个电极中，一方连接到液晶元件1502的像素电极1504，并且一定的电势，优选与相对电极相同的电势供给给另一方。
在图14A和14B中采用了多栅结构，其中开关TFT 1501串联连接并且其栅极1510相互连接的多个TFT具有公共的氧化物半导体膜1512。通过采用多栅结构，可以减少开关TFT1501的关断电流。具体地说，在图14A和14B中开关TFT 1501尽管具有以下结构，即其中两个TFT相互串联连接，但是还可以具有多栅结构，其中三个或更多个TFT相互串联连接并且它们的栅极相互连接。此外，开关TFT并非必须具有多栅结构，同样可以使用包括单一的栅极和沟道形成区域的一般的单栅结构的TFT。
接着，对本发明的液晶显示器所具有的TFT进行说明，该TFT与图13A至14B不同。图15中表示用于驱动电路的TFT的截面图以及用于像素部分的TFT的截面图。2301相当于用于驱动电路的TFT的截面图，2302相当于用于像素部分的开关TFT的截面图，2303相当于液晶元件的截面图。
驱动电路的TFT 2301具有形成在衬底2300上的栅极2310、覆盖栅极2310的栅极绝缘膜2311、以及中间夹着栅极绝缘膜2311与栅极2310重叠的氧化物半导体膜2312，而像素部分的TFT 2302具有形成在衬底2300上的栅极2320、覆盖栅极2320的栅极绝缘膜2311、以及中间夹着栅极绝缘膜2311与栅极2320重叠的氧化物半导体膜2322，所述氧化物半导体膜2312和2322在沟道形成区域中至少具有结晶化了的区域。覆盖氧化物半导体膜2312和2322的沟道形成区域地形成由绝缘膜形成的沟道保护膜2390和2391。为了防止在制造TFT 2301和2302的步骤中氧化物半导体膜2312和2322的沟道形成区域被蚀刻而提供沟道保护膜2390和2391。TFT 2301和2302还具有用作源极或漏极的一对第一导电膜2313和2323、以及第二导电膜2314和2324。注意，第一导电膜2313和2323以及第二导电膜2314和2324还用作布线层。
在图15中，栅极绝缘膜2311由两层绝缘膜形成，然而本发明不局限于该结构。栅极绝缘膜2311还可以由单层或三层以上（包括三层）的绝缘膜形成。
此外，第二导电膜2314和2324由铝或含有铝的合金形成。一对第二导电膜2314和2324中间夹着氧化物半导体膜2322的沟道被形成的区域彼此相对。
此外，第一导电膜2313和2323由钛形成。第一导电膜2313和2323并非必须提供，然而，如果提供，与氧化物半导体膜2312和2322的电接触性就良好。此外，第一导电膜2313和2323还具有防止在氧化物半导体膜2312和2322中的氧扩到在第二导电膜2314和2324中的阻挡层的功能。结果，可以提高TFT的可靠性。注意，人们知道氧化物半导体膜2312和2322即使对它没做什么也呈现n型。因此，还可以通过对沟道被形成的氧化物半导体膜添加赋予p型导电性的杂质来控制其导电类型，以便其导电类型尽可能接近I型。
此外，覆盖TFT 2301和2302地形成由绝缘膜构成的第一钝化膜2380以及第二钝化膜2381。可以通过等离子体CVD法或溅射法等薄膜形成法使用氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氧氮化硅、氧氮化铝、或氧化铝、类金刚石碳（DLC）、含有氮的碳（CN）、以及其他绝缘材料形成第一钝化膜2380和第二钝化膜2381。覆盖TFT 2301和TFT 2302的钝化膜不限定于两层，可以为单层，也可以为三层或更多层。例如，第一钝化膜2380可以由氮化硅形成，第二钝化膜2381可以由氧化硅形成。通过由氮化硅或氮氧化硅形成钝化膜，可以防止来自外部的杂质进入半导体元件中，还可以防止TFT 2301和TFT 2302因为受水分等的影响而恶化。在本实施方式中在相同的室内替换气体，连续形成第一钝化膜2380和第二钝化膜2381。
接着，覆盖第二钝化膜2381地形成绝缘层2329。然后形成通过接触孔与第二导电膜2314和2324分别连接的布线2371、2372、2373以及2374。第二导电膜2324通过布线2374电连接到液晶元件2303的像素电极2330。
此外，在像素电极2330上与它接触地形成定向膜2331。另一方面，在中间夹着像素电极2330相对于第一衬底2300的第二衬底2340上按顺序层叠相对电极2341和定向膜2342。在像素电极2330、定向膜2331与相对电极2341、定向膜2342之间提供有液晶2343。像素电极2330、液晶2343、以及相对电极2341重叠的部分相当于液晶元件2303。注意，像素电极可以延长形成在TFT上。在使用包含具有透光性的铟锡氧化物（ITO）、由铟锡氧化物和氧化硅构成的ITSO、有机铟、有机锡、氧化锌或氮化钛等的透明导电膜作为第一导电膜和第二导电膜的情况下，可以提高像素部分的开口率。
由间隔物2361控制在像素电极2330和相对电极2341之间的距离（盒间隙）。在图15中，通过将绝缘膜加工成所要求的形状来形成间隔物2361，然而还可以将另行准备的球状间隔物分散在定向膜2331上来控制盒间隙。2362相当于密封剂，可以由该密封剂2362将液晶2343密封在第一衬底2300和第二衬底2340之间。
在第一衬底2300的与形成有TFT 2301和TFT 2302的一面相反的表面上提供有偏振光片2350。此外，在第二衬底2340的与形成有相对电极2341的一面相反的表面上提供有偏振光片2351。注意，在本发明的液晶显示器中，定向膜和偏振光片的数目和提供它们的位置不局限于图15所示的结构。
接着，将表示用于本发明的液晶显示器的元件衬底的结构。
图16示出了元件衬底的示例，在该示例中，另行只形成信号线驱动电路6013，该信号线驱动电路6013连接到形成在第一衬底6011上的像素部分6012。像素部分6012和扫描线驱动电路6014使用具有氧化物半导体膜的TFT形成，所述氧化物半导体膜至少在沟道形成区域中包括结晶化了的区域。通过由呈现出比使用非晶硅膜的TFT更高的迁移率的晶体管形成信号线驱动电路，可以稳定信号线驱动电路的工作，该信号线驱动电路需要比扫描线驱动电路更高的驱动频率。应当指出，信号线驱动电路6013可以由使用单晶硅半导体的晶体管、使用多晶半导体的TFT或者使用SOI的晶体管形成。通过FPC 6015，向像素部分6012、信号线驱动电路6013和扫描线驱动电路6014的每一个提供电源电势和各种信号等。
注意，可以将信号线驱动电路和扫描线驱动电路集成地形成在与像素部分相同的衬底上。
而且，在另行形成驱动电路的情况中，在其上形成驱动电路的衬底不必附着于在其上形成像素部分的衬底上，例如，也可以附着在FPC上。图17A示出了元件衬底的示例，在该示例中，另行只形成信号线驱动电路6023，该信号线驱动电路6023连接到形成在第一衬底6021上的像素部分6022和扫描线驱动电路6024。像素部分6022和扫描线驱动电路6024由使用氧化物半导体膜的TFT形成，所述氧化半导体膜至少在沟道形成区域中包括结晶化了的区域。信号线驱动电路6023通过FPC 6025连接到像素部分6022。通过FPC 6025，向每一个像素部分6022、信号线驱动电路6023和扫描线驱动电路6024提供电源电势和各种信号等。
此外，可以通过使用具有氧化物半导体膜的TFT，仅将信号线驱动电路的一部分或者扫描线驱动电路的一部分形成在与像素部分相同的衬底上，而另行形成其剩余部分并且电连接到像素部分，所述氧化物半导体膜至少在沟道形成区域包括结晶化了的区域。图17B示出了元件衬底的示例，在该示例中，将信号线驱动电路所具有的模拟开关6033a形成在与像素部分6032以及扫描线驱动电路6034相同的第一衬底6031上，而将信号线驱动电路所具有的移位寄存器6033b另行形成在不同衬底上并附着于衬底6031上。像素部分6032和扫描线驱动电路6034由具有氧化物半导体膜的TFT形成，所述氧化物半导体膜至少在沟道形成区域包括结晶化了的区域。具有信号线驱动电路所具有的移位寄存器6033b通过FPC 6035连接到像素部分6032。通过FPC 6035，向每一个像素部分6032、包括于信号线驱动电路中的模拟开关6033a和移位寄存器6033b、以及扫描线驱动电路6034提供电源电势和各种信号等。
如图16至17B所示，本发明的液晶显示器可以使用具有氧化物半导体膜的TFT在与像素部分相同的衬底上形成驱动电路的一部分或所有部分，所述氧化物半导体膜至少在沟道形成区域包括结晶化了的区域。
对另行形成的衬底的连接方法没有特别的限制，可以使用COG（玻璃上芯片安装）法、引线键合法或TAB（带式自动接合）法等。此外，只要可以电连接，连接点就不限于图18A和18B所示的位置。而且，控制器、CPU、存储器等可以另行形成来连接。
注意，本发明中使用的信号线驱动电路不限于仅包括移位寄存器和模拟开关的方式。其可以既包括移位寄存器和模拟开关，还包括缓冲器、电平移位器和源极跟随器等的其他电路。此外，并非必需提供移位寄存器和模拟开关，例如，可以使用诸如解码器电路的用于选择信号线的别的电路而替代移位寄存器，并且还可以使用闩锁等而替代模拟开关。
图18A表示应用本发明的液晶显示器的框图。图18A所示的液晶显示器包括具有液晶元件的多个像素的像素部分801、选择每个像素的扫描线驱动电路802和控制视频信号输入到被选择的像素的信号线驱动电路803。
在图18A中，信号线驱动电路803包括移位寄存器804和模拟开关805。时钟信号（CLK）和起始脉冲信号（SP）输入到移位寄存器804。当输入时钟信号（CLK）和起始脉冲信号（SP）时，定时信号在移位寄存器804中产生并输入到模拟开关805。
另外，将视频信号输入到模拟开关805。根据输入的定时信号，视频信号在模拟开关805中被采样，并被提供给下一行信号线。
接着，将说明扫描线驱动电路802的结构。扫描线驱动电路802包括移位寄存器806和缓冲器807。在某些情况下，扫描线驱动电路802可包含电平移动器。通过将时钟信号（CLK）和起始脉冲信号（SP）输入到移位寄存器806中，在扫描线驱动电路802中产生选择信号。所产生的选择信号通过缓冲器807缓冲并放大，并且提供到对应的扫描线。其中一条线上的像素的晶体管的栅极连接到扫描线。因为必须使一条线上的像素的晶体管同时接通，从而，使用能够流过大电流的缓冲器807。
全彩色液晶显示器中，在将对应于R（红）、G（绿）、B（蓝）的视频信号按顺序取样而供给给对应的信号线的情况下，用于连接移位寄存器804和模拟开关805的端子数目相当于用于连接模拟开关805和像素部分801的信号线的端子数目的三分之一左右。因此，通过将模拟开关805形成在与像素部分801相同的衬底上，与将模拟开关805形成在与像素部分801不同的衬底上时相比，可以减少用于连接另外形成的衬底的端子数目，并且抑制连接不良的发生比率，以可以提高成品率。
图18B示出与图18A不同的根据本发明的液晶显示器的框图。在图18B中，信号线驱动电路813具有移位寄存器814、闩锁A815、闩锁B816、以及D/A转换电路（以下称作DAC817）。扫描线驱动电路812具有与图18A的情况相同的结构。
移位寄存器814中输入时钟信号（CLK）和起始脉冲信号（SP）。当输入时钟信号（CLK）和起始脉冲信号（SP）时，在移位寄存器814中产生定时信号，然后按顺序输入到第一段闩锁A 815中。与定时信号输入到闩锁A 815中同步，视频信号按顺序被写入到闩锁A 815中并被存储。注意，在图18B中虽然假定了视频信号按顺序写入到闩锁A 815中，但是本发明并不限于这种结构。也可以将具有多个级（stage）的闩锁A 815分成几个组，然后给各组并行输入视频信号，即进行分区驱动。在这种情况下，组的数量被称作分区的数量。例如，如果在每四个级中将闩锁分成组，就称作使用四个分区进行分区驱动。
向闩锁A 815的所有级写入视频信号的周期被称为行周期。实际上，有可能在上述行周期加上水平回扫周期的周期包含在行周期。
当一个行周期结束时，向第二段的闩锁B 816供给闩锁信号（Latch Signal）。与该闩锁信号的输入同步，存储在闩锁A 815中的视频信号同时写入并存储在闩锁B 816中。在将视频信号传输到闩锁B 816的闩锁A 815中，与从移位寄存器814输入的定时信号同步，又一次按顺序进行下一视频信号的写入。在第二行周期期间，写入并存储在闩锁B 816中的视频信号输入到DAC 817。
DAC 817将被输入的视频信号从数字转换为模拟，并将它供给给对应的信号线。
注意，示出于图18A和18B的结构为根据本实施方式的液晶显示器的一个方式，所以信号线驱动电路和扫描线驱动电路的结构不局限于此。
注意，图16至图18B可以应用于发光器件和其他显示器，而不限定于根据本实施方式的液晶显示器。
注意，本实施方式可以与实施方式1至4适当地组合。
实施例1
在本实施例中，将使用图8A至8F对用于在实施方式5说明的发光器件的发光元件的方式进行说明。
图8A为将具有透光性且功函数大的导电膜用作第一像素电极11并且将功函数小的导电膜用作第二像素电极17的例子。第一像素电极11由透光性的氧化物导电材料形成，典型地由以1至15原子%的浓度含有氧化硅的氧化物导电材料形成。在其上提供含有发光物质的层16，其中层叠有空穴注入层或空穴传输层41、发光层42、电子传输层或电子注入层43。第二像素电极17由第一电极层33和第二电极层34形成，所述第一电极层33包含LiF或MgAg等碱金属或碱土金属的单质、化合物或合金，所述第二电极层34由铝等金属材料形成。具有该结构的像素如图中的箭头所示那样可以从第一像素电极11一侧发射光。
图8B为将功函数大的导电膜用作第一像素电极11并且将具有透光性且功函数小的导电膜用作第二像素电极17的例子。第一像素电极11由第一电极层35和第二电极层32的叠层结构形成，所述第一电极层35由铝和钛等的金属、或者该金属以及以化学计量组成比或更低的浓度含有氮的金属材料形成，所述第二电极层32由以1至15原子%的浓度含有氧化硅的氧化物导电材料形成。在其上提供包含发光物质的层16，其中层叠有空穴注入层或空穴传输层41、发光层42、电子传输层或电子注入层43。第二像素电极17由第三电极层33和第四电极层34形成，所述第三电极层33包含LiF或CaF等碱金属或碱土金属的单质、化合物或合金，所述第四电极层34由铝等金属材料形成。通过将第二电极中的任一层都形成为100nm或更薄，使它成为能够透光的状态，如图中的箭头所示那样可以从第二像素电极17发射光。
图8E示出从双方向、即从第一电极和第二电极发射光的例子。其中将具有透光性且功函数大的导电膜用作第一像素电极11，并且将具有透光性且功函数小的导电膜用作第二像素电极17。典型地，第一像素电极11由以1至15原子%的浓度含有氧化硅的氧化物导电材料形成，而第二像素电极17由分别为100nm或更薄的第三电极层33和第四电极层34形成，所述第三电极层33包含LiF或CaF等碱金属或碱土金属的单质、化合物或合金，所述第四电极层34由铝等金属材料形成。这样，就可以如图中的箭头所示那样从第一像素电极11和第二像素电极17两侧发射光。
图8C为将具有透光性且功函数小的导电膜用作第一像素电极11，并且将功函数大的导电膜用作第二像素电极17的例子。其中示出了将电子传输层或电子注入层43、发光层42、以及空穴注入层或空穴传输层41按顺序层叠而形成包含发光物质的层的结构。第二像素电极17具有从包含发光物质的层16一侧形成第二电极层32和第一电极层35的叠层结构，所述第二电极层32由以1至15原子%的浓度含有氧化硅的氧化物导电材料形成，所述第一电极层35由铝和钛等的金属、或者该金属以及以化学计量组成比或更低的浓度含有氮的金属材料形成。第一像素电极11由第三电极层33和第四电极层34形成，所述第三电极层33包含LiF和CaF等碱金属或碱土金属的单质、化合物或合金，所述第四电极层34由铝等金属材料形成。通过将两个层都形成为100nm或更薄，使它成为能够透光的状态，这样，就可以如图中的箭头所示那样从第一像素电极11发射光。
图8D为将功函数小的导电膜用作第一像素电极11、将具有透光性且功函数大的导电膜用作第二像素电极17的例子。其中示出了将电子传输层或电子注入层43、发光层42、以及空穴注入层或空穴传输层41按顺序层叠而形成包含发光物质的层的结构。第一像素电极11具有与图8A相同的结构，其膜厚度形成为如下程度，即可以反射在包含发光物质的层中发光的光。第二像素电极17由以1至15原子%的浓度含有氧化硅的氧化物导电材料构成。在该结构中，通过由作为无机物的金属氧化物（典型为氧化钼或氧化钒）形成空穴注入层，当形成第二电极层32时引入的氧被供给而提高空穴注入性，以可以降低驱动电压。此外，通过由具有透光性的导电膜形成第二像素电极17，如图中的箭头所示那样可以从第二像素电极17一侧发射光。
图8F示出从双方向、即从第一像素电极和第二像素电极发射光的例子，将具有透光性且功函数小的导电膜用作第一像素电极11，将具有透光性且功函数大的导电膜用作第二像素电极17。典型地，第一像素电极11由分别为100nm或更薄的第三电极层33和第四电极层34形成，所述第三电极层包含LiF和CaF等碱金属或碱土金属的单质、化合物或合金，所述第四电极层由铝等金属材料形成。并且第二像素电极17由以1至15原子%的浓度含有氧化硅的氧化物导电材料形成，即可。
注意，如上所述，包含发光物质的层16由含有有机化合物或无机化合物的电荷注入传输物质和发光材料形成，根据其分子数量包含选自低分子量有机化合物、中分子量有机化合物（没有升华性并且连接分子的长度为10μm或更短的有机化合物，可以典型地举出树枝状聚合物、低聚物等）、高分子量有机化合物中的一种或多种的层，并且可以与电子注入传输性或空穴注入传输性的无机化合物组合。
在电荷注入传输物质中，作为具有超高电子传输性的物质，可以举出具有喹啉骨架或苯并喹啉骨架的金属络合物等，诸如三(8-羟基喹啉)铝（缩写：Alq3）、三(4-甲基-8-羟基喹啉)铝（缩写：Almq3）、双(10-羟基苯并[h]-喹啉)铍（缩写：BeBq2）、双(2-甲基-8-羟基喹啉)-4-苯基苯酚-铝（缩写：BAlq）等。
作为具有高空穴传输性的物质，可以举出芳香胺（亦即具有苯环-氮键）的化合物，诸如4,4’-双[N-(1-萘基)-N-苯基-氨基]-联苯（缩写：α-NPD）、4,4’-双[N-(3-甲基苯基)-N-苯基-氨基]-联苯（缩写：TPD）、4,4’,4”-三(N,N-二苯基-氨基)-三苯胺（缩写：TDATA）、4,4’,4”-三[N-(3-甲基苯基)-N-苯基-氨基]-三苯胺（缩写：MTDATA）等。
在电荷注入传输物质中，作为具有超高电子注入性的物质，可以举出氟化锂（LiF）、氟化铯（CsF）、氟化钙（CaF2）等的碱金属或碱土金属的化合物。此外，还有诸如Alq3之类的具有高电子传输性的材料与诸如镁（Mg）之类的碱土金属的混合物。
在电荷注入传输物质中，作为具有高空穴注入性的物质，可以举出例如钼氧化物（MoOx）、钒氧化物（VOx）、钌氧化物（RuOx）、钨氧化物（WOx）、锰氧化物（MnOx）之类的金属氧化物。此外，还可以举出酞菁（缩写：H2Pc）或酞菁铜（CuPc）等的酞菁化合物。
发光层42可以具有以下结构，即在各个像素中分别形成具有不同发光波段的发光层，以使它进行彩色显示。典型地形成对应于R（红色）、G（绿色）、以及B（蓝色）各个颜色的发光层。在此情况下，借助于在像素发光侧提供透过其发光波段内的光的滤色器（着色层），能够改善彩色纯度并防止像素部分成为镜面（反射）。借助于提供滤色器（着色层），可以省略常规需要的圆偏振光片等，而且，能够不损失从发光层发射的光。而且，能够降低倾斜地观察像素部分（显示屏面）的情况下出现的色调改变。
存在着各种用来形成发光层42的发光材料。作为低分子类有机发光材料，能够采用4-亚甲基双氰-2-甲基-6-[2-(1,1,7,7-四甲基久洛尼定-9-基)乙烯基]-4H-吡喃（缩写：DCJT）、4-亚甲基双氰-2-tert-丁基-6-[2-(1,1,7,7-四甲基久洛尼定-9-基)乙烯基]-4H-吡喃（缩写：DCJTB）、吡啶醇、2,5-双氰-1,4-双[2-(10-甲氧基-1,1,7,7-四甲基久洛尼定-9-基)乙烯基]苯、N,N’-二甲基喹吖啶酮（缩写：DMQd）、香豆素6、香豆素545T、三(8-羟基喹啉)铝（缩写：Alq3）、9,9’-联蒽基、9,10-二苯基蒽（缩写：DPA）、9,10-双(2-萘基)蒽（缩写：DNA）等。此外，还可以采用其它物质。
另一方面，高分子类有机发光材料具有比低分子类有机发光材料高的物理强度，并且元件的耐用性高。由于能够通过涂敷来制作，所以能够比较容易地制作元件。采用高分子类有机发光材料的发光元件的结构基本上与采用低分子类有机发光材料的发光元件的结构相同，其中按顺序层叠有阴极、包含发光物质的层、以及阳极。但在用高分子类有机发光材料形成包含发光物质的层的情况下，难以像采用低分子类有机发光材料的情况那样形成层叠结构，在很多情况下成为双层结构。具体地说，此结构为按顺序层叠阴极、发光层、空穴传输层、以及阳极。
由于发射的颜色依赖于发光层的材料，所以借助于选择材料，能够形成呈现所需发光的发光元件。作为能够用于发光层的高分子类发光材料，可以举出聚亚乙烯对苯类材料、聚对苯类材料、聚噻吩类材料、或聚芴类材料。
作为聚亚乙烯聚对苯类材料，可以举出聚（亚乙烯对苯）[PPV]的衍生物、聚(2,5-二烷氧-1,4,亚乙烯苯)[RO-PPV]、聚(2-(2’-乙基-六氧)-5-甲氧基-1,4-亚乙烯苯)[MEH-PPV]、聚(2-二烷氧苯基)-1,4-亚乙烯苯)[ROPh-PPV]等。作为聚对苯类材料，可以举出聚对苯[PPP]的衍生物、聚(2,5-二烷氧-1,4-亚苯基)[RO-PPP]、聚(2,5-二六氧-1,4-亚苯基)等。作为聚噻吩类材料，可以举出聚噻吩[PT]的衍生物、聚(3-烷基噻吩)[PAT]、聚(3-己基噻吩)[PHT]、聚(3-环己基噻吩)[PCHT]、聚(3-环己基-4-甲基噻吩)[PCHMT]、聚(3,4-二环己基噻吩)[PDCHT]、聚[3-(4-辛苯基)-噻吩][POPT]、聚[3-(4-辛苯基)-2,2-并噻吩][PTOPT]等。作为聚芴类材料，可以举出聚芴[PF]的衍生物、聚(9,9-二烷基芴)[PDAF]、聚(9,9-二辛芴)[PDOF]等。
通过将具有空穴传输性的高分子类有机发光材料夹在阳极与具有发光性的高分子类有机发光材料之间，能够提高从阳极的空穴注入性。通常，通过旋涂法涂敷与受主材料一起溶解在水中的具有空穴传输性的高分子类有机发光材料。此外，因为不溶解于有机溶剂，所以此材料能够被层叠在上述的具有发光性的发光材料上。作为具有空穴传输性的高分子类有机发光材料，可以举出PEDOT与作为受主材料的樟脑磺酸（CSA）的混合物以及聚苯胺[PANI]与作为受主材料的聚苯乙烯磺酸[PSS]的混合物等。
发光层42能够被形成为呈现单色或白色发光。在采用白色发光材料的情况下，通过将透过特定波长光的滤色器（着色层）提供在像素的光发射一侧，而能够实现彩色显示。
为了形成呈现白色发光的发光层，例如用蒸发沉积法来相继淀积了Alq3、部分地添加了尼罗红的Alq3（尼罗红是一种红色发光颜料）、Alq3、p-EtTAZ、TPD（芳香双胺）。在通过利用旋涂的涂敷法形成发光层的情况下，优选在涂敷发光材料之后使用真空加热进行焙烧。例如，将起空穴注入层作用的聚(乙烯二氧噻吩)/聚(磺化苯乙烯)溶液（PEDOT/PSS）涂敷在整个表面上并使它焙烧，然后将添加有发光中心颜料（1,1,4,4-四苯基-1,3-丁二烯（TPB）、4-双氰亚甲基-2-甲基-6-(p-二甲基氨-苯乙烯基)-4H-吡喃（DCM1）、尼罗红、香豆素6等）的用作发光层的聚乙烯咔唑（PVK）溶液涂敷在整个表面上并使它焙烧，即可。
发光层可以由单层组成。在此情况下，发光层可以由分散有具有电子传输性的1,3,4-恶二唑衍生物（PBD）的具有空穴传输性的聚乙烯咔唑（PVK）组成。此外，借助于分散作为电子传输剂的30重量%的PBD以及分散适当量的4种颜料（TPB、香豆素6、DCM1、以及尼罗红），能够得到白色发光。除了上述呈现白色发光的发光元件之外，借助于适当地选择发光层的材料，还能够制造呈现红色发光、绿色发光、或蓝色发光的发光元件。
注意，借助于将具有空穴传输性的高分子类有机发光材料夹在阳极与具有发光性的高分子类有机发光材料之间，能够改善从阳极的空穴注入性。通常，通过旋涂法等来涂敷与受主材料一起溶解在水中的具有空穴传输性的高分子类有机发光材料。此外，因为不溶解于有机溶剂，所以此材料能够被层叠在具有发光性的有机发光材料上。作为具有空穴传输性的高分子类有机发光材料，可以举出PEDOT与作为受主材料的樟脑磺酸（CSA）的混合物以及聚苯胺[PANI]与作为受主材料的聚苯乙烯磺酸[PSS]的混合物等。
再者，除了单重态激发的发光材料之外，包括金属络合物等的三重态激发的发光材料也可以用于发光层42。例如，在具有红色发光性的像素、具有绿色发光性的像素、以及具有蓝色发光性的像素中，亮度半衰寿命比较短的具有红色发光性的像素由三重态激发的发光材料形成，并且其它像素由单重态激发的发光材料形成。由于三重态激发的发光材料具有优异的发光效率，所以为了得到相同的亮度所需的耗电量少。换言之，在将三重态激发的发光材料应用于红色像素的情况下，发光元件要求更少量的电流，从而能够提高可靠性。为了降低耗电量，可以用三重态激发的发光材料来形成具有红色发光性的像素以及具有绿色发光性的像素而用单重态激发的发光材料来形成具有蓝色发光性的像素。借助于用三重态激发的发光材料来形成人眼能见度高的绿色发光元件，能够更降低耗电量。
作为三重态激发的发光材料的一个例子，有以金属络合物作为掺杂剂的材料，已知有采用以第三过渡系元素的铂作为中心金属的金属络合物或以铱作为中心金属的金属络合物等。三重态激发的发光材料不局限于这些化合物，也可以采用这样的化合物，即具有上述结构且作为中心金属具有属于元素周期表中第8至第10族的元素。
形成包含发光物质的层的上述物质仅仅是一个例子，借助于适当地层叠空穴注入传输层、空穴传输层、电子注入传输层、电子传输层、发光层、电子阻挡层或空穴阻挡层等具有功能性的各种层，能够形成发光元件。此外，还可以形成组合了这些各个层的混合层或混合接合。发光层的层结构能够被改变，在不脱离本发明的宗旨的范围内可以代替不具备有特定的电子注入区域或发光区域，而具备专用于该目的的电极，或分散发光性的材料具备的变形。
实施例2
在本实施例中，将参照图9A至9F说明根据本发明的发光器件的显示面板的像素电路及其工作结构。在视频信号为数字的显示器中，显示面板的工作结构被分成输入在像素中的视频信号被电压调节的工作以及输入在像素中的视频信号被电流调节的工作。作为输入在像素中的视频信号被电压调节的工作，有施加到发光元件的电压恒定的工作（CVCV）以及施加到发光元件的电流恒定的工作（CVCC）。此外，作为输入在像素中的视频信号被电流调节的工作，有施加到发光元件的电压恒定的工作（CCCV）以及施加到发光元件的电流恒定的工作（CCCC）。在本实施例中，参照图9A和9B来说明进行CVCV工作的像素。参照图9C至9F来说明进行CVCC工作的像素。
在图9A和9B所示的像素中，沿列方向排列信号线3710和电源线3711，而沿行方向排列扫描线3714。此像素具有开关TFT 3701、驱动TFT 3703、电容元件3702、以及发光元件3705。
开关TFT 3701和驱动TFT 3703当接通（ON）时工作于线状区域。此外，驱动TFT3703用来控制是否将电压施加到发光元件3705。根据制造步骤，两种TFT优选具有相同的导电类型。在本实施例中，开关TFT 3701为n沟道型TFT，而驱动TFT 3703为p沟道型TFT。作为驱动TFT 3703，不仅可以采用增强型，而且可以采用耗尽型的TFT。此外，驱动TFT 3703的沟道宽度W与沟道长度L的比率（W/L）优选为1至1000，但取决于TFT的迁移率。W/L越大，TFT的电特性越提高。
在图9A和9B所示的像素中，开关TFT 3701用来控制视频信号到像素的输入。当开关TFT 3701接通时，视频信号被输入到像素中。然后，电容元件3702保持该视频信号的电压。
在图9A中的电源线3711是Vss且发光元件3705的相对电极是Vdd的情况下，亦即在图8C和8D的情况下，发光元件的相对电极是阳极，而且连接到驱动TFT 3703的电极是阴极。在此情况下，可以抑制由驱动TFT 3703的特性不均匀性所造成的亮度不规则性。
在图9A中的电源线3711是Vdd且发光元件3705的相对电极是Vss的情况下，亦即在图8A和8B的情况下，发光元件的相对电极是阴极，而且连接到驱动TFT 3703的电极是阳极。在此情况下，通过将电压高于Vdd的视频信号输入到信号线3710，该视频信号的电压被保持在电容元件3702中，并且驱动TFT 3703工作于线状区域，从而能够改善由于TFT的特性不均匀性所造成的亮度不规则性。
除了增加了TFT 3706和扫描线3715之外，图9B所示的像素具有与图9A所示的像素相同的像素结构。
TFT 3706的接通或关断由另外提供的扫描线3715控制。当TFT 3706接通时，保持在电容元件3702中的电荷被放电，驱动TFT 3703关断。亦即，根据TFT 3706的配置，能够形成强迫电流在发光元件3705中停止流动的状态。因此，TFT 3706能够被称为擦除TFT。因此，与写入周期开始的同时或紧随写入周期开始之后，能够开始发光周期，而无须等待信号在所有像素中的写入。结果，能够提高发光的占空比。
在具有上述工作结构的像素中，可以由工作于线状区域的驱动TFT 3703来确定发光元件3705的电流值。根据上述结构，能够抑制TFT特性的不均匀性。因此，借助于改善发光元件由于TFT特性的不均匀性而造成的亮度不规则性，就能够提供提高了图像质量的显示器。
接下来，参照图9C至9F来说明进行CVCC工作的像素。通过在图9A所示的像素结构中提供电源线3712和电流控制TFT 3704，来形成图9C所示的像素。
除了驱动TFT 3703的栅极连接到沿行方向配置的电源线3712之外，图9E所示的像素具有与图9C所示的像素相同的结构。亦即，图9C和9E所示的两种像素都具有相同的等效电路图。但在沿行方向配置电源线3712的情况下（图9C），以及在沿列方向配置电源线3712的情况下（图9E），各个电源线由提供在不同层中的导电膜形成。这里，着眼于与驱动TFT3703的栅极连接的布线，为了表示这些布线是由不同的层形成的，分别使用图9C和9E来说明。
开关TFT 3701工作于线状区域，而驱动TFT 3703工作于饱和区域。此外，驱动TFT3703用来控制流过发光元件3705的电流值，而电流控制TFT 3704工作于饱和区域并且用来控制电流对发光元件3705的供应。
除了擦除TFT 3706和扫描线3715增加到图9C和9E所示的像素之外，图9D和9F所示的像素具有与图9C和9E所示的像素相同的像素结构。
注意，图9A和9B所示的像素也能够进行CVCC工作。此外，具有图9C至9F所示工作结构的像素，能够像图9A和9B那样根据发光元件的电流流动方向适当地改变Vdd和Vss。
在具有上述结构的像素中，由于电流控制TFT 3704工作于线状区域，所以电流控制TFT 3704的Vgs的稍许改变不影响到发光元件3705的电流值。亦即，可以根据工作于饱和区域的驱动TFT 3703来确定发光元件3705的电流值。根据上述结构，通过改善发光元件由于TFT特性的不均匀性而造成的亮度不规则性，能够提供提高了图像质量的显示器。
注意，在此示出了提供电容元件3702的结构，然而本发明不局限于此，栅极电容等能够补给保持视频信号的电容时，可以不提供电容元件3702。
一般认为，在增加像素密度的情况下，这种有源矩阵型显示器由于在各个像素中提供了TFT，而具有以低电压进行驱动的优点。
在根据本发明的显示器中，屏幕显示的驱动方法不受特别的限制，例如，可以采用逐点驱动方法、逐行驱动方法、或逐面驱动方法。典型地采用逐行驱动方法，并可以适当地采用时分灰度驱动方法或区域灰度驱动方法。此外，输入到显示器的源极线的视频信号可以是模拟信号或数字信号。可以根据视频信号来适当地设计驱动电路等。
实施例3
在本实施例中，将使用图10A至10C说明根据本发明的驱动电路的安装方式。
如图10A所示，将信号线驱动电路1402以及扫描线驱动电路1403a和1403b安装在像素部分1401的周围。在图10A中，通过使用已知的各向异性导电粘接剂和各向异性导电薄膜的安装方法、COG方式、引线键合法、以及使用焊接凸块的回流处理等在衬底1400上安装集成IC芯片1405而作为信号线驱动电路1402以及扫描线驱动电路1403a和1403b等。这里使用COG方式。然后，通过FPC（柔性印刷电路）1406连接IC芯片和外部电路。
此外，如图10B所示，当使用氧化物半导体形成以TFT为典型的半导体元件时，有这样的情况，即在衬底上集成地形成像素部分1401以及扫描线驱动电路1403a和1403b等，并且另外安装信号线驱动电路1402等而作为IC芯片。在图10B中，通过COG方式在衬底1400上安装IC芯片1405而作为信号线驱动电路1402。然后，通过FPC 1406连接IC芯片和外部电路。
再者，如图10C所示，也可以通过TAB方式代替COG方式来安装信号线驱动电路1402等。然后，通过FPC 1406连接IC芯片和外部电路。在图10C中，通过TAB方式安装信号线驱动电路，然而，扫描线驱动电路也可以通过TAB方式安装。
当通过TAB方式安装IC芯片时，可以相对于衬底提供更大的像素部分，从而获得较窄的框架。
虽然使用硅片形成IC芯片，然而，也可以提供将IC形成在玻璃衬底上的IC（以下称作驱动IC）而代替IC芯片。因为IC芯片由圆形硅片取得，所以其母板的形状受到限制。与此相反，驱动IC的母板是玻璃，其形状没有限制，从而可以提高生产率。因此，可以自由设计驱动IC的形状和尺寸。例如，当形成长边为15至80mm的驱动IC时，与安装IC芯片的情况相比，可以减少所需的驱动IC的数目。其结果，可以减少连接端子的数目，而可以提高制造上的产品率。
驱动IC可以使用形成在衬底上的结晶半导体形成，结晶半导体优选通过辐射连续振荡型的激光束来形成。通过辐射连续振荡型的激光束来获得的半导体膜具有很少的晶体缺陷，并具有大粒径的晶粒。其结果，具有这种半导体膜的晶体管具有优越的迁移率和响应速度，可以高速驱动。因此，该晶体管适合于驱动IC。此外，还可以使用本发明的至少在沟道形成区域改善了结晶性的氧化物半导体膜形成驱动IC。
实施例4
在本实施例中，将描述根据本发明的显示模块。这里，将使用图11说明液晶模块而作为显示模块的一个例子。
衬底1601与相对衬底1602由密封剂1600粘接，在其之间提供像素部分1603和液晶层1604以形成显示区域。
着色层1605用于进行彩色显示。在RGB方式的情况下，与各个像素对应地提供对应于红、绿、蓝各种颜色的着色层。在衬底1601和相对衬底1602的外侧配置有偏振光片1606和1607。另外，在偏振光片1606的表面上形成保护膜1616，以缓和来自外部的冲撞。
提供在衬底1601上的连接端子1608，通过FPC 1609与布线衬底1610连接。在布线衬底1610上组合有外部电路1612诸如像素驱动电路（IC芯片、驱动IC等）、控制电路或电源电路等。
冷阴极管1613、反射板1614、以及光学薄膜1615都是背光单元，它们用作光源而向液晶显示面板投射光。液晶面板、光源、布线衬底、FPC等都通过挡板1617固定和保护。
实施例5
在本实施例中，作为根据本发明的电子设备将参照附图对电视装置（也称为电视机或电视接收机）、数字相机、数字摄像机、移动电话机（也称为移动电话或手机）、PDA等便携式信息终端、便携式游戏机、计算机的监视器、计算机、汽车音响等音响再生装置、家庭游戏机等具备记录介质的图像再生装置等进行说明。
图12A所示的便携式信息终端包括主体9201、显示部分9202等。通过使用本发明之一的显示器，而可以便宜地提供便携式信息终端。
图12B所示的数字摄像机包括显示部分9701、9702等。通过使用本发明之一的显示器，而可以便宜地提供数字摄像机。
图12C所示的便携式终端包括主体9101、显示部分9102等。实施方式1至5及实施例1至4所示的半导体器件可以适用于显示部分9102。通过使用本发明之一的显示器，而可以便宜地提供便携式终端。
图12D所示的便携式电视装置包括主体9301、显示部分9302等。通过使用本发明之一的显示器，而可以便宜地提供便携式电视装置。这种电视装置可以广泛地适用于搭载在便携式电话等的便携式信息终端中的小型电视装置、能搬运的中型电视装置、或者大型电视装置（例如40英寸或更大）。
图12E所示的便携式计算机包括主体9401、显示部分9402等。通过使用本发明之一的显示器，而可以便宜地提供便携式计算机。
图12F所示的电视装置包括主体9501、显示部分9502等。通过使用本发明之一的显示器，而可以便宜地提供电视装置。
上述中使用可充电电池的电子设备因为降低耗电量，所以可以延长电子设备的使用时间，以可以节省充电可充电电池的工夫。
实施例6
在本实施例中，将使用图19A和19B对用于本发明的LRTA设备的结构进行说明。
在图19A中，在玻璃衬底1901上形成有栅极1922、栅极绝缘膜1923a和1923b、以及氧化物半导体膜1902。此外，在衬底下表面一侧提供有红外光灯1903并且在衬底上表面一侧提供有紫外光灯1904。与紫外光灯1904并列地配置第一红外光辅助灯1905和第二红外光辅助灯1906。注意，也可以不提供第一红外光辅助灯1905和第二红外光辅助灯1906。
在本实施例中采用了在紫外光灯1904的（对衬底的移动方向）前面和后面配置第一红外光辅助灯1905和第二红外光辅助灯1906的结构，然而也可以采用将它们仅仅配置在一方的结构。
在如上所述的结构中，各个灯（红外光灯1903至第二红外光辅助灯1906）向图中的箭头方向移动，以扫描线状光。在本实施例的结构中，首先从第一红外光辅助灯1905对氧化物半导体膜1902中的虚线所示的区域1908照射红外光，该区域被加热，所述虚线所示的区域1908中间夹着栅极绝缘膜1923a和1923b与栅极1922重叠。而且，还会随着衬底的移动而向前方移动。当对衬底进行灯辐照时移动各个灯，然而还可以使玻璃衬底1901移动或使灯和衬底双方移动。
在辐射第一红外光辅助灯1905之后，从衬底上表面一侧辐射来自紫外光灯1904的紫外光，并且从衬底下表面一侧辐射来自红外光灯1903的红外光，以加热氧化物半导体膜1902的与栅极1922重叠的区域1908。在本实施例中，对该区域1908优先进行氧化物半导体膜1902的结晶化。
被来自紫外光灯1904和红外光灯1903的辐射加热的区域1908被来自配置在紫外光灯1904后面的第二红外光辅助灯1906的红外光加热。为了进一步加热促进了结晶化的区域1908而进行从第二红外光辅助灯1906的红外光的辐射。
如上所述，在氧化物半导体膜1902中的与栅极1922重叠的区域（在进行步骤中成为结晶氧化物半导体膜的区域）1908看起来跟着衬底的移动向前面移动。
图19B示出了对于氧化物半导体膜1902的区域1908表示时间（Time）和温度（Temp.）的关系。如图19B所示，随着时间的经过，首先处于前加热（预加热）的状态，接着继续为主加热（主要加热）状态、后加热（后热）状态。
图19B明显地显示，在预加热状态中加热到一定的温度，该状态起到缓和与之后的主要加热状态的温度梯度的作用。这是为了防止氧化物半导体膜因为在主要加热状态中急剧被加热而存储弯曲能级等。
因此，第一红外光辅助灯1905的输出能级优选设定为比红外光灯1903的输出能级小。此时，实施者可以适当地决定输出能级使它形成什么样的温度梯度。
接着，经过预加热状态之后，从衬底下表面一侧辐射红外光，以处于膜表面温度上升到250至570℃的主要加热状态。在该状态下，氧化物半导体膜1902中的区域1908具有良好的结晶性。注意，同时辐射的紫外光因为有助于电子激发，所以不导致热变化。
在主要加热状态中获得的改善了结晶性的区域1908由配置在紫外光灯1904后面的第二红外光辅助灯1906加热。上述后加热状态起到防止在因为主要加热状态的快速冷却在失去热平衡的状态下结束结晶化的作用。这是为了使结晶化所需要的时间充裕而获得最稳定的连接状态。
因此，第二红外光辅助灯1906的输出能级也优选设定为比配置在衬底下表面的红外光灯1903低，并且形成渐渐降低温度的温度梯度地调节。
通过具有上述结构，由于与栅极重叠的氧化物半导体膜的一部分被加热，所以可以抑制衬底的收缩。此外，通过使各个灯或衬底移动地进行结晶化步骤，可以提高处理率。此外，抑制因为急剧加热氧化物半导体膜以及快速冷却结晶氧化物半导体膜而产生的应力弯曲和悬空键等的晶体缺陷，以可以得到具有优异于结晶性的区域1908的氧化物半导体膜。
此外，也可以通过没有提供第一红外光辅助灯1905和第二红外光辅助灯1906地进行照射加热，而抑制对于衬底的热量。
注意，在本实施例中，对使用了线状灯的LRTA设备的结构进行说明，然而也可以使用面状灯进行结晶化步骤。
实施例7
在本实施例中，将参照图20示出将根据本发明的半导体器件适用于电泳显示器的例子。
图20所示的电泳显示器包括主体2010、显示图像的像素部分2011、驱动IC 2012、接收器2013、薄膜电池2014等。可以使用半导体部件而安装驱动IC 2012和接收器2013等。本发明的半导体器件可以用于像素部分2011和驱动IC 2012。注意，像素部分2011具有层叠了排列有微胶囊和旋转球（gyricon beads）等的显示层以及控制该显示层的驱动层的结构。显示层和驱动层被夹在两张塑料薄膜之间。
这种电泳显示器也称作电子纸，该电泳显示器非常薄并且具有柔软性，所以可以弄园成筒形，很优异于携带。因此，可以自由地携带大平面的显示介质。此外，将本发明的半导体器件用于像素部分2011等，所以可以提供廉价的显示器。
作为本实施例的电泳显示器可以考虑到各种各样的形式，然而，本实施例的电泳显示器为如下器件，即在溶剂或溶质中分散有多个包括具有正电荷的第一粒子以及具有负电荷的第二粒子的微胶囊，并且通过对微胶囊施加电场使微胶囊中的粒子互相向反方向移动，以仅仅显示集合在一方的粒子的颜色。注意，第一粒子或第二粒子包含染料，并且在没有电场的情况下不移动。第一粒子的颜色和第二粒子的颜色不同（包括无色）。将微胶囊分散到溶剂中的被称作电子墨，该电子墨可以印刷到玻璃、塑料、布、纸等的表面上。
此外，本发明的半导体器件使用对可见光具有透光性的氧化物半导体膜，并且可以使用包含对可见光具有透光性的铟锡氧化物（ITO）、由铟锡氧化物和氧化硅构成的ITSO、有机铟、有机锡、氧化锌、氧化钛等的透明导电膜作为源电极和漏极等。如果对用于驱动层的TFT使用常规的非晶硅或多晶硅，则需要与沟道形成区域重叠地提供遮光膜，以便光不照射到沟道形成区域。然而，像本发明，通过使用对可见光具有透光性的氧化物半导体膜、源电极和漏极来制造驱动层，可以得到双面显示的电泳显示器。
另外，本发明的半导体器件可以主要用作显示静态图像的装置，从例如用于像导航系统、音响再现设备(汽车音响、音响组件等)、个人计算机、游戏机、便携信息终端(移动计算机、携带电话、便携式游戏机、或电子书等)、到如冰箱、洗衣机、电饭煲、固定电话、真空清洁器、体温计等家庭电气化产品，一直到大面积的信息显示器如火车里的吊牌广告、火车站和机场的到达／出发指示牌等。
实施例8
在本实施例中，将参照图21说明根据本发明的数字音响播放器。
图21所示的数字音响播放器包括主体2110、显示部分2111、存储部分2112、操作部分2113、以及耳机2114等。注意，可以使用头戴式耳机或无线耳机而代替耳机2114。作为显示部分2111可以使用液晶或有机EL等。作为存储部分2112使用存储容量为20兆字节（MB）至200千兆字节（GB）的闪存，并且操作操作部分2113，而可以存储、再生图像或声音（音乐）。
本发明的半导体器件所具有的TFT的氧化物半导体膜的沟道形成区域至少具有结晶化了的区域，所以通过将本发明的半导体器件提供在显示部分2111中，可以提供价格低而且性能好的数字音响播放器。再者，由于氧化物半导体膜的沟道形成区域为透明而且不吸收可见光，所以不产生不需要的光载流子。因此，在沟道形成区域中不产生由于光照射的特性劣化，从而可以提供可靠性高的数字音响播放器。
本实施例可以与实施方式1至6、实施例1至4任意组合。
本说明书根据2005年9月29日在日本专利局受理的日本专利申请编号2005-283782而制造，所申请内容包括在本说明书中。

Claims (6)

1.一种半导体器件的制造方法，包括如下步骤：
在衬底上形成氧化物半导体膜；
通过使用包含氟和氯至少其中之一的气体进行干蚀刻将所述氧化物半导体膜形成为岛状区域；以及
在所述干蚀刻之后加热所述氧化物半导体膜，
其中以250℃至570℃的温度加热所述氧化物半导体膜。
2.根据权利要求1的方法，其中对所述氧化物半导体膜进行控制以便使其接近为本征类型。
3.根据权利要求2的方法，其中所述氧化物半导体膜具有相同数量的负电荷和正电荷。
4.根据权利要求2的方法，其中所述氧化物半导体膜添加有赋予p型的杂质。
5.根据权利要求1的方法，其中所述气体包括选自由Cl2、BCl3、SiCl4和CCl4组成的组中的至少其中之一。
6.根据权利要求1的方法，其中所述气体包括选自由CF4、NF3、SF6和CHF3组成的组中的至少其中之一。
CN201910603519.1A 2005-09-29 2006-09-29 半导体器件及其制造方法 Pending CN110660642A (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005-283782 2005-09-29
JP2005283782 2005-09-29
CN2006101413295A CN1941299B (zh) 2005-09-29 2006-09-29 半导体器件及其制造方法

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2006101413295A Division CN1941299B (zh) 2005-09-29 2006-09-29 半导体器件及其制造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN110660642A true CN110660642A (zh) 2020-01-07

Family

ID=37547581

Family Applications (19)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201010206924.9A Active CN101887856B (zh) 2005-09-29 2006-09-29 半导体器件及其制造方法
CN2010102067385A Active CN101887918B (zh) 2005-09-29 2006-09-29 半导体器件及其制造方法
CN201010206979XA Pending CN101887858A (zh) 2005-09-29 2006-09-29 半导体器件及其制造方法
CN2010102068621A Active CN101887919B (zh) 2005-09-29 2006-09-29 半导体器件及其制造方法
CN2010102069709A Active CN101887857B (zh) 2005-09-29 2006-09-29 半导体器件的制造方法
CN2008101459739A Expired - Fee Related CN101335275B (zh) 2005-09-29 2006-09-29 半导体器件及其制造方法
CN201510518307.5A Pending CN105428418A (zh) 2005-09-29 2006-09-29 半导体器件及其制造方法
CN201910603519.1A Pending CN110660642A (zh) 2005-09-29 2006-09-29 半导体器件及其制造方法
CN201310054337.6A Pending CN103560085A (zh) 2005-09-29 2006-09-29 半导体器件及其制造方法
CN201210044361.7A Active CN102593187B (zh) 2005-09-29 2006-09-29 半导体器件及其制造方法
CN201010206850.9A Active CN101887704B (zh) 2005-09-29 2006-09-29 半导体器件及其制造方法
CN2008101459743A Active CN101335276B (zh) 2005-09-29 2006-09-29 半导体器件及其制造方法
CN2009101704326A Active CN101651105B (zh) 2005-09-29 2006-09-29 半导体器件及其制造方法
CN2008101459705A Active CN101335304B (zh) 2005-09-29 2006-09-29 半导体器件及其制造方法
CNA2008101459692A Pending CN101335212A (zh) 2005-09-29 2006-09-29 半导体器件及其制造方法
CN2009101342217A Active CN101552210B (zh) 2005-09-29 2006-09-29 半导体器件及其制造方法
CNA200810145971XA Pending CN101335293A (zh) 2005-09-29 2006-09-29 半导体器件及其制造方法
CN2006101413295A Active CN1941299B (zh) 2005-09-29 2006-09-29 半导体器件及其制造方法
CN2008101459724A Active CN101335274B (zh) 2005-09-29 2006-09-29 半导体器件及其制造方法

Family Applications Before (7)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201010206924.9A Active CN101887856B (zh) 2005-09-29 2006-09-29 半导体器件及其制造方法
CN2010102067385A Active CN101887918B (zh) 2005-09-29 2006-09-29 半导体器件及其制造方法
CN201010206979XA Pending CN101887858A (zh) 2005-09-29 2006-09-29 半导体器件及其制造方法
CN2010102068621A Active CN101887919B (zh) 2005-09-29 2006-09-29 半导体器件及其制造方法
CN2010102069709A Active CN101887857B (zh) 2005-09-29 2006-09-29 半导体器件的制造方法
CN2008101459739A Expired - Fee Related CN101335275B (zh) 2005-09-29 2006-09-29 半导体器件及其制造方法
CN201510518307.5A Pending CN105428418A (zh) 2005-09-29 2006-09-29 半导体器件及其制造方法

Family Applications After (11)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201310054337.6A Pending CN103560085A (zh) 2005-09-29 2006-09-29 半导体器件及其制造方法
CN201210044361.7A Active CN102593187B (zh) 2005-09-29 2006-09-29 半导体器件及其制造方法
CN201010206850.9A Active CN101887704B (zh) 2005-09-29 2006-09-29 半导体器件及其制造方法
CN2008101459743A Active CN101335276B (zh) 2005-09-29 2006-09-29 半导体器件及其制造方法
CN2009101704326A Active CN101651105B (zh) 2005-09-29 2006-09-29 半导体器件及其制造方法
CN2008101459705A Active CN101335304B (zh) 2005-09-29 2006-09-29 半导体器件及其制造方法
CNA2008101459692A Pending CN101335212A (zh) 2005-09-29 2006-09-29 半导体器件及其制造方法
CN2009101342217A Active CN101552210B (zh) 2005-09-29 2006-09-29 半导体器件及其制造方法
CNA200810145971XA Pending CN101335293A (zh) 2005-09-29 2006-09-29 半导体器件及其制造方法
CN2006101413295A Active CN1941299B (zh) 2005-09-29 2006-09-29 半导体器件及其制造方法
CN2008101459724A Active CN101335274B (zh) 2005-09-29 2006-09-29 半导体器件及其制造方法

Country Status (4)

Country Link
US (18) US7674650B2 (zh)
EP (6) EP1998374A3 (zh)
JP (23) JP5020190B2 (zh)
CN (19) CN101887856B (zh)

Families Citing this family (2292)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101219038B1 (ko) * 2004-10-26 2013-01-07 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법
US7579224B2 (en) * 2005-01-21 2009-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing a thin film semiconductor device
TWI505473B (zh) * 2005-01-28 2015-10-21 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置，電子裝置，和半導體裝置的製造方法
TWI569441B (zh) 2005-01-28 2017-02-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置，電子裝置，和半導體裝置的製造方法
US7858451B2 (en) 2005-02-03 2010-12-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device, semiconductor device and manufacturing method thereof
US7948171B2 (en) * 2005-02-18 2011-05-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
TWI467702B (zh) 2005-03-28 2015-01-01 Semiconductor Energy Lab 記憶裝置和其製造方法
US7928938B2 (en) 2005-04-19 2011-04-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including memory circuit, display device and electronic apparatus
CN1858839B (zh) 2005-05-02 2012-01-11 株式会社半导体能源研究所 显示装置的驱动方法
US8059109B2 (en) 2005-05-20 2011-11-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic apparatus
EP1724751B1 (en) * 2005-05-20 2013-04-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and electronic apparatus
US8629819B2 (en) 2005-07-14 2014-01-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
EP1758072A3 (en) * 2005-08-24 2007-05-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and driving method thereof
EP1998374A3 (en) 2005-09-29 2012-01-18 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Semiconductor device having oxide semiconductor layer and manufacturing method thereof
KR101117948B1 (ko) * 2005-11-15 2012-02-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 디스플레이 장치 제조 방법
EP1821578A3 (en) * 2006-02-21 2010-07-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
WO2007105605A1 (en) * 2006-03-10 2007-09-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for operating the same
KR101150142B1 (ko) * 2006-04-06 2012-06-11 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 대형 기판 상에 아연 산화물 투명 전도성 산화물의 반응성 스퍼터링
EP2924498A1 (en) 2006-04-06 2015-09-30 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Liquid crystal desplay device, semiconductor device, and electronic appliance
KR100785038B1 (ko) * 2006-04-17 2007-12-12 삼성전자주식회사 비정질 ＺｎＯ계 ＴＦＴ
US7692223B2 (en) * 2006-04-28 2010-04-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd Semiconductor device and method for manufacturing the same
EP1895545B1 (en) 2006-08-31 2014-04-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
JP5116277B2 (ja) 2006-09-29 2013-01-09 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、表示装置、液晶表示装置、表示モジュール及び電子機器
KR100829570B1 (ko) * 2006-10-20 2008-05-14 삼성전자주식회사 크로스 포인트 메모리용 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법
US7646015B2 (en) * 2006-10-31 2010-01-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device
EP1962408B1 (en) * 2006-11-16 2015-05-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Radio field intensity measurement device, and radio field intensity detector and game console using the same
US8275080B2 (en) * 2006-11-17 2012-09-25 Comtech Mobile Datacom Corporation Self-supporting simplex packets
KR101146574B1 (ko) * 2006-12-05 2012-05-16 캐논 가부시끼가이샤 산화물 반도체를 이용한 박막 트랜지스터의 제조방법 및 표시장치
JP5105842B2 (ja) 2006-12-05 2012-12-26 キヤノン株式会社 酸化物半導体を用いた表示装置及びその製造方法
KR101363555B1 (ko) * 2006-12-14 2014-02-19 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
JP5412034B2 (ja) * 2006-12-26 2014-02-12 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR101303578B1 (ko) * 2007-01-05 2013-09-09 삼성전자주식회사 박막 식각 방법
KR101509663B1 (ko) 2007-02-16 2015-04-06 삼성전자주식회사 산화물 반도체층 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 소자제조방법
JP5121254B2 (ja) * 2007-02-28 2013-01-16 キヤノン株式会社 薄膜トランジスタおよび表示装置
JP5320746B2 (ja) * 2007-03-28 2013-10-23 凸版印刷株式会社 薄膜トランジスタ
JP2008276212A (ja) * 2007-04-05 2008-11-13 Fujifilm Corp 有機電界発光表示装置
JP5197058B2 (ja) * 2007-04-09 2013-05-15 キヤノン株式会社 発光装置とその作製方法
WO2008126879A1 (en) * 2007-04-09 2008-10-23 Canon Kabushiki Kaisha Light-emitting apparatus and production method thereof
KR20080094300A (ko) * 2007-04-19 2008-10-23 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법과 박막 트랜지스터를포함하는 평판 디스플레이
KR101334181B1 (ko) * 2007-04-20 2013-11-28 삼성전자주식회사 선택적으로 결정화된 채널층을 갖는 박막 트랜지스터 및 그제조 방법
US7927713B2 (en) 2007-04-27 2011-04-19 Applied Materials, Inc. Thin film semiconductor material produced through reactive sputtering of zinc target using nitrogen gases
JP2009194351A (ja) * 2007-04-27 2009-08-27 Canon Inc 薄膜トランジスタおよびその製造方法
WO2008136505A1 (ja) * 2007-05-08 2008-11-13 Idemitsu Kosan Co., Ltd. 半導体デバイス及び薄膜トランジスタ、並びに、それらの製造方法
KR20080099541A (ko) * 2007-05-09 2008-11-13 삼성전자주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법
JP5542297B2 (ja) 2007-05-17 2014-07-09 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置、表示モジュール及び電子機器
JP5542296B2 (ja) 2007-05-17 2014-07-09 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置、表示モジュール及び電子機器
KR101345378B1 (ko) * 2007-05-17 2013-12-24 삼성전자주식회사 ＺｎＯ 계 박막 트랜지스터 및 그 제조방법
JP4989309B2 (ja) 2007-05-18 2012-08-01 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置
US8803781B2 (en) * 2007-05-18 2014-08-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device
US8513678B2 (en) 2007-05-18 2013-08-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device
KR101334182B1 (ko) * 2007-05-28 2013-11-28 삼성전자주식회사 ＺｎＯ 계 박막 트랜지스터의 제조방법
US20080299778A1 (en) * 2007-05-30 2008-12-04 Casio Computer Co., Ltd. Silicon film dry etching method
US7897482B2 (en) * 2007-05-31 2011-03-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
ATE490560T1 (de) * 2007-05-31 2010-12-15 Canon Kk Verfahren zur herstellung eines dünnschichttransistors mit einem oxidhalbleiter
KR101376073B1 (ko) 2007-06-14 2014-03-21 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터, 이를 포함하는 어레이 기판 및 이의 제조방법
EP2158608A4 (en) * 2007-06-19 2010-07-14 Samsung Electronics Co Ltd OXIDE SEMICONDUCTORS AND THIN FILM TRANSISTORS THEREWITH
US7935964B2 (en) * 2007-06-19 2011-05-03 Samsung Electronics Co., Ltd. Oxide semiconductors and thin film transistors comprising the same
US7682882B2 (en) * 2007-06-20 2010-03-23 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of manufacturing ZnO-based thin film transistor
KR101402189B1 (ko) * 2007-06-22 2014-06-02 삼성전자주식회사 Ｚｎ 산화물계 박막 트랜지스터 및 Ｚｎ 산화물의 식각용액
US8354674B2 (en) * 2007-06-29 2013-01-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device wherein a property of a first semiconductor layer is different from a property of a second semiconductor layer
US7738050B2 (en) 2007-07-06 2010-06-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd Liquid crystal display device
KR101329791B1 (ko) * 2007-07-16 2013-11-15 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
JP2009049384A (ja) 2007-07-20 2009-03-05 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置
WO2009014155A1 (en) 2007-07-25 2009-01-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Photoelectric conversion device and electronic device having the same
US7633089B2 (en) * 2007-07-26 2009-12-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and electronic device provided with the same
JP5718052B2 (ja) 2007-08-02 2015-05-13 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 薄膜半導体材料を用いる薄膜トランジスタ
JP5205012B2 (ja) * 2007-08-29 2013-06-05 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置及び当該表示装置を具備する電子機器
KR101270172B1 (ko) * 2007-08-29 2013-05-31 삼성전자주식회사 산화물 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법
KR101484297B1 (ko) * 2007-08-31 2015-01-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시장치 및 표시장치의 제작방법
JP5395384B2 (ja) * 2007-09-07 2014-01-22 株式会社半導体エネルギー研究所 薄膜トランジスタの作製方法
TW200921226A (en) * 2007-11-06 2009-05-16 Wintek Corp Panel structure and manufacture method thereof
US20100320457A1 (en) * 2007-11-22 2010-12-23 Masahito Matsubara Etching solution composition
JP5512078B2 (ja) * 2007-11-22 2014-06-04 富士フイルム株式会社 画像形成装置
JP5213421B2 (ja) * 2007-12-04 2013-06-19 キヤノン株式会社 酸化物半導体薄膜トランジスタ
JP5213422B2 (ja) * 2007-12-04 2013-06-19 キヤノン株式会社 絶縁層を有する酸化物半導体素子およびそれを用いた表示装置
US20110006297A1 (en) * 2007-12-12 2011-01-13 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Patterned crystalline semiconductor thin film, method for producing thin film transistor and field effect transistor
JPWO2009075281A1 (ja) 2007-12-13 2011-04-28 出光興産株式会社 酸化物半導体を用いた電界効果型トランジスタ及びその製造方法
KR101418586B1 (ko) * 2007-12-18 2014-07-14 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터, 이의 제조방법, 이를 갖는 박막트랜지스터 기판 및 이를 갖는 표시장치
JP5527966B2 (ja) * 2007-12-28 2014-06-25 株式会社半導体エネルギー研究所 薄膜トランジスタ
US8704217B2 (en) * 2008-01-17 2014-04-22 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Field effect transistor, semiconductor device and semiconductor device manufacturing method
WO2009093625A1 (ja) * 2008-01-23 2009-07-30 Idemitsu Kosan Co., Ltd. 電界効果型トランジスタ及びその製造方法、それを用いた表示装置、並びに半導体装置
NO332409B1 (no) * 2008-01-24 2012-09-17 Well Technology As Anordning og fremgangsmate for a isolere en seksjon av et bronnhull
US20090202935A1 (en) * 2008-02-13 2009-08-13 Yoshihiro Moriya Carrier, two-component developer containing carrier and toner, and image forming method
DE112009000012B4 (de) * 2008-03-13 2014-11-13 Murata Manufacturing Co., Ltd. Glaskeramikzusammensetzung, Glaskeramik-Sinterkörper und keramisches Mehrschicht-Elektronikbauteil
US8980066B2 (en) * 2008-03-14 2015-03-17 Applied Materials, Inc. Thin film metal oxynitride semiconductors
US8247315B2 (en) * 2008-03-17 2012-08-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Plasma processing apparatus and method for manufacturing semiconductor device
WO2009117438A2 (en) * 2008-03-20 2009-09-24 Applied Materials, Inc. Process to make metal oxide thin film transistor array with etch stopping layer
JP5460108B2 (ja) 2008-04-18 2014-04-02 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及び半導体装置の作製方法
KR101596698B1 (ko) 2008-04-25 2016-02-24 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치 제조 방법
KR101461127B1 (ko) * 2008-05-13 2014-11-14 삼성디스플레이 주식회사 반도체 장치 및 이의 제조 방법
KR101496148B1 (ko) * 2008-05-15 2015-02-27 삼성전자주식회사 반도체소자 및 그 제조방법
US9041202B2 (en) * 2008-05-16 2015-05-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method of the same
US20090289301A1 (en) * 2008-05-21 2009-11-26 Chan-Long Shieh Laser annealing of metal oxide semiconductoron temperature sensitive substrate formations
KR101468591B1 (ko) * 2008-05-29 2014-12-04 삼성전자주식회사 산화물 반도체 및 이를 포함하는 박막 트랜지스터
US20110035776A1 (en) * 2008-06-03 2011-02-10 Mitsubish Electric Corporation On-train information service system, on-train information presenting method, and passenger train-use information displaying device
KR101651224B1 (ko) * 2008-06-04 2016-09-06 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20090126766A (ko) * 2008-06-05 2009-12-09 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 표시판
TWI387109B (zh) 2008-06-10 2013-02-21 Taiwan Tft Lcd Ass 薄膜電晶體的製造方法
US8314765B2 (en) 2008-06-17 2012-11-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driver circuit, display device, and electronic device
JP4618337B2 (ja) * 2008-06-17 2011-01-26 ソニー株式会社 表示装置およびその製造方法、ならびに半導体装置およびその製造方法
KR100958006B1 (ko) * 2008-06-18 2010-05-17 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 트랜지스터, 그의 제조 방법 및 박막 트랜지스터를구비하는 평판 표시 장치
KR100963027B1 (ko) * 2008-06-30 2010-06-10 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 트랜지스터, 그의 제조 방법 및 박막 트랜지스터를구비하는 평판 표시 장치
US8258511B2 (en) 2008-07-02 2012-09-04 Applied Materials, Inc. Thin film transistors using multiple active channel layers
KR102112799B1 (ko) 2008-07-10 2020-05-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광장치 및 전자기기
JP5358324B2 (ja) 2008-07-10 2013-12-04 株式会社半導体エネルギー研究所 電子ペーパー
JP5183336B2 (ja) * 2008-07-15 2013-04-17 富士フイルム株式会社 表示装置
US8822995B2 (en) * 2008-07-24 2014-09-02 Samsung Display Co., Ltd. Display substrate and method of manufacturing the same
TWI500159B (zh) * 2008-07-31 2015-09-11 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置和其製造方法
JP5616038B2 (ja) * 2008-07-31 2014-10-29 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP2010056541A (ja) * 2008-07-31 2010-03-11 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
TWI413260B (zh) * 2008-07-31 2013-10-21 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置及其製造方法
TWI627757B (zh) * 2008-07-31 2018-06-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
KR100975204B1 (ko) * 2008-08-04 2010-08-10 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 트랜지스터, 그의 제조 방법 및 박막 트랜지스터를구비하는 평판 표시 장치
US9000441B2 (en) * 2008-08-05 2015-04-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device
TWI508282B (zh) * 2008-08-08 2015-11-11 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置及其製造方法
JP5608347B2 (ja) 2008-08-08 2014-10-15 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及び半導体装置の作製方法
JP5525778B2 (ja) * 2008-08-08 2014-06-18 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP5480554B2 (ja) * 2008-08-08 2014-04-23 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI637444B (zh) * 2008-08-08 2018-10-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置的製造方法
US20100043117A1 (en) * 2008-08-19 2010-02-25 Mary Elizabeth Hildebrandt Convertible Head And Neck Supporting Apparel
KR101497425B1 (ko) * 2008-08-28 2015-03-03 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
TWI569454B (zh) 2008-09-01 2017-02-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置的製造方法
US9082857B2 (en) 2008-09-01 2015-07-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising an oxide semiconductor layer
JP5627071B2 (ja) * 2008-09-01 2014-11-19 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US9306078B2 (en) * 2008-09-08 2016-04-05 Cbrite Inc. Stable amorphous metal oxide semiconductor
JP2010066331A (ja) * 2008-09-09 2010-03-25 Fujifilm Corp 表示装置
WO2010029865A1 (en) * 2008-09-12 2010-03-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
