JP2013175716A - 半導体装置およびその作製方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】一つの酸化物半導体膜において結晶成分が多い領域と非晶質成分が多い領域とをつくりわける。結晶成分が多い領域は、チャネル形成領域となるようにし、それ以外の領域を非晶質成分が多くなるように構成する。好ましくは、自己整合的に結晶成分が多い領域と、非晶質成分が多い領域とが混在した酸化物半導体膜を形成する。一つの酸化物半導体膜において結晶性が異なる領域をつくりわけるため、まず、結晶成分を多く含む酸化物半導体膜を形成した後、酸化物半導体膜の一部を非晶質とするためのプロセスを行う。
【選択図】図1
Description
以下では、本発明の一態様について詳細に説明する。
本発明の一態様に係るトランジスタの構造例及び作製工程例について図1〜図3を参照して説明する。
図1は、本発明の一態様に係るトランジスタの構造例を示す図である。具体的には、図1(A)は、当該トランジスタの上面図であり、図1(B)は、図1(A)に示すA−B線における当該トランジスタの断面図である。
基板100としては、トランジスタの製造工程時における熱処理に耐えうる程度の耐熱性を有している基板であればどのような基板を適用してもよい。例えば、ガラス基板、セラミック基板、石英基板、サファイア基板などの基板を用いることができる。また、基板100として、可撓性基板を用いてもよい。なお、基板100に含まれる不純物が後に形成される酸化物半導体層に混入するのを防ぐため、基板100上に絶縁層を形成することも可能である。
ゲート層1として、アルミニウム、銅、チタン、タンタル、タングステン、モリブデン、クロム、ネオジム、スカンジウムから選ばれた元素又はこれらの元素を成分とする合金からなる膜を適用することができる。また、これらの膜の積層を適用することもできる。
ゲート絶縁層2として、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、酸化窒化アルミニウム膜、又は酸化ガリウム膜などを適用することができる。また、これらの材料の積層を適用することもできる。なお、酸化窒化シリコン、酸化窒化アルミニウムとは、その組成として、窒素よりも酸素の含有量が多いものをいう。また、窒化酸化シリコンとは、その組成として、酸素よりも窒素の含有量が多いものをいう。
<(1)材料について>
酸化物半導体層3として、少なくともインジウムを含む膜を適用することができる。特に、インジウムと亜鉛を含む膜を適用することが好ましい。また、トランジスタの電気特性のばらつきを減らすためのスタビライザーとして、それらに加えてガリウムを有する膜を適用することが好ましい。
上述のように酸化物半導体層3は、領域によって結晶領域の割合が異なる膜であり、例えば、非晶質領域と結晶領域が混在する酸化物半導体膜である。当該結晶領域において、酸化物半導体がとる結晶構造は特定の構造に限定されない。
酸化物半導体層3として、単一層からなる酸化物半導体膜のみならず複数種の酸化物半導体膜の積層を適用することができる。例えば、非晶質酸化物半導体膜、多結晶酸化物半導体膜、及びCAAC−OS膜の少なくとも2種を含む層を酸化物半導体層3として適用することができる。
ソース電極層4及びドレイン電極層5として、アルミニウム、銅、チタン、タンタル、タングステン、モリブデン、クロム、ネオジム、スカンジウムから選ばれた元素、これらの元素を成分とする合金、又はこれらの元素を含む窒化物からなる膜を適用することができる。また、これらの膜の積層を適用することもできる。
エッチングストップ層6として、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、酸化窒化アルミニウム膜、又は酸化ガリウム膜などを適用することができる。また、これらの材料の積層を適用することもできる。
図2、3は、図1に示すトランジスタの作製工程例を示す図である。具体的には、図2(A)〜(C)、図3(A)〜(C)は、当該トランジスタの作製工程を示す断面図である。
まず、基板100上に導電膜を成膜する。次いで、当該導電膜上にフォトリソグラフィ法を用いてマスクを形成する。そして、当該マスクに覆われていない部分の導電膜をエッチングによって除去する。その結果、ゲート層1が形成される。
次いで、基板100及びゲート層1上にゲート絶縁層2を成膜する。
次いで、ゲート絶縁層2上に酸化物半導体膜を成膜する。次いで、当該酸化物半導体膜上にフォトリソグラフィ法を用いてマスクを形成する。そして、当該マスクによって覆われていない部分の酸化物半導体膜をエッチングによって除去する。その結果、酸化物半導体層3が形成される。
次いで、ゲート絶縁層2及び酸化物半導体層3上に絶縁膜を成膜する。次いで、当該絶縁膜上にフォトリソグラフィ法を用いてマスクを形成する。そして、当該マスクによって覆われていない部分の絶縁膜をエッチングによって除去する。その結果、エッチングストップ層6が形成される。
次いで、プラズマ処理を行う。なお、当該プラズマ処理においては、ガス種としてアルゴン、窒素などの不活性ガス又は酸素ガスなどを用いる。これにより、酸化物半導体層3の特定の領域に含まれる結晶が非晶質化する。具体的には、エッチングストップ層6に覆われていない領域8に含まれる結晶が非晶質化する。その結果、エッチングストップ層6に覆われている領域7における結晶領域の割合が、領域8における結晶領域の割合よりも高くなる。
次いで、酸化物半導体層3及びエッチングストップ層6上に導電膜を成膜する。次いで、当該導電膜上にフォトリソグラフィ法を用いてマスクを形成する。そして、当該マスクに覆われていない部分の導電膜をエッチングによって除去する。その結果、ソース電極層4及びドレイン電極層5が形成される。
以下では、上述したトランジスタを用いて構成される半導体装置の具体例について図4〜図8を参照して説明する。
図4は、上述したトランジスタを用いて構成される表示装置の一例を示す図である。具体的には、図4に示す表示装置は、駆動回路の全部又は一部と画素部を同一基板上に設けられている表示装置である(いわゆる、システムオンパネルの表示装置である)。なお、上述したトランジスタは、当該駆動回路及び当該画素部に設けられるトランジスタとして適用することが可能である。
図6(A)に表示素子として液晶素子を用いた液晶表示装置の例を示す。図6(A)において、表示素子である液晶素子4013は、第1の電極層4030、第2の電極層4031、及び液晶層4008を含む。なお、液晶層4008を挟持するように配向膜として機能する絶縁層4032、4033が設けられている。第2の電極層4031は基板4006側に設けられ、第1の電極層4030と第2の電極層4031とは液晶層4008を介して積層する構成となっている。
表示装置に含まれる表示素子として、エレクトロルミネッセンスを利用する発光素子を適用することができる。エレクトロルミネッセンスを利用する発光素子は、発光材料が有機化合物であるか、無機化合物であるかによって区別され、一般的に、前者は有機EL素子、後者は無機EL素子と呼ばれている。
表示装置として、電子インクを駆動させる電子ペーパーを提供することも可能である。電子ペーパーは、電気泳動表示装置(電気泳動ディスプレイ)とも呼ばれており、紙と同じ読みやすさ、他の表示装置に比べ低消費電力、薄くて軽い形状とすることが可能という利点を有している。
図7(A)に、イメージセンサの一例を示す。図7(A)はフォトセンサの等価回路であり、図7(B)はフォトセンサの一部を示す断面図である。
以下では、本明細書に示すトランジスタを使用し、電力が供給されない状況でも記憶内容の保持が可能で、かつ、書き込み回数にも制限が無い記憶装置の一例を、図面を用いて説明する。
以下、CAAC−OS膜の側面(端面)から酸素が脱離しやすい点について詳述する。
(1)過剰酸素の第1の遷移 Z=1においてT=206K(−67℃)
(2)過剰酸素の第2の遷移 Z=1においてT=923K(650℃)
(3)酸素欠損の第1の遷移 Z=1においてT=701K(428℃)
(4)酸素欠損の第2の遷移 Z=1においてT=1590K(1317℃)
(1)過剰酸素の第1の遷移 T=300KにおいてZ=1.2×104(/秒)
(2)過剰酸素の第2の遷移 T=300KにおいてZ=1.0×10−27(/秒)
(3)酸素欠損の第1の遷移 T=300KにおいてZ=4.3×10−18(/秒)
(4)酸素欠損の第2の遷移 T=300KにおいてZ=1.4×10−56(/秒)
(1)過剰酸素の第1の遷移 T=723KにおいてZ=2.0×109(/秒)
(2)過剰酸素の第2の遷移 T=723KにおいてZ=2.5×10−4(/秒)
(3)酸素欠損の第1の遷移 T=723KにおいてZ=2.5(/秒)
(4)酸素欠損の第2の遷移 T=723KにおいてZ=2.5×10−16(/秒)
本実施の形態では、半導体装置の作製方法の一態様を図13(A)、及び図13(B)を用いて説明し、半導体装置の一態様を図13(C)、図13(D)、及び図13(E)を用いて説明する。
本実施の形態では、図14を用い、ゲート電極層の側壁にサイドウォールを有する半導体装置の作製方法の一例を示す。
本実施の形態では、同一基板上にトランジスタと容量とを工程数を増やすことなく作製する例を図17(A)、及び図17(B)を用いて以下に説明する。
本実施の形態では、実施の形態1とは異なる半導体装置(記憶装置)の一例を、図面を用いて説明する。
本実施の形態では、実施の形態5とは異なる記憶装置の構造の一形態について説明する。
本実施の形態では、半導体装置の一例として、上記実施の形態2乃至4のいずれか一に開示したトランジスタを少なくとも一部に用いたCPU(Central Processing Unit)について説明する。
本明細書に開示する半導体装置は、さまざまな電子機器(遊技機も含む)に適用することができる。電子機器としては、テレビ、モニタ等の表示装置、照明装置、デスクトップ型或いはノート型のパーソナルコンピュータ、ワードプロセッサ、DVD(Digital Versatile Disc)などの記録媒体に記憶された静止画又は動画を再生する画像再生装置、ポータブルCDプレーヤ、ラジオ、テープレコーダ、ヘッドホンステレオ、ステレオ、コードレス電話子機、トランシーバ、携帯無線機、携帯電話、自動車電話、携帯型ゲーム機、電卓、携帯情報端末、電子手帳、電子書籍、電子翻訳機、音声入力機器、ビデオカメラ、デジタルスチルカメラ、電気シェーバ、電子レンジ等の高周波加熱装置、電気炊飯器、電気洗濯機、電気掃除機、エアコンディショナーなどの空調設備、食器洗い器、食器乾燥器、衣類乾燥器、布団乾燥器、電気冷蔵庫、電気冷凍庫、電気冷凍冷蔵庫、DNA保存用冷凍庫、煙感知器、放射線測定器、透析装置等の医療機器、などが挙げられる。さらに、誘導灯、信号機、ベルトコンベア、エレベータ、エスカレータ、産業用ロボット、電力貯蔵システム等の産業機器も挙げられる。また、石油を用いたエンジンや、非水系二次電池からの電力を用いて電動機により推進する移動体なども、電気機器の範疇に含まれるものとする。上記移動体として、例えば、電気自動車(EV)、内燃機関と電動機を併せ持ったハイブリッド車(HEV)、プラグインハイブリッド車(PHEV)、これらのタイヤ車輪を無限軌道に変えた装軌車両、電動アシスト自転車を含む原動機付自転車、自動二輪車、電動車椅子、ゴルフ用カート、小型又は大型船舶、潜水艦、ヘリコプター、航空機、ロケット、人工衛星、宇宙探査機や惑星探査機、宇宙船が挙げられる。これらの電子機器の具体例を図22に示す。
2 ゲート絶縁層
3 酸化物半導体層
4 ソース電極層
5 ドレイン電極層
6 エッチングストップ層
7 領域
8 領域
100 基板
106 素子分離絶縁層
108 ゲート絶縁膜
110 ゲート電極
116 チャネル形成領域
120 不純物領域
124 金属間化合物領域
128 絶縁層
130 絶縁層
142a 電極層
142b 電極層
144 酸化物半導体層
146 ゲート絶縁膜
148a ゲート電極
148b 導電層
150 絶縁層
152 絶縁層
156 配線
160 トランジスタ
162 トランジスタ
164 容量素子
185 基板
400 基板
401 ゲート電極層
402 ゲート絶縁膜
403 酸化物半導体膜
404a 低抵抗領域
404b 低抵抗領域
405a ソース電極層
405b ドレイン電極層
406 絶縁膜
407 絶縁膜
409 チャネル形成領域
410 トランジスタ
413 絶縁膜
414a 側壁絶縁層
414b 側壁絶縁層
415 層間絶縁膜
417a 絶縁膜
