JP2011187506A - 薄膜トランジスタおよびその製造方法、並びに表示装置 - Google Patents
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- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/78696—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film characterised by the structure of the channel, e.g. multichannel, transverse or longitudinal shape, length or width, doping structure, or the overlap or alignment between the channel and the gate, the source or the drain, or the contacting structure of the channel
Abstract
【解決手段】酸化物半導体膜40を、非晶質膜41および結晶化膜42の積層構造とし、非晶質膜41により、均一性の高い電気特性を得る。ソース電極50Sおよびドレイン電極50Dを結晶化膜42に接して設けることにより、製造工程においてソース電極50Sおよびドレイン電極50Dをエッチングする際に酸化物半導体膜40がエッチングされてしまうことを抑える。チャネルエッチ型を適用した場合にソース電極50Sおよびドレイン電極50Dと酸化物半導体膜40とのウェットエッチング選択比を高めることが可能となり、チャネルエッチ型の簡素な構成の適用による製造工程の削減が可能となる。
【選択図】図1
Description
(A)基板にゲート電極を形成する工程
(B)ゲート電極の上にゲート絶縁膜を形成する工程
(C)ゲート絶縁膜の上に、酸化物半導体よりなる非晶質膜および酸化物半導体よりなる結晶化膜の積層膜をこの順に形成する工程
(D)積層膜をエッチングにより成形し、非晶質膜および結晶化膜の積層構造を有する酸化物半導体膜を形成する工程
(E)結晶化膜の上に金属膜を形成し、金属膜のエッチングによりソース電極およびドレイン電極を形成する工程
(A)基板にゲート電極を形成する工程
(B)ゲート電極の上にゲート絶縁膜を形成する工程
(C)ゲート絶縁膜の上に、酸化物半導体よりなる非晶質膜および非晶質膜よりも低融点の酸化物半導体よりなる未結晶化膜の積層膜をこの順に形成する工程
(D)積層膜をエッチングにより成形する工程
(E)未結晶化膜をアニール処理することにより結晶化膜を形成し、非晶質膜および結晶化膜の積層構造を有する酸化物半導体膜を形成する工程
(F)結晶化膜の上に金属膜を形成し、金属膜のエッチングによりソース電極およびドレイン電極を形成する工程
1.第1の実施の形態(ボトムゲート型薄膜トランジスタ;チャネルエッチ型;非晶質膜および結晶化膜の積層膜を形成し、この積層膜をエッチングにより加工する製造方法の例)
2.第2の実施の形態(ボトムゲート型薄膜トランジスタ;チャネルエッチ型;非晶質膜および未結晶化膜の積層膜を形成し、この積層膜をエッチングにより加工したのちに、未結晶化膜をアニールして結晶化膜を形成する製造方法の例)
3.第3の実施の形態(ボトムゲート型薄膜トランジスタ;エッチストッパ型)
4.第4の実施の形態(トップゲート型薄膜トランジスタ)
5.適用例
図1は、本発明の第1の実施の形態に係る薄膜トランジスタ1の断面構造を表すものである。薄膜トランジスタ1は、液晶ディスプレイや有機EL(Electro Luminescence)ディスプレイなどの駆動素子として用いられるものであり、例えば、基板11にゲート電極20,ゲート絶縁膜30,酸化物半導体膜40,ソース電極50Sおよびドレイン電極50D,並びに保護膜60がこの順に積層されたボトムゲート型(逆スタガ型)の構成を有している。酸化物半導体膜40は、ゲート電極20に対向してチャネル領域40Aを有しており、ソース電極50Sの端部およびドレイン電極50Dの端部は、チャネル領域40A上に設けられている。すなわち、この薄膜トランジスタ1は、チャネルエッチ型のものである。
図4および図5は、本発明の第2の実施の形態に係る薄膜トランジスタ1の製造方法を工程順に表したものである。この製造方法は、非晶質膜および未結晶化膜の積層膜を形成し、この積層膜をエッチングにより加工したのちに、未結晶化膜をアニールして結晶化膜を形成するようにしたことにおいて、上記第1の実施の形態の製造方法と異なるものである。よって、同一の工程については、図2および図3を参照して説明する。
図6は、本発明の第3の実施の形態に係る薄膜トランジスタ1Aの断面構成を表したものである。この薄膜トランジスタ1Aは、チャネル領域40Aの上にエッチングストッパー層70を有し、このエッチングストッパー層70上にソース電極50Sの端部およびドレイン電極50Dの端部が設けられたエッチストッパ型TFTであることを除いては、上記第1の実施の形態と同様の構成を有している。よって、対応する構成要素には同一の符号を付して説明する。
図8は、本発明の第4の実施の形態に係る薄膜トランジスタ1Bの断面構成を表したものである。この薄膜トランジスタ1Bは、基板11に、酸化物半導体膜40,ゲート絶縁膜30,ゲート電極20,層間絶縁膜80,並びにソース電極50Sおよびドレイン電極50Dがこの順に積層されたトップゲート型TFT(スタガ構造)のものである。このことを除いては、薄膜トランジスタ1Bは上記第1の実施の形態と同様の構成を有している。よって、対応する構成要素には同一の符号を付して説明する。
