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Gebiet der Erfindung
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Ausgestaltungen
der vorliegenden Erfindung betreffen organische Dünnschichttransistoren
und Verfahren zur Herstellung derselben.
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Hintergrund der Erfindung
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Transistoren
lassen sich in zwei Haupttypen unterteilen: Bipolartransistoren
und Feldeffektransistoren. Beide Typen teilen sich eine gemeinsame Struktur,
die drei Elektroden umfasst, wobei dazwischen ein halbleitendes
Material in einem Kanalbereich angeordnet ist. Die drei Elektroden
eines Bipolartransistors sind als Emitter, Kollektor und Basis bekannt,
während bei einem Feldeffekttransistor die drei Elektroden
als Source, Drain und Gate bekannt sind. Bipolartransistoren kann
man als strombetriebene Vorrichtungen beschreiben, da der Strom
zwischen Emitter und Kollektor durch den zwischen Basis und Emitter
fließenden Strom gesteuert wird. Feldeffekttransistoren
kann man dagegen als spannungsbetriebene Vorrichtungen beschreiben,
da der zwischen Source und Drain fließende Strom durch die
Spannung zwischen Gate und Source gesteuert wird.
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Transistoren
lassen sich auch in p-leitend und n-leitend unterteilen, je nachdem
ob sie halbleitendes Material umfassen, das positive Ladungsträger
(Löcher) oder negative Ladungsträger (Elektronen)
leitet. Das halbleitende Material kann nach seiner Fähigkeit
zur Aufnahme, zum Leiten und zur Abgabe von Ladung ausgewählt
werden. Die Fähigkeit des halbleitenden Materials, Löcher
oder Elektronen aufzunehmen, zu leiten und abzugeben, kann durch Dotieren
des Materials verbessert werden. Das für Source- und Drainelektrode
verwendete Material kann auch nach seiner Fähigkeit zur
Aufnahme und Injektion von Löchern oder Elektronen verwendet werden.
Zum Beispiel kann eine p-leitende Transistorvorrichtung durch Auswahl
eines halbleitenden Materials gebildet werden, das Löcher
effizient aufnehmen, leiten und abgeben kann, und durch Auswahl
eines Materials für Source- und Drainelektrode, das Löcher
effizient injizieren und von dem halbleitenden Material aufnehmen
kann. Eine gute Energieniveauanpassung des Fermi-Niveaus in den
Elektroden an das HOMO-Niveau des halbleitenden Materials kann Injektion
und Aufnahme von Löchern verbessern. Eine n-leitende Transistorvorrichtung
kann dagegen durch Auswahl eines halbleitenden Materials gebildet
werden, das Elektronen effizient aufnehmen, leiten und abgeben kann,
und durch Auswahl eines Materials für Source- und Drainelektrode,
das Elektronen effizient in das halbleitende Material injizieren
und von diesem aufnehmen kann. Eine gute Energieniveauanpassung
des Fermi-Niveaus in den Elektroden an das LUMO-Niveau des halbleitenden Materials
kann Injektion und Aufnahme von Elektronen verbessern.
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Transistoren
können hergestellt werden, indem die Komponenten in dünnen
Schichten abgeschieden werden, um Dünnschichttransistoren
zu bilden. Wenn in einer solchen Vorrichtung ein organisches Material
als halbleitendes Material verwendet wird, ist sie als organischer
Dünnschichttransistor bekannt.
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Es
sind verschiedene Anordnungen für organische Dünnschichttransistoren
bekannt. Eine solche Vorrichtung ist ein Feldeffekttransistor mit
isoliertem Gate, der Source- und Drainelektroden umfasst, zwischen
denen ein halbleitendes Material in einem Kanalbereich angeordnet
ist, bei dem eine Gateelektrode angrenzend an das halbleitende Material
angeordnet ist, und bei dem eine Schicht Isoliermaterial zwischen
der Gateelektrode und dem halbleitenden Material in dem Kanalbereich
angeordnet ist.
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Ein
Beispiel für einen solchen organischen Dünnschichttransistor
ist in 1 dargestellt. Die dargestellte Struktur kann
auf einem Substrat 1 abgeschieden werden und umfasst Source-
und Drainelektroden 2, 4, die durch einen dazwischen
befindlichen Kanalbereich 6 voneinander beabstandet sind. Ein
organischer Halbleiter (OSC) 8 ist in dem Kanalbereich 6 abgeschieden
und kann sich über mindestens einen Teil der Source- und
Drainelektroden 2, 4 erstrecken. Eine Isolierschicht 10 aus
dielektrischem Material ist über dem organischen Halbleiter 8 abgeschieden
und kann sich über mindestens einen Teil der Source- und
Drainelektroden 2, 4 erstrecken. Schließlich
ist eine Gateelektrode 12 über der Isolierschicht 10 abgeschieden.
Die Gateelektrode 12 befindet sich über dem Kanalbereich 6 und
kann sich über mindestens einen Teil der Source- und Drainelektroden 2, 4 erstrecken.
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Die
oben beschriebene Struktur ist als organischer Dünnschichttransistor
mit oben liegendem Gate bekannt, da sich das Gate auf einer Oberseite der
Vorrichtung befindet. Alternativ ist es auch bekannt, das Gate auf
einer Unterseite der Vorrichtung bereitzustellen, um einen sogenannten
organischen Dünnschichttransistor mit unten liegendem Gate
zu bilden.
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Ein
Beispiel für einen solchen organischen Dünnschichttransistor
mit unten liegendem Gate ist in 2 dargestellt.
Um die Beziehung zwischen den in 1 und 2 dargestellten
Strukturen zu verdeutlichen, wurden für entsprechende Teile
gleiche Bezugszeichen verwendet. Die in 2 dargestellte Struktur
mit unten liegendem Gate umfasst eine auf einem Substrat 1 abgeschiedene
Gateelektrode 12, wobei darüber eine Isolierschicht 10 aus
dielektrischem Material abgeschieden ist. Source- und Drainelektrode 2, 4 sind über
der Isolierschicht 10 aus dielektrischem Material abgeschieden.
Source- und Drainelektrode 2, 4 sind voneinander
beabstandet, wobei sich dazwischen über der Gateelektrode
ein Kanalbereich 6 befindet. Ein organischer Halbleiter (OSC) 8 ist
in dem Kanalbereich 6 abgeschieden und kann sich über
mindestens einen Teil der Source- und Drainelektroden 2, 4 erstrecken.