417b 絶縁膜
420 トランジスタ
436 下地絶縁層
440a トランジスタ
440b トランジスタ
440c トランジスタ
440d トランジスタ
440e トランジスタ
440f トランジスタ
440g トランジスタ
442 ゲート絶縁膜
445a 非晶質領域
445b 非晶質領域
448 絶縁膜
450 容量配線
451 容量
500 基板
502 ゲート絶縁層
504 層間絶縁層
505 カラーフィルタ層
506 絶縁層
507 隔壁
510 トランジスタ
511 ゲート層
512 酸化物半導体層
513a 導電層
513b 導電層
520 容量素子
521 導電層
522 酸化物半導体層
523 導電層
530 配線層交差部
533 導電層
540 発光素子
541 電極層
542 電界発光層
543 電極層
601 基板
602 フォトダイオード
606a 半導体膜
606b 半導体膜
606c 半導体膜
608 接着層
613 基板
622 光
631 絶縁層
633 層間絶縁層
634 層間絶縁層
640 トランジスタ
641a 電極層
641b 電極層
642 電極層
643 導電層
645 導電層
656 トランジスタ
658 フォトダイオードリセット信号線
659 ゲート信号線
671 フォトセンサ出力信号線
672 フォトセンサ基準信号線
1141 スイッチング素子
1142 メモリセル
1143 メモリセル群
1189 ROMインターフェース
1190 基板
1191 ALU
1192 ALUコントローラ
1193 インストラクションデコーダ
1194 インタラプトコントローラ
1195 タイミングコントローラ
1196 レジスタ
1197 レジスタコントローラ
1198 バスインターフェース
1199 ROM
3000 基板
3001 トランジスタ
3003a 電極
3003b 電極
3003c 電極
3004 論理回路
3021 本体
3022 固定部
3023 表示部
3024 操作ボタン
3025 外部メモリスロット
3100a 配線
3100b 配線
3100c 配線
3100d 配線
3106 素子分離絶縁層
3140a 絶縁膜
3140b 絶縁膜
3141a 絶縁膜
3141b 絶縁膜
3142a 絶縁膜
3142b 絶縁膜
3170a メモリセル
3170b メモリセル
3171a トランジスタ
3171b トランジスタ
3200 トランジスタ
3202 トランジスタ
3204 容量素子
3208 電極
3210a 導電層
3210b 導電層
3212 電極
3214 電極
3216 配線
3220 絶縁層
3222 絶縁層
3224 絶縁層
3303 電極
3400a メモリセルアレイ
3400b メモリセルアレイ
3400n メモリセルアレイ
3501a 電極
3501b 電極
3501c 電極
3502a 電極
3502b 電極
3502c 電極
3503a 電極
3503b 電極
3505 電極
4001 基板
4002 画素部
4003 信号線駆動回路
4004 走査線駆動回路
4005 シール材
4006 基板
4008 液晶層
4010 トランジスタ
4011 トランジスタ
4013 液晶素子
4015 接続端子電極
4016 端子電極
4018 FPC
4018a FPC(Flexible printed circuit)
4018b FPC(Flexible printed circuit)
4019 異方性導電層
4020 絶縁層
4021 絶縁層
4030 電極層
4031 電極層
4032 絶縁層
4033 絶縁層
4035 スペーサ
4510 隔壁
4511 電界発光層
4513 発光素子
4514 充填材
8000 テレビジョン装置
8001 筐体
8002 表示部
8003 スピーカ部
8200 室内機
8201 筐体
8202 送風口
8203 CPU
8204 室外機
8300 電気冷凍冷蔵庫
8301 筐体
8302 冷蔵室用扉
8303 冷凍室用扉
8304 CPU
9000 テーブル
9001 筐体
9002 脚部
9003 表示部
9004 表示ボタン
9005 電源コード
9033 留め具
9034 スイッチ
9035 電源スイッチ
9036 スイッチ
9038 操作スイッチ
9201 本体
9202 筐体
9203 表示部
9204 キーボード
9205 外部接続ポート
9206 ポインティングデバイス
9630 筐体
9631 表示部
9631a 表示部
9631b 表示部
9632a 領域
9632b 領域
9633 太陽電池
9634 充放電制御回路
9635 バッテリー
9636 DCDCコンバータ
9637 コンバータ
9638 操作キー
9639 ボタン
9700 電気自動車
9701 二次電池
9702 制御回路
9703 駆動装置
9704 処理装置
Claims (17)
- ゲート層と、
前記ゲート層上に設けられているゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上に設けられている酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層上の領域であって、互いに隔離された領域に設けられているソース電極層及びドレイン電極層と、
前記酸化物半導体層上の領域であって、前記ソース電極層と前記ドレイン電極層の間の領域に設けられているエッチングストップ層と、を有し、
前記酸化物半導体層は、前記エッチングストップ層との界面と重畳する第1の領域における結晶領域の割合が、前記ソース電極層又は前記ドレイン電極層との界面と重畳する第2の領域における結晶領域の割合よりも高いトランジスタ。 - 請求項1において、
前記第1の領域における水素濃度が、前記第2の領域における水素濃度よりも低いトランジスタ。 - 請求項1又は請求項2において、
前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層の少なくとも一方が、前記酸化物半導体層の側面に接しないトランジスタ。 - 請求項1乃至請求項3のいずれか一項において、
前記酸化物半導体層が、
インジウム、ガリウム、及び亜鉛を含み、
且つ、前記ゲート絶縁層と接する第1の酸化物半導体膜と、前記ソース電極層、前記ドレイン電極層、及び前記エッチングストップ層と接する第2の酸化物半導体膜と、を有し、
前記第1の酸化物半導体膜におけるインジウム濃度が、前記第2の酸化物半導体膜におけるインジウム濃度よりも高く、
前記第2の酸化物半導体膜におけるガリウム濃度が、前記第1の酸化物半導体膜におけるガリウム濃度よりも高いトランジスタ。 - 請求項1乃至請求項3のいずれか一項において、
前記酸化物半導体層が、
インジウム、ガリウム、及び亜鉛を含み、
且つ、前記ゲート絶縁層と接する第1の酸化物半導体膜と、前記ソース電極層、前記ドレイン電極層、及び前記エッチングストップ層と接する第2の酸化物半導体膜と、を有し、
前記第1の酸化物半導体膜におけるインジウム濃度が、前記第1の酸化物半導体膜におけるガリウム濃度よりも高く、
前記第2の酸化物半導体膜におけるガリウム濃度が、前記第2の酸化物半導体膜におけるインジウム濃度よりも高いトランジスタ。 - 請求項1乃至請求項3のいずれか一項において、
前記酸化物半導体層が、
インジウム、ガリウム、及び亜鉛を含み、
且つ、前記ゲート絶縁層と接する第1の酸化物半導体膜と、前記ソース電極層、前記ドレイン電極層、及び前記エッチングストップ層と接する第2の酸化物半導体膜と、を有し、
前記第1の酸化物半導体膜におけるインジウム濃度が、前記第2の酸化物半導体膜におけるインジウム濃度よりも高く、
前記第2の酸化物半導体膜におけるガリウム濃度が、前記第1の酸化物半導体膜におけるガリウム濃度よりも高く、
前記第1の酸化物半導体膜におけるインジウム濃度が、前記第1の酸化物半導体膜におけるガリウム濃度よりも高く、
前記第2の酸化物半導体膜におけるガリウム濃度が、前記第2の酸化物半導体膜におけるインジウム濃度よりも高いトランジスタ。 - 請求項1乃至請求項6のいずれか一項において、
前記エッチングストップ層が、酸化アルミニウム膜を有するトランジスタ。 - 酸化物半導体層上の領域であって、互いに隔離された領域に設けられているソース電極層及びドレイン電極層と、
前記酸化物半導体層上の領域であって、前記ソース電極層と前記ドレイン電極層の間の領域に設けられているエッチングストップ層と、を形成する逆スタガ型のトランジスタの作製方法において、
前記エッチングストップ層の形成後であって前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層の形成前にプラズマ処理を行うトランジスタの作製方法。 - 前記プラズマ処理が、アルゴンプラズマ処理である請求項8に記載のトランジスタの作製方法。
- 前記エッチングストップ層の全部又は一部として形成される酸化アルミニウム膜が、アルミニウム膜に対する酸化処理によって形成される請求項8又は請求項9に記載のトランジスタの作製方法。
- 酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層上にゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上にゲート電極層とを有し、
前記酸化物半導体層は、第1の領域と第2の領域と第3の領域とを有し、前記第1の領域は前記ゲート電極層と重なり、前記第1の領域は前記第2の領域と前記第3の領域の間に位置し、
前記第1の領域は、非晶質成分よりも結晶成分の割合が多く、
前記第2の領域及び前記第3の領域は、結晶成分よりも非晶質成分の割合が多く、
前記第2の領域及び前記第3の領域は、前記第1の領域の水素濃度よりも高いことを特徴とする半導体装置。 - 請求項11において、前記第2の領域または前記第3の領域は、ソース電極層またはドレイン電極層と電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。
- 酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層上にゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上にゲート電極層とを有し、
前記酸化物半導体層は、第1の領域と第2の領域と第3の領域とを有し、前記第1の領域は前記ゲート電極層と重なり、前記第1の領域は前記第2の領域と前記第3の領域の間に位置し、
前記第1の領域は、前記第2の領域及び前記第3の領域よりも結晶性が高いことを特徴とする半導体装置。 - 酸化物半導体層上面に対して概略垂直なc軸を有する結晶成分を含む酸化物半導体層を形成し、
前記酸化物半導体層上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上にゲート電極層を形成し、
前記ゲート電極層をマスクとして前記酸化物半導体層の一部を非晶質とし、
前記非晶質とした領域と接するソース電極層またはドレイン電極層を形成する半導体装置の作製方法。 - 請求項14において、前記ゲート電極層をマスクとして酸化物半導体層の一部を非晶質とする工程は、イオン注入法またはイオンドーピング法により元素を添加して非晶質とすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
- 酸化物半導体層上面に対して概略垂直なc軸を有する結晶成分を含む酸化物半導体層を形成し、
前記酸化物半導体層上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上にゲート電極層を形成し、
前記酸化物半導体層の前記ゲート絶縁膜と重なる領域を一部露出させ、
前記酸化物半導体層が露出された領域を非晶質とし、
前記非晶質とした領域と接するソース電極層またはドレイン電極層を形成する半導体装置の作製方法。 - 請求項16において、酸化物半導体層の露出された領域を非晶質とする工程は、表面に行うプラズマ処理、またはスパッタリング法により導電膜を形成する工程であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
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Family Applications After (7)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015232992A Expired - Fee Related JP6017663B2 (ja) | 2012-01-26 | 2015-11-30 | 半導体装置の作製方法 |
