JP2006100760A - 薄膜トランジスタおよびその製造方法 - Google Patents

薄膜トランジスタおよびその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2006100760A
JP2006100760A JP2004378476A JP2004378476A JP2006100760A JP 2006100760 A JP2006100760 A JP 2006100760A JP 2004378476 A JP2004378476 A JP 2004378476A JP 2004378476 A JP2004378476 A JP 2004378476A JP 2006100760 A JP2006100760 A JP 2006100760A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
thin film
semiconductor thin
insulating film
electrode
film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2004378476A
Other languages
English (en)
Inventor
Hiromitsu Ishii
裕満 石井
Kazushi Hokari
一志 保苅
Motohiko Yoshida
基彦 吉田
Ikuhiro Yamaguchi
郁博 山口
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Casio Computer Co Ltd
Original Assignee
Casio Computer Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Casio Computer Co Ltd filed Critical Casio Computer Co Ltd
Priority to JP2004378476A priority Critical patent/JP2006100760A/ja
Priority to US11/219,171 priority patent/US7385224B2/en
Priority to TW094130031A priority patent/TWI302033B/zh
Priority to KR1020077004614A priority patent/KR101192071B1/ko
Priority to EP10009733.6A priority patent/EP2264770A3/en
Priority to PCT/JP2005/016566 priority patent/WO2006025609A2/en
Priority to CN2005800296495A priority patent/CN101032027B/zh
Priority to EP05778343A priority patent/EP1787333A2/en
Publication of JP2006100760A publication Critical patent/JP2006100760A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
    • H01L29/7869—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film having a semiconductor body comprising an oxide semiconductor material, e.g. zinc oxide, copper aluminium oxide, cadmium stannate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
    • H01L29/417—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions carrying the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/41725—Source or drain electrodes for field effect devices
    • H01L29/41733—Source or drain electrodes for field effect devices for thin film transistors with insulated gate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
    • H01L29/45—Ohmic electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
    • H01L29/45—Ohmic electrodes
    • H01L29/456—Ohmic electrodes on silicon
    • H01L29/458—Ohmic electrodes on silicon for thin film silicon, e.g. source or drain electrode
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
    • H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
    • H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
    • H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
    • H01L29/66477—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET
    • H01L29/66742—Thin film unipolar transistors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
    • H01L29/66969—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies not comprising group 14 or group 13/15 materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
    • H01L29/78606—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device
    • H01L29/78618—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device characterised by the drain or the source properties, e.g. the doping structure, the composition, the sectional shape or the contact structure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
    • H01L29/78696—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film characterised by the structure of the channel, e.g. multichannel, transverse or longitudinal shape, length or width, doping structure, or the overlap or alignment between the channel and the gate, the source or the drain, or the contacting structure of the channel

Abstract

【課題】 真性酸化亜鉛からなる半導体薄膜を有する薄膜トランジスタの製造に際し、加工精度を良くする。
【解決手段】 まず、真性酸化亜鉛からなる半導体薄膜８の上面全体に保護膜９を形成し、その上に上層絶縁膜１２を成膜する。次に、上層絶縁膜１２および保護膜９にコンタクトホール１０、１１を形成する。この場合、チャネル長Ｌは２つのコンタクトホール１０、１１間の間隔により決定され、チャネル幅Ｗはコンタクトホール１０、１１の所定方向の寸法により決定される。これにより、半導体薄膜８にサイドエッチングがやや生じても、チャネル長Ｌおよびチャネル幅Ｗに寸法変化が生じることはない。
【選択図】 図１

Description

この発明は薄膜トランジスタおよびその製造方法に関する。
例えば、アクティブマトリクス型液晶表示素子のスイッチング素子として用いられる薄膜トランジスタには、絶縁基板の上面にゲート電極が設けられ、ゲート電極を含む絶縁基板の上面にゲート絶縁膜が設けられ、ゲート電極上におけるゲート絶縁膜の上面に真性アモルファスシリコンからなる半導体薄膜が設けられ、半導体薄膜の上面中央部にチャネル保護膜が設けられ、チャネル保護膜の上面両側およびその両側における半導体薄膜の上面にｎ型アモルファスシリコンからなるオーミックコンタクト層が設けられ、各オーミックコンタクト層の上面にソース・ドレイン電極が設けられたものがある（例えば、特許文献１参照）。
特開平５−６７７８６号公報（図２）
ところで、最近では、アモルファスシリコンの代わりに、それよりも高い移動度が得られることから、酸化亜鉛（ＺｎＯ）を用いることが考えられている。このような酸化亜鉛を用いた薄膜トランジスタの製造方法としては、例えば、ゲート絶縁膜上に真性酸化亜鉛からなる半導体薄膜形成用層を成膜し、半導体薄膜形成用層の上面に窒化シリコンからなるチャネル保護膜をパターン形成し、チャネル保護膜を含む半導体薄膜形成用層の上面にｎ型酸化亜鉛からなるオーミックコンタクト層形成用層を成膜し、オーミックコンタクト層形成用層および半導体薄膜形成用層を連続してパターニングして、デバイスエリアにオーミックコンタクト層および半導体薄膜を形成し、各オーミックコンタクト層の上面にソース・ドレイン電極をパターン形成することが考えられる。
しかしながら、上記製造方法では、酸化亜鉛が酸にもアルカリにも溶けやすく、エッチング耐性が極めて低いため、デバイスエリアに形成された酸化亜鉛からなる半導体薄膜およびオーミックコンタクト層に後工程で比較的大きなサイドエッチングが生じ、加工精度が悪くなってしまうということが分かった。
そこで、この発明は、加工精度を良くすることができる薄膜トランジスタおよびその製造方法を提供することを目的とする。
この発明は、上記目的を達成するため、例えば、半導体薄膜と、該半導体薄膜の一面に形成されたゲート絶縁膜と、該ゲート絶縁膜を介して前記半導体薄膜に対向して形成されたゲート電極と、前記半導体薄膜に電気的に接続されたソース電極およびドレイン電極を有する薄膜トランジスタであって、前記半導体薄膜の周辺部上に、該半導体薄膜の端面と同一形状の端面を有する絶縁膜が形成され、該絶縁膜から露出された前記半導体薄膜に前記ソース電極および前記ドレイン電極が接続されていることを特徴とするものである。
この発明によれば、半導体薄膜の周辺部上に、該半導体薄膜の端面と同一形状の端面を有する絶縁膜を形成し、該絶縁膜から露出された半導体薄膜上にソース電極およびドレイン電極を接続させることにより、半導体薄膜にサイドエッチングがやや生じても支障がなく、加工精度を良くすることができる。
（第１実施形態）
図１（Ａ）はこの発明の第１実施形態としての薄膜トランジスタを備えた液晶表示素子の要部の透過平面図を示し、図１（Ｂ）は図１（Ａ）のＢ−Ｂ線に沿う断面図を示す。この液晶表示素子はガラス基板１を備えている。ガラス基板１の上面には、マトリクス状に配置された複数の画素電極２と、各画素電極２に接続された薄膜トランジスタ３と、行方向に配置され、各薄膜トランジスタ３に走査信号を供給する走査ライン４と、列方向に配置され、各薄膜トランジスタ３にデータ信号を供給するデータライン５とが設けられている。
すなわち、ガラス基板１の上面の所定の箇所にはクロムやアルミニウム系金属等からなるゲート電極６を含む走査ライン４が設けられている。ゲート電極６および走査ライン４を含むガラス基板１の上面には窒化シリコンからなるゲート絶縁膜７が設けられている。ゲート電極６上におけるゲート絶縁膜７の上面の所定の箇所には真性酸化亜鉛からなる半導体薄膜８が設けられている。
半導体薄膜８のチャネル領域に対応する上面中央部および周辺部には窒化シリコンからなる保護膜（絶縁膜）９が、半導体薄膜８のチャネル領域上に形成された中央部（中央絶縁膜）および半導体薄膜８の周辺部上に形成されたチャネル方向の端面ａと同一形状の端面ｂを有する周辺部を有するほぼ日字状（図６（Ａ）参照）に設けられている。すなわち、半導体薄膜８の上面中央部および周辺部を除く領域における保護膜９には２つのコンタクトホール１０、１１が設けられている。
保護膜９および半導体薄膜８を含むゲート絶縁膜７の上面には窒化シリコンからなる上層絶縁膜１２が設けられている。この場合、上層絶縁膜１２には、保護膜９のコンタクトホール１０、１１に連続するコンタクトホール１０、１１が設けられている。
一方のコンタクトホール１０を介して露出された半導体薄膜８のソース領域の上面およびその近傍の上層絶縁膜１２の上面にはｎ型酸化亜鉛からなる一方のオーミックコンタクト層１３が設けられている。他方のコンタクトホール１１を介して露出された半導体薄膜８のドレイン領域の上面およびその近傍の上層絶縁膜１２の上面にはｎ型酸化亜鉛からなる他方のオーミックコンタクト層１４が設けられている。
一方のオーミックコンタクト層１３の上面およびその近傍の上層絶縁膜１２の上面にはクロム、アルミニウム系金属、ＩＴＯ等からなるソース電極１５が設けられている。他方のオーミックコンタクト層１４の上面および上層絶縁膜１２の上面の所定の箇所にはクロム、アルミニウム系金属、ＩＴＯ等からなるドレイン電極１６を含むデータライン５が設けられている。この場合、各オーミックコンタクト層１３、１４はソース電極１５およびドレイン電極１６によって完全に覆われている。
ここで、ゲート電極６、ゲート絶縁膜７、半導体薄膜８、保護膜９、オーミックコンタクト層１３、１４、ソース電極１５およびドレイン電極１６により、薄膜トランジスタ３が構成されている。
そして、２つのコンタクトホール１０、１１間における保護膜９によって覆われた半導体薄膜８の図１（Ａ）における左右方向の寸法つまり２つのコンタクトホール１０、１１間の間隔がチャネル長Ｌとなっている。また、例えば、他方のオーミックコンタクト層１４を含むドレイン電極１６と半導体薄膜８との接続部分つまり他方のコンタクトホール１１の図１（Ａ）における上下方向（２つのコンタクトホール１０、１１間の間隔に直交する方向）の寸法がチャネル幅Ｗとなっている。
薄膜トランジスタ３等を含むゲート絶縁膜７の上面には窒化シリコンからなるオーバーコート膜１７が設けられている。オーバーコート膜１７の上面の所定の箇所にはＩＴＯ等の透明導電材料からなる画素電極２が設けられている。画素電極２は、オーバーコート膜１７の所定の箇所に設けられたコンタクトホール１８を介してソース電極１５に接続されている。
次に、この液晶表示素子における薄膜トランジスタ３の部分の製造方法の一例について説明する。まず、図２（Ａ）、（Ｂ）に示すように、ガラス基板１の上面の所定の箇所に、スパッタ法により成膜されたクロムやアルミニウム系金属等からなる金属層をフォトリソグラフィ法によりパターニングすることにより、ゲート電極６を含む走査ライン４を形成する。
次に、ゲート電極６および走査ライン４を含むガラス基板１の上面に、プラズマＣＶＤ法により、窒化シリコンからなるゲート絶縁膜７、真性酸化亜鉛からなる半導体薄膜形成用層８ａおよび窒化シリコンからなる保護膜形成用層９ａを連続して成膜する。次に、保護膜形成用層９ａの上面に、フォトリソグラフィ法により、デバイスエリア形成用のレジストパターン２１を形成する。
次に、レジストパターン２１をマスクとして、保護膜形成用層９ａをエッチングすると、図３（Ａ）、（Ｂ）に示すように、レジストパターン２１下に保護膜９が形成される。この場合、レジストパターン２１下以外の領域における半導体薄膜形成用層８ａの表面が露出される。そこで、窒化シリコンからなる保護膜形成用層９ａのエッチング方法としては、保護膜形成用層９ａのエッチング速度は速いが、真性酸化亜鉛からなる半導体薄膜形成用層８ａをなるべく侵さないようにするために、六フッ化イオウ（ＳＦ6）を用いた反応性プラズマエッチング（ドライエッチング）が好ましい。
次に、レジストパターン２１をレジスト剥離液を用いて剥離する。この場合、保護膜９下以外の領域における半導体薄膜形成用層８ａの表面がレジスト剥離液に曝されるが、この曝された部分はデバイスエリア以外であるので、別に支障はない。
次に、保護膜９をマスクとして、半導体薄膜形成用層８ａをエッチングすると、図４（Ａ）、（Ｂ）に示すように、保護膜９下に半導体薄膜８が形成される。この場合、真性酸化亜鉛からなる半導体薄膜形成用層８ａのエッチング液としては、アルカリ水溶液を用いる。例えば、水酸化ナトリウム（ＮａＯＨ）３０ｗｔ％未満水溶液、好ましくは２〜１０ｗｔ％水溶液を用いる。エッチング液の温度は、５〜４０℃、好ましくは室温（２２〜２３℃）とする。
そして、エッチング液として水酸化ナトリウム（ＮａＯＨ）５ｗｔ％水溶液（温度は室温（２２〜２３℃））を用いたところ、エッチング速度は約８０ｎｍ／分であった。ところで、エッチング速度は、加工の制御性を考慮した場合、余り大きいと膜厚や密度等のばらつきの要因のためエッチング終了の制御が難しく、勿論、小さすぎれば生産性が低下する。そこで、エッチング速度は、一般的に、１００〜２００ｎｍ／分程度が好ましいと言われている。、エッチング速度が約８０ｎｍ／分の水酸化ナトリウム（ＮａＯＨ）５ｗｔ％水溶液は、一応、満足できる範囲と言える。
しかし、更に、生産効率を上げるために、ナトリウムの濃度を大きくしてもよい。また、エッチング液としてリン酸水溶液等の速度が大きいものを使用する場合、０．０５％程度と極めて低濃度にしなければならないが、このように低濃度のものを用いる場合、使用時における変質速度が大きいので、やはり制御が困難となる。従って、水酸化ナトリウム水溶液の場合、３０ｗｔ％未満水溶液、好ましくは２〜１０ｗｔ％程度の水溶液を適用することができるので、このような面で極めて有効である。
次に、図５（Ａ）、（Ｂ）に示すように、保護膜９を含むゲート絶縁膜７の上面に、プラズマＣＶＤ法により、窒化シリコンからなる上層絶縁膜１２を成膜する。次に、上層絶縁膜１２の上面に、フォトリソグラフィ法により、コンタクトホール形成用のレジストパターン２２を形成する。
次に、レジストパターン２２をマスクとして、上層絶縁膜１２および保護膜９を連続してエッチングすると、図６（Ａ）、（Ｂ）に示すように、上層絶縁膜１２および保護膜９の所定の箇所に２つのコンタクトホール１０、１１が連続して形成される。この場合、上層絶縁膜１２および保護膜９にコンタクトホール１０、１１を連続して形成するため、上層絶縁膜１２の材料は、保護膜９の材料と同じであることが好ましく、この実施形態では窒化シリコンである。
また、この場合、コンタクトホール１０、１１内における真性酸化亜鉛からなる半導体薄膜形成用層８ａの表面が露出される。したがって、窒化シリコンからなる上層絶縁膜１２および保護膜９にコンタクトホール１０、１１を形成するためのエッチング方法としては、上記と同様に、六フッ化イオウ（ＳＦ6）を用いた反応性プラズマエッチング（ドライエッチング）が好ましい。
次に、レジストパターン２２をレジスト剥離液を用いて剥離する。ここで、レジスト剥離液として、酸性もアルカリ性も呈さない（電解質を含まない）もの、例えば、単一の有機溶媒（例えばジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ））を用いても、レジスト剥離を良好に行えることは、発明者において確認されている。しかも、このようなレジスト剥離液は、コンタクトホール１０、１１を介して露出された半導体薄膜８の上面を全く侵さないため、ここではこのようなレジスト剥離液を用いる。
ここで、２つのコンタクトホール１０、１１間の間隔がチャネル長Ｌとなり、当該間隔に直交する方向におけるコンタクトホール１０、１１の寸法がチャネル幅Ｗとなる。この場合、半導体薄膜８の上面周辺部は保護膜９によって覆われている。したがって、図４（Ａ）、（Ｂ）に示す工程において、半導体薄膜８にサイドエッチングがやや生じたとしても、チャネル長Ｌおよびチャネル幅Ｗに影響を与えることはない。
次に、図７（Ａ）、（Ｂ）に示すように、コンタクトホール１０、１１を介して露出された半導体薄膜８の上面を含む上層絶縁膜１２の上面に、プラズマＣＶＤ法により、ｎ型酸化亜鉛からなるオーミックコンタクト層形成用層２３を成膜する。次に、オーミックコンタクト層形成用層２３の上面に、フォトリソグラフィ法により、オーミックコンタクト層形成用のレジストパターン２４を形成する。
次に、レジストパターン２４をマスクとして、オーミックコンタクト層形成用層２３をエッチングすると、図８（Ａ）、（Ｂ）に示すように、レジストパターン２４下にオーミックコンタクト層１３、１４が形成される。この場合、オーミックコンタクト層形成用層２３はｎ型酸化亜鉛によって形成されているため、エッチング液として上記水酸化ナトリウム水溶液を用いると、加工の制御性を良好とすることができる。
次に、レジストパターン２４をレジスト剥離液を用いて剥離する。この場合、コンタクトホール１０、１１はオーミックコンタクト層１３、１４によって完全に覆われている。したがって、オーミックコンタクト層形成用層２３を成膜した後においては、半導体薄膜８はレジスト剥離液等に曝されることはなく、完全に保護されている。これにより、加工精度を良くすることができる。また、この場合、オーミックコンタクト層１３、１４の表面が露出される。したがって、この場合のレジスト剥離液としては、酸性もアルカリ性も呈さない（電解質を含まない）もの、例えば、単一の有機溶媒（例えばジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ））を用いる。
次に、図９（Ａ）、（Ｂ）に示すように、オーミックコンタクト層１３、１４を含む上層絶縁膜１２の上面に、スパッタ法により、クロム、アルミニウム系金属、ＩＴＯ等からなるソース・ドレイン電極等形成用層２５を成膜する。次に、ソース・ドレイン電極等形成用層２５の上面に、フォトリソグラフィ法により、ソース・ドレイン電極等形成用のレジストパターン２６を形成する。
次に、レジストパターン２６をマスクとして、ソース・ドレイン電極等形成用層２５をエッチングすると、図１０（Ａ）、（Ｂ）に示すように、レジストパターン２６下にソース電極１５、ドレイン電極１６およびデータライン５が形成される。次に、レジストパターン２６をレジスト剥離液を用いて剥離する。
この場合、オーミックコンタクト層１３、１４はソース電極１５およびドレイン電極１６によって完全に覆われている。したがって、ソース・ドレイン電極等形成用層２５を成膜した後においては、オーミックコンタクト層１３、１４は、ソース・ドレイン電極等形成用層２５をエッチングするためのエッチング液およびレジスト剥離液等に曝されることはなく、完全に保護されている。これにより、加工精度を良くすることができる。
次に、図１（Ａ）、（Ｂ）に示すように、ソース電極１５、ドレイン電極１６およびデータライン５を含む上層絶縁膜１２の上面に、プラズマＣＶＤ法により、窒化シリコンからなるオーバーコート膜１７を成膜する。次に、オーバーコート膜１７の所定の箇所に、フォトリソグラフィ法により、コンタクトホール１８を形成する。次に、オーバーコート膜１７の上面の所定の箇所に、スパッタ法により成膜されたＩＴＯ等の透明導電材料からなる画素電極形成用層をフォトリソグラフィ法によりパターニングすることにより、画素電極２をコンタクトホール１８を介してソース電極１５に接続させて形成する。
以上のように、上記製造方法では、半導体薄膜８の上面全体に保護膜９を形成し、保護膜９にその間の間隔および当該間隔に直交する方向の寸法によりチャネル長Ｌおよびチャネル幅Ｗを決定する２つのコンタクトホール１０、１１を形成しているので、半導体薄膜８にサイドエッチングがやや生じても、保護膜９に形成された２つのコンタクトホール１０、１１によって決定されるチャネル長Ｌおよびチャネル幅Ｗに寸法変化が生じることはなく、加工精度を良くすることができる。
なお、図２（Ａ）、（Ｂ）に示す状態において、レジストパターン２１をマスクとして保護膜形成用層９ａおよび半導体薄膜形成用層８ａを連続してエッチングし、図１１に示すように、レジストパターン２１下に保護膜９および半導体薄膜８を形成し、次いで、レジストパターン２１をレジスト剥離液を用いて剥離するようにしてもよい。
また、上記実施形態においては、図６（Ａ）、（Ｂ）に示すように、半導体薄膜８のチャネル領域上に保護膜９および上層絶縁膜１２を積層して形成する構成であるが、保護膜９は半導体薄膜８の上面周辺部のみに形成し、半導体薄膜８のチャネル領域上に上層絶縁膜１２のみを形成する構成としてもよい。
この場合の製造方法としては、図１１（Ａ）、（Ｂ）に示す状態において、レジストパターン２１を保護膜９の周辺部のみを覆う形状にし、このレジストパターン２１をマスクとしてエッチングを行い、保護膜９および半導体薄膜８をデバイスエリアに形成するとともに保護膜９の中央部を除去する。つまり、図５（Ａ）、（Ｂ）に示す状態において、保護膜９は半導体薄膜８の周辺部上のみに形成された構成としておき、レジストパターン２２をマスクとして、上層絶縁膜１２のエッチングを行うことにより、保護膜９が半導体薄膜８の上面周辺部のみに形成され、半導体薄膜８のチャネル領域上に上層絶縁膜１２のみが形成された構成とすることができる。
（第２実施形態）
図１２（Ａ）はこの発明の第２実施形態としての薄膜トランジスタを備えた液晶表示素子の要部の透過平面図を示し、図１２（Ｂ）は図１２（Ａ）のＢ−Ｂ線に沿う断面図を示す。この液晶表示素子において、図１（Ａ）、（Ｂ）に示す場合と異なる点は、オーミックコンタクト層１３、１４を備えておらず、ソース電極１５およびドレイン電極１６をコンタクトホール１０、１１を介して半導体薄膜８に直接接続した点である。
このように、半導体薄膜８は真性酸化亜鉛である場合、アルミニウムやＩＴＯ等によって形成したソース電極１５およびドレイン電極１６をコンタクトホール１０、１１を介して半導体薄膜８に直接接続しても、薄膜トランジスタ３が正常に動作することが確認されている。
ただし、より一層良好なコンタクトを得るため、コンタクトホール１０、１１を介して露出された半導体薄膜８を低抵抗化処理するようにしてもよい。例えば、図６（Ａ）、（Ｂ）に示す工程後に、上層絶縁膜１２および保護膜９をマスクとして、イオンドーピング処理または薬液処理を行なうことにより、あるいは、次に、ソース電極１５およびドレイン電極１６を形成するためのソース・ドレイン電極等形成用層を成膜し、この後に、上層絶縁膜１２および保護膜９をマスクとして、熱拡散処理を行なうことにより、コンタクトホール１０、１１を介して露出された半導体薄膜８を低抵抗化処理することができる。
したがって、この第２実施形態では、オーミックコンタクト層１３、１４を形成するための工程が不要となり、しかもコンタクトホール１０、１１を介して露出された半導体薄膜８の低抵抗化処理を行った場合でも、この低抵抗化処理を上層絶縁膜１２および保護膜９をマスクとして行なうことができ、全体としての工程数を削減することができる。
また、この第２実施形態では、コンタクトホール１０、１１よりも一回り大きめのオーミックコンタクト層１３、１４（図１（Ａ）、（Ｂ）参照）を備えていないため、コンタクトホール１０、１１をソース電極１５およびドレイン電極１６で覆えばよい。この結果、図１（Ａ）、（Ｂ）に示す場合と比較して、ソース電極１５およびドレイン電極１６をある程度小さくすることができ、またソース電極１５とドレイン電極１６との間隔をある程度小さくすることができ、ひいては薄膜トランジスタ３をある程度小型化することができ、且つ、画素電極２のサイズをある程度大きくすることができる。
（第３実施形態）
図１３（Ａ）はこの発明の第３実施形態としての薄膜トランジスタを備えた液晶表示素子の要部の透過平面図を示し、図１３（Ｂ）は図１３（Ａ）のＢ−Ｂ線に沿う断面図を示す。この液晶表示素子において、図１（Ａ）、（Ｂ）に示す場合と異なる点は、上層絶縁膜１２を備えていない点である。したがって、上層絶縁膜１２を成膜する工程を省略することができる。
ただし、この場合、図６（Ａ）、（Ｂ）に示すようなコンタクトホール形成工程後において、保護膜９にコンタクトホール１０、１１を形成する際に用いるレジストパターン（図示せず）をレジスト剥離液を用いて剥離するとき、半導体薄膜８の周端面がレジスト剥離液に曝され、半導体薄膜８にサイドエッチングがやや生じるが、チャネル長Ｌおよびチャネル幅Ｗに影響を与えることはない。ただし、半導体薄膜８の周端面がレジスト剥離液によって全く侵されないようにするために、レジスト剥離液として、酸性もアルカリ性も呈さない（電解質を含まない）もの、例えば、単一の有機溶媒（例えばジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ））を用いる方が好ましい。
（第４実施形態）
図１４（Ａ）はこの発明の第４実施形態としての薄膜トランジスタを備えた液晶表示素子の要部の透過平面図を示し、図１４（Ｂ）は図１４（Ａ）のＢ−Ｂ線に沿う断面図を示す。この液晶表示素子において、図１（Ａ）、（Ｂ）に示す場合と大きく異なる点は、上層絶縁膜１２を備えておらず、平面ほぼ十字形状の半導体薄膜８（図１８（Ａ）参照）の上面中央部にコンタクトホールを有しない保護膜９を設け、半導体薄膜８のチャネル方向の端面ａ、それに直交する方向の端面ａ’、ａ”をオーミックコンタクト層１３、１４で覆った点である。
すなわち、ゲート絶縁膜７の上面には平面ほぼ十字形状の半導体薄膜８が設けられている。ゲート電極６上における半導体薄膜８の上面中央部には保護膜９が設けられている。保護膜９の上面両側およびその両側における半導体薄膜８のソース・ドレイン領域の上面にはオーミックコンタクト層１３、１４が設けられている。
この場合、一方のオーミックコンタクト層１３は、半導体薄膜８の図１４（Ａ）における右側の部分のチャネル方向の端面ａ、それに直交する方向の端面ａ’、ａ”の３つの端面を覆うように設けられている。他方のオーミックコンタクト層１４は、半導体薄膜８の図１４（Ａ）における左側の部分のチャネル方向の端面ａ、それに直交する方向の端面ａ’、ａ”の３つの端面を覆うように設けられている。したがって、保護膜９下に設けられた半導体薄膜８の中央部の図１４（Ａ）における上下部の端面は、オーミックコンタクト層１３、１４によって覆われずに露出されている。
一方のオーミックコンタクト層１３の上面およびその近傍のゲート絶縁膜７の上面にはソース電極１５が設けられている。他方のオーミックコンタクト層１４の上面およびゲート絶縁膜７の上面の所定の箇所にはドレイン電極１６を含むデータライン５が設けられている。この場合も、オーミックコンタクト層１３、１４はソース電極１５およびドレイン電極１６によって完全に覆われている。
そして、保護膜９の図１４（Ａ）における左右方向の寸法がチャネル長Ｌとなっている。また、オーミックコンタクト層１３、１４下に設けられた半導体薄膜８の図１４（Ａ）における上下方向の寸法がチャネル幅Ｗとなっている。
次に、この液晶表示素子における薄膜トランジスタ３の部分の製造方法の一例について説明する。まず、図１５（Ａ）、（Ｂ）に示すように、ガラス基板１の上面の所定の箇所に、スパッタ法により成膜されたクロムやアルミニウム系金属等からなる金属層をフォトリソグラフィ法によりパターニングすることにより、ゲート電極６を含む走査ライン４を形成する。
次に、ゲート電極６および走査ライン４を含むガラス基板１の上面に、プラズマＣＶＤ法により、窒化シリコンからなるゲート絶縁膜７、真性酸化亜鉛からなる半導体薄膜形成用層８ａおよび窒化シリコンからなる保護膜形成用層９ａを連続して成膜する。次に、保護膜形成用層９ａの上面に、フォトリソグラフィ法により、保護膜形成用のレジストパターン３１を形成する。
次に、レジストパターン３１をマスクとして、保護膜形成用層９ａをエッチングすると、図１６（Ａ）、（Ｂ）に示すように、レジストパター３１下に保護膜９が形成される。この場合、レジストパターン３１下以外の領域における真性酸化亜鉛からなる半導体薄膜形成用層８ａの表面が露出される。そこで、窒化シリコンからなる保護膜形成用層９ａのエッチング方法としては、上記と同様に、六フッ化イオウ（ＳＦ6）を用いた反応性プラズマエッチング（ドライエッチング）が好ましい。
次に、レジストパターン３１をレジスト剥離液を用いて剥離する。この場合、保護膜９下以外の領域における半導体薄膜形成用層８ａの表面が露出されている。したがって、この場合のレジスト剥離液としては、酸性もアルカリ性も呈さない（電解質を含まない）もの、例えば、単一の有機溶媒（例えばジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ））を用いる。
次に、図１７（Ａ）、（Ｂ）に示すように、保護膜９を含む半導体薄膜形成用層８ａの上面に、フォトリソグラフィ法により、半導体薄膜形成用のレジストパターン３２を形成する。この状態では、レジストパターン３２は保護膜９に対して直交するように配置され、すなわち、この両者は全体として平面ほぼ十字形状となるように配置されている。
次に、レジストパターン３２および保護膜９をマスクとして、半導体薄膜形成用層８ａをエッチングすると、図１８（Ａ）、（Ｂ）に示すように、レジストパターン３２および保護膜９下に平面ほぼ十字形状の半導体薄膜８が形成される。この場合、半導体薄膜形成用層８ａは真性酸化亜鉛によって形成されているため、エッチング液として上記水酸化ナトリウム水溶液を用いると、加工の制御性を良好とすることができる。
次に、レジストパターン３２をレジスト剥離液を用いて剥離する。この場合、保護膜９下以外の領域における半導体薄膜８の表面は露出されている。したがって、この場合のレジスト剥離液としては、酸性もアルカリ性も呈さない（電解質を含まない）もの、例えば、単一の有機溶媒（例えばジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ））を用いる。
ここで、保護膜９の図１８（Ａ）における左右方向の寸法がチャネル長Ｌとなる。また、保護膜９下以外の領域に形成された半導体薄膜８の図１８（Ａ）における上下方向の寸法がチャネル幅Ｗとなる。
次に、図１９（Ａ）、（Ｂ）に示すように、保護膜９および半導体薄膜８を含むゲート絶縁膜７の上面に、プラズマＣＶＤ法により、ｎ型酸化亜鉛からなるオーミックコンタクト層形成用層３３を成膜する。次に、オーミックコンタクト層形成用層３３の上面に、フォトリソグラフィ法により、オーミックコンタクト層形成用のレジストパターン３４を形成する。
次に、レジストパターン５４をマスクとして、オーミックコンタクト層形成用層３３をエッチングすると、図２０（Ａ）、（Ｂ）に示すように、レジストパターン３４下にオーミックコンタクト層１３、１４が形成される。この場合、一方のオーミックコンタクト層１３は、半導体薄膜８の図２０（Ａ）における右側の部分の３つの端面を覆うように形成する。他方のオーミックコンタクト層１４は、半導体薄膜８の図２０（Ａ）における左側の部分の３つの端面を覆うように形成する。また、オーミックコンタクト層形成用層３３はｎ型酸化亜鉛によって形成されているため、エッチング液として上記水酸化ナトリウム水溶液を用いると、加工の制御性を良好とすることができる。
次に、レジストパターン３４をレジスト剥離液を用いて剥離する。この場合、保護膜９下に設けられた半導体薄膜８の中央部の図２０（Ａ）における上下部の端面は、オーミックコンタクト層１３、１４によって覆われずに露出されている。この結果、レジストパターン３４をレジスト剥離液を用いて剥離するとき、保護膜９下に設けられた半導体薄膜８の中央部のうち、オーミックコンタクト層１３、１４によって覆われずに露出された図２０（Ａ）における上下部の端面がレジスト剥離液に曝され、当該端面にサイドエッチングがやや生じる。
しかし、このサイドエッチングがやや生じる部分は、保護膜９下に設けられた半導体薄膜８の中央部の図２０（Ａ）における上下部であり、チャネル長Ｌおよびチャネル幅Ｗを決定する領域外であるので、チャネル長Ｌおよびチャネル幅Ｗに寸法変化が生じることはなく、加工精度を良くすることができる。なお、レジスト剥離液として、酸性もアルカリ性も呈さない（電解質を含まない）もの、例えば、単一の有機溶媒（例えばジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ））を用いるようにしてもよい。
次に、図２１（Ａ）、（Ｂ）に示すように、オーミックコンタクト層１３、１４を含むゲート絶縁膜７の上面に、スパッタ法により、クロム、アルミニウム系金属、ＩＴＯ等からなるソース・ドレイン電極等形成用層３５を成膜する。次に、ソース・ドレイン電極等形成用層３５の上面に、フォトリソグラフィ法により、ソース・ドレイン電極等形成用のレジストパターン３６を形成する。
次に、レジストパターン３６をマスクとして、ソース・ドレイン電極等形成用層３５をエッチングすると、図２２（Ａ）、（Ｂ）に示すように、レジストパターン３６下にソース電極１５、ドレイン電極１６およびデータライン５が形成される。次に、レジストパターン３６をレジスト剥離液を用いて剥離する。
この場合、オーミックコンタクト層１３、１４はソース電極１５およびドレイン電極１６によって完全に覆われている。したがって、ソース・ドレイン電極等形成用層３５を成膜した後においては、オーミックコンタクト層１３、１４は、ソース・ドレイン電極等形成用層３５をエッチングするためのエッチング液およびレジスト剥離液等に曝されることはなく、完全に保護されている。これにより、加工精度を良くすることができる。
次に、図１４（Ａ）、（Ｂ）に示すように、ソース電極１５、ドレイン電極１６およびデータライン５を含むゲート絶縁膜７の上面に、プラズマＣＶＤ法により、窒化シリコンからなるオーバーコート膜１７を成膜する。次に、オーバーコート膜１７の所定の箇所に、フォトリソグラフィ法により、コンタクトホール１８を形成する。次に、オーバーコート膜１７の上面の所定の箇所に、スパッタ法により成膜されたＩＴＯ等の透明導電材料からなる画素電極形成用層をフォトリソグラフィ法によりパターニングすることにより、画素電極２をコンタクトホール１８を介してソース電極１５に接続させて形成する。
ところで、この第４実施形態では、保護膜９を形成した後に半導体薄膜８を形成しているため、保護膜９を形成する際に用いるレジストパターン３１を、ゲート電極６をマスクとした裏面露光（ガラス基板１の下面側からの露光）により形成する方法の採用が可能となる。この結果、薄膜トランジスタ３の小型化および加工バラツキの低減が可能となる。
（第５実施形態）
図２３（Ａ）はこの発明の第５実施形態としての薄膜トランジスタを備えた液晶表示素子の要部の透過平面図を示し、図２３（Ｂ）は図２３（Ａ）のＢ−Ｂ線に沿う断面図を示す。この液晶表示素子において、図１４（Ａ）、（Ｂ）に示す場合と異なる点は、オーミックコンタクト層１３、１４を備えておらず、ソース電極１５およびドレイン電極１６を半導体薄膜８に直接接続した点である。
ただし、この場合も、より一層良好なコンタクトを得るため、保護膜９によって覆われずに露出された半導体薄膜８を低抵抗化処理するようにしてもよい。例えば、図１８（Ａ）、（Ｂ）に示す工程後にレジストパターン３２を剥離し、この後に保護膜９をマスクとして、イオンドーピング処理または薬液処理を行なうことにより、あるいは、ソース・ドレイン電極等形成用層３３を成膜した後に、保護膜９をマスクとして、熱拡散処理を行なうことにより、保護膜９によって覆われずに露出された半導体薄膜８を低抵抗化処理することができる。
したがって、この第５実施形態では、オーミックコンタクト層１３、１４を形成するための工程が不要となり、しかも保護膜９によって覆われずに露出された半導体薄膜８の低抵抗化処理を行った場合でも、この低抵抗化処理を保護膜９をマスクとして行なうことができ、全体としての工程数を削減することができる。
また、この第５実施形態では、保護膜９によって覆われずに露出された半導体薄膜８よりも一回り大きめのオーミックコンタクト層１３、１４（図１４（Ａ）、（Ｂ）参照）を備えていないため、保護膜９によって覆われずに露出された半導体薄膜８をソース電極１５およびドレイン電極１６で覆えばよい。
この結果、図１４（Ａ）、（Ｂ）に示す場合と比較して、ソース電極１５およびドレイン電極１６をある程度小さくすることができ、またソース電極１５とドレイン電極１６との間隔をある程度小さくすることができ、ひいては薄膜トランジスタ３をある程度小型化することができ、且つ、画素電極２のサイズをある程度大きくすることができる。
（その他の実施形態）
半導体薄膜形成用層８ａおよびオーミックコンタクト層形成用層２３、３３の成膜は、プラズマＣＶＤ法に限らず、スパッタ法、蒸着法、キャスト法、メッキ法等であってもよい。また、オーミックコンタクト層１３、１４は、ｎ型酸化亜鉛に限らず、ｐ型酸化亜鉛であってもよく、また酸素欠損を生じさせて導電率を変化させた酸化亜鉛であってもよい。
（Ａ）はこの発明の第１実施形態としての薄膜トランジスタを備えた液晶表 示素子の要部の透過平面図、（Ｂ）はそのＢ−Ｂ線に沿う断面図。 （Ａ）は図１に示す薄膜トランジスタの部分の製造に際し、当初の工程の透 過平面図、（Ｂ）はそのＢ−Ｂ線に沿う断面図。 （Ａ）は図２に続く工程の透過平面図、（Ｂ）はそのＢ−Ｂ線に沿う断面図。 （Ａ）は図３に続く工程の透過平面図、（Ｂ）はそのＢ−Ｂ線に沿う断面図。 （Ａ）は図４に続く工程の透過平面図、（Ｂ）はそのＢ−Ｂ線に沿う断面図。 （Ａ）は図５に続く工程の透過平面図、（Ｂ）はそのＢ−Ｂ線に沿う断面図。 （Ａ）は図６に続く工程の透過平面図、（Ｂ）はそのＢ−Ｂ線に沿う断面図。 （Ａ）は図７に続く工程の透過平面図、（Ｂ）はそのＢ−Ｂ線に沿う断面図。 （Ａ）は図８に続く工程の透過平面図、（Ｂ）はそのＢ−Ｂ線に沿う断面図。 （Ａ）は図９に続く工程の透過平面図、（Ｂ）はそのＢ−Ｂ線に沿う断面 図。 （Ａ）は図１に示す薄膜トランジスタの部分の他の製造方法の所定の工程 の透過平面図、（Ｂ）はそのＢ−Ｂ線に沿う断面図。 （Ａ）はこの発明の第２実施形態としての薄膜トランジスタを備えた液晶 表示素子の要部の透過平面図、（Ｂ）はそのＢ−Ｂ線に沿う断面図。 （Ａ）はこの発明の第３実施形態としての薄膜トランジスタを備えた液晶 表示素子の要部の透過平面図、（Ｂ）はそのＢ−Ｂ線に沿う断面図。 （Ａ）はこの発明の第４実施形態としての薄膜トランジスタを備えた液晶 表示素子の要部の透過平面図、（Ｂ）はそのＢ−Ｂ線に沿う断面図。 （Ａ）は図１４に示す薄膜トランジスタの部分の製造に際し、当初の工程 の透過平面図、（Ｂ）はそのＢ−Ｂ線に沿う断面図。 （Ａ）は図１５３に続く工程の透過平面図、（Ｂ）はそのＢ−Ｂ線に沿う 断面図。 （Ａ）は図１６に続く工程の透過平面図、（Ｂ）はそのＢ−Ｂ線に沿う断 面図。 （Ａ）は図１７に続く工程の透過平面図、（Ｂ）はそのＢ−Ｂ線に沿う断 面図。 （Ａ）は図１８に続く工程の透過平面図、（Ｂ）はそのＢ−Ｂ線に沿う断 面図。 （Ａ）は図１９に続く工程の透過平面図、（Ｂ）はそのＢ−Ｂ線に沿う断 面図。 （Ａ）は図２０に続く工程の透過平面図、（Ｂ）はそのＢ−Ｂ線に沿う断 面図。 （Ａ）は図２１に続く工程の透過平面図、（Ｂ）はそのＢ−Ｂ線に沿う断 面図。 （Ａ）はこの発明の第５実施形態としての薄膜トランジスタを備えた液晶 表示素子の要部の透過平面図、（Ｂ）はそのＢ−Ｂ線に沿う断面図。
符号の説明
１ ガラス基板
２ 画素電極
３ 薄膜トランジスタ
４ 走査ライン
５ データライン
６ ゲート電極
７ ゲート絶縁膜
８ 半導体薄膜
９ 保護膜
１０、１１ コンタクトホール
１２ 上層絶縁膜
１３、１４ オーミックコンタクト層
１５ ソース電極
１６ ドレイン電極
１７ オーバーコート膜
１８ コンタクトホール

