CN101057333B - 发光器件 - Google Patents

发光器件 Download PDF

Info

Publication number
CN101057333B
CN101057333B CN2005800383031A CN200580038303A CN101057333B CN 101057333 B CN101057333 B CN 101057333B CN 2005800383031 A CN2005800383031 A CN 2005800383031A CN 200580038303 A CN200580038303 A CN 200580038303A CN 101057333 B CN101057333 B CN 101057333B
Authority
CN
China
Prior art keywords
electrode
film
light
effect transistor
layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN2005800383031A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101057333A (zh
Inventor
田透
岩崎达哉
细野秀雄
神谷利夫
野村研二
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Tokyo Institute of Technology NUC
Original Assignee
Canon Inc
Tokyo Institute of Technology NUC
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc, Tokyo Institute of Technology NUC filed Critical Canon Inc
Publication of CN101057333A publication Critical patent/CN101057333A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101057333B publication Critical patent/CN101057333B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1222—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer
    • H01L27/1225—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer with semiconductor materials not belonging to the group IV of the periodic table, e.g. InGaZnO
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/02—Charge-receiving layers
    • G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
    • G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/14—Inert intermediate or cover layers for charge-receiving layers
    • G03G5/142—Inert intermediate layers
    • G03G5/144—Inert intermediate layers comprising inorganic material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02587—Structure
    • H01L21/0259—Microstructure
    • H01L21/02592—Microstructure amorphous
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/04—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their crystalline structure, e.g. polycrystalline, cubic or particular orientation of crystalline planes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
    • H01L29/10—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions with semiconductor regions connected to an electrode not carrying current to be rectified, amplified or switched and such electrode being part of a semiconductor device which comprises three or more electrodes
    • H01L29/1025—Channel region of field-effect devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
    • H01L29/417—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions carrying the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/41725—Source or drain electrodes for field effect devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
    • H01L29/66969—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies not comprising group 14 or group 13/15 materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
    • H01L29/7869—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film having a semiconductor body comprising an oxide semiconductor material, e.g. zinc oxide, copper aluminium oxide, cadmium stannate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
    • H01L29/7869—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film having a semiconductor body comprising an oxide semiconductor material, e.g. zinc oxide, copper aluminium oxide, cadmium stannate
    • H01L29/78693—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film having a semiconductor body comprising an oxide semiconductor material, e.g. zinc oxide, copper aluminium oxide, cadmium stannate the semiconducting oxide being amorphous
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/123—Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/302—Details of OLEDs of OLED structures
    • H10K2102/3023—Direction of light emission
    • H10K2102/3026—Top emission

Abstract

本发明的目的在于提供一种使用非晶氧化物的新的发光器件。该发光器件具有位于第1电极(77)和第2电极(79)之间的发光层(78)，和有源层(72)为非晶氧化物的场效应晶体管。

