JP2014082388A5 - - Google Patents

Claims (5)

1. 酸化物絶縁膜と、
   前記酸化物絶縁膜上の、酸化物半導体層と、
   前記酸化物半導体層と電気的に接続された、第１のソース電極層と、
   前記酸化物半導体層と電気的に接続された、第１のドレイン電極層と、
   前記第１のソース電極層上の、第２のソース電極層と、
   前記第１のドレイン電極層上の、第２のドレイン電極層と、
   前記第２のソース電極層は、前記酸化物半導体層と接する第１の領域を有し、
   前記第２のドレイン電極層は、前記酸化物半導体層と接する第２の領域を有し、
   前記第２のソース電極層上、及び前記第２のドレイン電極層上の、ゲート絶縁膜と、
   前記ゲート絶縁膜上の、ゲート電極層と、を有し、
   前記ゲート絶縁膜は、前記第２のソース電極層の外側で、前記酸化物絶縁膜と接する第３の領域を有し、
   前記ゲート絶縁膜は、前記第２のドレイン電極層の外側で、前記酸化物絶縁膜と接する第４の領域を有し、
   前記酸化物絶縁膜は、前記酸化物半導体層と重なる、第５の領域を有し、
   前記酸化物絶縁膜において、前記第３の領域と重なる領域の膜厚は、前記第５の領域の膜厚より薄く、
   前記酸化物絶縁膜において、前記第４の領域と重なる領域の膜厚は、前記第５の領域の膜厚より薄い、ことを特徴とする半導体装置。
2. 酸化物絶縁膜と、
   前記酸化物絶縁膜上の、酸化物半導体層と、
   前記酸化物半導体層と電気的に接続された、第１のソース電極層と、
   前記酸化物半導体層と電気的に接続された、第１のドレイン電極層と、
   前記第１のソース電極層上の、第２のソース電極層と、
   前記第１のドレイン電極層上の、第２のドレイン電極層と、
   前記第２のソース電極層は、前記酸化物半導体層と接する第１の領域を有し、
   前記第２のドレイン電極層は、前記酸化物半導体層と接する第２の領域を有し、
   前記第２のソース電極層上、及び前記第２のドレイン電極層上の、ゲート絶縁膜と、
   前記ゲート絶縁膜上の、ゲート電極層と、を有し、
   前記ゲート絶縁膜は、前記第１のソース電極層の外側で、前記酸化物絶縁膜と接する第３の領域を有し、
   前記ゲート絶縁膜は、前記第１のドレイン電極層の外側で、前記酸化物絶縁膜と接する第４の領域を有し、
   前記酸化物絶縁膜は、前記酸化物半導体層と重なる、第５の領域を有し、
   前記酸化物絶縁膜において、前記第３の領域と重なる領域の膜厚は、前記第５の領域の膜厚より薄く、
   前記酸化物絶縁膜において、前記第４の領域と重なる領域の膜厚は、前記第５の領域の膜厚より薄い、ことを特徴とする半導体装置。
3. 酸化物絶縁膜と、
   前記酸化物絶縁膜上の、酸化物半導体層と、
   前記酸化物半導体層と電気的に接続された、第１のソース電極層と、
   前記酸化物半導体層と電気的に接続された、第１のドレイン電極層と、
   前記第１のソース電極層上の、第２のソース電極層と、
   前記第１のドレイン電極層上の、第２のドレイン電極層と、
   前記第２のソース電極層は、前記酸化物半導体層と接する第１の領域を有し、
   前記第２のドレイン電極層は、前記酸化物半導体層と接する第２の領域を有し、
   前記第２のソース電極層上、及び前記第２のドレイン電極層上の、ゲート絶縁膜と、
   前記ゲート絶縁膜上の、ゲート電極層と、を有し、
   前記ゲート絶縁膜は、前記第２のソース電極層の外側で、前記酸化物絶縁膜と接する第３の領域を有し、
   前記ゲート絶縁膜は、前記第２のドレイン電極層の外側で、前記酸化物絶縁膜と接する第４の領域を有し、
   前記酸化物絶縁膜は、前記酸化物半導体層と重なる、第５の領域を有し、
   前記酸化物半導体層において、前記第５の領域と重なる領域の膜厚は、前記第１の領域と重なる領域の膜厚より薄く、
   前記酸化物半導体層において、前記第５の領域と重なる領域の膜厚は、前記第２の領域と重なる領域の膜厚より薄い、ことを特徴とする半導体装置。
4. 酸化物絶縁膜と、
   前記酸化物絶縁膜上の、酸化物半導体層と、
   前記酸化物半導体層と電気的に接続された、第１のソース電極層と、
   前記酸化物半導体層と電気的に接続された、第１のドレイン電極層と、
   前記第１のソース電極層上の、第２のソース電極層と、
   前記第１のドレイン電極層上の、第２のドレイン電極層と、
   前記第２のソース電極層は、前記酸化物半導体層と接する第１の領域を有し、
   前記第２のドレイン電極層は、前記酸化物半導体層と接する第２の領域を有し、
   前記第２のソース電極層上、及び前記第２のドレイン電極層上の、ゲート絶縁膜と、
   前記ゲート絶縁膜上の、ゲート電極層と、を有し、
   前記ゲート絶縁膜は、前記第１のソース電極層の外側で、前記酸化物絶縁膜と接する第３の領域を有し、
   前記ゲート絶縁膜は、前記第１のドレイン電極層の外側で、前記酸化物絶縁膜と接する第４の領域を有し、
   前記酸化物絶縁膜は、前記酸化物半導体層と重なる、第５の領域を有し、
   前記酸化物半導体層において、前記第５の領域と重なる領域の膜厚は、前記第１の領域と重なる領域の膜厚より薄く、
   前記酸化物半導体層において、前記第５の領域と重なる領域の膜厚は、前記第１の領域と重なる領域の膜厚より薄い、ことを特徴とする半導体装置。
5. 請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
   前記酸化物半導体層は、結晶質を有し、
   前記結晶質のｃ軸は、前記酸化物半導体層の表面の法線ベクトルに平行な方向にそうことを特徴とする半導体装置。