KR101665734B1 (ko) 2008-09-12 2016-10-24 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 생산 방법
KR101657957B1 (ko) * 2008-09-12 2016-09-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
KR101623224B1 (ko) * 2008-09-12 2016-05-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제조 방법
KR101681483B1 (ko) 2008-09-12 2016-12-02 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
WO2010032638A1 (en) 2008-09-19 2010-03-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
KR101563527B1 (ko) * 2008-09-19 2015-10-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체장치
EP2421030B1 (en) * 2008-09-19 2020-10-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
WO2010032603A1 (en) 2008-09-19 2010-03-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and wireless tag using the same
CN102881696A (zh) * 2008-09-19 2013-01-16 株式会社半导体能源研究所 显示装置
KR101911386B1 (ko) * 2008-09-19 2018-12-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시장치
WO2010038599A1 (en) * 2008-10-01 2010-04-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
EP2172977A1 (en) 2008-10-03 2010-04-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
KR20110069831A (ko) * 2008-10-03 2011-06-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 변조회로 및 그것을 갖는 반도체장치
CN103928476A (zh) 2008-10-03 2014-07-16 株式会社半导体能源研究所 显示装置及其制造方法
EP2172804B1 (en) 2008-10-03 2016-05-11 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Display device
WO2010038819A1 (en) 2008-10-03 2010-04-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
WO2010038820A1 (en) * 2008-10-03 2010-04-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
JP5430113B2 (ja) 2008-10-08 2014-02-26 キヤノン株式会社 電界効果型トランジスタ及びその製造方法
JP5552753B2 (ja) * 2008-10-08 2014-07-16 ソニー株式会社 薄膜トランジスタおよび表示装置
CN101719493B (zh) 2008-10-08 2014-05-14 株式会社半导体能源研究所 显示装置
JP5484853B2 (ja) 2008-10-10 2014-05-07 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
KR101799601B1 (ko) * 2008-10-16 2017-11-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 표시 장치
JP5361651B2 (ja) * 2008-10-22 2013-12-04 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
EP2180518B1 (en) 2008-10-24 2018-04-25 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
WO2010047288A1 (en) 2008-10-24 2010-04-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductordevice
JP5442234B2 (ja) * 2008-10-24 2014-03-12 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及び表示装置
KR101667909B1 (ko) 2008-10-24 2016-10-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체장치의 제조방법
KR102251817B1 (ko) 2008-10-24 2021-05-12 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제조 방법
JP5616012B2 (ja) * 2008-10-24 2014-10-29 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US8106400B2 (en) 2008-10-24 2012-01-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US8741702B2 (en) 2008-10-24 2014-06-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
KR101631454B1 (ko) * 2008-10-31 2016-06-17 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 논리회로
TWI633605B (zh) 2008-10-31 2018-08-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
WO2010050419A1 (en) 2008-10-31 2010-05-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driver circuit and display device
KR101603303B1 (ko) * 2008-10-31 2016-03-14 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 도전성 산질화물 및 도전성 산질화물막의 제작 방법
CN103730509B (zh) * 2008-11-07 2018-03-30 株式会社半导体能源研究所 半导体器件
TWI487104B (zh) * 2008-11-07 2015-06-01 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置和其製造方法
JP2010135771A (ja) 2008-11-07 2010-06-17 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置及び当該半導体装置の作製方法
EP2184783B1 (en) 2008-11-07 2012-10-03 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
CN101740631B (zh) 2008-11-07 2014-07-16 株式会社半导体能源研究所 半导体装置及该半导体装置的制造方法
TWI574423B (zh) * 2008-11-07 2017-03-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置和其製造方法
KR101432764B1 (ko) * 2008-11-13 2014-08-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체장치의 제조방법
TWI656645B (zh) * 2008-11-13 2019-04-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
US8232947B2 (en) 2008-11-14 2012-07-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
JP2010123595A (ja) * 2008-11-17 2010-06-03 Sony Corp 薄膜トランジスタおよび表示装置
US8610155B2 (en) 2008-11-18 2013-12-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device, method for manufacturing the same, and cellular phone
JP2010123758A (ja) * 2008-11-19 2010-06-03 Nec Corp 薄膜デバイス及びその製造方法
JP2010153802A (ja) 2008-11-20 2010-07-08 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置及び半導体装置の作製方法
KR101671660B1 (ko) 2008-11-21 2016-11-01 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 표시 장치 및 전자 기기
TWI529949B (zh) 2008-11-28 2016-04-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置和其製造方法
CN104103242B (zh) 2008-11-28 2016-09-14 株式会社半导体能源研究所 显示器件以及包含显示器件的电子器件
TWI585955B (zh) * 2008-11-28 2017-06-01 半導體能源研究所股份有限公司 光感測器及顯示裝置
TWI571684B (zh) 2008-11-28 2017-02-21 半導體能源研究所股份有限公司 液晶顯示裝置
WO2010064590A1 (en) 2008-12-01 2010-06-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP5515281B2 (ja) * 2008-12-03 2014-06-11 ソニー株式会社 薄膜トランジスタ、表示装置、電子機器および薄膜トランジスタの製造方法
TWI613489B (zh) 2008-12-03 2018-02-01 半導體能源研究所股份有限公司 液晶顯示裝置
JP5491833B2 (ja) 2008-12-05 2014-05-14 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI443629B (zh) * 2008-12-11 2014-07-01 Sony Corp 顯示裝置、其驅動方法及電子設備
CN103456794B (zh) * 2008-12-19 2016-08-10 株式会社半导体能源研究所 晶体管的制造方法
JP5615540B2 (ja) * 2008-12-19 2014-10-29 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
EP2202802B1 (en) * 2008-12-24 2012-09-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driver circuit and semiconductor device
US8383470B2 (en) * 2008-12-25 2013-02-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film transistor (TFT) having a protective layer and manufacturing method thereof
US8114720B2 (en) 2008-12-25 2012-02-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
KR101719350B1 (ko) * 2008-12-25 2017-03-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
US8441007B2 (en) 2008-12-25 2013-05-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and manufacturing method thereof
TWI654689B (zh) 2008-12-26 2019-03-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
JP5590877B2 (ja) * 2008-12-26 2014-09-17 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR101648927B1 (ko) 2009-01-16 2016-08-17 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
US8492756B2 (en) 2009-01-23 2013-07-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US8436350B2 (en) * 2009-01-30 2013-05-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device using an oxide semiconductor with a plurality of metal clusters
JP2010182819A (ja) * 2009-02-04 2010-08-19 Sony Corp 薄膜トランジスタおよび表示装置
CN102308389A (zh) * 2009-02-04 2012-01-04 夏普株式会社 半导体装置
US8367486B2 (en) * 2009-02-05 2013-02-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor and method for manufacturing the transistor
US8174021B2 (en) 2009-02-06 2012-05-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device
US8749930B2 (en) * 2009-02-09 2014-06-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Protection circuit, semiconductor device, photoelectric conversion device, and electronic device
JP4752927B2 (ja) * 2009-02-09 2011-08-17 ソニー株式会社 薄膜トランジスタおよび表示装置
CN102308330A (zh) * 2009-02-10 2012-01-04 夏普株式会社 连接端子和具备该连接端子的显示装置
KR101022651B1 (ko) * 2009-02-11 2011-03-22 삼성모바일디스플레이주식회사 광센서, 광센서를 포함하는 광센서 장치, 및 이를 포함하는디스플레이 장치
CN101478005B (zh) * 2009-02-13 2010-06-09 北京大学深圳研究生院 一种金属氧化物薄膜晶体管及其制作方法
US8247812B2 (en) 2009-02-13 2012-08-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor, semiconductor device including the transistor, and manufacturing method of the transistor and the semiconductor device
CN101840936B (zh) * 2009-02-13 2014-10-08 株式会社半导体能源研究所 包括晶体管的半导体装置及其制造方法
US8278657B2 (en) * 2009-02-13 2012-10-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor, semiconductor device including the transistor, and manufacturing method of the transistor and the semiconductor device
US8247276B2 (en) 2009-02-20 2012-08-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film transistor, method for manufacturing the same, and semiconductor device
US8841661B2 (en) * 2009-02-25 2014-09-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Staggered oxide semiconductor TFT semiconductor device and manufacturing method thereof
US8704216B2 (en) * 2009-02-27 2014-04-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP5736114B2 (ja) 2009-02-27 2015-06-17 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の駆動方法、電子機器の駆動方法
JP2010205987A (ja) * 2009-03-04 2010-09-16 Sony Corp 薄膜トランジスタおよびその製造方法並びに表示装置
US8461582B2 (en) * 2009-03-05 2013-06-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US20100224880A1 (en) * 2009-03-05 2010-09-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US20100224878A1 (en) * 2009-03-05 2010-09-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP5504008B2 (ja) 2009-03-06 2014-05-28 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP5202395B2 (ja) * 2009-03-09 2013-06-05 株式会社半導体エネルギー研究所 タッチパネル、電子機器
TW201106069A (en) * 2009-03-11 2011-02-16 Semiconductor Energy Lab Liquid crystal display device
KR102342672B1 (ko) * 2009-03-12 2021-12-24 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
TWI556323B (zh) 2009-03-13 2016-11-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及該半導體裝置的製造方法
KR101613865B1 (ko) * 2009-03-26 2016-04-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치 및 그 제작 방법
US8450144B2 (en) * 2009-03-26 2013-05-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
KR101681884B1 (ko) 2009-03-27 2016-12-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체장치, 표시장치 및 전자기기
TWI617029B (zh) 2009-03-27 2018-03-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
KR101752640B1 (ko) 2009-03-27 2017-06-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체장치
TWI485851B (zh) * 2009-03-30 2015-05-21 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置及其製造方法
US8338226B2 (en) * 2009-04-02 2012-12-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
TWI489628B (zh) * 2009-04-02 2015-06-21 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置和其製造方法
US8441047B2 (en) 2009-04-10 2013-05-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
TWI535023B (zh) 2009-04-16 2016-05-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置和其製造方法
US7977151B2 (en) * 2009-04-21 2011-07-12 Cbrite Inc. Double self-aligned metal oxide TFT
WO2010125986A1 (en) * 2009-05-01 2010-11-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
CN102422338B (zh) 2009-05-02 2015-04-01 株式会社半导体能源研究所 显示设备
KR102575653B1 (ko) 2009-05-02 2023-09-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
JP5751762B2 (ja) 2009-05-21 2015-07-22 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP5396335B2 (ja) 2009-05-28 2014-01-22 株式会社半導体エネルギー研究所 タッチパネル
EP2256795B1 (en) * 2009-05-29 2014-11-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method for oxide semiconductor device
EP2256814B1 (en) * 2009-05-29 2019-01-16 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Oxide semiconductor device and method for manufacturing the same
JP5564331B2 (ja) 2009-05-29 2014-07-30 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US8314421B2 (en) * 2009-06-01 2012-11-20 Qiu Cindy X Thin film transistors and circuits with metal oxynitride active channel layers
KR101213708B1 (ko) * 2009-06-03 2012-12-18 엘지디스플레이 주식회사 어레이 기판 및 이의 제조방법
JP5528727B2 (ja) * 2009-06-19 2014-06-25 富士フイルム株式会社 薄膜トランジスタ製造装置、酸化物半導体薄膜の製造方法、薄膜トランジスタの製造方法、酸化物半導体薄膜、薄膜トランジスタ及び発光デバイス
US9024311B2 (en) * 2009-06-24 2015-05-05 Sharp Kabushiki Kaisha Thin film transistor, method for manufacturing same, active matrix substrate, display panel and display device
US8384114B2 (en) 2009-06-27 2013-02-26 Cooledge Lighting Inc. High efficiency LEDs and LED lamps
JPWO2011001715A1 (ja) 2009-06-29 2012-12-13 シャープ株式会社 酸化物半導体、薄膜トランジスタアレイ基板及びその製造方法、並びに、表示装置
EP2449594B1 (en) 2009-06-30 2019-08-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
KR101968855B1 (ko) * 2009-06-30 2019-04-12 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 제조 방법
KR101604577B1 (ko) 2009-06-30 2016-03-17 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 제조 방법
WO2011002046A1 (en) 2009-06-30 2011-01-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US20110000175A1 (en) * 2009-07-01 2011-01-06 Husqvarna Consumer Outdoor Products N.A. Inc. Variable speed controller
JP5663214B2 (ja) * 2009-07-03 2015-02-04 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
KR20170119742A (ko) 2009-07-03 2017-10-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제작 방법
KR101476817B1 (ko) 2009-07-03 2014-12-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 트랜지스터를 갖는 표시 장치 및 그 제작 방법
US8576209B2 (en) 2009-07-07 2013-11-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
JP5640478B2 (ja) * 2009-07-09 2014-12-17 株式会社リコー 電界効果型トランジスタの製造方法及び電界効果型トランジスタ
SG10201403913PA (en) * 2009-07-10 2014-10-30 Semiconductor Energy Lab Method for manufacturing semiconductor device
WO2011004723A1 (en) 2009-07-10 2011-01-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method the same
KR101422362B1 (ko) 2009-07-10 2014-07-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치, 표시 패널 및 전자 기기
KR101073301B1 (ko) * 2009-07-15 2011-10-12 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 전계발광 표시장치 및 그 제조방법
WO2011007682A1 (en) 2009-07-17 2011-01-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing semiconductor device
KR101739154B1 (ko) 2009-07-17 2017-05-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제조 방법
WO2011007677A1 (en) * 2009-07-17 2011-01-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
WO2011010541A1 (en) 2009-07-18 2011-01-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
KR20180112107A (ko) 2009-07-18 2018-10-11 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치 제조 방법
KR101768786B1 (ko) 2009-07-18 2017-08-16 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제조 방법
WO2011010545A1 (en) 2009-07-18 2011-01-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
WO2011010542A1 (en) 2009-07-23 2011-01-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
WO2011010546A1 (en) 2009-07-24 2011-01-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2011013502A1 (en) 2009-07-31 2011-02-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
KR102526493B1 (ko) 2009-07-31 2023-04-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 디바이스 및 그 형성 방법
CN102473734B (zh) 2009-07-31 2015-08-12 株式会社半导体能源研究所 半导体装置及其制造方法
KR20190141791A (ko) 2009-07-31 2019-12-24 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
WO2011013523A1 (en) 2009-07-31 2011-02-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
EP2284891B1 (en) 2009-08-07 2019-07-24 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
TWI830077B (zh) 2009-08-07 2024-01-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
JP5663231B2 (ja) 2009-08-07 2015-02-04 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
TWI582951B (zh) * 2009-08-07 2017-05-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及包括該半導體裝置之電話、錶、和顯示裝置
TWI634642B (zh) * 2009-08-07 2018-09-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置和其製造方法
TWI596741B (zh) 2009-08-07 2017-08-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置和其製造方法
JP5642447B2 (ja) * 2009-08-07 2014-12-17 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI498786B (zh) * 2009-08-24 2015-09-01 Semiconductor Energy Lab 觸控感應器及其驅動方法與顯示裝置
US8115883B2 (en) 2009-08-27 2012-02-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method for manufacturing the same
WO2011027649A1 (en) * 2009-09-02 2011-03-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including a transistor, and manufacturing method of semiconductor device
WO2011027656A1 (en) 2009-09-04 2011-03-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor and display device
CN102484135B (zh) * 2009-09-04 2016-01-20 株式会社东芝 薄膜晶体管及其制造方法
KR101746198B1 (ko) 2009-09-04 2017-06-12 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시장치 및 전자기기
CN105810753A (zh) 2009-09-04 2016-07-27 株式会社半导体能源研究所 半导体器件及其制造方法
WO2011027701A1 (en) 2009-09-04 2011-03-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and method for manufacturing the same
WO2011027676A1 (en) 2009-09-04 2011-03-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US9805641B2 (en) 2009-09-04 2017-10-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device including the same
CN102484140B (zh) * 2009-09-04 2015-04-22 株式会社半导体能源研究所 半导体器件的制造方法
KR101707433B1 (ko) * 2009-09-04 2017-02-16 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치 및 발광 장치를 제작하기 위한 방법
WO2011027664A1 (en) * 2009-09-04 2011-03-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and method for manufacturing the same
WO2011027702A1 (en) * 2009-09-04 2011-03-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and method for manufacturing the same
KR102246529B1 (ko) * 2009-09-16 2021-04-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2011033914A1 (en) 2009-09-16 2011-03-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driving method of display device and display device
EP2544237B1 (en) * 2009-09-16 2017-05-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor and display device
WO2011033911A1 (en) * 2009-09-16 2011-03-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
WO2011034012A1 (en) 2009-09-16 2011-03-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Logic circuit, light emitting device, semiconductor device, and electronic device
US9715845B2 (en) * 2009-09-16 2017-07-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor display device
KR101700470B1 (ko) * 2009-09-16 2017-01-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 구동 회로, 구동 회로를 포함하는 표시 장치 및 표시 장치를 포함하는 전자 기기
EP2478563B1 (en) * 2009-09-16 2021-04-07 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Method for manufacturing a samesemiconductor device
KR102480780B1 (ko) * 2009-09-16 2022-12-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치 및 이의 제조 방법
CN102024410B (zh) 2009-09-16 2014-10-22 株式会社半导体能源研究所 半导体装置及电子设备
KR20180094132A (ko) * 2009-09-24 2018-08-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 구동 회로, 상기 구동 회로를 포함하는 표시 장치, 및 상기 표시 장치를 포함하는 전자 기기
TWI512997B (zh) 2009-09-24 2015-12-11 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置，電源電路，和半導體裝置的製造方法
KR101470785B1 (ko) 2009-09-24 2014-12-08 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제조 방법
JP2011091386A (ja) * 2009-09-24 2011-05-06 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 熱処理装置、熱処理方法及び半導体装置の作製方法
CN102576677B (zh) 2009-09-24 2015-07-22 株式会社半导体能源研究所 半导体元件及其制造方法
KR102054650B1 (ko) 2009-09-24 2019-12-11 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 산화물 반도체막 및 반도체 장치
CN105161543A (zh) * 2009-09-24 2015-12-16 株式会社半导体能源研究所 半导体器件及其制造方法
KR101740943B1 (ko) 2009-09-24 2017-06-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
WO2011037008A1 (en) * 2009-09-24 2011-03-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing oxide semiconductor film and method for manufacturing semiconductor device
KR101707260B1 (ko) 2009-09-24 2017-02-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
JP5889791B2 (ja) 2009-09-24 2016-03-22 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ ソース・ドレイン金属エッチングのためのウェットプロセスを用いた金属酸化物又は金属酸窒化物ｔｆｔの製造方法
US8840763B2 (en) * 2009-09-28 2014-09-23 Applied Materials, Inc. Methods for stable process in a reactive sputtering process using zinc or doped zinc target
JP5613508B2 (ja) * 2009-09-30 2014-10-22 株式会社半導体エネルギー研究所 レドックスキャパシタ
CN102033379B (zh) * 2009-09-30 2012-08-15 群康科技(深圳)有限公司 液晶显示器与其制造方法
WO2011040213A1 (en) 2009-10-01 2011-04-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
KR20120084751A (ko) 2009-10-05 2012-07-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
WO2011043182A1 (en) * 2009-10-05 2011-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for removing electricity and method for manufacturing semiconductor device
KR101623619B1 (ko) * 2009-10-08 2016-05-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 산화물 반도체층 및 반도체 장치
KR101991006B1 (ko) 2009-10-08 2019-06-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
CN102549638B (zh) * 2009-10-09 2015-04-01 株式会社半导体能源研究所 发光显示器件以及包括该发光显示器件的电子设备
WO2011043164A1 (en) * 2009-10-09 2011-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device
US9171640B2 (en) 2009-10-09 2015-10-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Shift register and display device
WO2011043215A1 (en) 2009-10-09 2011-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Shift register and display device and driving method thereof
KR101949670B1 (ko) * 2009-10-09 2019-02-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR101711236B1 (ko) 2009-10-09 2017-02-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR20120083341A (ko) * 2009-10-09 2012-07-25 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치 및 액정 표시 장치를 포함하는 전자 기기
EP2486595B1 (en) * 2009-10-09 2019-10-23 Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd. Semiconductor device
WO2011043206A1 (en) 2009-10-09 2011-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2011043194A1 (en) 2009-10-09 2011-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
CN102576737B (zh) * 2009-10-09 2015-10-21 株式会社半导体能源研究所 半导体器件及其制造方法
KR101820973B1 (ko) * 2009-10-09 2018-01-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치 제조 방법
KR101680047B1 (ko) * 2009-10-14 2016-11-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
KR101772639B1 (ko) 2009-10-16 2017-08-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR102689629B1 (ko) * 2009-10-16 2024-07-31 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR101962603B1 (ko) * 2009-10-16 2019-03-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치 및 액정 표시 장치를 포함한 전자 기기
KR101745747B1 (ko) 2009-10-16 2017-06-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 논리 회로 및 반도체 장치
KR102290831B1 (ko) * 2009-10-16 2021-08-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치 및 이를 구비한 전자 장치
US8546797B2 (en) * 2009-10-20 2013-10-01 Stanley Electric Co., Ltd. Zinc oxide based compound semiconductor device
WO2011048929A1 (en) * 2009-10-21 2011-04-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP5730529B2 (ja) 2009-10-21 2015-06-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR101801959B1 (ko) * 2009-10-21 2017-11-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치 및 그 액정 표시 장치를 구비하는 전자기기
KR102162746B1 (ko) 2009-10-21 2020-10-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 아날로그 회로 및 반도체 장치
KR101402294B1 (ko) * 2009-10-21 2014-06-02 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 제작방법
CN112447130A (zh) 2009-10-21 2021-03-05 株式会社半导体能源研究所 显示装置和包括显示装置的电子设备
WO2011048923A1 (en) * 2009-10-21 2011-04-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. E-book reader
KR101847656B1 (ko) * 2009-10-21 2018-05-24 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제조 방법
EP2491586B1 (en) * 2009-10-21 2019-11-20 Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd. Semiconductor device
EP2494594B1 (en) 2009-10-29 2020-02-19 Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd. Semiconductor device
WO2011052396A1 (en) * 2009-10-29 2011-05-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
SG188112A1 (en) 2009-10-30 2013-03-28 Semiconductor Energy Lab Logic circuit and semiconductor device
KR101740684B1 (ko) 2009-10-30 2017-05-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 파워 다이오드, 정류기 및 그것을 가지는 반도체 장치
CN102484471B (zh) * 2009-10-30 2015-04-01 株式会社半导体能源研究所 驱动器电路、包括该驱动器电路的显示设备和包括该显示设备的电子设备
KR101837102B1 (ko) 2009-10-30 2018-03-09 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2011052382A1 (en) * 2009-10-30 2011-05-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
KR101796909B1 (ko) * 2009-10-30 2017-12-12 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 비선형 소자, 표시 장치, 및 전자 기기
WO2011052366A1 (en) * 2009-10-30 2011-05-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Voltage regulator circuit
WO2011052437A1 (en) 2009-10-30 2011-05-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Non-linear element, display device including non-linear element, and electronic device including display device
CN102576172B (zh) * 2009-10-30 2016-01-27 株式会社半导体能源研究所 液晶显示设备、其驱动方法以及包括该液晶显示设备的电子电器
WO2011052411A1 (en) 2009-10-30 2011-05-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor
WO2011052409A1 (en) * 2009-10-30 2011-05-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor
KR101788521B1 (ko) 2009-10-30 2017-10-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR101293262B1 (ko) * 2009-10-30 2013-08-09 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
EP2494601A4 (en) * 2009-10-30 2016-09-07 Semiconductor Energy Lab SEMICONDUCTOR COMPONENT AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
EP2494595A4 (en) * 2009-10-30 2015-08-26 Semiconductor Energy Lab SEMICONDUCTOR DEVICE
WO2011055769A1 (en) * 2009-11-06 2011-05-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor element and semiconductor device, and deposition apparatus
KR101747158B1 (ko) * 2009-11-06 2017-06-14 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치를 제작하기 위한 방법
WO2011055626A1 (en) 2009-11-06 2011-05-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP5539846B2 (ja) 2009-11-06 2014-07-02 株式会社半導体エネルギー研究所 評価方法、半導体装置の作製方法
WO2011055668A1 (en) 2009-11-06 2011-05-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR101605984B1 (ko) 2009-11-06 2016-03-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR101727469B1 (ko) * 2009-11-06 2017-04-17 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
CN104600074A (zh) 2009-11-06 2015-05-06 株式会社半导体能源研究所 半导体装置
EP2497115A4 (en) 2009-11-06 2015-09-02 Semiconductor Energy Lab SEMICONDUCTOR COMPONENT AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
CN104465318B (zh) * 2009-11-06 2018-04-24 株式会社半导体能源研究所 制造半导体器件的方法
KR102148664B1 (ko) * 2009-11-06 2020-08-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
WO2011055660A1 (en) 2009-11-06 2011-05-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2011055474A1 (ja) 2009-11-09 2011-05-12 シャープ株式会社 アクティブマトリクス基板及びそれを備えた液晶表示パネル、並びにアクティブマトリクス基板の製造方法
KR101248459B1 (ko) 2009-11-10 2013-03-28 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치 및 그 제조방법
KR101787353B1 (ko) 2009-11-13 2017-10-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR20120094013A (ko) 2009-11-13 2012-08-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 스퍼터링 타겟 및 그 제조방법, 및 트랜지스터
WO2011058867A1 (en) * 2009-11-13 2011-05-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Sputtering target and method for manufacturing the same, and transistor
WO2011058913A1 (en) 2009-11-13 2011-05-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
KR101975741B1 (ko) 2009-11-13 2019-05-09 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 타깃 재료의 포장 방법 및 타깃의 장착 방법
WO2011058864A1 (en) * 2009-11-13 2011-05-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Device including nonvolatile memory element
CN102612714B (zh) 2009-11-13 2016-06-29 株式会社半导体能源研究所 半导体器件及其驱动方法
KR20230174763A (ko) 2009-11-13 2023-12-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 이 표시 장치를 구비한 전자 기기
WO2011058865A1 (en) * 2009-11-13 2011-05-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor devi ce
KR101721850B1 (ko) 2009-11-13 2017-03-31 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2011062029A1 (en) 2009-11-18 2011-05-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device
KR102682982B1 (ko) 2009-11-20 2024-07-10 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR101995704B1 (ko) 2009-11-20 2019-07-03 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제작 방법
JP5762723B2 (ja) 2009-11-20 2015-08-12 株式会社半導体エネルギー研究所 変調回路及びそれを備えた半導体装置
KR20140074404A (ko) 2009-11-20 2014-06-17 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 트랜지스터
KR101700154B1 (ko) 2009-11-20 2017-01-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 래치 회로와 회로
KR101693914B1 (ko) 2009-11-20 2017-01-06 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR101752212B1 (ko) * 2009-11-20 2017-06-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR101800854B1 (ko) * 2009-11-20 2017-11-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 트랜지스터
WO2011062057A1 (en) * 2009-11-20 2011-05-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP5866089B2 (ja) * 2009-11-20 2016-02-17 株式会社半導体エネルギー研究所 電子機器
TWI507934B (zh) * 2009-11-20 2015-11-11 Semiconductor Energy Lab 顯示裝置
CN102668063B (zh) * 2009-11-20 2015-02-18 株式会社半导体能源研究所 半导体装置
KR101074803B1 (ko) * 2009-11-24 2011-10-19 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
WO2011065183A1 (en) * 2009-11-24 2011-06-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including memory cell
KR101911382B1 (ko) 2009-11-27 2018-10-24 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
CN102640293B (zh) * 2009-11-27 2015-07-22 株式会社半导体能源研究所 半导体器件
KR101082174B1 (ko) * 2009-11-27 2011-11-09 삼성모바일디스플레이주식회사 유기전계발광 표시 장치 및 그의 제조 방법
WO2011065209A1 (en) * 2009-11-27 2011-06-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Non-linear element, display device including non-linear element, and electronic device including display device
KR101506304B1 (ko) * 2009-11-27 2015-03-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작방법
KR101329849B1 (ko) * 2009-11-28 2013-11-14 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제조 방법
WO2011065216A1 (en) 2009-11-28 2011-06-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Stacked oxide material, semiconductor device, and method for manufacturing the semiconductor device
WO2011065210A1 (en) 2009-11-28 2011-06-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Stacked oxide material, semiconductor device, and method for manufacturing the semiconductor device
KR101824124B1 (ko) 2009-11-28 2018-02-01 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
WO2011065230A1 (en) 2009-11-30 2011-06-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device, method for driving the same, and electronic device including the same
JP5584103B2 (ja) * 2009-12-04 2014-09-03 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR102333270B1 (ko) 2009-12-04 2021-12-02 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2011068022A1 (en) * 2009-12-04 2011-06-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2011068025A1 (en) 2009-12-04 2011-06-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Dc converter circuit and power supply circuit
KR102450889B1 (ko) 2009-12-04 2022-10-06 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR101963300B1 (ko) 2009-12-04 2019-03-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
JP2011139052A (ja) 2009-12-04 2011-07-14 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体記憶装置
WO2011068028A1 (en) * 2009-12-04 2011-06-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor element, semiconductor device, and method for manufacturing the same
CN104795323B (zh) 2009-12-04 2017-12-29 株式会社半导体能源研究所 半导体装置及其制造方法
WO2011068016A1 (en) * 2009-12-04 2011-06-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR101943109B1 (ko) * 2009-12-04 2019-01-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제조 방법
WO2011068021A1 (en) 2009-12-04 2011-06-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
WO2011068106A1 (en) * 2009-12-04 2011-06-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device including the same
KR101470303B1 (ko) 2009-12-08 2014-12-09 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR101511076B1 (ko) * 2009-12-08 2015-04-10 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
US8685803B2 (en) 2009-12-09 2014-04-01 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor device and method for producing same
WO2011070902A1 (en) 2009-12-10 2011-06-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and driving method thereof
WO2011070928A1 (en) 2009-12-11 2011-06-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP5727204B2 (ja) 2009-12-11 2015-06-03 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
KR101777643B1 (ko) * 2009-12-11 2017-09-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 논리 회로, 및 cpu
WO2011070901A1 (en) * 2009-12-11 2011-06-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
WO2011070929A1 (en) 2009-12-11 2011-06-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
KR20170116239A (ko) 2009-12-11 2017-10-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 전계 효과 트랜지스터
JP5185357B2 (ja) 2009-12-17 2013-04-17 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
WO2011074506A1 (en) * 2009-12-18 2011-06-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
CN102668086B (zh) * 2009-12-18 2016-01-06 巴斯夫欧洲公司 位于具有可由溶液低温加工的电介质的机械柔性聚合物衬底上的金属氧化物场效应晶体管
US9057758B2 (en) 2009-12-18 2015-06-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for measuring current, method for inspecting semiconductor device, semiconductor device, and test element group
KR102275522B1 (ko) * 2009-12-18 2021-07-08 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치 및 전자 기기
KR102067919B1 (ko) 2009-12-18 2020-01-17 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치의 구동 방법 및 표시 장치
KR101743620B1 (ko) 2009-12-18 2017-06-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 광 센서를 포함하는 표시 장치 및 그 구동 방법
WO2011074407A1 (en) 2009-12-18 2011-06-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
KR101763660B1 (ko) * 2009-12-18 2017-08-01 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치 및 그 구동 방법
CN102668377B (zh) 2009-12-18 2015-04-08 株式会社半导体能源研究所 非易失性锁存电路和逻辑电路以及使用它们的半导体器件
WO2011074392A1 (en) 2009-12-18 2011-06-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR101768433B1 (ko) * 2009-12-18 2017-08-16 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 제작 방법
TWI422035B (zh) * 2009-12-22 2014-01-01 Au Optronics Corp 半導體元件結構及其製造方法
CN102652396B (zh) * 2009-12-23 2015-12-16 株式会社半导体能源研究所 半导体装置
WO2011077926A1 (en) 2009-12-24 2011-06-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device
WO2011077916A1 (en) * 2009-12-24 2011-06-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
KR101781336B1 (ko) 2009-12-25 2017-09-25 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2011077978A1 (en) * 2009-12-25 2011-06-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing display device
WO2011077946A1 (en) 2009-12-25 2011-06-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2011077925A1 (en) * 2009-12-25 2011-06-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for driving liquid crystal display device
US8441009B2 (en) * 2009-12-25 2013-05-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
KR102712211B1 (ko) 2009-12-25 2024-10-04 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 메모리 장치, 반도체 장치, 및 전자 장치
WO2011077966A1 (en) 2009-12-25 2011-06-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
EP2519969A4 (en) 2009-12-28 2016-07-06 Semiconductor Energy Lab SEMICONDUCTOR COMPONENT
CN104867984B (zh) 2009-12-28 2018-11-06 株式会社半导体能源研究所 制造半导体装置的方法
KR101842413B1 (ko) 2009-12-28 2018-03-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2011081041A1 (en) 2009-12-28 2011-07-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device
CN105047669B (zh) * 2009-12-28 2018-08-14 株式会社半导体能源研究所 存储器装置和半导体装置
WO2011081011A1 (en) * 2009-12-28 2011-07-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and manufacturing method thereof
KR101749944B1 (ko) 2009-12-28 2017-06-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치 및 전자 기기
WO2011081008A1 (en) * 2009-12-28 2011-07-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and electronic device
US8653539B2 (en) 2010-01-04 2014-02-18 Cooledge Lighting, Inc. Failure mitigation in arrays of light-emitting devices
US9480133B2 (en) 2010-01-04 2016-10-25 Cooledge Lighting Inc. Light-emitting element repair in array-based lighting devices
KR101084242B1 (ko) * 2010-01-14 2011-11-16 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR101698537B1 (ko) 2010-01-15 2017-01-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR101701208B1 (ko) * 2010-01-15 2017-02-02 삼성디스플레이 주식회사 표시 기판
WO2011086847A1 (en) 2010-01-15 2011-07-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR101791279B1 (ko) * 2010-01-15 2017-10-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
CN102696064B (zh) * 2010-01-15 2015-11-25 株式会社半导体能源研究所 半导体装置和电子装置
SG10201500220TA (en) 2010-01-15 2015-03-30 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device and method for driving the same
KR101848516B1 (ko) * 2010-01-15 2018-04-12 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US8780629B2 (en) * 2010-01-15 2014-07-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
WO2011089843A1 (en) 2010-01-20 2011-07-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for driving display device
KR101747421B1 (ko) * 2010-01-20 2017-06-14 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치의 구동 방법
WO2011089849A1 (en) 2010-01-20 2011-07-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Portable electronic device
KR101978106B1 (ko) 2010-01-20 2019-05-13 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR101816505B1 (ko) * 2010-01-20 2018-01-09 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치의 표시 방법
KR102217907B1 (ko) * 2010-01-20 2021-02-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
KR101883331B1 (ko) * 2010-01-20 2018-08-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 표시 장치의 구동 방법