Description

发光器件
技术领域
本发明涉及一种使用氧化物的发光器件，尤其涉及使用有机EL元件和无机EL元件的发光器件。本发明还涉及顶部发射型或底部发射型的发光器件。
背景技术
近年来，平板显示器(FPD)作为液晶和电致发光(EL)技术发展的结果而被应用。FPD由利用设置在玻璃衬底上的非晶硅薄膜或多晶硅薄膜作为有源层的场效应薄膜晶体管(TFT)所构成的有源矩阵电路驱动。
另一方面为了追求FPD在薄型、轻量、以及抗破坏性方面的进一步发展，已经尝试了使用重量轻、柔软的树脂衬底来代替玻璃衬底。然而，由于为了制造使用上述硅薄膜的晶体管，需要在相当高的温度下的热处理，因此难于在低耐热性的树脂衬底上直接形成硅薄膜。
由于这个原因，使用例如主要包含可以在低温下形成薄膜的ZnO氧化物的半导体薄膜的TFT被积极地开发了(日本专利申请公开No.2003-298062号公报)。
然而，大致因为无法获得如使用硅的TFT那样的充分的特性，使用现有的氧化物半导体薄膜的TFT并未达到应用技术发展的技术水平。
发明内容
本发明的一个目的在于：提供使用以氧化物作为有源层的晶体管的新的发光器件、电子照相器件(electronograph)和显示单元。
根据本发明的一个方面，提供一种具有包含第1和第2电极、以及位于第1和第2电极间的发光层的发光元件、和用于驱动该发光元件的场效应晶体管的发光器件，其特征在于：
该场效应晶体管的有源层由电子载流子浓度小于1018/cm3的非晶氧化物构成。
该非晶氧化物优选至少包括In、Zn、Sn之一。
可选地，该非晶氧化物优选从由包含In、Zn和Sn的氧化物、包含InZn的氧化物、包含In和Sn的氧化物以及包含In的氧化物所构成的组中选出的任何一种。
可选地，该非晶氧化物优选包括In、Zn和Ga。
优选将发光元件和场效应晶体管设置在光学透明衬底上，并且从发光层发射的光通过该衬底输出。场效应晶体管优选设置在衬底和发光层之间。
可选地，发光元件和场效应晶体管优选设置在光学透明衬底上，而且从发光层发射的光通过该衬底和非晶氧化物输出。该场效应晶体管优选设置在该衬底和发光层之间。
在发光器件中，场效应晶体管的漏电极和第二电极中的至少一个优选由光学透明的导电氧化物构成。
发光元件优选地是电致发光元件。
在发光器件中，优选地，将多个发光元件设置在至少单一行中。优选地，设置发光元件使其与场效应晶体管相邻。
根据本发明的另一个方面，提供一种电子照相器件，包含：
感光器，
为该感光器供电的供电器，
曝光光源，用于曝光该感光器以在感光器上形成潜像，
用于显影该潜像的显影单元；
其中，
所述曝光光源具有所述发光器件。
根据本发明的又一个方面，提供一种具有包含第一和第二电极、以及位于第一和第二电极间的发光层的发光元件、和用于驱动该发光元件的场效应晶体管的发光器件，其中：
场效应晶体管有源层的电子迁移率随电子载流子浓度的增加而增加。
根据本发明的另一个方面，提供一种具有包含第一和第二电极以及位于第一和第二电极间的发光层的发光元件、和用于驱动该发光元件的场效应晶体管的发光器件，其中：
场效应晶体管的有源层包含使其能够实现正常截止状态的透明非晶氧化物半导体。该透明非晶氧化物半导体优选具有对实现正常截止状态足够少的、小于1018/cm3的电子载流子浓度。
根据本发明的另一个方面，提供一种有源矩阵显示器，具有包含第一和第二电极、以及位于第一和第二电极之间的发光层的发光元件；用于驱动发光元件的场效应晶体管；和配置为2维矩阵形式的图像元件电路，其中：
该场效应晶体管的有源层包含其能够实现正常截止状态的透明非晶氧化物半导体。该透明非晶氧化物半导体优选具有对于实现正常截止状态为足够少的、小于1018/cm3的电子载流子浓度。
根据本发明的另一个方面，提供一种显示产品，包含：
包含第一和第二电极以及位于第一和第二电极之间的发光层的发光元件、和用于驱动该发光元件的晶体管，其特征在于：
该场效应晶体管的有源层包含非晶氧化物半导体。
优选的，该非晶氧化物是从由包含In、Zn和Sn的氧化物、包含In和Zn的氧化物、包含In和Sn的氧化物、以及包含In的氧化物所构成的组中选出的任何一种。
可选的，该晶体管为正常截止型晶体管。
本发明能够提供一种新的发光器件、电子照相器件和有源矩阵显示单元。
作为研究ZnO氧化物半导体的结果，本发明发现通常的工艺不能形成稳定的非晶相。另外，发现大部分通常制造的ZnO显示多晶相，在多晶晶粒间的界面上散射载流子，因此不能提高电子迁移率。此外，ZnO倾向于形成氧缺陷，因此，产生很多载流子电子，难于减小电导率。因此，使用ZnO半导体的TFT，在源极端子和漏极端子之间流过大的电流，即使当不施加晶体管的栅电压时也如此，不能实现正常截止操作。另外也发现，使用ZnO半导体的TFT难于增加ON/OFF比。
另外，本发明人对在日本专利申请No.2000-044236号公报中公开的非晶氧化物薄膜ZnxMyInzO(x+3y/2+3z/2)(其中，M为Al和Ga中的至少一种)进行了研究。该材料具有大于等于1×1018/cm3的电子载流子浓度，并因此适合简单地用作透明电极。然而，发现该材料不适合用于正常截止型TFT，原因在于：当TFT使用电子载流子浓度大于等于1×1018/cm3的氧化物作为其沟道层时，TFT不能提供足够的ON/OFF比。
换句话说，现有的非晶氧化物薄膜不能获得小于1×1018/cm3的电子载流子浓度。
本发明人积极地研究了作为材料的InGaO3(ZnO)m的特性和成膜条件，结果发现：通过控制在成膜过程中的氧气氛条件，能够将电子载流子浓度减小到小于1×1018/cm3。
因此，本发明人发现：通过使用包含电子载流子浓度小于1×1018/cm3的非晶氧化物作为场效应晶体管的有源层而制备的TFT，能够显示期望的特性，并可以将其应用到如发光器件等的平板显示器上。
作为设置有多个使用根据本发明的发光器件的线性排列的光源和感光器的电子照相器件，有复印机、打印机和一体化鼓盒。
附图说明
图1示出以脉冲激光汽相淀积法形成的基于In-Ga-Zn-O的非晶薄膜中的电子载流子浓度与成膜时的氧分压之间的关系的示意图。
图2示出以溅射法利用氩气形成的基于In-Ga-Zn-O的非晶薄膜中的电导率与成膜时的氧分压之间的关系的示意图。
图3示出以脉冲激光汽相淀积法形成的基于In-Ga-Zn-O的非晶薄膜中的电子载流子数量与电子迁移率之间的关系的示意图。
图4A、4B、4C示出相对于以脉冲激光汽相淀积法在具有0.8Pa的氧分压的气氛下形成的InGaO3(Zn1-xMgxO)薄膜中的x值，电导率、载流子浓度和电子迁移率的改变。
图5示出实施方式1中制备的顶部栅极型MISFET元件的结构框图。
图6示出实施方式1中制备的顶部栅极型MISFET元件的电流-电压特性的示意图。
图7示出本发明的发光器件的剖面的示意图。
图8示出当本发明的发光器件用作显示器时的电路图。
图9示出本发明的发光器件剖面示意图。
图10示出本发明的线性排列的光源的电连接示意图。
图11示出本发明的线性排列光源的配置例的剖面图。
图12示出本发明线性排列的光源的配置例的剖面图(右上结构)。
图13示出复印机、页式打印机、在一体化鼓盒内的光导鼓和线性排列的光源的配置例的示意图。
图14示出脉冲激光汽相淀积设备的示意图。
图15示出溅射成膜设备的示意图。
具体实施方式
参照示出第1实施方式的图7，对根据本发明的基本结构进行说明。
在这些附图中，符号70表示漏电极、符号71表示衬底、符号72表示有源层、符号73表示栅绝缘膜、符号74表示栅电极、符号75表示源电极、符号77表示第二电极、符号78表示发光层、符号79表示第一电极。在第1实施方式中，将第二电极(以后称为“底部电极”)配置在比发光层更靠近衬底的位置上，发光层是有机EL层。将第一电极(以后，称为“对置电极”)配置在比发光层更远离衬底的位置上。上述部件之间的间隙用层间绝缘层76填充。
首先，详细叙述每个部件。
(1.衬底)
在发光器件中，通常使用玻璃作为衬底的材料。然而，由于在本发明中所使用的TFT能够在低温下形成，因此难于用于有源矩阵中的塑料衬底能够在本发明中使用。因而，能够提供重量轻、难以损坏、并在一定范围内可弯曲的发光器件。当然，也可以使用如Si的半导体衬底和陶瓷衬底。只要该衬底是平坦的，也可以使用具有设置在金属基板上的绝缘层的衬底。
(2.晶体管)
晶体管的有源层可以是任何一种材料，只要它具有期望的特性，具体地，电子载流子浓度小于1×1018/cm3以及电子迁移率大于1cm2/(V-秒)。该材料包括：例如，基于In-Ga-Zn-O的非晶氧化物半导体。该非晶氧化物是透明的膜。这里，透明一词不仅表示对可见光充分地透明的情况，而且还包括在可见光范围内的至少一部分光线是光学透明的情况。关于光学透明性，基于In-Ga-Zn-O的非晶氧化物半导体优选具有大于等于50％的透射率；更优选地，具有大于等于80％的透射率。上述合成物可以包括替代的或添加的Mg。当发光器件包含使用基于In-Ga-Zn-O的有源层的TFT时，由于TFT对有机EL元件提供足够的电压和电流的驱动强度，因而显示了有用的性能。
将单独地对该非晶氧化物进行详细的描述。
溅射技术和脉冲激光汽相淀积方法适用于形成上述有源层，但是可以使用在产量上有优势的各种溅射技术。也可以适当地在有源层与衬底之间插入缓冲层。
作为栅绝缘膜，优选地，是Al2O3、Y2O3、HfO2中的任何一种，或是至少包含它们中的2种或更多的混合结晶化合物；但也可以是其他的化合物。
可使用的源电极和漏电极，包括以ITO为代表的导电氧化物和如Au等的金属。然而，优选地，电极可以与有源层欧姆地或近似欧姆地连接。漏电极也可以直接与发光层相连而不用经过第二电极。
(3.发光层)
只要能够由TFT驱动，对发光层就没有限制，但是有机EL是尤其有利的。用于本发明的有机EL层78极少作为单层使用，而经常用作如下所述的多层结构。以下，“电子传输层”意味着具有电子传输功能的发光层。
空穴传输层/发光层+电子传输层；
空穴传输层/发光层/电子传输层；
空穴注入层/空穴传输层/发光层/电子传输层；
空穴注入层/空穴传输层/发光层/电子传输层/电子注入层。
有时在多层之间插入电子屏蔽层和粘合促进层。
通常，在发光层的发光原理中，有荧光和磷光的两种原理，但从发光功效的观点出发磷光是有效的。铱络合物作为磷光材料是有用的。低分子聚合体和高分子聚合体都能够作为用于发光层的基础金属的聚合体。当使用低分子聚合体时，发光层通常能够以汽相淀积法形成；当使用高分子聚合体时，发光层能够以喷墨法或印刷工艺形成。例如，低MW(分子量)材料包括胺络合物，蒽，稀土络合物和贵金属络合物；高MW材料包括π共轭聚合体和含色素的聚合体。
电子注入层包括碱金属、碱土金属、它们的化合物、和以碱金属掺杂的有机层。此外，电子传输层包括Al络合物、噁二唑、三唑，和邻二氮杂菲。
空穴注入层包括芳基胺(arylamines)、酞菁染料和以路易斯(Lewis)酸掺杂的有机层；空穴传输层包括芳基胺(arylamines)。
图7示出有机EL元件的结构例，但是相同的结构可以用于无机EL元件。
(4.第一电极)
将描述第一电极作为对置电极的情况。对对置电极优选的材料根据是用于作顶部发射型还是用于底部发射型，以及是用作阴极还是阳极而不同。
当对置电极用于顶部发射型时，需要透明度；当用作阳极时，可用的材料包括ITO、导电氧化锡、导电ZnO和电子载流子浓度大于等于1×1018/cm3的基于In-Zn-O和基于In-Ga-Zn-O的氧化物，它们全部是透明的导电氧化物。当用作阴极时，对置电极可以通过将碱金属或碱土金属掺杂到几十纳米或更薄的薄膜中以形成合金，并在上部形成透明导电氧化物而构成。
当将其用于底部发射类型时，不需要透明度，因此，当将其用作阳极时，可以使用Au合金和Pt合金；当将其用作阴极时，可以使用添加了Ag的Mg、添加了Li的Al、硅化物、硼化物、以及氮化物。
(5.第二电极)
将第二电极连接到漏电极上。第二电极可以具有与漏电极相同或不同的化合物。
第二电极可以是底部电极。底部电极可以形成为沿衬底或发光层形成的层。
当发光层是以有机EL元件为代表的电流注入型时，根据结构优选地具有底部电极。
当与底部电极相连的发光层是阴极时，优选地，该底部电极是功函数小的金属。该底部电极包括，例如，添加了Ag的Mg、添加了Li的Al、硅化物、硼化物和氮化物。此时，与直接与TFT的漏极部分相连比起来，更有利的是通过布线与TFT的漏极部分相连。
当与底部电极相连的发光层是阳极时，优选地，该底部电极是功函数大的金属。该底部电极包括，例如，ITO、导电氧化锡、导电ZnO、In-Zn-O、Pt合金和Au合金。此外，可以使用具有电子载流子浓度大于等于1×1018/cm3的基于In-Ga-Zn-O的氧化物。与用于TFT的情况不同，在此情况下，由于底部电极是氧化物，所以载流子浓度越高越优选。例如，更优选载流子浓度大于等于1×1019/cm3。当底部电极是由ITO或基于In-Ga-Zn-O的氧化物(具有高载流子浓度)制成时，由于它是透明的，因此即使在底部发射类型中使用，也能够提供高的开口面积比。当底部电极直接与漏电极、尤其是ITO相连时，上述的基于In-Ga-Zn-O的氧化物(高载流子浓度)和Au合金是更加优选的。
当底部电极直接与漏电极相连时，底部电极优选是空穴注入型。尤其，底部电极的材料优选是ITO、掺杂了Al或Ga的ZnO、以及具有载流子浓度大于等于1×1018/cm3的基于In-Ga-Zn-O的氧化物。尤其，当基于In-Ga-Zn-O的氧化物用作电极和有源层时，有源层In-Ga-Zn-O的一部分的载流子浓度可以通过在其中引入氧缺陷等技术来提高；发光器件被简单而有效地配置。此时，一看便知，空穴传输层和空穴注入层在有源层上形成。这种结构在本发明的范围内。具体地，该结构是底部电极和漏电极集成在有源层的一部分上的结构。
(6.层间绝缘层)
具体地说，当第二电极是底部电极时，作为底部电极77的下层的层间绝缘层76可以使用与栅绝缘膜相同的材料。当然，为了获得平坦层，也可以使用其他材料的绝缘层。例如，聚酰亚胺薄膜可以被旋转涂布，氧化硅可以以等离子体CVD法、PECVD法和LPCVD法形成或通过涂布并焙烧硅醇盐形成。层间绝缘层适当地具有形成在其中的、用于与源电极或漏电极相连的接触孔。
(7.电极布线及其他)
如作为栅电极布线的扫描电极布线和信号电极布线的电极布线，可以使用如Al、Cr和W等金属，和如WSi等硅化物作为材料。
下面，将详细叙述各组成部分之间的关系。
首先，将参照图7说明第1实施方式，其中，优选底部电极通过布线部分地与漏电极相连。
第1实施方式
源电极75和漏电极70被直接连接到有源层72上，并且流过有源层72的电流由栅电极74隔着栅绝缘层73而进行控制。
发光层的有机EL层78通过底部电极77和接触孔中的布线被连接到漏电极70上。层间绝缘层76位于底部电极77与TFT部分之间，以将它们电绝缘。层间绝缘层76不必为单层，而通常是由配置在栅绝缘膜和栅电极上部的各绝缘层构成的，并且通常层间绝缘层用作平坦化的目的。
对置电极79位于有机EL层78的上部，并将电压施加到有机EL层78上，以使得当TFT导通时，使该有机EL层78发光。
这里，漏电极70与第二电极电连接，或者其自身就是第二电极。
图7示出有机EL层78也位于TFT的顶部的高开口面积比的例子，然而有机EL层78可以在除TFT部分以外的其他部分上形成，只要不引起应用上的问题即可。然而，当有机EL层78使用于图7所示的结构中时，优选地，有机EL层的下部尽可能平坦。
虽然图7中漏电极70与底部电极77相连，但也可以根据用法将源电极75与底部电极77相连。即、本发明的特征在于：将包含非晶氧化物的晶体管的源电极和漏电极中的任何一个，连接到夹着发光层的电极上。当在发光层78下的底部电极77为阳极时，将TFT的源电极连接到阳极上的结构也是优选的。
(发光器件的制备)
这里，参照漏电极通过布线与底部电极相连的结构，并且把有机EL用作发光元件的例子，对根据本发明的发光器件的制造过程进行阐述。
(晶体管的制备)
通过以下步骤制备晶体管：
使用具有InGaO3(ZnO)4成分的多晶烧结块作为靶，在电子载流子浓度为1×1018/cm3的条件下，利用脉冲激光汽相淀积法在玻璃衬底上、将基于In-Ga-Zn-O的非晶氧化物半导体淀积为120nm厚的薄膜；该步骤将在后详述；
然后，在氧分压被控制为小于1Pa的室内，利用脉冲激光淀积法成层30nm厚的具有高电导率的InGaO3(ZnO)4的膜，并利用电子束汽相淀积法在其上面形成50nm厚的Au膜作为源电极和漏电极；
然后，利用电子束汽相淀积法分别形成90nm厚的作为栅绝缘膜的Y2O3膜，和50nm厚的作为栅电极的Au膜。在上述一系列工序中，每层都利用光刻法和剥离技术形成期望的尺寸。另外，利用相似的方法在它们的上面形成绝缘层。然后，还在其中形成用于漏电极的接触孔。
(底部电极层的制备)
然后，利用溅射工艺，通过形成厚度为300nm的ITO薄膜而形成底部电极；之后，利用在接触孔中的布线与漏电极和底部电极相连。
(有机EL发光层的制备)
在下面的步骤中，利用热电阻汽相淀积法通过形成下述薄膜而形成有机EL发光层：作为空穴注入层的、60nm厚的4，4’-二[N，N-二胺]-4”-苯基-三苯基胺膜；作为其上的空穴传输层的、20nm厚的4，4’-二[N-(1-萘基)-N-苯胺基]联苯膜；作为发光层的、40nm厚的4，4’-二(2，2-联苯)乙烯基膜；和作为电子传输层的、20nm厚的三(8-羟基喹啉)铝膜。
(对置电极的制备)
最后，通过利用双汽相淀积法形成50nm厚的Al和Ag合金膜，和形成50nm厚的Al膜，而制备对置电极。
当通过与其上的探针相接触而驱动上述元件时，从衬底的背面发出蓝光；即得到底部发射型元件。
本实施方式的重要之处在于：通过控制氧缺陷的数量，基于In-Ga-Zn-O的非晶氧化物半导体得到期望的电子载流子浓度。
如上所述，在透明氧化物膜中的氧的数量(氧缺陷的数量)由在包含预定氧浓度的气氛下成膜而被控制，但是也优选地，通过对在上述含氧的气氛下在上述步骤中形成的氧化物薄膜进行后处理来控制(减少或增加)氧缺陷的数量。
为了有效控制氧缺陷的数量，将含氧气氛的温度控制为大于等于0℃、并小于等于300℃；优选地，大于等于25℃、并小于等于250℃；更优选地，大于等于100℃、并小于等于200℃。
当然，也可以在含氧的气氛中成膜，然后在含氧的气氛中进行后处理。此外，如果该方法提供了预定的电子载流子浓度(小于1×1018/cm3)，也能够在不控制氧分压的气氛中成膜，并在含氧的气氛中进行后处理。
这里，本发明的电子载流子浓度的下限与应用所得到的氧化物薄膜的元件、电路和器件的种类有关，但是例如大于等于1×1014/cm3。
其次，将参照图9，阐述底部电极直接与漏电极相连而不在其间插入布线的第2实施方式。
第2实施方式
在图9中，符号91表示衬底，符号92表示由本发明的半导体材料制造的有源层，符号93表示栅绝缘膜，符号94表示栅电极，符号95表示源电极，符号96表示绝缘层，符号97表示底部电极。底部电极97形成于漏电极上，或与漏电极相同，换句话说即是漏电极本身。符号98表示有机EL层，符号99表示对置电极。
本实施方式具有基本上与第1实施方式相同的结构类型，即、底部电极的一部分通过布线与漏电极相连；但不同的结构是，当从衬底91上方位置观察时，漏电极和发光层布层于相同的重叠区域上，并且底部电极位于它们之间。
漏电极可以是与底部电极相同的部件。此时，漏电极需要具有将电子或空穴有效地注入有机EL层的能力。
优选地，通过增加氧缺陷，将与漏电极的底部相对应的有源层的一部分的电子载流子浓度控制为大于等于1×1018/cm3。于是，它能够同时作为漏电极和底部电极使用。此时，优选地，该有源层由In-Ga-Zn-O膜构成，其功能为空穴注入层，并与发光层的阳极部分相连。
图9表示发光层设置在TFT层上部的例子，可选的结构是：如果不引起功能上的问题，可以将第一电极的对置电极和第二电极的底部电极颠倒，而将第一电极直接层叠在漏电极上。此时，作为底部电极的第二电极表面上位于上部，但是只要与漏电极相连、其功能就相同。尤其，当使用无机EL层时，由于比有机EL层更难加工，因此可以采用相反的情况。
在本发明的发光器件的优选结构中，第一和第二电极为对置电极和底部电极，场效应晶体管为TFT，TFT的有源层包含In、Ga和Zn，至少一部分有源层为非晶氧化物，并且发光层的一部分与TFT的漏电极电连接。
在根据本发明的发光器件中，发光层的一部分直接与漏电极相连，或发光层的一部分可以通过布线与漏电极相连。优选地，如此连接的发光层的一部分是发光层的阳极侧或阴极侧。
优选地，漏电极和上述的底部电极中至少一个为透明导电氧化物。
其次，参照图8，对第3实施方式的应用于显示器的结构例子进行说明。
虽然在图9中，将漏电极97用作底部电极，但根据发光层的层结构的构造，源电极95也可以用作底部电极。即、本发明的特征在于：将包含非晶氧化物的晶体管的源电极和漏电极中任意一个连接到夹着发光层的电极上。
第3实施方式
在图8中，符号81表示用于驱动有机EL层84的晶体管，该晶体管将电流传输给具有有机EL层84和夹着该有机EL层84的一对电极的发光元件。符号82是用于选择图像元件的晶体管2，用于将用来决定传送给发光元件的电流的图像信号提供给晶体管81的栅极。
此外，为了保持所选择的条件而设置电容器83，存储公共电极布线87与晶体管2的源电极部分之间的电荷，并保持晶体管1的栅极信号。图像元件通过扫描电极线85和信号电极线86而被选择并决定。
该结构将被更详细的描述。
当行选择信号以脉冲信号的形式通过扫描电极85从驱动器电路(未图示)施加到栅电极上的同时，图像信号通过信号电极86从另一个驱动器电路(未图示)施加到晶体管82上，以选择图像元件。
此时，晶体管82导通，电荷存储于设置在信号电极布线86和晶体管82的源电极之间的电容器83中。因此，晶体管81的栅电压被保持在对应于图像信号的期望的电压，晶体管81在源电极和漏电极之间流过对应于图像信号的电流。该状态被保持直到该晶体管接收到下一个信号。当晶体管81流过电流时，电流也被连续地施加到有机EL层84上，发光被保持。
图8示出对一个图像元件使用两个晶体管和一个电容器的结构例子，但是为了增强性能，该结构可以包含更多的晶体管。
关键是根据本发明，通过使用具有以透明的并可以在低温下形成的基于In-Ga-Zn-O的氧化物为代表的非晶氧化物的有源层的TFT，发光器件可以在晶体管部分实现正常截止型的TFT，因此抑制不需要的发光。上述TFT也可以提供具有高对比度的电子照相器和显示器单元。
第4实施方式
如图11和图12所示，本发明的第4实施方式是底部发射型的发光器件。
具体地，发光器件具有设置在光学透明衬底上的上述的发光层和上述的场效应晶体管，并经由上述衬底从上述发光层发光。在图11中，由非晶氧化物构成的有源层(沟道层2101)也设置在发光元件2106的正下方，但并不需要设置在其正下方。当然，在图11的结构中，从发光层2108发射的光线穿过由上述非晶氧化物构成的有源层和衬底2100。
顺便说明，光源可以通过在一维上设置本发明的发光器件来制造，并且可以通过将其自身与如图13所示的感光器的光导鼓2350组合而制造设备。具体地，电子照相装置可以包括感光器2350，为感光器供电的供电器(未图示)，用光2301照射感光器以在感光器上形成潜像的曝光光源2300，和用于显影上述潜像的显影单元(未图示)。
在上述第1和第2实施方式中阐述的非晶氧化物，将在下面进行详细说明。
(非晶氧化物)
在上述本发明的第1～第3实施方式中使用的有源层在下面进行说明。
在本发明中的非晶氧化物的电子载流子浓度是在室温下的测量值。室温为0℃～约40℃范围内的温度，例如，25℃。本发明的非晶氧化物的电子载流子浓度不必在整个0℃～40℃的范围内都小于1018/cm3。例如，在25℃的温度下，小于1018/cm3的电子载流子浓度是可接受的。在较低的电子载流子浓度下，不高于1×1017/cm3，或不高于1×1016/cm3，能够高产出率地制造正常截止型TFT。
在本说明书中，小于“1018/cm3”是指“优选地小于1018/cm3，和更优选地少于1.0×1018/cm3”。电子载流子浓度可以利用霍耳效应法来测量。
本发明的非晶氧化物是在X-射线衍射光谱测定法中呈现光晕图案并且无特征衍射线的氧化物。
在本发明的非晶氧化物中，电子载流子浓度的下限是例如1×1012/cm3；但由于可将其作为TFT的沟道层使用，故并不限于这一范围。
因此，本发明中，通过控制如后述的例子中所述的非晶氧化物的材料、组分比、制造条件等来将电子载流子浓度调整在范围内，例如从1×1012/cm3到1×1018/cm3的范围内，优选地，从1×1013/cm3到1×1017/cm3的范围内，更优选地，从1×1015/cm3到1×1016/cm3的范围内。
除了InZnGa氧化物外，非晶氧化物也可以适当地从In氧化物，InxZn1-x氧化物(0.2≤x≤1)，InxSn1-x氧化物(0.8≤x≤1)，Inx(Zn，Sn)1-x氧化物(0.15≤x≤1)中选择。该Inx(Zn，Sn)1-x氧化物也可以用Inx(ZnySn1-y)1-x(0≤y≤1)表示。
当In氧化物既不包含Zn也不包含Sn时，In可以部分地替换为Ga:InxGa1-x氧化物(0≤x≤1)。
以下将详细叙述由本发明的发明者制备的电子载流子浓度为1×1018/cm3的非晶氧化物。
上述的一组氧化物典型地包括In-Ga-Zn-O，以结晶状态的InGaO3(ZnO)m(m：小于6的自然数)为代表，并包含小于1×1018/cm3浓度的电子载流子。
上述的另一组氧化物典型地包括In-Ga-Zn-Mg-O，以结晶状态的InGaO3(Zn1-xMgxO)m(m：小于6的自然数，而且0≤x≤1)为代表，并包含小于1×1018/cm3浓度的电子载流子。
包括这种氧化物的膜，优选地被设计为呈现出电子迁移率大于1cm2/V·sec。
通过使用上述的膜作为沟道层，能够制造在晶体管截止状态下栅电流小于0.1微安、具有大于1×103的on-off率、对可见光透明且柔软的正常截止型TFT。
在上述膜中，电子迁移率随导电电子的增加而增加。形成透明膜的衬底包括玻璃板、塑料板和塑料膜。
在使用上述非晶氧化物薄膜作为沟道层时，由包括Al2O3、Y2O3或HfO2，或它们的混合结晶化合物的层中的至少一个作为栅绝缘体。
在上述实施方式中，所述膜在含氧气的气氛中形成，不需为了增大电阻而对非晶氧化物有意识地添加杂质。
本发明的发明人发现，半绝缘氧化物的非晶薄膜的特征在于：其电子迁移率随导电电子数量的增加而增加；进一步发现通过使用该薄膜而制备的TFT，在例如on-off率、夹断状态下的饱和电流、开关速率等晶体管特性上得到提升。因此，正常截止型TFT能够通过使用非晶氧化物而制造。
通过使用非晶氧化物薄膜作为薄膜晶体管的沟道层，电子迁移率能够变为大于1cm2/V·sec，优选地，大于5cm2/V·sec。截止状态(不施加栅电压)下，在载流子浓度小于1×1018/cm3、优选地小于1×1016/cm3时，能够将漏极端子与源极端子之间的电流控制到小于10微安；优选地小于0.1微安。另外，通过使用该薄膜，夹断后的饱和电流能够升高到大于等于10微安，对于电子迁移率大于等于1cm2/V·sec、优选地大于等于5cm2/V·sec，能够将on-off率提高到大于1×103。
在TFT的夹断状态下，高电压被施加到栅极端子上，而在沟道内存在高密度的电子。因此，根据本发明，饱和电流能够随电子迁移率的增加而增加。由此，晶体管特性能够提升，如on-off率的增加、饱和电流的增大、开关速率的增加。相反地，在通常的化合物中，由于电子间碰撞，电子的增加减小了电子迁移率。
上述的TFT的结构可以是交错(顶部栅极)结构，其中栅绝缘体和栅极端子在半导体沟道层上连续形成；或反交错(底部栅极)结构，其中栅绝缘体和半导体沟道层在栅极端子上连续形成。
(形成薄膜的第1工艺：PLD工艺)
具有结晶状态的化合物InGaO3(ZnO)m(m为小于6的自然数)的非晶氧化物薄膜，当m小于6时，直到大于等于800℃的高温都是稳定的；然而随着m的增加，即ZnO对InGaO3的比例的增加近似于ZnO化合物，该氧化物趋向于结晶化。因此，对于用作非晶TFT的沟道层，该氧化物的m值优选小于6。
优选利用气相成膜工艺，通过使用具有InGaO3(ZnO)m成分的多晶烧结块的靶来进行成膜。对于气相成膜工艺，溅射和脉冲激光汽相淀积法是适合的。溅射尤其适合于批量生产。
然而，在通常条件下的非晶膜的成膜过程中，会发生氧缺陷，因此无法获得小于1×1018/cm3的电子载流子浓度和小于10S/cm的电导率。使用这种膜，不能构成正常截止型晶体管。
本发明的发明人以脉冲激光汽相淀积法、利用图14中的设备，制造In-Ga-Zn-O薄膜。
通过使用如图14所示的这种PLD成膜设备来成膜。
在图14中，符号表示如下：701为RP(旋转式泵)，702为TMP(涡轮分子泵)，703为预备室，704为RHEED用电子枪、705为用于旋转和垂直移动衬底的衬底支架，706为激光射入窗，707为衬底，708为靶，709为基源，710为进气口，711为用于旋转和垂直移动靶的靶支架，712为旁路线，713为干线，714为TMP(涡轮分子泵)，715为RP(旋转式泵)，716为钛吸气泵，717为遮光器，718为IG(离子压力计)，719为PG(皮拉尼计量器)，720为BG(Baratron计量器)，721为生长室。
使用KrF受激准分子激光器脉冲激光汽相淀积法，在SiO2玻璃衬底(Corning Co.：1737)上淀积In-Ga-Zn-O型非晶氧化物半导体薄膜。作为淀积前的预处理，使用丙酮、乙醇、超纯水，分别将衬底进行超声波清洗5分钟来脱脂，并在100℃的空气下进行干燥。
多晶靶是InGaO3(ZnO)4烧结块(尺寸：直径20mm，厚度5mm)，该烧结块是通过湿混合作为原材料的In2O3、Ga2O3、ZnO(每个为4N试剂)(溶剂：乙醇)，焙烧该混合物(1000℃，2小时)，干粉碎该混合物并烧结(1550℃，2小时)而制。该靶具有90S/cm的电导率。
将生长室中的最终真空度控制为2×10-6Pa，并且将在生长过程中的氧分压控制为6.5Pa来进行成膜。在生长室721中的氧分压为6.5Pa，而衬底温度为25℃。靶708与膜支撑衬底707之间的距离为30nm，通过导入窗口716导入的功率在1.5～3mJ/cm2/脉冲的范围内。脉冲宽度为20nsec，重复频率为10Hz，照射斑尺寸为1×1mm2。在上述条件下，在7nm/min的速率下成膜。
所得到的薄膜利用小角度X-射线散射法(SAXS)(薄膜法，入射角：0.5°)测试：没有观测到明显的衍射峰值。这样，所得到的In-Ga-Zn-O型薄膜被判定为非晶型。根据X-射线反射率及其图样分析，均方粗糙度(Rrms)约为0.5nm，膜厚约为120nm。根据荧光X-射线光谱测定分析(XRF)，该薄膜的金属成分为In∶Ga∶Zn＝0.98∶1.02∶4。电导率约小于1×10-2S/cm。电子载流子浓度估计不超过1×10-16cm3。电子迁移率估计约为5cm2/V·sec。根据吸收光谱分析，所得到的非晶薄膜的光学带隙能量宽度估计约为3eV。
上述结果显示所得到的In-Ga-Zn-O型薄膜是具有成分接近结晶InGaO3(ZnO)4的、氧缺陷少、并具有低电导率的非晶相的透明平坦薄膜。
将参照图1对上述薄膜形成进行更详细的说明。图1示出了对于在与上述例子相同成膜条件下形成的、假设为结晶态下的InGaO3(ZnO)m(m：小于6的自然数)成分的膜，所形成的透明非晶氧化物薄膜中的电子载流子浓度关于氧分压的相关性。
通过在与上述例子相同的条件下、在具有高于4.5Pa的氧分压的气氛中成膜，如图1所示，电子载流子浓度能够降低到小于1×1018/cm3。在成膜过程中，将衬底保持在接近室温，而不需特意进行加热。对于使用柔软的塑料膜作为衬底，衬底温度优选地保持在低于100℃的温度下。
更高的氧分压能够减小电子载流子浓度。例如，如图1所示，在衬底温度为25℃、氧分压为5Pa时形成的InGaO3(ZnO)4薄膜有1×1016/cm3的较低电子载流子浓度。
如图2所示，在所得到的薄膜中，电子迁移率高于1/cm2/V·sec。然而，在本例中的高于6.5Pa的氧分压下、利用脉冲激光汽相淀积法淀积的膜具有粗糙的表面，不适合作为TFT的沟道层。
因此，能够通过使用在高于4.5Pa的氧分压、优选地在高于5Pa而低于6.5Pa下，以在上述例子中的脉冲激光汽相淀积法形成的以结晶态InGaO3(ZnO)m(m：小于6的数)为代表的透明薄非晶氧化物来制备正常截止型的晶体管。
上述所得到的薄膜呈现出电子迁移率高于1cm2/V，能够使on-off率高于1×103。
如上所述，在以本例中的条件下、以PLD方法形成InGaZn氧化物薄膜的过程中，优选地将氧分压控制在4.5Pa～6.5Pa范围内。
为了得到1×1018/cm3的电子载流子浓度，应该控制氧分压条件、成膜设备的结构、成膜材料的种类和成分。
接下来，通过在氧分压为6.5Pa时使用上述的设备形成非晶氧化物来形成图5中示出的顶部栅极型MISFET元件。具体地，在玻璃衬底1上，通过上述形成非晶薄Ga-Ga-Zn-O膜的方法，形成用于沟道层2的120nm厚的半绝缘非晶InGaO3(ZnO)4膜。在氧分压低于1Pa的室内，利用脉冲激光淀积，将厚度分别为30nm的更高电导率的InGaO3(ZnO)4薄膜和金膜层叠在非晶InGaO3(ZnO)4膜上。然后，利用光刻法和剥离法，形成漏极端子5和源极端子6。最后，通过电子束汽相淀积法，形成用于栅绝缘层3的Y2O3膜(厚度：90nm，相对介电常数：约15，漏电流密度：在0.5MV/cm下为1×10-3A/cm3)。在其上形成金膜，并利用光刻法和剥离法形成栅极端子4。
(MISFET元件的特性的评价)
图6示出在室温下测试的MISFET元件的电流-电压特性。根据漏极电流IDS随漏极电压VDS的增加而增加，可知该沟道为n型半导体。这与非晶In-Ga-Zn-O型半导体是n型半导体的事实相符。IDS在VDS＝6V时变为饱和(夹断)，这是半导体晶体管的典型特性。根据增益特性的测试可知，在VDS＝4V时，栅电压VGS的阈值约为-0.5V。当VG＝10V时，产生IDS＝1.0×10-5A的电流。这与在In-Ga-Zn-O型非晶半导体薄膜中，利用栅极偏置而感应的载流子相对应。
晶体管的on-off率高于1×103。根据输出特性，场效应迁移率计算出大约为7cm2(Vs)-1。根据相同测试，可见光的照射不改变所制造元件的晶体管特性。
根据本发明，能够制造具有含较低浓度的电子载流子的沟道层，以获得更高的电阻和更高的电子迁移率的薄膜晶体管。
上述非晶氧化物具有电子迁移率随电子载流子浓度的增大而增大，并具有简并传导性的优秀特性。在本例中，该薄膜形成于玻璃衬底上。然而，由于薄膜可以在室温下形成，因此塑料板或薄膜可以用作衬底。另外，在本例中所获得的非晶氧化物只吸收可见光的一小部分，故可以提供透明柔软的TFT。
(成薄的第二工艺：溅射工艺(SP工艺))
下面，将对利用高频SP工艺、使用氩气作为气氛形成薄膜的过程进行叙述。
SP工艺通过使用图15中的设备而进行。在图15中，符号表示如下：807表示用于形成薄膜的衬底，808表示靶，805表示装备了冷却设备的衬底支架，814表示涡轮分子泵，815表示旋转式泵，817表示遮光器，818表示离子压力计，819表示皮拉尼计量器，821表示生长室，830表示闸门阀。
用于形成薄膜的衬底807为SiO2玻璃衬底(Corning Co.：1737)，使用丙酮、乙醇、超纯水，对该衬底进行超声波清洗各5分钟以脱脂，并在100℃的空气下进行干燥。
该靶为具有InGaO3(ZnO)4(尺寸：直径20mm，厚度5mm)成分的多晶烧结块，其通过湿混合作为原材料的In2O3、Ga2O3、ZnO(每个为4N试剂)(溶剂：乙醇)、焙烧该混合物(1000℃，2小时)、干粉碎该混合物、并烧结(1550℃，2小时)而制成。靶808具有90S/cm的电导率，是半绝缘的。
生长室821的最终真空度为1×10-4Torr。在生长过程中，氧和氩气的总压力是保持为4～0.1×10-1Pa范围内的常数。在氧分压1×10-3～2×10-1Pa的范围内，氩气与氧气分压比改变。
该衬底温度为室温。靶808与用于成膜的衬底807之间的距离为30mm。
输入电功率为RF 180W，成膜速率为10nm/min。
所得到的薄膜，利用小角度X-射线散射法(SAXS)(薄膜法，入射角：0.5°)测试：没有观测到明显的衍射峰值。这样，所得到的In-Ga-Zn-O型薄膜被判定为非晶型。根据X-射线反射率及其图样分析，均方粗糙度(Rrms)约为0.5nm，膜厚约为120nm。根据荧光X-射线光谱测定分析(XRF)，该薄膜的金属成分为In∶Ga∶Zn＝0.98∶1.02∶4。
在气氛的各种氧分压下形成膜，并且对所得到的非晶氧化物薄膜进行电导率测试。图3示出其结果。
如图3所示，通过在具有高于3×10-2Pa的氧分压的气氛中进行成膜，电导率可以降低到小于10S/cm。电子载流子数量能够随着氧分压的增加而减小。
如图3所示，例如，在25℃的衬底温度、1×10-1Pa的氧分压下所形成的InGaO3(ZnO)4薄膜，具有约为1×10-10S/cm的较低的电导率。另外，在1×10-1Pa的氧分压下形成的InGaO3(ZnO)4薄膜具有特别高的电阻，具有不可测量的电导率。对于这样的薄膜，虽然电子迁移率是不可测量的，但通过高电子载流子浓度的薄膜的数值外推，电子迁移率估计大约为1×cm2/V·sec。
因此，具有高于1×103的on-off率的正常截止型晶体管，可以通过使用在氧分压高于3×10-2Pa、优选地高于5×10-1Pa的含氧氩气气氛中，以溅射汽相淀积法所制备的、由以结晶态InGaO3(ZnO)m(m：小于6的自然数)为代表的In-Ga-Zn-O构成的透明非晶氧化物薄膜而获得。
在用于本例的设备和材料的使用中，利用溅射法成膜的过程是氧分压为3×10-2Pa～5×10-1Pa的范围内进行的。另外，如图2所示，在利用脉冲激光汽相淀积法或溅射法制造的薄膜中，电子迁移率随导电电子数量的增加而增加。
如上所述，通过控制氧分压，可以减小氧缺陷，从而减小电子载流子浓度。在非晶薄膜中，由于与多晶状态不同，在非晶状态下没有实质的晶粒界面存在，因此电子迁移率高。
另外，作为玻璃衬底的替代，200μm厚的聚乙烯对苯二酸脂(PET)膜不会改变在它上面所形成的InGaO3(ZnO)4非晶氧化物膜的特性。
高电阻的非晶膜InGaO3(Zn1-xMgxO)m(m：为小于6的自然数，0≤x≤1)可以通过使用多晶InGaO3(Zn1-xMgxO)m作为靶而得到；即使在氧分压小于1Pa时。例如，使用由Mg代替80原子％的Zn的靶，利用脉冲激光淀积法，在氧分压0.8Pa的含氧的气氛中，能够得到低于1×1016/cm(电阻：约为1×10-2S/cm)的电子载流子浓度。在如此的薄膜中，电子迁移率低于无Mg的膜，但是这种减少是微量的：电子迁移率在室温下约为5cm2/V·sec，比非晶硅化物的电子迁移率高一个数量级。当薄膜在相同的条件下形成时，Mg含量的增加会使电导率和电子迁移率都减小。因此，优选地，Mg的含量在20％～85％的范围内(0.2＜x＜0.85)。
在使用了上述非晶氧化物膜的薄膜晶体管中，栅绝缘体优选包含Al2O3、Y2O3、HfO2、以及它们的混合物中的两种或更多的混合结晶化合物。
在栅绝缘薄膜与沟道层薄膜之间的界面上出现的缺陷降低了电子迁移率，并导致晶体管特性的滞后现象。另外，电流泄漏与栅绝缘层的种类有很大的关系。因此，栅绝缘体要选择适合于沟道层。电流泄漏可以通过使用Al2O3膜而减小，滞后现象可以通过使用Y2O3膜而减小，而电子迁移率可以通过使用具有高介电常数的HfO2膜而增加。通过使用上述化合物的混合结晶，能够形成电流泄漏小、滞后现象小且电子迁移率高的TFT。由于栅绝缘体形成工艺和沟道层形成工艺能够在室温下进行，因此TFT能够形成为交错结构或反交错结构。
因此这样形成的TFT是具有栅极端子、源极端子、漏极端子的三端器件。该TFT通过在陶瓷、玻璃或塑料绝缘衬底上形成作为为了传输电子或空穴的沟道层的半导体薄膜而构成；并作为具有通过在栅极端子上施加电压而控制流过沟道层的电流、并开关源极端子与漏极端子之间的电流的功能的有源元件。
本发明的重要之处在于：能够通过控制氧缺陷的数量而获得期望的电子载流子浓度。
如上所述，在非晶氧化物薄膜中的氧含量，通过控制在形成薄膜的气氛中的氧浓度而得到控制。另外，作为优选实施方式，氧缺陷量能够通过在含氧气氛中对氧化物膜的后处理而得到控制(减少或增加)。
为了有效控制氧缺陷量，将含氧气氛的温度控制在0℃～300℃的范围内，优选地控制在25℃～250℃范围内，更优选地控制在100℃～200℃范围内。
当然，薄膜能够在含氧气氛中形成并进一步在含氧气氛中被后处理。另外，可以不控制氧分压，并在含氧气氛中进行后处理而形成薄膜，只要能够获得期望的电子载流子浓度(小于1×1018/cm3)即可。
本发明中电子载流子浓度的下限，例如为1×1014/cm3，与使用所制造的氧化物薄膜的元件、电路或器件的种类有关。
(材料的广泛范围)
在研究了用于该系统的其它的材料之后，发现：包括Zn、In、和Sn元素中的至少一个的氧化物的非晶氧化物，对低载流子浓度和高电子迁移率的非晶氧化物薄膜是有用的。发现该非晶氧化物薄膜具有电子迁移率随其中的导电电子数量增加而增加的特殊特性。使用该薄膜，能够制造在如on-off率、在夹断状态下的饱和电流、切换速率等的晶体管特性上卓越的正常截止型TFT。
在本发明中，具有下述(a)～(h)中的任何一个特征的氧化物是可用的：
(a)具有小于1×1018/cm3的电子载流子浓度的非晶氧化物；
(b)电子迁移率随电子载流子浓度的增加而增加的非晶氧化物；(室温是指0℃～40℃范围内的温度。术语“非晶化合物”是指在X-射线衍射光谱中仅显示光晕图案而不显示特征衍射图案的化合物。电子迁移率是指通过霍尔效应测量的测量值。)
(c)在上述(a)或(b)项目中提及的非晶氧化物、其电子迁移率在室温下高于0.1cm2/V·sec；
(d)在上述(b)～(c)任何一个项目中提及的非晶氧化物，其显示了简并传导性；(术语“简并传导性”是指在关于电阻的温度相关性下的热激活能量小于等于30meV的状态。)
(e)在上述(a)～(d)任何一个项目中提及的非晶氧化物，包含了Zn、In、Sn元素中的至少一个来作为构成元素；
(f)包括上述(e)项目中提及的非晶氧化物，和附加地下述元素中的至少一种的非晶氧化物薄膜：
具有原子数小于Zn(Mg和Ca)的2族元素M2，
具有原子数小于In(B、Al、Ga和Y)的3族元素M3，
具有原子数小于Sn(Si、Ge和Zr)的4族元素M4，
5族元素M5(V、Nb和Ta)以及Lu和W以减小电子载流子浓度；
(g)在上述(a)～(f)任何一个项目中提及的非晶氧化物薄膜，包括具有结晶态In1-xM3xO3(Zn1-yM2yO)m(0≤x≤1，0≤y≤1，m：0或小于6的自然数)成分的单一化合物，或不同m数的化合物的混合物，例如M3为Ga，M2为Mg；
(h)形成于塑料衬底或塑料薄膜上的在上述(a)～(g)任何一个项目中提及的非晶氧化物薄膜。
本发明还提供了一种使用上述非晶氧化物或非晶氧化物膜作为沟道层的场效应晶体管。
制备场效应晶体管，该场效应晶体管使用具有电子载流子浓度小于1×1018/cm3但大于1×1015/cm3的非晶氧化物薄膜作为沟道层，并具有源极端子和漏极端子，和插入了栅绝缘体的栅极端子。当在源极端子和漏极端子间施加大约5V的电压、而不施加栅电压时，源极端子和漏极端子之间的电流约为1×10-7安培。
在氧化物晶体中的电子迁移率，随金属离子的s轨道的重叠的增大而变大。在具有高原子数的Zn、In或Sn的氧化物晶体中，电子迁移率在0.1～200cm2/V·sec范围内。
在氧化物中，氧和金属离子通过离子键成键而没有化学键取向，并具有随机的结构。因此，在非晶状态下的氧化物中，电子迁移率与结晶状态下的电子迁移率相当。
另一方面，代替Zn、In、或Sn的较低的原子数的元素会使电子迁移率减小。由此，在本发明的非晶氧化物中的电子迁移率在0.01～20cm2/V·sec范围内。
在具有包括上述氧化物的沟道层的晶体管中，栅绝缘体优选地由Al2O3、Y2O3、HfO2、或包含它们中的两个或更多的混合结晶化合物构成。
在栅绝缘薄膜和沟道层薄膜间的界面上存在的缺陷降低了电子迁移率、并引起了晶体管特性的滞后现象。另外，电流泄漏与栅绝缘体的种类有很大的关系。因此，栅绝缘体应该选择与沟道层相适应。电流泄漏可以通过使用Al2O3膜而减小，滞后现象通过使用Y2O3膜而减小，电子迁移率通过使用具有高介电常数的HfO2膜而增加。通过使用上述化合物的混合结晶，能够形成电流泄漏小、滞后现象小、且电子迁移率高的TFT。由于栅绝缘体形成工艺和沟道层形成工艺能够在室温下进行，因此TFT能够形成为交错结构或反交错结构。
In2O3氧化物薄膜可以通过气相工艺形成，并且在对形成薄膜的气氛加入大约0.1Pa分压下的湿度使得所形成的薄膜非晶化。
ZnO和SnO2分别不易形成为非晶薄膜状态。为了在非晶状态下形成ZnO薄膜，加入20原子％量的In2O3。为了在非晶状态下形成SnO2薄膜，加入90原子％量的In2O3。在Sn-In-O型非晶薄膜的形成中，将大约0.1Pa分压的气态氮加入到形成薄膜的气氛中。
对上述非晶薄膜而言，可以加入能够形成复合氧化物的元素，该元素从具有低于Zn(Mg和Ca)的原子量的2族元素M2，具有低于In(B、Al、Ga和Y)的原子量的3族元素M3，具有低于Sn(Si、Ge和Zr)的原子量的4族元素M4，5族元素M5(V、Nb和Ta)以及Lu、W中选择。上述元件的加入，使室温下非晶薄膜变得稳定，并扩展了形成非晶薄膜的组成范围。
尤其，倾向于形成共价键的B、Si或Ge的加入，对非晶相稳定性是有效的。包括离子半径差异较大的离子的复合氧化物的加入，对非晶相稳定性是有效的。例如，在In-Zn-O系统中，为了在室温下稳定地形成薄膜，需要包含大于约20原子％的In。然而，与In等量的Mg的加入，在In大于等于约15原子％的组分范围内，能够形成稳定的非晶薄膜。
在气相成膜过程中，通过控制形成薄膜的气氛，能够得到电子载流子浓度在1×1015/cm3～1×1018/cm3范围内的非晶氧化物膜。
非晶氧化物膜可以通过气相工艺，如脉冲激光气相淀积工艺(PLD工艺)、溅射工艺(SP工艺)、电子束气相淀积工艺适当地形成。关于气相工艺，PLD工艺由于易于控制材料组成而适合使用，而SP工艺由于易于批量生产而适用。然而，薄膜形成工艺并不限于此。
(通过PLD工艺的In-Zn-Ga-O型非晶氧化物薄膜的形成)
通过PLD工艺、利用KrF受激准分子激光器，使用具有InGaO3(ZnO)或InGaO3(ZnO)4成分的多晶烧结块作为靶，将In-Zn-Ga-O型非晶氧化物淀积在玻璃衬底(Corning Co.：1737)上。
使用图14所示的前述设备，而且对该设备的薄膜形成条件与上述的相同。
衬底温度为25℃。
得到的两个薄膜利用小角度X-射线散射法(SAXS)(薄膜法，入射角：0.5°)测试：没有观测到明显的衍射峰值，这显示了用两种不同的靶所得到的In-Ga-Zn-O型薄膜均是非晶的。
根据玻璃衬底的In-Zn-Ga-O型非晶氧化物薄膜的X-射线反射率及其图像分析，该薄膜的均方粗糙度(Rrms)约为0.5nm，该薄膜的厚度约为120nm。根据荧光X-射线光谱测定分析(XRF)，使用InGaO3(ZnO)多晶烧结块的靶所得到的薄膜，包含组成比为In∶Ga∶Zn＝1.1∶1.1∶0.9的金属；而由InGaO3(ZnO)4多晶烧结块的靶所得到的薄膜，包含组成比为In∶Ga∶Zn＝0.98∶1.02∶4的金属。
使用InGaO3(ZnO)4成分的靶，在形成薄膜气氛的各种氧分压下形成非晶氧化物薄膜。对所形成的非晶氧化物薄膜的电子载流子浓度进行测量。图1示出其结果。如图1所示，通过在具有高于4.2Pa的氧分压的气氛中形成薄膜，电子载流子浓度能够小于1×1018/cm3。在该薄膜的形成中，将衬底保持在接近室温，而不需有意进行加热。在低于6.5Pa的氧分压下，所获得的非晶氧化物薄膜的表面是平坦的。
在5Pa的氧分压下，在使用InGaO3(ZnO)4的靶形成的非晶膜中，电子载流子浓度为1×1016/cm3，电导率为1×10-2S/cm，电子迁移率估计约为5cm2/V·sec。根据吸收光谱的分析，所形成的非晶氧化物薄膜的光学带隙能量宽度估计约为3eV。
更高的氧分压进一步减小了电子载流子浓度。如图1所示，在25℃的衬底温度、6Pa的氧分压下，形成的In-Zn-Ga-O型非晶氧化物薄膜的电子载流子浓度被减小为8×1015/cm3(电导率约为8×10-3S/cm)。薄膜中的电子迁移率估计约为大于等于1cm2/V·sec。然而，在大于等于6.5Pa的氧分压下，利用PLD工艺所淀积的薄膜具有粗糙的表面，不适合作为TFT的沟道层使用。
在形成薄膜的气氛的各种氧分压下、使用由具有InGaO3(ZnO)4成分的多晶烧结块构成的靶而形成该In-Zn-Ga-O型非晶氧化物薄膜。对所得到的薄膜的电子载流子浓度与电子迁移率之间的关系进行测试。图2示出其结果。对应于电子载流子浓度从1×1016/cm3增加到1×1020/cm3，电子迁移率从大约3cm2/V·sec增加到大约11cm2/V·sec。对使用多晶烧结的InGaO3(ZnO)作为靶而得到的非晶氧化物薄膜，能观察到同样的趋势。
在代替玻璃衬底的200μm厚的聚乙烯对苯二酸酯(PET)膜上形成的In-Zn-Ga-O型非晶氧化物薄膜，具有相似的特性。
(利用PLD工艺的In-Zn-Ga-Mg-O型非晶氧化物薄膜的形成)
利用PLD工艺、使用InGaO3(Zn1-xMgxO)4(0≤x≤1)靶、在玻璃衬底上形成InGaO3(Zn1-xMgxO)4(0≤x≤1)薄膜。所使用的设备如图14所示。
SiO2玻璃衬底(Coring Co.：1737)被用作衬底。作为预处理，对衬底分别使用丙酮、乙醇和超纯水进行各5分钟的超声波清洗以脱脂，并在100℃的空气中干燥。靶是InGaO3(Zn1-xMgxO)4(x＝1～0)的烧结块(尺寸：直径20mm、厚度5mm)。
靶通过湿混合原材料In2O3、Ga2O3和ZnO(每个为4N试剂)(溶剂：乙醇)、焙烧该混合物(1000℃，2小时)、然后干粉碎、最后烧结(1550℃，2小时)而制备。在生长室内的最终压力为2×10-6Pa。在生长中将氧分压控制为0.8Pa。衬底温度为室温(25℃)。靶与为了形成薄膜的衬底之间的距离为30nm。KrF受激准分子激光器照射功率为1.5mJ/cm2/脉冲，以20nsec的脉冲宽度、10Hz的重复频率、1×1mm2的照射斑尺寸进行照射。薄膜形成速率为7nm/min。在薄膜形成的气氛中的氧分压为0.8Pa。衬底温度为25℃。
所得到的薄膜用小角度X-射线散射法(SAXS)(薄膜法，入射角：0.5°)进行测试：没有发现明显的衍射峰值。因此，所得到的In-Ga-Zn-Mg-O型薄膜是非晶的。所得到的薄膜具有平坦的表面。
通过使用不同x值的靶(Mg含量不同)，在薄膜形成气氛中的0.8Pa的氧分压下形成In-Zn-Ga-Mg-O型非晶氧化物薄膜，用来研究电导率、电子载流子浓度和电子迁移率与x值的相关性。
图4A、4B、4C示出其结果。在x值高于0.4时，在利用PLD工艺在0.8Pa氧分压的气氛中形成的非晶氧化物薄膜中，电子载流子浓度减小为小于1×1018/cm3。在x值高于0.4的非晶氧化物薄膜中，电子迁移率高于1cm2/V。
如图4A、4B和4C所示，在利用脉冲激光淀积工艺使用以Mg代替80原子％的Zn的靶、并且氧分压为0.8Pa(电阻：约为1×10-2S·cm)下所制备的薄膜中，能够获得小于1×1016/cm3的电子载流子浓度。在该薄膜中，与无Mg薄膜相比，电子迁移率减小，但是这种减小是微量的。在该薄膜中的电子迁移率约为5cm2/V·sec，这比非晶硅的电子迁移率高一个数量级。在相同的薄膜形成条件下，薄膜的电导率和电子迁移率随Mg含量的增加而减小。因此，薄膜中的Mg含量优选地大于20原子％并小于85原子％(0.2＜x＜0.85)，更优选地，为0.5＜x＜0.85。
在代替玻璃衬底的200μm厚的聚乙烯对苯二酸酯(PET)膜上形成的InGaO3(Zn1-xMgxO)4(0≤x≤1)非晶薄膜具有相似的特性。
(利用PLD工艺的In2O3非晶氧化物薄膜的形成)
在200μm厚的PET薄膜上、通过使用由In2O3多晶烧结块构成的靶；以使用KrF受激准分子激光器的PLD工艺形成In2O3膜。
所使用的设备在图14中所示。用于薄膜形成的衬底为SiO2玻璃衬底(Corning Co.：1737)。
作为淀积前的预处理，将衬底分别用丙醇、乙醇、超纯水、进行各5分钟的超声波清洗以脱脂，并在100℃空气下进行干燥。
靶是通过焙烧原材料In2O3(4N试剂)(1000℃，2小时)、然后干粉碎、并烧结(1550℃，2小时)而制备的In2O3烧结块(尺寸：直径20mm，厚度5mm)。
生长室的最终的真空度为2×10-6Pa，生长中的氧分压为5Pa，并且衬底温度为25℃。
水蒸气分压为0.1Pa，氧基通过在200W下使用氧基发生组件而产生。
靶与薄膜支持衬底之间的距离为40mm，KrF受激准分子激光器的功率为0.5mJ/cm2/脉冲，脉冲宽度为20nsec，重复频率为10Hz，照射斑尺寸为1×1mm2。
薄膜形成速率为3nm/min。
得到的薄膜使用小角度X-射线散射法(SAXS)(薄膜法，入射角：0.5°)测试：没有发现明显的衍射峰值，这表示所得到的In-O型氧化物薄膜为非晶的。该薄膜的厚度为80nm。
在所得到的In-O型非晶氧化物薄膜中，电子载流子浓度为5×1017/cm3，电子迁移率约为7cm2/V·sec。
(利用PLD工艺的In-Sn-O型非晶氧化物薄膜的形成)
在200μm厚的PEF薄膜上、通过使用由(In0.9Sn0.1)O3.1的多晶烧结块构成的靶，以使用KrF受激准分子激光器的PLD工艺而形成In-Sn-O型氧化物膜。所使用的设备如图14所示。
用于薄膜形成的衬底为SiO2玻璃衬底(Corning Co.：1737)。
作为淀积前的预处理，将衬底分别用丙醇、乙醇、超纯水进行各5分钟的超声波清洗以脱脂，并在100℃的空气中进行干燥。
靶是由湿混合原材料In2O3-SnO2(4N试剂)(溶剂：乙醇)、焙烧该混合物(1000℃，2小时)、然后干粉碎、烧结(1550℃，2小时)而制备的In2O3-SnO2烧结块(尺寸：直径20mm，厚度5mm)。
衬底保持在室温。氧分压为5Pa。氮分压为0.1Pa。氧基通过在200W下、利用氧基发生组件而产生。
靶与薄膜支持衬底之间的距离为30mm，KrF受激准分子激光器的功率为1.5mJ/cm2/脉冲，脉冲宽度为20nsec，重复频率为10Hz，照射斑尺寸为1×1mm2。
薄膜形成速率为6nm/min。
得到的薄膜用小角度X-射线散射法(SAXS)(薄膜法，入射角：0.5°)测试：没有发现明显的衍射峰值，这表示所得到的In-Sn-O型氧化物薄膜为非晶型。
在所得到的In-Sn-O型非晶薄膜中，电子载流子浓度为8×1017/cm3，电子迁移率约为5cm2/V·sec。膜厚为100nm。
(利用PLD工艺的In-Ga-O型非晶氧化物薄膜的形成)
该薄膜的衬底为SiO2玻璃衬底(Corning Co.：1737)。
作为淀积前的预处理，将衬底分别用丙醇、乙醇、超纯水进行各5分钟的超声波清洗以脱脂，并在100℃的空气中进行干燥。
靶是(In2O3)1-x-(Ga2O3)x(x＝0～1)(尺寸：直径20mm，厚度5mm)的烧结块。例如，x＝0.1时，靶是(In0.9Ga0.1)2O3的多晶烧结块。
靶是由湿混合原材料In2O3-Ga2O3(4N试剂)(溶剂：乙醇)、焙烧该混合物(1000℃，2小时)、然后干粉碎、并烧结(1550℃，2小时)而制备的。
生长室的最终的真空度为2×10-6Pa。培养中的氧分压为1Pa。
衬底为室温。靶与薄膜支持衬底之间的距离为30mm。KrF受激准分子激光器的功率为1.5mJ/cm2/脉冲，脉冲宽度为20nsec，重复频率为10Hz，照射斑尺寸为1×1mm2。薄膜形成速率为6nm/min。
衬底温度为25℃。氧分压为1Pa。得到的薄膜用小角度X-射线散射法(SAXS)(薄膜法，入射角：0.5°)测试：没有发现明显的衍射峰值，这表示得到的In-Ga-O型氧化物薄膜为非晶型。该膜厚为120nm。
在所得到的In-Ga-O型的非晶氧化物薄膜中，电子载流子浓度为8×1016/cm3，电子迁移率约为1cm2/V·sec。
(具有In-Zn-Ga-O型非晶氧化物薄膜(玻璃衬底)的TFT元件的制备)
制备如图5所示的顶部栅极型TFT元件。
首先，在玻璃衬底1上，利用上述的PLS设备，使用由具有InGaO3(ZnO)4成分的多晶烧结块靶，在5Pa的氧分压下制备In-Ga-Zn-O型非晶氧化物膜。所形成的In-Ga-Zn-O型薄膜具有120nm的膜厚，并作为沟道层2。
然后在它的上面，通过利用PLD法，在室内低于1Pa的氧分压下，分别层叠厚度为30nm的另一个具有更高的电导率In-Ga-Zn-O型非晶薄膜和金层。然后利用光刻法和剥离法形成漏极端子5和源极端子6。
最后，利用电子束气相淀积法形成Y2O3薄膜作为栅绝缘体3(厚度：90nm，相对介电常数：约为15，漏电流密度：在0.5MV/cm下为1×10-3A/cm2)。另外，在其上形成金膜并利用光刻法和剥离法从中形成栅极端子4。沟道长度为50μm，沟道宽度为200μm。
(TFT元件特性的评价)
图6示出室温下的TFT元件的电流-电压特性。漏极电流IDS随漏极电压VDS的增加而增加，这表示该沟道为n型导电。
这与非晶In-Ga-Zn-O型半导体是n型的事实相符。IDS在VDS＝6V时变为饱和(夹断)，这是半导体晶体管的典型特性。根据增益特性的测试，栅电压VGS的阈值在VDS＝4V时约为-0.5V。电流IDS在VG＝10V时为1.0×10-5A。这与由栅极偏置在作为绝缘体的In-Ga-Zn-O型非晶半导体薄膜中感应的载流子相对应。
晶体管的on-off率高于1×103。根据输出特性，场效应迁移率在饱和区计算出约为7cm2(Vs)-1。根据相同测试，可见光的照射不改变所制造的元件的晶体管特性。
电子载流子浓度小于1×1018/cm3的非晶氧化物可用作TFT的沟道层。优选地，电子载流子浓度小于1×1017/cm3，更优选地，小于1×1016/cm3。
(具有In-Zn-Ga-O型非晶氧化物薄膜(非晶衬底)的TFT元件的制备)
制备图5所示的顶部栅极型TFT元件。
首先，在聚乙烯对苯二酸酯(PET)薄膜1上、利用上述的PLS设备、使用由具有InGaO3(ZnO)成分的多晶烧结块构成的靶、在5Pa的氧分压气氛下制备In-Ga-Zn-O型非晶氧化物膜。所形成的薄膜具有120nm的膜厚，并作为沟道层2。
然后在它的上面，通过利用PLD法，在室内低于1Pa的氧分压下，分别层叠膜厚为30nm的另一个具有更高的电导率的In-Ga-Zn-O型非晶膜和金层。利用光刻法和剥离法形成漏极端子5和源极端子6。
最后，利用电子束气相淀积法形成栅绝缘膜3。然后在其上，形成金膜并利用光刻法和剥离法从中形成栅极端子4。沟道长度为50μm，沟道宽度为200μm。三个上述结构的TFT，通过分别使用三种类型的栅绝缘层：Y2O3(140nm厚)、Al2O3(130μm厚)、HfO2(140μm厚)中的一种而制备。
(TFT元件特性的评价)
在PET薄膜上形成的TFT元件，在室温下，具有与图6所示的相似的电流-电压特性。漏极电流IDS随漏电压VDS的增加而增加，这表示该沟道为n型导电。这与非晶In-Ga-Zn-O型半导体为n型的事实相符。IDS在VDS＝6V时变为饱和(夹断)，这是半导体晶体管的典型特性。电流IDS在VG＝0V时为1.0×10-8A，电流IDS在VG＝10V时为2.0×10-5A。这与由栅极偏置而在作为绝缘体的In-Ga-Zn-O型非晶氧化物薄膜中感应出的载流子相对应。
晶体管的on-off率高于1×103。根据输出特性，场效应迁移率在饱和区计算出约为7cm2(Vs)-1。
将在PET薄膜上形成的元件在30mm的曲率半径下弯曲，并在该状态下，测试晶体管特性。然而，在晶体管特性上没有观察到变化。可见光的照射不改变晶体管的特性。
使用Al2O3薄膜作为栅绝缘体的TFT具有与图6相似的晶体管特性。电流IDS在VG＝0V时为1.0×10-8A，电流IDS在VG＝10V时为5.0×10-6A。晶体管的on-off率高于1×102。根据输出特性，场效应迁移率在饱和区计算出约为2cm2(Vs)-1。
使用HfO2薄膜作为栅绝缘体的TFT，也具有与图6所示的相似的晶体管特性。电流IDS在VG＝0V时为1.0×10-8A，电流IDS在VG＝10V时为1.0×10-6A。晶体管的on-off率高于1×102。根据输出特性，场效应迁移率在饱和区计算出约为10cm2(Vs)-1。
(利用PLD工艺的使用In2O3非晶氧化物薄膜的TFT元件的制备)
制备如图5所示的顶部栅极型TFT。
首先，在聚乙烯对苯二酸酯(PET)薄膜1上，利用PLD法制备In2O3型非晶氧化物膜作为沟道层2，其厚度为80nm。
然后，在它的上面，通过利用PLD法、在氧分压低于1Pa的室内、并在氧基产生组件上施加0V电压的状态下，分别层叠膜厚为30nm的另一个具有更高的电导率的In2O3非晶膜和金层。利用光刻法和剥离法从中形成漏极端子5和源极端子6。
最后，利用电子束气相淀积法，形成作为栅绝缘体3的Y2O3膜。然后在其上形成金膜并利用光刻法和剥离法从中形成栅极端子4。
(TFT元件特性的评价)
在室温下对在PET薄膜上形成的TFT元件的电流-电压特性进行测试。漏极电流IDS随漏极电压VDS的增加而增加，这表示示沟道为n型导体。这与In-O型非晶氧化物薄膜为n型导体的事实相符。IDS在VDS＝6V时饱和(夹断)，这是晶体管的典型特性。电流IDS在VG＝0V时为2.0×10-8A，电流IDS在VG＝10V时为2.0×10-6A。这与由栅极偏置而在作为绝缘体的In-O型非晶氧化物膜中感应的电子载流子相对应。
晶体管的on-off率大约为1×102。根据输出特性，场效应迁移率在饱和区计算出约为1.0×10cm2(Vs)-1。在玻璃衬底上形成的TFT元件具有相似的特性。
在PET薄膜上形成的元件在30mm的曲率半径下被弯曲，并在此状态下，对晶体管特性进行测试。没有观察到晶体管特性的改变。
(利用PLD工艺的使用In-Sn-O型非晶氧化物薄膜的TFT元件的制备)
制备如图5所示的顶部栅极型TFT。
首先，利用PLD法、在聚乙烯对苯二酸酯(PET)膜1上形成厚度为100nm、作为沟道层2的In-Sn-O型的非晶氧化物膜。
然后，在它的上面，通过利用PLD法、在氧分压小于1Pa的室内、并在氧基产生组件上施加0V电压的状态下，分别层叠膜厚为30nm的另一个具有更高的电导率的In-Sn-O非晶薄膜和金层。利用光刻法和剥离法，从中形成漏极端子5和源极端子6。
最后，利用电子束汽相淀积法，形成作为栅绝缘体3的Y2O3膜。并在其上形成金膜并利用光刻法和剥离法从中形成栅极端子4。
(TFT元件特性的评价)
在室温下测试在PET薄膜上形成的TFT元件的电流-电压特性。漏极电流IDS随漏极电压VDS的增加而增加，这表示该沟道为n型导体。这与非晶In-Sn-O型氧化物薄膜为n型的事实相符。IDS在VDS＝6V时变为饱和(夹断)，这是半导体晶体管的典型特性。电流IDS在VG＝0V时为5.0×10-5A，电流IDS在VG＝10V时为5.0×10-5A。这与通过栅极偏置而在作为绝缘体的In-Sn-O型非晶氧化物薄膜中感应的电子载流子相对应。
晶体管的on-off率约为1×103。根据输出特性，场效应迁移率在饱和区计算出约为5cm2(Vs)-1。在玻璃衬底上形成的TFT元件具有相似的特性。
在PET薄膜上形成的元件在30mm的曲率半径下弯曲，并在该状态下测试晶体管特性。在该晶体管特性中没有引起改变。
(利用PLD工艺的使用In-Ga-O型非晶氧化物膜的TFT元件的制备)
制备图5所示的顶部栅极型TFT元件。
首先，在聚乙烯对苯二酸酯(PET)薄膜1上、利用例6所示的PLD法制备In-Ga-O型非晶氧化物薄膜作为沟道层2，其厚度为120nm。
然后，在它的上面，通过利用PLD法、在氧分压低于1Pa的室内、并在氧基产生组件上施加0V电压的状态下，分别层叠膜厚为30nm的另一个具有更高的电导率的In-Ga-O非晶薄膜和金层。利用光刻法和剥离法，从中形成漏极端子5和源极端子6。
最后，利用电子束汽相淀积法，形成作为栅绝缘体3的Y2O3薄膜。并在其上形成金膜，并利用光刻法和剥离法从中形成栅极端子4。
(TFT元件特性的评价)
在室温下测试在PET薄膜上形成的TFT元件的电流-电压特性。漏极电流IDS随漏电压VDS的增加而增加，这表示该沟道为n型导体。这与非晶In-Ga-O型非晶氧化物薄膜为n型的事实相符。IDS在VDS＝6V时变为饱和(夹断)，这是晶体管的典型特性。电流IDS在VG＝0V时为1.0×10-8A，电流IDS在VG＝10V时为1.0×10-6A。这与通过栅极偏置而在作为绝缘体的In-Ga-O型非晶氧化物膜中感应的电子载流子相对应。
晶体管的on-off率约为1×102。根据输出特性，场效应迁移率在饱和区计算出约为0.8cm2(Vs)-1。在玻璃衬底上形成的TFT元件具有相似的特性。
在PET薄膜上形成的元件在30mm的曲率半径下弯曲，并在该状态下测试晶体管特性。在晶体管特性中没有引起改变。
电子载流子浓度低于1×1018/cm3的非晶氧化物用于TFT的沟道层。电子载流子浓度优选小于等于1×1017/cm3，更优选小于等于1×1016/cm3。
根据本发明的发光器件的实施方式将如下所示。
(例1)
将参照一个实施方式对发光器件的一个例子进行说明。
利用已叙述的PLD法、在衬底上形成非晶In-Ga-Zn-O薄膜，以得到In∶Ga∶Zn＝0.98∶1.02∶4的成分。
通过以下步骤，制备图5所示的顶部栅极型MISFET元件：
首先，利用制备上述非晶In-Ga-Zn-O型薄膜的方法，在玻璃衬底(1)上，形成厚度为120nm的半绝缘非晶InGaO3(ZnO)4薄膜，作为沟道层(2)；然后，在它的上面，用脉冲激光淀积法、在一个具有小于1Pa的氧分压的室内，分别将高电导率的InGaO3(ZnO)4薄膜和金膜形成为30nm的层，并用光刻法和剥离法形成漏极端子(5)和源极端子(6)；最后，利用电子束真空淀积法，形成作为栅绝缘膜(3)的Y2O3膜(厚度：90nm，相对介电常数：约为15，漏电流密度：当施加0.5MV/cm时为1×10-3A/cm2)，在上面形成金膜，并利用光刻法和剥离技术形成栅极端子(4)。
(MISFET元件的特性的评价)
图6示出了在室温下测试的MISFET元件的电流/电压特性。当漏极电压VDS增加时，漏极电流IDS也增加，这表明该沟道是n型半导体。这个结果与非晶的基于In-Ga-Zn-O的半导体为n型的事实并不矛盾。MISFET元件显示了在大约6V的VDS时IDS饱和(夹断)的典型的半导体晶体管特性。作为增益特性的测试的结果，栅电压VGS的阈值在VDS施加4V时约为-0.5V。此外，当VG施加10V时，电流IDS为1.0×10-5安培。该结果意味着在绝缘材料的基于In-Ga-Zn-O的非晶氧化物薄膜中通过栅极偏置感应出了载流子。
晶体管的on/off率超过1×103。此外，根据输出特性计算的电子场效应迁移率的结果，在饱和范围下约为7cm2(Vs)-1。当以可见光照射所制备的元件并在该元件上进行相似的测量时，该元件并未显示任何的晶体管的特性的改变。由此可知：所制备的元件在底部发射型中也可用作开口，而不需要将晶体管区域与光中断。
MISFET元件利用与上述方法相似的方法形成。但在MISFET元件制备之后，在它的上面利用脉冲激光淀积法、形成厚度为300nm的绝缘膜。同时，形成用于将漏极或源极端子与底部电极相连的接触孔。
接下来，利用电阻加热真空淀积法、形成厚度为300nm的Al膜；然后在它的上面，为底部电极形成厚度为50nm的Al和Ag的合金膜。底部电极通过接触孔与漏极端子或源极端子相连。
接下来，通过利用电阻汽相淀积法、形成下述薄膜来制备有机EL发光层：厚度为20nm的三(8-羟基喹啉)铝膜作为电子传输层；在其上的厚度为40nm的4，4’-二(2，2-联苯)乙烯基膜作为发光层；厚度为20nm的4，4’-二[1-萘基)-N-苯基苯胺]联苯膜作为空穴传输层；和厚度为60nm的4，4’-二[N，N-二胺]4”-苯基-三苯基胺]膜作为空穴注入层。
最后，利用对置靶溅射技术，形成厚度为200nm的ITO薄膜用于对置电极。
当上述元件通过接触其上的探针而被驱动时，从衬底的顶部表面发射蓝光，换句话说，得到顶部发射型的元件。
(例2：底部发射型)
接下来，参照图9，对漏电极和底部电极直接连接的底部发射型的发光器件制备过程的例子进行说明。
以与上述实施方式1基本相同的方法形成MISFET元件。但是没有形成漏电极，而且有源层92具有与发光层相同的面积。接下来，在它的上面，利用脉冲激光淀积法、在具有小于1Pa氧分压的室内，形成厚度为200nm的、具有高电导率的InGaO3(ZnO)4薄膜，以作为充当漏电极(或源电极)和底部电极的电极97。
接下来，通过以实施方式1相反的顺序，利用电阻蒸汽法、形成有机层来形成有机EL发光层；将整个集成的层称为有机EL发光层。
最后，形成厚度为50nm的、掺杂Li的Al膜，并利用电阻加热法形成作为对置电极99的、厚度为200nm的Al膜。
当通过接触其上的探针来驱动上述元件时，从衬底的背面发射蓝光，即、得到底部发射型元件。
(例3：线性排列的光源)
参照图10，对根据本发明的线性排列的光源进行说明。
将多个发光元件101和薄膜晶体管(TFT)102，以线性方式排列于衬底上，并进行如图10所示的电连接。通过将用于控制发光的控制电路103与发光元件和TFT相连接而制备线性排列的光源。TFT的一个输出(源电极或漏电极)通过发光元件与电源Vd相连，另一个输出与公共电位COM相连。此外，控制电路与TFT的栅电极相连。
当TFT利用从控制电路的输出信号而导通时，发光元件发射光。具体地，当适当地控制从控制电路发出的信号时，线性排列的光源能够发射期望的线性发光图案。
这里，发光元件可以使用任意的发光元件，如有机电致发光元件(有机EL)、无机电致发光元件(无机EL)和LED。此外，电路结构不仅限于此，但是为一个发光元件可以配置多个TFT。
因此，能够非常容易地制造利用非晶氧化物TFT驱动发光元件的结构，并廉价地提供线性排列的光源。
图11示出了具有根据本发明的线性排列的光源的结构的例子的剖面图。
如图11所示，通过在衬底上配置TFT部分和发光元件部分而制备线性排列的光源，并且每一元件在每一部分上。图11示出使用有机EL元件作为发光元件，并且在TFT部分中使用上述非晶氧化物TFT的情况。
在图中，符号2100表示衬底，符号2101表示沟道层，符号2102表示源电极，符号2103表示栅绝缘膜，符号2104表示栅电极，符号2105表示漏电极，符号2106表示上部电极(第一电极)，符号2107表示电子传输层，符号2108表示发光层，符号2109表示空穴传输层，符号2110表示透明电极层，符号2111表示绝缘层，符号2150表示TFT部分，符号2160表示发光元件部分。
图11示出漏电极2105与发光元件部分的透明电极层2110相连的例子。然而，根据发光层的层结构，也有将源电极2102与透明电极层2110相连的情况。
对于制备方法，线性排列的光源通过以下步骤制备：利用上述技术、在衬底的预定位置上形成非晶氧化物TFT，然后在其他位置上形成有机EL元件，并将它们布线连接起来。
此时，当已经形成非晶氧化物TFT的栅氧化物膜时，在将要配置有机EL元件的部分上形成相同绝缘层。通过在衬底上放置掩模，然后形成透明电极层，再形成空穴传输层、发光层、电子传输层和上部电极层而制备有机EL元件。在上述步骤中，透明电极层与漏电极层相连。最后，利用Al膜等形成各种布线。
这里，能够将如In2O3:Sn等的任意的透明导电薄膜用作透明电极层。通常的有机EL元件所用的材料能够用于空穴传输层、发光层、电子传输层和上部电极层。例如，α-NPD能够用作空穴传输层，以6％Ir(ppy)3掺杂的CBP能够用作发光层，Alq3能够作为电子传输层，AgMg能够作为上部电极。
上述中，Alq3指Al-羟基喹啉络合物；
α-NPD；和
Ir(ppy)3指铱-苯基嘧啶络合物。
在上面的结构中，从发光元件发射的光，如图中箭头2170所示，穿过透明电极，并从衬底侧发射。
因此，所得到的线性排列的光源是小的、轻量的和便宜的。
作为线性排列光源的另一个构型，如图12所示，可以是将有机EL元件配置在设置于衬底的TFT的上部的结构。通过使用以如In2O3:Sn的透明电极来制备电极将非晶氧化物TFT制成透明器件，上述线性排列的光源可以让从发光元件发射的光穿过TFT部分并从衬底侧发出。
在图12中，符号2200表示衬底，符号2201表示沟道层，符号2202表示源电极，符号2203表示栅绝缘膜，符号2204表示栅电极，符号2205表示漏电极，符号2206表示上部电极(第一电极)，符号2207表示电子传输层，符号2208表示发光层，符号2209表示空穴传输层，符号2210表示透明电极层，符号2211表示绝缘层，符号2250表示TFT部分，符号2260表示发光元件部分。
图12示出将漏电极2205连接到发光元件部件的透明电极层2210的例子。然而，根据发光层的层结构，还可以有将源电极2202与透明电极层2210相连的情况。
如此所形成的结构使发光如箭头2270所示，使得衬底表面有效地利用，并且能够使线性排列的光源在它的上面高密度地配置有机EL元件，和/或获得大的发光区域(开口面积比)。所获得的线性排列光源是小的，轻量的、且便宜的。
(例4：对于复印机和页式打印机的应用)
下面，对将线性排列的光源应用于复印机或页式打印机的例子进行说明。
大多数通常的复印机或页式打印机，具有用于在制图媒介上印刷数据、通过使用透镜和多棱镜在光导鼓(photoconductor drum)上扫描激光束以印刷在其上面的数据、在光导鼓上记录数据的系统。
另一方面，如果使用根据本发明的线性排列的光源，由于如图13所示，从发光元件发射的光能够直接照射到光导鼓上，而不需要通过透镜系统传送光；因此上述设备能够是小的和便宜的。作为其结果，上述设备不需要大型的光学系统，因此能够小型化并降低制造成本。如果需要，上述设备可以在发光元件与鼓之间配置一个简单的光学系统，如SELFOC透镜。
在图13中，符号2300表示线性排列的光源，符号2350表示光导鼓。
当制备上述复印机或页式打印机时，优选利用光导鼓盒(photoconductor drum cartridge)使上述线性排列的光源一体化，。
该线性排列的光源是便宜的、一次性的，其结果是：在利用上述特性的同时，通过制备与光导电体鼓组合而成的单件结构，能够制造免维护的复印机或页式打印机。如本发明实施方式所示，上述光源能够配置于光导体(光导鼓)的外部；或也可以配置于其内部。
当电子照相装置使用本发明的线性排列的光源时，该电子照相装置，通过使用为感光器(光导鼓)供电的供电器，用于照射感光器以在感光器上形成潜像的曝光光源，和用于显影上述潜像的显影器而形成图像；并对曝光光源使用根据本发明的线性排列的光源。
(工业可用性)
根据本发明的发光器件，在包括塑料膜等的柔软材料上形成半导体薄膜；并且能够应用于包括柔性显示单元、IC卡和ID标签等的广泛的应用领域。
该发光器件也能够应用于线性排列的光源、复印机、页式打印机和一体化鼓盒(integrated drum cartridge)。
本申请要求申请日为2004年11月10日的日本专利中请第2004-326684号的优先权并在此引用其内容。