Claims (33)

  1. 半導体薄膜と、該半導体薄膜の一面に形成されたゲート絶縁膜と、該ゲート絶縁膜を介して前記半導体薄膜に対向して形成されたゲート電極と、前記半導体薄膜に電気的に接続されたソース電極およびドレイン電極を有する薄膜トランジスタであって、
    前記半導体薄膜の周辺部上に、該半導体薄膜の端面と同一形状の端面を有する絶縁膜が形成され、該絶縁膜から露出された前記半導体薄膜に前記ソース電極および前記ドレイン電極が接続されていることを特徴とする薄膜トランジスタ。
  2. 請求項１に記載の発明において、前記絶縁膜から露出された前記半導体薄膜のチャネル領域上に対応してソース電極用およびドレイン電極用のコンタクトホールに仕切る中央絶縁膜が設けられていることを特徴とする薄膜トランジスタ。
  3. 請求項２に記載の発明において、前記中央絶縁膜は前記絶縁膜と同一の材料により同一の厚さに設けられていることを特徴とする薄膜トランジスタ。
  4. 請求項２に記載の発明において、前記絶縁膜、前記中央絶縁膜および前記半導体薄膜上に、前記各コンタクトホールに対応する部分にコンタクトホールを有する上層絶縁膜が設けられ、前記各コンタクトホールを介して露出された前記半導体薄膜の上面およびその各近傍の前記上層絶縁膜の上面にそれぞれオーミックコンタクト層が設けられていることを特徴とする薄膜トランジスタ。
  5. 請求項４に記載の発明において、前記各オーミックコンタクト層上に前記ソース電極および前記ドレイン電極が前記各オーミックコンタクト層を完全に覆うように設けられていることを特徴とする薄膜トランジスタ。
  6. 請求項２に記載の発明において、前記絶縁膜、前記中央絶縁膜および前記半導体薄膜を含む前記ゲート絶縁膜上に、前記各コンタクトホールに対応する部分にコンタクトホールを有する上層絶縁膜が設けられ、前記各コンタクトホールを介して露出された前記半導体薄膜に低抵抗化処理が施され、前記各コンタクトホールを介して露出された前記半導体薄膜の上面およびその各近傍の前記上層絶縁膜の上面に前記ソース電極および前記ドレイン電極が設けられていることを特徴とする薄膜トランジスタ。
  7. 請求項２に記載の発明において、前記各コンタクトホールを介して露出された前記半導体薄膜の上面およびその各近傍の前記絶縁膜と前記保護膜の上面にそれぞれオーミックコンタクト層が設けられていることを特徴とする薄膜トランジスタ。
  8. 請求項７に記載の発明において、前記各オーミックコンタクト層上に前記ソース電極および前記ドレイン電極が前記各オーミックコンタクト層を完全に覆うように設けられていることを特徴とする薄膜トランジスタ。
  9. 半導体薄膜と、該半導体薄膜の一面に形成されたゲート絶縁膜と、該ゲート絶縁膜を介して前記半導体薄膜に対向して形成されたゲート電極と、前記半導体薄膜のソース領域およびドレイン領域上にそれぞれ形成されたオーミックコンタクト層を有する薄膜トランジスタであって、
    前記ゲート電極上における前記半導体薄膜のチャネル領域上に中央絶縁膜が設けられ、前記オーミックコンタクト層がそれぞれ前記中央絶縁膜の上面端部から前記半導体薄膜の上面全長および少なくとも前記半導体薄膜のチャネル方向の端面を覆って設けられていることを特徴とする薄膜トランジスタ。
  10. 半導体薄膜と、該半導体薄膜の一面に設けられたゲート絶縁膜と、該ゲート絶縁膜を介して前記半導体薄膜に対向して設けられたゲート電極と、前記半導体薄膜に電気的に接続されたソース電極およびドレイン電極を有する薄膜トランジスタであって、
    前記ゲート電極上における前記半導体薄膜のチャネル領域上に中央絶縁膜が設けられ、前記中央絶縁膜によって覆われずに露出された前記半導体薄膜に低抵抗化処理が施され、前記ソース電極および前記ドレイン電極が、それぞれ、前記中央絶縁膜の上面端部から前記半導体薄膜の上面全長および少なくとも前記半導体薄膜のチャネル方向の端面を覆って設けられていることを特徴とする薄膜トランジスタ。
  11. 請求項１０に記載の発明において、前記ソース電極と前記半導体薄膜の間および前記ドレイン電極と前記半導体薄膜の間に、それぞれ、前記中央絶縁膜の端部上から前記半導体薄膜の上面全体および少なくとも前記半導体薄膜のチャネル方向の端面を覆うコンタクト層が設けられていることを特徴とする薄膜トランジスタ。
  12. 請求項１〜１１のいずれかに記載の発明において、前記絶縁膜、前記ソース電極および前記ドレイン電極を覆うオーバーコート膜を有することを特徴とする薄膜トランジスタ。
  13. 請求項１２に記載の発明において、前記オーバーコート膜の上面に画素電極が前記ソース電極に接続されて設けられていることを特徴とする薄膜トランジスタ。
  14. 半導体薄膜と、該半導体薄膜の一面に設けられたゲート絶縁膜と、該ゲート絶縁膜を介して前記半導体薄膜に対向して設けられたゲート電極と、前記半導体薄膜に電気的に接続されたソース電極およびドレイン電極を有する薄膜トランジスタの製造方法であって、
    半導体薄膜および絶縁膜を積層して形成し、前記絶縁膜および前記半導体薄膜をエッチングして少なくとも前記半導体薄膜の周辺部上に、該半導体薄膜の端面と同一形状の端面を有する絶縁膜を形成し、該絶縁膜から露出された前記半導体薄膜に接続される前記ソース電極および前記ドレイン電極を形成することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
  15. 請求項１４に記載の発明において、前記絶縁膜および前記半導体薄膜を連続してエッチングすることを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
  16. 請求項１４に記載の発明において、前記半導体薄膜は亜鉛酸化物を主たる材料とし、前記半導体薄膜のエッチングは、アルカリ水溶液を用いることを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
  17. 請求項１６に記載の発明において、前記アルカリ水溶液は２〜１０ｗｔ％の水酸化ナトリウム水溶液であることを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
  18. 請求項１４に記載の発明において、前記絶縁膜から露出された前記半導体薄膜のチャネル領域上に対応してソース電極用およびドレイン電極用のコンタクトホールに仕切る中央絶縁膜を形成することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
  19. 請求項１８に記載の発明において、前記絶縁膜、前記中央絶縁膜および前記半導体薄膜上に上層絶縁膜を形成し、前記各コンタクトホールに対応する部分にコンタクトホールを形成し、各コンタクトホールを介して露出された前記半導体薄膜の上面およびその各近傍の前記上層絶縁膜の上面にそれぞれオーミックコンタクト層を形成することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
  20. 請求項１９に記載の発明において、前記各オーミックコンタクト層上に前記ソース電極および前記ドレイン電極を前記各オーミックコンタクト層を完全に覆うように形成することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
  21. 請求項１８に記載の発明において、前記絶縁膜、前記中央絶縁膜および前記半導体薄膜上に、前記各コンタクトホールに対応する部分にコンタクトホールを有する上層絶縁膜を形成し、前記各コンタクトホールを介して前記半導体薄膜の上面およびその各近傍の前記上層絶縁膜の上面に前記ソース電極および前記ドレイン電極を形成し、いずれかの工程で前記上層絶縁膜および前記各コンタクトホールを介して露出された前記半導体薄膜に低抵抗化処理を施すことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
  22. 請求項２１に記載の発明において、前記各コンタクトホールを介して露出された前記半導体薄膜の上面およびその各近傍の前記絶縁膜の上面にそれぞれオーミックコンタクト層を形成することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
  23. 請求項１９に記載の発明において、前記各オーミックコンタクト層上に前記ソース電極および前記ドレイン電極を前記各オーミックコンタクト層を完全に覆うように形成することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
  24. 基板上に、半導体薄膜と、該半導体薄膜の一面に設けられたゲート絶縁膜と、該ゲート絶縁膜を介して前記半導体薄膜に対向して設けられたゲート電極と、前記半導体薄膜のソース領域およびドレイン領域上に形成されたオーミックコンタクト層とを有する薄膜トランジスタを形成する薄膜トランジスタの製造方法であって、
    半導体薄膜をエッチングによりデバイスサイズに形成し、前記ゲート電極上における前記半導体薄膜のチャネル領域上に中央絶縁膜を設け、前記オーミックコンタクト層を前記中央絶縁膜、半導体薄膜および前記基板の露出面全面に成膜し、その後、エッチングにより、前記オーミックコンタクト層を前記中央絶縁膜上で分離され、前記中央絶縁膜の端部から前記半導体薄膜の上面全長および少なくとも前記半導体薄膜のチャネル方向の端面を覆うように形成することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
  25. 基板上に、半導体薄膜と、該半導体薄膜の一面に設けられたゲート絶縁膜と、該ゲート絶縁膜を介して前記半導体薄膜に対向して設けられたゲート電極と、前記半導体薄膜に電気的に接続されたソース電極およびドレイン電極を有する薄膜トランジスタの製造方法であって、
    半導体薄膜をエッチングによりデバイスサイズに形成し、前記ゲート電極上における前記半導体薄膜のチャネル領域上に中央絶縁膜を設け、前記ソース電極およびドレイン電極形成用の金属層を前記中央絶縁膜、前記半導体膜および前記基板の露出面全面に成膜し、次に、エッチングにより、前記半導体薄膜の上面に前記ソース電極および前記ドレイン電極をそれぞれ前記中央絶縁膜の端部から前記半導体薄膜の上面全長および少なくとも前記半導体薄膜のチャネル方向の端面を覆うように形成し、いずれかの工程で前記に中央絶縁膜よって覆われずに露出された前記半導体薄膜に低抵抗化処理を施すことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
  26. 請求項２４または２５に記載の発明において、前記半導体薄膜は亜鉛酸化物を主たる材料とし、前記半導体薄膜のエッチングは、アルカリ水溶液を用いて行うことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
  27. 請求項２６に記載の発明において、前記アルカリ水溶液は２〜１０ｗｔ％の水酸化ナトリウム水溶液であることを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
  28. 請求項２４〜２７に記載の発明において、前記中央絶縁膜の形成工程は、前記ゲート電極をマスクとした裏面露光を行なう工程を含むことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
  29. 半導体薄膜と、該半導体薄膜の一面に設けられたゲート絶縁膜と、該ゲート絶縁膜を介して前記半導体薄膜に対向して設けられたゲート電極と、前記半導体薄膜に電気的に接続されたソース電極およびドレイン電極を有する薄膜トランジスタの製造方法であって、
    半導体薄膜形成用層上に絶縁膜を形成し、該絶縁膜をマスクとして前記半導体薄膜形成用層をエッチングして前記半導体薄膜を形成し、前記絶縁膜にソース電極用およびドレイン電極用のコンタクトホールを形成し、前記各コンタクトホールを介して露出された前記半導体薄膜に接続される前記ソース電極やよび前記ドレイン電極を形成することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
  30. 請求項２９に記載の発明において、前記絶縁膜および前記半導体薄膜上に上層絶縁膜を形成し、前記各コンタクトホールに対応する部分にコンタクトホールを形成し、各コンタクトホールを介して露出された前記半導体薄膜の上面およびその各近傍の前記上層絶縁膜の上面にそれぞれオーミックコンタクト層を形成することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
  31. 請求項３０に記載の発明において、前記各オーミックコンタクト層上に前記ソース電極および前記ドレイン電極を前記各オーミックコンタクト層を完全に覆うように形成することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
  32. 請求項２９〜３１記載の発明において、前記半導体薄膜は亜鉛酸化物を主たる材料とし、前記半導体薄膜形成用層のエッチングは、アルカリ水溶液を用いて行うことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
  33. 請求項３２に記載の発明において、前記アルカリ水溶液は２〜１０ｗｔ％の水酸化ナトリウム水溶液であることを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
JP2004378476A 2004-09-02 2004-12-28 薄膜トランジスタおよびその製造方法 Pending JP2006100760A (ja)

Priority Applications (8)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004378476A JP2006100760A (ja) 2004-09-02 2004-12-28 薄膜トランジスタおよびその製造方法
US11/219,171 US7385224B2 (en) 2004-09-02 2005-09-01 Thin film transistor having an etching protection film and manufacturing method thereof
TW094130031A TWI302033B (en) 2004-09-02 2005-09-02 Thin film transistor and its manufacturing method
KR1020077004614A KR101192071B1 (ko) 2004-09-02 2005-09-02 박막 트랜지스터와 그 제조방법
EP10009733.6A EP2264770A3 (en) 2004-09-02 2005-09-02 Thin film transistor and its manufacturing method
PCT/JP2005/016566 WO2006025609A2 (en) 2004-09-02 2005-09-02 Thin film transistor and its manufacturing method
CN2005800296495A CN101032027B (zh) 2004-09-02 2005-09-02 薄膜晶体管及其制造方法
EP05778343A EP1787333A2 (en) 2004-09-02 2005-09-02 Thin film transistor and its manufacturing method

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004255307 2004-09-02
JP2004378476A JP2006100760A (ja) 2004-09-02 2004-12-28 薄膜トランジスタおよびその製造方法

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009256844A Division JP5333160B2 (ja) 2004-09-02 2009-11-10 薄膜トランジスタおよびその製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2006100760A true JP2006100760A (ja) 2006-04-13

Family

ID=35219630

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004378476A Pending JP2006100760A (ja) 2004-09-02 2004-12-28 薄膜トランジスタおよびその製造方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US7385224B2 (ja)
EP (2) EP2264770A3 (ja)
JP (1) JP2006100760A (ja)
KR (1) KR101192071B1 (ja)
TW (1) TWI302033B (ja)
WO (1) WO2006025609A2 (ja)

Cited By (42)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008028141A (ja) * 2006-07-21 2008-02-07 Casio Comput Co Ltd 半導体装置の製造方法
JP2008060099A (ja) * 2006-08-29 2008-03-13 Casio Comput Co Ltd 薄膜トランジスタおよびその製造方法
JP2008205469A (ja) * 2007-02-16 2008-09-04 Samsung Electronics Co Ltd 薄膜トランジスタ及びその製造方法
JP2009135380A (ja) * 2007-05-30 2009-06-18 Canon Inc 酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタの製造方法および表示装置
JP2010062549A (ja) * 2008-08-08 2010-03-18 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置の作製方法
JP2010073894A (ja) * 2008-09-18 2010-04-02 Sony Corp 薄膜トランジスタおよびその製造方法
JP2010098304A (ja) * 2008-09-19 2010-04-30 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置
JP2010161373A (ja) * 2009-01-12 2010-07-22 Samsung Mobile Display Co Ltd 薄膜トランジスタ及びその製造方法、並びに薄膜トランジスタを備える平板表示装置
JP2010166038A (ja) * 2008-12-19 2010-07-29 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置の作製方法
WO2011013522A1 (en) * 2009-07-31 2011-02-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP2011077106A (ja) * 2009-09-29 2011-04-14 Dainippon Printing Co Ltd 薄膜集積回路装置及びその製造方法
WO2012020525A1 (ja) * 2010-08-07 2012-02-16 シャープ株式会社 薄膜トランジスタ基板及びそれを備えた液晶表示装置
US8143115B2 (en) 2006-12-05 2012-03-27 Canon Kabushiki Kaisha Method for manufacturing thin film transistor using oxide semiconductor and display apparatus
WO2012053161A1 (ja) * 2010-10-18 2012-04-26 シャープ株式会社 薄膜トランジスタ基板の製造方法およびその方法により製造された薄膜トランジスタ基板
WO2012060362A1 (ja) * 2010-11-04 2012-05-10 シャープ株式会社 半導体装置、表示装置、ならびに半導体装置および表示装置の製造方法
JP2012099796A (ja) * 2010-10-07 2012-05-24 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 薄膜素子の作製方法及び半導体装置の作製方法
CN102646718A (zh) * 2008-12-03 2012-08-22 索尼株式会社 薄膜晶体管、显示单元和制造薄膜晶体管的方法
JP2012525000A (ja) * 2009-04-21 2012-10-18 シーブライト・インコーポレイテッド 二重自己整合式金属酸化物薄膜トランジスタ
JP2012248865A (ja) * 2009-12-21 2012-12-13 Sharp Corp アクティブマトリクス基板及びそれを備えた表示パネル
JP2013506294A (ja) * 2009-09-24 2013-02-21 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド ソース・ドレイン金属エッチングのためのウェットプロセスを用いた金属酸化物又は金属酸窒化物ｔｆｔの製造方法
JP2013115099A (ja) * 2011-11-25 2013-06-10 Sony Corp トランジスタ、表示装置および電子機器
JP2013153140A (ja) * 2011-12-02 2013-08-08 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置及びその作製方法
KR20130092848A (ko) * 2012-02-13 2013-08-21 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 및 이를 채용한 디스플레이 패널
JP2013258358A (ja) * 2012-06-14 2013-12-26 Japan Display Inc 表示装置及びその製造方法
KR20140010100A (ko) * 2011-03-02 2014-01-23 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 오프셋 전극 ｔｆｔ 구조
JP2014524666A (ja) * 2011-08-22 2014-09-22 京東方科技集團股▲ふん▼有限公司 酸化物ｔｆｔアレイ基板及びその製造方法並びに電子デバイス
JP2015504246A (ja) * 2011-12-31 2015-02-05 京東方科技集團股▲ふん▼有限公司 薄膜トランジスタ、アレイ基板及びその製造方法、並びに表示装置
JP2015053520A (ja) * 2009-02-13 2015-03-19 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2015079969A (ja) * 2009-08-07 2015-04-23 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
JP2015130490A (ja) * 2013-12-02 2015-07-16 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2015144290A (ja) * 2009-03-27 2015-08-06 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
JP2015525000A (ja) * 2012-07-25 2015-08-27 京東方科技集團股▲ふん▼有限公司 薄膜トランジスタ、アレイ基板及びその製作方法、ディスプレイ
JP2015159301A (ja) * 2009-12-04 2015-09-03 株式会社半導体エネルギー研究所 直流変換回路
KR20160022334A (ko) * 2011-06-10 2016-02-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제작 방법
JP2016034023A (ja) * 2014-07-29 2016-03-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置およびその作製方法、電子機器
KR101680847B1 (ko) * 2009-05-29 2016-11-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
JP2017108163A (ja) * 2011-09-29 2017-06-15 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR101814315B1 (ko) * 2013-03-21 2018-01-02 보에 테크놀로지 그룹 컴퍼니 리미티드 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법, 어레이 기판, 및 디스플레이 디바이스
KR101847355B1 (ko) 2010-03-30 2018-04-09 가부시키가이샤 제이올레드 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법과 디스플레이 장치
JP2018125536A (ja) * 2009-09-04 2018-08-09 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
JP2018174354A (ja) * 2009-09-04 2018-11-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2018537861A (ja) * 2015-12-16 2018-12-20 鴻富錦精密工業（深▲セン▼）有限公司 薄膜トランジスタの基板及びその製造方法