WO2011089832A1 (en) 2010-01-20 2011-07-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for driving display device and liquid crystal display device
US8415731B2 (en) 2010-01-20 2013-04-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor storage device with integrated capacitor and having transistor overlapping sections
US9984617B2 (en) * 2010-01-20 2018-05-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device including light emitting element
CN102713999B (zh) 2010-01-20 2016-01-20 株式会社半导体能源研究所 电子设备和电子系统
KR101787734B1 (ko) * 2010-01-20 2017-10-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 기억 장치
WO2011089847A1 (en) 2010-01-20 2011-07-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Signal processing circuit and method for driving the same
JP5559210B2 (ja) 2010-01-21 2014-07-23 シャープ株式会社 回路基板の製造方法
WO2011089852A1 (en) * 2010-01-22 2011-07-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device and driving method thereof
KR102088281B1 (ko) * 2010-01-22 2020-03-13 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR101829309B1 (ko) * 2010-01-22 2018-02-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR101873730B1 (ko) 2010-01-24 2018-07-04 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
TWI525377B (zh) 2010-01-24 2016-03-11 半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置
WO2011089844A1 (en) * 2010-01-24 2011-07-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and manufacturing method thereof
WO2011093151A1 (en) 2010-01-29 2011-08-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device including the same
KR101299256B1 (ko) * 2010-01-29 2013-08-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 기억 장치
KR20120120330A (ko) 2010-01-29 2012-11-01 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
TWI508183B (zh) * 2010-01-29 2015-11-11 Prime View Int Co Ltd 形成含氧半導體薄膜電晶體之方法
JP5688223B2 (ja) * 2010-02-03 2015-03-25 三菱電機株式会社 薄膜トランジスタ、半導体装置、及び薄膜トランジスタの製造方法
JP2011159908A (ja) * 2010-02-03 2011-08-18 Sony Corp 薄膜トランジスタおよびその製造方法、並びに表示装置
KR20180028557A (ko) 2010-02-05 2018-03-16 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제조 방법
TWI610512B (zh) 2010-02-05 2018-01-01 半導體能源研究所股份有限公司 受電裝置
CN102687275B (zh) * 2010-02-05 2016-01-27 株式会社半导体能源研究所 半导体装置
KR101791713B1 (ko) * 2010-02-05 2017-10-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 전계 효과 트랜지스터 및 반도체 장치
KR101822962B1 (ko) 2010-02-05 2018-01-31 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2011096153A1 (en) 2010-02-05 2011-08-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
WO2011096262A1 (en) 2010-02-05 2011-08-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2011096277A1 (en) 2010-02-05 2011-08-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of driving semiconductor device
WO2011096276A1 (en) 2010-02-05 2011-08-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
US9391209B2 (en) 2010-02-05 2016-07-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2011096264A1 (en) * 2010-02-05 2011-08-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of driving semiconductor device
KR101399609B1 (ko) 2010-02-05 2014-05-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 및 반도체 장치의 제조 방법
US8436403B2 (en) 2010-02-05 2013-05-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including transistor provided with sidewall and electronic appliance
WO2011099342A1 (en) 2010-02-10 2011-08-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Field effect transistor
US8947337B2 (en) 2010-02-11 2015-02-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
CN102754209B (zh) * 2010-02-12 2015-11-25 株式会社半导体能源研究所 半导体装置及其驱动方法
KR102197415B1 (ko) * 2010-02-12 2020-12-31 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 구동 방법
KR101636998B1 (ko) * 2010-02-12 2016-07-08 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법
WO2011099343A1 (en) 2010-02-12 2011-08-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
US8617920B2 (en) * 2010-02-12 2013-12-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
KR101838130B1 (ko) 2010-02-12 2018-03-13 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작방법
EP2534679B1 (en) 2010-02-12 2021-06-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method of the same
WO2011099368A1 (en) * 2010-02-12 2011-08-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device including the same
KR101775180B1 (ko) * 2010-02-12 2017-09-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 구동 방법
CN102763156B (zh) * 2010-02-12 2015-11-25 株式会社半导体能源研究所 液晶显示装置和电子装置
US9887568B2 (en) * 2010-02-12 2018-02-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Moving object, wireless power feeding system, and wireless power feeding method
KR20230145240A (ko) 2010-02-18 2023-10-17 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2011102183A1 (en) 2010-02-19 2011-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP5740169B2 (ja) * 2010-02-19 2015-06-24 株式会社半導体エネルギー研究所 トランジスタの作製方法
KR101780748B1 (ko) * 2010-02-19 2017-09-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 복조회로 및 복조회로를 이용한 ｒｆｉｄ 태그
KR101848684B1 (ko) 2010-02-19 2018-04-16 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치 및 전자 장치
CN102754162B (zh) * 2010-02-19 2015-12-09 株式会社半导体能源研究所 半导体器件及半导体器件的驱动方法
KR20120121931A (ko) * 2010-02-19 2012-11-06 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제조 방법
CN105786268B (zh) 2010-02-19 2019-03-12 株式会社半导体能源研究所 显示设备及其驱动方法
KR101686089B1 (ko) 2010-02-19 2016-12-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR101906151B1 (ko) 2010-02-19 2018-10-11 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 트랜지스터 및 이를 이용한 표시 장치
KR102015762B1 (ko) 2010-02-19 2019-08-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 메모리 장치, 그 구동 방법, 및 반도체 장치 제작 방법
WO2011102233A1 (en) * 2010-02-19 2011-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR102386149B1 (ko) * 2010-02-23 2022-04-14 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제조 방법
KR102047354B1 (ko) 2010-02-26 2019-11-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
CN107045235A (zh) 2010-02-26 2017-08-15 株式会社半导体能源研究所 液晶显示装置
US9000438B2 (en) 2010-02-26 2015-04-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
KR20180001562A (ko) 2010-02-26 2018-01-04 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치를 제작하기 위한 방법
KR101733765B1 (ko) * 2010-02-26 2017-05-08 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시장치 및 표시장치의 구동 방법
WO2011105198A1 (en) 2010-02-26 2011-09-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2011105310A1 (en) 2010-02-26 2011-09-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2011105218A1 (en) * 2010-02-26 2011-09-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and e-book reader provided therewith
WO2011105183A1 (en) * 2010-02-26 2011-09-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor element and deposition apparatus
WO2011108345A1 (en) 2010-03-02 2011-09-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Pulse signal output circuit and shift register
WO2011108343A1 (en) 2010-03-02 2011-09-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Pulse signal output circuit and shift register
KR101817926B1 (ko) 2010-03-02 2018-01-12 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 승압 회로 및 승압 회로를 포함하는 ｒｆｉｄ 태그
KR101706292B1 (ko) 2010-03-02 2017-02-14 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 펄스 신호 출력 회로 및 시프트 레지스터
WO2011108475A1 (en) * 2010-03-04 2011-09-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device and semiconductor device
WO2011108374A1 (en) * 2010-03-05 2011-09-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
WO2011108382A1 (en) * 2010-03-05 2011-09-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
KR102341927B1 (ko) * 2010-03-05 2021-12-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
KR101878206B1 (ko) * 2010-03-05 2018-07-16 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 산화물 반도체막의 제작 방법 및 트랜지스터의 제작 방법
KR101791253B1 (ko) 2010-03-08 2017-11-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 전자기기 및 전자 시스템
CN104979369B (zh) * 2010-03-08 2018-04-06 株式会社半导体能源研究所 半导体器件及其制造方法
WO2011111502A1 (en) * 2010-03-08 2011-09-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
KR20190018049A (ko) * 2010-03-08 2019-02-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치를 제작하는 방법
TWI594173B (zh) * 2010-03-08 2017-08-01 半導體能源研究所股份有限公司 電子裝置及電子系統
WO2011111490A1 (en) * 2010-03-08 2011-09-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
DE112011100841B4 (de) 2010-03-08 2021-11-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Halbleitervorrichtung und verfahren zur herstellung der halbleitervorrichtung
KR101812467B1 (ko) * 2010-03-08 2017-12-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR101097341B1 (ko) * 2010-03-09 2011-12-23 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치
US8900362B2 (en) * 2010-03-12 2014-12-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of gallium oxide single crystal
CN102804380B (zh) 2010-03-12 2015-11-25 株式会社半导体能源研究所 半导体装置
KR101840185B1 (ko) 2010-03-12 2018-03-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 회로를 구동하는 방법 및 표시 장치를 구동하는 방법
KR101770550B1 (ko) * 2010-03-12 2017-08-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치의 구동 방법
WO2011111507A1 (en) * 2010-03-12 2011-09-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
WO2011111508A1 (en) * 2010-03-12 2011-09-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for driving input circuit and method for driving input-output device
WO2011111531A1 (en) * 2010-03-12 2011-09-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
KR101600879B1 (ko) * 2010-03-16 2016-03-09 삼성디스플레이 주식회사 박막트랜지스터, 그 제조방법 및 박막트랜지스터를 이용한 표시기판
WO2011114866A1 (en) 2010-03-17 2011-09-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device and semiconductor device
WO2011114905A1 (en) 2010-03-19 2011-09-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device
CN102812547B (zh) * 2010-03-19 2015-09-09 株式会社半导体能源研究所 半导体装置
US20110227082A1 (en) * 2010-03-19 2011-09-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2011114868A1 (en) 2010-03-19 2011-09-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR102001820B1 (ko) * 2010-03-19 2019-07-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치 구동 방법
EP2369627B1 (en) * 2010-03-22 2017-01-25 Samsung Electronics Co., Ltd. Thin film transistors, methods of manufacturing thin film transistors, and semiconductor device including thin film transistors
WO2011118351A1 (en) 2010-03-25 2011-09-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
DE112011101069B4 (de) 2010-03-26 2018-05-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Halbleitervorrichtung und Verfahren zur Herstellung der Halbleitervorrichtung
WO2011118741A1 (en) 2010-03-26 2011-09-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
KR101435970B1 (ko) 2010-03-26 2014-08-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치를 제작하는 방법
WO2011118364A1 (en) * 2010-03-26 2011-09-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP5731244B2 (ja) * 2010-03-26 2015-06-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
CN102844873B (zh) 2010-03-31 2015-06-17 株式会社半导体能源研究所 半导体显示装置
WO2011122514A1 (en) 2010-03-31 2011-10-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Power supply device and driving method thereof
WO2011122299A1 (en) 2010-03-31 2011-10-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driving method of liquid crystal display device
KR101814367B1 (ko) 2010-03-31 2018-01-04 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치 및 그 구동 방법
WO2011122271A1 (en) 2010-03-31 2011-10-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Field-sequential display device
US9196739B2 (en) 2010-04-02 2015-11-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including oxide semiconductor film and metal oxide film
CN102834922B (zh) 2010-04-02 2016-04-13 株式会社半导体能源研究所 半导体装置
US9147768B2 (en) 2010-04-02 2015-09-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having an oxide semiconductor and a metal oxide film
WO2011122363A1 (en) 2010-04-02 2011-10-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9190522B2 (en) 2010-04-02 2015-11-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having an oxide semiconductor
US8884282B2 (en) 2010-04-02 2014-11-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
TW201136435A (en) * 2010-04-06 2011-10-16 Au Optronics Corp Pixel structure of electroluminescent display panel and method of making the same
WO2011125432A1 (en) 2010-04-07 2011-10-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device
CN102918650B (zh) 2010-04-07 2017-03-22 株式会社半导体能源研究所 晶体管
KR20110112992A (ko) * 2010-04-08 2011-10-14 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 장치 및 이의 제조 방법
KR101321833B1 (ko) 2010-04-09 2013-10-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 산화물 반도체 메모리 장치
WO2011125456A1 (en) 2010-04-09 2011-10-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8653514B2 (en) 2010-04-09 2014-02-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
CN102835028B (zh) 2010-04-09 2015-09-09 株式会社半导体能源研究所 分压器电路
WO2011125806A1 (en) 2010-04-09 2011-10-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
CN102213854B (zh) 2010-04-09 2015-08-05 株式会社半导体能源研究所 液晶显示装置及电子设备
KR101884798B1 (ko) 2010-04-09 2018-08-02 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US8207025B2 (en) 2010-04-09 2012-06-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
DE112011101260T5 (de) 2010-04-09 2013-05-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung und Verfahren zum Ansteuern derselben
JP5744366B2 (ja) 2010-04-12 2015-07-08 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置
US8854583B2 (en) 2010-04-12 2014-10-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and liquid crystal display device
CN102844847B (zh) 2010-04-16 2015-09-23 株式会社半导体能源研究所 沉积方法及半导体装置的制造方法
JP2011237418A (ja) 2010-04-16 2011-11-24 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 電流測定方法、半導体装置の検査方法、半導体装置、および特性評価用回路
KR101904445B1 (ko) 2010-04-16 2018-10-04 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR20130061678A (ko) 2010-04-16 2013-06-11 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 전원 회로
US8692243B2 (en) 2010-04-20 2014-04-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
WO2011132625A1 (en) 2010-04-23 2011-10-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
KR101540039B1 (ko) 2010-04-23 2015-07-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제작 방법
KR101854421B1 (ko) 2010-04-23 2018-05-03 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제작 방법
US8836906B2 (en) 2010-04-23 2014-09-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device with light receiving element under transparent spacer and manufacturing method therefor
WO2011132591A1 (en) 2010-04-23 2011-10-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
CN106057907B (zh) 2010-04-23 2019-10-22 株式会社半导体能源研究所 半导体装置的制造方法
US9537043B2 (en) 2010-04-23 2017-01-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Photoelectric conversion device and manufacturing method thereof
DE112011101396T5 (de) 2010-04-23 2013-03-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Anzeigevorrichtung und Treiberverfahren für dieselbe
KR20130054275A (ko) * 2010-04-23 2013-05-24 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법
WO2011135999A1 (en) 2010-04-27 2011-11-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device
WO2011136018A1 (en) 2010-04-28 2011-11-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and electronic appliance
US9697788B2 (en) 2010-04-28 2017-07-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
US8890555B2 (en) 2010-04-28 2014-11-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for measuring transistor
WO2011135987A1 (en) 2010-04-28 2011-11-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US9349325B2 (en) 2010-04-28 2016-05-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and electronic device
DE112011101475T5 (de) 2010-04-28 2013-03-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Halbleiteranzeigevorrichtung mit Ansteuerverfahren
JP2011248347A (ja) 2010-04-28 2011-12-08 Semiconductor Energy Lab Co Ltd フォトマスク
KR20110120661A (ko) * 2010-04-29 2011-11-04 주식회사 하이닉스반도체 비휘발성 메모리 장치 및 그의 제조 방법
US9478185B2 (en) 2010-05-12 2016-10-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electro-optical display device and display method thereof
US9064473B2 (en) 2010-05-12 2015-06-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electro-optical display device and display method thereof
JP5797449B2 (ja) 2010-05-13 2015-10-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の評価方法
WO2011142371A1 (en) * 2010-05-14 2011-11-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8664658B2 (en) 2010-05-14 2014-03-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
TWI511236B (zh) 2010-05-14 2015-12-01 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置
KR101806271B1 (ko) 2010-05-14 2017-12-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제작 방법
CN101872787A (zh) * 2010-05-19 2010-10-27 华南理工大学 金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法
US8624239B2 (en) 2010-05-20 2014-01-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8588000B2 (en) 2010-05-20 2013-11-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device having a reading transistor with a back-gate electrode
US9490368B2 (en) 2010-05-20 2016-11-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method of the same
US9496405B2 (en) 2010-05-20 2016-11-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device including step of adding cation to oxide semiconductor layer
US8416622B2 (en) 2010-05-20 2013-04-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driving method of a semiconductor device with an inverted period having a negative potential applied to a gate of an oxide semiconductor transistor
WO2011145707A1 (en) 2010-05-21 2011-11-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device
WO2011145468A1 (en) 2010-05-21 2011-11-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device and semiconductor device
KR101872927B1 (ko) 2010-05-21 2018-06-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
JP5714973B2 (ja) 2010-05-21 2015-05-07 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US8629438B2 (en) * 2010-05-21 2014-01-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
CN102906882B (zh) 2010-05-21 2015-11-25 株式会社半导体能源研究所 半导体装置及其制造方法
WO2011145706A1 (en) 2010-05-21 2011-11-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device
WO2011145484A1 (en) 2010-05-21 2011-11-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2011145537A1 (en) 2010-05-21 2011-11-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
JP5852793B2 (ja) 2010-05-21 2016-02-03 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置の作製方法
WO2011145633A1 (en) 2010-05-21 2011-11-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2011145634A1 (en) 2010-05-21 2011-11-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
CN105957802A (zh) 2010-05-21 2016-09-21 株式会社半导体能源研究所 半导体装置及其制造方法
US8906756B2 (en) 2010-05-21 2014-12-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
JP5766012B2 (ja) 2010-05-21 2015-08-19 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置
JP5749975B2 (ja) 2010-05-28 2015-07-15 株式会社半導体エネルギー研究所 光検出装置、及び、タッチパネル
US9123820B2 (en) * 2010-05-31 2015-09-01 Sharp Kabushiki Kaisha Thin film transistor including semiconductor oxide layer having reduced resistance regions
US8895375B2 (en) 2010-06-01 2014-11-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Field effect transistor and method for manufacturing the same
KR101245424B1 (ko) 2010-06-02 2013-03-22 샤프 가부시키가이샤 콘택트 구조, 기판, 표시장치, 그리고 상기 콘택트 구조 및 상기 기판의 제조방법
KR101894897B1 (ko) 2010-06-04 2018-09-04 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2011152286A1 (en) 2010-06-04 2011-12-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8779433B2 (en) 2010-06-04 2014-07-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2011152254A1 (en) 2010-06-04 2011-12-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR20110133251A (ko) * 2010-06-04 2011-12-12 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법
CN102593184A (zh) * 2010-06-10 2012-07-18 友达光电股份有限公司 薄膜晶体管及其制造方法
WO2011155295A1 (en) 2010-06-10 2011-12-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Dc/dc converter, power supply circuit, and semiconductor device
US8610180B2 (en) 2010-06-11 2013-12-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Gas sensor and method for manufacturing the gas sensor
WO2011155302A1 (en) 2010-06-11 2011-12-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR101938726B1 (ko) * 2010-06-11 2019-01-16 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제조 방법
US9209314B2 (en) 2010-06-16 2015-12-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Field effect transistor
JP5797471B2 (ja) 2010-06-16 2015-10-21 株式会社半導体エネルギー研究所 入出力装置
JP5766519B2 (ja) 2010-06-16 2015-08-19 株式会社半導体エネルギー研究所 入出力装置
JP5823740B2 (ja) 2010-06-16 2015-11-25 株式会社半導体エネルギー研究所 入出力装置
WO2011158704A1 (en) 2010-06-18 2011-12-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US8552425B2 (en) 2010-06-18 2013-10-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8637802B2 (en) 2010-06-18 2014-01-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Photosensor, semiconductor device including photosensor, and light measurement method using photosensor
WO2011158703A1 (en) 2010-06-18 2011-12-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2011162147A1 (en) 2010-06-23 2011-12-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2011162104A1 (en) 2010-06-25 2011-12-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for driving the same
JP5779415B2 (ja) 2010-06-25 2015-09-16 株式会社半導体エネルギー研究所 電子装置の駆動方法
KR20120000499A (ko) 2010-06-25 2012-01-02 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 트랜지스터 및 반도체 장치
US8912016B2 (en) 2010-06-25 2014-12-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method and test method of semiconductor device
WO2012002236A1 (en) 2010-06-29 2012-01-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Wiring board, semiconductor device, and manufacturing methods thereof
JP2012015200A (ja) * 2010-06-29 2012-01-19 Kobe Steel Ltd 薄膜トランジスタ基板、および薄膜トランジスタ基板を備えた表示デバイス
EP2589082B1 (en) 2010-06-29 2018-08-08 Cooledge Lighting Inc. Electronic devices with yielding substrates
CN105870312B (zh) * 2010-06-29 2020-01-31 柯立芝照明有限公司 具有易弯曲基板的电子装置
WO2012002104A1 (en) 2010-06-30 2012-01-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP5771079B2 (ja) 2010-07-01 2015-08-26 株式会社半導体エネルギー研究所 撮像装置
US8441010B2 (en) 2010-07-01 2013-05-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR101801960B1 (ko) 2010-07-01 2017-11-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치의 구동 방법
US8642380B2 (en) * 2010-07-02 2014-02-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
US8605059B2 (en) 2010-07-02 2013-12-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Input/output device and driving method thereof
TWI541782B (zh) 2010-07-02 2016-07-11 半導體能源研究所股份有限公司 液晶顯示裝置
US9336739B2 (en) 2010-07-02 2016-05-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
JP5792524B2 (ja) 2010-07-02 2015-10-14 株式会社半導体エネルギー研究所 装置
CN102959713B (zh) * 2010-07-02 2017-05-10 株式会社半导体能源研究所 半导体装置
WO2012002186A1 (en) 2010-07-02 2012-01-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR20130090405A (ko) 2010-07-02 2013-08-13 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치
KR20180135118A (ko) 2010-07-02 2018-12-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
US8785241B2 (en) 2010-07-16 2014-07-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
KR101859361B1 (ko) 2010-07-16 2018-05-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR101850567B1 (ko) 2010-07-16 2018-04-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2012008390A1 (en) 2010-07-16 2012-01-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP5917035B2 (ja) 2010-07-26 2016-05-11 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR101853516B1 (ko) 2010-07-27 2018-04-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR102143469B1 (ko) 2010-07-27 2020-08-11 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
TWI565001B (zh) 2010-07-28 2017-01-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及半導體裝置的驅動方法
JP5846789B2 (ja) 2010-07-29 2016-01-20 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
WO2012014786A1 (en) 2010-07-30 2012-02-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semicondcutor device and manufacturing method thereof
US8928466B2 (en) 2010-08-04 2015-01-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8537600B2 (en) 2010-08-04 2013-09-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Low off-state leakage current semiconductor memory device
KR101842181B1 (ko) 2010-08-04 2018-03-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
JP5739257B2 (ja) 2010-08-05 2015-06-24 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
TWI524347B (zh) * 2010-08-06 2016-03-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其驅動方法
JP5743790B2 (ja) 2010-08-06 2015-07-01 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI605549B (zh) 2010-08-06 2017-11-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
JP5671418B2 (ja) 2010-08-06 2015-02-18 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の駆動方法
US8467231B2 (en) 2010-08-06 2013-06-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
US8792284B2 (en) 2010-08-06 2014-07-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor memory device
US8422272B2 (en) 2010-08-06 2013-04-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
CN103026416B (zh) 2010-08-06 2016-04-27 株式会社半导体能源研究所 半导体装置
JP5948025B2 (ja) 2010-08-06 2016-07-06 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置
CN103069717B (zh) 2010-08-06 2018-01-30 株式会社半导体能源研究所 半导体集成电路
TWI555128B (zh) 2010-08-06 2016-10-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及半導體裝置的驅動方法
US8467232B2 (en) 2010-08-06 2013-06-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8803164B2 (en) 2010-08-06 2014-08-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Solid-state image sensing device and semiconductor display device
JP5832181B2 (ja) 2010-08-06 2015-12-16 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置
US9343480B2 (en) 2010-08-16 2016-05-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP5848912B2 (ja) 2010-08-16 2016-01-27 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置の制御回路、液晶表示装置、及び当該液晶表示装置を具備する電子機器
US9129703B2 (en) 2010-08-16 2015-09-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for driving semiconductor memory device
US8748224B2 (en) * 2010-08-16 2014-06-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
TWI508294B (zh) * 2010-08-19 2015-11-11 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置
US8759820B2 (en) 2010-08-20 2014-06-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8883555B2 (en) 2010-08-25 2014-11-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device, manufacturing method of electronic device, and sputtering target
US8508276B2 (en) 2010-08-25 2013-08-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including latch circuit
US8685787B2 (en) 2010-08-25 2014-04-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
JP2013009285A (ja) 2010-08-26 2013-01-10 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 信号処理回路及びその駆動方法
US9058047B2 (en) 2010-08-26 2015-06-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP5727892B2 (ja) 2010-08-26 2015-06-03 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP5674594B2 (ja) 2010-08-27 2015-02-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及び半導体装置の駆動方法
WO2012026503A1 (en) 2010-08-27 2012-03-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device and semiconductor device
JP5806043B2 (ja) 2010-08-27 2015-11-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP5864163B2 (ja) 2010-08-27 2016-02-17 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の設計方法
US8603841B2 (en) 2010-08-27 2013-12-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing methods of semiconductor device and light-emitting display device
US8450123B2 (en) 2010-08-27 2013-05-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxygen diffusion evaluation method of oxide film stacked body
JP5763474B2 (ja) 2010-08-27 2015-08-12 株式会社半導体エネルギー研究所 光センサ
JP5702689B2 (ja) 2010-08-31 2015-04-15 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の駆動方法、及び半導体装置
US8634228B2 (en) 2010-09-02 2014-01-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driving method of semiconductor device
US8575610B2 (en) 2010-09-02 2013-11-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for driving the same
JP5848918B2 (ja) * 2010-09-03 2016-01-27 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
WO2012029638A1 (en) 2010-09-03 2012-03-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8728860B2 (en) 2010-09-03 2014-05-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
KR20180015760A (ko) 2010-09-03 2018-02-13 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 전계 효과 트랜지스터 및 반도체 장치의 제조 방법
WO2012029612A1 (en) 2010-09-03 2012-03-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Sputtering target and method for manufacturing semiconductor device
JP2012256819A (ja) 2010-09-08 2012-12-27 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
US8520426B2 (en) 2010-09-08 2013-08-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for driving semiconductor device
US8487844B2 (en) 2010-09-08 2013-07-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. EL display device and electronic device including the same
US9142568B2 (en) 2010-09-10 2015-09-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing light-emitting display device
KR101824125B1 (ko) 2010-09-10 2018-02-01 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
KR20120026970A (ko) 2010-09-10 2012-03-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 발광 장치
US8797487B2 (en) 2010-09-10 2014-08-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor, liquid crystal display device, and manufacturing method thereof
US8766253B2 (en) 2010-09-10 2014-07-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP5827520B2 (ja) 2010-09-13 2015-12-02 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体記憶装置
US8558960B2 (en) 2010-09-13 2013-10-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and method for manufacturing the same
TWI608486B (zh) 2010-09-13 2017-12-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
KR101932576B1 (ko) 2010-09-13 2018-12-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
US8592879B2 (en) 2010-09-13 2013-11-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
JP5815337B2 (ja) 2010-09-13 2015-11-17 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR101872926B1 (ko) 2010-09-13 2018-06-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US8871565B2 (en) 2010-09-13 2014-10-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US8835917B2 (en) 2010-09-13 2014-09-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, power diode, and rectifier
KR101952235B1 (ko) 2010-09-13 2019-02-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
US9546416B2 (en) * 2010-09-13 2017-01-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of forming crystalline oxide semiconductor film
US8546161B2 (en) 2010-09-13 2013-10-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of thin film transistor and liquid crystal display device
US8664097B2 (en) 2010-09-13 2014-03-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
US8647919B2 (en) 2010-09-13 2014-02-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting display device and method for manufacturing the same
US9496743B2 (en) 2010-09-13 2016-11-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Power receiving device and wireless power feed system
TWI405335B (zh) 2010-09-13 2013-08-11 Au Optronics Corp 半導體結構及其製造方法
JP2012256821A (ja) 2010-09-13 2012-12-27 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 記憶装置
TWI539453B (zh) 2010-09-14 2016-06-21 半導體能源研究所股份有限公司 記憶體裝置和半導體裝置
KR101426515B1 (ko) 2010-09-15 2014-08-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 표시 장치
JP2012256012A (ja) 2010-09-15 2012-12-27 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置
KR20130106398A (ko) 2010-09-15 2013-09-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치 및 그 제작 방법
US9230994B2 (en) 2010-09-15 2016-01-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
TWI440172B (zh) * 2010-09-17 2014-06-01 E Ink Holdings Inc 有機發光顯示裝置及其製造方法
KR101856722B1 (ko) 2010-09-22 2018-05-10 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 파워 절연 게이트형 전계 효과 트랜지스터
US8767443B2 (en) 2010-09-22 2014-07-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device and method for inspecting the same
US8792260B2 (en) 2010-09-27 2014-07-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Rectifier circuit and semiconductor device using the same
JP2012068597A (ja) * 2010-09-27 2012-04-05 Toshiba Corp アクティブマトリクス型有機ｅｌ表示装置およびその駆動方法
CN102934153B (zh) * 2010-09-29 2015-10-21 株式会社日本有机雷特显示器 显示装置用薄膜半导体装置、显示装置用薄膜半导体装置的制造方法、el显示面板及el显示装置
TWI574259B (zh) 2010-09-29 2017-03-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體記憶體裝置和其驅動方法
TWI691960B (zh) 2010-10-05 2020-04-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體記憶體裝置及其驅動方法
CN103155153B (zh) * 2010-10-07 2016-03-30 夏普株式会社 半导体装置、显示装置以及半导体装置和显示装置的制造方法
JP6081694B2 (ja) 2010-10-07 2017-02-15 株式会社半導体エネルギー研究所 光検出装置
US9437743B2 (en) 2010-10-07 2016-09-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film element, semiconductor device, and method for manufacturing the same
US8716646B2 (en) 2010-10-08 2014-05-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Photoelectric conversion device and method for operating the same
KR20120037838A (ko) * 2010-10-12 2012-04-20 삼성전자주식회사 트랜지스터 및 이를 포함하는 전자소자
US8679986B2 (en) 2010-10-14 2014-03-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing display device
US8803143B2 (en) * 2010-10-20 2014-08-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film transistor including buffer layers with high resistivity
US8546892B2 (en) 2010-10-20 2013-10-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
TWI543158B (zh) 2010-10-25 2016-07-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體儲存裝置及其驅動方法
JP5771505B2 (ja) 2010-10-29 2015-09-02 株式会社半導体エネルギー研究所 受信回路
KR101924231B1 (ko) 2010-10-29 2018-11-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 기억 장치
KR101952456B1 (ko) 2010-10-29 2019-02-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 기억 장치
KR101924656B1 (ko) 2010-11-02 2018-12-03 우베 고산 가부시키가이샤 (아미드아미노알칸) 금속 화합물, 및 당해 금속 화합물을 사용한 금속 함유 박막의 제조 방법
US8916866B2 (en) 2010-11-03 2014-12-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2012060253A1 (en) 2010-11-05 2012-05-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8569754B2 (en) 2010-11-05 2013-10-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
WO2012060202A1 (en) 2010-11-05 2012-05-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8957468B2 (en) 2010-11-05 2015-02-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Variable capacitor and liquid crystal display device
JP6010291B2 (ja) 2010-11-05 2016-10-19 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置の駆動方法
US9087744B2 (en) 2010-11-05 2015-07-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for driving transistor
TWI555205B (zh) 2010-11-05 2016-10-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及半導體裝置的製造方法
US8902637B2 (en) 2010-11-08 2014-12-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device comprising inverting amplifier circuit and driving method thereof
KR101820372B1 (ko) 2010-11-09 2018-01-22 삼성디스플레이 주식회사 표시 기판, 표시 장치 및 이의 제조 방법
TWI535014B (zh) 2010-11-11 2016-05-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
JP5770068B2 (ja) 2010-11-12 2015-08-26 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US8854865B2 (en) 2010-11-24 2014-10-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device
US8936965B2 (en) 2010-11-26 2015-01-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US8809852B2 (en) 2010-11-30 2014-08-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor film, semiconductor element, semiconductor device, and method for manufacturing the same
US8823092B2 (en) 2010-11-30 2014-09-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US8816425B2 (en) 2010-11-30 2014-08-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
TWI562379B (en) 2010-11-30 2016-12-11 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
US9103724B2 (en) 2010-11-30 2015-08-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising photosensor comprising oxide semiconductor, method for driving the semiconductor device, method for driving the photosensor, and electronic device
US8629496B2 (en) 2010-11-30 2014-01-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US8461630B2 (en) 2010-12-01 2013-06-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
TWI632551B (zh) 2010-12-03 2018-08-11 半導體能源研究所股份有限公司 積體電路，其驅動方法，及半導體裝置
JP5908263B2 (ja) 2010-12-03 2016-04-26 株式会社半導体エネルギー研究所 Ｄｃ−ｄｃコンバータ
KR101457833B1 (ko) 2010-12-03 2014-11-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR101631984B1 (ko) * 2010-12-06 2016-06-21 삼성전자주식회사 광센싱 회로, 상기 광센싱 회로의 제조 방법, 및 상기 광센싱 회로를 포함하는 광터치 패널