図11は、この薄膜トランジスタ1を駆動素子として備えた表示装置の回路構成を表すものである。表示装置90は、例えば液晶ディスプレイや有機ELディスプレイなどであり、駆動パネル91上に、マトリクス状に配設された複数の画素10R,10G,10Bと、これらの画素10R,10G,10Bを駆動するための各種駆動回路とが形成されたものである。画素10R,10G,10Bはそれぞれ、赤色(R:Red ),緑色(G:Green )および青色(B:Blue)の色光を発する液晶表示素子や有機EL素子などである。これら3つの画素10R,10G,10Bを一つのピクセルとして、複数のピクセルにより表示領域110が構成されている。駆動パネル91上には、駆動回路として、例えば映像表示用のドライバである信号線駆動回路120および走査線駆動回路130と、画素駆動回路150とが配設されている。この駆動パネル91には、図示しない封止パネルが貼り合わせられ、この封止パネルにより画素10R,10G,10Bおよび上記駆動回路が封止されている。
図13は、テレビジョン装置の外観を表したものである。このテレビジョン装置は、例えば、フロントパネル310およびフィルターガラス320を含む映像表示画面部300を有している。
図14は、デジタルスチルカメラの外観を表したものである。このデジタルスチルカメラは、例えば、フラッシュ用の発光部410、表示部420、メニュースイッチ430およびシャッターボタン440を有している。
図15は、ノート型パーソナルコンピュータの外観を表したものである。このノート型パーソナルコンピュータは、例えば、本体510,文字等の入力操作のためのキーボード520および画像を表示する表示部530を有している。
図16は、ビデオカメラの外観を表したものである。このビデオカメラは、例えば、本体部610,この本体部610の前方側面に設けられた被写体撮影用のレンズ620,撮影時のスタート/ストップスイッチ630および表示部640を有している。
図17は、携帯電話機の外観を表したものである。この携帯電話機は、例えば、上側筐体710と下側筐体720とを連結部(ヒンジ部)730で連結したものであり、ディスプレイ740,サブディスプレイ750,ピクチャーライト760およびカメラ770を有している。
Claims (9)
- ゲート電極と、
非晶質膜および結晶化膜の積層構造を有する酸化物半導体膜と、
前記結晶化膜に接して設けられたソース電極およびドレイン電極と
を備えた薄膜トランジスタ。 - 基板に、前記ゲート電極,ゲート絶縁膜,前記酸化物半導体膜,並びに前記ソース電極および前記ドレイン電極がこの順に積層されており、
前記酸化物半導体膜は、前記ゲート電極側から前記非晶質膜および前記結晶化膜をこの順に有する
請求項1記載の薄膜トランジスタ。 - 前記酸化物半導体膜は、前記ゲート電極に対向してチャネル領域を有し、
前記ソース電極の端部および前記ドレイン電極の端部は、前記チャネル領域上に設けられている
請求項2記載の薄膜トランジスタ。 - 前記酸化物半導体膜は、前記ゲート電極に対向してチャネル領域を有し、
前記チャネル領域の上にエッチングストッパー層が設けられており、
前記ソース電極の端部および前記ドレイン電極の端部は、前記エッチングストッパー層上に設けられている
請求項2記載の薄膜トランジスタ。 - 基板に、前記酸化物半導体膜,ゲート絶縁膜,前記ゲート電極,層間絶縁膜,並びに前記ソース電極および前記ドレイン電極がこの順に積層されており、
前記酸化物半導体膜は、前記基板側から前記非晶質膜および前記結晶化膜をこの順に有する
請求項2記載の薄膜トランジスタ。 - 前記酸化物半導体膜は、前記ゲート電極に対向してチャネル領域を有すると共に前記チャネル領域以外の低抵抗領域を有し、
前記ソース電極および前記ドレイン電極は前記低抵抗領域の前記結晶化膜に接して設けられている
請求項5記載の薄膜トランジスタ。 - 基板にゲート電極を形成する工程と、
前記ゲート電極の上にゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記ゲート絶縁膜の上に、酸化物半導体よりなる非晶質膜および酸化物半導体よりなる結晶化膜の積層膜をこの順に形成する工程と、
前記積層膜をエッチングにより成形し、前記非晶質膜および前記結晶化膜の積層構造を有する酸化物半導体膜を形成する工程と、
前記結晶化膜の上に金属膜を形成し、前記金属膜のエッチングによりソース電極およびドレイン電極を形成する工程と
を含む薄膜トランジスタの製造方法。 - 基板にゲート電極を形成する工程と、
前記ゲート電極の上にゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記ゲート絶縁膜の上に、酸化物半導体よりなる非晶質膜および前記非晶質膜よりも低融点の酸化物半導体よりなる未結晶化膜の積層膜をこの順に形成する工程と、
前記積層膜をエッチングにより成形する工程と、
前記未結晶化膜をアニール処理することにより結晶化膜を形成し、前記非晶質膜および前記結晶化膜の積層構造を有する酸化物半導体膜を形成する工程と、
前記結晶化膜の上に金属膜を形成し、前記金属膜のエッチングによりソース電極およびドレイン電極を形成する工程と
を含む薄膜トランジスタの製造方法。 - 薄膜トランジスタおよび画素を備え、
前記薄膜トランジスタは、
ゲート電極と、
非晶質膜および結晶化膜の積層構造を有する酸化物半導体膜と、
前記結晶化膜に接して設けられたソース電極およびドレイン電極と
を備えた表示装置。
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