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Eine
Schwierigkeit bei allen organischen Dünnschichttransistoren
ist die Sicherstellung eines guten ohmschen Kontakts zwischen Source-
und Drainelektrode und dem organischen Halbleiter (OSC). Dies ist
erforderlich, um den Kontaktwiderstand beim Einschalten des Dünnschichttransistors zu
minimieren. Eine typische Vorgehensweise zur Minimierung von Extraktions-
und Injektionssperren bei einer p-Kanal-Vorrichtung ist die Wahl
eines Materials für Source- und Drainelektrode, dessen
Austrittsarbeit gut an das HOMO-Niveau des OSC angepasst ist. Zum
Beispiel haben viele übliche OSC-Materialien eine gute
Anpassung des HOMO-Niveaus an die Austrittsarbeit von Gold, was
Gold zu einem relativ gut geeigneten Material für die Verwendung als
Source- und Drainelektrodenmaterial macht. Analog dazu ist eine
typische Vorgehensweise zur Minimierung von Extraktions- und Injektionssperren
bei einer n-Kanal-Vorrichtung die Wahl eines Materials für
Source- und Drainelektrode, dessen Austrittsarbeit gut an das LUMO-Niveau
des OSC angepasst ist.
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Ein
Problem bei der obengenannten Anordnung besteht darin, dass eine
relativ kleine Zahl von Materialien eine Austrittsarbeit haben wird,
die eine gute Energieniveauanpassung an das HOMO/LUMO-Niveau des
OSC hat. Viele dieser Materialien können teuer sein, wie
zum Beispiel Gold, und/oder können schwierig abzuscheiden
sein, um die Source- und Drainelektrode zu bilden. Selbst wenn ein
geeignetes Material zur Verfügung steht, kann es des weiteren
nicht perfekt auf einen gewünschten OSC abgestimmt sein,
und eine Änderung im OSC kann eine Änderung in
dem für Source- und Drainelektrode verwendeten Material
erforderlich machen.
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Eine
bekannte Lösung besteht in der Bereitstellung einer dünnen
sich selbst organisierenden Dipolschicht auf Source- und Drainelektrode,
um die Energieniveauanpassung zu verbessern. Ohne an eine Theorie
gebunden zu sein kann eine dünne sich selbst organisierende
Dipolschicht ein Feld bereitstellen, das die Energieniveaus des
Materials von Source- bzw. Drainelektrode und/oder die Energieniveaus
des OSC in der Nähe der Source- bzw. Drainelektrode verschiebt,
um die Energieniveauanpassung zwischen dem OSC und dem Source/Drain-Material zu
verbessern.
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Wenngleich
die Verwendung einer sich selbst organisierenden Dipolschicht die
Anpassung zwischen den Energieniveaus des Source/Drain-Materials
und des OSC verbessern kann, können die Energieniveaus
mit dieser Technik nur um ein paar Zehntel eines Elektronenvolts
verschoben werden. An sich ist die Art des für Source-
und Drainelektrode verwendeten Materials immer noch relativ beschränkt.
Es wäre vorteilhaft, einen weiten Bereich an Materialien
für Source und Drain verwenden zu können, so dass
Materialien wegen ihrer Prozesskompatibilität gewählt
werden können. Ein weiteres Problem besteht darin, dass
wenn die dünne sich selbst organisierende Dipolschicht
nicht nur auf Source- und Drainelektrode, sondern auch in dem Kanalbereich
angeordnet ist, die Leistungsmerkmale des OSC in dem Kanalbereich
negativ beeinflusst werden können.
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Im
Stand der Technik wurden noch eine Reihe weiterer Methoden verwendet,
um die Leistung des organischen Dünnschichttransistors
zu verbessern.
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Die
US 2005/133782 offenbart
die Dotierung von Palladiummetall für Source und Drain
mit Benzonitril oder substituierten Benzonitrilen wie Tetracyanochinodimethan
(TCNQ), um den Ladungsübergang zwischen dem organischen
Halbleiter und der Oberfläche der Source- bzw. Drainelektrode
zu verbessern. Im Gegensatz zu den oben erläuterten Dipolschichten,
die lediglich das Energieniveau des OSC und/oder von Source und
Drain mit Hilfe eines Feldeffekts verändern, wird der OSC
mit den Benzonitrilen durch Elektronenaufnahme (p-Dotierung) chemisch
dotiert. An sich wird die Leitfähigkeit des OSC in der
Nähe der Elektroden erhöht und der Ladungsübergang
wird in weit höherem Maß als bei Verwendung der
obengenannten Dipolschichten erleichtert.
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In J.
Am. Chem. Soc., 2006, 128, 16418–16419 wird ebenfalls
die Verwendung von TCNQ auf Ag- oder Cu-Kontakten zur lokalen Dotierung
eines Pentacen-OSC offenbart, was gute Transistoreigenschaften ergibt.
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Die
Nitrile werden in dem obengenannten Stand der Technik direkt verwendet,
ohne mit speziell zur Anlagerung an das Source/Drain-Metall konzipierten
Gruppen funktionalisiert zu werden. Es wird beschrieben, dass sich
die zur Dotierung verwendeten Nitrilgruppen selbst an das Source/Drain-Palladiummetal
binden können und dass ungebundener Dotand durch Abwaschen
entfernt werden kann, so dass die zur Dotierung verwendeten Nitrilgruppen
an Source/Drain, aber nicht in dem Kanal zurückbleiben.
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Der
Anmelder der vorliegenden Erfindung hat festgestellt, dass es vorteilhaft
ist, die Bindung von Dotierkomponenten wie TCNQ an die Source/Drainelektroden
durch Bereitstellung einer an die Dotierkomponente gebundenen Anlagerungskomponente
zu verbessern. Dies wird in der früheren Anmeldung
GB-A-0712269.0 des
Anmelders beschrieben. In
GB-A-0712269.0 wird
außerdem offenbart, dass fluorierte Derivate von TCNQ wie
zum Beispiel Tetrafluor-tetracyanochinodimethan (F4-TCNQ) verwendet
werden könnten, da der Anmelder festgestellt hat, dass
diese Dotierkomponenten Elektronen besonders gut von dem OSC aufnehmen
können, weil dieser ein sehr tiefes LUMO-Niveau hat.
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Es
ist ein Ziel bestimmter Ausführungsformen der vorliegenden
Erfindung, einen verbesserten organischen Dünnschichttransistor
und ein verbessertes Verfahren zur Behandlung von Source/Drainelektroden
bereitzustellen, um einen guten ohmschen Kontakt zwischen den Source/Drainelektroden
und dem organischen Halbleitermaterial in einem organischen Dünnschichttransistor
bereitzustellen.
