JP2011176294A - 半導体記憶装置 - Google Patents
半導体記憶装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2011176294A JP2011176294A JP2011012628A JP2011012628A JP2011176294A JP 2011176294 A JP2011176294 A JP 2011176294A JP 2011012628 A JP2011012628 A JP 2011012628A JP 2011012628 A JP2011012628 A JP 2011012628A JP 2011176294 A JP2011176294 A JP 2011176294A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transistor
- potential
- electrode
- diode
- gate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/26—Sensing or reading circuits; Data output circuits
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/04—Erasable programmable read-only memories electrically programmable using variable threshold transistors, e.g. FAMOS
- G11C16/0408—Erasable programmable read-only memories electrically programmable using variable threshold transistors, e.g. FAMOS comprising cells containing floating gate transistors
- G11C16/0433—Erasable programmable read-only memories electrically programmable using variable threshold transistors, e.g. FAMOS comprising cells containing floating gate transistors comprising cells containing a single floating gate transistor and one or more separate select transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1222—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer
- H01L27/1225—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer with semiconductor materials not belonging to the group IV of the periodic table, e.g. InGaZnO
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B20/00—Read-only memory [ROM] devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B20/00—Read-only memory [ROM] devices
- H10B20/20—Programmable ROM [PROM] devices comprising field-effect components
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B41/00—Electrically erasable-and-programmable ROM [EEPROM] devices comprising floating gates
- H10B41/30—Electrically erasable-and-programmable ROM [EEPROM] devices comprising floating gates characterised by the memory core region
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B41/00—Electrically erasable-and-programmable ROM [EEPROM] devices comprising floating gates
- H10B41/30—Electrically erasable-and-programmable ROM [EEPROM] devices comprising floating gates characterised by the memory core region
- H10B41/35—Electrically erasable-and-programmable ROM [EEPROM] devices comprising floating gates characterised by the memory core region with a cell select transistor, e.g. NAND
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C2216/00—Indexing scheme relating to G11C16/00 and subgroups, for features not directly covered by these groups
- G11C2216/12—Reading and writing aspects of erasable programmable read-only memories
- G11C2216/26—Floating gate memory which is adapted to be one-time programmable [OTP], e.g. containing multiple OTP blocks permitting limited update ability
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02D—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES [ICT], I.E. INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES AIMING AT THE REDUCTION OF THEIR OWN ENERGY USE
- Y02D10/00—Energy efficient computing, e.g. low power processors, power management or thermal management
Abstract
【解決手段】ダイオード接続した第1のトランジスタと、ダイオード接続した第1のトランジスタのソース電極及びドレイン電極の一方の端子にゲートが接続する第2のトランジスタと、ダイオード接続した第1のトランジスタのソース電極及びドレイン電極の一方の端子及び第2のトランジスタのゲートに接続する容量素子を有するメモリ素子を含む半導体記憶装置である。
【選択図】図1
Description
本実施の形態では、本発明の一態様である半導体記憶装置の構成について、図面を用いて説明を行う。なお、本実施の形態では、電子を多数キャリアとするn型トランジスタ(nチャネル型トランジスタ)を用いる場合について説明するが、n型トランジスタに代えて、正孔を多数キャリアとするp型トランジスタを用いることができるのはいうまでもない。
本実施の形態では、実施の形態1で示した半導体記憶装置のデータの書込み及び読出しについて、図面を用いて説明を行う。
本実施の形態では、実施の形態1及び実施の形態2で示した半導体記憶装置の一形態について、図面を用いて説明を行う。
本実施の形態では、実施の形態1乃至実施の形態3に示す半導体記憶装置の構成及びその作製方法を、図14乃至図16を用いて説明する。
本実施の形態では実施の形態1乃至実施の形態4で示した半導体記憶装置を有するRFIDタグの形態について、図面を用いて説明を行う。
本実施形態では、実施の形態5で示したRFIDタグ1520の使用例について、図面を用いて説明を行う。
102 トランジスタ
103 トランジスタ
104 容量素子
110 メモリセル
111 メモリ素子
112 トランジスタ
113 トランジスタ
114 容量素子
115 トランジスタ
116 トランジスタ
117 回路
118 インバータ
120 メモリセル
121 メモリ素子
122 トランジスタ
123 トランジスタ
124 容量素子
125 トランジスタ
129 領域
130 メモリセル
131 メモリ素子
132 トランジスタ
133 トランジスタ
134 容量素子
135 トランジスタ
300 半導体記憶装置
301 メモリセルアレイ
302 コラムデコーダ
303 ローデコーダ
304 インターフェース回路
305 メモリセル
310 半導体記憶装置
311 メモリセルアレイ
312 メモリセルアレイ
313 メモリセル
314 メモリセル
400 メモリセル
401 メモリ素子
402 トランジスタ
403 トランジスタ
404 容量素子
405 トランジスタ
406 トランジスタ
502 トランジスタ
503 トランジスタ
504 容量素子
505 トランジスタ
506 トランジスタ
508 基板
510 絶縁層
512 絶縁層
514 チャネル領域
516 低濃度不純物領域
518 高濃度不純物領域
519 半導体層
520 半導体層
522 ゲート絶縁層
524 ゲート絶縁層
526 ゲート電極
528 容量電極
530 サイドウォール絶縁層
532 サイドウォール絶縁層
534a 配線
534b 配線
534c 配線
534d 配線
534e 配線
534f 配線
536 絶縁層
538 絶縁層
540 絶縁層
541 酸化物半導体層
542 酸化物半導体層
544 ゲート絶縁層
546a ゲート電極
546b 配線
552 絶縁層
554 絶縁層
601 トランジスタ
602 トランジスタ
603 容量素子
611 抵抗
612 トランジスタ
613 容量
614 抵抗
615 抵抗
800 測定系
802 容量素子
802a 容量素子
802b 容量素子
802c 容量素子
804 トランジスタ
805 トランジスタ
806 トランジスタ
