JP2016034040A5 - 表示装置 - Google Patents

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  1. 絶縁表面上の第1の導電層と、
    前記第1の導電層上の第1の絶縁層と、
    前記第1の絶縁層上の第2の導電層、第3の導電層、及び第4の導電層と、
    前記第2の導電層上、前記第3の導電層上、及び前記第4の導電層上の第2の絶縁層と、
    前記第2の絶縁層上の画素電極と、を有し、
    前記第1の導電層は、トランジスタのゲート電極として機能する領域を有し、
    前記第2の導電層は、前記トランジスタのソース電極として機能する領域を有し、
    前記第3の導電層は、前記トランジスタのドレイン電極として機能する領域を有し、
    前記第4の導電層は、前記第2の導電層及び前記第3の導電層と同一層に配置されており、
    前記第4の導電層は、フローティング状態であり、
    前記第1の導電層は、前記第4の導電層の下面全体と重なる第1の領域を有し、
    前記第1の領域において、前記第1の導電層の幅は、前記第4の導電層の幅よりも大きいことを特徴とする表示装置。
  2. 絶縁表面上の第1の導電層と、
    前記第1の導電層上の第1の絶縁層と、
    前記第1の絶縁層上の第2の導電層、第3の導電層、及び第4の導電層と、
    前記第2の導電層上、前記第3の導電層上、及び前記第4の導電層上の第2の絶縁層と、
    前記第2の絶縁層上の画素電極と、を有し、
    前記第1の導電層は、トランジスタのゲート電極として機能する領域を有し、
    前記第2の導電層は、前記トランジスタのソース電極として機能する領域を有し、
    前記第3の導電層は、前記トランジスタのドレイン電極として機能する領域を有し、
    前記第4の導電層は、前記第2の導電層及び前記第3の導電層と同一層に配置されており、
    前記第4の導電層は、フローティング状態であり、
    前記第1の導電層は、前記第4の導電層の下面全体と重なる第1の領域を有し、
    前記第1の領域において、前記第1の導電層の幅は、前記第4の導電層の幅よりも大きく、
    前記第4の導電層は、前記第1の絶縁層と直接接していることを特徴とする表示装置。
  3. 絶縁表面上の第1の導電層と、
    前記第1の導電層上の第1の絶縁層と、
    前記第1の絶縁層上の第2の導電層、第3の導電層、及び第4の導電層と、
    前記第2の導電層上、前記第3の導電層上、及び前記第4の導電層上の第2の絶縁層と、
    前記第2の絶縁層上の画素電極と、を有し、
    前記第1の導電層は、トランジスタのゲート電極として機能する領域を有し、
    前記第2の導電層は、前記トランジスタのソース電極として機能する領域を有し、
    前記第3の導電層は、前記トランジスタのドレイン電極として機能する領域を有し、
    前記第4の導電層は、前記第2の導電層及び前記第3の導電層と同一層に配置されており、
    前記トランジスタは、前記画素電極と電気的に接続され、
    上面からみて、前記第4の導電層は、前記画素電極と前記画素電極の隣に配置された画素電極との間に配置され、
    前記第4の導電層は、フローティング状態であり、
    前記第1の導電層は、前記第4の導電層の下面全体と重なる第1の領域を有し、
    前記第1の領域において、前記第1の導電層の幅は、前記第4の導電層の幅よりも大きいことを特徴とする表示装置。
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