JP2016116220A - 半導体装置、及び電子機器 - Google Patents
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Abstract
Description
本実施の形態では、開示する発明の一態様に係る半導体装置について説明する。特に本実施の形態では、メモリセルに信号を出力する出力回路を有する半導体装置の構成について説明する。
本実施の形態では、実施の形態1で説明した出力回路の変形例、メモリセルMCの一例、メモリセルMCを備えた半導体装置の一例、及びメモリセルMCの変形例について説明する。
図4乃至図8、図28には、図1で説明した出力回路が取り得る回路構成の変形例を示す。
次いで、図8(A)乃至(F)には、図1で説明したメモリセルMCが取り得る回路構成の一例を示す。図8(A)乃至(F)に示すメモリセルの回路図では、配線SLあるいは配線BLからデータ電圧を書きこみ、配線WWL及び配線RWLの電圧を制御することで、データ電圧の書き込みあるいは読み出しを制御することができる。
図9は、図1で説明したメモリセルMCに、図8(A)のメモリセルMC_Aを適用した場合の、半導体装置の構成例を示すブロック図である。
図10(A)乃至(C)には、図1で説明したメモリセルMCが取り得る、図8(A)乃至(F)とは異なる回路構成の一例を示す。
本実施の形態では、上記実施の形態で説明したOSトランジスタについて説明する。
OSトランジスタは、酸化物半導体中の不純物濃度を低減し、酸化物半導体を真性または実質的に真性にすることでオフ電流を低くすることができる。ここで、実質的に真性とは、酸化物半導体中のキャリア密度が、8×1011/cm3未満、さらに好ましくは1×1011/cm3未満、さらに好ましくは1×1010/cm3未満であり、1×10−9/cm3以上であることを指す。酸化物半導体において、水素、窒素、炭素、シリコン、および主成分以外の金属元素は不純物となる。例えば、水素および窒素はドナー準位の形成に寄与し、キャリア密度を増大させてしまう。
本明細書において、特に断りがない場合、オフ電流とは、トランジスタがオフ状態(非導通状態、遮断状態、ともいう)にあるときのドレイン電流をいう。オフ状態とは、特に断りがない場合、nチャネル型トランジスタでは、ゲートとソースの間の電圧Vgsがしきい値電圧Vthよりも低い状態、pチャネル型トランジスタでは、ゲートとソースの間の電圧Vgsがしきい値電圧Vthよりも高い状態をいう。例えば、nチャネル型のトランジスタのオフ電流とは、ゲートとソースの間の電圧Vgsがしきい値電圧Vthよりも低いときのドレイン電流を言う場合がある。
なおOSトランジスタの半導体層に用いる酸化物半導体としては、少なくともインジウム(In)又は亜鉛(Zn)を含むことが好ましい。特にIn及びZnを含むことが好ましい。また、それらに加えて、酸素を強く結びつけるスタビライザーを有することが好ましい。スタビライザーとしては、ガリウム(Ga)、スズ(Sn)、ジルコニウム(Zr)、ハフニウム(Hf)及びアルミニウム(Al)の少なくともいずれかを有すればよい。
半導体層を構成する酸化物半導体膜に水素が多量に含まれると、酸化物半導体と結合することによって、水素の一部がドナーとなり、キャリアである電子を生じてしまう。これにより、トランジスタの閾値電圧がマイナス方向にシフトしてしまう。そのため、酸化物半導体膜の形成後において、脱水化処理(脱水素化処理)を行い酸化物半導体膜から、水素、又は水分を除去して不純物が極力含まれないように高純度化することが好ましい。
酸化物半導体の構造について説明する。
本実施の形態では、上記実施の形態で説明した、出力回路の模式図、層毎のレイアウトを表す模式図、レイアウト図、レイアウト図に対応する断面模式図の一例について、図12乃至15を参照して説明する。
図16は、上記実施形態で説明した出力回路より信号が出力されるメモリセルを搭載した無線センサのブロック図である。
入力/出力部910は、整流回路911、リミット回路912、復調回路913および変調回路914を有する。図17(A)は、整流回路911およびリミット回路912の構成例を示す回路図である。図17(B)は、復調回路913および変調回路914の構成例を示す回路図である。