808 トランジスタ
1520 RFIDタグ
1521 アンテナ回路
1522 信号処理回路
1523 整流回路
1524 電源回路
1525 復調回路
1526 発振回路
1527 論理回路
1528 メモリコントロール回路
1529 メモリ回路
1530 論理回路
1531 アンプ
1532 変調回路
1581 バッテリー
Claims (12)
- ダイオード接続した第1のトランジスタと、
前記ダイオード接続した第1のトランジスタのソース電極及びドレイン電極の一方の端子にゲートが接続する第2のトランジスタと、を有するメモリ素子を有し、
前記ダイオード接続した第1のトランジスタのチャネル領域は酸化物半導体で形成されることを特徴とする半導体記憶装置。 - ダイオード接続した第1のトランジスタと、
前記ダイオード接続した第1のトランジスタのソース電極及びドレイン電極の一方の端子にゲートが接続する第2のトランジスタと、
前記ダイオード接続した第1のトランジスタのソース電極及びドレイン電極の一方の端子、及び前記第2のトランジスタのゲートに接続する容量素子を有するメモリ素子を有し、
前記ダイオード接続した第1のトランジスタのチャネル領域は酸化物半導体で形成されることを特徴とする半導体記憶装置。 - 書込み用ワード線と、
読込み用ワード線と、
書込み用ビット線と、
読込み用ビット線と、
ダイオード接続した第1のトランジスタと、前記ダイオード接続した第1のトランジスタのソース電極及びドレイン電極の一方の端子にゲートが接続する第2のトランジスタと、前記ダイオード接続した第1のトランジスタのソース電極及びドレイン電極の一方の端子、及び前記第2のトランジスタのゲートに接続する容量素子を有するメモリ素子と、
前記書き込み用ワード線、前記書き込み用ビット線、及び前記メモリ素子に接続する第3のトランジスタと、
前記読込み用ワード線、前記読込み用ビット線、及び前記メモリ素子に接続する第4のトランジスタと、を有し、
前記ダイオード接続した第1のトランジスタのチャネル領域は酸化物半導体で形成されることを特徴とする半導体記憶装置。 - 請求項3において、
前記容量素子は固定電位に接続することを特徴とする半導体記憶装置。 - 請求項3において、
前記容量素子は前記書込み用ワード線に接続することを特徴とする半導体記憶装置。 - 請求項3乃至請求項5のいずれか一項において、
半導体記憶装置はNOR型であることを特徴とする半導体記憶装置。 - ワード線と、
ビット線と、
データ線と、
ダイオード接続した第1のトランジスタと、前記ダイオード接続した第1のトランジスタのソース電極及びドレイン電極の一方の端子にゲートが接続し、且つ前記データ線にソース電極及びドレイン電極の一方の端子が接続する第2のトランジスタと、前記ダイオード接続した第1のトランジスタのソース電極及びドレイン電極の一方の端子、及び前記第2のトランジスタのゲートに接続する容量素子を有するメモリ素子と、
前記ワード線、前記ビット線、及び前記メモリ素子に接続する第3のトランジスタと、を有し、
前記ダイオード接続した第1のトランジスタのチャネル領域は酸化物半導体で形成されることを特徴とする半導体記憶装置。 - 請求項7において、
前記容量素子は固定電位に接続することを特徴とする半導体記憶装置。 - 請求項7または請求項8において、
前記半導体記憶装置はNAND型であることを特徴とする半導体記憶装置。 - 請求項1乃至請求項9のいずれか一項において、
第1のトランジスタのソース電極及びドレイン電極の一方の端子は、アノードとして機能することを特徴とする半導体記憶装置。 - 請求項1乃至請求項10のいずれか一項において、
前記酸化物半導体層のキャリア密度は5×1014/cm3未満であることを特徴とする半導体記憶装置。 - 請求項1乃至請求項11のいずれか一項において、
前記半導体記憶装置はライトワンスメモリであることを特徴とする半導体記憶装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011012628A JP2011176294A (ja) | 2010-01-29 | 2011-01-25 | 半導体記憶装置 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010019386 | 2010-01-29 | ||
JP2010019386 | 2010-01-29 | ||
JP2011012628A JP2011176294A (ja) | 2010-01-29 | 2011-01-25 | 半導体記憶装置 |
Related Child Applications (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012192775A Division JP5123440B1 (ja) | 2010-01-29 | 2012-09-03 | 半導体記憶装置 |
JP2013148116A Division JP5426796B2 (ja) | 2010-01-29 | 2013-07-17 | 半導体装置 |
JP2014229469A Division JP5931998B2 (ja) | 2010-01-29 | 2014-11-12 | 半導体装置の作製方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011176294A true JP2011176294A (ja) | 2011-09-08 |
JP2011176294A5 JP2011176294A5 (ja) | 2014-02-13 |
Family
ID=44319002
Family Applications (11)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011012628A Withdrawn JP2011176294A (ja) | 2010-01-29 | 2011-01-25 | 半導体記憶装置 |
JP2012192775A Expired - Fee Related JP5123440B1 (ja) | 2010-01-29 | 2012-09-03 | 半導体記憶装置 |
JP2013148116A Active JP5426796B2 (ja) | 2010-01-29 | 2013-07-17 | 半導体装置 |
JP2014229469A Expired - Fee Related JP5931998B2 (ja) | 2010-01-29 | 2014-11-12 | 半導体装置の作製方法 |
JP2016088788A Active JP6130954B2 (ja) | 2010-01-29 | 2016-04-27 | 半導体装置の作製方法 |
JP2017080198A Withdrawn JP2017147459A (ja) | 2010-01-29 | 2017-04-14 | 半導体装置 |
JP2019065693A Active JP6772327B2 (ja) | 2010-01-29 | 2019-03-29 | 半導体記憶装置 |
JP2020164270A Active JP6979499B2 (ja) | 2010-01-29 | 2020-09-30 | 半導体装置 |
JP2021185623A Active JP7111879B2 (ja) | 2010-01-29 | 2021-11-15 | 半導体装置 |
JP2022116289A Active JP7407879B2 (ja) | 2010-01-29 | 2022-07-21 | 半導体装置 |
JP2023214132A Pending JP2024026413A (ja) | 2010-01-29 | 2023-12-19 | 半導体装置 |
Family Applications After (10)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012192775A Expired - Fee Related JP5123440B1 (ja) | 2010-01-29 | 2012-09-03 | 半導体記憶装置 |
JP2013148116A Active JP5426796B2 (ja) | 2010-01-29 | 2013-07-17 | 半導体装置 |
JP2014229469A Expired - Fee Related JP5931998B2 (ja) | 2010-01-29 | 2014-11-12 | 半導体装置の作製方法 |
JP2016088788A Active JP6130954B2 (ja) | 2010-01-29 | 2016-04-27 | 半導体装置の作製方法 |
JP2017080198A Withdrawn JP2017147459A (ja) | 2010-01-29 | 2017-04-14 | 半導体装置 |
JP2019065693A Active JP6772327B2 (ja) | 2010-01-29 | 2019-03-29 | 半導体記憶装置 |
JP2020164270A Active JP6979499B2 (ja) | 2010-01-29 | 2020-09-30 | 半導体装置 |
JP2021185623A Active JP7111879B2 (ja) | 2010-01-29 | 2021-11-15 | 半導体装置 |
JP2022116289A Active JP7407879B2 (ja) | 2010-01-29 | 2022-07-21 | 半導体装置 |
JP2023214132A Pending JP2024026413A (ja) | 2010-01-29 | 2023-12-19 | 半導体装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8507907B2 (ja) |
JP (11) | JP2011176294A (ja) |
KR (4) | KR101800850B1 (ja) |
TW (1) | TWI538169B (ja) |
WO (1) | WO2011093003A1 (ja) |
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013077812A (ja) * | 2011-09-13 | 2013-04-25 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
JP2013084752A (ja) * | 2011-10-07 | 2013-05-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
WO2013105460A1 (ja) * | 2012-01-12 | 2013-07-18 | シャープ株式会社 | 半導体記憶回路及び装置 |
