DE102011103803A1 - Dünnschichttransistor, Verfahren zum Herstellen eines Dünnschichttransistors,Anzeigeeinrichtung und elektronische Einrichtung - Google Patents

Dünnschichttransistor, Verfahren zum Herstellen eines Dünnschichttransistors,Anzeigeeinrichtung und elektronische Einrichtung Download PDF

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Abstract

Vorgeschlagen wird ein Dünnschichttransistor mit einer Kontaktschicht, welche ein organisches Halbleitermaterial und ein Akzeptormaterial oder ein Donormaterial aufweist, welche zwischen einem organischen Halbleitermaterial und einer Sourceelektrode/einer Drainelektrode aufweist.

Description

  • TECHNISCHER HINTERGRUND
  • Die vorliegende Offenbarung betrifft einen Dünnschichttransistor, welcher mit einer organischen Halbleiterschicht ausgestattet ist, ein Verfahren zum Herstellen des Dünnschichttransistors, eine Anzeigeeinrichtung, welche den Dünnschichttransistor verwendet, sowie eine elektronische Einrichtung, welche den Dünnschichttransistor verwendet.
  • Bei einem Dünnschichttransistor, welcher eine organische Halbleiterschicht verwendet, ist es wichtig, eine Reduktion oder Verminderung im Kontaktwiderstand zwischen der organischen Halbleiterschicht und einer Sourceelektrode/einer Drainelektrode beim Realisieren eines hohen ON-Stroms und eines steilen Verlaufs oder Anstiegs oder einer steilen oder steilen Steigung unterhalb des Durchbruchs oder Schwellenwerts (steep sub-threshold slope) zu unterstützen.
  • Folglich wird bei einem Dünnschichttransistor vom p-Kanaltyp mit einem Aufbau mit einem oberen Kontakt (top contact) und einem unteren Gate (bottom gate) auf der organischen Halbleiterschicht eine Sourceelektrode/Drainelektrode vorgesehen, bei welcher oder bei welchen eine Grenzflächenschicht (interfacial layer) ausgebildet ist oder wird aus einem Akzeptormaterial, zum Beispiel aus Molybdänoxid (MoOx) und einer Halbleiterschicht, die in dieser Reihenfolge übereinander geschichtet oder gestapelt sind. Im Ergebnis davon wird eine Konfiguration vorgeschlagen, welche die Reduktion des Widerstandes zwischen der organischen Halbleiterschicht und der Sourceelektrode/der Drainelektrode fördert oder unterstützt (siehe "APPLIED PHYSICS LETTERS 94", (2009), S. 143304-1 bis S. 143304-3).
  • Des Weiteren wird bei einem Dünnschichttransistor vom p-Kanaltyp mit einem Aufbau mit einem unteren Kontakt (bottom contact) und einem Gate unten (bottom gate) auf einer Gateisolationsschicht die Sourceelektrode/Drainelektrode vorgesehen, wobei die Grenzflächenschicht des Akzeptormaterials und die Halbleiterschicht in der oben beschriebenen Art und Weise in dieser Reihenfolge übereinander geschichtet oder gestapelt sind oder werden. Darüber hinaus wird eine organische Halbleiterschicht auf einer Gateisolationsschicht zwischen der Sourceelektrode und der Drainelektrode vorgesehen. Im Ergebnis davon wird dadurch eine Konfiguration vorgeschlagen, bei welcher die Grenzflächenschicht gegenüberliegend oder benachbart der angrenzend zum Kanalbereich in der organischen Halbleiterschicht angeordnet ist, wodurch eine Reduktion oder Verminderung im Kontaktwiderstand der Sourceelektrode/Drainelektrode in Bezug auf den Kanalbereich unterstützt oder gefördert wird (siehe: ungeprüfte Japanische Patentanmeldungsveröffentlichung No. 2008-243911 ).
  • ZUSAMMENFASSUNG
  • Um gleichzeitig eine Miniaturisierung des Aufbaus der Elemente oder des Elements in einem Dünnschichttransistor zu erreichen, wird bei der Ausbildung der Sourceelektrode und der Drainelektrode ein Lithographievorgang verwendet. In diesem Fall wird der Lithographievorgang auf einen oberen Bereich einer Elektrodenmaterialschicht angewandt, um eine Resiststruktur oder ein Resistmuster auszubilden. Die Elektrodenmaterialschicht wird dann einem Musterätzen oder Strukturätzen (pattern etching) unter Verwendung der Resiststruktur oder des Resistmusters als Maske ausgesetzt oder unterzogen, wodurch klein strukturierte Source- und Drainelektroden erzeugt werden. Beim Muster- oder Strukturätzen der Elektrodenmaterialschicht wird das Ätzen unter Verwendung einer wässrigen Lösung für ein Ätzmittel verwendet, um dadurch eine Kanalgrenzfläche einer Gateisolationsschicht nicht zu schädigen, die von einem organischen Halbleitermaterial oder einem organischen Isolationsmaterial gebildet wird.
  • Da jedoch beim Ätzen unter Verwendung einer wässrigen Lösung für das Ätzmittel eine Ätzschädigung (etching damage) in die Grenzflächenschicht, die vom Akzeptormaterial gebildet wird, zum Beispiel von Molybdänoxid (MoOx), eingebracht wird, wie dies oben beschrieben wird, ist die Verwendung dieses Miniaturisierungsprozesses schwierig.
  • Es ist daher wünschenswert, einen Dünnschichttransistor zu schaffen, bei welchem ein Miniaturisierungsvorgang beim Unterstützen oder Fördern eines Kontaktwiderstands zwischen einer organischen Halbleiterschicht und einer Sourceelektrode/einer Drainelektrode verwendet werden kann, wobei sich befriedigende Ergebnisse und Eigenschaften einstellen sollen. Des Weiteren ist es wünschenswert, ein Verfahren zum Herstellen eines derartigen Dünnschichttransistors zu schaffen, der derartige Eigenschaften besitzt. Darüber hinaus sollen entsprechende Anzeigeeinrichtungen und elektronische Einrichtungen unter Verwendung eines derartigen Dünnschichttransistors geschaffen werden.
  • Gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung wird ein Dünnschichttransistor geschaffen, bei welchem eine Kontaktschicht mit einem organischen Halbleitermaterial und einem Akzeptormaterial oder einem Donormaterial zwischen der organischen Halbleiterschicht und der Sourceelektrode/der Drainelektrode vorgesehen ist oder wird.
  • Die Kontaktschicht mit einem derartigen Aufbau weist das Akzeptormaterial oder das Donormaterial als Fremdstoff oder Verunreinigungen im organischen Halbleitermaterial auf und besitzt eine Leitfähigkeit, die besser ist als die der organischen Halbleiterschicht. im Ergebnis davon ist der Kontaktwiderstand zwischen der organischen Halbleiterschicht und der Sourceelektrode/Drainelektrode vermindert oder reduziert. Darüber hinaus ist die Leitfähigkeit der Kontaktschicht durch den Anteil, Gehalt oder Inhalt an Akzeptormaterial oder Donormaterial angepasst. Folglich wird die Kontaktschicht ein Teil der organischen Halbleiterschicht. Aus diesem Grund verbleibt die Kontaktschicht zwischen der Sourceelektrode und der Drainelektrode, und zwar so wie sie ist. im Ergebnis davon wird zum Beispiel bei einem Typ mit einem oberen Kontakt die Kontaktschicht zu einer Schutzschicht gegen die organische Halbleiterschicht. Darüber hinaus wird bei einem Typ mit einem unteren Kontakt die Kontaktschicht eine Art Basis und das Ausschneiden (cutting) der organischen Halbleiterschicht kann verhindert werden. Auf diese Art und Weise kann die organische Halbleiterschicht in einem erwarteten Zustand gehalten werden. Da die Kontaktschicht einen Aufbau besitzt, welcher das organische Halbleitermaterial enthält, kann zusätzlich verhindert werden oder unterdrückt werden, dass die Ätzlösung die Kontaktschicht beeinflusst, wenn das Muster oder die Struktur der Sourceelektrode/der Drainelektrode bei einem Typ mit einem oberen Kontakt ausgebildet wird. ist ist somit möglich, einen Miniaturisierungsvorgang bei der Ausbildung des Musters oder der Struktur für die Sourceelektrode/die Drainelektrode zu verwenden.
  • Des Weiteren wird bei einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung ein Verfahren zum Herstellen eines Dünnschichttransistors mit der unten beschriebenen Abfolge geschaffen. Zunächst wird eine organische Halbleiterschicht über einem Substrat ausgebildet. Dann wird eine Kontaktschicht, welche ein organisches Halbleitermaterial und ein Akzeptormaterial oder ein Donormaterial enthält, auf der organischen Halbleiterschicht ausgebildet. Nachfolgend wird dann eine Sourceelektrode/Drainelektrode in einen Zustand ausgebildet, bei welchem Endbereiche davon aus der ausgebildeten Kontaktschicht einander gegenüberliegend angeordnet werden.
  • Das Verfahren zum Herstellen des Dünnschichttransistors unter Verwendung einer derartigen Abfolge weist auf, das Ausbilden der Sourceelektrode/Drainelektrode in einem Bereich der Kontaktschicht, welche das Akzeptormaterlal oder das Donormaterial als Fremdstoffe oder Verunreinigungen in Bezug auf das organische Halbleitermaterial aufweist, auf. Aus diesem Grund wird selbst in einem Fall, bei welchem ein Miniaturisierungsvorgang in Bezug auf das Ausführen der Ausbildung der Struktur oder des Musters der Sourceelektrode/Drainelektrode auf einem metallischen Material ausgeführt wird, eine Beeinflussung der Kontaktschicht mit dem organischen Halbleitermaterial durch die Ätzlösung unterdrückt. Im Ergebnis davon ist es möglich, einen Dünnschichttransistor mit einem Aufbau zu schaffen, bei welchem eine Kontaktschicht in zuverlässiger Art und Weise zwischen der organischen Halbleiterschicht und der Sourceelektrode/Drainelektrode verbleibt. Darüber hinaus kann, weil die Kontaktschicht zu einer Schutzschicht gegen die organische Halbleiterschicht wird, die organische Halbleiterschicht in einem erwarteten Zustand erhalten werden oder verbleiben.
  • Bei einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung kann darüber hinaus eine Anzeigeeinrichtung und eine elektronische Einrichtung geschaffen werden, bei welcher der Dünnschichttransistor gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung enthalten ist.
  • Wie oben beschrieben wurde, ist es bei den Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung in der oben beschriebenen Art und Weise möglich, eine Verminderung oder Reduktion eines Kontaktwiderstandes zwischen der organischen Halbleiterschicht und der Sourceelektrode/Drainelektrode durch die Kontaktschicht zu unterstützen, wenn ein Vorgang der Miniaturisierung bei der Ausbildung der Sourceelektrode/Drainelektrode verwendet wird. Es ist darüber hinaus möglich, die organische Halbleiterschicht in einem erwarteten Zustand aufrecht zu erhalten oder zu belassen. Im Ergebnis davon ist es möglich, die Miniaturisierung zu unterstützen und zu fördern und die Eigenschaften des Dünnschischttransistors unter Verwendung der organischen Halbleiterschicht zu verbessern. Darüber hinaus ist es möglich, eine hohe Integration und eine hohe Funktionalität der Anzeigeeinrichtung und der elektronischen Einrichtung unter Verwendung des Dünnschichttransistors zu gewährleisten.
  • KURZBESCHREIBUNG DER FIGUREN
  • 1 ist eine Querschnittsansicht, welche einen Aufbau eines Dünnschichttransistors gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung zeigt.
  • 2A, 2B sind Querschnittsprozessdiagramme, welche ein Herstellungsverfahren für den Dünnschichttransistor gemäß der ersten Ausführungsform zeigen.
  • 3 ist eine Querschnittsansicht, welche einen Aufbau eines Dünnschichttransistors gemäß einer zweiten Ausführungsform zeigt.
  • 4A, 4B sind eine Querschnittsansicht bzw. eine Draufsicht, welche eine Anordnung eines Dünnschichttransistors gemäß einer dritten Ausführungsform zeigen.
  • 5A–5C sind Querschnittsprozessdiagramme, welche ein Herstellungsverfahren des Dünnschichttransistors gemäß der dritten Ausführungsform zeigen.
  • 6A, 6B sind eine Querschnittsansicht bzw. eine Draufsicht, welche eine Anordnung eines Dünnschichttransistors gemäß einer vierten Ausführungsform zeigen.
  • 7A–7C sind Querschnittsprozessdiagramme, welche ein Herstellungsverfahren des Dünnschichttransistors gemäß der vierten Ausführungsform zeigen.
  • 8 ist eine Querschnittsansicht und eine Draufsicht, welche einen Aufbau eines Dünnschichttransistors gemäß einer fünften Ausführungsform zeigen.#
  • 9A, 9B sind Querschnittsprozessdiagramme, welche ein Herstellungsverfahren des Dünnschichttransistors gemäß der fünften Ausführungsform zeigen.
  • 10 ist eine Querschnittsansicht, welche ein Beispiel einer Anzeigeeinrichtung gemäß einer sechsten Ausführungsform zeigt.
  • 11 ist ein Schaltungsanordnungsdiagramm einer Anzeigeeinrichtung gemäß der sechsten Ausführungsform.
  • 12 ist eine perspektivische Ansicht, welche ein Fernsehgerät zeigt, bei welchem die Anzeigeeinrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung verwendet wird.
  • 13A ist eine perspektivische Ansicht, welche eine Digitalkamera unter Verwendung der Anzeigeeinrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung verwendet, und zwar von vorn betrachtet.
  • 13B ist eine perspektivische Ansicht, welche eine Digitalkamera unter Verwendung der Anzeigeeinrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung verwendet, und zwar von hinten betrachtet.
  • 14 ist eine perspektivische Ansicht, welche einen Personalcomputer nach Art eines Notebook unter Verwendung der Anzeigeeinrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung zeigt.
  • 15 ist eine perspektivische Ansicht, welche eine Videokamera unter Verwendung der Anzeigeeinrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung zeigt.
  • 16A ist eine Vorderansicht, welche eine mobile Endgeräteeinrichtung zeigt, zum Beispiel ein Mobiltelefon, und zwar unter Verwendung der Anzeigeeinrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung, und zwar in einem geöffneten Zustand.
  • 16B ist eine Seitenansicht davon.
  • 16C ist eine Vorderansicht davon, und zwar in einem geschlossenen Zustand.
  • 16D ist eine linksseitige Ansicht davon.
  • 16E ist eine rechtsseitige Ansicht davon.
  • 16F ist eine Draufsicht davon.
  • 16G ist eine Ansicht von unten davon.
  • DETAILBESCHREIBUNG DER AUSFÜHRUNGSFORMEN
  • Nachfolgend werden Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung in der nachfolgend beschriebenen Abfolge unter Bezugnahme auf die Zeichnung erläutert.
    • 1. Erste Ausführungsform (Erstes Beispiel eines Dünnschichttransistors mit einem Aufbau mit einem oberen Kontakt und einem unterem Gate)
    • 2. Zweite Ausführungsform (Zweites Beispiel eines Dünnschichttransistors mit einem Aufbau mit einem oberen Kontakt und einem unterem Gate)
    • 3. Dritte Ausführungsform (Erstes Beispiel eines Dünnschichttransistors mit einem Aufbau mit einem oberen Kontakt und einem unterem Gate, und zwar mit einer vorgesehenen Schutzschicht)
    • 4. Vierte Ausführungsform (Zweites Beispiel eines Dünnschichttransistors mit einem Aufbau mit einem oberen Kontakt und einem unterem Gate, und zwar mit einer vorgesehenen Schutzschicht)
    • 5. Fünfte Ausführungsform (Beispiel eines Dünnschichttransistors mit einem Aufbau mit unterem Kontakt und oberem Gate)
    • 6. Sechste Ausführungsform (Anwendungsbeispiel auf eine Anzeigeeinrichtung unter Verwendung eines Dünnschichttransistors)
    • 7. Siebte Ausführungsform (Anwendungsbeispiel auf eine elektronische Einrichtung)
  • Des Weiteren werden in den ersten bis fünften Ausführungsformen dieselben Komponenten mit denselben Bezugszeichen bezeichnet, ihre wiederholte Beschreibung wird fortgelassen.