Claims (16)

1.一种发光器件，具有包括第一电极和第二电极及位于所述第一电极和第二电极之间的发光层的发光元件、以及用于驱动所述发光元件的场效应晶体管，其特征在于：
所述场效应晶体管的有源层包括非晶氧化物，所述非晶氧化物在含氧气氛中被形成或在含氧气氛中被后处理以在从0℃至40℃的范围的至少一部分中具有小于1018/cm3的电子载流子浓度，并且所述非晶氧化物具有随电子载流子浓度的增加而增加的电子迁移率；
所述非晶氧化物至少包含In、Zn和Sn中的一种；以及
当不施加栅电压时，所述场效应晶体管在源电极和漏电极之间提供小于10微安的电流。
2.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于：所述发光元件和所述场效应晶体管被设置于光学透明的衬底上，从所述发光层发射的光通过所述衬底输出；以及
所述非晶氧化物包含In、Zn和Ga。
3.根据权利要求2所述的发光器件，其特征在于：所述场效应晶体管设置在所述衬底与所述发光层之间。
4.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于：所述发光元件和所述场效应晶体管设置在光学透明的衬底上，从所述发光层发射的光通过所述衬底和所述非晶氧化物输出；以及
所述非晶氧化物包含In、Zn和Ga。
5.根据权利要求4所述的发光器件，其特征在于：所述场效应晶体管设置在所述衬底和所述发光层之间。
6.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于：所述场效应晶体管的漏电极和第二电极中的至少一个由光学透明导电氧化物形成；以及
所述非晶氧化物包含In、Zn和Ga。
7.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于：所述发光元件是电致发光元件；
所述非晶氧化物包含In、Zn和Ga；以及
所述非晶氧化物在X射线衍射光谱中展示出光晕图案而不展示出特征衍射线。
8.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于：多个所述发光元件至少被设置在一行上；以及
所述非晶氧化物包含In、Zn和Ga。
9.根据权利要求8所述的发光器件，其特征在于：设置所述发光元件，使所述发光元件与所述场效应晶体管相邻。
10.一种电子照相装置，具有
感光器，
为该感光器供电的供电器，
曝光光源，用于曝光该感光器以在该感光器上形成潜像，以及
用于显影该潜像的显影单元；
其特征在于：
所述曝光光源具有如权利要求8所述的发光器件。
11.一种发光器件，具有包括第一电极和第二电极及位于第一电极和第二电极之间的发光层的发光元件、和用于驱动该发光元件的场效应晶体管，其特征在于：
所述场效应晶体管的有源层包括使得能够实现正常截止状态的透明非晶氧化物半导体，所述透明非晶氧化物半导体在含氧气氛中被形成或在含氧气氛中被后处理以在从0℃至40℃的范围的至少一部分中具有小于1018/cm3的电子载流子浓度，并且所述透明非晶氧化物半导体具有随电子载流子浓度的增加而增加的电子迁移率；
所述透明非晶氧化物半导体至少包含In、Zn和Sn中的一种；以及
当不施加栅电压时，所述场效应晶体管在源电极和漏电极之间提供小于10微安的电流。
12.根据权利要求11所述的发光器件，其特征在于：所述透明非晶氧化物半导体具有对于实现正常截止状态是充分小的、小于1018/cm3的电子载流子浓度；以及
所述透明非晶氧化物半导体在X射线衍射光谱中展示出光晕图案而不展示出特征衍射线。
13.一种有源矩阵显示装置，包括：包括第一电极和第二电极及位于第一电极和第二电极之间的发光层的发光元件、用于驱动该发光元件的场效应晶体管、以及设置为二维矩阵形式的图像元件电路，其特征在于：
所述场效应晶体管的有源层包括使得能够实现正常截止状态的透明非晶氧化物半导体，所述透明非晶氧化物半导体在含氧气氛中被形成或在含氧气氛中被后处理以在从0℃至40℃的范围的至少一部分中具有小于1018/cm3的电子载流子浓度，并且所述透明非晶氧化物半导体具有随电子载流子浓度的增加而增加的电子迁移率；
所述透明非晶氧化物半导体至少包含In、Zn和Sn中的一种；以及
当不施加栅电压时，所述场效应晶体管在源电极和漏电极之间提供小于10微安的电流。
14.根据权利要求13所述的有源矩阵显示装置，其特征在于：
所述透明非晶氧化物半导体具有对于实现正常截止状态是充分小的、小于1018/cm3的电子载流子浓度；以及
所述透明非晶氧化物半导体在X射线衍射光谱中展示出光晕图案而不展示出特征衍射线。
15.一种显示产品，包含：
包括第一电极和第二电极及位于第一电极和第二电极之间的发光层的发光元件、和用于驱动该发光元件的场效应晶体管，其特征在于：
所述场效应晶体管的有源层包含非晶氧化物半导体，所述非晶氧化物半导体在含氧气氛中被形成或在含氧气氛中被后处理以在从0℃至40℃的范围的至少一部分中具有小于1018/cm3的电子载流子浓度，并且所述非晶氧化物半导体具有随电子载流子浓度的增加而增加的电子迁移率；
所述非晶氧化物半导体至少包含In、Zn和Sn中的一种；以及
当不施加栅电压时，所述场效应晶体管在源电极和漏电极之间提供小于10微安的电流。
16.根据权利要求15所述的显示产品，其特征在于：
所述场效应晶体管是正常截止型晶体管；以及
所述非晶氧化物半导体在X射线衍射光谱中展示出光晕图案而不展示出特征衍射线。
CN2005800383031A 2004-11-10 2005-11-09 发光器件 Active CN101057333B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004326684 2004-11-10
JP326684/2004 2004-11-10
PCT/JP2005/020981 WO2006051994A2 (en) 2004-11-10 2005-11-09 Light-emitting device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101057333A CN101057333A (zh) 2007-10-17
CN101057333B true CN101057333B (zh) 2011-11-16

Family

ID=35841859

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2005800383031A Active CN101057333B (zh) 2004-11-10 2005-11-09 发光器件

Country Status (9)

Country Link
US (2) US7872259B2 (zh)
EP (1) EP1810335B1 (zh)
JP (1) JP5118811B2 (zh)
KR (2) KR100953596B1 (zh)
CN (1) CN101057333B (zh)
AU (1) AU2005302963B2 (zh)
CA (1) CA2585063C (zh)
RU (1) RU2358354C2 (zh)
WO (1) WO2006051994A2 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8912541B2 (en) 2009-08-07 2014-12-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same