JP2014002133A (ja) * | 2012-05-23 | 2014-01-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 測定装置 |
JP2014176041A (ja) * | 2013-03-13 | 2014-09-22 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
JP2014197444A (ja) * | 2013-03-08 | 2014-10-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2016139452A (ja) * | 2015-01-23 | 2016-08-04 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の動作方法 |
JP2016201560A (ja) * | 2012-04-13 | 2016-12-01 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2019197907A (ja) * | 2019-07-04 | 2019-11-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
WO2020261039A1 (ja) * | 2019-06-28 | 2020-12-30 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 高周波増幅回路を有する半導体装置、電子部品、および電子機器 |
JP2021166303A (ja) * | 2014-03-14 | 2021-10-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP7384983B2 (ja) | 2013-06-26 | 2023-11-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
Families Citing this family (32)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101926336B1 (ko) | 2010-02-05 | 2019-03-07 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
WO2011096277A1 (en) | 2010-02-05 | 2011-08-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method of driving semiconductor device |
WO2011096270A1 (en) | 2010-02-05 | 2011-08-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
KR101921618B1 (ko) * | 2010-02-05 | 2018-11-26 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 반도체 장치의 구동 방법 |
JP5923248B2 (ja) | 2010-05-20 | 2016-05-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US8422272B2 (en) | 2010-08-06 | 2013-04-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and driving method thereof |
TWI524347B (zh) | 2010-08-06 | 2016-03-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及其驅動方法 |
JP5727892B2 (ja) | 2010-08-26 | 2015-06-03 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US8922236B2 (en) | 2010-09-10 | 2014-12-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor memory device and method for inspecting the same |
US8767443B2 (en) | 2010-09-22 | 2014-07-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor memory device and method for inspecting the same |
US9048142B2 (en) | 2010-12-28 | 2015-06-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP6001900B2 (ja) * | 2011-04-21 | 2016-10-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 信号処理回路 |
JP6013682B2 (ja) | 2011-05-20 | 2016-10-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の駆動方法 |
JP6091083B2 (ja) | 2011-05-20 | 2017-03-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 記憶装置 |
US8954017B2 (en) | 2011-08-17 | 2015-02-10 | Broadcom Corporation | Clock signal multiplication to reduce noise coupled onto a transmission communication signal of a communications device |
US20130082764A1 (en) * | 2011-09-30 | 2013-04-04 | Broadcom Corporation | Apparatus and method to combine pin functionality in an integrated circuit |
US9208826B2 (en) * | 2012-03-30 | 2015-12-08 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor storage device with two control lines |
CN104205228B (zh) * | 2012-04-12 | 2016-09-07 | 夏普株式会社 | 半导体存储装置 |
JP6250955B2 (ja) | 2012-05-25 | 2017-12-20 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の駆動方法 |
US9104708B2 (en) * | 2012-09-07 | 2015-08-11 | Magnet Systems, Inc. | Managing activities over time in an activity graph |
US9318484B2 (en) * | 2013-02-20 | 2016-04-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP2014195243A (ja) | 2013-02-28 | 2014-10-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
US9612795B2 (en) | 2013-03-14 | 2017-04-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Data processing device, data processing method, and computer program |
US9349418B2 (en) | 2013-12-27 | 2016-05-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for driving the same |
WO2016079639A1 (ja) * | 2014-11-20 | 2016-05-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、回路基板および電子機器 |
JP6689062B2 (ja) | 2014-12-10 | 2020-04-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US10008502B2 (en) | 2016-05-04 | 2018-06-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Memory device |
US10685983B2 (en) | 2016-11-11 | 2020-06-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Transistor, semiconductor device, and electronic device |
KR20220003115A (ko) | 2019-06-24 | 2022-01-07 | 엘지전자 주식회사 | 루마 맵핑 및 크로마 스케일링 기반 비디오 또는 영상 코딩 |
JPWO2021015250A1 (ja) | 2019-07-24 | 2021-01-28 | ||
US11716862B2 (en) | 2020-05-28 | 2023-08-01 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Non-volatile memory with dual gated control |
DE102020133486A1 (de) * | 2020-05-28 | 2021-12-02 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd. | Nichtflüchtiger speicher mit doppelter ansteuerung |
Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08147968A (ja) * | 1994-09-19 | 1996-06-07 | Mitsubishi Electric Corp | ダイナミックメモリ |
