JP2015035608A - 半導体装置及びその作製方法 - Google Patents
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Abstract
スク数を削減し、製造コストを低減することができ、且つ生産性及び信頼性を向上するこ
とのできる技術を提供することを目的の一とする。
【解決手段】チャネル保護層を形成する膜を透光性を有する酸化物半導体層上に形成し、
チャネル保護層を形成する膜上にポジ型のフォトレジストを形成し、裏面露光法を用いて
酸化物半導体層中のチャネル形成領域上に選択的にチャネル保護層を形成することを要旨
とするものである。
【選択図】図1
Description
れた材料であり、液晶ディスプレイなどで必要とされる透明電極材料として用いられてい
る。
半導体の一種である。化合物半導体とは、2種以上の原子が結合してできる半導体である
。一般的に、金属酸化物は絶縁体となる。しかし、金属酸化物を構成する元素の組み合わ
せによっては、半導体となることが知られている。
は半導体特性を示すことが知られている。このような金属酸化物で構成される透明半導体
層を、チャネル形成領域とする薄膜トランジスタが開示されている(特許文献1乃至4、
非特許文献1)。
例えば、ホモロガス相を有するInGaO3(ZnO)m(m:自然数)は公知の材料で
ある(非特許文献2乃至4)。
が可能であることが実証されている(特許文献5、非特許文献5及び6)
−Zn−O系酸化物半導体を用いて薄膜トランジスタを作製し、画像表示装置のスイッチ
ング素子などに用いる技術が特許文献6及び特許文献7で開示されている。
ジスタは、アモルファスシリコンを用いた薄膜トランジスタよりも高い電界効果移動度が
得られている。酸化物半導体膜はスパッタ法などによって300℃以下の温度で膜形成が
可能であり、多結晶シリコンを用いた薄膜トランジスタよりも製造工程が簡単である。
タを形成し、液晶ディスプレイ、エレクトロルミネセンスディスプレイ又は電子ペーパー
等への応用が期待されている。
とができるものの、アモルファスシリコンを用いた薄膜トランジスタに比べて製造コスト
の点でまだ改良の余地が残り得る。
スク数を削減して製造コストを低減し、且つ生産性及び信頼性を向上することのできる技
術を提供することを目的の一とする。
形成し、チャネル保護層を形成する膜上にポジ型のフォトレジストを形成し、裏面露光法
を用いて、酸化物半導体層中のチャネル形成領域上に選択的にチャネル保護層を形成する
ことを要旨とするものである。また具体的には、透光性を有する基板上に遮光性を有する
ゲート電極層を形成し、ゲート電極層上に透光性を有するゲート絶縁膜を形成し、ゲート
絶縁膜上に透光性を有する酸化物半導体層を形成し、酸化物半導体層上に透光性を有する
絶縁層を形成し、絶縁層上にポジ型の感光性薄膜を形成し、感光性薄膜に対し、基板側の
光源より光を照射して感光性薄膜の露光を行い、感光性薄膜の露光領域を現像により除去
し、感光性薄膜の露光されない領域をマスクとして、絶縁層をエッチングしてチャネル保
護層を形成し、酸化物半導体層上に配線層を形成する半導体装置の作製方法である。
を形成し、ゲート電極層上に透光性を有するゲート絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜上に透
光性を有する酸化物半導体層、及び酸化物半導体層上に透光性を有する絶縁層を連続成膜
にて形成し、絶縁層上にポジ型の感光性薄膜を形成し、感光性薄膜に対し、基板側の光源
より光を照射して感光性薄膜の露光を行い、感光性薄膜の露光領域を現像により除去し、
感光性薄膜の露光されない領域をマスクとして、絶縁層をエッチングしてチャネル保護層
を形成し、酸化物半導体層より島状の酸化物半導体層を形成し島状の酸化物半導体層上に
配線層を形成する半導体装置の作製方法である。
される薄膜であり、Mは、ガリウム、鉄、ニッケル、マンガン、及びコバルトのいずれか
一または複数である半導体装置の作製方法であってもよい。
方法であってもよい。
表面の逆スパッタを行う半導体装置の作製方法であってもよい。
導体装置の作製方法であってもよい。
体装置の作製方法であってもよい。
方法であってもよい。
して形成されている半導体装置の作製方法であってもよい。
ォトリソグラフィー工程で用いられるフォトレジスト量を削減し、工程数削減による生産
性の向上が見込める。また、酸化物半導体を用いることによる薄膜トランジスタの信頼性
の向上を図ることができる。
に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々
に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施
の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する本発明の構
成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通
して用い、その繰り返しの説明は省略する。
本実施の形態では、酸化物半導体で形成される薄膜トランジスタとその作製方法について
断面図を用いて説明する。
のフォトマスクを用いてパターニングを行い、ゲート電極層101を形成する。ゲート電
極層101上に、透光性を有するゲート絶縁膜102を形成する。ゲート絶縁膜102上
に酸化物半導体層を形成し、第2のフォトマスクを用いてパターニングを行い、ゲート絶
縁膜102下のゲート電極層101を覆うよう島状の酸化物半導体層103を形成する(
図1(A)参照)。なお、島状の酸化物半導体層103は、第2のフォトマスクにより形
成されるレジストマスク181により島状に形成される。
現像、エッチング工程、レジスト剥離工程、洗浄、及び検査などの一連の処理を伴う、フ
ォトリソグラフィー工程によって膜のマスクパターン(遮光パターンともいう)を形成す
ることをいう。すなわち、基板上に形成した層の不要な部分を除去し、所望の形状に加工
することをいう。
工するマスクパターンよりも大きい形状のパターンをスクリーン印刷法、またはインクジ
ェット法により形成してもよい。フォトレジストを予め形状加工するマスクパターンより
も大きい形状のパターンとし、その後フォトレジストにフォトリソグラフィー工程等で所
望の形状加工を施すことで、現像により剥離するフォトレジストの量を削減することがで
きる。そのため、半導体装置を作製するコストの低コスト化を図ることができる。
要素の混同を避けるために付したものであり、数的に限定するものではないことを付記す
る。
、好ましくは90%以上の透過率を有する透光性基板を用いる。一例としては、ガラス基
板や石英基板、セラミック基板、ポリエチレンテレフタレート(PET)等の樹脂基板を
用いる。
法、スパッタリング法、スピンコート法等の方法により、珪素を含む酸化物材料、窒化物
材料を用いて、単層又は積層して形成される。この絶縁層は、形成しなくても良いが、基
板100からの汚染物質などを遮断する効果がある。
して、遮光性を有する材料を用いる。具体的には、後の工程で行われるレジストの露光に
用いられる光に対して、10%未満の透過率を有する材料で構成されるものとし、膜厚が
適宜調整される。ゲート電極層101は、チタン、モリブデン、クロム、タンタル、タン
グステン、アルミニウムなどの金属材料またはその合金材料を用いて形成する。ゲート電
極層101は、スパッタリング法や真空蒸着法で基板100上に導電膜を形成し、当該導
電膜上にフォトリソグラフィー工程またはインクジェット法によりマスクを形成し、当該
マスクを用いて導電膜をエッチングすることで、形成することができる。また、銀、金、
銅などの導電性ナノペーストを用いてインクジェット法により吐出し焼成して、ゲート電
極層101を形成することもできる。また、ゲート電極層101は単層構造としても積層
構造としてもよく、例えば基板100側からモリブデン膜とアルミニウム膜との積層、モ
リブデン膜とアルミニウムとネオジムとの合金膜との積層、チタン膜とアルミニウム膜と
の積層、チタン膜、アルミニウム膜及びチタン膜との積層などを用いることができる。
グまたはウェットエッチングにより加工すればよい。ICP(Inductively
Coupled Plasma:誘導結合型プラズマ)エッチング法を用い、エッチング
条件(コイル型の電極に印加される電力量、基板側の電極に印加される電力量、基板側の
電極温度等)を適宜調節することにより、電極層をテーパー形状にエッチングすることが
できる。なお、エッチング用ガスとしては、Cl2、BCl3、SiCl4もしくはCC
l4などを代表とする塩素系ガス、CF4、SF6もしくはNF3などを代表とするフッ
素系ガス又はO2を適宜用いることができる。
て、透光性を有する絶縁膜を用いる。ゲート絶縁膜102は、一例として、酸化珪素膜、
窒化珪素膜、酸化窒化珪素膜、または窒化酸化珪素膜で形成することができる。なお、ゲ
ート絶縁膜は単層とせず、酸化珪素膜、窒化珪素膜、酸化窒化珪素膜、または窒化酸化珪
素膜のいずれか2層で形成することができるし、また、3層のゲート絶縁膜を形成しても
よい。他にも、ゲート絶縁膜102としては、一例として、酸化アルミニウム、酸化マグ
ネシウム、窒化アルミニウム、酸化イットリウム、酸化ハフニウム等の金属化合物で形成
することができる。
あって、ラザフォード後方散乱法(RBS:Rutherford Backscatt
ering Spectrometry)及び水素前方散乱法(HFS:Hydroge
n Forward Scattering)を用いて測定した場合に、濃度範囲として
酸素が55〜70原子%、窒素が0.5〜15原子%、Siが25〜35原子%、水素が
0.1〜10原子%の範囲で含まれるものをいう。また、窒化酸化珪素膜とは、その組成