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JP2019161794A Active JP6875475B2 (ja) | 2012-01-26 | 2019-09-05 | 発光装置 |
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---|---|
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JP (8) | JP2013175716A (ja) |
KR (8) | KR102133056B1 (ja) |
TW (6) | TWI600153B (ja) |
Cited By (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20150034093A (ko) * | 2013-09-25 | 2015-04-02 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
JP2015073089A (ja) * | 2013-09-06 | 2015-04-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
WO2015075985A1 (ja) * | 2013-11-25 | 2015-05-28 | シャープ株式会社 | 半導体装置およびその書き込み方法 |
JP2015130453A (ja) * | 2014-01-09 | 2015-07-16 | 株式会社Joled | 薄膜トランジスタ、表示装置および電子機器 |
KR20150093616A (ko) * | 2014-02-07 | 2015-08-18 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
JP2016127284A (ja) * | 2014-12-26 | 2016-07-11 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置と作製方法 |
JP2016149548A (ja) * | 2015-02-09 | 2016-08-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | トランジスタ、半導体装置、および電子機器 |
JP2016157933A (ja) * | 2015-02-20 | 2016-09-01 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2016184764A (ja) * | 2013-12-12 | 2016-10-20 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2016213454A (ja) * | 2015-04-30 | 2016-12-15 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、該半導体装置の作製方法、または該半導体装置を有する表示装置 |
JP2018006728A (ja) * | 2015-12-29 | 2018-01-11 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 金属酸化物膜、および半導体装置 |
JP2019117937A (ja) * | 2013-12-02 | 2019-07-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2019193168A (ja) * | 2018-04-26 | 2019-10-31 | サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド. | バルク音響共振器及びその製造方法 |
US10715099B2 (en) | 2016-10-28 | 2020-07-14 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Bulk acoustic wave resonator and method for manufacturing the same |
KR102259754B1 (ko) * | 2020-01-23 | 2021-06-01 | 청주대학교 산학협력단 | 반도체 소자 및 그의 제조방법 |
JP2021101468A (ja) * | 2014-12-10 | 2021-07-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
Families Citing this family (41)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8883555B2 (en) * | 2010-08-25 | 2014-11-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic device, manufacturing method of electronic device, and sputtering target |
TWI642193B (zh) | 2012-01-26 | 2018-11-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及半導體裝置的製造方法 |
US8860023B2 (en) | 2012-05-01 | 2014-10-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP2014027263A (ja) * | 2012-06-15 | 2014-02-06 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
JP6151070B2 (ja) * | 2013-04-11 | 2017-06-21 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 薄膜トランジスタ及びそれを用いた表示装置 |
US10304859B2 (en) | 2013-04-12 | 2019-05-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having an oxide film on an oxide semiconductor film |
CN103236402B (zh) * | 2013-04-27 | 2016-02-03 | 京东方科技集团股份有限公司 | 薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板及显示装置 |
KR102281300B1 (ko) * | 2013-09-11 | 2021-07-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터, 박막 트랜지스터의 제조 방법 및 박막 트랜지스터를 포함하는 표시장치 |
JP2016027597A (ja) * | 2013-12-06 | 2016-02-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP6537341B2 (ja) * | 2014-05-07 | 2019-07-03 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US9818880B2 (en) * | 2015-02-12 | 2017-11-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and display device including the semiconductor device |
TWI695513B (zh) * | 2015-03-27 | 2020-06-01 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及電子裝置 |
CN105552133A (zh) * | 2016-02-24 | 2016-05-04 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种薄膜晶体管及其制备方法 |
WO2017187486A1 (ja) * | 2016-04-25 | 2017-11-02 | 堺ディスプレイプロダクト株式会社 | 薄膜トランジスタ、表示装置及び薄膜トランジスタの製造方法 |
WO2017199130A1 (en) * | 2016-05-19 | 2017-11-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Composite oxide semiconductor and transistor |
US10930535B2 (en) | 2016-12-02 | 2021-02-23 | Applied Materials, Inc. | RFID part authentication and tracking of processing components |
JP6887307B2 (ja) * | 2017-05-19 | 2021-06-16 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US10572697B2 (en) | 2018-04-06 | 2020-02-25 | Lam Research Corporation | Method of etch model calibration using optical scatterometry |
WO2019200015A1 (en) | 2018-04-10 | 2019-10-17 | Lam Research Corporation | Optical metrology in machine learning to characterize features |
US11624981B2 (en) | 2018-04-10 | 2023-04-11 | Lam Research Corporation | Resist and etch modeling |
KR102554461B1 (ko) | 2018-07-26 | 2023-07-10 | 엘지디스플레이 주식회사 | 스트레쳐블 표시 장치 |
DE102019112120A1 (de) * | 2018-09-28 | 2020-04-02 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd. | Verfahren zur herstellung eines halbleiter-bauelements und halbleiter-bauelement |
US11189490B2 (en) * | 2018-09-28 | 2021-11-30 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device |
JP2019125789A (ja) * | 2019-01-23 | 2019-07-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
CN111725238B (zh) * | 2019-03-19 | 2023-08-15 | 群创光电股份有限公司 | 具有晶体管元件的工作模块 |
WO2020210928A1 (en) * | 2019-04-15 | 2020-10-22 | Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. | Integration of three-dimensional nand memory devices with multiple functional chips |
CN111033728A (zh) | 2019-04-15 | 2020-04-17 | 长江存储科技有限责任公司 | 具有可编程逻辑器件和动态随机存取存储器的键合半导体器件及其形成方法 |
