JP2013236068A5 - 半導体装置 - Google Patents

Claims (2)

1. シリコン基板上又はシリコン層上の第１の絶縁膜と、
   前記第１の絶縁膜上の第１の導電膜と、
   前記第１の導電膜上の第１の酸化アルミニウム膜と、
   前記第１の酸化アルミニウム膜上の第２の導電膜と、
   前記第２の導電膜上の第２の絶縁膜と、
   前記第２の絶縁膜上の酸化物半導体膜と、
   前記酸化物半導体膜上の第３の導電膜及び第４の導電膜と、
   前記第３の導電膜上及び前記第４の導電膜上の第３の絶縁膜と、
   前記第３の絶縁膜上の第５の導電膜と、
   前記第５の導電膜上の第２の酸化アルミニウム膜と、を有し、
   前記シリコン基板又は前記シリコン層は、第１のトランジスタのチャネル形成領域を有し、
   前記第１の絶縁膜は、前記第１のトランジスタのゲート絶縁膜として機能する領域を有し、
   前記第１の導電膜は、前記第１のトランジスタのゲート電極として機能する領域を有し、
   前記酸化物半導体膜は、第２のトランジスタのチャネル形成領域を有し、
   前記第２の導電膜は、前記第２のトランジスタの第１のゲート電極として機能する領域を有し、
   前記第２の絶縁膜は、前記第２のトランジスタの第１のゲート絶縁膜として機能する領域を有し、
   前記第３の導電膜は、前記第２のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方として機能する領域を有し、
   前記第４の導電膜は、前記第２のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方として機能する領域を有し、
   前記第３の絶縁膜は、前記第２のトランジスタの第２のゲート絶縁膜として機能する領域を有し、
   前記第５の導電膜は、前記第２のトランジスタの第２のゲート電極として機能する領域を有し、
   前記酸化物半導体膜は、前記第１の酸化アルミニウム膜と前記第２の酸化アルミニウム膜とによって包まれることを特徴とする半導体装置。
2. シリコン基板上又はシリコン層上の第１の絶縁膜と、
   前記第１の絶縁膜上の第１の導電膜と、
   前記第１の導電膜上の第１の酸化アルミニウム膜と、
   前記第１の酸化アルミニウム膜上の第２の導電膜と、
   前記第２の導電膜上の第２の絶縁膜と、
   前記第２の絶縁膜上の酸化物半導体膜と、
   前記酸化物半導体膜上の第３の導電膜及び第４の導電膜と、
   前記第３の導電膜上及び前記第４の導電膜上の第３の絶縁膜と、
   前記第３の絶縁膜上の第５の導電膜と、
   前記第５の導電膜上の第２の酸化アルミニウム膜と、を有し、
   前記シリコン基板又は前記シリコン層は、第１のトランジスタのチャネル形成領域を有し、
   前記第１の絶縁膜は、前記第１のトランジスタのゲート絶縁膜として機能する領域を有し、
   前記第１の導電膜は、前記第１のトランジスタのゲート電極として機能する領域を有し、
   前記酸化物半導体膜は、第２のトランジスタのチャネル形成領域を有し、
   前記第２の導電膜は、前記第２のトランジスタの第１のゲート電極として機能する領域を有し、
   前記第２の絶縁膜は、前記第２のトランジスタの第１のゲート絶縁膜として機能する領域を有し、
   前記第３の導電膜は、前記第２のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方として機能する領域を有し、
   前記第４の導電膜は、前記第２のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方として機能する領域を有し、
   前記第３の絶縁膜は、前記第２のトランジスタの第２のゲート絶縁膜として機能する領域を有し、
   前記第５の導電膜は、前記第２のトランジスタの第２のゲート電極として機能する領域を有し、
   前記第１の酸化アルミニウム膜は、前記酸化物半導体膜の周辺において、前記第２の酸化アルミニウム膜と接する領域を有することを特徴とする半導体装置。