アナログ部920は、電源回路921、発振回路922、電圧検出回路923、リセット回路924、及びバッファ回路925を有する。
メモリ部930は、メモリセルの他、チャージポンプ回路931を有する。メモリセルの構成は、上記実施の形態1を参照すればよい。
図24は、論理部940の構成の一例を示すブロック図である。論理部940は、CRC回路981、デコーダ回路982、コントローラ983、出力信号生成回路984、セレクタ回路985、CRCレジスタ986、およびクロック生成回路987、を有する。
A/Dコンバータ950は、センサ903から出力されるアナログ電圧のセンサ信号SENSORをデジタル信号に変換して出力する機能を有する。
上記実施の形態で開示された、導電層や半導体層はスパッタ法により形成することができるが、他の方法、例えば、熱CVD法により形成してもよい。熱CVD法の例としてMOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)法やALD(Atomic Layer Deposition)法を使っても良い。
本実施の形態では、上述の実施の形態で説明した半導体装置を電子部品に適用する例、及び該電子部品を具備する電子機器に適用する例について、図25、図26を用いて説明する。
以上の実施の形態、及び実施の形態における各構成の説明について、以下に付記する。
各実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示す構成と適宜組み合わせて、本発明の一態様とすることができる。また、1つの実施の形態の中に、複数の構成例が示される場合は、互い構成例を適宜組み合わせることが可能である。
本明細書等において、「上に」、「下に」などの配置を示す語句は、構成同士の位置関係を、図面を参照して説明するために、便宜上用いている。構成同士の位置関係は、各構成を描写する方向に応じて適宜変化する。そのため、配置を示す語句は、明細書で説明した記載に限定されず、状況に応じて適切に言い換えることができる。
本明細書等において、トランジスタの接続関係を説明する際、ソースとドレインとの一方を、「ソース又はドレインの一方」(又は第1電極、又は第1端子)と表記し、ソースとドレインとの他方を「ソース又はドレインの他方」(又は第2電極、又は第2端子)と表記している。これは、トランジスタのソースとドレインは、トランジスタの構造又は動作条件等によって変わるためである。なおトランジスタのソースとドレインの呼称については、ソース(ドレイン)端子や、ソース(ドレイン)電極等、状況に応じて適切に言い換えることができる。
以下では、上記実施の形態中で言及しなかった語句の定義について説明する。
本明細書等において、スイッチとは、導通状態(オン状態)、または、非導通状態(オフ状態)になり、電流を流すか流さないかを制御する機能を有するものをいう。または、スイッチとは、電流を流す経路を選択して切り替える機能を有するものをいう。
本明細書等において、チャネル長とは、例えば、トランジスタの上面図において、半導体(またはトランジスタがオン状態のときに半導体の中で電流の流れる部分)とゲートとが重なる領域、またはチャネルが形成される領域における、ソースとドレインとの間の距離をいう。
本明細書等において、チャネル幅とは、例えば、半導体(またはトランジスタがオン状態のときに半導体の中で電流の流れる部分)とゲートとが重なる領域、またはチャネルが形成される領域における、ソースとドレインとが向かい合っている部分の長さをいう。
本明細書等において、AとBとが接続されている、とは、AとBとが直接接続されているものの他、電気的に接続されているものを含むものとする。ここで、AとBとが電気的に接続されているとは、AとBとの間で、何らかの電気的作用を有する対象物が存在するとき、AとBとの電気信号の授受を可能とするものをいう。
BUF2 バッファ回路
C1 容量素子
C2 容量素子
DEMOD_SIG0 信号
FN1 ノード
FN3 ノード
INV1 インバータ回路
INV3 インバータ回路
M1 トランジスタ
M2 トランジスタ
M3 トランジスタ
M4 トランジスタ
M5 トランジスタ
M6 トランジスタ
OM トランジスタ
OM_B トランジスタ
OM1 トランジスタ