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Es
ist ein weiteres Ziel der vorliegenden Erfindung, ein Verfahren
zur Bildung eines organischen Dünnschichttransistors mit
gutem ohmschen Kontakt durch ein Lösungsverarbeitungsverfahren
bereitzustellen.
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Zusammenfassung der Erfindung
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Im
Anschluss an seine in
GB-A-0712269.0 beschriebene
Arbeit hat der Anmelder überraschend festgestellt, dass
bei Verwendung eines Dotanden mit einem sehr tiefen LUMO-Niveau,
wie zum Beispiel ein fluoriertes Derivat von TCNQ und nicht die bereits
beschriebenen TCNQ-Dotanden, die selektive Bindung an die Source/Drainelektroden
verbessert wird, so dass keine separate Anlagerungskomponente mehr
erforderlich ist. Es wird angenommen, dass der Mechanismus für
eine verbesserte Bindung der Source/Drainelektroden derselbe ist
wie der für eine verbesserte Dotierung des OSC. Die Dotanden mit
einem sehr niedrigen LUMO-Niveau können wegen ihres sehr
tiefen LUMO-Niveaus Elektronen gut von dem OSC aufnehmen, was zu
einer besseren Dotierung des OSC führt. Analog dazu können
die Dotanden mit einem sehr niedrigen LUMO-Niveau wegen ihres sehr
tiefen LUMO-Niveaus Elektronen gut von den Source/Drainelektroden
anziehen, was zu einer besseren Bindung der Dotanden an die Source/Drainelektroden
führt. Außerdem hat der Anmelder überraschend
festgestellt, dass Dotanden mit einem sehr niedrigen LUMO-Niveau
die Benetzungseigenschaften der Source/Drainelektroden bei einem aus
Lösung abgeschiedenen OSC gegenüber Dotanden mit
höherem LUMO-Niveau wie TCNQ verbessern. Zum Beispiel wurde
festgestellt, dass der OSC bei Verwendung von TCNQ als Source/Drain-Dotand die
Fläche zwischen den Source/Drainelektroden nur leicht benetzen
wird und die Metallflächen von Source und Drain vollständig
freilassen wird, wenn der OSC aus einer Lösung in einem
Lösungsmittel auf die Oberfläche abgegeben wird.
An sich muss eine große Menge OSC-Lösung verwendet
werden, um eine Bedeckung der Source- bzw. Drainelektrodenflächen
zu erreichen. Ferner neigt der OSC zum Entnetzen von den Elektroden
nach dem Abscheiden, was einen sehr schnellen Brennvorgang erfordert, um
den OSC zu trocknen, damit sich die OSC-Lösung nicht in
ihrem flüssigen Zustand von den Elektroden entnetzt. Wenn
dagegen ein Dotand mit sehr niedrigem LUMO-Niveau verwendet wird,
wie zum Beispiel F4-TCNQ, verteilt sich die OSC-Lösung
problemlos über den Source/Drainelektroden und wird nach
dem Abscheiden nicht wieder davon entnetzt. Ohne an eine Theorie
gebunden zu sein liegt der Grund für die bessere Benetzung
des OSC vielleicht in der stärkeren Antriebskraft für
eine Dotierung des OSC bei Dotanden mit sehr niedrigem LUMO-Niveau,
in einer verbesserten Haftung von Dotanden mit sehr niedrigem LUMO-Niveau
an den Source/Drainelektroden oder in einer Kombination der beiden.
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Angesichts
der obigen Ausführungen, und gemäß einer
ersten Ausgestaltung der vorliegenden Erfindung, wird ein organischer
Dünnschichttransistor bereitgestellt, der eine Source-
und eine Drainelektrode und ein dazwischen in einem Kanalbereich angeordnetes
halbleitendes Material umfasst, wobei auf der Source- und der Drainelektrode
eine dünne sich selbst organisierende Schicht aus einem
Material angeordnet ist, das eine Dotierkomponente zum chemischen
Dotieren des organischen halbleitenden Materials durch Aufnahme
von Elektronen umfasst, wobei die Dotierkomponente ein Redoxpotential
von mindestens 0,3 eV in Bezug auf eine gesättigte Kalomelelektrode
(SCE) in Acetonitril hat. Mehr bevorzugt beträgt das Redoxpotential
der Dotierkomponente mindestens 0,4 in Bezug auf eine gesättigte
Kalomelelektrode, und am meisten bevorzugt beträgt des
Redoxpotential der Dotierkomponente mindestens 0,5 in Bezug auf
eine gesättigte Kalomelelektrode.
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Verschiedene
Elektronenakzeptoren und ihre Redoxpotentiale sind in J.
Am. Chem. Soc., 1976, 98: 13, 3916–3925 angegeben.
Siehe zum Beispiel Tabelle IV dieses Dokuments, in der ein Wert von
0,53 für TCNQF4 und ein Wert von
nur 0,17 für TCNQ in Bezug auf eine gesättigte
Kalomelelektrode in Acetonitril angegeben ist. TCNQF4 hat
sich zwar als Source/Drain-Dotand gemäß der vorliegenden Erfindung
als nützlich erwiesen, doch werden in Tabelle IV auch noch
andere Elektronenakzeptoren offenbart, die sich zur Verwendung als
Dotanden gemäß Ausführungsformen der
vorliegenden Erfindung eignen können, so zum Beispiel TCNQ(CN)2 und andere halogenierte Derivate von TCNQ
wie zum Beispiel TCNQCl2 und TCNQBr2. Derivate, wie zum Beispiel fluorierte
Derivate, anderer Elektronenakzeptoren können ebenfalls
verwendet werden, so zum Beispiel fluorierte Derivate von Anthrachinon,
Perylenbisimid und Tetracyanoanthrachinodimethan. Weitere elektronenziehende
Substituenten zur Erhöhung der Elektronenaffinität
eines Dotanden sind Nitro(-NO2)- und Cyano(-CN)-Gruppen.
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Ausführungsformen
der vorliegenden Erfindung stellen insoweit eine Verbesserung gegenüber den
in
US 2005/133782 offenbarten
TCNQ-Dotanden dar, als die Dotanden eine bessere selektive Bindung
an Source/Drainelektroden, eine bessere Benetzbarkeit des OSC auf
den Source/Drainelektroden und eine verbesserte Ladungsmobilität
des OSC infolge besserer Dotierung haben.
