JP6580863B2 - 半導体装置、健康管理システム - Google Patents
半導体装置、健康管理システム Download PDFInfo
- Publication number
- JP6580863B2 JP6580863B2 JP2015094582A JP2015094582A JP6580863B2 JP 6580863 B2 JP6580863 B2 JP 6580863B2 JP 2015094582 A JP2015094582 A JP 2015094582A JP 2015094582 A JP2015094582 A JP 2015094582A JP 6580863 B2 JP6580863 B2 JP 6580863B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit
- transistor
- film
- oxide semiconductor
- wiring
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/10—Programming or data input circuits
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
- G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
- G11C11/40—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/10—Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
- G11C7/1078—Data input circuits, e.g. write amplifiers, data input buffers, data input registers, data input level conversion circuits
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/16—Storage of analogue signals in digital stores using an arrangement comprising analogue/digital [A/D] converters, digital memories and digital/analogue [D/A] converters
Description
本実施の形態では、本発明の一態様に係る構成の一例について説明する。
本実施の形態では、本発明の一態様に係る構成の具体例について説明する。ここでは特に、半導体装置10が、検出した生体情報が正常値であるか異常値であるかを判別する健康管理システムとしての機能を有する構成について説明する。
本実施の形態では、回路50に用いることができるトランジスタの構成について説明する。
本実施の形態では、記憶回路または論理回路に用いることができるトランジスタの構成について説明する。
図15に、トランジスタ620、630の構成の一例を示す。なお、図15では、OSトランジスタであるトランジスタ630が、チャネル形成領域に酸化物半導体以外の材料を有するトランジスタであるトランジスタ620上に形成されている場合を例示している。
次いで、OSトランジスタの構成例について説明する。
以下では、酸化物半導体膜の構造について説明する。なお、以下の説明において、「平行」とは、二つの直線が−10°以上10°以下の角度で配置されている状態をいう。従って、−5°以上5°以下の場合も含まれる。また、「垂直」とは、二つの直線が80°以上100°以下の角度で配置されている状態をいう。従って、85°以上95°以下の場合も含まれる。また、本明細書において、結晶が三方晶または菱面体晶である場合、六方晶系として表す。
まずは、CAAC−OS膜について説明する。
次に、微結晶酸化物半導体膜について説明する。
次に、非晶質酸化物半導体膜について説明する。
本実施の形態では、図15とは異なる構造を有する半導体装置の構造の一例について説明する。
他の実施の形態で開示された、導電膜、半導体膜、絶縁膜など様々な膜はスパッタ法やプラズマCVD法により形成することができるが、他の方法、例えば、熱CVD法により形成してもよい。熱CVD法の例としてMOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)法やALD(Atomic Layer Deposition)法を使っても良い。
本実施の形態では、本発明の一態様に係る半導体装置の使用形態の例について説明する。
20 回路
30 回路
40 回路
50 回路
60 回路
70 回路
80 回路
81 記憶回路
82 記憶回路
83 回路
90 回路
91 回路
92 回路
100 基板
101 絶縁層
102 導電層
110 回路
111 配線
112 配線
113 配線
120 回路
121 配線
122 配線
201 トランジスタ
202 容量素子
203 配線
211 トランジスタ
212 容量素子
213 配線
214 回路
215 トランジスタ
216 配線
221 トランジスタ
222 トランジスタ
223 容量素子
224 配線
231 トランジスタ
232 トランジスタ
233 容量素子
234 トランジスタ
235 配線
236 トランジスタ
237 配線
301 XNOR回路
302 NOR回路
303 インバータ
304 AND回路
311 トランジスタ
312 トランジスタ
321 トランジスタ
322 トランジスタ
323 トランジスタ
324 トランジスタ
331 トランジスタ
332 トランジスタ
333 トランジスタ
334 トランジスタ
342 トランジスタ
351 トランジスタ
352 トランジスタ
401 インバータ
405 インバータ
411 XOR回路
413 XOR回路
421 AND回路
424 AND回路
431 NOR回路
432 NOR回路
501 XOR回路
502 AND回路
511 インバータ
512 インバータ
513 AND回路
514 AND回路
515 OR回路
520 オペアンプ
600 基板
601 絶縁物
602 ウェル
603 ゲート絶縁膜
604 ゲート電極
605 不純物領域
606 絶縁層
607 酸化物半導体層
608 導電層
609 ゲート絶縁膜
610 ゲート電極
611 絶縁層
612 配線
620 トランジスタ
630 トランジスタ
801 半導体基板
810 素子分離領域
811 絶縁膜
812 絶縁膜
813 絶縁膜
825 導電膜
826 導電膜
827 導電膜
834 導電膜
835 導電膜
836 導電膜
837 導電膜
844 導電膜
851 導電膜
852 導電膜
853 導電膜
861 絶縁膜
862 ゲート絶縁膜
863 絶縁膜
901 半導体膜
910 領域
911 領域
921 導電膜
922 導電膜
931 ゲート電極
1000 基板
1001 素子分離領域
1002 不純物領域
1003 不純物領域
1004 チャネル形成領域
1005 絶縁膜
1006 ゲート電極
1011 絶縁膜
1012 導電膜
1013 導電膜
1014 導電膜
1016 導電膜
1017 導電膜
1018 導電膜
1020 絶縁膜
1021 絶縁膜
1022 絶縁膜
1030 半導体膜
1030a 酸化物半導体膜
1030c 酸化物半導体膜
1031 ゲート絶縁膜
1032 導電膜
1033 導電膜
1034 ゲート電極
2000 トランジスタ
2001 絶縁膜
2002a 酸化物半導体膜
2002b 酸化物半導体膜
2002c 酸化物半導体膜
2003 導電膜
2004 導電膜
2005 絶縁膜
2006 導電膜
2007 基板
5001 電子機器
5002 筐体
5003 半導体装置
5004 半導体装置
Claims (4)
- 第1乃至第3の回路を有し、
前記第1の回路は、外部からの情報を検出することができる機能を有し、
前記第2の回路は、前記第1の回路において検出した情報をデジタル信号に変換することができる機能を有し、
前記第3の回路は、第1の記憶回路及び第2の記憶回路を有する第4の回路と、演算回路を有する第5の回路と、を有し、
前記第4の回路は、前記第5の回路の上方に設けられ、
前記第4の回路又は前記第5の回路の一方は、前記第4の回路又は前記第5の回路の他方と重なる領域を有し、