Families Citing this family (1812)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI562380B (en) * 2005-01-28 2016-12-11 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Semiconductor device, electronic device, and method of manufacturing semiconductor device
TWI481024B (zh) 2005-01-28 2015-04-11 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置，電子裝置，和半導體裝置的製造方法
US7928938B2 (en) 2005-04-19 2011-04-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including memory circuit, display device and electronic apparatus
US8629819B2 (en) 2005-07-14 2014-01-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
EP1758072A3 (en) * 2005-08-24 2007-05-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and driving method thereof
EP1995787A3 (en) * 2005-09-29 2012-01-18 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Semiconductor device having oxide semiconductor layer and manufacturing method therof
CN101577293B (zh) * 2005-11-15 2012-09-19 株式会社半导体能源研究所 半导体器件及其制造方法
EP2924498A1 (en) 2006-04-06 2015-09-30 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Liquid crystal desplay device, semiconductor device, and electronic appliance
US20070261951A1 (en) * 2006-04-06 2007-11-15 Yan Ye Reactive sputtering zinc oxide transparent conductive oxides onto large area substrates
US7674662B2 (en) * 2006-07-19 2010-03-09 Applied Materials, Inc. Process for making thin film field effect transistors using zinc oxide
JP5116277B2 (ja) 2006-09-29 2013-01-09 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、表示装置、液晶表示装置、表示モジュール及び電子機器
US7646015B2 (en) * 2006-10-31 2010-01-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device
US8275080B2 (en) * 2006-11-17 2012-09-25 Comtech Mobile Datacom Corporation Self-supporting simplex packets
US20080121877A1 (en) * 2006-11-27 2008-05-29 3M Innovative Properties Company Thin film transistor with enhanced stability
US7655127B2 (en) * 2006-11-27 2010-02-02 3M Innovative Properties Company Method of fabricating thin film transistor
JP2008151963A (ja) * 2006-12-15 2008-07-03 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置及び半導体装置の駆動方法
US20080254613A1 (en) * 2007-04-10 2008-10-16 Applied Materials, Inc. Methods for forming metal interconnect structure for thin film transistor applications
US7927713B2 (en) * 2007-04-27 2011-04-19 Applied Materials, Inc. Thin film semiconductor material produced through reactive sputtering of zinc target using nitrogen gases
JP5542297B2 (ja) 2007-05-17 2014-07-09 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置、表示モジュール及び電子機器
JP4989309B2 (ja) 2007-05-18 2012-08-01 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置
JP5361249B2 (ja) * 2007-05-31 2013-12-04 キヤノン株式会社 酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタの製造方法
US8354674B2 (en) * 2007-06-29 2013-01-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device wherein a property of a first semiconductor layer is different from a property of a second semiconductor layer
WO2009014155A1 (en) 2007-07-25 2009-01-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Photoelectric conversion device and electronic device having the same
KR20090011704A (ko) * 2007-07-27 2009-02-02 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
NO332409B1 (no) * 2008-01-24 2012-09-17 Well Technology As Anordning og fremgangsmate for a isolere en seksjon av et bronnhull
US8143093B2 (en) * 2008-03-20 2012-03-27 Applied Materials, Inc. Process to make metal oxide thin film transistor array with etch stopping layer
US7879698B2 (en) * 2008-03-24 2011-02-01 Applied Materials, Inc. Integrated process system and process sequence for production of thin film transistor arrays using doped or compounded metal oxide semiconductor
US9041202B2 (en) 2008-05-16 2015-05-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method of the same
US8314765B2 (en) 2008-06-17 2012-11-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driver circuit, display device, and electronic device
KR100963027B1 (ko) * 2008-06-30 2010-06-10 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 트랜지스터, 그의 제조 방법 및 박막 트랜지스터를구비하는 평판 표시 장치
US8258511B2 (en) 2008-07-02 2012-09-04 Applied Materials, Inc. Thin film transistors using multiple active channel layers
KR102549916B1 (ko) 2008-07-10 2023-06-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광장치 및 전자기기
US9666719B2 (en) * 2008-07-31 2017-05-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US8945981B2 (en) 2008-07-31 2015-02-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
TWI495108B (zh) * 2008-07-31 2015-08-01 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置的製造方法
TWI491048B (zh) * 2008-07-31 2015-07-01 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置
TWI577027B (zh) * 2008-07-31 2017-04-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
TWI508282B (zh) 2008-08-08 2015-11-11 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置及其製造方法
JP5480554B2 (ja) 2008-08-08 2014-04-23 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP5525778B2 (ja) 2008-08-08 2014-06-18 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI500160B (zh) * 2008-08-08 2015-09-11 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置及其製造方法
US8039433B2 (en) * 2008-08-19 2011-10-18 Warsaw Orthopedic, Inc. Osteogenic compositions containing a coloring agent
US9082857B2 (en) 2008-09-01 2015-07-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising an oxide semiconductor layer
TWI606592B (zh) * 2008-09-01 2017-11-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置的製造方法
JP5627071B2 (ja) 2008-09-01 2014-11-19 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
WO2010029859A1 (en) * 2008-09-12 2010-03-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
KR101644406B1 (ko) 2008-09-12 2016-08-01 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
KR101545460B1 (ko) * 2008-09-12 2015-08-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 생산 방법
KR101783193B1 (ko) * 2008-09-12 2017-09-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
CN102160102B (zh) 2008-09-19 2013-11-06 株式会社半导体能源研究所 显示装置
KR102426826B1 (ko) 2008-09-19 2022-08-01 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
CN102160105B (zh) * 2008-09-19 2014-06-11 株式会社半导体能源研究所 显示装置及其制造方法
KR101507324B1 (ko) 2008-09-19 2015-03-31 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
KR101611643B1 (ko) * 2008-10-01 2016-04-11 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
CN101714546B (zh) 2008-10-03 2014-05-14 株式会社半导体能源研究所 显示装置及其制造方法
KR101803720B1 (ko) 2008-10-03 2017-12-01 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
EP2172977A1 (en) 2008-10-03 2010-04-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
KR20160113329A (ko) 2008-10-03 2016-09-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시장치
EP2172804B1 (en) 2008-10-03 2016-05-11 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Display device
CN101719493B (zh) 2008-10-08 2014-05-14 株式会社半导体能源研究所 显示装置
JP5484853B2 (ja) * 2008-10-10 2014-05-07 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
KR101799601B1 (ko) * 2008-10-16 2017-11-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 표시 장치
JP5361651B2 (ja) 2008-10-22 2013-12-04 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US8741702B2 (en) 2008-10-24 2014-06-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US8106400B2 (en) 2008-10-24 2012-01-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
KR101667909B1 (ko) * 2008-10-24 2016-10-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체장치의 제조방법
JP5616012B2 (ja) 2008-10-24 2014-10-29 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
KR101310473B1 (ko) 2008-10-24 2013-09-24 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
EP2180518B1 (en) 2008-10-24 2018-04-25 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
WO2010047288A1 (en) * 2008-10-24 2010-04-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductordevice
JP5442234B2 (ja) 2008-10-24 2014-03-12 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及び表示装置
KR101631454B1 (ko) 2008-10-31 2016-06-17 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 논리회로
KR101603303B1 (ko) 2008-10-31 2016-03-14 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 도전성 산질화물 및 도전성 산질화물막의 제작 방법
KR101634411B1 (ko) * 2008-10-31 2016-06-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 구동 회로, 표시 장치 및 전자 장치
TWI633605B (zh) 2008-10-31 2018-08-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
TWI467663B (zh) 2008-11-07 2015-01-01 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置和該半導體裝置的製造方法
TW201921700A (zh) 2008-11-07 2019-06-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置和其製造方法
CN101740631B (zh) * 2008-11-07 2014-07-16 株式会社半导体能源研究所 半导体装置及该半导体装置的制造方法
KR101659703B1 (ko) * 2008-11-07 2016-09-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
EP2184783B1 (en) 2008-11-07 2012-10-03 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
TWI535037B (zh) * 2008-11-07 2016-05-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置和其製造方法
TWI502739B (zh) 2008-11-13 2015-10-01 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置及其製造方法
KR101432764B1 (ko) * 2008-11-13 2014-08-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체장치의 제조방법
US8232947B2 (en) 2008-11-14 2012-07-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
JP2010153802A (ja) 2008-11-20 2010-07-08 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置及び半導体装置の作製方法
KR102556313B1 (ko) 2008-11-21 2023-07-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
TWI654754B (zh) * 2008-11-28 2019-03-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 液晶顯示裝置
TWI508304B (zh) 2008-11-28 2015-11-11 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置和其製造方法
TWI585955B (zh) * 2008-11-28 2017-06-01 半導體能源研究所股份有限公司 光感測器及顯示裝置
KR101472771B1 (ko) * 2008-12-01 2014-12-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
US9721825B2 (en) 2008-12-02 2017-08-01 Arizona Board Of Regents, A Body Corporate Of The State Of Arizona, Acting For And On Behalf Of Arizona State University Method of providing a flexible semiconductor device and flexible semiconductor device thereof
US9601530B2 (en) 2008-12-02 2017-03-21 Arizona Board Of Regents, A Body Corporated Of The State Of Arizona, Acting For And On Behalf Of Arizona State University Dual active layer semiconductor device and method of manufacturing the same
US9991311B2 (en) 2008-12-02 2018-06-05 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University Dual active layer semiconductor device and method of manufacturing the same
US20100133094A1 (en) * 2008-12-02 2010-06-03 Applied Materials, Inc. Transparent conductive film with high transmittance formed by a reactive sputter deposition
JP5491833B2 (ja) * 2008-12-05 2014-05-14 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
CN103456794B (zh) 2008-12-19 2016-08-10 株式会社半导体能源研究所 晶体管的制造方法
EP2515337B1 (en) 2008-12-24 2016-02-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driver circuit and semiconductor device
US8383470B2 (en) * 2008-12-25 2013-02-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film transistor (TFT) having a protective layer and manufacturing method thereof
US8114720B2 (en) * 2008-12-25 2012-02-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US8441007B2 (en) 2008-12-25 2013-05-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and manufacturing method thereof
TWI549198B (zh) 2008-12-26 2016-09-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
JP5590877B2 (ja) * 2008-12-26 2014-09-17 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US20100163406A1 (en) * 2008-12-30 2010-07-01 Applied Materials, Inc. Substrate support in a reactive sputter chamber
KR101648927B1 (ko) * 2009-01-16 2016-08-17 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
US8492756B2 (en) 2009-01-23 2013-07-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US8436350B2 (en) * 2009-01-30 2013-05-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device using an oxide semiconductor with a plurality of metal clusters
JP4752925B2 (ja) * 2009-02-04 2011-08-17 ソニー株式会社 薄膜トランジスタおよび表示装置
US8367486B2 (en) 2009-02-05 2013-02-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor and method for manufacturing the transistor
US8174021B2 (en) 2009-02-06 2012-05-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device
US8749930B2 (en) * 2009-02-09 2014-06-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Protection circuit, semiconductor device, photoelectric conversion device, and electronic device
US8247812B2 (en) * 2009-02-13 2012-08-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor, semiconductor device including the transistor, and manufacturing method of the transistor and the semiconductor device
CN101840936B (zh) 2009-02-13 2014-10-08 株式会社半导体能源研究所 包括晶体管的半导体装置及其制造方法
US8247276B2 (en) 2009-02-20 2012-08-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film transistor, method for manufacturing the same, and semiconductor device
US8841661B2 (en) * 2009-02-25 2014-09-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Staggered oxide semiconductor TFT semiconductor device and manufacturing method thereof
US8704216B2 (en) 2009-02-27 2014-04-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US20100224878A1 (en) 2009-03-05 2010-09-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8461582B2 (en) * 2009-03-05 2013-06-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US20100224880A1 (en) * 2009-03-05 2010-09-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP5504008B2 (ja) 2009-03-06 2014-05-28 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
EP2406826B1 (en) 2009-03-12 2017-08-23 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
TWI485781B (zh) * 2009-03-13 2015-05-21 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置及該半導體裝置的製造方法
US8450144B2 (en) * 2009-03-26 2013-05-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
KR101681884B1 (ko) 2009-03-27 2016-12-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체장치, 표시장치 및 전자기기
KR101752640B1 (ko) 2009-03-27 2017-06-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체장치
TWI485851B (zh) * 2009-03-30 2015-05-21 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置及其製造方法
US8338226B2 (en) * 2009-04-02 2012-12-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
TWI489628B (zh) 2009-04-02 2015-06-21 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置和其製造方法
US8441047B2 (en) 2009-04-10 2013-05-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
TWI535023B (zh) 2009-04-16 2016-05-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置和其製造方法
CN102422426B (zh) * 2009-05-01 2016-06-01 株式会社半导体能源研究所 半导体装置的制造方法
JP5751762B2 (ja) 2009-05-21 2015-07-22 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR101362025B1 (ko) * 2009-05-29 2014-02-13 아리조나 보드 오브 리젠츠 퍼 앤 온 비하프 오브 아리조나 스테이트 유니버시티 고온에서 가요성 반도체 장치를 제공하는 방법 및 그 가요성 반도체 장치
EP2256795B1 (en) 2009-05-29 2014-11-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method for oxide semiconductor device
JP5564331B2 (ja) 2009-05-29 2014-07-30 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
KR101291395B1 (ko) 2009-06-30 2013-07-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 제조 방법
WO2011001879A1 (en) 2009-06-30 2011-01-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
KR101810699B1 (ko) 2009-06-30 2018-01-25 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 제작 방법
CN104576748B (zh) 2009-06-30 2019-03-15 株式会社半导体能源研究所 半导体装置的制造方法
US20110000175A1 (en) * 2009-07-01 2011-01-06 Husqvarna Consumer Outdoor Products N.A. Inc. Variable speed controller
JP5663214B2 (ja) * 2009-07-03 2015-02-04 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
KR102106460B1 (ko) 2009-07-03 2020-05-04 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제작 방법
KR101476817B1 (ko) 2009-07-03 2014-12-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 트랜지스터를 갖는 표시 장치 및 그 제작 방법
KR101642620B1 (ko) 2009-07-10 2016-07-25 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제조 방법
KR102011614B1 (ko) 2009-07-10 2019-08-16 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제조 방법
KR20210131462A (ko) 2009-07-10 2021-11-02 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치의 제작 방법
KR101739154B1 (ko) * 2009-07-17 2017-05-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제조 방법
WO2011007677A1 (en) 2009-07-17 2011-01-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
WO2011007682A1 (en) 2009-07-17 2011-01-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing semiconductor device
WO2011010545A1 (en) 2009-07-18 2011-01-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
KR101414926B1 (ko) 2009-07-18 2014-07-04 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치 제조 방법
CN105070749B (zh) 2009-07-18 2019-08-09 株式会社半导体能源研究所 半导体装置以及制造半导体装置的方法
KR101782176B1 (ko) 2009-07-18 2017-09-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제조 방법
WO2011010542A1 (en) * 2009-07-23 2011-01-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
KR101785992B1 (ko) 2009-07-24 2017-10-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
CN103489871B (zh) 2009-07-31 2016-03-23 株式会社半导体能源研究所 半导体装置及其制造方法
WO2011013502A1 (en) 2009-07-31 2011-02-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
WO2011013523A1 (en) * 2009-07-31 2011-02-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
KR101967480B1 (ko) * 2009-07-31 2019-04-09 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제조 방법
EP2284891B1 (en) 2009-08-07 2019-07-24 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
TWI830077B (zh) 2009-08-07 2024-01-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
TWI604594B (zh) * 2009-08-07 2017-11-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及包括該半導體裝置之電話、錶、和顯示裝置
TWI596741B (zh) * 2009-08-07 2017-08-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置和其製造方法
JP5642447B2 (ja) 2009-08-07 2014-12-17 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI634642B (zh) 2009-08-07 2018-09-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置和其製造方法
US8115883B2 (en) 2009-08-27 2012-02-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method for manufacturing the same
WO2011027649A1 (en) * 2009-09-02 2011-03-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including a transistor, and manufacturing method of semiconductor device
WO2011027702A1 (en) * 2009-09-04 2011-03-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and method for manufacturing the same
WO2011027701A1 (en) 2009-09-04 2011-03-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and method for manufacturing the same
WO2011027715A1 (en) 2009-09-04 2011-03-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
KR101746198B1 (ko) 2009-09-04 2017-06-12 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시장치 및 전자기기
WO2011027676A1 (en) 2009-09-04 2011-03-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US9805641B2 (en) * 2009-09-04 2017-10-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device including the same
KR102221207B1 (ko) 2009-09-04 2021-03-03 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치 및 발광 장치를 제작하기 위한 방법
KR101836532B1 (ko) 2009-09-04 2018-04-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
KR101709749B1 (ko) 2009-09-16 2017-03-08 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치의 구동 방법 및 표시 장치
KR101730347B1 (ko) 2009-09-16 2017-04-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
KR102157249B1 (ko) * 2009-09-16 2020-09-17 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제조 방법
WO2011034012A1 (en) * 2009-09-16 2011-03-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Logic circuit, light emitting device, semiconductor device, and electronic device
US9715845B2 (en) 2009-09-16 2017-07-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor display device
KR102009813B1 (ko) 2009-09-16 2019-08-12 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치 및 이의 제조 방법
WO2011033909A1 (en) * 2009-09-16 2011-03-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driver circuit, display device including the driver circuit, and electronic device including the display device
KR101301461B1 (ko) * 2009-09-16 2013-08-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 산화물 반도체층
KR101342179B1 (ko) 2009-09-24 2013-12-16 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 소자 및 그 제조 방법
WO2011036999A1 (en) * 2009-09-24 2011-03-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor film and semiconductor device
WO2011036993A1 (en) 2009-09-24 2011-03-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driver circuit, display device including the driver circuit, and electronic appliance including the display device
WO2011036981A1 (en) * 2009-09-24 2011-03-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR102111468B1 (ko) 2009-09-24 2020-05-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제조 방법
CN105161543A (zh) 2009-09-24 2015-12-16 株式会社半导体能源研究所 半导体器件及其制造方法
WO2011037008A1 (en) 2009-09-24 2011-03-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing oxide semiconductor film and method for manufacturing semiconductor device
WO2011036987A1 (en) 2009-09-24 2011-03-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
TWI512997B (zh) 2009-09-24 2015-12-11 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置，電源電路，和半導體裝置的製造方法
US8840763B2 (en) * 2009-09-28 2014-09-23 Applied Materials, Inc. Methods for stable process in a reactive sputtering process using zinc or doped zinc target
KR20120080575A (ko) * 2009-09-30 2012-07-17 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 레독스 커패시터 및 그 제작 방법
KR101767035B1 (ko) * 2009-10-01 2017-08-10 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
WO2011043182A1 (en) 2009-10-05 2011-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for removing electricity and method for manufacturing semiconductor device
KR20120084751A (ko) 2009-10-05 2012-07-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
KR101376461B1 (ko) 2009-10-08 2014-03-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 산화물 반도체층 및 반도체 장치
KR101991006B1 (ko) 2009-10-08 2019-06-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR101759504B1 (ko) * 2009-10-09 2017-07-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 표시 장치 및 이를 포함한 전자 기기
WO2011043206A1 (en) 2009-10-09 2011-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR20120083341A (ko) * 2009-10-09 2012-07-25 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치 및 액정 표시 장치를 포함하는 전자 기기
WO2011043164A1 (en) * 2009-10-09 2011-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device
WO2011043215A1 (en) * 2009-10-09 2011-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Shift register and display device and driving method thereof
KR101754701B1 (ko) * 2009-10-09 2017-07-06 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 이를 제조하기 위한 방법
KR101820973B1 (ko) * 2009-10-09 2018-01-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치 제조 방법
WO2011043195A1 (en) 2009-10-09 2011-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR101959693B1 (ko) * 2009-10-09 2019-03-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제조 방법
WO2011043194A1 (en) 2009-10-09 2011-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
KR102000410B1 (ko) 2009-10-09 2019-07-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
KR101680047B1 (ko) * 2009-10-14 2016-11-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
KR101915251B1 (ko) 2009-10-16 2018-11-06 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR101426723B1 (ko) * 2009-10-16 2014-08-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
KR101903918B1 (ko) 2009-10-16 2018-10-02 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 논리 회로 및 반도체 장치
KR101945301B1 (ko) 2009-10-16 2019-02-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 표시 장치 및 전자 장치
KR102375647B1 (ko) 2009-10-16 2022-03-17 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치 및 이를 구비한 전자 장치
KR101751908B1 (ko) 2009-10-21 2017-06-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 전압 조정 회로
WO2011048968A1 (en) 2009-10-21 2011-04-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR101789309B1 (ko) 2009-10-21 2017-10-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 아날로그 회로 및 반도체 장치
KR101803554B1 (ko) 2009-10-21 2017-11-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 제작방법
KR101847656B1 (ko) * 2009-10-21 2018-05-24 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제조 방법
KR20170130641A (ko) * 2009-10-21 2017-11-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치 및 그 액정 표시 장치를 구비하는 전자기기
WO2011048923A1 (en) 2009-10-21 2011-04-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. E-book reader
KR20120096463A (ko) 2009-10-21 2012-08-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 표시 장치를 갖는 전자 기기
KR101930682B1 (ko) 2009-10-29 2018-12-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR20220153647A (ko) 2009-10-29 2022-11-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
CN102484471B (zh) * 2009-10-30 2015-04-01 株式会社半导体能源研究所 驱动器电路、包括该驱动器电路的显示设备和包括该显示设备的电子设备
WO2011052382A1 (en) 2009-10-30 2011-05-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
CN105070717B (zh) 2009-10-30 2019-01-01 株式会社半导体能源研究所 半导体装置
CN102576172B (zh) * 2009-10-30 2016-01-27 株式会社半导体能源研究所 液晶显示设备、其驱动方法以及包括该液晶显示设备的电子电器
WO2011052410A1 (en) * 2009-10-30 2011-05-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Power diode, rectifier, and semiconductor device including the same
WO2011052366A1 (en) 2009-10-30 2011-05-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Voltage regulator circuit
WO2011052437A1 (en) 2009-10-30 2011-05-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Non-linear element, display device including non-linear element, and electronic device including display device
SG188112A1 (en) 2009-10-30 2013-03-28 Semiconductor Energy Lab Logic circuit and semiconductor device
CN102668095B (zh) * 2009-10-30 2016-08-03 株式会社半导体能源研究所 晶体管
CN104867982B (zh) * 2009-10-30 2018-08-03 株式会社半导体能源研究所 半导体装置及其制造方法
KR101837102B1 (ko) 2009-10-30 2018-03-09 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
EP2494597A4 (en) * 2009-10-30 2015-03-18 Semiconductor Energy Lab SEMICONDUCTOR COMPONENT
WO2011052411A1 (en) * 2009-10-30 2011-05-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor
KR101796909B1 (ko) 2009-10-30 2017-12-12 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 비선형 소자, 표시 장치, 및 전자 기기
KR101952065B1 (ko) 2009-11-06 2019-02-25 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 동작 방법
JP5539846B2 (ja) 2009-11-06 2014-07-02 株式会社半導体エネルギー研究所 評価方法、半導体装置の作製方法
KR101761432B1 (ko) 2009-11-06 2017-07-25 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR102286284B1 (ko) 2009-11-06 2021-08-06 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
CN102598284B (zh) * 2009-11-06 2015-04-15 株式会社半导体能源研究所 半导体器件
CN104485341A (zh) 2009-11-06 2015-04-01 株式会社半导体能源研究所 半导体装置
WO2011055644A1 (en) 2009-11-06 2011-05-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
KR102378013B1 (ko) 2009-11-06 2022-03-24 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법
WO2011055769A1 (en) * 2009-11-06 2011-05-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor element and semiconductor device, and deposition apparatus
WO2011055669A1 (en) 2009-11-06 2011-05-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR101727469B1 (ko) * 2009-11-06 2017-04-17 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
CN102598279B (zh) * 2009-11-06 2015-10-07 株式会社半导体能源研究所 半导体装置
KR101893332B1 (ko) 2009-11-13 2018-08-31 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 구동 방법
KR20220116369A (ko) 2009-11-13 2022-08-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 이 표시 장치를 구비한 전자 기기
WO2011058852A1 (en) 2009-11-13 2011-05-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2011058913A1 (en) 2009-11-13 2011-05-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
KR101738996B1 (ko) * 2009-11-13 2017-05-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 불휘발성 메모리 소자를 포함하는 장치
WO2011058882A1 (en) 2009-11-13 2011-05-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Sputtering target and manufacturing method thereof, and transistor
CN102668097B (zh) * 2009-11-13 2015-08-12 株式会社半导体能源研究所 半导体器件及其制造方法
KR101975741B1 (ko) * 2009-11-13 2019-05-09 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 타깃 재료의 포장 방법 및 타깃의 장착 방법
WO2011058867A1 (en) * 2009-11-13 2011-05-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Sputtering target and method for manufacturing the same, and transistor
KR102513073B1 (ko) 2009-11-13 2023-03-24 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
WO2011062029A1 (en) 2009-11-18 2011-05-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device
KR102451852B1 (ko) 2009-11-20 2022-10-11 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR101800852B1 (ko) 2009-11-20 2017-12-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR101945660B1 (ko) 2009-11-20 2019-02-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 트랜지스터
WO2011062041A1 (en) * 2009-11-20 2011-05-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor
KR101370301B1 (ko) * 2009-11-20 2014-03-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제작 방법
CN104332177B (zh) 2009-11-20 2018-05-08 株式会社半导体能源研究所 非易失性锁存电路和逻辑电路，以及使用其的半导体器件
KR101790365B1 (ko) * 2009-11-20 2017-10-25 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
JP5762723B2 (ja) 2009-11-20 2015-08-12 株式会社半導体エネルギー研究所 変調回路及びそれを備えた半導体装置
KR101693914B1 (ko) 2009-11-20 2017-01-06 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2011062067A1 (en) * 2009-11-20 2011-05-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR101662359B1 (ko) * 2009-11-24 2016-10-04 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 메모리 셀을 포함하는 반도체 장치
KR101911382B1 (ko) * 2009-11-27 2018-10-24 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2011065209A1 (en) * 2009-11-27 2011-06-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Non-linear element, display device including non-linear element, and electronic device including display device
KR20180059577A (ko) 2009-11-27 2018-06-04 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR101517944B1 (ko) 2009-11-27 2015-05-06 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작방법
KR101824124B1 (ko) 2009-11-28 2018-02-01 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
KR101329849B1 (ko) 2009-11-28 2013-11-14 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제조 방법
WO2011065216A1 (en) 2009-11-28 2011-06-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Stacked oxide material, semiconductor device, and method for manufacturing the semiconductor device
WO2011065210A1 (en) * 2009-11-28 2011-06-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Stacked oxide material, semiconductor device, and method for manufacturing the semiconductor device
KR20180030255A (ko) 2009-11-30 2018-03-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치, 액정 표시 장치의 구동 방법, 및 이 액정 표시 장치를 구비하는 전자기기
KR101943109B1 (ko) 2009-12-04 2019-01-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제조 방법
KR102250803B1 (ko) 2009-12-04 2021-05-11 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR102462239B1 (ko) 2009-12-04 2022-11-03 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
CN104795323B (zh) * 2009-12-04 2017-12-29 株式会社半导体能源研究所 半导体装置及其制造方法
WO2011068028A1 (en) * 2009-12-04 2011-06-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor element, semiconductor device, and method for manufacturing the same
KR101800038B1 (ko) * 2009-12-04 2017-11-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
JP2011139052A (ja) * 2009-12-04 2011-07-14 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体記憶装置
WO2011068106A1 (en) * 2009-12-04 2011-06-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device including the same
WO2011068032A1 (en) * 2009-12-04 2011-06-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
KR20120107107A (ko) 2009-12-04 2012-09-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
JP5584103B2 (ja) * 2009-12-04 2014-09-03 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
WO2011068016A1 (en) * 2009-12-04 2011-06-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR20120106786A (ko) 2009-12-08 2012-09-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
KR101835300B1 (ko) 2009-12-08 2018-03-08 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
KR20170061194A (ko) 2009-12-10 2017-06-02 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치의 구동 방법 및 표시 장치
JP5727204B2 (ja) 2009-12-11 2015-06-03 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
KR101804589B1 (ko) 2009-12-11 2018-01-10 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제조 방법
KR20120102748A (ko) 2009-12-11 2012-09-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 전계 효과 트랜지스터
KR101720072B1 (ko) 2009-12-11 2017-03-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 불휘발성 래치 회로와 논리 회로, 및 이를 사용한 반도체 장치
WO2011070929A1 (en) 2009-12-11 2011-06-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
WO2011070928A1 (en) 2009-12-11 2011-06-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP5185357B2 (ja) * 2009-12-17 2013-04-17 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
CN105140245B (zh) 2009-12-18 2018-07-17 株式会社半导体能源研究所 液晶显示设备和电子设备
CN102725784B (zh) 2009-12-18 2016-03-23 株式会社半导体能源研究所 具有光学传感器的显示设备及其驱动方法
US9057758B2 (en) * 2009-12-18 2015-06-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for measuring current, method for inspecting semiconductor device, semiconductor device, and test element group
WO2011074393A1 (en) 2009-12-18 2011-06-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for driving liquid crystal display device
WO2011074379A1 (en) 2009-12-18 2011-06-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and driving method thereof
KR101729933B1 (ko) 2009-12-18 2017-04-25 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 불휘발성 래치 회로와 논리 회로, 및 이를 사용한 반도체 장치
KR101813460B1 (ko) 2009-12-18 2017-12-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2011074409A1 (en) 2009-12-18 2011-06-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
WO2011074407A1 (en) * 2009-12-18 2011-06-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
CN102652396B (zh) * 2009-12-23 2015-12-16 株式会社半导体能源研究所 半导体装置
KR20120101716A (ko) 2009-12-24 2012-09-14 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 전자 기기
KR20110074354A (ko) * 2009-12-24 2011-06-30 삼성전자주식회사 메모리소자 및 그 동작방법
WO2011077916A1 (en) 2009-12-24 2011-06-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
WO2011077978A1 (en) 2009-12-25 2011-06-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing display device
US8441009B2 (en) * 2009-12-25 2013-05-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
WO2011077925A1 (en) * 2009-12-25 2011-06-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for driving liquid crystal display device
CN102656801B (zh) 2009-12-25 2016-04-27 株式会社半导体能源研究所 存储器装置、半导体器件和电子装置
WO2011077966A1 (en) * 2009-12-25 2011-06-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
CN102804360B (zh) 2009-12-25 2014-12-17 株式会社半导体能源研究所 半导体装置
EP3550604A1 (en) 2009-12-25 2019-10-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR20120106873A (ko) 2009-12-28 2012-09-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제작 방법
WO2011080998A1 (en) * 2009-12-28 2011-07-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2011081041A1 (en) * 2009-12-28 2011-07-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device
CN102656691B (zh) 2009-12-28 2015-07-29 株式会社半导体能源研究所 存储器装置和半导体装置
EP2519969A4 (en) 2009-12-28 2016-07-06 Semiconductor Energy Lab SEMICONDUCTOR COMPONENT
KR101749944B1 (ko) 2009-12-28 2017-06-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치 및 전자 기기
US8288767B2 (en) * 2010-01-04 2012-10-16 National Taiwan University Thin-film transistor and forming method thereof
KR20120099483A (ko) 2010-01-15 2012-09-10 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 이를 구동하는 방법
WO2011086846A1 (en) 2010-01-15 2011-07-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR101748763B1 (ko) * 2010-01-15 2017-06-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 전자 기기
WO2011086847A1 (en) 2010-01-15 2011-07-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2011086812A1 (en) * 2010-01-15 2011-07-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR101791279B1 (ko) * 2010-01-15 2017-10-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US8780629B2 (en) * 2010-01-15 2014-07-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
KR102395345B1 (ko) 2010-01-20 2022-05-10 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 전자 기기
KR101861991B1 (ko) 2010-01-20 2018-05-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 신호 처리 회로 및 신호 처리 회로를 구동하기 위한 방법
KR102257147B1 (ko) 2010-01-20 2021-05-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 휴대 전화기
WO2011089843A1 (en) 2010-01-20 2011-07-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for driving display device
EP2526622B1 (en) 2010-01-20 2015-09-23 Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd. Semiconductor device
US9984617B2 (en) * 2010-01-20 2018-05-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device including light emitting element
WO2011089832A1 (en) 2010-01-20 2011-07-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for driving display device and liquid crystal display device
CN102714023B (zh) * 2010-01-20 2016-05-04 株式会社半导体能源研究所 液晶显示设备的驱动方法
US8415731B2 (en) * 2010-01-20 2013-04-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor storage device with integrated capacitor and having transistor overlapping sections
WO2011090087A1 (en) 2010-01-20 2011-07-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display method of display device
WO2011089848A1 (en) 2010-01-20 2011-07-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device and electronic system
KR101829309B1 (ko) 2010-01-22 2018-02-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR102088281B1 (ko) * 2010-01-22 2020-03-13 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
CN102714209B (zh) 2010-01-22 2015-09-16 株式会社半导体能源研究所 半导体存储器件及其驱动方法
US8879010B2 (en) 2010-01-24 2014-11-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
CN106057162B (zh) 2010-01-24 2019-01-22 株式会社半导体能源研究所 显示装置
KR101805378B1 (ko) 2010-01-24 2017-12-06 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치와 이의 제조 방법
KR101800850B1 (ko) * 2010-01-29 2017-11-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 기억 장치
WO2011093151A1 (en) 2010-01-29 2011-08-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device including the same
KR20120120330A (ko) 2010-01-29 2012-11-01 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR101862823B1 (ko) * 2010-02-05 2018-05-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 구동 방법
KR101791713B1 (ko) 2010-02-05 2017-10-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 전계 효과 트랜지스터 및 반도체 장치
CN105590964B (zh) * 2010-02-05 2019-01-04 株式会社半导体能源研究所 半导体装置
WO2011096153A1 (en) 2010-02-05 2011-08-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
US8436403B2 (en) 2010-02-05 2013-05-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including transistor provided with sidewall and electronic appliance
CN106847816A (zh) 2010-02-05 2017-06-13 株式会社半导体能源研究所 半导体装置
WO2011096271A1 (en) 2010-02-05 2011-08-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
US9391209B2 (en) 2010-02-05 2016-07-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR101399611B1 (ko) 2010-02-05 2014-05-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 및 반도체 장치의 제조 방법
WO2011096264A1 (en) 2010-02-05 2011-08-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of driving semiconductor device
CN102725842B (zh) * 2010-02-05 2014-12-03 株式会社半导体能源研究所 半导体器件
KR101810261B1 (ko) 2010-02-10 2017-12-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 전계 효과 트랜지스터
US8947337B2 (en) 2010-02-11 2015-02-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
WO2011099335A1 (en) 2010-02-12 2011-08-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US8617920B2 (en) * 2010-02-12 2013-12-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
KR101924318B1 (ko) * 2010-02-12 2018-12-03 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 구동 방법
WO2011099389A1 (en) 2010-02-12 2011-08-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method of the same
WO2011099360A1 (en) 2010-02-12 2011-08-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for driving the same
KR101830196B1 (ko) 2010-02-12 2018-02-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 구동 방법
CN102741915B (zh) 2010-02-12 2015-12-16 株式会社半导体能源研究所 显示装置及驱动方法
WO2011099376A1 (en) * 2010-02-12 2011-08-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and electronic device
KR101817054B1 (ko) * 2010-02-12 2018-01-11 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 이를 포함한 표시 장치
KR20230145240A (ko) 2010-02-18 2023-10-17 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2011102183A1 (en) 2010-02-19 2011-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2011102190A1 (en) * 2010-02-19 2011-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Demodulation circuit and rfid tag including the demodulation circuit
WO2011102233A1 (en) * 2010-02-19 2011-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2011102248A1 (en) * 2010-02-19 2011-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and electronic device
US8928644B2 (en) * 2010-02-19 2015-01-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method for driving display device
KR102049472B1 (ko) 2010-02-19 2019-11-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR20180110212A (ko) 2010-02-19 2018-10-08 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 트랜지스터 및 이를 이용한 표시 장치
JP5740169B2 (ja) * 2010-02-19 2015-06-24 株式会社半導体エネルギー研究所 トランジスタの作製方法
WO2011102206A1 (en) * 2010-02-19 2011-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device, driving method thereof, and method for manufacturing semiconductor device
WO2011102228A1 (en) 2010-02-19 2011-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method of semiconductor device
KR102081035B1 (ko) * 2010-02-19 2020-02-24 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제조 방법
KR101912804B1 (ko) 2010-02-23 2018-10-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2011105268A1 (en) * 2010-02-26 2011-09-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US9000438B2 (en) 2010-02-26 2015-04-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
KR102598388B1 (ko) 2010-02-26 2023-11-03 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치
KR101780841B1 (ko) 2010-02-26 2017-09-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2011105310A1 (en) 2010-02-26 2011-09-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2011105184A1 (en) 2010-02-26 2011-09-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
KR20130009978A (ko) * 2010-02-26 2013-01-24 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 소자의 제조 방법 및 성막 장치
CN102770903B (zh) * 2010-02-26 2015-10-07 株式会社半导体能源研究所 显示装置及具备该显示装置的电子书阅读器
KR101733765B1 (ko) * 2010-02-26 2017-05-08 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시장치 및 표시장치의 구동 방법
DE112011106185B3 (de) 2010-03-02 2023-05-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Impulssignal-Ausgangsschaltung und Schieberegister
WO2011108345A1 (en) * 2010-03-02 2011-09-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Pulse signal output circuit and shift register
KR101389120B1 (ko) 2010-03-02 2014-04-25 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 펄스 신호 출력 회로 및 시프트 레지스터
KR101767037B1 (ko) 2010-03-02 2017-08-10 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 승압 회로 및 승압 회로를 포함하는 ｒｆｉｄ 태그
KR101932909B1 (ko) * 2010-03-04 2018-12-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 메모리 장치 및 반도체 장치
WO2011108346A1 (en) * 2010-03-05 2011-09-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of oxide semiconductor film and manufacturing method of transistor
KR20130008037A (ko) * 2010-03-05 2013-01-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치를 제작하는 방법
KR102341927B1 (ko) * 2010-03-05 2021-12-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
WO2011108374A1 (en) * 2010-03-05 2011-09-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
KR101812467B1 (ko) * 2010-03-08 2017-12-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR101874784B1 (ko) 2010-03-08 2018-07-06 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
CN106449649B (zh) 2010-03-08 2019-09-27 株式会社半导体能源研究所 半导体装置及半导体装置的制造方法
WO2011111490A1 (en) 2010-03-08 2011-09-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
WO2011111504A1 (en) 2010-03-08 2011-09-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device and electronic system
WO2011111505A1 (en) 2010-03-08 2011-09-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
TWI594173B (zh) * 2010-03-08 2017-08-01 半導體能源研究所股份有限公司 電子裝置及電子系統
KR101823853B1 (ko) * 2010-03-12 2018-02-01 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
KR101761558B1 (ko) * 2010-03-12 2017-07-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 입력 회로를 구동하는 방법 및 입출력 장치를 구동하는 방법
KR101840185B1 (ko) 2010-03-12 2018-03-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 회로를 구동하는 방법 및 표시 장치를 구동하는 방법
US8900362B2 (en) * 2010-03-12 2014-12-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of gallium oxide single crystal
KR101773992B1 (ko) 2010-03-12 2017-09-01 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
CN102782622B (zh) * 2010-03-12 2016-11-02 株式会社半导体能源研究所 显示装置的驱动方法
WO2011114866A1 (en) * 2010-03-17 2011-09-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device and semiconductor device
KR101840797B1 (ko) * 2010-03-19 2018-03-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 메모리 장치
WO2011114867A1 (en) * 2010-03-19 2011-09-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method of semiconductor device
US20110227082A1 (en) 2010-03-19 2011-09-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
CN102812547B (zh) * 2010-03-19 2015-09-09 株式会社半导体能源研究所 半导体装置
WO2011114868A1 (en) 2010-03-19 2011-09-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2011118351A1 (en) * 2010-03-25 2011-09-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR101921047B1 (ko) 2010-03-26 2018-11-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치를 제작하는 방법
KR101862539B1 (ko) * 2010-03-26 2018-05-31 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2011118741A1 (en) * 2010-03-26 2011-09-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
JP5731244B2 (ja) * 2010-03-26 2015-06-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
WO2011118510A1 (en) * 2010-03-26 2011-09-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
WO2011122280A1 (en) 2010-03-31 2011-10-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor display device
WO2011122299A1 (en) 2010-03-31 2011-10-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driving method of liquid crystal display device
KR20130069583A (ko) 2010-03-31 2013-06-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 필드 시퀀셜 구동형 표시 장치
KR101814367B1 (ko) 2010-03-31 2018-01-04 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치 및 그 구동 방법
WO2011122514A1 (en) 2010-03-31 2011-10-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Power supply device and driving method thereof
US8884282B2 (en) 2010-04-02 2014-11-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR101977152B1 (ko) 2010-04-02 2019-05-10 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US9196739B2 (en) 2010-04-02 2015-11-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including oxide semiconductor film and metal oxide film
US9147768B2 (en) 2010-04-02 2015-09-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having an oxide semiconductor and a metal oxide film
WO2011122364A1 (en) 2010-04-02 2011-10-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9190522B2 (en) 2010-04-02 2015-11-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having an oxide semiconductor
WO2011125432A1 (en) 2010-04-07 2011-10-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device