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Die
vorliegende Erfindung erlaubt die Verwendung eines weiten Bereichs
an Materialien zur Bildung der Source/Drain-Kontakte und der zugehörigen
Leiterbahnen aus Metall, die diese Schicht ebenfalls bereitstellen
soll, insbesondere Silber und Silberlegierungen. Materialien können
wegen ihrer besseren Leitfähigkeit und Verarbeitbarkeit
ausgewählt werden, ohne dass eine Austrittsarbeit des Materials
einem speziellen Energieniveau des OSC entsprechen muss. Damit können
allgemein übliche Materialien für Source/Drainelektroden
wie zum Beispiel Gold (und Palladium) durch kostengünstige
Materialien ersetzt werden, die leichter zu strukturieren sind.
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Daneben
wurde festgestellt, dass Schwermetalle wie Gold leicht in den OSC
diffundieren und sich während des Betriebs organischer
Dünnschichttransistoren negativ auf die funktionellen Eigenschaften
des OSC auswirken. Die vorliegende Erfindung erlaubt die Auswahl
von Source/Drain-Materialien, die nicht an diesen schädlichen
Diffusionseffekten leiden.
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Die
Dotierkomponenten mit sehr niedrigem LUMO-Niveau zeigen eine starke
Bindung an die Source/Drainelektrode und verhindern eine Diffusion weg
von Source/Drain im Betrieb bzw. ein Entfernen der Dotierkomponente
beim Waschen, wenn überschüssiger Dotand von anderen
Flächen der Vorrichtung wie zum Beispiel dem Kanalbereich
entfernt wird. Ferner können die Dotierkomponenten die
effektive Austrittsarbeit der Source- und Drainelektroden im Vergleich
zu dem unbehandelten Metall herabsetzen.
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Die
Dotierkomponente ist elektronenaufnehmend, um Elektronen von dem
organischen halbleitenden Material aufzunehmen, wodurch das organische
halbleitende Material p-dotiert ist. Das HOMO-Niveau des organischen
halbleitenden Materials ist vorzugsweise höher (d. h. weniger
negativ) als das LUMO-Niveau des Dotanden. Dies ermöglicht
einen besseren Elektronenübergang vom HOMO-Niveau des organischen
halbleitenden Materials zum LUMO-Niveau des Dotanden. Ladungsübergang
ist jedoch nach wie vor zu beobachten, wenn das HOMO-Niveau des
organischen halbleitenden Materials nur etwas niedriger ist als
das LUMO-Niveau des Dotanden. Bei Verwendung eines Dotanden mit
einem sehr niedrigen LUMO-Niveau kann ein organisches halbleitendes
Material mit einem tieferen HOMO-Niveau verwendet werden als sonst
der Fall wäre. Zum Beispiel kann ein organisches halbleitendes Material
verwendet werden, das nicht signifikant mit TCNQ dotiert ist, weil
sein HOMO-Niveau unter dem LUMO-Niveau des TCNQ liegt. Der Anmelder
der vorliegenden Erfindung hat festgestellt, dass dies besonders
vorteilhaft ist, weil organisches halbleitendes Material mit einem
tieferen (mehr negativen) HOMO-Niveau stabiler ist. An sich hat
das organische halbleitende Material gemäß Ausführungsformen
der vorliegenden Erfindung vorzugsweise ein HOMO-Niveau, das tiefer
liegt als das LUMO-Niveau von TCNQ, aber am meisten bevorzugt weniger
tief als das LUMO-Niveau des Dotanden der vorliegenden Erfindung.
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Vorzugsweise
ist der Dotand ein ladungsneutraler Dotand und keine ionische Spezies
wie Dotiermittel auf Basis einer Protonensäure. Die Bereitstellung
einer hohen Säurekonzentration im Bereich der Elektroden
kann zum Ätzen der Elektroden unter Freisetzung von Elektrodenmaterial
führen, was das darüberliegende organische halbleitende
Material zersetzen kann. Ferner kann die Säure mit organischem
halbleitendem Material in Wechselwirkung treten, was zur Ladungstrennung
führt, was wiederum für die Leistung der Vorrichtung
von Nachteil ist. An sich wird ein ladungsneutraler Dotand wie zum Beispiel
substituiertes TCNQ bevorzugt.
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Vorzugsweise
ist das organische halbleitende Material lösungsverarbeitbar,
so dass es zum Beispiel durch Tintenstrahldrucken abgeschieden werden
kann. Lösungsverarbeitbare Materialien sind zum Beispiel
Polymere, Dendrimere und kleinmolekülige Materialien.
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Vorzugsweise
ist das substituierte TCNQ ein fluoriertes Derivat, zum Beispiel
Tetrafluor-tetracyanochinodimethan (F4-TCNQ). Es hat sich gezeigt, dass
dieses Derivat besonders gut geeignet ist, um OSC zu dotieren, sich
an Source/Drainelektroden zu binden und eine leicht benetzbare Oberfläche
für den OSC bereitzustellen.
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Die
Leitfähigkeit der Zusammensetzung liegt vorzugsweise im
Bereich von 10–6 S/cm bis 10–2 S/cm im Bereich der Elektroden.
Die Leitfähigkeit der Zusammensetzungen kann jedoch ohne
weiteres verändert werden, indem die Dotandenkonzentration geändert
wird oder indem ein anderes organisches halbleitendes Material und/oder
ein anderer Dotand verwendet wird, je nach dem für einen
speziellen Verwendungszweck gewünschten speziellen Leitfähigkeitswert.
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Für
eine Vorrichtung mit unten liegendem Gate kann ein organisches dielektrisches
Material benutzt werden, um einen großen Unterschied in
den chemischen Eigenschaften der dielektrischen Schicht und der
Source- und Drainelektrode bereitzustellen, so dass die selektive
Bindung der Dotierkomponente an die Source- und Drainelektrode unterstützt
wird.
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Analog
dazu kann für eine Vorrichtung mit oben liegendem Gate
ein organisches Substrat benutzt werden, um einen großen
Unterschied in den chemischen Eigenschaften der dielektrischen Schicht
und der Source- und Drainelektrode bereitzustellen, so dass die
selektive Bindung der Dotierkomponente an die Source- und Drainelektrode
unterstützt wird.
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Bei
einer weiteren Anordnung kann die dielektrische Schicht oder das
Substrat behandelt werden, um die selektive Bindung der Dotierkomponente an
die Source- und Drainelektrode und nicht an die dielektrische Schicht
oder das Substrat zu unterstützen.