前記第1の記憶回路は、チャネル形成領域に酸化物半導体を有する第1のトランジスタを有し、
前記第2の記憶回路は、チャネル形成領域に酸化物半導体を有する第2のトランジスタを有し、
前記第1の記憶回路は、前記第1の回路によって検出された生体情報を記憶することができる機能を有し、
前記第2の記憶回路は、前記生体情報と比較される基準値を記憶することができる機能を有し、
前記第5の回路は、前記生体情報と前記基準値を比較することができる機能を有する半導体装置。 - 請求項1において、
前記第1の記憶回路は、第1の容量素子を有し、
前記第1のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第1の容量素子と接続され、
前記第2の記憶回路は、第2の容量素子と、インバータと、を有し、
前記第2のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第2の容量素子及び前記インバータの入力端子と接続され、
前記インバータの出力端子は、前記第5の回路と接続されている半導体装置。 - 請求項2において、
第3のトランジスタを有し、
前記第3のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第1の記憶回路と電気的に接続され、
前記第3のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第5の回路と電気的に接続され、
前記第3のトランジスタはチャネル形成領域に酸化物半導体を有する半導体装置。 - 請求項1乃至3のいずれか一項に記載の半導体装置を有し、
無線信号の送受信を行う機能を有する健康管理システム。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015094582A JP6580863B2 (ja) | 2014-05-22 | 2015-05-07 | 半導体装置、健康管理システム |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014105748 | 2014-05-22 | ||
JP2014105748 | 2014-05-22 | ||
JP2015094582A JP6580863B2 (ja) | 2014-05-22 | 2015-05-07 | 半導体装置、健康管理システム |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019156270A Division JP2019216267A (ja) | 2014-05-22 | 2019-08-29 | 半導体装置及び健康管理システム |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016001729A JP2016001729A (ja) | 2016-01-07 |
JP2016001729A5 JP2016001729A5 (ja) | 2018-06-14 |
JP6580863B2 true JP6580863B2 (ja) | 2019-09-25 |
Family
ID=54556527
Family Applications (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015094582A Active JP6580863B2 (ja) | 2014-05-22 | 2015-05-07 | 半導体装置、健康管理システム |
JP2019156270A Withdrawn JP2019216267A (ja) | 2014-05-22 | 2019-08-29 | 半導体装置及び健康管理システム |
JP2021080910A Withdrawn JP2021129113A (ja) | 2014-05-22 | 2021-05-12 | 半導体装置 |
Family Applications After (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019156270A Withdrawn JP2019216267A (ja) | 2014-05-22 | 2019-08-29 | 半導体装置及び健康管理システム |
JP2021080910A Withdrawn JP2021129113A (ja) | 2014-05-22 | 2021-05-12 | 半導体装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (4) | US9837157B2 (ja) |
JP (3) | JP6580863B2 (ja) |
KR (2) | KR102352407B1 (ja) |
TW (3) | TWI771823B (ja) |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6935171B2 (ja) | 2015-05-14 | 2021-09-15 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP6645940B2 (ja) * | 2016-09-20 | 2020-02-14 | キオクシア株式会社 | 不揮発性半導体記憶装置 |
US10276578B2 (en) * | 2017-06-25 | 2019-04-30 | United Microelectronics Corp. | Dynamic oxide semiconductor random access memory(DOSRAM) having a capacitor electrically connected to the random access memory (SRAM) |
KR102637438B1 (ko) | 2017-06-27 | 2024-02-15 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 전자 부품 |
WO2019097350A1 (ja) * | 2017-11-17 | 2019-05-23 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 加算方法、半導体装置、および電子機器 |
WO2020095148A1 (ja) * | 2018-11-08 | 2020-05-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、及び電子機器 |
JP7384836B2 (ja) | 2019-01-18 | 2023-11-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置、表示システム |
CN113646905A (zh) | 2019-04-18 | 2021-11-12 | 株式会社半导体能源研究所 | 固态继电器以及半导体装置 |
US11004501B2 (en) | 2019-06-26 | 2021-05-11 | Macronix International Co., Ltd. | Sensing a memory device |
US11908947B2 (en) | 2019-08-08 | 2024-02-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US11360768B2 (en) | 2019-08-14 | 2022-06-14 | Micron Technolgy, Inc. | Bit string operations in memory |
DE112021002788T5 (de) * | 2020-05-15 | 2023-04-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Halbleitervorrichtung |
Family Cites Families (165)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60198861A (ja) | 1984-03-23 | 1985-10-08 | Fujitsu Ltd | 薄膜トランジスタ |
