WO2009075281A1 - 酸化物半導体を用いた電界効果型トランジスタ及びその製造方法 - Google Patents

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Abstract

　基板上に、少なくとも半導体層と、半導体層の保護層と、ソース電極と、ドレイン電極と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極とを有し、 　ソース電極とドレイン電極が、半導体層を介して接続してあり、 　ゲート電極と半導体層の間にゲート絶縁膜があり、 　半導体層の少なくとも一面側に保護層を有し、 　半導体層が、Ｉｎ（インジウム）元素、Ｚｎ（亜鉛）元素及びＧａ（ガリウム）元素を下記（１）～（３）の原子比率で含む複合酸化物からなる電界効果型トランジスタ。 　　　　Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）＝０．２～０．８　　　（１） 　　　　Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｇａ）＝０．５９～０．９９　（２） 　　　　Ｚｎ／（Ｇａ＋Ｚｎ）＝０．２９～０．９９　（３）
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