JP2013179294A5 - 半導体装置 - Google Patents

Claims (3)

1. 酸化物半導体層と、
   前記酸化物半導体層上のゲート絶縁層と、
   前記ゲート絶縁層を介して前記酸化物半導体層と重畳するゲート電極層と、
   前記ゲート絶縁層の側面、並びに、前記ゲート電極層の側面及び上面を覆う第１の絶縁層と、
   前記第１の絶縁層を介して前記ゲート電極層の側面を覆う第２の絶縁層と、
   前記酸化物半導体層と電気的に接続するソース電極層及びドレイン電極層と、有し、
   前記第１の絶縁層は、前記ゲート絶縁層よりも酸素に対する透過性が低い半導体装置。
2. 酸化物半導体層と、
   前記酸化物半導体層上のゲート絶縁層と、
   前記ゲート絶縁層を介して前記酸化物半導体層と重畳するゲート電極層と、
   前記ゲート絶縁層の側面、並びに、前記ゲート電極層の側面及び上面を覆う第１の絶縁層と、
   前記第１の絶縁層を介して前記ゲート電極層の側面を覆う第２の絶縁層と、
   前記酸化物半導体層と接するソース電極層及びドレイン電極層と、を有し、
   前記酸化物半導体層は、非単結晶であって、結晶成分を含み、
   前記酸化物半導体層において、前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層と接する領域では、前記結晶成分の占める割合が、前記ゲート電極層と重畳する領域よりも低い半導体装置。
3. 請求項１または２において、
   前記第１の絶縁層は、アルミニウムの酸化物膜を有する半導体装置。