JP5574433B2 - 有機薄膜トランジスタおよびその製造方法 - Google Patents
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Description
1.ゲート堆積およびパターン形成12(たとえば、ITOで被覆された基板のパターン形成)。
2.誘電体堆積およびパターン形成10(たとえば、架橋結合可能で光パターン形成可能な誘電体)。
3.ソース−ドレイン材料堆積およびパターン形成2、4(たとえば、銀、フォトリソグラフィ)。
4.ソース−ドレイン表面処理14。表面処理基は、基板を自己集合性材料の溶液中に浸漬することによって加えることができ、または希薄溶液からのスピン被覆によって加えることができる。余分な(付着しない)材料は、洗浄によって除去することができる。疎水性の有機誘電体を使用することで、選択性を可能にし、ドーパント部分がチャネル領域に付着するのを防止する。チャネル領域がドープされた場合、薄膜トランジスタは、トランジスタをオフ状態にしたままソースからドレインへ電流を流すことができる。[ゲートバイアスが印加されるとトランジスタをオフにする空乏薄膜トランジスタを形成するには、この効果は、チャネル領域内のOSCを制御された形でドープするのに望ましい経路となりうることに留意されたい。]
5.OSC8の堆積(たとえば、溶液で処理可能なポリマーのインクジェット印刷による)。
6.ドーパント分子およびOSCがコンタクト16に位置する場合、ドーパント分子はOSCと相互に作用する。LUMOが深いアクセプタドーパントの場合、電子はOSCからドーパントへ転送され、OSCの伝導領域を局部化する。これにより、ソースコンタクトおよびドレインコンタクトでの電荷の注入および抽出が改善される。
基板は、剛性であっても可撓性であってもよい。剛性基板は、ガラスまたはシリコンから選択することができ、可撓性基板は、薄いガラス、またはポリ(エチレンテレフタレート)(PET)、ポリ(エチレンナフタレート)(PEN)、ポリカーボネート、およびポリイミドなどのプラスチックを含むことができる。
好ましい有機半導体材料には、任意選択で置換されたペンタセンなどの小分子、ポリアリーレンなどの任意選択で置換されたポリマー、具体的にはポリフルオレンおよびポリチオフェン、ならびにオリゴマーが含まれる。異なる材料タイプの混合物(たとえば、ポリマーと小分子の混合物)を含めて、材料の混合物を使用することができる。
pチャネルOTFTの場合、ソース電極およびドレイン電極は、仕事関数の高い材料、好ましくは仕事関数が3.5eVより大きい金属、たとえば金、白金、パラジウム、モリブデン、タングステン、またはクロムを含むことが好ましい。金属の仕事関数は、4.5〜5.5eVの範囲内であることがより好ましい。他の適した化合物、合金、ならびに三酸化モリブデンおよびインジウムスズ酸化物などの酸化物を使用することもできる。ソース電極およびドレイン電極は、熱蒸発によって堆積させて、当技術分野で知られている標準的なフォトリソグラフィおよびリフトオフ技法を使用してパターン形成することができる。
ゲート電極は、広い範囲の導電性材料、たとえば金属(たとえば、金)または金属化合物(たとえば、インジウムスズ酸化物)から選択することができる。別法として、導電性ポリマーをゲート電極として堆積させることもできる。そのような導電性ポリマーは、たとえば、スピン被覆またはインクジェット印刷技法、および上記で論じた他の溶液堆積技法を使用して、溶液から堆積させることができる。
絶縁層は、高い抵抗率を有する絶縁材料から選択された誘電体材料を含む。誘電体の誘電率kは通常2〜3前後であるが、OTFTに対して実現可能な静電容量はkに正比例し、ドレイン電流IDは静電容量に正比例するので、kの値が高い材料が望ましい。したがって、低い動作電圧で高いドレイン電流を実現するには、チャネル領域内に薄い誘電体層を有するOTFTが好ましい。
素子アーキテクチャには、他の層を含むこともできる。たとえば、必要に応じて、ゲート電極、ソース電極、またはドレイン電極、基板、絶縁層、および有機半導体材料上に自己集合単分子層(SAM)を堆積させて、結晶性を高め、接触抵抗を低減させ、表面特性を回復し、また密着性を高めることができる。具体的には、特に誘電体表面のkが高い場合、チャネル領域内の誘電体表面に結合領域および有機領域を含む単分子層を設け、たとえば有機半導体の形態(具体的には、ポリマーアラインメントおよび結晶化度)を改善して電荷トラップを覆うことによって、素子性能を改善することができる。そのような単分子層に対する例示的な材料には、長アルキル鎖を有するクロロまたはアルコキシシラン、たとえばオクタデシルトリクロロシランが含まれる。
本発明の実施形態によるOTFTには、広い範囲の可能な適用分野がある。1つのそのような適用分野は、光学素子、好ましくは有機光学素子内の画素を駆動させることである。そのような光学素子の例には、光応答性素子、具体的には光検出器、および発光性素子、具体的には有機発光素子が含まれる。OTFTは、たとえばディスプレイ適用分野で使用するために、アクティブマトリックス有機発光素子とともに使用するのに特に適している。