CN102918650B (zh) 2010-04-07 2017-03-22 株式会社半导体能源研究所 晶体管
KR101850926B1 (ko) 2010-04-09 2018-04-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US8653514B2 (en) 2010-04-09 2014-02-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US8207025B2 (en) 2010-04-09 2012-06-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
WO2011125806A1 (en) 2010-04-09 2011-10-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
KR101748901B1 (ko) 2010-04-09 2017-06-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치 및 그 구동 방법
WO2011125456A1 (en) 2010-04-09 2011-10-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2011125455A1 (en) 2010-04-09 2011-10-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor memory device
US8854583B2 (en) 2010-04-12 2014-10-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and liquid crystal display device
JP5744366B2 (ja) 2010-04-12 2015-07-08 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置
KR101881729B1 (ko) 2010-04-16 2018-07-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 성막 방법 및 반도체 장치를 제작하기 위한 방법
KR20130061678A (ko) 2010-04-16 2013-06-11 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 전원 회로
WO2011129233A1 (en) 2010-04-16 2011-10-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP2011237418A (ja) 2010-04-16 2011-11-24 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 電流測定方法、半導体装置の検査方法、半導体装置、および特性評価用回路
US8692243B2 (en) 2010-04-20 2014-04-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
KR101877377B1 (ko) 2010-04-23 2018-07-11 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제작 방법
US9537043B2 (en) 2010-04-23 2017-01-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Photoelectric conversion device and manufacturing method thereof
KR101636008B1 (ko) 2010-04-23 2016-07-06 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법
CN102859704B (zh) 2010-04-23 2016-08-03 株式会社半导体能源研究所 半导体装置的制造方法
KR101854421B1 (ko) 2010-04-23 2018-05-03 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제작 방법
WO2011132591A1 (en) 2010-04-23 2011-10-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
KR101833082B1 (ko) 2010-04-23 2018-02-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 그 구동 방법
KR102434906B1 (ko) 2010-04-23 2022-08-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제작 방법
WO2011135999A1 (en) 2010-04-27 2011-11-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device
US9697788B2 (en) 2010-04-28 2017-07-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
US8890555B2 (en) 2010-04-28 2014-11-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for measuring transistor
WO2011135987A1 (en) 2010-04-28 2011-11-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
WO2011136018A1 (en) 2010-04-28 2011-11-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and electronic appliance
US9349325B2 (en) 2010-04-28 2016-05-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and electronic device
KR20190110632A (ko) 2010-04-28 2019-09-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
US9478185B2 (en) 2010-05-12 2016-10-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electro-optical display device and display method thereof
US9064473B2 (en) 2010-05-12 2015-06-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electro-optical display device and display method thereof
JP5797449B2 (ja) 2010-05-13 2015-10-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の評価方法
WO2011142467A1 (en) 2010-05-14 2011-11-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
WO2011142371A1 (en) 2010-05-14 2011-11-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
TWI511236B (zh) 2010-05-14 2015-12-01 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置
US8664658B2 (en) 2010-05-14 2014-03-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8588000B2 (en) 2010-05-20 2013-11-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device having a reading transistor with a back-gate electrode
US9490368B2 (en) 2010-05-20 2016-11-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method of the same
JP5923248B2 (ja) 2010-05-20 2016-05-24 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US8624239B2 (en) * 2010-05-20 2014-01-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9496405B2 (en) 2010-05-20 2016-11-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device including step of adding cation to oxide semiconductor layer
JP5766012B2 (ja) 2010-05-21 2015-08-19 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置
WO2012021196A2 (en) 2010-05-21 2012-02-16 Arizona Board Of Regents, For And On Behalf Of Arizona State University Method for manufacturing electronic devices and electronic devices thereof
JP5714973B2 (ja) 2010-05-21 2015-05-07 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
WO2012021197A2 (en) 2010-05-21 2012-02-16 Arizona Board Of Regents, For And On Behalf Of Arizona State University Method of manufacturing electronic devices on both sides of a carrier substrate and electronic devices thereof
WO2011145707A1 (en) 2010-05-21 2011-11-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device
KR101872927B1 (ko) 2010-05-21 2018-06-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2011145538A1 (en) 2010-05-21 2011-11-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
WO2011145537A1 (en) 2010-05-21 2011-11-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
JP5852793B2 (ja) 2010-05-21 2016-02-03 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置の作製方法
US8629438B2 (en) 2010-05-21 2014-01-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
WO2011145706A1 (en) 2010-05-21 2011-11-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device
WO2011145484A1 (en) 2010-05-21 2011-11-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR101808198B1 (ko) 2010-05-21 2017-12-12 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제작 방법
WO2011145632A1 (en) 2010-05-21 2011-11-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing the same
WO2011145633A1 (en) 2010-05-21 2011-11-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2011145634A1 (en) 2010-05-21 2011-11-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2011145468A1 (en) 2010-05-21 2011-11-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device and semiconductor device
JP5749975B2 (ja) 2010-05-28 2015-07-15 株式会社半導体エネルギー研究所 光検出装置、及び、タッチパネル
US8895375B2 (en) 2010-06-01 2014-11-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Field effect transistor and method for manufacturing the same
US8779433B2 (en) 2010-06-04 2014-07-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR101894897B1 (ko) 2010-06-04 2018-09-04 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2011152254A1 (en) 2010-06-04 2011-12-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2011152286A1 (en) 2010-06-04 2011-12-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2011155295A1 (en) 2010-06-10 2011-12-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Dc/dc converter, power supply circuit, and semiconductor device
WO2011155502A1 (en) 2010-06-11 2011-12-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
WO2011155302A1 (en) 2010-06-11 2011-12-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8610180B2 (en) 2010-06-11 2013-12-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Gas sensor and method for manufacturing the gas sensor
JP5797471B2 (ja) 2010-06-16 2015-10-21 株式会社半導体エネルギー研究所 入出力装置
JP5823740B2 (ja) 2010-06-16 2015-11-25 株式会社半導体エネルギー研究所 入出力装置
US9209314B2 (en) 2010-06-16 2015-12-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Field effect transistor
KR101862808B1 (ko) 2010-06-18 2018-05-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US8637802B2 (en) 2010-06-18 2014-01-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Photosensor, semiconductor device including photosensor, and light measurement method using photosensor
US8552425B2 (en) 2010-06-18 2013-10-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2011158704A1 (en) 2010-06-18 2011-12-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
WO2011162147A1 (en) 2010-06-23 2011-12-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR101746197B1 (ko) 2010-06-25 2017-06-12 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제작 방법 및 반도체 장치의 검사 방법
WO2011162104A1 (en) 2010-06-25 2011-12-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for driving the same
KR20120000499A (ko) 2010-06-25 2012-01-02 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 트랜지스터 및 반도체 장치
WO2012002236A1 (en) 2010-06-29 2012-01-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Wiring board, semiconductor device, and manufacturing methods thereof
KR101822526B1 (ko) 2010-06-30 2018-01-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치와 그 제작 방법
US8441010B2 (en) 2010-07-01 2013-05-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR101350751B1 (ko) 2010-07-01 2014-01-10 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치의 구동 방법
US9473714B2 (en) 2010-07-01 2016-10-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Solid-state imaging device and semiconductor display device
KR102233958B1 (ko) 2010-07-02 2021-03-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
US9336739B2 (en) 2010-07-02 2016-05-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
WO2012002186A1 (en) 2010-07-02 2012-01-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
TWI541782B (zh) 2010-07-02 2016-07-11 半導體能源研究所股份有限公司 液晶顯示裝置
JP5792524B2 (ja) 2010-07-02 2015-10-14 株式会社半導体エネルギー研究所 装置
KR20130090405A (ko) 2010-07-02 2013-08-13 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치
US8605059B2 (en) 2010-07-02 2013-12-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Input/output device and driving method thereof
US8642380B2 (en) 2010-07-02 2014-02-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
CN102959713B (zh) 2010-07-02 2017-05-10 株式会社半导体能源研究所 半导体装置
WO2012008192A1 (ja) * 2010-07-15 2012-01-19 シャープ株式会社 回路基板、表示装置、及び、回路基板の製造方法
WO2012008286A1 (en) 2010-07-16 2012-01-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2012008304A1 (en) 2010-07-16 2012-01-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8785241B2 (en) 2010-07-16 2014-07-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
WO2012008390A1 (en) 2010-07-16 2012-01-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8519387B2 (en) 2010-07-26 2013-08-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing
JP5735872B2 (ja) 2010-07-27 2015-06-17 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR20180088759A (ko) 2010-07-27 2018-08-06 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
KR101108178B1 (ko) * 2010-07-27 2012-01-31 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 트랜지스터 센서 및 박막 트랜지스터 제조 방법
TWI565001B (zh) 2010-07-28 2017-01-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及半導體裝置的驅動方法
JP5846789B2 (ja) 2010-07-29 2016-01-20 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
WO2012014786A1 (en) 2010-07-30 2012-02-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semicondcutor device and manufacturing method thereof
KR101842181B1 (ko) 2010-08-04 2018-03-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US8537600B2 (en) 2010-08-04 2013-09-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Low off-state leakage current semiconductor memory device
US8928466B2 (en) 2010-08-04 2015-01-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP5739257B2 (ja) 2010-08-05 2015-06-24 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US8422272B2 (en) 2010-08-06 2013-04-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
US8803164B2 (en) 2010-08-06 2014-08-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Solid-state image sensing device and semiconductor display device
JP5832181B2 (ja) 2010-08-06 2015-12-16 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置
WO2012017844A1 (en) 2010-08-06 2012-02-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8792284B2 (en) 2010-08-06 2014-07-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor memory device
JP5671418B2 (ja) 2010-08-06 2015-02-18 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の駆動方法
US8467231B2 (en) 2010-08-06 2013-06-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
TWI605549B (zh) 2010-08-06 2017-11-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
JP5743790B2 (ja) 2010-08-06 2015-07-01 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI555128B (zh) 2010-08-06 2016-10-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及半導體裝置的驅動方法
US8467232B2 (en) 2010-08-06 2013-06-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
CN107947763B (zh) 2010-08-06 2021-12-28 株式会社半导体能源研究所 半导体集成电路
US8582348B2 (en) 2010-08-06 2013-11-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for driving semiconductor device
TWI559409B (zh) 2010-08-16 2016-11-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置之製造方法
US9129703B2 (en) 2010-08-16 2015-09-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for driving semiconductor memory device
JP5848912B2 (ja) 2010-08-16 2016-01-27 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置の制御回路、液晶表示装置、及び当該液晶表示装置を具備する電子機器
US9343480B2 (en) 2010-08-16 2016-05-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
TWI508294B (zh) 2010-08-19 2015-11-11 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置
US8759820B2 (en) 2010-08-20 2014-06-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8685787B2 (en) 2010-08-25 2014-04-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
US8508276B2 (en) 2010-08-25 2013-08-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including latch circuit
US8883555B2 (en) 2010-08-25 2014-11-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device, manufacturing method of electronic device, and sputtering target
US9058047B2 (en) 2010-08-26 2015-06-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP2013009285A (ja) 2010-08-26 2013-01-10 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 信号処理回路及びその駆動方法
JP5727892B2 (ja) 2010-08-26 2015-06-03 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US8603841B2 (en) 2010-08-27 2013-12-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing methods of semiconductor device and light-emitting display device
US8592261B2 (en) 2010-08-27 2013-11-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for designing semiconductor device
CN106298794B (zh) 2010-08-27 2019-07-30 株式会社半导体能源研究所 存储器件及半导体器件
JP5674594B2 (ja) 2010-08-27 2015-02-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及び半導体装置の駆動方法
JP5763474B2 (ja) 2010-08-27 2015-08-12 株式会社半導体エネルギー研究所 光センサ
US8450123B2 (en) 2010-08-27 2013-05-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxygen diffusion evaluation method of oxide film stacked body
JP5806043B2 (ja) 2010-08-27 2015-11-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US8593858B2 (en) 2010-08-31 2013-11-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driving method of semiconductor device
US8634228B2 (en) 2010-09-02 2014-01-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driving method of semiconductor device
US8575610B2 (en) 2010-09-02 2013-11-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for driving the same
US8728860B2 (en) 2010-09-03 2014-05-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
WO2012029638A1 (en) 2010-09-03 2012-03-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR20180015760A (ko) 2010-09-03 2018-02-13 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 전계 효과 트랜지스터 및 반도체 장치의 제조 방법
WO2012029612A1 (en) 2010-09-03 2012-03-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Sputtering target and method for manufacturing semiconductor device
US8487844B2 (en) 2010-09-08 2013-07-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. EL display device and electronic device including the same
JP2012256819A (ja) 2010-09-08 2012-12-27 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
US8520426B2 (en) 2010-09-08 2013-08-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for driving semiconductor device
US8797487B2 (en) 2010-09-10 2014-08-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor, liquid crystal display device, and manufacturing method thereof
KR101824125B1 (ko) 2010-09-10 2018-02-01 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
US9142568B2 (en) 2010-09-10 2015-09-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing light-emitting display device
KR20120026970A (ko) 2010-09-10 2012-03-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 발광 장치
US8766253B2 (en) 2010-09-10 2014-07-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP5815337B2 (ja) 2010-09-13 2015-11-17 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2012256821A (ja) 2010-09-13 2012-12-27 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 記憶装置
US9496743B2 (en) 2010-09-13 2016-11-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Power receiving device and wireless power feed system
KR101872926B1 (ko) 2010-09-13 2018-06-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
TWI543166B (zh) 2010-09-13 2016-07-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
KR101952235B1 (ko) 2010-09-13 2019-02-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
US8664097B2 (en) 2010-09-13 2014-03-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
US8647919B2 (en) 2010-09-13 2014-02-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting display device and method for manufacturing the same
JP5827520B2 (ja) 2010-09-13 2015-12-02 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体記憶装置
US8558960B2 (en) 2010-09-13 2013-10-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and method for manufacturing the same
US8546161B2 (en) 2010-09-13 2013-10-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of thin film transistor and liquid crystal display device
US9546416B2 (en) 2010-09-13 2017-01-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of forming crystalline oxide semiconductor film
US8592879B2 (en) 2010-09-13 2013-11-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US8835917B2 (en) 2010-09-13 2014-09-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, power diode, and rectifier
US8871565B2 (en) 2010-09-13 2014-10-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
KR101932576B1 (ko) 2010-09-13 2018-12-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
TWI539453B (zh) 2010-09-14 2016-06-21 半導體能源研究所股份有限公司 記憶體裝置和半導體裝置
WO2012035984A1 (en) 2010-09-15 2012-03-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device
US9230994B2 (en) 2010-09-15 2016-01-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
KR20180124158A (ko) 2010-09-15 2018-11-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치 및 그 제작 방법
JP2012256012A (ja) 2010-09-15 2012-12-27 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置
US8767443B2 (en) 2010-09-22 2014-07-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device and method for inspecting the same
KR101856722B1 (ko) 2010-09-22 2018-05-10 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 파워 절연 게이트형 전계 효과 트랜지스터
US8792260B2 (en) 2010-09-27 2014-07-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Rectifier circuit and semiconductor device using the same
TWI574259B (zh) 2010-09-29 2017-03-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體記憶體裝置和其驅動方法
TWI620176B (zh) 2010-10-05 2018-04-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體記憶體裝置及其驅動方法
US8716646B2 (en) 2010-10-08 2014-05-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Photoelectric conversion device and method for operating the same
US8679986B2 (en) 2010-10-14 2014-03-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing display device
US8803143B2 (en) 2010-10-20 2014-08-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film transistor including buffer layers with high resistivity
US8546892B2 (en) 2010-10-20 2013-10-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
TWI543158B (zh) 2010-10-25 2016-07-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體儲存裝置及其驅動方法
JP5771505B2 (ja) 2010-10-29 2015-09-02 株式会社半導体エネルギー研究所 受信回路
KR20120045178A (ko) * 2010-10-29 2012-05-09 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 및 이의 제조 방법
WO2012057296A1 (en) 2010-10-29 2012-05-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Storage device
KR101924231B1 (ko) 2010-10-29 2018-11-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 기억 장치
CN105732401A (zh) 2010-11-02 2016-07-06 宇部兴产株式会社 (酰胺氨基烷烃)金属化合物及使用所述金属化合物制备含金属的薄膜的方法
US8916866B2 (en) 2010-11-03 2014-12-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8957468B2 (en) 2010-11-05 2015-02-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Variable capacitor and liquid crystal display device
WO2012060253A1 (en) 2010-11-05 2012-05-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
TWI555205B (zh) 2010-11-05 2016-10-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及半導體裝置的製造方法
KR101952733B1 (ko) 2010-11-05 2019-02-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
JP6010291B2 (ja) 2010-11-05 2016-10-19 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置の駆動方法
US8569754B2 (en) 2010-11-05 2013-10-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US9087744B2 (en) 2010-11-05 2015-07-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for driving transistor
US8902637B2 (en) 2010-11-08 2014-12-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device comprising inverting amplifier circuit and driving method thereof
TWI593115B (zh) 2010-11-11 2017-07-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
TWI541981B (zh) 2010-11-12 2016-07-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
US8854865B2 (en) 2010-11-24 2014-10-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device
US8936965B2 (en) 2010-11-26 2015-01-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US8823092B2 (en) 2010-11-30 2014-09-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US8809852B2 (en) 2010-11-30 2014-08-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor film, semiconductor element, semiconductor device, and method for manufacturing the same
US8816425B2 (en) 2010-11-30 2014-08-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US8629496B2 (en) 2010-11-30 2014-01-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US9103724B2 (en) 2010-11-30 2015-08-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising photosensor comprising oxide semiconductor, method for driving the semiconductor device, method for driving the photosensor, and electronic device
TWI562379B (en) 2010-11-30 2016-12-11 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
US8461630B2 (en) 2010-12-01 2013-06-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
TWI632551B (zh) 2010-12-03 2018-08-11 半導體能源研究所股份有限公司 積體電路，其驅動方法，及半導體裝置
KR102637010B1 (ko) 2010-12-03 2024-02-16 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 산화물 반도체막 및 반도체 장치
JP5908263B2 (ja) 2010-12-03 2016-04-26 株式会社半導体エネルギー研究所 Ｄｃ−ｄｃコンバータ
JP5856827B2 (ja) 2010-12-09 2016-02-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI534905B (zh) 2010-12-10 2016-05-21 半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置及顯示裝置之製造方法
JP2012256020A (ja) 2010-12-15 2012-12-27 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置及びその駆動方法
US9202822B2 (en) 2010-12-17 2015-12-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US8894825B2 (en) 2010-12-17 2014-11-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Sputtering target, method for manufacturing the same, manufacturing semiconductor device
US8730416B2 (en) 2010-12-17 2014-05-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
JP2012142562A (ja) 2010-12-17 2012-07-26 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体記憶装置
US9024317B2 (en) 2010-12-24 2015-05-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor circuit, method for driving the same, storage device, register circuit, display device, and electronic device
US8829512B2 (en) 2010-12-28 2014-09-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP2012151453A (ja) 2010-12-28 2012-08-09 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置および半導体装置の駆動方法
JP6030298B2 (ja) 2010-12-28 2016-11-24 株式会社半導体エネルギー研究所 緩衝記憶装置及び信号処理回路
US9048142B2 (en) 2010-12-28 2015-06-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8735892B2 (en) 2010-12-28 2014-05-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device using oxide semiconductor
JP5852874B2 (ja) 2010-12-28 2016-02-03 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9911858B2 (en) 2010-12-28 2018-03-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US8941112B2 (en) 2010-12-28 2015-01-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP5864054B2 (ja) 2010-12-28 2016-02-17 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
WO2012090799A1 (en) 2010-12-28 2012-07-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
WO2012090973A1 (en) 2010-12-28 2012-07-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP5993141B2 (ja) 2010-12-28 2016-09-14 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶装置
US9443984B2 (en) 2010-12-28 2016-09-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
TWI525614B (zh) 2011-01-05 2016-03-11 半導體能源研究所股份有限公司 儲存元件、儲存裝置、及信號處理電路
TWI535032B (zh) 2011-01-12 2016-05-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置的製造方法
US8536571B2 (en) 2011-01-12 2013-09-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
US8912080B2 (en) 2011-01-12 2014-12-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of the semiconductor device
TWI570809B (zh) 2011-01-12 2017-02-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
JP5977523B2 (ja) 2011-01-12 2016-08-24 株式会社半導体エネルギー研究所 トランジスタの作製方法
US8421071B2 (en) 2011-01-13 2013-04-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device
US8575678B2 (en) 2011-01-13 2013-11-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device with floating gate
JP5859839B2 (ja) 2011-01-14 2016-02-16 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶素子の駆動方法、及び、記憶素子
TWI619230B (zh) 2011-01-14 2018-03-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體記憶裝置
KR102026718B1 (ko) 2011-01-14 2019-09-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 기억장치, 반도체 장치, 검출 방법
JP5897910B2 (ja) 2011-01-20 2016-04-06 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
TWI570920B (zh) 2011-01-26 2017-02-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
WO2012102182A1 (en) 2011-01-26 2012-08-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP5798933B2 (ja) 2011-01-26 2015-10-21 株式会社半導体エネルギー研究所 信号処理回路
TWI614747B (zh) 2011-01-26 2018-02-11 半導體能源研究所股份有限公司 記憶體裝置及半導體裝置
TW202320146A (zh) 2011-01-26 2023-05-16 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
CN103348464B (zh) 2011-01-26 2016-01-13 株式会社半导体能源研究所 半导体装置及其制造方法
TWI602303B (zh) 2011-01-26 2017-10-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
TWI525619B (zh) 2011-01-27 2016-03-11 半導體能源研究所股份有限公司 記憶體電路
WO2012102181A1 (en) 2011-01-27 2012-08-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR102233959B1 (ko) 2011-01-28 2021-03-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제작 방법 및 반도체 장치
WO2012102281A1 (en) 2011-01-28 2012-08-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8634230B2 (en) 2011-01-28 2014-01-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for driving the same
US9494829B2 (en) 2011-01-28 2016-11-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and liquid crystal display device containing the same
US9799773B2 (en) 2011-02-02 2017-10-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor and semiconductor device
TWI520273B (zh) 2011-02-02 2016-02-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體儲存裝置
US8513773B2 (en) 2011-02-02 2013-08-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Capacitor and semiconductor device including dielectric and N-type semiconductor
US8780614B2 (en) 2011-02-02 2014-07-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device
US9431400B2 (en) 2011-02-08 2016-08-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device and method for manufacturing the same
US8787083B2 (en) 2011-02-10 2014-07-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory circuit
US9167234B2 (en) 2011-02-14 2015-10-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
US8975680B2 (en) 2011-02-17 2015-03-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device and method manufacturing semiconductor memory device
KR101899880B1 (ko) 2011-02-17 2018-09-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 프로그래머블 ｌｓｉ
US8643007B2 (en) 2011-02-23 2014-02-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8709920B2 (en) 2011-02-24 2014-04-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US9443455B2 (en) 2011-02-25 2016-09-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device having a plurality of pixels
US9691772B2 (en) 2011-03-03 2017-06-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device including memory cell which includes transistor and capacitor
US9646829B2 (en) 2011-03-04 2017-05-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
US9023684B2 (en) 2011-03-04 2015-05-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US8785933B2 (en) 2011-03-04 2014-07-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP5898527B2 (ja) 2011-03-04 2016-04-06 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US8659015B2 (en) 2011-03-04 2014-02-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8841664B2 (en) 2011-03-04 2014-09-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8659957B2 (en) 2011-03-07 2014-02-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of driving semiconductor device
JP5827145B2 (ja) 2011-03-08 2015-12-02 株式会社半導体エネルギー研究所 信号処理回路
US9099437B2 (en) 2011-03-08 2015-08-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8625085B2 (en) 2011-03-08 2014-01-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Defect evaluation method for semiconductor
US8541781B2 (en) 2011-03-10 2013-09-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
WO2012121265A1 (en) 2011-03-10 2012-09-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device and method for manufacturing the same
US8772849B2 (en) 2011-03-10 2014-07-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device
US8760903B2 (en) 2011-03-11 2014-06-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Storage circuit
TWI521612B (zh) 2011-03-11 2016-02-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置的製造方法
JP2012209543A (ja) 2011-03-11 2012-10-25 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
TWI624878B (zh) 2011-03-11 2018-05-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置的製造方法
JP5933300B2 (ja) 2011-03-16 2016-06-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP5933897B2 (ja) 2011-03-18 2016-06-15 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR101995682B1 (ko) 2011-03-18 2019-07-02 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 산화물 반도체막, 반도체 장치, 및 반도체 장치의 제작 방법
US8859330B2 (en) 2011-03-23 2014-10-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
JP5839474B2 (ja) 2011-03-24 2016-01-06 株式会社半導体エネルギー研究所 信号処理回路
US8987728B2 (en) 2011-03-25 2015-03-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device
US8686416B2 (en) 2011-03-25 2014-04-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor film and semiconductor device
US9219159B2 (en) 2011-03-25 2015-12-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for forming oxide semiconductor film and method for manufacturing semiconductor device
US9012904B2 (en) 2011-03-25 2015-04-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
TWI582999B (zh) 2011-03-25 2017-05-11 半導體能源研究所股份有限公司 場效電晶體及包含該場效電晶體之記憶體與半導體電路
US8956944B2 (en) 2011-03-25 2015-02-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
TWI545652B (zh) 2011-03-25 2016-08-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
JP6053098B2 (ja) 2011-03-28 2016-12-27 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US8927329B2 (en) 2011-03-30 2015-01-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing oxide semiconductor device with improved electronic properties
JP5879165B2 (ja) 2011-03-30 2016-03-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI567735B (zh) 2011-03-31 2017-01-21 半導體能源研究所股份有限公司 記憶體電路，記憶體單元，及訊號處理電路
US9082860B2 (en) 2011-03-31 2015-07-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8686486B2 (en) 2011-03-31 2014-04-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device
US8541266B2 (en) 2011-04-01 2013-09-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
JP5982147B2 (ja) 2011-04-01 2016-08-31 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
US9960278B2 (en) 2011-04-06 2018-05-01 Yuhei Sato Manufacturing method of semiconductor device
US9012905B2 (en) 2011-04-08 2015-04-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including transistor comprising oxide semiconductor and method for manufacturing the same
TWI567736B (zh) 2011-04-08 2017-01-21 半導體能源研究所股份有限公司 記憶體元件及信號處理電路
JP2012256406A (ja) 2011-04-08 2012-12-27 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 記憶装置、及び当該記憶装置を用いた半導体装置
US9093538B2 (en) 2011-04-08 2015-07-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US8854867B2 (en) 2011-04-13 2014-10-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device and driving method of the memory device
US9478668B2 (en) 2011-04-13 2016-10-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor film and semiconductor device
JP5883699B2 (ja) 2011-04-13 2016-03-15 株式会社半導体エネルギー研究所 プログラマブルｌｓｉ
US8878174B2 (en) 2011-04-15 2014-11-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor element, memory circuit, integrated circuit, and driving method of the integrated circuit
US8779488B2 (en) 2011-04-15 2014-07-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device
US8878270B2 (en) 2011-04-15 2014-11-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device
US9070776B2 (en) 2011-04-15 2015-06-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
JP6001900B2 (ja) 2011-04-21 2016-10-05 株式会社半導体エネルギー研究所 信号処理回路
US8916868B2 (en) 2011-04-22 2014-12-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
US9331206B2 (en) 2011-04-22 2016-05-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide material and semiconductor device
US10079053B2 (en) 2011-04-22 2018-09-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory element and memory device
US8941958B2 (en) 2011-04-22 2015-01-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8809854B2 (en) 2011-04-22 2014-08-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9006803B2 (en) 2011-04-22 2015-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing thereof
US8797788B2 (en) 2011-04-22 2014-08-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8932913B2 (en) 2011-04-22 2015-01-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
US8878288B2 (en) 2011-04-22 2014-11-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
CN105931967B (zh) 2011-04-27 2019-05-03 株式会社半导体能源研究所 半导体装置的制造方法
US8729545B2 (en) 2011-04-28 2014-05-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device
US8681533B2 (en) 2011-04-28 2014-03-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory circuit, signal processing circuit, and electronic device
KR101919056B1 (ko) 2011-04-28 2018-11-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 회로
US9935622B2 (en) 2011-04-28 2018-04-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Comparator and semiconductor device including comparator
TWI525615B (zh) 2011-04-29 2016-03-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體儲存裝置
US8785923B2 (en) 2011-04-29 2014-07-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9111795B2 (en) 2011-04-29 2015-08-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device with capacitor connected to memory element through oxide semiconductor film
US8446171B2 (en) 2011-04-29 2013-05-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Signal processing unit
US8476927B2 (en) 2011-04-29 2013-07-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Programmable logic device
KR101963457B1 (ko) 2011-04-29 2019-03-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 기억 장치 및 그 구동 방법
US8848464B2 (en) 2011-04-29 2014-09-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of driving semiconductor device
US9614094B2 (en) 2011-04-29 2017-04-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including oxide semiconductor layer and method for driving the same
TW202230814A (zh) 2011-05-05 2022-08-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
WO2012153473A1 (en) 2011-05-06 2012-11-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9117701B2 (en) 2011-05-06 2015-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8809928B2 (en) 2011-05-06 2014-08-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, memory device, and method for manufacturing the semiconductor device
TWI568181B (zh) 2011-05-06 2017-01-21 半導體能源研究所股份有限公司 邏輯電路及半導體裝置
US8709922B2 (en) 2011-05-06 2014-04-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR101874144B1 (ko) 2011-05-06 2018-07-03 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 기억 장치
US9443844B2 (en) 2011-05-10 2016-09-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Gain cell semiconductor memory device and driving method thereof
TWI541978B (zh) 2011-05-11 2016-07-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及半導體裝置之驅動方法
US8946066B2 (en) 2011-05-11 2015-02-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing semiconductor device
KR101854197B1 (ko) * 2011-05-12 2018-06-21 삼성디스플레이 주식회사 표시 기판 및 이의 제조 방법
TWI557711B (zh) 2011-05-12 2016-11-11 半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置的驅動方法
US8847233B2 (en) 2011-05-12 2014-09-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having a trenched insulating layer coated with an oxide semiconductor film
US9954110B2 (en) 2011-05-13 2018-04-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. EL display device and electronic device
JP5959296B2 (ja) 2011-05-13 2016-08-02 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置およびその製造方法
TWI536502B (zh) 2011-05-13 2016-06-01 半導體能源研究所股份有限公司 記憶體電路及電子裝置
JP6013773B2 (ja) 2011-05-13 2016-10-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP5886128B2 (ja) 2011-05-13 2016-03-16 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR101921772B1 (ko) 2011-05-13 2018-11-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US9093539B2 (en) 2011-05-13 2015-07-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP5886127B2 (ja) 2011-05-13 2016-03-16 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
WO2012157472A1 (en) 2011-05-13 2012-11-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9048788B2 (en) 2011-05-13 2015-06-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising a photoelectric conversion portion
JP6110075B2 (ja) 2011-05-13 2017-04-05 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
KR101952570B1 (ko) 2011-05-13 2019-02-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
WO2012157532A1 (en) 2011-05-16 2012-11-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Programmable logic device
TWI570891B (zh) 2011-05-17 2017-02-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
TWI552150B (zh) 2011-05-18 2016-10-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體儲存裝置
US9673823B2 (en) 2011-05-18 2017-06-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of driving semiconductor device
US8779799B2 (en) 2011-05-19 2014-07-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Logic circuit
US8709889B2 (en) 2011-05-19 2014-04-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device and manufacturing method thereof
KR101991735B1 (ko) 2011-05-19 2019-06-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 집적 회로
US8837203B2 (en) 2011-05-19 2014-09-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8581625B2 (en) 2011-05-19 2013-11-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Programmable logic device
KR102093909B1 (ko) 2011-05-19 2020-03-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 회로 및 회로의 구동 방법
KR102081792B1 (ko) 2011-05-19 2020-02-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 연산회로 및 연산회로의 구동방법
JP6006975B2 (ja) 2011-05-19 2016-10-12 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
TWI559683B (zh) 2011-05-20 2016-11-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體積體電路
JP6013680B2 (ja) 2011-05-20 2016-10-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI557739B (zh) 2011-05-20 2016-11-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體積體電路
JP5951351B2 (ja) 2011-05-20 2016-07-13 株式会社半導体エネルギー研究所 加算器及び全加算器
JP5820336B2 (ja) 2011-05-20 2015-11-24 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US8508256B2 (en) 2011-05-20 2013-08-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor integrated circuit
TWI616873B (zh) 2011-05-20 2018-03-01 半導體能源研究所股份有限公司 儲存裝置及信號處理電路
JP5947099B2 (ja) 2011-05-20 2016-07-06 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
CN102789808B (zh) 2011-05-20 2018-03-06 株式会社半导体能源研究所 存储器装置和用于驱动存储器装置的方法
TWI614995B (zh) 2011-05-20 2018-02-11 半導體能源研究所股份有限公司 鎖相迴路及使用此鎖相迴路之半導體裝置
JP6091083B2 (ja) 2011-05-20 2017-03-08 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶装置
JP5892852B2 (ja) 2011-05-20 2016-03-23 株式会社半導体エネルギー研究所 プログラマブルロジックデバイス
JP5936908B2 (ja) 2011-05-20 2016-06-22 株式会社半導体エネルギー研究所 パリティビット出力回路およびパリティチェック回路
JP6013682B2 (ja) 2011-05-20 2016-10-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の駆動方法
WO2012161059A1 (en) 2011-05-20 2012-11-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for driving the same
JP5886496B2 (ja) 2011-05-20 2016-03-16 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
WO2012160963A1 (en) 2011-05-20 2012-11-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6082189B2 (ja) 2011-05-20 2017-02-15 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶装置及び信号処理回路
JP5820335B2 (ja) 2011-05-20 2015-11-24 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9336845B2 (en) 2011-05-20 2016-05-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Register circuit including a volatile memory and a nonvolatile memory
JP6030334B2 (ja) 2011-05-20 2016-11-24 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶装置
US20120298998A1 (en) 2011-05-25 2012-11-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for forming oxide semiconductor film, semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device
US9171840B2 (en) 2011-05-26 2015-10-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
KR101912971B1 (ko) 2011-05-26 2018-10-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 분주 회로 및 분주 회로를 이용한 반도체 장치
US8610482B2 (en) 2011-05-27 2013-12-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Trimming circuit and method for driving trimming circuit
JP5912844B2 (ja) 2011-05-31 2016-04-27 株式会社半導体エネルギー研究所 プログラマブルロジックデバイス
US9467047B2 (en) 2011-05-31 2016-10-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. DC-DC converter, power source circuit, and semiconductor device
US8669781B2 (en) 2011-05-31 2014-03-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP5890251B2 (ja) 2011-06-08 2016-03-22 株式会社半導体エネルギー研究所 通信方法
KR102124557B1 (ko) 2011-06-08 2020-06-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 스퍼터링 타겟, 스퍼터링 타겟의 제조 방법 및 박막의 형성 방법
JP2013016243A (ja) 2011-06-09 2013-01-24 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 記憶装置
US8958263B2 (en) 2011-06-10 2015-02-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8891285B2 (en) 2011-06-10 2014-11-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device
JP6104522B2 (ja) 2011-06-10 2017-03-29 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9112036B2 (en) 2011-06-10 2015-08-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
US8804405B2 (en) 2011-06-16 2014-08-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device and semiconductor device
TWI557910B (zh) 2011-06-16 2016-11-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
US9299852B2 (en) 2011-06-16 2016-03-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US8901554B2 (en) 2011-06-17 2014-12-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including channel formation region including oxide semiconductor
US9099885B2 (en) 2011-06-17 2015-08-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Wireless power feeding system
KR102377750B1 (ko) 2011-06-17 2022-03-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 디스플레이 장치
US9166055B2 (en) 2011-06-17 2015-10-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
KR20130007426A (ko) 2011-06-17 2013-01-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
US8673426B2 (en) 2011-06-29 2014-03-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driver circuit, method of manufacturing the driver circuit, and display device including the driver circuit
US8878589B2 (en) 2011-06-30 2014-11-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
WO2013005380A1 (en) 2011-07-01 2013-01-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US9318506B2 (en) 2011-07-08 2016-04-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US9385238B2 (en) 2011-07-08 2016-07-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor using oxide semiconductor
US9490241B2 (en) 2011-07-08 2016-11-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising a first inverter and a second inverter
US8748886B2 (en) 2011-07-08 2014-06-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
KR102014876B1 (ko) 2011-07-08 2019-08-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법
US8952377B2 (en) 2011-07-08 2015-02-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US9214474B2 (en) 2011-07-08 2015-12-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
US9496138B2 (en) 2011-07-08 2016-11-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing oxide semiconductor film, method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device
US8847220B2 (en) 2011-07-15 2014-09-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9200952B2 (en) 2011-07-15 2015-12-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising a photodetector and an analog arithmetic circuit
US8836626B2 (en) 2011-07-15 2014-09-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for driving the same
JP2013042117A (ja) 2011-07-15 2013-02-28 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
US8946812B2 (en) 2011-07-21 2015-02-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP6013685B2 (ja) 2011-07-22 2016-10-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US8643008B2 (en) 2011-07-22 2014-02-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8716073B2 (en) 2011-07-22 2014-05-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for processing oxide semiconductor film and method for manufacturing semiconductor device
KR102297329B1 (ko) 2011-07-22 2021-09-01 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치
US9012993B2 (en) 2011-07-22 2015-04-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9070775B2 (en) * 2011-08-03 2015-06-30 Ignis Innovations Inc. Thin film transistor
US8994019B2 (en) 2011-08-05 2015-03-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8718224B2 (en) 2011-08-05 2014-05-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Pulse signal output circuit and shift register
JP6006572B2 (ja) 2011-08-18 2016-10-12 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6128775B2 (ja) 2011-08-19 2017-05-17 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI575494B (zh) 2011-08-19 2017-03-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置的驅動方法
JP6116149B2 (ja) 2011-08-24 2017-04-19 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI637483B (zh) 2011-08-29 2018-10-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
US9252279B2 (en) 2011-08-31 2016-02-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US9660092B2 (en) 2011-08-31 2017-05-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor thin film transistor including oxygen release layer