JPH0244256B2 (ja) | 1987-01-28 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn2o5deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPS63210023A (ja) | 1987-02-24 | 1988-08-31 | Natl Inst For Res In Inorg Mater | InGaZn↓4O↓7で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
JPH0244258B2 (ja) | 1987-02-24 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn3o6deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPH0244260B2 (ja) | 1987-02-24 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn5o8deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPH0244262B2 (ja) | 1987-02-27 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn6o9deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPH0244263B2 (ja) | 1987-04-22 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn7o10deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
US5041974A (en) * | 1988-10-26 | 1991-08-20 | Walker Judith B | Multichannel stimulator for tuned stimulation |
US5185722A (en) * | 1989-11-22 | 1993-02-09 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor memory device having a memory test circuit |
JPH05251705A (ja) | 1992-03-04 | 1993-09-28 | Fuji Xerox Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
JPH0697366A (ja) | 1992-09-10 | 1994-04-08 | Hitachi Ltd | 高信頼度コンピュータチップ |
JPH06150647A (ja) * | 1992-11-11 | 1994-05-31 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 半導体メモリ回路 |
JPH07153286A (ja) * | 1993-11-30 | 1995-06-16 | Sony Corp | 半導体不揮発性記憶装置 |
JP3479375B2 (ja) | 1995-03-27 | 2003-12-15 | 科学技術振興事業団 | 亜酸化銅等の金属酸化物半導体による薄膜トランジスタとpn接合を形成した金属酸化物半導体装置およびそれらの製造方法 |
EP0820644B1 (en) | 1995-08-03 | 2005-08-24 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Semiconductor device provided with transparent switching element |
KR100197580B1 (ko) * | 1995-09-13 | 1999-06-15 | 이민화 | 무선 통신망을 이용한 실시간 생체신호모니터링시스템 |
JP3625598B2 (ja) | 1995-12-30 | 2005-03-02 | 三星電子株式会社 | 液晶表示装置の製造方法 |
JP4170454B2 (ja) | 1998-07-24 | 2008-10-22 | Hoya株式会社 | 透明導電性酸化物薄膜を有する物品及びその製造方法 |
JP2000150861A (ja) | 1998-11-16 | 2000-05-30 | Tdk Corp | 酸化物薄膜 |
JP3276930B2 (ja) | 1998-11-17 | 2002-04-22 | 科学技術振興事業団 | トランジスタ及び半導体装置 |
TW460731B (en) | 1999-09-03 | 2001-10-21 | Ind Tech Res Inst | Electrode structure and production method of wide viewing angle LCD |
TW587252B (en) * | 2000-01-18 | 2004-05-11 | Hitachi Ltd | Semiconductor memory device and data processing device |
JP3846844B2 (ja) | 2000-03-14 | 2006-11-15 | 株式会社東芝 | 身体装着型生活支援装置 |
JP4089858B2 (ja) | 2000-09-01 | 2008-05-28 | 国立大学法人東北大学 | 半導体デバイス |
KR20020038482A (ko) | 2000-11-15 | 2002-05-23 | 모리시타 요이찌 | 박막 트랜지스터 어레이, 그 제조방법 및 그것을 이용한표시패널 |
JP3997731B2 (ja) | 2001-03-19 | 2007-10-24 | 富士ゼロックス株式会社 | 基材上に結晶性半導体薄膜を形成する方法 |
JP2002289859A (ja) | 2001-03-23 | 2002-10-04 | Minolta Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
JP3792547B2 (ja) | 2001-07-19 | 2006-07-05 | 株式会社タニタ | 生体測定装置 |
US6618307B2 (en) * | 2001-09-05 | 2003-09-09 | Sun Microsystems, Inc. | Dynamic DRAM sense amplifier |
JP3925839B2 (ja) | 2001-09-10 | 2007-06-06 | シャープ株式会社 | 半導体記憶装置およびその試験方法 |
JP4090716B2 (ja) | 2001-09-10 | 2008-05-28 | 雅司 川崎 | 薄膜トランジスタおよびマトリクス表示装置 |
JP4164562B2 (ja) | 2002-09-11 | 2008-10-15 | 独立行政法人科学技術振興機構 | ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ |
WO2003040441A1 (en) | 2001-11-05 | 2003-05-15 | Japan Science And Technology Agency | Natural superlattice homologous single crystal thin film, method for preparation thereof, and device using said single crystal thin film |
US8489427B2 (en) * | 2002-01-29 | 2013-07-16 | Baxter International Inc. | Wireless medical data communication system and method |
JP4083486B2 (ja) | 2002-02-21 | 2008-04-30 | 独立行政法人科学技術振興機構 | LnCuO(S,Se,Te)単結晶薄膜の製造方法 |