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Gemäß einer
zweiten Ausgestaltung der vorliegenden Erfindung wird ein Verfahren
zur Herstellung eines bereits beschriebenen organischen Dünnschichttransistors
bereitgestellt, wobei das Verfahren die folgenden Schritte umfasst:
Abscheiden einer Source- und Drainelektrode; Bilden einer dünnen sich
selbst organisierenden Materialschicht auf der Source- und Drainelektrode,
wobei die dünne sich selbst organisierende Materialschicht
eine Dotierkomponente zum chemischen Dotieren eines organischen
halbleitenden Materials durch Elektronenaufnahme umfasst; und Abscheiden
eines organischen halbleitenden Materials in einem Kanalbereich
zwischen Source- und Drainelektrode, wobei die Dotierkomponente
ein Redoxpotential von mindestens 0,3 eV in Bezug auf eine gesättigte
Kalomelelektrode (SCE) in Acetonitril hat. Das organische halbleitende Material
ist vorzugsweise aus Lösung abgeschieden.
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Zusammenfassung der Zeichnungen
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Die
vorliegende Erfindung wird nun, lediglich beispielhaft, anhand der
beigefügten Zeichnungen näher beschrieben; darin
zeigen:
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1 zeigt
eine bekannte organische Dünnschichttransistoranordnung
mit oben liegendem Gate;
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2 zeigt
eine bekannte organische Dünnschichttransistoranordnung
mit unten liegendem Gate;
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3 zeigt
einen organischen Dünnschichttransistor mit unten liegendem
Gate gemäß einer Ausführungsform der
vorliegenden Erfindung;
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4 zeigt
einen organischen Dünnschichttransistor mit oben liegendem
Gate gemäß einer Ausführungsform der
vorliegenden Erfindung;
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5 veranschaulicht
die Verfahrensschritte bei der Bildung eines organischen Dünnschichttransistors
gemäß der in 3 dargestellten
Ausführungsform;
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6 veranschaulicht
einen Abschnitt eines organischen lichtemittierenden Displays mit
Aktivmatrix, das einen organischen Dünnschichttransistor und
eine organische lichtemittierende Vorrichtung umfasst;
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7 veranschaulicht
einen Abschnitt einer weiteren organischen lichtemittierenden Displayanordnung
mit Aktivmatrix, die einen organischen Dünnschichttransistor
und eine organische lichtemittierende Vorrichtung umfasst;
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8 veranschaulicht
den Unterschied in der Ladungsmobilität zwischen OTFT-Vorrichtungen mit
Source/Drainelektroden aus Silber, OTFT-Vorrichtungen mit TCNQ-beschichteten
Source/Drainelektroden aus Silber und OTFT-Vorrichtungen mit F4TCNQ-beschichteten
Source/Drainelektroden aus Silber; und
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9 veranschaulicht
den Unterschied im Kontaktwinkel eines Wassertropfens auf einer
Silberoberfläche, auf einer mit TCNQ beschichteten Silberoberfläche
und auf einer mit F4TCNQ beschichteten Silberoberfläche.
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Ausführliche Beschreibung
bevorzugter Ausführungsformen
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3 zeigt
einen organischen Dünnschichttransistor mit unten liegendem
Gate gemäß einer Ausführungsform der
vorliegenden Erfindung. Der Aufbau ist ähnlich wie bei
der in 2 dargestellten Anordnung nach dem Stand der Technik,
und der Übersichtlichkeit halber wurden gleiche Bezugszeichen
für gleiche Teile verwendet. Der wesentliche Unterschied
zwischen der in 3 dargestellten Anordnung besteht
darin, dass auf der Source- und Drainelektrode 2, 4 eine
dünne sich selbst organisierende Materialschicht 14 angeordnet
ist, die eine Dotierkomponente mit einem Redoxpotential von mindestens
0,3 eV in Bezug auf eine gesättigte Kalomelelektrode (SCE)
in Acetonitril umfasst.
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4 zeigt
einen organischen Dünnschichttransistor mit oben liegendem
Gate gemäß einer Ausführungsform der
vorliegenden Erfindung. Der Aufbau ist ähnlich wie bei
der in 1 dargestellten Anordnung nach dem Stand der Technik,
und der Übersichtlichkeit halber wurden gleiche Bezugszeichen
für gleiche Teile verwendet. Der wesentliche Unterschied
zwischen der in 4 dargestellten Anordnung besteht
wiederum darin, dass auf der Source- und Drainelektrode 2, 4 eine
dünne sich selbst organisierende Materialschicht 14 angeordnet
ist, die eine Dotierkomponente mit einem Redoxpotential von mindestens
0,3 eV in Bezug auf eine gesättigte Kalomelelektrode (SCE)
in Acetonitril umfasst.
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Die
in 3 dargestellte Ausführung mit unten liegendem
Gate ist nach dem in 5 dargestellten Verfahren gebildet,
in der schematische Querschnitte dargestellt sind.
- 1. Gateabscheidung und -strukturierung 12 (z. B. Strukturierung
eines ITO-beschichteten Substrats).
- 2. Abscheidung und Strukturierung 10 eines Dielektrikums
(z. B. vernetzbare, photostrukturierbare Dielektrika).
- 3. Source/Drain-Materialabscheidung und -strukturierung 2, 4 (z.
B. Silber, Photolithographie).
- 4. Source/Drain-Oberflächenbehandlung 14.
Die Oberflächenbehandlungsgruppen könnten durch Eintauchen
des Substrats in eine Lösung des sich selbst organisierenden
Materials oder durch Schleuderbeschichten aus einer verdünnten
Lösung aufgebracht werden. Überschüssiges
(ungebundenes) Material kann durch Abwaschen entfernt werden. Die
Verwendung eines hydrophoben organischen Dielektrikums erlaubt Selektivität
und verhindert, dass sich Dotierkomponenten selbst an den Kanalbereich
anlagern. Wenn der Kanalbereich dotiert wird, lässt der
Dünnschichttransistor Strom von Source nach Drain fließen,
wobei sich der Transistor im ausgeschalteten Zustand befindet. [Es
sei angemerkt, dass zur Herstellung eines Dünnschichttransistors
vom Verarmungstyp, für den eine Gate-Vorspannung angelegt
wird, um den Transistor abzuschalten, dieser Effekt ein wünschenswerter
Weg zur kontrollierten Dotierung des OSC im Kanalbereich sein könnte.]
- 5. Abscheidung des OSC 8 (z. B. durch Tintenstrahldrucken
eines lösungsverarbeitbaren Polymers).