JP6016532B2 (ja) 2011-09-07 2016-10-26 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6050054B2 (ja) 2011-09-09 2016-12-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US8802493B2 (en) 2011-09-13 2014-08-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of oxide semiconductor device
JP5825744B2 (ja) 2011-09-15 2015-12-02 株式会社半導体エネルギー研究所 パワー絶縁ゲート型電界効果トランジスタ
US8952379B2 (en) 2011-09-16 2015-02-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9082663B2 (en) 2011-09-16 2015-07-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
WO2013039126A1 (en) 2011-09-16 2013-03-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP5832399B2 (ja) 2011-09-16 2015-12-16 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
CN103022012B (zh) 2011-09-21 2017-03-01 株式会社半导体能源研究所 半导体存储装置
WO2013042643A1 (en) 2011-09-22 2013-03-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Photodetector and method for driving photodetector
WO2013042562A1 (en) 2011-09-22 2013-03-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8841675B2 (en) 2011-09-23 2014-09-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Minute transistor
US9431545B2 (en) 2011-09-23 2016-08-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
KR102108572B1 (ko) 2011-09-26 2020-05-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법
JP2013084333A (ja) 2011-09-28 2013-05-09 Semiconductor Energy Lab Co Ltd シフトレジスタ回路
SG11201505088UA (en) 2011-09-29 2015-08-28 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device
KR20140056392A (ko) 2011-09-29 2014-05-09 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR101506303B1 (ko) 2011-09-29 2015-03-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 및 반도체 장치의 제작 방법
JP5806905B2 (ja) 2011-09-30 2015-11-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US8982607B2 (en) 2011-09-30 2015-03-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory element and signal processing circuit
US20130087784A1 (en) 2011-10-05 2013-04-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP2013093565A (ja) 2011-10-07 2013-05-16 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
JP2013093561A (ja) 2011-10-07 2013-05-16 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 酸化物半導体膜及び半導体装置
JP6022880B2 (ja) 2011-10-07 2016-11-09 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及び半導体装置の作製方法
JP6026839B2 (ja) 2011-10-13 2016-11-16 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US8637864B2 (en) 2011-10-13 2014-01-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing the same
US9287405B2 (en) 2011-10-13 2016-03-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising oxide semiconductor
US9018629B2 (en) 2011-10-13 2015-04-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
JP5912394B2 (ja) 2011-10-13 2016-04-27 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9117916B2 (en) 2011-10-13 2015-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising oxide semiconductor film
KR20130040706A (ko) 2011-10-14 2013-04-24 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법
IN2014DN03274A (ja) 2011-10-14 2015-05-22 Semiconductor Energy Lab
KR20130043063A (ko) 2011-10-19 2013-04-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법
TWI567985B (zh) 2011-10-21 2017-01-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
JP6226518B2 (ja) 2011-10-24 2017-11-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR101976212B1 (ko) 2011-10-24 2019-05-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법
JP6045285B2 (ja) 2011-10-24 2016-12-14 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP6082562B2 (ja) 2011-10-27 2017-02-15 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR20130046357A (ko) 2011-10-27 2013-05-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR20140086954A (ko) 2011-10-28 2014-07-08 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
US8604472B2 (en) 2011-11-09 2013-12-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP5933895B2 (ja) 2011-11-10 2016-06-15 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置および半導体装置の作製方法
JP6076038B2 (ja) 2011-11-11 2017-02-08 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置の作製方法
US8796682B2 (en) 2011-11-11 2014-08-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing a semiconductor device
US9082861B2 (en) 2011-11-11 2015-07-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor with oxide semiconductor channel having protective layer
US8878177B2 (en) 2011-11-11 2014-11-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
CN103918025B (zh) 2011-11-11 2016-12-21 株式会社半导体能源研究所 信号线驱动电路以及液晶显示装置
JP6122275B2 (ja) 2011-11-11 2017-04-26 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
WO2013072966A1 (ja) * 2011-11-17 2013-05-23 パナソニック株式会社 薄膜半導体装置及びその製造方法
KR20130055521A (ko) 2011-11-18 2013-05-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 소자, 및 반도체 소자의 제작 방법, 및 반도체 소자를 포함하는 반도체 장치
US8969130B2 (en) 2011-11-18 2015-03-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Insulating film, formation method thereof, semiconductor device, and manufacturing method thereof
US8962386B2 (en) 2011-11-25 2015-02-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US8951899B2 (en) 2011-11-25 2015-02-10 Semiconductor Energy Laboratory Method for manufacturing semiconductor device
US8829528B2 (en) 2011-11-25 2014-09-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including groove portion extending beyond pixel electrode
JP6125211B2 (ja) 2011-11-25 2017-05-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP6099368B2 (ja) 2011-11-25 2017-03-22 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶装置
US9057126B2 (en) 2011-11-29 2015-06-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing sputtering target and method for manufacturing semiconductor device
US20130137232A1 (en) 2011-11-30 2013-05-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for forming oxide semiconductor film and method for manufacturing semiconductor device
JP6147992B2 (ja) 2011-11-30 2017-06-14 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI588910B (zh) 2011-11-30 2017-06-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置的製造方法
US9299728B2 (en) 2011-11-30 2016-03-29 Joled Inc. Display panel and method for producing display panel
US9076871B2 (en) 2011-11-30 2015-07-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
TWI591611B (zh) 2011-11-30 2017-07-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體顯示裝置
KR102072244B1 (ko) 2011-11-30 2020-01-31 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법
US8981367B2 (en) 2011-12-01 2015-03-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
TWI621185B (zh) 2011-12-01 2018-04-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及半導體裝置的製造方法
JP6050662B2 (ja) 2011-12-02 2016-12-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及び半導体装置の作製方法
JP2013137853A (ja) 2011-12-02 2013-07-11 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 記憶装置および記憶装置の駆動方法
US9257422B2 (en) 2011-12-06 2016-02-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Signal processing circuit and method for driving signal processing circuit
US9076505B2 (en) 2011-12-09 2015-07-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device
US10002968B2 (en) 2011-12-14 2018-06-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device including the same
WO2013089115A1 (en) 2011-12-15 2013-06-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP6105266B2 (ja) 2011-12-15 2017-03-29 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶装置
US8785258B2 (en) 2011-12-20 2014-07-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
JP2013149953A (ja) 2011-12-20 2013-08-01 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置及び半導体装置の作製方法
JP2013130802A (ja) 2011-12-22 2013-07-04 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置、画像表示装置、記憶装置、及び電子機器
US8907392B2 (en) 2011-12-22 2014-12-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device including stacked sub memory cells
US8748240B2 (en) 2011-12-22 2014-06-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
TWI569446B (zh) 2011-12-23 2017-02-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體元件、半導體元件的製造方法、及包含半導體元件的半導體裝置
JP6012450B2 (ja) 2011-12-23 2016-10-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の駆動方法
WO2013094547A1 (en) 2011-12-23 2013-06-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
TWI613824B (zh) 2011-12-23 2018-02-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
TWI580189B (zh) 2011-12-23 2017-04-21 半導體能源研究所股份有限公司 位準位移電路及半導體積體電路
JP6033071B2 (ja) 2011-12-23 2016-11-30 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6053490B2 (ja) 2011-12-23 2016-12-27 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US8704221B2 (en) 2011-12-23 2014-04-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2013099537A1 (en) 2011-12-26 2013-07-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Motion recognition device
TWI584383B (zh) 2011-12-27 2017-05-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
KR102100425B1 (ko) 2011-12-27 2020-04-13 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법
KR102103913B1 (ko) 2012-01-10 2020-04-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법
JP5828911B2 (ja) * 2012-01-11 2015-12-09 シャープ株式会社 半導体装置、表示装置および半導体装置の製造方法
US8836555B2 (en) 2012-01-18 2014-09-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Circuit, sensor circuit, and semiconductor device using the sensor circuit
US8969867B2 (en) 2012-01-18 2015-03-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9040981B2 (en) 2012-01-20 2015-05-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9099560B2 (en) 2012-01-20 2015-08-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
KR102147870B1 (ko) 2012-01-23 2020-08-25 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US9653614B2 (en) 2012-01-23 2017-05-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
WO2013111756A1 (en) 2012-01-25 2013-08-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
US8956912B2 (en) 2012-01-26 2015-02-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US9006733B2 (en) 2012-01-26 2015-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing thereof
US9419146B2 (en) 2012-01-26 2016-08-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
TW201901972A (zh) 2012-01-26 2019-01-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及半導體裝置的製造方法
JP6091905B2 (ja) 2012-01-26 2017-03-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI561951B (en) 2012-01-30 2016-12-11 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Power supply circuit
TWI562361B (en) 2012-02-02 2016-12-11 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Semiconductor device
US9196741B2 (en) 2012-02-03 2015-11-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9362417B2 (en) 2012-02-03 2016-06-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR102101167B1 (ko) 2012-02-03 2020-04-16 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US8916424B2 (en) 2012-02-07 2014-12-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US9859114B2 (en) 2012-02-08 2018-01-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor device with an oxygen-controlling insulating layer
JP6125850B2 (ja) 2012-02-09 2017-05-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及び半導体装置の作製方法
US20130207111A1 (en) 2012-02-09 2013-08-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display device including semiconductor device, electronic device including semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device
US9112037B2 (en) 2012-02-09 2015-08-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP5981157B2 (ja) 2012-02-09 2016-08-31 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US8817516B2 (en) 2012-02-17 2014-08-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory circuit and semiconductor device
JP2014063557A (ja) 2012-02-24 2014-04-10 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 記憶装置及び半導体装置
US20130221345A1 (en) 2012-02-28 2013-08-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP6151530B2 (ja) 2012-02-29 2017-06-21 株式会社半導体エネルギー研究所 イメージセンサ、カメラ、及び監視システム
US9312257B2 (en) 2012-02-29 2016-04-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8988152B2 (en) 2012-02-29 2015-03-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6220526B2 (ja) 2012-02-29 2017-10-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP6046514B2 (ja) 2012-03-01 2016-12-14 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2013183001A (ja) 2012-03-01 2013-09-12 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
US8975917B2 (en) 2012-03-01 2015-03-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Programmable logic device
US9735280B2 (en) 2012-03-02 2017-08-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, and method for forming oxide film
US9287370B2 (en) 2012-03-02 2016-03-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device comprising a transistor including an oxide semiconductor and semiconductor device including the same
US9176571B2 (en) 2012-03-02 2015-11-03 Semiconductor Energy Laboratories Co., Ltd. Microprocessor and method for driving microprocessor
JP6100559B2 (ja) 2012-03-05 2017-03-22 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体記憶装置
JP6041707B2 (ja) 2012-03-05 2016-12-14 株式会社半導体エネルギー研究所 ラッチ回路および半導体装置
US8995218B2 (en) 2012-03-07 2015-03-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8981370B2 (en) 2012-03-08 2015-03-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
CN104160295B (zh) 2012-03-09 2017-09-15 株式会社半导体能源研究所 半导体装置的驱动方法
CN104170001B (zh) 2012-03-13 2017-03-01 株式会社半导体能源研究所 发光装置及其驱动方法
US9058892B2 (en) 2012-03-14 2015-06-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and shift register
JP6168795B2 (ja) 2012-03-14 2017-07-26 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US9117409B2 (en) 2012-03-14 2015-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting display device with transistor and capacitor discharging gate of driving electrode and oxide semiconductor layer
KR102108248B1 (ko) 2012-03-14 2020-05-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 산화물 반도체막, 트랜지스터, 및 반도체 장치
US9541386B2 (en) 2012-03-21 2017-01-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Distance measurement device and distance measurement system
JP6169376B2 (ja) 2012-03-28 2017-07-26 株式会社半導体エネルギー研究所 電池管理ユニット、保護回路、蓄電装置
US9349849B2 (en) 2012-03-28 2016-05-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device including the semiconductor device
US9324449B2 (en) 2012-03-28 2016-04-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driver circuit, signal processing unit having the driver circuit, method for manufacturing the signal processing unit, and display device
US9786793B2 (en) 2012-03-29 2017-10-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising oxide semiconductor layer including regions with different concentrations of resistance-reducing elements
KR102044725B1 (ko) 2012-03-29 2019-11-14 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 전원 제어 장치
JP6139187B2 (ja) 2012-03-29 2017-05-31 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2013229013A (ja) 2012-03-29 2013-11-07 Semiconductor Energy Lab Co Ltd アレイコントローラ及びストレージシステム
US8941113B2 (en) 2012-03-30 2015-01-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor element, semiconductor device, and manufacturing method of semiconductor element
US8999773B2 (en) 2012-04-05 2015-04-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Processing method of stacked-layer film and manufacturing method of semiconductor device
US9711110B2 (en) 2012-04-06 2017-07-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device comprising grayscale conversion portion and display portion
US9793444B2 (en) 2012-04-06 2017-10-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device
US8901556B2 (en) 2012-04-06 2014-12-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Insulating film, method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device
JP2013232885A (ja) 2012-04-06 2013-11-14 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体リレー
JP5975907B2 (ja) 2012-04-11 2016-08-23 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9208849B2 (en) 2012-04-12 2015-12-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for driving semiconductor device, and electronic device
US9276121B2 (en) 2012-04-12 2016-03-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP6128906B2 (ja) 2012-04-13 2017-05-17 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9030232B2 (en) 2012-04-13 2015-05-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Isolator circuit and semiconductor device
KR102254731B1 (ko) 2012-04-13 2021-05-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
JP6059566B2 (ja) 2012-04-13 2017-01-11 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP6143423B2 (ja) 2012-04-16 2017-06-07 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の製造方法
JP6001308B2 (ja) * 2012-04-17 2016-10-05 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6076612B2 (ja) 2012-04-17 2017-02-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9219164B2 (en) 2012-04-20 2015-12-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device with oxide semiconductor channel
US9029863B2 (en) 2012-04-20 2015-05-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US9006024B2 (en) 2012-04-25 2015-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US9230683B2 (en) 2012-04-25 2016-01-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
US9236408B2 (en) 2012-04-25 2016-01-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor device including photodiode
US9285848B2 (en) 2012-04-27 2016-03-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Power reception control device, power reception device, power transmission and reception system, and electronic device
JP6199583B2 (ja) 2012-04-27 2017-09-20 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US8860022B2 (en) 2012-04-27 2014-10-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor film and semiconductor device
US9331689B2 (en) 2012-04-27 2016-05-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Power supply circuit and semiconductor device including the same
JP6100071B2 (ja) 2012-04-30 2017-03-22 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US9048323B2 (en) 2012-04-30 2015-06-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6228381B2 (ja) 2012-04-30 2017-11-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6035195B2 (ja) 2012-05-01 2016-11-30 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US9007090B2 (en) 2012-05-01 2015-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of driving semiconductor device
US9703704B2 (en) 2012-05-01 2017-07-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8866510B2 (en) 2012-05-02 2014-10-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR102025722B1 (ko) 2012-05-02 2019-09-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 온도 센서 회로, 및 온도 센서 회로를 사용한 반도체 장치
JP6227890B2 (ja) 2012-05-02 2017-11-08 株式会社半導体エネルギー研究所 信号処理回路および制御回路
US9104395B2 (en) 2012-05-02 2015-08-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Processor and driving method thereof
JP6243136B2 (ja) 2012-05-02 2017-12-06 株式会社半導体エネルギー研究所 スイッチングコンバータ
SG10201608665WA (en) 2012-05-02 2016-12-29 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Programmable logic device
US9261943B2 (en) 2012-05-02 2016-02-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
KR20130125717A (ko) 2012-05-09 2013-11-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 구동 방법
CN104285302B (zh) 2012-05-10 2017-08-22 株式会社半导体能源研究所 半导体装置
KR102069158B1 (ko) 2012-05-10 2020-01-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 배선의 형성 방법, 반도체 장치, 및 반도체 장치의 제작 방법
KR102222438B1 (ko) 2012-05-10 2021-03-04 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 표시 장치
KR102087443B1 (ko) 2012-05-11 2020-03-10 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 구동 방법
DE102013207324A1 (de) 2012-05-11 2013-11-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Halbleitervorrichtung und elektronisches Gerät
TWI670553B (zh) 2012-05-16 2019-09-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及觸控面板
US8929128B2 (en) 2012-05-17 2015-01-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Storage device and writing method of the same
US9817032B2 (en) 2012-05-23 2017-11-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Measurement device
JP6050721B2 (ja) 2012-05-25 2016-12-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6250955B2 (ja) 2012-05-25 2017-12-20 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の駆動方法
KR102164990B1 (ko) 2012-05-25 2020-10-13 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 기억 소자의 구동 방법
CN104321967B (zh) 2012-05-25 2018-01-09 株式会社半导体能源研究所 可编程逻辑装置及半导体装置
JP2014003594A (ja) 2012-05-25 2014-01-09 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置及びその駆動方法
US9147706B2 (en) 2012-05-29 2015-09-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having sensor circuit having amplifier circuit
JP6377317B2 (ja) 2012-05-30 2018-08-22 株式会社半導体エネルギー研究所 プログラマブルロジックデバイス
US8995607B2 (en) 2012-05-31 2015-03-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Pulse signal output circuit and shift register
WO2013179922A1 (en) 2012-05-31 2013-12-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US9048265B2 (en) 2012-05-31 2015-06-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device comprising oxide semiconductor layer
US8785928B2 (en) 2012-05-31 2014-07-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR102388690B1 (ko) 2012-05-31 2022-04-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
JP6158588B2 (ja) 2012-05-31 2017-07-05 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
US8872174B2 (en) 2012-06-01 2014-10-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device
JP6108960B2 (ja) 2012-06-01 2017-04-05 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、処理装置
WO2013180016A1 (en) 2012-06-01 2013-12-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and alarm device
US9135182B2 (en) 2012-06-01 2015-09-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Central processing unit and driving method thereof
US9916793B2 (en) 2012-06-01 2018-03-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of driving the same
KR102113160B1 (ko) 2012-06-15 2020-05-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US8901557B2 (en) 2012-06-15 2014-12-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9059219B2 (en) 2012-06-27 2015-06-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
US8873308B2 (en) 2012-06-29 2014-10-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Signal processing circuit
TWI596778B (zh) 2012-06-29 2017-08-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及半導體裝置的製造方法
US9742378B2 (en) 2012-06-29 2017-08-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Pulse output circuit and semiconductor device
KR102161077B1 (ko) 2012-06-29 2020-09-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
CN104380444A (zh) 2012-06-29 2015-02-25 株式会社半导体能源研究所 半导体装置
KR102082794B1 (ko) 2012-06-29 2020-02-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치의 구동 방법, 및 표시 장치
US9083327B2 (en) 2012-07-06 2015-07-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of driving semiconductor device
US9190525B2 (en) 2012-07-06 2015-11-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including oxide semiconductor layer
US9054678B2 (en) 2012-07-06 2015-06-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
KR102099262B1 (ko) 2012-07-11 2020-04-09 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치, 및 액정 표시 장치의 구동 방법
JP2014032399A (ja) 2012-07-13 2014-02-20 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 液晶表示装置
JP6006558B2 (ja) 2012-07-17 2016-10-12 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及びその製造方法
CN108987416B (zh) 2012-07-20 2023-07-04 株式会社半导体能源研究所 显示装置及具有该显示装置的电子设备
WO2014013959A1 (en) 2012-07-20 2014-01-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
JP6185311B2 (ja) 2012-07-20 2017-08-23 株式会社半導体エネルギー研究所 電源制御回路、及び信号処理回路
WO2014013958A1 (en) 2012-07-20 2014-01-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
TWI476934B (zh) * 2012-07-25 2015-03-11 Innocom Tech Shenzhen Co Ltd 薄膜電晶體基板、其顯示器及其製造方法
CN103579355B (zh) * 2012-07-25 2016-12-07 群康科技(深圳)有限公司 薄膜晶体管基板及其制造方法和包括该基板的显示器
KR20140013931A (ko) 2012-07-26 2014-02-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치
JP2014042004A (ja) 2012-07-26 2014-03-06 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置及びその作製方法
JP6224931B2 (ja) 2012-07-27 2017-11-01 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6134598B2 (ja) 2012-08-02 2017-05-24 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2014045175A (ja) 2012-08-02 2014-03-13 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
CN108054175A (zh) 2012-08-03 2018-05-18 株式会社半导体能源研究所 半导体装置
IN2015DN01663A (ja) 2012-08-03 2015-07-03 Semiconductor Energy Lab
US10557192B2 (en) 2012-08-07 2020-02-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for using sputtering target and method for forming oxide film
US9885108B2 (en) 2012-08-07 2018-02-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for forming sputtering target
JP2014199899A (ja) 2012-08-10 2014-10-23 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9245958B2 (en) 2012-08-10 2016-01-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
WO2014024808A1 (en) 2012-08-10 2014-02-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
CN108305895B (zh) 2012-08-10 2021-08-03 株式会社半导体能源研究所 半导体装置及其制造方法
KR102171650B1 (ko) 2012-08-10 2020-10-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
JP2014057296A (ja) 2012-08-10 2014-03-27 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置の駆動方法
JP6220597B2 (ja) 2012-08-10 2017-10-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2014057298A (ja) 2012-08-10 2014-03-27 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置の駆動方法
US9929276B2 (en) 2012-08-10 2018-03-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US8937307B2 (en) 2012-08-10 2015-01-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
TWI581404B (zh) 2012-08-10 2017-05-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置以及該半導體裝置的驅動方法
US8872120B2 (en) 2012-08-23 2014-10-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device and method for driving the same
KR102069683B1 (ko) 2012-08-24 2020-01-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 방사선 검출 패널, 방사선 촬상 장치, 및 화상 진단 장치
KR20140029202A (ko) 2012-08-28 2014-03-10 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
KR102161078B1 (ko) 2012-08-28 2020-09-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 그 제작 방법
DE102013216824A1 (de) 2012-08-28 2014-03-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Halbleitervorrichtung
US9625764B2 (en) 2012-08-28 2017-04-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device
TWI575663B (zh) 2012-08-31 2017-03-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
US8947158B2 (en) 2012-09-03 2015-02-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
WO2014034820A1 (en) 2012-09-03 2014-03-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Microcontroller
DE102013217278B4 (de) 2012-09-12 2017-03-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Photodetektorschaltung, Bildgebungsvorrichtung und Verfahren zum Ansteuern einer Photodetektorschaltung
US9018624B2 (en) 2012-09-13 2015-04-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic appliance
CN111477634B (zh) 2012-09-13 2023-11-14 株式会社半导体能源研究所 半导体装置
US8981372B2 (en) 2012-09-13 2015-03-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic appliance
TWI595659B (zh) 2012-09-14 2017-08-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
US8927985B2 (en) 2012-09-20 2015-01-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2014046222A1 (en) 2012-09-24 2014-03-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
TWI746200B (zh) 2012-09-24 2021-11-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
MY168067A (en) * 2012-10-02 2018-10-11 Sharp Kk Semiconductor device, and display device
JP6290576B2 (ja) 2012-10-12 2018-03-07 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置及びその駆動方法
TWI681233B (zh) 2012-10-12 2020-01-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 液晶顯示裝置、觸控面板及液晶顯示裝置的製造方法
JP6351947B2 (ja) 2012-10-12 2018-07-04 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置の作製方法
KR102226090B1 (ko) 2012-10-12 2021-03-09 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제작 방법 및 반도체 장치의 제조 장치
JP5951442B2 (ja) 2012-10-17 2016-07-13 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR102168987B1 (ko) 2012-10-17 2020-10-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 마이크로컨트롤러 및 그 제조 방법
JP6283191B2 (ja) 2012-10-17 2018-02-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
WO2014061535A1 (en) 2012-10-17 2014-04-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6059501B2 (ja) 2012-10-17 2017-01-11 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
WO2014061567A1 (en) 2012-10-17 2014-04-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Programmable logic device
JP2014082388A (ja) 2012-10-17 2014-05-08 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
TWI591966B (zh) 2012-10-17 2017-07-11 半導體能源研究所股份有限公司 可編程邏輯裝置及可編程邏輯裝置的驅動方法
US9166021B2 (en) 2012-10-17 2015-10-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
KR102094568B1 (ko) 2012-10-17 2020-03-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그의 제작 방법
JP6021586B2 (ja) 2012-10-17 2016-11-09 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR102220279B1 (ko) 2012-10-19 2021-02-24 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 산화물 반도체막을 포함하는 다층막 및 반도체 장치의 제작 방법
JP6204145B2 (ja) 2012-10-23 2017-09-27 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI637517B (zh) 2012-10-24 2018-10-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
WO2014065343A1 (en) 2012-10-24 2014-05-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR102130184B1 (ko) 2012-10-24 2020-07-03 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR102279459B1 (ko) 2012-10-24 2021-07-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
US9287411B2 (en) 2012-10-24 2016-03-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
WO2014065389A1 (en) 2012-10-25 2014-05-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Central control system
JP6219562B2 (ja) 2012-10-30 2017-10-25 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置及び電子機器
WO2014073374A1 (en) 2012-11-06 2014-05-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
KR20220150439A (ko) 2012-11-08 2022-11-10 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 디스플레이 장치
CN103811417B (zh) 2012-11-08 2016-07-27 瀚宇彩晶股份有限公司 像素结构的制作方法
JP6220641B2 (ja) 2012-11-15 2017-10-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI608616B (zh) 2012-11-15 2017-12-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
TWI605593B (zh) 2012-11-15 2017-11-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
TWI620323B (zh) 2012-11-16 2018-04-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
JP6285150B2 (ja) 2012-11-16 2018-02-28 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6317059B2 (ja) 2012-11-16 2018-04-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及び表示装置
TWI600157B (zh) 2012-11-16 2017-09-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
KR102148549B1 (ko) 2012-11-28 2020-08-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
US9412764B2 (en) 2012-11-28 2016-08-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display device, and electronic device
TWI627483B (zh) 2012-11-28 2018-06-21 半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置及電視接收機
TWI662698B (zh) 2012-11-28 2019-06-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置
US9263531B2 (en) 2012-11-28 2016-02-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor film, film formation method thereof, and semiconductor device
TWI624949B (zh) 2012-11-30 2018-05-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
US9246011B2 (en) 2012-11-30 2016-01-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2014084152A1 (en) 2012-11-30 2014-06-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9594281B2 (en) 2012-11-30 2017-03-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
US9153649B2 (en) 2012-11-30 2015-10-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for evaluating semiconductor device
JP2014130336A (ja) 2012-11-30 2014-07-10 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置
KR102207028B1 (ko) 2012-12-03 2021-01-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
JP2014135478A (ja) 2012-12-03 2014-07-24 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
US9349593B2 (en) 2012-12-03 2016-05-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
JP6254834B2 (ja) 2012-12-06 2017-12-27 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9577446B2 (en) 2012-12-13 2017-02-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Power storage system and power storage device storing data for the identifying power storage device
TWI611419B (zh) 2012-12-24 2018-01-11 半導體能源研究所股份有限公司 可程式邏輯裝置及半導體裝置
KR102459007B1 (ko) 2012-12-25 2022-10-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US9905585B2 (en) 2012-12-25 2018-02-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising capacitor
DE112013006219T5 (de) 2012-12-25 2015-09-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Halbleitervorrichtung und deren Herstellungsverfahren
KR102241249B1 (ko) 2012-12-25 2021-04-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 저항 소자, 표시 장치, 및 전자기기
US9437273B2 (en) 2012-12-26 2016-09-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2014104267A1 (en) 2012-12-28 2014-07-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
CN110137181A (zh) 2012-12-28 2019-08-16 株式会社半导体能源研究所 半导体装置及半导体装置的制造方法
JP2014143410A (ja) 2012-12-28 2014-08-07 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
JP6329762B2 (ja) 2012-12-28 2018-05-23 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI607510B (zh) 2012-12-28 2017-12-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及半導體裝置的製造方法
US9316695B2 (en) 2012-12-28 2016-04-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9391096B2 (en) 2013-01-18 2016-07-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
TWI614813B (zh) 2013-01-21 2018-02-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置的製造方法
US9190172B2 (en) 2013-01-24 2015-11-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6223198B2 (ja) 2013-01-24 2017-11-01 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP5807076B2 (ja) 2013-01-24 2015-11-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9466725B2 (en) 2013-01-24 2016-10-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
TWI619010B (zh) 2013-01-24 2018-03-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
US8981374B2 (en) 2013-01-30 2015-03-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
TWI593025B (zh) 2013-01-30 2017-07-21 半導體能源研究所股份有限公司 氧化物半導體層的處理方法
US9076825B2 (en) * 2013-01-30 2015-07-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device
TWI618252B (zh) 2013-02-12 2018-03-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
KR102112367B1 (ko) 2013-02-12 2020-05-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US8952723B2 (en) 2013-02-13 2015-02-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Programmable logic device and semiconductor device
US9190527B2 (en) 2013-02-13 2015-11-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device
WO2014125979A1 (en) 2013-02-13 2014-08-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Programmable logic device and semiconductor device
US9231111B2 (en) 2013-02-13 2016-01-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9318484B2 (en) 2013-02-20 2016-04-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR20140106042A (ko) * 2013-02-25 2014-09-03 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조방법
TWI611566B (zh) 2013-02-25 2018-01-11 半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置和電子裝置
US9293544B2 (en) 2013-02-26 2016-03-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having buried channel structure
TWI612321B (zh) 2013-02-27 2018-01-21 半導體能源研究所股份有限公司 成像裝置
TWI611567B (zh) 2013-02-27 2018-01-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置、驅動電路及顯示裝置
US9373711B2 (en) 2013-02-27 2016-06-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP2014195243A (ja) 2013-02-28 2014-10-09 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
JP2014195241A (ja) 2013-02-28 2014-10-09 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
KR102238682B1 (ko) 2013-02-28 2021-04-08 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치와 그 제작 방법
JP6141777B2 (ja) 2013-02-28 2017-06-07 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US9276125B2 (en) 2013-03-01 2016-03-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US9647152B2 (en) 2013-03-01 2017-05-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Sensor circuit and semiconductor device including sensor circuit
KR102153110B1 (ko) 2013-03-06 2020-09-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체막 및 반도체 장치
US9269315B2 (en) 2013-03-08 2016-02-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driving method of semiconductor device
US8947121B2 (en) 2013-03-12 2015-02-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Programmable logic device
TWI644433B (zh) 2013-03-13 2018-12-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
JP6298662B2 (ja) 2013-03-14 2018-03-20 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6283237B2 (ja) 2013-03-14 2018-02-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR102290247B1 (ko) 2013-03-14 2021-08-13 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치와 그 제작 방법
JP2014199709A (ja) 2013-03-14 2014-10-23 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶装置、半導体装置
KR20150128820A (ko) 2013-03-14 2015-11-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 구동 방법 및 반도체 장치
KR20150128823A (ko) 2013-03-14 2015-11-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 구동 방법 및 반도체 장치
US9294075B2 (en) 2013-03-14 2016-03-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
TWI722545B (zh) 2013-03-15 2021-03-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
US9786350B2 (en) 2013-03-18 2017-10-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device
US9153650B2 (en) 2013-03-19 2015-10-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor
US9577107B2 (en) 2013-03-19 2017-02-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor film and method for forming oxide semiconductor film
US9007092B2 (en) 2013-03-22 2015-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6355374B2 (ja) 2013-03-22 2018-07-11 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP6093726B2 (ja) 2013-03-22 2017-03-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US10347769B2 (en) 2013-03-25 2019-07-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film transistor with multi-layer source/drain electrodes
JP6272713B2 (ja) 2013-03-25 2018-01-31 株式会社半導体エネルギー研究所 プログラマブルロジックデバイス及び半導体装置
WO2014157019A1 (en) 2013-03-25 2014-10-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6376788B2 (ja) 2013-03-26 2018-08-22 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置およびその作製方法
JP6316630B2 (ja) 2013-03-26 2018-04-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9608122B2 (en) 2013-03-27 2017-03-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP2014209209A (ja) 2013-03-28 2014-11-06 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
US9368636B2 (en) 2013-04-01 2016-06-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing a semiconductor device comprising a plurality of oxide semiconductor layers
JP6300589B2 (ja) 2013-04-04 2018-03-28 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US9112460B2 (en) 2013-04-05 2015-08-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Signal processing device
JP6224338B2 (ja) 2013-04-11 2017-11-01 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、表示装置及び半導体装置の作製方法
JP6198434B2 (ja) 2013-04-11 2017-09-20 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置及び電子機器
US10304859B2 (en) 2013-04-12 2019-05-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having an oxide film on an oxide semiconductor film
TWI620324B (zh) 2013-04-12 2018-04-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
JP6280794B2 (ja) 2013-04-12 2018-02-14 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及びその駆動方法
JP6333028B2 (ja) 2013-04-19 2018-05-30 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶装置及び半導体装置
JP6456598B2 (ja) 2013-04-19 2019-01-23 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
US9915848B2 (en) 2013-04-19 2018-03-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device
WO2014175296A1 (en) 2013-04-24 2014-10-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
US9893192B2 (en) 2013-04-24 2018-02-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6401483B2 (ja) 2013-04-26 2018-10-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP6396671B2 (ja) 2013-04-26 2018-09-26 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI644434B (zh) 2013-04-29 2018-12-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
TWI631711B (zh) 2013-05-01 2018-08-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
KR102222344B1 (ko) 2013-05-02 2021-03-02 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US9882058B2 (en) 2013-05-03 2018-01-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9231002B2 (en) 2013-05-03 2016-01-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device
CN105190902B (zh) 2013-05-09 2019-01-29 株式会社半导体能源研究所 半导体装置及其制造方法
US9704894B2 (en) 2013-05-10 2017-07-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device including pixel electrode including oxide
US9246476B2 (en) 2013-05-10 2016-01-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driver circuit
TWI621337B (zh) 2013-05-14 2018-04-11 半導體能源研究所股份有限公司 信號處理裝置
TWI669824B (zh) 2013-05-16 2019-08-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
TWI618058B (zh) 2013-05-16 2018-03-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
US9312392B2 (en) 2013-05-16 2016-04-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
TWI639235B (zh) 2013-05-16 2018-10-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
TWI638519B (zh) 2013-05-17 2018-10-11 半導體能源研究所股份有限公司 可程式邏輯裝置及半導體裝置
US10032872B2 (en) 2013-05-17 2018-07-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, method for manufacturing the same, and apparatus for manufacturing semiconductor device
JP6298353B2 (ja) 2013-05-17 2018-03-20 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9209795B2 (en) 2013-05-17 2015-12-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Signal processing device and measuring method
US9754971B2 (en) 2013-05-18 2017-09-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9647125B2 (en) 2013-05-20 2017-05-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
TWI664731B (zh) 2013-05-20 2019-07-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
KR102442752B1 (ko) 2013-05-20 2022-09-14 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US9343579B2 (en) 2013-05-20 2016-05-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2014188893A1 (en) 2013-05-20 2014-11-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
DE102014208859B4 (de) 2013-05-20 2021-03-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Halbleitervorrichtung
US9293599B2 (en) 2013-05-20 2016-03-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US10416504B2 (en) 2013-05-21 2019-09-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
WO2014188983A1 (en) 2013-05-21 2014-11-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor film and formation method thereof
JP6400336B2 (ja) 2013-06-05 2018-10-03 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6374221B2 (ja) 2013-06-05 2018-08-15 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI624936B (zh) 2013-06-05 2018-05-21 半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置
JP6475424B2 (ja) 2013-06-05 2019-02-27 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI649606B (zh) 2013-06-05 2019-02-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置及電子裝置
JP2015195327A (ja) 2013-06-05 2015-11-05 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9773915B2 (en) 2013-06-11 2017-09-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
KR102282108B1 (ko) 2013-06-13 2021-07-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
JP6368155B2 (ja) 2013-06-18 2018-08-01 株式会社半導体エネルギー研究所 プログラマブルロジックデバイス
TWI652822B (zh) 2013-06-19 2019-03-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 氧化物半導體膜及其形成方法
US9035301B2 (en) 2013-06-19 2015-05-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device
TWI633650B (zh) 2013-06-21 2018-08-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
US9515094B2 (en) 2013-06-26 2016-12-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Storage device and semiconductor device
KR20230053723A (ko) 2013-06-27 2023-04-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
JP6352070B2 (ja) 2013-07-05 2018-07-04 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9312349B2 (en) 2013-07-08 2016-04-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
US20150008428A1 (en) 2013-07-08 2015-01-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
US9666697B2 (en) 2013-07-08 2017-05-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device including an electron trap layer
US9293480B2 (en) 2013-07-10 2016-03-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device including the semiconductor device
US9424950B2 (en) 2013-07-10 2016-08-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9818763B2 (en) 2013-07-12 2017-11-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method for manufacturing display device
JP6018607B2 (ja) 2013-07-12 2016-11-02 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6322503B2 (ja) 2013-07-16 2018-05-09 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6516978B2 (ja) 2013-07-17 2019-05-22 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9443592B2 (en) 2013-07-18 2016-09-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
TWI608523B (zh) 2013-07-19 2017-12-11 半導體能源研究所股份有限公司 Oxide semiconductor film, method of manufacturing oxide semiconductor film, and semiconductor device
US9379138B2 (en) 2013-07-19 2016-06-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device with drive voltage dependent on external light intensity
US9395070B2 (en) 2013-07-19 2016-07-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Support of flexible component and light-emitting device
US10529740B2 (en) 2013-07-25 2020-01-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including semiconductor layer and conductive layer
TWI636309B (zh) 2013-07-25 2018-09-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 液晶顯示裝置及電子裝置
TWI632688B (zh) 2013-07-25 2018-08-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置以及半導體裝置的製造方法
TWI641208B (zh) 2013-07-26 2018-11-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 直流對直流轉換器
JP6460592B2 (ja) 2013-07-31 2019-01-30 株式会社半導体エネルギー研究所 Ｄｃｄｃコンバータ、及び半導体装置
JP6410496B2 (ja) 2013-07-31 2018-10-24 株式会社半導体エネルギー研究所 マルチゲート構造のトランジスタ
US9343288B2 (en) 2013-07-31 2016-05-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
TWI635750B (zh) 2013-08-02 2018-09-11 半導體能源研究所股份有限公司 攝像裝置以及其工作方法
US9496330B2 (en) 2013-08-02 2016-11-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor film and semiconductor device
JP2015053477A (ja) 2013-08-05 2015-03-19 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置および半導体装置の作製方法
JP6345023B2 (ja) 2013-08-07 2018-06-20 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置およびその作製方法
KR102304824B1 (ko) 2013-08-09 2021-09-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US9601591B2 (en) 2013-08-09 2017-03-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
JP6329843B2 (ja) 2013-08-19 2018-05-23 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9374048B2 (en) 2013-08-20 2016-06-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Signal processing device, and driving method and program thereof