US7049190B2 (en) | 2002-03-15 | 2006-05-23 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Method for forming ZnO film, method for forming ZnO semiconductor layer, method for fabricating semiconductor device, and semiconductor device |
JP3933591B2 (ja) | 2002-03-26 | 2007-06-20 | 淳二 城戸 | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
US7235050B2 (en) * | 2002-04-11 | 2007-06-26 | Alfred E. Mann Foundation For Scientific Research | Implantable device for processing neurological signals |
US7339187B2 (en) | 2002-05-21 | 2008-03-04 | State Of Oregon Acting By And Through The Oregon State Board Of Higher Education On Behalf Of Oregon State University | Transistor structures |
JP2004022625A (ja) | 2002-06-13 | 2004-01-22 | Murata Mfg Co Ltd | 半導体デバイス及び該半導体デバイスの製造方法 |
JP2004023062A (ja) * | 2002-06-20 | 2004-01-22 | Nec Electronics Corp | 半導体装置とその製造方法 |
US7105868B2 (en) | 2002-06-24 | 2006-09-12 | Cermet, Inc. | High-electron mobility transistor with zinc oxide |
JP2004024551A (ja) | 2002-06-26 | 2004-01-29 | Renesas Technology Corp | センサシステム用半導体装置 |
US7067843B2 (en) | 2002-10-11 | 2006-06-27 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Transparent oxide semiconductor thin film transistors |
JP4166105B2 (ja) | 2003-03-06 | 2008-10-15 | シャープ株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2004273732A (ja) | 2003-03-07 | 2004-09-30 | Sharp Corp | アクティブマトリクス基板およびその製造方法 |
JP4108633B2 (ja) | 2003-06-20 | 2008-06-25 | シャープ株式会社 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法ならびに電子デバイス |
US7262463B2 (en) | 2003-07-25 | 2007-08-28 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Transistor including a deposited channel region having a doped portion |
US7088606B2 (en) * | 2004-03-10 | 2006-08-08 | Altera Corporation | Dynamic RAM storage techniques |
US7297977B2 (en) | 2004-03-12 | 2007-11-20 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Semiconductor device |
US7145174B2 (en) | 2004-03-12 | 2006-12-05 | Hewlett-Packard Development Company, Lp. | Semiconductor device |
US7282782B2 (en) | 2004-03-12 | 2007-10-16 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Combined binary oxide semiconductor device |
KR20070116888A (ko) | 2004-03-12 | 2007-12-11 | 도꾸리쯔교세이호징 가가꾸 기쥬쯔 신꼬 기꼬 | 아몰퍼스 산화물 및 박막 트랜지스터 |
US7511982B2 (en) * | 2004-05-06 | 2009-03-31 | Sidense Corp. | High speed OTP sensing scheme |
US7211825B2 (en) | 2004-06-14 | 2007-05-01 | Yi-Chi Shih | Indium oxide-based thin film transistors and circuits |
JP2006100760A (ja) | 2004-09-02 | 2006-04-13 | Casio Comput Co Ltd | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
US7285501B2 (en) | 2004-09-17 | 2007-10-23 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Method of forming a solution processed device |
TWI372413B (en) | 2004-09-24 | 2012-09-11 | Semiconductor Energy Lab | Semiconductor device and method for manufacturing the same, and electric appliance |
JP5072208B2 (ja) | 2004-09-24 | 2012-11-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
US7298084B2 (en) | 2004-11-02 | 2007-11-20 | 3M Innovative Properties Company | Methods and displays utilizing integrated zinc oxide row and column drivers in conjunction with organic light emitting diodes |
BRPI0517568B8 (pt) | 2004-11-10 | 2022-03-03 | Canon Kk | Transistor de efeito de campo |
US7791072B2 (en) | 2004-11-10 | 2010-09-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Display |
JP5118811B2 (ja) | 2004-11-10 | 2013-01-16 | キヤノン株式会社 | 発光装置及び表示装置 |
EP1815530B1 (en) | 2004-11-10 | 2021-02-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Field effect transistor employing an amorphous oxide |
US7829444B2 (en) | 2004-11-10 | 2010-11-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Field effect transistor manufacturing method |
