JP2014241403A5 - - Google Patents

Claims (10)

1. ゲート電極と、
   前記ゲート電極と重なる酸化物半導体膜と、
   前記ゲート電極及び前記酸化物半導体膜の間の、酸素に対する第１のバリア膜と、
   前記酸化物半導体膜に接する一対の電極として機能する第１の導電膜と、
   前記酸化物半導体膜と接する酸化物絶縁膜と、
   前記酸素に対する第１のバリア膜、及び前記酸化物絶縁膜と接する、酸素に対する第２のバリア膜とを有し、
   前記酸素に対する第１のバリア膜及び前記酸素に対する第２のバリア膜の間に、前記酸化物半導体膜及び前記酸化物絶縁膜が設けられることを特徴とする半導体装置。
2. 絶縁表面上にトランジスタ及び容量素子を有し、
   前記トランジスタは、
   ゲート電極と、
   前記ゲート電極と重なる酸化物半導体膜と、
   前記ゲート電極及び前記酸化物半導体膜の間の、酸素に対する第１のバリア膜と、
   前記酸化物半導体膜に接する一対の電極として機能する第１の導電膜と、を有し、
   前記トランジスタにおいて、
   前記酸化物半導体膜に接する酸化物絶縁膜と、
   前記酸素に対する第１のバリア膜及び前記酸化物絶縁膜に接する、酸素に対する第２のバリア膜と、
   前記酸素に対する第２のバリア膜の開口部において、前記第１の導電膜に接する、画素電極として機能する第２の導電膜と、を有し、
   前記容量素子は、
   前記酸素に対する第１のバリア膜上の導電性を有する膜と、
   前記導電性を有する膜に接する前記酸素に対する第２のバリア膜と、
   前記画素電極として機能する第２の導電膜とを有することを特徴とする半導体装置。
3. 第１のゲート電極と、
   前記第１のゲート電極と重なる酸化物半導体膜と、
   前記第１のゲート電極及び前記酸化物半導体膜の間の、酸素に対する第１のバリア膜と、
   前記酸化物半導体膜に接する一対の電極として機能する第１の導電膜と、
   前記酸化物半導体膜に接する酸化物絶縁膜と、
   前記酸素に対する第１のバリア膜、及び前記酸化物絶縁膜と接する、酸素に対する第２のバリア膜と、
   前記第２のバリア膜上であって、前記酸化物半導体膜と重なる第２のゲート電極と、を有し、
   前記酸素に対する第１のバリア膜及び前記酸素に対する第２のバリア膜の間に、前記酸化物半導体膜及び前記酸化物絶縁膜が設けられることを特徴とする半導体装置。
4. 絶縁表面上にトランジスタ及び容量素子を有し、
   前記トランジスタは、
   第１のゲート電極と、
   前記第１のゲート電極と重なる酸化物半導体膜と、
   前記第１のゲート電極及び前記酸化物半導体膜の間の、酸素に対する第１のバリア膜と、
   前記酸化物半導体膜に接する一対の電極として機能する第１の導電膜と、
   前記酸化物半導体膜に接する酸化物絶縁膜と、
   前記酸素に対する第１のバリア膜及び前記酸化物絶縁膜に接する、酸素に対する第２のバリア膜と、
   前記酸素に対する第２のバリア膜上であって、前記酸化物半導体膜と重なる第２のゲート電極と、を有し、
   前記酸素に対する第２のバリア膜の開口部において、前記第１の導電膜に接する、画素電極として機能する第２の導電膜を有し、
   前記容量素子は、
   前記酸素に対する第１のバリア膜上の導電性を有する膜と、
   前記導電性を有する膜に接する前記酸素に対する第２のバリア膜と、
   前記画素電極として機能する第２の導電膜とを有することを特徴とする半導体装置。
5. 請求項３または請求項４において、
   前記第１のゲート電極及び前記第２のゲート電極は、前記酸素に対する第１のバリア膜と、前記酸素に対する第２のバリア膜に形成される開口部において接続することを特徴とする半導体装置。
6. 請求項２または請求項４において、
   前記導電性を有する膜は、前記酸化物半導体膜に含まれる金属元素を有する金属酸化物膜であることを特徴とする半導体装置。
7. 請求項２、請求項４、及び請求項６のいずれか一項において、
   前記酸化物半導体膜及び前記導電性を有する膜は、Ｉｎを含む金属酸化物膜であることを特徴とする半導体装置。
8. 請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、
   前記酸化物絶縁膜は、化学量論的組成を満たす酸素よりも多くの酸素を含む酸化物絶縁膜を有することを特徴とする半導体装置。
9. 請求項８において、
   前記化学量論的組成を満たす酸素よりも多くの酸素を含む酸化物絶縁膜は、ＴＤＳ分析にて、酸素原子に換算しての酸素の脱離量が１．０×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上であることを特徴とする半導体装置。
10. 請求項１乃至請求項９のいずれか一項において、
    前記第１の導電膜は、前記酸化物半導体膜と前記酸化物絶縁膜との間に設けられることを特徴とする半導体装置。