として、酸素よりも窒素の含有量が多いものであって、濃度範囲として酸素が5〜30原
子%、窒素が20〜55原子%、Siが25〜35原子%、水素が10〜30原子%の範
囲で含まれるものをいう。但し、酸化窒化珪素または窒化酸化珪素を構成する原子の合計
を100原子%としたとき、窒素、酸素、珪素及び水素の含有比率が上記の範囲内に含ま
れるものとする。
形成する。そして、その薄膜を半導体層として用いた薄膜トランジスタを作製する。なお
、Mは、ガリウム(Ga)、鉄(Fe)、ニッケル(Ni)、マンガン(Mn)及びコバ
ルト(Co)から選ばれた一の金属元素又は複数の金属元素を示す。例えばMとして、G
aの場合があることの他、GaとNi又はGaとFeなど、Ga以外の上記金属元素が含
まれる場合がある。また、上記酸化物半導体において、Mとして含まれる金属元素の他に
、不純物元素としてFe、Niその他の遷移金属元素、又は該遷移金属の酸化物が含まれ
ているものがある。本明細書においてはこの薄膜をIn−Ga−Zn−O系非単結晶膜と
も呼ぶ。
500℃、代表的には300〜400℃で10分〜100分熱処理を行っても、アモルフ
ァス構造がXRD(X線回折)の分析では観察することができる。また、TFTの電気特
性もゲート電圧±20Vにおいて、オンオフ比が109以上、移動度が10cm2/V・
s以上のものを作製することができる。このような電気特性を有する酸化物半導体膜を用
いて作製した薄膜トランジスタは、アモルファスシリコンを用いて作製した薄膜トランジ
スタに比べ高い移動度を有し、当該薄膜トランジスタで構成される回路を高速駆動させる
ことができる。
形成した後、当該酸化物半導体層上にフォトリソグラフィー工程またはインクジェット法
によりレジストマスクを形成し、当該レジストマスクを用いて酸化物半導体層をエッチン
グすることで、形成することができる。スパッタ法に用いる酸化物半導体層を形成するた
めのターゲットは、In2O3:Ga2O3:ZnO=1:1:1としたターゲット(I
n:Ga:Zn=1:1:0.5)を用いる。酸化物半導体層103は、後の工程で行わ
れるフォトレジストの露光に用いられる光に対して透光性が良好であり、アモルファスシ
リコンに比べフォトレジストの感光を効果的に行うことができる。
タ法があり、さらにパルス的にバイアスを与えるパルスDCスパッタ法もある。RFスパ
ッタ法は主に絶縁膜を成膜する場合に用いられ、DCスパッタ法は主に金属膜を成膜する
場合に用いられる。ここで酸化物半導体層103の形成には、DCスパッタ法を用いる。
装置は、同一チャンバーで異なる材料膜を積層成膜することも、同一チャンバーで複数種
類の材料を同時に放電させて成膜することもできる。
や、グロー放電を使わずマイクロ波を用いて発生させたプラズマを用いるECRスパッタ
法を用いるスパッタ装置がある。
それらの化合物薄膜を形成するリアクティブスパッタ法や、成膜中に基板にも電圧をかけ
るバイアススパッタ法もある。
を発生させる逆スパッタを行い、ゲート絶縁膜102の表面に付着しているゴミを除去す
ることが好ましい。逆スパッタとは、ターゲット側に電圧を印加せずに、アルゴン雰囲気
下で基板側にRF電源を用いて電圧を印加して基板にプラズマを形成して表面を改質する
方法である。なお、アルゴン雰囲気に代えて窒素、ヘリウムなどを用いてもよい。また、
アルゴン雰囲気に酸素、水素、N2Oなどを加えた雰囲気で行ってもよい。また、アルゴ
ン雰囲気にCl2、CF4などを加えた雰囲気で行ってもよい。逆スパッタすることで、
水蒸気などの大気成分や大気中に浮遊する不純物元素やゴミによる汚染がない積層界面を
形成できるので、薄膜トランジスタ特性のばらつきを低減できる。薄膜トランジスタのし
きい電圧値は、酸化物半導体の界面、即ち、酸化物半導体層とゲート絶縁膜の界面に大き
く影響する。そのため、ゲート絶縁膜102と酸化物半導体層103の界面を清浄な状態
で形成することによって、薄膜トランジスタの電気特性を向上させることができる。
理の温度は好ましくは300℃〜400℃の範囲であり、ここでは350℃で一時間処理
する。なお、この加熱処理を行うタイミングは限定されず、酸化物半導体膜の成膜後であ
ればいつ行ってもよい。例えば、酸化物半導体層103上にとチャネル保護層110とな
る絶縁膜を成膜し終えた後でも良いし、チャネル保護層110をパターニングして形成し
た後でも良いし、配線層111となる導電膜を成膜した後でも良いし、薄膜トランジスタ
の封止膜を形成した後でも良いし、平坦化膜の形成後に行う熱硬化処理を半導体層の加熱
処理に兼ねてもよい。
102上に成膜する。そして、絶縁層104上に、ポジ型のフォトレジスト105(感光
性薄膜)を形成する(図1(B)参照)。
化珪素、窒化酸化珪素など)を用いることができる。また、感光性または非感光性の有機
材料(有機樹脂材料)(ポリイミド、アクリル、ポリアミド、ポリイミドアミド、レジス
ト、ベンゾシクロブテンなど)、もしくは複数種からなる膜、またはこれらの膜の積層な
どを用いることができる。また、シロキサンを用いてもよい。なお、絶縁層104は、後
の工程で行われるレジストの露光に用いられる光に対して、透光性を有する絶縁膜を用い
る。
て成膜できる。また、湿式法であるスピンコート法などの塗布法を用いることができる。
また、液滴吐出法や、印刷法(スクリーン印刷やオフセット印刷などパターンが形成され
る方法)などで形成してもよい。
ンバー型のスパッタリング装置を使って、前工程で形成した酸化物半導体膜を大気にさら
すことなく、チャネル保護層として酸化珪素膜を成膜する。
い部分が現像後にレジストパターンとして残る。一例としては、ノボラック樹脂と感光剤
であるナフトキノンジアジド化合物を用いてもよい。いずれの材料を用いるとしても、そ
の表面張力と粘度は、溶媒の濃度を調整すること、及び/または界面活性剤等を加えたり
して適宜調整する。
6より、光107を照射する(図1(C)参照)。そして、基板100側より、光源10
6から、基板100を通過させて光107をフォトレジスト105へ照射する、いわゆる
裏面露光を行う。光107は、基板100、ゲート絶縁膜102、酸化物半導体層103
、及び絶縁層104は透過するが、遮光性を有するゲート電極層101は通過せず遮断さ
れる。よって、フォトレジスト105において、ゲート電極層101と重畳する領域は露
光されない領域108となり、露光領域109のみが現像によって溶融することとなる(
図1(D)参照)。
び露光領域109の形成について裏面露光法を用いるため、露光時間、現像時間によって
、露光されない領域108及び露光領域109の幅を決定でき、アライメントよりも高精
度にその幅を制御することができる。またフォトマスクが1枚不要になるため、低コスト
化、スループットの向上を図ることができる。
いずれか一またはそれらの組み合わせを用いる。例えば、紫外線ランプ、ブラックライト
、ハロゲンランプ、メタルハライドランプ、キセノンアークランプ、カーボンアークラン
プ、高圧ナトリウムランプ、または高圧水銀ランプから射出された光を用いてもよい。そ
の場合、ランプ光源は、必要な時間点灯させて照射してもよいし、複数回照射してもよい
。
、又は赤外光を発振することが可能なレーザ発振器を用いることができる。レーザ発振器
としては、KrF、ArF、XeCl、Xe等のエキシマレーザ発振器、He、He−C
d、Ar、He−Ne、HF等の気体レーザ発振器、YAG、GdVO4、YVO4、Y
LF、YAlO3などの結晶にCr、Nd、Er、Ho、Ce、Co、Ti又はTmをド
ープした結晶を使った固体レーザ発振器、GaN、GaAs、GaAlAs、InGaA
sP等の半導体レーザ発振器を用いることができる。なお、固体レーザ発振器においては
、基本波の第1高調波〜第5高調波を適用するのが好ましい。
るため、シャッター、ミラー又はハーフミラー等の反射体、シリンドリカルレンズや凸レ
ンズなどによって構成される光学系が設置されていてもよい。また、ランプ光源又はレー
ザ発振器は単数設けても複数設けても良く、光源を含む光学系と照射する基板との配置は
、照射する処理物に対応して(処理物の材質、膜厚など)適宜選択すればよい。なおレー
ザ光により光107を得る場合には、レーザビームをスキャンするもしくは基板をスキャ
ンすることで、大面積基板を処理することができる。
直となるように照射されるように設定している。
査して光を照射することができる。この場合、光学系にポリゴンミラーやガルバノミラー
を用いることが好ましい。
比較的広範囲な露光処理を行う領域は、ランプによる照射処理を行い、高精密な露光処理
を行う領域のみレーザ光で照射処理を行うこともできる。このように光の照射処理を行う
と、スループットも向上することができる。
として、絶縁層104にエッチング処理を施すことにより、自己整合的にチャネル保護層
110を形成することができる(図1(E)参照)。よって、フォトマスクのアライメン
トずれによる形状不良などが生じず、制御性よくチャネル保護層110を形成することが
できる。従って、歩留まりよく信頼性の高い半導体装置を作製することができる。また酸
化物半導体層103が透光性を有する層であるため、フォトレジストの感光を効率良く行
うことができ、フォトリソグラフィー工程で使用するフォトレジスト量の削減、及び感光
にかかる時間の短縮を図ることができる。従って、半導体装置の生産性向上を図ることが
できる。また本実施の形態の構成では、チャネル保護層110が、酸化物半導体層103
におけるチャネル形成領域となる部分を保護するエッチングストッパーとして機能するも
のである。そのため、配線層となる導電層のパターニング工程でのエッチング処理による
酸化物半導体層103の表面へのダメージ(エッチング時のプラズマやエッチング剤によ
る膜減りや、酸化など)を軽減することができる。従って、電気特性の高い半導体装置を