JP2001028443A (ja) * | 1999-05-13 | 2001-01-30 | Hitachi Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
US20030209739A1 (en) * | 1999-05-13 | 2003-11-13 | Hitachi, Ltd. | Vertical semiconductor device with tunnel insulator in current path controlled by gate electrode |
US20060113565A1 (en) * | 2004-11-10 | 2006-06-01 | Canon Kabushiki Kaisha | Electric elements and circuits utilizing amorphous oxides |
JP2006165532A (ja) * | 2004-11-10 | 2006-06-22 | Canon Inc | 非晶質酸化物を利用した半導体デバイス |
JP2007103918A (ja) * | 2005-09-06 | 2007-04-19 | Canon Inc | アモルファス酸化物膜をチャネル層に用いた電界効果型トランジスタ、アモルファス酸化物膜をチャネル層に用いた電界効果型トランジスタの製造方法及びアモルファス酸化物膜の製造方法 |
WO2007139009A1 (ja) * | 2006-05-25 | 2007-12-06 | Fuji Electric Holdings Co., Ltd. | 酸化物半導体、薄膜トランジスタ、及びそれらの製造方法 |
JP2009004757A (ja) * | 2007-05-18 | 2009-01-08 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置および表示装置 |
WO2009075281A1 (ja) * | 2007-12-13 | 2009-06-18 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | 酸化物半導体を用いた電界効果型トランジスタ及びその製造方法 |
US20090194766A1 (en) * | 2008-02-05 | 2009-08-06 | Jin-Seong Park | Thin film transistor, method of manufacturing the same, and flat panel display device having the same |
WO2009110623A1 (en) * | 2008-03-06 | 2009-09-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of treating semiconductor element |
Family Cites Families (130)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3171836D1 (en) * | 1980-12-08 | 1985-09-19 | Toshiba Kk | Semiconductor memory device |
JPS628396A (ja) * | 1985-07-03 | 1987-01-16 | Hitachi Ltd | 情報保持回路 |
JPH088342B2 (ja) * | 1989-11-27 | 1996-01-29 | 三菱電機株式会社 | 半導体集積回路装置 |
JP2775040B2 (ja) * | 1991-10-29 | 1998-07-09 | 株式会社 半導体エネルギー研究所 | 電気光学表示装置およびその駆動方法 |
JP3501416B2 (ja) * | 1994-04-28 | 2004-03-02 | 忠弘 大見 | 半導体装置 |
US5691935A (en) * | 1995-07-13 | 1997-11-25 | Douglass; Barry G. | Memory element and method of operation thereof |
EP0820644B1 (en) * | 1995-08-03 | 2005-08-24 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Semiconductor device provided with transparent switching element |
JPH09162304A (ja) * | 1995-12-12 | 1997-06-20 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体記憶装置 |
JP3625598B2 (ja) * | 1995-12-30 | 2005-03-02 | 三星電子株式会社 | 液晶表示装置の製造方法 |
JPH1084092A (ja) * | 1996-09-09 | 1998-03-31 | Toshiba Corp | 半導体集積回路 |
JP4103968B2 (ja) * | 1996-09-18 | 2008-06-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 絶縁ゲイト型半導体装置 |
JPH11126491A (ja) * | 1997-08-20 | 1999-05-11 | Fujitsu Ltd | 半導体記憶装置 |
JP4170454B2 (ja) | 1998-07-24 | 2008-10-22 | Hoya株式会社 | 透明導電性酸化物薄膜を有する物品及びその製造方法 |
TW527604B (en) * | 1998-10-05 | 2003-04-11 | Toshiba Corp | A memory systems |
JP4040215B2 (ja) | 1999-07-19 | 2008-01-30 | 株式会社東芝 | 不揮発性半導体メモリの制御方法 |
JP2000150861A (ja) * | 1998-11-16 | 2000-05-30 | Tdk Corp | 酸化物薄膜 |
JP3276930B2 (ja) * | 1998-11-17 | 2002-04-22 | 科学技術振興事業団 | トランジスタ及び半導体装置 |
WO2000051133A1 (de) * | 1999-02-22 | 2000-08-31 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum betrieb einer speicherzellenanordnung mit selbstverstärkenden dynamischen speicherzellen |
JP3327250B2 (ja) | 1999-05-14 | 2002-09-24 | 日本電気株式会社 | 半導体記憶装置 |
TW460731B (en) | 1999-09-03 | 2001-10-21 | Ind Tech Res Inst | Electrode structure and production method of wide viewing angle LCD |
JP4089858B2 (ja) | 2000-09-01 | 2008-05-28 | 国立大学法人東北大学 | 半導体デバイス |
JP4415467B2 (ja) * | 2000-09-06 | 2010-02-17 | 株式会社日立製作所 | 画像表示装置 |
KR20020038482A (ko) * | 2000-11-15 | 2002-05-23 | 모리시타 요이찌 | 박막 트랜지스터 어레이, 그 제조방법 및 그것을 이용한표시패널 |
JP3997731B2 (ja) * | 2001-03-19 | 2007-10-24 | 富士ゼロックス株式会社 | 基材上に結晶性半導体薄膜を形成する方法 |
JP2002289859A (ja) | 2001-03-23 | 2002-10-04 | Minolta Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
JP2002368226A (ja) * | 2001-06-11 | 2002-12-20 | Sharp Corp | 半導体装置、半導体記憶装置及びその製造方法、並びに携帯情報機器 |
JP3925839B2 (ja) | 2001-09-10 | 2007-06-06 | シャープ株式会社 | 半導体記憶装置およびその試験方法 |
JP4090716B2 (ja) | 2001-09-10 | 2008-05-28 | 雅司 川崎 | 薄膜トランジスタおよびマトリクス表示装置 |
JP4498669B2 (ja) | 2001-10-30 | 2010-07-07 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、表示装置、及びそれらを具備する電子機器 |
JP4164562B2 (ja) | 2002-09-11 | 2008-10-15 | 独立行政法人科学技術振興機構 | ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ |
WO2003040441A1 (en) * | 2001-11-05 | 2003-05-15 | Japan Science And Technology Agency | Natural superlattice homologous single crystal thin film, method for preparation thereof, and device using said single crystal thin film |
JP2002319682A (ja) * | 2002-01-04 | 2002-10-31 | Japan Science & Technology Corp | トランジスタ及び半導体装置 |
JP4083486B2 (ja) * | 2002-02-21 | 2008-04-30 | 独立行政法人科学技術振興機構 | LnCuO(S,Se,Te)単結晶薄膜の製造方法 |
CN1445821A (zh) * | 2002-03-15 | 2003-10-01 | 三洋电机株式会社 | ZnO膜和ZnO半导体层的形成方法、半导体元件及其制造方法 |
JP3933591B2 (ja) * | 2002-03-26 | 2007-06-20 | 淳二 城戸 | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
CN1452180A (zh) * | 2002-04-15 | 2003-10-29 | 力旺电子股份有限公司 | 串接电容以增加崩溃抵抗力的闪速存储器充电电路 |
