JP2011054949A5 - 半導体装置 - Google Patents

Claims (3)

1. ゲート電極と、
   前記ゲート電極上の第１の絶縁膜と、
   前記第１の絶縁膜上の酸化物半導体層と、
   前記酸化物半導体層上の第２の絶縁膜と、
   前記第２の絶縁膜上の、ソース電極とドレイン電極と、を有し、
   前記第２の絶縁膜は、前記酸化物半導体層のチャネル形成領域と接する領域を有し、
   前記第１の絶縁膜は、窒化珪素膜を有し、
   前記第２の絶縁膜は、酸化珪素膜を有し、
   前記ゲート電極と同層の第１の導電層を有し、
   前記ソース電極及び前記ドレイン電極と同層の第２の導電層を有し、
   前記第１の導電層と前記第２の導電層とは、前記窒化珪素膜の第１のコンタクトホールと前記酸化珪素膜の第２のコンタクトホールとを介して電気的に接続されており、
   前記第２のコンタクトホールは、前記第１のコンタクトホールより大きく、
   前記酸化物半導体層は、前記酸化珪素膜の第３のコンタクトホールを介して前記ソース電極と電気的に接続されており、
   前記酸化物半導体層は、前記酸化珪素膜の第４のコンタクトホールを介して前記ドレイン電極と電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
2. ゲート電極と、
   前記ゲート電極上の第１の絶縁膜と、
   前記第１の絶縁膜上の酸化物半導体層と、
   前記酸化物半導体層上の第２の絶縁膜と、
   前記第２の絶縁膜上の、ソース電極とドレイン電極と、を有し、
   前記第２の絶縁膜は、前記酸化物半導体層のチャネル形成領域と接する領域を有し、
   前記第１の絶縁膜は、窒化珪素膜を有し、
   前記第２の絶縁膜は、酸化珪素膜を有し、
   前記ゲート電極と同層の第１の導電層を有し、
   前記ソース電極及び前記ドレイン電極と同層の第２の導電層を有し、
   前記第１の導電層と前記第２の導電層とは、前記窒化珪素膜の第１のコンタクトホールと前記酸化珪素膜の第２のコンタクトホールとを介して電気的に接続されており、
   前記第２のコンタクトホールにおいて、前記第１の絶縁膜上の前記第２の絶縁膜の一部が除去されており、
   前記酸化物半導体層は、前記酸化珪素膜の第３のコンタクトホールを介して前記ソース電極と電気的に接続されており、
   前記酸化物半導体層は、前記酸化珪素膜の第４のコンタクトホールを介して前記ドレイン電極と電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
3. 請求項１又は請求項２において、
   前記第１の導電層と前記第２の導電層とが交差する部分を有し、
   前記交差する部分において、前記第１の導電層と前記第２の導電層との間に前記窒化珪素膜と前記酸化珪素膜とを有することを特徴とする半導体装置。