  • 1. Erste Ausführungsform
  • 1 ist eine Querschnittsansicht eines Dünnschichttransistors 1-1 einer ersten Ausführungsform. Der Dünnschichttransistor 1-1, der in 1 dargestellt ist, besitzt einen Aufbau mit einem oberen Kontakt und einem unteren Gate (top contact bottom gate structure). Es ist eine Gateisolationsschicht 15 auf dem Substrat 11 vorgesehen, und zwar in einem Zustand, bei welchem eine Gateelektrode 13 bedeckt oder abgedeckt wird. Auf einem unteren Bereich der Gateisolationsschicht 15 ist eine geschichtete oder gestapelte Anordnung aus einer organischen Halbleiterschicht 17 und einer Kontaktschicht 19 in dieser Reihenfolge vorgesehen. Die geschichtete oder gestapelte Anordnung (stacked body) wird inselartig oder inselförmig strukturiert und bedeckt die Gateelektrode 13 in einer Breitenrichtung. Die geschichtete oder gestapelte Anordnung ist in einem Zustand ausgebildet oder vorgesehen, bei welchem sie über der oder mittels der Gateisolationsschicht 15 auf der Gateelektrode 13 angeordnet ist. Des Weiteren sind auf der Gateisolationsschicht 15 eine Sourceelektrode 21s/Drainelektrode 21d an einer Stelle oder Position vorgesehen, wo sie mit der Gateelektrode 13 dazwischen angeordnet einander gegenüberliegend positioniert sind. Bei der Sourceelektrode 21s/Drainelektrode 21d sind Kantenbereiche davon einander gegenüberliegend angeordnet, und zwar mit der Gateelektrode 13 dazwischen, und zwar darüber hinaus in einem Zustand, bei welchem sie auf der Kontaktschicht 19 geschichtet oder gestapelt sind.
  • Bei der oben beschriebenen Anordnung ist bei der ersten Ausführungsform die Kontaktschicht 19 mit derselben Struktur wie derjenigen der organischen Halbleiterschicht 17 auf der organischen Halbleiterschicht 17 aufgeschichtet. Die Kontaktschicht 19 enthält ein organisches Halbleitermaterial und ein Akzeptormaterial oder ein Donormaterial. Nachfolgend werden die Einzelheiten und Details der Anordnung in der Reihenfolge von der untersten Schicht beschrieben.
  • Substrat 11
  • Mindestens eine Fläche oder Oberfläche des Substrats 11 kann in einem isolierten Zustand behalten werden. Es kann zum Beispiel ein Plastiksubstrat aus PES (Polyether-Sulfon), PEN (Polyethylen-Napthalat), PET (Polyethylen-Terephthalat), PC (Polycarbonat) oder dergleichen als Substrat 11 verwendet werden. Darüber hinaus kann auch ein Substrat verwendet werden, in welchen eine Metallfolie, aus rostfreiem Stahl (SUS:stainless steel) zusammen mit einem Harz laminiert ist, oder ein Glassubstrat oder dergleichen. Um einen möglichst hohen Grad an Flexibilität zu erreichen, kann ein Substrat verwendet werden, welches ein Plastiksubstrat oder eine Metallfolie aufweist.
  • Gateelektrode 13
  • Als Gateelektrode 13 können Gold (Au), Aluminium (Al), Silber (Ag), Kupfer (Cu), Platin (Pt), Nickel (Ni) oder dergleichen verwendet werden. Im Fall des Verwendens von Gold (Au) ist es möglich, eine Verbesserung des Anhaftens mit dem Substrat 11 zu unterstützen, nämlich durch Verwenden einer Schicht von Chrom (Cr) als Grundschicht.
  • Gateisolationsschicht 15
  • Als Gateisolationsschicht 15 können organische Isolationsschichten wie zum Beispiel PVP (Polyvmnyl-Pyrrolldon), PMMA (Polymethyl-Methacrylat) und PVA (Polyvinylalkohol) verwendet werden.
  • Ferner können als Gateisolationsschicht 15 anstelle organischer Isolationsschichten auch anorganische Isolationsschichten – wie zum Beispiel Siliziumoxid (SiO2), Aluminumoxid (Al2O3) und Tantaloxid (Ta2O5) – verwendet werden.
  • Organische Halbleiterschicht 17
  • Bei der organischen Halbleiterschicht 17 können als organische Halbleitermaterialien vom p-Typ organische Halbleitermaterialien wie zum Beispiel Pentacen, Anthracen oder Phthalocyanin, Prophyrin, Thiophen basierte Polymere und Derivate davon verwendet werden. Als organische Halbleitermaterialien vom n-Typ können Halbleitermaterialien wie zum Beispiel Fullerene, Perfluoropentacen und Poly(benzobisimidazo-Benzophenanthrolin) verwendet werden.
  • Kontaktschicht 19
  • Die Kontaktschicht 19 wird unter Verwendung des organischen Halbleitermaterials und des Akzeptormaterials oder des Donormaterials in der zuvor beschriebenen Art und Weise hergestellt. Das Akzeptormaterial oder das Donormaterial und das organische Halbleitermaterial, welche die Kontaktschicht 19 bilden, werden in geeigneter Art und Weise ausgewählt und so verwendet, dass sie zum Leitfähigkeitstyp der organischen Halbleiterschicht 17 passen.
  • Es ist zum Beispiel wünschenswert, dass das organische Halbleitermaterial, welches die Kontaktschicht 19 bildet, ein Material ist, welches denselben Leitfähigkeitstyp verwendet, wie das organische Halbleitermaterial, welches die organische Halbleiterschicht 17 bildet. Es können auch andere Materialien verwendet werden.
  • Wenn der Leitfähigkeitstyp der organischen Halbleiterschicht 17 ein p-Typ ist, kann die Kontaktschicht 19 ausgebildet werden durch Verwenden eines organischen Halbleitermaterials mit einem Leitfähigkeitstyp, welcher ein p-Typ ist, mit einem entsprechenden Akzeptormaterial. Wenn dagegen der Leitfähigkeitstyp der organischen Halbleiterschicht 17 ein n-Typ ist, wird die Kontaktschicht 19 gebildet unter Verwendung eines organischen Halbleitermaterials mit einem Leitfähigkeitstyp, der ein n-Typ ist und einem entsprechenden Donormaterial.
  • Der Gehalt oder Inhalt an Akzeptormaterial und Donormaterial in der Kontaktschicht 19 werden derart angepasst, dass der OFF-Strom, welcher zwischen der Sourceelektrode 21s – der Drainelektrode 21d über die Kontaktschicht 19 fließt, zum Beispiel ausreichend niedrig gehalten wird, um zum Wert 10–12 A gleich zu sein oder niedriger. Nachfolgend werden spezifische Beispiele für das Akzeptormaterial und das Donormaterial beschrieben.
  • Ein spezifisches Beispiel für das Akzeptormaterial wird nachfolgend beschrieben.
  • Metalloxide
    • MoOx, ReO3, V2O5, WO3, TiO2, AuO, Al2O3, CuO
  • Oxide
    • SO3
  • Metallhalogenide
    • CuI, SbCl5, SbF5, FeCl3, LiF, BaF2, CaF2, MgF2
  • Halogenide
    • AsF5, BF3, BCl3, BBr3, PF5
  • Metallcarboxylate
    • CaCO3, BaCQ3, Li2CO3
  • Organische Moleküle, Komplexe
  • In der p-Benzoquinonklasse seien 2,3,5,6-Tetracyano-(p-cyanyl), 2,3-Dibromo-5,6-dicyano-p-benzoquinon, 2,3-Dichloro-5,6-dicyano-p-benzoquinon, 2,3,-Diiodo-5,6-dicyano-p-benzoquinon, 2,3-Dicyano-p-benzoquinon, p-Bromanil, p-Chloranil, p-Iodanil, p-Fluoranil, 2,5-Dichloro-p-benzoquinon, 2,6-Dichloro-p-benzoquinon, Chloranilische Säure, Bromanilische Säure, 2,5,-Dihydrixy-p-benzoquinon, 2,5-Dichloro-3,6-dimethyl-p-benzoquinon, 2,5-Dibromo-3,6-dimethyl-p-benzoquinon, BTDAQ, p-Benzoquinon, 2,5-Dimethyl-p-benzoquinon, 2,6-Dimethyl-p-benzoquinon, Tetramethylenediam, o-Benzoquinone, o-Bromanil, o-Chloranil, 1,4-Naphthoquinon, 2,3-Dicyano-5-nitro-1,4-naphthoquinon, 2,3-Dicyano-1,4-naphthoquinon, 2,3-Dichloro-5-nitro-1,4-naphthoquinon, 2,3-Dichloro-1,4-naphthoquinon und 1,4-Naphthoquinon als Beispiele genannt.
  • In der Diphenoquinonklasse seien 3,3',5,5'-Tetrabromo-diphenoquinon, 3,3',5,5'-Tetrachloro-diphenoquinon und Diphenoquinon als Beispiele genannt.
  • In der TCNQ-Klasse und Analoge seien Tetracyano-quinodimethan (TCNQ), Tetrafluoro-tetracyano-quinodimethan (F4-TCNQ), Trifluoromethyl-TCNQ, 2,5-Difluoro-TCNQ, Monofluoro-TCNQ, TNAP, Decyl-TCNQ, Methyl-TCNQ, Dihydrobarereno-TCNQ, Tetrahydroberberine-TCNQ, Dimethyl-TCNQ, Diethyl-TCNQ, Benzo-TCNQ, Dimethoxy-TCNQ, BTDA-TCNQ, Diethoxy-TCNQ, Tetramethyl-TCNQ, Tetracyanoanthraquinodimethan, Polynitroverbindungen, Tetranitrobiphenol, Dinitrobiphenyl, Pikrinsäure, Trinitrobenzen, 2,6-Dinitrophenol und 2,4-Dinitrophenol als Beispiele genannt.
  • In der Fluorineklasse seien 9-Dicyanomethylen-2,4,5,7-tetranitro-fluorine, 9-Dicyanomethylen-2,4,7-trinitro-fluorine, 2,4,5,7-Tetranitro-fluorenon und 2,4,7-Trinitro-fluorenon als Beispiel genannt.
  • In der Benzocyanoklasse und Analoge seien (TBA)2HCTMM, (TBA)2HCDAHD, K·CF, TBA·PCA, TBA·MeOTCA, TBA·EtOTCA, TBA·PrOTCA, (TBA)2HCP, Hexacyariobutadienetetracyanoethylen und 1,2,4,5-Tetracyanobenzen als Beispiele genannt.
  • In der Übergangsmetallkomplexklasse seien (TPP)2Pd(dto)2, (TPP)2Pt(dto)2, (TPP)2Ni(dto)2, (TPP)2Cu(dto)2 und (TBA)2Cu(ox)2 als Beispiele genannt.
  • Spezifische Beispiele für das Donormaterial werden nachfolgend beschrieben.
  • Metall
    • Li, Cs
  • Metallcarboxylate
    • Cs2O3, Rb2CO3
  • Organische Moleküle, Komplexe
  • Als aromatische Kohlenwasserstoffe und Analoge seien, Tetracen, Perylen, Anthracen, Coronen, Pentacen, Chrysen, Phenanthren, Naphthalen, p-Dimethoxybenzen, Rubren und Hexamethoxytriphenylen als Beispiele genannt.
  • In der TTF-Klasse und Analoge seien HMTTF, OMTTF, TMTTF, BEDO-TTF, TTeCn-TTF, TMTSF, EDO-TTF, HMTSF, TTF, EOET-TTF, EDT-TTF, (EDO)2DBTTF, TSCn-TTF, HMTTeF, BEDT-TTF, CnTET-TTF, TTCn-TTF, TSF, DBTTF als Beispiele genannt.
  • In der TTT-Klasse seien Tetrathiotetracen, Tetraselenotetracen und Tetratellurotetracene als Beispiele genannt.
  • In der Azinklasse seien Dibenzo[c,d]-phenothiazin, Benzo[c]-phenothiazin, Phenothiazin, N-Methyl-phenothiazin, Dibenzo-[c,d]-phenoselenazin, N,N-Dimethylphenazin und Phenizin als Beispiele genannt.
  • In der Monoaminklasse seien N,N-Diethyl-m-toluidin, N,N-Diethylanilin, N-Ethyl-o-toluidin, Diphenylamin, Skatol, Indol, N,N-Dimethyl-o-toluidin, o-Toluidin, m-Toluidin, Anilin, o-Chloroanilin, o-Bromoanilin und p-Nitroanilin als Beispiele genannt.
  • In der Diaminklasse seien N,N,N',N'-Tetramethyl-p-phenylendiamin, 2,3,5,6-Tetramethyl-(durenediamin), p-Phenyldiamin, N,N,N',N'-Tetramethylbenzidin, 3,3'5,5'-Tetramethylbenzidin, 3,3'-Dimethylbenzidin, 3,3'-Dimethoxybenzidin, Benzidin, 3,3'-Dibromo-5,5'-dimethylbenzidin, 3,3'-Dichloro-5,5'-dimethylbenzidin und 1,6-Diaminopyren als Beispiele genannt.
  • Zuletzt seien 4,4',4''-Tris(N-3-methylphenyl-N-phenylamino)-triphenylamin:(m-MTDATA), 4,4',4''-Tris(N-(2-naphtyl)-N-phenylamino)-triphenylamin:(2TNATA), α-NDP, Kupferphthalocyanin, 1,4,6,8-Tetrakisdimethylaminopyren, 1,6-Dithiopyren, Decamethylferrocen und Ferrocen als Beispiele genannt.
  • Sourceelektrode 21s/Drainelektrode 21d
  • Die Sourceelektrode 21s und die Drainelektrode 21d können mittels eines ohmschen Kontakts mit der Kontaktschicht 19 verbunden sein oder werden. Aus diesem Grund können die Elektroden zum Beispiel ausgebildet werden aus Gold (Au), Kupfer (Cu), Silber (Ag) oder dergleichen. Sie können auch strukturiert oder gemustert ausgelegt werden unter Verwendung eines leitfähigen Farbstoffs, welcher leitfähige Teilchen enthält.
  • Herstellungsverfahren
  • Nachfolgend wird ein Verfahren zum Herstellen des Dünnschichttransistors 1-1 der ersten Ausführungsform auf der Grundlage der Querschnittsprozessdiagramme der 2A und 2B beschrieben.
  • Zunächst wird, wie das in 2A dargestellt ist, eine Gateelektrode 13 einem Strukturierungsprozess auf dem Substrat 11 unterworfen. Dieselbe wird dann mit einer Gateisolationsschicht 15 bedeckt oder abgedeckt. Das Ausbilden der Gateelektrode 13 wird durchgeführt durch Ausbilden einer metallischen Materialschicht unter Verwendung eines geeignet gewählten Verfahrens, zum Beispiel durch Dampfabscheidung oder durch Sputtern, durch nachfolgendes Ausbilden einer Resiststruktur auf einem oberen Bereich davon, nämlich mittels eines Fotolithographieverfahrens, und durch Ausführen des Strukturierens durch Ätzen auf der metallischen Materialschicht unter Verwendung des Resistmusters oder der Resiststruktur als Maske. Des Weiteren wird bei der Ausbildung der Gateelektrode 13 zusätzlich das zuvor beschriebene Verfahren, nämlich in Form einer Drucktechnik, eines Rasterdruckverfahrens (screen printing), eines Tiefdruckverfahrens (gravure printing) oder eines Farb- oder Tintenausstoßdruckverfahrens (ink jet printing) anwendbar.