作製することができる。
酸化物半導体層103のチャネル形成領域から脱離する酸素のブロッキング効果等を有せ
しめることができ、酸化物半導体層の成膜後に行われる加熱処理などによって酸化物半導
体層の酸素濃度を最適な範囲内に保持することができる。またチャネル保護層110とゲ
ート絶縁膜102を同じ材料で形成した場合には、チャネル保護層110の加工の際、ゲ
ート絶縁膜102表面がエッチャントにより削られる構造となる。
膜を形成し、当該導電膜上に第3のフォトマスクによるフォトリソグラフィー工程または
インクジェット法によりレジストマスクを形成し、当該レジストマスクを用いて導電膜を
エッチングする。そして、チャネル保護層110上に形成された導電膜はエッチングによ
って分離され、ソース電極又はドレイン電極となる配線層111を形成する(図1(F)
参照)。導電層で形成された配線層111は、ゲート電極層101と同じ材料を使うこと
ができる。導電膜の具体例として、単体のチタン膜、もしくはチタン膜とアルミニウム膜
の積層膜、もしくはチタン膜とアルミニウム膜とチタン膜とを順に積み重ねた三層構造と
しても良い。
用いた薄膜トランジスタは、裏面露光の際に、透光性が良好なため、フォトレジストの感
光を効率よく行うことができ、フォトレジスト量の削減及び感光にかかる時間を短縮し、
生産性の向上を図ることができる。また、酸化物半導体層を用いてトランジスタを作製す
ることにより、電気特性が高いトランジスタの信頼性を向上させることができる。
2に示す。図2に示す上面図中のA1とA2の間の一点鎖線における断面図が図1(F)
に対応する。図2に示す上面図では、図1(F)に示す断面図と同様に、ゲート電極層1
01となる層201、ゲート絶縁膜(図示せず)、酸化物半導体層203、チャネル保護
層210、及び配線層111となる層211が順次積層され、各層の形状について示して
いる。なおゲート電極層101となる層201は、チャネル保護層210に重畳して設け
られている。なお図2で示す薄膜トランジスタの上面図において、ゲート電極層101と
なる層201、酸化物半導体層203、チャネル保護層210、及び配線層111となる
層211の形状は、図2の構成に限定されず、ソース領域及びドレイン領域が対向するチ
ャネル領域の上面形状が平行型である例について示した。上面図の形状については、他に
もチャネル形成領域の上面形状がC字(U字)状の薄膜トランジスタとしてもよい。
線層111との間には、酸化物半導体層103とは異なる組成比のIn−Ga−Zn−O
系非単結晶膜を用い、酸化物半導体層103よりもキャリア濃度の高いバッファ層を意図
的に設けることによってオーミック性のコンタクトを形成する構成としても良い。断面図
の一例について、図3(A)、(B)に例を示す。
バッファ層301a及び配線層となる導電層を形成し、パターニングを行う構成について
示している。また図3(B)では、一例として、チャネル保護層110をパターニング後
に、バッファ層となる層を形成し、パターニングを行うことで、バッファ層301bを行
う構成について示している。本実施の形態の構成では、チャネル保護層110が、酸化物
半導体層103におけるチャネル形成領域となる部分を保護するエッチングストッパーと
して機能するものである。そのため、配線層となる導電層、及びバッファ層となる層のパ
ターニング工程でのエッチング処理による酸化物半導体層の表面へのダメージ(エッチン
グ時のプラズマやエッチング剤による膜減りや、酸化など)を軽減することができる。
及びZnを含む酸化物半導体で形成してもよいし、酸化物半導体層にn型を付与する不純
物元素を含ませてもよい。不純物元素として、例えば、マグネシウム、アルミニウム、チ
タン、スカンジウム、イットリウム、ジルコニウム、ハフニウム、硼素、タリウム、ゲル
マニウム、錫、鉛などを用いることができる。
またはソース領域とも呼ぶことができる。
トランジスタの作製において、製造コストを低減し、生産性を向上させ、且つ信頼性を向
上させることができる。よって、電気特性が高く信頼性のよい薄膜トランジスタを有する
半導体装置を提供することができる。
枚増えるが、第2の導電膜をエッチングするフォトマスクと、n+層及び酸化物半導体膜
の一部をエッチングするフォトマスクを別々に用いてエッチングを行ってもよい。
対して、適宜、組み合わせ、又は置き換えなどを自由に行うことができる。
本実施の形態では、上記実施の形態1とは異なる酸化物半導体で形成される薄膜トランジ
スタの作製方法について断面図を用いて説明する。
第1のフォトマスクを用いてパターニングを行い、ゲート電極2101を形成する。ゲー
ト電極2101上に、透光性を有するゲート絶縁膜2102を形成する。ゲート絶縁膜2
102上に酸化物半導体層2103を形成し、次いで酸化物半導体層上に、保護層となる
絶縁層2104を連続して形成する(連続成膜ともいう)。保護層となる絶縁層2104
上には、ポジ型のフォトレジスト2105を形成する(図21(A)参照)。
103、保護層となる絶縁層2104、ポジ型のフォトレジスト2105に関する説明は
、実施の形態1で述べた基板100、ゲート電極層101、ゲート絶縁膜102、酸化物
半導体層103、保護層となる絶縁層104、ポジ型のフォトレジスト105についての
説明と同様である。
層となる絶縁層2104を連続成膜する点で異なる。酸化物半導体層2103と保護層と
なる絶縁層2104とを連続成膜することで、酸化物半導体層2103上に、水蒸気など
の大気成分や大気中に浮遊する不純物元素やゴミによる汚染がない積層界面を形成できる
ので、半導体装置の特性のバラツキを低減できる。
層となる絶縁層2104の処理工程までの一連のプロセス中、被処理基板の置かれている
雰囲気が大気等の汚染雰囲気に触れることなく、常に真空中または不活性ガス雰囲気(窒
素雰囲気または希ガス雰囲気)で制御されていることをいう。連続成膜を行うことにより
、清浄化された被処理基板の水分等の再付着を回避して成膜を行うことができる。また、
逆スパッタのようなプラズマ処理も連続成膜に含むものとする。なお、保護層となる絶縁
層2104の形成は、酸化物半導体層2103を形成したチャンバーと同一チャンバーを
用いてもよいし、大気に曝すことなく成膜できるのであれば、異なるチャンバーで成膜し
てもよい。
を照射する(図21(B)参照)。そして、基板2100側より、フォトレジスト210
5に対し裏面露光を行う。そして、フォトレジスト2105において、ゲート電極210
1と重畳する領域は露光されない領域2108となり、露光領域2109のみが現像によ
って溶融することとなる(図21(C)参照)。
での露光されない領域2108及び露光領域2109の形成について裏面露光法を用いる
ため、露光時間、現像時間によって、露光されない領域2108及び露光領域2109の
幅を決定でき、アライメントよりも高精度にその幅を制御することができる。またフォト
マスクが1枚不要になるため、低コスト化、スループットの向上を図ることができる。
る説明は、実施の形態1で述べた光源106、光107、露光されない領域108、露光
領域109に関する説明と同様である。
マスクとして、保護層となる絶縁層2104にエッチング処理を施すことにより、自己整
合的にチャネル保護層2110を形成することができる(図21(D)参照)。よって、
フォトマスクのアライメントずれによる形状不良などが生じず、制御性よくチャネル保護
層2110を形成することができる。従って、歩留まりよく信頼性の高い半導体装置を作
製することができる。また酸化物半導体層2103が透光性を有する層であるため、フォ
トレジストの感光を効率良く行うことができ、フォトリソグラフィー工程で使用するフォ
トレジスト量の削減、及び感光にかかる時間の短縮を図ることができる。従って、半導体
装置の生産性向上を図ることができる。また本実施の形態の構成では、チャネル保護層2
110が、酸化物半導体層2103におけるチャネル形成領域となる部分を保護するエッ
チングストッパーとして機能するものである。そのため、配線層となる導電層のパターニ
ング工程でのエッチング処理による酸化物半導体層2103の表面へのダメージを軽減す
ることができる。従って、電気特性の高い半導体装置を作製することができる。
10に関する説明と同様である。
よるフォトリソグラフィー工程またはインクジェット法によりレジストマスクを形成し、
酸化物半導体層2103のパターニングを行う。そして、酸化物半導体層2103の不要
な部分を除去して島状の酸化物半導体層2111を形成する(図21(E)参照)。なお
、島状の酸化物半導体層2111は、第2のフォトマスクにより形成されるレジストマス
ク2181により島状に形成される。実施の形態1での酸化物半導体層の加工との違いは
、チャネル保護層2110を有する点にあり、島状の酸化物半導体層2111とチャネル
保護層2110とが接する領域がパターニング工程でのエッチング処理によりうけるダメ
ージを軽減することができる。
に導電膜を形成し、当該導電膜上に第3のフォトマスクによるフォトリソグラフィー工程
またはインクジェット法によりレジストマスクを形成し、導電膜のパターニングを行う。
そして、チャネル保護層2110上に形成された導電膜はエッチングによって分離され、
ソース電極又はドレイン電極となる配線層2112を形成する(図21(F)参照)。導
電層で形成された配線層2112は、ゲート電極2101と同じ材料を使うことができる
。導電膜の具体例として、単体のチタン膜、もしくはチタン膜とアルミニウム膜の積層膜
、もしくはチタン膜とアルミニウム膜とチタン膜とを順に積み重ねた三層構造としても良
い。
に用いた薄膜トランジスタは、裏面露光の際に、透光性が良好なため、フォトレジストの
感光を効率よく行うことができ、フォトレジスト量の削減及び感光にかかる時間を短縮し