JP7311615B2 (ja) | 2019-04-30 | 2023-07-19 | 長江存儲科技有限責任公司 | プロセッサおよびnandフラッシュメモリを有する接合半導体デバイスならびにそれを形成する方法 |
CN110870062A (zh) | 2019-04-30 | 2020-03-06 | 长江存储科技有限责任公司 | 具有可编程逻辑器件和nand闪存的键合半导体器件及其形成方法 |
KR102213225B1 (ko) * | 2019-05-17 | 2021-02-08 | 김은도 | 멤리스터 소자 및 그 제조 방법 |
US11437416B2 (en) * | 2019-09-10 | 2022-09-06 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Pixel device layout to reduce pixel noise |
JP2021044426A (ja) * | 2019-09-12 | 2021-03-18 | キオクシア株式会社 | 半導体記憶装置 |
KR20220006153A (ko) * | 2020-07-07 | 2022-01-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
CN116762174A (zh) * | 2021-01-29 | 2023-09-15 | 三星电子株式会社 | 显示装置 |
JP2022146577A (ja) * | 2021-03-22 | 2022-10-05 | キオクシア株式会社 | 半導体装置及び半導体記憶装置 |
US20220344510A1 (en) * | 2021-04-22 | 2022-10-27 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited | Transistor including an active region and methods for forming the same |
KR102622144B1 (ko) * | 2021-09-06 | 2024-01-05 | 주식회사 한화 | 반도체 증착 시스템 및 이의 동작 방법 |
US20230184662A1 (en) * | 2021-12-15 | 2023-06-15 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Optical measurement apparatus and optical measurement method |
KR20230139545A (ko) * | 2022-03-28 | 2023-10-05 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자 및 이를 포함하는 반도체 메모리 셀 |
KR102668794B1 (ko) * | 2022-07-18 | 2024-05-22 | 서울대학교 산학협력단 | 수직구조 원편광 발광 트랜지스터 및 그의 제조방법 |
US20240125995A1 (en) * | 2022-10-12 | 2024-04-18 | Visera Technologies Company Limited | Image sensor |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010073881A (ja) * | 2008-09-18 | 2010-04-02 | Fujifilm Corp | 薄膜電界効果型トランジスタおよびそれを用いた表示装置 |
JP2010212673A (ja) * | 2009-02-13 | 2010-09-24 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | トランジスタ、及び当該トランジスタを具備する半導体装置、並びにそれらの作製方法 |
JP2010258348A (ja) * | 2009-04-28 | 2010-11-11 | Shimadzu Corp | 光マトリックスデバイスの製造方法 |
JP2011142310A (ja) * | 2009-12-08 | 2011-07-21 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
JP2011151791A (ja) * | 2009-12-23 | 2011-08-04 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
JP2011187506A (ja) * | 2010-03-04 | 2011-09-22 | Sony Corp | 薄膜トランジスタおよびその製造方法、並びに表示装置 |
Family Cites Families (177)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60198861A (ja) | 1984-03-23 | 1985-10-08 | Fujitsu Ltd | 薄膜トランジスタ |
JPH0244256B2 (ja) | 1987-01-28 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn2o5deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPS63210023A (ja) | 1987-02-24 | 1988-08-31 | Natl Inst For Res In Inorg Mater | InGaZn↓4O↓7で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
JPH0244260B2 (ja) | 1987-02-24 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn5o8deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPH0244258B2 (ja) | 1987-02-24 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn3o6deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPH0244262B2 (ja) | 1987-02-27 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn6o9deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPH0244263B2 (ja) | 1987-04-22 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn7o10deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPH05251705A (ja) | 1992-03-04 | 1993-09-28 | Fuji Xerox Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
JP3298974B2 (ja) | 1993-03-23 | 2002-07-08 | 電子科学株式会社 | 昇温脱離ガス分析装置 |
US5477073A (en) | 1993-08-20 | 1995-12-19 | Casio Computer Co., Ltd. | Thin film semiconductor device including a driver and a matrix circuit |
JP2873660B2 (ja) | 1994-01-08 | 1999-03-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体集積回路の作製方法 |
JP3479375B2 (ja) | 1995-03-27 | 2003-12-15 | 科学技術振興事業団 | 亜酸化銅等の金属酸化物半導体による薄膜トランジスタとpn接合を形成した金属酸化物半導体装置およびそれらの製造方法 |
DE69635107D1 (de) | 1995-08-03 | 2005-09-29 | Koninkl Philips Electronics Nv | Halbleiteranordnung mit einem transparenten schaltungselement |
JP3625598B2 (ja) | 1995-12-30 | 2005-03-02 | 三星電子株式会社 | 液晶表示装置の製造方法 |
JP4170454B2 (ja) | 1998-07-24 | 2008-10-22 | Hoya株式会社 | 透明導電性酸化物薄膜を有する物品及びその製造方法 |
US6322849B2 (en) * | 1998-11-13 | 2001-11-27 | Symetrix Corporation | Recovery of electronic properties in hydrogen-damaged ferroelectrics by low-temperature annealing in an inert gas |
JP2000150861A (ja) | 1998-11-16 | 2000-05-30 | Tdk Corp | 酸化物薄膜 |
JP3276930B2 (ja) | 1998-11-17 | 2002-04-22 | 科学技術振興事業団 | トランジスタ及び半導体装置 |
US6512504B1 (en) * | 1999-04-27 | 2003-01-28 | Semiconductor Energy Laborayory Co., Ltd. | Electronic device and electronic apparatus |
TW460731B (en) | 1999-09-03 | 2001-10-21 | Ind Tech Res Inst | Electrode structure and production method of wide viewing angle LCD |
JP2001242803A (ja) | 2000-02-29 | 2001-09-07 | Sony Corp | 表示装置及びその製造方法 |
JP2001324725A (ja) | 2000-05-12 | 2001-11-22 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置およびその製造方法 |
JP4089858B2 (ja) | 2000-09-01 | 2008-05-28 | 国立大学法人東北大学 | 半導体デバイス |
KR20020038482A (ko) | 2000-11-15 | 2002-05-23 | 모리시타 요이찌 | 박막 트랜지스터 어레이, 그 제조방법 및 그것을 이용한표시패널 |
JP3997731B2 (ja) | 2001-03-19 | 2007-10-24 | 富士ゼロックス株式会社 | 基材上に結晶性半導体薄膜を形成する方法 |
JP2002289859A (ja) | 2001-03-23 | 2002-10-04 | Minolta Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
JP3925839B2 (ja) | 2001-09-10 | 2007-06-06 | シャープ株式会社 | 半導体記憶装置およびその試験方法 |
JP4090716B2 (ja) | 2001-09-10 | 2008-05-28 | 雅司 川崎 | 薄膜トランジスタおよびマトリクス表示装置 |
JP4164562B2 (ja) | 2002-09-11 | 2008-10-15 | 独立行政法人科学技術振興機構 | ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ |
US7061014B2 (en) | 2001-11-05 | 2006-06-13 | Japan Science And Technology Agency | Natural-superlattice homologous single crystal thin film, method for preparation thereof, and device using said single crystal thin film |