  • In dem Fall des Verwendens eines organischen Isolationsmaterials wird das Ausbilden der Schicht für die Gateisolationsschicht 15 ausgeführt durch Anwenden eines Aufbringungsverfahrens, zum Beispiel unter Verwendung von Druckverfahren, wie zum Beispiels Spin-Coal-Verfahrens, eines Rasterdruckverfahrens, eines Tiefdruckverfahrens und eines Farb- oder Tintenausstoßdruckverfahrens. Wird dagegen ein anorganisches Isolationsmaterial verwendet, kann die Ausbildung der Schicht durchgeführt werden durch Anwendung eines Dampfabscheidungsverfahrens, eines Sputterverfahrens oder eines CVD-Verfahrens.
  • Nachfolgend wird gemäß 2B an einer Position oder Stelle des Abdeckens der Gateelektrode 13 auf der Gateisolationsschicht 15 die gestapelte oder geschichtete Anordnung (stacked body) der organischen Halbleiterschicht 17 und der Kontaktschicht 19 inselartig strukturiert ausgebildet.
  • Dabei kann zum Beispiel das Strukturieren mittels einer Dampfabscheidung unter Verwendung einer Maske verwendet werden. Dabei wird das organische Halbleitermaterial zunächst dampfabgeschieden, um die Strukturausgestaltung der organischen Halbleiterschicht 17 zu bewirken. Danach wird das organische Halbleitermaterial und das Akzeptormaterial oder Donormaterial einer Koabscheidung unterworfen, um die Strukturausbildung der Kontaktschicht 19 zu bewirken. Dabei wird die Kontaktschicht 19 von derselben Gestalt der Strukturausbildung der organischen Halbleiterschicht 17 unterworfen. Darüber hinaus kann zum Beispiel die organische Halbleiterschicht 17 und die Kontaktschicht 19 sequentiell oder aufeinander folgend ausgebildet werden und sie können zum Beispiel durch denselben Prozess strukturiert werden. Darüber hinaus kann ein Druckverfahren verwendet werden, wobei zunächst die organische Halbleiterschicht 17 einem Strukturdrucken unterzogen wird und dann die Kontaktschicht 19 unter Verwendung einer Farbstoffflüssigkeit oder Tintenflüssigkeit strukturiert gedruckt wird, wobei in dieser das organische Halbleitermaterial und das Akzeptormaterial oder das Donormaterial miteinander gemischt vorliegen. Des Weiteren kann in einem Fall, bei welchem die organische Halbleiterschicht 17 und die Kontaktschicht 19 nicht strukturiert sind und das Element nicht isoliert werden muss, die Schichten 17 und 19 sequentiell oder aufeinander folgend abgeschieden und strukturiert werden. Danach wird, wie das in 1 dargestellt ist, die Sourceelektrode 21s und die Drainelektrode 21d auf der Gateisolationsschicht 15 ausgebildet. Es ist wünschenswert, dass die Sourceelektrode 21s/die Drainelektrode 21d als kleine Strukturen ausgebildet werden, und zwar durch Verwenden zum Beispiel eines Lithographieverfahrens. In diesem Fall wird zunächst die Elektrodenmaterialschicht auf der Gateisolationsschicht ausgebildet. welche mit der Kontaktschicht 19 ausgebildet ist. Dann wird eine Resiststruktur auf dem oberen Bereich davon durch Verwenden eines Lithographieverfahrens ausgebildet. Nachfolgend wird dann durch Ätzen, welches die Resiststruktur als Maske verwendet, die Elektrodenmaterialschicht strukturiert, um die Sourceelektrode 21s/die Drainelektrode 21d auszubilden. Beim Ätzen ist es wünschenswert, die Kontaktschicht 19 auf der organischen Halbleiterschicht 17 durch Ausführen eines Nassätzens zu belassen. Im Ergebnis davon kann selbst dann, wenn die organische Halbleiterschicht 17 mit einer extrem dünnen Schicht stärker ausgebildet wird, die anfängliche oder initiale Schichtstärke aufrecht erhalten werden. Es ist des Weiteren wünschenswert, das Strukturieren der Elektrodenmaterialschicht ohne Beschädigung der organischen Halbleiterschicht 17 und der Kontaktschicht 19 durchzuführen, nämlich durch Verwenden einer wässrigen Losung eine Ätzmittels in einem Vorgang des Nassätzens. Nach dem Strukturieren wird die Resiststruktur entfernt.
  • Es kann des Weiteren als ein anderes Ausbildungsverfahren, bei welchem ein Lithographieverfahren verwendet wird, ein so genanntes Lift-off-Verfahren oder Ablöseverfahren in Frage kommen. In diesem Fall wird zunächst auf der Gateisolationsschicht 15, welche mit der Kontaktschicht 19 ausgebildet ist, die Resiststruktur durch Anwenden eine Lithographieverfahrens ausgebildet. Die Elektrodenmaterialschicht wird auf einem oberen Bereich davon ausgebildet. Dann wird die Elektrodenmaterialschicht der Resiststruktur gleichzeitig entfernt durch Entfernen der Resiststruktur. Der verbleibende Elektrodenmaterialschichtbereich wird erhalten als Sourceelektrode 21s/Drainelektrode 21d. Als weiteres Verfahren zum Ausbilden der Sourceelektrode 21s/einer Drainelektrode 21d kann ein so genannten Schattenmaskenverfahren (shadow mask method) verwendet werden.
  • Gemäß der ersten Ausführungsform wird zwischen der organischen Halbleiterschicht 17 und der Sourceelektrode 21s/der Drainelektrode 2d die Kontaktschicht 19 vorgesehen, welche das Akzeptormaterial oder das Donormaterial als Verunreinigung oder Fremdstoff im organischen Halbleitermaterial aufweist. Im Ergebnis davon besitzt die Kontaktschicht 19 eine Leitfähigkeit, die besser ist als diejenige der organischen Halbleiterschicht 17, wodurch der Kontaktwiderstand zwischen der organischen Halbleiterschicht 17 und der Sourceelektrode 21s/der Drainelektrode 21d vermindert wird. Da die Leitfähigkeit der Kontaktschicht 19 angepasst wird durch den Inhalt oder Gehalt an Akzeptormaterial oder Donormaterial, kann selbst dann, wenn die Kontaktschicht 19 zwischen der Sourceelektrode 21s und der Drainelektrode 21d so, wie sie ist, belassen wird als ein Teil der organischen Halbleiterschicht 19, ein Ansteigen im OFF-Strom verhindert werden. Aus diesem Grund kann, wenn das Ausbilden der Struktur der Sourceelektrode 21s/der Drainelektrode 21d durchgeführt wird, die Kontaktschicht 19 als Schutzschicht der organischen Halbleiterschicht 17 verbleiben. Selbst dann, wenn die organische Halbleiterschicht 17 ausgebildet wird mit einer extrem dünnen Schichtstärke, kann also die extrem dünne Schichtstärke aufrecht erhalten werden. Im Ergebnis davon ist es möglich, den Bulkwiderstand, welcher vom Abstand (das heißt der Schichtstärke der organischen Halbleiterschicht 17) zu einem Kanalbereich ch, welcher auf der Sourceelektrode 21s/der Drainelektrode 21d und der organischen Halbleiterschicht 17 ausgebildet ist oder wird, abhängig ist, reduziert oder vermindert werden.
  • Im Ergebnis davon ist es möglich, eine Verbesserung im NO-Strom und die Steilheit oder Verschärfung (sharpening) der Steigung oder des Verlaufs unterhalb des Schwellwerts oder des Durchbruchs im Dünnschichttransistor 1-1 mit einer Struktur mit einem oberen Kontakt und einem unteren Gate unterstützt werden.
  • Des Weiteren wird beim Herstellungsverfahren gemäß der ersten Ausführungsform, welche unter Bezugnahme auf die 2A und 2B beschrieben ist, das Ausbilden der Strukturen für die Sourceelektrode 21s/Drainelektrode 21d auf dem oberen Bereich der Kontaktschicht 19 durchgeführt, welche das Akzeptormaterial oder das Donormaterial als Fremdstoffe oder Verunreinigung im organischen Halbleitermaterial aufweist, durchgeführt. Aus diesem Grund wird selbst dann, wenn Gold (Au), Kupfer (Cu), Silber (Ag) oder dergleichen mittels eines ohmschen Kontakts mit der Kontaktschicht 19 verbunden als Elektrodenmaterialschicht verwendet werden und wenn ein wasserlösliches Ätzmittel in dem Fall des Ausführens eines Strukturätzens davon verwendet wird, die Kontaktschicht 19 nicht beeinflusst. Das bedeutet, dass es möglich ist, einen Dünnschichttransistor 1-1 zu erhalten, der die oben beschriebene Konfiguration besitzt, während die Strukturausbildung einer kleinen Sourceelektrode 21s/Draineiektrode 21d durch Anwenden eines Lithographieverfahrens als Miniaturisierungsprozess erfolgt.
  • Im Ergebnis davon ist es möglich, eine Miniaturisierung des Dünnschichttransistors 1-1 zu erreichen, bei welchem eine Verbesserung seiner Eigenschaften unterstützt wird.
  • 2. Zweite Ausführungsform
  • 3 ist eine Querschnittsansicht eines Dünnschichttransistors 1-2 einer zweiten Ausführungsform. Der Dünnschichttransistor 1-2 aus 3 gleicht dem der ersten Ausführungsform dahingehend, dass der Dünnschichttransistor 1-2 einen Aufbau mit einem oberen Kontakt und einem unteren Gate besitzt. Die Kontaktschicht 19 ist oder wird ausgebildet unter Verwendung eines organischen Halbleitermaterials und eines Akzeptormaterials oder eines Donormaterials. Insbesondere bei der vorliegenden zweiten Ausführungsform ist es charakteristisch, dass der Gehalt oder Inhalt an Akzeptormaterial oder Donormaterial in der Kontaktschicht 19' voneinander teilweise verschieden sind. Andere Strukturen außer derjenigen der Kontaktschicht 19' sind dieselben wie diejenigen in Bezug auf die erste Ausführungsform.
  • Dies bedeutet, dass die Kontaktschicht 19' unterteilt werden kann in einen ersten Bereich oder Abschnitt 19a, der zwischen der organischen Halbleiterschicht 17 und der Sourceelektrode 21s/Draineiektrode 21d angeordnet ist, und einem zweiten Bereich oder Abschnitt 19b zwischen der Sourceelektrode 21s und der Drainelektrode 21d. Unter diesen besitzt der erste Abschnitt 19a einen Aufbau, bei welchem der Gehalt oder Inhalt an Akzeptormaterial und Donormaterial größer ist als in Bezug auf den zweiten Bereich oder Abschnitt 19b. Des Weiteren ist es wünschenswert, den Bereich oder Abschnitt der Kontaktschicht 19', welcher nicht zwischen der organischen Halbleiterschicht 17 und der Sourceelektrode 21s/Draineiektrode 21d angeordnet ist und der nicht angeordnet ist zwischen der Sourceelektrode 21s und der Drainelektrode 21d, als einen zweiten Bereich oder Abschnitt 21b einzustellen. Dabei ist der Gehalt oder Inhalt an Akzeptormaterial oder Donormaterial im ersten Bereich oder Abschnitt 19a eine ausreichende Menge derart, dass der Kontaktwiderstand zwischen der organischen Halbleiterschicht 17 und der Sourceelektrode 21s/der Drainelektrode 21d reduziert oder vermindert ist. Der Inhalt oder Gehalt an Akzeptormaterial oder Donormaterial im ersten Bereich oder Abschnitt 19a wird eingestellt, und zwar ohne vom Inhalt oder Gehalt des zweiten Bereichs oder Abschnitts 19b beeinflusst zu sein oder zu werden.
  • Dabei ist der Gehalt oder Inhalt an Akzeptormaterial oder Donormaterial in dem zweiten Bereich oder Abschnitt 19b zum Beispiel gleich zu oder geringer als ein Wert eingestellt, gemäß welchem der OFF-Strom, welcher zwischen der Sourceelektrode 21s und der Drainelektrode 21d über die Kontaktschicht 19' fließt, gehalten wird, zum Beispiel gleich zu oder geringer als ein Wert 10–12 A.
  • Des Weiteren kann der Gehalt oder Inhalt an Akzeptormaterial oder Donormaterial im zweiten Bereich oder Abschnitt 19b Null sein. Der Gehalt oder Inhalt an Akzeptormaterial oder Donormaterial im zweiten Bereich oder Abschnitt 19b ist oder wird eingestellt, ohne vom Gehalt oder Inhalt in Bezug auf den ersten Bereich oder Abschnitt 19a beeinflusst zu sein oder zu werden.
  • Bei einer derartigen Kontaktschicht 19' ist es wünschenswert, dass das organische Halbleitermaterial, welches den ersten Bereich oder Abschnitt 19a und den zweiten Bereich oder Abschnitt 19b bildet, ein Material ist, welches denselben Leitfähigkeitstyp besitzt wie das organische Halbleitermaterial, welches die organische Halbleiterschicht 17 bildet. Das organische Halbleitermaterial, welches die Kontaktschicht 19' bildet, kann ein Material sein, welches unterschiedlich ist zu dem organischen Halbleitermaterial, welches die organische Halbleiterschicht 17 bildet.
  • Wenn der Leitfähigkeitstyp der organischen Halbleiterschicht 17 ein p-Typ ist, wird die Kontaktschicht 19 gebildet durch die Verwendung des organischen Halbleitermaterials mit einem Leitfähigkeitstyp vom p-Typ und dem Akzeptormaterial. Wenn dagegen der Leitfähigkeitstyp der organischen Halbleiterschicht 17 ein n-Typ ist, wird die Kontaktschicht 19 gebildet durch Verwendung des organischen Halbleitermaterials mit einem Leitfähigkeitstyp vom n-Typ und dem Donormaterial.
  • Herstellungsverfahren
  • Ein Verfahren zum Herstellen des Dünnschichttransistors 1-2 gemäß der zweiten Ausführungsform in der oben beschriebenen Art wird nun nachfolgend beschrieben.
  • Zunächst wird in derselben Reihenfolge, wie dies im Zusammenhang mit den 1 bis 2B der ersten Ausführungsform beschrieben wurde und der Prozess durchgeführt, bis der Dünnschichttransistor 1-1 mit dem Aufbau gemäß der ersten Ausführungsform ausgebildet ist. Jedoch ist es zu diesem Zeitpunkt wichtig, dass das Akzeptormaterial oder das Donormaterial in einer ausreichenden Menge enthalten ist, nämlich in einer Menge, dass der Kontaktwiderstand zwischen der organischen Halbleiterschicht 17 und der Sourceelektrode 21s/Drainelektrode 21d vermindert ist, um die Kontaktschicht 19 auszubilden. Dann wird ein Vorgang des Entfernens des Akzeptormaterials oder des Donormaterials aus der Kontaktschicht 19 durchgeführt, und zwar durch Verwenden der Sourceelektrode 21s/Drainelektrode 21d als Maske. Im Ergebnis davon ist der Gehalt oder Inhalt an Akzeptormaterial oder Donormaterial im Kontaktschichtbereich, der von der Sourceelektrode 21s/Drainelektrode 21d freigelegt ist oder frei geblieben ist geringer als derjenige des Kontaktschichtbereichs, welcher mit der Sourceelektrode 21s/Drainelektrode 21d bedeckt oder abgedeckt ist. Darüber hinaus wird, wie das in 3 dargestellt ist, die Kontaktschicht 19' ausgebildet, welche den ersten Bereich oder Abschnitt 19a aufweist, in welchem der Gehalt oder Inhalt an Akzeptormaterial oder Donormaterial hoch aufrecht erhalten wird, und den zweiten Bereich oder Abschnitt 19b, in welchem der Gehalt oder Inhalt so angepasst ist oder wird, dass er geringer ist als derjenige des ersten Bereichs oder Abschnitts 19a.