、生産性の向上を図ることができる。また、酸化物半導体層を用いてトランジスタを作製
することにより、電気特性が高く、トランジスタの信頼性を向上させることができる。
トランジスタの作製において、製造コストを低減し、生産性を向上させ、且つ信頼性を向
上させることができる。よって、電気特性が高く信頼性のよい薄膜トランジスタを有する
半導体装置を提供することができる。
ない。例えば、酸化物半導体層2111と配線層2112との間に、n+層を設けてもよ
いし、また当該n+層の一部をエッチングする工程を行ってもよい。
対して、適宜、組み合わせ、又は置き換えなどを自由に行うことができる。
本実施の形態では、実施の形態1で説明した半導体装置をアクティブマトリクス型の表示
装置の各画素に適用した際の作製工程について、図4乃至図11を用いて説明する。
ては、一画素とは、一つの色要素を示すものとし、その色要素一つで明るさを表現する。
従って、そのときは、RGBの色要素からなるカラー表示装置の場合には、画像の最小単
位は、Rの画素とGの画素とBの画素との三画素から構成されるものとする。
なお、表示装置は、複数の画素を駆動させる周辺駆動回路を含んでいても良い。なお、複
数の画素を駆動させる周辺駆動回路は、複数の画素と同一基板上に形成される。なお、表
示装置は、フレキシブルプリント基板(FPC)を含んでもよい。なお、表示装置は、フ
レキシブルプリント基板(FPC)などを介して接続され、ICチップ、抵抗素子、容量
素子、インダクタ、トランジスタなどが取り付けられたプリント配線基板(PWB)を含
んでいても良い。なお、表示装置は、偏光板または位相差板などの光学シートを含んでい
ても良い。なお、表示装置は、照明装置、筐体、音声入出力装置、光センサなどを含んで
いても良い。
59ガラスや1737ガラスなどに代表されるバリウムホウケイ酸ガラスやアルミノホウ
ケイ酸ガラスなどのガラス基板を用いることができる。
を行い、不要な部分を除去して配線及び電極(ゲート電極層401を含むゲート配線、容
量配線408、及び第1の端子421)を形成する。このとき少なくともゲート電極層4
01の端部にテーパー形状が形成されるようにエッチングする。この段階での断面図を図
4(A)に示した。なお、この段階での上面図が図6に相当する。
遮光性を有する材料で形成する。一例としては、アルミニウム(Al)や銅(Cu)など
の低抵抗導電性材料で形成することが望ましいが、Al単体では耐熱性が劣り、また腐蝕
しやすい等の問題点があるので耐熱性導電性材料と組み合わせて形成する。耐熱性導電性
材料としては、チタン(Ti)、タンタル(Ta)、タングステン(W)、モリブデン(
Mo)、クロム(Cr)、ネオジム(Nd)、スカンジウム(Sc)から選ばれた元素、
または上述した元素を成分とする合金か、上述した元素を組み合わせた合金膜、または上
述した元素を成分とする窒化物で形成する。
を覆って、ゲート絶縁膜402を全面に成膜する。ゲート絶縁膜402は、透光性を有す
る絶縁膜を用いる。ゲート絶縁膜402はスパッタ法などを用い、膜厚を50〜250n
mとする。
さで形成する。勿論、ゲート絶縁膜402はこのような酸化珪素膜に限定されるものでな
く、酸化窒化珪素膜、窒化珪素膜、酸化アルミニウム膜、酸化タンタル膜などの他の絶縁
膜を用い、これらの材料から成る単層または積層構造として形成しても良い。
スパッタを行い、ゲート絶縁膜の表面に付着しているゴミを除去することが好ましい。な
お、アルゴン雰囲気に代えて窒素、ヘリウムなどを用いてもよい。また、アルゴン雰囲気
に酸素、水素、N2Oなどを加えた雰囲気で行ってもよい。また、アルゴン雰囲気にCl
2、CF4などを加えた雰囲気で行ってもよい。
を形成する。プラズマ処理後、大気に曝すことなく酸化物半導体層を形成することは、ゲ
ート絶縁膜と酸化物半導体層の界面にゴミや水分を付着させない点で有用である。ここで
は、直径8インチのIn、Ga、及びZnを含む酸化物半導体ターゲット(In2O3:
Ga2O3:ZnO=1:1:1)を用いて、基板とターゲットの間との距離を170m
m、圧力0.4Pa、直流(DC)電源0.5kW、アルゴン又は酸素雰囲気下で成膜す
る。なお、パルス直流(DC)電源を用いると、ごみが軽減でき、膜厚分布も均一となる
ために好ましい。酸化物半導体層の厚さは、5nm〜200nmとする。本実施の形態で
は酸化物半導体層の厚さは、100nmとする。なお、酸化物半導体層は、後の工程で行
われるフォトレジストの露光に用いられる光に対して透光性が良好であり、アモルファス
シリコンに比べフォトレジストの感光を効果的に行うことができる。
物半導体層409を形成する。ここではITO07N(関東化学社製)を用いたウェット
エッチングにより、酸化物半導体層のパターニングを行う。なお、ここでのエッチングは
、ウェットエッチングに限定されずドライエッチングを用いてもよい。
る。そして実施の形態1で説明したように、絶縁層上にポジ型のフォトレジストを形成し
、裏面露光を用いてパターニングを行い、不要な部分を除去してゲート電極層と同じパタ
ーンとなるチャネル保護層411を形成する。
チャネル保護層411として、酸化珪素膜の他に、酸化アルミニウム膜(Al2O3膜)
、酸化マグネシウム膜(MgOx膜)、窒化アルミニウム膜(AlNx膜)、酸化イット
リウム膜(YOx膜)などを用いることができる。
し、ナトリウム等の可動イオンの固定化をさせてもよい。その方法としては、チャンバー
内にハロゲン元素を含むガスを導入してスパッタリングによる成膜を行う。ただし、ハロ
ゲン元素を含むガスを導入する場合にはチャンバーの排気手段に除害設備を設ける必要が
ある。チャネル保護層411に含ませるハロゲン元素の濃度は、SIMS(二次イオン質
量分析計)を用いた分析により得られる濃度ピークが1×1015cm−3以上1×10
20cm−3以下の範囲内とすることが好ましい。
い、希ガス、代表的にはアルゴンを用いるスパッタ方法や、ターゲットとして単結晶シリ
コンを用い、酸素ガスと化学反応させて酸化珪素膜を得るリアクティブスパッタ法を用い
ることができる。一例としては、酸化珪素膜中に酸素を過剰に含ませるため、ターゲット
として人工石英を用い、酸素のみの雰囲気下、または酸素が90%以上、且つ、Arが1
0%以下の雰囲気下でスパッタリングを行い、酸素過剰の酸化珪素膜を形成する。
。なおチャネル保護層411は、ゲート電極層401を含むゲート配線、容量配線408
、及び第1の端子421と重畳して設けられており、図7中では特に図示していない。
除去してゲート電極層と同じ材料の配線や電極層に達するコンタクトホールを形成する。
このコンタクトホールは後に形成する導電膜と直接接続するために設ける。例えば、駆動
回路部において、ゲート電極層とソース電極層或いはドレイン電極層と直接接する薄膜ト
ランジスタや、端子部のゲート配線と電気的に接続する端子を形成する場合にコンタクト
ホールを形成する。
法で形成する。この段階での断面図を図4(C)に示した。
では、導電膜432としてチタン膜の単層構造とする。また、導電膜432は、2層構造
としてもよく、アルミニウム膜上にチタン膜を積層してもよい。また、導電膜432とし
てTi膜と、そのTi膜上に重ねてNdを含むアルミニウム(Al−Nd)膜を積層し、
さらにその上にTi膜を成膜する3層構造としてもよい。導電膜432は、珪素を含むア
ルミニウム膜の単層構造としてもよい。
熱処理に耐える耐熱性を導電膜432に持たせることが好ましい。例えば、Al単体では
耐熱性が劣り、また腐蝕しやすい等の問題点があるので耐熱性導電性材料と組み合わせて
形成する。Alと組み合わせる耐熱性導電性材料としては、チタン(Ti)、タンタル(
Ta)、タングステン(W)、モリブデン(Mo)、クロム(Cr)、ネオジム(Nd)
、スカンジウム(Sc)から選ばれた元素、または上述した元素を成分とする合金か、上
述した元素を組み合わせた合金膜、または上述した元素を成分とする窒化物で形成する。
去してソース電極層405a、ドレイン電極層405b、及び接続電極420を形成する
。この際のエッチング方法としてウェットエッチングまたはドライエッチングを用いる。
例えば導電膜432としてアルミニウム膜、又はアルミニウム合金膜を用いる場合は、燐
酸と酢酸と硝酸を混ぜた溶液を用いたウェットエッチングを行うことができる。ここでは
、アンモニア過水(過酸化水素:アンモニア:水=5:2:2)を用いたウェットエッチ
ングにより、Ti膜の導電膜432をエッチングしてソース電極層405a、ドレイン電
極層405bを形成する。このエッチング工程において、酸化物半導体層409上のチャ
ネル保護層411がエッチングストッパーとして機能するため、第4のフォトマスクによ
るパターニング工程でのエッチング処理による酸化物半導体層409の表面へのダメージ
(エッチング時のプラズマやエッチング剤による膜減りや、酸化など)を軽減することが
できる。図5(A)においては、ウェットエッチングを用いるために、エッチングが等方
的に行われ、ソース電極層405a、ドレイン電極層405b、及び接続電極420の端
部はレジストマスク431より後退している。以上の工程で酸化物半導体層409をチャ
ネル形成領域とする薄膜トランジスタ470が作製できる。この段階での断面図を図5(
A)に示した。なお、この段階での上面図が図8に相当する。
しい。ここでは炉に入れ、窒素雰囲気下で350℃、1時間の熱処理を行う。この熱処理
によりIn−Ga−Zn−O系非単結晶膜である酸化物半導体層409の原子レベルの再
配列が行われる。この熱処理によりキャリアの移動を阻害する歪が解放されるため、ここ
での熱処理(光アニールも含む)は重要である。なお、熱処理を行うタイミングは、酸化
物半導体層409の成膜後であれば特に限定されず、例えば画素電極形成後に行ってもよ
い。