Families Citing this family (1887)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7863611B2 (en) 2004-11-10 2011-01-04 Canon Kabushiki Kaisha Integrated circuits utilizing amorphous oxides
WO2006051994A2 (en) 2004-11-10 2006-05-18 Canon Kabushiki Kaisha Light-emitting device
US7791072B2 (en) 2004-11-10 2010-09-07 Canon Kabushiki Kaisha Display
US7868326B2 (en) 2004-11-10 2011-01-11 Canon Kabushiki Kaisha Field effect transistor
RU2399989C2 (ru) 2004-11-10 2010-09-20 Кэнон Кабусики Кайся Аморфный оксид и полевой транзистор с его использованием
US7829444B2 (en) 2004-11-10 2010-11-09 Canon Kabushiki Kaisha Field effect transistor manufacturing method
US7453065B2 (en) 2004-11-10 2008-11-18 Canon Kabushiki Kaisha Sensor and image pickup device
US7579224B2 (en) * 2005-01-21 2009-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing a thin film semiconductor device
TWI412138B (zh) * 2005-01-28 2013-10-11 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置，電子裝置，和半導體裝置的製造方法
TWI569441B (zh) 2005-01-28 2017-02-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置，電子裝置，和半導體裝置的製造方法
US7858451B2 (en) 2005-02-03 2010-12-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device, semiconductor device and manufacturing method thereof
US7948171B2 (en) * 2005-02-18 2011-05-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
US7928938B2 (en) * 2005-04-19 2011-04-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including memory circuit, display device and electronic apparatus
US7710739B2 (en) * 2005-04-28 2010-05-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device
US8629819B2 (en) 2005-07-14 2014-01-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
EP1758072A3 (en) * 2005-08-24 2007-05-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and driving method thereof
JP4732080B2 (ja) * 2005-09-06 2011-07-27 キヤノン株式会社 発光素子
KR100729043B1 (ko) * 2005-09-14 2007-06-14 삼성에스디아이 주식회사 투명 박막 트랜지스터 및 그의 제조방법
JP5006598B2 (ja) * 2005-09-16 2012-08-22 キヤノン株式会社 電界効果型トランジスタ
EP1764770A3 (en) * 2005-09-16 2012-03-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and driving method of display device
US7712009B2 (en) * 2005-09-21 2010-05-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Cyclic redundancy check circuit and semiconductor device having the cyclic redundancy check circuit
EP1995787A3 (en) * 2005-09-29 2012-01-18 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Semiconductor device having oxide semiconductor layer and manufacturing method therof
JP5064747B2 (ja) * 2005-09-29 2012-10-31 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、電気泳動表示装置、表示モジュール、電子機器、及び半導体装置の作製方法
CN101278403B (zh) 2005-10-14 2010-12-01 株式会社半导体能源研究所 半导体器件及其制造方法
JP5037808B2 (ja) * 2005-10-20 2012-10-03 キヤノン株式会社 アモルファス酸化物を用いた電界効果型トランジスタ、及び該トランジスタを用いた表示装置
CN101577282A (zh) * 2005-11-15 2009-11-11 株式会社半导体能源研究所 半导体器件及其制造方法
JP5016831B2 (ja) * 2006-03-17 2012-09-05 キヤノン株式会社 酸化物半導体薄膜トランジスタを用いた発光素子及びこれを用いた画像表示装置
EP2924498A1 (en) 2006-04-06 2015-09-30 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Liquid crystal desplay device, semiconductor device, and electronic appliance
TWI358964B (en) * 2006-04-12 2012-02-21 Au Optronics Corp Electroluminescence display element and method for
JP2007286150A (ja) * 2006-04-13 2007-11-01 Idemitsu Kosan Co Ltd 電気光学装置、並びに、電流制御用ｔｆｔ基板及びその製造方法
KR100785038B1 (ko) * 2006-04-17 2007-12-12 삼성전자주식회사 비정질 ＺｎＯ계 ＴＦＴ
US7443202B2 (en) * 2006-06-02 2008-10-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic apparatus having the same
JP5127183B2 (ja) * 2006-08-23 2013-01-23 キヤノン株式会社 アモルファス酸化物半導体膜を用いた薄膜トランジスタの製造方法
JP2008059824A (ja) * 2006-08-30 2008-03-13 Fuji Electric Holdings Co Ltd アクティブマトリックス型有機ｅｌパネルおよびその製造方法
US7651896B2 (en) * 2006-08-30 2010-01-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
JP5128792B2 (ja) * 2006-08-31 2013-01-23 財団法人高知県産業振興センター 薄膜トランジスタの製法
JP4274219B2 (ja) 2006-09-27 2009-06-03 セイコーエプソン株式会社 電子デバイス、有機エレクトロルミネッセンス装置、有機薄膜半導体装置
JP5116277B2 (ja) 2006-09-29 2013-01-09 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、表示装置、液晶表示装置、表示モジュール及び電子機器
TWI442368B (zh) 2006-10-26 2014-06-21 Semiconductor Energy Lab 電子裝置，顯示裝置，和半導體裝置，以及其驅動方法
JP5147215B2 (ja) * 2006-10-31 2013-02-20 株式会社日立製作所 表示素子の画素駆動回路およびこれを利用した表示装置
US7646015B2 (en) * 2006-10-31 2010-01-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device
JP5105842B2 (ja) 2006-12-05 2012-12-26 キヤノン株式会社 酸化物半導体を用いた表示装置及びその製造方法
KR101363555B1 (ko) * 2006-12-14 2014-02-19 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
KR100787464B1 (ko) * 2007-01-08 2007-12-26 삼성에스디아이 주식회사 박막 트랜지스터, 및 그 제조방법
JP4934599B2 (ja) * 2007-01-29 2012-05-16 キヤノン株式会社 アクティブマトリクス表示装置
KR101509663B1 (ko) 2007-02-16 2015-04-06 삼성전자주식회사 산화물 반도체층 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 소자제조방법
JP5023737B2 (ja) * 2007-02-27 2012-09-12 凸版印刷株式会社 有機エレクトロルミネセンスデバイス
JP5330697B2 (ja) * 2007-03-19 2013-10-30 株式会社リコー 機能素子のパッケージ及びその製造方法
JP5244331B2 (ja) * 2007-03-26 2013-07-24 出光興産株式会社 非晶質酸化物半導体薄膜、その製造方法、薄膜トランジスタの製造方法、電界効果型トランジスタ、発光装置、表示装置及びスパッタリングターゲット
JP2008276211A (ja) * 2007-04-05 2008-11-13 Fujifilm Corp 有機電界発光表示装置およびパターニング方法
JP2009031742A (ja) * 2007-04-10 2009-02-12 Fujifilm Corp 有機電界発光表示装置
US7652280B2 (en) 2007-04-11 2010-01-26 General Electric Company Light-emitting device and article
KR101334181B1 (ko) * 2007-04-20 2013-11-28 삼성전자주식회사 선택적으로 결정화된 채널층을 갖는 박막 트랜지스터 및 그제조 방법
JP5408842B2 (ja) * 2007-04-27 2014-02-05 キヤノン株式会社 発光装置およびその製造方法
US8748879B2 (en) 2007-05-08 2014-06-10 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Semiconductor device, thin film transistor and a method for producing the same
JP5542297B2 (ja) 2007-05-17 2014-07-09 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置、表示モジュール及び電子機器
JP5542296B2 (ja) 2007-05-17 2014-07-09 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置、表示モジュール及び電子機器
JP4989309B2 (ja) 2007-05-18 2012-08-01 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置
JP5241143B2 (ja) * 2007-05-30 2013-07-17 キヤノン株式会社 電界効果型トランジスタ
US7897482B2 (en) * 2007-05-31 2011-03-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US7935964B2 (en) * 2007-06-19 2011-05-03 Samsung Electronics Co., Ltd. Oxide semiconductors and thin film transistors comprising the same
EP2158608A4 (en) * 2007-06-19 2010-07-14 Samsung Electronics Co Ltd OXIDE SEMICONDUCTORS AND THIN FILM TRANSISTORS THEREWITH
US8354674B2 (en) * 2007-06-29 2013-01-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device wherein a property of a first semiconductor layer is different from a property of a second semiconductor layer
WO2009014155A1 (en) 2007-07-25 2009-01-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Photoelectric conversion device and electronic device having the same
US7898176B2 (en) 2007-09-28 2011-03-01 General Electric Company Fluidic thermal management article and method
US8058802B2 (en) 2007-09-28 2011-11-15 General Electric Company Thermal management article and method
US7742673B2 (en) 2007-09-28 2010-06-22 General Electric Company Thermal mangement article having thermal wave guide
JP5489446B2 (ja) 2007-11-15 2014-05-14 富士フイルム株式会社 薄膜電界効果型トランジスタおよびそれを用いた表示装置
JP5489445B2 (ja) 2007-11-15 2014-05-14 富士フイルム株式会社 薄膜電界効果型トランジスタおよびそれを用いた表示装置
JP5291928B2 (ja) * 2007-12-26 2013-09-18 株式会社日立製作所 酸化物半導体装置およびその製造方法
NO332409B1 (no) * 2008-01-24 2012-09-17 Well Technology As Anordning og fremgangsmate for a isolere en seksjon av et bronnhull
JP2009224595A (ja) 2008-03-17 2009-10-01 Fujifilm Corp 有機電界発光表示装置及びその製造方法
JP5181164B2 (ja) * 2008-03-17 2013-04-10 ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド 有機電界発光表示装置
JP4555358B2 (ja) 2008-03-24 2010-09-29 富士フイルム株式会社 薄膜電界効果型トランジスタおよび表示装置
KR101496148B1 (ko) * 2008-05-15 2015-02-27 삼성전자주식회사 반도체소자 및 그 제조방법
US9041202B2 (en) 2008-05-16 2015-05-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method of the same
KR101468591B1 (ko) * 2008-05-29 2014-12-04 삼성전자주식회사 산화물 반도체 및 이를 포함하는 박막 트랜지스터
CN102016112B (zh) 2008-06-10 2012-08-08 Jx日矿日石金属株式会社 溅射用氧化物烧结体靶及其制造方法
US8314765B2 (en) 2008-06-17 2012-11-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driver circuit, display device, and electronic device
KR101656843B1 (ko) 2008-07-10 2016-09-12 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광장치 및 전자기기
TWI500159B (zh) * 2008-07-31 2015-09-11 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置和其製造方法
TWI450399B (zh) * 2008-07-31 2014-08-21 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置及其製造方法
US8945981B2 (en) 2008-07-31 2015-02-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US9666719B2 (en) 2008-07-31 2017-05-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
TWI770659B (zh) 2008-07-31 2022-07-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及半導體裝置的製造方法
JP5608347B2 (ja) 2008-08-08 2014-10-15 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及び半導体装置の作製方法
JP5525778B2 (ja) 2008-08-08 2014-06-18 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP5480554B2 (ja) 2008-08-08 2014-04-23 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI508282B (zh) 2008-08-08 2015-11-11 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置及其製造方法
TWI637444B (zh) 2008-08-08 2018-10-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置的製造方法
CN102165569B (zh) * 2008-08-15 2016-08-03 株式会社爱发科 场效应晶体管的制造方法
JP5644071B2 (ja) * 2008-08-20 2014-12-24 株式会社リコー 電界効果型トランジスタ、表示素子、画像表示装置及びシステム
TWI569454B (zh) * 2008-09-01 2017-02-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置的製造方法
US9082857B2 (en) 2008-09-01 2015-07-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising an oxide semiconductor layer
JP5627071B2 (ja) 2008-09-01 2014-11-19 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP2010062233A (ja) * 2008-09-02 2010-03-18 Hitachi Displays Ltd 表示装置
US9306078B2 (en) * 2008-09-08 2016-04-05 Cbrite Inc. Stable amorphous metal oxide semiconductor
KR101657957B1 (ko) 2008-09-12 2016-09-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
KR101722913B1 (ko) 2008-09-12 2017-04-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
KR101545460B1 (ko) * 2008-09-12 2015-08-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 생산 방법
KR20160063402A (ko) 2008-09-12 2016-06-03 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 디스플레이 장치
KR101408715B1 (ko) * 2008-09-19 2014-06-17 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
KR102150275B1 (ko) 2008-09-19 2020-09-01 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체장치
KR101490148B1 (ko) 2008-09-19 2015-02-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
KR20220110330A (ko) 2008-09-19 2022-08-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR101874327B1 (ko) * 2008-09-19 2018-07-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시장치
KR101611643B1 (ko) * 2008-10-01 2016-04-11 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
EP2172804B1 (en) * 2008-10-03 2016-05-11 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Display device
KR101579050B1 (ko) 2008-10-03 2015-12-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시장치
CN101714546B (zh) 2008-10-03 2014-05-14 株式会社半导体能源研究所 显示装置及其制造方法
EP2172977A1 (en) 2008-10-03 2010-04-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
WO2010038596A1 (en) * 2008-10-03 2010-04-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Modulation circuit and semiconductor device including the same
KR101761108B1 (ko) 2008-10-03 2017-07-25 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
JP5430113B2 (ja) * 2008-10-08 2014-02-26 キヤノン株式会社 電界効果型トランジスタ及びその製造方法
CN101719493B (zh) 2008-10-08 2014-05-14 株式会社半导体能源研究所 显示装置
JP5484853B2 (ja) 2008-10-10 2014-05-07 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
KR101799601B1 (ko) * 2008-10-16 2017-11-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 표시 장치
JP5361651B2 (ja) 2008-10-22 2013-12-04 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US8106400B2 (en) 2008-10-24 2012-01-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US8741702B2 (en) 2008-10-24 2014-06-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
JP5442234B2 (ja) 2008-10-24 2014-03-12 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及び表示装置
KR101667909B1 (ko) 2008-10-24 2016-10-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체장치의 제조방법
KR20180137606A (ko) 2008-10-24 2018-12-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제조 방법
WO2010047288A1 (en) * 2008-10-24 2010-04-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductordevice
JP5616012B2 (ja) 2008-10-24 2014-10-29 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
EP2180518B1 (en) 2008-10-24 2018-04-25 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
KR101631454B1 (ko) 2008-10-31 2016-06-17 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 논리회로
TWI478356B (zh) 2008-10-31 2015-03-21 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置及其製造方法
KR101603303B1 (ko) 2008-10-31 2016-03-14 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 도전성 산질화물 및 도전성 산질화물막의 제작 방법
WO2010050419A1 (en) * 2008-10-31 2010-05-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driver circuit and display device
CN101740631B (zh) * 2008-11-07 2014-07-16 株式会社半导体能源研究所 半导体装置及该半导体装置的制造方法
JP2010135771A (ja) 2008-11-07 2010-06-17 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置及び当該半導体装置の作製方法
TWI535037B (zh) 2008-11-07 2016-05-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置和其製造方法
KR101980167B1 (ko) 2008-11-07 2019-08-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제작 방법
EP2184783B1 (en) 2008-11-07 2012-10-03 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
TW201921700A (zh) 2008-11-07 2019-06-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置和其製造方法
KR101432764B1 (ko) 2008-11-13 2014-08-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체장치의 제조방법
TWI656645B (zh) * 2008-11-13 2019-04-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
US8232947B2 (en) 2008-11-14 2012-07-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
JP2010153802A (ja) 2008-11-20 2010-07-08 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置及び半導体装置の作製方法
KR101671660B1 (ko) 2008-11-21 2016-11-01 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 표시 장치 및 전자 기기
TWI749283B (zh) 2008-11-28 2021-12-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 液晶顯示裝置
TWI585955B (zh) * 2008-11-28 2017-06-01 半導體能源研究所股份有限公司 光感測器及顯示裝置
TWI529949B (zh) 2008-11-28 2016-04-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置和其製造方法
WO2010064590A1 (en) * 2008-12-01 2010-06-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
TWI633371B (zh) 2008-12-03 2018-08-21 半導體能源研究所股份有限公司 液晶顯示裝置
JP5491833B2 (ja) 2008-12-05 2014-05-14 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
WO2010071183A1 (en) * 2008-12-19 2010-06-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
CN103456794B (zh) 2008-12-19 2016-08-10 株式会社半导体能源研究所 晶体管的制造方法
EP2515337B1 (en) * 2008-12-24 2016-02-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driver circuit and semiconductor device
US8441007B2 (en) 2008-12-25 2013-05-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and manufacturing method thereof
KR101719350B1 (ko) * 2008-12-25 2017-03-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
US8114720B2 (en) 2008-12-25 2012-02-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US8383470B2 (en) * 2008-12-25 2013-02-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film transistor (TFT) having a protective layer and manufacturing method thereof
TWI475616B (zh) * 2008-12-26 2015-03-01 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置及其製造方法
JP5590877B2 (ja) * 2008-12-26 2014-09-17 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR101648927B1 (ko) * 2009-01-16 2016-08-17 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
US8492756B2 (en) 2009-01-23 2013-07-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US8436350B2 (en) * 2009-01-30 2013-05-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device using an oxide semiconductor with a plurality of metal clusters
US8367486B2 (en) 2009-02-05 2013-02-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor and method for manufacturing the transistor
US8174021B2 (en) 2009-02-06 2012-05-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device
US8749930B2 (en) * 2009-02-09 2014-06-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Protection circuit, semiconductor device, photoelectric conversion device, and electronic device
US8247812B2 (en) 2009-02-13 2012-08-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor, semiconductor device including the transistor, and manufacturing method of the transistor and the semiconductor device
CN101840936B (zh) 2009-02-13 2014-10-08 株式会社半导体能源研究所 包括晶体管的半导体装置及其制造方法
US8278657B2 (en) * 2009-02-13 2012-10-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor, semiconductor device including the transistor, and manufacturing method of the transistor and the semiconductor device
US8247276B2 (en) * 2009-02-20 2012-08-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film transistor, method for manufacturing the same, and semiconductor device
US8841661B2 (en) * 2009-02-25 2014-09-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Staggered oxide semiconductor TFT semiconductor device and manufacturing method thereof
US8704216B2 (en) 2009-02-27 2014-04-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US20100224878A1 (en) 2009-03-05 2010-09-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8461582B2 (en) 2009-03-05 2013-06-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US20100224880A1 (en) * 2009-03-05 2010-09-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR101671210B1 (ko) 2009-03-06 2016-11-01 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법
WO2010103935A1 (en) 2009-03-12 2010-09-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
TWI485781B (zh) * 2009-03-13 2015-05-21 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置及該半導體裝置的製造方法
US8450144B2 (en) * 2009-03-26 2013-05-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
KR101752640B1 (ko) 2009-03-27 2017-06-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체장치
TWI529942B (zh) * 2009-03-27 2016-04-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
KR101681884B1 (ko) 2009-03-27 2016-12-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체장치, 표시장치 및 전자기기
TWI485851B (zh) * 2009-03-30 2015-05-21 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置及其製造方法
TWI489628B (zh) 2009-04-02 2015-06-21 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置和其製造方法
US8338226B2 (en) * 2009-04-02 2012-12-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
JP5615018B2 (ja) 2009-04-10 2014-10-29 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置および半導体装置の作製方法
TWI476917B (zh) 2009-04-16 2015-03-11 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置和其製造方法
CN102422426B (zh) * 2009-05-01 2016-06-01 株式会社半导体能源研究所 半导体装置的制造方法
JP5751762B2 (ja) 2009-05-21 2015-07-22 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP5760298B2 (ja) * 2009-05-21 2015-08-05 ソニー株式会社 薄膜トランジスタ、表示装置、および電子機器
JP5564331B2 (ja) * 2009-05-29 2014-07-30 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
EP2256814B1 (en) 2009-05-29 2019-01-16 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Oxide semiconductor device and method for manufacturing the same
EP2256795B1 (en) * 2009-05-29 2014-11-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method for oxide semiconductor device
CN102804247B (zh) * 2009-06-19 2015-11-25 皇家飞利浦电子股份有限公司 用于对oled器件进行驱动的方法和装置
JP4415062B1 (ja) * 2009-06-22 2010-02-17 富士フイルム株式会社 薄膜トランジスタ及び薄膜トランジスタの製造方法
KR101604577B1 (ko) 2009-06-30 2016-03-17 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 제조 방법
CN106409684B (zh) 2009-06-30 2020-01-21 株式会社半导体能源研究所 用于制造半导体器件的方法
WO2011001881A1 (en) 2009-06-30 2011-01-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
KR101810699B1 (ko) 2009-06-30 2018-01-25 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 제작 방법
US20110000175A1 (en) * 2009-07-01 2011-01-06 Husqvarna Consumer Outdoor Products N.A. Inc. Variable speed controller
JP5663214B2 (ja) * 2009-07-03 2015-02-04 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
KR101476817B1 (ko) 2009-07-03 2014-12-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 트랜지스터를 갖는 표시 장치 및 그 제작 방법
KR102503687B1 (ko) 2009-07-03 2023-02-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제작 방법
SG10201403913PA (en) 2009-07-10 2014-10-30 Semiconductor Energy Lab Method for manufacturing semiconductor device
KR101857405B1 (ko) 2009-07-10 2018-05-11 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제조 방법
KR101791370B1 (ko) 2009-07-10 2017-10-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2011007677A1 (en) 2009-07-17 2011-01-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
WO2011007682A1 (en) 2009-07-17 2011-01-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing semiconductor device
KR101739154B1 (ko) * 2009-07-17 2017-05-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제조 방법
KR20180112107A (ko) 2009-07-18 2018-10-11 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치 제조 방법
CN105070749B (zh) 2009-07-18 2019-08-09 株式会社半导体能源研究所 半导体装置以及制造半导体装置的方法
WO2011010545A1 (en) * 2009-07-18 2011-01-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
WO2011010541A1 (en) 2009-07-18 2011-01-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
WO2011010542A1 (en) * 2009-07-23 2011-01-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
KR101785992B1 (ko) 2009-07-24 2017-10-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2011013522A1 (en) 2009-07-31 2011-02-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
WO2011013502A1 (en) * 2009-07-31 2011-02-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
CN105097946B (zh) * 2009-07-31 2018-05-08 株式会社半导体能源研究所 半导体装置及其制造方法
WO2011013523A1 (en) 2009-07-31 2011-02-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
CN105070761B (zh) 2009-07-31 2019-08-20 株式会社半导体能源研究所 显示装置
JP5642447B2 (ja) 2009-08-07 2014-12-17 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP5663231B2 (ja) 2009-08-07 2015-02-04 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
TWI650848B (zh) 2009-08-07 2019-02-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置和其製造方法
EP2284891B1 (en) 2009-08-07 2019-07-24 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
TWI604594B (zh) 2009-08-07 2017-11-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及包括該半導體裝置之電話、錶、和顯示裝置
TWI559501B (zh) 2009-08-07 2016-11-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置和其製造方法
US8115883B2 (en) 2009-08-27 2012-02-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method for manufacturing the same
WO2011027649A1 (en) * 2009-09-02 2011-03-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including a transistor, and manufacturing method of semiconductor device
KR101746198B1 (ko) 2009-09-04 2017-06-12 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시장치 및 전자기기
KR101791812B1 (ko) 2009-09-04 2017-10-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제작 방법
CN102598283B (zh) 2009-09-04 2016-05-18 株式会社半导体能源研究所 半导体器件及其制造方法
WO2011027656A1 (en) 2009-09-04 2011-03-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor and display device
WO2011027701A1 (en) 2009-09-04 2011-03-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and method for manufacturing the same
WO2011027664A1 (en) * 2009-09-04 2011-03-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and method for manufacturing the same
US9805641B2 (en) * 2009-09-04 2017-10-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device including the same
WO2011027702A1 (en) * 2009-09-04 2011-03-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and method for manufacturing the same
WO2011027676A1 (en) 2009-09-04 2011-03-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
KR101851926B1 (ko) 2009-09-04 2018-04-25 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치 및 발광 장치를 제작하기 위한 방법
CN105679834A (zh) 2009-09-16 2016-06-15 株式会社半导体能源研究所 晶体管及显示设备
KR102618171B1 (ko) 2009-09-16 2023-12-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치 및 이의 제조 방법
WO2011033909A1 (en) * 2009-09-16 2011-03-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driver circuit, display device including the driver circuit, and electronic device including the display device
US9715845B2 (en) 2009-09-16 2017-07-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor display device
WO2011033914A1 (en) 2009-09-16 2011-03-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driving method of display device and display device
KR102246529B1 (ko) * 2009-09-16 2021-04-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR102293198B1 (ko) * 2009-09-16 2021-08-24 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제조 방법
WO2011034012A1 (en) * 2009-09-16 2011-03-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Logic circuit, light emitting device, semiconductor device, and electronic device
KR102054650B1 (ko) 2009-09-24 2019-12-11 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 산화물 반도체막 및 반도체 장치
CN104934483B (zh) 2009-09-24 2018-08-10 株式会社半导体能源研究所 半导体元件及其制造方法
EP2481089A4 (en) 2009-09-24 2015-09-23 Semiconductor Energy Lab SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
WO2011036981A1 (en) 2009-09-24 2011-03-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2011037008A1 (en) 2009-09-24 2011-03-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing oxide semiconductor film and method for manufacturing semiconductor device
KR101713356B1 (ko) 2009-09-24 2017-03-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 구동 회로, 상기 구동 회로를 포함하는 표시 장치, 및 상기 표시 장치를 포함하는 전자 기기
TWI512997B (zh) * 2009-09-24 2015-12-11 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置，電源電路，和半導體裝置的製造方法
KR101470785B1 (ko) * 2009-09-24 2014-12-08 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제조 방법
WO2011036987A1 (en) * 2009-09-24 2011-03-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
KR20120080575A (ko) * 2009-09-30 2012-07-17 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 레독스 커패시터 및 그 제작 방법
WO2011040213A1 (en) * 2009-10-01 2011-04-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
WO2011043182A1 (en) 2009-10-05 2011-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for removing electricity and method for manufacturing semiconductor device
KR20120084751A (ko) 2009-10-05 2012-07-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
CN102484139B (zh) * 2009-10-08 2016-07-06 株式会社半导体能源研究所 氧化物半导体层及半导体装置
KR101991006B1 (ko) * 2009-10-08 2019-06-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
CN103984176B (zh) * 2009-10-09 2016-01-20 株式会社半导体能源研究所 液晶显示装置及包括该液晶显示装置的电子设备
WO2011043164A1 (en) * 2009-10-09 2011-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device
CN107195328B (zh) 2009-10-09 2020-11-10 株式会社半导体能源研究所 移位寄存器和显示装置以及其驱动方法
WO2011043206A1 (en) 2009-10-09 2011-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2011043194A1 (en) 2009-10-09 2011-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
KR101790704B1 (ko) 2009-10-09 2017-11-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 시프트 레지스터 및 표시 장치
WO2011043218A1 (en) * 2009-10-09 2011-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
KR101820973B1 (ko) * 2009-10-09 2018-01-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치 제조 방법
KR20120093864A (ko) * 2009-10-09 2012-08-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR101820972B1 (ko) * 2009-10-09 2018-01-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제조 방법
KR101759504B1 (ko) * 2009-10-09 2017-07-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 표시 장치 및 이를 포함한 전자 기기
KR101680047B1 (ko) * 2009-10-14 2016-11-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
KR101988819B1 (ko) * 2009-10-16 2019-06-12 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치 및 이를 구비한 전자 장치
KR102065330B1 (ko) 2009-10-16 2020-01-13 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치의 제작 방법
KR101717460B1 (ko) 2009-10-16 2017-03-17 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치 및 액정 표시 장치를 포함한 전자 기기
WO2011046048A1 (en) 2009-10-16 2011-04-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
CN113903796A (zh) 2009-10-16 2022-01-07 株式会社半导体能源研究所 逻辑电路和半导体器件
WO2011049230A1 (en) 2009-10-21 2011-04-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Voltage regulator circuit
CN102668062B (zh) 2009-10-21 2014-12-10 株式会社半导体能源研究所 半导体器件
KR101875794B1 (ko) 2009-10-21 2018-08-09 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 표시 장치를 갖는 전자 기기
KR20170130641A (ko) 2009-10-21 2017-11-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치 및 그 액정 표시 장치를 구비하는 전자기기
WO2011048923A1 (en) 2009-10-21 2011-04-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. E-book reader
KR20170143023A (ko) 2009-10-21 2017-12-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 제작방법
KR102223581B1 (ko) * 2009-10-21 2021-03-04 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 아날로그 회로 및 반도체 장치
WO2011048959A1 (en) 2009-10-21 2011-04-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
EP2494594B1 (en) * 2009-10-29 2020-02-19 Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd. Semiconductor device
SG10201503877UA (en) 2009-10-29 2015-06-29 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device
KR101752518B1 (ko) 2009-10-30 2017-06-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2011052409A1 (en) 2009-10-30 2011-05-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor
WO2011052368A1 (en) * 2009-10-30 2011-05-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driver circuit, display device including the driver circuit, and electronic device including the display device
WO2011052410A1 (en) 2009-10-30 2011-05-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Power diode, rectifier, and semiconductor device including the same
SG188112A1 (en) 2009-10-30 2013-03-28 Semiconductor Energy Lab Logic circuit and semiconductor device
WO2011052344A1 (en) * 2009-10-30 2011-05-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device, driving method of the same, and electronic appliance including the same
WO2011052366A1 (en) 2009-10-30 2011-05-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Voltage regulator circuit
WO2011052382A1 (en) 2009-10-30 2011-05-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
KR102019239B1 (ko) 2009-10-30 2019-09-06 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
EP2494597A4 (en) * 2009-10-30 2015-03-18 Semiconductor Energy Lab SEMICONDUCTOR COMPONENT
WO2011052437A1 (en) 2009-10-30 2011-05-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Non-linear element, display device including non-linear element, and electronic device including display device
KR20120102653A (ko) * 2009-10-30 2012-09-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작방법
WO2011052411A1 (en) * 2009-10-30 2011-05-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor
WO2011052413A1 (en) 2009-10-30 2011-05-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Non-linear element, display device, and electronic device
KR102378013B1 (ko) * 2009-11-06 2022-03-24 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법
WO2011055625A1 (en) * 2009-11-06 2011-05-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and operating method thereof
KR20120093952A (ko) * 2009-11-06 2012-08-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 소자 및 반도체 장치 제조 방법과, 성막 장치
WO2011055668A1 (en) * 2009-11-06 2011-05-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR101747158B1 (ko) 2009-11-06 2017-06-14 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치를 제작하기 위한 방법
WO2011055645A1 (en) * 2009-11-06 2011-05-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR101727469B1 (ko) 2009-11-06 2017-04-17 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
WO2011055660A1 (en) 2009-11-06 2011-05-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
CN104393007A (zh) * 2009-11-06 2015-03-04 株式会社半导体能源研究所 半导体装置
JP5539846B2 (ja) 2009-11-06 2014-07-02 株式会社半導体エネルギー研究所 評価方法、半導体装置の作製方法
WO2011055669A1 (en) 2009-11-06 2011-05-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR102286284B1 (ko) 2009-11-06 2021-08-06 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
KR101113370B1 (ko) 2009-11-11 2012-02-29 삼성모바일디스플레이주식회사 박막트랜지스터 및 이를 구비한 유기전계 발광 표시장치
WO2011058913A1 (en) * 2009-11-13 2011-05-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
KR101721850B1 (ko) 2009-11-13 2017-03-31 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR101975741B1 (ko) * 2009-11-13 2019-05-09 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 타깃 재료의 포장 방법 및 타깃의 장착 방법
WO2011058934A1 (en) 2009-11-13 2011-05-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
KR102037048B1 (ko) 2009-11-13 2019-10-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
KR20120094013A (ko) * 2009-11-13 2012-08-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 스퍼터링 타겟 및 그 제조방법, 및 트랜지스터
KR20120106950A (ko) * 2009-11-13 2012-09-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 스퍼터링 타겟 및 그 제작 방법 및 트랜지스터
KR101751560B1 (ko) * 2009-11-13 2017-06-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR101738996B1 (ko) * 2009-11-13 2017-05-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 불휘발성 메모리 소자를 포함하는 장치
KR20230174763A (ko) 2009-11-13 2023-12-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 이 표시 장치를 구비한 전자 기기
WO2011062029A1 (en) 2009-11-18 2011-05-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device
WO2011062041A1 (en) * 2009-11-20 2011-05-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor
WO2011062058A1 (en) 2009-11-20 2011-05-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP5762723B2 (ja) 2009-11-20 2015-08-12 株式会社半導体エネルギー研究所 変調回路及びそれを備えた半導体装置
KR101800852B1 (ko) 2009-11-20 2017-12-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR101370301B1 (ko) * 2009-11-20 2014-03-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제작 방법
KR101700154B1 (ko) 2009-11-20 2017-01-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 래치 회로와 회로
CN102598266B (zh) * 2009-11-20 2015-04-22 株式会社半导体能源研究所 半导体装置
CN102668063B (zh) * 2009-11-20 2015-02-18 株式会社半导体能源研究所 半导体装置
KR20200124769A (ko) * 2009-11-20 2020-11-03 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 트랜지스터
WO2011062042A1 (en) 2009-11-20 2011-05-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR101662359B1 (ko) * 2009-11-24 2016-10-04 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 메모리 셀을 포함하는 반도체 장치
KR101844972B1 (ko) 2009-11-27 2018-04-03 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작방법
WO2011065258A1 (en) * 2009-11-27 2011-06-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
CN102640293B (zh) 2009-11-27 2015-07-22 株式会社半导体能源研究所 半导体器件
WO2011065209A1 (en) * 2009-11-27 2011-06-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Non-linear element, display device including non-linear element, and electronic device including display device
KR101803553B1 (ko) 2009-11-28 2017-11-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
KR101714831B1 (ko) 2009-11-28 2017-03-09 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2011065210A1 (en) * 2009-11-28 2011-06-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Stacked oxide material, semiconductor device, and method for manufacturing the semiconductor device
WO2011065216A1 (en) 2009-11-28 2011-06-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Stacked oxide material, semiconductor device, and method for manufacturing the semiconductor device
KR101839931B1 (ko) * 2009-11-30 2018-03-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치, 액정 표시 장치의 구동 방법, 및 이 액정 표시 장치를 구비하는 전자기기
EP2507822B1 (en) 2009-12-04 2016-08-31 Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
WO2011068016A1 (en) * 2009-12-04 2011-06-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2011068066A1 (en) 2009-12-04 2011-06-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
KR102333270B1 (ko) 2009-12-04 2021-12-02 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2011068106A1 (en) * 2009-12-04 2011-06-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device including the same
WO2011068028A1 (en) 2009-12-04 2011-06-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor element, semiconductor device, and method for manufacturing the same
WO2011068022A1 (en) 2009-12-04 2011-06-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP5584103B2 (ja) 2009-12-04 2014-09-03 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR101523358B1 (ko) 2009-12-04 2015-05-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
KR101800038B1 (ko) 2009-12-04 2017-11-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
CN102640272B (zh) * 2009-12-04 2015-05-20 株式会社半导体能源研究所 半导体装置及其制造方法
JP2011139052A (ja) * 2009-12-04 2011-07-14 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体記憶装置
WO2011068025A1 (en) 2009-12-04 2011-06-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Dc converter circuit and power supply circuit
WO2011070892A1 (en) * 2009-12-08 2011-06-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
KR101945171B1 (ko) * 2009-12-08 2019-02-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR20170061194A (ko) 2009-12-10 2017-06-02 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치의 구동 방법 및 표시 장치
WO2011070929A1 (en) 2009-12-11 2011-06-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
WO2011070901A1 (en) 2009-12-11 2011-06-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP5727204B2 (ja) 2009-12-11 2015-06-03 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
WO2011070905A1 (en) 2009-12-11 2011-06-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Nonvolatile latch circuit and logic circuit, and semiconductor device using the same
KR20120102748A (ko) * 2009-12-11 2012-09-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 전계 효과 트랜지스터
KR102046308B1 (ko) 2009-12-11 2019-11-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2011074590A1 (en) * 2009-12-17 2011-06-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, measurement apparatus, and measurement method of relative permittivity
KR101900662B1 (ko) 2009-12-18 2018-11-08 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치 및 그 구동 방법
CN105957481B (zh) 2009-12-18 2019-12-31 株式会社半导体能源研究所 显示设备
WO2011074409A1 (en) 2009-12-18 2011-06-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
WO2011074408A1 (en) * 2009-12-18 2011-06-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Non-volatile latch circuit and logic circuit, and semiconductor device using the same
US9057758B2 (en) * 2009-12-18 2015-06-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for measuring current, method for inspecting semiconductor device, semiconductor device, and test element group
KR101813460B1 (ko) 2009-12-18 2017-12-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR102197397B1 (ko) 2009-12-18 2020-12-31 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치 및 전자 기기
KR102020739B1 (ko) 2009-12-18 2019-09-10 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 광 센서를 포함하는 표시 장치 및 그 구동 방법
WO2011074407A1 (en) 2009-12-18 2011-06-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
KR20120115318A (ko) * 2009-12-23 2012-10-17 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2011077916A1 (en) 2009-12-24 2011-06-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
WO2011077926A1 (en) 2009-12-24 2011-06-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device
KR101473684B1 (ko) 2009-12-25 2014-12-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2011077925A1 (en) 2009-12-25 2011-06-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for driving liquid crystal display device
WO2011077978A1 (en) 2009-12-25 2011-06-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing display device
KR101866734B1 (ko) 2009-12-25 2018-06-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2011077966A1 (en) 2009-12-25 2011-06-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US8441009B2 (en) * 2009-12-25 2013-05-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
CN105590646B (zh) 2009-12-25 2019-01-08 株式会社半导体能源研究所 存储器装置、半导体器件和电子装置
WO2011080999A1 (en) * 2009-12-28 2011-07-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
CN102844806B (zh) 2009-12-28 2016-01-20 株式会社半导体能源研究所 液晶显示装置及电子设备
KR101436120B1 (ko) 2009-12-28 2014-09-01 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제작 방법
KR101842413B1 (ko) 2009-12-28 2018-03-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR102198144B1 (ko) 2009-12-28 2021-01-04 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 기억 장치와 반도체 장치
WO2011081041A1 (en) * 2009-12-28 2011-07-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device
KR102114011B1 (ko) 2010-01-15 2020-05-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 이를 구동하는 방법
US8780629B2 (en) 2010-01-15 2014-07-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
WO2011086871A1 (en) * 2010-01-15 2011-07-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2011086846A1 (en) 2010-01-15 2011-07-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR101698537B1 (ko) * 2010-01-15 2017-01-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
CN102714208B (zh) 2010-01-15 2015-05-20 株式会社半导体能源研究所 半导体装置
CN102696064B (zh) 2010-01-15 2015-11-25 株式会社半导体能源研究所 半导体装置和电子装置
KR101842860B1 (ko) 2010-01-20 2018-03-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치의 구동 방법
KR102031848B1 (ko) * 2010-01-20 2019-10-14 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 전자 기기 및 전자 시스템
US8415731B2 (en) * 2010-01-20 2013-04-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor storage device with integrated capacitor and having transistor overlapping sections
WO2011089847A1 (en) 2010-01-20 2011-07-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Signal processing circuit and method for driving the same
KR102248998B1 (ko) * 2010-01-20 2021-05-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 전자 기기
KR101805102B1 (ko) 2010-01-20 2017-12-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치의 구동 방법
KR102129540B1 (ko) 2010-01-20 2020-07-03 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
KR101883629B1 (ko) 2010-01-20 2018-07-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR101816505B1 (ko) * 2010-01-20 2018-01-09 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치의 표시 방법
US9984617B2 (en) 2010-01-20 2018-05-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device including light emitting element
KR101750126B1 (ko) 2010-01-20 2017-06-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치의 구동 방법 및 액정 표시 장치
KR102174859B1 (ko) * 2010-01-22 2020-11-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR20180043383A (ko) 2010-01-22 2018-04-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 제작 방법
KR101829309B1 (ko) 2010-01-22 2018-02-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2011089853A1 (en) 2010-01-24 2011-07-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
KR20190093706A (ko) 2010-01-24 2019-08-09 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치와 이의 제조 방법
US8879010B2 (en) 2010-01-24 2014-11-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
KR101800850B1 (ko) * 2010-01-29 2017-11-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 기억 장치
WO2011093150A1 (en) 2010-01-29 2011-08-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2011093151A1 (en) 2010-01-29 2011-08-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device including the same
WO2011096153A1 (en) 2010-02-05 2011-08-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
WO2011096270A1 (en) 2010-02-05 2011-08-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9391209B2 (en) 2010-02-05 2016-07-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR101926336B1 (ko) 2010-02-05 2019-03-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR101791713B1 (ko) 2010-02-05 2017-10-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 전계 효과 트랜지스터 및 반도체 장치
KR20120130763A (ko) 2010-02-05 2012-12-03 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제조 방법
KR102026603B1 (ko) * 2010-02-05 2019-10-01 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US8436403B2 (en) 2010-02-05 2013-05-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including transistor provided with sidewall and electronic appliance
KR101465196B1 (ko) 2010-02-05 2014-11-25 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 및 반도체 장치의 제조 방법
KR101921618B1 (ko) 2010-02-05 2018-11-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 구동 방법
WO2011096277A1 (en) * 2010-02-05 2011-08-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of driving semiconductor device
WO2011099342A1 (en) 2010-02-10 2011-08-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Field effect transistor
US8947337B2 (en) 2010-02-11 2015-02-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
CN102742002B (zh) * 2010-02-12 2015-01-28 株式会社半导体能源研究所 半导体器件及其驱动方法
WO2011099368A1 (en) * 2010-02-12 2011-08-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device including the same
KR101830196B1 (ko) 2010-02-12 2018-02-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 구동 방법
WO2011099360A1 (en) 2010-02-12 2011-08-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for driving the same
CN102754209B (zh) * 2010-02-12 2015-11-25 株式会社半导体能源研究所 半导体装置及其驱动方法
WO2011099335A1 (en) 2010-02-12 2011-08-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
KR20130023203A (ko) 2010-02-12 2013-03-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 구동 방법
US8617920B2 (en) 2010-02-12 2013-12-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
CN102763156B (zh) * 2010-02-12 2015-11-25 株式会社半导体能源研究所 液晶显示装置和电子装置
KR102139209B1 (ko) 2010-02-18 2020-07-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 전자 장치
WO2011102203A1 (en) 2010-02-19 2011-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor and display device using the same
US8928644B2 (en) * 2010-02-19 2015-01-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method for driving display device
KR101889285B1 (ko) * 2010-02-19 2018-08-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 메모리 장치, 그 구동 방법, 및 반도체 장치 제작 방법
CN102754163B (zh) * 2010-02-19 2015-11-25 株式会社半导体能源研究所 半导体器件
JP5740169B2 (ja) * 2010-02-19 2015-06-24 株式会社半導体エネルギー研究所 トランジスタの作製方法
KR101832119B1 (ko) 2010-02-19 2018-02-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2011102190A1 (en) 2010-02-19 2011-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Demodulation circuit and rfid tag including the demodulation circuit
KR101848684B1 (ko) * 2010-02-19 2018-04-16 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치 및 전자 장치
WO2011102205A1 (en) 2010-02-19 2011-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2011102217A1 (en) * 2010-02-19 2011-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
CN102754162B (zh) 2010-02-19 2015-12-09 株式会社半导体能源研究所 半导体器件及半导体器件的驱动方法
KR102647090B1 (ko) 2010-02-23 2024-03-14 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제조 방법
WO2011105310A1 (en) * 2010-02-26 2011-09-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9000438B2 (en) 2010-02-26 2015-04-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
KR101780841B1 (ko) 2010-02-26 2017-09-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2011105183A1 (en) * 2010-02-26 2011-09-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor element and deposition apparatus
CN106328085B (zh) * 2010-02-26 2020-07-28 株式会社半导体能源研究所 显示设备及其驱动方法
CN102782859B (zh) * 2010-02-26 2015-07-29 株式会社半导体能源研究所 半导体装置的制造方法
KR101803552B1 (ko) * 2010-02-26 2017-11-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 이 표시 장치를 구비하는 전자 서적
CN107045235A (zh) * 2010-02-26 2017-08-15 株式会社半导体能源研究所 液晶显示装置
KR101969291B1 (ko) 2010-02-26 2019-04-17 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR101389120B1 (ko) 2010-03-02 2014-04-25 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 펄스 신호 출력 회로 및 시프트 레지스터
WO2011108345A1 (en) * 2010-03-02 2011-09-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Pulse signal output circuit and shift register
WO2011108367A1 (en) 2010-03-02 2011-09-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Boosting circuit and rfid tag including boosting circuit
KR101828960B1 (ko) 2010-03-02 2018-02-13 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 펄스 신호 출력 회로 및 시프트 레지스터
WO2011108475A1 (en) * 2010-03-04 2011-09-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device and semiconductor device
WO2011108382A1 (en) * 2010-03-05 2011-09-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
WO2011108374A1 (en) * 2010-03-05 2011-09-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
WO2011108381A1 (en) 2010-03-05 2011-09-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
KR101878206B1 (ko) * 2010-03-05 2018-07-16 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 산화물 반도체막의 제작 방법 및 트랜지스터의 제작 방법
TW201732525A (zh) * 2010-03-08 2017-09-16 半導體能源研究所股份有限公司 電子裝置及電子系統
WO2011111504A1 (en) 2010-03-08 2011-09-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device and electronic system
KR101812467B1 (ko) * 2010-03-08 2017-12-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR101898297B1 (ko) 2010-03-08 2018-09-12 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 구동 방법
CN106449649B (zh) * 2010-03-08 2019-09-27 株式会社半导体能源研究所 半导体装置及半导体装置的制造方法
KR102220018B1 (ko) * 2010-03-08 2021-02-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치를 제작하는 방법
KR101784676B1 (ko) 2010-03-08 2017-10-12 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제조방법
KR101840185B1 (ko) 2010-03-12 2018-03-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 회로를 구동하는 방법 및 표시 장치를 구동하는 방법
US8900362B2 (en) * 2010-03-12 2014-12-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of gallium oxide single crystal
CN102804380B (zh) 2010-03-12 2015-11-25 株式会社半导体能源研究所 半导体装置
CN102782622B (zh) * 2010-03-12 2016-11-02 株式会社半导体能源研究所 显示装置的驱动方法
WO2011111507A1 (en) * 2010-03-12 2011-09-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
KR101761558B1 (ko) * 2010-03-12 2017-07-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 입력 회로를 구동하는 방법 및 입출력 장치를 구동하는 방법
WO2011114866A1 (en) * 2010-03-17 2011-09-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device and semiconductor device
US20110227082A1 (en) * 2010-03-19 2011-09-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2011114905A1 (en) 2010-03-19 2011-09-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device
WO2011114868A1 (en) 2010-03-19 2011-09-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2011114919A1 (en) * 2010-03-19 2011-09-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR101891065B1 (ko) * 2010-03-19 2018-08-24 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치 구동 방법
WO2011118351A1 (en) * 2010-03-25 2011-09-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
CN105304502B (zh) 2010-03-26 2018-07-03 株式会社半导体能源研究所 半导体装置的制造方法
WO2011118741A1 (en) 2010-03-26 2011-09-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
KR101862539B1 (ko) * 2010-03-26 2018-05-31 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
JP5731244B2 (ja) * 2010-03-26 2015-06-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
DE112011101069B4 (de) * 2010-03-26 2018-05-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Halbleitervorrichtung und Verfahren zur Herstellung der Halbleitervorrichtung
WO2011122271A1 (en) 2010-03-31 2011-10-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Field-sequential display device
KR101761966B1 (ko) 2010-03-31 2017-07-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 전력 공급 장치와 그 구동 방법
WO2011122299A1 (en) 2010-03-31 2011-10-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driving method of liquid crystal display device
KR101814367B1 (ko) 2010-03-31 2018-01-04 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치 및 그 구동 방법
WO2011122280A1 (en) 2010-03-31 2011-10-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor display device
KR20220119771A (ko) 2010-04-02 2022-08-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US9196739B2 (en) 2010-04-02 2015-11-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including oxide semiconductor film and metal oxide film
KR101391964B1 (ko) 2010-04-02 2014-05-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US9147768B2 (en) 2010-04-02 2015-09-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having an oxide semiconductor and a metal oxide film
US9190522B2 (en) 2010-04-02 2015-11-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having an oxide semiconductor
US8884282B2 (en) 2010-04-02 2014-11-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR101884031B1 (ko) 2010-04-07 2018-07-31 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 기억 장치
WO2011125453A1 (en) 2010-04-07 2011-10-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor
WO2011125455A1 (en) 2010-04-09 2011-10-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor memory device
WO2011125806A1 (en) 2010-04-09 2011-10-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
US8653514B2 (en) 2010-04-09 2014-02-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US8207025B2 (en) 2010-04-09 2012-06-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
KR101748901B1 (ko) 2010-04-09 2017-06-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치 및 그 구동 방법
WO2011125454A1 (en) 2010-04-09 2011-10-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2011125456A1 (en) 2010-04-09 2011-10-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP5744366B2 (ja) 2010-04-12 2015-07-08 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置
US8854583B2 (en) 2010-04-12 2014-10-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and liquid crystal display device
JP2011237418A (ja) 2010-04-16 2011-11-24 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 電流測定方法、半導体装置の検査方法、半導体装置、および特性評価用回路
WO2011129209A1 (en) 2010-04-16 2011-10-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Power source circuit
CN102844847B (zh) 2010-04-16 2015-09-23 株式会社半导体能源研究所 沉积方法及半导体装置的制造方法
WO2011129233A1 (en) 2010-04-16 2011-10-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8692243B2 (en) 2010-04-20 2014-04-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US9537043B2 (en) 2010-04-23 2017-01-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Photoelectric conversion device and manufacturing method thereof
KR102390961B1 (ko) 2010-04-23 2022-04-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제작 방법
CN102870151B (zh) 2010-04-23 2016-03-30 株式会社半导体能源研究所 显示装置以及其驱动方法
WO2011132591A1 (en) 2010-04-23 2011-10-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
WO2011132548A1 (en) 2010-04-23 2011-10-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
KR101332374B1 (ko) 2010-04-23 2013-11-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제작 방법
KR101324760B1 (ko) 2010-04-23 2013-11-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제작 방법
KR20130055607A (ko) 2010-04-23 2013-05-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제작 방법
WO2011135999A1 (en) 2010-04-27 2011-11-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device
US8890555B2 (en) 2010-04-28 2014-11-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for measuring transistor
US9697788B2 (en) 2010-04-28 2017-07-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
KR20220005640A (ko) 2010-04-28 2022-01-13 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
WO2011135987A1 (en) 2010-04-28 2011-11-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
WO2011136018A1 (en) 2010-04-28 2011-11-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and electronic appliance
US9349325B2 (en) 2010-04-28 2016-05-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and electronic device
US9064473B2 (en) 2010-05-12 2015-06-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electro-optical display device and display method thereof
US9478185B2 (en) 2010-05-12 2016-10-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electro-optical display device and display method thereof
JP5797449B2 (ja) 2010-05-13 2015-10-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の評価方法
WO2011142371A1 (en) 2010-05-14 2011-11-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP5557595B2 (ja) * 2010-05-14 2014-07-23 富士フイルム株式会社 電子デバイスの製造方法、薄膜トランジスタ、電気光学装置及びセンサー
KR101806271B1 (ko) 2010-05-14 2017-12-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제작 방법
US8664658B2 (en) 2010-05-14 2014-03-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
TWI511236B (zh) 2010-05-14 2015-12-01 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置
US8624239B2 (en) 2010-05-20 2014-01-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP5923248B2 (ja) 2010-05-20 2016-05-24 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
WO2011145738A1 (en) 2010-05-20 2011-11-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for driving semiconductor device
US9496405B2 (en) 2010-05-20 2016-11-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device including step of adding cation to oxide semiconductor layer
US9490368B2 (en) 2010-05-20 2016-11-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method of the same
JP5714973B2 (ja) 2010-05-21 2015-05-07 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
WO2011145467A1 (en) 2010-05-21 2011-11-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8629438B2 (en) 2010-05-21 2014-01-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP5766012B2 (ja) 2010-05-21 2015-08-19 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置
WO2011145484A1 (en) 2010-05-21 2011-11-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8906756B2 (en) 2010-05-21 2014-12-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
CN105957802A (zh) 2010-05-21 2016-09-21 株式会社半导体能源研究所 半导体装置及其制造方法
WO2011145634A1 (en) 2010-05-21 2011-11-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2011145707A1 (en) 2010-05-21 2011-11-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device
WO2011145468A1 (en) 2010-05-21 2011-11-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device and semiconductor device
CN102906882B (zh) 2010-05-21 2015-11-25 株式会社半导体能源研究所 半导体装置及其制造方法
WO2011145633A1 (en) 2010-05-21 2011-11-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2011145537A1 (en) 2010-05-21 2011-11-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
JP5852793B2 (ja) 2010-05-21 2016-02-03 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置の作製方法
CN102906980B (zh) 2010-05-21 2015-08-19 株式会社半导体能源研究所 半导体装置及显示装置
JP5749975B2 (ja) 2010-05-28 2015-07-15 株式会社半導体エネルギー研究所 光検出装置、及び、タッチパネル
US8895375B2 (en) 2010-06-01 2014-11-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Field effect transistor and method for manufacturing the same
KR101894897B1 (ko) 2010-06-04 2018-09-04 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2011152254A1 (en) 2010-06-04 2011-12-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2011152286A1 (en) 2010-06-04 2011-12-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8779433B2 (en) 2010-06-04 2014-07-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2011155295A1 (en) 2010-06-10 2011-12-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Dc/dc converter, power supply circuit, and semiconductor device
WO2011155302A1 (en) 2010-06-11 2011-12-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8610180B2 (en) 2010-06-11 2013-12-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Gas sensor and method for manufacturing the gas sensor
KR101938726B1 (ko) 2010-06-11 2019-01-16 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제조 방법
JP5797471B2 (ja) 2010-06-16 2015-10-21 株式会社半導体エネルギー研究所 入出力装置
US9209314B2 (en) 2010-06-16 2015-12-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Field effect transistor
JP5823740B2 (ja) 2010-06-16 2015-11-25 株式会社半導体エネルギー研究所 入出力装置
US8637802B2 (en) 2010-06-18 2014-01-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Photosensor, semiconductor device including photosensor, and light measurement method using photosensor
WO2011158704A1 (en) 2010-06-18 2011-12-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
KR101862808B1 (ko) 2010-06-18 2018-05-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US8552425B2 (en) 2010-06-18 2013-10-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2011162147A1 (en) 2010-06-23 2011-12-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2011162104A1 (en) 2010-06-25 2011-12-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for driving the same
KR20120000499A (ko) 2010-06-25 2012-01-02 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 트랜지스터 및 반도체 장치
US8912016B2 (en) 2010-06-25 2014-12-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method and test method of semiconductor device
US9437454B2 (en) 2010-06-29 2016-09-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Wiring board, semiconductor device, and manufacturing methods thereof
WO2012002104A1 (en) 2010-06-30 2012-01-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US8441010B2 (en) 2010-07-01 2013-05-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9473714B2 (en) 2010-07-01 2016-10-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Solid-state imaging device and semiconductor display device
KR101350751B1 (ko) 2010-07-01 2014-01-10 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치의 구동 방법
US9336739B2 (en) 2010-07-02 2016-05-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
JP5792524B2 (ja) 2010-07-02 2015-10-14 株式会社半導体エネルギー研究所 装置
CN102959713B (zh) 2010-07-02 2017-05-10 株式会社半导体能源研究所 半导体装置
US8642380B2 (en) 2010-07-02 2014-02-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
TWI541782B (zh) 2010-07-02 2016-07-11 半導體能源研究所股份有限公司 液晶顯示裝置
US8766252B2 (en) 2010-07-02 2014-07-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising an oxide semiconductor
WO2012002186A1 (en) 2010-07-02 2012-01-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR20130090405A (ko) 2010-07-02 2013-08-13 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치
US8605059B2 (en) 2010-07-02 2013-12-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Input/output device and driving method thereof
KR101850567B1 (ko) 2010-07-16 2018-04-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2012008390A1 (en) 2010-07-16 2012-01-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8785241B2 (en) 2010-07-16 2014-07-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
WO2012008286A1 (en) 2010-07-16 2012-01-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP5917035B2 (ja) 2010-07-26 2016-05-11 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR101853516B1 (ko) 2010-07-27 2018-04-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2012014952A1 (en) 2010-07-27 2012-02-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing the same
TWI565001B (zh) 2010-07-28 2017-01-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及半導體裝置的驅動方法
JP5846789B2 (ja) 2010-07-29 2016-01-20 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
WO2012014786A1 (en) 2010-07-30 2012-02-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semicondcutor device and manufacturing method thereof
JP5718072B2 (ja) 2010-07-30 2015-05-13 三星ディスプレイ株式會社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． 薄膜トランジスタの半導体層用酸化物およびスパッタリングターゲット、並びに薄膜トランジスタ
US8928466B2 (en) 2010-08-04 2015-01-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8537600B2 (en) 2010-08-04 2013-09-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Low off-state leakage current semiconductor memory device
KR101842181B1 (ko) 2010-08-04 2018-03-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
JP5739257B2 (ja) 2010-08-05 2015-06-24 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
DE112011102644B4 (de) 2010-08-06 2019-12-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Integrierte Halbleiterschaltung
JP5671418B2 (ja) 2010-08-06 2015-02-18 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の駆動方法
US8792284B2 (en) 2010-08-06 2014-07-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor memory device
JP5832181B2 (ja) 2010-08-06 2015-12-16 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置
TWI688047B (zh) 2010-08-06 2020-03-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
CN103026416B (zh) 2010-08-06 2016-04-27 株式会社半导体能源研究所 半导体装置
US8467232B2 (en) 2010-08-06 2013-06-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8803164B2 (en) 2010-08-06 2014-08-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Solid-state image sensing device and semiconductor display device
TWI524347B (zh) 2010-08-06 2016-03-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其驅動方法
TWI555128B (zh) 2010-08-06 2016-10-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及半導體裝置的驅動方法
US8422272B2 (en) 2010-08-06 2013-04-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
US8467231B2 (en) 2010-08-06 2013-06-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
JP5743790B2 (ja) 2010-08-06 2015-07-01 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI559409B (zh) 2010-08-16 2016-11-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置之製造方法
US9129703B2 (en) 2010-08-16 2015-09-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for driving semiconductor memory device
JP5848912B2 (ja) 2010-08-16 2016-01-27 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置の制御回路、液晶表示装置、及び当該液晶表示装置を具備する電子機器
US9343480B2 (en) 2010-08-16 2016-05-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
TWI508294B (zh) 2010-08-19 2015-11-11 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置
US8759820B2 (en) 2010-08-20 2014-06-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8685787B2 (en) 2010-08-25 2014-04-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
US8883555B2 (en) 2010-08-25 2014-11-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device, manufacturing method of electronic device, and sputtering target
US8508276B2 (en) 2010-08-25 2013-08-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including latch circuit
US9058047B2 (en) 2010-08-26 2015-06-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP5727892B2 (ja) 2010-08-26 2015-06-03 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2013009285A (ja) 2010-08-26 2013-01-10 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 信号処理回路及びその駆動方法