  • Heim Entfernen des Akzeptormaterials oder Donormaterials, bei welchem die Sourceelektrode 21s/die Drainelektrode 21d als Maske verwendet wird, können zum Beispiel zwei der nachfolgend beschriebenen Verfahren verwendet werden.
  • Ein erstes dieser Verfahren ist ein Verfahren des selektiven Entfernens des Akzeptormaterials oder Donormaterials aus oder von der Kontaktschicht (19) durch Ätzen unter Verwendung der Sourceelektrode 21s/Drainelektrode 21d als Maske. In einem derartigen Fall wird das Nassätzen unter Verwendung der Ätzlösung, welche selektiv ausschließlich das Akzeptormaterial oder Donormaterial löst, auf dem organischen Halbleitermaterial ausgeführt. Im Ergebnis davon wird derjenige oder Abschnitt, der mit der Sourceelektrode 21s/der Drainelektrode 21d abgedeckt oder bedeckt ist, vor der Ätzlösung geschützt und das Akzeptormaterial oder Donormaterial wird vorzugsweise aus demjenigen Bereich oder Abschnitt gelöst, welcher von der Sourceelektrode 21s/Drainelektrode 21d freigelegt ist oder war. Darüber hinaus kann als Ätzlösung eine wässrige Lösung verwendet werden. Als ein Beispiel in dem Fall des Ausbildens der Kontaktschicht 19' vom p-Typ wird Pentacen als organisches Halbleitermaterial, Molybdänoxid (MoO3) als Akzeptormaterial und Wasser als Ätzlösung für das Akzeptormaterial verweridet. In dem Fall des Ausbildens der Kontaktschicht 19' vom n-Typ kann Perfluorpentacen als organisches Halbleitermaterial, Rubidiumcarbonat (Rb2CO3) als Donormaterial und Wasser als Ätzlösung für das Donormaterial verwendet werden.
  • Das selektive Entfernen des Akzeptormaterials oder des Donormaterials durch Nassätzen in der oben beschriebenen Art und Weise kann durch denselben Vorgang ausgeführt werden wie das Nassätzen, wenn die Strukturausbildung der Sourceelektrode 21s/der Drainelektrode 21d durchgeführt wird, oder beim Entfernen der Resistmaske, die bei der Strukturausbildung verwendet wird. Darüber hinaus kann ein selektives Entfernen zu einem derartigen Prozess hinzugefügt werden.
  • Nachfolgend wird ein zweites Verfahren dargestellt, welches ein Verfahren des selektiven Sublimierens und Entfernens des Akzeptormaterials oder des Donormaterials durch ein Wärmebehandlung unter Verwendung der Sourceelektrode 21s/der Drainelektrode 21d als Maske ist. In diesem Fall wird die Wärmebehandlung durchgeführt bei einer Temperatur, die gleich ist zu oder geringer als die Sublimationstemperatur des organischen Halbleitermaterials, welches die Kontaktschicht 19' bildet, und einer Temperatur die gleich ist zu oder höher ist als die Sublimationstemperatur des Akzeptormaterials oder der Donormaterials. Aus diesem Grund ist es wichtig, dass das organische Halbleitermaterial, welches die Kontaktschicht 19' bildet, eine Sublimationstemperatur aufweist, die höher ist als diejenige des Akzeptormaterials oder der Donormaterials, welche die Kontaktschicht 19' bilden.
  • Vom Standpunkt der Sicherung des Materials aus betrachtet ist es wünschenswert, dass das organische Halbleitermaterial, welches die organische Halbleiterschicht 17 bildet auch eine Sublimationstemperatur besitzt, die hoher ist als diejenige des Akzeptormaterials oder des Donormaterials, welche die Kontaktschicht 19' bilden. Zusätzlich ist es wünschenswert und bevorzugt, dass die Temperatur der Wärmebehandlung geringer ist als die Sublimationstemperatur des organischen Halbleitermaterials, welches die organische Halbleiterschicht 17 bildet, und niedriger als die Glasübergangstemperatur jedes organischen Halbleitermaterials, welche die Kontaktschicht 19' und die organische Halbleiterschicht 17 bilden.
  • Beispielsweise wird in einem Fall des Ausbildens der Kontaktschicht 19' vom p-Typ Pentacen als organisches Halbleitermaterial und Tetrafluor-1,4-benzochinon als Akzeptormaterial verwendet, wodurch das Ausführen der Wärmebehandlung bei einer Zwischentemperatur erfolgt. Im Fall des Ausbildens einer Kontaktschicht 19' vom n-Typ wird ein Fulleren als organisches Halbleitermaterial und Tetrathiafulvalen als Donormaterial verwendet, wodurch die Wärmebehandlung bei einer Zwischentemperatur erfolgen kann. Vom Standpunkt der Sicherheit des Materials der organischen Halbleiterschicht aus betrachtet, ist es wünschenswert, dass die Temperatur der Wärmebehandlung niedrig ist. Gemäß der oben beschriebenen zweiten Ausführungsform wird zwischen der organischen Halbleiterschicht 17 und der Sourceelektrode 21s/der Drainelektrode 21d die Kontaktschicht 19' vorgesehen, welche das Akzeptormaterial oder das Donormaterial in Bezug auf das organische Halbleitermaterial als Fremdstoffe oder Verunreinigungen enthält. im Ergebnis davon ist es in ähnlicher Art und Weise wie bei der ersten Ausführungsform möglich, dass die Kontaktschicht 19 eine bessere Leitfähigkeit besitzt als die organische Halbleiterschicht 17, wodurch der Kontaktwiderstand zwischen der organischen Halbleiterschicht 17 und der Sourceelektrode 21s/der Drainelektrode 21d vermindert oder reduziert ist oder wird. Darüber hinaus ist es möglich, den Bulkwiderstand zu verringern, der von der Distanz oder dem Abstand (das bedeutet der geringen Schichtstärke der organischen Halbleiterschicht 17) zum Kanalbereich ch abhängt, der auf der Sourceelektrode 21s/der Drainelektrode 21d und der organischen Halbleiterschicht 17 ausgebildet ist. Als Konsequenz davon ist es möglich, eine Verbesserung in Bezug auf den ON-Strom und die Steilheit oder Schärfe der Steigung unterhalb eines Schwellwerts oder des Durchbruchs im Dünnschichttransistor 1-2 mit einem Aufbau mit einem oberen Kontakt und einem unteren Gate zu verbessern und zu unterstützen.
  • Darüber hinaus wird bei der zweiten Ausführungsform der Gehalt oder Inhalt des Akzeptormaterials oder Donormaterials in der Kontaktschicht 19' so eingestellt, dass er höher ist als oder um den ersten Bereich oder Abschnitt 19a, der zwischen der organischen Halbleiterschicht 17 und der Sourceelektrode 21s/der Drainelektrode 21d angeordnet ist. Im Ergebnis davon ist der Gehalt oder Inhalt des Akzeptormaterials oder Donormaterials im ersten Bereich 19a einstellbar auf einen ausreichenden Wert derart, dass der Kontaktwiderstand zwischen der organischen Halbleiterschicht 17 und der Sourceelektrode 21s/der Drainelektrode 21d reduziert oder vermiridert ist oder wird. Andererseits kann der Gehalt oder Inhalt an Akzeptormaterial oder Donormaterial in dem zweiten Bereich oder Abschnitt 19b zwischen der Sourceelektrode 21s und der Drainelektrode 21d auf einen geringen Wert derart eingestellt werden, dass der OFF-Strom in ausreichender Weise auf einen niedrigen Wert gehalten werden kann. Als Konsequenz davon ist es, verglichen mit der ersten Ausführungsform, möglich, in verlässlicher Art und Weise den OFF-Strom zu unterdrücken, während die Möglichkeit des Unterstützens einer Verbesserung im ON-Strom und in der Steilheit oder Schärfe des Verlaufs oder der Steigung unterhalb eines Schwellwerts oder des Durchbruchs beibehalten werden.
  • Des Weiteren ist es bei einem Herstellungsverfahren in Bezug auf die zweite Ausführungsform in der oben beschriebenen Art und Weise möglich, einen Dünnschichttransistor 1-2 mit einem Aufbau zu erhalten, bei welchem ein unterschiedlicher Gehalt oder Inhalt an Akzeptormaterial oder Donormaterial beim ersten Bereich oder Abschnitt 19a und beim zweiten Bereich oder Abschnitt 19b in der oben beschriebenen Art und Weise vorliegt. Selbst bei der Herstellung der zweiten Ausführungsform wird die Ausbildung der Struktur der Sourceelektrode 21s/der Drainelektrode 21d auf dem oberen Bereich oder Abschnitt der Kontaktschicht 19, welche das Akzeptormaterial oder das Donormaterial als Verunreinigungen im organischen Halbleitermaterial enthält, durchgeführt. Im Ergebnis davon ist es möglich, die Miniaturisierung des Dünnschichttransistors 1-2 zu erreichen, bei welcher eine Verbesserung in den Eigenschaften in ähnlicher Art und Weise unterstützt wird, wie dies bei der ersten Ausführungsform der Fall ist.
  • 3. Dritte Ausführungsform
  • Die 4A und 4B sind eine Querschnittsansicht bzw. eine Draufsicht auf einen Dünnschichttransistor 1-3 gemäß einer dritten Ausführungsform. Die Querschnittsansicht korrespondiert mit den Schnitten IVB-IVB der Draufsicht. Der Dünnschichttransistor 1-3 aus den 4A und 4B besitzt einen Aufbau mit einem oberen Kontakt und einem unteren Gate in ähnlicher Art und Weise wie bei den ersten und zweiten Ausführungsformen. Er unterscheidet sich jedoch von den anderen Ausführungsformen dahingehend, dass eine Schutzschicht 22 auf einem Kanalbereich der organischen Halbleiterschicht 17 vorgesehen ist. Das bedeutet, dass auf dem Substrat 11 die Gateisolationsschicht 15 in einem Zustand vorgesehen ist, bei welchem die Gateelektrode 13 abgedeckt wird. Die organische Halbleiterschicht 17 ist auf dem oberen Bereich oder Abschnitt der Gateisolationsschicht 15 vorgesehen. Die organische Halbleiterschicht 17 wird inselartig strukturiert zum Abdecken der Gateelektrode 13 in der Breitenrichtung und ist in einem Zustand vorgesehen, bei welchem sie auf der Gateelektrode 13 über der oder mittels der Gateisolationsschicht 15 aufgeschichtet oder aufgestapelt ist. Die Schutzschicht 22 ist auf der Gateelektrode 13 aufgeschichtet oder aufgestapelt und besitzt eine Gestalt, welche den Kanalbereich ch, welcher auf der organischen Halbleiterschicht 17 ausgebildet ist, abdeckt und die organische Halbleiterschicht 17 in einem Bereich an beiden Seiten der Gateelektrode 13 freilegt oder frei lässt. Auf der Gateisolationsschicht 15, welche mit der Schutzschicht 22 versehen ist, ist die Kontaktschicht 19 in einem Zustand vorgesehen, bei welchem diese auf der organischen Halbleiterschicht 17, die von der Schutzschicht 22 freigelegt ist, aufgestapelt oder aufgeschichtet ist. Die Kontaktschicht 19 ist zum Beispiel auf der gesamten Fläche oder Oberfläche der Gateisolationsschicht 15 vorgesehen. Auf der Kontaktschicht 19 sind die Sourceelektrode 21s/die Drainelektrode 21d in einer Position oder Anordnung vorgesehen, wo sie einander gegenüberliegen, und zwar mit der Gateelektrode 13 dazwischen. Die Sourceelektrode 21s/Drainelektrode 21d sind in einem Zustand vorgesehen, in welchem die Endbereiche davon oberhalb der Schutzschicht 22 angeordnet sind und auf der organischen Halbleiterschicht 17 über der Kontaktschicht 19 an beiden Seiten der Schutzschicht 22 überlappen. Dabei ist die Schutzschicht 22 als einzige Komponente bei der dritten Ausführungsform auf zumindest der Gateelektrode 13 in einer Gestalt oder Form zum Abdecken des Kanalbereichs ch vorgesehen, der auf der organischen Halbleiterschicht 17 ausgebildet ist. Darüber hinaus sind auf beiden Seiten der Schutzschicht 22 die Sourceelektrode 21s/die Drainelektrode 21d mit der organischen Halbleiterschicht 17 über die Kontaktschicht 19 oder mittels der Kontaktschicht 19 verbunden. Also ist der Kanalbereich ch auf der organischen Halbleiterschicht 17 auf oder in einem Bereich des unteren Bereichs oder Abschnitts der Schutzschicht 22 ausgebildet, wodurch die Breite oder Weite der Gateelektrodenrichtung in der Schutzschicht 22 gleich wird zur Kanallänge L. Darüber hinaus nehmen die Breiten oder Weiten der Sourceelektrode 21s/der Drainelektrode 21d die Breite W des Kanals an.
  • Die Schutzschicht 22 wird gebildet von einem isolierenden Material und wird zum Beispiel von einem fotoempfindlichen Resistmaterial gebildet.
  • Des Weiteren kann die Kontaktschicht 19 auf der Schutzschicht 22 geschichtet oder gestapelt werden. Wünschenswert ist, dass die Kontaktschicht 19 sich in einem Zustand befindet, bei welchem sie unterteilt ist durch einen oberen Bereich oder Abschnitt und einen unteren Bereich oder Abschnitt der Schutzschicht durch eine Stufe der Schichtstärke der Schutzschicht 22. Des Weiteren kann die Kontaktschicht 19 auf der Schutzschicht 22 unterteilt sein. In diesem Fall kann in der Kontaktschicht 19 eine Unterteilungsausnehmung (division groove) auf der Schutzschicht 22 ausgebildet sein. Die Unterteilungsausnehmung ist zumindest über eine Breitenrichtung der Sourceelektrode 21s/Drainelektrode 21d und vorzugsweise in einem Zustand vorgesehen, in welchem die organische Halbleiterschicht 17 in Inselform gekreuzt oder überquert wird.
  • Die Kontaktschicht kann in der zuvor beschriebenen Art und Weise das organische Halbleitermaterial und das Akzeptormaterial oder Donormaterial in derselben Art und Weise aufweisen wie bei der ersten Ausführungsform. Jedoch kann bei der vorliegenden dritten Ausführungsform der Gehalt oder Inhalt an Akzeptormaterial oder Donormaterial in der Kontaktschicht 19 auf einen Wert eingestellt sein oder werden, der höher liegt als bei den ersten und zweiten Ausführungsformen. Selbst in diesem Fall wird oder ist die Kontaktschicht 19 durch die Stufe der Schutzschicht 22 unterteilt, wodurch der OFF-Strom nicht zwischen der Sourceelektrode 21s und der Drainelektrode 21d über die oder mittels der Kontaktschicht 19 fließt. Des Weiteren muss in einem Fall, bei welchem ein benachbarter Dünnschichttransistor vorliegt, das Akzeptormaterial oder das Donormaterial in der Kontaktschicht 19 in einem Ausmaß unterdrückt werden, dass das Element isoliert werden kann.
  • Des Weiteren sind Details im Zusammenhang mit der materiellen Ausgestaltung jedes Bauteils außer der Kontaktschicht 19 und der Schutzschicht 22 identisch zu denen der ersten Ausführungsform.