US20030124821A1 (en) | 2001-12-28 | 2003-07-03 | Robertson Lance Stanford | Versatile system for forming shallow semiconductor device features |
JP4083486B2 (ja) | 2002-02-21 | 2008-04-30 | 独立行政法人科学技術振興機構 | LnCuO(S,Se,Te)単結晶薄膜の製造方法 |
CN1445821A (zh) | 2002-03-15 | 2003-10-01 | 三洋电机株式会社 | ZnO膜和ZnO半导体层的形成方法、半导体元件及其制造方法 |
JP3933591B2 (ja) | 2002-03-26 | 2007-06-20 | 淳二 城戸 | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
US7339187B2 (en) | 2002-05-21 | 2008-03-04 | State Of Oregon Acting By And Through The Oregon State Board Of Higher Education On Behalf Of Oregon State University | Transistor structures |
JP2004022625A (ja) | 2002-06-13 | 2004-01-22 | Murata Mfg Co Ltd | 半導体デバイス及び該半導体デバイスの製造方法 |
US7105868B2 (en) | 2002-06-24 | 2006-09-12 | Cermet, Inc. | High-electron mobility transistor with zinc oxide |
US7067843B2 (en) | 2002-10-11 | 2006-06-27 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Transparent oxide semiconductor thin film transistors |
JP4166105B2 (ja) | 2003-03-06 | 2008-10-15 | シャープ株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2004273732A (ja) | 2003-03-07 | 2004-09-30 | Sharp Corp | アクティブマトリクス基板およびその製造方法 |
JP4108633B2 (ja) | 2003-06-20 | 2008-06-25 | シャープ株式会社 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法ならびに電子デバイス |
US7262463B2 (en) | 2003-07-25 | 2007-08-28 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Transistor including a deposited channel region having a doped portion |
US7297977B2 (en) | 2004-03-12 | 2007-11-20 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Semiconductor device |
KR101019337B1 (ko) | 2004-03-12 | 2011-03-07 | 도꾸리쯔교세이호징 가가꾸 기쥬쯔 신꼬 기꼬 | 아몰퍼스 산화물 및 박막 트랜지스터 |
US7145174B2 (en) | 2004-03-12 | 2006-12-05 | Hewlett-Packard Development Company, Lp. | Semiconductor device |
US7282782B2 (en) | 2004-03-12 | 2007-10-16 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Combined binary oxide semiconductor device |
US7211825B2 (en) | 2004-06-14 | 2007-05-01 | Yi-Chi Shih | Indium oxide-based thin film transistors and circuits |
US7015061B2 (en) | 2004-08-03 | 2006-03-21 | Honeywell International Inc. | Low temperature curable materials for optical applications |
JP2006100760A (ja) | 2004-09-02 | 2006-04-13 | Casio Comput Co Ltd | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
US7285501B2 (en) | 2004-09-17 | 2007-10-23 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Method of forming a solution processed device |
US7298084B2 (en) | 2004-11-02 | 2007-11-20 | 3M Innovative Properties Company | Methods and displays utilizing integrated zinc oxide row and column drivers in conjunction with organic light emitting diodes |
US7863611B2 (en) | 2004-11-10 | 2011-01-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Integrated circuits utilizing amorphous oxides |
US7829444B2 (en) | 2004-11-10 | 2010-11-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Field effect transistor manufacturing method |
CA2585063C (en) | 2004-11-10 | 2013-01-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Light-emitting device |
JP5126729B2 (ja) | 2004-11-10 | 2013-01-23 | キヤノン株式会社 | 画像表示装置 |
US7791072B2 (en) | 2004-11-10 | 2010-09-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Display |
CA2585071A1 (en) | 2004-11-10 | 2006-05-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Field effect transistor employing an amorphous oxide |
EP1812969B1 (en) | 2004-11-10 | 2015-05-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Field effect transistor comprising an amorphous oxide |
US7453065B2 (en) | 2004-11-10 | 2008-11-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Sensor and image pickup device |
US7579224B2 (en) | 2005-01-21 | 2009-08-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing a thin film semiconductor device |
TWI445178B (zh) | 2005-01-28 | 2014-07-11 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置,電子裝置,和半導體裝置的製造方法 |
TWI505473B (zh) | 2005-01-28 | 2015-10-21 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置,電子裝置,和半導體裝置的製造方法 |
US7858451B2 (en) | 2005-02-03 | 2010-12-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic device, semiconductor device and manufacturing method thereof |
US7948171B2 (en) | 2005-02-18 | 2011-05-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
US20060197092A1 (en) | 2005-03-03 | 2006-09-07 | Randy Hoffman | System and method for forming conductive material on a substrate |
US8681077B2 (en) | 2005-03-18 | 2014-03-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, and display device, driving method and electronic apparatus thereof |
WO2006105077A2 (en) | 2005-03-28 | 2006-10-05 | Massachusetts Institute Of Technology | Low voltage thin film transistor with high-k dielectric material |
US7645478B2 (en) | 2005-03-31 | 2010-01-12 | 3M Innovative Properties Company | Methods of making displays |
US8300031B2 (en) | 2005-04-20 | 2012-10-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising transistor having gate and drain connected through a current-voltage conversion element |
JP2006344849A (ja) | 2005-06-10 | 2006-12-21 | Casio Comput Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
US7402506B2 (en) | 2005-06-16 | 2008-07-22 | Eastman Kodak Company | Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby |
US7691666B2 (en) | 2005-06-16 | 2010-04-06 | Eastman Kodak Company | Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby |
US7507618B2 (en) | 2005-06-27 | 2009-03-24 | 3M Innovative Properties Company | Method for making electronic devices using metal oxide nanoparticles |