KR20120020073A (ko) 2010-08-27 2012-03-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 설계 방법
JP5674594B2 (ja) 2010-08-27 2015-02-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及び半導体装置の駆動方法
CN103081092B (zh) 2010-08-27 2016-11-09 株式会社半导体能源研究所 存储器件及半导体器件
US8450123B2 (en) 2010-08-27 2013-05-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxygen diffusion evaluation method of oxide film stacked body
JP5806043B2 (ja) 2010-08-27 2015-11-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US8603841B2 (en) 2010-08-27 2013-12-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing methods of semiconductor device and light-emitting display device
JP5763474B2 (ja) 2010-08-27 2015-08-12 株式会社半導体エネルギー研究所 光センサ
US8593858B2 (en) 2010-08-31 2013-11-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driving method of semiconductor device
US8575610B2 (en) 2010-09-02 2013-11-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for driving the same
US8634228B2 (en) 2010-09-02 2014-01-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driving method of semiconductor device
US8728860B2 (en) 2010-09-03 2014-05-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
WO2012029612A1 (en) 2010-09-03 2012-03-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Sputtering target and method for manufacturing semiconductor device
WO2012029674A1 (en) 2010-09-03 2012-03-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Field effect transistor and method for manufacturing semiconductor device
WO2012029638A1 (en) 2010-09-03 2012-03-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8520426B2 (en) 2010-09-08 2013-08-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for driving semiconductor device
JP2012256819A (ja) 2010-09-08 2012-12-27 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
US8487844B2 (en) 2010-09-08 2013-07-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. EL display device and electronic device including the same
KR101824125B1 (ko) 2010-09-10 2018-02-01 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
US8797487B2 (en) 2010-09-10 2014-08-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor, liquid crystal display device, and manufacturing method thereof
KR20120026970A (ko) 2010-09-10 2012-03-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 발광 장치
US8766253B2 (en) 2010-09-10 2014-07-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9142568B2 (en) 2010-09-10 2015-09-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing light-emitting display device
US8835917B2 (en) 2010-09-13 2014-09-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, power diode, and rectifier
US8871565B2 (en) 2010-09-13 2014-10-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
KR101952235B1 (ko) 2010-09-13 2019-02-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
JP5827520B2 (ja) 2010-09-13 2015-12-02 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体記憶装置
KR101932576B1 (ko) 2010-09-13 2018-12-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
KR101872926B1 (ko) 2010-09-13 2018-06-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
JP5815337B2 (ja) 2010-09-13 2015-11-17 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US8558960B2 (en) 2010-09-13 2013-10-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and method for manufacturing the same
US9546416B2 (en) 2010-09-13 2017-01-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of forming crystalline oxide semiconductor film
US8546161B2 (en) 2010-09-13 2013-10-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of thin film transistor and liquid crystal display device
US8647919B2 (en) 2010-09-13 2014-02-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting display device and method for manufacturing the same
US8664097B2 (en) 2010-09-13 2014-03-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
JP2012256821A (ja) 2010-09-13 2012-12-27 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 記憶装置
US9496743B2 (en) 2010-09-13 2016-11-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Power receiving device and wireless power feed system
TWI543166B (zh) 2010-09-13 2016-07-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
US8592879B2 (en) 2010-09-13 2013-11-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
TWI539453B (zh) 2010-09-14 2016-06-21 半導體能源研究所股份有限公司 記憶體裝置和半導體裝置
JP2012256012A (ja) 2010-09-15 2012-12-27 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置
KR20130106398A (ko) 2010-09-15 2013-09-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치 및 그 제작 방법
US9230994B2 (en) 2010-09-15 2016-01-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
KR20140054465A (ko) 2010-09-15 2014-05-08 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 표시 장치
KR101856722B1 (ko) 2010-09-22 2018-05-10 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 파워 절연 게이트형 전계 효과 트랜지스터
US8767443B2 (en) 2010-09-22 2014-07-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device and method for inspecting the same
US8792260B2 (en) 2010-09-27 2014-07-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Rectifier circuit and semiconductor device using the same
TWI574259B (zh) 2010-09-29 2017-03-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體記憶體裝置和其驅動方法
TWI691960B (zh) 2010-10-05 2020-04-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體記憶體裝置及其驅動方法
US9437743B2 (en) 2010-10-07 2016-09-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film element, semiconductor device, and method for manufacturing the same
US8716646B2 (en) 2010-10-08 2014-05-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Photoelectric conversion device and method for operating the same
US8679986B2 (en) 2010-10-14 2014-03-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing display device
US8803143B2 (en) 2010-10-20 2014-08-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film transistor including buffer layers with high resistivity
US8546892B2 (en) 2010-10-20 2013-10-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
TWI543158B (zh) 2010-10-25 2016-07-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體儲存裝置及其驅動方法
WO2012057296A1 (en) 2010-10-29 2012-05-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Storage device
KR101924231B1 (ko) 2010-10-29 2018-11-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 기억 장치
JP5771505B2 (ja) 2010-10-29 2015-09-02 株式会社半導体エネルギー研究所 受信回路
CN103313993A (zh) 2010-11-02 2013-09-18 宇部兴产株式会社 (酰胺氨基烷烃)金属化合物及使用所述金属化合物制备含金属的薄膜的方法
US8916866B2 (en) 2010-11-03 2014-12-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR101952733B1 (ko) 2010-11-05 2019-02-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR101843559B1 (ko) * 2010-11-05 2018-03-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 촬상 기능을 구비한 표시 장치 및 그 구동 방법
US9087744B2 (en) 2010-11-05 2015-07-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for driving transistor
TWI555205B (zh) 2010-11-05 2016-10-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及半導體裝置的製造方法
JP6010291B2 (ja) 2010-11-05 2016-10-19 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置の駆動方法
US8957468B2 (en) 2010-11-05 2015-02-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Variable capacitor and liquid crystal display device
WO2012060253A1 (en) 2010-11-05 2012-05-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8569754B2 (en) 2010-11-05 2013-10-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US8902637B2 (en) 2010-11-08 2014-12-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device comprising inverting amplifier circuit and driving method thereof
US10876822B2 (en) * 2017-11-09 2020-12-29 True Velocity Ip Holdings, Llc Multi-piece polymer ammunition cartridge
TWI593115B (zh) 2010-11-11 2017-07-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
TWI541981B (zh) 2010-11-12 2016-07-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
US8854865B2 (en) 2010-11-24 2014-10-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device
US8936965B2 (en) 2010-11-26 2015-01-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US8816425B2 (en) 2010-11-30 2014-08-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US8629496B2 (en) 2010-11-30 2014-01-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US9103724B2 (en) 2010-11-30 2015-08-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising photosensor comprising oxide semiconductor, method for driving the semiconductor device, method for driving the photosensor, and electronic device
TWI562379B (en) 2010-11-30 2016-12-11 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
US8809852B2 (en) 2010-11-30 2014-08-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor film, semiconductor element, semiconductor device, and method for manufacturing the same
US8823092B2 (en) 2010-11-30 2014-09-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US8461630B2 (en) 2010-12-01 2013-06-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
TWI590249B (zh) 2010-12-03 2017-07-01 半導體能源研究所股份有限公司 積體電路，其驅動方法，及半導體裝置
KR101749387B1 (ko) 2010-12-03 2017-06-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
JP5908263B2 (ja) 2010-12-03 2016-04-26 株式会社半導体エネルギー研究所 Ｄｃ−ｄｃコンバータ
JP5856827B2 (ja) 2010-12-09 2016-02-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI534905B (zh) 2010-12-10 2016-05-21 半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置及顯示裝置之製造方法
JP2012256020A (ja) 2010-12-15 2012-12-27 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置及びその駆動方法
US9202822B2 (en) 2010-12-17 2015-12-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US8894825B2 (en) 2010-12-17 2014-11-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Sputtering target, method for manufacturing the same, manufacturing semiconductor device
US8730416B2 (en) 2010-12-17 2014-05-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
JP2012142562A (ja) 2010-12-17 2012-07-26 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体記憶装置
US9024317B2 (en) 2010-12-24 2015-05-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor circuit, method for driving the same, storage device, register circuit, display device, and electronic device
US9443984B2 (en) 2010-12-28 2016-09-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
WO2012090799A1 (en) 2010-12-28 2012-07-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP5864054B2 (ja) 2010-12-28 2016-02-17 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP5993141B2 (ja) 2010-12-28 2016-09-14 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶装置
JP5852874B2 (ja) 2010-12-28 2016-02-03 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6030298B2 (ja) 2010-12-28 2016-11-24 株式会社半導体エネルギー研究所 緩衝記憶装置及び信号処理回路
JP5973165B2 (ja) 2010-12-28 2016-08-23 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
WO2012090973A1 (en) 2010-12-28 2012-07-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP2012151453A (ja) 2010-12-28 2012-08-09 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置および半導体装置の駆動方法
JP5975635B2 (ja) 2010-12-28 2016-08-23 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9048142B2 (en) 2010-12-28 2015-06-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR101981808B1 (ko) 2010-12-28 2019-08-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제조 방법
JP5784479B2 (ja) 2010-12-28 2015-09-24 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI621121B (zh) 2011-01-05 2018-04-11 半導體能源研究所股份有限公司 儲存元件、儲存裝置、及信號處理電路
US8912080B2 (en) 2011-01-12 2014-12-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of the semiconductor device
TWI570809B (zh) 2011-01-12 2017-02-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
US8921948B2 (en) 2011-01-12 2014-12-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US8536571B2 (en) 2011-01-12 2013-09-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
TWI535032B (zh) 2011-01-12 2016-05-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置的製造方法
US8421071B2 (en) 2011-01-13 2013-04-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device
US8575678B2 (en) 2011-01-13 2013-11-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device with floating gate
JP5527225B2 (ja) * 2011-01-14 2014-06-18 ソニー株式会社 薄膜トランジスタおよび表示装置
JP5859839B2 (ja) 2011-01-14 2016-02-16 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶素子の駆動方法、及び、記憶素子
TWI619230B (zh) 2011-01-14 2018-03-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體記憶裝置
KR102026718B1 (ko) 2011-01-14 2019-09-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 기억장치, 반도체 장치, 검출 방법
JP5897910B2 (ja) 2011-01-20 2016-04-06 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
WO2012102182A1 (en) 2011-01-26 2012-08-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
TWI570920B (zh) 2011-01-26 2017-02-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
CN103348464B (zh) 2011-01-26 2016-01-13 株式会社半导体能源研究所 半导体装置及其制造方法
TWI552345B (zh) 2011-01-26 2016-10-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
JP5798933B2 (ja) 2011-01-26 2015-10-21 株式会社半導体エネルギー研究所 信号処理回路
US9601178B2 (en) 2011-01-26 2017-03-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device and semiconductor device
TWI657580B (zh) 2011-01-26 2019-04-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
TWI525619B (zh) 2011-01-27 2016-03-11 半導體能源研究所股份有限公司 記憶體電路
KR20130140824A (ko) 2011-01-27 2013-12-24 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR101984218B1 (ko) 2011-01-28 2019-05-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제작 방법 및 반도체 장치
US9494829B2 (en) 2011-01-28 2016-11-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and liquid crystal display device containing the same
KR101899375B1 (ko) 2011-01-28 2018-09-17 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US8634230B2 (en) 2011-01-28 2014-01-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for driving the same
US8513773B2 (en) 2011-02-02 2013-08-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Capacitor and semiconductor device including dielectric and N-type semiconductor
US9799773B2 (en) 2011-02-02 2017-10-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor and semiconductor device
US8780614B2 (en) 2011-02-02 2014-07-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device
TWI520273B (zh) 2011-02-02 2016-02-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體儲存裝置
US9431400B2 (en) 2011-02-08 2016-08-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device and method for manufacturing the same
US8787083B2 (en) 2011-02-10 2014-07-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory circuit
US9167234B2 (en) 2011-02-14 2015-10-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
US8975680B2 (en) 2011-02-17 2015-03-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device and method manufacturing semiconductor memory device
KR101899880B1 (ko) 2011-02-17 2018-09-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 프로그래머블 ｌｓｉ
US8643007B2 (en) 2011-02-23 2014-02-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8709920B2 (en) 2011-02-24 2014-04-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US9443455B2 (en) 2011-02-25 2016-09-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device having a plurality of pixels
US9691772B2 (en) 2011-03-03 2017-06-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device including memory cell which includes transistor and capacitor
US9646829B2 (en) 2011-03-04 2017-05-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
US9023684B2 (en) 2011-03-04 2015-05-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US8659015B2 (en) 2011-03-04 2014-02-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8841664B2 (en) 2011-03-04 2014-09-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8785933B2 (en) 2011-03-04 2014-07-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP5898527B2 (ja) 2011-03-04 2016-04-06 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US8659957B2 (en) 2011-03-07 2014-02-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of driving semiconductor device
US9099437B2 (en) 2011-03-08 2015-08-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP5827145B2 (ja) 2011-03-08 2015-12-02 株式会社半導体エネルギー研究所 信号処理回路
US8625085B2 (en) 2011-03-08 2014-01-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Defect evaluation method for semiconductor
US8772849B2 (en) 2011-03-10 2014-07-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device
WO2012121265A1 (en) 2011-03-10 2012-09-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device and method for manufacturing the same
US8541781B2 (en) 2011-03-10 2013-09-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
TWI521612B (zh) 2011-03-11 2016-02-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置的製造方法
JP2012209543A (ja) 2011-03-11 2012-10-25 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
TWI624878B (zh) 2011-03-11 2018-05-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置的製造方法
US8760903B2 (en) 2011-03-11 2014-06-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Storage circuit
JP5933300B2 (ja) 2011-03-16 2016-06-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP5933897B2 (ja) 2011-03-18 2016-06-15 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
WO2012128030A1 (en) 2011-03-18 2012-09-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor film, semiconductor device, and manufacturing method of semiconductor device
US8859330B2 (en) 2011-03-23 2014-10-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
JP5839474B2 (ja) 2011-03-24 2016-01-06 株式会社半導体エネルギー研究所 信号処理回路
JP5725337B2 (ja) * 2011-03-24 2015-05-27 ソニー株式会社 表示装置、表示装置の製造方法および電子機器
US9219159B2 (en) 2011-03-25 2015-12-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for forming oxide semiconductor film and method for manufacturing semiconductor device
TWI545652B (zh) 2011-03-25 2016-08-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
TWI538215B (zh) 2011-03-25 2016-06-11 半導體能源研究所股份有限公司 場效電晶體及包含該場效電晶體之記憶體與半導體電路
US8956944B2 (en) 2011-03-25 2015-02-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US8987728B2 (en) 2011-03-25 2015-03-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device
US9012904B2 (en) 2011-03-25 2015-04-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US8686416B2 (en) 2011-03-25 2014-04-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor film and semiconductor device
JP6053098B2 (ja) 2011-03-28 2016-12-27 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP5879165B2 (ja) 2011-03-30 2016-03-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US8927329B2 (en) 2011-03-30 2015-01-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing oxide semiconductor device with improved electronic properties
US9082860B2 (en) 2011-03-31 2015-07-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
TWI567735B (zh) 2011-03-31 2017-01-21 半導體能源研究所股份有限公司 記憶體電路，記憶體單元，及訊號處理電路
US8686486B2 (en) 2011-03-31 2014-04-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device
US8541266B2 (en) 2011-04-01 2013-09-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
JP5982147B2 (ja) 2011-04-01 2016-08-31 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
US9960278B2 (en) 2011-04-06 2018-05-01 Yuhei Sato Manufacturing method of semiconductor device
JP2012256406A (ja) 2011-04-08 2012-12-27 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 記憶装置、及び当該記憶装置を用いた半導体装置
US9142320B2 (en) 2011-04-08 2015-09-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory element and signal processing circuit
US9012905B2 (en) 2011-04-08 2015-04-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including transistor comprising oxide semiconductor and method for manufacturing the same
US9093538B2 (en) 2011-04-08 2015-07-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US9478668B2 (en) 2011-04-13 2016-10-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor film and semiconductor device
JP5883699B2 (ja) 2011-04-13 2016-03-15 株式会社半導体エネルギー研究所 プログラマブルｌｓｉ
US8854867B2 (en) 2011-04-13 2014-10-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device and driving method of the memory device
JP5890234B2 (ja) 2011-04-15 2016-03-22 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及びその駆動方法
US8878174B2 (en) 2011-04-15 2014-11-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor element, memory circuit, integrated circuit, and driving method of the integrated circuit
US8779488B2 (en) 2011-04-15 2014-07-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device
US8878270B2 (en) 2011-04-15 2014-11-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device
JP6001900B2 (ja) 2011-04-21 2016-10-05 株式会社半導体エネルギー研究所 信号処理回路
TWI548057B (zh) 2011-04-22 2016-09-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
US9331206B2 (en) 2011-04-22 2016-05-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide material and semiconductor device
US8916868B2 (en) 2011-04-22 2014-12-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
US9006803B2 (en) 2011-04-22 2015-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing thereof
US10079053B2 (en) 2011-04-22 2018-09-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory element and memory device
US8878288B2 (en) 2011-04-22 2014-11-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8932913B2 (en) 2011-04-22 2015-01-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
US8809854B2 (en) 2011-04-22 2014-08-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8797788B2 (en) 2011-04-22 2014-08-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
CN105931967B (zh) 2011-04-27 2019-05-03 株式会社半导体能源研究所 半导体装置的制造方法
US8681533B2 (en) 2011-04-28 2014-03-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory circuit, signal processing circuit, and electronic device
US9935622B2 (en) 2011-04-28 2018-04-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Comparator and semiconductor device including comparator
US8729545B2 (en) 2011-04-28 2014-05-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device
KR101919056B1 (ko) 2011-04-28 2018-11-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 회로
TWI525615B (zh) 2011-04-29 2016-03-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體儲存裝置
US9111795B2 (en) 2011-04-29 2015-08-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device with capacitor connected to memory element through oxide semiconductor film
US9614094B2 (en) 2011-04-29 2017-04-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including oxide semiconductor layer and method for driving the same
KR101963457B1 (ko) 2011-04-29 2019-03-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 기억 장치 및 그 구동 방법
US8785923B2 (en) 2011-04-29 2014-07-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8848464B2 (en) 2011-04-29 2014-09-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of driving semiconductor device
US8476927B2 (en) 2011-04-29 2013-07-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Programmable logic device
US8446171B2 (en) 2011-04-29 2013-05-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Signal processing unit
TWI550865B (zh) 2011-05-05 2016-09-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
TWI568181B (zh) 2011-05-06 2017-01-21 半導體能源研究所股份有限公司 邏輯電路及半導體裝置
US9117701B2 (en) 2011-05-06 2015-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8809928B2 (en) 2011-05-06 2014-08-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, memory device, and method for manufacturing the semiconductor device
WO2012153473A1 (en) 2011-05-06 2012-11-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8709922B2 (en) 2011-05-06 2014-04-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2012153697A1 (en) 2011-05-06 2012-11-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device
US9443844B2 (en) 2011-05-10 2016-09-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Gain cell semiconductor memory device and driving method thereof
US8946066B2 (en) 2011-05-11 2015-02-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing semiconductor device
TWI541978B (zh) 2011-05-11 2016-07-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及半導體裝置之驅動方法
TWI557711B (zh) 2011-05-12 2016-11-11 半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置的驅動方法
US8847233B2 (en) 2011-05-12 2014-09-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having a trenched insulating layer coated with an oxide semiconductor film
KR101921772B1 (ko) 2011-05-13 2018-11-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US9093539B2 (en) 2011-05-13 2015-07-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US9466618B2 (en) 2011-05-13 2016-10-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including two thin film transistors and method of manufacturing the same
WO2012157533A1 (en) 2011-05-13 2012-11-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6013773B2 (ja) 2011-05-13 2016-10-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6110075B2 (ja) 2011-05-13 2017-04-05 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
JP5959296B2 (ja) 2011-05-13 2016-08-02 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置およびその製造方法
KR101940570B1 (ko) 2011-05-13 2019-01-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 Ｅｌ 표시 장치 및 그 전자 기기
WO2012157472A1 (en) 2011-05-13 2012-11-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9048788B2 (en) 2011-05-13 2015-06-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising a photoelectric conversion portion
JP5886128B2 (ja) 2011-05-13 2016-03-16 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI536502B (zh) 2011-05-13 2016-06-01 半導體能源研究所股份有限公司 記憶體電路及電子裝置
CN107316865B (zh) 2011-05-16 2021-02-02 株式会社半导体能源研究所 可编程逻辑装置
TWI570891B (zh) 2011-05-17 2017-02-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
TWI552150B (zh) 2011-05-18 2016-10-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體儲存裝置
US9673823B2 (en) 2011-05-18 2017-06-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of driving semiconductor device
US9117920B2 (en) 2011-05-19 2015-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device using oxide semiconductor
US8581625B2 (en) 2011-05-19 2013-11-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Programmable logic device
US8837203B2 (en) 2011-05-19 2014-09-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR101991735B1 (ko) 2011-05-19 2019-06-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 집적 회로
KR102081792B1 (ko) 2011-05-19 2020-02-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 연산회로 및 연산회로의 구동방법
JP6014362B2 (ja) 2011-05-19 2016-10-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US8779799B2 (en) 2011-05-19 2014-07-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Logic circuit
KR102093909B1 (ko) 2011-05-19 2020-03-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 회로 및 회로의 구동 방법
JP6030334B2 (ja) 2011-05-20 2016-11-24 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶装置
WO2012160963A1 (en) 2011-05-20 2012-11-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
TWI559683B (zh) 2011-05-20 2016-11-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體積體電路
JP5820335B2 (ja) 2011-05-20 2015-11-24 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP5936908B2 (ja) 2011-05-20 2016-06-22 株式会社半導体エネルギー研究所 パリティビット出力回路およびパリティチェック回路
JP5886496B2 (ja) 2011-05-20 2016-03-16 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6013680B2 (ja) 2011-05-20 2016-10-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US8508256B2 (en) 2011-05-20 2013-08-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor integrated circuit
JP5820336B2 (ja) 2011-05-20 2015-11-24 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP5951351B2 (ja) 2011-05-20 2016-07-13 株式会社半導体エネルギー研究所 加算器及び全加算器
JP5892852B2 (ja) 2011-05-20 2016-03-23 株式会社半導体エネルギー研究所 プログラマブルロジックデバイス
JP6013682B2 (ja) 2011-05-20 2016-10-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の駆動方法
TWI570719B (zh) 2011-05-20 2017-02-11 半導體能源研究所股份有限公司 儲存裝置及信號處理電路
TWI573136B (zh) 2011-05-20 2017-03-01 半導體能源研究所股份有限公司 儲存裝置及信號處理電路
WO2012161059A1 (en) 2011-05-20 2012-11-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for driving the same
TWI557739B (zh) 2011-05-20 2016-11-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體積體電路
TWI614995B (zh) 2011-05-20 2018-02-11 半導體能源研究所股份有限公司 鎖相迴路及使用此鎖相迴路之半導體裝置
JP5947099B2 (ja) 2011-05-20 2016-07-06 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6091083B2 (ja) 2011-05-20 2017-03-08 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶装置
US9336845B2 (en) 2011-05-20 2016-05-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Register circuit including a volatile memory and a nonvolatile memory
TWI501226B (zh) 2011-05-20 2015-09-21 Semiconductor Energy Lab 記憶體裝置及驅動記憶體裝置的方法
US20120298998A1 (en) 2011-05-25 2012-11-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for forming oxide semiconductor film, semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device
US9171840B2 (en) 2011-05-26 2015-10-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
KR101912971B1 (ko) 2011-05-26 2018-10-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 분주 회로 및 분주 회로를 이용한 반도체 장치
US8610482B2 (en) 2011-05-27 2013-12-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Trimming circuit and method for driving trimming circuit
US8669781B2 (en) 2011-05-31 2014-03-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9467047B2 (en) 2011-05-31 2016-10-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. DC-DC converter, power source circuit, and semiconductor device
JP5912844B2 (ja) 2011-05-31 2016-04-27 株式会社半導体エネルギー研究所 プログラマブルロジックデバイス
KR102492593B1 (ko) 2011-06-08 2023-01-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 스퍼터링 타겟, 스퍼터링 타겟의 제조 방법 및 박막의 형성 방법
JP5890251B2 (ja) 2011-06-08 2016-03-22 株式会社半導体エネルギー研究所 通信方法
JP2013016243A (ja) 2011-06-09 2013-01-24 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 記憶装置
JP6104522B2 (ja) 2011-06-10 2017-03-29 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US8891285B2 (en) 2011-06-10 2014-11-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device
US8958263B2 (en) 2011-06-10 2015-02-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6005401B2 (ja) 2011-06-10 2016-10-12 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP6009226B2 (ja) 2011-06-10 2016-10-19 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US9299852B2 (en) 2011-06-16 2016-03-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US8804405B2 (en) 2011-06-16 2014-08-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device and semiconductor device
TWI575751B (zh) 2011-06-16 2017-03-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
US9099885B2 (en) 2011-06-17 2015-08-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Wireless power feeding system
US9166055B2 (en) 2011-06-17 2015-10-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
KR20130007426A (ko) 2011-06-17 2013-01-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
US8901554B2 (en) 2011-06-17 2014-12-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including channel formation region including oxide semiconductor
KR20140024866A (ko) 2011-06-17 2014-03-03 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그의 제조 방법
JP2013012477A (ja) 2011-06-28 2013-01-17 Cbrite Inc ハイブリッドのフルカラー・アクティブ・マトリクス有機発光ディスプレイ
US8673426B2 (en) 2011-06-29 2014-03-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driver circuit, method of manufacturing the driver circuit, and display device including the driver circuit
US8878589B2 (en) 2011-06-30 2014-11-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
US9130044B2 (en) 2011-07-01 2015-09-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
KR102014876B1 (ko) 2011-07-08 2019-08-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법
US8952377B2 (en) 2011-07-08 2015-02-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US8748886B2 (en) 2011-07-08 2014-06-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
US9496138B2 (en) 2011-07-08 2016-11-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing oxide semiconductor film, method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device
US9490241B2 (en) 2011-07-08 2016-11-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising a first inverter and a second inverter
US9385238B2 (en) 2011-07-08 2016-07-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor using oxide semiconductor
US9318506B2 (en) 2011-07-08 2016-04-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US9214474B2 (en) 2011-07-08 2015-12-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
US8847220B2 (en) 2011-07-15 2014-09-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8836626B2 (en) 2011-07-15 2014-09-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for driving the same
US9200952B2 (en) 2011-07-15 2015-12-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising a photodetector and an analog arithmetic circuit
JP2013042117A (ja) 2011-07-15 2013-02-28 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
US8946812B2 (en) 2011-07-21 2015-02-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US9012993B2 (en) 2011-07-22 2015-04-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR20230093081A (ko) 2011-07-22 2023-06-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치
US8643008B2 (en) 2011-07-22 2014-02-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8716073B2 (en) 2011-07-22 2014-05-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for processing oxide semiconductor film and method for manufacturing semiconductor device
JP6013685B2 (ja) 2011-07-22 2016-10-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US8718224B2 (en) 2011-08-05 2014-05-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Pulse signal output circuit and shift register
US8994019B2 (en) 2011-08-05 2015-03-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6006572B2 (ja) 2011-08-18 2016-10-12 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI575494B (zh) 2011-08-19 2017-03-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置的驅動方法
JP6128775B2 (ja) 2011-08-19 2017-05-17 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6116149B2 (ja) 2011-08-24 2017-04-19 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI668839B (zh) 2011-08-29 2019-08-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
US9252279B2 (en) 2011-08-31 2016-02-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US9660092B2 (en) 2011-08-31 2017-05-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor thin film transistor including oxygen release layer
JP6016532B2 (ja) 2011-09-07 2016-10-26 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6050054B2 (ja) 2011-09-09 2016-12-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US8802493B2 (en) 2011-09-13 2014-08-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of oxide semiconductor device
JP5825744B2 (ja) 2011-09-15 2015-12-02 株式会社半導体エネルギー研究所 パワー絶縁ゲート型電界効果トランジスタ
WO2013039126A1 (en) 2011-09-16 2013-03-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP5832399B2 (ja) 2011-09-16 2015-12-16 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
US8952379B2 (en) 2011-09-16 2015-02-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9082663B2 (en) 2011-09-16 2015-07-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
CN103022012B (zh) 2011-09-21 2017-03-01 株式会社半导体能源研究所 半导体存储装置
KR101891650B1 (ko) 2011-09-22 2018-08-27 삼성디스플레이 주식회사 산화물 반도체, 이를 포함하는 박막 트랜지스터, 및 박막 트랜지스터 표시판
WO2013042562A1 (en) 2011-09-22 2013-03-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR101976228B1 (ko) 2011-09-22 2019-05-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 광 검출 장치 및 광 검출 장치의 구동 방법
US9431545B2 (en) 2011-09-23 2016-08-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US8841675B2 (en) 2011-09-23 2014-09-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Minute transistor
KR102108572B1 (ko) 2011-09-26 2020-05-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법
JP2013084333A (ja) 2011-09-28 2013-05-09 Semiconductor Energy Lab Co Ltd シフトレジスタ回路
DE112012004076T5 (de) 2011-09-29 2014-07-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Halbleitervorrichtung
US8716708B2 (en) 2011-09-29 2014-05-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
KR101506303B1 (ko) 2011-09-29 2015-03-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 및 반도체 장치의 제작 방법
WO2013047629A1 (en) 2011-09-29 2013-04-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8982607B2 (en) 2011-09-30 2015-03-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory element and signal processing circuit
JP5806905B2 (ja) 2011-09-30 2015-11-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US20130087784A1 (en) 2011-10-05 2013-04-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP2013093565A (ja) 2011-10-07 2013-05-16 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
JP6022880B2 (ja) 2011-10-07 2016-11-09 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及び半導体装置の作製方法
JP2013093561A (ja) 2011-10-07 2013-05-16 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 酸化物半導体膜及び半導体装置
JP6026839B2 (ja) 2011-10-13 2016-11-16 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US8637864B2 (en) 2011-10-13 2014-01-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing the same
US9117916B2 (en) 2011-10-13 2015-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising oxide semiconductor film
US9018629B2 (en) 2011-10-13 2015-04-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
JP5912394B2 (ja) 2011-10-13 2016-04-27 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9287405B2 (en) 2011-10-13 2016-03-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising oxide semiconductor
CN102368502B (zh) * 2011-10-13 2014-01-01 上海电力学院 一种Al掺杂的氧化锌薄膜及其制备方法
SG11201504615UA (en) 2011-10-14 2015-07-30 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device
KR20130040706A (ko) 2011-10-14 2013-04-24 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법
KR20130043063A (ko) 2011-10-19 2013-04-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법
TWI567985B (zh) 2011-10-21 2017-01-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
JP6226518B2 (ja) 2011-10-24 2017-11-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR101976212B1 (ko) 2011-10-24 2019-05-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법
KR102067051B1 (ko) 2011-10-24 2020-01-16 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법
KR20130046357A (ko) 2011-10-27 2013-05-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
JP6082562B2 (ja) 2011-10-27 2017-02-15 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR20140086954A (ko) 2011-10-28 2014-07-08 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
JP2013097469A (ja) * 2011-10-28 2013-05-20 Sharp Corp タッチパネル駆動装置、表示装置、タッチパネルの駆動方法、プログラムおよび記録媒体
KR20130049620A (ko) 2011-11-04 2013-05-14 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102012981B1 (ko) 2011-11-09 2019-08-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
JP5933895B2 (ja) 2011-11-10 2016-06-15 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置および半導体装置の作製方法
JP6122275B2 (ja) 2011-11-11 2017-04-26 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
US8796682B2 (en) 2011-11-11 2014-08-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing a semiconductor device
US9082861B2 (en) 2011-11-11 2015-07-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor with oxide semiconductor channel having protective layer
US8878177B2 (en) 2011-11-11 2014-11-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
JP6076038B2 (ja) 2011-11-11 2017-02-08 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置の作製方法
WO2013069548A1 (en) 2011-11-11 2013-05-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Signal line driver circuit and liquid crystal display device
KR20130055521A (ko) 2011-11-18 2013-05-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 소자, 및 반도체 소자의 제작 방법, 및 반도체 소자를 포함하는 반도체 장치
US8969130B2 (en) 2011-11-18 2015-03-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Insulating film, formation method thereof, semiconductor device, and manufacturing method thereof
US8951899B2 (en) 2011-11-25 2015-02-10 Semiconductor Energy Laboratory Method for manufacturing semiconductor device
JP6059968B2 (ja) 2011-11-25 2017-01-11 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、及び液晶表示装置
JP6099368B2 (ja) 2011-11-25 2017-03-22 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶装置
JP6125211B2 (ja) 2011-11-25 2017-05-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US8962386B2 (en) 2011-11-25 2015-02-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US9057126B2 (en) 2011-11-29 2015-06-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing sputtering target and method for manufacturing semiconductor device
KR102072244B1 (ko) 2011-11-30 2020-01-31 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법
TWI639150B (zh) 2011-11-30 2018-10-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體顯示裝置
JP6147992B2 (ja) 2011-11-30 2017-06-14 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US20130137232A1 (en) 2011-11-30 2013-05-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for forming oxide semiconductor film and method for manufacturing semiconductor device
TWI588910B (zh) 2011-11-30 2017-06-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置的製造方法
US9076871B2 (en) 2011-11-30 2015-07-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US8981367B2 (en) 2011-12-01 2015-03-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
TWI621185B (zh) 2011-12-01 2018-04-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及半導體裝置的製造方法
KR20140101817A (ko) 2011-12-02 2014-08-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
JP2013137853A (ja) 2011-12-02 2013-07-11 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 記憶装置および記憶装置の駆動方法
JP6050662B2 (ja) 2011-12-02 2016-12-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及び半導体装置の作製方法
US9257422B2 (en) 2011-12-06 2016-02-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Signal processing circuit and method for driving signal processing circuit
JP6081171B2 (ja) 2011-12-09 2017-02-15 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶装置
US10002968B2 (en) 2011-12-14 2018-06-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device including the same
KR102084274B1 (ko) 2011-12-15 2020-03-03 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
JP6105266B2 (ja) 2011-12-15 2017-03-29 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶装置
US8785258B2 (en) 2011-12-20 2014-07-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
JP2013149953A (ja) 2011-12-20 2013-08-01 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置及び半導体装置の作製方法
US8907392B2 (en) * 2011-12-22 2014-12-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device including stacked sub memory cells
US8748240B2 (en) 2011-12-22 2014-06-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
JP2013130802A (ja) 2011-12-22 2013-07-04 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置、画像表示装置、記憶装置、及び電子機器
WO2013094547A1 (en) 2011-12-23 2013-06-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP6033071B2 (ja) 2011-12-23 2016-11-30 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI569446B (zh) 2011-12-23 2017-02-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體元件、半導體元件的製造方法、及包含半導體元件的半導體裝置
JP6053490B2 (ja) 2011-12-23 2016-12-27 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
TWI613824B (zh) 2011-12-23 2018-02-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
JP6012450B2 (ja) 2011-12-23 2016-10-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の駆動方法
TWI580189B (zh) 2011-12-23 2017-04-21 半導體能源研究所股份有限公司 位準位移電路及半導體積體電路
US8704221B2 (en) 2011-12-23 2014-04-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2013099537A1 (en) 2011-12-26 2013-07-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Motion recognition device
KR102100425B1 (ko) 2011-12-27 2020-04-13 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법
TWI584383B (zh) 2011-12-27 2017-05-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
KR102103913B1 (ko) 2012-01-10 2020-04-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법
US8969867B2 (en) 2012-01-18 2015-03-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP2013168926A (ja) 2012-01-18 2013-08-29 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 回路、センサ回路及びセンサ回路を用いた半導体装置
US9099560B2 (en) 2012-01-20 2015-08-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US9040981B2 (en) 2012-01-20 2015-05-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6027898B2 (ja) 2012-01-23 2016-11-16 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9653614B2 (en) 2012-01-23 2017-05-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
KR102225396B1 (ko) 2012-01-25 2021-03-09 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법
JP6091905B2 (ja) 2012-01-26 2017-03-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US8956912B2 (en) 2012-01-26 2015-02-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US9419146B2 (en) 2012-01-26 2016-08-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US9006733B2 (en) 2012-01-26 2015-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing thereof
TWI581431B (zh) 2012-01-26 2017-05-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及半導體裝置的製造方法
TWI561951B (en) 2012-01-30 2016-12-11 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Power supply circuit
TWI562361B (en) 2012-02-02 2016-12-11 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Semiconductor device
KR102101167B1 (ko) 2012-02-03 2020-04-16 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US9362417B2 (en) 2012-02-03 2016-06-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9196741B2 (en) 2012-02-03 2015-11-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8916424B2 (en) 2012-02-07 2014-12-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US9859114B2 (en) 2012-02-08 2018-01-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor device with an oxygen-controlling insulating layer
JP5981157B2 (ja) 2012-02-09 2016-08-31 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9112037B2 (en) 2012-02-09 2015-08-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US20130207111A1 (en) 2012-02-09 2013-08-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display device including semiconductor device, electronic device including semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device
JP6125850B2 (ja) 2012-02-09 2017-05-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及び半導体装置の作製方法
US8817516B2 (en) 2012-02-17 2014-08-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory circuit and semiconductor device
JP2014063557A (ja) 2012-02-24 2014-04-10 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 記憶装置及び半導体装置
US20130221345A1 (en) 2012-02-28 2013-08-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US8988152B2 (en) 2012-02-29 2015-03-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9553200B2 (en) 2012-02-29 2017-01-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP6151530B2 (ja) 2012-02-29 2017-06-21 株式会社半導体エネルギー研究所 イメージセンサ、カメラ、及び監視システム
US9312257B2 (en) 2012-02-29 2016-04-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8975917B2 (en) 2012-03-01 2015-03-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Programmable logic device
JP2013183001A (ja) 2012-03-01 2013-09-12 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
JP6046514B2 (ja) 2012-03-01 2016-12-14 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9176571B2 (en) 2012-03-02 2015-11-03 Semiconductor Energy Laboratories Co., Ltd. Microprocessor and method for driving microprocessor
US9735280B2 (en) 2012-03-02 2017-08-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, and method for forming oxide film
US9287370B2 (en) 2012-03-02 2016-03-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device comprising a transistor including an oxide semiconductor and semiconductor device including the same
US8754693B2 (en) 2012-03-05 2014-06-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Latch circuit and semiconductor device
JP6100559B2 (ja) 2012-03-05 2017-03-22 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体記憶装置
US8995218B2 (en) 2012-03-07 2015-03-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8981370B2 (en) 2012-03-08 2015-03-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2013133143A1 (en) 2012-03-09 2013-09-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for driving semiconductor device
WO2013137014A1 (en) 2012-03-13 2013-09-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and method for driving the same
US9117409B2 (en) 2012-03-14 2015-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting display device with transistor and capacitor discharging gate of driving electrode and oxide semiconductor layer
KR102108248B1 (ko) 2012-03-14 2020-05-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 산화물 반도체막, 트랜지스터, 및 반도체 장치
US9058892B2 (en) 2012-03-14 2015-06-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and shift register
JP6168795B2 (ja) 2012-03-14 2017-07-26 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US9541386B2 (en) 2012-03-21 2017-01-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Distance measurement device and distance measurement system
US10043794B2 (en) 2012-03-22 2018-08-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
US9349849B2 (en) 2012-03-28 2016-05-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device including the semiconductor device
JP6169376B2 (ja) 2012-03-28 2017-07-26 株式会社半導体エネルギー研究所 電池管理ユニット、保護回路、蓄電装置
US9324449B2 (en) 2012-03-28 2016-04-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driver circuit, signal processing unit having the driver circuit, method for manufacturing the signal processing unit, and display device
JP2013229013A (ja) 2012-03-29 2013-11-07 Semiconductor Energy Lab Co Ltd アレイコントローラ及びストレージシステム
KR102044725B1 (ko) 2012-03-29 2019-11-14 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 전원 제어 장치
US9786793B2 (en) 2012-03-29 2017-10-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising oxide semiconductor layer including regions with different concentrations of resistance-reducing elements
JP6139187B2 (ja) 2012-03-29 2017-05-31 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US8941113B2 (en) 2012-03-30 2015-01-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor element, semiconductor device, and manufacturing method of semiconductor element
US9553201B2 (en) 2012-04-02 2017-01-24 Samsung Display Co., Ltd. Thin film transistor, thin film transistor array panel, and manufacturing method of thin film transistor
US10861978B2 (en) 2012-04-02 2020-12-08 Samsung Display Co., Ltd. Display device
US8987047B2 (en) * 2012-04-02 2015-03-24 Samsung Display Co., Ltd. Thin film transistor, thin film transistor array panel including the same, and method of manufacturing the same
KR20130111874A (ko) 2012-04-02 2013-10-11 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터, 이를 포함하는 박막 트랜지스터 표시판 및 표시 장치, 그리고 박막 트랜지스터의 제조 방법
US8999773B2 (en) 2012-04-05 2015-04-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Processing method of stacked-layer film and manufacturing method of semiconductor device
US8901556B2 (en) 2012-04-06 2014-12-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Insulating film, method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device
US9793444B2 (en) 2012-04-06 2017-10-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device
US8947155B2 (en) * 2012-04-06 2015-02-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Solid-state relay
US9711110B2 (en) 2012-04-06 2017-07-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device comprising grayscale conversion portion and display portion
JP5975907B2 (ja) 2012-04-11 2016-08-23 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9208849B2 (en) 2012-04-12 2015-12-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for driving semiconductor device, and electronic device
US9276121B2 (en) 2012-04-12 2016-03-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
KR20230157542A (ko) 2012-04-13 2023-11-16 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
JP6128906B2 (ja) 2012-04-13 2017-05-17 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9030232B2 (en) 2012-04-13 2015-05-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Isolator circuit and semiconductor device
JP6059566B2 (ja) 2012-04-13 2017-01-11 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP6143423B2 (ja) 2012-04-16 2017-06-07 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の製造方法
JP6076612B2 (ja) 2012-04-17 2017-02-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6001308B2 (ja) 2012-04-17 2016-10-05 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9219164B2 (en) 2012-04-20 2015-12-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device with oxide semiconductor channel
US9029863B2 (en) 2012-04-20 2015-05-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US9006024B2 (en) 2012-04-25 2015-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US9230683B2 (en) 2012-04-25 2016-01-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
US9236408B2 (en) 2012-04-25 2016-01-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor device including photodiode
US9285848B2 (en) 2012-04-27 2016-03-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Power reception control device, power reception device, power transmission and reception system, and electronic device
JP6199583B2 (ja) 2012-04-27 2017-09-20 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9331689B2 (en) 2012-04-27 2016-05-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Power supply circuit and semiconductor device including the same
US8860022B2 (en) 2012-04-27 2014-10-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor film and semiconductor device
JP6100071B2 (ja) 2012-04-30 2017-03-22 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP6228381B2 (ja) 2012-04-30 2017-11-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9048323B2 (en) 2012-04-30 2015-06-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9007090B2 (en) 2012-05-01 2015-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of driving semiconductor device
US8860023B2 (en) 2012-05-01 2014-10-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9703704B2 (en) 2012-05-01 2017-07-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8866510B2 (en) 2012-05-02 2014-10-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9104395B2 (en) 2012-05-02 2015-08-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Processor and driving method thereof
CN106298772A (zh) 2012-05-02 2017-01-04 株式会社半导体能源研究所 可编程逻辑器件
KR102025722B1 (ko) 2012-05-02 2019-09-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 온도 센서 회로, 및 온도 센서 회로를 사용한 반도체 장치
JP6243136B2 (ja) 2012-05-02 2017-12-06 株式会社半導体エネルギー研究所 スイッチングコンバータ
JP6227890B2 (ja) 2012-05-02 2017-11-08 株式会社半導体エネルギー研究所 信号処理回路および制御回路
JP2013250965A (ja) 2012-05-02 2013-12-12 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその駆動方法
KR20130125717A (ko) 2012-05-09 2013-11-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 구동 방법
KR102082793B1 (ko) * 2012-05-10 2020-02-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 그 제작 방법
WO2013168687A1 (en) 2012-05-10 2013-11-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR102069158B1 (ko) 2012-05-10 2020-01-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 배선의 형성 방법, 반도체 장치, 및 반도체 장치의 제작 방법
KR102380379B1 (ko) 2012-05-10 2022-04-01 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
DE102013022449B3 (de) 2012-05-11 2019-11-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Halbleitervorrichtung und elektronisches Gerät
KR102087443B1 (ko) 2012-05-11 2020-03-10 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 구동 방법
TWI670553B (zh) 2012-05-16 2019-09-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及觸控面板
US8929128B2 (en) 2012-05-17 2015-01-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Storage device and writing method of the same
KR20130129674A (ko) 2012-05-21 2013-11-29 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 및 이를 포함하는 박막 트랜지스터 표시판
US9817032B2 (en) 2012-05-23 2017-11-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Measurement device
CN104321967B (zh) 2012-05-25 2018-01-09 株式会社半导体能源研究所 可编程逻辑装置及半导体装置
KR102164990B1 (ko) 2012-05-25 2020-10-13 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 기억 소자의 구동 방법
JP6050721B2 (ja) 2012-05-25 2016-12-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2014003594A (ja) 2012-05-25 2014-01-09 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置及びその駆動方法
JP6250955B2 (ja) 2012-05-25 2017-12-20 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の駆動方法
US9147706B2 (en) 2012-05-29 2015-09-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having sensor circuit having amplifier circuit
JP6377317B2 (ja) 2012-05-30 2018-08-22 株式会社半導体エネルギー研究所 プログラマブルロジックデバイス
US8995607B2 (en) 2012-05-31 2015-03-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Pulse signal output circuit and shift register
KR102071545B1 (ko) 2012-05-31 2020-01-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US8785928B2 (en) 2012-05-31 2014-07-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2013179922A1 (en) 2012-05-31 2013-12-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP6158588B2 (ja) 2012-05-31 2017-07-05 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
US9048265B2 (en) 2012-05-31 2015-06-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device comprising oxide semiconductor layer
US9916793B2 (en) 2012-06-01 2018-03-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of driving the same
JP6108960B2 (ja) 2012-06-01 2017-04-05 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、処理装置
US9135182B2 (en) 2012-06-01 2015-09-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Central processing unit and driving method thereof
WO2013180016A1 (en) 2012-06-01 2013-12-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and alarm device
US8872174B2 (en) 2012-06-01 2014-10-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device
US8901557B2 (en) 2012-06-15 2014-12-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP2014027263A (ja) 2012-06-15 2014-02-06 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
US9059219B2 (en) 2012-06-27 2015-06-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
KR102161077B1 (ko) 2012-06-29 2020-09-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR102099445B1 (ko) 2012-06-29 2020-04-09 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법
KR102082794B1 (ko) 2012-06-29 2020-02-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치의 구동 방법, 및 표시 장치
US8873308B2 (en) 2012-06-29 2014-10-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Signal processing circuit
WO2014002920A1 (en) 2012-06-29 2014-01-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9742378B2 (en) 2012-06-29 2017-08-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Pulse output circuit and semiconductor device
US9083327B2 (en) 2012-07-06 2015-07-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of driving semiconductor device
US9054678B2 (en) 2012-07-06 2015-06-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
JP6310194B2 (ja) 2012-07-06 2018-04-11 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR102099262B1 (ko) 2012-07-11 2020-04-09 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치, 및 액정 표시 장치의 구동 방법
JP2014032399A (ja) 2012-07-13 2014-02-20 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 液晶表示装置
JP6006558B2 (ja) 2012-07-17 2016-10-12 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及びその製造方法
DE112013003606B4 (de) 2012-07-20 2022-03-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Anzeigevorrichtung
KR102282866B1 (ko) 2012-07-20 2021-07-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치, 및 표시 장치를 포함하는 전자 장치
JP6185311B2 (ja) 2012-07-20 2017-08-23 株式会社半導体エネルギー研究所 電源制御回路、及び信号処理回路
KR102343715B1 (ko) 2012-07-20 2021-12-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제조 방법
JP2014042004A (ja) 2012-07-26 2014-03-06 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置及びその作製方法
KR20140013931A (ko) 2012-07-26 2014-02-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치
JP6224931B2 (ja) 2012-07-27 2017-11-01 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2014045175A (ja) 2012-08-02 2014-03-13 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
JP6134598B2 (ja) 2012-08-02 2017-05-24 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
IN2015DN01663A (zh) 2012-08-03 2015-07-03 Semiconductor Energy Lab
CN108054175A (zh) 2012-08-03 2018-05-18 株式会社半导体能源研究所 半导体装置
US9885108B2 (en) 2012-08-07 2018-02-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for forming sputtering target
US10557192B2 (en) 2012-08-07 2020-02-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for using sputtering target and method for forming oxide film
JP2014199899A (ja) 2012-08-10 2014-10-23 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6220597B2 (ja) 2012-08-10 2017-10-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9245958B2 (en) 2012-08-10 2016-01-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US9929276B2 (en) 2012-08-10 2018-03-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US8937307B2 (en) 2012-08-10 2015-01-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
TWI581404B (zh) 2012-08-10 2017-05-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置以及該半導體裝置的驅動方法
KR20150043307A (ko) 2012-08-10 2015-04-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제조 방법
KR102171650B1 (ko) 2012-08-10 2020-10-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
JP2014057296A (ja) 2012-08-10 2014-03-27 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置の駆動方法
WO2014024808A1 (en) 2012-08-10 2014-02-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP2014057298A (ja) 2012-08-10 2014-03-27 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置の駆動方法
US8872120B2 (en) 2012-08-23 2014-10-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device and method for driving the same
KR102069683B1 (ko) 2012-08-24 2020-01-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 방사선 검출 패널, 방사선 촬상 장치, 및 화상 진단 장치
DE102013216824A1 (de) 2012-08-28 2014-03-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Halbleitervorrichtung
US9625764B2 (en) 2012-08-28 2017-04-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device
KR20140029202A (ko) 2012-08-28 2014-03-10 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
KR102161078B1 (ko) 2012-08-28 2020-09-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 그 제작 방법
TWI611511B (zh) 2012-08-31 2018-01-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
US8947158B2 (en) 2012-09-03 2015-02-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
WO2014034820A1 (en) 2012-09-03 2014-03-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Microcontroller
DE102013217278B4 (de) 2012-09-12 2017-03-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Photodetektorschaltung, Bildgebungsvorrichtung und Verfahren zum Ansteuern einer Photodetektorschaltung
US9018624B2 (en) 2012-09-13 2015-04-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic appliance
KR102484987B1 (ko) 2012-09-13 2023-01-06 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
US8981372B2 (en) 2012-09-13 2015-03-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic appliance
KR102211215B1 (ko) 2012-09-14 2021-02-02 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
US8927985B2 (en) 2012-09-20 2015-01-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
TWI627750B (zh) 2012-09-24 2018-06-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
WO2014046222A1 (en) 2012-09-24 2014-03-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
JP6290576B2 (ja) 2012-10-12 2018-03-07 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置及びその駆動方法
KR102226090B1 (ko) 2012-10-12 2021-03-09 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제작 방법 및 반도체 장치의 제조 장치
TWI681233B (zh) 2012-10-12 2020-01-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 液晶顯示裝置、觸控面板及液晶顯示裝置的製造方法
JP6351947B2 (ja) 2012-10-12 2018-07-04 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置の作製方法
JP6021586B2 (ja) 2012-10-17 2016-11-09 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR102102589B1 (ko) 2012-10-17 2020-04-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 프로그램 가능한 논리 장치
WO2014061761A1 (en) 2012-10-17 2014-04-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Microcontroller and method for manufacturing the same
JP6283191B2 (ja) 2012-10-17 2018-02-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
WO2014061535A1 (en) 2012-10-17 2014-04-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR101942489B1 (ko) 2012-10-17 2019-01-28 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치
TWI591966B (zh) 2012-10-17 2017-07-11 半導體能源研究所股份有限公司 可編程邏輯裝置及可編程邏輯裝置的驅動方法
US9166021B2 (en) 2012-10-17 2015-10-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP6059501B2 (ja) 2012-10-17 2017-01-11 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP5951442B2 (ja) 2012-10-17 2016-07-13 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2014082388A (ja) 2012-10-17 2014-05-08 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
KR102094568B1 (ko) 2012-10-17 2020-03-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그의 제작 방법
KR101442705B1 (ko) * 2012-10-18 2014-09-19 지스마트 주식회사 균일한 광출력이 가능한 투명전광판
KR102220279B1 (ko) 2012-10-19 2021-02-24 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 산화물 반도체막을 포함하는 다층막 및 반도체 장치의 제작 방법
JP6204145B2 (ja) 2012-10-23 2017-09-27 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI782259B (zh) 2012-10-24 2022-11-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
JP6300489B2 (ja) 2012-10-24 2018-03-28 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
KR102130184B1 (ko) 2012-10-24 2020-07-03 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2014065343A1 (en) 2012-10-24 2014-05-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR102279459B1 (ko) 2012-10-24 2021-07-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