  • Herstellungsverfahren
  • Nachfolgend wird ein Herstellungsprozess für einen Dünnschichttransistor 1-3 gemäß der dritten Ausführungsform auf der Grundlage des Querschnittsprozessdiagramms der 5A bis 5C beschrieben.
  • Zunächst wird, wie das in 5A dargestellt ist, die Ausbildung eines Musters oder einer Struktur für die Gateelektrode 13 auf dem Substrat 11 durchgeführt. Die strukturierte Gateelektrode 13 wird mit der Gateisolationsschicht 15 bedeckt oder abgedeckt. Dieser Vorgang wird in ähnlicher Art und Weise wie bei der ersten Ausführungsform durchgeführt. Nachfolgend wird an einer Position oder Stelle des Abdeckens der Gateelektrode 13 auf der Gateisolationsschicht 15 ausschließlich die organische Halbleiterschicht 17 inselartig oder inselförmig strukturiert. Die Ausbildung der Struktur der organischen Halbleiterschicht 17 ist dieselbe, wie sie im Zusammenhang mit der ersten Ausführungsform beschrieben wurde und wird durchgeführt durch Anwenden eines Strukturdampfabscheidungsverfahrens (pattern vapor deposition method) unter Verwendung der Maske oder durch Anwenden eines Druckverfahrens. Ferner kann, wenn die organische Halbleiterschicht 17 nicht strukturiert wird und die Elemente nicht isoliert werden müssen, die organische Halbleiterschicht 17 aufgebracht und ausgebildet werden.
  • Nachfolgend wird, wie das im Zusammenhang mit 5B dargestellt ist, die Schutzschicht 22 auf der Gateisolationsschicht 15 ausgebildet, die mit der organischen Halbleiterschicht 17 ausgebildet ist oder wurde. Dabei kann zum Beispiel die Schutzschicht 22, welche von dem fotoempfindlichen Resistmaterial gebildet wird, mittels eines Lithographieverfahrens hergestellt werden. Im Ergebnis davon wird auf der Gateelektrode 13 im organischen Halbleitermaterial 17 die Schutzschicht 22 ausgebildet, wobei deren Größe dabei so gesteuert oder geregelt wird, dass sie in akkurater und genauer Art und Weise die Kanalbreite einhält. Dabei ist es wünschenswert, dass die Schichtstärke der Schutzschicht 22 so gewählt wird, dass sie ausreichend stark ist, und zwar in einem Ausmaß, das die Kontaktschicht 19, die später ausgebildet wird, durch die Stufe in der Schutzschicht 22 unterteilt wird. Des Weiteren kann die Schutzschicht 22 von einem anorganischen Isolationsmaterial gebildet werden. In diesem Fall kann das anorganische Isolationsmaterial unter Verwendung einer Resiststruktur als Maske geätzt werden.
  • Nachfolgend wird, wie das im Zusammenhang mit 5C dargestellt ist, durch die Schichtausbildung vom oberen Bereich oder Abschnitt der Schutzschicht 22 die Kontaktschicht 19, welche den oberen Bereich oder Abschnitt der Gateisolationsschicht 15 bedeckt oder abdeckt, ausgebildet. Dabei werden zum Beispiel das organische Halbleitermaterial und das Akzeptormaterial oder das Donormaterial gemeinsam oder koabgeschieden, um die Kontaktschicht 19 auszubilden. Ferner kann zum Beispiel die Kontaktschicht 19 unter Verwendung einer Farbstoffflüssigkeit oder Tintenflüssigkeit (ink liquid) gedruckt und ausgebildet werden, wobei in der Flüssigkeit das organische Halbleitermaterial und das Akzeptormaterial oder das Donormaterial miteinander gemischt vorgesehen sind, sodass dadurch ein Druckverfahren angewandt wird. Zusätzlich kann die Kontaktschicht 19 unter Verwendung einer Auftragungsflüssigkeit aufgebracht und ausgebildet werden, in welcher das organische Halbleitermaterial und das Akzeptormaterial oder das Donormaterial mlteinander gemischt vorgesehen sind.
  • Nachfolgend werden dann, wie das im Zusammenhang mit den 4A und 4B dargestellt ist, auf der Kontaktschicht 19 die Sourceelektrode 21s und die Drainelektrode 21d ausgebildet. Dabei werden Endbereiche oder Endabschnitte davon aneinander gegenüberliegend oder gegenüberstehend auf der Schutzschicht 22 angeordnet. Bei der Ausbildung der Sourceelektrode 21s/der Drainelektrode 21d kann zum Beispiel ein Verfahren unter der Verwendung einer Abschattungsmaske verwendet werden. Des Weiteren können die Elektroden als Miniaturstrukturen oder kleine Strukturen durch Anwenden eines Lithographieverfahrens in der gleichen Art und Weise wie bei der ersten Ausführungsform ausgebildet werden.
  • Darüber hinaus kann in einem Fall, bei welchem die Kontaktschicht 19 nicht durch einen oberen Bereich und einen unteren Bereich der Schutzschicht 22 zu diesem Zeitpunkt unterteilt wird, ein Vorgang des Unterteilens der Kontaktschicht 19 auf der Schutzschicht 22 durchgeführt werden.
  • In diesem Fall ist es wünschenswert, einen Vorgang des Entfernens und Unterteilens eines Bereichs der Kontaktschicht 19, welcher zwischen der Sourceelektrode 21s/der Drainelektrode 21d freigelegt oder frei geblieben ist, durch Laserablation durchzuführen.
  • Bei der dritten Ausführungsform wird in der oben beschriebenen Art und Weise und in ähnlicher Art und Weise wie bei der ersten Ausführungsform zwischen der organischen Halbleiterschicht 17 und der Sourceelektrode 21s/der Drainelektrode 21d die Kontaktschicht 19 ausgebildet, welche das Akzeptormaterial oder das Donormaterial als Fremdstoffe oder Verunreinigungen im organischen Halbleitermaterial enthält. Im Ergebnis davon besitzt in ähnlicher Art und Weise wie bei der ersten Ausführungsform die Kontaktschicht 19 eine bessere Leitfähigkeit als die organische Halbleiterschicht 17, wodurch der Kontaktwiderstand zwischen der organischen Halbleiterschicht 17 und der Sourceelektrode 21s/der Drainelektrode 21d vermindert wird.
  • Des Weiteren kann insbesondere bei der vorliegenden dritten Ausführungsform der obere Bereich oder Abschnitt des Kanalbereichs ch mit der Schutzschicht 22 bedeckt oder abgedeckt werden. Selbst dann, wenn die organische Halbleiterschicht 17 so ausgebildet ist, dass sie eine extrem dünne Schichtstärke aufweist, kann die gewünschte oder erwartete extrem dünne Schichtstärke aufrecht erhalten werden. Im Ergebnis davon ist es möglich, den Bulkwiderstand, welcher von der Distanz oder dem Abstand (das heißt von der Schichtstärke der organischen Halbleiterschicht 17) zum Kanalbereich ch abhängt, der auf der Sourceelektrode 21s/der Drainelektrode 21d und der organischen Halbleiterschicht 17 ausgebildet ist, reduziert werden. Zusätzlich wird die Kontaktschicht 19 durch den oberen Bereich oder Abschnitt und den unteren Bereich oder Abschnitt der Schutzschicht 22 unterteilt. Im Ergebnis davon ist es möglich, einen Anstieg im OFF-Strom durch die Kontaktschicht 19 zu verhindern. Folglich ist es möglich, eine Verbesserung des ON-Stroms und eine Verschärfung oder Steilheit der Steigung oder des Verlaufs unterhalb eines Schwellwerts oder unterhalb des Durchbruchs im Dünnschichttransistor 1-3 mit einem Aufbau mit einem oberen Kontakt und einem unteren Gate zu unterstützen.
  • Des Weiteren kann selbst bei dem Herstellungsverfahren gemäß der dritten Ausführungsform die Strukturausbildung für die Sourceelektrode 21s/die Drainelektrode 21d auf dem oberen Bereich oder Abschnitt der Kontaktschicht 19 durchgeführt werden, welche das Akzeptormaterial oder das Donormaterial als Verunreinigungen oder Fremdstoffe in dem organischen Halbleitermaterial enthält. Im Ergebnis davon kann in ähnlicher Art und Weise wie bei der ersten Ausführungsform eine Miniaturisierung des Dünnschichttransistors 1-3 erreicht werden, wobei eine Verbesserung der Eigenschaften unterstützt werden kann.
  • Des Weiteren kann die vorliegende dritte Ausführungsform auch mit der zweiten Ausführungsform kombiniert werden. In diesem Fall wird in einem Zustand gemäß den 4A und 4B ein Vorgang ausgeführt, welcher das Akzeptormaterial oder das Donormaterial aus der Kontaktschicht 19 unter Verwendung der Sourceelektrode 21s/der Drainelektrode 21d als Maske entfernt. Dieser Prozess kann in derselben Art und Weise durchgeführt werden, wie dies im Zusammenhang mit der zweiten Ausführungsform beschrieben wurde. Auf diese Art und Weise kann durch Kombinieren der vorliegenden dritten Ausführungsform mit der zweiten Ausführungsform die Möglichkeit geschaffen werden, den Gehalt oder Inhalt an Akzeptormaterial oder Donormaterial in dem Bereich der Kontaktschicht 19 unterhalb der Sourceelektrode 21s/der Drainelektrode 21d höher auszubilden als in anderen Bereichen. Im Ergebnis davon ist es möglich, das Akzeptormaterial oder das Donormaterial in einer ausreichenden Menge in dem Bereich in der Kontaktschicht 19 unterhalb der Sourceelektrode 21s/der Drainelektrode 21d einzustellen, und zwar in einem Ausmaß, dass der Kontaktwiderstand zwischen der organischen Halbleiterschicht 17 und der Sourceelektrode 21s/der Drainelektrode 21d vermindert ist oder wird. Andererseits kann der Gehalt oder Inhalt an Akzeptormaterial oder Donormaterial in anderen Bereichen oder Abschnitten der Kontaktschicht 19 so eingestellt werden, dass ein geringer Wert oder kleiner Wert erreicht wird, und zwar in einem Ausmaß, dass die Elemente oder Bauelemente in einem ausreichendem Maße isoliert sind oder werden.
  • Als Konsequenz davon ist es möglich, einen Aufbau für einen Dünnschichttransistor zu erhalten, der in der Lage ist, für eine Höchstintegration geeignet zu sein, während gleichzeitig die Fähigkeit vorliegt, eine Verbesserung im Hinblick auf den ON-Strom und einer Verstärkung oder Verschärfung der Steigung oder des Verlaufs unterhalb eines Schwellwerts oder unterhalb des Durchbruchs zu unterstützen.
  • 4. Vierte Ausführungsform
  • Die 6A und 6B sind eine Querschnittsansicht bzw. eine Draufsicht auf einen Dünnschichttransistor 1-4 einer vierten Ausführungsform. Die Querschnittsansicht korrespondiert zu den Schnitten VIB-VIB in der Draufsicht. Der Dünnschichttransistor 1-4, der in den 6A und 6B gezeigt ist, besitzt einen Aufbau mit einem oberen Kontakt und einem unteren Gate (top contact bottom gate structure), und zwar in ähnlicher Art und Weise zu den zuvor beschriebenen ersten bis dritten Ausführungsformen. Er unterscheidet sich von den anderen Ausführungsformen dahingehend, dass eine Schutzschicht 23 vorgesehen ist, welche in weiter oder breiter Art und Weise den oberen Abschnitt oder Bereich der Gateisolationsschicht 15 bedeckt oder abdeckt, der mit der organischen Halbleiterschicht 17 vorgesehen ist oder wird.
  • Das bedeutet, dass auf dem Substrat 11 die Gateisolationsschicht 15 in einem Zustand vorgesehen ist oder wird, bei welchem diese die Gateelektrode 13 abdeckt oder bedeckt. Die organische Halbleiterschicht 17 wird auf dem oberen Bereich oder Abschnitt der Gateisolationsschicht 15 vorgesehen. Das organische Halbleitermaterial 17 wird inselartig oder inselförmig zum Abdecken der Gateelektrode 13 in der Breitenrichtung strukturiert. Sie wird vorgesehen in einem Zustand, bei welchem sie auf der Gateelektrode 13 über der oder mittels der Gateisolationsschicht 15 aufgeschichtet oder aufgestapelt ist oder wird. Eine Schutzschicht 23 wird auf der Gateisolationsschicht 15, welche mit der organischen Halbleiterschicht 17 vorgesehen ist oder wird, vorgesehen. Die Schutzschicht 23 wird auf der Gateelektrode 13 aufgeschichtet oder aufgestapelt und besitzt eine Öffnung 23a, welche die organische Halbleiterschicht 17 an einer Position oder Stelle freilegt, welche in Bezug auf die Gateelektrode 13 dazwischen gegenüberliegend angeordnet ist. Auf der Schutzschicht 23 wird die Kontaktschicht 19 in einem Zustand vorgesehen, bei welchem sie auf der organischen Halbleiterschicht 17 in einem unteren Bereich der Öffnung 23a aufgeschichtet oder aufgestapelt ist. Darüber hinaus werden auf der Schutzschicht 23 die Sourceelektrode 21s/die Drainelektrode 21d in einer Stellung oder Position angeordnet, um gegenüberliegend mit der Gateelektrode 13 dazwischen angeordnet zu sein. Die Sourceelektrode 21s/die Drainelektrode 21d werden in einen Zustand vorgesehen, bei welchem sie auf der Kontaktschicht 19 im unteren Bereich oder Abschnitt der Öffnungen 23a überlappen, welche gegenüberliegend mit der Gateelektrode 13 dazwischen angeordnet sind.
  • Dabei ist die Schutzschicht 23 im Hinblick auf die vierte Ausführungsform ein spezieller Bestandteil und wird in einer Gestalt ausgebildet und vorgesehen, welche den oberen Bereich des Kanalbereichs ch abdeckt, der auf der organischen Halbleiterschicht 17 zumindest auf der Gateelektrode 13 ausgebildet ist. Darüber hinaus sind auf der unteren Fläche der Öffnung 23a die Sourceelektrode 21s/die Dreinelektrode 21d mit der organischen Halbleiterschicht 17 über die oder mittels der Kontaktschicht 19 verbunden. Folglich wird der Kanalbereich ch im Bereich oder Abschnitt der organischen Halbleiterschicht 17 zwischen den Öffnungen 23a–23a ausgebildet und der Raum zwischen den Öffnungen 23a–23a wird zur Kanallänge L.
  • Wie dargestellt ist, wird ferner, wenn jede Öffnung 23a eine unabhängige Lochgestalt besitzt und die organische Halbleiterschicht 17 auf der gesamten Oberfläche des unteren Bereichs oder Abschnitts freigelegt ist oder bleibt, die Breite der Öffnung 23a entlang einer Erstreckungsrichtung der Gateelektrode 13 zur Kanalbreite oder Kanalweite W. Falls darüber hinaus die Schutzschicht 23 zumindest eine Gestalt oder Form zum Abdecken oder Bedecken des oberen Bereichs oder Abschnitts des Kanalbereichs ch aufweist, der auf der organischen Halbleiterschicht 17 ausgebildet ist, muss die Schutzschicht 23 nicht die gesamte Fläche oder Oberfläche des Substrats abdecken, sondern sie kann eine inselförmige Struktur besitzen. In diesem Fall werden die Breiten oder Weiten der Sourceelektrode 21s/der Dreinelektrode 21d zur Kanalbreite oder Kanalweite.
