JP2013175716A5 - 半導体装置 - Google Patents

Claims (7)

1. ゲート電極層と、
   前記ゲート電極層上のゲート絶縁層と、
   前記ゲート絶縁層上の酸化物半導体層と、
   前記酸化物半導体層上のソース電極層及びドレイン電極層と、
   前記酸化物半導体層上のエッチングストップ層と、を有し、
   前記酸化物半導体層は、前記エッチングストップ層との界面と重畳する第１の領域における結晶領域の割合が、前記ソース電極層又は前記ドレイン電極層との界面と重畳する第２の領域における結晶領域の割合よりも高いことを特徴とする半導体装置。
2. 請求項１において、
   前記第１の領域における水素濃度が、前記第２の領域における水素濃度よりも低いことを特徴とする半導体装置。
3. 請求項１または請求項２において、
   前記ソース電極層および前記ドレイン電極層の少なくとも一方が、前記酸化物半導体層の側面に接しないことを特徴とする半導体装置。
4. 請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
   前記酸化物半導体層が、
   インジウム、ガリウム、及び亜鉛を含み、
   かつ、前記ゲート絶縁層と接する第１の酸化物半導体膜と、前記ソース電極層、前記ドレイン電極層、および前記エッチングストップ層と接する第２の酸化物半導体膜と、を有し、
   前記第１の酸化物半導体膜におけるインジウム濃度が、前記第２の酸化物半導体膜におけるインジウム濃度よりも高く、
   前記第２の酸化物半導体膜におけるガリウム濃度が、前記第１の酸化物半導体膜におけるガリウム濃度よりも高いことを特徴とする半導体装置。
5. 請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
   前記酸化物半導体層が、
   インジウム、ガリウム、及び亜鉛を含み、
   かつ、前記ゲート絶縁層と接する第１の酸化物半導体膜と、前記ソース電極層、前記ドレイン電極層、および前記エッチングストップ層と接する第２の酸化物半導体膜と、を有し、
   前記第１の酸化物半導体膜におけるインジウム濃度が、前記第１の酸化物半導体膜におけるガリウム濃度よりも高く、
   前記第２の酸化物半導体膜におけるガリウム濃度が、前記第２の酸化物半導体膜におけるインジウム濃度よりも高いことを特徴とする半導体装置。
6. 請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
   前記酸化物半導体層が、
   インジウム、ガリウム、及び亜鉛を含み、
   かつ、前記ゲート絶縁層と接する第１の酸化物半導体膜と、前記ソース電極層、前記ドレイン電極層、および前記エッチングストップ層と接する第２の酸化物半導体膜と、を有し、
   前記第１の酸化物半導体膜におけるインジウム濃度が、前記第２の酸化物半導体膜におけるインジウム濃度よりも高く、
   前記第２の酸化物半導体膜におけるガリウム濃度が、前記第１の酸化物半導体膜におけるガリウム濃度よりも高く、
   前記第１の酸化物半導体膜におけるインジウム濃度が、前記第１の酸化物半導体膜におけるガリウム濃度よりも高く、
   前記第２の酸化物半導体膜におけるガリウム濃度が、前記第２の酸化物半導体膜におけるインジウム濃度よりも高いことを特徴とする半導体装置。
7. 請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
   前記エッチングストップ層が、酸化アルミニウム膜を有することを特徴とする半導体装置。