OM2 トランジスタ
OM3 トランジスタ
SW1 トランジスタ
SW3 トランジスタ
WLret 配線
BL_A 配線
BL_B 配線
MN ノード
OUT ノード
OUTB ノード
FN ノード
BL 配線
SL 配線
WWL 配線
T1 時刻
T7 時刻
T8 時刻
T9 時刻
T10 時刻
VH1 配線
VH2 配線
11 インバータ回路
12 インバータ回路
13 インバータ回路
14 インバータ回路
15 トランジスタ
15_A トランジスタ
17 容量素子
18_A トランジスタ
18_B トランジスタ
19 容量素子
19_1 容量素子
19_2 容量素子
19_3 容量素子
21 基板
23 不純物領域
24 不純物領域
25 絶縁層
27 絶縁層
29 導電層
31 絶縁層
33 絶縁層
35 絶縁層
37 絶縁層
39 導電層
41 導電層
43 導電層
45 絶縁層
47 導電層
100 出力回路
200 半導体装置
201 メモリセルアレイ
202 行選択ドライバ
203 列選択ドライバ
301 層
302 配線層
303 層
700 電子部品
701 リード
702 プリント基板
703 回路部
704 回路基板
801 筐体
802 筐体
803a 表示部
803b 表示部
804 選択ボタン
805 キーボード
810 電子書籍端末
811 筐体
812 筐体
813 表示部
814 表示部
815 軸部
816 電源
817 操作キー
818 スピーカー
820 テレビジョン装置
821 筐体
822 表示部
823 スタンド
824 リモコン操作機
830 本体
831 表示部
832 スピーカー
833 マイク
834 操作ボタン
841 本体
842 表示部
843 操作スイッチ
900 無線センサ
901 アンテナ
902 回路部
903 センサ
910 入力/出力部
911 整流回路
912 リミット回路
913 復調回路
914 変調回路
920 アナログ部
921 電源回路
922 発振回路
923 電圧検出回路
924 リセット回路
925 バッファ回路
930 メモリ部
931 チャージポンプ回路
940 論理部
950 A/Dコンバータ
961 電圧生成回路
962 電圧生成回路
971 電圧生成回路
981 CRC回路
982 デコーダ回路
983 コントローラ
984 出力信号生成回路
985 セレクタ回路
986 CRCレジスタ
987 クロック生成回路
Claims (4)
- 第1のバッファ回路と、レベルシフタ回路と、第2のバッファ回路と、第1乃至第3の配線と、を有する半導体装置であって、
前記第1の配線は、第1の電位を与える機能を有し、
前記第2の配線は、前記第1の電位よりも大きい、第2の電位を与える機能を有し、
前記第3の配線は、前記第1の電位及び前記第2の電位よりも小さい、第3の電位を与える機能を有し、
前記第1のバッファ回路は、前記第1の配線及び前記第3の配線に電気的に接続され、
前記レベルシフタ回路及び前記第2のバッファ回路はそれぞれ、前記第2の配線及び前記第3の配線に電気的に接続され、
第1のバッファ回路への電源電圧の供給は、前記第1の配線に与える電位を前記第3の電位から前記第1の電位に切り替えて行われ、
前記レベルシフタ回路、及び前記第2のバッファ回路への電源電圧の供給は、前記第2の配線に与える電位を前記第3の電位から前記第2の電位に切り替えて行われ、
前記第2の配線における前記第3の電位から前記第2の電位への電位の切り替えは、前記第1の配線における前記第3の電位から前記第1の電位への電位の切り替えよりも、後に行われる、半導体装置。 - 請求項1において、メモリセルを有し、
前記メモリセルは、トランジスタを有し、
前記メモリセルは、前記トランジスタを非導通状態として、前記トランジスタに接続されたノードに、データに応じた電荷を保持する機能を有し、
前記第2のバッファ回路は、前記第トランジスタのゲートに電気的に接続される、半導体装置。 - 請求項2において、
前記トランジスタは、チャネル形成領域に酸化物半導体を有する、半導体装置。 - 請求項1乃至3のいずれか一に記載の半導体装置と、
表示部と、を有する電子機器。
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