US9385592B2 (en) 2013-08-21 2016-07-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Charge pump circuit and semiconductor device including the same
KR102232133B1 (ko) 2013-08-22 2021-03-24 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR102244553B1 (ko) 2013-08-23 2021-04-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 용량 소자 및 반도체 장치
US9443987B2 (en) 2013-08-23 2016-09-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
TWI749810B (zh) 2013-08-28 2021-12-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置
US9552767B2 (en) 2013-08-30 2017-01-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device
US9360564B2 (en) 2013-08-30 2016-06-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device
JP6426402B2 (ja) 2013-08-30 2018-11-21 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
WO2015030150A1 (en) 2013-08-30 2015-03-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Storage circuit and semiconductor device
US9590109B2 (en) 2013-08-30 2017-03-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US9449853B2 (en) 2013-09-04 2016-09-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device comprising electron trap layer
JP6406926B2 (ja) 2013-09-04 2018-10-17 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9607991B2 (en) 2013-09-05 2017-03-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US10008513B2 (en) 2013-09-05 2018-06-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6345544B2 (ja) 2013-09-05 2018-06-20 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
KR102294507B1 (ko) 2013-09-06 2021-08-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
JP6401977B2 (ja) 2013-09-06 2018-10-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9590110B2 (en) 2013-09-10 2017-03-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Ultraviolet light sensor circuit
TWI640014B (zh) 2013-09-11 2018-11-01 半導體能源研究所股份有限公司 記憶體裝置、半導體裝置及電子裝置
US9893194B2 (en) 2013-09-12 2018-02-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US9269822B2 (en) 2013-09-12 2016-02-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
TWI646690B (zh) 2013-09-13 2019-01-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
US9805952B2 (en) 2013-09-13 2017-10-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US9461126B2 (en) 2013-09-13 2016-10-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor, clocked inverter circuit, sequential circuit, and semiconductor device including sequential circuit
CN105531621B (zh) 2013-09-13 2019-11-12 株式会社半导体能源研究所 显示装置
JP2015079946A (ja) 2013-09-13 2015-04-23 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP6467171B2 (ja) 2013-09-17 2019-02-06 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9269915B2 (en) 2013-09-18 2016-02-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
JP6347704B2 (ja) 2013-09-18 2018-06-27 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI677989B (zh) 2013-09-19 2019-11-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
US9425217B2 (en) 2013-09-23 2016-08-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP2015084418A (ja) 2013-09-23 2015-04-30 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI633668B (zh) 2013-09-23 2018-08-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
JP6570817B2 (ja) 2013-09-23 2019-09-04 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6383616B2 (ja) 2013-09-25 2018-08-29 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9799774B2 (en) 2013-09-26 2017-10-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Switch circuit, semiconductor device, and system
JP6392603B2 (ja) 2013-09-27 2018-09-19 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
WO2015045213A1 (ja) * 2013-09-30 2015-04-02 パナソニック株式会社 薄膜トランジスタ基板及びその製造方法
JP6581765B2 (ja) 2013-10-02 2019-09-25 株式会社半導体エネルギー研究所 ブートストラップ回路、およびブートストラップ回路を有する半導体装置
JP6386323B2 (ja) 2013-10-04 2018-09-05 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
CN103928397B (zh) * 2013-10-08 2017-10-13 上海天马微电子有限公司 一种tft阵列基板及其制备方法和显示装置
TW202203465A (zh) 2013-10-10 2022-01-16 日商半導體能源研究所股份有限公司 液晶顯示裝置
US9293592B2 (en) 2013-10-11 2016-03-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
JP6591739B2 (ja) 2013-10-16 2019-10-16 株式会社半導体エネルギー研究所 演算処理装置の駆動方法
TWI621127B (zh) 2013-10-18 2018-04-11 半導體能源研究所股份有限公司 運算處理裝置及其驅動方法
TWI642170B (zh) 2013-10-18 2018-11-21 半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置及電子裝置
DE102014220672A1 (de) 2013-10-22 2015-05-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Halbleitervorrichtung
US9276128B2 (en) 2013-10-22 2016-03-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, method for manufacturing the same, and etchant used for the same
CN105659369B (zh) 2013-10-22 2019-10-22 株式会社半导体能源研究所 半导体装置及半导体装置的制造方法
KR20160074514A (ko) 2013-10-22 2016-06-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
WO2015060133A1 (en) 2013-10-22 2015-04-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9455349B2 (en) 2013-10-22 2016-09-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor thin film transistor with reduced impurity diffusion
JP2015179247A (ja) 2013-10-22 2015-10-08 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
US9583516B2 (en) 2013-10-25 2017-02-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
JP6457239B2 (ja) 2013-10-31 2019-01-23 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9590111B2 (en) 2013-11-06 2017-03-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device including the semiconductor device
JP6440457B2 (ja) 2013-11-07 2018-12-19 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6478562B2 (ja) 2013-11-07 2019-03-06 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9385054B2 (en) 2013-11-08 2016-07-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Data processing device and manufacturing method thereof
JP2015118724A (ja) 2013-11-13 2015-06-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及び半導体装置の駆動方法
JP6393590B2 (ja) 2013-11-22 2018-09-19 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6426437B2 (ja) 2013-11-22 2018-11-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6486660B2 (ja) 2013-11-27 2019-03-20 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
JP2016001712A (ja) 2013-11-29 2016-01-07 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US20150155313A1 (en) 2013-11-29 2015-06-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9882014B2 (en) 2013-11-29 2018-01-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
CN110047760A (zh) 2013-12-02 2019-07-23 株式会社半导体能源研究所 显示装置及其制造方法
KR20220047897A (ko) 2013-12-02 2022-04-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
US9991392B2 (en) 2013-12-03 2018-06-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP2016027597A (ja) 2013-12-06 2016-02-18 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9349751B2 (en) 2013-12-12 2016-05-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6537264B2 (ja) 2013-12-12 2019-07-03 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI642186B (zh) 2013-12-18 2018-11-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
TWI666770B (zh) 2013-12-19 2019-07-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
US9379192B2 (en) 2013-12-20 2016-06-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6444714B2 (ja) 2013-12-20 2018-12-26 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
WO2015097586A1 (en) 2013-12-25 2015-07-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
TWI637484B (zh) 2013-12-26 2018-10-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
JP6402017B2 (ja) 2013-12-26 2018-10-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
WO2015097596A1 (en) 2013-12-26 2015-07-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9960280B2 (en) 2013-12-26 2018-05-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2015097589A1 (en) 2013-12-26 2015-07-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9397149B2 (en) 2013-12-27 2016-07-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6506545B2 (ja) 2013-12-27 2019-04-24 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR102309629B1 (ko) 2013-12-27 2021-10-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치
JP6506961B2 (ja) 2013-12-27 2019-04-24 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置
US9577110B2 (en) 2013-12-27 2017-02-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including an oxide semiconductor and the display device including the semiconductor device
US9349418B2 (en) 2013-12-27 2016-05-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for driving the same
WO2015097593A1 (en) 2013-12-27 2015-07-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9472678B2 (en) 2013-12-27 2016-10-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6446258B2 (ja) 2013-12-27 2018-12-26 株式会社半導体エネルギー研究所 トランジスタ
JP6444723B2 (ja) 2014-01-09 2018-12-26 株式会社半導体エネルギー研究所 装置
US9300292B2 (en) 2014-01-10 2016-03-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Circuit including transistor
US9401432B2 (en) 2014-01-16 2016-07-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
US9379713B2 (en) 2014-01-17 2016-06-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Data processing device and driving method thereof
WO2015156891A2 (en) 2014-01-23 2015-10-15 Arizona Board Of Regents, Acting For And On Behalf Of Arizona State University Method of providing a flexible semiconductor device and flexible semiconductor device thereof
US10381224B2 (en) 2014-01-23 2019-08-13 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University Method of providing an electronic device and electronic device thereof
WO2017034645A2 (en) 2015-06-09 2017-03-02 ARIZONA BOARD OF REGENTS, a body corporate for THE STATE OF ARIZONA for and on behalf of ARIZONA STATE UNIVERSITY Method of providing an electronic device and electronic device thereof
KR102306200B1 (ko) 2014-01-24 2021-09-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2015114476A1 (en) 2014-01-28 2015-08-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9929044B2 (en) 2014-01-30 2018-03-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing semiconductor device
US9929279B2 (en) 2014-02-05 2018-03-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
TWI665778B (zh) 2014-02-05 2019-07-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置、模組及電子裝置
US9443876B2 (en) 2014-02-05 2016-09-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic device including the semiconductor device, the display device, and the display module
US9653487B2 (en) 2014-02-05 2017-05-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, manufacturing method thereof, module, and electronic device
JP6473626B2 (ja) 2014-02-06 2019-02-20 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
CN105960633B (zh) 2014-02-07 2020-06-19 株式会社半导体能源研究所 半导体装置、装置及电子设备
JP6534530B2 (ja) 2014-02-07 2019-06-26 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI658597B (zh) 2014-02-07 2019-05-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
JP2015165226A (ja) 2014-02-07 2015-09-17 株式会社半導体エネルギー研究所 装置
US10055232B2 (en) 2014-02-07 2018-08-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising memory circuit
US9869716B2 (en) 2014-02-07 2018-01-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Device comprising programmable logic element
TWI803431B (zh) 2014-02-11 2023-05-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置及電子裝置
WO2015125042A1 (en) 2014-02-19 2015-08-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide, semiconductor device, module, and electronic device
JP6506566B2 (ja) 2014-02-21 2019-04-24 株式会社半導体エネルギー研究所 電流測定方法
JP2015172991A (ja) 2014-02-21 2015-10-01 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、電子部品、及び電子機器
CN111524967A (zh) 2014-02-21 2020-08-11 株式会社半导体能源研究所 半导体膜、晶体管、半导体装置、显示装置以及电子设备
US9294096B2 (en) 2014-02-28 2016-03-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US10074576B2 (en) 2014-02-28 2018-09-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device
CN112233982A (zh) 2014-02-28 2021-01-15 株式会社半导体能源研究所 半导体装置的制造方法
US9564535B2 (en) 2014-02-28 2017-02-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic appliance including the semiconductor device, the display device, and the display module
KR102329066B1 (ko) 2014-02-28 2021-11-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 구동 방법, 및 전자 기기
JP6474280B2 (ja) 2014-03-05 2019-02-27 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR20150104518A (ko) 2014-03-05 2015-09-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 레벨 시프터 회로
US10096489B2 (en) 2014-03-06 2018-10-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US9537478B2 (en) 2014-03-06 2017-01-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9397637B2 (en) 2014-03-06 2016-07-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Voltage controlled oscillator, semiconductor device, and electronic device
JP6625328B2 (ja) 2014-03-06 2019-12-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の駆動方法
KR102267237B1 (ko) 2014-03-07 2021-06-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 전자 기기
WO2015132694A1 (en) 2014-03-07 2015-09-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Touch sensor, touch panel, and manufacturing method of touch panel
JP6585354B2 (ja) 2014-03-07 2019-10-02 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9443872B2 (en) 2014-03-07 2016-09-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6442321B2 (ja) 2014-03-07 2018-12-19 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及びその駆動方法、並びに電子機器
US9711536B2 (en) 2014-03-07 2017-07-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, electronic component, and electronic device
US9653611B2 (en) 2014-03-07 2017-05-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2015132697A1 (en) 2014-03-07 2015-09-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9419622B2 (en) 2014-03-07 2016-08-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR20160132405A (ko) 2014-03-12 2016-11-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
JP6525421B2 (ja) 2014-03-13 2019-06-05 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9324747B2 (en) 2014-03-13 2016-04-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device
US9640669B2 (en) 2014-03-13 2017-05-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic appliance including the semiconductor device, the display device, and the display module
JP6541376B2 (ja) 2014-03-13 2019-07-10 株式会社半導体エネルギー研究所 プログラマブルロジックデバイスの動作方法
JP6677449B2 (ja) 2014-03-13 2020-04-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の駆動方法
KR102450562B1 (ko) 2014-03-13 2022-10-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 촬상 장치
JP6560508B2 (ja) 2014-03-13 2019-08-14 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
WO2015136412A1 (en) 2014-03-14 2015-09-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Circuit system
US9299848B2 (en) 2014-03-14 2016-03-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, RF tag, and electronic device
US10361290B2 (en) 2014-03-14 2019-07-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device comprising adding oxygen to buffer film and insulating film
US9887212B2 (en) 2014-03-14 2018-02-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
JP2015188071A (ja) 2014-03-14 2015-10-29 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
WO2015140656A1 (en) 2014-03-18 2015-09-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP6509596B2 (ja) 2014-03-18 2019-05-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9887291B2 (en) 2014-03-19 2018-02-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic device including the semiconductor device, the display device, or the display module
US9842842B2 (en) 2014-03-19 2017-12-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device and semiconductor device and electronic device having the same
JP6495698B2 (ja) 2014-03-20 2019-04-03 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、電子部品、及び電子機器
TWI657488B (zh) 2014-03-20 2019-04-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置、具有該半導體裝置的顯示裝置、具有該顯示裝置的顯示模組以及具有該半導體裝置、該顯示裝置和該顯示模組的電子裝置
WO2015145292A1 (en) 2014-03-28 2015-10-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor and semiconductor device
JP6487738B2 (ja) 2014-03-31 2019-03-20 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、電子部品
TWI695375B (zh) 2014-04-10 2020-06-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 記憶體裝置及半導體裝置
US9147607B1 (en) 2014-04-10 2015-09-29 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Method of fabricating ultra short gate length thin film transistors using optical lithography
US9082794B1 (en) 2014-04-10 2015-07-14 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Metal oxide thin film transistor fabrication method
US9674470B2 (en) 2014-04-11 2017-06-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, method for driving semiconductor device, and method for driving electronic device
TWI646782B (zh) 2014-04-11 2019-01-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 保持電路、保持電路的驅動方法以及包括保持電路的半導體裝置
JP6635670B2 (ja) 2014-04-11 2020-01-29 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6541398B2 (ja) 2014-04-11 2019-07-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR102511325B1 (ko) 2014-04-18 2023-03-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 그 동작 방법
WO2015159179A1 (en) 2014-04-18 2015-10-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
US9768315B2 (en) 2014-04-18 2017-09-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device having the same
JP6613044B2 (ja) 2014-04-22 2019-11-27 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置、表示モジュール、及び電子機器
KR102380829B1 (ko) 2014-04-23 2022-03-31 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 촬상 장치
US9780226B2 (en) 2014-04-25 2017-10-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
KR102330412B1 (ko) 2014-04-25 2021-11-25 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 전자 부품, 및 전자 기기
JP6468686B2 (ja) 2014-04-25 2019-02-13 株式会社半導体エネルギー研究所 入出力装置
TWI643457B (zh) 2014-04-25 2018-12-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
US10043913B2 (en) 2014-04-30 2018-08-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor film, semiconductor device, display device, module, and electronic device
TWI679624B (zh) 2014-05-02 2019-12-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
US10656799B2 (en) 2014-05-02 2020-05-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and operation method thereof
JP6537341B2 (ja) 2014-05-07 2019-07-03 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6653997B2 (ja) 2014-05-09 2020-02-26 株式会社半導体エネルギー研究所 表示補正回路及び表示装置
KR102466741B1 (ko) 2014-05-13 2022-11-15 아리조나 보드 오브 리젠츠 온 비하프 오브 아리조나 스테이트 유니버시티 전자 디바이스를 제공하는 방법
KR102333604B1 (ko) 2014-05-15 2021-11-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 이 반도체 장치를 포함하는 표시 장치
JP2015233130A (ja) 2014-05-16 2015-12-24 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体基板および半導体装置の作製方法
JP6612056B2 (ja) 2014-05-16 2019-11-27 株式会社半導体エネルギー研究所 撮像装置、及び監視装置
JP6580863B2 (ja) 2014-05-22 2019-09-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、健康管理システム
TWI672804B (zh) 2014-05-23 2019-09-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置的製造方法
JP6616102B2 (ja) 2014-05-23 2019-12-04 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶装置及び電子機器
US10020403B2 (en) 2014-05-27 2018-07-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2015181679A1 (en) * 2014-05-27 2015-12-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US9874775B2 (en) 2014-05-28 2018-01-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and electronic device
JP6525722B2 (ja) 2014-05-29 2019-06-05 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶装置、電子部品、及び電子機器
KR20150138026A (ko) 2014-05-29 2015-12-09 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
JP6653129B2 (ja) 2014-05-29 2020-02-26 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶装置
KR102418666B1 (ko) 2014-05-29 2022-07-11 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 촬상 소자, 전자 기기, 촬상 소자의 구동 방법, 및 전자 기기의 구동 방법
KR102354008B1 (ko) 2014-05-29 2022-01-24 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 반도체 장치의 제작 방법 및 전자 기기
TWI663726B (zh) 2014-05-30 2019-06-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. 半導體裝置、模組及電子裝置
KR102373263B1 (ko) 2014-05-30 2022-03-10 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 이를 제조하기 위한 방법
US9831238B2 (en) 2014-05-30 2017-11-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including insulating film having opening portion and conductive film in the opening portion
JP6537892B2 (ja) 2014-05-30 2019-07-03 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、及び電子機器
KR102398950B1 (ko) 2014-05-30 2022-05-17 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 이의 제조 방법, 및 전자 장치
JP6538426B2 (ja) 2014-05-30 2019-07-03 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及び電子機器
TWI646658B (zh) 2014-05-30 2019-01-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
KR102344782B1 (ko) 2014-06-13 2021-12-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 입력 장치 및 입출력 장치
KR102437450B1 (ko) 2014-06-13 2022-08-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 및 반도체 장치를 포함하는 전자 기기
JP2016015475A (ja) 2014-06-13 2016-01-28 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、及び電子機器
TWI663733B (zh) 2014-06-18 2019-06-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 電晶體及半導體裝置
TWI666776B (zh) 2014-06-20 2019-07-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置以及包括該半導體裝置的顯示裝置
KR20150146409A (ko) 2014-06-20 2015-12-31 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 표시 장치, 입출력 장치, 및 전자 기기
US9722090B2 (en) 2014-06-23 2017-08-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including first gate oxide semiconductor film, and second gate
JP6545541B2 (ja) 2014-06-25 2019-07-17 株式会社半導体エネルギー研究所 撮像装置、監視装置、及び電子機器
US10002971B2 (en) 2014-07-03 2018-06-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device including the semiconductor device
US9647129B2 (en) 2014-07-04 2017-05-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9729809B2 (en) 2014-07-11 2017-08-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method of semiconductor device or electronic device
US9461179B2 (en) 2014-07-11 2016-10-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film transistor device (TFT) comprising stacked oxide semiconductor layers and having a surrounded channel structure
DE112015003266T5 (de) 2014-07-15 2017-04-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Halbleitervorrichtung, Herstellungsverfahren dafür und Anzeigevorrichtung mit der Halbleitervorrichtung
KR102422059B1 (ko) 2014-07-18 2022-07-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 촬상 장치, 및 전자 기기
JP6581825B2 (ja) 2014-07-18 2019-09-25 株式会社半導体エネルギー研究所 表示システム
US9312280B2 (en) 2014-07-25 2016-04-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2016012893A1 (en) 2014-07-25 2016-01-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oscillator circuit and semiconductor device including the same
KR102533396B1 (ko) 2014-07-31 2023-05-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 전자 장치
JP6555956B2 (ja) 2014-07-31 2019-08-07 株式会社半導体エネルギー研究所 撮像装置、監視装置、及び電子機器
US9705004B2 (en) 2014-08-01 2017-07-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6652342B2 (ja) 2014-08-08 2020-02-19 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9595955B2 (en) 2014-08-08 2017-03-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including power storage elements and switches
JP6553444B2 (ja) 2014-08-08 2019-07-31 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US10147747B2 (en) 2014-08-21 2018-12-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, manufacturing method thereof, and electronic device
US10032888B2 (en) 2014-08-22 2018-07-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, and electronic appliance having semiconductor device
US10559667B2 (en) 2014-08-25 2020-02-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for measuring current of semiconductor device
KR102509203B1 (ko) 2014-08-29 2023-03-14 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 촬상 장치 및 전자 기기
WO2016034983A1 (en) * 2014-09-02 2016-03-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device and electronic device
KR102329498B1 (ko) 2014-09-04 2021-11-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US9766517B2 (en) 2014-09-05 2017-09-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and display module
TW201614626A (en) 2014-09-05 2016-04-16 Semiconductor Energy Lab Display device and electronic device
US9722091B2 (en) 2014-09-12 2017-08-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
JP6676316B2 (ja) 2014-09-12 2020-04-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP2016066788A (ja) 2014-09-19 2016-04-28 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体膜の評価方法および半導体装置の作製方法
US9401364B2 (en) 2014-09-19 2016-07-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, electronic component, and electronic device
DE112015004272T5 (de) 2014-09-19 2017-06-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Herstellungsverfahren der Halbleitervorrichtung
KR20160034200A (ko) 2014-09-19 2016-03-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제작 방법
US10071904B2 (en) 2014-09-25 2018-09-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display module, and electronic device
US10170055B2 (en) 2014-09-26 2019-01-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and driving method thereof
JP2016111677A (ja) 2014-09-26 2016-06-20 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、無線センサ、及び電子機器
WO2016046685A1 (en) 2014-09-26 2016-03-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device
JP6633330B2 (ja) 2014-09-26 2020-01-22 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9450581B2 (en) 2014-09-30 2016-09-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Logic circuit, semiconductor device, electronic component, and electronic device
WO2016055894A1 (en) 2014-10-06 2016-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
US9698170B2 (en) 2014-10-07 2017-07-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display module, and electronic device
CN106796918A (zh) 2014-10-10 2017-05-31 株式会社半导体能源研究所 半导体装置、电路板及电子设备
CN112671388A (zh) 2014-10-10 2021-04-16 株式会社半导体能源研究所 逻辑电路、处理单元、电子构件以及电子设备
US9991393B2 (en) 2014-10-16 2018-06-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, module, and electronic device
JP6645793B2 (ja) 2014-10-17 2020-02-14 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
WO2016063159A1 (en) 2014-10-20 2016-04-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof, module, and electronic device
US10068927B2 (en) 2014-10-23 2018-09-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display module, and electronic device
JP6615565B2 (ja) 2014-10-24 2019-12-04 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9704704B2 (en) 2014-10-28 2017-07-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device including the same
TWI652362B (zh) 2014-10-28 2019-03-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 氧化物及其製造方法
WO2016067144A1 (en) 2014-10-28 2016-05-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, manufacturing method of display device, and electronic device
JP6780927B2 (ja) 2014-10-31 2020-11-04 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US10680017B2 (en) 2014-11-07 2020-06-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element including EL layer, electrode which has high reflectance and a high work function, display device, electronic device, and lighting device
US9584707B2 (en) 2014-11-10 2017-02-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device and electronic device
US9548327B2 (en) 2014-11-10 2017-01-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device having a selenium containing photoelectric conversion layer
US9438234B2 (en) 2014-11-21 2016-09-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Logic circuit and semiconductor device including logic circuit
TWI699897B (zh) 2014-11-21 2020-07-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
TWI711165B (zh) 2014-11-21 2020-11-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及電子裝置
JP6563313B2 (ja) 2014-11-21 2019-08-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、及び電子機器
DE112015005339T5 (de) 2014-11-28 2017-08-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Halbleitervorrichtung, Modul und elektronisches Gerät
JP6647841B2 (ja) 2014-12-01 2020-02-14 株式会社半導体エネルギー研究所 酸化物の作製方法
JP6647846B2 (ja) 2014-12-08 2020-02-14 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6667267B2 (ja) 2014-12-08 2020-03-18 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9773832B2 (en) 2014-12-10 2017-09-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
CN107004722A (zh) 2014-12-10 2017-08-01 株式会社半导体能源研究所 半导体装置及其制造方法
JP6689062B2 (ja) 2014-12-10 2020-04-28 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6833315B2 (ja) 2014-12-10 2021-02-24 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、及び電子機器
WO2016092416A1 (en) 2014-12-11 2016-06-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, memory device, and electronic device
JP2016116220A (ja) 2014-12-16 2016-06-23 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、及び電子機器
JP6676354B2 (ja) 2014-12-16 2020-04-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR102581808B1 (ko) 2014-12-18 2023-09-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 센서 장치, 및 전자 기기
US9741742B2 (en) 2014-12-22 2017-08-22 Arizona Board Of Regents, A Body Corporate Of The State Of Arizona, Acting For And On Behalf Of Arizona State University Deformable electronic device and methods of providing and using deformable electronic device
US10446582B2 (en) 2014-12-22 2019-10-15 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University Method of providing an imaging system and imaging system thereof
TWI686874B (zh) 2014-12-26 2020-03-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置、顯示裝置、顯示模組、電子裝置、氧化物及氧化物的製造方法
US10396210B2 (en) 2014-12-26 2019-08-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device with stacked metal oxide and oxide semiconductor layers and display device including the semiconductor device
KR20170101233A (ko) 2014-12-26 2017-09-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 스퍼터링용 타깃의 제작 방법
CN111933668A (zh) 2014-12-29 2020-11-13 株式会社半导体能源研究所 半导体装置
US10522693B2 (en) 2015-01-16 2019-12-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device and electronic device
US9443564B2 (en) 2015-01-26 2016-09-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, electronic component, and electronic device
US9812587B2 (en) 2015-01-26 2017-11-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US9954112B2 (en) 2015-01-26 2018-04-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
TWI710124B (zh) 2015-01-30 2020-11-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 成像裝置及電子裝置
US9647132B2 (en) 2015-01-30 2017-05-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and memory device
WO2016125049A1 (en) 2015-02-02 2016-08-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide and manufacturing method thereof
CN107210226B (zh) 2015-02-04 2020-12-22 株式会社半导体能源研究所 半导体装置的制造方法
US9660100B2 (en) 2015-02-06 2017-05-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
TWI683365B (zh) 2015-02-06 2020-01-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 裝置及其製造方法以及電子裝置
JP6717604B2 (ja) 2015-02-09 2020-07-01 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、中央処理装置及び電子機器
US9954113B2 (en) 2015-02-09 2018-04-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor including oxide semiconductor, semiconductor device including the transistor, and electronic device including the transistor
TWI685113B (zh) 2015-02-11 2020-02-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
US9818880B2 (en) 2015-02-12 2017-11-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device including the semiconductor device
JP2016154225A (ja) 2015-02-12 2016-08-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置およびその作製方法
KR102585396B1 (ko) 2015-02-12 2023-10-10 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 산화물 반도체막 및 반도체 장치
US10249644B2 (en) 2015-02-13 2019-04-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method of the same
US10403646B2 (en) 2015-02-20 2019-09-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US9489988B2 (en) 2015-02-20 2016-11-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device
US9991394B2 (en) 2015-02-20 2018-06-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and fabrication method thereof
JP6711642B2 (ja) 2015-02-25 2020-06-17 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6739185B2 (ja) 2015-02-26 2020-08-12 株式会社半導体エネルギー研究所 ストレージシステム、およびストレージ制御回路
US9653613B2 (en) 2015-02-27 2017-05-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP6744108B2 (ja) 2015-03-02 2020-08-19 株式会社半導体エネルギー研究所 トランジスタ、トランジスタの作製方法、半導体装置および電子機器
CN113223967A (zh) 2015-03-03 2021-08-06 株式会社半导体能源研究所 半导体装置、该半导体装置的制造方法或包括该半导体装置的显示装置
TWI718125B (zh) 2015-03-03 2021-02-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
KR102526654B1 (ko) 2015-03-03 2023-04-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 산화물 반도체막, 상기 산화물 반도체막을 포함하는 반도체 장치, 및 상기 반도체 장치를 포함하는 표시 장치
JP6681117B2 (ja) 2015-03-13 2020-04-15 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US10008609B2 (en) 2015-03-17 2018-06-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, method for manufacturing the same, or display device including the same
JP2016225602A (ja) 2015-03-17 2016-12-28 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置およびその作製方法
US9964799B2 (en) 2015-03-17 2018-05-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, display module, and electronic device
KR102560862B1 (ko) 2015-03-17 2023-07-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 터치 패널
JP2016177280A (ja) 2015-03-18 2016-10-06 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置および電子機器、並びに表示装置の駆動方法
US10147823B2 (en) 2015-03-19 2018-12-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6662665B2 (ja) 2015-03-19 2020-03-11 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置及び該液晶表示装置を用いた電子機器
KR102582523B1 (ko) 2015-03-19 2023-09-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 전자 기기
KR20160114511A (ko) 2015-03-24 2016-10-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제작 방법
JP6688116B2 (ja) 2015-03-24 2020-04-28 株式会社半導体エネルギー研究所 撮像装置および電子機器
US9842938B2 (en) 2015-03-24 2017-12-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device including semiconductor device
US10096715B2 (en) 2015-03-26 2018-10-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, method for manufacturing the same, and electronic device
US10429704B2 (en) 2015-03-26 2019-10-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, display module including the display device, and electronic device including the display device or the display module
US9806200B2 (en) 2015-03-27 2017-10-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6736321B2 (ja) 2015-03-27 2020-08-05 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の製造方法
TWI695513B (zh) 2015-03-27 2020-06-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及電子裝置
TW202316486A (zh) 2015-03-30 2023-04-16 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置的製造方法
US9716852B2 (en) 2015-04-03 2017-07-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Broadcast system
US10389961B2 (en) 2015-04-09 2019-08-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device and electronic device
KR20230098354A (ko) 2015-04-13 2023-07-03 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US10372274B2 (en) 2015-04-13 2019-08-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and touch panel
US10460984B2 (en) 2015-04-15 2019-10-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for fabricating electrode and semiconductor device
US10056497B2 (en) 2015-04-15 2018-08-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US9916791B2 (en) 2015-04-16 2018-03-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, electronic device, and method for driving display device
US10192995B2 (en) 2015-04-28 2019-01-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US10002970B2 (en) 2015-04-30 2018-06-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, manufacturing method of the same, or display device including the same
KR102549926B1 (ko) 2015-05-04 2023-06-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 반도체 장치의 제작 방법, 및 전자기기
US10671204B2 (en) 2015-05-04 2020-06-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Touch panel and data processor
JP6681780B2 (ja) 2015-05-07 2020-04-15 株式会社半導体エネルギー研究所 表示システムおよび電子機器
TWI693719B (zh) 2015-05-11 2020-05-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置的製造方法
DE102016207737A1 (de) 2015-05-11 2016-11-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Halbleitervorrichtung, Verfahren zum Herstellen der Halbleitervorrichtung, Reifen und beweglicher Gegenstand
US11728356B2 (en) 2015-05-14 2023-08-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Photoelectric conversion element and imaging device
JP6935171B2 (ja) 2015-05-14 2021-09-15 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9627034B2 (en) 2015-05-15 2017-04-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device
US9837547B2 (en) 2015-05-22 2017-12-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising oxide conductor and display device including the semiconductor device
KR20240014632A (ko) 2015-05-22 2024-02-01 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 및 상기 반도체 장치를 포함하는 표시 장치
JP2016225614A (ja) 2015-05-26 2016-12-28 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6773453B2 (ja) 2015-05-26 2020-10-21 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶装置及び電子機器
US10139663B2 (en) 2015-05-29 2018-11-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Input/output device and electronic device
KR102553553B1 (ko) 2015-06-12 2023-07-10 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 촬상 장치, 및 그 동작 방법 및 전자 기기
DE112016002769T5 (de) 2015-06-19 2018-03-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Halbleitervorrichtung, Herstellungsverfahren dafür und elektronisches Gerät
US9860465B2 (en) 2015-06-23 2018-01-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device and electronic device
US9935633B2 (en) 2015-06-30 2018-04-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Logic circuit, semiconductor device, electronic component, and electronic device
US10290573B2 (en) 2015-07-02 2019-05-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
US9917209B2 (en) 2015-07-03 2018-03-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device including step of forming trench over semiconductor
US10181531B2 (en) 2015-07-08 2019-01-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including transistor having low parasitic capacitance
JP2017022377A (ja) 2015-07-14 2017-01-26 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US10501003B2 (en) 2015-07-17 2019-12-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, lighting device, and vehicle
US10985278B2 (en) 2015-07-21 2021-04-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US10978489B2 (en) 2015-07-24 2021-04-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display panel, method for manufacturing semiconductor device, method for manufacturing display panel, and information processing device
US11024725B2 (en) 2015-07-24 2021-06-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including metal oxide film
US11189736B2 (en) 2015-07-24 2021-11-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US10424671B2 (en) 2015-07-29 2019-09-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, circuit board, and electronic device
US10585506B2 (en) 2015-07-30 2020-03-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device with high visibility regardless of illuminance of external light
CN106409919A (zh) 2015-07-30 2017-02-15 株式会社半导体能源研究所 半导体装置以及包括该半导体装置的显示装置
KR102513517B1 (ko) 2015-07-30 2023-03-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 전자 기기
US9825177B2 (en) 2015-07-30 2017-11-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of a semiconductor device using multiple etching mask
US9911861B2 (en) 2015-08-03 2018-03-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, manufacturing method of the same, and electronic device
US9876946B2 (en) 2015-08-03 2018-01-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device and electronic device
JP6791661B2 (ja) 2015-08-07 2020-11-25 株式会社半導体エネルギー研究所 表示パネル
US9893202B2 (en) 2015-08-19 2018-02-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
JP2017041877A (ja) 2015-08-21 2017-02-23 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、電子部品、および電子機器
US9666606B2 (en) 2015-08-21 2017-05-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
US9773919B2 (en) 2015-08-26 2017-09-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
WO2017037564A1 (en) 2015-08-28 2017-03-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor, transistor, and semiconductor device
JP2017050537A (ja) 2015-08-31 2017-03-09 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9911756B2 (en) 2015-08-31 2018-03-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including transistor and electronic device surrounded by layer having assigned band gap to prevent electrostatic discharge damage
US20180190679A1 (en) * 2015-09-11 2018-07-05 Mitsubishi Electric Corporation Thin film transistor substrate and method for manufacturing same
JP6807683B2 (ja) 2015-09-11 2021-01-06 株式会社半導体エネルギー研究所 入出力パネル
SG10201607278TA (en) 2015-09-18 2017-04-27 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Semiconductor device and electronic device
JP2017063420A (ja) 2015-09-25 2017-03-30 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
WO2017055967A1 (en) 2015-09-30 2017-04-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
WO2017064590A1 (en) 2015-10-12 2017-04-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
WO2017064587A1 (en) 2015-10-12 2017-04-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display panel, input/output device, data processor, and method for manufacturing display panel
US9852926B2 (en) 2015-10-20 2017-12-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method for semiconductor device
CN107077639A (zh) 2015-10-23 2017-08-18 株式会社半导体能源研究所 半导体装置及电子设备
US20170118479A1 (en) 2015-10-23 2017-04-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
US10007161B2 (en) 2015-10-26 2018-06-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
SG10201608814YA (en) 2015-10-29 2017-05-30 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device
US9773787B2 (en) 2015-11-03 2017-09-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, memory device, electronic device, or method for driving the semiconductor device
US9741400B2 (en) 2015-11-05 2017-08-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, memory device, electronic device, and method for operating the semiconductor device
JP6796461B2 (ja) 2015-11-18 2020-12-09 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、コンピュータ及び電子機器
US10868045B2 (en) 2015-12-11 2020-12-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor, semiconductor device, and electronic device
WO2017098369A1 (en) * 2015-12-11 2017-06-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor film, semiconductor device, and display device
JP2018032839A (ja) 2015-12-11 2018-03-01 株式会社半導体エネルギー研究所 トランジスタ、回路、半導体装置、表示装置および電子機器
US10050152B2 (en) 2015-12-16 2018-08-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor, semiconductor device, and electronic device
WO2017103731A1 (en) 2015-12-18 2017-06-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device including the same
US10177142B2 (en) 2015-12-25 2019-01-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Circuit, logic circuit, processor, electronic component, and electronic device
KR102595042B1 (ko) 2015-12-28 2023-10-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치를 포함하는 표시 장치
JP6851814B2 (ja) 2015-12-29 2021-03-31 株式会社半導体エネルギー研究所 トランジスタ
KR20180099725A (ko) 2015-12-29 2018-09-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 금속 산화물막 및 반도체 장치
JP2017135698A (ja) 2015-12-29 2017-08-03 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、コンピュータ及び電子機器
JP6827328B2 (ja) 2016-01-15 2021-02-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及び電子機器
JP6692645B2 (ja) * 2016-01-15 2020-05-13 株式会社ジャパンディスプレイ 半導体装置
KR102330089B1 (ko) 2016-01-18 2021-12-01 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 금속 산화물막, 반도체 장치, 및 표시 장치
JP6839986B2 (ja) 2016-01-20 2021-03-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP6822853B2 (ja) 2016-01-21 2021-01-27 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶装置及び記憶装置の駆動方法
US10411013B2 (en) 2016-01-22 2019-09-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and memory device
US10700212B2 (en) 2016-01-28 2020-06-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, semiconductor wafer, module, electronic device, and manufacturing method thereof
US10115741B2 (en) 2016-02-05 2018-10-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
US10250247B2 (en) 2016-02-10 2019-04-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, electronic component, and electronic device
CN114284364A (zh) 2016-02-12 2022-04-05 株式会社半导体能源研究所 半导体装置以及包括该半导体装置的显示装置
JP6970511B2 (ja) 2016-02-12 2021-11-24 株式会社半導体エネルギー研究所 トランジスタ
US9954003B2 (en) 2016-02-17 2018-04-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
WO2017149428A1 (en) 2016-03-04 2017-09-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, manufacturing method thereof, and display device including the semiconductor device
WO2017149413A1 (en) 2016-03-04 2017-09-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US10263114B2 (en) 2016-03-04 2019-04-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, method for manufacturing the same, or display device including the same
JP6904730B2 (ja) 2016-03-08 2021-07-21 株式会社半導体エネルギー研究所 撮像装置
US9882064B2 (en) 2016-03-10 2018-01-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor and electronic device
US10096720B2 (en) 2016-03-25 2018-10-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor, semiconductor device, and electronic device
WO2017168283A1 (ja) 2016-04-01 2017-10-05 株式会社半導体エネルギー研究所 複合酸化物半導体、当該複合酸化物半導体を用いた半導体装置、当該半導体装置を有する表示装置
CN109074296B (zh) 2016-04-15 2023-09-12 株式会社半导体能源研究所 半导体装置、电子构件及电子设备
US10236875B2 (en) 2016-04-15 2019-03-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for operating the semiconductor device
KR102358829B1 (ko) 2016-05-19 2022-02-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 복합 산화물 반도체 및 트랜지스터
KR102296809B1 (ko) 2016-06-03 2021-08-31 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 금속 산화물 및 전계 효과 트랜지스터
KR102330605B1 (ko) 2016-06-22 2021-11-24 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US10411003B2 (en) 2016-10-14 2019-09-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
CN114115609A (zh) 2016-11-25 2022-03-01 株式会社半导体能源研究所 显示装置及其工作方法
CN108878515B (zh) 2017-05-12 2022-02-25 京东方科技集团股份有限公司 薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板
WO2019025893A1 (ja) 2017-07-31 2019-02-07 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、および半導体装置の作製方法
JP6782211B2 (ja) * 2017-09-08 2020-11-11 株式会社東芝 透明電極、それを用いた素子、および素子の製造方法
WO2019145803A1 (ja) 2018-01-24 2019-08-01 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、電子部品、及び電子機器
JP7293190B2 (ja) 2018-03-16 2023-06-19 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
WO2020012276A1 (ja) 2018-07-09 2020-01-16 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US11948945B2 (en) 2019-05-31 2024-04-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and wireless communication device with the semiconductor device
US11842937B2 (en) * 2021-07-30 2023-12-12 Wolfspeed, Inc. Encapsulation stack for improved humidity performance and related fabrication methods