WO2014065389A1 (en) 2012-10-25 2014-05-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Central control system
JP6219562B2 (ja) 2012-10-30 2017-10-25 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置及び電子機器
WO2014073374A1 (en) 2012-11-06 2014-05-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
KR102072099B1 (ko) 2012-11-08 2020-01-31 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 금속 산화물 막 및 금속 산화물 막의 형성 방법
TWI605593B (zh) 2012-11-15 2017-11-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
JP6220641B2 (ja) 2012-11-15 2017-10-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI608616B (zh) 2012-11-15 2017-12-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
TWI620323B (zh) 2012-11-16 2018-04-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
JP6285150B2 (ja) 2012-11-16 2018-02-28 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6317059B2 (ja) 2012-11-16 2018-04-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及び表示装置
TWI613813B (zh) 2012-11-16 2018-02-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
US9412764B2 (en) 2012-11-28 2016-08-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display device, and electronic device
TWI820614B (zh) 2012-11-28 2023-11-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置
TWI627483B (zh) 2012-11-28 2018-06-21 半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置及電視接收機
US9263531B2 (en) 2012-11-28 2016-02-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor film, film formation method thereof, and semiconductor device
KR102148549B1 (ko) 2012-11-28 2020-08-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
US9594281B2 (en) 2012-11-30 2017-03-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
US9246011B2 (en) 2012-11-30 2016-01-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9153649B2 (en) 2012-11-30 2015-10-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for evaluating semiconductor device
TWI624949B (zh) 2012-11-30 2018-05-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
JP2014130336A (ja) 2012-11-30 2014-07-10 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置
KR102248765B1 (ko) 2012-11-30 2021-05-04 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR102207028B1 (ko) 2012-12-03 2021-01-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US9406810B2 (en) 2012-12-03 2016-08-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US9349593B2 (en) 2012-12-03 2016-05-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
JP6254834B2 (ja) 2012-12-06 2017-12-27 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9577446B2 (en) 2012-12-13 2017-02-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Power storage system and power storage device storing data for the identifying power storage device
TWI611419B (zh) 2012-12-24 2018-01-11 半導體能源研究所股份有限公司 可程式邏輯裝置及半導體裝置
KR102209871B1 (ko) 2012-12-25 2021-02-01 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US9905585B2 (en) 2012-12-25 2018-02-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising capacitor
KR102241249B1 (ko) 2012-12-25 2021-04-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 저항 소자, 표시 장치, 및 전자기기
WO2014103901A1 (en) 2012-12-25 2014-07-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP2014142986A (ja) 2012-12-26 2014-08-07 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
WO2014104265A1 (en) 2012-12-28 2014-07-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
KR20230023050A (ko) 2012-12-28 2023-02-16 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
TWI607510B (zh) 2012-12-28 2017-12-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及半導體裝置的製造方法
JP2014143410A (ja) 2012-12-28 2014-08-07 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
JP6329762B2 (ja) 2012-12-28 2018-05-23 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9316695B2 (en) 2012-12-28 2016-04-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9391096B2 (en) 2013-01-18 2016-07-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
TWI614813B (zh) 2013-01-21 2018-02-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置的製造方法
JP5807076B2 (ja) 2013-01-24 2015-11-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6223198B2 (ja) 2013-01-24 2017-11-01 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9466725B2 (en) 2013-01-24 2016-10-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
TWI619010B (zh) 2013-01-24 2018-03-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
US9190172B2 (en) 2013-01-24 2015-11-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8981374B2 (en) 2013-01-30 2015-03-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9076825B2 (en) 2013-01-30 2015-07-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device
TWI593025B (zh) 2013-01-30 2017-07-21 半導體能源研究所股份有限公司 氧化物半導體層的處理方法
KR102112367B1 (ko) 2013-02-12 2020-05-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
TWI618252B (zh) 2013-02-12 2018-03-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
KR102125593B1 (ko) 2013-02-13 2020-06-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 프로그래머블 로직 디바이스 및 반도체 장치
US9190527B2 (en) 2013-02-13 2015-11-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device
US9231111B2 (en) 2013-02-13 2016-01-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8952723B2 (en) 2013-02-13 2015-02-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Programmable logic device and semiconductor device
US9318484B2 (en) 2013-02-20 2016-04-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
TWI611566B (zh) 2013-02-25 2018-01-11 半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置和電子裝置
US9293544B2 (en) 2013-02-26 2016-03-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having buried channel structure
TWI651839B (zh) 2013-02-27 2019-02-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置、驅動電路及顯示裝置
US9373711B2 (en) 2013-02-27 2016-06-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
TWI612321B (zh) 2013-02-27 2018-01-21 半導體能源研究所股份有限公司 成像裝置
KR102238682B1 (ko) 2013-02-28 2021-04-08 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치와 그 제작 방법
JP2014195243A (ja) 2013-02-28 2014-10-09 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
JP6141777B2 (ja) 2013-02-28 2017-06-07 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP2014195241A (ja) 2013-02-28 2014-10-09 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
JP6250883B2 (ja) 2013-03-01 2017-12-20 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2014195060A (ja) 2013-03-01 2014-10-09 Semiconductor Energy Lab Co Ltd センサ回路及びセンサ回路を用いた半導体装置
KR102153110B1 (ko) 2013-03-06 2020-09-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체막 및 반도체 장치
US9269315B2 (en) 2013-03-08 2016-02-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driving method of semiconductor device
US8947121B2 (en) 2013-03-12 2015-02-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Programmable logic device
TWI644433B (zh) 2013-03-13 2018-12-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
KR20150128823A (ko) 2013-03-14 2015-11-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 구동 방법 및 반도체 장치
JP6298662B2 (ja) 2013-03-14 2018-03-20 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9294075B2 (en) 2013-03-14 2016-03-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2014142043A1 (en) 2013-03-14 2014-09-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for driving semiconductor device and semiconductor device
KR102290247B1 (ko) 2013-03-14 2021-08-13 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치와 그 제작 방법
JP6283237B2 (ja) 2013-03-14 2018-02-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2014199709A (ja) 2013-03-14 2014-10-23 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶装置、半導体装置
TWI722545B (zh) 2013-03-15 2021-03-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
US9786350B2 (en) 2013-03-18 2017-10-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device
US9153650B2 (en) 2013-03-19 2015-10-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor
US9577107B2 (en) 2013-03-19 2017-02-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor film and method for forming oxide semiconductor film
JP6093726B2 (ja) 2013-03-22 2017-03-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9007092B2 (en) 2013-03-22 2015-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6355374B2 (ja) 2013-03-22 2018-07-11 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US10347769B2 (en) 2013-03-25 2019-07-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film transistor with multi-layer source/drain electrodes
JP6272713B2 (ja) 2013-03-25 2018-01-31 株式会社半導体エネルギー研究所 プログラマブルロジックデバイス及び半導体装置
WO2014157019A1 (en) 2013-03-25 2014-10-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6316630B2 (ja) 2013-03-26 2018-04-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6376788B2 (ja) 2013-03-26 2018-08-22 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置およびその作製方法
US9608122B2 (en) 2013-03-27 2017-03-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP2014209209A (ja) 2013-03-28 2014-11-06 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
US9368636B2 (en) 2013-04-01 2016-06-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing a semiconductor device comprising a plurality of oxide semiconductor layers
JP6300589B2 (ja) 2013-04-04 2018-03-28 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US9112460B2 (en) 2013-04-05 2015-08-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Signal processing device
JP6198434B2 (ja) 2013-04-11 2017-09-20 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置及び電子機器
JP6224338B2 (ja) 2013-04-11 2017-11-01 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、表示装置及び半導体装置の作製方法
TWI620324B (zh) 2013-04-12 2018-04-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
JP6280794B2 (ja) 2013-04-12 2018-02-14 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及びその駆動方法
US10304859B2 (en) 2013-04-12 2019-05-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having an oxide film on an oxide semiconductor film
JP6333028B2 (ja) 2013-04-19 2018-05-30 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶装置及び半導体装置
US9915848B2 (en) 2013-04-19 2018-03-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device
JP6456598B2 (ja) 2013-04-19 2019-01-23 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
WO2014175296A1 (en) 2013-04-24 2014-10-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
US9893192B2 (en) 2013-04-24 2018-02-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6396671B2 (ja) 2013-04-26 2018-09-26 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6401483B2 (ja) 2013-04-26 2018-10-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
TWI644434B (zh) 2013-04-29 2018-12-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
TWI631711B (zh) 2013-05-01 2018-08-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
KR102222344B1 (ko) 2013-05-02 2021-03-02 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US9231002B2 (en) 2013-05-03 2016-01-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device
US9882058B2 (en) 2013-05-03 2018-01-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
CN105190902B (zh) 2013-05-09 2019-01-29 株式会社半导体能源研究所 半导体装置及其制造方法
US9704894B2 (en) 2013-05-10 2017-07-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device including pixel electrode including oxide
US9246476B2 (en) 2013-05-10 2016-01-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driver circuit
TWI621337B (zh) 2013-05-14 2018-04-11 半導體能源研究所股份有限公司 信號處理裝置
TWI618058B (zh) 2013-05-16 2018-03-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
TWI690085B (zh) 2013-05-16 2020-04-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
TWI639235B (zh) 2013-05-16 2018-10-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
US9312392B2 (en) 2013-05-16 2016-04-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9172369B2 (en) 2013-05-17 2015-10-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Programmable logic device and semiconductor device
US10032872B2 (en) 2013-05-17 2018-07-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, method for manufacturing the same, and apparatus for manufacturing semiconductor device
JP6298353B2 (ja) 2013-05-17 2018-03-20 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9209795B2 (en) 2013-05-17 2015-12-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Signal processing device and measuring method
US9754971B2 (en) 2013-05-18 2017-09-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
SG10201601511RA (en) 2013-05-20 2016-03-30 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device
KR102442752B1 (ko) 2013-05-20 2022-09-14 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
DE102014208859B4 (de) 2013-05-20 2021-03-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Halbleitervorrichtung
US9647125B2 (en) 2013-05-20 2017-05-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US9343579B2 (en) 2013-05-20 2016-05-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
TWI664731B (zh) 2013-05-20 2019-07-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
US9293599B2 (en) 2013-05-20 2016-03-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US10416504B2 (en) 2013-05-21 2019-09-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
WO2014188983A1 (en) 2013-05-21 2014-11-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor film and formation method thereof
TWI624936B (zh) 2013-06-05 2018-05-21 半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置
JP6475424B2 (ja) 2013-06-05 2019-02-27 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9806198B2 (en) 2013-06-05 2017-10-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
TWI649606B (zh) 2013-06-05 2019-02-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置及電子裝置
JP6400336B2 (ja) 2013-06-05 2018-10-03 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2015195327A (ja) 2013-06-05 2015-11-05 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9773915B2 (en) 2013-06-11 2017-09-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
TWI641112B (zh) 2013-06-13 2018-11-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
JP6368155B2 (ja) 2013-06-18 2018-08-01 株式会社半導体エネルギー研究所 プログラマブルロジックデバイス
US9035301B2 (en) 2013-06-19 2015-05-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device
TWI652822B (zh) 2013-06-19 2019-03-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 氧化物半導體膜及其形成方法
KR102257058B1 (ko) 2013-06-21 2021-05-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US9515094B2 (en) 2013-06-26 2016-12-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Storage device and semiconductor device
KR20210079411A (ko) 2013-06-27 2021-06-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
TW201513128A (zh) 2013-07-05 2015-04-01 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置
US9312349B2 (en) 2013-07-08 2016-04-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
US9666697B2 (en) 2013-07-08 2017-05-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device including an electron trap layer
US20150008428A1 (en) 2013-07-08 2015-01-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
US9293480B2 (en) 2013-07-10 2016-03-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device including the semiconductor device
US9424950B2 (en) 2013-07-10 2016-08-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9818763B2 (en) 2013-07-12 2017-11-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method for manufacturing display device
US9006736B2 (en) 2013-07-12 2015-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6322503B2 (ja) 2013-07-16 2018-05-09 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6516978B2 (ja) 2013-07-17 2019-05-22 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9443592B2 (en) 2013-07-18 2016-09-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
TWI608523B (zh) 2013-07-19 2017-12-11 半導體能源研究所股份有限公司 Oxide semiconductor film, method of manufacturing oxide semiconductor film, and semiconductor device
US9379138B2 (en) 2013-07-19 2016-06-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device with drive voltage dependent on external light intensity
US9395070B2 (en) 2013-07-19 2016-07-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Support of flexible component and light-emitting device
TWI632688B (zh) 2013-07-25 2018-08-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置以及半導體裝置的製造方法
TWI636309B (zh) 2013-07-25 2018-09-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 液晶顯示裝置及電子裝置
US10529740B2 (en) 2013-07-25 2020-01-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including semiconductor layer and conductive layer
TWI641208B (zh) 2013-07-26 2018-11-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 直流對直流轉換器
JP6410496B2 (ja) 2013-07-31 2018-10-24 株式会社半導体エネルギー研究所 マルチゲート構造のトランジスタ
JP6460592B2 (ja) 2013-07-31 2019-01-30 株式会社半導体エネルギー研究所 Ｄｃｄｃコンバータ、及び半導体装置
JP6264090B2 (ja) 2013-07-31 2018-01-24 株式会社リコー 電界効果型トランジスタ、及び電界効果型トランジスタの製造方法
US9343288B2 (en) 2013-07-31 2016-05-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
TWI635750B (zh) 2013-08-02 2018-09-11 半導體能源研究所股份有限公司 攝像裝置以及其工作方法
US9496330B2 (en) 2013-08-02 2016-11-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor film and semiconductor device
JP2015053477A (ja) 2013-08-05 2015-03-19 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置および半導体装置の作製方法
JP6345023B2 (ja) 2013-08-07 2018-06-20 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置およびその作製方法
US9601591B2 (en) 2013-08-09 2017-03-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US9299855B2 (en) 2013-08-09 2016-03-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having dual gate insulating layers
JP6329843B2 (ja) 2013-08-19 2018-05-23 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9374048B2 (en) 2013-08-20 2016-06-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Signal processing device, and driving method and program thereof
TWI643435B (zh) 2013-08-21 2018-12-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 電荷泵電路以及具備電荷泵電路的半導體裝置
KR102232133B1 (ko) 2013-08-22 2021-03-24 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR102244553B1 (ko) 2013-08-23 2021-04-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 용량 소자 및 반도체 장치
US9443987B2 (en) 2013-08-23 2016-09-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
TWI708981B (zh) 2013-08-28 2020-11-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置
US9552767B2 (en) 2013-08-30 2017-01-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device
JP6426402B2 (ja) 2013-08-30 2018-11-21 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
US9360564B2 (en) 2013-08-30 2016-06-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device
WO2015030150A1 (en) 2013-08-30 2015-03-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Storage circuit and semiconductor device
US9590109B2 (en) 2013-08-30 2017-03-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP6406926B2 (ja) 2013-09-04 2018-10-17 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9449853B2 (en) 2013-09-04 2016-09-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device comprising electron trap layer
JP6345544B2 (ja) 2013-09-05 2018-06-20 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US10008513B2 (en) 2013-09-05 2018-06-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9607991B2 (en) 2013-09-05 2017-03-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR102294507B1 (ko) 2013-09-06 2021-08-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
JP6401977B2 (ja) 2013-09-06 2018-10-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9590110B2 (en) 2013-09-10 2017-03-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Ultraviolet light sensor circuit
TWI640014B (zh) 2013-09-11 2018-11-01 半導體能源研究所股份有限公司 記憶體裝置、半導體裝置及電子裝置
US9269822B2 (en) 2013-09-12 2016-02-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
US9893194B2 (en) 2013-09-12 2018-02-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
TWI646690B (zh) 2013-09-13 2019-01-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
US9461126B2 (en) 2013-09-13 2016-10-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor, clocked inverter circuit, sequential circuit, and semiconductor device including sequential circuit
KR102643577B1 (ko) 2013-09-13 2024-03-04 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
US9805952B2 (en) 2013-09-13 2017-10-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
JP2015079946A (ja) 2013-09-13 2015-04-23 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US9887297B2 (en) 2013-09-17 2018-02-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising oxide semiconductor layer in which thickness of the oxide semiconductor layer is greater than or equal to width of the oxide semiconductor layer
US9269915B2 (en) 2013-09-18 2016-02-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
JP6347704B2 (ja) 2013-09-18 2018-06-27 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI677989B (zh) 2013-09-19 2019-11-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
TWI678740B (zh) 2013-09-23 2019-12-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
US9425217B2 (en) 2013-09-23 2016-08-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6570817B2 (ja) 2013-09-23 2019-09-04 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2015084418A (ja) 2013-09-23 2015-04-30 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6383616B2 (ja) 2013-09-25 2018-08-29 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
WO2015046025A1 (en) 2013-09-26 2015-04-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Switch circuit, semiconductor device, and system
JP6392603B2 (ja) 2013-09-27 2018-09-19 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6581765B2 (ja) 2013-10-02 2019-09-25 株式会社半導体エネルギー研究所 ブートストラップ回路、およびブートストラップ回路を有する半導体装置
JP6386323B2 (ja) 2013-10-04 2018-09-05 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI688102B (zh) 2013-10-10 2020-03-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
KR102183763B1 (ko) 2013-10-11 2020-11-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법
US9245593B2 (en) 2013-10-16 2016-01-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for driving arithmetic processing unit
TWI621127B (zh) 2013-10-18 2018-04-11 半導體能源研究所股份有限公司 運算處理裝置及其驅動方法
TWI642170B (zh) 2013-10-18 2018-11-21 半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置及電子裝置
DE102014220672A1 (de) 2013-10-22 2015-05-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Halbleitervorrichtung
US9276128B2 (en) 2013-10-22 2016-03-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, method for manufacturing the same, and etchant used for the same
KR20160074514A (ko) 2013-10-22 2016-06-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
JP2015179247A (ja) 2013-10-22 2015-10-08 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
KR102270823B1 (ko) 2013-10-22 2021-06-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치와 그 제작 방법
US9455349B2 (en) 2013-10-22 2016-09-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor thin film transistor with reduced impurity diffusion
WO2015060133A1 (en) 2013-10-22 2015-04-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6625796B2 (ja) 2013-10-25 2019-12-25 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
JP6457239B2 (ja) 2013-10-31 2019-01-23 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9590111B2 (en) 2013-11-06 2017-03-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device including the semiconductor device
JP6440457B2 (ja) 2013-11-07 2018-12-19 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6478562B2 (ja) 2013-11-07 2019-03-06 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9385054B2 (en) 2013-11-08 2016-07-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Data processing device and manufacturing method thereof
JP2015118724A (ja) 2013-11-13 2015-06-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及び半導体装置の駆動方法
JP6426437B2 (ja) 2013-11-22 2018-11-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6393590B2 (ja) 2013-11-22 2018-09-19 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6486660B2 (ja) 2013-11-27 2019-03-20 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
US20150155313A1 (en) 2013-11-29 2015-06-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9882014B2 (en) 2013-11-29 2018-01-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP2016001712A (ja) 2013-11-29 2016-01-07 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US9601634B2 (en) 2013-12-02 2017-03-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR102386362B1 (ko) 2013-12-02 2022-04-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
DE112014007325B3 (de) 2013-12-02 2021-04-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Anzeigevorrichtung und deren Herstellungsverfahren
US9991392B2 (en) 2013-12-03 2018-06-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP2016027597A (ja) 2013-12-06 2016-02-18 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9627413B2 (en) 2013-12-12 2017-04-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device
US9349751B2 (en) 2013-12-12 2016-05-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
TWI642186B (zh) 2013-12-18 2018-11-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
JP2014060451A (ja) * 2013-12-18 2014-04-03 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置
TWI721409B (zh) 2013-12-19 2021-03-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
US9379192B2 (en) 2013-12-20 2016-06-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6444714B2 (ja) 2013-12-20 2018-12-26 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
KR102283814B1 (ko) 2013-12-25 2021-07-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
TWI637484B (zh) 2013-12-26 2018-10-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
WO2015097596A1 (en) 2013-12-26 2015-07-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6402017B2 (ja) 2013-12-26 2018-10-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9960280B2 (en) 2013-12-26 2018-05-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR20160102295A (ko) 2013-12-26 2016-08-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US9397149B2 (en) 2013-12-27 2016-07-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9349418B2 (en) 2013-12-27 2016-05-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for driving the same
JP6506961B2 (ja) 2013-12-27 2019-04-24 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置
US9472678B2 (en) 2013-12-27 2016-10-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR20220046701A (ko) 2013-12-27 2022-04-14 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치
JP6506545B2 (ja) 2013-12-27 2019-04-24 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR102529174B1 (ko) 2013-12-27 2023-05-08 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US9318618B2 (en) 2013-12-27 2016-04-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9577110B2 (en) 2013-12-27 2017-02-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including an oxide semiconductor and the display device including the semiconductor device
JP6444723B2 (ja) 2014-01-09 2018-12-26 株式会社半導体エネルギー研究所 装置
KR102166898B1 (ko) 2014-01-10 2020-10-19 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법
US9300292B2 (en) 2014-01-10 2016-03-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Circuit including transistor
US9401432B2 (en) 2014-01-16 2016-07-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
US9379713B2 (en) 2014-01-17 2016-06-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Data processing device and driving method thereof
KR102306200B1 (ko) 2014-01-24 2021-09-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2015114476A1 (en) 2014-01-28 2015-08-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9929044B2 (en) 2014-01-30 2018-03-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing semiconductor device
US9929279B2 (en) 2014-02-05 2018-03-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US9443876B2 (en) 2014-02-05 2016-09-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic device including the semiconductor device, the display device, and the display module
JP6523695B2 (ja) 2014-02-05 2019-06-05 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI665778B (zh) 2014-02-05 2019-07-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置、模組及電子裝置
JP6473626B2 (ja) 2014-02-06 2019-02-20 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2015165226A (ja) 2014-02-07 2015-09-17 株式会社半導体エネルギー研究所 装置
JP6534530B2 (ja) 2014-02-07 2019-06-26 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US10055232B2 (en) 2014-02-07 2018-08-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising memory circuit
US9869716B2 (en) 2014-02-07 2018-01-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Device comprising programmable logic element
CN105960633B (zh) 2014-02-07 2020-06-19 株式会社半导体能源研究所 半导体装置、装置及电子设备
TWI658597B (zh) 2014-02-07 2019-05-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
TWI803431B (zh) 2014-02-11 2023-05-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置及電子裝置
KR102317297B1 (ko) 2014-02-19 2021-10-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 산화물, 반도체 장치, 모듈, 및 전자 장치
JP6629509B2 (ja) 2014-02-21 2020-01-15 株式会社半導体エネルギー研究所 酸化物半導体膜
JP6506566B2 (ja) 2014-02-21 2019-04-24 株式会社半導体エネルギー研究所 電流測定方法
JP2015172991A (ja) 2014-02-21 2015-10-01 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、電子部品、及び電子機器
KR102329066B1 (ko) 2014-02-28 2021-11-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 구동 방법, 및 전자 기기
US10074576B2 (en) 2014-02-28 2018-09-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device
US9294096B2 (en) 2014-02-28 2016-03-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9564535B2 (en) 2014-02-28 2017-02-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic appliance including the semiconductor device, the display device, and the display module
DE112015001024T5 (de) 2014-02-28 2016-12-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Eine Halbleitervorrichtung, eine Anzeigevorrichtung, die die Halbleitervorrichtung umfasst, ein Anzeigemodul, das die Anzeigevorrichtung umfasst und ein elektronisches Gerät, das die Halbleitervorrichtung, die Anzeigevorrichtung oder das Anzeigemodul umfasst
JP6474280B2 (ja) 2014-03-05 2019-02-27 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR20150104518A (ko) 2014-03-05 2015-09-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 레벨 시프터 회로
US9537478B2 (en) 2014-03-06 2017-01-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US10096489B2 (en) 2014-03-06 2018-10-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US9397637B2 (en) 2014-03-06 2016-07-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Voltage controlled oscillator, semiconductor device, and electronic device
JP6625328B2 (ja) 2014-03-06 2019-12-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の駆動方法
US9443872B2 (en) 2014-03-07 2016-09-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9419622B2 (en) 2014-03-07 2016-08-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR102267237B1 (ko) 2014-03-07 2021-06-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 전자 기기
JP6607681B2 (ja) 2014-03-07 2019-11-20 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
WO2015132694A1 (en) 2014-03-07 2015-09-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Touch sensor, touch panel, and manufacturing method of touch panel
JP6442321B2 (ja) 2014-03-07 2018-12-19 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及びその駆動方法、並びに電子機器
US9711536B2 (en) 2014-03-07 2017-07-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, electronic component, and electronic device
WO2015132697A1 (en) 2014-03-07 2015-09-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6585354B2 (ja) 2014-03-07 2019-10-02 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR20160132405A (ko) 2014-03-12 2016-11-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US9324747B2 (en) 2014-03-13 2016-04-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device
JP6525421B2 (ja) * 2014-03-13 2019-06-05 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR102528615B1 (ko) 2014-03-13 2023-05-08 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 촬상 장치
US9640669B2 (en) 2014-03-13 2017-05-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic appliance including the semiconductor device, the display device, and the display module
JP6560508B2 (ja) 2014-03-13 2019-08-14 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6541376B2 (ja) 2014-03-13 2019-07-10 株式会社半導体エネルギー研究所 プログラマブルロジックデバイスの動作方法
JP6677449B2 (ja) 2014-03-13 2020-04-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の駆動方法
US9299848B2 (en) 2014-03-14 2016-03-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, RF tag, and electronic device
JP6559444B2 (ja) 2014-03-14 2019-08-14 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
KR102252213B1 (ko) 2014-03-14 2021-05-14 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 회로 시스템
US9887212B2 (en) 2014-03-14 2018-02-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
JP2015188071A (ja) 2014-03-14 2015-10-29 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR20160132982A (ko) 2014-03-18 2016-11-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치와 그 제작 방법
JP6509596B2 (ja) 2014-03-18 2019-05-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9887291B2 (en) 2014-03-19 2018-02-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic device including the semiconductor device, the display device, or the display module
US9842842B2 (en) 2014-03-19 2017-12-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device and semiconductor device and electronic device having the same
TWI657488B (zh) 2014-03-20 2019-04-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置、具有該半導體裝置的顯示裝置、具有該顯示裝置的顯示模組以及具有該半導體裝置、該顯示裝置和該顯示模組的電子裝置
JP6495698B2 (ja) 2014-03-20 2019-04-03 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、電子部品、及び電子機器
KR102400212B1 (ko) 2014-03-28 2022-05-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 트랜지스터 및 반도체 장치
JP6487738B2 (ja) 2014-03-31 2019-03-20 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、電子部品
TWI695375B (zh) 2014-04-10 2020-06-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 記憶體裝置及半導體裝置
JP6541398B2 (ja) 2014-04-11 2019-07-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9674470B2 (en) 2014-04-11 2017-06-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, method for driving semiconductor device, and method for driving electronic device
TWI646782B (zh) 2014-04-11 2019-01-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 保持電路、保持電路的驅動方法以及包括保持電路的半導體裝置
JP6635670B2 (ja) 2014-04-11 2020-01-29 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6305183B2 (ja) * 2014-04-16 2018-04-04 キヤノン株式会社 有機発光素子、表示装置、画像表示装置、照明装置、画像形成装置及び露光器
US9768315B2 (en) 2014-04-18 2017-09-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device having the same
KR102511325B1 (ko) 2014-04-18 2023-03-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 그 동작 방법
KR20160144492A (ko) 2014-04-18 2016-12-16 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 전자 장치
JP6613044B2 (ja) 2014-04-22 2019-11-27 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置、表示モジュール、及び電子機器
KR102380829B1 (ko) 2014-04-23 2022-03-31 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 촬상 장치
KR102330412B1 (ko) 2014-04-25 2021-11-25 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 전자 부품, 및 전자 기기
US9780226B2 (en) 2014-04-25 2017-10-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP6468686B2 (ja) 2014-04-25 2019-02-13 株式会社半導体エネルギー研究所 入出力装置
TWI643457B (zh) 2014-04-25 2018-12-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
US10043913B2 (en) 2014-04-30 2018-08-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor film, semiconductor device, display device, module, and electronic device
TWI679624B (zh) 2014-05-02 2019-12-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
US10656799B2 (en) 2014-05-02 2020-05-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and operation method thereof
JP6537341B2 (ja) 2014-05-07 2019-07-03 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6653997B2 (ja) 2014-05-09 2020-02-26 株式会社半導体エネルギー研究所 表示補正回路及び表示装置
KR102333604B1 (ko) 2014-05-15 2021-11-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 이 반도체 장치를 포함하는 표시 장치
JP6612056B2 (ja) 2014-05-16 2019-11-27 株式会社半導体エネルギー研究所 撮像装置、及び監視装置
JP2015233130A (ja) 2014-05-16 2015-12-24 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体基板および半導体装置の作製方法
JP6580863B2 (ja) 2014-05-22 2019-09-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、健康管理システム
JP6616102B2 (ja) 2014-05-23 2019-12-04 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶装置及び電子機器
TWI672804B (zh) 2014-05-23 2019-09-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置的製造方法
US10020403B2 (en) 2014-05-27 2018-07-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR20170003674A (ko) * 2014-05-27 2017-01-09 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
US9874775B2 (en) 2014-05-28 2018-01-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and electronic device
JP6615490B2 (ja) 2014-05-29 2019-12-04 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及び電子機器
JP6525722B2 (ja) 2014-05-29 2019-06-05 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶装置、電子部品、及び電子機器
JP6653129B2 (ja) 2014-05-29 2020-02-26 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶装置
KR20150138026A (ko) 2014-05-29 2015-12-09 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR102418666B1 (ko) 2014-05-29 2022-07-11 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 촬상 소자, 전자 기기, 촬상 소자의 구동 방법, 및 전자 기기의 구동 방법
JP6538426B2 (ja) 2014-05-30 2019-07-03 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及び電子機器
DE112014006711B4 (de) 2014-05-30 2021-01-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Halbleitervorrichtung, Herstellungsverfahren dafür und elektronische Vorrichtung
KR20170013240A (ko) 2014-05-30 2017-02-06 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 이를 제조하기 위한 방법
TWI663726B (zh) 2014-05-30 2019-06-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. 半導體裝置、模組及電子裝置
JP6537892B2 (ja) 2014-05-30 2019-07-03 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、及び電子機器
US9831238B2 (en) 2014-05-30 2017-11-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including insulating film having opening portion and conductive film in the opening portion
TWI646658B (zh) 2014-05-30 2019-01-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
KR102344782B1 (ko) 2014-06-13 2021-12-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 입력 장치 및 입출력 장치
JP2016015475A (ja) 2014-06-13 2016-01-28 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、及び電子機器
WO2015189731A1 (en) 2014-06-13 2015-12-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device including the semiconductor device
TWI663733B (zh) 2014-06-18 2019-06-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 電晶體及半導體裝置
TWI666776B (zh) 2014-06-20 2019-07-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置以及包括該半導體裝置的顯示裝置
KR20150146409A (ko) 2014-06-20 2015-12-31 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 표시 장치, 입출력 장치, 및 전자 기기
US9722090B2 (en) 2014-06-23 2017-08-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including first gate oxide semiconductor film, and second gate
JP6545541B2 (ja) 2014-06-25 2019-07-17 株式会社半導体エネルギー研究所 撮像装置、監視装置、及び電子機器
US10002971B2 (en) 2014-07-03 2018-06-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device including the semiconductor device
US9647129B2 (en) 2014-07-04 2017-05-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9461179B2 (en) 2014-07-11 2016-10-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film transistor device (TFT) comprising stacked oxide semiconductor layers and having a surrounded channel structure
WO2016009310A1 (en) 2014-07-15 2016-01-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, manufacturing method thereof, and display device including the semiconductor device
JP2016029795A (ja) 2014-07-18 2016-03-03 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、撮像装置及び電子機器
JP6581825B2 (ja) 2014-07-18 2019-09-25 株式会社半導体エネルギー研究所 表示システム
US9312280B2 (en) 2014-07-25 2016-04-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR102352633B1 (ko) 2014-07-25 2022-01-17 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발진 회로 및 그것을 포함하는 반도체 장치
JP6527416B2 (ja) 2014-07-29 2019-06-05 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
CN106537486B (zh) 2014-07-31 2020-09-15 株式会社半导体能源研究所 显示装置及电子装置
JP6555956B2 (ja) 2014-07-31 2019-08-07 株式会社半導体エネルギー研究所 撮像装置、監視装置、及び電子機器
US9705004B2 (en) 2014-08-01 2017-07-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6739150B2 (ja) 2014-08-08 2020-08-12 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、発振回路、位相同期回路及び電子機器
JP6553444B2 (ja) 2014-08-08 2019-07-31 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6652342B2 (ja) 2014-08-08 2020-02-19 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US10147747B2 (en) 2014-08-21 2018-12-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, manufacturing method thereof, and electronic device
US10032888B2 (en) 2014-08-22 2018-07-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, and electronic appliance having semiconductor device
US10559667B2 (en) 2014-08-25 2020-02-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for measuring current of semiconductor device
KR102509203B1 (ko) 2014-08-29 2023-03-14 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 촬상 장치 및 전자 기기
KR102441803B1 (ko) 2014-09-02 2022-09-08 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 촬상 장치 및 전자 기기
KR102329498B1 (ko) 2014-09-04 2021-11-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US9766517B2 (en) 2014-09-05 2017-09-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and display module
JP2016066065A (ja) 2014-09-05 2016-04-28 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置、および電子機器
JP6676316B2 (ja) 2014-09-12 2020-04-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US9722091B2 (en) 2014-09-12 2017-08-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
KR20160034200A (ko) 2014-09-19 2016-03-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제작 방법
KR102513878B1 (ko) 2014-09-19 2023-03-24 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제작 방법
US9401364B2 (en) 2014-09-19 2016-07-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, electronic component, and electronic device
JP2016066788A (ja) 2014-09-19 2016-04-28 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体膜の評価方法および半導体装置の作製方法
US10071904B2 (en) 2014-09-25 2018-09-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display module, and electronic device
JP2016111677A (ja) 2014-09-26 2016-06-20 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、無線センサ、及び電子機器
WO2016046685A1 (en) 2014-09-26 2016-03-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device
JP6633330B2 (ja) 2014-09-26 2020-01-22 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US10170055B2 (en) 2014-09-26 2019-01-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and driving method thereof
US9450581B2 (en) 2014-09-30 2016-09-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Logic circuit, semiconductor device, electronic component, and electronic device
WO2016055894A1 (en) 2014-10-06 2016-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
US9698170B2 (en) 2014-10-07 2017-07-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display module, and electronic device
KR20220119177A (ko) 2014-10-10 2022-08-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 논리 회로, 처리 유닛, 전자 부품, 및 전자 기기
KR20170069207A (ko) 2014-10-10 2017-06-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 회로 기판, 및 전자 기기
US9991393B2 (en) 2014-10-16 2018-06-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, module, and electronic device
JP6645793B2 (ja) 2014-10-17 2020-02-14 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
WO2016063159A1 (en) 2014-10-20 2016-04-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof, module, and electronic device
US10068927B2 (en) 2014-10-23 2018-09-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display module, and electronic device
JP6615565B2 (ja) 2014-10-24 2019-12-04 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9704704B2 (en) 2014-10-28 2017-07-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device including the same
TWI652362B (zh) 2014-10-28 2019-03-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 氧化物及其製造方法
KR102439023B1 (ko) 2014-10-28 2022-08-31 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치, 표시 장치의 제작 방법, 및 전자 기기
US9793905B2 (en) 2014-10-31 2017-10-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US10680017B2 (en) 2014-11-07 2020-06-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element including EL layer, electrode which has high reflectance and a high work function, display device, electronic device, and lighting device
US9584707B2 (en) 2014-11-10 2017-02-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device and electronic device
US9548327B2 (en) 2014-11-10 2017-01-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device having a selenium containing photoelectric conversion layer
US9438234B2 (en) 2014-11-21 2016-09-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Logic circuit and semiconductor device including logic circuit
TWI766298B (zh) 2014-11-21 2022-06-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
JP6563313B2 (ja) 2014-11-21 2019-08-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、及び電子機器
TWI711165B (zh) 2014-11-21 2020-11-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及電子裝置
KR20230058538A (ko) 2014-11-28 2023-05-03 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 모듈, 및 전자 기기
JP6647841B2 (ja) 2014-12-01 2020-02-14 株式会社半導体エネルギー研究所 酸化物の作製方法
JP6667267B2 (ja) 2014-12-08 2020-03-18 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6647846B2 (ja) 2014-12-08 2020-02-14 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6689062B2 (ja) 2014-12-10 2020-04-28 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
WO2016092427A1 (en) 2014-12-10 2016-06-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US9773832B2 (en) 2014-12-10 2017-09-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
JP6833315B2 (ja) 2014-12-10 2021-02-24 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、及び電子機器
WO2016092416A1 (en) 2014-12-11 2016-06-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, memory device, and electronic device
JP2016116220A (ja) 2014-12-16 2016-06-23 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、及び電子機器
JP6676354B2 (ja) 2014-12-16 2020-04-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI791952B (zh) 2014-12-18 2023-02-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置、感測裝置和電子裝置
JP2016115907A (ja) * 2014-12-18 2016-06-23 三菱電機株式会社 薄膜トランジスタ及びその製造方法、アレイ基板並びに液晶表示装置
US10396210B2 (en) 2014-12-26 2019-08-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device with stacked metal oxide and oxide semiconductor layers and display device including the semiconductor device
KR20170101233A (ko) 2014-12-26 2017-09-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 스퍼터링용 타깃의 제작 방법
TWI686874B (zh) 2014-12-26 2020-03-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置、顯示裝置、顯示模組、電子裝置、氧化物及氧化物的製造方法
CN107111985B (zh) 2014-12-29 2020-09-18 株式会社半导体能源研究所 半导体装置以及包括该半导体装置的显示装置
US10522693B2 (en) 2015-01-16 2019-12-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device and electronic device
JP6857447B2 (ja) 2015-01-26 2021-04-14 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9443564B2 (en) 2015-01-26 2016-09-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, electronic component, and electronic device
US9954112B2 (en) 2015-01-26 2018-04-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
TWI792065B (zh) 2015-01-30 2023-02-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 成像裝置及電子裝置
US9647132B2 (en) 2015-01-30 2017-05-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and memory device
CN107207252B (zh) 2015-02-02 2021-04-30 株式会社半导体能源研究所 氧化物及其制造方法
KR20170109237A (ko) 2015-02-04 2017-09-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 반도체 장치의 제조 방법, 또는 반도체 장치를 포함하는 표시 장치
TWI732383B (zh) 2015-02-06 2021-07-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 裝置及其製造方法以及電子裝置
US9660100B2 (en) 2015-02-06 2017-05-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP6674269B2 (ja) 2015-02-09 2020-04-01 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、及び半導体装置の作製方法
JP6717604B2 (ja) 2015-02-09 2020-07-01 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、中央処理装置及び電子機器
TWI685113B (zh) 2015-02-11 2020-02-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
WO2016128854A1 (en) 2015-02-12 2016-08-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor film and semiconductor device
JP2016154225A (ja) 2015-02-12 2016-08-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置およびその作製方法
US9818880B2 (en) 2015-02-12 2017-11-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device including the semiconductor device
US10249644B2 (en) 2015-02-13 2019-04-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method of the same
US9991394B2 (en) 2015-02-20 2018-06-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and fabrication method thereof
US9489988B2 (en) 2015-02-20 2016-11-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device
US10403646B2 (en) 2015-02-20 2019-09-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP6711642B2 (ja) 2015-02-25 2020-06-17 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6739185B2 (ja) 2015-02-26 2020-08-12 株式会社半導体エネルギー研究所 ストレージシステム、およびストレージ制御回路
US9653613B2 (en) 2015-02-27 2017-05-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US9685560B2 (en) 2015-03-02 2017-06-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor, method for manufacturing transistor, semiconductor device, and electronic device
TWI718125B (zh) 2015-03-03 2021-02-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
KR102526654B1 (ko) 2015-03-03 2023-04-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 산화물 반도체막, 상기 산화물 반도체막을 포함하는 반도체 장치, 및 상기 반도체 장치를 포함하는 표시 장치
KR102653836B1 (ko) 2015-03-03 2024-04-03 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 그 제작 방법, 또는 그를 포함하는 표시 장치
US9905700B2 (en) 2015-03-13 2018-02-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device or memory device and driving method thereof
WO2016147074A1 (en) 2015-03-17 2016-09-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Touch panel
JP2016225602A (ja) 2015-03-17 2016-12-28 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置およびその作製方法
US10008609B2 (en) 2015-03-17 2018-06-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, method for manufacturing the same, or display device including the same
US9964799B2 (en) 2015-03-17 2018-05-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, display module, and electronic device
JP2016177280A (ja) 2015-03-18 2016-10-06 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置および電子機器、並びに表示装置の駆動方法
JP6662665B2 (ja) 2015-03-19 2020-03-11 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置及び該液晶表示装置を用いた電子機器
US10147823B2 (en) 2015-03-19 2018-12-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR102582523B1 (ko) 2015-03-19 2023-09-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 전자 기기
JP6688116B2 (ja) 2015-03-24 2020-04-28 株式会社半導体エネルギー研究所 撮像装置および電子機器
KR20160114511A (ko) 2015-03-24 2016-10-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제작 방법
US9842938B2 (en) 2015-03-24 2017-12-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device including semiconductor device
US10096715B2 (en) 2015-03-26 2018-10-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, method for manufacturing the same, and electronic device
US10429704B2 (en) 2015-03-26 2019-10-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, display module including the display device, and electronic device including the display device or the display module
US9806200B2 (en) 2015-03-27 2017-10-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
TWI695513B (zh) 2015-03-27 2020-06-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及電子裝置
JP6736321B2 (ja) 2015-03-27 2020-08-05 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の製造方法
TW202316486A (zh) 2015-03-30 2023-04-16 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置的製造方法
US9716852B2 (en) 2015-04-03 2017-07-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Broadcast system
US10389961B2 (en) 2015-04-09 2019-08-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device and electronic device
KR20230098354A (ko) 2015-04-13 2023-07-03 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US10372274B2 (en) 2015-04-13 2019-08-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and touch panel
US10460984B2 (en) 2015-04-15 2019-10-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for fabricating electrode and semiconductor device
US10056497B2 (en) 2015-04-15 2018-08-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US9916791B2 (en) 2015-04-16 2018-03-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, electronic device, and method for driving display device
US10192995B2 (en) 2015-04-28 2019-01-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US10002970B2 (en) 2015-04-30 2018-06-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, manufacturing method of the same, or display device including the same
US10671204B2 (en) 2015-05-04 2020-06-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Touch panel and data processor
KR102549926B1 (ko) 2015-05-04 2023-06-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 반도체 장치의 제작 방법, 및 전자기기
JP6681780B2 (ja) 2015-05-07 2020-04-15 株式会社半導体エネルギー研究所 表示システムおよび電子機器
DE102016207737A1 (de) 2015-05-11 2016-11-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Halbleitervorrichtung, Verfahren zum Herstellen der Halbleitervorrichtung, Reifen und beweglicher Gegenstand
TWI693719B (zh) 2015-05-11 2020-05-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置的製造方法
JP6935171B2 (ja) 2015-05-14 2021-09-15 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US11728356B2 (en) 2015-05-14 2023-08-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Photoelectric conversion element and imaging device
US9627034B2 (en) 2015-05-15 2017-04-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device
US9837547B2 (en) 2015-05-22 2017-12-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising oxide conductor and display device including the semiconductor device
CN107683531B (zh) 2015-05-22 2022-04-29 株式会社半导体能源研究所 半导体装置以及包括该半导体装置的显示装置
JP2016225614A (ja) 2015-05-26 2016-12-28 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6773453B2 (ja) 2015-05-26 2020-10-21 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶装置及び電子機器
US10139663B2 (en) 2015-05-29 2018-11-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Input/output device and electronic device
KR102553553B1 (ko) 2015-06-12 2023-07-10 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 촬상 장치, 및 그 동작 방법 및 전자 기기
WO2016203354A1 (en) 2015-06-19 2016-12-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, manufacturing method thereof, and electronic device
US9860465B2 (en) 2015-06-23 2018-01-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device and electronic device
US9935633B2 (en) 2015-06-30 2018-04-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Logic circuit, semiconductor device, electronic component, and electronic device
US10290573B2 (en) 2015-07-02 2019-05-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
US9917209B2 (en) 2015-07-03 2018-03-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device including step of forming trench over semiconductor
WO2017006207A1 (en) 2015-07-08 2017-01-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP2017022377A (ja) 2015-07-14 2017-01-26 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US10501003B2 (en) 2015-07-17 2019-12-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, lighting device, and vehicle
US10985278B2 (en) 2015-07-21 2021-04-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US11189736B2 (en) 2015-07-24 2021-11-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US10978489B2 (en) 2015-07-24 2021-04-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display panel, method for manufacturing semiconductor device, method for manufacturing display panel, and information processing device
US11024725B2 (en) 2015-07-24 2021-06-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including metal oxide film
US10424671B2 (en) 2015-07-29 2019-09-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, circuit board, and electronic device
CN106409919A (zh) 2015-07-30 2017-02-15 株式会社半导体能源研究所 半导体装置以及包括该半导体装置的显示装置
JP6802656B2 (ja) 2015-07-30 2020-12-16 株式会社半導体エネルギー研究所 メモリセルの作製方法及び半導体装置の作製方法
US10115828B2 (en) 2015-07-30 2018-10-30 Ricoh Company, Ltd. Field-effect transistor, display element, image display device, and system
US10585506B2 (en) 2015-07-30 2020-03-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device with high visibility regardless of illuminance of external light
US9825177B2 (en) 2015-07-30 2017-11-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of a semiconductor device using multiple etching mask
US9911861B2 (en) 2015-08-03 2018-03-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, manufacturing method of the same, and electronic device
US9876946B2 (en) 2015-08-03 2018-01-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device and electronic device
JP6791661B2 (ja) 2015-08-07 2020-11-25 株式会社半導体エネルギー研究所 表示パネル
WO2017029576A1 (en) 2015-08-19 2017-02-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
US9666606B2 (en) 2015-08-21 2017-05-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
JP2017041877A (ja) 2015-08-21 2017-02-23 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、電子部品、および電子機器
US9773919B2 (en) 2015-08-26 2017-09-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
WO2017037564A1 (en) 2015-08-28 2017-03-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor, transistor, and semiconductor device
US9911756B2 (en) 2015-08-31 2018-03-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including transistor and electronic device surrounded by layer having assigned band gap to prevent electrostatic discharge damage
JP2017050537A (ja) 2015-08-31 2017-03-09 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6807683B2 (ja) 2015-09-11 2021-01-06 株式会社半導体エネルギー研究所 入出力パネル
SG10201607278TA (en) 2015-09-18 2017-04-27 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Semiconductor device and electronic device
JP2017063420A (ja) 2015-09-25 2017-03-30 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
WO2017055967A1 (en) 2015-09-30 2017-04-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
WO2017064587A1 (en) 2015-10-12 2017-04-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display panel, input/output device, data processor, and method for manufacturing display panel
WO2017064590A1 (en) 2015-10-12 2017-04-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US9852926B2 (en) 2015-10-20 2017-12-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method for semiconductor device
JP2017102904A (ja) 2015-10-23 2017-06-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置および電子機器
KR20170084020A (ko) 2015-10-23 2017-07-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 전자 기기
US10007161B2 (en) 2015-10-26 2018-06-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
SG10201608814YA (en) 2015-10-29 2017-05-30 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device
US9773787B2 (en) 2015-11-03 2017-09-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, memory device, electronic device, or method for driving the semiconductor device
US9741400B2 (en) 2015-11-05 2017-08-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, memory device, electronic device, and method for operating the semiconductor device
JP6796461B2 (ja) 2015-11-18 2020-12-09 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、コンピュータ及び電子機器
US10170635B2 (en) 2015-12-09 2019-01-01 Ricoh Company, Ltd. Semiconductor device, display device, display apparatus, and system
JP2018032839A (ja) 2015-12-11 2018-03-01 株式会社半導体エネルギー研究所 トランジスタ、回路、半導体装置、表示装置および電子機器
JP6887243B2 (ja) 2015-12-11 2021-06-16 株式会社半導体エネルギー研究所 トランジスタ、半導体装置、電子機器及び半導ウエハ
US11686459B2 (en) 2015-12-15 2023-06-27 Wangs Alliance Corporation LED lighting methods and apparatus
US10330294B2 (en) 2015-12-15 2019-06-25 Wangs Alliance Corporation LED lighting methods and apparatus
US10941924B2 (en) 2015-12-15 2021-03-09 Wangs Alliance Corporation LED lighting methods and apparatus
US10050152B2 (en) 2015-12-16 2018-08-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor, semiconductor device, and electronic device
KR20180095836A (ko) 2015-12-18 2018-08-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 상기 반도체 장치를 포함한 표시 장치
US10177142B2 (en) 2015-12-25 2019-01-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Circuit, logic circuit, processor, electronic component, and electronic device
KR102595042B1 (ko) 2015-12-28 2023-10-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치를 포함하는 표시 장치
JP2017135698A (ja) 2015-12-29 2017-08-03 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、コンピュータ及び電子機器
KR20180099725A (ko) 2015-12-29 2018-09-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 금속 산화물막 및 반도체 장치
JP6851814B2 (ja) 2015-12-29 2021-03-31 株式会社半導体エネルギー研究所 トランジスタ
JP6827328B2 (ja) 2016-01-15 2021-02-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及び電子機器
CN108474106B (zh) 2016-01-18 2021-02-26 株式会社半导体能源研究所 金属氧化物膜、半导体装置以及显示装置
JP6839986B2 (ja) 2016-01-20 2021-03-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US9887010B2 (en) 2016-01-21 2018-02-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, memory device, and driving method thereof
US10411013B2 (en) 2016-01-22 2019-09-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and memory device
US10700212B2 (en) 2016-01-28 2020-06-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, semiconductor wafer, module, electronic device, and manufacturing method thereof
US10115741B2 (en) 2016-02-05 2018-10-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
US10250247B2 (en) 2016-02-10 2019-04-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, electronic component, and electronic device
JP6970511B2 (ja) 2016-02-12 2021-11-24 株式会社半導体エネルギー研究所 トランジスタ
WO2017137869A1 (en) 2016-02-12 2017-08-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device including the semiconductor device
US9954003B2 (en) 2016-02-17 2018-04-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
US10263114B2 (en) 2016-03-04 2019-04-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, method for manufacturing the same, or display device including the same
WO2017149413A1 (en) 2016-03-04 2017-09-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
WO2017149428A1 (en) 2016-03-04 2017-09-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, manufacturing method thereof, and display device including the semiconductor device
JP6904730B2 (ja) 2016-03-08 2021-07-21 株式会社半導体エネルギー研究所 撮像装置
US9882064B2 (en) 2016-03-10 2018-01-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor and electronic device
SG11201807957SA (en) 2016-03-18 2018-10-30 Ricoh Co Ltd Method for manufacturing a field effect transistor
US10096720B2 (en) 2016-03-25 2018-10-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor, semiconductor device, and electronic device
JP6668455B2 (ja) 2016-04-01 2020-03-18 株式会社半導体エネルギー研究所 酸化物半導体膜の作製方法
US10236875B2 (en) 2016-04-15 2019-03-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for operating the semiconductor device
CN109074296B (zh) 2016-04-15 2023-09-12 株式会社半导体能源研究所 半导体装置、电子构件及电子设备
US20170350752A1 (en) * 2016-06-01 2017-12-07 Ventsislav Metodiev Lavchiev Light emitting structures and systems on the basis of group iv material(s) for the ultraviolet and visible spectral ranges
KR102358829B1 (ko) 2016-05-19 2022-02-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 복합 산화물 반도체 및 트랜지스터
KR102296809B1 (ko) 2016-06-03 2021-08-31 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 금속 산화물 및 전계 효과 트랜지스터
KR102330605B1 (ko) 2016-06-22 2021-11-24 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US10411003B2 (en) 2016-10-14 2019-09-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
CN114115609A (zh) 2016-11-25 2022-03-01 株式会社半导体能源研究所 显示装置及其工作方法
US10756118B2 (en) 2016-11-30 2020-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, display module, and electronic device
US11812525B2 (en) 2017-06-27 2023-11-07 Wangs Alliance Corporation Methods and apparatus for controlling the current supplied to light emitting diodes
US11257722B2 (en) 2017-07-31 2022-02-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having oxide containing gallium indium and zinc
JP6782211B2 (ja) * 2017-09-08 2020-11-11 株式会社東芝 透明電極、それを用いた素子、および素子の製造方法
CN110048010A (zh) * 2018-01-15 2019-07-23 京东方科技集团股份有限公司 发光场效应晶体管以及显示面板
JP7143601B2 (ja) * 2018-03-16 2022-09-29 株式会社リコー 電界効果型トランジスタ、表示素子、画像表示装置、及びシステム
JP7293190B2 (ja) 2018-03-16 2023-06-19 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US11610998B2 (en) 2018-07-09 2023-03-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2020240331A1 (ja) 2019-05-31 2020-12-03 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、および当該半導体装置を備えた無線通信装置
CN110534549A (zh) * 2019-08-08 2019-12-03 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 阵列基板、显示面板及阵列基板的制作方法
CN110985903B (zh) 2019-12-31 2020-08-14 江苏舒适照明有限公司 一种灯模组
US11598517B2 (en) 2019-12-31 2023-03-07 Lumien Enterprise, Inc. Electronic module group
CN111503556B (zh) 2020-04-23 2020-11-27 江苏舒适照明有限公司 一种射灯结构
CN111863927B (zh) * 2020-08-21 2023-11-24 京东方科技集团股份有限公司 柔性显示基板和柔性显示装置
US11802682B1 (en) 2022-08-29 2023-10-31 Wangs Alliance Corporation Modular articulating lighting