- 6. Die Dotandenmoleküle treten mit dem OSC in Wechselwirkung,
wo sie in Kontakt 16 stehen. Bei einem Akzeptordotanden
mit tiefem LUMO-Niveau werden Elektronen von dem OSC zu dem Dotanden übertragen,
so dass ein örtlich begrenzter Bereich des OSC leitend
wird. Dadurch wird die Injektion und Extraktion von Ladungen an
den Source- und Drainkontakten verbessert.
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Diese
Technik ist auch kompatibel mit Vorrichtungen mit oben liegendem
Gate. In diesem Fall wird die Source/Drain-Schicht zuerst abgeschieden und
strukturiert. Die Oberflächenbehandlung wird dann vor Abscheidung
von OSC, Gate-Dielektrikum und Gate auf die Source/Drain-Schicht
angewandt. Es wird eine Dotierkomponente ausgewählt, die
sich im Bereich des Source-Drain-Kanals nicht selbst an das freiliegende
Substrat anlagert.
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An
bestimmten Stellen kann eine Behandlung vorgenommen werden, um die
Anlagerung des Dotanden zu verhindern. Dies kann erforderlich sein, um
die Anlagerung an den Kanalbereich zu verhindern, wenn nicht direkt
Selektivität erreicht werden kann.
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Wenn
das Source/Drain-Metall freiliegen muss (z. B. zur elektrischen
Verbindung mit einer anschließenden leitenden Schicht)
kann es sein, dass die Dotandenschicht entfernt werden muss (z.
B. durch direkte Photostrukturierung einer photoreaktiven Anlagerungsgruppe,
Laserablation, etc.) oder es kann zuvor eine Oberflächenstrukturierung
erforderlich sein, um zu definieren, wo die Dotandenschicht erforderlich
ist. Wenn die Dotandenschicht dünn und leitend genug ist,
kann der Dotand alternativ an Ort und Stelle belassen werden, ohne
die Bildung leitender Kontaktlöcher zu behindern.
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Weitere
Merkmale von OTFTs gemäß Ausführungsformen
der vorliegenden Erfindung werden nachfolgend erläutert.
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Substrat
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Das
Substrat kann starr oder biegsam sein. Starre Substrate können
aus Glas oder Silicium ausgewählt sein und biegsame Substrate
können dünnes Glas oder Kunststoffe wie Poly(ethylenterephthalat)
(PET), Poly(ethylennaphthalat) (PEN), Polycarbonat und Polyimid
umfassen.
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Das
organische halbleitende Material kann durch die Verwendung eines
geeigneten Lösungsmittels lösungsverarbeitbar
gemacht werden. Beispielhafte Lösungsmittel sind Mono-
oder Polyalkylbenzole wie Toluol und Xylol; Tetralin; und Chloroform.
Bevorzugte Techniken zum Abscheiden aus Lösung sind das
Schleuderbeschichten und das Tintenstrahldrucken. Weitere Techniken
zum Abscheiden aus Lösung sind das Tauchbeschichten, Rollendruckbeschichten
und Siebdrucken.
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Organische Halbleitermaterialien
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Bevorzugte
organische Halbleitermaterialien sind kleinmolekülige Materialien
wie zum Beispiel optional substituiertes Pentacen; optional substituierte Polymere
wie zum Beispiel Polyarylene, insbesondere Polyfluorene und Polythiophene;
und Oligomere. Es können Materialmischungen, einschließlich
Mischungen verschiedener Materialarten (z. B. eine Mischung aus
Polymeren und kleinmoleküligen Materialien) verwendet werden.
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Source- und Drainelektroden
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Bei
einem p-Kanal-OTFT umfassen Source- und Drainelektrode vorzugsweise
ein Material mit hoher Austrittsarbeit, vorzugsweise aus einem Metall mit
einer Austrittsarbeit größer als 3,5 eV, zum Beispiel
aus Gold, Platin, Palladium, Molybdän, Wolfram oder Chrom.
Mehr bevorzugt hat das Metall eine Austrittsarbeit im Bereich von
4,5 bis 5,5 eV. Es können auch noch andere geeignete Verbindungen,
Legierungen und Oxide wie zum Beispiel Molybdäntrioxid und
Indiumzinnoxid verwendet werden. Source- und Drainelektrode können
durch thermisches Aufdampfen abgeschieden und mit herkömmlichen,
an sich bekannten Photolithographie- und Abhebetechniken strukturiert
werden.
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Alternativ
können leitfähige Polymere als Source- und Drainelektrode
abgeschieden werden. Ein Beispiel für solche leitfähigen
Polymere ist Poly(ethylendioxythiophen) (PEDOT), wenngleich auch andere
leitfähige Polymere in der Technik bekannt sind. Solche
leitfähigen Polymere können, zum Beispiel, mit
Schleuderbeschichtungs- oder Tintenstrahldrucktechniken oder mit
anderen oben erläuterten Lösungsabscheidetechniken
aus Lösung abgeschieden werden.
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Source-
und Drainelektrode werden zur leichteren Herstellung vorzugsweise
aus demselben Material gebildet. Es versteht sich jedoch, dass Source-
und Drainelektrode zur Optimierung der Ladungsinjektion bzw. -extraktion
aus verschiedenen Materialien gebildet werden können.
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Die
Länge des zwischen Source- und Drainelektrode definierten
Kanals kann bis zu 500 μm betragen, aber vorzugsweise beträgt
die Länge weniger als 200 μm, mehr bevorzugt weniger
als 100 μm und am meisten bevorzugt weniger als 20 μm.
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Gateelektrode
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Die
Gateelektrode kann aus einem weiten Bereich an leitenden Materialien,
zum Beispiel aus einem Metall (z. B. Gold) oder einer Metallverbindung (z.
B. Indiumzinnoxid) ausgewählt werden. Alternativ können
leitfähige Polymere als Gateelektrode abgeschieden werden.
Solche leitfähigen Polymere können, zum Beispiel,
mit Schleuderbeschichtungs- oder Tintenstrahldrucktechniken oder
mit anderen oben erläuterten Lösungsabscheidetechniken
aus Lösung abgeschieden werden.
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Die
Dicke der Gateelektrode, der Source- und Drainelektrode kann im
Bereich von 5–200 nm liegen, typischerweise aber bei 50
nm, wie beispielsweise mittels Atomkraftmikroskopie (AFM) gemessen.