US7339187B2 (en) | 2002-05-21 | 2008-03-04 | State Of Oregon Acting By And Through The Oregon State Board Of Higher Education On Behalf Of Oregon State University | Transistor structures |
JP2004022625A (ja) * | 2002-06-13 | 2004-01-22 | Murata Mfg Co Ltd | 半導体デバイス及び該半導体デバイスの製造方法 |
US7105868B2 (en) * | 2002-06-24 | 2006-09-12 | Cermet, Inc. | High-electron mobility transistor with zinc oxide |
US7067843B2 (en) * | 2002-10-11 | 2006-06-27 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Transparent oxide semiconductor thin film transistors |
JP4166105B2 (ja) | 2003-03-06 | 2008-10-15 | シャープ株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2004273732A (ja) | 2003-03-07 | 2004-09-30 | Sharp Corp | アクティブマトリクス基板およびその製造方法 |
JP4108633B2 (ja) | 2003-06-20 | 2008-06-25 | シャープ株式会社 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法ならびに電子デバイス |
US7262463B2 (en) * | 2003-07-25 | 2007-08-28 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Transistor including a deposited channel region having a doped portion |
US7145174B2 (en) * | 2004-03-12 | 2006-12-05 | Hewlett-Packard Development Company, Lp. | Semiconductor device |
US7297977B2 (en) | 2004-03-12 | 2007-11-20 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Semiconductor device |
CN1998087B (zh) | 2004-03-12 | 2014-12-31 | 独立行政法人科学技术振兴机构 | 非晶形氧化物和薄膜晶体管 |
US7282782B2 (en) * | 2004-03-12 | 2007-10-16 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Combined binary oxide semiconductor device |
US7211825B2 (en) * | 2004-06-14 | 2007-05-01 | Yi-Chi Shih | Indium oxide-based thin film transistors and circuits |
JP2006100760A (ja) * | 2004-09-02 | 2006-04-13 | Casio Comput Co Ltd | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
US7285501B2 (en) * | 2004-09-17 | 2007-10-23 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Method of forming a solution processed device |
KR100670134B1 (ko) * | 2004-10-08 | 2007-01-16 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전류 구동형 디스플레이 소자의 데이터 구동 장치 |
US7298084B2 (en) * | 2004-11-02 | 2007-11-20 | 3M Innovative Properties Company | Methods and displays utilizing integrated zinc oxide row and column drivers in conjunction with organic light emitting diodes |
WO2006051994A2 (en) * | 2004-11-10 | 2006-05-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Light-emitting device |
US7791072B2 (en) * | 2004-11-10 | 2010-09-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Display |
US7453065B2 (en) * | 2004-11-10 | 2008-11-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Sensor and image pickup device |
US7868326B2 (en) * | 2004-11-10 | 2011-01-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Field effect transistor |
US7829444B2 (en) * | 2004-11-10 | 2010-11-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Field effect transistor manufacturing method |
RU2399989C2 (ru) * | 2004-11-10 | 2010-09-20 | Кэнон Кабусики Кайся | Аморфный оксид и полевой транзистор с его использованием |
US7579224B2 (en) * | 2005-01-21 | 2009-08-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing a thin film semiconductor device |
TWI412138B (zh) * | 2005-01-28 | 2013-10-11 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置,電子裝置,和半導體裝置的製造方法 |
TWI569441B (zh) * | 2005-01-28 | 2017-02-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置,電子裝置,和半導體裝置的製造方法 |
US7858451B2 (en) * | 2005-02-03 | 2010-12-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic device, semiconductor device and manufacturing method thereof |
US7948171B2 (en) * | 2005-02-18 | 2011-05-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
US20060197092A1 (en) * | 2005-03-03 | 2006-09-07 | Randy Hoffman | System and method for forming conductive material on a substrate |
US8681077B2 (en) * | 2005-03-18 | 2014-03-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, and display device, driving method and electronic apparatus thereof |
WO2006105077A2 (en) * | 2005-03-28 | 2006-10-05 | Massachusetts Institute Of Technology | Low voltage thin film transistor with high-k dielectric material |
US7645478B2 (en) * | 2005-03-31 | 2010-01-12 | 3M Innovative Properties Company | Methods of making displays |
JP4999351B2 (ja) * | 2005-04-20 | 2012-08-15 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置及び表示装置 |
US8300031B2 (en) * | 2005-04-20 | 2012-10-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising transistor having gate and drain connected through a current-voltage conversion element |
JP2006344849A (ja) | 2005-06-10 | 2006-12-21 | Casio Comput Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
US7402506B2 (en) * | 2005-06-16 | 2008-07-22 | Eastman Kodak Company | Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby |
US7691666B2 (en) | 2005-06-16 | 2010-04-06 | Eastman Kodak Company | Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby |
US7507618B2 (en) | 2005-06-27 | 2009-03-24 | 3M Innovative Properties Company | Method for making electronic devices using metal oxide nanoparticles |
KR100711890B1 (ko) * | 2005-07-28 | 2007-04-25 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 발광표시장치 및 그의 제조방법 |
JP2007059128A (ja) * | 2005-08-23 | 2007-03-08 | Canon Inc | 有機el表示装置およびその製造方法 |
JP4280736B2 (ja) * | 2005-09-06 | 2009-06-17 | キヤノン株式会社 | 半導体素子 |
JP4850457B2 (ja) | 2005-09-06 | 2012-01-11 | キヤノン株式会社 | 薄膜トランジスタ及び薄膜ダイオード |
JP2007073705A (ja) * | 2005-09-06 | 2007-03-22 | Canon Inc | 酸化物半導体チャネル薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
JP5116225B2 (ja) * | 2005-09-06 | 2013-01-09 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体デバイスの製造方法 |
EP1995787A3 (en) * | 2005-09-29 | 2012-01-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. | Semiconductor device having oxide semiconductor layer and manufacturing method therof |
JP5037808B2 (ja) * | 2005-10-20 | 2012-10-03 | キヤノン株式会社 | アモルファス酸化物を用いた電界効果型トランジスタ、及び該トランジスタを用いた表示装置 |
CN101577282A (zh) * | 2005-11-15 | 2009-11-11 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体器件及其制造方法 |
TWI292281B (en) * | 2005-12-29 | 2008-01-01 | Ind Tech Res Inst | Pixel structure of active organic light emitting diode and method of fabricating the same |
US7867636B2 (en) * | 2006-01-11 | 2011-01-11 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transparent conductive film and method for manufacturing the same |
JP4977478B2 (ja) * | 2006-01-21 | 2012-07-18 | 三星電子株式会社 | ZnOフィルム及びこれを用いたTFTの製造方法 |
US7576394B2 (en) * | 2006-02-02 | 2009-08-18 | Kochi Industrial Promotion Center | Thin film transistor including low resistance conductive thin films and manufacturing method thereof |
US7977169B2 (en) * | 2006-02-15 | 2011-07-12 | Kochi Industrial Promotion Center | Semiconductor device including active layer made of zinc oxide with controlled orientations and manufacturing method thereof |
KR20070101595A (ko) | 2006-04-11 | 2007-10-17 | 삼성전자주식회사 | ZnO TFT |
TWI325165B (en) * | 2006-04-20 | 2010-05-21 | Ememory Technology Inc | Method for operating a single-poly single-transistor non-volatile memory cell |
US20070252928A1 (en) | 2006-04-28 | 2007-11-01 | Toppan Printing Co., Ltd. | Structure, transmission type liquid crystal display, reflection type display and manufacturing method thereof |
EP2025004A1 (en) * | 2006-06-02 | 2009-02-18 | Kochi Industrial Promotion Center | Semiconductor device including an oxide semiconductor thin film layer of zinc oxide and manufacturing method thereof |
JP5028033B2 (ja) | 2006-06-13 | 2012-09-19 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体膜のドライエッチング方法 |
JP4999400B2 (ja) * | 2006-08-09 | 2012-08-15 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体膜のドライエッチング方法 |
JP4609797B2 (ja) * | 2006-08-09 | 2011-01-12 | Nec液晶テクノロジー株式会社 | 薄膜デバイス及びその製造方法 |
JP2008052766A (ja) * | 2006-08-22 | 2008-03-06 | Sony Corp | 半導体メモリデバイス |
JP4332545B2 (ja) * | 2006-09-15 | 2009-09-16 | キヤノン株式会社 | 電界効果型トランジスタ及びその製造方法 |
JP5164357B2 (ja) * | 2006-09-27 | 2013-03-21 | キヤノン株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
JP4274219B2 (ja) * | 2006-09-27 | 2009-06-03 | セイコーエプソン株式会社 | 電子デバイス、有機エレクトロルミネッセンス装置、有機薄膜半導体装置 |
JP4932415B2 (ja) * | 2006-09-29 | 2012-05-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US7622371B2 (en) * | 2006-10-10 | 2009-11-24 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Fused nanocrystal thin film semiconductor and method |
JP2008134625A (ja) * | 2006-10-26 | 2008-06-12 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置、表示装置及び電子機器 |
US7772021B2 (en) * | 2006-11-29 | 2010-08-10 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Flat panel displays comprising a thin-film transistor having a semiconductive oxide in its channel and methods of fabricating the same for use in flat panel displays |
JP2008140684A (ja) * | 2006-12-04 | 2008-06-19 | Toppan Printing Co Ltd | カラーelディスプレイおよびその製造方法 |
US8058675B2 (en) * | 2006-12-27 | 2011-11-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and electronic device using the same |
KR101303578B1 (ko) * | 2007-01-05 | 2013-09-09 | 삼성전자주식회사 | 박막 식각 방법 |
US8207063B2 (en) * | 2007-01-26 | 2012-06-26 | Eastman Kodak Company | Process for atomic layer deposition |
JP2008211185A (ja) * | 2007-02-02 | 2008-09-11 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 記憶素子及び半導体装置 |
KR100851215B1 (ko) * | 2007-03-14 | 2008-08-07 | 삼성에스디아이 주식회사 | 박막 트랜지스터 및 이를 이용한 유기 전계 발광표시장치 |
JP5197058B2 (ja) * | 2007-04-09 | 2013-05-15 | キヤノン株式会社 | 発光装置とその作製方法 |
US7795613B2 (en) * | 2007-04-17 | 2010-09-14 | Toppan Printing Co., Ltd. | Structure with transistor |
KR101325053B1 (ko) * | 2007-04-18 | 2013-11-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법 |
KR20080094300A (ko) * | 2007-04-19 | 2008-10-23 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법과 박막 트랜지스터를포함하는 평판 디스플레이 |