JP5856827B2 (ja) 2010-12-09 2016-02-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI534905B (zh) 2010-12-10 2016-05-21 半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置及顯示裝置之製造方法
JP2012256020A (ja) 2010-12-15 2012-12-27 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置及びその駆動方法
US8730416B2 (en) 2010-12-17 2014-05-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
JP2012142562A (ja) * 2010-12-17 2012-07-26 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体記憶装置
US8894825B2 (en) 2010-12-17 2014-11-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Sputtering target, method for manufacturing the same, manufacturing semiconductor device
KR102001577B1 (ko) 2010-12-17 2019-07-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 산화물 재료 및 반도체 장치
US9202822B2 (en) 2010-12-17 2015-12-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
KR101630503B1 (ko) * 2010-12-20 2016-06-14 샤프 가부시키가이샤 반도체 장치 및 표시 장치
JP5774974B2 (ja) 2010-12-22 2015-09-09 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の駆動方法
US20130264568A1 (en) * 2010-12-22 2013-10-10 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor device, color filter substrate, display device provided with color filter substrate, and method for manufacturing semiconductor device
US9024317B2 (en) 2010-12-24 2015-05-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor circuit, method for driving the same, storage device, register circuit, display device, and electronic device
WO2012090799A1 (en) 2010-12-28 2012-07-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP5973165B2 (ja) 2010-12-28 2016-08-23 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP5864054B2 (ja) 2010-12-28 2016-02-17 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US8941112B2 (en) 2010-12-28 2015-01-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
KR101981808B1 (ko) * 2010-12-28 2019-08-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제조 방법
JP5975635B2 (ja) 2010-12-28 2016-08-23 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP5993141B2 (ja) 2010-12-28 2016-09-14 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶装置
JP6030298B2 (ja) 2010-12-28 2016-11-24 株式会社半導体エネルギー研究所 緩衝記憶装置及び信号処理回路
US9048142B2 (en) 2010-12-28 2015-06-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9443984B2 (en) 2010-12-28 2016-09-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP2012151453A (ja) 2010-12-28 2012-08-09 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置および半導体装置の駆動方法
WO2012090973A1 (en) 2010-12-28 2012-07-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP5852874B2 (ja) 2010-12-28 2016-02-03 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI621121B (zh) 2011-01-05 2018-04-11 半導體能源研究所股份有限公司 儲存元件、儲存裝置、及信號處理電路
TWI535032B (zh) 2011-01-12 2016-05-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置的製造方法
US8921948B2 (en) 2011-01-12 2014-12-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US8536571B2 (en) 2011-01-12 2013-09-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
US8912080B2 (en) 2011-01-12 2014-12-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of the semiconductor device
TWI570809B (zh) 2011-01-12 2017-02-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
US8575678B2 (en) 2011-01-13 2013-11-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device with floating gate
US8421071B2 (en) 2011-01-13 2013-04-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device
TWI487108B (zh) * 2011-01-13 2015-06-01 Prime View Int Co Ltd Metal oxide semiconductor structure and manufacturing method thereof
JP5859839B2 (ja) 2011-01-14 2016-02-16 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶素子の駆動方法、及び、記憶素子
TWI657565B (zh) 2011-01-14 2019-04-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體記憶裝置
KR102026718B1 (ko) 2011-01-14 2019-09-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 기억장치, 반도체 장치, 검출 방법
JP5897910B2 (ja) 2011-01-20 2016-04-06 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP5872912B2 (ja) 2011-01-21 2016-03-01 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
TWI570920B (zh) 2011-01-26 2017-02-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
WO2012102182A1 (en) 2011-01-26 2012-08-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
TW202211311A (zh) 2011-01-26 2022-03-16 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
TWI552345B (zh) 2011-01-26 2016-10-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
WO2012102183A1 (en) 2011-01-26 2012-08-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP5798933B2 (ja) 2011-01-26 2015-10-21 株式会社半導体エネルギー研究所 信号処理回路
US9601178B2 (en) 2011-01-26 2017-03-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device and semiconductor device
TWI525619B (zh) 2011-01-27 2016-03-11 半導體能源研究所股份有限公司 記憶體電路
KR20190007525A (ko) 2011-01-27 2019-01-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2012102281A1 (en) 2011-01-28 2012-08-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9494829B2 (en) 2011-01-28 2016-11-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and liquid crystal display device containing the same
US8634230B2 (en) 2011-01-28 2014-01-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for driving the same
KR20210034703A (ko) 2011-01-28 2021-03-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제작 방법 및 반도체 장치
US9177500B2 (en) * 2011-01-31 2015-11-03 Global Oled Technology Llc Display with secure decryption of image signals
US8513773B2 (en) 2011-02-02 2013-08-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Capacitor and semiconductor device including dielectric and N-type semiconductor
US9799773B2 (en) 2011-02-02 2017-10-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor and semiconductor device
TWI520273B (zh) 2011-02-02 2016-02-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體儲存裝置
JP6000560B2 (ja) 2011-02-02 2016-09-28 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体メモリ装置
EP2674981A4 (en) * 2011-02-07 2017-08-30 Sharp Kabushiki Kaisha Active matrix substrate, display panel, and display device
US9431400B2 (en) 2011-02-08 2016-08-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device and method for manufacturing the same
US8787083B2 (en) 2011-02-10 2014-07-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory circuit
US9167234B2 (en) 2011-02-14 2015-10-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
JP5743064B2 (ja) * 2011-02-17 2015-07-01 株式会社Ｊｏｌｅｄ 薄膜トランジスタおよびその製造方法、並びに表示装置
US8975680B2 (en) 2011-02-17 2015-03-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device and method manufacturing semiconductor memory device
KR101899880B1 (ko) 2011-02-17 2018-09-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 프로그래머블 ｌｓｉ
US8643007B2 (en) 2011-02-23 2014-02-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8709920B2 (en) * 2011-02-24 2014-04-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US9443455B2 (en) 2011-02-25 2016-09-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device having a plurality of pixels
KR102109009B1 (ko) * 2011-02-25 2020-05-11 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치 및 발광 장치를 사용한 전자 기기
US8928010B2 (en) 2011-02-25 2015-01-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
KR101844953B1 (ko) 2011-03-02 2018-04-04 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법
US9691772B2 (en) 2011-03-03 2017-06-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device including memory cell which includes transistor and capacitor
US8659015B2 (en) 2011-03-04 2014-02-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP5898527B2 (ja) 2011-03-04 2016-04-06 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9023684B2 (en) 2011-03-04 2015-05-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US8841664B2 (en) 2011-03-04 2014-09-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9646829B2 (en) * 2011-03-04 2017-05-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
US8785933B2 (en) 2011-03-04 2014-07-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8659957B2 (en) 2011-03-07 2014-02-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of driving semiconductor device
US9099437B2 (en) 2011-03-08 2015-08-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8625085B2 (en) 2011-03-08 2014-01-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Defect evaluation method for semiconductor
JP5827145B2 (ja) 2011-03-08 2015-12-02 株式会社半導体エネルギー研究所 信号処理回路
TW201237967A (en) * 2011-03-10 2012-09-16 Chunghwa Picture Tubes Ltd Manufacturing method of thin film transistor
US8772849B2 (en) 2011-03-10 2014-07-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device
WO2012121265A1 (en) 2011-03-10 2012-09-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device and method for manufacturing the same
US8541781B2 (en) 2011-03-10 2013-09-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP2012191008A (ja) * 2011-03-10 2012-10-04 Sony Corp 表示装置および電子機器
US8760903B2 (en) 2011-03-11 2014-06-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Storage circuit
TWI658516B (zh) 2011-03-11 2019-05-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置的製造方法
JP2012209543A (ja) 2011-03-11 2012-10-25 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
TWI521612B (zh) 2011-03-11 2016-02-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置的製造方法
JP5933300B2 (ja) 2011-03-16 2016-06-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
WO2012128030A1 (en) 2011-03-18 2012-09-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor film, semiconductor device, and manufacturing method of semiconductor device
JP5933897B2 (ja) 2011-03-18 2016-06-15 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US8859330B2 (en) 2011-03-23 2014-10-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
JP5725337B2 (ja) * 2011-03-24 2015-05-27 ソニー株式会社 表示装置、表示装置の製造方法および電子機器
JP5839474B2 (ja) 2011-03-24 2016-01-06 株式会社半導体エネルギー研究所 信号処理回路
JP2012204548A (ja) * 2011-03-24 2012-10-22 Sony Corp 表示装置およびその製造方法
US8956944B2 (en) 2011-03-25 2015-02-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US8987728B2 (en) 2011-03-25 2015-03-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device
TWI545652B (zh) 2011-03-25 2016-08-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
US9219159B2 (en) 2011-03-25 2015-12-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for forming oxide semiconductor film and method for manufacturing semiconductor device
US9012904B2 (en) 2011-03-25 2015-04-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
TWI538215B (zh) 2011-03-25 2016-06-11 半導體能源研究所股份有限公司 場效電晶體及包含該場效電晶體之記憶體與半導體電路
US8686416B2 (en) 2011-03-25 2014-04-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor film and semiconductor device
JP6053098B2 (ja) 2011-03-28 2016-12-27 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US8927329B2 (en) 2011-03-30 2015-01-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing oxide semiconductor device with improved electronic properties
GB2489682B (en) * 2011-03-30 2015-11-04 Pragmatic Printing Ltd Electronic device and its method of manufacture
JP5879165B2 (ja) 2011-03-30 2016-03-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US8686486B2 (en) 2011-03-31 2014-04-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device
US9082860B2 (en) 2011-03-31 2015-07-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
TWI567735B (zh) 2011-03-31 2017-01-21 半導體能源研究所股份有限公司 記憶體電路，記憶體單元，及訊號處理電路
US8541266B2 (en) 2011-04-01 2013-09-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
JP5982147B2 (ja) 2011-04-01 2016-08-31 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
US9960278B2 (en) 2011-04-06 2018-05-01 Yuhei Sato Manufacturing method of semiconductor device
US8743590B2 (en) 2011-04-08 2014-06-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device and semiconductor device using the same
US9093538B2 (en) 2011-04-08 2015-07-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US9012905B2 (en) 2011-04-08 2015-04-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including transistor comprising oxide semiconductor and method for manufacturing the same
US9142320B2 (en) 2011-04-08 2015-09-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory element and signal processing circuit
JP5883699B2 (ja) 2011-04-13 2016-03-15 株式会社半導体エネルギー研究所 プログラマブルｌｓｉ
US8854867B2 (en) 2011-04-13 2014-10-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device and driving method of the memory device
US9478668B2 (en) 2011-04-13 2016-10-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor film and semiconductor device
US8779488B2 (en) 2011-04-15 2014-07-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device
US8878174B2 (en) 2011-04-15 2014-11-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor element, memory circuit, integrated circuit, and driving method of the integrated circuit
JP5890234B2 (ja) 2011-04-15 2016-03-22 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及びその駆動方法
US8878270B2 (en) 2011-04-15 2014-11-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device
CN103477441B (zh) * 2011-04-18 2016-05-18 夏普株式会社 薄膜晶体管、显示面板和薄膜晶体管的制造方法
JP6001900B2 (ja) 2011-04-21 2016-10-05 株式会社半導体エネルギー研究所 信号処理回路
US8809854B2 (en) 2011-04-22 2014-08-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US10079053B2 (en) 2011-04-22 2018-09-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory element and memory device
US8878288B2 (en) 2011-04-22 2014-11-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8916868B2 (en) * 2011-04-22 2014-12-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
US9331206B2 (en) 2011-04-22 2016-05-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide material and semiconductor device
US8932913B2 (en) 2011-04-22 2015-01-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
US8941958B2 (en) 2011-04-22 2015-01-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9006803B2 (en) 2011-04-22 2015-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing thereof
JP5946683B2 (ja) 2011-04-22 2016-07-06 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
CN105931967B (zh) 2011-04-27 2019-05-03 株式会社半导体能源研究所 半导体装置的制造方法
US8681533B2 (en) 2011-04-28 2014-03-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory circuit, signal processing circuit, and electronic device
US9935622B2 (en) 2011-04-28 2018-04-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Comparator and semiconductor device including comparator
US8729545B2 (en) 2011-04-28 2014-05-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device
KR101919056B1 (ko) 2011-04-28 2018-11-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 회로
KR101963457B1 (ko) 2011-04-29 2019-03-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 기억 장치 및 그 구동 방법
US8848464B2 (en) 2011-04-29 2014-09-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of driving semiconductor device
TWI525615B (zh) 2011-04-29 2016-03-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體儲存裝置
US8446171B2 (en) 2011-04-29 2013-05-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Signal processing unit
US9614094B2 (en) 2011-04-29 2017-04-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including oxide semiconductor layer and method for driving the same
US8476927B2 (en) 2011-04-29 2013-07-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Programmable logic device
US9111795B2 (en) 2011-04-29 2015-08-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device with capacitor connected to memory element through oxide semiconductor film
US8785923B2 (en) 2011-04-29 2014-07-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
TWI743509B (zh) 2011-05-05 2021-10-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
WO2012153697A1 (en) 2011-05-06 2012-11-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device
US8809928B2 (en) 2011-05-06 2014-08-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, memory device, and method for manufacturing the semiconductor device
US9117701B2 (en) * 2011-05-06 2015-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8709922B2 (en) 2011-05-06 2014-04-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
TWI568181B (zh) 2011-05-06 2017-01-21 半導體能源研究所股份有限公司 邏輯電路及半導體裝置
WO2012153473A1 (en) 2011-05-06 2012-11-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
CN102692771B (zh) 2011-05-09 2014-12-17 京东方科技集团股份有限公司 一种液晶显示器、薄膜晶体管阵列基板及其制造方法
US9443844B2 (en) 2011-05-10 2016-09-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Gain cell semiconductor memory device and driving method thereof
US8946066B2 (en) 2011-05-11 2015-02-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing semiconductor device
TWI541978B (zh) 2011-05-11 2016-07-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及半導體裝置之驅動方法
US8922464B2 (en) 2011-05-11 2014-12-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Active matrix display device and driving method thereof
TWI557711B (zh) 2011-05-12 2016-11-11 半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置的驅動方法
KR101854197B1 (ko) * 2011-05-12 2018-06-21 삼성디스플레이 주식회사 표시 기판 및 이의 제조 방법
US8847233B2 (en) 2011-05-12 2014-09-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having a trenched insulating layer coated with an oxide semiconductor film
KR101940570B1 (ko) 2011-05-13 2019-01-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 Ｅｌ 표시 장치 및 그 전자 기기
WO2012157472A1 (en) 2011-05-13 2012-11-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6110075B2 (ja) 2011-05-13 2017-04-05 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
US9105749B2 (en) 2011-05-13 2015-08-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US9048788B2 (en) 2011-05-13 2015-06-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising a photoelectric conversion portion
WO2012157463A1 (en) 2011-05-13 2012-11-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR101983976B1 (ko) 2011-05-13 2019-05-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR101952570B1 (ko) 2011-05-13 2019-02-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
SG11201503709SA (en) 2011-05-13 2015-07-30 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device
JP6013773B2 (ja) 2011-05-13 2016-10-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9093539B2 (en) 2011-05-13 2015-07-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP5886128B2 (ja) 2011-05-13 2016-03-16 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI536502B (zh) 2011-05-13 2016-06-01 半導體能源研究所股份有限公司 記憶體電路及電子裝置
CN103534950B (zh) 2011-05-16 2017-07-04 株式会社半导体能源研究所 可编程逻辑装置
TWI570891B (zh) 2011-05-17 2017-02-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
TWI552150B (zh) 2011-05-18 2016-10-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體儲存裝置
US9673823B2 (en) 2011-05-18 2017-06-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of driving semiconductor device
JP6006975B2 (ja) 2011-05-19 2016-10-12 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US8779799B2 (en) 2011-05-19 2014-07-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Logic circuit
US8581625B2 (en) 2011-05-19 2013-11-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Programmable logic device
US8709889B2 (en) 2011-05-19 2014-04-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device and manufacturing method thereof
US8837203B2 (en) 2011-05-19 2014-09-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR102093909B1 (ko) 2011-05-19 2020-03-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 회로 및 회로의 구동 방법
KR101991735B1 (ko) 2011-05-19 2019-06-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 집적 회로
KR102081792B1 (ko) 2011-05-19 2020-02-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 연산회로 및 연산회로의 구동방법
TWI501226B (zh) 2011-05-20 2015-09-21 Semiconductor Energy Lab 記憶體裝置及驅動記憶體裝置的方法
WO2012161059A1 (en) 2011-05-20 2012-11-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for driving the same
JP6013682B2 (ja) 2011-05-20 2016-10-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の駆動方法
JP6091083B2 (ja) 2011-05-20 2017-03-08 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶装置
JP5936908B2 (ja) 2011-05-20 2016-06-22 株式会社半導体エネルギー研究所 パリティビット出力回路およびパリティチェック回路
JP5886496B2 (ja) 2011-05-20 2016-03-16 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP5892852B2 (ja) 2011-05-20 2016-03-23 株式会社半導体エネルギー研究所 プログラマブルロジックデバイス
JP5820335B2 (ja) 2011-05-20 2015-11-24 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6013680B2 (ja) 2011-05-20 2016-10-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI570719B (zh) 2011-05-20 2017-02-11 半導體能源研究所股份有限公司 儲存裝置及信號處理電路
JP5951351B2 (ja) 2011-05-20 2016-07-13 株式会社半導体エネルギー研究所 加算器及び全加算器
TWI614995B (zh) 2011-05-20 2018-02-11 半導體能源研究所股份有限公司 鎖相迴路及使用此鎖相迴路之半導體裝置
TWI557739B (zh) 2011-05-20 2016-11-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體積體電路
JP5947099B2 (ja) 2011-05-20 2016-07-06 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR101922397B1 (ko) 2011-05-20 2018-11-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
TWI559683B (zh) 2011-05-20 2016-11-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體積體電路
JP6030334B2 (ja) 2011-05-20 2016-11-24 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶装置
JP5820336B2 (ja) 2011-05-20 2015-11-24 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9336845B2 (en) 2011-05-20 2016-05-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Register circuit including a volatile memory and a nonvolatile memory
US8508256B2 (en) 2011-05-20 2013-08-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor integrated circuit
JP6082189B2 (ja) 2011-05-20 2017-02-15 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶装置及び信号処理回路
JP5319816B2 (ja) * 2011-05-21 2013-10-16 双葉電子工業株式会社 薄膜半導体装置と薄膜半導体装置を用いた表示装置
JP5731904B2 (ja) 2011-05-25 2015-06-10 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置及び半導体装置の製造方法
US20120298998A1 (en) 2011-05-25 2012-11-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for forming oxide semiconductor film, semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device
KR101912971B1 (ko) 2011-05-26 2018-10-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 분주 회로 및 분주 회로를 이용한 반도체 장치
US9171840B2 (en) 2011-05-26 2015-10-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US8610482B2 (en) 2011-05-27 2013-12-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Trimming circuit and method for driving trimming circuit
US8669781B2 (en) 2011-05-31 2014-03-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP5912844B2 (ja) 2011-05-31 2016-04-27 株式会社半導体エネルギー研究所 プログラマブルロジックデバイス
US9467047B2 (en) 2011-05-31 2016-10-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. DC-DC converter, power source circuit, and semiconductor device
CN103290371B (zh) 2011-06-08 2015-02-25 株式会社半导体能源研究所 溅射靶材、溅射靶材的制造方法及薄膜形成方法
JP5890251B2 (ja) 2011-06-08 2016-03-22 株式会社半導体エネルギー研究所 通信方法
JP2013016243A (ja) 2011-06-09 2013-01-24 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 記憶装置
WO2012169142A1 (en) 2011-06-09 2012-12-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Cache memory and method for driving the same
JP6012263B2 (ja) 2011-06-09 2016-10-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体記憶装置
KR101415748B1 (ko) * 2011-06-09 2014-08-06 연세대학교 산학협력단 산화물반도체 조성물 및 그 제조방법, 산화물반도체 박막 형성 방법, 전자소자 제조 방법 및 그에 따라 제조된 전자 부품
US8958263B2 (en) 2011-06-10 2015-02-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6104522B2 (ja) 2011-06-10 2017-03-29 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6009226B2 (ja) 2011-06-10 2016-10-19 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US8891285B2 (en) 2011-06-10 2014-11-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device
JP6005401B2 (ja) * 2011-06-10 2016-10-12 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
KR20120138074A (ko) * 2011-06-14 2012-12-24 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터, 및 박막 트랜지스터 표시판과 이들을 제조하는 방법
US8804405B2 (en) 2011-06-16 2014-08-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device and semiconductor device
US9299852B2 (en) 2011-06-16 2016-03-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
TWI557910B (zh) 2011-06-16 2016-11-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
US8901554B2 (en) 2011-06-17 2014-12-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including channel formation region including oxide semiconductor
KR20130007426A (ko) 2011-06-17 2013-01-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
US9099885B2 (en) 2011-06-17 2015-08-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Wireless power feeding system
US9166055B2 (en) * 2011-06-17 2015-10-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
SG11201504734VA (en) 2011-06-17 2015-07-30 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device and method for manufacturing the same
US8673426B2 (en) 2011-06-29 2014-03-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driver circuit, method of manufacturing the driver circuit, and display device including the driver circuit
US8878589B2 (en) 2011-06-30 2014-11-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
US9553195B2 (en) * 2011-06-30 2017-01-24 Applied Materials, Inc. Method of IGZO and ZNO TFT fabrication with PECVD SiO2 passivation
US9130044B2 (en) 2011-07-01 2015-09-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
WO2013005250A1 (ja) * 2011-07-05 2013-01-10 パナソニック株式会社 薄膜トランジスタおよびその製造方法ならびに表示装置
JP2013021034A (ja) * 2011-07-07 2013-01-31 Ulvac Japan Ltd レーザアニール法及び半導体装置の製造方法
US9490241B2 (en) 2011-07-08 2016-11-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising a first inverter and a second inverter
KR102014876B1 (ko) 2011-07-08 2019-08-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법
US8748886B2 (en) 2011-07-08 2014-06-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
US9318506B2 (en) 2011-07-08 2016-04-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US9214474B2 (en) 2011-07-08 2015-12-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
US9385238B2 (en) 2011-07-08 2016-07-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor using oxide semiconductor
US9496138B2 (en) * 2011-07-08 2016-11-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing oxide semiconductor film, method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device
US8952377B2 (en) 2011-07-08 2015-02-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US8847220B2 (en) 2011-07-15 2014-09-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP2013042117A (ja) 2011-07-15 2013-02-28 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
US8836626B2 (en) 2011-07-15 2014-09-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for driving the same
US9200952B2 (en) 2011-07-15 2015-12-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising a photodetector and an analog arithmetic circuit
US8946812B2 (en) 2011-07-21 2015-02-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US8643008B2 (en) 2011-07-22 2014-02-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9012993B2 (en) 2011-07-22 2015-04-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR20240063195A (ko) 2011-07-22 2024-05-09 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치
US8716073B2 (en) 2011-07-22 2014-05-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for processing oxide semiconductor film and method for manufacturing semiconductor device
JP6013685B2 (ja) 2011-07-22 2016-10-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US8718224B2 (en) 2011-08-05 2014-05-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Pulse signal output circuit and shift register
US8710505B2 (en) 2011-08-05 2014-04-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8994019B2 (en) 2011-08-05 2015-03-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6004308B2 (ja) 2011-08-12 2016-10-05 Ｎｌｔテクノロジー株式会社 薄膜デバイス
JP6023994B2 (ja) 2011-08-15 2016-11-09 Ｎｌｔテクノロジー株式会社 薄膜デバイス及びその製造方法
JP6006572B2 (ja) 2011-08-18 2016-10-12 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6128775B2 (ja) 2011-08-19 2017-05-17 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI575494B (zh) 2011-08-19 2017-03-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置的驅動方法
JP6116149B2 (ja) 2011-08-24 2017-04-19 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TW202412006A (zh) 2011-08-29 2024-03-16 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
US9660092B2 (en) 2011-08-31 2017-05-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor thin film transistor including oxygen release layer
US9252279B2 (en) * 2011-08-31 2016-02-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP6016532B2 (ja) 2011-09-07 2016-10-26 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6050054B2 (ja) 2011-09-09 2016-12-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US8802493B2 (en) 2011-09-13 2014-08-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of oxide semiconductor device
JP6099336B2 (ja) 2011-09-14 2017-03-22 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
CN103000692A (zh) * 2011-09-14 2013-03-27 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 薄膜晶体管结构及其制造方法
JP5825744B2 (ja) 2011-09-15 2015-12-02 株式会社半導体エネルギー研究所 パワー絶縁ゲート型電界効果トランジスタ
JP5832399B2 (ja) 2011-09-16 2015-12-16 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
US8952379B2 (en) 2011-09-16 2015-02-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9082663B2 (en) 2011-09-16 2015-07-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
WO2013039126A1 (en) 2011-09-16 2013-03-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
CN103022012B (zh) 2011-09-21 2017-03-01 株式会社半导体能源研究所 半导体存储装置
WO2013042643A1 (en) 2011-09-22 2013-03-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Photodetector and method for driving photodetector
WO2013042562A1 (en) 2011-09-22 2013-03-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
TWI450397B (zh) * 2011-09-23 2014-08-21 Hon Hai Prec Ind Co Ltd 薄膜電晶體
US8841675B2 (en) 2011-09-23 2014-09-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Minute transistor
US9431545B2 (en) 2011-09-23 2016-08-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
KR102108572B1 (ko) 2011-09-26 2020-05-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법
JP2013084333A (ja) 2011-09-28 2013-05-09 Semiconductor Energy Lab Co Ltd シフトレジスタ回路
DE112012004061B4 (de) 2011-09-29 2024-06-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Halbleitervorrichtung
US8716708B2 (en) 2011-09-29 2014-05-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
KR101506303B1 (ko) 2011-09-29 2015-03-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 및 반도체 장치의 제작 방법
DE112012007294B3 (de) 2011-09-29 2019-05-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Halbleitervorrichtung
US8982607B2 (en) 2011-09-30 2015-03-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory element and signal processing circuit
JP5806905B2 (ja) 2011-09-30 2015-11-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US8736315B2 (en) 2011-09-30 2014-05-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US20130087784A1 (en) 2011-10-05 2013-04-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP2013093561A (ja) 2011-10-07 2013-05-16 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 酸化物半導体膜及び半導体装置
JP6022880B2 (ja) 2011-10-07 2016-11-09 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及び半導体装置の作製方法
JP2013083758A (ja) * 2011-10-07 2013-05-09 Sony Corp 表示装置およびその製造方法、並びに電子機器
US10014068B2 (en) 2011-10-07 2018-07-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6026839B2 (ja) 2011-10-13 2016-11-16 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9287405B2 (en) 2011-10-13 2016-03-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising oxide semiconductor
US8637864B2 (en) 2011-10-13 2014-01-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing the same
JP5912394B2 (ja) 2011-10-13 2016-04-27 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9018629B2 (en) 2011-10-13 2015-04-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
US9117916B2 (en) 2011-10-13 2015-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising oxide semiconductor film
DE112012007290B3 (de) 2011-10-14 2017-06-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Halbleitervorrichtung
KR20130040706A (ko) 2011-10-14 2013-04-24 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법
TW201317695A (zh) * 2011-10-19 2013-05-01 Au Optronics Corp 具有高開口率之液晶顯示裝置
KR20130043063A (ko) 2011-10-19 2013-04-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법
TWI567985B (zh) 2011-10-21 2017-01-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
JP6226518B2 (ja) 2011-10-24 2017-11-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR101976212B1 (ko) 2011-10-24 2019-05-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법
KR102067051B1 (ko) 2011-10-24 2020-01-16 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법
KR20130046357A (ko) 2011-10-27 2013-05-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
JP6082562B2 (ja) 2011-10-27 2017-02-15 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
WO2013061895A1 (en) 2011-10-28 2013-05-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US8604472B2 (en) 2011-11-09 2013-12-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP5933895B2 (ja) 2011-11-10 2016-06-15 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置および半導体装置の作製方法
US8878177B2 (en) 2011-11-11 2014-11-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
US9082861B2 (en) 2011-11-11 2015-07-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor with oxide semiconductor channel having protective layer
US8796682B2 (en) 2011-11-11 2014-08-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing a semiconductor device
JP6122275B2 (ja) 2011-11-11 2017-04-26 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
KR101984739B1 (ko) 2011-11-11 2019-05-31 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 신호선 구동 회로 및 액정 표시 장치
JP6076038B2 (ja) 2011-11-11 2017-02-08 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置の作製方法
US8969130B2 (en) 2011-11-18 2015-03-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Insulating film, formation method thereof, semiconductor device, and manufacturing method thereof
US10026847B2 (en) 2011-11-18 2018-07-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor element, method for manufacturing semiconductor element, and semiconductor device including semiconductor element
US8951899B2 (en) 2011-11-25 2015-02-10 Semiconductor Energy Laboratory Method for manufacturing semiconductor device
JP6099368B2 (ja) 2011-11-25 2017-03-22 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶装置
JP6059968B2 (ja) 2011-11-25 2017-01-11 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、及び液晶表示装置
US8962386B2 (en) 2011-11-25 2015-02-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US8772094B2 (en) 2011-11-25 2014-07-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US9057126B2 (en) 2011-11-29 2015-06-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing sputtering target and method for manufacturing semiconductor device
US20130137232A1 (en) 2011-11-30 2013-05-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for forming oxide semiconductor film and method for manufacturing semiconductor device
TWI591611B (zh) 2011-11-30 2017-07-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體顯示裝置
US9076871B2 (en) 2011-11-30 2015-07-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
KR102072244B1 (ko) 2011-11-30 2020-01-31 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법
CN103137701B (zh) 2011-11-30 2018-01-19 株式会社半导体能源研究所 晶体管及半导体装置
TWI669760B (zh) 2011-11-30 2019-08-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置的製造方法
TWI621185B (zh) 2011-12-01 2018-04-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及半導體裝置的製造方法
US8981367B2 (en) 2011-12-01 2015-03-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP2013137853A (ja) 2011-12-02 2013-07-11 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 記憶装置および記憶装置の駆動方法
JP6050662B2 (ja) 2011-12-02 2016-12-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及び半導体装置の作製方法
EP2786404A4 (en) 2011-12-02 2015-07-15 Semiconductor Energy Lab SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
JP6099372B2 (ja) 2011-12-05 2017-03-22 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及び電子機器
US9257422B2 (en) 2011-12-06 2016-02-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Signal processing circuit and method for driving signal processing circuit
JP6081171B2 (ja) 2011-12-09 2017-02-15 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶装置
US10002968B2 (en) 2011-12-14 2018-06-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device including the same
JP6105266B2 (ja) 2011-12-15 2017-03-29 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶装置
WO2013089115A1 (en) 2011-12-15 2013-06-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP2013149953A (ja) * 2011-12-20 2013-08-01 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置及び半導体装置の作製方法
US8785258B2 (en) 2011-12-20 2014-07-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
JP2013130802A (ja) 2011-12-22 2013-07-04 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置、画像表示装置、記憶装置、及び電子機器
US8907392B2 (en) 2011-12-22 2014-12-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device including stacked sub memory cells