レイン電極層405bと同じ材料である第2の端子422を端子部に残す。なお、第2の
端子422はソース配線(ソース電極層405a、ドレイン電極層405bを含むソース
配線)と電気的に接続されている。
を介して端子部の第1の端子421と直接接続される。なお、ここでは図示しないが、上
述した工程と同じ工程を経て駆動回路の薄膜トランジスタのソース配線あるいはドレイン
配線とゲート電極が直接接続される。
7を形成する。保護絶縁層407はスパッタ法などを用いて得られる窒化シリコン膜、酸
化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、酸化タンタル膜などを用いる
ことができる。
縁層407のエッチングによりドレイン電極層405bに達するコンタクトホール425
を形成する。また、ここでのエッチングにより第2の端子422に達するコンタクトホー
ル427、接続電極420に達するコンタクトホール426も形成する。この段階での断
面図を図5(B)に示す。
は、酸化インジウム(In2O3)や酸化インジウム酸化スズ合金(In2O3―SnO
2、ITOと略記する)などをスパッタ法や真空蒸着法などを用いて形成する。このよう
な材料のエッチング処理は塩酸系の溶液により行う。しかし、特にITOのエッチングは
残渣が発生しやすいので、エッチング加工性を改善するために酸化インジウム酸化亜鉛合
金(In2O3―ZnO)を用いても良い。
去して画素電極層410を形成する。
膜402、チャネル保護層411と同層に形成された絶縁層475及び保護絶縁層407
を誘電体として、容量配線408と画素電極層410とで保持容量が形成される。
をレジストマスクで覆い端子部に形成された透明導電膜428、429を残す。透明導電
膜428、429はFPCとの接続に用いられる電極または配線となる。第1の端子42
1と直接接続された接続電極420上に形成された透明導電膜428は、ゲート配線の入
力端子として機能する接続用の端子電極となる。第2の端子422上に形成された透明導
電膜429は、ソース配線の入力端子として機能する接続用の端子電極である。
段階での上面図が図9に相当する。
断面図をそれぞれ図示している。図10(A1)は図10(A2)中のC1−C2線に沿
った断面図に相当する。図10(A1)において、保護絶縁膜454上に形成される透明
導電膜455は、入力端子として機能する接続用の端子電極である。また、図10(A1
)において、端子部では、ゲート配線と同じ材料で形成される第1の端子451と、ソー
ス配線と同じ材料で形成される接続電極453とがゲート絶縁膜452及び絶縁膜491
を介して重なり、コンタクトホールを介して直接接して導通させている。また、接続電極
453と透明導電膜455が保護絶縁膜454に設けられたコンタクトホールを介して直
接接して導通させている。なお、絶縁膜491は、チャネル保護層の形成の際、ゲート電
極層側より裏面露光したことに伴い、第1の端子451に重畳して形成されたものである
。
それぞれ図示している。また、図10(B1)は図10(B2)中のD1−D2線に沿っ
た断面図に相当する。図10(B1)において、保護絶縁膜454上に形成される透明導
電膜455は、入力端子として機能する接続用の端子電極である。また、図10(B1)
において、端子部では、ゲート配線と同じ材料で形成される電極456が、ソース配線と
電気的に接続される第2の端子450の下方にゲート絶縁膜452及び絶縁膜492を介
して重なる。電極456は第2の端子450とは電気的に接続しておらず、電極456を
第2の端子450と異なる電位、例えばフローティング、GND、0Vなどに設定すれば
、ノイズ対策のための容量または静電気対策のための容量を形成することができる。また
、第2の端子450は、保護絶縁膜454を介して透明導電膜455と電気的に接続して
いる。なお、絶縁膜492は、チャネル保護層の形成の際、ゲート電極層側より裏面露光
したことに伴い、電極456に重畳して形成されたものである。
。また、端子部においては、ゲート配線と同電位の第1の端子、ソース配線と同電位の第
2の端子、容量配線と同電位の第3の端子などが複数並べられて配置される。それぞれの
端子の数は、それぞれ任意な数で設ければ良いものとし、実施者が適宣決定すれば良い。
薄膜トランジスタである薄膜トランジスタ470を有する画素薄膜トランジスタ部、保持
容量を完成させることができる。そして、これらを個々の画素に対応してマトリクス状に
配置して画素部を構成することによりアクティブマトリクス型の表示装置を作製するため
の一方の基板とすることができる。本明細書では便宜上このような基板をアクティブマト
リクス基板と呼ぶ。
と、対向電極が設けられた対向基板との間に液晶層を設け、アクティブマトリクス基板と
対向基板とを固定する。なお、対向基板に設けられた対向電極と電気的に接続する共通電
極をアクティブマトリクス基板上に設け、共通電極と電気的に接続する第4の端子を端子
部に設ける。この第4の端子は、共通電極を固定電位、例えばGND、0Vなどに設定す
るための端子である。
では容量配線を設けず、画素電極を隣り合う画素のゲート配線と保護絶縁膜及びゲート絶
縁膜を介して重ねて保持容量を形成する例であり、この場合、容量配線及び容量配線と接
続する第3の端子は省略することができる。なお、図11に示す上面図に関する説明は、
図9に示す上面図及び図4、図5で説明した断面図の形状と同様であるため、省略する。
を駆動することによって、画面上に表示パターンが形成される。詳しくは選択された画素
電極と該画素電極に対応する対向電極との間に電圧が印加されることによって、画素電極
と対向電極との間に配置された液晶層の光学変調が行われ、この光学変調が表示パターン
として観察者に認識される。
は動画のぼけが生じるという問題がある。液晶表示装置の動画特性を改善するため、全面
黒表示を1フレームおきに行う、所謂、黒挿入と呼ばれる駆動技術がある。
善する、所謂、倍速駆動と呼ばれる駆動技術もある。
ダイオード)光源または複数のEL光源などを用いて面光源を構成し、面光源を構成して
いる各光源を独立して1フレーム期間内で間欠点灯駆動する駆動技術もある。面光源とし
て、3種類以上のLEDを用いてもよいし、白色発光のLEDを用いてもよい。独立して
複数のLEDを制御できるため、液晶層の光学変調の切り替えタイミングに合わせてLE
Dの発光タイミングを同期させることもできる。この駆動技術は、LEDを部分的に消灯
することができるため、特に一画面を占める黒い表示領域の割合が多い映像表示の場合に
は、消費電力の低減効果が図れる。
を従来よりも改善することができる。
晶膜をチャネル形成領域に用いており、良好な動特性を有するため、これらの駆動技術を
組み合わせることができる。
、低電源電位、例えばGND、0Vなどに設定するため、端子部に、カソードを低電源電
位、例えばGND、0Vなどに設定するための第4の端子が設けられる。また、発光表示
装置を作製する場合には、ソース配線、及びゲート配線に加えて電源供給線を設ける。従
って、端子部には、電源供給線と電気的に接続する第5の端子を設ける。
成することにより、製造コストを低減する。そして駆動回路に用いる薄膜トランジスタの
ゲート電極とソース配線、或いはドレイン配線を直接接続させることでコンタクトホール
の数を少なくし、駆動回路の占有面積を縮小化できる表示装置を提供することができる。
の形態1で示した半導体装置の作製方法を用いることができる。すなわち、チャネル保護
膜のパターニングに際し、ゲート電極をマスクとして裏面露光を行うことにより、自己整
合的にチャネル保護層を形成することができる。よって、フォトマスクのアライメントず
れによる形状不良などが生じず、制御性よくチャネル保護層を形成することができる。従
って、歩留まりよく信頼性の高い半導体装置を作製することができる。また酸化物半導体
層が透光性を有する層であるため、フォトレジストの感光を効率良く行うことができ、フ
ォトリソグラフィー工程で使用するフォトレジスト量の削減、及び感光にかかる時間の短
縮を図ることができる。従って、半導体装置の生産性向上を図ることができる。またチャ
ネル保護層が、酸化物半導体層におけるチャネル形成領域となる部分を保護するエッチン
グストッパーとして機能するものである。そのため、配線層となる導電層のパターニング
工程でのエッチング処理による酸化物半導体層の表面へのダメージ(エッチング時のプラ
ズマやエッチング剤による膜減りや、酸化など)を軽減することができる。従って、電気
特性の高い半導体装置を作製することができる。
対して、適宜、組み合わせ、又は置き換えなどを自由に行うことができる。
本実施の形態では、実施の形態1で説明した半導体装置をアクティブマトリクス型の発光
表示装置に適用した例を示す。表示装置の有する表示素子としては、ここではエレクトロ
ルミネッセンスを利用する発光素子を用いて示す。エレクトロルミネッセンスを利用する
発光素子は、発光材料が有機化合物であるか、無機化合物であるかによって区別され、一
般的に、前者は有機EL素子、後者は無機EL素子と呼ばれている。
がそれぞれ発光性の有機化合物を含む層に注入され、電流が流れる。そして、それらキャ
リア(電子および正孔)が再結合することにより、発光性の有機化合物が励起状態を形成
し、その励起状態が基底状態に戻る際に発光する。このようなメカニズムから、このよう
な発光素子は、電流励起型の発光素子と呼ばれる。
類される。分散型無機EL素子は、発光材料の粒子をバインダ中に分散させた発光層を有
するものであり、発光メカニズムはドナー準位とアクセプター準位を利用するドナー−ア
クセプター再結合型発光である。薄膜型無機EL素子は、発光層を誘電体層で挟み込み、
さらにそれを電極で挟んだ構造であり、発光メカニズムは金属イオンの内殻電子遷移を利