KR100711890B1 (ko) | 2005-07-28 | 2007-04-25 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 발광표시장치 및 그의 제조방법 |
JP2007059128A (ja) | 2005-08-23 | 2007-03-08 | Canon Inc | 有機el表示装置およびその製造方法 |
JP4850457B2 (ja) | 2005-09-06 | 2012-01-11 | キヤノン株式会社 | 薄膜トランジスタ及び薄膜ダイオード |
JP5116225B2 (ja) | 2005-09-06 | 2013-01-09 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体デバイスの製造方法 |
JP2007073705A (ja) | 2005-09-06 | 2007-03-22 | Canon Inc | 酸化物半導体チャネル薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
JP4280736B2 (ja) | 2005-09-06 | 2009-06-17 | キヤノン株式会社 | 半導体素子 |
EP1770788A3 (en) | 2005-09-29 | 2011-09-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having oxide semiconductor layer and manufacturing method thereof |
JP5078246B2 (ja) | 2005-09-29 | 2012-11-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、及び半導体装置の作製方法 |
JP5064747B2 (ja) | 2005-09-29 | 2012-10-31 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、電気泳動表示装置、表示モジュール、電子機器、及び半導体装置の作製方法 |
EP1777689B1 (en) | 2005-10-18 | 2016-08-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, and display device and electronic equipment each having the same |
JP5037808B2 (ja) | 2005-10-20 | 2012-10-03 | キヤノン株式会社 | アモルファス酸化物を用いた電界効果型トランジスタ、及び該トランジスタを用いた表示装置 |
CN101577231B (zh) | 2005-11-15 | 2013-01-02 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体器件及其制造方法 |
TWI292281B (en) | 2005-12-29 | 2008-01-01 | Ind Tech Res Inst | Pixel structure of active organic light emitting diode and method of fabricating the same |
US7867636B2 (en) | 2006-01-11 | 2011-01-11 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transparent conductive film and method for manufacturing the same |
JP4977478B2 (ja) | 2006-01-21 | 2012-07-18 | 三星電子株式会社 | ZnOフィルム及びこれを用いたTFTの製造方法 |
US7576394B2 (en) | 2006-02-02 | 2009-08-18 | Kochi Industrial Promotion Center | Thin film transistor including low resistance conductive thin films and manufacturing method thereof |
US7977169B2 (en) | 2006-02-15 | 2011-07-12 | Kochi Industrial Promotion Center | Semiconductor device including active layer made of zinc oxide with controlled orientations and manufacturing method thereof |
JP5110803B2 (ja) | 2006-03-17 | 2012-12-26 | キヤノン株式会社 | 酸化物膜をチャネルに用いた電界効果型トランジスタ及びその製造方法 |
KR20070101595A (ko) | 2006-04-11 | 2007-10-17 | 삼성전자주식회사 | ZnO TFT |
US20070252928A1 (en) | 2006-04-28 | 2007-11-01 | Toppan Printing Co., Ltd. | Structure, transmission type liquid crystal display, reflection type display and manufacturing method thereof |
KR101014473B1 (ko) * | 2006-06-02 | 2011-02-14 | 가시오게산키 가부시키가이샤 | 산화아연의 산화물 반도체 박막층을 포함하는 반도체 장치및 그 제조방법 |
US20070287221A1 (en) * | 2006-06-12 | 2007-12-13 | Xerox Corporation | Fabrication process for crystalline zinc oxide semiconductor layer |
JP5028033B2 (ja) | 2006-06-13 | 2012-09-19 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体膜のドライエッチング方法 |
JP4999400B2 (ja) | 2006-08-09 | 2012-08-15 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体膜のドライエッチング方法 |
JP4609797B2 (ja) | 2006-08-09 | 2011-01-12 | Nec液晶テクノロジー株式会社 | 薄膜デバイス及びその製造方法 |
JP4332545B2 (ja) | 2006-09-15 | 2009-09-16 | キヤノン株式会社 | 電界効果型トランジスタ及びその製造方法 |
JP4274219B2 (ja) | 2006-09-27 | 2009-06-03 | セイコーエプソン株式会社 | 電子デバイス、有機エレクトロルミネッセンス装置、有機薄膜半導体装置 |
JP5164357B2 (ja) | 2006-09-27 | 2013-03-21 | キヤノン株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
US7622371B2 (en) | 2006-10-10 | 2009-11-24 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Fused nanocrystal thin film semiconductor and method |
TWI442368B (zh) | 2006-10-26 | 2014-06-21 | Semiconductor Energy Lab | 電子裝置,顯示裝置,和半導體裝置,以及其驅動方法 |
JP2008134625A (ja) * | 2006-10-26 | 2008-06-12 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置、表示装置及び電子機器 |
JP2008129314A (ja) * | 2006-11-21 | 2008-06-05 | Hitachi Displays Ltd | 画像表示装置およびその製造方法 |
US7772021B2 (en) | 2006-11-29 | 2010-08-10 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Flat panel displays comprising a thin-film transistor having a semiconductive oxide in its channel and methods of fabricating the same for use in flat panel displays |
JP2008140684A (ja) | 2006-12-04 | 2008-06-19 | Toppan Printing Co Ltd | カラーelディスプレイおよびその製造方法 |
KR101303578B1 (ko) | 2007-01-05 | 2013-09-09 | 삼성전자주식회사 | 박막 식각 방법 |
JP5337380B2 (ja) | 2007-01-26 | 2013-11-06 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置及びその作製方法 |
US8207063B2 (en) | 2007-01-26 | 2012-06-26 | Eastman Kodak Company | Process for atomic layer deposition |
KR100851215B1 (ko) | 2007-03-14 | 2008-08-07 | 삼성에스디아이 주식회사 | 박막 트랜지스터 및 이를 이용한 유기 전계 발광표시장치 |
US7795613B2 (en) | 2007-04-17 | 2010-09-14 | Toppan Printing Co., Ltd. | Structure with transistor |
KR101325053B1 (ko) | 2007-04-18 | 2013-11-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법 |
KR20080094300A (ko) | 2007-04-19 | 2008-10-23 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법과 박막 트랜지스터를포함하는 평판 디스플레이 |
KR101334181B1 (ko) | 2007-04-20 | 2013-11-28 | 삼성전자주식회사 | 선택적으로 결정화된 채널층을 갖는 박막 트랜지스터 및 그제조 방법 |
WO2008133345A1 (en) | 2007-04-25 | 2008-11-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Oxynitride semiconductor |
KR101345376B1 (ko) | 2007-05-29 | 2013-12-24 | 삼성전자주식회사 | ZnO 계 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 |
KR100907400B1 (ko) | 2007-08-28 | 2009-07-10 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 박막 트랜지스터 및 이를 이용한 발광표시장치 |
JPWO2009034953A1 (ja) | 2007-09-10 | 2010-12-24 | 出光興産株式会社 | 薄膜トランジスタ |
JP5215158B2 (ja) | 2007-12-17 | 2013-06-19 | 富士フイルム株式会社 | 無機結晶性配向膜及びその製造方法、半導体デバイス |