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1324156A1 (en) * 2001-12-25 2003-07-02 Seiko Epson Corporation Image forming apparatus with an organic electrolumluminescent array exposure head

Family Cites Families (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05251705A (ja) 1992-03-04 1993-09-28 Fuji Xerox Co Ltd 薄膜トランジスタ
JP3066944B2 (ja) 1993-12-27 2000-07-17 キヤノン株式会社 光電変換装置、その駆動方法及びそれを有するシステム
JP3573363B2 (ja) 1994-07-14 2004-10-06 キヤノン株式会社 薄膜半導体太陽電池の製造方法
JP4170454B2 (ja) 1998-07-24 2008-10-22 Ｈｏｙａ株式会社 透明導電性酸化物薄膜を有する物品及びその製造方法
JP3276930B2 (ja) * 1998-11-17 2002-04-22 科学技術振興事業団 トランジスタ及び半導体装置
US6909114B1 (en) * 1998-11-17 2005-06-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having LDD regions
JP2000238332A (ja) * 1999-02-25 2000-09-05 Canon Inc 露光装置及び記録装置
JP2002289859A (ja) * 2001-03-23 2002-10-04 Minolta Co Ltd 薄膜トランジスタ
JP2003037268A (ja) * 2001-07-24 2003-02-07 Minolta Co Ltd 半導体素子及びその製造方法
WO2003040441A1 (en) 2001-11-05 2003-05-15 Japan Science And Technology Agency Natural superlattice homologous single crystal thin film, method for preparation thereof, and device using said single crystal thin film
JP4164562B2 (ja) * 2002-09-11 2008-10-15 独立行政法人科学技術振興機構 ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ
JP2002319682A (ja) * 2002-01-04 2002-10-31 Japan Science & Technology Corp トランジスタ及び半導体装置
JP4242097B2 (ja) * 2002-01-08 2009-03-18 シャープ株式会社 画像形成装置
JP4246949B2 (ja) * 2002-03-25 2009-04-02 株式会社半導体エネルギー研究所 有機薄膜発光トランジスタ
JP2003298062A (ja) 2002-03-29 2003-10-17 Sharp Corp 薄膜トランジスタ及びその製造方法
US7189992B2 (en) 2002-05-21 2007-03-13 State Of Oregon Acting By And Through The Oregon State Board Of Higher Education On Behalf Of Oregon State University Transistor structures having a transparent channel
US7339187B2 (en) 2002-05-21 2008-03-04 State Of Oregon Acting By And Through The Oregon State Board Of Higher Education On Behalf Of Oregon State University Transistor structures
AU2003236143A1 (en) 2002-05-22 2003-12-02 Masashi Kawasaki Semiconductor device and display comprising same
US7067843B2 (en) * 2002-10-11 2006-06-27 E. I. Du Pont De Nemours And Company Transparent oxide semiconductor thin film transistors
US7250930B2 (en) 2003-02-07 2007-07-31 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Transparent active-matrix display
US20050017244A1 (en) * 2003-07-25 2005-01-27 Randy Hoffman Semiconductor device
CN1998087B (zh) 2004-03-12 2014-12-31 独立行政法人科学技术振兴机构 非晶形氧化物和薄膜晶体管
US7642573B2 (en) 2004-03-12 2010-01-05 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Semiconductor device
US8314420B2 (en) 2004-03-12 2012-11-20 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Semiconductor device with multiple component oxide channel
US7145174B2 (en) * 2004-03-12 2006-12-05 Hewlett-Packard Development Company, Lp. Semiconductor device
US7250627B2 (en) 2004-03-12 2007-07-31 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Semiconductor device
US7242039B2 (en) 2004-03-12 2007-07-10 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Semiconductor device
US7297977B2 (en) 2004-03-12 2007-11-20 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Semiconductor device
US7282782B2 (en) 2004-03-12 2007-10-16 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Combined binary oxide semiconductor device
US7211825B2 (en) * 2004-06-14 2007-05-01 Yi-Chi Shih Indium oxide-based thin film transistors and circuits
US7791072B2 (en) 2004-11-10 2010-09-07 Canon Kabushiki Kaisha Display
RU2399989C2 (ru) 2004-11-10 2010-09-20 Кэнон Кабусики Кайся Аморфный оксид и полевой транзистор с его использованием
US7863611B2 (en) 2004-11-10 2011-01-04 Canon Kabushiki Kaisha Integrated circuits utilizing amorphous oxides
WO2006051994A2 (en) 2004-11-10 2006-05-18 Canon Kabushiki Kaisha Light-emitting device
US7868326B2 (en) 2004-11-10 2011-01-11 Canon Kabushiki Kaisha Field effect transistor
JP2007264214A (ja) * 2006-03-28 2007-10-11 Fuji Xerox Co Ltd 電子写真感光体、プロセスカートリッジ、画像形成装置、及びコーティング剤組成物