US8748240B2 (en) 2011-12-22 2014-06-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
TWI580047B (zh) 2011-12-23 2017-04-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
JP6053490B2 (ja) * 2011-12-23 2016-12-27 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP6012450B2 (ja) 2011-12-23 2016-10-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の駆動方法
JP6033071B2 (ja) 2011-12-23 2016-11-30 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US8704221B2 (en) 2011-12-23 2014-04-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2013094547A1 (en) 2011-12-23 2013-06-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
TWI580189B (zh) 2011-12-23 2017-04-21 半導體能源研究所股份有限公司 位準位移電路及半導體積體電路
TWI569446B (zh) 2011-12-23 2017-02-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體元件、半導體元件的製造方法、及包含半導體元件的半導體裝置
WO2013099537A1 (en) 2011-12-26 2013-07-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Motion recognition device
KR102100425B1 (ko) 2011-12-27 2020-04-13 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법
TWI584383B (zh) * 2011-12-27 2017-05-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
TWI441198B (zh) * 2011-12-30 2014-06-11 Au Optronics Corp 面板及其製法
KR102103913B1 (ko) 2012-01-10 2020-04-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법
US8981368B2 (en) * 2012-01-11 2015-03-17 Sony Corporation Thin film transistor, method of manufacturing thin film transistor, display, and electronic apparatus
US8836555B2 (en) 2012-01-18 2014-09-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Circuit, sensor circuit, and semiconductor device using the sensor circuit
US8969867B2 (en) 2012-01-18 2015-03-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9040981B2 (en) 2012-01-20 2015-05-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9099560B2 (en) 2012-01-20 2015-08-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
SG10201605470SA (en) 2012-01-23 2016-08-30 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Semiconductor device
US9653614B2 (en) 2012-01-23 2017-05-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US8907362B2 (en) 2012-01-24 2014-12-09 Cooledge Lighting Inc. Light-emitting dies incorporating wavelength-conversion materials and related methods
US8896010B2 (en) 2012-01-24 2014-11-25 Cooledge Lighting Inc. Wafer-level flip chip device packages and related methods
JP5656888B2 (ja) * 2012-01-24 2015-01-21 株式会社日立製作所 グラフェントランジスタ
US20130187540A1 (en) 2012-01-24 2013-07-25 Michael A. Tischler Discrete phosphor chips for light-emitting devices and related methods
KR102412138B1 (ko) * 2012-01-25 2022-06-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법
TWI605597B (zh) 2012-01-26 2017-11-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及半導體裝置的製造方法
JP6091905B2 (ja) 2012-01-26 2017-03-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9419146B2 (en) 2012-01-26 2016-08-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US8956912B2 (en) 2012-01-26 2015-02-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US9006733B2 (en) 2012-01-26 2015-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing thereof
TWI561951B (en) 2012-01-30 2016-12-11 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Power supply circuit
TWI604609B (zh) 2012-02-02 2017-11-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
KR102101167B1 (ko) 2012-02-03 2020-04-16 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US9196741B2 (en) 2012-02-03 2015-11-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9362417B2 (en) 2012-02-03 2016-06-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8916424B2 (en) 2012-02-07 2014-12-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
TWI445181B (zh) * 2012-02-08 2014-07-11 E Ink Holdings Inc 薄膜電晶體
US9859114B2 (en) 2012-02-08 2018-01-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor device with an oxygen-controlling insulating layer
JP5981157B2 (ja) 2012-02-09 2016-08-31 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9112037B2 (en) 2012-02-09 2015-08-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US20130207111A1 (en) 2012-02-09 2013-08-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display device including semiconductor device, electronic device including semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device
JP6125850B2 (ja) 2012-02-09 2017-05-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及び半導体装置の作製方法
TWI474409B (zh) * 2012-02-14 2015-02-21 Innocom Tech Shenzhen Co Ltd 薄膜電晶體及其製作方法及顯示器
JP6108858B2 (ja) 2012-02-17 2017-04-05 株式会社半導体エネルギー研究所 ｐ型半導体材料および半導体装置
US8817516B2 (en) 2012-02-17 2014-08-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory circuit and semiconductor device
GB2499606B (en) * 2012-02-21 2016-06-22 Pragmatic Printing Ltd Substantially planar electronic devices and circuits
JP2014063557A (ja) 2012-02-24 2014-04-10 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 記憶装置及び半導体装置
US20130221345A1 (en) 2012-02-28 2013-08-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US9036766B2 (en) 2012-02-29 2015-05-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9312257B2 (en) 2012-02-29 2016-04-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9553200B2 (en) 2012-02-29 2017-01-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US8988152B2 (en) 2012-02-29 2015-03-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6151530B2 (ja) 2012-02-29 2017-06-21 株式会社半導体エネルギー研究所 イメージセンサ、カメラ、及び監視システム
JP6046514B2 (ja) 2012-03-01 2016-12-14 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US8975917B2 (en) 2012-03-01 2015-03-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Programmable logic device
JP2013183001A (ja) 2012-03-01 2013-09-12 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
US9735280B2 (en) 2012-03-02 2017-08-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, and method for forming oxide film
US9287370B2 (en) 2012-03-02 2016-03-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device comprising a transistor including an oxide semiconductor and semiconductor device including the same
US9176571B2 (en) 2012-03-02 2015-11-03 Semiconductor Energy Laboratories Co., Ltd. Microprocessor and method for driving microprocessor
JP6041707B2 (ja) 2012-03-05 2016-12-14 株式会社半導体エネルギー研究所 ラッチ回路および半導体装置
JP6100559B2 (ja) 2012-03-05 2017-03-22 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体記憶装置
US8995218B2 (en) 2012-03-07 2015-03-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8981370B2 (en) 2012-03-08 2015-03-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
CN104160295B (zh) 2012-03-09 2017-09-15 株式会社半导体能源研究所 半导体装置的驱动方法
CN104170001B (zh) 2012-03-13 2017-03-01 株式会社半导体能源研究所 发光装置及其驱动方法
US9117409B2 (en) 2012-03-14 2015-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting display device with transistor and capacitor discharging gate of driving electrode and oxide semiconductor layer
KR102108248B1 (ko) 2012-03-14 2020-05-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 산화물 반도체막, 트랜지스터, 및 반도체 장치
US9058892B2 (en) 2012-03-14 2015-06-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and shift register
JP6168795B2 (ja) 2012-03-14 2017-07-26 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US9541386B2 (en) 2012-03-21 2017-01-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Distance measurement device and distance measurement system
US10043794B2 (en) 2012-03-22 2018-08-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
US9349849B2 (en) 2012-03-28 2016-05-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device including the semiconductor device
JP6169376B2 (ja) 2012-03-28 2017-07-26 株式会社半導体エネルギー研究所 電池管理ユニット、保護回路、蓄電装置
US9324449B2 (en) 2012-03-28 2016-04-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driver circuit, signal processing unit having the driver circuit, method for manufacturing the signal processing unit, and display device
WO2013146154A1 (en) 2012-03-29 2013-10-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Power supply control device
JP6139187B2 (ja) 2012-03-29 2017-05-31 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9786793B2 (en) 2012-03-29 2017-10-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising oxide semiconductor layer including regions with different concentrations of resistance-reducing elements
JP2013229013A (ja) 2012-03-29 2013-11-07 Semiconductor Energy Lab Co Ltd アレイコントローラ及びストレージシステム
US8941113B2 (en) 2012-03-30 2015-01-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor element, semiconductor device, and manufacturing method of semiconductor element
US10861978B2 (en) 2012-04-02 2020-12-08 Samsung Display Co., Ltd. Display device
KR20130111873A (ko) 2012-04-02 2013-10-11 단국대학교 산학협력단 박막 트랜지스터 표시판 제조 방법
US8999773B2 (en) 2012-04-05 2015-04-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Processing method of stacked-layer film and manufacturing method of semiconductor device
US8901556B2 (en) 2012-04-06 2014-12-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Insulating film, method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device
US9711110B2 (en) 2012-04-06 2017-07-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device comprising grayscale conversion portion and display portion
US9793444B2 (en) 2012-04-06 2017-10-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device
US8947155B2 (en) 2012-04-06 2015-02-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Solid-state relay
JP5975907B2 (ja) 2012-04-11 2016-08-23 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9208849B2 (en) 2012-04-12 2015-12-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for driving semiconductor device, and electronic device
JP2013236068A (ja) 2012-04-12 2013-11-21 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置及び半導体装置の作製方法
US9030232B2 (en) 2012-04-13 2015-05-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Isolator circuit and semiconductor device
WO2013154195A1 (en) 2012-04-13 2013-10-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6128906B2 (ja) 2012-04-13 2017-05-17 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6059566B2 (ja) 2012-04-13 2017-01-11 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP6143423B2 (ja) 2012-04-16 2017-06-07 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の製造方法
JP6076612B2 (ja) 2012-04-17 2017-02-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6001308B2 (ja) 2012-04-17 2016-10-05 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9219164B2 (en) 2012-04-20 2015-12-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device with oxide semiconductor channel
US9029863B2 (en) 2012-04-20 2015-05-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP5838119B2 (ja) 2012-04-24 2015-12-24 株式会社ジャパンディスプレイ 薄膜トランジスタ及びそれを用いた表示装置
US9236408B2 (en) 2012-04-25 2016-01-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor device including photodiode
US9006024B2 (en) 2012-04-25 2015-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US9230683B2 (en) 2012-04-25 2016-01-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
US9654107B2 (en) 2012-04-27 2017-05-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Programmable LSI
JP6199583B2 (ja) 2012-04-27 2017-09-20 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9285848B2 (en) 2012-04-27 2016-03-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Power reception control device, power reception device, power transmission and reception system, and electronic device
US9331689B2 (en) 2012-04-27 2016-05-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Power supply circuit and semiconductor device including the same
US8860022B2 (en) 2012-04-27 2014-10-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor film and semiconductor device
CN202549848U (zh) * 2012-04-28 2012-11-21 京东方科技集团股份有限公司 显示装置、阵列基板和薄膜晶体管
JP6228381B2 (ja) 2012-04-30 2017-11-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6100071B2 (ja) 2012-04-30 2017-03-22 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US9048323B2 (en) 2012-04-30 2015-06-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6236217B2 (ja) 2012-05-01 2017-11-22 株式会社半導体エネルギー研究所 ルックアップテーブル、及びルックアップテーブルを備えるプログラマブルロジックデバイス
US9007090B2 (en) 2012-05-01 2015-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of driving semiconductor device
US9703704B2 (en) 2012-05-01 2017-07-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8860023B2 (en) 2012-05-01 2014-10-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9104395B2 (en) 2012-05-02 2015-08-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Processor and driving method thereof
US8866510B2 (en) 2012-05-02 2014-10-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9261943B2 (en) 2012-05-02 2016-02-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
JP6227890B2 (ja) 2012-05-02 2017-11-08 株式会社半導体エネルギー研究所 信号処理回路および制御回路
JP6243136B2 (ja) 2012-05-02 2017-12-06 株式会社半導体エネルギー研究所 スイッチングコンバータ
DE112013002281T5 (de) 2012-05-02 2015-03-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Programmierbare Logikvorrichtung
KR102025722B1 (ko) 2012-05-02 2019-09-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 온도 센서 회로, 및 온도 센서 회로를 사용한 반도체 장치
JP2013251255A (ja) 2012-05-04 2013-12-12 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置の作製方法
KR20130125717A (ko) 2012-05-09 2013-11-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 구동 방법
KR102069158B1 (ko) 2012-05-10 2020-01-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 배선의 형성 방법, 반도체 장치, 및 반도체 장치의 제작 방법
WO2013168624A1 (en) 2012-05-10 2013-11-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR102082793B1 (ko) 2012-05-10 2020-02-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 그 제작 방법
DE112013002407B4 (de) 2012-05-10 2024-05-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Halbleitervorrichtung
US9001549B2 (en) 2012-05-11 2015-04-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
DE102013022449B3 (de) 2012-05-11 2019-11-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Halbleitervorrichtung und elektronisches Gerät
KR102087443B1 (ko) 2012-05-11 2020-03-10 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 구동 방법
TWI670553B (zh) 2012-05-16 2019-09-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及觸控面板
US8929128B2 (en) 2012-05-17 2015-01-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Storage device and writing method of the same
TWI595502B (zh) 2012-05-18 2017-08-11 半導體能源研究所股份有限公司 記憶體裝置和用於驅動記憶體裝置的方法
US9817032B2 (en) 2012-05-23 2017-11-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Measurement device
KR102059218B1 (ko) 2012-05-25 2019-12-24 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 프로그래머블 로직 디바이스 및 반도체 장치
KR102164990B1 (ko) 2012-05-25 2020-10-13 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 기억 소자의 구동 방법
JP6250955B2 (ja) 2012-05-25 2017-12-20 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の駆動方法
JP2014003594A (ja) 2012-05-25 2014-01-09 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置及びその駆動方法
JP6050721B2 (ja) 2012-05-25 2016-12-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9571103B2 (en) 2012-05-25 2017-02-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Lookup table and programmable logic device including lookup table
US9147706B2 (en) 2012-05-29 2015-09-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having sensor circuit having amplifier circuit
JP6377317B2 (ja) 2012-05-30 2018-08-22 株式会社半導体エネルギー研究所 プログラマブルロジックデバイス
KR102119914B1 (ko) 2012-05-31 2020-06-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
US8995607B2 (en) 2012-05-31 2015-03-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Pulse signal output circuit and shift register
JP6158588B2 (ja) 2012-05-31 2017-07-05 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
JP6208469B2 (ja) 2012-05-31 2017-10-04 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9048265B2 (en) 2012-05-31 2015-06-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device comprising oxide semiconductor layer
CN104380473B (zh) 2012-05-31 2017-10-13 株式会社半导体能源研究所 半导体装置
US20130320335A1 (en) * 2012-06-01 2013-12-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US9135182B2 (en) 2012-06-01 2015-09-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Central processing unit and driving method thereof
US9343120B2 (en) 2012-06-01 2016-05-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. High speed processing unit with non-volatile register
US9916793B2 (en) 2012-06-01 2018-03-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of driving the same
KR20150023547A (ko) 2012-06-01 2015-03-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 디바이스 및 경보 장치
JP6228753B2 (ja) 2012-06-01 2017-11-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、表示装置、表示モジュール、及び電子機器
US8872174B2 (en) 2012-06-01 2014-10-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device
TWI587261B (zh) 2012-06-01 2017-06-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及半導體裝置的驅動方法
CN102779783B (zh) * 2012-06-04 2014-09-17 北京京东方光电科技有限公司 一种像素结构及其制造方法、显示装置
KR20130139438A (ko) * 2012-06-05 2013-12-23 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판
US9231178B2 (en) 2012-06-07 2016-01-05 Cooledge Lighting, Inc. Wafer-level flip chip device packages and related methods
US8901557B2 (en) 2012-06-15 2014-12-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR102113160B1 (ko) 2012-06-15 2020-05-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US9059219B2 (en) 2012-06-27 2015-06-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
US8873308B2 (en) 2012-06-29 2014-10-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Signal processing circuit
US9742378B2 (en) 2012-06-29 2017-08-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Pulse output circuit and semiconductor device
KR102161077B1 (ko) 2012-06-29 2020-09-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR20200019269A (ko) 2012-06-29 2020-02-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
TWI596778B (zh) 2012-06-29 2017-08-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及半導體裝置的製造方法
KR102082794B1 (ko) 2012-06-29 2020-02-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치의 구동 방법, 및 표시 장치
US9312390B2 (en) 2012-07-05 2016-04-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Remote control system
US9054678B2 (en) 2012-07-06 2015-06-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
JP6310194B2 (ja) 2012-07-06 2018-04-11 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9083327B2 (en) 2012-07-06 2015-07-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of driving semiconductor device
KR102099262B1 (ko) 2012-07-11 2020-04-09 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치, 및 액정 표시 장치의 구동 방법
JP2014032399A (ja) 2012-07-13 2014-02-20 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 液晶表示装置
JP6006558B2 (ja) 2012-07-17 2016-10-12 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及びその製造方法
US9160195B2 (en) 2012-07-17 2015-10-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Charging device
JP6185311B2 (ja) 2012-07-20 2017-08-23 株式会社半導体エネルギー研究所 電源制御回路、及び信号処理回路
KR102368865B1 (ko) 2012-07-20 2022-03-02 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치, 및 표시 장치를 포함하는 전자 장치
KR102141977B1 (ko) 2012-07-20 2020-08-06 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제조 방법
TWI600022B (zh) 2012-07-20 2017-09-21 半導體能源研究所股份有限公司 脈衝輸出電路、顯示裝置、及電子裝置
CN107564967B (zh) 2012-07-20 2020-10-23 株式会社半导体能源研究所 显示装置
KR20140013931A (ko) 2012-07-26 2014-02-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치
JP2014042004A (ja) 2012-07-26 2014-03-06 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置及びその作製方法
JP6224931B2 (ja) 2012-07-27 2017-11-01 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6134598B2 (ja) 2012-08-02 2017-05-24 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2014045175A (ja) 2012-08-02 2014-03-13 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
EP2880690B1 (en) 2012-08-03 2019-02-27 Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd. Semiconductor device with oxide semiconductor stacked film
KR20150040873A (ko) 2012-08-03 2015-04-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US9885108B2 (en) 2012-08-07 2018-02-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for forming sputtering target
US10557192B2 (en) 2012-08-07 2020-02-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for using sputtering target and method for forming oxide film
CN104584229B (zh) 2012-08-10 2018-05-15 株式会社半导体能源研究所 半导体装置及其制造方法
JP6220597B2 (ja) 2012-08-10 2017-10-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2014057298A (ja) 2012-08-10 2014-03-27 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置の駆動方法
KR102171650B1 (ko) 2012-08-10 2020-10-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
WO2014024808A1 (en) 2012-08-10 2014-02-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP2014199899A (ja) 2012-08-10 2014-10-23 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US8937307B2 (en) 2012-08-10 2015-01-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9929276B2 (en) 2012-08-10 2018-03-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US9245958B2 (en) 2012-08-10 2016-01-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP2014057296A (ja) 2012-08-10 2014-03-27 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置の駆動方法
TWI581404B (zh) 2012-08-10 2017-05-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置以及該半導體裝置的驅動方法
KR20140026257A (ko) * 2012-08-23 2014-03-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
US8872120B2 (en) 2012-08-23 2014-10-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device and method for driving the same
KR102069683B1 (ko) 2012-08-24 2020-01-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 방사선 검출 패널, 방사선 촬상 장치, 및 화상 진단 장치
DE102013216824B4 (de) 2012-08-28 2024-10-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Halbleitervorrichtung
KR102161078B1 (ko) 2012-08-28 2020-09-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 그 제작 방법
KR20140029202A (ko) * 2012-08-28 2014-03-10 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
US9625764B2 (en) 2012-08-28 2017-04-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device
TWI474516B (zh) * 2012-08-30 2015-02-21 Lextar Electronics Corp 覆晶式發光二極體結構及其製造方法
TWI657539B (zh) 2012-08-31 2019-04-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
US8947158B2 (en) 2012-09-03 2015-02-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
SG11201504939RA (en) 2012-09-03 2015-07-30 Semiconductor Energy Lab Microcontroller
DE102013217278B4 (de) 2012-09-12 2017-03-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Photodetektorschaltung, Bildgebungsvorrichtung und Verfahren zum Ansteuern einer Photodetektorschaltung
US9018624B2 (en) 2012-09-13 2015-04-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic appliance
US8981372B2 (en) 2012-09-13 2015-03-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic appliance
KR102679509B1 (ko) 2012-09-13 2024-07-01 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
TW202422663A (zh) 2012-09-14 2024-06-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
US8927985B2 (en) 2012-09-20 2015-01-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9626889B2 (en) 2012-09-24 2017-04-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method and program for driving information processing device
TWI709244B (zh) 2012-09-24 2020-11-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
WO2014046222A1 (en) 2012-09-24 2014-03-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
KR102226090B1 (ko) 2012-10-12 2021-03-09 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제작 방법 및 반도체 장치의 제조 장치
JP6351947B2 (ja) 2012-10-12 2018-07-04 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置の作製方法
JP6290576B2 (ja) 2012-10-12 2018-03-07 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置及びその駆動方法
TWI681233B (zh) 2012-10-12 2020-01-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 液晶顯示裝置、觸控面板及液晶顯示裝置的製造方法
KR102227591B1 (ko) 2012-10-17 2021-03-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
JP6059501B2 (ja) 2012-10-17 2017-01-11 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
DE112013005029T5 (de) 2012-10-17 2015-07-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Mikrocontroller und Herstellungsverfahren dafür
TWI591966B (zh) 2012-10-17 2017-07-11 半導體能源研究所股份有限公司 可編程邏輯裝置及可編程邏輯裝置的驅動方法
JP5951442B2 (ja) 2012-10-17 2016-07-13 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
WO2014061567A1 (en) 2012-10-17 2014-04-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Programmable logic device
US9166021B2 (en) 2012-10-17 2015-10-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
WO2014061762A1 (en) 2012-10-17 2014-04-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP6283191B2 (ja) 2012-10-17 2018-02-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2014082388A (ja) 2012-10-17 2014-05-08 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
JP6021586B2 (ja) 2012-10-17 2016-11-09 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR102220279B1 (ko) 2012-10-19 2021-02-24 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 산화물 반도체막을 포함하는 다층막 및 반도체 장치의 제작 방법
JP6204145B2 (ja) 2012-10-23 2017-09-27 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR102279459B1 (ko) 2012-10-24 2021-07-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
US9865743B2 (en) 2012-10-24 2018-01-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including oxide layer surrounding oxide semiconductor layer
JP6300489B2 (ja) 2012-10-24 2018-03-28 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
WO2014065343A1 (en) 2012-10-24 2014-05-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
TWI691084B (zh) 2012-10-24 2020-04-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
WO2014065389A1 (en) 2012-10-25 2014-05-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Central control system
CN203085533U (zh) * 2012-10-26 2013-07-24 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板和显示装置
JP6219562B2 (ja) 2012-10-30 2017-10-25 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置及び電子機器
KR102001057B1 (ko) * 2012-10-31 2019-07-18 엘지디스플레이 주식회사 어레이 기판의 제조방법
WO2014073374A1 (en) 2012-11-06 2014-05-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
TWI649794B (zh) 2012-11-08 2019-02-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 金屬氧化物膜及形成金屬氧化物膜的方法
TWI605593B (zh) 2012-11-15 2017-11-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
JP6220641B2 (ja) 2012-11-15 2017-10-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI608616B (zh) 2012-11-15 2017-12-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
TWI613813B (zh) 2012-11-16 2018-02-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
JP6317059B2 (ja) 2012-11-16 2018-04-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及び表示装置
JP6285150B2 (ja) 2012-11-16 2018-02-28 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI620323B (zh) 2012-11-16 2018-04-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
US9412764B2 (en) 2012-11-28 2016-08-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display device, and electronic device
US9263531B2 (en) 2012-11-28 2016-02-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor film, film formation method thereof, and semiconductor device
WO2014084153A1 (en) 2012-11-28 2014-06-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
TWI757837B (zh) 2012-11-28 2022-03-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置
TWI627483B (zh) 2012-11-28 2018-06-21 半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置及電視接收機
KR20140068588A (ko) * 2012-11-28 2014-06-09 코닝정밀소재 주식회사 산화아연 박막 제조방법
KR102050438B1 (ko) * 2012-11-29 2020-01-09 엘지디스플레이 주식회사 산화물 박막 트랜지스터의 제조 방법
TWI624949B (zh) 2012-11-30 2018-05-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
JP2014130336A (ja) 2012-11-30 2014-07-10 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置
US9594281B2 (en) 2012-11-30 2017-03-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
US9153649B2 (en) 2012-11-30 2015-10-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for evaluating semiconductor device
EP2738815B1 (en) * 2012-11-30 2016-02-10 Samsung Electronics Co., Ltd Semiconductor materials, transistors including the same, and electronic devices including transistors
KR102144992B1 (ko) * 2012-11-30 2020-08-18 삼성전자주식회사 반도체 물질과 이를 포함하는 트랜지스터 및 트랜지스터를 포함하는 전자소자
KR102389073B1 (ko) 2012-11-30 2022-04-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US9246011B2 (en) 2012-11-30 2016-01-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR102207028B1 (ko) 2012-12-03 2021-01-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
JP6320009B2 (ja) 2012-12-03 2018-05-09 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及びその作製方法
JP2014135478A (ja) 2012-12-03 2014-07-24 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
KR102112364B1 (ko) 2012-12-06 2020-05-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR102207063B1 (ko) * 2012-12-12 2021-01-25 엘지디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터, 박막 트랜지스터 제조 방법 및 박막 트랜지스터를 포함하는 표시 장치
US9577446B2 (en) 2012-12-13 2017-02-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Power storage system and power storage device storing data for the identifying power storage device
CN103050412B (zh) * 2012-12-20 2015-10-21 深圳丹邦投资集团有限公司 氧化物薄膜晶体管的制造方法
KR20140081412A (ko) * 2012-12-21 2014-07-01 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법
TWI611419B (zh) 2012-12-24 2018-01-11 半導體能源研究所股份有限公司 可程式邏輯裝置及半導體裝置
US9905585B2 (en) 2012-12-25 2018-02-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising capacitor
WO2014103901A1 (en) 2012-12-25 2014-07-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
KR102241249B1 (ko) 2012-12-25 2021-04-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 저항 소자, 표시 장치, 및 전자기기
KR20220145922A (ko) 2012-12-25 2022-10-31 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
JP2014142986A (ja) 2012-12-26 2014-08-07 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
KR102211596B1 (ko) 2012-12-28 2021-02-03 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
JP6223171B2 (ja) 2012-12-28 2017-11-01 株式会社半導体エネルギー研究所 蓄電装置の制御システム、蓄電システム、及び電気機器
TWI607510B (zh) 2012-12-28 2017-12-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及半導體裝置的製造方法
JP6329762B2 (ja) 2012-12-28 2018-05-23 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2014143410A (ja) 2012-12-28 2014-08-07 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
US9316695B2 (en) 2012-12-28 2016-04-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR102639256B1 (ko) 2012-12-28 2024-02-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 및 반도체 장치의 제작 방법
US9391096B2 (en) 2013-01-18 2016-07-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
TWI614813B (zh) 2013-01-21 2018-02-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置的製造方法
US9190172B2 (en) 2013-01-24 2015-11-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9466725B2 (en) 2013-01-24 2016-10-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP5807076B2 (ja) 2013-01-24 2015-11-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI619010B (zh) 2013-01-24 2018-03-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
JP6223198B2 (ja) 2013-01-24 2017-11-01 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9076825B2 (en) 2013-01-30 2015-07-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device
US9105658B2 (en) 2013-01-30 2015-08-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for processing oxide semiconductor layer
US8981374B2 (en) 2013-01-30 2015-03-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
TWI618252B (zh) 2013-02-12 2018-03-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
KR102112367B1 (ko) 2013-02-12 2020-05-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2014125979A1 (en) 2013-02-13 2014-08-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Programmable logic device and semiconductor device
US8952723B2 (en) 2013-02-13 2015-02-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Programmable logic device and semiconductor device
US9231111B2 (en) 2013-02-13 2016-01-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9190527B2 (en) 2013-02-13 2015-11-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device
US9318484B2 (en) 2013-02-20 2016-04-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
TWI611566B (zh) 2013-02-25 2018-01-11 半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置和電子裝置
US9293544B2 (en) 2013-02-26 2016-03-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having buried channel structure
US9373711B2 (en) 2013-02-27 2016-06-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR20140106977A (ko) * 2013-02-27 2014-09-04 삼성전자주식회사 고성능 금속 산화물 반도체 박막 트랜지스터 및 그 제조방법
TWI612321B (zh) 2013-02-27 2018-01-21 半導體能源研究所股份有限公司 成像裝置
TWI651839B (zh) 2013-02-27 2019-02-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置、驅動電路及顯示裝置
JP6141777B2 (ja) 2013-02-28 2017-06-07 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
KR102238682B1 (ko) 2013-02-28 2021-04-08 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치와 그 제작 방법
JP2014195241A (ja) 2013-02-28 2014-10-09 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
JP2014195243A (ja) 2013-02-28 2014-10-09 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
JP6250883B2 (ja) 2013-03-01 2017-12-20 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2014195060A (ja) 2013-03-01 2014-10-09 Semiconductor Energy Lab Co Ltd センサ回路及びセンサ回路を用いた半導体装置
FR3002768B1 (fr) * 2013-03-01 2015-02-20 Saint Gobain Procede de traitement thermique d'un revetement
KR102153110B1 (ko) 2013-03-06 2020-09-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체막 및 반도체 장치
US9269315B2 (en) 2013-03-08 2016-02-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driving method of semiconductor device
US8947121B2 (en) 2013-03-12 2015-02-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Programmable logic device
TWI644433B (zh) 2013-03-13 2018-12-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
JP2014199709A (ja) 2013-03-14 2014-10-23 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶装置、半導体装置
WO2014142043A1 (en) 2013-03-14 2014-09-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for driving semiconductor device and semiconductor device
JP6283237B2 (ja) 2013-03-14 2018-02-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR20150128823A (ko) 2013-03-14 2015-11-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 구동 방법 및 반도체 장치
US9294075B2 (en) 2013-03-14 2016-03-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6298662B2 (ja) 2013-03-14 2018-03-20 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR102290247B1 (ko) 2013-03-14 2021-08-13 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치와 그 제작 방법
TWI722545B (zh) 2013-03-15 2021-03-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
US9786350B2 (en) 2013-03-18 2017-10-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device
US9577107B2 (en) 2013-03-19 2017-02-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor film and method for forming oxide semiconductor film
US9153650B2 (en) 2013-03-19 2015-10-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor
US9007092B2 (en) 2013-03-22 2015-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6355374B2 (ja) 2013-03-22 2018-07-11 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP6093726B2 (ja) 2013-03-22 2017-03-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6272713B2 (ja) 2013-03-25 2018-01-31 株式会社半導体エネルギー研究所 プログラマブルロジックデバイス及び半導体装置
US10347769B2 (en) 2013-03-25 2019-07-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film transistor with multi-layer source/drain electrodes
WO2014157019A1 (en) 2013-03-25 2014-10-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6376788B2 (ja) 2013-03-26 2018-08-22 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置およびその作製方法
JP6316630B2 (ja) 2013-03-26 2018-04-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR102082995B1 (ko) 2013-03-27 2020-03-02 삼성전자주식회사 산화물 반도체 형성용 용액 조성물, 산화물 반도체 및 상기 산화물 반도체를 포함하는 전자 소자
US9608122B2 (en) 2013-03-27 2017-03-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP2014209209A (ja) 2013-03-28 2014-11-06 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
US9368636B2 (en) 2013-04-01 2016-06-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing a semiconductor device comprising a plurality of oxide semiconductor layers
JP6300589B2 (ja) 2013-04-04 2018-03-28 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US9112460B2 (en) 2013-04-05 2015-08-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Signal processing device
JP6198434B2 (ja) 2013-04-11 2017-09-20 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置及び電子機器
JP6224338B2 (ja) 2013-04-11 2017-11-01 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、表示装置及び半導体装置の作製方法
TWI620324B (zh) 2013-04-12 2018-04-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
JP6280794B2 (ja) 2013-04-12 2018-02-14 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及びその駆動方法
US10304859B2 (en) 2013-04-12 2019-05-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having an oxide film on an oxide semiconductor film
JP6333028B2 (ja) 2013-04-19 2018-05-30 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶装置及び半導体装置