US20100295042A1 (en) | 2008-01-23 | 2010-11-25 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Field-effect transistor, method for manufacturing field-effect transistor, display device using field-effect transistor, and semiconductor device |
KR101496148B1 (ko) | 2008-05-15 | 2015-02-27 | 삼성전자주식회사 | 반도체소자 및 그 제조방법 |
JPWO2009157535A1 (ja) | 2008-06-27 | 2011-12-15 | 出光興産株式会社 | InGaO3(ZnO)結晶相からなる酸化物半導体用スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
JP5584960B2 (ja) * | 2008-07-03 | 2014-09-10 | ソニー株式会社 | 薄膜トランジスタおよび表示装置 |
KR102383642B1 (ko) | 2008-07-10 | 2022-04-08 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광장치 및 전자기기 |
US9082857B2 (en) | 2008-09-01 | 2015-07-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising an oxide semiconductor layer |
JP4623179B2 (ja) | 2008-09-18 | 2011-02-02 | ソニー株式会社 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
KR102150275B1 (ko) * | 2008-09-19 | 2020-09-01 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체장치 |
JP5451280B2 (ja) | 2008-10-09 | 2014-03-26 | キヤノン株式会社 | ウルツ鉱型結晶成長用基板およびその製造方法ならびに半導体装置 |
JP5616012B2 (ja) * | 2008-10-24 | 2014-10-29 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
EP2184783B1 (en) | 2008-11-07 | 2012-10-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
TWI616707B (zh) * | 2008-11-28 | 2018-03-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 液晶顯示裝置 |
US8278657B2 (en) | 2009-02-13 | 2012-10-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Transistor, semiconductor device including the transistor, and manufacturing method of the transistor and the semiconductor device |
US20100224880A1 (en) * | 2009-03-05 | 2010-09-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
KR101681884B1 (ko) | 2009-03-27 | 2016-12-05 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체장치, 표시장치 및 전자기기 |
EP2256814B1 (en) * | 2009-05-29 | 2019-01-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. | Oxide semiconductor device and method for manufacturing the same |
KR101870460B1 (ko) * | 2009-07-18 | 2018-06-22 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 |
KR102153841B1 (ko) | 2009-07-31 | 2020-09-08 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
JP5663231B2 (ja) | 2009-08-07 | 2015-02-04 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
KR101746198B1 (ko) * | 2009-09-04 | 2017-06-12 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시장치 및 전자기기 |
WO2011027661A1 (en) * | 2009-09-04 | 2011-03-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device and method for manufacturing the same |
CN105448937A (zh) | 2009-09-16 | 2016-03-30 | 株式会社半导体能源研究所 | 晶体管及显示设备 |
KR101470785B1 (ko) | 2009-09-24 | 2014-12-08 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치의 제조 방법 |
KR101980505B1 (ko) | 2009-10-08 | 2019-05-20 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 산화물 반도체층, 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
KR102162746B1 (ko) | 2009-10-21 | 2020-10-07 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 아날로그 회로 및 반도체 장치 |
CN102668028B (zh) | 2009-11-28 | 2015-09-02 | 株式会社半导体能源研究所 | 层叠的氧化物材料、半导体器件、以及用于制造该半导体器件的方法 |
KR101895080B1 (ko) * | 2009-11-28 | 2018-10-04 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
KR20170100065A (ko) * | 2009-12-04 | 2017-09-01 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제작 방법 |
JP5095864B2 (ja) | 2009-12-09 | 2012-12-12 | シャープ株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
KR101813460B1 (ko) * | 2009-12-18 | 2017-12-29 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
KR20120101716A (ko) * | 2009-12-24 | 2012-09-14 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 및 전자 기기 |
KR101762316B1 (ko) | 2009-12-28 | 2017-07-27 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
CN102714209B (zh) | 2010-01-22 | 2015-09-16 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体存储器件及其驱动方法 |
WO2011096277A1 (en) * | 2010-02-05 | 2011-08-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method of driving semiconductor device |
WO2011102233A1 (en) * | 2010-02-19 | 2011-08-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
WO2011114919A1 (en) * | 2010-03-19 | 2011-09-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
WO2011132591A1 (en) | 2010-04-23 | 2011-10-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
WO2011145632A1 (en) | 2010-05-21 | 2011-11-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
US8629438B2 (en) * | 2010-05-21 | 2014-01-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
WO2011152286A1 (en) * | 2010-06-04 | 2011-12-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US8779433B2 (en) * | 2010-06-04 | 2014-07-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP2012015436A (ja) * | 2010-07-05 | 2012-01-19 | Sony Corp | 薄膜トランジスタおよび表示装置 |
US8823092B2 (en) | 2010-11-30 | 2014-09-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
CN103339715B (zh) | 2010-12-03 | 2016-01-13 | 株式会社半导体能源研究所 | 氧化物半导体膜以及半导体装置 |
US8941112B2 (en) | 2010-12-28 | 2015-01-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
WO2012090799A1 (en) | 2010-12-28 | 2012-07-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
JP5731369B2 (ja) | 2010-12-28 | 2015-06-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
US8634230B2 (en) | 2011-01-28 | 2014-01-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for driving the same |
WO2012128030A1 (en) | 2011-03-18 | 2012-09-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Oxide semiconductor film, semiconductor device, and manufacturing method of semiconductor device |
US8956944B2 (en) | 2011-03-25 | 2015-02-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