  • Die Schutzschicht 23 wird in der oben beschriebenen Art und Weise von einem Isolationsmaterial oder isolierenden Material gebildet und wird zum Beispiel mittels eines fotoempfindlichen Resistmaterials strukturiert, wobei die jeweilige Öffnung 23a fotolithographisch ausgebildet wird.
  • Darüber hinaus kann auch die Kontaktschicht 19 stapelartig oder schichtartig auf der Schutzschicht 23 zusammen mit der organischen Halbleiterschicht 17 des unteren Bereichs oder Abschnitts der Öffnung 23a der Schutzschicht 23 ausgebildet werden. Es ist wünschenswert, dass die Kontaktschicht 19 in einem Zustand vorliegt, bei welchem sie auf den unteren Bereich oder Abschnitt der Öffnung 23a und der Schutzschicht 23 durch die Stufe des Bereichs oder Abschnitts der Öffnung 23a unterteilt ist. Darüber hinaus kann auf der Schutzschicht 23 die Kontaktschicht 19 zwischen den zwei Öffnungen 23a–23a unterteilt sein. In diesem Fall kann auf oder in der Kontaktschicht 19 eine Unterteilungsausnehmung auf der Schutzschicht 23 zwischen den Öffnungen 23a–23a vorgesehen sein oder werden. Die Unterteilungsausnehmung wird zumindest über einem Bereich oder Abschnitt zwischen den Öffnungen 23a–23a vorgesehen. Sie wird vorzugsweise in einem Zustand ausgebildet, bei welchem sie die organische Halbleiterschicht 17 in Inselform oder Inselgestalt kreuzt oder überquert.
  • Die Kontaktschicht 19 enthält in der oben beschriebenen Art und Weise das organische Halbleitermaterial und das Akzeptormaterial oder Donormaterial in derselben Art und Weise wie bei der ersten Ausführungsform. Jedoch kann bei der vorliegenden vierten Ausführungsform der Gehalt oder Inhalt an Akzeptormaterial oder Donormaterial in der Kontaktschicht 19 so eingestellt sein oder werden, dass er einen höheren Wert annimmt als in den ersten bis dritten Ausführungsformen. Zum Beispiel kann die Kontaktschicht nur das Akzeptormaterial oder nur das Donormaterial enthalten. Selbst in diesem Fall wird die Kontaktschicht 19 zwischen den Öffnungen 23a–23a unterteilt, wodurch bewirkt wird, dass der OFF-Strom zwischen der Sourceelektrode 21s und der Drainelektrode 21d mittels der oder über die Kontaktschicht 19 nicht fließt.
  • Darüber hinaus sind weitere Details, zum Beispiel in Bezug auf die materiellen Zusammensetzungen jedes Bestandteils und jeder Komponente außer derjenigen der Kontaktschicht 19 und der Schutzschicht 23 dieselben wie sie im Zusammenhang mit der ersten Ausführungsform beschrieben wurden.
  • Herstellungsverfahren
  • Nachfolgend wird auf der Grundlage der Querschnittsprozessdiagramme der 7A und 7B ein Herstellungsverfahren für den Dünnschichttransistor 1-4 der vierten Ausführungsform beschrieben.
  • Zunächst wird, wie das in 7A dargestellt ist, eine Struktur für die Gateelektrode 13 auf dem Substrat 11 ausgebildet. Die strukturierte Gateelektrode 13 wird mit der Gateisolationsschicht 15 bedeckt oder abgedeckt. Dieser Vorgang wird in ähnlicher Art und Weise wie bei der ersten Ausführungsform durchgeführt. Nachfolgend wird an einer Stelle oder Position des Überdeckens der Gateelektrode 13 auf der Gateisolationsschicht 15 ausschließlich die organische Halbleiterschicht 17 in Inselform strukturiert. Die Ausbildung der Struktur der organischen Halbleiterschicht 17 ist dieselbe, wie sie im Zusammenhang mit der ersten Ausführungsform beschrieben wurde. Sie wird durchgeführt durch Verwenden eines Strukturdampfabscheidungsverfahrens unter Verwendung einer Maske oder mittels eines Druckverfahrens. Wenn die organische Halbleiterschicht 17 nicht strukturiert wird und die Elemente nicht isoliert werden müssen, kann darüber hinaus die organische Halbleiterschicht 17 aufgebracht und ausgebildet werden.
  • Nachfolgend wird, wie das in 7B dargestellt ist, die Schutzschicht 23 ausgebildet, die mit der organischen Halbleiterschicht 17 ausgebildet ist. Dabei wird zum Beispiel die Schutzschicht 23 von einem fotoempfindlichen Resistmaterial gebildet, zum Beispiel durch Anwenden eines Lithographieverfahrens. Im Ergebnis davon wird die Schutzschicht 23 ausgebildet, auf welcher Öffnungen 23a als kleine Strukturen in genauer Art und Weise gesteuert in einer Position oder Stelle eingebracht werden, wobei dabei die Gateelektrode 13 dazwischen angeordnet ist oder wird. Dabei ist es wünschenswert, dass die Schichtstärke der Schutzschicht 23 so eingestellt ist oder wird, dass sie ausreichend stark ist in einem Umfang, dass die Kontaktschicht 19, die später ausgebildet wird, durch die Stufe des Bereichs oder Abschnitts der Öffnung 23a unterteilt wird. Darüber hinaus kann die Schutzschicht 23 von einem anorganischen Isolationsmaterial gebildet werden. in diesem Fall kann das anorganische Isolationsmaterial unter Verwendung der Resiststruktur als Maske geätzt werden. Nachfolgend wird, wie das in 7C dargestellt ist, durch die Schichtausbildung vom oberen Bereich oder Abschnitt der Schutzschicht 23 die Kontaktschicht 19 auf der organischen Halbleiterschicht 17 des unteren Bereichs oder Abschnitts der Öffnung 23a ausgebildet. Dabei werden zum Beispiel das organische Halbleitermaterial und das Akzeptormaterial oder das Donormateral gemeinsam oder koabgeschieden, um die Kontaktschicht 19 auszubilden. Darüber hinaus kann zum Beispiel auch die Kontaktschicht 19 gedruckt ausgebildet werden unter Verwendung einer Tintenflüssigkeit oder Farbstoffflüssigkeit, in welcher das organische Halbleitermaterial und das Akzeptormaterial oder das Donormaterial gemeinsam miteinander vermischt werden, wobei dann ein Druckverfahren zur Anwendung kommt. Zusätzlich kann die Kontaktschicht aufgebracht und ausgebildet werden unter Verwendung einer Auftragungsilüssigkeit, in welcher das organische Halbleitermaterial und das Akzeptormaterial oder das Donormaterial miteinander gemischt vorliegen.
  • Nachfolgend werden, wie das in den 6A und 6B dargestellt ist, die Sourceelektrode 21s und die Drainelektrode 21d aus der Schutzschicht 23 mit der Kontaktschicht 19 ausgebildet. Bei der Ausbildung der Sourceelektrode 21s/Drainelektrode 21d kann zum Beispiel ein Verfahren unter Verwendung einer Abschattungsmaske zum Einsatz kommen. Darüber hinaus können die Elektroden als kleine Strukturen oder miniaturisierte Strukturen ausgebildet werden durch Verwenden eines Lithographieverfahrens, und zwar in derselben Art und Weise wie bei der ersten Ausführungsform.
  • In einem Fall, bei welchem die Kontaktschicht 19 des unteren Bereichs oder Abschnitts der Öffnung 23a in der Schutzschicht 23 und die Kontaktschicht 19 auf der Schutzschicht 23 zu diesem Zeitpunkt noch nicht unterteilt sind oder werden, kann darüber hinaus ein Verfahren des Unterteilens der Kontaktschicht 19 zwischen den zwei Öffnungen 23a–23a auf der Schutzschicht 23 durchgeführt werden. In diesem Fall ist es wünschenswert, einen Vorgang des Entfernens der Kontaktschicht 19 in einem Bereich, der den oberen Bereich der Gateelektrode 13 freigelegt ist durch Laserablation zu entfernen, um die Kontaktschichten 23 der unteren Bereiche oder Abschnitte der zwei Öffnungen 23a–23a zu unterteilen.
  • Gemäß der vierten Ausführungsform wird in der oben beschriebenen Art und Weise und ähnlich wie bei der ersten Ausführungsform zwischen der organischen Halbleiterschicht 17 und der Sourceelektrode 21s/der Drainelektrode 21d die Kontaktschicht 19 vorgesehen, welche das Akzeptormaterial oder das Donormaterial als Verunreinigungen oder Fremdstoffe im organischen Halbleitermaterial enthält. Im Ergebnis davon besitzt die Kontaktschicht 19 eine bessere Leitfähigkeit als die organische Halbleiterschicht 17, wodurch der Kontaktwiderstand zwischen der organischen Halbleiterschicht 17 und der Sourceelektrode 21s/der Drainelektrode 21d vermindert ist oder wird. Darüber hinaus werden die Kontaktschichten 19 in separater Art und Weise im unteren Bereich der Öffnungen 23a vorgesehen, die mit der Gateelektrode 13 dazwischen gesetzt ausgebildet sind oder werden. Folglich hängen die Kontaktschichten 19 nicht ab vom Gehalt oder Inhalt am Akzeptormaterial oder Donormaterial und stellen somit keinen Faktor des Erhöhens des OFF-Stroms zwischen der Sourceelektrode 21s und der Drainelektrode 21d dar. Aus diesem Grund ist die Wirkung des Reduzierens oder Verminderns des Kontaktwiderstands stärker als bei anderen Ausführungsformen.
  • Zusätzlich wird das Strukturieren der Sourceelektrode 21s/Drainelektrode 21d auf der Schutzschicht 23 durchgeführt. Aus diesem Grund kann, selbst dann, wenn die organische Halbleiterschicht 17 mit einer extrem dünnen Schichtstärke ausgebildet wird, keine gewünschte oder erwartete extrem dünne Schichtstärke der organischen Halbleiterschicht 17 aufrecht erhalten werden, ohne dass diese beeinflusst wird vom Ausbildungsprozess in Bezug auf die Sourceelektrode 21s/die Drainelektrode 21d. Im Ergebnis davon ist es möglich, den Bulkwiderstand zur reduzieren, welcher von dem Abstand (das heißt von der Schichtstärke der organischen Halbleiterschicht 17) zum Kanalbereich ch abhängt, welcher auf der Sourceelektrode 21s/der Drainelektrode 21d und der organischen Halbleiterschicht 17 ausgebildet ist.
  • Als Konsequenz davon ist es möglich, eine Verbesserung des ON-Stroms und eine Verschärfung oder Versteilerung des Anstiegs oder der Steigung unterhalb eines Schwellwerts oder unterhalb eines Durchbruchs im Dünnschichttransistor 1-4 mit einem Aufbau mit einem oberen Kontakt und einem unteren Gate zu unterstützen, während gleichwohl ein Vorgang des Miniaturisierens Anwendung findet.
  • Darüber hinaus kann die vorliegende vierte Ausführungsform auch mit der sechsten Ausführungsform kombiniert werden.
  • In diesem Fall wird in dem in 6A und 6B gezeigten Zustand ein Vorgang durchgeführt, welcher das Akzeptormaterial oder das Donormaterial aus der Kontaktschicht 19 unter Verwendung der Sourceelektrode 21s/der Drainelektrode 21d als Maske entfernt. Dieser Vorgang kann in derselben Art und Weise durchgeführt werden, wie sie im Zusammenhang mit der zweiten Ausführungsform beschrieben wurde.
  • Auf diese Art und Weise ist es durch Kombinieren der vorliegenden vierten Ausführungsform mit der zweiten Ausführungsform möglich, den Gehalt oder Inhalt an Akzeptormaterial oder Donormaterial in einem Bereich der Kontaktschicht 19 unter der Sourceelektrode 21s/der Drainelektrode 21s höher auszubilden als denjenigen in anderen Bereichen. Im Ergebnis davon ist es möglich, das Akzeptormaterial oder das Donormaterial in ausreichender Menge in dem Bereich der Kontaktschicht 19 unterhalb der Sourceelektrode 21s/der Drainelektrode 21d zu enthalten, und zwar in einem Umfang, dass der Kontaktwiderstand zwischen der organischen Halbleiterschicht 17 und der Sourceelektrode 21s/der Drainelektrode 21d reduziert ist oder wird. Andererseits kann der Gehalt oder Inhalt an Akzeptormaterial oder Donormaterial in anderen Bereichen der Kontaktschicht 19 auf einen geringen Wert eingestellt werden, und zwar in einem Umfang, dass die Elemente oder Strukturen in ausreichender Art und Weise voneinander isoliert sind oder werden.
  • Als Konsequenz davon ist es möglich, einen Aufbau für einen Dünnschichttransistor zu erhalten, der in der Lage ist, den Wunsch nach Höchstintegration zu genügen und gleichzeitig eine Verbesserung im ON-Strom und die Verschärfung oder Versteilerung des Verlaufs oder der Steigung unterhalb eines Schwellwerts oder des Durchbruchs zu unterstützen.
  • 5. Fünfte Ausführungsform
  • 8 ist eine Querschnittsansicht eines Dünnschichttransistors 1-5 gemäß einer fünften Ausführungsform. Der Dünnschichttransistor 1-5 aus 8 besitzt einen Aufbau mit einem unteren Kontakt und einem oberen Gate. Die Sourceelektrode 21s/die Drainelektrode 21d sind auf dem Substrat 11 vorgesehen. Auf dem Substrat 11 ist ein stapelartiger oder schichtartig ausgebildeter Teil (stacked body) der Kontaktschicht 19 und der organischen Halbleiterschicht 17 in dieser Reihenfolge über den Bereich zwischen der Sourceelektrode 21s und der Drainelektrode 21d vorgesehen. Der schichtartig oder stapelartig ausgebildete Bereich ist oder wird inselartig strukturiert und in eisern Zustand vorgesehen, in welchem der inselartig oder inselförmig ausgebildete Kantenbereich auf den Kantenbereichen der Sourceelektrode 21s/der Drainelektrode 21d überlappt und gegenüberliegend angeordnet ist. Darüber hinaus ist die Gateisolationsschicht 15 auf dem Substrat 11 in einen Zustand des Abdeckens des Substrats 11 vorgesehen. Die Gateelektrode 13 ist auf der Gateisolationsschicht 15 an einer Stelle oder Position vorgesehen, die zu dem Bereich zwischen der Sourceelektrode 21s und der Drainelektrode 21d korrespondiert, und zwar in einem Zustand des Kreuzens oder Überquerens des zentralen Bereichs oder Abschnitts der organischen Halbleiterschicht 17.
  • Bei der vorliegenden fünften Ausführungsform wird in ähnlicher Art und Weise wie bei der ersten Ausführungsform die Kontaktschicht 19 mit derselben Struktur wie derjenigen der organischen Halbleiterschicht 17 auf der organischen Halbleiterschicht 17 aufgeschichtet oder aufgestapelt. Die Kontaktschicht 19 enthält das organische Halbleitermaterial und das Akzeptormaterial oder das Donormaterial. Nachfolgend können Details in Bezug auf die materielle Zusammensetzung jeder Komponente und jedes Bauteils und dergleichen dieselben sein, wie sie im Zusammenhang mit der ersten Ausführungsform beschrieben wurden.
  • Herstellungsverfahren
  • Nachfolgend wird ein Herstellungsverfahren für den Dünnschichttransistor 1-5 gemäß der fünften Ausführungsform auf der Grundlage des Querschnittsprozessdiagramms der 9A und 9B beschrieben.
