JP2012039058A5 - - Google Patents

Claims (5)

1. 第１のトランジスタと、
   第２のトランジスタと、を有し、
   前記第１のトランジスタは、酸化物半導体を有し、
   前記第２のトランジスタは、シリコンを有し、
   前記第１のトランジスタのソース又はドレインは、前記第２のトランジスタのゲートの上面と接する領域を有する
   ことを特徴とする半導体装置。
2. 第１のトランジスタと、
   第２のトランジスタと、
   絶縁膜と、を有し、
   前記第１のトランジスタは、酸化物半導体を有し、
   前記第２のトランジスタは、シリコンを有し、
   前記絶縁膜は、前記酸化物半導体と、前記シリコンとの間にあり、
   前記第１のトランジスタのソース又はドレインは、前記絶縁膜の開口部を介して、前記第２のトランジスタのゲートの上面と接する領域を有する
   ことを特徴とする半導体装置。
3. シリコンと、
   酸化物半導体と、
   第１の導電膜と、
   第２の導電膜と、
   第３の導電膜とを有し、
   前記第１の導電膜は、前記シリコンを有する第２のトランジスタのゲートとして機能する領域を有し、
   前記第２の導電膜は、前記酸化物半導体を有する第１のトランジスタのソース又はドレインとして機能する領域を有し、
   前記第２の導電膜と、前記酸化物半導体と、前記第３の導電膜とが重なる領域に容量を有し、
   前記第１のトランジスタのソース又はドレインは、前記第２のトランジスタのゲートの上面と接する領域を有することを特徴とする半導体装置。
4. 請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
   前記第２のトランジスタは、ｎ型を有することを特徴とする半導体装置。
5. 請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
   前記第２のトランジスタは、ｐ型を有することを特徴とする半導体装置。