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5950564A (ja) * 1982-09-16 1984-03-23 Matsushita Electric Ind Co Ltd 薄膜トランジスタの製造方法
JPS6189671A (ja) * 1984-10-08 1986-05-07 Matsushita Electric Ind Co Ltd 薄膜トランジスタの製造方法
JPS63279228A (ja) * 1987-05-11 1988-11-16 Oki Electric Ind Co Ltd 液晶表示装置
JPH07273342A (ja) * 1994-03-31 1995-10-20 Casio Comput Co Ltd 薄膜トランジスタの製造方法
JP2001326364A (ja) * 2000-03-10 2001-11-22 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置及びその作製方法
JP2003086808A (ja) * 2001-09-10 2003-03-20 Masashi Kawasaki 薄膜トランジスタおよびマトリクス表示装置

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6088471A (ja) 1983-10-20 1985-05-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電界効果トランジスタ
JPS60134471A (ja) 1983-12-22 1985-07-17 Seiko Epson Corp 半導体装置
US5474941A (en) * 1990-12-28 1995-12-12 Sharp Kabushiki Kaisha Method for producing an active matrix substrate
JP3175225B2 (ja) 1991-09-05 2001-06-11 カシオ計算機株式会社 薄膜トランジスタの製造方法
JPH0643497A (ja) * 1992-07-24 1994-02-18 Sharp Corp 液晶表示装置
JPH08264790A (ja) * 1995-03-22 1996-10-11 Toshiba Corp 薄膜電解効果トランジスタ及び液晶表示装置
WO1998004406A1 (fr) 1996-07-26 1998-02-05 Asahi Glass Company Ltd. Pellicule conductrice transparente et procede pour former une electrode transparente
US6184960B1 (en) * 1998-01-30 2001-02-06 Sharp Kabushiki Kaisha Method of making a reflective type LCD including providing a protective metal film over a connecting electrode during at least one portion of the manufacturing process
US6528816B1 (en) * 1998-06-19 2003-03-04 Thomas Jackson Integrated inorganic/organic complementary thin-film transistor circuit and a method for its production
TW557387B (en) 1998-10-01 2003-10-11 Samsung Electronics Co Ltd Thin film transistor array panels for liquid crystal displays and methods of manufacturing the same
JP3276930B2 (ja) * 1998-11-17 2002-04-22 科学技術振興事業団 トランジスタ及び半導体装置
JP4562835B2 (ja) * 1999-11-05 2010-10-13 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US6998656B2 (en) * 2003-02-07 2006-02-14 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Transparent double-injection field-effect transistor
DE60127611T2 (de) * 2000-05-09 2007-12-27 Denso Corp., Kariya Anlassverfahren für einen Verbrennungsmotor gemäss Freilauf-Haltezustand
KR100720087B1 (ko) * 2000-07-31 2007-05-18 삼성전자주식회사 표시 소자용 배선 및 이를 이용한 박막 트랜지스터 기판및 그 제조 방법
US7067843B2 (en) * 2002-10-11 2006-06-27 E. I. Du Pont De Nemours And Company Transparent oxide semiconductor thin film transistors
US7250930B2 (en) * 2003-02-07 2007-07-31 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Transparent active-matrix display