JP6456598B2 (ja) 2013-04-19 2019-01-23 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
US9915848B2 (en) 2013-04-19 2018-03-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device
US9893192B2 (en) 2013-04-24 2018-02-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2014175296A1 (en) 2013-04-24 2014-10-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
JP6396671B2 (ja) 2013-04-26 2018-09-26 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6401483B2 (ja) 2013-04-26 2018-10-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
TWI644434B (zh) 2013-04-29 2018-12-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
TWI631711B (zh) 2013-05-01 2018-08-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
KR102222344B1 (ko) 2013-05-02 2021-03-02 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US9231002B2 (en) 2013-05-03 2016-01-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device
US9882058B2 (en) 2013-05-03 2018-01-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
CN105190902B (zh) 2013-05-09 2019-01-29 株式会社半导体能源研究所 半导体装置及其制造方法
US9704894B2 (en) 2013-05-10 2017-07-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device including pixel electrode including oxide
KR102179972B1 (ko) * 2013-05-10 2020-11-18 삼성디스플레이 주식회사 배선 및 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법 및 유기 발광 표시 장치
US9246476B2 (en) 2013-05-10 2016-01-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driver circuit
TWI621337B (zh) 2013-05-14 2018-04-11 半導體能源研究所股份有限公司 信號處理裝置
US9312392B2 (en) 2013-05-16 2016-04-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
TWI618058B (zh) 2013-05-16 2018-03-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
TWI809225B (zh) 2013-05-16 2023-07-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
TWI627751B (zh) 2013-05-16 2018-06-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
US9454923B2 (en) 2013-05-17 2016-09-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9209795B2 (en) 2013-05-17 2015-12-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Signal processing device and measuring method
US10032872B2 (en) 2013-05-17 2018-07-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, method for manufacturing the same, and apparatus for manufacturing semiconductor device
TWI638519B (zh) 2013-05-17 2018-10-11 半導體能源研究所股份有限公司 可程式邏輯裝置及半導體裝置
US9754971B2 (en) 2013-05-18 2017-09-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
DE102014019794B4 (de) 2013-05-20 2024-10-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Halbleitervorrichtung
KR102442752B1 (ko) 2013-05-20 2022-09-14 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
TWI664731B (zh) 2013-05-20 2019-07-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
US9647125B2 (en) 2013-05-20 2017-05-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US9293599B2 (en) 2013-05-20 2016-03-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US9343579B2 (en) 2013-05-20 2016-05-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
DE112014002485T5 (de) 2013-05-20 2016-03-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Halbleitervorrichtung
US10416504B2 (en) 2013-05-21 2019-09-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
KR20160009626A (ko) 2013-05-21 2016-01-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 산화물 반도체막 및 그 형성 방법
WO2014192210A1 (ja) 2013-05-29 2014-12-04 パナソニック株式会社 薄膜トランジスタ装置とその製造方法、および表示装置
TWI687748B (zh) 2013-06-05 2020-03-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置及電子裝置
JP6400336B2 (ja) 2013-06-05 2018-10-03 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI624936B (zh) 2013-06-05 2018-05-21 半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置
JP6475424B2 (ja) 2013-06-05 2019-02-27 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2015195327A (ja) 2013-06-05 2015-11-05 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9806198B2 (en) 2013-06-05 2017-10-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US9773915B2 (en) 2013-06-11 2017-09-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
TWI641112B (zh) 2013-06-13 2018-11-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
JP6368155B2 (ja) 2013-06-18 2018-08-01 株式会社半導体エネルギー研究所 プログラマブルロジックデバイス
TWI652822B (zh) 2013-06-19 2019-03-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 氧化物半導體膜及其形成方法
US9035301B2 (en) 2013-06-19 2015-05-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device
TWI633650B (zh) 2013-06-21 2018-08-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
JP6357363B2 (ja) 2013-06-26 2018-07-11 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶装置
KR20210079411A (ko) 2013-06-27 2021-06-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
TW201513128A (zh) 2013-07-05 2015-04-01 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置
US9312349B2 (en) 2013-07-08 2016-04-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
US9666697B2 (en) 2013-07-08 2017-05-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device including an electron trap layer
US20150008428A1 (en) 2013-07-08 2015-01-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
US9424950B2 (en) 2013-07-10 2016-08-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9293480B2 (en) 2013-07-10 2016-03-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device including the semiconductor device
JP6400961B2 (ja) 2013-07-12 2018-10-03 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
JP6018607B2 (ja) 2013-07-12 2016-11-02 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6322503B2 (ja) 2013-07-16 2018-05-09 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6516978B2 (ja) 2013-07-17 2019-05-22 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI621130B (zh) 2013-07-18 2018-04-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及用於製造半導體裝置之方法
TWI608523B (zh) 2013-07-19 2017-12-11 半導體能源研究所股份有限公司 Oxide semiconductor film, method of manufacturing oxide semiconductor film, and semiconductor device
US9395070B2 (en) 2013-07-19 2016-07-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Support of flexible component and light-emitting device
US9379138B2 (en) 2013-07-19 2016-06-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device with drive voltage dependent on external light intensity
TWI636309B (zh) 2013-07-25 2018-09-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 液晶顯示裝置及電子裝置
US10529740B2 (en) 2013-07-25 2020-01-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including semiconductor layer and conductive layer
TWI632688B (zh) 2013-07-25 2018-08-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置以及半導體裝置的製造方法
TWI641208B (zh) 2013-07-26 2018-11-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 直流對直流轉換器
US9343288B2 (en) 2013-07-31 2016-05-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6460592B2 (ja) 2013-07-31 2019-01-30 株式会社半導体エネルギー研究所 Ｄｃｄｃコンバータ、及び半導体装置
JP6410496B2 (ja) 2013-07-31 2018-10-24 株式会社半導体エネルギー研究所 マルチゲート構造のトランジスタ
KR20150015071A (ko) * 2013-07-31 2015-02-10 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판, 이를 갖는 표시장치 및 이의 제조방법
TWI635750B (zh) 2013-08-02 2018-09-11 半導體能源研究所股份有限公司 攝像裝置以及其工作方法
US9496330B2 (en) 2013-08-02 2016-11-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor film and semiconductor device
JP2015053477A (ja) 2013-08-05 2015-03-19 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置および半導体装置の作製方法
JP6345023B2 (ja) 2013-08-07 2018-06-20 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置およびその作製方法
US9299855B2 (en) 2013-08-09 2016-03-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having dual gate insulating layers
US9601591B2 (en) 2013-08-09 2017-03-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
KR102099865B1 (ko) 2013-08-12 2020-04-13 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
JP6329843B2 (ja) 2013-08-19 2018-05-23 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9374048B2 (en) 2013-08-20 2016-06-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Signal processing device, and driving method and program thereof
TWI663820B (zh) 2013-08-21 2019-06-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 電荷泵電路以及具備電荷泵電路的半導體裝置
KR102232133B1 (ko) 2013-08-22 2021-03-24 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR102244553B1 (ko) 2013-08-23 2021-04-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 용량 소자 및 반도체 장치
US9443987B2 (en) 2013-08-23 2016-09-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
TW202334724A (zh) 2013-08-28 2023-09-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置
KR20150025621A (ko) * 2013-08-29 2015-03-11 삼성전자주식회사 트랜지스터와 그 제조방법 및 트랜지스터를 포함하는 전자소자
US9552767B2 (en) 2013-08-30 2017-01-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device
TWI671141B (zh) 2013-08-30 2019-09-11 半導體能源研究所股份有限公司 支撐體供應裝置及供應支撐體的方法
US9590109B2 (en) 2013-08-30 2017-03-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP6426402B2 (ja) 2013-08-30 2018-11-21 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
US9360564B2 (en) 2013-08-30 2016-06-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device
WO2015030150A1 (en) 2013-08-30 2015-03-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Storage circuit and semiconductor device
JP6406926B2 (ja) 2013-09-04 2018-10-17 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9449853B2 (en) 2013-09-04 2016-09-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device comprising electron trap layer
US10008513B2 (en) 2013-09-05 2018-06-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9607991B2 (en) 2013-09-05 2017-03-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6345544B2 (ja) 2013-09-05 2018-06-20 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
KR102294507B1 (ko) 2013-09-06 2021-08-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
JP6401977B2 (ja) 2013-09-06 2018-10-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9590110B2 (en) 2013-09-10 2017-03-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Ultraviolet light sensor circuit
TWI640014B (zh) 2013-09-11 2018-11-01 半導體能源研究所股份有限公司 記憶體裝置、半導體裝置及電子裝置
US9583063B2 (en) 2013-09-12 2017-02-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
US9893194B2 (en) 2013-09-12 2018-02-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US9269822B2 (en) 2013-09-12 2016-02-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
JP2015079946A (ja) 2013-09-13 2015-04-23 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
TWI646690B (zh) 2013-09-13 2019-01-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
WO2015037500A1 (en) 2013-09-13 2015-03-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
US9805952B2 (en) 2013-09-13 2017-10-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US9461126B2 (en) 2013-09-13 2016-10-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor, clocked inverter circuit, sequential circuit, and semiconductor device including sequential circuit
US9887297B2 (en) 2013-09-17 2018-02-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising oxide semiconductor layer in which thickness of the oxide semiconductor layer is greater than or equal to width of the oxide semiconductor layer
US9269915B2 (en) 2013-09-18 2016-02-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
JP6347704B2 (ja) 2013-09-18 2018-06-27 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI677989B (zh) 2013-09-19 2019-11-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
JP2015084418A (ja) 2013-09-23 2015-04-30 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9425217B2 (en) 2013-09-23 2016-08-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6570817B2 (ja) 2013-09-23 2019-09-04 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9397153B2 (en) 2013-09-23 2016-07-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6383616B2 (ja) 2013-09-25 2018-08-29 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
CN103489826B (zh) * 2013-09-26 2015-08-05 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、制备方法以及显示装置
US9799774B2 (en) 2013-09-26 2017-10-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Switch circuit, semiconductor device, and system
JP6392603B2 (ja) 2013-09-27 2018-09-19 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6581765B2 (ja) 2013-10-02 2019-09-25 株式会社半導体エネルギー研究所 ブートストラップ回路、およびブートストラップ回路を有する半導体装置
JP6386323B2 (ja) 2013-10-04 2018-09-05 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6101357B2 (ja) * 2013-10-09 2017-03-22 シャープ株式会社 半導体装置およびその製造方法
TWI741298B (zh) 2013-10-10 2021-10-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
US9293592B2 (en) 2013-10-11 2016-03-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
KR102211966B1 (ko) * 2013-10-14 2021-02-15 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치
JP6591739B2 (ja) 2013-10-16 2019-10-16 株式会社半導体エネルギー研究所 演算処理装置の駆動方法
TWI621127B (zh) 2013-10-18 2018-04-11 半導體能源研究所股份有限公司 運算處理裝置及其驅動方法
TWI642170B (zh) 2013-10-18 2018-11-21 半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置及電子裝置
JP2015179247A (ja) 2013-10-22 2015-10-08 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
KR102270823B1 (ko) * 2013-10-22 2021-06-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치와 그 제작 방법
DE102014220672A1 (de) 2013-10-22 2015-05-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Halbleitervorrichtung
KR20160074514A (ko) 2013-10-22 2016-06-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
US9455349B2 (en) 2013-10-22 2016-09-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor thin film transistor with reduced impurity diffusion
JP2015109424A (ja) 2013-10-22 2015-06-11 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、該半導体装置の作製方法、及び該半導体装置に用いるエッチング溶液
WO2015060133A1 (en) 2013-10-22 2015-04-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9583516B2 (en) 2013-10-25 2017-02-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
JP6457239B2 (ja) 2013-10-31 2019-01-23 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9590111B2 (en) 2013-11-06 2017-03-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device including the semiconductor device
JP6478562B2 (ja) 2013-11-07 2019-03-06 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6440457B2 (ja) 2013-11-07 2018-12-19 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9385054B2 (en) 2013-11-08 2016-07-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Data processing device and manufacturing method thereof
JP2015118724A (ja) 2013-11-13 2015-06-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及び半導体装置の駆動方法
KR102232539B1 (ko) * 2013-11-13 2021-03-29 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터, 이를 포함하는 표시 기판 및 박막 트랜지스터의 제조 방법
US9430180B2 (en) 2013-11-15 2016-08-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd Display panel and electronic device
JP6426437B2 (ja) 2013-11-22 2018-11-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6393590B2 (ja) 2013-11-22 2018-09-19 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6486660B2 (ja) 2013-11-27 2019-03-20 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
US9882014B2 (en) 2013-11-29 2018-01-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP2016001712A (ja) 2013-11-29 2016-01-07 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US20150155313A1 (en) 2013-11-29 2015-06-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR102361966B1 (ko) 2013-12-02 2022-02-14 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 그 제조방법
DE112014005486B4 (de) 2013-12-02 2024-08-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Anzeigevorrichtung
JP6496132B2 (ja) 2013-12-02 2019-04-03 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9991392B2 (en) 2013-12-03 2018-06-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP2016027597A (ja) 2013-12-06 2016-02-18 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9806098B2 (en) 2013-12-10 2017-10-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device
JP6570825B2 (ja) 2013-12-12 2019-09-04 株式会社半導体エネルギー研究所 電子機器
JP6537264B2 (ja) 2013-12-12 2019-07-03 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9349751B2 (en) 2013-12-12 2016-05-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
TWI642186B (zh) 2013-12-18 2018-11-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
TWI666770B (zh) 2013-12-19 2019-07-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
US9379192B2 (en) 2013-12-20 2016-06-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6444714B2 (ja) * 2013-12-20 2018-12-26 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
CN103730346B (zh) * 2013-12-24 2016-08-31 京东方科技集团股份有限公司 一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置
WO2015097586A1 (en) 2013-12-25 2015-07-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2015097596A1 (en) 2013-12-26 2015-07-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
TWI637484B (zh) 2013-12-26 2018-10-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
JP6402017B2 (ja) 2013-12-26 2018-10-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR20160102295A (ko) 2013-12-26 2016-08-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US9960280B2 (en) 2013-12-26 2018-05-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9406348B2 (en) 2013-12-26 2016-08-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory cell including transistor and capacitor
KR102658554B1 (ko) 2013-12-27 2024-04-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치
JP6446258B2 (ja) 2013-12-27 2018-12-26 株式会社半導体エネルギー研究所 トランジスタ
US9577110B2 (en) 2013-12-27 2017-02-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including an oxide semiconductor and the display device including the semiconductor device
US9397149B2 (en) 2013-12-27 2016-07-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6506961B2 (ja) 2013-12-27 2019-04-24 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置
KR102529174B1 (ko) 2013-12-27 2023-05-08 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
JP6506545B2 (ja) 2013-12-27 2019-04-24 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9349418B2 (en) 2013-12-27 2016-05-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for driving the same
JP6488124B2 (ja) 2013-12-27 2019-03-20 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR102230653B1 (ko) * 2013-12-31 2021-03-23 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법
JP6444723B2 (ja) 2014-01-09 2018-12-26 株式会社半導体エネルギー研究所 装置
US9300292B2 (en) 2014-01-10 2016-03-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Circuit including transistor
US9401432B2 (en) 2014-01-16 2016-07-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
US9379713B2 (en) 2014-01-17 2016-06-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Data processing device and driving method thereof
KR102306200B1 (ko) 2014-01-24 2021-09-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2015114476A1 (en) 2014-01-28 2015-08-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9929044B2 (en) 2014-01-30 2018-03-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing semiconductor device
JP6523695B2 (ja) 2014-02-05 2019-06-05 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9343443B2 (en) 2014-02-05 2016-05-17 Cooledge Lighting, Inc. Light-emitting dies incorporating wavelength-conversion materials and related methods
US9443876B2 (en) 2014-02-05 2016-09-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic device including the semiconductor device, the display device, and the display module
US9929279B2 (en) 2014-02-05 2018-03-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
TWI665778B (zh) 2014-02-05 2019-07-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置、模組及電子裝置
US9721968B2 (en) 2014-02-06 2017-08-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, electronic component, and electronic appliance
TWI658597B (zh) 2014-02-07 2019-05-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
JP6420165B2 (ja) 2014-02-07 2018-11-07 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
WO2015118436A1 (en) 2014-02-07 2015-08-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, device, and electronic device
US9479175B2 (en) 2014-02-07 2016-10-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
JP6545970B2 (ja) 2014-02-07 2019-07-17 株式会社半導体エネルギー研究所 装置
JP2015165226A (ja) 2014-02-07 2015-09-17 株式会社半導体エネルギー研究所 装置
KR102393626B1 (ko) 2014-02-11 2022-05-02 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 전자 기기
KR102317297B1 (ko) 2014-02-19 2021-10-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 산화물, 반도체 장치, 모듈, 및 전자 장치
US9817040B2 (en) 2014-02-21 2017-11-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Measuring method of low off-state current of transistor
JP2015172991A (ja) 2014-02-21 2015-10-01 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、電子部品、及び電子機器
TWI693606B (zh) 2014-02-21 2020-05-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及電子裝置
CN111524967B (zh) 2014-02-21 2024-07-12 株式会社半导体能源研究所 半导体膜、晶体管、半导体装置、显示装置以及电子设备
JP6542542B2 (ja) 2014-02-28 2019-07-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
CN112233982A (zh) 2014-02-28 2021-01-15 株式会社半导体能源研究所 半导体装置的制造方法
US10074576B2 (en) 2014-02-28 2018-09-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device
US9294096B2 (en) 2014-02-28 2016-03-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9564535B2 (en) 2014-02-28 2017-02-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic appliance including the semiconductor device, the display device, and the display module
JP6474280B2 (ja) 2014-03-05 2019-02-27 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR20150104518A (ko) 2014-03-05 2015-09-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 레벨 시프터 회로
JP6625328B2 (ja) 2014-03-06 2019-12-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の駆動方法
US9537478B2 (en) 2014-03-06 2017-01-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9397637B2 (en) 2014-03-06 2016-07-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Voltage controlled oscillator, semiconductor device, and electronic device
US10096489B2 (en) 2014-03-06 2018-10-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
WO2015132697A1 (en) 2014-03-07 2015-09-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6442321B2 (ja) 2014-03-07 2018-12-19 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及びその駆動方法、並びに電子機器
US9443872B2 (en) 2014-03-07 2016-09-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2015132694A1 (en) 2014-03-07 2015-09-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Touch sensor, touch panel, and manufacturing method of touch panel
KR102267237B1 (ko) 2014-03-07 2021-06-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 전자 기기
US9711536B2 (en) 2014-03-07 2017-07-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, electronic component, and electronic device
JP6607681B2 (ja) 2014-03-07 2019-11-20 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9419622B2 (en) 2014-03-07 2016-08-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6585354B2 (ja) 2014-03-07 2019-10-02 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR20160132405A (ko) 2014-03-12 2016-11-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US9324747B2 (en) 2014-03-13 2016-04-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device
JP6677449B2 (ja) 2014-03-13 2020-04-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の駆動方法
JP6541376B2 (ja) 2014-03-13 2019-07-10 株式会社半導体エネルギー研究所 プログラマブルロジックデバイスの動作方法
JP6525421B2 (ja) 2014-03-13 2019-06-05 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
WO2015136418A1 (en) 2014-03-13 2015-09-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device
JP6560508B2 (ja) 2014-03-13 2019-08-14 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9640669B2 (en) 2014-03-13 2017-05-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic appliance including the semiconductor device, the display device, and the display module
SG11201606647PA (en) 2014-03-14 2016-09-29 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Circuit system
JP2015188071A (ja) 2014-03-14 2015-10-29 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6559444B2 (ja) 2014-03-14 2019-08-14 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US9887212B2 (en) 2014-03-14 2018-02-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
US9917110B2 (en) 2014-03-14 2018-03-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9299848B2 (en) 2014-03-14 2016-03-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, RF tag, and electronic device
JP6509596B2 (ja) 2014-03-18 2019-05-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
SG11201606536XA (en) 2014-03-18 2016-09-29 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Semiconductor device and manufacturing method thereof
US9842842B2 (en) 2014-03-19 2017-12-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device and semiconductor device and electronic device having the same
US9887291B2 (en) 2014-03-19 2018-02-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic device including the semiconductor device, the display device, or the display module
JP6495698B2 (ja) 2014-03-20 2019-04-03 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、電子部品、及び電子機器
TWI657488B (zh) 2014-03-20 2019-04-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置、具有該半導體裝置的顯示裝置、具有該顯示裝置的顯示模組以及具有該半導體裝置、該顯示裝置和該顯示模組的電子裝置
CN106165106B (zh) 2014-03-28 2020-09-15 株式会社半导体能源研究所 晶体管以及半导体装置
JP2015197543A (ja) * 2014-03-31 2015-11-09 ソニー株式会社 実装基板および電子機器
JP6128046B2 (ja) 2014-03-31 2017-05-17 ソニー株式会社 実装基板および電子機器
JP2015197544A (ja) 2014-03-31 2015-11-09 ソニー株式会社 実装基板および電子機器
JP6487738B2 (ja) 2014-03-31 2019-03-20 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、電子部品
US9147607B1 (en) * 2014-04-10 2015-09-29 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Method of fabricating ultra short gate length thin film transistors using optical lithography
TWI767772B (zh) 2014-04-10 2022-06-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 記憶體裝置及半導體裝置
TWI646782B (zh) 2014-04-11 2019-01-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 保持電路、保持電路的驅動方法以及包括保持電路的半導體裝置
JP6635670B2 (ja) 2014-04-11 2020-01-29 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6541398B2 (ja) 2014-04-11 2019-07-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9674470B2 (en) 2014-04-11 2017-06-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, method for driving semiconductor device, and method for driving electronic device
KR102511325B1 (ko) 2014-04-18 2023-03-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 그 동작 방법
DE112015001878B4 (de) 2014-04-18 2021-09-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Halbleitervorrichtung und elektronisches Gerät
KR102318728B1 (ko) 2014-04-18 2021-10-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치와 이를 가지는 표시 장치
JP6613044B2 (ja) 2014-04-22 2019-11-27 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置、表示モジュール、及び電子機器
JP2015215606A (ja) 2014-04-22 2015-12-03 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置、およびそれを備える電子機器
KR102380829B1 (ko) 2014-04-23 2022-03-31 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 촬상 장치
JP6468686B2 (ja) 2014-04-25 2019-02-13 株式会社半導体エネルギー研究所 入出力装置
US9780226B2 (en) 2014-04-25 2017-10-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
KR102330412B1 (ko) 2014-04-25 2021-11-25 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 전자 부품, 및 전자 기기
TWI643457B (zh) 2014-04-25 2018-12-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
US10043913B2 (en) 2014-04-30 2018-08-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor film, semiconductor device, display device, module, and electronic device
US10656799B2 (en) 2014-05-02 2020-05-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and operation method thereof
TWI679624B (zh) 2014-05-02 2019-12-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
JP6537341B2 (ja) 2014-05-07 2019-07-03 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
WO2015170220A1 (en) 2014-05-09 2015-11-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device and electronic device
JP6653997B2 (ja) 2014-05-09 2020-02-26 株式会社半導体エネルギー研究所 表示補正回路及び表示装置
KR102333604B1 (ko) 2014-05-15 2021-11-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 이 반도체 장치를 포함하는 표시 장치
JP6612056B2 (ja) 2014-05-16 2019-11-27 株式会社半導体エネルギー研究所 撮像装置、及び監視装置
JP2015233130A (ja) 2014-05-16 2015-12-24 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体基板および半導体装置の作製方法
JP6580863B2 (ja) 2014-05-22 2019-09-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、健康管理システム
TWI672804B (zh) 2014-05-23 2019-09-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置的製造方法
JP6616102B2 (ja) 2014-05-23 2019-12-04 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶装置及び電子機器
US10020403B2 (en) 2014-05-27 2018-07-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR20170003674A (ko) * 2014-05-27 2017-01-09 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
KR20150137214A (ko) * 2014-05-28 2015-12-09 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법
US9874775B2 (en) 2014-05-28 2018-01-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and electronic device
KR102354008B1 (ko) 2014-05-29 2022-01-24 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 반도체 장치의 제작 방법 및 전자 기기
JP6653129B2 (ja) 2014-05-29 2020-02-26 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶装置
KR20150138026A (ko) 2014-05-29 2015-12-09 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
JP6525722B2 (ja) 2014-05-29 2019-06-05 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶装置、電子部品、及び電子機器
KR102418666B1 (ko) 2014-05-29 2022-07-11 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 촬상 소자, 전자 기기, 촬상 소자의 구동 방법, 및 전자 기기의 구동 방법
US9831238B2 (en) 2014-05-30 2017-11-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including insulating film having opening portion and conductive film in the opening portion
TWI646658B (zh) 2014-05-30 2019-01-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
TWI663726B (zh) 2014-05-30 2019-06-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. 半導體裝置、模組及電子裝置
WO2015181997A1 (en) 2014-05-30 2015-12-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP6537892B2 (ja) 2014-05-30 2019-07-03 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、及び電子機器
KR102259172B1 (ko) 2014-05-30 2021-06-01 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 이의 제조 방법, 및 전자 장치
JP6538426B2 (ja) 2014-05-30 2019-07-03 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及び電子機器
US9881954B2 (en) 2014-06-11 2018-01-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device
JP2016015475A (ja) 2014-06-13 2016-01-28 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、及び電子機器
KR102437450B1 (ko) 2014-06-13 2022-08-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 및 반도체 장치를 포함하는 전자 기기
KR102344782B1 (ko) 2014-06-13 2021-12-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 입력 장치 및 입출력 장치
TWI663733B (zh) 2014-06-18 2019-06-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 電晶體及半導體裝置
TWI666776B (zh) 2014-06-20 2019-07-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置以及包括該半導體裝置的顯示裝置
KR20150146409A (ko) 2014-06-20 2015-12-31 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 표시 장치, 입출력 장치, 및 전자 기기
US9722090B2 (en) 2014-06-23 2017-08-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including first gate oxide semiconductor film, and second gate
JP6545541B2 (ja) 2014-06-25 2019-07-17 株式会社半導体エネルギー研究所 撮像装置、監視装置、及び電子機器
US10002971B2 (en) 2014-07-03 2018-06-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device including the semiconductor device
US9647129B2 (en) 2014-07-04 2017-05-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9729809B2 (en) 2014-07-11 2017-08-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method of semiconductor device or electronic device
US9461179B2 (en) 2014-07-11 2016-10-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film transistor device (TFT) comprising stacked oxide semiconductor layers and having a surrounded channel structure
KR20220069118A (ko) 2014-07-15 2022-05-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치와 그 제작 방법, 및 상기 반도체 장치를 포함하는 표시 장치
JP6581825B2 (ja) 2014-07-18 2019-09-25 株式会社半導体エネルギー研究所 表示システム
JP2016029795A (ja) 2014-07-18 2016-03-03 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、撮像装置及び電子機器
WO2016012893A1 (en) 2014-07-25 2016-01-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oscillator circuit and semiconductor device including the same
US9312280B2 (en) 2014-07-25 2016-04-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US10115830B2 (en) 2014-07-29 2018-10-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, manufacturing method thereof, and electronic device
CN106537486B (zh) 2014-07-31 2020-09-15 株式会社半导体能源研究所 显示装置及电子装置
JP6555956B2 (ja) 2014-07-31 2019-08-07 株式会社半導体エネルギー研究所 撮像装置、監視装置、及び電子機器
US9705004B2 (en) 2014-08-01 2017-07-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
DE102014111140B4 (de) * 2014-08-05 2019-08-14 Infineon Technologies Austria Ag Halbleitervorrichtung mit Feldeffektstrukturen mit verschiedenen Gatematerialien und Verfahren zur Herstellung davon
JP6652342B2 (ja) 2014-08-08 2020-02-19 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6739150B2 (ja) 2014-08-08 2020-08-12 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、発振回路、位相同期回路及び電子機器
JP6553444B2 (ja) 2014-08-08 2019-07-31 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US10147747B2 (en) 2014-08-21 2018-12-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, manufacturing method thereof, and electronic device
US10032888B2 (en) 2014-08-22 2018-07-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, and electronic appliance having semiconductor device
US10559667B2 (en) 2014-08-25 2020-02-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for measuring current of semiconductor device
KR102509203B1 (ko) 2014-08-29 2023-03-14 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 촬상 장치 및 전자 기기
WO2016034983A1 (en) 2014-09-02 2016-03-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device and electronic device
KR102329498B1 (ko) 2014-09-04 2021-11-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
JP2016066065A (ja) 2014-09-05 2016-04-28 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置、および電子機器
US9766517B2 (en) 2014-09-05 2017-09-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and display module
US9722091B2 (en) 2014-09-12 2017-08-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
JP6676316B2 (ja) 2014-09-12 2020-04-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US9299853B1 (en) * 2014-09-16 2016-03-29 Eastman Kodak Company Bottom gate TFT with multilayer passivation
JP2016066788A (ja) 2014-09-19 2016-04-28 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体膜の評価方法および半導体装置の作製方法
KR20160034200A (ko) 2014-09-19 2016-03-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제작 방법
DE112015004272T5 (de) 2014-09-19 2017-06-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Herstellungsverfahren der Halbleitervorrichtung
US9401364B2 (en) 2014-09-19 2016-07-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, electronic component, and electronic device
US9431244B2 (en) * 2014-09-24 2016-08-30 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Laser annealing technique for metal oxide TFT
US10071904B2 (en) 2014-09-25 2018-09-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display module, and electronic device
JP6633330B2 (ja) 2014-09-26 2020-01-22 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US10170055B2 (en) 2014-09-26 2019-01-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and driving method thereof
WO2016046685A1 (en) 2014-09-26 2016-03-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device
JP2016111677A (ja) 2014-09-26 2016-06-20 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、無線センサ、及び電子機器
US9450581B2 (en) 2014-09-30 2016-09-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Logic circuit, semiconductor device, electronic component, and electronic device
WO2016055894A1 (en) 2014-10-06 2016-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
US9698170B2 (en) 2014-10-07 2017-07-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display module, and electronic device
WO2016055903A1 (en) 2014-10-10 2016-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, circuit board, and electronic device
KR20220119177A (ko) 2014-10-10 2022-08-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 논리 회로, 처리 유닛, 전자 부품, 및 전자 기기
KR20160043576A (ko) 2014-10-13 2016-04-22 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
KR101624695B1 (ko) * 2014-10-14 2016-05-26 서종현 박막 트랜지스터 제조 방법 및 박막 트랜지스터
US9991393B2 (en) 2014-10-16 2018-06-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, module, and electronic device
JP6645793B2 (ja) 2014-10-17 2020-02-14 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
WO2016063159A1 (en) 2014-10-20 2016-04-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof, module, and electronic device
US10068927B2 (en) 2014-10-23 2018-09-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display module, and electronic device
JP6615565B2 (ja) 2014-10-24 2019-12-04 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR102396288B1 (ko) 2014-10-27 2022-05-10 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
US9704704B2 (en) 2014-10-28 2017-07-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device including the same