用する局在型発光である。なお、ここでは、発光素子として有機EL素子を用いて説明す
る。
示す。図12(A)は発光表示装置の平面図であり、図12(B)は図12(A)におけ
る線Y−Zの断面図である。なお、図13に、図12に示す発光表示装置の等価回路を示
す。
たは2で示す薄膜トランジスタと同様に作製でき、In−Ga−Zn−O系非単結晶膜で
なる酸化物半導体層を含む信頼性の高い薄膜トランジスタである。
トランジスタ1201、薄膜トランジスタ1202、発光素子1203、容量素子120
4、ソース配線層1205、ゲート配線層1206、電源線1207を含む。薄膜トラン
ジスタ1201、1202はnチャネル型薄膜トランジスタである。
2、絶縁層1211、絶縁層1212、絶縁層1213、隔壁1221、及び発光素子1
227に用いる第1の電極層1220、電界発光層1222、第2の電極層1223を有
している。
ンを用いて形成することが好ましい。
第1の電極層1220として、陰極を用いるのが望ましい。具体的には、陰極としては、
仕事関数が小さい材料、例えば、Ca、Al、CaF、MgAg、AlLi等を用いるこ
とができる。
特に感光性の材料を用い、第1の電極層1220上に開口部を形成し、その開口部の側壁
が連続した曲率を持って形成される傾斜面となるように形成することが好ましい。
されていてもどちらでも良い。
の電極層1223は、酸化タングステンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含
むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸化チタンを含むインジ
ウム錫酸化物、インジウム錫酸化物(以下、ITOと示す)、インジウム亜鉛酸化物、酸
化ケイ素を添加したインジウム錫酸化物などの透光性を有する導電性材料を用いて形成す
ることができる。上記透光性導電膜の他に、窒化チタン膜またはチタン膜を用いても良い
。第1の電極層1220と電界発光層1222と第2の電極層1223とが重なり合うこ
とで、発光素子1227が形成されている。この後、発光素子1227に酸素、水素、水
分、二酸化炭素等が侵入しないように、第2の電極層1223及び隔壁1221上に保護
膜を形成してもよい。保護膜としては、窒化珪素膜、窒化酸化珪素膜、DLC膜等を形成
することができる。
が高く、脱ガスの少ない保護フィルム(貼り合わせフィルム、紫外線硬化樹脂フィルム等
)やカバー材でパッケージング(封入)することが好ましい。
型の場合を例に挙げて、画素の断面構造について説明する。図14(A)、図14(B)
、図14(C)の半導体装置に用いられる駆動用TFT1401、1411、1421は
、実施の形態1で示す薄膜トランジスタと同様に作製でき、In−Ga−Zn−O系非単
結晶膜でなる酸化物半導体層を含む信頼性の高い薄膜トランジスタである。
して、基板上に薄膜トランジスタ及び発光素子を形成し、基板とは逆側の面から発光を取
り出す上面射出や、基板側の面から発光を取り出す下面射出や、基板側及び基板とは反対
側の面から発光を取り出す両面射出構造の発光素子があり、いずれかの射出構造の発光素
子を選択して適用することができる。
陽極1405側に抜ける場合の、画素の断面図を示す。図14(A)では、発光素子14
02の陰極1403と駆動用TFT1401が電気的に接続されており、陰極1403上
に発光層1404、陽極1405が順に積層されている。陰極1403は仕事関数が小さ
く、なおかつ光を反射する導電膜であれば様々の材料を用いることができる。例えば、C
a、Al、CaF、MgAg、AlLi等が望ましい。そして発光層1404は、単数の
層で構成されていても、複数の層が積層されるように構成されていてもどちらでも良い。
複数の層で構成されている場合、陰極1403上に電子注入層、電子輸送層、発光層、ホ
ール輸送層、ホール注入層の順に積層する。なおこれらの層を全て設ける必要はない。陽
極1405は光を透過する透光性を有する導電性材料を用いて形成し、例えば酸化タング
ステンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チ
タンを含むインジウム酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、インジウム錫酸化
物(以下、ITOと示す)、インジウム亜鉛酸化物、酸化ケイ素を添加したインジウム錫
酸化物などの透光性を有する導電性導電膜を用いても良い。
相当する。図14(A)に示した画素の場合、発光素子1402から発せられる光は、矢
印で示すように陽極1405側に射出する。
411がn型で、発光素子1412から発せられる光が陰極1413側に射出する場合の
、画素の断面図を示す。図14(B)では、駆動用TFT1411と電気的に接続された
透光性を有する導電膜1417上に、発光素子1412の陰極1413が成膜されており
、陰極1413上に発光層1414、陽極1415が順に積層されている。なお、陽極1
415が透光性を有する場合、陽極上を覆うように、光を反射または遮蔽するための遮蔽
膜1416が成膜されていてもよい。陰極1413は、図14(A)の場合と同様に、仕
事関数が小さい導電性材料であれば様々な材料を用いることができる。ただしその膜厚は
、光を透過する程度(好ましくは、5nm〜30nm程度)とする。例えば20nmの膜
厚を有するアルミニウム膜を、陰極1413として用いることができる。そして発光層1
414は、図14(A)と同様に、単数の層で構成されていても、複数の層が積層される
ように構成されていてもどちらでも良い。陽極1415は光を透過する必要はないが、図
14(A)と同様に、透光性を有する導電性材料を用いて形成することができる。そして
遮蔽膜1416は、例えば光を反射する金属等を用いることができるが、金属膜に限定さ
れない。例えば黒の顔料添加した樹脂等を用いることもできる。
に相当する。図14(B)に示した画素の場合、発光素子1412から発せられる光は、
矢印で示すように陰極1413側に射出する。
では、駆動用TFT1421と電気的に接続された透光性を有する導電膜1427上に、
発光素子1422の陰極1423が成膜されており、陰極1423上に発光層1424、
陽極1425が順に積層されている。陰極1423は、図14(A)の場合と同様に、仕
事関数が小さい導電性材料であれば様々な材料を用いることができる。ただしその膜厚は
、光を透過する程度とする。例えば20nmの膜厚を有するAlを、陰極1423として
用いることができる。そして発光層1424は、図14(A)と同様に、単数の層で構成
されていても、複数の層が積層されるように構成されていてもどちらでも良い。陽極14
25は、図14(A)と同様に、光を透過する透光性を有する導電性材料を用いて形成す
ることができる。
22に相当する。図14(C)に示した画素の場合、発光素子1422から発せられる光
は、矢印で示すように陽極1425側と陰極1423側の両方に射出する。
L素子を設けることも可能である。
発光素子が電気的に接続されている例を示したが、駆動用TFTと発光素子との間に電流
制御用TFTが接続されている構成であってもよい。
実施の形態1で示した半導体装置の作製方法を用いることができる。すなわち、チャネル
保護膜のパターニングに際し、ゲート電極をマスクとして裏面露光を行うことにより、自
己整合的にチャネル保護層を形成することができる。よって、フォトマスクのアライメン
トずれによる形状不良などが生じず、制御性よくチャネル保護層を形成することができる
。従って、歩留まりよく信頼性の高い半導体装置を作製することができる。また酸化物半
導体層が透光性を有する層であるため、フォトレジストの感光を効率良く行うことができ
、フォトリソグラフィー工程で使用するフォトレジスト量の削減、及び感光にかかる時間
の短縮を図ることができる。従って、半導体装置の生産性向上を図ることができる。また
チャネル保護層が、酸化物半導体層におけるチャネル形成領域となる部分を保護するエッ
チングストッパーとして機能するものである。そのため、配線層となる導電層のパターニ
ング工程でのエッチング処理による酸化物半導体層の表面へのダメージ(エッチング時の
プラズマやエッチング剤による膜減りや、酸化など)を軽減することができる。従って、
電気特性の高い半導体装置を作製することができる。
対して、適宜、組み合わせ、又は置き換えなどを自由に行うことができる。
本実施の形態では、実施の形態1または2で説明した半導体装置を電子ペーパー(デジタ
ルペーパー、またはペーパーライクディスプレイともいわれる)と呼ばれる表示装置(以
下、電子ペーパー)として使用する例を示す。
装置に用いられる薄膜トランジスタ1581としては、実施の形態1で示す薄膜トランジ
スタと同様に作製でき、In−Ga−Zn−O系非単結晶膜でなる酸化物半導体層を含む
信頼性の高い薄膜トランジスタである。
示方式とは、白と黒に塗り分けられた球形粒子を表示素子に用いる電極層である第1の電
極層及び第2の電極層の間に配置し、第1の電極層及び第2の電極層に電位差を生じさせ
ての球形粒子の向きを制御することにより、表示を行う方法である。
レイン電極層によって第1の電極層1587と、絶縁層1585に形成する開口で接して
おり電気的に接続している。第1の電極層1587と第2の電極層1588との間には黒
色領域1590a及び白色領域1590bを有し、周りに液体で満たされているキャビテ
ィ1594を含む球形粒子1589が設けられており、球形粒子1589の周囲は樹脂等
の充填材1595で充填されている(図15参照。)。
極層1587上に無機絶縁膜が設けられており、無機絶縁膜は第1の電極層1587より
イオン性不純物が拡散するのを防止するバリア膜として機能する。
、液晶表示素子に比べて反射率が高いため、補助ライトは不要であり、また消費電力が小