TWI545652B (zh) | 2011-03-25 | 2016-08-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及其製造方法 |
US9093538B2 (en) | 2011-04-08 | 2015-07-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
US9012905B2 (en) | 2011-04-08 | 2015-04-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device including transistor comprising oxide semiconductor and method for manufacturing the same |
TWI654762B (zh) | 2011-05-05 | 2019-03-21 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及其製造方法 |
JP6005401B2 (ja) | 2011-06-10 | 2016-10-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
TWI642193B (zh) | 2012-01-26 | 2018-11-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及半導體裝置的製造方法 |
KR20220126743A (ko) * | 2020-01-14 | 2022-09-16 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 맨드릴을 선택적으로 형성하는 다중 패터닝 |
-
2013
- 2013-01-22 US US13/746,793 patent/US9419146B2/en active Active
- 2013-01-23 JP JP2013009781A patent/JP2013175716A/ja not_active Withdrawn
- 2013-01-24 TW TW102102650A patent/TWI600153B/zh active
- 2013-01-24 TW TW112123707A patent/TW202341496A/zh unknown
- 2013-01-24 TW TW109116573A patent/TWI783227B/zh active
- 2013-01-24 TW TW111129822A patent/TW202301692A/zh unknown
- 2013-01-24 TW TW107140372A patent/TWI696293B/zh not_active IP Right Cessation
- 2013-01-24 TW TW106122057A patent/TWI649877B/zh active
- 2013-01-25 KR KR1020130008514A patent/KR102133056B1/ko active IP Right Grant
-
2015
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Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010073881A (ja) * | 2008-09-18 | 2010-04-02 | Fujifilm Corp | 薄膜電界効果型トランジスタおよびそれを用いた表示装置 |
JP2010212673A (ja) * | 2009-02-13 | 2010-09-24 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | トランジスタ、及び当該トランジスタを具備する半導体装置、並びにそれらの作製方法 |
JP2010258348A (ja) * | 2009-04-28 | 2010-11-11 | Shimadzu Corp | 光マトリックスデバイスの製造方法 |
JP2011142310A (ja) * | 2009-12-08 | 2011-07-21 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
JP2011151791A (ja) * | 2009-12-23 | 2011-08-04 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
JP2011187506A (ja) * | 2010-03-04 | 2011-09-22 | Sony Corp | 薄膜トランジスタおよびその製造方法、並びに表示装置 |
Cited By (31)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015073089A (ja) * | 2013-09-06 | 2015-04-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2018174339A (ja) * | 2013-09-06 | 2018-11-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
KR102281623B1 (ko) * | 2013-09-25 | 2021-07-23 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
KR20150034093A (ko) * | 2013-09-25 | 2015-04-02 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
JP6072297B2 (ja) * | 2013-11-25 | 2017-02-01 | シャープ株式会社 | 半導体装置およびその書き込み方法 |
WO2015075985A1 (ja) * | 2013-11-25 | 2015-05-28 | シャープ株式会社 | 半導体装置およびその書き込み方法 |
JPWO2015075985A1 (ja) * | 2013-11-25 | 2017-03-16 | シャープ株式会社 | 半導体装置およびその書き込み方法 |
JP2021002669A (ja) * | 2013-12-02 | 2021-01-07 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP7030917B2 (ja) | 2013-12-02 | 2022-03-07 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2019117937A (ja) * | 2013-12-02 | 2019-07-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US9673234B2 (en) | 2013-12-12 | 2017-06-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP2016184764A (ja) * | 2013-12-12 | 2016-10-20 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US10115631B2 (en) | 2013-12-12 | 2018-10-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP2015130453A (ja) * | 2014-01-09 | 2015-07-16 | 株式会社Joled | 薄膜トランジスタ、表示装置および電子機器 |
KR102345707B1 (ko) * | 2014-02-07 | 2021-12-31 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
KR20150093616A (ko) * | 2014-02-07 | 2015-08-18 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
JP2021101468A (ja) * | 2014-12-10 | 2021-07-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
JP2016127284A (ja) * | 2014-12-26 | 2016-07-11 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置と作製方法 |
JP2016149548A (ja) * | 2015-02-09 | 2016-08-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | トランジスタ、半導体装置、および電子機器 |
JP2016157933A (ja) * | 2015-02-20 | 2016-09-01 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置およびその製造方法 |
US11183516B2 (en) | 2015-02-20 | 2021-11-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
JP2016213454A (ja) * | 2015-04-30 | 2016-12-15 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、該半導体装置の作製方法、または該半導体装置を有する表示装置 |
CN113105213A (zh) * | 2015-12-29 | 2021-07-13 | 株式会社半导体能源研究所 | 金属氧化物膜以及半导体装置 |
US11063125B2 (en) | 2015-12-29 | 2021-07-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Metal oxide film and semiconductor device |
JP2018006728A (ja) * | 2015-12-29 | 2018-01-11 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 金属酸化物膜、および半導体装置 |
JP2022016470A (ja) * | 2015-12-29 | 2022-01-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | トランジスタ |
US11757007B2 (en) | 2015-12-29 | 2023-09-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Metal oxide film and semiconductor device |
JP7377245B2 (ja) | 2015-12-29 | 2023-11-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | トランジスタ |
US10715099B2 (en) | 2016-10-28 | 2020-07-14 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Bulk acoustic wave resonator and method for manufacturing the same |
JP2019193168A (ja) * | 2018-04-26 | 2019-10-31 | サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド. | バルク音響共振器及びその製造方法 |
KR102259754B1 (ko) * | 2020-01-23 | 2021-06-01 | 청주대학교 산학협력단 | 반도체 소자 및 그의 제조방법 |
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