US7453065B2 (en) | 2004-11-10 | 2008-11-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Sensor and image pickup device |
US7863611B2 (en) | 2004-11-10 | 2011-01-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Integrated circuits utilizing amorphous oxides |
US7589990B2 (en) * | 2004-12-03 | 2009-09-15 | Taiwan Imagingtek Corporation | Semiconductor ROM device and manufacturing method thereof |
US7579224B2 (en) | 2005-01-21 | 2009-08-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing a thin film semiconductor device |
TWI412138B (zh) | 2005-01-28 | 2013-10-11 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置,電子裝置,和半導體裝置的製造方法 |
US7608531B2 (en) | 2005-01-28 | 2009-10-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, electronic device, and method of manufacturing semiconductor device |
US7858451B2 (en) | 2005-02-03 | 2010-12-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic device, semiconductor device and manufacturing method thereof |
US7948171B2 (en) | 2005-02-18 | 2011-05-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
US20060197092A1 (en) | 2005-03-03 | 2006-09-07 | Randy Hoffman | System and method for forming conductive material on a substrate |
US8681077B2 (en) | 2005-03-18 | 2014-03-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, and display device, driving method and electronic apparatus thereof |
WO2006105077A2 (en) | 2005-03-28 | 2006-10-05 | Massachusetts Institute Of Technology | Low voltage thin film transistor with high-k dielectric material |
US7645478B2 (en) | 2005-03-31 | 2010-01-12 | 3M Innovative Properties Company | Methods of making displays |
JP2006280464A (ja) | 2005-03-31 | 2006-10-19 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 生体情報検知装置、健康管理装置、およびそれらを用いた健康管理支援システム、ならびに健康管理支援方法 |
US8300031B2 (en) * | 2005-04-20 | 2012-10-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising transistor having gate and drain connected through a current-voltage conversion element |
JP4889960B2 (ja) * | 2005-04-26 | 2012-03-07 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2006344849A (ja) | 2005-06-10 | 2006-12-21 | Casio Comput Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
US7402506B2 (en) | 2005-06-16 | 2008-07-22 | Eastman Kodak Company | Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby |
US7691666B2 (en) | 2005-06-16 | 2010-04-06 | Eastman Kodak Company | Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby |
US7507618B2 (en) | 2005-06-27 | 2009-03-24 | 3M Innovative Properties Company | Method for making electronic devices using metal oxide nanoparticles |
KR100711890B1 (ko) | 2005-07-28 | 2007-04-25 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 발광표시장치 및 그의 제조방법 |
JP2007059128A (ja) * | 2005-08-23 | 2007-03-08 | Canon Inc | 有機el表示装置およびその製造方法 |
JP4280736B2 (ja) | 2005-09-06 | 2009-06-17 | キヤノン株式会社 | 半導体素子 |
JP2007073705A (ja) | 2005-09-06 | 2007-03-22 | Canon Inc | 酸化物半導体チャネル薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
JP5116225B2 (ja) | 2005-09-06 | 2013-01-09 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体デバイスの製造方法 |
JP4850457B2 (ja) | 2005-09-06 | 2012-01-11 | キヤノン株式会社 | 薄膜トランジスタ及び薄膜ダイオード |
EP1998375A3 (en) | 2005-09-29 | 2012-01-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. | Semiconductor device having oxide semiconductor layer and manufacturing method |
JP5037808B2 (ja) | 2005-10-20 | 2012-10-03 | キヤノン株式会社 | アモルファス酸化物を用いた電界効果型トランジスタ、及び該トランジスタを用いた表示装置 |
KR101358954B1 (ko) | 2005-11-15 | 2014-02-06 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 다이오드 및 액티브 매트릭스 표시장치 |
IL185609A0 (en) | 2007-08-30 | 2008-01-06 | Dan Furman | Multi function senssor |
WO2007066343A2 (en) | 2005-12-08 | 2007-06-14 | Dan Furman | Implantable biosensor assembly and health monitoring system |