KR101334181B1 (ko) * | 2007-04-20 | 2013-11-28 | 삼성전자주식회사 | 선택적으로 결정화된 채널층을 갖는 박막 트랜지스터 및 그제조 방법 |
WO2008133345A1 (en) * | 2007-04-25 | 2008-11-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Oxynitride semiconductor |
JP5542296B2 (ja) * | 2007-05-17 | 2014-07-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置、表示モジュール及び電子機器 |
JP4989309B2 (ja) * | 2007-05-18 | 2012-08-01 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置 |
KR101345376B1 (ko) | 2007-05-29 | 2013-12-24 | 삼성전자주식회사 | ZnO 계 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 |
US7935964B2 (en) * | 2007-06-19 | 2011-05-03 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Oxide semiconductors and thin film transistors comprising the same |
KR101402189B1 (ko) * | 2007-06-22 | 2014-06-02 | 삼성전자주식회사 | Zn 산화물계 박막 트랜지스터 및 Zn 산화물의 식각용액 |
US8354674B2 (en) * | 2007-06-29 | 2013-01-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device wherein a property of a first semiconductor layer is different from a property of a second semiconductor layer |
US8202365B2 (en) * | 2007-12-17 | 2012-06-19 | Fujifilm Corporation | Process for producing oriented inorganic crystalline film, and semiconductor device using the oriented inorganic crystalline film |
JP5121478B2 (ja) | 2008-01-31 | 2013-01-16 | 株式会社ジャパンディスプレイウェスト | 光センサー素子、撮像装置、電子機器、およびメモリー素子 |
JP2009237558A (ja) * | 2008-03-05 | 2009-10-15 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の駆動方法 |
KR101468591B1 (ko) * | 2008-05-29 | 2014-12-04 | 삼성전자주식회사 | 산화물 반도체 및 이를 포함하는 박막 트랜지스터 |
JP4623179B2 (ja) * | 2008-09-18 | 2011-02-02 | ソニー株式会社 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
JP5451280B2 (ja) * | 2008-10-09 | 2014-03-26 | キヤノン株式会社 | ウルツ鉱型結晶成長用基板およびその製造方法ならびに半導体装置 |
JP5781720B2 (ja) * | 2008-12-15 | 2015-09-24 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
JP2012164686A (ja) * | 2009-06-16 | 2012-08-30 | Sharp Corp | 光センサおよび表示装置 |
SG188112A1 (en) * | 2009-10-30 | 2013-03-28 | Semiconductor Energy Lab | Logic circuit and semiconductor device |
-
2010
- 2010-12-28 KR KR1020127022100A patent/KR101800850B1/ko active IP Right Grant
- 2010-12-28 KR KR1020137013992A patent/KR101299256B1/ko active IP Right Grant
- 2010-12-28 KR KR1020187024377A patent/KR101948707B1/ko active IP Right Grant
- 2010-12-28 KR KR1020177033130A patent/KR101893904B1/ko active IP Right Grant
- 2010-12-28 WO PCT/JP2010/073903 patent/WO2011093003A1/en active Application Filing
-
2011
- 2011-01-25 JP JP2011012628A patent/JP2011176294A/ja not_active Withdrawn
- 2011-01-27 US US13/015,247 patent/US8507907B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2011-01-27 TW TW100103115A patent/TWI538169B/zh active
-
2012
- 2012-09-03 JP JP2012192775A patent/JP5123440B1/ja not_active Expired - Fee Related
-
2013
- 2013-07-17 JP JP2013148116A patent/JP5426796B2/ja active Active
-
2014
- 2014-11-12 JP JP2014229469A patent/JP5931998B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2016
- 2016-04-27 JP JP2016088788A patent/JP6130954B2/ja active Active
-
2017
- 2017-04-14 JP JP2017080198A patent/JP2017147459A/ja not_active Withdrawn
-
2019
- 2019-03-29 JP JP2019065693A patent/JP6772327B2/ja active Active
-
2020
- 2020-09-30 JP JP2020164270A patent/JP6979499B2/ja active Active
-
2021
- 2021-11-15 JP JP2021185623A patent/JP7111879B2/ja active Active
-
2022
- 2022-07-21 JP JP2022116289A patent/JP7407879B2/ja active Active
-
2023
- 2023-12-19 JP JP2023214132A patent/JP2024026413A/ja active Pending
Patent Citations (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08147968A (ja) * | 1994-09-19 | 1996-06-07 | Mitsubishi Electric Corp | ダイナミックメモリ |
US5652728A (en) * | 1994-09-19 | 1997-07-29 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Dynamic memory |
JP2001028443A (ja) * | 1999-05-13 | 2001-01-30 | Hitachi Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
US20030209739A1 (en) * | 1999-05-13 | 2003-11-13 | Hitachi, Ltd. | Vertical semiconductor device with tunnel insulator in current path controlled by gate electrode |
US20060113565A1 (en) * | 2004-11-10 | 2006-06-01 | Canon Kabushiki Kaisha | Electric elements and circuits utilizing amorphous oxides |
JP2006165532A (ja) * | 2004-11-10 | 2006-06-22 | Canon Inc | 非晶質酸化物を利用した半導体デバイス |
JP2007103918A (ja) * | 2005-09-06 | 2007-04-19 | Canon Inc | アモルファス酸化物膜をチャネル層に用いた電界効果型トランジスタ、アモルファス酸化物膜をチャネル層に用いた電界効果型トランジスタの製造方法及びアモルファス酸化物膜の製造方法 |
US20090045397A1 (en) * | 2005-09-06 | 2009-02-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Field effect transistor using amorphous oxide film as channel layer, manufacturing method of field effect transistor using amorphous oxide film as channel layer, and manufacturing method of amorphous oxide film |
WO2007139009A1 (ja) * | 2006-05-25 | 2007-12-06 | Fuji Electric Holdings Co., Ltd. | 酸化物半導体、薄膜トランジスタ、及びそれらの製造方法 |