3組のOTFT素子が製造された。3組のOTFT素子には、第1の組の素子が裸銀ソース電極およびドレイン電極を含み、第2の組の素子がTCNQドーパントで被覆された銀ソース電極およびドレイン電極を含み、また第3の組の素子がF4TCNQドーパントで被覆された銀ソース電極およびドレイン電極を含むことを除いて、同じ材料および層構造を利用した。それぞれの素子の電荷移動度が測定された。その結果を図8に示す。
Claims (21)
- ソースおよびドレイン電極と、チャネル領域内で前記電極間に配置された有機半導電性材料とを含む有機薄膜トランジスタであって、前記ソース電極およびドレイン電極の上に、電子を受容することによって前記有機半導電性材料を化学的にドープするためのドーパント部分を含む薄い自己集合性の材料層が配置され、前記ドーパント部分が、アセトニトリル中の飽和カロメル電極に対して少なくとも0.3eVの酸化還元電位を有し、前記ドーパント部分が、前記ソース/ドレイン電極と選択的に結合する、有機薄膜トランジスタ。
- 前記ドーパント部分の前記酸化還元電位が、アセトニトリル中の飽和カロメル電極に対して少なくとも0.4eVである、請求項1に記載の有機薄膜トランジスタ。
- 前記ドーパント部分の前記酸化還元電位が、アセトニトリル中の飽和カロメル電極に対して少なくとも0.5eVである、請求項2に記載の有機薄膜トランジスタ。
- 前記ドーパント部分が電荷中性ドーパントである、請求項1〜3のいずれか一項に記載の有機薄膜トランジスタ。
- 前記ドーパント部分が、ハロゲン基、ニトロ基、および/またはCN基に置換される、請求項1〜4のいずれか一項に記載の有機薄膜トランジスタ。
- 前記ドーパント部分が、2つ以上のハロゲン基、ニトロ基、またはCN基に置換される、請求項5に記載の有機薄膜トランジスタ。
- 前記ハロゲンがフッ素である、請求項5または6に記載の有機薄膜トランジスタ。
- 前記ドーパント部分が、置換テトラシアノキノジメタン、アントラキノン、ペリレンビスイミド、またはテトラシアノアントラキノジメタンである、請求項1〜7のいずれか一項に記載の有機薄膜トランジスタ。
- 前記薄い自己集合層が自己集合単分子層である、請求項1〜8のいずれか一項に記載の有機薄膜トランジスタ。
- 前記有機半導電性材料のHOMO準位が、TCNQのLUMO準位より深い、請求項1〜9のいずれか一項に記載の有機薄膜トランジスタ。
- 前記有機半導電性材料のHOMO準位が、前記ドーパント部分のLUMOより浅い、請求項1〜10のいずれか一項に記載の有機薄膜トランジスタ。
- 前記有機半導電性材料が溶液で処理可能である、請求項1〜11のいずれか一項に記載の有機薄膜トランジスタ。
- 前記ソース電極およびドレイン電極近傍のドープされた有機半導電性材料の導電性が、10-6S/cm〜10-2S/cmの範囲内である、請求項1〜12のいずれか一項に記載の有機薄膜トランジスタ。
- 前記有機薄膜トランジスタが、基板上に配置されたゲート電極と、前記ゲート電極を覆って配置された誘電体材料層とを含むボトムゲート型素子であり、前記ソース電極およびドレイン電極が、前記誘電体材料を覆って配置される、請求項1〜13のいずれか一項に記載の有機薄膜トランジスタ。
- 前記誘電体材料が有機誘電体材料を含む、請求項14に記載の有機薄膜トランジスタ。
- 前記誘電体材料層が、前記ドーパント部分と前記ソース電極およびドレイン電極の選択的結合を高めるように処理される、請求項14または15に記載の有機薄膜トランジスタ。
- 前記有機薄膜トランジスタがトップゲート型素子であり、前記ソース電極およびドレイン電極が基板上に配置され、前記ソース電極およびドレイン電極を覆って、前記ソース電極とドレイン電極の間の前記チャネル領域内に前記有機半導電性材料が配置され、前記有機半導電性材料を覆って誘電体材料が配置され、そして前記誘電体材料を覆ってゲート電極が配置される、請求項1から13のいずれか一項に記載の有機薄膜トランジスタ。
- 前記基板が有機誘電体材料を含む、請求項17に記載の有機薄膜トランジスタ。
- 前記基板が、前記ドーパント部分と前記ソース電極およびドレイン電極の選択的結合を高めるように処理される、請求項17または18に記載の有機薄膜トランジスタ。
- 請求項1〜19のいずれか一項に記載の有機薄膜トランジスタを製造する方法であって、ソースおよびドレイン電極を堆積させるステップと、前記ソース電極およびドレイン電極上に、電子を受容することによって有機半導電性材料を化学的にドープするためのドーパント部分を含む薄い自己集合性の材料層を形成するステップと、前記ソースおよびドレイン電極間のチャネル領域内に有機半導電性材料を堆積させるステップとを含み、前記ドーパント部分が、アセトニトリル中の飽和カロメル電極(SCE)に対して少なくとも0.3eVの酸化還元電位を有し、前記ドーパント部分が、ソース/ドレイン電極と選択的に結合する、方法。
- 前記有機半導電性材料が溶液から堆積される、請求項20に記載の方法。
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