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1324156A1 (en) * 2001-12-25 2003-07-02 Seiko Epson Corporation Image forming apparatus with an organic electrolumluminescent array exposure head

Non-Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
M. Orita, H.Ohta, M.Hirano.Amorphous transparent conductive Oxide InGaO3(ZnO)m(m≤4):a Zn4s conductor.Philosophical Magazine B81 5.2001,81(5),501-515.
M. Orita, H.Ohta, M.Hirano.Amorphous transparent conductive Oxide InGaO3(ZnO)m(m≤4):a Zn4s conductor.Philosophical Magazine B81 5.2001,81(5),501-515. *
Satoru Narushima, Hiroshi Mizoguchi, Ken-ichi Shimizu,Kazushige Ueda, Hiromichi Ohta, Masahiro Hirano, ToshioKamiya, and Hideo Hosono.A p-Type Amorphous Oxide Semiconductor and RoomTemperature Fabrication of Amorphous Oxide p-nHeterojunction Diodes.Advanced Materials15 17.2003,15(17),1409-1413.
Satoru Narushima, Hiroshi Mizoguchi, Ken-ichi Shimizu,Kazushige Ueda, Hiromichi Ohta, Masahiro Hirano, ToshioKamiya, and Hideo Hosono.A p-Type Amorphous Oxide Semiconductor and RoomTemperature Fabrication of Amorphous Oxide p-nHeterojunction Diodes.Advanced Materials15 17.2003,15(17),1409-1413. *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8912541B2 (en) 2009-08-07 2014-12-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same

Also Published As

Publication number Publication date
CA2585063C (en) 2013-01-15
WO2006051994A2 (en) 2006-05-18
AU2005302963A1 (en) 2006-05-18
AU2005302963B2 (en) 2009-07-02
BRPI0517562A (pt) 2008-10-14
RU2358354C2 (ru) 2009-06-10
US20060113549A1 (en) 2006-06-01
CA2585063A1 (en) 2006-05-18
US8212252B2 (en) 2012-07-03
WO2006051994A3 (en) 2006-07-06
KR20070085879A (ko) 2007-08-27
KR100953596B1 (ko) 2010-04-21
KR20090106591A (ko) 2009-10-09
EP1810335B1 (en) 2020-05-27
US20110017996A1 (en) 2011-01-27
US7872259B2 (en) 2011-01-18
CN101057333A (zh) 2007-10-17
JP2006186319A (ja) 2006-07-13
JP5118811B2 (ja) 2013-01-16
RU2007121701A (ru) 2008-12-20
EP1810335A2 (en) 2007-07-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101057333B (zh) 发光器件
CN101467257B (zh) 发光器件及包含该发光器件的图像显示装置
JP4732080B2 (ja) 発光素子
CN101548383B (zh) 使用氧化物半导体的显示设备及其制造方法
CN101405869B (zh) 薄膜晶体管、显示器件氧化物半导体和具有氧浓度梯度的栅电介质
JP5339792B2 (ja) 薄膜電界効果型トランジスタ、その製造方法、およびそれを用いた表示装置
CN101641794A (zh) 有机电致发光显示装置和图案形成方法
CN101681928A (zh) 使用氧化物半导体的薄膜晶体管的制造方法
JP2010530634A (ja) 酸化物半導体及びそれを含む薄膜トランジスタ
KR101496150B1 (ko) 산화물 반도체 및 이를 포함하는 박막 트랜지스터
CN104347813B (zh) 晶体管、制造晶体管的方法和包括晶体管的电子装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
EE01 Entry into force of recordation of patent licensing contract

Application publication date: 20071017

Assignee: BOE Technology Group Co., Ltd.

Assignor: Independent Administrative Corporation Japan Science & Tech Corp.

Contract record no.: 2012990000753

Denomination of invention: Electroluminescent device for reversible generation and removal of images by light radiation

Granted publication date: 20111116

License type: Common License

Record date: 20121015

LICC Enforcement, change and cancellation of record of contracts on the licence for exploitation of a patent or utility model