US20090289249A1 (en) * | 2006-05-25 | 2009-11-26 | Fuji Electric Holdings.,Ltd. | Oxide Semiconductor, Thin-Film Transistor and Method for Producing the Same |
JP2009004757A (ja) * | 2007-05-18 | 2009-01-08 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置および表示装置 |
WO2009075281A1 (ja) * | 2007-12-13 | 2009-06-18 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | 酸化物半導体を用いた電界効果型トランジスタ及びその製造方法 |
US20090194766A1 (en) * | 2008-02-05 | 2009-08-06 | Jin-Seong Park | Thin film transistor, method of manufacturing the same, and flat panel display device having the same |
WO2009110623A1 (en) * | 2008-03-06 | 2009-09-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of treating semiconductor element |
JP2009212443A (ja) * | 2008-03-06 | 2009-09-17 | Canon Inc | 半導体素子の処理方法 |
Cited By (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013077812A (ja) * | 2011-09-13 | 2013-04-25 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
JP2013084752A (ja) * | 2011-10-07 | 2013-05-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
WO2013105460A1 (ja) * | 2012-01-12 | 2013-07-18 | シャープ株式会社 | 半導体記憶回路及び装置 |
US10158026B2 (en) | 2012-04-13 | 2018-12-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device including oxide semiconductor stacked layers |
US11929437B2 (en) | 2012-04-13 | 2024-03-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising various thin-film transistors |
US11355645B2 (en) | 2012-04-13 | 2022-06-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising stacked oxide semiconductor layers |
US10872981B2 (en) | 2012-04-13 | 2020-12-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising an oxide semiconductor |
US10559699B2 (en) | 2012-04-13 | 2020-02-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP2016201560A (ja) * | 2012-04-13 | 2016-12-01 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2018093227A (ja) * | 2012-04-13 | 2018-06-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US9817032B2 (en) | 2012-05-23 | 2017-11-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Measurement device |
JP2014002133A (ja) * | 2012-05-23 | 2014-01-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 測定装置 |
JP2014197444A (ja) * | 2013-03-08 | 2014-10-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2014176041A (ja) * | 2013-03-13 | 2014-09-22 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
JP7384983B2 (ja) | 2013-06-26 | 2023-11-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2021166303A (ja) * | 2014-03-14 | 2021-10-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2016139452A (ja) * | 2015-01-23 | 2016-08-04 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の動作方法 |
WO2020261039A1 (ja) * | 2019-06-28 | 2020-12-30 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 高周波増幅回路を有する半導体装置、電子部品、および電子機器 |
JP2019197907A (ja) * | 2019-07-04 | 2019-11-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2011093003A1 (en) | 2011-08-04 |
JP2022016531A (ja) | 2022-01-21 |
JP2019135780A (ja) | 2019-08-15 |
KR101948707B1 (ko) | 2019-02-15 |
JP6979499B2 (ja) | 2021-12-15 |
JP2017147459A (ja) | 2017-08-24 |
JP2015084422A (ja) | 2015-04-30 |
KR20180097794A (ko) | 2018-08-31 |
JP6772327B2 (ja) | 2020-10-21 |
JP5426796B2 (ja) | 2014-02-26 |
US20110186837A1 (en) | 2011-08-04 |
US8507907B2 (en) | 2013-08-13 |
JP5931998B2 (ja) | 2016-06-08 |
JP2013016836A (ja) | 2013-01-24 |
JP5123440B1 (ja) | 2013-01-23 |
JP2024026413A (ja) | 2024-02-28 |
JP2022137287A (ja) | 2022-09-21 |
KR101893904B1 (ko) | 2018-08-31 |
JP7407879B2 (ja) | 2024-01-04 |
TW201143032A (en) | 2011-12-01 |
KR20170129287A (ko) | 2017-11-24 |
KR20120125635A (ko) | 2012-11-16 |
JP6130954B2 (ja) | 2017-05-17 |
TWI538169B (zh) | 2016-06-11 |
KR20130064150A (ko) | 2013-06-17 |
JP2013258411A (ja) | 2013-12-26 |
JP7111879B2 (ja) | 2022-08-02 |
JP2016171331A (ja) | 2016-09-23 |
KR101299256B1 (ko) | 2013-08-22 |
KR101800850B1 (ko) | 2017-11-23 |
JP2021002680A (ja) | 2021-01-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7407879B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2023100741A (ja) | 半導体装置 | |
JP5616808B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP5727892B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP5749951B2 (ja) | 記憶装置 | |
JP5736196B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2012142562A (ja) | 半導体記憶装置 | |
JP5079163B1 (ja) | 半導体装置 | |
JP2016027629A (ja) | 半導体装置、モジュールおよび電子機器 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20131225 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20131225 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140708 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140710 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140717 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20141104 |
|
A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20141112 |