TWI292281B (en) | 2005-12-29 | 2008-01-01 | Ind Tech Res Inst | Pixel structure of active organic light emitting diode and method of fabricating the same |
US7867636B2 (en) | 2006-01-11 | 2011-01-11 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transparent conductive film and method for manufacturing the same |
JP4977478B2 (ja) | 2006-01-21 | 2012-07-18 | 三星電子株式会社 | ZnOフィルム及びこれを用いたTFTの製造方法 |
US8224034B2 (en) * | 2006-02-02 | 2012-07-17 | NL Giken Incorporated | Biometrics system, biologic information storage, and portable device |
US7576394B2 (en) | 2006-02-02 | 2009-08-18 | Kochi Industrial Promotion Center | Thin film transistor including low resistance conductive thin films and manufacturing method thereof |
US7977169B2 (en) | 2006-02-15 | 2011-07-12 | Kochi Industrial Promotion Center | Semiconductor device including active layer made of zinc oxide with controlled orientations and manufacturing method thereof |
KR20070101595A (ko) | 2006-04-11 | 2007-10-17 | 삼성전자주식회사 | ZnO TFT |
US20070252928A1 (en) | 2006-04-28 | 2007-11-01 | Toppan Printing Co., Ltd. | Structure, transmission type liquid crystal display, reflection type display and manufacturing method thereof |
US20080076974A1 (en) | 2006-04-28 | 2008-03-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Biological information detection sensor device |
JP4933944B2 (ja) | 2006-04-28 | 2012-05-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 生体情報検出センサ装置 |
JP4153971B2 (ja) * | 2006-05-16 | 2008-09-24 | セイコーエプソン株式会社 | 生体情報取得装置、生体情報取得方法及び生体認証装置 |
JP5028033B2 (ja) | 2006-06-13 | 2012-09-19 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体膜のドライエッチング方法 |
JP4999400B2 (ja) | 2006-08-09 | 2012-08-15 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体膜のドライエッチング方法 |
JP4609797B2 (ja) | 2006-08-09 | 2011-01-12 | Nec液晶テクノロジー株式会社 | 薄膜デバイス及びその製造方法 |
JP4332545B2 (ja) | 2006-09-15 | 2009-09-16 | キヤノン株式会社 | 電界効果型トランジスタ及びその製造方法 |
JP5164357B2 (ja) | 2006-09-27 | 2013-03-21 | キヤノン株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
JP4274219B2 (ja) | 2006-09-27 | 2009-06-03 | セイコーエプソン株式会社 | 電子デバイス、有機エレクトロルミネッセンス装置、有機薄膜半導体装置 |
US7622371B2 (en) | 2006-10-10 | 2009-11-24 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Fused nanocrystal thin film semiconductor and method |
US7772021B2 (en) | 2006-11-29 | 2010-08-10 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Flat panel displays comprising a thin-film transistor having a semiconductive oxide in its channel and methods of fabricating the same for use in flat panel displays |
JP2008140684A (ja) | 2006-12-04 | 2008-06-19 | Toppan Printing Co Ltd | カラーelディスプレイおよびその製造方法 |
US20090048518A1 (en) * | 2006-12-10 | 2009-02-19 | Cardio Art Technologies Ltd. | Doppler motion sensor apparatus and method of using same |
KR101303578B1 (ko) | 2007-01-05 | 2013-09-09 | 삼성전자주식회사 | 박막 식각 방법 |
US8207063B2 (en) | 2007-01-26 | 2012-06-26 | Eastman Kodak Company | Process for atomic layer deposition |
KR100851215B1 (ko) | 2007-03-14 | 2008-08-07 | 삼성에스디아이 주식회사 | 박막 트랜지스터 및 이를 이용한 유기 전계 발광표시장치 |
US7795613B2 (en) | 2007-04-17 | 2010-09-14 | Toppan Printing Co., Ltd. | Structure with transistor |
KR101325053B1 (ko) | 2007-04-18 | 2013-11-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법 |
KR20080094300A (ko) | 2007-04-19 | 2008-10-23 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법과 박막 트랜지스터를포함하는 평판 디스플레이 |
KR101334181B1 (ko) | 2007-04-20 | 2013-11-28 | 삼성전자주식회사 | 선택적으로 결정화된 채널층을 갖는 박막 트랜지스터 및 그제조 방법 |
WO2008133345A1 (en) | 2007-04-25 | 2008-11-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Oxynitride semiconductor |
KR101345376B1 (ko) | 2007-05-29 | 2013-12-24 | 삼성전자주식회사 | ZnO 계 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 |