さく、薄暗い場所でも表示部を認識することが可能である。また、表示部に電源が供給さ
れない場合であっても、一度表示した像を保持することが可能であるため、電波発信源か
ら表示部を有する筐体を遠ざけた場合であっても、表示された像を保存しておくことが可
能となる。
施の形態1または2で示した半導体装置の作製方法を用いることができる。すなわち、チ
ャネル保護膜のパターニングに際し、ゲート電極をマスクとして裏面露光を行うことによ
り、自己整合的にチャネル保護層を形成することができる。よって、フォトマスクのアラ
イメントずれによる形状不良などが生じず、制御性よくチャネル保護層を形成することが
できる。従って、歩留まりよく信頼性の高い半導体装置を作製することができる。また酸
化物半導体層が透光性を有する層であるため、フォトレジストの感光を効率良く行うこと
ができ、フォトリソグラフィー工程で使用するフォトレジスト量の削減、及び感光にかか
る時間の短縮を図ることができる。従って、半導体装置の生産性向上を図ることができる
。またチャネル保護層が、酸化物半導体層におけるチャネル形成領域となる部分を保護す
るエッチングストッパーとして機能するものである。そのため、配線層となる導電層のパ
ターニング工程でのエッチング処理による酸化物半導体層の表面へのダメージ(エッチン
グ時のプラズマやエッチング剤による膜減りや、酸化など)を軽減することができる。従
って、電気特性の高い半導体装置を作製することができる。
対して、適宜、組み合わせ、又は置き換えなどを自由に行うことができる。
次に、実施の形態1で説明した半導体装置を適用した表示パネルの構成について、以下に
示す。本実施の形態では、表示素子として液晶素子を有する液晶表示装置の一形態である
液晶表示パネル(液晶パネルともいう)、表示素子として発光素子を有する半導体装置の
一形態である発光表示パネル(発光パネルともいう)について説明する。
は、第1の基板上に形成されたIn−Ga−Zn−O系非単結晶膜でなる酸化物半導体層
を含む信頼性の高い薄膜トランジスタ及び発光素子を、第2の基板との間にシール材によ
って封止した、パネルの上面図であり、図16(B)は、図16(A)のH−Iにおける
断面図に相当する。
3b、及び走査線駆動回路4504a、4504bを囲むようにして、シール材4505
が設けられている。また画素部4502、信号線駆動回路4503a、4503b、及び
走査線駆動回路4504a、4504bの上に第2の基板4506が設けられている。よ
って画素部4502、信号線駆動回路4503a、4503b、及び走査線駆動回路45
04a、4504bは、第1の基板4501とシール材4505と第2の基板4506と
によって、充填材4507と共に密封されている。
503b、及び走査線駆動回路4504a、4504bは、薄膜トランジスタを複数有し
ており、図16(B)では、画素部4502に含まれる薄膜トランジスタ4510と、信
号線駆動回路4503aに含まれる薄膜トランジスタ4509とを例示している。
物半導体層を含む薄膜トランジスタに相当し、実施の形態1または2で示す薄膜トランジ
スタの作製方法を適用することができる。本実施の形態において、薄膜トランジスタ45
09、4510はnチャネル型薄膜トランジスタである。
層4517は、薄膜トランジスタ4510のソース電極層またはドレイン電極層と電気的
に接続されている。なお発光素子4511の構成は、本実施の形態に示した構成に限定さ
れない。発光素子4511から取り出す光の方向などに合わせて、発光素子4511の構
成は適宜変えることができる。
、または画素部4502に与えられる各種信号及び電位は、FPC4518a、4518
bから供給されている。
れ、配線4516は、発光素子4511が有する第1の電極層4517と同じ導電膜から
形成されている。
電気的に接続されている。
ない。その場合には、ガラス板、プラスチック板、ポリエステルフィルムまたはアクリル
フィルムのような透光性を有する材料を用いる。
脂または熱硬化樹脂を用いることができ、PVC(ポリビニルクロライド)、アクリル、
ポリイミド、エポキシ樹脂、シリコン樹脂、PVB(ポリビニルブチラル)またはEVA
(エチレンビニルアセテート)を用いることができる。本実施の形態は充填材として窒素
を用いた。
位相差板(λ/4板、λ/2板)、カラーフィルタなどの光学フィルムを適宜設けてもよ
い。また、偏光板又は円偏光板に反射防止膜を設けてもよい。例えば、表面の凹凸により
反射光を拡散し、映り込みを低減できるアンチグレア処理を施すことができる。
、別途用意された基板上に単結晶半導体膜又は多結晶半導体膜によって形成された駆動回
路で実装されていてもよい。また、信号線駆動回路のみ、或いは一部、又は走査線駆動回
路のみ、或いは一部のみを別途形成して実装しても良く、本実施の形態は図16の構成に
限定されない。
)及び図17(A2)は、第1の基板4001上に形成されたIn−Ga−Zn−O系非
単結晶膜でなる酸化物半導体層を含む信頼性の高い薄膜トランジスタ4010、4011
、及び液晶素子4013を、第2の基板4006との間にシール材4005によって封止
した、パネルの上面図であり、図17(B)は、図17(A1)(A2)のM−Nにおけ
る断面図に相当する。
ようにして、シール材4005が設けられている。また画素部4002と、走査線駆動回
路4004の上に第2の基板4006が設けられている。よって画素部4002と、走査
線駆動回路4004とは、第1の基板4001とシール材4005と第2の基板4006
とによって、液晶層4008と共に封止されている。また第1の基板4001上のシール
材4005によって囲まれている領域とは異なる領域に、別途用意された基板上に単結晶
半導体膜又は多結晶半導体膜で形成された信号線駆動回路4003が実装されている。
ワイヤボンディング方法、或いはTAB方法などを用いることができる。図17(A1)
は、COG方法により信号線駆動回路4003を実装する例であり、図17(A2)は、
TAB方法により信号線駆動回路4003を実装する例である。
薄膜トランジスタを複数有しており、図17(B)では、画素部4002に含まれる薄膜
トランジスタ4010と、走査線駆動回路4004に含まれる薄膜トランジスタ4011
とを例示している。
物半導体層を含む薄膜トランジスタに相当し、実施の形態1または2で示す薄膜トランジ
スタの作製方法を適用することができる。本実施の形態において、薄膜トランジスタ40
10、4011はnチャネル型薄膜トランジスタである。
気的に接続されている。そして液晶素子4013の対向電極層4031は第2の基板40
06上に形成されている。画素電極層4030と対向電極層4031と液晶層4008と
が重なっている部分が、液晶素子4013に相当する。なお、画素電極層4030、対向
電極層4031はそれぞれ配向膜として機能する絶縁層4032、4033が設けられ、
絶縁層4032、4033を介して液晶層4008を挟持している。
クス、プラスチックを用いることができる。プラスチックとしては、FRP(Fiber
glass−Reinforced Plastics)板、PVF(ポリビニルフルオ
ライド)フィルム、ポリエステルフィルム、ポリエステルフィルムまたはアクリル樹脂フ
ィルムを用いることができる。また、アルミニウムホイルをPVFフィルムやポリエステ
ルフィルムで挟んだ構造のシートを用いることもできる。
画素電極層4030と対向電極層4031との間の距離(セルギャップ)を制御するため
に設けられている。なお球状のスペーサを用いていても良い。
002に与えられる各種信号及び電位は、FPC4018から供給されている。
と同じ導電膜から形成され、配線4016は、薄膜トランジスタ4010、4011のゲ
ート電極層と同じ導電膜で形成されている。
気的に接続されている。
装している例を示しているが、本実施の形態はこの構成に限定されない。走査線駆動回路
を別途形成して実装しても良いし、信号線駆動回路の一部または走査線駆動回路の一部の
みを別途形成して実装しても良い。
晶表示モジュールを構成する一例を示している。
ール材2602により固着され、その間にTFT等を含む画素部2603、液晶層を含む
表示素子2604、着色層2605、偏光板2606が設けられ表示領域を形成している
。着色層2605はカラー表示を行う場合に必要であり、RGB方式の場合は、赤、緑、
青の各色に対応した着色層が各画素に対応して設けられている。TFT基板2600と対
向基板2601の外側には偏光板2606、偏光板2607、拡散板2613が配設され
ている。光源は冷陰極管2610と反射板2611により構成され、回路基板2612は
、フレキシブル配線基板2609によりTFT基板2600の配線回路部2608と接続
され、コントロール回路や電源回路などの外部回路が組みこまれている。また偏光板と、
液晶層との間に位相差板を有した状態で積層してもよい。
n−Plane−Switching)モード、FFS(Fringe Field S
witching)モード、MVA(Multi−domain Vertical A
lignment)モード、PVA(Patterned Vertical Alig
nment)モード、ASM(Axially Symmetric aligned
Micro−cell)モード、OCB(Optical Compensated B
irefringence)モード、FLC(Ferroelectric Liqui
d Crystal)モード、AFLC(AntiFerroelectric Liq
uid Crystal)モードなどを用いることができる。
用いることができる。すなわち、チャネル保護膜のパターニングに際し、ゲート電極をマ
スクとして裏面露光を行うことにより、自己整合的にチャネル保護層を形成することがで