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5950564A (ja) * 1982-09-16 1984-03-23 Matsushita Electric Ind Co Ltd 薄膜トランジスタの製造方法
JPS6189671A (ja) * 1984-10-08 1986-05-07 Matsushita Electric Ind Co Ltd 薄膜トランジスタの製造方法
JPS63279228A (ja) * 1987-05-11 1988-11-16 Oki Electric Ind Co Ltd 液晶表示装置
JPH07273342A (ja) * 1994-03-31 1995-10-20 Casio Comput Co Ltd 薄膜トランジスタの製造方法
JP2001326364A (ja) * 2000-03-10 2001-11-22 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置及びその作製方法
JP2003086808A (ja) * 2001-09-10 2003-03-20 Masashi Kawasaki 薄膜トランジスタおよびマトリクス表示装置

Cited By (101)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008028141A (ja) * 2006-07-21 2008-02-07 Casio Comput Co Ltd 半導体装置の製造方法
JP2008060099A (ja) * 2006-08-29 2008-03-13 Casio Comput Co Ltd 薄膜トランジスタおよびその製造方法
US8143115B2 (en) 2006-12-05 2012-03-27 Canon Kabushiki Kaisha Method for manufacturing thin film transistor using oxide semiconductor and display apparatus
JP2008205469A (ja) * 2007-02-16 2008-09-04 Samsung Electronics Co Ltd 薄膜トランジスタ及びその製造方法
US8614442B2 (en) 2007-02-16 2013-12-24 Samsung Electronics Co., Ltd. Thin film transistor and method of forming the same
JP2009135380A (ja) * 2007-05-30 2009-06-18 Canon Inc 酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタの製造方法および表示装置
KR101558198B1 (ko) 2008-08-08 2015-10-08 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제작 방법 및 반도체 장치
US9236456B2 (en) 2008-08-08 2016-01-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
JP2010062549A (ja) * 2008-08-08 2010-03-18 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置の作製方法
US8946703B2 (en) 2008-08-08 2015-02-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US8729547B2 (en) 2008-08-08 2014-05-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US10205030B2 (en) 2008-08-08 2019-02-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
KR101805381B1 (ko) 2008-08-08 2017-12-06 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US9793416B2 (en) 2008-08-08 2017-10-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US9166058B2 (en) 2008-08-08 2015-10-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US9437748B2 (en) 2008-08-08 2016-09-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
JP4623179B2 (ja) * 2008-09-18 2011-02-02 ソニー株式会社 薄膜トランジスタおよびその製造方法
JP2010073894A (ja) * 2008-09-18 2010-04-02 Sony Corp 薄膜トランジスタおよびその製造方法
US11139359B2 (en) 2008-09-19 2021-10-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP2010098304A (ja) * 2008-09-19 2010-04-30 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置
US9478597B2 (en) 2008-09-19 2016-10-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
CN102646718A (zh) * 2008-12-03 2012-08-22 索尼株式会社 薄膜晶体管、显示单元和制造薄膜晶体管的方法
US8883554B2 (en) 2008-12-19 2014-11-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing a semiconductor device using an oxide semiconductor
JP2010166038A (ja) * 2008-12-19 2010-07-29 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置の作製方法
JP2015035608A (ja) * 2008-12-19 2015-02-19 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及びその作製方法
JP2010161373A (ja) * 2009-01-12 2010-07-22 Samsung Mobile Display Co Ltd 薄膜トランジスタ及びその製造方法、並びに薄膜トランジスタを備える平板表示装置
JP2022008364A (ja) * 2009-02-13 2022-01-13 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置、電子機器
JP2015053520A (ja) * 2009-02-13 2015-03-19 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6974650B1 (ja) * 2009-02-13 2021-12-01 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置、電子機器
JP2015144290A (ja) * 2009-03-27 2015-08-06 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
US9705003B2 (en) 2009-03-27 2017-07-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including first and second gate electrodes and stack of insulating layers
JP2012525000A (ja) * 2009-04-21 2012-10-18 シーブライト・インコーポレイテッド 二重自己整合式金属酸化物薄膜トランジスタ
KR20200104271A (ko) * 2009-05-29 2020-09-03 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
US9947797B2 (en) 2009-05-29 2018-04-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP2020065048A (ja) * 2009-05-29 2020-04-23 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR101680847B1 (ko) * 2009-05-29 2016-11-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
KR102346526B1 (ko) * 2009-05-29 2021-12-31 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
KR20190102165A (ko) * 2009-05-29 2019-09-03 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
KR102150573B1 (ko) * 2009-05-29 2020-09-01 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
US11947228B2 (en) 2009-07-31 2024-04-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US11106101B2 (en) 2009-07-31 2021-08-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
US8772093B2 (en) 2009-07-31 2014-07-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
JP2019068076A (ja) * 2009-07-31 2019-04-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
WO2011013522A1 (en) * 2009-07-31 2011-02-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US8809856B2 (en) 2009-07-31 2014-08-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8384079B2 (en) 2009-07-31 2013-02-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor device
JP2011049548A (ja) * 2009-07-31 2011-03-10 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
US10079306B2 (en) 2009-07-31 2018-09-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9142570B2 (en) 2009-07-31 2015-09-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9515192B2 (en) 2009-07-31 2016-12-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP2014033211A (ja) * 2009-07-31 2014-02-20 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
US10680111B2 (en) 2009-07-31 2020-06-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor device
JP2019049714A (ja) * 2009-08-07 2019-03-28 株式会社半導体エネルギー研究所 アクティブマトリクス型表示装置
JP2015079969A (ja) * 2009-08-07 2015-04-23 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
US10665615B2 (en) 2009-09-04 2020-05-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor and display device
US11862643B2 (en) 2009-09-04 2024-01-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor and display device
JP2018174354A (ja) * 2009-09-04 2018-11-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US10418384B2 (en) 2009-09-04 2019-09-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor and display device
JP2019091939A (ja) * 2009-09-04 2019-06-13 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2020003798A (ja) * 2009-09-04 2020-01-09 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
US11094717B2 (en) 2009-09-04 2021-08-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor and display device
JP2020109861A (ja) * 2009-09-04 2020-07-16 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
JP2018125536A (ja) * 2009-09-04 2018-08-09 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
JP2013506294A (ja) * 2009-09-24 2013-02-21 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド ソース・ドレイン金属エッチングのためのウェットプロセスを用いた金属酸化物又は金属酸窒化物ｔｆｔの製造方法
JP2011077106A (ja) * 2009-09-29 2011-04-14 Dainippon Printing Co Ltd 薄膜集積回路装置及びその製造方法
JP2015159301A (ja) * 2009-12-04 2015-09-03 株式会社半導体エネルギー研究所 直流変換回路
JP2012248865A (ja) * 2009-12-21 2012-12-13 Sharp Corp アクティブマトリクス基板及びそれを備えた表示パネル
KR101847355B1 (ko) 2010-03-30 2018-04-09 가부시키가이샤 제이올레드 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법과 디스플레이 장치
US9069219B2 (en) 2010-08-07 2015-06-30 Sharp Kabushiki Kaisha Thin film transistor substrate and liquid crystal display device provided with same
WO2012020525A1 (ja) * 2010-08-07 2012-02-16 シャープ株式会社 薄膜トランジスタ基板及びそれを備えた液晶表示装置
KR101609033B1 (ko) * 2010-08-07 2016-04-04 샤프 가부시키가이샤 박막 트랜지스터 기판 및 이를 구비한 액정표시장치
US9917197B2 (en) 2010-10-07 2018-03-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film element, semiconductor device, and method for manufacturing the same
JP2012099796A (ja) * 2010-10-07 2012-05-24 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 薄膜素子の作製方法及び半導体装置の作製方法
US9437743B2 (en) 2010-10-07 2016-09-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film element, semiconductor device, and method for manufacturing the same
WO2012053161A1 (ja) * 2010-10-18 2012-04-26 シャープ株式会社 薄膜トランジスタ基板の製造方法およびその方法により製造された薄膜トランジスタ基板
JPWO2012053161A1 (ja) * 2010-10-18 2014-02-24 シャープ株式会社 薄膜トランジスタ基板の製造方法およびその方法により製造された薄膜トランジスタ基板
WO2012060362A1 (ja) * 2010-11-04 2012-05-10 シャープ株式会社 半導体装置、表示装置、ならびに半導体装置および表示装置の製造方法
JP5275523B2 (ja) * 2010-11-04 2013-08-28 シャープ株式会社 表示装置、ならびに半導体装置および表示装置の製造方法
US8940566B2 (en) 2010-11-04 2015-01-27 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor device, display device, and production method for semiconductor device and display device
KR101960889B1 (ko) * 2011-03-02 2019-03-21 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 오프셋 전극 ｔｆｔ 구조
KR20140010100A (ko) * 2011-03-02 2014-01-23 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 오프셋 전극 ｔｆｔ 구조
KR20160022334A (ko) * 2011-06-10 2016-02-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제작 방법
KR102188546B1 (ko) 2011-06-10 2020-12-08 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제작 방법
US10833202B2 (en) 2011-06-10 2020-11-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
KR102112302B1 (ko) * 2011-06-10 2020-05-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제작 방법
KR20200054931A (ko) * 2011-06-10 2020-05-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제작 방법
JP2014524666A (ja) * 2011-08-22 2014-09-22 京東方科技集團股▲ふん▼有限公司 酸化物ｔｆｔアレイ基板及びその製造方法並びに電子デバイス
JP2017108163A (ja) * 2011-09-29 2017-06-15 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9905702B2 (en) 2011-09-29 2018-02-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP2013115099A (ja) * 2011-11-25 2013-06-10 Sony Corp トランジスタ、表示装置および電子機器
JP2013153140A (ja) * 2011-12-02 2013-08-08 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置及びその作製方法
JP2015504246A (ja) * 2011-12-31 2015-02-05 京東方科技集團股▲ふん▼有限公司 薄膜トランジスタ、アレイ基板及びその製造方法、並びに表示装置
KR20130092848A (ko) * 2012-02-13 2013-08-21 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 및 이를 채용한 디스플레이 패널
JP2013258358A (ja) * 2012-06-14 2013-12-26 Japan Display Inc 表示装置及びその製造方法
US9496292B2 (en) 2012-06-14 2016-11-15 Japan Display Inc. Display device and manufacturing method for same
JP2015525000A (ja) * 2012-07-25 2015-08-27 京東方科技集團股▲ふん▼有限公司 薄膜トランジスタ、アレイ基板及びその製作方法、ディスプレイ
KR101814315B1 (ko) * 2013-03-21 2018-01-02 보에 테크놀로지 그룹 컴퍼니 리미티드 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법, 어레이 기판, 및 디스플레이 디바이스
JP2015130490A (ja) * 2013-12-02 2015-07-16 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US10103274B2 (en) 2013-12-02 2018-10-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP2016034023A (ja) * 2014-07-29 2016-03-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置およびその作製方法、電子機器
JP2018537861A (ja) * 2015-12-16 2018-12-20 鴻富錦精密工業（深▲セン▼）有限公司 薄膜トランジスタの基板及びその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
EP1787333A2 (en) 2007-05-23
TW200620676A (en) 2006-06-16
EP2264770A3 (en) 2014-08-27
US20060043447A1 (en) 2006-03-02
WO2006025609A3 (en) 2006-04-27
KR101192071B1 (ko) 2012-10-17
KR20070053233A (ko) 2007-05-23
US7385224B2 (en) 2008-06-10
EP2264770A2 (en) 2010-12-22
TWI302033B (en) 2008-10-11
WO2006025609A2 (en) 2006-03-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5333160B2 (ja) 薄膜トランジスタおよびその製造方法
JP2006100760A (ja) 薄膜トランジスタおよびその製造方法
JP2006344849A (ja) 薄膜トランジスタ
US9368635B2 (en) Array substrate, method for manufacturing the same and display device
JP4569295B2 (ja) 薄膜トランジスタおよびその製造方法
JP2007157916A (ja) Ｔｆｔ基板及びｔｆｔ基板の製造方法
JP2006269469A (ja) 薄膜トランジスタおよびその製造方法
JP5413549B2 (ja) 薄膜トランジスタパネルおよびその製造方法
JP2015501549A (ja) 薄膜トランジスターアレイ基板
JP5332091B2 (ja) 薄膜トランジスタの製造方法
CN109860305B (zh) 薄膜晶体管及其制作方法、显示基板和显示装置
US20170186879A1 (en) Thin Film Transistor, Array Substrate and Manufacturing Processes of Them
JP4458048B2 (ja) 薄膜トランジスタの製造方法
KR20120058109A (ko) 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법
JP5200366B2 (ja) 薄膜トランジスタパネルおよびその製造方法
US10249648B2 (en) Manufacturing methods of array substrates and array substrates
CN115312546A (zh) 阵列基板及其制备方法、显示面板
CN111584555B (zh) 阵列基板的制作方法及阵列基板、显示装置
KR20160129160A (ko) 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법
KR102068964B1 (ko) 액정표시장치용 어레이 기판 및 그 제조 방법
US11469258B2 (en) Display panel and display device
KR20090129824A (ko) 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
JP2005345585A (ja) 表示装置およびその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20060210

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20060314

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20080519

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20090929

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20091110

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20101116

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20101206

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20111011