US7982250B2 (en) | 2007-09-21 | 2011-07-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP5366517B2 (ja) * | 2007-12-03 | 2013-12-11 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
JP5215158B2 (ja) | 2007-12-17 | 2013-06-19 | 富士フイルム株式会社 | 無機結晶性配向膜及びその製造方法、半導体デバイス |
CA2722616A1 (en) * | 2008-05-12 | 2009-11-19 | Cardio Art Technologies, Ltd. | Method and system for monitoring a health condition |
JP4448189B2 (ja) | 2008-06-18 | 2010-04-07 | キヤノン株式会社 | 生体情報取得装置 |
JP4623179B2 (ja) | 2008-09-18 | 2011-02-02 | ソニー株式会社 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
JP5451280B2 (ja) | 2008-10-09 | 2014-03-26 | キヤノン株式会社 | ウルツ鉱型結晶成長用基板およびその製造方法ならびに半導体装置 |
US20110295090A1 (en) * | 2008-12-04 | 2011-12-01 | Searete Llc, A Limited Liability Corporation Of The State Of Delaware | Systems, devices, and methods including implantable devices with anti-microbial properties |
US20110160681A1 (en) * | 2008-12-04 | 2011-06-30 | Searete Llc, A Limited Liability Corporation Of The State Of Delaware | Systems, devices, and methods including catheters having light removable coatings based on a sensed condition |
JP5470054B2 (ja) | 2009-01-22 | 2014-04-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US8247276B2 (en) | 2009-02-20 | 2012-08-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Thin film transistor, method for manufacturing the same, and semiconductor device |
WO2010098379A1 (ja) | 2009-02-26 | 2010-09-02 | オムロンヘルスケア株式会社 | 生体情報管理システムおよび生体情報管理方法 |
KR101006824B1 (ko) * | 2009-05-22 | 2011-01-10 | 한국과학기술원 | 착용형 모니터링 장치 및 그 구동방법 |
JP5396335B2 (ja) * | 2009-05-28 | 2014-01-22 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | タッチパネル |
US8472227B2 (en) | 2010-01-27 | 2013-06-25 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Integrated circuits and methods for forming the same |
KR102369024B1 (ko) | 2009-10-29 | 2022-02-28 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
SG10201406934WA (en) | 2009-10-29 | 2014-11-27 | Semiconductor Energy Lab | Semiconductor device |
KR101883629B1 (ko) * | 2010-01-20 | 2018-07-30 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
US9275721B2 (en) * | 2010-07-30 | 2016-03-01 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Split bit line architecture circuits and methods for memory devices |
US9129703B2 (en) * | 2010-08-16 | 2015-09-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for driving semiconductor memory device |
KR101979758B1 (ko) * | 2010-08-27 | 2019-05-17 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 기억 장치, 반도체 장치 |
WO2012029638A1 (en) * | 2010-09-03 | 2012-03-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP2012256821A (ja) | 2010-09-13 | 2012-12-27 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 記憶装置 |
TWI539453B (zh) | 2010-09-14 | 2016-06-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 記憶體裝置和半導體裝置 |
US8767443B2 (en) * | 2010-09-22 | 2014-07-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor memory device and method for inspecting the same |
WO2012056882A1 (ja) | 2010-10-27 | 2012-05-03 | 株式会社村田製作所 | 検出回路 |
JP5925475B2 (ja) * | 2010-12-09 | 2016-05-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 光検出回路 |
JP2012151453A (ja) * | 2010-12-28 | 2012-08-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置および半導体装置の駆動方法 |
US9601178B2 (en) * | 2011-01-26 | 2017-03-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Memory device and semiconductor device |
JP5839474B2 (ja) | 2011-03-24 | 2016-01-06 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 信号処理回路 |
KR101963457B1 (ko) * | 2011-04-29 | 2019-03-28 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 기억 장치 및 그 구동 방법 |
JP5886496B2 (ja) * | 2011-05-20 | 2016-03-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US9076505B2 (en) | 2011-12-09 | 2015-07-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Memory device |