きる。よって、フォトマスクのアライメントずれによる形状不良などが生じず、制御性よ
くチャネル保護層を形成することができる。従って、歩留まりよく信頼性の高い半導体装
置を作製することができる。また酸化物半導体層が透光性を有する層であるため、フォト
レジストの感光を効率良く行うことができ、フォトリソグラフィー工程で使用するフォト
レジスト量の削減、及び感光にかかる時間の短縮を図ることができる。従って、半導体装
置の生産性向上を図ることができる。またチャネル保護層が、酸化物半導体層におけるチ
ャネル形成領域となる部分を保護するエッチングストッパーとして機能するものである。
そのため、配線層となる導電層のパターニング工程でのエッチング処理による酸化物半導
体層の表面へのダメージ(エッチング時のプラズマやエッチング剤による膜減りや、酸化
など)を軽減することができる。従って、電気特性の高い半導体装置を作製することがで
きる。
対して、適宜、組み合わせ、又は置き換えなどを自由に行うことができる。
本実施の形態においては、上記実施の形態で説明した表示装置を具備する電子機器の例に
ついて説明する。
、操作キー9635、接続端子9636、記録媒体読込部9672、等を有することがで
きる。図19(A)に示す携帯型遊技機は、記録媒体に記録されているプログラム又はデ
ータを読み出して表示部に表示する機能、他の携帯型遊技機と無線通信を行って情報を共
有する機能、等を有することができる。なお、図19(A)に示す携帯型遊技機が有する
機能はこれに限定されず、様々な機能を有することができる。
3、操作キー9635、接続端子9636、シャッターボタン9676、受像部9677
、等を有することができる。図19(B)に示すテレビ受像機能付きデジタルカメラは、
静止画を撮影する機能、動画を撮影する機能、撮影した画像を自動または手動で補正する
機能、アンテナから様々な情報を取得する機能、撮影した画像、又はアンテナから取得し
た情報を保存する機能、撮影した画像、又はアンテナから取得した情報を表示部に表示す
る機能、等を有することができる。なお、図19(B)に示すテレビ受像機能付きデジタ
ルカメラが有する機能はこれに限定されず、様々な機能を有することができる。
、操作キー9635、接続端子9636、等を有することができる。図19(C)に示す
テレビ受像機は、テレビ用電波を処理して画像信号に変換する機能、画像信号を処理して
表示に適した信号に変換する機能、画像信号のフレーム周波数を変換する機能、等を有す
ることができる。なお、図19(C)に示すテレビ受像機が有する機能はこれに限定され
ず、様々な機能を有することができる。
、操作キー9635、接続端子9636、ポインティングデバイス9681、外部接続ポ
ート9680等を有することができる。図20(A)に示すコンピュータは、様々な情報
(静止画、動画、テキスト画像など)を表示部に表示する機能、様々なソフトウェア(プ
ログラム)によって処理を制御する機能、無線通信又は有線通信などの通信機能、通信機
能を用いて様々なコンピュータネットワークに接続する機能、通信機能を用いて様々なデ
ータの送信又は受信を行う機能、等を有することができる。なお、図20(A)に示すコ
ンピュータが有する機能はこれに限定されず、様々な機能を有することができる。
3、操作キー9635、マイクロフォン9638等を有することができる。図20(B)
に示した携帯電話は、様々な情報(静止画、動画、テキスト画像など)を表示する機能、
カレンダー、日付又は時刻などを表示部に表示する機能、表示部に表示した情報を操作又
は編集する機能、様々なソフトウェア(プログラム)によって処理を制御する機能、等を
有することができる。なお、図20(B)に示した携帯電話が有する機能はこれに限定さ
れず、様々な機能を有することができる。
タを、上記実施の形態で説明した半導体装置の作製方法で形成することができるものであ
る。すなわち、チャネル保護膜のパターニングに際し、ゲート電極をマスクとして裏面露
光を行うことにより、自己整合的にチャネル保護層を形成することができる。よって、フ
ォトマスクのアライメントずれによる形状不良などが生じず、制御性よくチャネル保護層
を形成することができる。従って、歩留まりよく信頼性の高い半導体装置を作製すること
ができる。また酸化物半導体層が透光性を有する層であるため、フォトレジストの感光を
効率良く行うことができ、フォトリソグラフィー工程で使用するフォトレジスト量の削減
、及び感光にかかる時間の短縮を図ることができる。従って、半導体装置の生産性向上を
図ることができる。またチャネル保護層が、酸化物半導体層におけるチャネル形成領域と
なる部分を保護するエッチングストッパーとして機能するものである。そのため、配線層
となる導電層のパターニング工程でのエッチング処理による酸化物半導体層の表面へのダ
メージ(エッチング時のプラズマやエッチング剤による膜減りや、酸化など)を軽減する
ことができる。従って、電気特性の高い半導体装置を作製することができる。
対して、適宜、組み合わせ、又は置き換えなどを自由に行うことができる。
101 ゲート電極層
102 ゲート絶縁膜
103 酸化物半導体層
104 絶縁層
105 フォトレジスト
106 光源
107 光
108 露光されない領域
109 露光領域
110 チャネル保護層
111 配線層
201 層
203 酸化物半導体層
210 チャネル保護層
211 層
301a バッファ層
301b バッファ層
400 基板
401 ゲート電極層
402 ゲート絶縁膜
405a ソース電極層
405b ドレイン電極層
407 保護絶縁層
408 容量配線
409 酸化物半導体層
410 画素電極層
411 チャネル保護層
420 接続電極
421 端子
422 端子
425 コンタクトホール
426 コンタクトホール
427 コンタクトホール
428 透明導電膜
429 透明導電膜
431 レジストマスク
432 導電膜
450 端子
451 端子
452 ゲート絶縁膜
453 接続電極
454 保護絶縁膜
455 透明導電膜
456 電極
470 薄膜トランジスタ
475 絶縁層
491 絶縁膜
492 絶縁膜
1201 薄膜トランジスタ
1202 薄膜トランジスタ
1203 発光素子
1204 容量素子
1205 ソース配線層
1206 ゲート配線層
1207 電源線
1211 絶縁層
1212 絶縁層
1213 絶縁層
1220 電極層
1221 隔壁
1222 電界発光層
1223 電極層
1227 発光素子
1401 駆動用TFT
1402 発光素子
1403 陰極
1404 発光層
1405 陽極
1411 駆動用TFT
1412 発光素子
1413 陰極
1414 発光層
1415 陽極
1416 遮蔽膜
1417 導電膜
1421 駆動用TFT
1422 発光素子
1423 陰極
1424 発光層
1425 陽極
1427 導電膜
1581 薄膜トランジスタ
1585 絶縁層
1587 電極層
1588 電極層
1589 球形粒子
1590a 黒色領域
1590b 白色領域
1594 キャビティ
1595 充填材
2100 基板
2101 ゲート電極
2102 ゲート絶縁膜
2103 酸化物半導体層
2104 絶縁層
2105 フォトレジスト
2106 光源
2107 光
2108 露光されない領域
2109 露光領域
2110 チャネル保護層
2111 酸化物半導体層
2112 配線層
2600 TFT基板
2601 対向基板
2602 シール材
2603 画素部
2604 表示素子
2605 着色層
2606 偏光板
2607 偏光板
2608 配線回路部
2609 フレキシブル配線基板
2610 冷陰極管
2611 反射板
2612 回路基板
2613 拡散板
4001 基板
4002 画素部
4003 信号線駆動回路
4004 走査線駆動回路
4005 シール材
4006 基板
4008 液晶層
4010 薄膜トランジスタ
4011 薄膜トランジスタ
4013 液晶素子
4015 接続端子
4016 配線
4018 FPC
4019 異方性導電膜
4030 画素電極層
4031 対向電極層
4032 絶縁層
4501 基板
4502 画素部
4503a 信号線駆動回路
4504a 走査線駆動回路
4505 シール材
4506 基板
4507 充填材
4509 薄膜トランジスタ
4510 薄膜トランジスタ
4511 発光素子
4512 電極層
4515 接続端子
4516 配線
4517 電極層
4518a FPC
4519 異方性導電膜
9630 筐体
9631 表示部
9633 スピーカ
9635 操作キー
9636 接続端子
9638 マイクロフォン
9672 記録媒体読込部
9676 シャッターボタン
9677 受像部
9680 外部接続ポート
9681 ポインティングデバイス
Claims (2)
- 透光性を有する基板上に、遮光性を有するゲート電極層を形成し、
前記ゲート電極層上に、透光性を有するゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に、透光性を有する酸化物半導体層を形成し、
前記島状の酸化物半導体層上に、透光性を有する絶縁層を形成し、
前記絶縁層上に、ポジ型の感光性薄膜を形成し、
前記感光性薄膜に対し、前記基板側の光源より光を照射して、前記感光性薄膜の露光を行い、
前記感光性薄膜の露光領域を除去し、
前記感光性薄膜の非露光領域をマスクとして、前記絶縁層をエッチングしてチャネル保護層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項1に記載の半導体装置の作製方法を用いて作製された半導体装置。
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