JP2016149570A5 - - Google Patents

Claims (1)

1. ゲート電極と、
   前記ゲート電極上方の第１のゲート絶縁膜と、
   前記第１のゲート絶縁膜上方の第２のゲート絶縁膜と、
   前記第２のゲート絶縁膜上方の酸化物半導体膜と、
   前記酸化物半導体膜上方のソース電極と、
   前記酸化物半導体膜上方のドレイン電極と、
   酸化物半導体膜上方、前記ソース電極上方及び前記ドレイン電極上方の酸化物絶縁膜と、
   前記酸化物絶縁膜上方の保護絶縁膜と、
   前記保護絶縁膜上方の平坦化絶縁膜と、
   前記平坦化絶縁膜上方の画素電極と、を有し、
   前記第１のゲート絶縁膜は、窒素と、珪素と、を有し、
   前記第２のゲート絶縁膜は、酸素と、珪素と、を有し、
   前記酸化物絶縁膜は、前記酸化物半導体膜と接する領域を有し、
   前記保護絶縁膜は、窒素と、珪素と、有し、
   前記酸化物半導体膜を有するトランジスタは、前記画素電極と電気的に接続され、且つオフ電流が１×１０ ^−１３ Ａ以下であることを特徴とする半導体装置。