JP2015179822A5 - 半導体装置 - Google Patents

Claims (4)

1. トランジスタと容量素子とを有する半導体装置であって、
   前記トランジスタは、
   第１の絶縁膜上の酸化物半導体膜と、
   前記酸化物半導体膜上の第２の絶縁膜と、
   前記第２の絶縁膜上のゲート電極と、
   ソース電極及びドレイン電極と、を有し、
   前記トランジスタ上の第３の絶縁膜を有し、
   前記ソース電極及び前記ドレイン電極は、前記第３の絶縁膜上に設けられ、
   前記ソース電極は、前記第３の絶縁膜の第１の開口部を介して前記酸化物半導体膜と電気的に接続され、
   前記ドレイン電極は、前記第３の絶縁膜の第２の開口部を介して前記酸化物半導体膜と電気的に接続され、
   前記第１の絶縁膜は、酸素を含み、
   前記第２の絶縁膜は、酸素を含み、
   前記第３の絶縁膜は、前記容量素子の誘電体膜として機能する領域を有し、
   前記第３の絶縁膜は、前記第２の絶縁膜の上面及び前記第２の絶縁膜の側面に接し、
   前記酸化物半導体膜は、第１の領域と、第２の領域とを有し、
   前記第２の領域は、前記ゲート電極及び前記第２の絶縁膜と重ならず、
   前記第２の領域の膜厚は、前記第１の領域の膜厚よりも小さく、
   前記第１の絶縁膜は、第３の領域と、第４の領域とを有し、
   前記第３の領域は、前記酸化物半導体膜と重なり、
   前記第４の領域は、前記酸化物半導体膜と重ならず、
   前記第４の領域の膜厚は、前記第３の領域の膜厚よりも小さいことを特徴とする半導体装置。
2. トランジスタと、容量素子と、を有する半導体装置であって、
   前記トランジスタは、
   第１の絶縁膜上の酸化物半導体膜と、
   前記酸化物半導体膜上の第２の絶縁膜と、
   前記第２の絶縁膜上のゲート電極と、
   ソース電極及びドレイン電極と、を有し、
   前記トランジスタ上の第３の絶縁膜を有し、
   前記ソース電極及び前記ドレイン電極は、前記第３の絶縁膜上に設けられ、
   前記ソース電極は、前記第３の絶縁膜の第１の開口部を介して前記酸化物半導体膜と電気的に接続され、
   前記ドレイン電極は、前記第３の絶縁膜の第２の開口部を介して前記酸化物半導体膜と電気的に接続され、
   前記第３の絶縁膜上の画素電極を有し、
   前記画素電極は、前記ソース電極及び前記ドレイン電極の一方と電気的に接続され、
   前記画素電極は、前記容量素子と重なる領域を有し、
   前記第１の絶縁膜は、酸素を含み、
   前記第２の絶縁膜は、酸素を含み、
   前記第３の絶縁膜は、前記容量素子の誘電体膜として機能する領域を有し、
   前記第３の絶縁膜は、前記第２の絶縁膜の上面及び前記第２の絶縁膜の側面に接し、
   前記酸化物半導体膜は、第１の領域と、第２の領域とを有し、
   前記第２の領域は、前記ゲート電極及び前記第２の絶縁膜と重ならず、
   前記第２の領域の膜厚は、前記第１の領域の膜厚よりも小さく、
   前記第１の絶縁膜は、第３の領域と、第４の領域とを有し、
   前記第３の領域は、前記酸化物半導体膜と重なり、
   前記第４の領域は、前記酸化物半導体膜と重ならず、
   前記第４の領域の膜厚は、前記第３の領域の膜厚よりも小さいことを特徴とする半導体装置。
3. トランジスタと、容量素子と、を有する半導体装置であって、
   前記トランジスタは、
   第１の導電膜と、
   前記第１の導電膜上の第１の絶縁膜と、
   前記第１の絶縁膜上の酸化物半導体膜と、
   前記酸化物半導体膜上の第２の絶縁膜と、
   前記第２の絶縁膜上のゲート電極と、
   ソース電極及びドレイン電極と、を有し、
   前記第１の導電膜は、前記第１の絶縁膜を介して前記酸化物半導体膜と重なる領域を有し、
   前記トランジスタ上の第３の絶縁膜を有し、
   前記ソース電極及び前記ドレイン電極は、前記第３の絶縁膜上に設けられ、
   前記ソース電極は、前記第３の絶縁膜の第１の開口部を介して前記酸化物半導体膜と電気的に接続され、
   前記ドレイン電極は、前記第３の絶縁膜の第２の開口部を介して前記酸化物半導体膜と電気的に接続され、
   前記第１の絶縁膜は、酸素を含み、
   前記第２の絶縁膜は、酸素を含み、
   前記第３の絶縁膜は、前記容量素子の誘電体膜として機能する領域を有し、
   前記第３の絶縁膜は、前記第２の絶縁膜の上面及び前記第２の絶縁膜の側面に接し、
   前記酸化物半導体膜は、第１の領域と、第２の領域とを有し、
   前記第２の領域は、前記ゲート電極及び前記第２の絶縁膜と重ならず、
   前記第２の領域の膜厚は、前記第１の領域の膜厚よりも小さく、
   前記第１の絶縁膜は、第３の領域と、第４の領域とを有し、
   前記第３の領域は、前記酸化物半導体膜と重なり、
   前記第４の領域は、前記酸化物半導体膜と重ならず、
   前記第４の領域の膜厚は、前記第３の領域の膜厚よりも小さいことを特徴とする半導体装置。
4. トランジスタと、容量素子と、を有する半導体装置であって、
   前記トランジスタは、
   第１の導電膜と、
   前記第１の導電膜上の第１の絶縁膜と、
   前記第１の絶縁膜上の酸化物半導体膜と、
   前記酸化物半導体膜上の第２の絶縁膜と、
   前記第２の絶縁膜上のゲート電極と、
   ソース電極及びドレイン電極と、を有し、
   前記第１の導電膜は、前記第１の絶縁膜を介して前記酸化物半導体膜と重なる領域を有し、
   前記トランジスタ上の第３の絶縁膜を有し、
   前記ソース電極及び前記ドレイン電極は、前記第３の絶縁膜上に設けられ、
   前記ソース電極は、前記第３の絶縁膜の第１の開口部を介して前記酸化物半導体膜と電気的に接続され、
   前記ドレイン電極は、前記第３の絶縁膜の第２の開口部を介して前記酸化物半導体膜と電気的に接続され、
   前記第３の絶縁膜上に画素電極を有し、
   前記画素電極は、前記ソース電極及び前記ドレイン電極の一方と電気的に接続され、
   前記画素電極は、前記容量素子と重なる領域を有し、
   前記第１の絶縁膜は、酸素を含み、
   前記第２の絶縁膜は、酸素を含み、
   前記第３の絶縁膜は、前記容量素子の誘電体膜として機能する領域を有し、
   前記第３の絶縁膜は、前記第２の絶縁膜の上面及び前記第２の絶縁膜の側面に接し、
   前記酸化物半導体膜は、第１の領域と、第２の領域とを有し、
   前記第２の領域は、前記ゲート電極及び前記第２の絶縁膜と重ならず、
   前記第２の領域の膜厚は、前記第１の領域の膜厚よりも小さく、
   前記第１の絶縁膜は、第３の領域と、第４の領域とを有し、
   前記第３の領域は、前記酸化物半導体膜と重なり、
   前記第４の領域は、前記酸化物半導体膜と重ならず、
   前記第４の領域の膜厚は、前記第３の領域の膜厚よりも小さいことを特徴とする半導体装置。