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Isolierschicht (Gate-Dielektrikum)
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Die
Isolierschicht umfasst ein dielektrisches Material, das aus Isoliermaterialien
mit einem hohen spezifischen Widerstand ausgewählt ist.
Die Dielektrizitätskonstante, k, des Dielektrikums liegt
typischerweise um 2–3, wenngleich Materialien mit einem
hohen Wert für k wünschenswert sind, weil die
für einen OTFT erreichbare Kapazität direkt proportional
ist zu k und der Drainstrom ID direkt proportional
zur Kapazität ist. Um also hohe Drainströme bei
niedrigen Betriebsspannungen zu erreichen, werden OTFTs mit dünnen
dielektrischen Schichten im Kanalbereich bevorzugt.
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Das
dielektrische Material kann organisch oder anorganisch sein. Bevorzugte
anorganische Materialien sind SiO2, SiNx und Spin-on-Glas (SOG). Bevorzugte organische
Materialien sind im Allgemeinen Polymere und schließen
isolierende Polymere wie zum Beispiel Polyvinylalkohol (PVA), Polyvinylpyrrolidin
(PVP), Acrylate wie Polymethylmethacrylat (PMMA) und bei Dow Corning
erhältliche Benzocyclobutane (BCBs) mit ein. Die Isolierschicht
kann aus einer Materialmischung gebildet sein oder eine mehrlagige
Struktur umfassen.
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Das
dielektrische Material kann durch thermisches Aufdampfen, Vakuumverarbeitung
oder an sich bekannte Laminiertechniken abgeschieden werden. Alternativ
kann das dielektrische Material aus Lösung abgeschieden
werden, zum Beispiel mit Schleuderbeschichtungs- oder Tintenstrahldrucktechniken
oder mit anderen oben erläuterten Lösungsabscheidetechniken.
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Wenn
das dielektrische Material aus Lösung auf den organischen
Halbleiter abgeschieden wird, sollte dies nicht zur Auflösung
des organischen Halbleiters führen. Ebenso sollte sich
das dielektrische Material nicht auflösen, wenn der organische
Halbleiter aus Lösung darauf abgeschieden wird. Techniken zur
Vermeidung dieses Auflösens sind: Verwendung orthogonaler
Lösungsmittel, d. h. Verwendung eines Lösungsmittels
zum Abscheiden der obersten Schicht, das die darunterliegende Schicht
nicht auflöst; und Vernetzen der darunterliegenden Schicht.
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Die
Dicke der Isolierschicht beträgt vorzugsweise weniger als
2 μm, mehr bevorzugt weniger als 500 nm.
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Weitere Schichten
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In
der Architektur der Vorrichtung können noch weitere Schichten
enthalten sein. Zum Beispiel kann eine sich selbst organisierende
Monoschicht (SAM) auf der Gate-, Source- oder Drainelektrode, dem
Substrat, der Isolierschicht und dem organischen Halbleitermaterial
abgeschieden werden, um die Kristallinität zu fördern,
den Kontaktwiderstand zu verringern, Oberflächenmerkmale
zu reparieren und, wo erforderlich, die Haftung zu fördern.
Insbesondere kann die dielektrische Oberfläche in dem Kanalbereich
mit einer Monoschicht versehen sein, die einen Bindungsbereich und
einen organischen Bereich umfasst, um die Leistung der Vorrichtung
zu verbessern, z. B. durch Verbesserung der Morphologie des organischen
Halbleiters (insbesondere der Ausrichtung und Kristallinität
des Polymers) und durch Abdecken von Ladungsfallen, insbesondere
bei einer dielektrischen Oberfläche mit hohem k. Beispielhafte
Materialien für eine solche Monoschicht sind Chlor- oder Alkoxysilane
mit langen Alkylketten, z. B. Octadecyltrichlorsilan.
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OTFT-Anwendungen
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OTFTs
gemäß Ausführungsformen der vorliegenden
Erfindung haben einen weiten Bereich möglicher Anwendungen.
Eine solche Anwendung ist die Ansteuerung von Pixels in einer optischen
Vorrichtung, vorzugsweise einer organischen optischen Vorrichtung.
Beispiele für solche optischen Vorrichtungen sind lichtempfindliche
Vorrichtungen, insbesondere Photodetektoren und lichtemittierende
Vorrichtungen, insbesondere organische lichtemittierende Vorrichtungen.
OTFTs eignen sich besonders zur Verwendung bei organischen lichtemittierenden
Vorrichtungen mit Aktivmatrix, z. B. zur Verwendung bei Display-Anwendungen.
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6 zeigt
ein Pixel mit einem organischen Dünnschichttransistor und
einer angrenzenden organischen lichtemittierenden Vorrichtung auf
einem gemeinsamen Substrat 21. Der OTFT umfasst eine Gateelektrode 22,
eine dielektrische Schicht 24, Source- und Drainelektroden 23s und 23d sowie
eine OSC-Schicht 25. Die OLED umfasst eine Anode 27, eine
Kathode 29 und eine zwischen Anode und Kathode vorgesehene
elektrolumineszierende Schicht 28. Weitere Schichten können
sich zwischen Anode und Kathode befinden, wie zum Beispiel eine
Ladungstransportschicht, eine Ladungsinjektionsschicht oder eine
ladungsblockierende Schicht. Bei der Ausführungsform von 6 erstreckt
sich die Schicht aus Kathodenmaterial sowohl über den OTFT
als auch über die OLED, und eine Isolierschicht 26 ist
vorgesehen, um die Kathodenschicht 29 von der OSC-Schicht 25 elektrisch
zu isolieren. Die aktiven Bereiche des OTFT und der OLED sind durch
ein gemeinsames Wulstmaterial definiert, das durch Abscheiden einer
Photoresistschicht auf dem Substrat 21 und durch Strukturieren
desselben gebildet wird, um OTFT- und OLED-Bereiche auf dem Substrat
zu definieren.
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Bei
dieser Ausführungsform ist die Drainelektrode 23d direkt
mit der Anode der organischen lichtemittierenden Vorrichtung verbunden,
um die organische lichtemittierende Vorrichtung zwischen einem emittierenden
und einem nicht emittierenden Zustand zu schalten.