JP6105266B2 (ja) * | 2011-12-15 | 2017-03-29 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 記憶装置 |
JP6377317B2 (ja) | 2012-05-30 | 2018-08-22 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | プログラマブルロジックデバイス |
US9916793B2 (en) * | 2012-06-01 | 2018-03-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method of driving the same |
TW201404878A (zh) * | 2012-07-27 | 2014-02-01 | Hsian-Chang Chen | 自動快速分析生物細胞的裝置和其相關的方法 |
US20140330257A1 (en) * | 2013-05-02 | 2014-11-06 | Elwha Llc | Implantable Device for Manipulating Immune Cells |
TWI492739B (zh) * | 2013-06-26 | 2015-07-21 | Shuenn Yuh Lee | 生理訊號檢測無線監控系統、生理訊號分析端裝置及生理訊號檢測端裝置 |
US9240226B2 (en) * | 2013-08-05 | 2016-01-19 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor storage device |
-
2015
- 2015-05-07 JP JP2015094582A patent/JP6580863B2/ja active Active
- 2015-05-12 TW TW109143872A patent/TWI771823B/zh active
- 2015-05-12 TW TW104115116A patent/TWI668691B/zh not_active IP Right Cessation
- 2015-05-12 TW TW108116616A patent/TWI715035B/zh not_active IP Right Cessation
- 2015-05-14 US US14/712,207 patent/US9837157B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2015-05-21 KR KR1020150070902A patent/KR102352407B1/ko active IP Right Grant
-
2017
- 2017-11-28 US US15/823,662 patent/US10388380B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2019
- 2019-07-25 US US16/521,784 patent/US10964393B2/en active Active
- 2019-08-29 JP JP2019156270A patent/JP2019216267A/ja not_active Withdrawn
-
2020
- 2020-08-17 US US16/994,878 patent/US11488668B2/en active Active
-
2021
- 2021-05-12 JP JP2021080910A patent/JP2021129113A/ja not_active Withdrawn
-
2022
- 2022-01-11 KR KR1020220004237A patent/KR102501338B1/ko active IP Right Grant
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20220011762A (ko) | 2022-01-28 |
KR102501338B1 (ko) | 2023-02-21 |
JP2016001729A (ja) | 2016-01-07 |
KR20150135128A (ko) | 2015-12-02 |
US10388380B2 (en) | 2019-08-20 |
TW201935479A (zh) | 2019-09-01 |
TW202113835A (zh) | 2021-04-01 |
US9837157B2 (en) | 2017-12-05 |
TWI668691B (zh) | 2019-08-11 |
US10964393B2 (en) | 2021-03-30 |
US20150340094A1 (en) | 2015-11-26 |
US20180082747A1 (en) | 2018-03-22 |
US11488668B2 (en) | 2022-11-01 |
TW201601682A (zh) | 2016-01-16 |
JP2021129113A (ja) | 2021-09-02 |
US20190348126A1 (en) | 2019-11-14 |
TWI715035B (zh) | 2021-01-01 |
JP2019216267A (ja) | 2019-12-19 |
TWI771823B (zh) | 2022-07-21 |
US20200381056A1 (en) | 2020-12-03 |
KR102352407B1 (ko) | 2022-01-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6580863B2 (ja) | 半導体装置、健康管理システム | |
JP6902087B2 (ja) | 半導体装置 | |
US10269976B2 (en) | Method for manufacturing semiconductor device | |
US10522693B2 (en) | Memory device and electronic device | |
US10002884B2 (en) | Semiconductor device | |
JP6416658B2 (ja) | レベルシフタ回路 | |
JP2020074365A (ja) | 半導体装置 | |
JP6885986B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP6525421B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP6382044B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2015188213A (ja) | 半導体装置、及びその駆動方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180501 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180501 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20190125 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190205 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20190405 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190527 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20190820 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20190829 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6580863 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |