JP2015079946A - 半導体装置の作製方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板上に熱化学気相成長法によって、単一の金属元素を構成元素として含む第1の酸化物半導体層を形成し、第1の酸化物半導体層上に、第1の酸化物半導体層を種結晶としてエピタキシャル成長させた2以上の金属元素を構成元素として含む第2の酸化物半導体層を連続的に形成する。また、該第2の酸化物半導体層にチャネルが形成される。
【選択図】図1
Description
本実施の形態では、本発明の一態様の半導体装置に適用可能な酸化物半導体層の形成方法について、図面を参照して説明する。
以下では、本発明の一態様に係る酸化物半導体層およびそれに接する絶縁層の形成方法の例について、図1および図2を参照して説明する。
本実施の形態では、本発明の一態様に係る酸化物半導体層などを成膜することが可能な製造装置の具体例について説明する。
本実施の形態では、実施の形態1に示した積層構造を有する、本発明の一態様に係るトランジスタの構造について説明する。
図5(A)および図5(B)は、本発明の一態様のトランジスタ450の平面図および断面図である。図5(A)は平面図であり、図5(B)は、図5(A)に示す一点鎖線A1−A2、および一点鎖線A3−A4に対応する断面図である。なお、図5(A)の平面図では、図の明瞭化のために一部の要素を省いて図示している。
まずは、CAAC−OS層について説明する。なお、CAAC−OS層を、CANC(C−Axis Aligned nanocrystals)を有する酸化物半導体層と呼ぶこともできる。
次に、微結晶酸化物半導体層について説明する。
次に、非晶質酸化物半導体層について説明する。
なお、酸化物半導体層は、nc−OS層と非晶質酸化物半導体層との間の構造を有する場合がある。そのような構造を有する酸化物半導体層を、特に非晶質ライク酸化物半導体(a−like OS:amorphous−like Oxide Semiconductor)層と呼ぶ。
以下では、トランジスタ450の作製方法について、説明する。なお、先の実施の形態と同様の構成については、実施の形態1または実施の形態2を参酌することができるため、一部記載を省略することがある。
また、図6に示すトランジスタ460のように絶縁層410と第2の酸化物半導体層406の間に第3の酸化物半導体層407を配置しても構わない。第3の酸化物半導体層407としては、第2の酸化物半導体層406と同様の材料を適用することができる。ただし、第3の酸化物半導体層407は、酸化物半導体と異なる構成元素(例えばシリコン)を有しうる絶縁層410と接するため、第3の酸化物半導体層407と絶縁層410との界面に異種接合、不純物の混入等に起因した界面準位が形成される場合がある。したがって、トランジスタの電気特性を安定化させるためには第2の酸化物半導体層406にチャネルが形成されることが好ましい。よって、第3の酸化物半導体層407には、第2の酸化物半導体層406よりも電子親和力の小さい材料を用いることが好ましい。
図7(A)および図7(B)は、本発明の一態様のトランジスタ550の平面図および断面図である。図7(A)は平面図であり、図7(B)は、図7(A)に示す一点鎖線B1−B2、および一点鎖線B3−B4に対応する断面図である。なお、図7(A)の平面図では、図の明瞭化のために一部の要素を省いて図示している。
また、図7に示すトランジスタにおいて、絶縁層510と第2の酸化物半導体層506との間に第3の酸化物半導体層を配置しても構わない。該第3の酸化物半導体層は第3の酸化物半導体層407についての記載を参酌することができる。なお、そのほかの構成については、図7に示したトランジスタについての記載を参酌することができる。
図8(A)および図8(B)は、本発明の一態様のトランジスタ650の平面図および断面図である。図8(A)は平面図であり、図8(B)は、図8(A)に示す一点鎖線C1−C2、および一点鎖線C3−C4に対応する断面図である。なお、図8(A)の平面図では、図の明瞭化のために一部の要素を省いて図示している。
本実施の形態では、本発明の一態様に係る半導体装置を例示する。
以下では、本発明の一態様のトランジスタを利用した回路の一例について説明する。
図9(A)に本発明の一態様の半導体装置の断面図を示す。図9(A)に示す半導体装置は、下部に第1の半導体を用いたトランジスタ2200を有し、上部に第2の半導体を用いたトランジスタ2100を有している。図9(A)では、第2の半導体を用いたトランジスタ2100として、図5で例示したトランジスタを適用した例を示している。なお、トランジスタ2100として、実施の形態3で例示した他の構成を有するトランジスタを適用してもよい。
上記回路において、トランジスタ2100やトランジスタ2200の電極の接続を異ならせることにより、様々な回路を構成することができる。以下では、本発明の一態様の半導体装置を用いることにより実現できる回路構成の例を説明する。
図9(B)に示す回路図は、pチャネル型のトランジスタ2200とnチャネル型のトランジスタ2100を直列に接続し、かつそれぞれのゲートを接続した、いわゆるCMOS回路の構成を示している。
また、図9(C)に示す回路図は、トランジスタ2100とトランジスタ2200のそれぞれのソースとドレインを接続した構成を示している。このような構成とすることで、いわゆるアナログスイッチとして機能させることができる。
本発明の一態様に係るトランジスタを用いた、電力が供給されない状況でも記憶内容の保持が可能で、かつ、書き込み回数にも制限が無い半導体装置(記憶装置)の一例を図10に示す。
以下では、上述したトランジスタ、または記憶装置を含むRFタグについて、図11を用いて説明する。
以下では、本発明の一態様に係るRFタグの使用例について図12を用いて説明する。RFタグの用途は広範にわたるが、例えば、紙幣、硬貨、有価証券類、無記名債券類、証書類(運転免許証や住民票等、図12(A)参照。)、記録媒体(DVDやビデオテープ等、図12(B)参照。)、包装用容器類(包装紙やボトル等、図12(C)参照。)、乗り物類(自転車等、図12(D)参照。)、身の回り品(鞄や眼鏡等)、食品類、植物類、動物類、人体、衣類、生活用品類、薬品や薬剤を含む医療品、または電子機器(液晶表示装置、EL表示装置、テレビジョン装置、または携帯電話)等の物品、もしくは各物品に取り付ける荷札(図12(E)および図12(F)参照。)等に設けて使用することができる。
以下では、上述したトランジスタや上述した記憶装置などの半導体装置を含むCPUについて説明する。
以下では、上述したトランジスタなどの半導体装置を含む表示パネルについて説明する。
表示パネルの一態様として、液晶パネルの画素の回路構成の一例を図15(B)に示す。ここでは、VA型液晶表示パネルの画素に適用することができる画素回路を示す。
表示パネルの他の一態様として、有機ELパネルの画素の回路構成の一例を図15(C)に示す。
本発明の一態様に係る半導体装置は、表示機器、パーソナルコンピュータ、記録媒体を備えた画像再生装置(代表的にはDVD:Digital Versatile Disc等の記録媒体を再生し、その画像を表示しうるディスプレイを有する装置)に用いることができる。その他に、本発明の一態様に係る半導体装置を用いることができる電子機器として、携帯電話、携帯型を含むゲーム機、携帯データ端末、電子書籍、ビデオカメラ、デジタルスチルカメラ等のカメラ、ゴーグル型ディスプレイ(ヘッドマウントディスプレイ)、ナビゲーションシステム、音響再生装置(カーオーディオ、デジタルオーディオプレイヤー等)、複写機、ファクシミリ、プリンタ、プリンタ複合機、現金自動預け入れ払い機(ATM)、自動販売機などが挙げられる。これら電子機器の具体例を図16に示す。
102 第1の絶縁層
104 第1の酸化物半導体層
106 第2の酸化物半導体層
110 第2の絶縁層
302 ロード室
303 前処理室
304 処理室
305 処理室
306 アンロード室
307 搬送ユニット
310 搬送室
318 排気装置
319 基板ホルダ
320 基板
321 部材
322 流量制御器
323 原料供給部
324 流量制御器
325 原料供給部
326 流量制御器
327 原料供給部
328 流量制御器
329 原料供給部
331 処理室
400 基板
402 絶縁層
404 第1の酸化物半導体層
406 第2の酸化物半導体層
407 第3の酸化物半導体層
408a ソース電極層
408b ドレイン電極層
410 絶縁層
412 ゲート電極層
413 ゲート電極層
414 絶縁層
450 トランジスタ
460 トランジスタ
500 基板
502 絶縁層
504 第1の酸化物半導体層
506 第2の酸化物半導体層
510 絶縁層
512 ゲート電極層
513 ゲート電極層
514 絶縁層
516a ソース電極層
516b ドレイン電極層
518a 導電層
518b 導電層
550 トランジスタ
600 基板
602 絶縁層
604 第1の酸化物半導体層
606 第2の酸化物半導体層
608a ソース電極層
608b ドレイン電極層
610 絶縁層
612 ゲート電極層
650 トランジスタ
700 基板
701 画素部
702 走査線駆動回路
703 走査線駆動回路
704 信号線駆動回路
710 容量配線
712 ゲート配線
713 ゲート配線
714 ドレイン電極層
716 トランジスタ
717 トランジスタ
718 液晶素子
719 液晶素子
720 画素
721 スイッチング用トランジスタ
722 駆動用トランジスタ
723 容量素子
724 発光素子
725 信号線
726 走査線
727 電源線
728 共通電極
800 RFタグ
801 通信器
802 アンテナ
803 無線信号
804 アンテナ
805 整流回路
806 定電圧回路
807 復調回路
808 変調回路
809 論理回路
810 記憶回路
811 ROM
901 筐体
902 筐体
903 表示部
904 表示部
905 マイクロフォン
906 スピーカー
907 操作キー
908 スタイラス
911 筐体
912 筐体
913 表示部
914 表示部
915 接続部
916 操作キー
921 筐体
922 表示部
923 キーボード
924 ポインティングデバイス
931 筐体
932 冷蔵室用扉
933 冷凍室用扉
941 筐体
942 筐体
943 表示部
944 操作キー
945 レンズ
946 接続部
951 車体
952 車輪
953 ダッシュボード
954 ライト
1189 ROMインターフェース
1190 基板
1191 ALU
1192 ALUコントローラ
1193 インストラクションデコーダ
1194 インタラプトコントローラ
1195 タイミングコントローラ
1196 レジスタ
1197 レジスタコントローラ
1198 バスインターフェース
1199 ROM
1200 記憶素子
1201 回路
1202 回路
1203 スイッチ
1204 スイッチ
1206 論理素子
1207 容量素子
1208 容量素子
1209 トランジスタ
1210 トランジスタ
1213 トランジスタ
1214 トランジスタ
1220 回路
2100 トランジスタ
2200 トランジスタ
2201 絶縁層
2202 導電層
2203 導電層
2204 絶縁層
2205 導電層
2206 導電層
2207 絶縁層
2208 絶縁層
2211 半導体基板
2212 絶縁層
2215 ソース−ドレイン領域
3001 配線
3002 配線
3003 配線
3004 配線
3005 配線
3200 トランジスタ
3300 トランジスタ
3400 容量素子
4000 RFタグ
5120 基板
Claims (11)
- 基板上に熱化学気相成長法によって、単一の金属元素を構成元素として含む第1の酸化物半導体層を形成し、
前記第1の酸化物半導体層を種結晶としてエピタキシャル成長させた2以上の金属元素を構成元素として含む第2の酸化物半導体層を連続的に形成する半導体装置の作製方法。 - 基板上に有機金属気相成長法によって、単一の金属元素を構成元素として含む第1の酸化物半導体層を形成し、
前記第1の酸化物半導体層を種結晶としてエピタキシャル成長させた2以上の金属元素を構成元素として含む第2の酸化物半導体層を連続的に形成する半導体装置の作製方法。 - 請求項1または2において、
前記第1の酸化物半導体層および前記第2の酸化物半導体層を同一の成膜室内で形成する半導体装置の作製方法。 - 基板上に熱化学気相成長法によって単一の金属元素を構成元素として含む第1の酸化物半導体層を形成し、
前記第1の酸化物半導体層を種結晶としてエピタキシャル成長させた2以上の金属元素を構成元素として含む第2の酸化物半導体層を連続的に形成し、
前記第2の酸化物半導体層と電気的に接続するソース電極層およびドレイン電極層を形成し、
前記第2の酸化物半導体層と接するゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層を介して前記第2の酸化物半導体層と対向するゲート電極層を形成する半導体装置の作製方法。 - 基板上にゲート電極層を形成し、
前記ゲート電極層と接するゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層を介して前記ゲート電極層と対向する位置に、熱化学気相成長法によって単一の金属元素を構成元素として含む第1の酸化物半導体層を形成し、
前記第1の酸化物半導体層を種結晶としてエピタキシャル成長させた2以上の金属元素を構成元素として含む第2の酸化物半導体層を連続的に形成し、
前記第2の酸化物半導体層と電気的に接続するソース電極層およびドレイン電極層を形成する半導体装置の作製方法。 - 請求項4または5において、
前記熱化学気相成長法として、有機金属気相成長法を適用する半導体装置の作製方法。 - 請求項1乃至6のいずれか一において、
前記第1の酸化物半導体層の膜厚を、0.1原子層以上20原子層以下とする半導体装置の作製方法。 - 請求項1乃至7のいずれか一において、
前記第2の酸化物半導体層として、前記第1の酸化物半導体層よりも電子親和力が大きい領域を有する膜を形成する半導体装置の作製方法。 - 請求項1乃至8のいずれか一において、
前記第1の酸化物半導体層として、表面に六方晶の結晶構造を有する酸化亜鉛層を形成する半導体装置の作製方法。 - 請求項1乃至9のいずれか一において、
前記第2の酸化物半導体層として、In−M−Zn(Mは、Al、Ti、Ga、Y、Zr、La、Ce、Nd、またはHf)酸化物層を形成する半導体装置の作製方法。 - 請求項1乃至10のいずれか一において、
前記第1の酸化物半導体層および前記第2の酸化物半導体層の成膜温度を400℃以上800℃以下とする半導体装置の作製方法。
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