CN107111972B (zh) 2014-10-28 2020-04-28 株式会社半导体能源研究所 功能面板、功能面板的制造方法、模块、数据处理装置
WO2016067144A1 (en) * 2014-10-28 2016-05-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, manufacturing method of display device, and electronic device
TWI652362B (zh) 2014-10-28 2019-03-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 氧化物及其製造方法
JP2016092413A (ja) 2014-10-29 2016-05-23 株式会社半導体エネルギー研究所 撮像装置および電子機器
JP6780927B2 (ja) 2014-10-31 2020-11-04 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US10680017B2 (en) 2014-11-07 2020-06-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element including EL layer, electrode which has high reflectance and a high work function, display device, electronic device, and lighting device
US9584707B2 (en) 2014-11-10 2017-02-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device and electronic device
US9548327B2 (en) 2014-11-10 2017-01-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device having a selenium containing photoelectric conversion layer
CN104319262B (zh) * 2014-11-13 2017-02-01 京东方科技集团股份有限公司 一种多晶氧化物薄膜晶体管阵列基板及其制备方法
TWI581317B (zh) 2014-11-14 2017-05-01 群創光電股份有限公司 薄膜電晶體基板及具備該薄膜電晶體基板之顯示面板
TWI766298B (zh) 2014-11-21 2022-06-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
JP6563313B2 (ja) 2014-11-21 2019-08-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、及び電子機器
TWI711165B (zh) 2014-11-21 2020-11-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及電子裝置
US9438234B2 (en) 2014-11-21 2016-09-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Logic circuit and semiconductor device including logic circuit
KR102456654B1 (ko) 2014-11-26 2022-10-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 전자 기기
KR102524983B1 (ko) 2014-11-28 2023-04-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 모듈, 및 전자 기기
JP6647841B2 (ja) 2014-12-01 2020-02-14 株式会社半導体エネルギー研究所 酸化物の作製方法
JP6613116B2 (ja) 2014-12-02 2019-11-27 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、及び半導体装置の作製方法
JP6667267B2 (ja) 2014-12-08 2020-03-18 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6647846B2 (ja) 2014-12-08 2020-02-14 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6833315B2 (ja) 2014-12-10 2021-02-24 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、及び電子機器
JP6689062B2 (ja) 2014-12-10 2020-04-28 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
WO2016092427A1 (en) 2014-12-10 2016-06-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US9773832B2 (en) 2014-12-10 2017-09-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
WO2016092416A1 (en) 2014-12-11 2016-06-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, memory device, and electronic device
JP6676354B2 (ja) 2014-12-16 2020-04-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2016116220A (ja) 2014-12-16 2016-06-23 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、及び電子機器
KR102581808B1 (ko) 2014-12-18 2023-09-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 센서 장치, 및 전자 기기
US10396210B2 (en) 2014-12-26 2019-08-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device with stacked metal oxide and oxide semiconductor layers and display device including the semiconductor device
TWI686874B (zh) 2014-12-26 2020-03-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置、顯示裝置、顯示模組、電子裝置、氧化物及氧化物的製造方法
KR20170101233A (ko) 2014-12-26 2017-09-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 스퍼터링용 타깃의 제작 방법
WO2016108122A1 (en) 2014-12-29 2016-07-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device having semiconductor device
US10522693B2 (en) 2015-01-16 2019-12-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device and electronic device
US9633710B2 (en) 2015-01-23 2017-04-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for operating semiconductor device
JP6857447B2 (ja) 2015-01-26 2021-04-14 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9954112B2 (en) 2015-01-26 2018-04-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US9443564B2 (en) 2015-01-26 2016-09-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, electronic component, and electronic device
US9647132B2 (en) 2015-01-30 2017-05-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and memory device
TWI792065B (zh) 2015-01-30 2023-02-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 成像裝置及電子裝置
WO2016125049A1 (en) 2015-02-02 2016-08-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide and manufacturing method thereof
KR20240090743A (ko) 2015-02-04 2024-06-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 반도체 장치의 제조 방법, 또는 반도체 장치를 포함하는 표시 장치
TWI683365B (zh) 2015-02-06 2020-01-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 裝置及其製造方法以及電子裝置
US9660100B2 (en) 2015-02-06 2017-05-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP6674269B2 (ja) 2015-02-09 2020-04-01 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、及び半導体装置の作製方法
JP6717604B2 (ja) 2015-02-09 2020-07-01 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、中央処理装置及び電子機器
WO2016128859A1 (en) 2015-02-11 2016-08-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
WO2016128854A1 (en) 2015-02-12 2016-08-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor film and semiconductor device
JP2016154225A (ja) 2015-02-12 2016-08-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置およびその作製方法
US9818880B2 (en) 2015-02-12 2017-11-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device including the semiconductor device
US10249644B2 (en) 2015-02-13 2019-04-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method of the same
TWI696108B (zh) 2015-02-13 2020-06-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 功能面板、功能模組、發光模組、顯示模組、位置資料輸入模組、發光裝置、照明設備、顯示裝置、資料處理裝置、功能面板的製造方法
US10403646B2 (en) 2015-02-20 2019-09-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US9991394B2 (en) 2015-02-20 2018-06-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and fabrication method thereof
US9489988B2 (en) 2015-02-20 2016-11-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device
JP6711642B2 (ja) 2015-02-25 2020-06-17 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6739185B2 (ja) 2015-02-26 2020-08-12 株式会社半導体エネルギー研究所 ストレージシステム、およびストレージ制御回路
US9653613B2 (en) 2015-02-27 2017-05-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP6744108B2 (ja) 2015-03-02 2020-08-19 株式会社半導体エネルギー研究所 トランジスタ、トランジスタの作製方法、半導体装置および電子機器
WO2016139560A1 (en) 2015-03-03 2016-09-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor film, semiconductor device including the oxide semiconductor film, and display device including the semiconductor device
WO2016139828A1 (ja) * 2015-03-03 2016-09-09 株式会社 東芝 半導体装置
CN107408579B (zh) 2015-03-03 2021-04-02 株式会社半导体能源研究所 半导体装置、该半导体装置的制造方法或包括该半导体装置的显示装置
TWI718125B (zh) 2015-03-03 2021-02-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
US9905700B2 (en) 2015-03-13 2018-02-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device or memory device and driving method thereof
JP6765199B2 (ja) 2015-03-17 2020-10-07 株式会社半導体エネルギー研究所 タッチパネル
US9964799B2 (en) 2015-03-17 2018-05-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, display module, and electronic device
US10008609B2 (en) 2015-03-17 2018-06-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, method for manufacturing the same, or display device including the same
US9882061B2 (en) 2015-03-17 2018-01-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
CN107430461B (zh) 2015-03-17 2022-01-28 株式会社半导体能源研究所 触摸屏
US10134332B2 (en) 2015-03-18 2018-11-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, electronic device, and driving method of display device
US10147823B2 (en) 2015-03-19 2018-12-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6662665B2 (ja) 2015-03-19 2020-03-11 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置及び該液晶表示装置を用いた電子機器
KR102582523B1 (ko) 2015-03-19 2023-09-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 전자 기기
CN104752441B (zh) 2015-03-20 2018-03-16 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置
US9842938B2 (en) 2015-03-24 2017-12-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device including semiconductor device
JP6688116B2 (ja) 2015-03-24 2020-04-28 株式会社半導体エネルギー研究所 撮像装置および電子機器
KR20160114511A (ko) 2015-03-24 2016-10-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제작 방법
US10429704B2 (en) 2015-03-26 2019-10-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, display module including the display device, and electronic device including the display device or the display module
US10096715B2 (en) 2015-03-26 2018-10-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, method for manufacturing the same, and electronic device
US9806200B2 (en) 2015-03-27 2017-10-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
TWI695513B (zh) 2015-03-27 2020-06-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及電子裝置
TWI803287B (zh) 2015-03-27 2023-05-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 觸控面板
JP6736321B2 (ja) 2015-03-27 2020-08-05 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の製造方法
TW202316486A (zh) 2015-03-30 2023-04-16 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置的製造方法
US9716852B2 (en) 2015-04-03 2017-07-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Broadcast system
US9685476B2 (en) 2015-04-03 2017-06-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device and electronic device
US10389961B2 (en) 2015-04-09 2019-08-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device and electronic device
JP2017010000A (ja) 2015-04-13 2017-01-12 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
KR102546189B1 (ko) 2015-04-13 2023-06-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US10372274B2 (en) 2015-04-13 2019-08-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and touch panel
US10460984B2 (en) 2015-04-15 2019-10-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for fabricating electrode and semiconductor device
US10056497B2 (en) 2015-04-15 2018-08-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP2016206659A (ja) 2015-04-16 2016-12-08 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置および電子機器、並びに表示装置の駆動方法
KR101627815B1 (ko) * 2015-04-21 2016-06-08 인천대학교 산학협력단 비결정질 이그조(igzo) tft 기반 트랜젼트 반도체의 제조 방법
US9848146B2 (en) 2015-04-23 2017-12-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device and electronic device
US10192995B2 (en) 2015-04-28 2019-01-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US10002970B2 (en) 2015-04-30 2018-06-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, manufacturing method of the same, or display device including the same
US9613803B2 (en) 2015-04-30 2017-04-04 International Business Machines Corporation Low defect relaxed SiGe/strained Si structures on implant anneal buffer/strain relaxed buffer layers with epitaxial rare earth oxide interlayers and methods to fabricate same
KR102549926B1 (ko) 2015-05-04 2023-06-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 반도체 장치의 제작 방법, 및 전자기기
US10671204B2 (en) 2015-05-04 2020-06-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Touch panel and data processor
US10306168B2 (en) 2015-05-04 2019-05-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, imaging system, and electronic device
US9666655B2 (en) 2015-05-05 2017-05-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
JP6681780B2 (ja) 2015-05-07 2020-04-15 株式会社半導体エネルギー研究所 表示システムおよび電子機器
DE102016206922A1 (de) 2015-05-08 2016-11-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Touchscreen
US9912897B2 (en) 2015-05-11 2018-03-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device and electronic device
DE102016207737A1 (de) 2015-05-11 2016-11-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Halbleitervorrichtung, Verfahren zum Herstellen der Halbleitervorrichtung, Reifen und beweglicher Gegenstand
TWI693719B (zh) 2015-05-11 2020-05-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置的製造方法
US11728356B2 (en) 2015-05-14 2023-08-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Photoelectric conversion element and imaging device
JP6935171B2 (ja) 2015-05-14 2021-09-15 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9627034B2 (en) 2015-05-15 2017-04-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device
CN114695562A (zh) 2015-05-22 2022-07-01 株式会社半导体能源研究所 半导体装置以及包括该半导体装置的显示装置
US9837547B2 (en) 2015-05-22 2017-12-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising oxide conductor and display device including the semiconductor device
JP2016225614A (ja) 2015-05-26 2016-12-28 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6773453B2 (ja) 2015-05-26 2020-10-21 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶装置及び電子機器
JP6901831B2 (ja) 2015-05-26 2021-07-14 株式会社半導体エネルギー研究所 メモリシステム、及び情報処理システム
US10684500B2 (en) 2015-05-27 2020-06-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Touch panel
US10139663B2 (en) 2015-05-29 2018-11-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Input/output device and electronic device
CN105097942A (zh) * 2015-06-12 2015-11-25 京东方科技集团股份有限公司 薄膜晶体管及其制作方法、氧化物背板和显示装置
KR102553553B1 (ko) 2015-06-12 2023-07-10 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 촬상 장치, 및 그 동작 방법 및 전자 기기
KR102619052B1 (ko) 2015-06-15 2023-12-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
DE112016002769T5 (de) 2015-06-19 2018-03-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Halbleitervorrichtung, Herstellungsverfahren dafür und elektronisches Gerät
US9860465B2 (en) 2015-06-23 2018-01-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device and electronic device
US9935633B2 (en) 2015-06-30 2018-04-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Logic circuit, semiconductor device, electronic component, and electronic device
US10290573B2 (en) 2015-07-02 2019-05-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
US9917209B2 (en) 2015-07-03 2018-03-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device including step of forming trench over semiconductor
WO2017006419A1 (ja) 2015-07-06 2017-01-12 堺ディスプレイプロダクト株式会社 表示装置
TWI738569B (zh) 2015-07-07 2021-09-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 成像裝置及其運作方法
US10181531B2 (en) 2015-07-08 2019-01-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including transistor having low parasitic capacitance
JP2017022377A (ja) 2015-07-14 2017-01-26 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9887218B2 (en) 2015-07-16 2018-02-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device, operating method thereof, and electronic device
US10501003B2 (en) 2015-07-17 2019-12-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, lighting device, and vehicle
US10985278B2 (en) 2015-07-21 2021-04-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US10163948B2 (en) 2015-07-23 2018-12-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device and electronic device
US10978489B2 (en) 2015-07-24 2021-04-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display panel, method for manufacturing semiconductor device, method for manufacturing display panel, and information processing device
US11024725B2 (en) 2015-07-24 2021-06-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including metal oxide film
US11189736B2 (en) 2015-07-24 2021-11-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US10424671B2 (en) 2015-07-29 2019-09-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, circuit board, and electronic device
US9825177B2 (en) 2015-07-30 2017-11-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of a semiconductor device using multiple etching mask
US10115828B2 (en) * 2015-07-30 2018-10-30 Ricoh Company, Ltd. Field-effect transistor, display element, image display device, and system
US10585506B2 (en) 2015-07-30 2020-03-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device with high visibility regardless of illuminance of external light
CN106409919A (zh) 2015-07-30 2017-02-15 株式会社半导体能源研究所 半导体装置以及包括该半导体装置的显示装置
KR102513517B1 (ko) 2015-07-30 2023-03-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 전자 기기
US9911861B2 (en) 2015-08-03 2018-03-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, manufacturing method of the same, and electronic device
US9876946B2 (en) 2015-08-03 2018-01-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device and electronic device
US10553690B2 (en) 2015-08-04 2020-02-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP6791661B2 (ja) 2015-08-07 2020-11-25 株式会社半導体エネルギー研究所 表示パネル
US10389922B2 (en) * 2015-08-15 2019-08-20 Nikon Corporation Multi-wavelength detector
US10373991B2 (en) 2015-08-19 2019-08-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device, operating method thereof, and electronic device
US9893202B2 (en) * 2015-08-19 2018-02-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
JP2017041877A (ja) 2015-08-21 2017-02-23 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、電子部品、および電子機器
US9666606B2 (en) 2015-08-21 2017-05-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
US9773919B2 (en) 2015-08-26 2017-09-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
WO2017037564A1 (en) 2015-08-28 2017-03-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor, transistor, and semiconductor device
US9911756B2 (en) 2015-08-31 2018-03-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including transistor and electronic device surrounded by layer having assigned band gap to prevent electrostatic discharge damage
JP2017050537A (ja) 2015-08-31 2017-03-09 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US10090344B2 (en) 2015-09-07 2018-10-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device, method for operating the same, module, and electronic device
KR102618850B1 (ko) 2015-09-10 2023-12-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 촬상 장치, 모듈, 전자 기기, 및 촬상 장치의 동작 방법
JP6807683B2 (ja) 2015-09-11 2021-01-06 株式会社半導体エネルギー研究所 入出力パネル
SG10201607278TA (en) 2015-09-18 2017-04-27 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Semiconductor device and electronic device
JP2017063420A (ja) 2015-09-25 2017-03-30 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
CN108140657A (zh) 2015-09-30 2018-06-08 株式会社半导体能源研究所 半导体装置及电子设备
US10109667B2 (en) 2015-10-09 2018-10-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device, module, and electronic device
WO2017064590A1 (en) 2015-10-12 2017-04-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
WO2017064587A1 (en) 2015-10-12 2017-04-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display panel, input/output device, data processor, and method for manufacturing display panel
US9852926B2 (en) 2015-10-20 2017-12-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method for semiconductor device
WO2017068490A1 (en) 2015-10-23 2017-04-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
DE112016000146T5 (de) 2015-10-23 2017-07-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Halbleitervorrichtung und elektronische Vorrichtung
US10007161B2 (en) 2015-10-26 2018-06-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
SG10201608814YA (en) 2015-10-29 2017-05-30 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device
US9773787B2 (en) 2015-11-03 2017-09-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, memory device, electronic device, or method for driving the semiconductor device
US9741400B2 (en) 2015-11-05 2017-08-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, memory device, electronic device, and method for operating the semiconductor device
US10312373B2 (en) 2015-11-17 2019-06-04 Ricoh Company, Ltd. Field-effect transistor (FET) having oxide insulating layer disposed on gate insulating film and between source and drain electrodes, and display element, display and system including said FET, and method of manufacturing said FET
JP6796461B2 (ja) 2015-11-18 2020-12-09 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、コンピュータ及び電子機器
KR20170061602A (ko) 2015-11-26 2017-06-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 전자 기기
US10868045B2 (en) 2015-12-11 2020-12-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor, semiconductor device, and electronic device
JP2018032839A (ja) 2015-12-11 2018-03-01 株式会社半導体エネルギー研究所 トランジスタ、回路、半導体装置、表示装置および電子機器
JP6907512B2 (ja) * 2015-12-15 2021-07-21 株式会社リコー 電界効果型トランジスタの製造方法
US10050152B2 (en) 2015-12-16 2018-08-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor, semiconductor device, and electronic device
CN106887436B (zh) * 2015-12-16 2019-10-25 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 薄膜晶体管阵列基板及其制备方法
CN105514211B (zh) * 2015-12-18 2017-08-25 河南大学 一种栅压控制的透明场效应紫外探测器及其制备方法
JP6802701B2 (ja) * 2015-12-18 2020-12-16 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置、モジュール及び電子機器
KR20180095836A (ko) 2015-12-18 2018-08-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 상기 반도체 장치를 포함한 표시 장치
US10177142B2 (en) 2015-12-25 2019-01-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Circuit, logic circuit, processor, electronic component, and electronic device
WO2017115225A2 (en) * 2015-12-28 2017-07-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Flexible device, display device, and manufacturing methods thereof
KR102687427B1 (ko) 2015-12-28 2024-07-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치를 포함하는 표시 장치
US10020336B2 (en) 2015-12-28 2018-07-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device and electronic device using three dimentional (3D) integration
JP2017135698A (ja) 2015-12-29 2017-08-03 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、コンピュータ及び電子機器
KR20180099725A (ko) 2015-12-29 2018-09-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 금속 산화물막 및 반도체 장치
JP6851814B2 (ja) 2015-12-29 2021-03-31 株式会社半導体エネルギー研究所 トランジスタ
US9728650B1 (en) * 2016-01-14 2017-08-08 Hon Hai Precision Industry Co., Ltd. Thin film transistor array panel and conducting structure
US10027896B2 (en) 2016-01-15 2018-07-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Image display system, operation method of the same, and electronic device
US10580798B2 (en) 2016-01-15 2020-03-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR102233786B1 (ko) 2016-01-18 2021-03-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 금속 산화물막, 반도체 장치, 및 표시 장치
US9905657B2 (en) 2016-01-20 2018-02-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
JP6822853B2 (ja) 2016-01-21 2021-01-27 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶装置及び記憶装置の駆動方法
US10411013B2 (en) 2016-01-22 2019-09-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and memory device
US10334196B2 (en) 2016-01-25 2019-06-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US10700212B2 (en) 2016-01-28 2020-06-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, semiconductor wafer, module, electronic device, and manufacturing method thereof
US9947700B2 (en) 2016-02-03 2018-04-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device and electronic device
US10115741B2 (en) 2016-02-05 2018-10-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
US10250247B2 (en) 2016-02-10 2019-04-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, electronic component, and electronic device
JP6970511B2 (ja) 2016-02-12 2021-11-24 株式会社半導体エネルギー研究所 トランジスタ
KR102655935B1 (ko) 2016-02-12 2024-04-11 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 상기 반도체 장치를 포함하는 표시 장치
US9954003B2 (en) 2016-02-17 2018-04-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
US10573621B2 (en) 2016-02-25 2020-02-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging system and manufacturing apparatus
TWI585954B (zh) * 2016-03-02 2017-06-01 群創光電股份有限公司 電晶體陣列基板及應用之顯示面板
WO2017149428A1 (en) 2016-03-04 2017-09-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, manufacturing method thereof, and display device including the semiconductor device
US10263114B2 (en) 2016-03-04 2019-04-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, method for manufacturing the same, or display device including the same
WO2017149413A1 (en) 2016-03-04 2017-09-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP6904730B2 (ja) 2016-03-08 2021-07-21 株式会社半導体エネルギー研究所 撮像装置
US9882064B2 (en) 2016-03-10 2018-01-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor and electronic device
US10014325B2 (en) 2016-03-10 2018-07-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
WO2017158464A1 (en) 2016-03-15 2017-09-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, module, and electronic device
SG10201701689UA (en) 2016-03-18 2017-10-30 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device, semiconductor wafer, and electronic device
US10536657B2 (en) 2016-03-18 2020-01-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device and electronic device
US10333004B2 (en) 2016-03-18 2019-06-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, semiconductor wafer, module and electronic device
US10096720B2 (en) 2016-03-25 2018-10-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor, semiconductor device, and electronic device
JP6668455B2 (ja) 2016-04-01 2020-03-18 株式会社半導体エネルギー研究所 酸化物半導体膜の作製方法
KR102320483B1 (ko) * 2016-04-08 2021-11-02 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
KR102295315B1 (ko) 2016-04-15 2021-08-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 전자 부품, 및 전자 기기
US10236875B2 (en) 2016-04-15 2019-03-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for operating the semiconductor device
JP6968567B2 (ja) 2016-04-22 2021-11-17 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US10032918B2 (en) 2016-04-22 2018-07-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US10008502B2 (en) 2016-05-04 2018-06-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device
KR20240145076A (ko) 2016-05-19 2024-10-04 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 복합 산화물 반도체 및 트랜지스터
US10043659B2 (en) 2016-05-20 2018-08-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device or display device including the same
JP7109887B2 (ja) 2016-05-20 2022-08-01 株式会社半導体エネルギー研究所 表示システム
US9998119B2 (en) 2016-05-20 2018-06-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, electronic component, and electronic device
CN114864381A (zh) 2016-05-20 2022-08-05 株式会社半导体能源研究所 半导体装置或包括该半导体装置的显示装置
US10242617B2 (en) 2016-06-03 2019-03-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, display module, electronic device, and driving method
WO2017208119A1 (en) 2016-06-03 2017-12-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Metal oxide and field-effect transistor
CN106094300B (zh) * 2016-06-03 2019-04-09 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板及其制作方法、显示装置
US10078243B2 (en) 2016-06-03 2018-09-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
TWI722048B (zh) 2016-06-10 2021-03-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置及電子裝置
TW201809828A (zh) * 2016-06-17 2018-03-16 半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置
KR102330605B1 (ko) 2016-06-22 2021-11-24 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
TWI718208B (zh) 2016-06-30 2021-02-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置及其工作方法以及電子裝置
TWI737665B (zh) 2016-07-01 2021-09-01 日商半導體能源硏究所股份有限公司 半導體裝置以及半導體裝置的製造方法
TWI709952B (zh) 2016-07-01 2020-11-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 電子裝置、電子裝置的驅動方法
TWI720097B (zh) 2016-07-11 2021-03-01 日商半導體能源硏究所股份有限公司 濺射靶材及濺射靶材的製造方法
KR20190032414A (ko) 2016-07-26 2019-03-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR102446134B1 (ko) 2016-07-29 2022-09-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 표시 시스템, 및 전자 기기
WO2018025116A1 (en) 2016-08-03 2018-02-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device, imaging module, electronic device, and imaging system
KR102458660B1 (ko) 2016-08-03 2022-10-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 전자 기기
US10205008B2 (en) 2016-08-03 2019-02-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
US10678078B2 (en) 2016-08-05 2020-06-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method for manufacturing the display device
KR20180016271A (ko) 2016-08-05 2018-02-14 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
US10141544B2 (en) 2016-08-10 2018-11-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electroluminescent display device and manufacturing method thereof
US10816841B2 (en) 2016-08-17 2020-10-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
JP2018032018A (ja) 2016-08-17 2018-03-01 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、表示モジュール及び電子機器
CN109565280B (zh) 2016-08-19 2023-02-17 株式会社半导体能源研究所 半导体装置的电源控制方法
TWI718330B (zh) 2016-08-24 2021-02-11 日商半導體能源硏究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
WO2018042285A1 (en) 2016-08-30 2018-03-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display device, and electronic device
US9978879B2 (en) 2016-08-31 2018-05-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2018042284A1 (en) * 2016-08-31 2018-03-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
WO2018060817A1 (en) 2016-09-30 2018-04-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display system and electronic device
KR20180037105A (ko) 2016-10-03 2018-04-11 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치, 표시 모듈, 및 표시 장치의 제작 방법
US10411003B2 (en) 2016-10-14 2019-09-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
WO2018073689A1 (en) 2016-10-21 2018-04-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR102490188B1 (ko) 2016-11-09 2023-01-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치, 표시 모듈, 전자 기기, 및 표시 장치의 제작 방법
KR20190105566A (ko) * 2016-11-14 2019-09-17 알마마 테르 스투디오룸 유니베르시타‘ 디 볼로냐 감지 전계 효과 소자 및 그 제조 방법
KR20180055701A (ko) 2016-11-17 2018-05-25 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법
US10790318B2 (en) 2016-11-22 2020-09-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, method for manufacturing the same, and electronic device
JP7050460B2 (ja) 2016-11-22 2022-04-08 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
JP7089478B2 (ja) 2016-11-23 2022-06-22 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置、表示モジュール、及び電子機器
US20180145096A1 (en) 2016-11-23 2018-05-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device
CN114115609B (zh) 2016-11-25 2024-09-03 株式会社半导体能源研究所 显示装置及其工作方法
US10756118B2 (en) 2016-11-30 2020-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, display module, and electronic device
CN110024135B (zh) 2016-12-02 2023-10-17 株式会社半导体能源研究所 半导体装置
US10748479B2 (en) 2016-12-07 2020-08-18 Semiconductor Energy Laboratories Co., Ltd. Semiconductor device, display system, and electronic device
US10147681B2 (en) 2016-12-09 2018-12-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
TWI651848B (zh) * 2016-12-13 2019-02-21 友達光電股份有限公司 金屬氧化物半導體層的結晶方法、半導體結構、主動陣列基板、及氧化銦鎵鋅晶體
US10319743B2 (en) 2016-12-16 2019-06-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display system, and electronic device
JP7126823B2 (ja) 2016-12-23 2022-08-29 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
WO2018122665A1 (en) 2016-12-27 2018-07-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display panel, display device, input/output device, and data processing device
CN113660439A (zh) 2016-12-27 2021-11-16 株式会社半导体能源研究所 摄像装置及电子设备
CN110100203B (zh) 2017-01-11 2023-04-21 株式会社半导体能源研究所 显示装置
JP7110116B2 (ja) 2017-01-16 2022-08-01 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
WO2018130930A1 (en) 2017-01-16 2018-07-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
TWI748035B (zh) 2017-01-20 2021-12-01 日商半導體能源硏究所股份有限公司 顯示系統及電子裝置
DE112018000492T5 (de) 2017-01-24 2019-10-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Anzeigevorrichtung und elektronisches Gerät
WO2018138604A1 (en) 2017-01-27 2018-08-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Capacitor, semiconductor device, and manufacturing method of semiconductor device
WO2018138619A1 (en) 2017-01-30 2018-08-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR102575531B1 (ko) * 2017-01-31 2023-09-06 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널 및 이를 포함하는 표시 장치
US10608017B2 (en) 2017-01-31 2020-03-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, display module, and electronic device
US10504470B2 (en) 2017-02-07 2019-12-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driving method of display device
CN110402497B (zh) 2017-03-29 2024-08-06 株式会社半导体能源研究所 半导体装置、半导体装置的制造方法
US11545581B2 (en) * 2019-08-02 2023-01-03 South China University Of Technology Metal oxide (MO) semiconductor and thin-film transistor and application thereof
CN107146816B (zh) * 2017-04-10 2020-05-15 华南理工大学 一种氧化物半导体薄膜及由其制备的薄膜晶体管
KR20190142344A (ko) 2017-04-28 2019-12-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법
WO2019003026A1 (en) 2017-06-27 2019-01-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. DISPLAY SYSTEM AND METHOD FOR PROCESSING DATA
DE112018003263T5 (de) 2017-06-27 2020-03-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Speichervorrichtung
CN107393830A (zh) * 2017-07-21 2017-11-24 京东方科技集团股份有限公司 薄膜晶体管的制备方法
KR102637403B1 (ko) 2017-07-26 2024-02-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법
US11022823B2 (en) * 2017-08-08 2021-06-01 University Of North Texas Switchable optical filter for imaging and optical beam modulation
CN107425120B (zh) * 2017-08-09 2021-01-12 上海幂方电子科技有限公司 一种快速制备有机电子元器件的方法
CN109384801B (zh) * 2017-08-10 2022-08-09 松下知识产权经营株式会社 光电转换材料以及光电转换元件
KR20220165800A (ko) 2017-08-11 2022-12-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 전자 기기
WO2019038664A1 (ja) 2017-08-25 2019-02-28 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、および半導体装置の作製方法
CN111052215B (zh) 2017-08-31 2022-11-29 株式会社半导体能源研究所 显示装置及电子设备
WO2019048966A1 (ja) 2017-09-05 2019-03-14 株式会社半導体エネルギー研究所 表示システム
JP6782211B2 (ja) * 2017-09-08 2020-11-11 株式会社東芝 透明電極、それを用いた素子、および素子の製造方法
USD842257S1 (en) 2017-09-14 2019-03-05 Eaton Intelligent Power Limited Three phase bus mounted surge protection device
KR20230170155A (ko) 2017-09-15 2023-12-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 전자 기기
WO2019053558A1 (en) 2017-09-15 2019-03-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
CN107731924A (zh) * 2017-09-26 2018-02-23 复旦大学 一种黑磷场效应晶体管及其制备方法
JP7258764B2 (ja) 2017-10-13 2023-04-17 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶装置
TWI659254B (zh) * 2017-10-24 2019-05-11 元太科技工業股份有限公司 驅動基板及顯示裝置
JP7121743B2 (ja) 2017-11-02 2022-08-18 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置および電子機器
WO2019092540A1 (en) 2017-11-09 2019-05-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display device, and electronic device
WO2019092558A1 (en) 2017-11-09 2019-05-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, operation method thereof, and electronic device
US11049887B2 (en) 2017-11-10 2021-06-29 Applied Materials, Inc. Layer stack for display applications
US11545580B2 (en) * 2017-11-15 2023-01-03 South China University Of Technology Metal oxide (MO semiconductor and thin-film transistor and application thereof
CN107968097B (zh) * 2017-11-24 2020-11-06 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示设备、显示基板及其制作方法
WO2019111105A1 (ja) 2017-12-06 2019-06-13 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、および半導体装置の作製方法
WO2019111091A1 (ja) 2017-12-07 2019-06-13 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、および半導体装置の作製方法
US11100855B2 (en) 2017-12-22 2021-08-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device
KR20200101966A (ko) 2018-01-05 2020-08-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치, 표시 모듈, 및 전자 기기
CN107958656B (zh) * 2018-01-08 2019-07-02 武汉华星光电技术有限公司 Goa电路
JP7022592B2 (ja) * 2018-01-11 2022-02-18 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
JP7204686B2 (ja) 2018-01-24 2023-01-16 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、電子部品、及び電子機器
WO2019150224A1 (ja) * 2018-02-01 2019-08-08 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置および電子機器
CN111837172A (zh) 2018-03-06 2020-10-27 株式会社半导体能源研究所 显示装置以及电子设备
WO2019175698A1 (ja) 2018-03-12 2019-09-19 株式会社半導体エネルギー研究所 金属酸化物、及び金属酸化物を有するトランジスタ
JP7293190B2 (ja) 2018-03-16 2023-06-19 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2019169660A (ja) * 2018-03-26 2019-10-03 三菱電機株式会社 薄膜トランジスタ基板、表示装置、および、薄膜トランジスタ基板の製造方法
WO2019207404A1 (ja) 2018-04-26 2019-10-31 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR20240091114A (ko) 2018-04-26 2024-06-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 전자 기기
US11430404B2 (en) 2018-05-25 2022-08-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device including pixel and electronic device
JPWO2019234543A1 (ja) 2018-06-06 2021-07-26 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置、表示モジュール、及び電子機器
CN112313736B (zh) 2018-07-05 2022-12-02 株式会社半导体能源研究所 显示装置及电子设备
US11990778B2 (en) 2018-07-10 2024-05-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Secondary battery protection circuit and secondary battery anomaly detection system
CN109166801A (zh) * 2018-07-27 2019-01-08 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板
CN109346411A (zh) * 2018-09-21 2019-02-15 深圳市华星光电技术有限公司 一种tft的制备方法
TWI689014B (zh) * 2018-10-17 2020-03-21 進化光學有限公司 主動元件陣列基板的製造方法以及應用其的顯示面板
KR20210081365A (ko) 2018-10-26 2021-07-01 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 및 반도체 장치의 제작 방법
CN112970053A (zh) 2018-11-02 2021-06-15 株式会社半导体能源研究所 显示装置、显示模块及电子设备
WO2020095142A1 (ja) 2018-11-09 2020-05-14 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置および電子機器