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Bei
einer in 7 dargestellten alternativen Anordnung
kann ein organischer Dünnschichttransistor in einer gestapelten
Beziehung mit einer organischen lichtemittierenden Vorrichtung gefertigt
sein. Bei einer solchen Ausführungsform ist der organische
Dünnschichttransistor wie oben beschrieben in einer Ausführung
mit oben liegendem oder unten liegendem Gate aufgebaut. Wie bei
der Ausführungsform von 6 sind die
aktiven Bereiche des OTFT und der OLED durch eine strukturierte
Photoresistschicht 33 definiert, doch gibt es bei dieser
gestapelten Anordnung zwei getrennte Wulstschichten 33 – eine
für die OLED und eine für den OTFT. Eine Planarisierungsschicht 31 (auch
bekannt als Passivierungsschicht) ist über dem OTFT abgeschieden.
Beispielhafte Passivierungsschichten umfassen BCBs und Parylene.
Eine organische lichtemittierende Vorrichtung wird über
der Passivierungsschicht hergestellt. Die Anode 34 der
organischen lichtemittierenden Vorrichtung ist mit der Drainelektrode
des organischen Dünnschichttransistors über ein
durch die Passivierungsschicht 31 und die Wulstschicht 33 verlaufendes
leitfähiges Kontaktloch 32 elektrisch verbunden.
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Es
versteht sich, dass Pixelschaltungen mit einem OTFT und einem optisch
aktiven Bereich (z. B. einem lichtemittierenden oder lichterfassenden
Bereich) weitere Elemente umfassen können. Insbesondere
werden die OLED-Pixelschaltungen von 6 und 7 typischerweise
mindestens einen weiteren Transistor neben dem dargestellten Ansteuertransistor
und mindestens einen Kondensator umfassen.
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Es
versteht sich, dass die hierin beschriebenen organischen lichtemittierenden
Vorrichtungen nach oben oder nach unten abstrahlende Vorrichtungen
sein können. Das heißt, die Vorrichtungen können
Licht entweder durch die Anodenseite oder durch die Kathodenseite
der Vorrichtung abstrahlen. Bei einer lichtdurchlässigen
Vorrichtung sind sowohl die Anode als auch die Kathode lichtdurchlässig.
Es versteht sich, dass eine Vorrichtung mit lichtdurchlässiger
Kathode keine lichtdurchlässige Anode haben muss (sofern
natürlich keine vollständig lichtdurchlässige
Vorrichtung gewünscht wird), und somit kann die für
nach unten abstrahlende Vorrichtungen verwendete lichtdurchlässige
Anode durch eine Schicht aus reflektierendem Material, wie zum Beispiel
eine Aluminiumschicht, ersetzt oder damit ergänzt werden.
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Lichtdurchlässige
Kathoden sind besonders vorteilhaft für Vorrichtungen mit
Aktivmatrix, weil die Emission durch eine lichtdurchlässige
Anode bei solchen Vorrichtungen wenigstens teilweise durch die unter
den emittierenden Pixeln befindliche OTFT-Ansteuerschaltung blockiert
werden kann, wie aus der in 7 dargestellten
Ausführungsform hervorgeht.
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Die
vorliegende Erfindung wurde zwar anhand bevorzugter Ausführungsformen
derselben speziell dargestellt und beschrieben, doch versteht es
sich für den Fachmann, dass verschiedene Änderungen
an Form und Detail daran vorgenommen werden können, ohne
von dem in den beigefügten Ansprüchen definierten
Umfang der Erfindung abzuweichen.
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Versuchsergebnisse
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Es
wurden drei Sätze von OTFT-Vorrichtungen mit denselben
Materialien und derselben Schichtstruktur hergestellt, mit der Ausnahme,
dass ein erster Satz Vorrichtungen Source- und Drainelektroden aus
blankem Silber umfasste, ein zweiter Satz Vorrichtungen mit einem
TCNQ-Dotanden beschichtete Source- und Drainelektroden aus Silber
umfasste und ein dritter Satz Vorrichtungen mit einem F4TCNQ-Dotanden
beschichtete Source- und Drainelektroden aus Silber umfasste. Die
Ladungsmobilität jeder Vorrichtung wurde gemessen, und
die Ergebnisse sind in 8 dargestellt.
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Wie
aus 8 hervorgeht, ist die Ladungsmobilität
der Vorrichtungen mit dem F4TCNQ-Dotanden am besten.
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Während
der Herstellung der Vorrichtung wurde festgestellt, dass es bei
den Vorrichtungen mit blanken Silberelektroden bzw. mit Silber/TCNQ-Elektroden
im Vergleich zu den Vorrichtungen mit Silber/F4TCNQ-Elektroden zu
einem merklichen Entnetzen des OSC von den Source/Drainelektroden kam.
Um diese Beobachtung zu quantifizieren, wurde eine weitere Reihe
von Versuchen durchgeführt, bei denen drei Sätze
von Substraten hergestellt wurden, wobei ein erster Satz eine blanke
Silberoberfläche umfasste, ein zweiter Satz eine mit TCNQ
beschichtete Silberoberfläche umfasste und ein dritter Satz
eine mit F4TCNQ beschichtete Silberoberfläche umfasste.
Ein Wassertropfen wurde auf jedes der Substrate aufgebracht, und
der Kontaktwinkel eines Wassertropfens mit Luft wurde gemessen.
Die Ergebnisse sind in 9 dargestellt.
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Wie
aus 9 hervorgeht, ist der Kontaktwinkel bei der mit
F4TCNQ behandelten Oberfläche am kleinsten. Der geringere
Kontaktwinkel erklärt die Beobachtung, dass während
der Herstellung einer OTFT-Vorrichtung die OSC-Lösung mit
F4TCNQ beschichtete Elektroden besser benetzt als blankes Silber
oder mit TCNQ beschichtetes Silber.
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Zusammenfassung
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Organischer
Dünnschichttransistor, und Verfahren zur Herstellung desselben,
mit einer Source- und einer Drainelektrode und einem dazwischen
in einem Kanalbereich angeordneten organischen halbleitenden Material,
wobei auf der Source- und der Drainelektrode eine dünne
sich selbst organisierende Schicht aus einem Material angeordnet
ist, das eine Dotierkomponente zum chemischen Dotieren des organischen
halbleitenden Materials durch Aufnahme von Elektronen umfasst, wobei
die Dotierkomponente ein Redoxpotential von mindestens 0,3 eV in
Bezug auf eine gesättigte Kalomelelektrode in Acetonitril
hat.
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ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt
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Zitierte Patentliteratur
-
- - US 2005/133782 [0014, 0023]
- - GB 0712269 A [0017, 0017, 0020]
-
Zitierte Nicht-Patentliteratur
-
- - J. Am. Chem.
Soc., 2006, 128, 16418–16419 [0015]
- - J. Am. Chem. Soc., 1976, 98: 13, 3916–3925 [0022]