  • Zunächst werden, wie dies im Zusammenhang mit 9A gezeigt ist, die Sourceelektrode 21s und die Drainelektrode 21d auf dem Substrat 11 ausgebildet. Die Ausbildung der Sourceelektrode 21s/der Drainelektrode 21d wird in ähnlicher Art und Weise durchgeführt, wie dies im Zusammenhang mit der ersten Ausführungsform beschrieben wurde. Das bedeutet, dass die Elektroden vorzugsweise als kleine oder miniaturisierte Strukturen ausgebildet werden durch Anwenden eines Lithographieverfahrens. Sie können ausgebildet werden durch Anwenden eines Verfahrens unter Einsatz einer Abschattungsmaske.
  • Dann wird auf dem Substrat 11, welches mit der Sourceelektrode 21s/der Drainelektrode 21d versehen ist, eine schichtartig oder stapelartig ausgebildete Anordnung (stacked body) der Kontaktschicht 19 und der organischen Halbleiterschicht 17 einem Strukturierungsvorgang im Hinblick auf eine inselartige oder inselförmige Anordnung über dem Bereich zwischen der Sourceelektrode 21s und der Drainelektrode 21d ausgesetzt.
  • Nachfolgend wird zum Beispiel durch Anwenden eines Strukturdampfabscheidungsverfahrens unter Verwendung einer Maske zunächst das organische Halbleitermaterial und das Akzeptormaterial oder das Donormaterial gemeinsam oder koabgeschieden, um die Strukturausbildung im Hinblick auf die Kontaktschicht 19 durchzuführen. Dann wird das organische Halbleitermaterial dampfabgeschieden, um die Strukturausbildung im Hinblick auf die organische Halbleiterschicht 17 durchzuführen. Darüber hinaus wird zum Beispiel durch Anwenden eines Druckverfahrens zunächst ein Strukturdrucken der Kontaktschicht 19 unter Verwendung einer Farbstoffflüssigkeit oder Tintenflüssigkeit durchgeführt, in welcher das organische Halbleitermaterial und das Akzeptormaterial oder das Donormaterial miteinander vermischt sind. Danach wird das Strukturdrucken in Bezug auf die Halbleiterschicht 17 durchgeführt. Darüber hinaus kann, wenn die Kontaktschicht 19 und die organische Halbleiterschicht 17 nicht strukturiert sind und die Elemente voneinander nicht isoliert sein müssen, die Schichten 19 und 17 in dieser Reihenfolge aufgebracht und ausgebildet werden. Dann wird, wie das im Zusammenhang mit der 9B dargestellt ist, die Gateisolationsschicht 15 auf dem Substrat 11 ausgebildet, und zwar in einem Zustand des Abdeckens der geschichteten oder gestapelten Struktur der Sourceelektrode 21s/der Drainelektrode 21d, der Kontaktschicht 19 und der organischen Halbleiterschicht 17. Im Fall des Verwendens eines organischen Isolationsmaterials wird die Schichtausbildung im Hinblick auf die Gateisolationsschicht 15 durchgeführt durch Anwenden eines Auftragungsverfahrens unter Einbeziehung von Druckverfahren, zum Beispiel eines Spin Coating-Verfahrens, eines Rasterdruckverfahrens, eines Tiefdruckverfahrens und/oder eines Inkjet- oder Flüssigkeitsausstoßverfahrens. Dagegen wird im Fall des Verwendens eines anorganischen Isolationsmaterials die Schichtausbildung durchgeführt durch Anwenden eines Dampfabscheidungsverfahrens, eines Sputterverfahrens oder eines CVD-Verfahrens. Danach wird, wie das im Zusammenhang mit 8 dargestellt ist, die Gateelektrode 13 auf der Gateisolationsschicht 15 ausgebildet. Die Ausbildung der Gateelektrode 13 wird in derselben Art und Weise durchgeführt, wie dies im Zusammenhang mit der ersten Ausführungsform beschrieben wurde. Das bedeutet, dass die Resiststruktur mittels eines fotolithographischen Verfahrens ausgebildet wird. Das Strukturätzen der metallischen Materialschicht wird unter Verwendung derselben als Maske durchgeführt, Es können auch Drucktechniken angewandt werden, zum Beispiel Rasterdruckverfahren, Tiefdruckverfahren und/oder Inkjet- oder Flüssigkeitsausstoßverfahren.
  • Gemäß der fünften Ausführungsform wird in ähnlicher Art und Weise wie bei der Ausführungsform zwischen der organischen Halbleiterschicht 17 und der Sourceelektrode 21s/der Drainelektrode 21d die Kontaktschicht 19 ausgebildet und vorgesehen, welche das Akzeptormaterial oder Donormaterial als Verunreinigungen oder Fremdstoffe in dem organischen Halbleitermaterial enthält. Im Ergebnis davon besitzt die Kontaktschicht 19 eine bessere Leitfähigkeit als die organische Halbleiterschicht 17, wodurch der Kontaktwiderstand zwischen der organischen Halbleiterschicht 17 und der Sourceelektrode 21s/der Drainelektrode 21d vermindert oder reduziert ist oder wird.
  • Da die Leitfähigkeit der Kontaktschicht 19 durch den Gehalt oder Inhalt an Akzeptormaterial oder Donormaterial angepasst ist oder wird kann selbst dann, wenn die Kontaktschicht 19 zwischen der Sourceelektrode 21s und der Drainelektrode 21d so belassen ist wie sie ist, und zwar als Teil der organischen Halbleiterschicht 17, ein Anstieg des OFF-Stroms verhindert werden. Folglich wird die Kontaktschicht 17 in derselben oder mit derselben Struktur wie die organische Halbleiterschicht 19 in dem Zustand des Abdeckens zwischen der Sourceelektrode 21s/der Drainelektrode 21d ausbildet, wodurch die Stufenwinkelbereiche oder Stufenwmkelabschnitte (step angular portions) des Sourceelektrode 21s/der d 21d abgedeckt werden können. Im Ergebnis davon ist es selbst dann, wenn die Kontaktschicht 19 in der organischen Halbleiterschicht 17 mit einer extrem dünnen Schichtstärke ausgebildet wird, möglich, zu verhindern, dass die organische Halbleiterschicht 17 aufbricht oder beschädigt wird (braking off) in oder an der Stufe der Sourceelektrode 21s/der Drainelektrode 21d. Aus diesem Grund ist es möglich, den Bulkwiderstand zu reduzieren, welcher abhängt von einem Abstand oder einer Distanz (das heißt von der Schichtstärke der organischen Halbleiterschicht 17) zum Kanalbereich ch, der auf der Sourceelektrode 21s/der Drainelektrode 21d und der organischen Halbleiterschicht 17 ausgebildet ist.
  • Als Konsequenz davon ist es möglich, eine Verbesserung im ON-Strom und eine Verschärfung oder Versteilung des Verlaufs oder der Steigung unterhalb eines Schwellwerts oder unterhalb des Durchbruchs im Dünnschichttransistor 1-5 mit einem Aufbau mit unterem Kontakt und oberer Elektrode zu unterstützen, während gleichwohl ein Miniaturisierungsvorgang Anwendung finden kann.
  • 6. Sechste Ausführungsform
  • Nachfolgend wird eine Anordnung oder ein Aufbau für eine Anzeigeeinrichtung mit einem Dünnschichttransistor mit einem Aufbau gemäß der zuvor beschriebenen Ausführungsform erläutert. Dabei wird als Beispiel für eine Anzeigeeinrichtung eine Anzeigeeinrichtung von einem Typ mit aktiver Matrix beschrieben, welcher ein organisches elektrolumineszentes Element EL verwendet.
  • Schichtaufbau der Anzeigeeinrichtung
  • 10 ist ein Aufbaudiagramm im Hinblick auf drei Pixel einer Anzeigeeinrichtung 30, bei welcher die Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung Verwendung findet. Die Anzeigeeinrichtung 30 ist aufgebaut unter Verwendung des Dünnbschichttransistors gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung, wie sie anhand der ersten bis fünften Ausführungsformen exemplarisch dargestellt wurde. Ein Aufbau ist dargestellt, bei welchem ein Dünnschichttransistor 1-1 mit einer Struktur mit oberem Kontakt und unterem Gate gemäß der ersten Ausführungsform als Beispiel vorgesehen ist. Wie in 10 dargestellt ist, ist die Anzeigeeinrichtung 30 eine Anzeigeeinrichtung 30 vom Typ mit aktiver Matrix, bei welchem ein Pixelschaltkreis unter Verwendung des Dünnschichttransistors 1-1 und das organische elektrolumineszente Element EL in Verbindung damit auf jedem Pixel oder für jedes Pixel a auf dem Substrat 11 angeordnet ist. Der obere Bereich oder Abschnitt des Substrats 11 mit dem Pixelschaltkreis unter Verwendung des Dünnschichttransistors 1-1 darauf ist mittels einer Passivierungsschicht 31 abgedeckt. Es ist eine Planarisierungsisolationsschicht 33 auf dem oberen Bereich oder Abschnitt davon vorgesehen. In der Planarisierungsisolationsschicht 33 und der Passivierungsschicht 31 sind Verbindungslöcher 31a vorgesehen, die die jeweiligen Dünnschichttransistoren 1-1 erreichen. Auf der Planarisierungsisolationsschicht 33 sind Pixelelektroden 35 in Verbindung mit dem Dünnschichttransistor mittels oder über die jeweiligen Verbindungslöcher 31a angeordnet und ausgebildet.
  • Rand-, Umfangs- oder Peripheriebereiche jeder Pixelelektrode 35 sind mit Fensterisolationsschichten 37 (window insulating film) abgedeckt. Elemente oder Strukturen sind voneinander isoliert. Die oberen Bereiche oder Abschnitte jeder Pixelelektrode 35 mit voneinander isolierten Elementen oder Strukturen sind mit organischen Licht emittierenden Funktionsschichten 39r, 39g bzw. 39b (organic light emitting function layer) für jede Farbe bedeckt oder abgedeckt. Eine gemeinsame Elektrode 41 (common electrode) für jedes Pixel a ist in einem Zustand vorgesehen, bei welchem die Schichten abgedeckt sind oder werden. Jede der organischen lichtemittierenden Funktionsschichten 39r, 39g und 39b besitzt eine schichtartige oder stapelartige Struktur mit einer ersten organischen lichtemittierenden Schicht, wobei zumindest die organische Licht emittierende Schicht einem Strukturausbildungsvorgang ausgesetzt ist oder wurde und zwar mittels Konfigurationen, die unterschiedlich sind für jedes Pixel. Es kann dabei eine für jedes Pixel gemeinsame Schicht vorgesehen sein. Die gemeinsame Elektrode 41 ist zum Beispiel als Kathode ausgebildet. Falls die herzustellende Anzeigeeinrichtung von einem Typ ist mit einer oberen lichtemittierenden Fläche, welche Licht extrahiert, welches von einer gegenüberliegenden Seite des Substrats 11 emittiert ist oder wird, wird die gemeinsame Elektrode als lichtdurchlässige Elektrode (light transmitting electrode) ausgebildet.
  • Wie oben erwähnt wurde, ist in jedem Pixel ein Bereich vorgesehen, in welchem die organischen lichtemittierenden Funktionsschichten 39r, 39g und 39b zwischen der Pixelelektrode 35 und der gemeinsamen Elektrode 41 vorgesehen sind, das organische elektrolumineszente Element EL ausgebildet. Obwohl dies so nicht dargestellt ist, wird darüber hinaus eine Schutzschicht auf dem Substrat 11 mit dem organischen elektrolumineszenten Element EL ausgebildet. Ferner ist ein Versiegelungssubstrat mittels eines oder über ein Klebmittel angebunden, wodurch die Anzeigeeinrichtung 30 fertig konfiguriert ist.
  • Schaltungsaufbau der Anzeigeeinrichtung
  • 11 zeigt ein Beispiel eines Schaltungsaufbaudiagramms der Anzeigeeinrichtung 30. Darüber hinausgehend dient der beschriebene Schaltungsaufbau lediglich als ein Beispiel.
  • Wie in 11 dargestellt ist, sind auf dem Substrat 11 der Anzeigeeinrichtung 30 ein Anzeigebereich 11a und ein Peripherbereich 11b davon vorgesehen. Im Anzeigebereiche 11a ist eine Mehrzahl Abtastleitungen 51 und eine Mehrzahl Signalleitungen 53 vertikal und longitudinal angeschlossen oder verbunden und werden dadurch als Pixelanordnungsbereiche konfiguriert, an welchen oder auf welchen ein Pixel a ausgebildet ist in Korrespondenz mit jedem Überschneidungsabschnitt (intersection portion). Darüber hinaus ist im peripheren Bereich 11b ein Abtastleitungssteuerschaltkreis 55 vorgesehen, welcher die Abtastleitung 51 abtastet und steuert. Darüber hinaus ist dort ein Signalleitungssteuerschaltkreis 57 (signal line driving circuit) vorgesehen, welcher ein Bildsignal (das heißt ein Eingangssignal oder Eingabesignal) in Abhängigkeit einer Helligkeitsinformation der Signalleitung 53 zuführt.
  • Der an jeden Überschneidungsbereich oder Überscheidungsabschnitt vorgesehen e Pixelschaltkreis der Abtastlinie 51 und der Signallinie 53 weist zum Beispiel einen Dünnschichtschalttransistor Tr1 (switching thin film transistor), einen Dünnschichtschalttransistor Tr2, eine Aufrechterhaltungskapazität Cs (maintenance capacity) und ein elektrolumineszentes Element EL auf.
  • Bei der Anzeigeeinrichtung 30 wird durch Steuern mittels des Abtastleitungssteuerschaltkreises 55 aus der Signalleitung 53 eingeschriebene Bildsignal über den Dünnschichtschalttransistor Tr1 in der Aufrechterhaltungskapazität Cs aufrecht erhalten. Darüber hinaus wird der elektrische Strom in Abhängigkeit vom aufrecht erhaltenen Signalwert vom steuernden Dünnschichttransistor Tr2 dem organischen elektrolumineszenten Element EL zugeführt, wodurch das organische elektrolumineszente Element EL Licht bei einer Luminanz oder Leuchtstärke emittiert, die abhängig ist vom Wert des elektrischen. Stroms. Des Weiteren ist oder wird der steuernde Dünnschichttransistor Tr2 (driving thin film transistor) mit der gemeinsamen Strom- oder Spannungsversorgungsleitung 59 (Vcc, common power source supply line) verbunden. Daneben ist der Aufbau des Pixelschaltkreises, wie in der oben beschriebenen Art und Weise erläutert wurde, nur ein Beispiel. Das Kondensatorelement oder eine Mehrzahl von Transistoren können vorgesehen sein im Pixelschaltkreis je nach Notwendigkeit, um den Pixelschaltkreis auszubilden. Darüber hinaus kann ein notwendiger Steuerschaltkreis (driving circuit) zum peripheren Bereich oder Abschnitt 11b in Abhängigkeit der Abwandlung des Pixelschaltkreises hinzugefügt werden.
  • Bei einem derartigen Schaltungsaufbau können die Dünnschichttransistoren Tr1 und Tr2 aufgebaut sein als Dünnschichttransistoren gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung, wie sie anhand der zuvor beschriebenen Ausführungsformen beschrieben wurden. Darüber hinaus zeigt 10 eine Querschnittsansicht eines Bereichs, in welchem der Dünnschichttransistor Tr2 und das organische elektrolumineszente Element EL stapelartig oder schichtartig ausgebildet sind. Dabei ist in Querschnittsansicht eine Mehrzahl von drei Pixeln der Anzeigeeinrichtung 30 der Schaltungskonfiguration in der oben beschriebenen Art und Weise dargestellt. Der Dünnschichtschalttransistor Tr1 und das Kondensatorelement Cs sind ebenso in derselben Schicht ausgebildet wie der steuernde Dünnschichttransistor Tr2. Darüber hinaus zeigt 11 einen Fall, bei welchem die Dünnschichttransistoren Tr1 und Tr2 vom p-Kanaltyp sind.
  • Bei der oben beschriebenen Anzeigeeinrichtung 30 und gemäß den erläuterten ersten bis fünften Ausführungsformen kann der Pixelschaltkreis ausgebildet sein oder werden durch Anwenden eines Miniaturisierungsvorgangs und durch Verwenden des Dünnschichttransistors 1-1 mit entsprechend vorteilhaften Bauelementeeigenschaften. Dadurch wird es möglich, in Bezug auf die Pixel eine hohe Funktionalität und eine hohe Integration zu erzielen.
  • Darüber hinaus wurde in der zuvor beschriebenen sechsten Ausführungsform eine Anzeigerichtung mit einem organischen elektrolumineszenten Element EL als Beispiel für eine Anzeigeeinrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung beschrieben. Jedoch kann die Anzeigeeinrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung im weitesten Sinne auf Anzeigeeinrichtungen angewandt werden, welche Dünnschichttransistoren verwenden, insbesondere auf Anzeigeeinrichtungen vom Typ mit aktiver Matrix, in welchem die Dünnschichttransistoren mit Pixelelektroden verbunden sind. Dabei kann dann erfindungsgemäß dieselbe Wirkung erzielt werden. Als Beispiel für eine derartige Anzeigeeinrichtung sei hier eine Flüssigkristallanzeigerichtung oder eine Anzeigeeinrichtung vom elektrophoretischen Typ genannt, bei welchem erfindungsgemäß dieselbe Wirkung erzielt werden kann.
  • 7. Siebte Ausführungsform
  • Die 12 bis 16G beschreiben ein Beispiel einer elektronischen Einrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung, wie dies oben erläutert wurde. Die elektronische Einrichtung, die dabei beschrieben wird, ist eine elektronische Einrichtung, bei welcher eine Anzeigeeinrichtung gemäß der sechsten Ausführungsform als Anzeigebereich verwendet wird. Darüber hinaus kann die Anzeigeeinrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung, bei welcher ein Beispiel davon im Zusammenhang mit der sechsten Ausführungsform beschrieben wurde, bei einem Anzeigebereich von einer elektronischen Einrichtung in sämtlichen Gebeten verwendet werden, bei welchem die Anzeige eines Bildsignals, welches der elektronischen Einrichtung zugeführt wird, erreicht werden muss. Nachfolgend wird nun ein Beispiel für eine derartige elektronische Einrichtung beschrieben, bei welcher eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung verwendet werden kann.
  • 12 ist eine perspektivische Ansieht, welche ein Fernsehgerät zeigt, bei welcher eine Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung Verwendung finden kann. Das Fernsehgerät gemäß im dargestellten Anwendungsbeispiel weist einen Bildanzeigeschirmbereich 101 auf, der eine vordere Tafel 102, ein Filterglas 103 oder dergleichen aufweist. Der Bildanzeigeschirmbereich 101 wird unter Verwendung der Anzeigeeinrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung ausgeführt.
  • Die 13A und 13B sind Diagramme, die eine Digitalkamera darstellen, bei welcher eine Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung Verwendung findet. 13 ist eine perspektivische Ansicht, und zwar von vorn betrachtet. 13B ist eine perspektivische Ansicht, und zwar von der Rückseite aus betrachtet. Die Digitalkamera gemäß dem vorliegenden Anwendungsbeispiel weist einen Lichtemissionsbereich 111 zum Beleuchten oder Blitzen, einen Anzeigebereich 112, einen Menüschalter 113, einen Verschlussknopf 114 und dergleichen auf. Der Anzeigebereich 112 wird unter Verwendung der Anzeigeeinrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung ausgebildet.
  • 14 ist eine perspektivische Ansicht, welche einen notebookartigen Personalcomputer zeigt, bei welchem eine Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung Verwendung findet. Der notebookartige Personalcomputer gemäß dem vorliegenden Anwendungsbeispiel weist eine Tastatur 122 auf, welche betätigt wird, wenn ein Buchstabe oder dergleichen in den Hauptteil 121 eingegeben wird. Des Weiteren ist ein Anzeigebereich 123 vorgesehen, welcher ein Bild oder dergleichen anzeigt. Der Anzeigebereich 123 wird unter Verwendung einer Anzeigeeinrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung ausgebildet.
  • 15 ist eine perspektivische Ansicht, welche eine Videokamera zeigt, bei welcher eine Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung Anwendung finden kann. Die Videokamera gemäß dem vorliegenden Anwendungsbeispiel weist einen Hauptteil 131, eine Abbildungslinse 132 für den abzubildenden Gegenstand auf einer Seitenfläche und nach vorne weisend, einen Start-/Stoppschalter 133 zum Aufnehmen, einen Anzeigebereich 134 oder dergleichen auf. Der Anzeigebereich 134 wird unter Verwendung der Anzeigeeinrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung ausgebildet.
  • Die 16A bis 16G sind Diagramme, welche eine mobile Endgeräteeinrichtung zeigen, bei welcher eine Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung Verwendung finden kann, zum Beispiel in Form eines Mobiltelefons. 16A ist eine Vorderansicht in einem geöffneten Zustand. 16B ist eine Seitenansicht davon. 16C ist eine Vorderansicht in einem geschlossenen Zustand. 16D ist eine linksseitige Ansicht davon. 16E ist eine rechtsseitige Ansicht davon. 16F ist eine Draufsicht davon. 16G ist eine Ansicht von unten davon. Das Mobiltelefon gemäß dem vorliegenden Anwendungsbeispiel weist ein oberes Gehäuse 141, ein unteres Gehäuse 142, einen Verbindungsbereich 143 (hier ein Scharnier), eine Anzeige 144, eine Unteranzeige 145, ein Abbildungslicht 146, eine Kamera 145 oder dergleichen auf. Dabei ist die Anzeige 144 oder die Unteranzeige 145 unter Verwendung der Anzeigeeinrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung ausgebildet.
  • Die zuvor beschriebene siebte Ausführungsform zeigt ein Beispiel für eine Anzeigeeinrichtung als Beispiel einer elektronischen Einrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung. Die elektronische Einrichtung benutzt dabei eine Anzeigeeinrichtung als Anzeigebereich. Jedoch ist eine elektronische Einrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung nicht auf die Anwendung beschränkt, bei welcher ein derartiger Anzeigebereich verwendet wird, sondern kann vielmehr weitgehend auf elektronische Einrichtungen angewandt werden, bei welchen Dünnschichttransistoren in einem Zustand Verwendung finden, bei welchem diese mit einer leitfähigen oder leitenden Struktur verbunden werden oder zu verbinden sind. Als Beispiel dafür sei eine Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung genannt, bei welcher die elektronische Einrichtung in Form eines ID-Tags, als Sensor oder dergleichen ausgebildet ist; dabei wird erfindungsgemäß dieselbe Wirkung erzielt.
  • Die vorliegende Offenbarung enthält Gegenstände, die im Zusammenhang stehen mit der japanischen Prioanmeldung JP 2009-204285 , die beim Japanischen Patentamt am 04. September 2009 eingereicht wurde, sowie mit der japanischen Prioanmeldung JP 2010-154779 , die am 07. Juli 2010 beim Japanischen Patentamt eingereicht wurde. Deren Offenbarung sei hiermit unter direkter Bezugnahme in die hiesige Offenbarung aufgenommen.
  • Es versteht sich von selbst, dass der Durchschnittsfachmann verschiedene Abwandlungen, Kombinationen, Unterkombinationen und Änderungen durchnehmen kann, und zwar in Abhängigkeit von den Notwendigkeiten der jeweiligen Auslegungen und anderen Faktoren, insofern sie von den Ansprüchen und deren Äquivalenten abgedeckt sind.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • JP 2008-243911 [0004]
    • JP 2009-204285 [0156]
    • JP 2010154779 [0156]
  • Zitierte Nicht-Patentliteratur
    • ”APPLIED PHYSICS LETTERS 94”, (2009), S. 143304-1 bis S. 143304-3 [0003]

Claims (20)

  1. Dünnschichttransistor, bei welchem eine Kontaktschicht, welche ein organisches Halbleitermaterial sowie ein Akzeptormaterial oder ein Donormaterial aufweist, zwischen einer organischen Halbleiterschicht und einer Sourceelektrode/eine Drainelektrode vorgesehen ist.
  2. Dünnschichttransistor nach Anspruch 1, wobei die Kontaktschicht dieselbe Anordnungs- oder Strukturform aufweist wie die organische Halbleiterschicht und wobei die Sourceelektrode/die Drainelektrode mittels der oder über die Kontaktschicht auf der organischen Halbleiterschicht geschichtet oder gestapelt sind.
  3. Dünnschichttransistor nach Anspruch 2, wobei in der Kontaktschicht der Gehalt oder Inhalt an Akzeptormaterial oder an Donormaterial in einem Bereich, der zwischen der organischen Halbleiterschicht und der Sourceelektrode angeordnet ist, und in einem Bereich, der zwischen der organischen Halbleiterschicht und der Drainelektrode angeordnet ist, höher ist als der Gehalt oder Inhalt daran zwischen der Sourceelektrode und der Drainelektrode,
  4. Dünnschichttransistor nach Anspruch 1, wobei die Kontaktschicht das Akzeptormaterial aufweist, wenn ein Leitfähigkeitstyp der organischen Halbleiterschicht ein p-Typ ist, und wobei die Kontaktschicht das Donormaterial aufweist, wenn ein Leitfähigkeitstyp der organischen Halbleiterschicht ein n-Typ ist.
  5. Dünnschichttransistor nach Anspruch 1, wobei die Kontaktschicht dasselbe organische Material aufweist wie die organische Halbleiterschicht.
  6. Dünnschichttransistor nach Anspruch 1, mit: einer Gateelektrode, einer Gateisolationsschicht, welche die Gateelektrode bedeckt oder abdeckt, der organischen Halbleiterschicht, welche mittels der oder über die Gateisolationsschicht auf der Gateelektrode geschichtet oder gestapelt angeordnet ist, der Kontaktschicht, die auf der organischen Halbleiterschicht geschichtet ist, und der Sourceelektrode/Drainelektrode, deren Endbereiche auf der Kontaktschicht angeordnet sind, und zwar in einem Zustand, in dem diese sich gegenüberliegen oder gegenüberstehen und die Gateelektrode dazwischen eingefügt ist.
  7. Dünnschichttransistor nach Anspruch 6, wobei auf der Gateisolationsschicht, welche mit der organischen Halbleiterschicht ausgebildet ist, eine Schutzschicht vorgesehen ist, die eine Gestalt oder Form aufweist zum Bedecken oder Abdecken eines oberen Bereichs der Gateelektrode und zum Freilegen oder Freilassen des organischen Halbleiterschichtbereichs auf beiden Seiten der Gateelektrode, und wobei die Kontaktschicht auf derjenigen organischen Halbleiterschicht vorgesehen ist, die von der Schutzschicht zumindest freigelegt oder freigelassen ist.
  8. Dünnschichttransistor nach Anspruch 7, wobei die Schutzschicht Öffnungen aufweist, welche den organischen Halbleiterschichtbereich auf beiden Seiten der Gateelektrode freilassen oder freilegen, und den oberen Bereich der Gateisolationsschicht bedeckt oder abdeckt.
  9. Dünnschichttransistor nach Anspruch 7, wobei die Kontaktschicht auf der Schutzschicht und der organischen Halbleiterschicht durch eine Stufe der Schutzschicht unterteilt ist.
  10. Dünnschichttransistor nach Anspruch 7, wobei die Kontaktschicht zwischen der Sourceelektrode und der Drainelektrode in einem oberen Bereich der Schutzschicht unterteilt ist.
  11. Verfahren zum Herstellen eines Dünnschichttransistors, mit: Ausbilden einer organischen Halbleiterschicht über einem Substrat, Ausbilden einer Kontaktschicht, welche ein organisches Halbleitermaterial und ein Akzeptormaterial oder ein Donormaterial enthält, auf der organischen Halbleiterschicht, und Ausbilden einer Sourceelektrode/einer Drainelektrode in einem Zustand, in dem sich Endbereiche auf der Kontaktschicht gegenüberliegen oder gegenüberstehen.
  12. Verfahren nach Anspruch 11, wobei vor dem Ausbilden der Sourceelektrode/Drainelektrode die organische Halbleiterschicht und die Kontaktschicht in derselben Form strukturiert werden.
  13. Verfahren nach Anspruch 12, wobei nach dem Ausbilden der Sourceelektrode/Drainelektrode ein Vorgang des Entfernens des Akzeptormaterials oder des Donormaterials von der Kontaktschicht unter Verwendung der Sourceelektrode/Drainelektrode als Maske durchgeführt wird.
  14. Verfahren nach Anspruch 12, wobei der Vorgang des Entfernens des Akzeptormaterials oder des Donormaterials von der Kontaktschicht durchgeführt wird durch selektives Ätzen des Akzeptormaterials oder des Donormaterials auf dem organischen Halbleitermaterial, welches die Kontaktschicht bildet.
  15. Verfahren nach Anspruch 12, wobei der Vorgang des Entfernens des Akzeptormaterials oder des Donormaterials aus der Kontaktschicht durchgeführt wird durch eine Wärmebehandlung bei einer Temperatur, die gleich ist zu einer oder geringer ist als eine Sublimationstemperatur des organischen Halbleitermaterials, welches die Kontaktschicht bildet, und bei einer Temperatur, die gleich ist zu einer oder höher ist als eine Sublimationstemperatur des Akzeptormaterials oder des Donormaterials.
  16. Verfahren nach Anspruch 11, wobei vor dem Ausbilden der organischen Halbleiterschicht ein Vorgang des Ausbildens einer Gateelektrode auf dem Substrat und einer Gateisolationsschicht auf dem Substrat in einem Zustand des Bedeckens oder Abdeckens der Gateelektrode durchgeführt wird und wobei nach dem Ausbilden der organischen Halbleiterschicht und der Kontaktschicht die Sourceelektrode/die Gateelektrode ausgebildet werden in einem Zustand des Anordnens der Endbereiche auf der Kontaktschicht mit der Gateelektrode dazwischen.
  17. Verfahren nach Anspruch 16, wobei vor dem Ausbilden der Kontaktschicht eine Schutzschicht ausgebildet wird, welche eine Form oder Gestalt aufweist zum Bedecken oder Abdecken des oberen Bereichs der Gateelektrode und zum Freilegen oder Freilassen des organischen Halbleiterschichtbereichs in oder an beiden Seiten der Gateelektrode und wobei, wenn die Kontaktschicht ausgebildet wird, die Kontaktschicht so ausgebildet wird, dass sie auf derjenigen organischen Halbleiterschicht geschichtet oder gestapelt wird, die von der Schutzschicht zumindest freigelassen oder freigelegt ist.
  18. Verfahren nach Anspruch 17, wobei, wenn die Kontaktschicht ausgebildet wird, die Kontaktschicht auf der Schutzschicht und der organischen Halbleiterschicht durch eine Stufe der Schutzschicht unterteilt wird.
  19. Anzeigeeinrichtung, mit; einem Dünnschichttransistor, bei welchem eine Kontaktschicht, welche ein organisches Halbleitermaterial und ein Akzeptormaterial oder ein Donormaterial aufweist, zwischen einer organischen Halbleiterschicht und einer Sourceelektrode/einer Drainelektrode vorgesehen ist, und einer Pixelelektrode, die mit dem Dünnschichttransistor verbunden ist.
  20. Elektronische Einrichtung mit einem Dünnschichttransistor, bei welchem eine Kontaktschicht, welche ein organisches Halbleitermaterial und ein Akzeptormaterial oder ein Donormaterial aufweist, zwischen einer organischen Halbleiterschicht und einer Sourceelektrode/einer Drainelektrode vorgesehen ist.
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