KR102308189B1 (ko) * 2018-12-18 2021-10-01 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터, 이를 포함하는 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법
US11436993B2 (en) 2018-12-19 2022-09-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display apparatus and electronic device
KR20210119963A (ko) 2018-12-20 2021-10-06 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 전지 팩
US11107929B2 (en) 2018-12-21 2021-08-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR20210107645A (ko) 2018-12-26 2021-09-01 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 전자 기기
US11289475B2 (en) 2019-01-25 2022-03-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device
CN113348501A (zh) 2019-02-05 2021-09-03 株式会社半导体能源研究所 显示装置及电子设备
JP7528063B2 (ja) 2019-04-26 2024-08-05 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置および電子機器
KR20220006541A (ko) 2019-05-10 2022-01-17 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 전자 기기
US11988926B2 (en) 2019-05-30 2024-05-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display apparatus and electronic device
JP7231487B2 (ja) * 2019-05-30 2023-03-01 株式会社神戸製鋼所 反射アノード電極及びその製造方法、薄膜トランジスタ基板、有機ｅｌディスプレイ、並びにスパッタリングターゲット
US11996133B2 (en) 2019-06-21 2024-05-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory circuit using oxide semiconductor
TWI726348B (zh) 2019-07-03 2021-05-01 友達光電股份有限公司 半導體基板
US11711922B2 (en) 2019-07-12 2023-07-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device with memory cells comprising multiple transistors
KR20210009000A (ko) 2019-07-16 2021-01-26 삼성전자주식회사 반도체 장치
CN110600553A (zh) * 2019-08-09 2019-12-20 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 薄膜晶体管及其制造方法
CN114503202A (zh) 2019-10-11 2022-05-13 株式会社半导体能源研究所 存储装置
KR20210111396A (ko) 2020-03-02 2021-09-13 삼성전자주식회사 반도체 소자 및 그의 제조 방법
US11653500B2 (en) * 2020-06-25 2023-05-16 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Memory array contact structures
US11985825B2 (en) 2020-06-25 2024-05-14 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. 3D memory array contact structures
US11532343B2 (en) 2020-06-26 2022-12-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Memory array including dummy regions
US11600520B2 (en) 2020-06-26 2023-03-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Air gaps in memory array structures
US11495618B2 (en) 2020-07-30 2022-11-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Three-dimensional memory device and method
TW202211195A (zh) 2020-08-12 2022-03-16 日商半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置、其工作方法以及電子裝置
US20240006507A1 (en) * 2020-08-21 2024-01-04 Rutgers, The State University Of New Jersey Multifunctional MZO-Based Negative Capacitance Thin Film Transistor on Glass or Flexible Substrates
US11621337B2 (en) * 2021-01-27 2023-04-04 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. Semiconductor device, ferroelectric capacitor and laminated structure
US11716856B2 (en) 2021-03-05 2023-08-01 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Three-dimensional memory device and method
KR102564866B1 (ko) * 2021-07-27 2023-08-07 충북대학교 산학협력단 산화물 이중 층 기반 ｉｇｚｏ 멤트랜지스터 및 이의 제조방법
US20240014320A1 (en) * 2022-07-11 2024-01-11 Globalfoundries Dresden Module One Limited Liability Company & Co. Kg Structures for a ferroelectric field-effect transistor and related methods
WO2024145434A2 (en) * 2022-12-28 2024-07-04 Massachusetts Institute Of Technology Low cost, robust and high sensitivity ion-conducting polycrystalline radiation detectors

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020056838A1 (en) * 2000-11-15 2002-05-16 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Thin film transistor array, method of producing the same, and display panel using the same
CN1380681A (zh) * 2001-03-19 2002-11-20 富士施乐株式会社 结晶半导体薄膜叠层的形成方法以及滤色器
CN1445821A (zh) * 2002-03-15 2003-10-01 三洋电机株式会社 ZnO膜和ZnO半导体层的形成方法、半导体元件及其制造方法

Family Cites Families (289)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US152217A (en) * 1874-06-23 Improvement in the means of attaching rudders to vessels
US622801A (en) * 1899-04-11 Rolling-mill
US68773A (en) * 1867-09-10 Improvement in machines toe dewing spokes in wagon-wheels
JPS5913591B2 (ja) 1976-12-24 1984-03-30 株式会社東芝 ドライエッチング方法
JPS5913591Y2 (ja) 1978-09-01 1984-04-21 株式会社東芝 冷蔵庫
JPS6011109Y2 (ja) 1979-12-11 1985-04-13 綱夫 渡辺 開口枠を有する手織機
JPS56134739U (zh) 1980-03-11 1981-10-13
JPS56134739A (en) * 1980-03-26 1981-10-21 Nec Corp Manufacture of semiconductor device
JPS6011109B2 (ja) 1980-12-11 1985-03-23 株式会社東芝 ドライエツチング方法及び装置
DE3175576D1 (en) 1980-12-11 1986-12-11 Toshiba Kk Dry etching device and method
JPS59124162A (ja) 1982-12-29 1984-07-18 Sharp Corp 薄膜トランジスタ
JPS59124162U (ja) 1983-02-10 1984-08-21 太陽発酵株式会社 シンボルマ−ク付き印章
JPS6083373A (ja) 1983-10-14 1985-05-11 Nec Corp 薄膜トランジスタアレイとその製造方法
JPS6083373U (ja) 1983-11-08 1985-06-08 新沢　安博 掛け物の底部
JPS60170972A (ja) 1984-02-15 1985-09-04 Sony Corp 薄膜半導体装置
JPS60170972U (ja) 1984-04-20 1985-11-13 住友電装株式会社 クランプ
US4701008A (en) 1984-08-10 1987-10-20 Motorola, Inc. Optical waveguide including superstrate of niobium or silicon oxynitride and method of making same
JPS6298774A (ja) * 1985-10-25 1987-05-08 Ricoh Co Ltd 薄膜トランジスタの製造方法
JPS6298774U (zh) 1985-12-13 1987-06-23
JPH02179615A (ja) 1988-12-29 1990-07-12 Oki Electric Ind Co Ltd 液晶表示装置
JP2844342B2 (ja) 1989-02-28 1999-01-06 株式会社半導体エネルギー研究所 薄膜トランジスタの作製方法
FR2647785B1 (fr) 1989-05-31 1991-09-06 Adir Nouveaux derives de la pyrrolidone, leur procede de preparation et les compositions pharmaceutiques les renfermant
JPH0362968A (ja) 1989-07-31 1991-03-19 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法
JPH03252164A (ja) 1990-02-28 1991-11-11 Sanyo Electric Co Ltd 薄膜トランジスタ
US5389806A (en) * 1990-09-04 1995-02-14 Motorola, Inc. Apparatus for reducing heterostructure acoustic charge transport device saw drive power requirements
US5849601A (en) * 1990-12-25 1998-12-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electro-optical device and method for manufacturing the same
DE69125260T2 (de) * 1990-12-28 1997-10-02 Sharp Kk Ein Verfahren zum Herstellen eines Dünnfilm-Transistors und eines Aktive-Matrix-Substrates für Flüssig-Kristall-Anzeige-Anordnungen
KR940008227B1 (ko) * 1991-08-27 1994-09-08 주식회사 금성사 박막 트랜지스터 제조방법
JPH05251705A (ja) 1992-03-04 1993-09-28 Fuji Xerox Co Ltd 薄膜トランジスタ
JP3173854B2 (ja) * 1992-03-25 2001-06-04 株式会社半導体エネルギー研究所 薄膜状絶縁ゲイト型半導体装置の作製方法及び作成された半導体装置
JP3338481B2 (ja) 1992-09-08 2002-10-28 ソニー株式会社 液晶表示装置
JPH0697193A (ja) 1992-09-11 1994-04-08 Hitachi Ltd 半導体装置とその製造方法
JP2530990B2 (ja) 1992-10-15 1996-09-04 富士通株式会社 薄膜トランジスタ・マトリクスの製造方法
JPH06281956A (ja) 1993-03-29 1994-10-07 Sharp Corp アクティブマトリクス配線基板
JP3173926B2 (ja) * 1993-08-12 2001-06-04 株式会社半導体エネルギー研究所 薄膜状絶縁ゲイト型半導体装置の作製方法及びその半導体装置
US5382457A (en) 1993-09-30 1995-01-17 Colorado Seminary Near-resonant laser sputtering method
JP3055175B2 (ja) * 1994-09-12 2000-06-26 インターナシヨナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーシヨン 電気機械変換器
JP3054584B2 (ja) * 1994-09-28 2000-06-19 三洋電機株式会社 ドライエッチング方法、半導体装置の製造方法、及び液晶表示装置の製造方法
US5723366A (en) 1994-09-28 1998-03-03 Sanyo Electric Co. Ltd. Dry etching method, method of fabricating semiconductor device, and method of fabricating liquid crystal display device
JP3115775B2 (ja) 1994-11-16 2000-12-11 三菱電機株式会社 半導体レーザの製造方法
US5640067A (en) * 1995-03-24 1997-06-17 Tdk Corporation Thin film transistor, organic electroluminescence display device and manufacturing method of the same
US7106296B1 (en) 1995-07-20 2006-09-12 E Ink Corporation Electronic book with multiple page displays
US6459418B1 (en) 1995-07-20 2002-10-01 E Ink Corporation Displays combining active and non-active inks
US6287663B1 (en) 1995-10-31 2001-09-11 Kabushiki Kaisha Ohara Glass-ceramic substrate for a magnetic information storage medium
US5817548A (en) * 1995-11-10 1998-10-06 Sony Corporation Method for fabricating thin film transistor device
JP3402030B2 (ja) 1995-11-10 2003-04-28 ソニー株式会社 薄膜半導体装置製造方法
JPH09186335A (ja) 1995-12-27 1997-07-15 Casio Comput Co Ltd 薄膜トランジスタおよびその製造方法
JP3625598B2 (ja) * 1995-12-30 2005-03-02 三星電子株式会社 液晶表示装置の製造方法
US5625199A (en) * 1996-01-16 1997-04-29 Lucent Technologies Inc. Article comprising complementary circuit with inorganic n-channel and organic p-channel thin film transistors
JPH09172186A (ja) * 1996-12-02 1997-06-30 Casio Comput Co Ltd 薄膜トランジスタの製造方法
KR100399291B1 (ko) * 1997-01-27 2004-01-24 가부시키가이샤 아드반스트 디스프레이 반도체 박막트랜지스터, 그 제조방법, 반도체 박막트랜지스터어레이 기판 및 해당 반도체 박막트랜지스터어레이 기판을 사용한 액정표시장치
KR100506099B1 (ko) * 1997-02-24 2005-09-26 산요덴키가부시키가이샤 다결정실리콘막제조방법,박막트랜지스터제조방법,및어닐링장치
US20010008227A1 (en) 1997-08-08 2001-07-19 Mitsuru Sadamoto Dry etching method of metal oxide/photoresist film laminate
JP4326604B2 (ja) 1997-09-29 2009-09-09 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US6218219B1 (en) 1997-09-29 2001-04-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and fabrication method thereof
JP4073533B2 (ja) * 1998-02-09 2008-04-09 株式会社半導体エネルギー研究所 情報処理装置
US6022801A (en) * 1998-02-18 2000-02-08 International Business Machines Corporation Method for forming an atomically flat interface for a highly disordered metal-silicon barrier film
JP3369957B2 (ja) * 1998-03-25 2003-01-20 三洋電機株式会社 半導体装置の製造方法
JP3421580B2 (ja) * 1998-06-22 2003-06-30 株式会社東芝 撮像装置
US6554972B1 (en) 1998-06-26 2003-04-29 Kabushiki Kaisha Toshiba Information recording medium and its manufacturing method
JP2000029068A (ja) 1998-07-08 2000-01-28 Sony Corp 液晶表示装置
US6346437B1 (en) * 1998-07-16 2002-02-12 Sharp Laboratories Of America, Inc. Single crystal TFT from continuous transition metal delivery method
JP4170454B2 (ja) 1998-07-24 2008-10-22 Ｈｏｙａ株式会社 透明導電性酸化物薄膜を有する物品及びその製造方法
JP2000067657A (ja) 1998-08-26 2000-03-03 Internatl Business Mach Corp <Ibm> 赤外線透過に優れた透明導電膜及びその製造方法
JP4366732B2 (ja) 1998-09-30 2009-11-18 ソニー株式会社 電気光学装置の製造方法及び電気光学装置用の駆動基板の製造方法
JP2000150861A (ja) * 1998-11-16 2000-05-30 Tdk Corp 酸化物薄膜
JP3276930B2 (ja) 1998-11-17 2002-04-22 科学技術振興事業団 トランジスタ及び半導体装置
JP3916334B2 (ja) 1999-01-13 2007-05-16 シャープ株式会社 薄膜トランジスタ
US6891236B1 (en) 1999-01-14 2005-05-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of fabricating the same
JP4656685B2 (ja) 1999-01-14 2011-03-23 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2000228516A (ja) * 1999-02-08 2000-08-15 Tdk Corp 半導体積層薄膜、電子デバイスおよびダイオード
JP3362008B2 (ja) * 1999-02-23 2003-01-07 シャープ株式会社 液晶表示装置およびその製造方法
US6674136B1 (en) 1999-03-04 2004-01-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having driver circuit and pixel section provided over same substrate
JP2000330134A (ja) * 1999-03-16 2000-11-30 Furontekku:Kk 薄膜トランジスタ基板および液晶表示装置
US6890766B2 (en) 1999-03-17 2005-05-10 International Business Machines Corporation Dual-type thin-film field-effect transistors and applications
JP3423896B2 (ja) 1999-03-25 2003-07-07 科学技術振興事業団 半導体デバイス
JP4397511B2 (ja) 1999-07-16 2010-01-13 Ｈｏｙａ株式会社 低抵抗ｉｔｏ薄膜及びその製造方法
JP4015321B2 (ja) 1999-07-26 2007-11-28 松下電器産業株式会社 ドライエッチング方法
TW460731B (en) * 1999-09-03 2001-10-21 Ind Tech Res Inst Electrode structure and production method of wide viewing angle LCD
JP4700156B2 (ja) * 1999-09-27 2011-06-15 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2001188255A (ja) * 1999-10-19 2001-07-10 Sharp Corp 液晶表示素子及びその製造方法
JP3961172B2 (ja) 1999-11-26 2007-08-22 アルプス電気株式会社 酸化物透明導電膜と酸化物透明導電膜形成用ターゲットおよび先の酸化物透明導電膜を備えた基板の製造方法と電子機器および液晶表示装置
KR100661825B1 (ko) * 1999-12-28 2006-12-27 엘지.필립스 엘시디 주식회사 반사투과형 액정 표시장치의 어레이 기판 및 그의 제조방법
KR100381054B1 (ko) * 1999-12-28 2003-04-18 엘지.필립스 엘시디 주식회사 인듐-징크-옥사이드로 적용된 투명전극과 이를 에칭하기위한 에천트
JP3617800B2 (ja) * 1999-12-28 2005-02-09 松下電器産業株式会社 Ｔｆｔアレイ基板とその製造方法それを用いた液晶表示装置
JP4493779B2 (ja) 2000-01-31 2010-06-30 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置およびその作製方法
JP2001223365A (ja) * 2000-02-10 2001-08-17 Fujitsu Ltd 薄膜トランジスタ及びその製造方法
TW507258B (en) 2000-02-29 2002-10-21 Semiconductor Systems Corp Display device and method for fabricating the same
JP2001308374A (ja) * 2000-03-04 2001-11-02 Joryoku Kooria Kk クアンタムホールの形成方法とそのクアンタムホールを用いる半導体発光素子及びその製造方法
US7419903B2 (en) 2000-03-07 2008-09-02 Asm International N.V. Thin films
JP2001257350A (ja) 2000-03-08 2001-09-21 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
JP4118485B2 (ja) 2000-03-13 2008-07-16 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
TW513753B (en) * 2000-03-27 2002-12-11 Semiconductor Energy Lab Semiconductor display device and manufacturing method thereof
JP4356854B2 (ja) * 2000-03-31 2009-11-04 富士フイルム株式会社 画像信号読取システム及び画像検出器
KR100840423B1 (ko) * 2000-04-04 2008-06-20 마쯔시다덴기산교 가부시키가이샤 박막의 제조방법 및 그 제조장치, 그리고 박막트랜지스터및 그 제조방법
JP4531923B2 (ja) 2000-04-25 2010-08-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US6500701B2 (en) * 2000-04-28 2002-12-31 Casio Computer Co., Ltd. Method of manufacturing thin film transistor panel having protective film of channel region
US6774397B2 (en) 2000-05-12 2004-08-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP3645184B2 (ja) 2000-05-31 2005-05-11 シャープ株式会社 液晶表示装置及びその欠陥修正方法
JP3719939B2 (ja) * 2000-06-02 2005-11-24 シャープ株式会社 アクティブマトリクス基板およびその製造方法ならびに表示装置および撮像装置
JP4649706B2 (ja) * 2000-06-08 2011-03-16 ソニー株式会社 表示装置およびこれを用いた携帯端末
JP4777500B2 (ja) * 2000-06-19 2011-09-21 三菱電機株式会社 アレイ基板およびそれを用いた表示装置ならびにアレイ基板の製造方法
JP2002042379A (ja) * 2000-07-19 2002-02-08 Sony Corp 多層光学記録媒体およびその製造方法
JP2002057339A (ja) * 2000-08-10 2002-02-22 Sony Corp 薄膜半導体装置
JP4089858B2 (ja) 2000-09-01 2008-05-28 国立大学法人東北大学 半導体デバイス
JP4553470B2 (ja) 2000-09-13 2010-09-29 独立行政法人産業技術総合研究所 ｐ形ＺｎＯ系酸化物半導体層の成長方法およびそれを用いた半導体発光素子の製法
JP4083379B2 (ja) 2000-11-09 2008-04-30 シャープ株式会社 液晶表示装置及びその製造方法
JP2003050405A (ja) 2000-11-15 2003-02-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd 薄膜トランジスタアレイ、その製造方法およびそれを用いた表示パネル
FR2818009B1 (fr) 2000-12-07 2003-03-28 Teherani Ferechteh Hosseini Procede de realisation d'un semiconducteur a large bande interdite dope positivement
JP3522216B2 (ja) * 2000-12-19 2004-04-26 シャープ株式会社 薄膜トランジスタおよびその製造方法ならびに液晶表示装置
US6897848B2 (en) 2001-01-11 2005-05-24 Xerox Corporation Rotating element sheet material and stylus with gradient field addressing
US6757031B2 (en) * 2001-02-09 2004-06-29 Prime View International Co., Ltd. Metal contact structure and method for thin film transistor array in liquid crystal display
US6495437B1 (en) 2001-02-09 2002-12-17 Advanced Micro Devices, Inc. Low temperature process to locally form high-k gate dielectrics
JP2002289859A (ja) * 2001-03-23 2002-10-04 Minolta Co Ltd 薄膜トランジスタ
JP2002299627A (ja) 2001-03-29 2002-10-11 Matsushita Electric Ind Co Ltd 薄膜トランジスタの製造方法及びそれを用いた液晶表示装置
JP2002373867A (ja) 2001-06-14 2002-12-26 Idemitsu Kosan Co Ltd 半導体素子用導電性薄膜、半導体素子及びそれらの製造方法
KR100433209B1 (ko) 2001-06-25 2004-05-27 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치의 어래이 기판 및 그 제조방법
JP3758537B2 (ja) 2001-07-23 2006-03-22 豊田合成株式会社 Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体の製造方法
JP2003037268A (ja) 2001-07-24 2003-02-07 Minolta Co Ltd 半導体素子及びその製造方法
TWI237142B (en) 2001-07-27 2005-08-01 Sanyo Electric Co Active matrix type display device
US7517784B2 (en) * 2001-08-17 2009-04-14 Alliance For Sustainable Energy, Llc Method for producing high carrier concentration p-Type transparent conducting oxides
JP4785300B2 (ja) 2001-09-07 2011-10-05 株式会社半導体エネルギー研究所 電気泳動型表示装置、表示装置、及び電子機器
JP4090716B2 (ja) * 2001-09-10 2008-05-28 雅司 川崎 薄膜トランジスタおよびマトリクス表示装置
JP4345278B2 (ja) * 2001-09-14 2009-10-14 セイコーエプソン株式会社 パターニング方法、膜形成方法、パターニング装置、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、カラーフィルタの製造方法、電気光学装置の製造方法、及び電子装置の製造方法
JP2003107523A (ja) * 2001-09-28 2003-04-09 Hitachi Ltd 液晶表示装置
JP4164562B2 (ja) * 2002-09-11 2008-10-15 独立行政法人科学技術振興機構 ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ
US7061014B2 (en) * 2001-11-05 2006-06-13 Japan Science And Technology Agency Natural-superlattice homologous single crystal thin film, method for preparation thereof, and device using said single crystal thin film
JP2003179233A (ja) * 2001-12-13 2003-06-27 Fuji Xerox Co Ltd 薄膜トランジスタ、及びそれを備えた表示素子
KR100477103B1 (ko) * 2001-12-19 2005-03-18 삼성에스디아이 주식회사 금속유도화 측면결정화방법을 이용한 멀티플 게이트 박막트랜지스터 및 그의 제조방법
KR100494703B1 (ko) * 2001-12-31 2005-06-13 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 박막트랜지스터 액정표시장치의 제조방법
US6624441B2 (en) 2002-02-07 2003-09-23 Eagle-Picher Technologies, Llc Homoepitaxial layers of p-type zinc oxide and the fabrication thereof
EP1478031A4 (en) 2002-02-19 2008-12-03 Hoya Corp LIGHT EMISSION ELEMENT OF THE FIELD EFFECT TRANSISTOR TYPE
JP4083486B2 (ja) * 2002-02-21 2008-04-30 独立行政法人科学技術振興機構 ＬｎＣｕＯ（Ｓ，Ｓｅ，Ｔｅ）単結晶薄膜の製造方法
JP4515035B2 (ja) 2002-03-14 2010-07-28 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置及びその作製方法
US6885146B2 (en) 2002-03-14 2005-04-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device comprising substrates, contrast medium and barrier layers between contrast medium and each of substrates
JP2004006686A (ja) 2002-03-26 2004-01-08 Sanyo Electric Co Ltd ＺｎＯ半導体層の形成方法、半導体素子の製造方法及び半導体素子
JP2003298062A (ja) 2002-03-29 2003-10-17 Sharp Corp 薄膜トランジスタ及びその製造方法
KR100494709B1 (ko) * 2002-04-19 2005-06-13 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 자기정렬 전극을 가지는 액정표시소자의 제조방법
US7339187B2 (en) 2002-05-21 2008-03-04 State Of Oregon Acting By And Through The Oregon State Board Of Higher Education On Behalf Of Oregon State University Transistor structures
US7189992B2 (en) 2002-05-21 2007-03-13 State Of Oregon Acting By And Through The Oregon State Board Of Higher Education On Behalf Of Oregon State University Transistor structures having a transparent channel
TWI227529B (en) 2002-05-22 2005-02-01 Kawasaki Masashi Semiconductor device and display device using the same
US7002176B2 (en) * 2002-05-31 2006-02-21 Ricoh Company, Ltd. Vertical organic transistor
JP2004022625A (ja) * 2002-06-13 2004-01-22 Murata Mfg Co Ltd 半導体デバイス及び該半導体デバイスの製造方法
US7105868B2 (en) 2002-06-24 2006-09-12 Cermet, Inc. High-electron mobility transistor with zinc oxide
JP4136531B2 (ja) 2002-08-19 2008-08-20 大倉工業株式会社 透明導電膜、及びその製造方法
JP2004083094A (ja) * 2002-08-28 2004-03-18 Dainippon Ink & Chem Inc 容器の蓋材および再封性包装容器
US20040108505A1 (en) * 2002-09-16 2004-06-10 Tuller Harry L. Method for p-type doping wide band gap oxide semiconductors
JP4627961B2 (ja) * 2002-09-20 2011-02-09 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US7067843B2 (en) * 2002-10-11 2006-06-27 E. I. Du Pont De Nemours And Company Transparent oxide semiconductor thin film transistors
JP4328515B2 (ja) 2002-11-19 2009-09-09 Ｎｅｃ液晶テクノロジー株式会社 液晶表示装置及びその製造方法
US20040099926A1 (en) 2002-11-22 2004-05-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display device, and light-emitting device, and methods of manufacturing the same
JP2003248240A (ja) 2002-12-16 2003-09-05 Sharp Corp アクティブマトリクス基板
JP2004235180A (ja) 2003-01-28 2004-08-19 Sanyo Electric Co Ltd 半導体装置及びその製造方法
US7250930B2 (en) * 2003-02-07 2007-07-31 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Transparent active-matrix display
JP4574118B2 (ja) * 2003-02-12 2010-11-04 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及びその作製方法
JP4118706B2 (ja) 2003-02-25 2008-07-16 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置の作製方法
JP4166105B2 (ja) 2003-03-06 2008-10-15 シャープ株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP2004273732A (ja) 2003-03-07 2004-09-30 Sharp Corp アクティブマトリクス基板およびその製造方法
JP4138672B2 (ja) * 2003-03-27 2008-08-27 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置の製造方法
JP4417072B2 (ja) 2003-03-28 2010-02-17 シャープ株式会社 液晶表示装置用基板及びそれを用いた液晶表示装置
JP2004311702A (ja) 2003-04-07 2004-11-04 Sumitomo Heavy Ind Ltd 薄膜トランジスタの製造方法および薄膜トランジスタ
GB2411990B (en) 2003-05-02 2005-11-09 Transitive Ltd Improved architecture for generating intermediate representations for program code conversion
JP4239873B2 (ja) 2003-05-19 2009-03-18 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置および電子機器
US7172813B2 (en) 2003-05-20 2007-02-06 Burgener Ii Robert H Zinc oxide crystal growth substrate
US7161173B2 (en) 2003-05-20 2007-01-09 Burgener Ii Robert H P-type group II-VI semiconductor compounds
JP2004349583A (ja) 2003-05-23 2004-12-09 Sharp Corp トランジスタの製造方法
JP4108633B2 (ja) 2003-06-20 2008-06-25 シャープ株式会社 薄膜トランジスタおよびその製造方法ならびに電子デバイス
JP4112527B2 (ja) 2003-07-14 2008-07-02 株式会社半導体エネルギー研究所 システムオンパネル型の発光装置の作製方法
TWI368774B (en) 2003-07-14 2012-07-21 Semiconductor Energy Lab Light-emitting device
JP4748954B2 (ja) * 2003-07-14 2011-08-17 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置
CN101483180B (zh) 2003-07-14 2011-11-16 株式会社半导体能源研究所 液晶显示器件
JP4207691B2 (ja) 2003-07-23 2009-01-14 セイコーエプソン株式会社 薄膜半導体素子の製造方法
US7262463B2 (en) * 2003-07-25 2007-08-28 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Transistor including a deposited channel region having a doped portion
JP4483235B2 (ja) 2003-09-01 2010-06-16 カシオ計算機株式会社 トランジスタアレイ基板の製造方法及びトランジスタアレイ基板
TWI230462B (en) * 2003-09-15 2005-04-01 Toppoly Optoelectronics Corp Thin film transistor structure with self-aligned intra-gate
JP2005088726A (ja) 2003-09-17 2005-04-07 Advics:Kk タイヤ空気圧警報装置、この装置によって監視されるタイヤ、およびタイヤの特性値の管理方法
TWI221341B (en) 2003-09-18 2004-09-21 Ind Tech Res Inst Method and material for forming active layer of thin film transistor
JP2005108931A (ja) 2003-09-29 2005-04-21 Sony Corp 表示装置の製造方法および表示装置
TWI224868B (en) 2003-10-07 2004-12-01 Ind Tech Res Inst Method of forming poly-silicon thin film transistor
JP2005136330A (ja) 2003-10-31 2005-05-26 Canon Inc 撮像装置及び放射線撮像システム
JP2005156717A (ja) * 2003-11-21 2005-06-16 Sony Corp 液晶表示素子及び液晶表示装置
US7026713B2 (en) 2003-12-17 2006-04-11 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Transistor device having a delafossite material
JP4671681B2 (ja) 2003-12-19 2011-04-20 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及びその作製方法
US7727854B2 (en) 2003-12-19 2010-06-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
KR100606448B1 (ko) 2003-12-29 2006-07-31 엘지.필립스 엘시디 주식회사 ２마스크를 적용한 액정표시소자 제조방법
JP4969041B2 (ja) * 2004-01-26 2012-07-04 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置の作製方法
US7273773B2 (en) 2004-01-26 2007-09-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, method for manufacturing thereof, and television device
JP4386747B2 (ja) 2004-01-28 2009-12-16 三洋電機株式会社 ｐ型ＺｎＯ半導体膜及びその製造方法
JP4540355B2 (ja) * 2004-02-02 2010-09-08 富士通株式会社 液晶表示装置及びその製造方法
US7381579B2 (en) * 2004-02-26 2008-06-03 Samsung Sdi Co., Ltd. Donor sheet, method of manufacturing the same, method of manufacturing TFT using the donor sheet, and method of manufacturing flat panel display device using the donor sheet
KR100625999B1 (ko) * 2004-02-26 2006-09-20 삼성에스디아이 주식회사 도너 시트, 상기 도너 시트의 제조방법, 상기 도너 시트를이용한 박막 트랜지스터의 제조방법, 및 상기 도너 시트를이용한 평판 표시장치의 제조방법
JP4578826B2 (ja) 2004-02-26 2010-11-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
FR2867606B1 (fr) 2004-03-10 2006-06-02 Soitec Silicon On Insulator Procede et dispositif de traitement de la couche utile d'une structure multicouche
US7145174B2 (en) * 2004-03-12 2006-12-05 Hewlett-Packard Development Company, Lp. Semiconductor device
US7642573B2 (en) 2004-03-12 2010-01-05 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Semiconductor device
CN102354658B (zh) * 2004-03-12 2015-04-01 独立行政法人科学技术振兴机构 薄膜晶体管的制造方法
US7282782B2 (en) * 2004-03-12 2007-10-16 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Combined binary oxide semiconductor device
US7250627B2 (en) * 2004-03-12 2007-07-31 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Semiconductor device
US7297977B2 (en) * 2004-03-12 2007-11-20 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Semiconductor device
US7242039B2 (en) * 2004-03-12 2007-07-10 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Semiconductor device
JP2005258266A (ja) * 2004-03-15 2005-09-22 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 金属被覆光ファイバの製造方法
JP2005268724A (ja) 2004-03-22 2005-09-29 Sony Corp 電子素子およびその製造方法
JP2005283782A (ja) 2004-03-29 2005-10-13 Kashii:Kk 看板
US20050253803A1 (en) 2004-05-13 2005-11-17 Xerox Corporation Electric paper display with a thin film transistor active matrix and integrated addressing logic
KR100603835B1 (ko) * 2004-05-24 2006-07-24 엘지.필립스 엘시디 주식회사 횡전계형 액정표시장치용 어레이 기판
JP2005347599A (ja) * 2004-06-04 2005-12-15 Fuji Photo Film Co Ltd カラー受光素子、及び撮像素子
US7211825B2 (en) * 2004-06-14 2007-05-01 Yi-Chi Shih Indium oxide-based thin film transistors and circuits
WO2006009782A2 (en) * 2004-06-17 2006-01-26 On International, Inc. Persistent p-type group ii-vi semiconductors
TWI238679B (en) * 2004-06-30 2005-08-21 Ind Tech Res Inst Organic electroluminescent stereoscopic image display apparatus
JP4541787B2 (ja) * 2004-07-06 2010-09-08 株式会社神戸製鋼所 表示デバイス
KR101146521B1 (ko) 2004-07-19 2012-05-25 삼성전자주식회사 위상지연소자와, 이의 제조방법과, 이를 갖는 기판 및이의 제조방법과, 이를 이용한 광 공급 방법 및액정표시장치
JP4463639B2 (ja) * 2004-08-06 2010-05-19 本田技研工業株式会社 電動車両の冷却構造
JP2006100760A (ja) * 2004-09-02 2006-04-13 Casio Comput Co Ltd 薄膜トランジスタおよびその製造方法
US7285501B2 (en) * 2004-09-17 2007-10-23 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Method of forming a solution processed device
US7427776B2 (en) 2004-10-07 2008-09-23 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Thin-film transistor and methods
US7382421B2 (en) * 2004-10-12 2008-06-03 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Thin film transistor with a passivation layer
US7265003B2 (en) 2004-10-22 2007-09-04 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Method of forming a transistor having a dual layer dielectric
US7265063B2 (en) * 2004-10-22 2007-09-04 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Method of forming a component having dielectric sub-layers
US7298084B2 (en) * 2004-11-02 2007-11-20 3M Innovative Properties Company Methods and displays utilizing integrated zinc oxide row and column drivers in conjunction with organic light emitting diodes
US7791072B2 (en) * 2004-11-10 2010-09-07 Canon Kabushiki Kaisha Display
EP1810335B1 (en) 2004-11-10 2020-05-27 Canon Kabushiki Kaisha Light-emitting device
US7829444B2 (en) * 2004-11-10 2010-11-09 Canon Kabushiki Kaisha Field effect transistor manufacturing method
RU2358355C2 (ru) * 2004-11-10 2009-06-10 Кэнон Кабусики Кайся Полевой транзистор
US7863611B2 (en) * 2004-11-10 2011-01-04 Canon Kabushiki Kaisha Integrated circuits utilizing amorphous oxides
EP1812969B1 (en) * 2004-11-10 2015-05-06 Canon Kabushiki Kaisha Field effect transistor comprising an amorphous oxide
US7453065B2 (en) * 2004-11-10 2008-11-18 Canon Kabushiki Kaisha Sensor and image pickup device
US7579224B2 (en) * 2005-01-21 2009-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing a thin film semiconductor device
US7309895B2 (en) * 2005-01-25 2007-12-18 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Semiconductor device
TWI569441B (zh) * 2005-01-28 2017-02-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置，電子裝置，和半導體裝置的製造方法
TWI505473B (zh) * 2005-01-28 2015-10-21 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置，電子裝置，和半導體裝置的製造方法
JP2006210854A (ja) * 2005-01-31 2006-08-10 Toshiba Corp 半導体装置及びその製造方法
US7858451B2 (en) * 2005-02-03 2010-12-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device, semiconductor device and manufacturing method thereof
US20060189456A1 (en) * 2005-02-08 2006-08-24 Ford Sean P Apparatus to redistribute vertical load forces horizontally
US7948171B2 (en) * 2005-02-18 2011-05-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
US20060220023A1 (en) 2005-03-03 2006-10-05 Randy Hoffman Thin-film device
US20060197092A1 (en) * 2005-03-03 2006-09-07 Randy Hoffman System and method for forming conductive material on a substrate
US8681077B2 (en) * 2005-03-18 2014-03-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, and display device, driving method and electronic apparatus thereof
JP2006262991A (ja) * 2005-03-22 2006-10-05 Toyo Tire & Rubber Co Ltd シート用パッド及びその製造方法
US7544967B2 (en) * 2005-03-28 2009-06-09 Massachusetts Institute Of Technology Low voltage flexible organic/transparent transistor for selective gas sensing, photodetecting and CMOS device applications
US7645478B2 (en) * 2005-03-31 2010-01-12 3M Innovative Properties Company Methods of making displays
US8300031B2 (en) * 2005-04-20 2012-10-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising transistor having gate and drain connected through a current-voltage conversion element
JP2006344849A (ja) 2005-06-10 2006-12-21 Casio Comput Co Ltd 薄膜トランジスタ
US7691666B2 (en) 2005-06-16 2010-04-06 Eastman Kodak Company Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby
US7402506B2 (en) * 2005-06-16 2008-07-22 Eastman Kodak Company Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby
US7507618B2 (en) 2005-06-27 2009-03-24 3M Innovative Properties Company Method for making electronic devices using metal oxide nanoparticles
KR100711890B1 (ko) * 2005-07-28 2007-04-25 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광표시장치 및 그의 제조방법
JP2007059128A (ja) * 2005-08-23 2007-03-08 Canon Inc 有機ｅｌ表示装置およびその製造方法
JP5116225B2 (ja) * 2005-09-06 2013-01-09 キヤノン株式会社 酸化物半導体デバイスの製造方法
JP2007073704A (ja) 2005-09-06 2007-03-22 Canon Inc 半導体薄膜
JP2007073698A (ja) 2005-09-06 2007-03-22 Canon Inc トランジスタ
JP4280736B2 (ja) * 2005-09-06 2009-06-17 キヤノン株式会社 半導体素子
JP4850457B2 (ja) * 2005-09-06 2012-01-11 キヤノン株式会社 薄膜トランジスタ及び薄膜ダイオード
JP2007073705A (ja) * 2005-09-06 2007-03-22 Canon Inc 酸化物半導体チャネル薄膜トランジスタおよびその製造方法
EP1998374A3 (en) 2005-09-29 2012-01-18 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Semiconductor device having oxide semiconductor layer and manufacturing method thereof
JP5064747B2 (ja) 2005-09-29 2012-10-31 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、電気泳動表示装置、表示モジュール、電子機器、及び半導体装置の作製方法
JP5037808B2 (ja) * 2005-10-20 2012-10-03 キヤノン株式会社 アモルファス酸化物を用いた電界効果型トランジスタ、及び該トランジスタを用いた表示装置
KR101117948B1 (ko) * 2005-11-15 2012-02-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 디스플레이 장치 제조 방법
KR101229280B1 (ko) * 2005-12-28 2013-02-04 삼성디스플레이 주식회사 표시 기판과, 이의 제조 방법 및 이를 구비한 표시 패널
TWI292281B (en) * 2005-12-29 2008-01-01 Ind Tech Res Inst Pixel structure of active organic light emitting diode and method of fabricating the same
US7867636B2 (en) * 2006-01-11 2011-01-11 Murata Manufacturing Co., Ltd. Transparent conductive film and method for manufacturing the same
JP4977478B2 (ja) * 2006-01-21 2012-07-18 三星電子株式会社 ＺｎＯフィルム及びこれを用いたＴＦＴの製造方法
US7576394B2 (en) * 2006-02-02 2009-08-18 Kochi Industrial Promotion Center Thin film transistor including low resistance conductive thin films and manufacturing method thereof
US7977169B2 (en) * 2006-02-15 2011-07-12 Kochi Industrial Promotion Center Semiconductor device including active layer made of zinc oxide with controlled orientations and manufacturing method thereof
US7754509B2 (en) 2006-03-29 2010-07-13 Chunghua Picture Tubes, Ltd. Manufacturing method for thin film transistor
KR20070101595A (ko) * 2006-04-11 2007-10-17 삼성전자주식회사 ＺｎＯ ＴＦＴ
US20070252928A1 (en) * 2006-04-28 2007-11-01 Toppan Printing Co., Ltd. Structure, transmission type liquid crystal display, reflection type display and manufacturing method thereof
JP5028033B2 (ja) 2006-06-13 2012-09-19 キヤノン株式会社 酸化物半導体膜のドライエッチング方法
JP4609797B2 (ja) * 2006-08-09 2011-01-12 Ｎｅｃ液晶テクノロジー株式会社 薄膜デバイス及びその製造方法
JP4999400B2 (ja) * 2006-08-09 2012-08-15 キヤノン株式会社 酸化物半導体膜のドライエッチング方法
JP4332545B2 (ja) * 2006-09-15 2009-09-16 キヤノン株式会社 電界効果型トランジスタ及びその製造方法
KR100822802B1 (ko) * 2006-09-21 2008-04-18 삼성전자주식회사 안테나를 내장한 심카드 및 그것을 포함하는 시스템
JP5164357B2 (ja) * 2006-09-27 2013-03-21 キヤノン株式会社 半導体装置及び半導体装置の製造方法
JP4274219B2 (ja) * 2006-09-27 2009-06-03 セイコーエプソン株式会社 電子デバイス、有機エレクトロルミネッセンス装置、有機薄膜半導体装置
US7622371B2 (en) * 2006-10-10 2009-11-24 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Fused nanocrystal thin film semiconductor and method
US7772021B2 (en) * 2006-11-29 2010-08-10 Samsung Electronics Co., Ltd. Flat panel displays comprising a thin-film transistor having a semiconductive oxide in its channel and methods of fabricating the same for use in flat panel displays
JP2008140684A (ja) * 2006-12-04 2008-06-19 Toppan Printing Co Ltd カラーｅｌディスプレイおよびその製造方法
KR101303578B1 (ko) * 2007-01-05 2013-09-09 삼성전자주식회사 박막 식각 방법
US8207063B2 (en) * 2007-01-26 2012-06-26 Eastman Kodak Company Process for atomic layer deposition
JP5196870B2 (ja) * 2007-05-23 2013-05-15 キヤノン株式会社 酸化物半導体を用いた電子素子及びその製造方法
KR100851215B1 (ko) * 2007-03-14 2008-08-07 삼성에스디아이 주식회사 박막 트랜지스터 및 이를 이용한 유기 전계 발광표시장치
US7795613B2 (en) * 2007-04-17 2010-09-14 Toppan Printing Co., Ltd. Structure with transistor
KR101325053B1 (ko) * 2007-04-18 2013-11-05 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법
KR20080094300A (ko) * 2007-04-19 2008-10-23 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법과 박막 트랜지스터를포함하는 평판 디스플레이
KR101334181B1 (ko) * 2007-04-20 2013-11-28 삼성전자주식회사 선택적으로 결정화된 채널층을 갖는 박막 트랜지스터 및 그제조 방법
KR100936874B1 (ko) 2007-12-18 2010-01-14 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 트랜지스터의 제조 방법 및 박막 트랜지스터를구비하는 유기전계발광 표시 장치의 제조 방법
US20100148221A1 (en) 2008-11-13 2010-06-17 Zena Technologies, Inc. Vertical photogate (vpg) pixel structure with nanowires
US8704216B2 (en) * 2009-02-27 2014-04-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP5251705B2 (ja) 2009-04-27 2013-07-31 株式会社島津製作所 分析装置制御システム
US7829376B1 (en) 2010-04-07 2010-11-09 Lumenz, Inc. Methods of forming zinc oxide based II-VI compound semiconductor layers with shallow acceptor conductivities

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020056838A1 (en) * 2000-11-15 2002-05-16 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Thin film transistor array, method of producing the same, and display panel using the same
CN1380681A (zh) * 2001-03-19 2002-11-20 富士施乐株式会社 结晶半导体薄膜叠层的形成方法以及滤色器
CN1445821A (zh) * 2002-03-15 2003-10-01 三洋电机株式会社 ZnO膜和ZnO半导体层的形成方法、半导体元件及其制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN101887856A (zh) 2010-11-17
JP5478676B2 (ja) 2014-04-23
US20110121290A1 (en) 2011-05-26
JP2009021612A (ja) 2009-01-29
JP2009260378A (ja) 2009-11-05
US7674650B2 (en) 2010-03-09
EP1998375A3 (en) 2012-01-18
JP2012248863A (ja) 2012-12-13
CN101335304B (zh) 2011-05-18
JP5448280B2 (ja) 2014-03-19
JP2024107028A (ja) 2024-08-08
CN101335275B (zh) 2012-02-08
JP5640032B2 (ja) 2014-12-10
US20150340513A1 (en) 2015-11-26
JP2014075591A (ja) 2014-04-24
JP2013191852A (ja) 2013-09-26
CN101335293A (zh) 2008-12-31
US20110117697A1 (en) 2011-05-19
CN101335304A (zh) 2008-12-31
JP2015111680A (ja) 2015-06-18
EP1995787A2 (en) 2008-11-26
US20090008639A1 (en) 2009-01-08
US8796069B2 (en) 2014-08-05
JP6903094B2 (ja) 2021-07-14
US8790959B2 (en) 2014-07-29
JP5978285B2 (ja) 2016-08-24
CN101335274B (zh) 2013-03-27
US20220069137A1 (en) 2022-03-03
EP1998374A2 (en) 2008-12-03
CN105428418A (zh) 2016-03-23
JP2014075592A (ja) 2014-04-24
CN101335274A (zh) 2008-12-31
CN101887919B (zh) 2013-04-24
JP2016131247A (ja) 2016-07-21
CN101887919A (zh) 2010-11-17
US20110163311A1 (en) 2011-07-07
JP2011119751A (ja) 2011-06-16
US20070072439A1 (en) 2007-03-29
JP5137912B2 (ja) 2013-02-06
CN101335212A (zh) 2008-12-31
CN101887704B (zh) 2014-08-06
EP1995787A3 (en) 2012-01-18
JP2012156521A (ja) 2012-08-16
CN101335275A (zh) 2008-12-31
CN101335276B (zh) 2010-09-01
EP1998373A3 (en) 2012-10-31
JP5674905B2 (ja) 2015-02-25
JP2020074480A (ja) 2020-05-14
CN101552210B (zh) 2013-04-24
CN101552210A (zh) 2009-10-07
JP5640045B2 (ja) 2014-12-10
JP2022186818A (ja) 2022-12-15
CN1941299A (zh) 2007-04-04
CN101887918B (zh) 2013-12-25
CN101887857A (zh) 2010-11-17
US7732819B2 (en) 2010-06-08
CN101887704A (zh) 2010-11-17
JP6360141B2 (ja) 2018-07-18
US20080308804A1 (en) 2008-12-18
US8466463B2 (en) 2013-06-18
US20190051759A1 (en) 2019-02-14
JP2012248862A (ja) 2012-12-13
CN101887857B (zh) 2013-03-27
CN101651105B (zh) 2011-11-23
JP2010267975A (ja) 2010-11-25
JP5645996B2 (ja) 2014-12-24
CN102593187B (zh) 2015-05-20
CN102593187A (zh) 2012-07-18
CN101887856B (zh) 2014-03-26
US20080308797A1 (en) 2008-12-18
JP2017073563A (ja) 2017-04-13
US10304962B2 (en) 2019-05-28
JP5020190B2 (ja) 2012-09-05
EP1770788A2 (en) 2007-04-04
EP1998373A2 (en) 2008-12-03
US7932521B2 (en) 2011-04-26
JP2014082503A (ja) 2014-05-08
US20190326444A1 (en) 2019-10-24
EP1998375A2 (en) 2008-12-03
JP5031109B2 (ja) 2012-09-19
US8274077B2 (en) 2012-09-25
JP5723952B2 (ja) 2015-05-27
US9099562B2 (en) 2015-08-04
US20090239335A1 (en) 2009-09-24
JP6314179B2 (ja) 2018-04-18
JP2019087756A (ja) 2019-06-06
JP2017201717A (ja) 2017-11-09
US7910490B2 (en) 2011-03-22
JP2016195277A (ja) 2016-11-17
EP3614442A2 (en) 2020-02-26
JP5116804B2 (ja) 2013-01-09
US20100136743A1 (en) 2010-06-03
JP2019201212A (ja) 2019-11-21
JP6990263B2 (ja) 2022-01-12
CN101887858A (zh) 2010-11-17
CN101335276A (zh) 2008-12-31
EP3614442A3 (en) 2020-03-25
US20090305461A1 (en) 2009-12-10
US20080308806A1 (en) 2008-12-18
CN1941299B (zh) 2010-08-04
EP1998374A3 (en) 2012-01-18
US20080308805A1 (en) 2008-12-18
EP1770788A3 (en) 2011-09-21
US20080308796A1 (en) 2008-12-18
CN101651105A (zh) 2010-02-17
US8629069B2 (en) 2014-01-14
US20110104851A1 (en) 2011-05-05
JP6539597B2 (ja) 2019-07-03
CN103560085A (zh) 2014-02-05
JP5848311B2 (ja) 2016-01-27
JP2021073723A (ja) 2021-05-13
US8669550B2 (en) 2014-03-11
CN101887918A (zh) 2010-11-17
JP2012248861A (ja) 2012-12-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6990263B2 (ja) 半導体装置
JP5064747B2 (ja) 半導体装置、電気泳動表示装置、表示モジュール、電子機器、及び半導体装置の作製方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination