JP5107824B2 - 表示装置およびその駆動制御方法 - Google Patents

Description

本発明は、アクティブマトリクス方式で駆動される発光素子を備えた表示装置およびその表示装置の駆動制御方法に関するものである。

従来、有機ＥＬ発光素子などの発光素子を用いた表示装置が提案されており、テレビや携帯電話のディスプレイなど種々の分野での利用が提案されている。

一般に、有機ＥＬ発光素子は電流駆動型発光素子であるため、液晶ディスプレイとは異なり、その駆動回路として画素回路を選択する選択用トランジスタと表示画像に応じた電荷を保持する保持容量と有機ＥＬ発光素子を駆動する駆動用トランジスタが最低限必要である（たとえば、特許文献１参照）。

そして、従来、アクティブマトリクス方式の有機ＥＬ表示装置の画素回路には、低温ポリシリコンまたはアモルファスシリコンからなる薄膜トランジスタが用いられていた。

しかしながら、低温ポリシリコンの薄膜トランジスタは高移動度と閾値電圧安定性を得ることができるが、移動度の均一性に問題がある。また、アモルファスシリコンの薄膜トランジスタは移動度均一性を得ることができるが、移動度の低さと閾値電圧の経時変動の問題がある。

上記のような移動度の不均一性および閾値電圧の不安定性は表示画像のムラとなって現れる。そこで、たとえば特許文献２においては、画素回路内にダイオード接続方式の補償回路を設けた表示装置が提案されている。
特開平８−２３４６８３号公報 特開２００３−２５５８５６号公報 特開２００２−２７８５１３号公報 特開２００５−２８４１７２号公報 特開２００７−３１０３１１号公報 特開２００４−２５２１１０号公報

しかしながら、特許文献２に記載の補償回路を設けるようにしたのでは、画素回路が複雑化し、歩留まり低下によるコストアップ、開口率の低下を招くことになる。

そこで、たとえば、特許文献３、特許文献４においては、画素回路が配置されたアクティブマトリクス基板外に画素回路列毎に電流計測器を設け、この電流計測器によって駆動用トランジスタの駆動電流を計測し、その計測した駆動電流値に基づいて駆動用トランジスタの閾値電圧や移動度などの特性値を算出して記憶しておき、その特性値に基づいて補正データを駆動用トランジスタのゲート電圧として画素回路にプログラムすることで画素回路の単純化と駆動用トランジスタの特性補正とを両立する方法が提案されている。

しかしながら、特許文献３および特許文献４に記載の方法では、非選択画素回路の有機ＥＬ発光素子の消灯電流が計測した駆動電流に混入し、正確な駆動電流を計測することができない。また、１つの画素回路の微小な駆動電流を測定するため電流計測精度に実用化上の問題がある。また、駆動電流の電流計測に時間を要するため補正データの取得と表示動作を両立することができず、リアルタイムでの補正データの更新が不可能である。

一方、画素回路内での駆動用トランジスタの特性変動の補正としては、より単純な画素回路構成での補正方法が、たとえば、特許文献５において提案されている。

特許文献５に記載の補正方法は、有機ＥＬ発光素子が有する寄生容量への充電動作を行なうことによって駆動用トランジスタの閾値電圧を検出した後、寄生容量の電圧変化を移動度μの偏差に置換し、駆動用トランジスタに供給されるゲート−ソース間電圧を自動修正するものである。

しかしながら、特許文献５に記載の方法では、有機ＥＬ発光素子の寄生容量の偏差や、μ補正電流が画像データに応じて毎回異なることへ対応するために、データ信号の立ち上がりと立ち下りの傾き制御や、データ線の抵抗や容量などの影響を補正する必要がある。これは画素回路の単純化による弊害を複雑な駆動制御で補うことになり、駆動制御回路に多大な精度を要求することになり、表示装置全体でのコストアップになる。

また、特許文献６においては、特許文献５に記載の方法のように有機ＥＬ発光素子の寄生容量に充電するのではなく、布線容量を使用してその布線容量の電圧を駆動回路で読み取り、駆動用トランジスタの特性の補正を行う方法が提案されている。

しかしながら、特許文献６に記載の方法は、特許文献３および特許文献４に記載の方法の課題である微小電流の計測を簡単な電圧計測で実現することが可能であるが、共通電位線の布線容量を負荷容量として使用するため補正データの取得時間が長くなってしまう。

本発明は、上記の事情に鑑み、駆動用トランジスタの特性偏差の補正の高精度化、表示動作と特性値の取得の両立、さらに画素回路と駆動制御の単純化を全て実現可能な表示装置およびその表示装置の駆動制御方法を提供することを目的とする。

本発明の第１の表示装置の駆動制御方法は、発光素子、発光素子のアノード端子にソース端子が接続され、発光素子に駆動電流を流す駆動用トランジスタ、駆動用トランジスタのゲート端子とソース端子との間に接続された容量素子、駆動用トランジスタのゲート端子と所定の電圧を供給する電圧源との間に接続されたゲート接続スイッチ、および駆動用トランジスタのソース端子と所定の信号を供給するデータ線との間に接続されたソース接続スイッチを有する画素回路が多数配列されたアクティブマトリクス基板を備えた表示装置の駆動制御方法であって、予め設定された第１の計測用電圧をデータ線およびソース接続スイッチを介して駆動用トランジスタのソース端子へ供給し、第１の計測用電圧の供給により駆動用トランジスタに流れた電流によって駆動用トランジスタのソース端子に接続された容量性負荷を充電したときの駆動用トランジスタのソース端子の電圧の第１の変化量を取得し、第１の変化量に基づいて駆動用トランジスタの駆動電流の第１の電流値を取得するとともに、予め設定された第２の計測用電圧をデータ線およびソース接続スイッチを介して駆動用トランジスタのソース端子へ供給し、第２の計測用電圧の供給により駆動用トランジスタに流れた電流によって駆動用トランジスタのソース端子に接続された容量性負荷を充電したときの駆動用トランジスタのソース端子の電圧の第２の変化量を取得し、第２の変化量に基づいて駆動用トランジスタの駆動電流の第２の電流値を取得し、第１の計測用電圧と第２の計測用電圧と第１の電流値と第２の電流値とに基づいて駆動用トランジスタの閾値電圧に応じた特性値および移動度に応じた特性値を取得し、その取得した特性値と発光素子の発光量に応じた駆動用トランジスタの駆動電圧とに基づくデータ信号をデータ線およびソース接続スイッチを介して駆動用トランジスタのソース端子に出力することを特徴とする。

本発明の第２の表示装置の駆動制御方法は、発光素子、発光素子のアノード端子にソース端子が接続され、発光素子に駆動電流を流す駆動用トランジスタ、駆動用トランジスタのゲート端子とソース端子との間に接続された容量素子、駆動用トランジスタのゲート端子と所定の電圧を供給する電圧源との間に接続されたゲート接続スイッチ、および駆動用トランジスタのソース端子と所定の信号を供給するデータ線との間に接続されたソース接続スイッチを有する画素回路が多数配列されたアクティブマトリクス基板を備えた表示装置の駆動制御方法であって、予め設定された計測用電圧をデータ線およびソース接続スイッチを介して駆動用トランジスタのソース端子へ供給し、計測用電圧の供給により駆動用トランジスタに流れた電流によって駆動用トランジスタのソース端子に接続された容量性負荷を充電したときの駆動用トランジスタのソース端子の電圧の変化量を取得し、その変化量に基づいて駆動用トランジスタの駆動電流の電流値を取得し、計測用電圧と電流値とに基づいて駆動用トランジスタの閾値電圧に応じた特性値または移動度に応じた特性値を取得し、その取得した特性値と発光素子の発光量に応じた駆動用トランジスタの駆動電圧とに基づくデータ信号をデータ線およびソース接続スイッチを介して駆動用トランジスタのソース端子に出力することを特徴とする。

本発明の第３の表示装置の駆動制御方法は、発光素子、発光素子のアノード端子にソース端子が接続され、発光素子に駆動電流を流す駆動用トランジスタ、駆動用トランジスタのゲート端子とソース端子との間に接続された容量素子、駆動用トランジスタのゲート端子と所定の電圧を供給する電圧源との間に接続されたゲート接続スイッチ、および駆動用トランジスタのソース端子と所定の信号を供給するデータ線との間に接続されたソース接続スイッチを有する画素回路が多数配列され、画素回路の列毎に設けられたデータ線を有するアクティブマトリクス基板と、画素回路の行を順次選択し、その選択した行の画素回路のソース接続スイッチをＯＮする走査駆動部と、走査駆動部により１行目から最終行までの画素回路の行の選択を繰り返し行うことによってフレーム毎のデータ信号に基づく画像を表示させる制御部とを備えた表示装置の駆動制御方法であって、走査駆動部により選択された行の画素回路のうちの一部の画素回路をフレーム毎に順次切り替えて選択し、その選択した選択画素回路については、予め設定された第１の計測用電圧をデータ線およびソース接続スイッチを介して駆動用トランジスタのソース端子へ供給し、第１の計測用電圧の供給により駆動用トランジスタに流れた電流によって駆動用トランジスタのソース端子に接続された容量性負荷を充電したときの駆動用トランジスタのソース端子の電圧の第１の変化量を取得し、第１の変化量に基づいて駆動用トランジスタの駆動電流の第１の電流値を取得するとともに、予め設定された第２の計測用電圧をデータ線およびソース接続スイッチを介して駆動用トランジスタのソース端子へ供給し、第２の計測用電圧の供給により駆動用トランジスタに流れた電流によって駆動用トランジスタのソース端子に接続された容量性負荷を充電したときの駆動用トランジスタのソース端子の電圧の第２の変化量を取得し、第２の変化量に基づいて駆動用トランジスタの駆動電流の第２の電流値を取得し、第１の計測用電圧と第２の計測用電圧と第１の電流値と第２の電流値とに基づいて駆動用トランジスタの閾値電圧に応じた特性値および移動度に応じた特性値を取得し、その取得した特性値と発光素子の発光量に応じた駆動用トランジスタの駆動電圧とに基づくデータ信号をデータ線およびソース接続スイッチを介して駆動用トランジスタのソース端子に出力するともに、その取得した特性値を特性値記憶部に記憶し、走査駆動部により選択された行の画素回路のうちの選択されなかった非選択画素回路については、特性値記憶部に前回の選択時に記憶された特性値と発光素子の発光量に応じた駆動用トランジスタの駆動電圧とに基づくデータ信号を非選択画素回路の駆動用トランジスタのソース端子に出力することを特徴とする。

本発明の第４の表示装置の駆動制御方法は、発光素子、発光素子のアノード端子にソース端子が接続され、発光素子に駆動電流を流す駆動用トランジスタ、駆動用トランジスタのゲート端子とソース端子との間に接続された容量素子、駆動用トランジスタのゲート端子と所定の電圧を供給する電圧源との間に接続されたゲート接続スイッチ、および駆動用トランジスタのソース端子と所定の信号を供給するデータ線との間に接続されたソース接続スイッチを有する画素回路が多数配列され、画素回路の列毎に設けられたデータ線を有するアクティブマトリクス基板と、画素回路の行を順次選択し、その選択した行の画素回路のソース接続スイッチをＯＮする走査駆動部と、走査駆動部により１行目から最終行までの画素回路の行の選択を繰り返し行うことによってフレーム毎のデータ信号に基づく画像を表示させる制御部とを備えた表示装置の駆動制御方法であって、走査駆動部により選択された行の画素回路のうちの一部の画素回路をフレーム毎に順次切り替えて選択し、その選択した選択画素回路については、予め設定された計測用電圧をデータ線およびソース接続スイッチを介して駆動用トランジスタのソース端子へ供給し、計測用電圧の供給により駆動用トランジスタに流れた電流によって駆動用トランジスタのソース端子に接続された容量性負荷を充電したときの駆動用トランジスタのソース端子の電圧の変化量を取得し、その変化量に基づいて駆動用トランジスタの駆動電流の電流値を取得し、計測用電圧と電流値とに基づいて駆動用トランジスタの閾値電圧に応じた特性値または移動度に応じた特性値を取得し、その取得した特性値と発光素子の発光量に応じた駆動用トランジスタの駆動電圧とに基づくデータ信号をデータ線およびソース接続スイッチを介して駆動用トランジスタのソース端子に出力するともに、上記取得した特性値を特性値記憶部に記憶し、走査駆動部により選択された行の画素回路のうちの選択されなかった非選択画素回路については、特性値記憶部に前回の選択時に記憶された特性値と発光素子の発光量に応じた駆動用トランジスタの駆動電圧とに基づくデータ信号を非選択画素回路の駆動用トランジスタのソース端子に出力することを特徴とする。

本発明の第５の表示装置の駆動制御方法は、発光素子、発光素子のアノード端子にソース端子が接続され、発光素子に駆動電流を流す駆動用トランジスタ、駆動用トランジスタのゲート端子とソース端子との間に接続された容量素子、駆動用トランジスタのゲート端子と所定の電圧を供給する電圧源との間に接続されたゲート接続スイッチ、および駆動用トランジスタのソース端子と所定の信号を供給するデータ線との間に接続されたソース接続スイッチを有する画素回路が多数配列され、画素回路の列毎に設けられたデータ線を有するアクティブマトリクス基板と、画素回路の行を順次選択し、その選択した行の画素回路のソース接続スイッチをＯＮする走査駆動部と、走査駆動部により１行目から最終行までの画素回路の行の選択を繰り返し行うことによってフレーム毎のデータ信号に基づく画像を表示させる制御部とを備えた表示装置の駆動制御方法であって、１行目から最終行までの画素回路の行のうちの一部の画素回路行をフレーム毎に順次切り替えて選択し、その選択した選択画素回路行については、予め設定された第１の計測用電圧をデータ線およびソース接続スイッチを介して駆動用トランジスタのソース端子へ供給し、第１の計測用電圧の供給により駆動用トランジスタに流れた電流によって駆動用トランジスタのソース端子に接続された容量性負荷を充電したときの駆動用トランジスタのソース端子の電圧の第１の変化量を取得し、第１の変化量に基づいて駆動用トランジスタの駆動電流の第１の電流値を取得するとともに、予め設定された第２の計測用電圧をデータ線およびソース接続スイッチを介して駆動用トランジスタのソース端子へ供給し、第２の計測用電圧の供給により駆動用トランジスタに流れた電流によって駆動用トランジスタのソース端子に接続された容量性負荷を充電したときの駆動用トランジスタのソース端子の電圧の第２の変化量を取得し、第２の変化量に基づいて駆動用トランジスタの駆動電流の第２の電流値を取得し、第１の計測用電圧と第２の計測用電圧と第１の電流値と第２の電流値とに基づいて駆動用トランジスタの閾値電圧に応じた特性値および移動度に応じた特性値を取得し、その取得した特性値と発光素子の発光量に応じた駆動用トランジスタの駆動電圧とに基づくデータ信号をデータ線およびソース接続スイッチを介して駆動用トランジスタのソース端子に出力するともに、上記取得した特性値を特性値記憶部に記憶し、上記一部の画素回路行以外の選択されなかった非選択画素回路については、特性値記憶部に前回の選択時に記憶された特性値と発光素子の発光量に応じた駆動用トランジスタの駆動電圧とに基づくデータ信号を非選択画素回路行の駆動用トランジスタのソース端子に出力することを特徴とする。

本発明の第６の表示装置の駆動制御方法は、発光素子、発光素子のアノード端子にソース端子が接続され、発光素子に駆動電流を流す駆動用トランジスタ、駆動用トランジスタのゲート端子とソース端子との間に接続された容量素子、駆動用トランジスタのゲート端子と所定の電圧を供給する電圧源との間に接続されたゲート接続スイッチ、および駆動用トランジスタのソース端子と所定の信号を供給するデータ線との間に接続されたソース接続スイッチを有する画素回路が多数配列され、画素回路の列毎に設けられたデータ線を有するアクティブマトリクス基板と、画素回路の行を順次選択し、その選択した行の画素回路のソース接続スイッチをＯＮする走査駆動部と、走査駆動部により１行目から最終行までの画素回路の行の選択を繰り返し行うことによってフレーム毎のデータ信号に基づく画像を表示させる制御部とを備えた表示装置の駆動制御方法であって、１行目から最終行までの画素回路の行のうちの一部の画素回路行をフレーム毎に順次切り替えて選択し、その選択した選択画素回路行については、予め設定された計測用電圧をデータ線およびソース接続スイッチを介して駆動用トランジスタのソース端子へ供給し、計測用電圧の供給により駆動用トランジスタに流れた電流によって駆動用トランジスタのソース端子に接続された容量性負荷を充電したときの駆動用トランジスタのソース端子の電圧の変化量を取得し、変化量に基づいて駆動用トランジスタの駆動電流の電流値を取得し、計測用電圧と電流値とに基づいて駆動用トランジスタの閾値電圧に応じた特性値または移動度に応じた特性値を取得し、その取得した特性値と発光素子の発光量に応じた駆動用トランジスタの駆動電圧とに基づくデータ信号をデータ線およびソース接続スイッチを介して駆動用トランジスタのソース端子に出力するともに、上記取得した特性値を特性値記憶部に記憶し、上記一部の画素回路行以外の非選択画素回路行については、特性値記憶部に前回の選択時に記憶された特性値と発光素子の発光量に応じた駆動用トランジスタの駆動電圧とに基づくデータ信号を非選択画素回路行の駆動用トランジスタのソース端子に出力することを特徴とする。

本発明の第１の表示装置は、発光素子、発光素子のアノード端子にソース端子が接続され、発光素子に駆動電流を流す駆動用トランジスタ、駆動用トランジスタのゲート端子とソース端子との間に接続された容量素子、駆動用トランジスタのゲート端子と所定の電圧を供給する電圧源との間に接続されたゲート接続スイッチ、および駆動用トランジスタのソース端子と所定の信号を供給するデータ線との間に接続されたソース接続スイッチを有する画素回路が多数配列され、画素回路の列毎に設けられたデータ線を有するアクティブマトリクス基板と、予め設定された第１の計測用電圧をデータ線およびソース接続スイッチを介して駆動用トランジスタのソース端子へ供給し、第１の計測用電圧の供給により駆動用トランジスタに流れた電流によって駆動用トランジスタのソース端子に接続された容量性負荷を充電したときの駆動用トランジスタのソース端子の電圧の第１の変化量を取得し、第１の変化量に基づいて駆動用トランジスタの駆動電流の第１の電流値を取得するとともに、予め設定された第２の計測用電圧をデータ線およびソース接続スイッチを介して駆動用トランジスタのソース端子へ供給し、第２の計測用電圧の供給により駆動用トランジスタに流れた電流によって駆動用トランジスタのソース端子に接続された容量性負荷を充電したときの駆動用トランジスタのソース端子の電圧の第２の変化量を取得し、第２の変化量に基づいて駆動用トランジスタの駆動電流の第２の電流値を取得する電流値取得部、第１の計測用電圧と第２の計測用電圧と第１の電流値と第２の電流値とに基づいて駆動用トランジスタの閾値電圧に応じた特性値および移動度に応じた特性値を取得する特性値取得部、および特性値取得部により取得された特性値と発光素子の発光量に応じた駆動用トランジスタの駆動電圧とに基づくデータ信号をデータ線およびソース接続スイッチを介して駆動用トランジスタのソース端子に出力するデータ信号出力部を有するソース駆動回路とを備えたことを特徴とする。

本発明の第２の表示装置は、発光素子、発光素子のアノード端子にソース端子が接続され、発光素子に駆動電流を流す駆動用トランジスタ、駆動用トランジスタのゲート端子とソース端子との間に接続された容量素子、駆動用トランジスタのゲート端子と所定の電圧を供給する電圧源との間に接続されたゲート接続スイッチ、および駆動用トランジスタのソース端子と所定の信号を供給するデータ線との間に接続されたソース接続スイッチを有する画素回路が多数配列され、画素回路の列毎に設けられたデータ線を有するアクティブマトリクス基板と、予め設定された計測用電圧をデータ線およびソース接続スイッチを介して駆動用トランジスタのソース端子へ供給し、計測用電圧の供給により駆動用トランジスタに流れた電流によって駆動用トランジスタのソース端子に接続された容量性負荷を充電したときの駆動用トランジスタのソース端子の電圧の変化量を取得し、変化量に基づいて駆動用トランジスタの駆動電流の電流値を取得する電流値取得部、計測用電圧と電流値とに基づいて駆動用トランジスタの閾値電圧に応じた特性値または移動度に応じた特性値を取得する特性値取得部、および特性値取得部により取得された特性値と発光素子の発光量に応じた駆動用トランジスタの駆動電圧とに基づくデータ信号をデータ線およびソース接続スイッチを介して駆動用トランジスタのソース端子に出力するデータ信号出力部を有するソース駆動回路とを備えたことを特徴とする。

本発明の第３の表示装置は、発光素子、発光素子のアノード端子にソース端子が接続され、発光素子に駆動電流を流す駆動用トランジスタ、駆動用トランジスタのゲート端子とソース端子との間に接続された容量素子、駆動用トランジスタのゲート端子と所定の電圧を供給する電圧源との間に接続されたゲート接続スイッチ、および駆動用トランジスタのソース端子と所定の信号を供給するデータ線との間に接続されたソース接続スイッチを有する画素回路が多数配列され、画素回路の列毎に設けられたデータ線を有するアクティブマトリクス基板と、画素回路の行を順次選択し、その選択した行の画素回路のソース接続スイッチをＯＮする走査駆動部と、予め設定された第１の計測用電圧をデータ線およびソース接続スイッチを介して駆動用トランジスタのソース端子へ供給し、第１の計測用電圧の供給により駆動用トランジスタに流れた電流によって駆動用トランジスタのソース端子に接続された容量性負荷を充電したときの駆動用トランジスタのソース端子の電圧の第１の変化量を取得し、第１の変化量に基づいて駆動用トランジスタの駆動電流の第１の電流値を取得するとともに、予め設定された第２の計測用電圧をデータ線およびソース接続スイッチを介して駆動用トランジスタのソース端子へ供給し、第２の計測用電圧の供給により駆動用トランジスタに流れた電流によって駆動用トランジスタのソース端子に接続された容量性負荷を充電したときの駆動用トランジスタのソース端子の電圧の第２の変化量を取得し、第２の変化量に基づいて駆動用トランジスタの駆動電流の第２の電流値を取得する電流値取得部、第１の計測用電圧と第２の計測用電圧と第１の電流値と第２の電流値とに基づいて駆動用トランジスタの閾値電圧に応じた特性値および移動度に応じた特性値を取得する特性値取得部、および特性値取得部により取得された特性値と発光素子の発光量に応じた駆動用トランジスタの駆動電圧とに基づくデータ信号をデータ線およびソース接続スイッチを介して駆動用トランジスタのソース端子に出力するデータ信号出力部を有するソース駆動部と、全ての画素回路の駆動用トランジスタの特性値を記憶する特性値記憶部と、走査駆動部により１行目から最終行までの画素回路の行の選択を繰り返し行うことによってフレーム毎のデータ信号に基づく画像を表示させる制御部とを備え、電流値取得部が、走査駆動部により選択された行の画素回路のうちの一部の画素回路をフレーム毎に順次切り替えて選択し、その選択した画素回路について第１の電流値と第２の電流値とを取得するものであり、特性値取得部が、電流取得部により選択された画素回路について特性値を取得し、その取得した特性値を特性値記憶部に出力して特性値記憶部に前に記憶された上記選択された画素回路についての特性値を更新するものであり、データ信号出力部が、電流値取得部により選択された選択画素回路については、その選択時に特性値取得部により取得された特性値と発光素子の発光量に応じた駆動用トランジスタの駆動電圧とに基づくデータ信号を選択画素回路の駆動用トランジスタのソース端子に出力し、電流値取得部により選択されなかった非選択画素回路については、特性値記憶部に前回の選択時に記憶された特性値と発光素子の発光量に応じた駆動用トランジスタの駆動電圧とに基づくデータ信号を非選択画素回路の駆動用トランジスタのソース端子に出力するものであることを特徴とする。

本発明の第４の表示装置は、発光素子、発光素子のアノード端子にソース端子が接続され、発光素子に駆動電流を流す駆動用トランジスタ、駆動用トランジスタのゲート端子とソース端子との間に接続された容量素子、駆動用トランジスタのゲート端子と所定の電圧を供給する電圧源との間に接続されたゲート接続スイッチ、および駆動用トランジスタのソース端子と所定の信号を供給するデータ線との間に接続されたソース接続スイッチを有する画素回路が多数配列され、画素回路の列毎に設けられたデータ線を有するアクティブマトリクス基板と、画素回路の行を順次選択し、その選択した行の画素回路のソース接続スイッチをＯＮする走査駆動部と、予め設定された計測用電圧をデータ線およびソース接続スイッチを介して駆動用トランジスタのソース端子へ供給し、計測用電圧の供給により駆動用トランジスタに流れた電流によって駆動用トランジスタのソース端子に接続された容量性負荷を充電したときの駆動用トランジスタのソース端子の電圧の変化量を取得し、変化量に基づいて駆動用トランジスタの駆動電流の電流値を取得する電流値取得部、計測用電圧と電流値とに基づいて駆動用トランジスタの閾値電圧に応じた特性値または移動度に応じた特性値を取得する特性値取得部、および特性値取得部により取得された特性値と発光素子の発光量に応じた駆動用トランジスタの駆動電圧とに基づくデータ信号をデータ線およびソース接続スイッチを介して駆動用トランジスタのソース端子に出力するデータ信号出力部を有するソース駆動部と、全ての画素回路の駆動用トランジスタの特性値を記憶する特性値記憶部と、走査駆動部により１行目から最終行までの画素回路の行の選択を繰り返し行うことによってフレーム毎のデータ信号に基づく画像を表示させる制御部とを備え、電流値取得部が、走査駆動部により選択された行の画素回路のうちの一部の画素回路をフレーム毎に順次切り替えて選択し、その選択した画素回路について電流値を取得するものであり、特性値取得部が、電流取得部により選択された画素回路について特性値を取得し、その取得した特性値を特性値記憶部に出力して特性値記憶部に前に記憶された上記選択された画素回路についての特性値を更新するものであり、データ信号出力部が、電流値取得部により選択された選択画素回路については、その選択時に特性値取得部により取得された特性値と発光素子の発光量に応じた駆動用トランジスタの駆動電圧とに基づくデータ信号を選択画素回路の駆動用トランジスタのソース端子に出力し、電流値取得部により選択されなかった非選択画素回路については、特性値記憶部に前回の選択時に記憶された特性値と発光素子の発光量に応じた駆動用トランジスタの駆動電圧とに基づくデータ信号を非選択画素回路の駆動用トランジスタのソース端子に出力するものであることを特徴とする。

本発明の第５の表示装置は、発光素子、発光素子のアノード端子にソース端子が接続され、発光素子に駆動電流を流す駆動用トランジスタ、駆動用トランジスタのゲート端子とソース端子との間に接続された容量素子、駆動用トランジスタのゲート端子と所定の電圧を供給する電圧源との間に接続されたゲート接続スイッチ、および駆動用トランジスタのソース端子と所定の信号を供給するデータ線との間に接続されたソース接続スイッチを有する画素回路が多数配列され、画素回路の列毎に設けられたデータ線を有するアクティブマトリクス基板と、画素回路の行を順次選択し、その選択した行の画素回路のソース接続スイッチをＯＮする走査駆動部と、予め設定された第１の計測用電圧をデータ線およびソース接続スイッチを介して駆動用トランジスタのソース端子へ供給し、第１の計測用電圧の供給により駆動用トランジスタに流れた電流によって駆動用トランジスタのソース端子に接続された容量性負荷を充電したときの駆動用トランジスタのソース端子の電圧の第１の変化量を取得し、第１の変化量に基づいて駆動用トランジスタの駆動電流の第１の電流値を取得するとともに、予め設定された第２の計測用電圧をデータ線およびソース接続スイッチを介して駆動用トランジスタのソース端子へ供給し、第２の計測用電圧の供給により駆動用トランジスタに流れた電流によって駆動用トランジスタのソース端子に接続された容量性負荷を充電したときの駆動用トランジスタのソース端子の電圧の第２の変化量を取得し、第２の変化量に基づいて駆動用トランジスタの駆動電流の第２の電流値を取得する電流値取得部、第１の計測用電圧と第２の計測用電圧と第１の電流値と第２の電流値とに基づいて駆動用トランジスタの閾値電圧に応じた特性値および移動度に応じた特性値を取得する特性値取得部、および特性値取得部により取得された特性値と発光素子の発光量に応じた駆動用トランジスタの駆動電圧とに基づくデータ信号をデータ線およびソース接続スイッチを介して駆動用トランジスタのソース端子に出力するデータ信号出力部を有するソース駆動部と、全ての画素回路の駆動用トランジスタの特性値を記憶する特性値記憶部と、走査駆動部により１行目から最終行までの画素回路の行の選択を繰り返し行うことによってフレーム毎のデータ信号に基づく画像を表示させる制御部とを備え、電流値取得部が、１行目から最終行までの画素回路の行のうちの一部の画素回路行をフレーム毎に順次切り替えて選択し、その選択した画素回路行について第１の電流値と第２の電流値とを取得するものであり、特性値取得部が、電流取得部により選択された画素回路行について特性値を取得し、その取得した特性値を特性値記憶部に出力して特性値記憶部に前に記憶された上記選択された画素回路行についての特性値を更新するものであり、データ信号出力部が、電流値取得部により選択された選択画素回路行については、その選択時に特性値取得部により取得された特性値と発光素子の発光量に応じた駆動用トランジスタの駆動電圧とに基づくデータ信号を選択画素回路行の駆動用トランジスタのソース端子に出力し、電流値取得部により選択されなかった非選択画素回路行については、特性値記憶部に前回の選択時に記憶された特性値と発光素子の発光量に応じた駆動用トランジスタの駆動電圧とに基づくデータ信号を非選択画素回路行の駆動用トランジスタのソース端子に出力するものであることを特徴とする。

本発明の第６の表示装置は、発光素子、発光素子のアノード端子にソース端子が接続され、発光素子に駆動電流を流す駆動用トランジスタ、駆動用トランジスタのゲート端子とソース端子との間に接続された容量素子、駆動用トランジスタのゲート端子と所定の電圧を供給する電圧源との間に接続されたゲート接続スイッチ、および駆動用トランジスタのソース端子と所定の信号を供給するデータ線との間に接続されたソース接続スイッチを有する画素回路が多数配列され、画素回路の列毎に設けられたデータ線を有するアクティブマトリクス基板と、画素回路の行を順次選択し、その選択した行の画素回路のソース接続スイッチをＯＮする走査駆動部と、予め設定された計測用電圧をデータ線およびソース接続スイッチを介して駆動用トランジスタのソース端子へ供給し、計測用電圧の供給により駆動用トランジスタに流れた電流によって駆動用トランジスタのソース端子に接続された容量性負荷を充電したときの駆動用トランジスタのソース端子の電圧の変化量を取得し、変化量に基づいて駆動用トランジスタの駆動電流の電流値を取得する電流値取得部、計測用電圧と電流値とに基づいて駆動用トランジスタの閾値電圧に応じた特性値または移動度に応じた特性値を取得する特性値取得部、および特性値取得部により取得された特性値と発光素子の発光量に応じた駆動用トランジスタの駆動電圧とに基づくデータ信号をデータ線およびソース接続スイッチを介して駆動用トランジスタのソース端子に出力するデータ信号出力部を有するソース駆動部と、全ての画素回路の駆動用トランジスタの特性値を記憶する特性値記憶部と、走査駆動部により１行目から最終行までの画素回路の行の選択を繰り返し行うことによってフレーム毎のデータ信号に基づく画像を表示させる制御部とを備え、電流値取得部が、１行目から最終行までの画素回路の行のうちの一部の画素回路行をフレーム毎に順次切り替えて選択し、その選択した画素回路行について電流値を取得するものであり、特性値取得部が、電流取得部により選択された画素回路行について特性値を取得し、その取得した特性値を特性値記憶部に出力して特性値記憶部に前に記憶された上記選択された画素回路行についての特性値を更新するものであり、データ信号出力部が、電流値取得部により選択された選択画素回路行については、その選択時に特性値取得部により取得された特性値と発光素子の発光量に応じた駆動用トランジスタの駆動電圧とに基づくデータ信号を選択画素回路行の駆動用トランジスタのソース端子に出力し、電流値取得部により選択されなかった非選択画素回路行については、特性値記憶部に前回の選択時に記憶された特性値と発光素子の発光量に応じた駆動用トランジスタの駆動電圧とに基づくデータ信号を非選択画素回路行の駆動用トランジスタのソース端子に出力するものであることを特徴とする。

また、上記本発明の第１から第６の表示装置においては、駆動用トランジスタに出力されるデータ信号に応じた大きさの逆バイアス電圧を駆動用トランジスタのゲート端子に供給する逆バイアス電圧出力部をさらに設けることができる。

また、駆動用トランジスタを、閾値電圧が負電圧の電流特性を有する薄膜トランジスタにより構成することができる。

また、駆動用トランジスタを、ＩＧＺＯ（ＩｎＧａＺｎＯ）からなる薄膜トランジスタにより構成することができる。

また、上記本発明の第３および第４の表示装置においては、電流値取得部により選択される一部の画素回路を、１つの表示画素に属する赤の発光素子を有する画素回路と緑の発光素子を有する画素回路と青の発光素子を有する画素回路とすることができる。

また、上記本発明の第１から第６の表示装置においては、発光素子のカソード端子に、逆バイアス電圧印加期間と逆バイアス電圧印加期間以外の期間とで異なる電圧を供給する共通電極線を接続することができる。

ここで、上記「駆動用トランジスタのソース端子に接続された容量性負荷」としては、たとえば、発光素子の寄生容量、布線容量、ソース接続スイッチのゲート容量、または発光素子に並列に接続された補助容量などがある。

本発明の第１から第６表示装置およびその駆動制御方法によれば、駆動用トランジスタのゲート端子に所定の電圧を供給するとともに、駆動用トランジスタのソース端子に計測用電圧を供給し、ソース端子の設定電圧の変化によって駆動用トランジスタに流れる電流値を取得するようにしたので、従来の微小電流を直接計測する方法と比較して簡単で安価な回路構成とすることができ、かつ短時間で高精度な計測をすることができる。

したがって、通常の表示データ更新サイクル期間に駆動用トランジスタの特性値の取得動作を挿入することが可能となり、表示動作と並行して特性値の取得動作および補正動作を行うことができる。

また、本発明の第３および第４の表示装置およびその駆動制御方法によれば、走査駆動部により選択された行の画素回路のうちの一部の画素回路をフレーム毎に順次切り替えて選択し、その選択した選択画素回路について特性値を取得するようにしたので、画素回路列毎に特性値取得部を設ける必要がなく、省スペースおよびコストダウンを図ることができる。

また、本発明の第５および第６の表示装置およびその駆動制御方法によれば、１行目から最終行まで画素回路行のうちの一部の画素回路行をフレーム毎に順次切り替えて選択し、その選択した選択画素回路行について特性値を取得するようにしたので、たとえば、高精細パネルなど全画素回路行の走査時間が短い場合においても、一部の画素回路行については特性値を取得する時間を確保することができ、特性値を取得する画素回路行をフレーム毎に切り替えることによって全ての画素回路行についての特性値を取得することができる。

また、本発明の第１から第６の表示装置において、駆動用トランジスタに出力されるデータ信号に応じた大きさの逆バイアス電圧を駆動用トランジスタのゲート端子に供給する逆バイアス電圧出力部をさらに設けるようにした場合には、駆動用トランジスタの電圧ストレスによる閾値電圧のシフトを適切に抑制することができる。

また、上記のように駆動用トランジスタに逆バイアス電圧を供給するようにした場合、逆バイアス電圧として設定可能な最大の電圧は電源電圧であるため、高輝度表示の場合には逆バイアス電圧不足を生じてしまうおそれがある。

そこで、駆動用トランジスタを、閾値電圧が負電圧の電流特性を有する薄膜トランジスタにより構成するようにした場合には、表示動作でのＶｇｓとして正と負の両極性の電圧が印加されるため、逆バイアス電圧も正と負の両極性を持つこととなり、逆バイアス電圧の限界値による逆バイアス不足を低減することができる。

また、発光素子のカソード端子に、逆バイアス電圧印加期間と逆バイアス電圧印加期間以外の期間とで異なる電圧を供給する共通電極線を接続するようにした場合には、逆バイアス電圧の印加による発光素子の誤発光を防止することができる。

また、駆動用トランジスタを、ＩＧＺＯ（ＩｎＧａＺｎＯ）からなる薄膜トランジスタにより構成するようにした場合には、ＩＧＺＯからなる薄膜トランジスタの可逆性閾値電圧シフト特性を利用することができる。すなわち、ＩＧＺＯからなる薄膜トランジスタもゲート電圧印加による電圧ストレスによってその閾値電圧がシフトするが、アモルファスシリコンの薄膜トランジスタと異なりゼロバイアスを与えることで初期値に復帰する。この特性を利用することにより、たとえば、真っ黒の画面を表示している期間や電源オフ時などの非表示期間に閾値電圧を初期値に戻すことができるので、閾値電圧のシフトを抑制することができる。

以下、図面を参照して本発明の表示装置の第１の実施形態を適用した有機ＥＬ表示装置について説明する。図１は、本発明の第１の実施形態を適用した有機ＥＬ表示装置の概略構成図である。

本発明の第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置は、図１に示すように、ソース駆動回路１２から出力されたデータ信号に応じた電荷を保持するとともに、その保持した電荷量に応じた駆動電流を有機ＥＬ発光素子に流す画素回路１１が２次元状に多数配列されたアクティブマトリクス基板１０と、アクティブマトリクス基板１０の各画素回路１１にデータ信号を出力するソース駆動回路１２と、アクティブマトリクス基板１０の各画素回路１１に走査信号を出力する走査駆動回路１３と、ソース駆動回路１２に画像データに応じた表示データと同期信号に基づくタイミング信号を出力するとともに、走査駆動回路１３に同期信号に基づくタイミング信号を出力する制御部１６とを備えている。

そして、アクティブマトリクス基板１０は、ソース駆動回路１２から出力されたデータ信号を各画素回路列に供給する多数のデータ線１４と、走査駆動回路１３から出力された走査信号を各画素回路行に供給する多数の走査線１５とを備えている。データ線１４と走査線１５とは直交して格子状に設けられている。そして、データ線１４と走査線１５との交差点近傍に画素回路１１が設けられている。

各画素回路１１は、図２に示すように、有機ＥＬ発光素子１１ａと、有機ＥＬ発光素子１１ａのアノード端子にソース端子Ｓが接続され、有機ＥＬ発光素子１１ａに後述する駆動電流および検出電流を流す駆動用トランジスタ１１ｂと、駆動用トランジスタ１１ｂのゲート端子Ｇとソース端子Ｓとの間に接続された容量素子１１ｃと、容量素子１１ｃの一端および駆動用トランジスタ１１ｂのゲート端子Ｇとデータ線１４との間に接続された選択用トランジスタ１１ｄと、駆動用トランジスタ１１ｂのソース端子Ｓとデータ線１４との間に接続された計測用トランジスタ１１ｅとを備えている。

有機ＥＬ発光素子１１ａは、駆動用トランジスタ１１ｂにより流された駆動電流により発光する発光部５０と、発光部５０の寄生容量５１とを有している。そして、有機ＥＬ発光素子１１ａのカソード端子は接地電位に接続されている。

駆動用トランジスタ１１ｂ、選択用トランジスタ１１ｄおよび計測用トランジスタ１１ｅは、Ｎ型の薄膜トランジスタから構成されている。そして、駆動用トランジスタ１１ｂの薄膜トランジスタの種類としては、アモルファスシリコンの薄膜トランジスタや無機酸化膜の薄膜トランジスタを用いることができる。無機酸化膜薄膜トランジスタとしては、たとえば、ＩＧＺＯ（ＩｎＧａＺｎＯ）を材料とする無機酸化膜からなる薄膜トランジスタを利用することができるが、ＩＧＺＯに限らず、その他ＩＺＯ（ＩｎＺｎＯ）なども用いることができる。

また、図２に示すように、駆動用トランジスタ１１ｂのドレイン端子Ｄは所定の固定電圧Ｖｄｄが供給されている。また、選択用トランジスタ１１ｄの駆動用トランジスタ１１ｂのゲート端子Ｇに接続されていない方の端子には固定電圧ＶＢが供給されている。固定電圧ＶＢの大きさについては後で詳述する。

走査駆動回路１３は、制御部１６から出力されたタイミング信号に基づいて、画素回路１１の選択用トランジスタ１１ｄおよび計測用トランジスタ１１ｅをＯＮするためのオン走査信号Ｖｓｃａｎ（ｏｎ）とＯＦＦするためのオフ走査信号Ｖｓｃａｎ（ｏｆｆ）とを各走査線１５に順次出力するものである。

図３にソース駆動回路１２の詳細な構成図を示す。なお、ソース駆動回路１２は、図３に示す回路を多数備えたものであり、図３に示す回路はアクティブマトリクス基板１０の各データ線１４に接続されるものである。

ソース駆動回路１２は、図３に示すように、固定電圧源１２ａと、Ｄ／Ａコンバータ１２ｂと、第１の差動増幅器１２ｃと、サンプルホールド回路１２ｄと、第２の差動増幅器１２ｅと、Ａ／Ｄコンバータ１２ｆと、演算部１２ｇと、スイッチ素子１２ｈとを備えている。

固定電圧源１２ａは、第１の差動増幅器１２ｃの非反転入力端子に固定電圧ＶＢを供給するものである。なお、この固定電圧ＶＢと上述した駆動用トランジスタ１１ｂのゲート端子Ｇに供給される固定電圧ＶＢとは同じ電圧値である。これらは同一の電圧源から供給するようにしてもよいし、異なる電圧源から供給するようにしてもよい。

Ｄ／Ａコンバータ１２ｂは、後述する第１および第２の計測用ゲート−ソース間電圧をアナログ信号に変換し、そのアナログ信号の第１および第２の計測用ゲート−ソース間電圧を第１の差動増幅器１２ｃの反転入力端子に供給するものである。

第１の差動増幅器１２ｃは、Ｄ／Ａコンバータ１２ｂから出力された第１および第２の計測用ゲート−ソース間電圧と固定電圧ＶＢとの差分に基づいて第１および第２の計測用ソース電圧を算出して出力するとともに、後述するＤ／Ａコンバータ１２ｂから出力された表示用ゲート−ソース間電圧と固定電圧ＶＢとの差分に基づいて表示用ソース電圧を算出して出力するものである。

サンプルホールド回路１２ｄは、ハイインピーダンス入力であって、第１および第２の計測用ソース電圧を保持するものである。

第２の差動増幅器１２ｅは、サンプルホールド回路１２ｄに保持された第１および第２の計測用ソース電圧と、第１および第２の計測用ソース電圧を駆動用トランジスタ１１ｂのソース端子に供給していない時の駆動用トランジスタ１１ｂのソース端子Ｓの電圧との差分電圧を算出するものである。

Ａ／Ｄコンバータ１２ｆは、第２の差動増幅器１２ｅから出力された差分電圧をデジタル信号に変換するものである。

スイッチ素子１２ｈは、第１の差動増幅器１２ｃとデータ線１４との接続を切り替えるものであり、たとえば、薄膜トランジスタから構成することができる。

演算部１２ｇは、第２の差動増幅器１２ｅから出力された差分電圧に基づいて駆動用トランジスタ１１ｂの特性値を算出し、その特性値と制御部１６から出力された表示データとに基づいて駆動用トランジスタ１１ｂに供給される表示用ゲート−ソース間電圧を算出し、その表示用ゲート−ソース間電圧をＤ／Ａコンバータ１２ｂに出力するものである。

図４に演算部１２ｇの詳細な構成図を示す。演算部１２ｇは、第１〜第５のレジスター部２０ａ〜２０ｅと、ΔＶＧＳ算出部２０ｆと、ＭＵ算出部２０ｇと、ΔＶＳ／ＩＤ変換部２０ｈと、Δ√ＩＤ算出部２０ｉと、ＶＴＨ算出部２０ｊと、ＶＧＳ算出部２０ｋと、入出力部２０ｌとを備えている。

第１レジスター部２０ａ、第２レジスター部２０ｂは第１の計測用ゲート−ソース間電圧と第２の計測用ゲート−ソース間電圧とがそれぞれ予め設定されるものである。

ΔＶＳ／ＩＤ変換部２０ｈは、Ａ／Ｄコンバータ１２ｆから出力された差分電圧を電流値に変換するものである。その変換方法については後述する。

第５レジスター部２０ｅは、ΔＶＳ／ＩＤ変換部２０ｈにおいて差分電圧を電流値に変換する際に用いられる変換係数が予め設定されるものである。

第３レジスター部２０ｃと第４レジスター部２０ｄは、ΔＶＳ／ＩＤ変換部２０ｈにおいて変換された第１の電流値と第２の電流値とをそれぞれ保持するものである。

Δ√ＩＤ算出部２０ｉは、第３レジスター部２０ｃに保持された第１の電流値と第４レジスター部２０ｄに保持された第２の電流値とに基づいて電流変化量を算出するものである。

ΔＶＧＳ算出部２０ｆは、第１レジスター部２０ａに設定された第１の計測用ゲート−ソース間電圧と第２レジスター部２０ｂに設定された第２の計測用ゲート−ソース間電圧との差分である差分ゲート−ソース間電圧を算出するものである。

ＭＵ算出部２０ｇは、Δ√ＩＤ算出部２０ｉにおいて算出された電流変化量と、ΔＶＧＳ算出部２０ｆにおいて算出された差分ゲート−ソース間電圧とに基づいて、駆動用トランジスタ１１ｂの移動度に応じた特性値を算出するものである。

ＶＴＨ算出部２０ｊは、Δ√ＩＤ算出部２０ｉにおいて算出された電流変化量と、ΔＶＧＳ算出部２０ｆにおいて算出された差分ゲート−ソース間電圧とに基づいて、駆動用トランジスタ１１ｂの閾値電圧に応じた特性値を算出するものである。

ＶＧＳ算出部２０ｋは、制御部１６から出力された表示データとＭＵ算出部２０ｇにおいて算出された移動度に応じた特性値とＶＴＨ算出部２０ｊにおいて算出された閾値電圧に応じた特性値とに基づいて表示用ゲート−ソース間電圧を算出するものである。

入出力部２０ｌは、演算部１２ｇとＡ／Ｄコンバータ１２ｆとの間のデータの入出力を行うものである。

次に、第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置の動作について、図５に示すタイミングチャートおよび図６から図８を参照しながら説明する。なお、図５には、走査駆動回路１３から出力される走査信号Ｖｓｃａｎ、ソース駆動回路１２から出力されるデータ信号Ｖｄａｔａ、駆動用トランジスタ１１ｂのゲート電圧Ｖｇ、ソース電圧Ｖｓおよびゲート−ソース間電圧Ｖｇｓの電圧波形が示されている。

本実施形態の有機ＥＬ表示装置においては、アクティブマトリクス基板１０の各走査線１５に接続された画素回路行が順次選択され、１行単位でその選択期間内に所定の動作が行なわれる。ここでは、選択された所定の画素回路行において選択期間内に行なわれる動作について説明する。

まず、走査駆動回路１３により所定の画素回路行が選択され、その画素回路行が接続された走査線１５に、図５に示すようなオン走査信号が出力される（図５における時刻ｔ１）。

そして、図６に示すように、走査駆動回路１３から出力されたオン走査信号に応じて選択用トランジスタ１１ｄおよび計測用トランジスタ１１ｅがＯＮし、駆動用トランジスタ１１ｂのゲート端子Ｇと固定電圧ＶＢを供給する電圧源とが接続されるとともに、駆動用トランジスタ１１ｂのソース端子Ｓ、容量素子１１ｃの一端および有機ＥＬ発光素子１１ａのアノード端子とデータ線１４とが接続される。

そして、まず第１の計測用ソース電圧設定動作が行なわれる（図５のｔ１〜ｔ２、図６参照）。具体的には、ソース駆動回路１２の演算部１２ｇの第１レジスター部２０ａに予め設定された第１の計測用ゲート−ソース間電圧Ｖｇｓ１がＤ／Ａコンバータ１２ｂに出力され、Ｄ／Ａコンバータ１２ｂによりアナログ信号に変換された後、第１の差動増幅器１２ｃに入力される。一方、固定電圧源１２ａから出力された固定電圧ＶＢも第１の差動増幅器１２ｃに入力される。そして、第１の差動増幅器１２ｃにおいて固定電圧ＶＢ（駆動用トランジスタ１１ｂのゲート電圧Ｖｇと同じ電圧）から第１の計測用ゲート−ソース間電圧Ｖｇｓ１が減算され、第１の計測用ソース電圧Ｖｓ１が算出される。

そして、制御部１６からのタイミング信号に応じてスイッチ素子１２ｈがＯＮし、第１の計測用ソース電圧Ｖｓ１がデータ信号としてデータ線１４に出力される。

そして、上記のような動作により画素回路１１の駆動用トランジスタ１１ｂのゲート電圧Ｖｇ＝ＶＢ、ソース電圧Ｖｓ＝Ｖｓ１、ゲート−ソース間電圧Ｖｇｓ＝Ｖｓｇ１に設定される。

ここで、駆動用トランジスタ１１ｂの閾値電圧をＶｔｈとすると、Ｖｇｓ１＞Ｖｔｈであれば駆動用トランジスタ１１ｂには何らかの電流Ｉｄ１が流れる状態である。さらに、有機ＥＬ発光素子１１ａの発光閾値電圧をＶｆ０とすると、下式の条件を満たすように固定電圧ＶＢを設定することによって、有機ＥＬ発光素子１１ａを発光させることなく、図６に示すように、駆動用トランジスタ１１ｂに流れる電流Ｉｄ１をデータ線１４を介してソース駆動回路１２に引き込むことができる。このとき容量素子１１ｃと有機ＥＬ発光素子１１ａの寄生容量５１に残った電荷が掃き出されてリセットされる。

Ｖｓ１＝ＶＢ−Ｖｇｓ１＜Ｖｆ０
ＶＢ＜Ｖｆ０＋Ｖｇｓ１
ＶＢ＝０とし、Ｖｓ＜０とすれば確実に有機ＥＬ発光素子１１ａを発光させないようにすることができるが、プログラム動作完了後の発光移行時間が長くなってしまうため、ＶＢはＶｆ０に近い電圧とすることが好ましい。

また、このときの駆動用トランジスタ１１ｂのソース端子Ｓの電圧Ｖｓ１はデータ線１４を介してソース駆動回路１２のサンプルホールド回路１２ｄに入力されて保持される。

次に、第１の電流値検出動作が行なわれる（図５のｔ２〜ｔ３、図７参照）。具体的には、まず、制御部１６からのタイミング信号に応じてソース駆動回路１２のスイッチ素子１２ｈがＯＦＦし、第１の差動増幅器１２ｃとデータ線１４とが切り離され、データ線１４はハイインピーダンスな状態となる。

そして、上述した第１の計測用ソース電圧設定動作によって駆動用トランジスタ１１ｂに流れていた電流Ｉｄ１は、データ線１４がハイインピーダンスになることによって、図７に示すように有機ＥＬ発光素子１１ａの寄生容量５１に流れ出す。この電流により寄生容量５１が充電され、図５に示すように、駆動用トランジスタ１１ｂのソース電圧ＶｓはＶｓ１から次第に上昇していく。

そして、上記のようにして上昇するソース電圧Ｖｓはデータ線１４を介してソース駆動回路１２の第２の差動増幅器１２ｅに入力される。そして、第２の差動増幅器１２ｅは、サンプルホールド回路１２ｄに保持された第１の計測用ソース電圧Ｖｓ１と、上昇したソース電圧Ｖｓとの差分電圧ΔＶｓ１を算出し、その差分電圧ΔＶｓ１をＡ／Ｄコンバータ１２ｆに出力する。駆動用トランジスタ１１ｂのソース電圧Ｖｓが上昇し始めてから予め設定された時間（ｔ２〜ｔ３）が経過した時点において、Ａ／Ｄコンバータ１２ｆは入力された差分電圧ΔＶｓ１をデジタル信号に変換し、差分データＤＶＳ１を取得する。

ここで、第２の差動増幅器１２ｅのゲインをＫｓ、Ａ／Ｄコンバータ１２ｆの分解能をＫａとすると差分電圧ΔＶｓ１は下式を満たす値となる。

ＤＶＳ１＝Ｋｓ×ΔＶｓ１／Ｋａ
そして、Ａ／Ｄコンバータ１２ｆから出力された差分データＤＶＳ１は、演算部１２ｇのΔＶＳ／ＩＤ変換部２０ｈに入力される。そして、ΔＶＳ／ＩＤ変換部２０ｈは、入力されたＤＶＳ１を第１の電流値Ｉｄ１に変換する。具体的には、有機ＥＬ発光素子１１ａの寄生容量５１の容量値をＣｄ、寄生容量５１の充電時間をＴｃとすると、第１の電流値Ｉｄ１は下式を算出することによって求められる。

Ｉｄ１＝Ｃｄ×ΔＶｓ１×Ｔｃ＝Ｃｄ×Ｔｃ×Ｋａ×ＤＶＳ1／Ｋｓ
ここで、上式におけるＣｄ×Ｔｃ×Ｋａ／Ｋｓは変換係数として第５レジスター部２０ｅに予め設定されており、ΔＶＳ／ＩＤ変換部２０ｈは、入力されたＤＶＳ１に対し、第５レジスター部２０ｅに設定された変換係数を乗算することによって第１の電流値Ｉｄ１を算出する。

そして、ΔＶＳ／ＩＤ変換部２０ｈにおいて算出された第１の電流値Ｉｄ１は第３レジスター部２０ｃに出力されて保持される。

なお、上記充電期間Ｔｃは、第１の電流値Ｉｄ１と寄生容量５１の容量値ＣｄとＡ／Ｄコンバータ１２ｆの入力電圧範囲に基づいて適切に選択する必要がある。

また、第５レジスター部２０ｅに設定される変換係数には、寄生容量５１の容量値Ｃｄも含まれているため、各画素回路列毎の寄生容量５１の偏差もここで補正される。

次に、第２の計測用ソース電圧設定動作が行なわれる（図５のｔ３〜ｔ４、図６参照）。具体的には、ソース駆動回路１２の演算部１２ｇの第２レジスター部２０ｂに予め設定された第２の計測用ゲート−ソース間電圧Ｖｇｓ２がＤ／Ａコンバータ１２ｂに出力され、Ｄ／Ａコンバータ１２ｂによりアナログ信号に変換された後、第１の差動増幅器１２ｃに入力される。一方、固定電圧源１２ａから出力された固定電圧ＶＢも第１の差動増幅器１２ｃに入力される。そして、第１の差動増幅器１２ｃにおいて固定電圧ＶＢ（駆動用トランジスタ１１ｂのゲート電圧Ｖｇと同じ電圧）から第２の計測用ゲート−ソース間電圧Ｖｇｓ２が減算され、第２の計測用ソース電圧Ｖｓ２が算出される。

そして、制御部１６からのタイミング信号に応じてスイッチ素子１２ｈがＯＮし、第２の計測用ソース電圧Ｖｓ２がデータ信号としてデータ線１４に出力される。

そして、上記のような動作により画素回路１１の駆動用トランジスタ１１ｂのゲート電圧Ｖｇ＝ＶＢ、ソース電圧Ｖｓ＝Ｖｓ２、ゲート−ソース間電圧Ｖｇｓ＝Ｖｓｇ２に設定される。

ここで、駆動用トランジスタ１１ｂの閾値電圧をＶｔｈとすると、Ｖｇｓ２＞Ｖｔｈであれば駆動用トランジスタ１１ｂには何らかの電流Ｉｄ２が流れる状態である。また、第１の計測用ソース電圧設定動作において説明したのと同様に、固定電圧ＶＢは下式を満たす大きさとする必要がある。

ＶＢ＜Ｖｆ０＋Ｖｇｓ２
そして、このときの駆動用トランジスタ１１ｂのソース端子Ｓの電圧Ｖｓ２はデータ線１４を介してソース駆動回路１２のサンプルホールド回路１２ｄに入力されて保持される。

なお、上述したＶｇｓ１とＶｇｓ２は、後述する特性値の精度を確保するためには低電流域を避けることが重要であり、駆動用トランジスタ１１ｂの最大駆動電流と平均駆動電流に相当するＶｇｓをＶｇｓ１、Ｖｇｓ２とすることが好ましいが、Ｖｇｓ１とＶｇｓ２の大小関係は特に問わない。

次に、第２の電流値検出動作が行なわれる（図５のｔ４〜ｔ５、図７参照）。具体的には、まず、制御部１６からのタイミング信号に応じてソース駆動回路１２のスイッチ素子１２ｈがＯＦＦし、第１の差動増幅器１２ｃとデータ線１４とが切り離され、データ線１４はハイインピーダンスな状態となる。

そして、上述した第２の計測用ソース電圧設定動作によって駆動用トランジスタ１１ｂに流れていた電流Ｉｄ２は、データ線１４がハイインピーダンスになることによって、図７に示すように有機ＥＬ発光素子１１ａの寄生容量５１に流れ出す。この電流により寄生容量５１が充電され、図５に示すように、駆動用トランジスタ１１ｂのソース電圧ＶｓはＶｓ２から次第に上昇していく。

そして、上記のようにして上昇するソース電圧Ｖｓはデータ線１４を介してソース駆動回路１２の第２の差動増幅器１２ｅに入力される。そして、第２の差動増幅器１２ｅは、サンプルホールド回路１２ｄに保持された第２の計測用ソース電圧Ｖｓ２と、上昇したソース電圧Ｖｓとの差分電圧ΔＶｓ２を算出し、その差分電圧ΔＶｓ２をＡ／Ｄコンバータ１２ｆに出力する。駆動用トランジスタ１１ｂのソース電圧Ｖｓが上昇し始めてから予め設定された時間（ｔ４〜ｔ５）が経過した時点において、Ａ／Ｄコンバータ１２ｆは入力された差分電圧ΔＶｓ２をデジタル信号に変換し、差分データＤＶＳ２を取得する。

そして、Ａ／Ｄコンバータ１２ｆから出力された差分データＤＶＳ２は、演算部１２ｇのΔＶＳ／ＩＤ変換部２０ｈに入力される。そして、ΔＶＳ／ＩＤ変換部２０ｈは、入力されたＤＶＳ２を第１の電流値Ｉｄ２に変換する。具体的には、上述した第１の電流値検出動作と同様に、第５レジスター部２０ｅに設定された変換係数を用いて、下式を算出することによって求められる。

Ｉｄ２＝Ｃｄ×Ｔｃ×Ｋａ×ＤＶＳ２／Ｋｓ
そして、ΔＶＳ／ＩＤ変換部２０ｈにおいて算出された第２の電流値Ｉｄ２は第４レジスター部２０ｄに出力されて保持される。

そして、次に特性値算出動作が行われる（図５のｔ５〜ｔ６）。具体的には、第１レジスター部２０ａに設定された第１の計測用ゲート−ソース間電圧Ｖｇｓ１、第２レジスター部２０ｂに設定された第２の計測用ゲート−ソース間電圧Ｖｇｓ２、第３レジスター部２０ｃに設定された第１の電流値Ｉｄ１、および第４のレジスター部２０ｄに設定された第２の電流値Ｉｄ２を用いて、駆動用トランジスタ１１ｂの閾値電圧に応じた特性値ＶＴＨと移動度に応じた特性値ＭＵが算出される。

まず、第１レジスター部２０ａに設定されたＶｇｓ１と第２レジスター部２０ｂに設定されたＶｇｓ２とがΔＶＧＳ算出部２０ｆに出力される。そして、ΔＶＧＳ算出部２０ｆは、Ｖｇｓ１からＶｇｓ２を減算して差分ゲート−ソース間電圧ΔＶＧＳを算出する。

一方、第３レジスター部２０ｃに設定されたＩｄ１と第４レジスター部２０ｄに設定されたＩｄ２とがΔ√ＩＤ算出部２０ｉに出力される。そして、Δ√ＩＤ算出部２０ｉは、下式を算出することによって電流変化量Δ√ＩＤを算出する。

Δ√ＩＤ＝√Ｉｄ１−√Ｉｄ２
そして、ΔＶＧＳ算出部２０ｆにおいて算出されたΔＶＧＳとΔ√ＩＤ算出部２０ｉにおいて算出されたΔ√ＩＤとがＭＵ算出部２０ｇに入力され、ＭＵ算出部２０ｇは、下式を算出することによって移動度に応じた特性値ＭＵを取得する。

ＭＵ＝（Δ√ＩＤ）^２／（ΔＶＧＳ）^２
また、ΔＶＧＳと、Δ√ＩＤと、第１レジスター部２０ａに設定されたＶｇｓ１と、第３レジスター部２０ｃに設定されたＩｄ１がＶＴＨ算出部２０ｊに入力され、ＶＴＨ算出部２０ｊは下式を算出することによって閾値電圧に応じた特性値ＶＴＨを算出する。

ＶＴＨ＝−ｂ／ａ
ａ＝Δ√ＩＤ／ΔＶＧＳ
ｂ＝√Ｉｄ１−ａ×Ｖｇｓ1
ここで、移動度に応じた特性値ＭＵと閾値電圧に応じた特性値ＶＴＨを算出する上式の求め方を以下に説明する。

まず、飽和領域の薄膜トランジスタの電流式より、
Ｉｄ＝（１／２）×μ×Ｃｏｘ×（Ｗ／Ｌ）×（Ｖｇｓ−Ｖｔｈ）^２
ただし、μは電子移動度、Ｃｏｘは単位面積あたりのゲート酸化膜容量、Ｗはゲート幅、Ｌはゲート長
この式より、
（Ｖｇｓ−Ｖｔｈ）^２＝Ｉｄ／[（１／２）×μ×Ｃｏｘ×（Ｗ／Ｌ）]
（Ｖｇｓ−Ｖｔｈ）＝√Ｉｄ／√[（１／２）×μ×Ｃｏｘ×（Ｗ／Ｌ）]
Ｖｇｓ＝√Ｉｄ／√[（１／２）×μ×Ｃｏｘ×（Ｗ／Ｌ）]＋Ｖｔｈ
２点のＶｇｓとＩｄの値より、
Ｖｇｓ１＝√Ｉｄ１／√[（１／２）×μ×Ｃｏｘ×（Ｗ／Ｌ）]＋Ｖｔｈ
Ｖｇｓ２＝√Ｉｄ２／√[（１／２）×μ×Ｃｏｘ×（Ｗ／Ｌ）]＋Ｖｔｈ
（Ｖｇｓ１−Ｖｇｓ２）＝[√Ｉｄ１−√Ｉｄ２]／√[（１／２）×μ×Ｃｏｘ×（Ｗ／Ｌ）]
√[（１／２）×μ×Ｃｏｘ×（Ｗ／Ｌ）]＝[√Ｉｄ１−√Ｉｄ２]／（Ｖｇｓ１−Ｖｇｓ２）
（１／２）×μ×Ｃｏｘ×（Ｗ／Ｌ）＝[√Ｉｄ１−√Ｉｄ２]^２／（Ｖｇｓ１−Ｖｇｓ２）^２
（１／２）×μ×Ｃｏｘ×（Ｗ／Ｌ）＝[ΔＩｄ]^２／（ΔＶＧＳ）^２
ここで、補正に必要な駆動用トランジスタのゲイン特性は移動度μではなく、移動度に応じた特性値ＭＵ＝（１／２）×μ×Ｃｏｘ×（Ｗ／Ｌ）である。したがって、
ＭＵ＝（１／２）×μ×Ｃｏｘ×（Ｗ／Ｌ）＝[ΔＩｄ]^２／（ΔＶＧＳ）^２
となる。

また、閾値電圧に応じた特性値ＶＴＨは、√Ｉｄ−Ｖｇｓ曲線のＸ軸接辺であるため、
ａ＝Δ√Ｉｄ／ΔＶｇｓ
ｂ＝√Ｉｄ１−ａ×Ｖｇｓ1
ＶＴＨ＝−ｂ／ａ
として求まる。

なお、上述した特性値算出動作の間（図５のｔ５〜ｔ６）は、駆動用トランジスタ１１ｂのソース電圧Ｖｓは、第２の電流値検出動作の時の状態と同じ状態でも動作上支障はないが、有機ＥＬ発光素子１１ａの誤発光動作を防止するためには、ソース駆動回路１２のスイッチ素子１２ｈをＯＮし、ソース電圧ＶｓをＶｓ２などに固定することが好ましい。

そして、次に表示用ゲート−ソース間電圧設定動作が行なわれる（図５のｔ５〜ｔ６）。具体的には、制御部１６から出力された表示データと、ＭＵ算出部２０ｇにおいて算出された特性値ＭＵと、ＶＴＨ算出部２０ｊにおいて算出された特性値ＶＴＨがＶＧＳ算出部２０ｋに入力される。そして、ＶＧＳ算出部２０ｋにおいて、下式に基づいて表示用ゲート−ソース間電圧Ｖｇｓｎが算出される。なお、Ｉｄｎは表示データである。

Ｉｄｎ＝ＭＵ×（Ｖｇｓｎ−ＶＴＨ）^２
（Ｖｇｓｎ−ＶＴＨ）^２＝Ｉｄｎ／ＭＵ
Ｖｇｓｎ−ＶＴＨ＝√（Ｉｄｎ／ＭＵ）
Ｖｇｓｎ＝√（Ｉｄｎ／ＭＵ）＋ＶＴＨ
そして、ＶＧＳ算出部２０ｋにおいて算出されたＶｇｓｎはＤ／Ａコンバータ１２ｂに入力され、アナログ信号に変換された後、第１の差動増幅器１２ｃの反転入力端子に入力される。そして、第１の差動増幅器１２ｃにおいて、固定電圧ＶＢが加算されてＶｓｎに変換される。そして、スイッチ素子１２ｈがＯＮし、Ｖｓｎがデータ線１４に出力される。

上記のような動作により駆動用トランジスタ１１ｂには、ゲート電圧Ｖｇ＝ＶＢ、ソース電圧Ｖｓ＝Ｖｓｎ、Ｖｇｓ＝Ｖｇｓｎが設定される。

そして、次に発光動作が行なわれる（図５のｔ７以降、図８参照）。具体的には、走査駆動回路１３から各走査線１５にオフ走査信号が出力される（図５における時刻ｔ７）。そして、図８に示すように、走査駆動回路１３から出力されたオフ走査信号に応じて選択用トランジスタ１１ｄおよび計測用トランジスタ１１ｅがＯＦＦし、駆動用トランジスタ１１ｂのゲート端子Ｇと固定電圧ＶＢを供給する電圧源とが切り離されるとともに、駆動用トランジスタ１１ｂのソース端子Ｓ、容量素子１１ｃの一端および有機ＥＬ発光素子１１ａのアノード端子とデータ線１４とが切り離される。

そして、駆動用トランジスタ１１ｂのゲート−ソース間電圧ＶｇｓがＶｇｓｎとなり、駆動用トランジスタ１１ｂのドレイン−ソース間には、下式のＴＦＴ電流式に従った駆動電流Ｉｄｎが流れる。

Ｉｄｎ＝μ×Ｃｏｘ×（Ｗ／Ｌ）×（Ｖｇｓｎ−Ｖｔｈ）^２
ただし、μは電子移動度、Ｃｏｘは単位面積あたりのゲート酸化膜容量、Ｗはゲート幅、Ｌはゲート長である。

この駆動電流Ｉｄｎにより有機ＥＬ発光素子１１ａの寄生容量５１が充電され、駆動用トランジスタ１１ｂのソース電圧Ｖｓが上昇するが、ゲート−ソース間電圧Ｖｇｓｎは、容量素子１１ｃの保持電圧Ｖｇｓｎにより保持されたままなので、やがてソース電圧Ｖｓは有機ＥＬ発光素子１１ａの発光閾値電圧Ｖｆ０を超え、有機ＥＬ発光素子１１ａの発光部５０において定電流での発光動作が行なわれる。

そして、走査駆動回路１３により順次所定の画素回路行が選択され、各画素回路行について上記第１の計測用ソース電圧設定動作から発光動作までの動作が実施され、所望の表示画像が表示される。

また、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置においては、第１および第２の計測用ゲート−ソース間電圧Ｖｇｓ１，Ｖｇｓ２を供給し、第１および第２の電流値Ｉｄ１，Ｉｄ２を検出し、これらを使用して閾値電圧に応じた特性値ＶＴＨと移動度に応じた特性値ＭＵとの両方を算出するようにしたが、第１の計測用ゲート−ソース間電圧Ｖｇｓ１のみを供給して第１の電流値Ｉｄ１を検出し、これらに基づいて閾値電圧に応じた特性値ＶＴＨおよび移動度に応じた特性値ＭＵのうちのいずれか一方のみを算出するようにしてもよい。この場合、算出対象でない方の特性値は予め設定された固定値となる。

たとえば、閾値電圧に応じた特性値ＶＴＨを固定値とし、移動度に応じた特性値ＭＵのみを算出する場合には、ソース駆動回路１２内の演算部は、図９に示すような構成とすることができる。すなわち、演算部３０は、第１〜第４レジスター部３０ａ〜３０ｄと、ＭＵ算出部３０ｅと、ΔＶＳ／ＩＤ変換部３０ｈと、ＶＧＳ算出部３０ｆと、入出力部３０ｇとから構成される。

第１レジスター部３０ａは第１の計測用ゲート−ソース間電圧が予め設定されるものである。

第２レジスター部３０ｂは閾値電圧に応じた特性値の固定値が予め設定されるものである。

ΔＶＳ／ＩＤ変換部３０ｈは、Ａ／Ｄコンバータ１２ｆから出力された差分電圧を電流値に変換するものである。

第４レジスター部３０ｄは、ΔＶＳ／ＩＤ変換部３０ｈにおいて差分電圧を電流値に変換する際に用いられる変換係数が予め設定されるものである。

第３レジスター部３０ｃは、ΔＶＳ／ＩＤ変換部３０ｈにおいて変換された電流値Ｉｄ１を保持するものである。

ＭＵ算出部３０ｅは、第３レジスター部３０ｃに保持された第１の電流値Ｉｄ１と、第１レジスター部３０ａに設定された第１の計測用ゲート−ソース間電圧Ｖｇｓ１と、第２レジスター部３０ｂに設定された閾値電圧に応じた特性値ＶＴＨとに基づいて、駆動用トランジスタ１１ｂの移動度に応じた特性値を算出するものである。

ＶＧＳ算出部３０ｆは、制御部１６から出力された表示データとＭＵ算出部３０ｅにおいて算出された移動度に応じた特性値と第２レジスター部３０ｂに設定された閾値電圧に応じた特性値とに基づいて表示用ゲート−ソース間電圧を算出するものである。

上記のような構成の演算部３０を備えた表示装置の作用については、第１の計測用ソース電圧設定動作から第１の電流値検出動作までは上記第１の実施形態の説明と同様である。

そして、特性値算出動作においては、第１レジスター部３０ａに設定されたＶｇｓ１と第２レジスター部３０ｂに設定された閾値電圧に応じた特性値ＶＴＨと第３レジスター部３０ｃに保持された第１の電流値Ｉｄ１とがＭＵ算出部３０ｅに入力され、ＭＵ算出部３０ｅは、下式を算出することによって移動度に応じた特性値ＭＵを取得する。

ＭＵ＝Ｉｄ１／（Ｖｇｓ１−ＶＴＨ）^２
そして、次に、制御部１６から出力された表示データと、ＭＵ算出部３０ｅにおいて算出された特性値ＭＵと、第２レジスター部３０ｂから読み出された特性値ＶＴＨがＶＧＳ算出部３０ｆに入力される。そして、ＶＧＳ算出部３０ｆにおいて、下式に基づいて表示用ゲート−ソース間電圧Ｖｇｓｎが算出される。なお、Ｉｄｎは表示データである。

Ｖｇｓｎ＝√（Ｉｄｎ／ＭＵ）＋ＶＴＨ
表示用ゲート−ソース間電圧Ｖｇｓｎが算出された後の動作については、上記第１の実施形態の説明と同様である。

また、移動度に応じた特性値ＭＵを固定値とし、閾値電圧に応じた特性値ＶＴＨのみを算出する場合には、ソース駆動回路１２内の演算部は、図１０に示すような構成とすることができる。すなわち、演算部４０は、第１〜第４レジスター部４０ａ〜４０ｄと、ＶＴＨ算出部４０ｅと、ΔＶＳ／ＩＤ変換部４０ｈと、ＶＧＳ算出部４０ｆと、入出力部４０ｇとから構成される。

第１レジスター部４０ａは第１の計測用ゲート−ソース間電圧が予め設定されるものである。

第２レジスター部４０ｂは移動度に応じた特性値の固定値が予め設定されるものである。

ΔＶＳ／ＩＤ変換部４０ｈ、第３および４レジスター部４０ｃ，４０ｄについては、図９に示すものと同じである。

ＶＴＨ算出部４０ｅは、第３レジスター部４０ｃに保持された第１の電流値Ｉｄ１と、第１レジスター部４０ａに設定された第１の計測用ゲート−ソース間電圧Ｖｇｓ１と、第２レジスター部４０ｂに設定された移動度に応じた特性値ＭＵとに基づいて、駆動用トランジスタ１１ｂの閾値電圧に応じた特性値を算出するものである。

ＶＧＳ算出部４０ｆは、制御部１６から出力された表示データとＶＴＨ算出部４０ｅにおいて算出された閾値電圧に応じた特性値と第２レジスター部４０ｂに設定された移動度に応じた特性値とに基づいて表示用ゲート−ソース間電圧を算出するものである。

上記のような構成の演算部４０を備えた表示装置の作用については、第１の計測用ソース電圧設定動作から第１の電流値検出動作までは上記第１の実施形態の説明と同様である。

そして、特性値算出動作においては、第１レジスター部４０ａに設定されたＶｇｓ１と第２レジスター部４０ｂに設定された移動度に応じた特性値ＭＵと第３レジスター部４０ｃに保持された第１の電流値Ｉｄ１とがＶＴＨ算出部４０ｅに入力され、ＶＴＨ算出部４０ｅは、下式を算出することによって閾値電圧に応じた特性値ＶＴＨを取得する。

ＶＴＨ＝Ｖｇｓ１−√（Ｉｄ１／ＭＵ）
そして、次に、制御部１６から出力された表示データと、ＶＴＨ算出部４０ｅにおいて算出された特性値ＶＴＨと、第２レジスター部４０ｂから読み出された特性値ＭＵがＶＧＳ算出部４０ｆに入力される。そして、ＶＧＳ算出部４０ｆにおいて、下式に基づいて表示用ゲート−ソース間電圧Ｖｇｓｎが算出される。なお、Ｉｄｎは表示データである。

Ｖｇｓｎ＝√（Ｉｄｎ／ＭＵ）＋ＶＴＨ
表示用ゲート−ソース間電圧Ｖｇｓｎが算出された後の動作については、上記第１の実施形態の説明と同様である。

次に、本発明の表示装置の第２の実施形態を適用した有機ＥＬ表示装置について説明する。

第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置においては、各画素回路行のプログラム動作期間において、画素回路行の全ての画素回路１１について第１の電流値Ｉｄ１と第２の電流値Ｉｄ２とを計測して特性値を算出することによって、全ての画素回路１１の特性値を記憶するメモリを設置していないが、駆動用トランジスタ１１ｂの特性は瞬時に変動することはなく、必ずしも画素回路行の全ての画素回路１１についてプログラム動作毎に特性値を算出して更新しなくても特に問題はないと考えられる。

そこで、第２の実施形態の有機ＥＬ表示装置においては、画素回路行の１回のプログラム動作期間において、画素回路行の一部の画素回路１１についてのみ特性値を算出して更新し、その一部の画素回路１１以外の画素回路については、前のプログラム動作期間において更新した特性値を利用するようにしている。

図１１に第２の実施形態の有機ＥＬ表示装置の概略構成図を示す。

第２の実施形態の有機ＥＬ表示装置においては、図１１に示すように、制御部１６に全画素回路の特性値を記憶する特性値メモリ１７がさらに付加されている。そして、第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置においては、ソース駆動回路１２内に演算部１２ｇを画素回路列（データ線１４の数）の数だけ設けるようにしていたが、第２の実施形態の有機ＥＬ表示装置においては、Ｒ（赤）の画素回路１１の特性値を演算するＲ演算部２２と、Ｇ（緑）の画素回路１１の特性値を演算するＧ演算部２３と、Ｂ（緑）の画素回路１１の特性値を演算するＢ演算部２２との３つの演算部のみを設けるようにしている。その他画素回路などの構成については、第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置と同様であるので、異なる構成を中心に説明する。なお、アクティブマトリクス基板１０においては、図１２に示すように、走査方向（データ線１４が延びる方向）に直交する方向（走査線１５が延びる方向）に、Ｒの画素回路１１、Ｇの画素回路１１、Ｂの画素回路１１がこの順に繰り返して配置されている。

図１３に第２の実施形態の有機ＥＬ表示装置のソース駆動回路２１の詳細な構成図を示す。なお、ソース駆動回路２１は、図１３に示す回路を多数備えたものであり、図１３に示す回路はアクティブマトリクス基板１０の各データ線１４に接続されるものである。

ソース駆動回路２１は、図１３に示すように、固定電圧源２１ａと、Ｄ／Ａコンバータ２１ｂと、第１の差動増幅器２１ｃと、サンプルホールド回路２１ｄと、第２の差動増幅器２１ｅと、Ａ／Ｄコンバータ２１ｆと、ＭＵ用レジスター部２１ｇと、ＶＴＨ用レジスター部２１ｈと、ＶＧＳ算出部２１ｉと、入出力部２１ｊと、スイッチ素子２１ｋとを備えている。

固定電圧源２１ａ、Ｄ／Ａコンバータ２１ｂ、第１の差動増幅器２１ｃ、サンプルホールド回路２１ｄ、第２の差動増幅器２１ｅ、Ａ／Ｄコンバータ２１ｆ、およびスイッチ素子２１ｋについては、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置と同様である。

ＭＵ用レジスター部２１ｇは、Ｒ演算部２２、Ｇ演算部２３およびＢ演算部２４において算出された特性値ＭＵまたは特性値メモリ１７から読み出された特性値ＭＵを保持するものである。

ＶＴＨ用レジスター部２１ｈは、Ｒ演算部２２、Ｇ演算部２３およびＢ演算部２４において算出された特性値ＶＴＨまたは特性値メモリ１７から読み出された特性値ＶＴＨを保持するものである。

ＶＧＳ算出部２１ｉは、表示用データと特性値ＭＵと特性値ＶＴＨに基づいて表示用ゲート−ソース間電圧Ｖｇｓｎを算出するものである。

Ｒ演算部２２は、ソース駆動回路２１の第２の差動増幅器２１ｅから出力された差分電圧に基づいて駆動用トランジスタ１１ｂの特性値を算出し、その特性値を制御部１６およびソース駆動回路２１に出力するものである。

図１４にＲ演算部２２の詳細な構成図を示す。Ｒ演算部２２は、第１〜第５のレジスター部２２ａ〜２２ｅと、ΔＶＧＳ算出部２２ｆと、ＭＵ算出部２２ｇと、ΔＶＳ／ＩＤ変換部２２ｈと、Δ√ＩＤ算出部２０ｉと、ＶＴＨ算出部２０ｊとを備えている。これらについては上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置と同様である。

また、Ｇ演算部２３およびＢ演算部２４についてもその構成はＲ演算部２２と同様である。

次に、第２の実施形態の有機ＥＬ表示装置の動作について説明する。なお、タイミングチャートおよび画素回路内の動作については、第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置と同様であるため、図５および図６から図８を参照しながら説明する。

まず、走査駆動回路１３により所定の画素回路行が選択され、その画素回路行が接続された走査線１５に、図５に示すようなオン走査信号が出力される（図５における時刻ｔ１）。

そして、図６に示すように、走査駆動回路１３から出力されたオン走査信号に応じて選択用トランジスタ１１ｄおよび計測用トランジスタ１１ｅがＯＮし、駆動用トランジスタ１１ｂのゲート端子Ｇと固定電圧ＶＢを供給する電圧源とが接続されるとともに、駆動用トランジスタ１１ｂのソース端子Ｓ、容量素子１１ｃの一端および有機ＥＬ発光素子１１ａのアノード端子とデータ線１４とが接続される。

そして、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置と同様に、第１の計測用ソース電圧の設定、第１の電流値の検出、第２の計測用ソース電圧の設定、第２の電流値の検出、および特性値の算出が行われるが、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置においては、選択された画素回路行の全ての画素回路１１について上記動作を行うようにしたが、本実施形態においては、選択された画素回路行のうちのＲの画素回路１１、Ｇの画素回路１１およびＢの画素回路１１の３つの画素回路について上記動作を行う。まずは、選択された画素回路行のうちの一番左に配置されたＲの画素回路１１、Ｇの画素回路１１およびＢの画素回路１１について上記動作を行う。

まず第１の計測用ソース電圧設定動作が行なわれる（図５のｔ１〜ｔ２、図６参照）。具体的には、Ｒ演算部２２の第１レジスター部２２ａに予め設定された第１の計測用ゲート−ソース間電圧Ｖｇｓ１がソース駆動回路２１のＤ／Ａコンバータ２１ｂに出力され、Ｄ／Ａコンバータ２１ｂによりアナログ信号に変換された後、第１の差動増幅器２１ｃに入力される。一方、固定電圧源２１ａから出力された固定電圧ＶＢも第１の差動増幅器２１ｃに入力される。そして、第１の差動増幅器２１ｃにおいて固定電圧ＶＢから第１の計測用ゲート−ソース間電圧Ｖｇｓ１が減算され、第１の計測用ソース電圧Ｖｓ１が算出される。

そして、制御部１６からのタイミング信号に応じてスイッチ素子２１ｋがＯＮし、第１の計測用ソース電圧Ｖｓ１がデータ信号としてデータ線１４に出力される。

そして、上記のような動作によりＲの画素回路１１の駆動用トランジスタ１１ｂのゲート電圧Ｖｇ＝ＶＢ、ソース電圧Ｖｓ＝Ｖｓ１、ゲート−ソース間電圧Ｖｇｓ＝Ｖｓｇ１に設定される。

そして、これにより駆動用トランジスタ１１ｂに電流Ｉｄ１が流れ、その電流Ｉｄ１をデータ線１４を介してソース駆動回路２１に引き込む。このとき容量素子１１ｃと有機ＥＬ発光素子１１ａの寄生容量５１に残った電荷が掃き出されてリセットされる。

また、このときのＲの画素回路の駆動用トランジスタ１１ｂのソース端子Ｓの電圧Ｖｓ１はデータ線１４を介してソース駆動回路１２のサンプルホールド回路２１ｄに入力されて保持される。

次に、第１の電流値検出動作が行なわれる（図５のｔ２〜ｔ３、図７参照）。具体的には、まず、制御部１６からのタイミング信号に応じてソース駆動回路１２のスイッチ素子２１ｋがＯＦＦし、第１の差動増幅器２１ｃとデータ線１４とが切り離され、データ線１４はハイインピーダンスな状態となる。

そして、上述した第１の計測用ソース電圧設定動作によって駆動用トランジスタ１１ｂに流れていた電流Ｉｄ１は、データ線１４がハイインピーダンスになることによって、図７に示すように有機ＥＬ発光素子１１ａの寄生容量５１に流れ出す。この電流により寄生容量５１が充電され、図５に示すように、駆動用トランジスタ１１ｂのソース電圧ＶｓはＶｓ１から次第に上昇していく。

そして、上記のようにして上昇するソース電圧Ｖｓはデータ線１４を介してソース駆動回路１２の第２の差動増幅器２１ｅに入力される。そして、第２の差動増幅器２１ｅは、サンプルホールド回路２１ｄに保持された第１の計測用ソース電圧Ｖｓ１と、上昇したソース電圧Ｖｓとの差分電圧ΔＶｓ１を算出し、その差分電圧ΔＶｓ１をＡ／Ｄコンバータ２１ｆに出力する。駆動用トランジスタ１１ｂのソース電圧Ｖｓが上昇し始めてから予め設定された時間（ｔ２〜ｔ３）が経過した時点において、Ａ／Ｄコンバータ２１ｆは入力された差分電圧ΔＶｓ１をデジタル信号に変換し、差分データＤＶＳ１を取得する。

そして、Ａ／Ｄコンバータ２１ｆから出力された差分データＤＶＳ１は、Ｒ演算部２２のΔＶＳ／ＩＤ変換部２２ｈに入力される。そして、ΔＶＳ／ＩＤ変換部２２ｈは、入力されたＤＶＳ１に対し、第５レジスター部２２ｅに設定された変換係数を乗算することによって第１の電流値Ｉｄ１を算出する。

そして、ΔＶＳ／ＩＤ変換部２２ｈにおいて算出された第１の電流値Ｉｄ１は第３レジスター部２２ｃに出力されて保持される。

次に第２の計測用ソース電圧設定動作が行なわれる（図５のｔ３〜ｔ４、図６参照）。具体的には、Ｒ演算部２２の第２レジスター部２２ｂに予め設定された第２の計測用ゲート−ソース間電圧Ｖｇｓ２がソース駆動回路２１のＤ／Ａコンバータ２１ｂに出力され、Ｄ／Ａコンバータ２１ｂによりアナログ信号に変換された後、第１の差動増幅器２１ｃに入力される。一方、固定電圧源２１ａから出力された固定電圧ＶＢも第１の差動増幅器２１ｃに入力される。そして、第１の差動増幅器２１ｃにおいて固定電圧ＶＢから第２の計測用ゲート−ソース間電圧Ｖｇｓ２が減算され、第２の計測用ソース電圧Ｖｓ２が算出される。

そして、制御部１６からのタイミング信号に応じてスイッチ素子２１ｋがＯＮし、第２の計測用ソース電圧Ｖｓ２がデータ信号としてデータ線１４に出力される。

そして、上記のような動作によりＲの画素回路１１の駆動用トランジスタ１１ｂのゲート電圧Ｖｇ＝ＶＢ、ソース電圧Ｖｓ＝Ｖｓ２、ゲート−ソース間電圧Ｖｇｓ＝Ｖｓｇ２に設定される。

そして、これにより駆動用トランジスタ１１ｂに電流Ｉｄ２が流れ、その電流Ｉｄ２をデータ線１４を介してソース駆動回路２１に引き込む。このとき容量素子１１ｃと有機ＥＬ発光素子１１ａの寄生容量５１に残った電荷が掃き出されてリセットされる。

また、このときのＲの画素回路の駆動用トランジスタ１１ｂのソース端子Ｓの電圧Ｖｓ２はデータ線１４を介してソース駆動回路１２のサンプルホールド回路２１ｄに入力されて保持される。

次に、第２の電流値検出動作が行なわれる（図５のｔ４〜ｔ５、図７参照）。具体的には、まず、制御部１６からのタイミング信号に応じてソース駆動回路１２のスイッチ素子２１ｋがＯＦＦし、第１の差動増幅器２１ｃとデータ線１４とが切り離され、データ線１４はハイインピーダンスな状態となる。

そして、上述した第２の計測用ソース電圧設定動作によって駆動用トランジスタ１１ｂに流れていた電流Ｉｄ２は、データ線１４がハイインピーダンスになることによって、図７に示すように有機ＥＬ発光素子１１ａの寄生容量５１に流れ出す。この電流により寄生容量５１が充電され、図５に示すように、駆動用トランジスタ１１ｂのソース電圧ＶｓはＶｓ１から次第に上昇していく。

そして、上記のようにして上昇するソース電圧Ｖｓはデータ線１４を介してソース駆動回路１２の第２の差動増幅器２１ｅに入力される。そして、第２の差動増幅器２１ｅは、サンプルホールド回路２１ｄに保持された第２の計測用ソース電圧Ｖｓ２と、上昇したソース電圧Ｖｓとの差分電圧ΔＶｓ２を算出し、その差分電圧ΔＶｓ２をＡ／Ｄコンバータ２１ｆに出力する。駆動用トランジスタ１１ｂのソース電圧Ｖｓが上昇し始めてから予め設定された時間（ｔ２〜ｔ３）が経過した時点において、Ａ／Ｄコンバータ２１ｆは入力された差分電圧ΔＶｓ２をデジタル信号に変換し、差分データＤＶＳ２を取得する。

そして、Ａ／Ｄコンバータ２１ｆから出力された差分データＤＶＳ２は、Ｒ演算部２２のΔＶＳ／ＩＤ変換部２２ｈに入力される。そして、ΔＶＳ／ＩＤ変換部２２ｈは、入力されたＤＶＳ２に対し、第５レジスター部２２ｅに設定された変換係数を乗算することによって第２の電流値Ｉｄ２を算出する。

そして、ΔＶＳ／ＩＤ変換部２２ｈにおいて算出された第２の電流値Ｉｄ２は第４レジスター部２２ｄに出力されて保持される。

そして、次に特性値算出動作が行われる（図５のｔ５〜ｔ６）。具体的には、第１レジスター部２２ａに設定された第１の計測用ゲート−ソース間電圧Ｖｇｓ１、第２レジスター部２２ｂに設定された第２の計測用ゲート−ソース間電圧Ｖｇｓ２、第３レジスター部２２ｃに設定された第１の電流値Ｉｄ１、および第４のレジスター部２２ｄに設定された第２の電流値Ｉｄ２を用いて、駆動用トランジスタ１１ｂの閾値電圧に応じた特性値ＶＴＨと移動度に応じた特性値ＭＵが算出される。

まず、第１レジスター部２２ａに設定されたＶｇｓ１と第２レジスター部２２ｂに設定されたＶｇｓ２とがΔＶＧＳ算出部２２ｆに出力される。そして、ΔＶＧＳ算出部２２ｆは、Ｖｇｓ１からＶｇｓ２を減算して差分ゲート−ソース間電圧ΔＶＧＳを算出する。

一方、第３レジスター部２２ｃに設定されたＩｄ１と第４レジスター部２２ｄに設定されたＩｄ２とがΔ√ＩＤ算出部２２ｉに出力される。そして、Δ√ＩＤ算出部２２ｉは電流変化量Δ√ＩＤを算出する。

そして、ΔＶＧＳ算出部２２ｆにおいて算出されたΔＶＧＳとΔ√ＩＤ算出部２２ｉにおいて算出されたΔ√ＩＤとがＭＵ算出部２２ｇに入力され、ＭＵ算出部２２ｇはΔＶＧＳとΔ√ＩＤとに基づいて移動度に応じた特性値ＭＵを算出される。

また、ΔＶＧＳと、Δ√ＩＤと、第１レジスター部２２ａに設定されたＶｇｓ１と、第３レジスター部２２ｃに設定されたＩｄ１がＶＴＨ算出部２２ｊに入力され、ＶＴＨ算出部２２ｊは、ΔＶＧＳとΔ√ＩＤとＶｇｓ１とＩｄ１とに基づいて閾値電圧に応じた特性値ＶＴＨを算出する。

そして、上記のようにして算出されたＲの画素回路１１についての特性値ＭＵと特性値ＶＴＨは、制御部１６とＲの画素回路１１のソース駆動回路２１に出力される。そして、制御部１６は、入力された特性値ＭＵと特性値ＶＴＨを特性値メモリ１７に出力し、Ｒの画素回路の特性値を書き直して更新する。一方、Ｒの画素回路１１のソース駆動回路２1に入力された特性値ＭＵはＭＵ用レジスター部２１ｇに保持され、特性値ＶＴＨはＶＴＨ用レジスター部２１ｈに保持される。

そして、上記と同様にして、Ｇの画素回路１１についても、Ｇ演算部２３において特性値ＭＵと特性値ＶＴＨとが算出される。そして、Ｇの画素回路１１についての特性値ＭＵと特性値ＶＴＨは、制御部１６とＧの画素回路１１のソース駆動回路２１に出力される。そして、制御部１６は、入力された特性値ＭＵと特性値ＶＴＨを特性値メモリ１７に出力し、Ｇの画素回路の特性値を書き直して更新する。一方、Ｇの画素回路１１のソース駆動回路２1に入力された特性値ＭＵはＭＵ用レジスター部２１ｇに保持され、特性値ＶＴＨはＶＴＨ用レジスター部２１ｈに保持される。

また、Ｂの画素回路１１についても、Ｂ演算部２４において特性値ＭＵと特性値ＶＴＨとが算出される。そして、Ｂの画素回路１１についての特性値ＭＵと特性値ＶＴＨは、制御部１６とＢの画素回路１１のソース駆動回路２１に出力される。そして、制御部１６は、入力された特性値ＭＵと特性値ＶＴＨを特性値メモリ１７に出力し、Ｂの画素回路の特性値を書き直して更新する。一方、Ｂの画素回路１１のソース駆動回路２1に入力された特性値ＭＵはＭＵ用レジスター部２１ｇに保持され、特性値ＶＴＨはＶＴＨ用レジスター部２１ｈに保持される。

また、上記のようにして特性値を算出したＲ、Ｇ、Ｂの３つの画素回路以外の画素回路１１については、制御部１６により特性値メモリ１７から各画素回路１１に対応する特性値ＭＵと特性値ＶＴＨが読み出され、各画素回路１１のソース駆動回路２１に入力される。そして、各画素回路１１のソース駆動回路２1に入力された特性値ＭＵはＭＵ用レジスター部２１ｇに保持され、特性値ＶＴＨはＶＴＨ用レジスター部２１ｈに保持される。

そして、次に表示用ゲート−ソース間電圧設定動作が行なわれる（図５のｔ５〜ｔ６）。なお、表示用ゲート−ソース間電圧設定動作については、選択された画素回路行の全ての画素回路１１について行われる。

具体的には、制御部１６から出力された表示データと、ＭＵ用レジスター部２１ｇに保持された特性値ＭＵと、ＶＴＨ用レジスター部２１ｈに保持された特性値ＶＴＨがＶＧＳ算出部２１ｉに入力される。そして、ＶＧＳ算出部２１ｉにおいて、表示用データと特性値ＭＵと特性値ＶＴＨに基づいて表示用ゲート−ソース間電圧Ｖｇｓｎが算出される。

そして、ＶＧＳ算出部２１ｉにおいて算出されたＶｇｓｎはＤ／Ａコンバータ２１ｂに入力され、アナログ信号に変換された後、第１の差動増幅器２１ｃに反転入力端子に入力される。そして、第１の差動増幅器２１ｃにおいて、固定電圧ＶＢが加算されてＶｓｎに変換される。そして、スイッチ素子２１ｋがＯＮし、Ｖｓｎがデータ線１４に出力される。

上記のような動作により駆動用トランジスタ１１ｂは、ゲート電圧Ｖｇ＝ＶＢ、ソース電圧Ｖｓ＝Ｖｓｎ、Ｖｇｓ＝Ｖｇｓｎが設定される。

そして、次に発光動作が行なわれる（図５のｔ７以降、図８参照）。具体的には、走査駆動回路１３から各走査線１５にオフ走査信号が出力される（図５における時刻ｔ７）。そして、図８に示すように、走査駆動回路１３から出力されたオフ走査信号に応じて選択用トランジスタ１１ｄおよび計測用トランジスタ１１ｅがＯＦＦし、駆動用トランジスタ１１ｂのゲート端子Ｇと固定電圧ＶＢを供給する電圧源とが切り離されるとともに、駆動用トランジスタ１１ｂのソース端子Ｓ、容量素子１１ｃの一端および有機ＥＬ発光素子１１ａのアノード端子とデータ線１４とが切り離される。

そして、駆動用トランジスタ１１ｂのゲート−ソース間電圧ＶｇｓがＶｇｓｎとなり、駆動用トランジスタ１１ｂのドレイン−ソース間には駆動電流Ｉｄｎが流れる。

この駆動電流Ｉｄｎにより有機ＥＬ発光素子１１ａの寄生容量５１が充電され、駆動用トランジスタ１１ｂのソース電圧Ｖｓが上昇するが、ゲート−ソース間電圧Ｖｇｓｎは、容量素子１１ｃの保持電圧Ｖｇｓｎにより保持されたままなので、やがてソース電圧Ｖｓは有機ＥＬ発光素子１１ａの発光閾値電圧Ｖｆ０を超え、有機ＥＬ発光素子１１ａの発光部５０において定電流での発光動作が行なわれる。

そして、走査駆動回路１３により順次所定の画素回路行が最終行まで選択され、各画素回路行について上記第１の計測用ソース電圧設定動作から発光動作までの動作が実施され、第１フレームの表示画像が表示される。

そして、次に第２フレームの表示画像を表示する際にも、走査駆動回路１３により順次所定の画素回路行が選択され、各画素回路行について上記第１の計測用ソース電圧設定動作から発光動作までの動作が実施されるが、このとき特性値を算出する対象の画素回路が変わる。

具体的には、第１フレームの表示画像の表示の際には、選択された画素回路行のうち一番左に配置されたＲ、Ｇ、Ｂの画素回路について特性値を算出し、特性値メモリ１７の特性値を更新するようにしたが、第２フレームの表示画像を表示する際には、第１フレームの表示画像の表示の際における特性値算出対象のＲ、Ｇ、Ｂの画素回路の右側に隣接するＲ、Ｇ、Ｂの画素回路が特性値算出対象の画素回路として選択される。

そして、さらに第３フレームの表示画像の表示の際には、第２フレームの表示画像の表示の際における特性値算出対象のＲ、Ｇ、Ｂの画素回路の右側に隣接するＲ、Ｇ、Ｂの画素回路が特性値算出対象の画素回路として選択される。

上記のようにしてフレームが変わる毎に特性値算出対象のＲ、Ｇ、Ｂの画素回路が順次右側にシフトする。これにより、画素回路行の全ての画素回路数／３に相当するフレーム数を表示した時点で全ての画素回路について特性値メモリ１７の特性値を更新したことになる。たとえば、フレームレートが６０Ｈｚで表示画素数（ここではＲ、Ｇ、Ｂの３つの画素回路を１つの表示画素とする）が６４０×４８０のＶＧＡの場合には、特性値更新レートは６４０フレーム＝１０．７秒となり、駆動用トランジスタの特性の変動速度と比較すると十分だといえる。

また、上記第２の実施形態の表示装置においては、特性値を算出する対象となる画素回路列をフレーム毎に順次切り替えるようにしたが、特性値を算出する対象となる画素回路行をフレーム毎に順次切り替えるようにしてもよい。

この場合の概略構成を図１５に示す。図１５に示すように、上記第２の実施形態とは演算部の構成が異なる。具体的には、第２の実施形態においては、Ｒ演算部とＧ演算部とＢ演算部との３つの演算部のみを設けるようにしたが、特性値を算出する対象となる画素回路行をフレーム毎に順次切り替える場合には、演算部２６は、図１４に示した構成のものが各画素回路列（データ線１４）毎に設けられることになる。その他の構成については上記第２の実施形態と同様である。

図１５に示す有機ＥＬ表示装置の動作について説明する。なお、タイミングチャートおよび画素回路内の動作については、第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置と同様であるため、図５および図６から図８を参照しながら説明する。

まず、走査駆動回路１３により１行目の画素回路行（図１５に示す一番上の画素回路行）が選択され、その画素回路行が接続された走査線１５に、図５に示すようなオン走査信号が出力される（図５における時刻ｔ１）。

そして、図６に示すように、走査駆動回路１３から出力されたオン走査信号に応じて選択用トランジスタ１１ｄおよび計測用トランジスタ１１ｅがＯＮし、駆動用トランジスタ１１ｂのゲート端子Ｇと固定電圧ＶＢを供給する電圧源とが接続されるとともに、駆動用トランジスタ１１ｂのソース端子Ｓ、容量素子１１ｃの一端および有機ＥＬ発光素子１１ａのアノード端子とデータ線１４とが接続される。

そして、上記第２の実施形態の有機ＥＬ表示装置と同様に、第１の計測用ソース電圧の設定、第１の電流値の検出、第２の計測用ソース電圧の設定、第２の電流値の検出、および特性値の算出が行われるが、図１５に示す有機ＥＬ表示装置においては、１行目から最終行までの画素回路行のうち１つの画素回路行について上記動作を行う。まずは、１行目の画素回路行（図１５に示す一番上の画素回路行）の各画素回路について上記動作を行う。上記動作の詳細については上記第２の実施形態と同様である。

そして、１行目の画素回路行の各画素回路について、特性値ＭＵと特性値ＶＴＨとがそれぞれ算出され、各画素回路の特性値ＭＵと特性値ＶＴＨは、制御部１６とソース駆動回路２１に出力される。そして、制御部１６は、入力された特性値ＭＵと特性値ＶＴＨを特性値メモリ１７に出力し、１行目の画素回路行の各画素回路の特性値を書き直して更新する。一方、ソース駆動回路２1に入力された特性値ＭＵはＭＵ用レジスター部２１ｇに保持され、特性値ＶＴＨはＶＴＨ用レジスター部２１ｈに保持される。

そして、１行目の画素回路行について、表示用ゲート−ソース間電圧設定動作および発光動作が行われるが、これらの動作については上記第２の実施形態と同様である。

そして、次に、走査駆動回路１３により２行目の画素回路行（図１５の上から２番目の画素回路行）が選択され、その画素回路行が接続された走査線１５に、図５に示すようなオン走査信号が出力される。

そして、図６に示すように、走査駆動回路１３から出力されたオン走査信号に応じて選択用トランジスタ１１ｄおよび計測用トランジスタ１１ｅがＯＮし、駆動用トランジスタ１１ｂのゲート端子Ｇと固定電圧ＶＢを供給する電圧源とが接続されるとともに、駆動用トランジスタ１１ｂのソース端子Ｓ、容量素子１１ｃの一端および有機ＥＬ発光素子１１ａのアノード端子とデータ線１４とが接続される。

そして、２行目の画素回路行については、第１の計測用ソース電圧の設定、第１の電流値の検出、第２の計測用ソース電圧の設定、第２の電流値の検出、および特性値の算出の動作が行われない。つまり、２行目の画素回路行の各画素回路については、特性値メモリ１７の特性値が更新されない。そして、前回、特性値の算出対象として選択された時に特性値メモリ１７に記憶された特性値ＭＵと特性値ＶＴＨとが読み出され、ソース駆動回路２1のＭＵ用レジスター部２１ｇとＶＴＨ用レジスター部２１ｈとにそれぞれ保持される。

そして、２行目の画素回路行について表示用ゲート−ソース間電圧設定動作および発光動作が行われる。これらの動作については１行目の画素回路行と同様である。

そして、走査駆動回路１３により３行目から最終行までの画素回路行が順次選択され、上述した２行目の画素回路行と同じ動作が行われ、第１フレームの表示画像が表示される。

そして、次に第２フレームの表示画像を表示する際には、特性値の算出対象の画素回路行が１行目の画素回路行から２行目の画素回路行に切り替えられる。すなわち、１行目の画素回路行については、上述した第１フレームの表示画像の表示動作時における２行目以降の画素回路行と同じ動作が行われ、２行目の画素回路行については、上述した第１フレームの表示画像の表示動作時における１行目の画素回路行と同じ動作が行われる。

そして、さらに第３フレームの表示画像を表示する際には、特性値の算出対象の画素回路行が２行目の画素回路行から３行目の画素回路行に切り替えられる。すなわち、１行目と２行目の画素回路行については、上述した第１フレームの表示画像の表示動作時における２行目以降の画素回路行と同じ動作が行われ、３行目の画素回路行については、上述した第１フレームの表示画像の表示動作時における１行目の画素回路行と同じ動作が行われる。

上記のようにしてフレームが変わる毎に特性値算出対象の画素回路行が順次にシフトする。これにより、画素回路行の数に相当するフレーム数を表示した時点で全ての画素回路について特性値メモリ１７の特性値を更新したことになる。たとえば、フレームレートが６０Ｈｚで表示画素数（ここではＲ、Ｇ、Ｂの３つの画素回路を１つの表示画素とする）が６４０×４８０のＶＧＡの場合には、特性値更新レートは４８０フレーム＝８秒となり、駆動用トランジスタの特性の変動速度と比較すると十分だといえる。

上記のように１行目から最終行まで画素回路行のうちの一部の画素回路行をフレーム毎に順次切り替えて選択し、その選択した選択画素回路行について特性値を取得するようにすれば、たとえば、高精細パネルなど全画素回路行の走査時間が短い場合においても、一部の画素回路行については特性値を取得する時間を確保することができ、特性値を取得する画素回路行をフレーム毎に切り替えることによって全ての画素回路行についての特性値を取得することができる。

また、上記ように特性値を算出する対象となる画素回路列または画素回路行をフレーム毎に順次切り替える場合においても、必ずしも閾値電圧に応じた特性値ＶＴＨと移動度に応じた特性値ＭＵとの両方を算出しなくてもよく、第１の計測用ゲート−ソース間電圧Ｖｇｓ１のみを供給して第１の電流値Ｉｄ１を検出し、これらに基づいて閾値電圧に応じた特性値ＶＴＨおよび移動度に応じた特性値ＭＵのうちのいずれか一方のみを算出するようにしてもよい。

ここで、上記第１および第２の実施形態の有機ＥＬ表示装置においては、上述したように駆動用トランジスタとしてＮ型薄膜トランジスタを用いる必要があり、そのＮ型の薄膜トランジスタとしてはアモルファスシリコンの薄膜トランジスタを用いることできる。

しかしながら、アモルファスシリコンの薄膜トランジスタは、ゲート電圧印加による電圧ストレスによってその閾値電圧がシフトする特徴を有する。

上記第１および第２の実施形態の有機ＥＬ表示装置においては、駆動用トランジスタ１１ｂのゲート電圧Ｖｇを固定電圧ＶＢとしてソース電圧を変更することによって駆動用トランジスタ１１ｂに流れる電流値を検出するため、駆動用トランジスタ１１ｂの閾値電圧のシフトが大きいと電流値を検出する際に設定されるソース電圧がより低い電圧となる。このため長期的な閾値電圧シフトを見越した大きな負の電源電圧が必要となる。したがって、省電力の面からは駆動用トランジスタ１１ｂの閾値電圧のシフトを抑制することが望ましい。

たとえば、特開２００６−２２７２３７号公報（以下、特許文献７という）においては、駆動用トランジスタのゲート端子に逆バイアス電圧を印加することで閾値電圧のシフトを抑制する方法が提案されている。

しかしながら、表示動作時に駆動用トランジスタのゲート端子に印加されるゲート電圧の大きさは表示画像に依存するものであり、このゲート電圧の大きさによって駆動用トランジスタの閾値電圧のシフト量も変化する。これに対し、特許文献７において行なわれる逆バイアスの期間および逆バイアス電圧の大きさは全画素共通であるため、個々の駆動用トランジスタの閾値電圧の偏差や表示画像による閾値電圧のシフト量の変化に対応することができない。そして、逆バイアス不足によって駆動用トランジスタの閾値電圧のシフトが始まると加速度的に閾値電圧がシフトしてしまう。すなわち、特許文献７に記載の方法では、長期間にわたって表示画像を更新する場合において駆動用トランジスタの閾値電圧のシフトを抑制することは困難である。

次に、上記のような駆動用トランジスタの閾値電圧のシフトを適切に抑制することができる本発明の表示装置の第３の実施形態を適用した有機ＥＬ表示装置について説明する。第３の実施形態の有機ＥＬ表示装置は、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置において、さらに駆動用トランジスタ１１ｂに表示画像に応じた逆バイアス電圧を施すようにしたものである。

第３の実施形態の有機ＥＬ表示装置の画素回路の構成を図１６に示す。図１６に示すように、第３の実施形態の有機ＥＬ表示装置の画素回路の有機ＥＬ発光素子１１ａのカソード端子には共通電極線１８が接続されている。その他の画素回路の構成は第１の有機ＥＬ表示装置と同様である。

第３の実施形態の有機ＥＬ表示装置のソース駆動回路２５は、図１７に示すように、固定電圧源２５ａと、Ｄ／Ａコンバータ２５ｂと、第１の差動増幅器２５ｃと、サンプルホールド回路２１ｈと、第２の差動増幅器２５ｇと、Ａ／Ｄコンバータ２５ｆと、演算部２５ｉと、第１のスイッチ素子２５ｊと、増幅器２５ｄと、第３の差動増幅器２５ｅと、第２のスイッチ素子２１ｋとを備えている。

固定電圧源２５ａ、Ｄ／Ａコンバータ２５ｂ、第１の差動増幅器２５ｃ、サンプルホールド回路２１ｈ、第２の差動増幅器２５ｇ、Ａ／Ｄコンバータ２５ｆ、演算部２５ｉ、および第１のスイッチ素子２５ｊについては、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置と同様である。

増幅器２５ｄは、演算部２５ｉのＶＧＳ算出部２０ｋにおいて算出された表示用ゲート−ソース間電圧ＶｇｓｎをＫｒ倍して出力するものである。

第３の差動増幅器２５ｅは、増幅器２５ｄから出力されたＫｒ×ＶｇｓｎにＶＢを加算して逆バイアス電圧Ｖｒｖを算出し、その逆バイアス電圧をデータ線１４に出力するものである。

第２のスイッチ素子２５ｋは、制御部１６から出力された同期信号に基づくタイミング信号に応じて第３の差動増幅器２５ｅとデータ線１４との接続を切り替えるものである。

その他の構成については第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置と同様である。

次に、第３の実施形態の有機ＥＬ表示装置の動作について、図１８に示すタイミングチャートを参照して説明する。なお、図１８には、走査駆動回路１３から出力される走査信号Ｖｓｃａｎ、ソース駆動回路１２から出力されるデータ信号Ｖｄａｔａ、駆動用トランジスタ１１ｂのゲート電圧Ｖｇ、ソース電圧Ｖｓおよびゲート−ソース間電圧Ｖｇｓの電圧波形が示されている。

図１８のタイミングチャートに示すように、第３の実施形態の有機ＥＬ表示装置においては、特性値算出動作（図１８におけるｔ５〜ｔ６）と表示用ゲート−ソース間電圧設定動作（図１８におけるｔ７〜ｔ８）との間に、逆バイアス電圧印加動作（図１８におけるｔ６〜ｔ７）が行われる。その他の動作については、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置と同様であるため、この逆バイアス電圧印加動作についてのみ説明する。

逆バイアス電圧印加動作は、具体的には、特性値算出動作の後、制御部１６から出力された表示データと、ＭＵ算出部２０ｇにおいて算出された特性値ＭＵと、ＶＴＨ算出部２０ｊにおいて算出された特性値ＶＴＨがＶＧＳ算出部２０ｋに入力され、ＶＧＳ算出部２０ｋにおいて、表示データと特性値ＭＵと特性値ＶＴＨとに基づいて表示用ゲート−ソース間電圧Ｖｇｓｎが算出される。

そして、ＶＧＳ算出部２０ｋにおいて算出されたＶｇｓｎはＤ／Ａコンバータ２５ｂに入力され、Ｄ／Ａコンバータ２５ｂにおいてアナログ信号の変換された後、増幅器２５ｄに入力される。そして、増幅器２５ｄにおいてＶｇｓｎがＫｒ倍され、Ｋｒ×Ｖｇｓｎが第３の差動増幅器２５ｅに反転入力端子に入力される。そして、第３の差動増幅器２５ｅにおいてＫｒ×Ｖｇｓｎに固定電圧ＶＢが加算されて、下式で表わされる逆バイアス電圧Ｖｒｖが算出される。

Ｖｒｖ＝Ｋ×Ｖｇｓｎ＋ＶＢ
そして、第２のスイッチ素子２５ｋがＯＮし、第３の差動増幅器２５ｅからデータ線１４に逆バイアス電圧Ｖｒｖが出力され、画素回路１１の駆動用トランジスタ１１ｂのソース端子Ｓに印加される。これは発光動作で設定される正バイアスＶｇｓｎの−Ｋｒ倍の電圧を駆動用トランジスタ１１ｂのゲート−ソース間に印加することになり、閾値電圧のシフトの抑制効果を大幅に改善することができる。

なお、上記逆バイアス電圧印加期間においては、画素回路の有機ＥＬ発光素子１１ａのカソード端子に接続された共通電極線１８の電位が０Ｖから高電位（たとえば、Ｖｄｄ）に変更される。これにより駆動用トランジスタ１１ｂのソース端子Ｓ（有機ＥＬ発光素子１１ａのアノード端子）に逆バイアス電圧Ｖｒｖが印加されて有機ＥＬ発光素子１１ａが誤発光するのを防止することができる。

ここで、上記第３の実施形態の有機ＥＬ表示装置における逆バイアス電圧について検討する。

第３の実施形態の有機ＥＬ表示装置において、表示動作による駆動用トランジスタ１１ｂの電圧ストレスは、Ｖｇｓ×Ｔｄｓｐとなる。なお、Ｔｄｓｐは表示期間である。そして、逆バイアス電圧を印加する期間をＴｒｖとすると、必要な逆バイアス電圧Ｖｒｖは、
Ｖｒｖ＝Ｖｇｓ×Ｔｄｓｐ／Ｔｒｖ
となる。この逆バイアス電圧を印加することで１フレーム平均の電圧ストレスは正負均等化されてゼロになる。

すなわち、第３の実施形態の有機ＥＬ表示装置における増幅器２５ｄに設定される逆バイアス係数Ｋｒは、
Ｋｒ＝Ｔｄｓｐ／Ｔｒｖ
となるが、逆バイアス期間Ｔｒｖは、プログラム期間Ｔｐｒｇの一部であり、当然ながら表示期間Ｔｄｓｐよりも遥かに短くなる。したがって、逆バイアス係数Ｋｒは大きくなり、逆バイアス電圧Ｖｒｖも高電圧となる。

しかしながら、逆バイアス電圧Ｖｒｖとして設定可能な最大電圧は電源電圧Ｖｄｄであり、高輝度表示した場合には、電圧ストレスを逆バイアス電圧で相殺することができず逆バイアス電圧不足が発生するおそれがある。

そこで、この問題を解決するために、駆動用トランジスタ１１ｂを閾値電圧Ｖｔｈ＜０の電流特性を有する薄膜トランジスタにより構成するようにしてもよい。図１９に、閾値電圧Ｖｔｈ＜０の駆動用トランジスタの電流特性の一例を示す。

駆動用トランジスタ１１ｂの閾値電圧Ｖｔｈを負電圧化した場合には、表示動作でのＶｇｓとして正と負の両極性の電圧が印加されるため、逆バイアス電圧も正と負の両極性を持つこととなり、逆バイアス電圧の限界値による逆バイアス不足を低減することができる。

また、上記第１から第３の実施形態の有機ＥＬ表示装置においては、駆動用トランジスタ１１ｂの閾値電圧は正負を問わず、特性値算出およびＶｇｓｎ設定動作を行うことができるため、Ｖｇｓの使用範囲を負電圧化することで、逆バイアス電圧設定範囲を拡大し、長期安定性を向上することができる。

また、上記第１から第３の実施形態の有機ＥＬ表示装置においては、上述したようにアモルファスシリコンや無機酸化膜からなるＮ型の薄膜トランジスタを駆動用トランジスタとして用いることができるが、特に、ＩＧＺＯからなるＮ型の薄膜トランジスタを駆動用トランジスタとして用いることが望ましい。

ＩＧＺＯからなる薄膜トランジスタの可逆性閾値電圧シフト特性を利用することによって、たとえば、真っ黒の画面を表示している期間や電源オフ時などの非表示期間に閾値電圧を初期値に戻すことができるので、閾値電圧のシフトをさらに抑制することができる。また、駆動用トランジスタ１１ｂの閾値電圧の負電圧化も容易に実現することができる。

また、上記第１から第３の実施形態の有機ＥＬ表示装置においては、差分電圧ΔＶｓ１，ΔＶｓ２を算出する手段として、アナログ回路の第２の差動増幅器を用いるようにしたが、これに限らず、デジタル演算で算出するようにしてもよい。また、表示用ソース電圧Ｖｓｎを算出する手段として、アナログ回路の第１の差動増幅器を用いるようにしたが、これもデジタル演算で算出するようにしてもよい。また、固定電圧ＶＢ＝０Ｖにすれば、上記のような演算を行わないようにすることができる。

また、上記第１から第３の実施形態の有機ＥＬ表示装置においては、ＭＵ算出部、ＶＴＨ算出部、ＶＧＳ算出部を設けてデジタル演算によりＭＵ、ＶＴＨ、Ｖｇｓｎを算出するようにしているが、これらの実施形態はこれに限らず、ＤＳＰやＣＰＵなどで代替してもよい。

また、上記第１から第３の実施形態の有機ＥＬ表示装置における特性値を演算する演算部は、ソース駆動回路内に設置してもよいし、独立した構成としてもよいし、制御部１６内に設置するようにしてもよい。

また、上記本発明の実施形態は、本発明の表示装置を有機ＥＬ表示装置に適用したものであるが、発光素子としては、有機ＥＬ発光素子に限らず、たとえば、無機ＥＬ素子などを用いるようにしてもよい。

また、上記実施形態においては、計測用電圧の供給により駆動用トランジスタに流れた電流によって有機ＥＬ発光素子の寄生容量を充電したときの駆動用トランジスタのソース端子の電圧の変化量を取得し、その変化量に基づいて駆動用トランジスタの駆動電流の電流値を取得するようにしたが、計測用電圧の供給により駆動用トランジスタに流れた電流を充電する箇所は有機ＥＬ発光素子の寄生容量に限らず、たとえば、布線容量や計測用トランジスタのゲート寄生容量などであってもよい。また、有機ＥＬ発光素子に並列の補助容量を設置し、この補助容量に充電するようにしてもよい。

また、本発明の表示装置は、様々な用途がある。たとえば、携帯情報端末（電子手帳、モバイルコンピュータ、携帯電話など）、ビデオカメラ、デジタルカメラ、パーソナルコンピュータ、テレビなどが挙げられる。

本発明の表示装置の第１の実施形態を適用した有機ＥＬ表示装置の概略構成図 本発明の表示装置の第１の実施形態を適用した有機ＥＬ表示装置の画素回路の構成を示す図 本発明の表示装置の第１の実施形態を適用した有機ＥＬ表示装置のソース駆動回路の構成を示す図 図３に示す演算部の詳細な構成を示す図 本発明の表示装置の第１の実施形態を適用した有機ＥＬ表示装置の作用を説明するためのタイミングチャート 本発明の第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置の計測用電圧設定動作の作用を説明するための図 本発明の第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置の電流値検出動作の作用を説明するための図 本発明の第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置の発光動作を説明するための図 移動度に応じた特性値のみを算出する場合の演算部の構成を示す図 閾値電圧に応じた特性値のみを算出する場合の演算部の構成を示す図 本発明の表示装置の第２の実施形態を適用した有機ＥＬ表示装置の概略構成図 本発明の表示装置の第２の実施形態を適用した有機ＥＬ表示装置のＲ、Ｇ、Ｂの画素回路の配置を示す図 本発明の表示装置の第２の実施形態を適用した有機ＥＬ表示装置のソース駆動回路の構成を示す図 本発明の表示装置の第２の実施形態を適用した有機ＥＬ表示装置のＲ演算部の構成を示す図 特性値算出対象の画素回路行をフレーム毎に切り替える場合の有機ＥＬ表示装置の概略構成図 本発明の表示装置の第３の実施形態を適用した有機ＥＬ表示装置の画素回路の構成を示す図 本発明の表示装置の第３の実施形態を適用した有機ＥＬ表示装置のソース駆動回路の構成を示す図 本発明の表示装置の第３の実施形態を適用した有機ＥＬ表示装置の作用を説明するためのタイミングチャート 閾値電圧Ｖｔｈが負電圧の駆動用トランジスタの電流特性の一例を示す図

符号の説明

１０ アクティブマトリクス基板
１１ 画素回路
１１ａ 有機ＥＬ発光素子
１１ｂ 駆動用トランジスタ
１１ｃ 容量素子
１１ｄ 選択用トランジスタ
１１ｅ 計測用トランジスタ
１２ ソース駆動回路
１２ａ 固定電圧源
１２ｂ Ｄ／Ａコンバータ
１２ｃ 第１の差動増幅器
１２ｄ サンプルホールド回路
１２ｅ 第２の差動増幅器
１２ｆ Ａ／Ｄコンバータ
１２ｇ 演算部
１２ｈ スイッチ素子
１３ 走査駆動回路
１４ データ線
１５ 走査線
１６ 制御部
１７ 特性値メモリ
１８ 共通電極線
２1 ソース駆動回路
２１ａ 固定電圧源
２１ｂ Ｄ／Ａコンバータ
２１ｃ 第１の差動増幅器
２１ｄ サンプルホールド回路
２１ｅ 第２の差動増幅器
２１ｆ Ａ／Ｄコンバータ
２１ｈ サンプルホールド回路
２１ｋ スイッチ素子
２２ Ｒ演算部
２３ Ｇ演算部
２４ Ｂ演算部
２５ ソース駆動回路
２５ａ 固定電圧源
２５ｂ Ｄ／Ａコンバータ
２５ｃ 第１の差動増幅器
２５ｄ 増幅器
２５ｅ 第３の差動増幅器
２５ｆ Ａ／Ｄコンバータ
２５ｇ 第２の差動増幅器
２５ｉ 演算部
２５ｊ スイッチ素子
２５ｋ スイッチ素子
２６ 演算部
３０ 演算部
４０ 演算部

Claims (19)

1. 発光素子、該発光素子のアノード端子にソース端子が接続され、前記発光素子に駆動電流を流す駆動用トランジスタ、該駆動用トランジスタのゲート端子とソース端子との間に接続された容量素子、前記駆動用トランジスタのゲート端子と所定の電圧を供給する電圧源との間に接続されたゲート接続スイッチ、および前記駆動用トランジスタのソース端子と所定の信号を供給するデータ線との間に接続されたソース接続スイッチを有する画素回路が多数配列されたアクティブマトリクス基板を備えた表示装置の駆動制御方法であって、
   前記ゲート接続スイッチおよび前記ソース接続スイッチがオンされた状態において、予め設定された第１の計測用電圧を前記データ線および前記ソース接続スイッチを介して前記駆動用トランジスタのソース端子へ供給することによって、前記駆動用トランジスタに電流を流し、
   前記第１の計測用電圧の供給の停止後、前記駆動用トランジスタに流れた電流によって前記駆動用トランジスタのソース端子に接続された容量性負荷を所定の経過時間だけ充電し、該充電時点における前記駆動用トランジスタのソース端子の前記第１の計測用電圧からの電圧上昇分を第１の変化量として取得し、
   該第１の変化量に基づいて前記駆動用トランジスタの駆動電流の第１の電流値を取得し、
   かつ前記ゲート接続スイッチおよび前記ソース接続スイッチがオンされた状態において、予め設定された第２の計測用電圧を前記データ線および前記ソース接続スイッチを介して前記駆動用トランジスタのソース端子へ供給することによって、前記駆動用トランジスタに電流を流し、
   前記第２の計測用電圧の供給の停止後、前記駆動用トランジスタに流れた電流によって前記駆動用トランジスタのソース端子に接続された容量性負荷を所定の経過時間だけ充電し、該充電時点における前記駆動用トランジスタのソース端子の前記第２の計測用電圧からの電圧上昇分を第２の変化量として取得し、該第２の変化量に基づいて前記駆動用トランジスタの駆動電流の第２の電流値を取得し、
   前記第１の計測用電圧と前記第２の計測用電圧と前記第１の電流値と第２の電流値とに基づいて前記駆動用トランジスタの閾値電圧に応じた特性値および移動度に応じた特性値を取得し、
   前記ゲート接続スイッチおよび前記ソース接続スイッチがオンされた状態において、前記取得した特性値と前記発光素子の発光量に応じた前記駆動用トランジスタの駆動電圧とに基づくデータ信号を前記データ線および前記ソース接続スイッチを介して前記駆動用トランジスタのソース端子に出力することによって前記容量素子に前記データ信号に応じた電圧を保持し、
   その後、前記ゲート接続スイッチおよび前記ソース接続スイッチをオフすることによって、前記容量素子に保持された電圧に応じた駆動電流を前記駆動用トランジスタによって前記発光素子に供給することを特徴とする表示装置の駆動制御方法。
2. 発光素子、該発光素子のアノード端子にソース端子が接続され、前記発光素子に駆動電流を流す駆動用トランジスタ、該駆動用トランジスタのゲート端子とソース端子との間に接続された容量素子、前記駆動用トランジスタのゲート端子と所定の電圧を供給する電圧源との間に接続されたゲート接続スイッチ、および前記駆動用トランジスタのソース端子と所定の信号を供給するデータ線との間に接続されたソース接続スイッチを有する画素回路が多数配列されたアクティブマトリクス基板を備えた表示装置の駆動制御方法であって、
   前記ゲート接続スイッチおよび前記ソース接続スイッチがオンされた状態において、予め設定された計測用電圧を前記データ線および前記ソース接続スイッチを介して前記駆動用トランジスタのソース端子へ供給することによって、前記駆動用トランジスタに電流を流し、
   前記計測用電圧の供給の停止後、前記駆動用トランジスタに流れた電流によって前記駆動用トランジスタのソース端子に接続された容量性負荷を所定の経過時間だけ充電し、該充電時点における前記駆動用トランジスタのソース端子の前記計測用電圧からの電圧上昇分を変化量として取得し、該変化量に基づいて前記駆動用トランジスタの駆動電流の電流値を取得し、
   前記計測用電圧と前記電流値とに基づいて前記駆動用トランジスタの閾値電圧に応じた特性値または移動度に応じた特性値を取得し、
   前記ゲート接続スイッチおよび前記ソース接続スイッチがオンされた状態において、前記取得した特性値と前記発光素子の発光量に応じた前記駆動用トランジスタの駆動電圧とに基づくデータ信号を前記データ線および前記ソース接続スイッチを介して前記駆動用トランジスタのソース端子に出力することによって前記容量素子に前記データ信号に応じた電圧を保持し、
   その後、前記ゲート接続スイッチおよび前記ソース接続スイッチをオフすることによって、前記容量素子に保持された電圧に応じた駆動電流を前記駆動用トランジスタによって前記発光素子に供給することを特徴とする表示装置の駆動制御方法。
3. 発光素子、該発光素子のアノード端子にソース端子が接続され、前記発光素子に駆動電流を流す駆動用トランジスタ、該駆動用トランジスタのゲート端子とソース端子との間に接続された容量素子、前記駆動用トランジスタのゲート端子と所定の電圧を供給する電圧源との間に接続されたゲート接続スイッチ、および前記駆動用トランジスタのソース端子と所定の信号を供給するデータ線との間に接続されたソース接続スイッチを有する画素回路が多数配列され、該画素回路の列毎に設けられたデータ線を有するアクティブマトリクス基板と、前記画素回路の行を順次選択し、該選択した行の画素回路の前記ゲート接続スイッチおよび前記ソース接続スイッチをオンする走査駆動部と、前記走査駆動部により１行目から最終行までの画素回路の行の選択を繰り返し行うことによってフレーム毎の前記データ信号に基づく画像を表示させる制御部とを備えた表示装置の駆動制御方法であって、
   前記走査駆動部により選択された行の画素回路のうちの一部の画素回路を前記フレーム毎に順次切り替えて選択し、
   該選択した選択画素回路については、前記ゲート接続スイッチおよび前記ソース接続スイッチがオンされた状態において、予め設定された第１の計測用電圧を前記データ線および前記ソース接続スイッチを介して前記駆動用トランジスタのソース端子へ供給することによって、前記駆動用トランジスタに電流を流し、
   前記第１の計測用電圧の供給の停止後、前記駆動用トランジスタに流れた電流によって前記駆動用トランジスタのソース端子に接続された容量性負荷を所定の経過時間だけ充電し、該充電時点における前記駆動用トランジスタのソース端子の前記第１の計測用電圧からの電圧上昇分を第１の変化量として取得し、該第１の変化量に基づいて前記駆動用トランジスタの駆動電流の第１の電流値を取得し、
   かつ前記ゲート接続スイッチおよび前記ソース接続スイッチがオンされた状態において、予め設定された第２の計測用電圧を前記データ線および前記ソース接続スイッチを介して前記駆動用トランジスタのソース端子へ供給することによって、前記駆動用トランジスタに電流を流し、
   前記第２の計測用電圧の供給の停止後、前記駆動用トランジスタに流れた電流によって前記駆動用トランジスタのソース端子に接続された容量性負荷を所定の経過時間だけ充電し、該充電時点における前記駆動用トランジスタのソース端子の前記第２の計測用電圧からの電圧上昇分を第２の変化量として取得し、該第２の変化量に基づいて前記駆動用トランジスタの駆動電流の第２の電流値を取得し、
   前記第１の計測用電圧と前記第２の計測用電圧と前記第１の電流値と前記第２の電流値とに基づいて前記駆動用トランジスタの閾値電圧に応じた特性値および移動度に応じた特性値を取得し、
   前記ゲート接続スイッチおよび前記ソース接続スイッチがオンされた状態において、前記取得した特性値と前記発光素子の発光量に応じた前記駆動用トランジスタの駆動電圧とに基づくデータ信号を前記データ線および前記ソース接続スイッチを介して前記駆動用トランジスタのソース端子に出力することによって前記容量素子に前記データ信号に応じた電圧を保持し、その後、前記ゲート接続スイッチおよび前記ソース接続スイッチをオフすることによって、前記容量素子に保持された電圧に応じた駆動電流を前記駆動用トランジスタによって前記発光素子に供給し、かつ前記取得した特性値を特性値記憶部に記憶し、
   前記走査駆動部により選択された行の画素回路のうちの選択されなかった非選択画素回路については、前記ゲート接続スイッチおよび前記ソース接続スイッチがオンされた状態において、前記特性値記憶部に前回の選択時に記憶された特性値と前記発光素子の発光量に応じた前記駆動用トランジスタの駆動電圧とに基づくデータ信号を前記非選択画素回路の前記駆動用トランジスタのソース端子に出力することによって前記容量素子に前記データ信号に応じた電圧を保持し、その後、前記ゲート接続スイッチおよび前記ソース接続スイッチをオフすることによって、前記容量素子に保持された電圧に応じた駆動電流を前記駆動用トランジスタによって前記発光素子に供給することを特徴とする表示装置の駆動制御方法。
4. 発光素子、該発光素子のアノード端子にソース端子が接続され、前記発光素子に駆動電流を流す駆動用トランジスタ、該駆動用トランジスタのゲート端子とソース端子との間に接続された容量素子、前記駆動用トランジスタのゲート端子と所定の電圧を供給する電圧源との間に接続されたゲート接続スイッチ、および前記駆動用トランジスタのソース端子と所定の信号を供給するデータ線との間に接続されたソース接続スイッチを有する画素回路が多数配列され、該画素回路の列毎に設けられたデータ線を有するアクティブマトリクス基板と、前記画素回路の行を順次選択し、該選択した行の画素回路の前記ゲート接続スイッチおよび前記ソース接続スイッチをオンする走査駆動部と、前記走査駆動部により１行目から最終行までの画素回路の行の選択を繰り返し行うことによってフレーム毎の前記データ信号に基づく画像を表示させる制御部とを備えた表示装置の駆動制御方法であって、
   前記走査駆動部により選択された行の画素回路のうちの一部の画素回路を前記フレーム毎に順次切り替えて選択し、
   該選択した選択画素回路については、前記ゲート接続スイッチおよび前記ソース接続スイッチがオンされた状態において、予め設定された計測用電圧を前記データ線および前記ソース接続スイッチを介して前記駆動用トランジスタのソース端子へ供給することによって、前記駆動用トランジスタに電流を流し、
   前記計測用電圧の供給の停止後、前記駆動用トランジスタに流れた電流によって前記駆動用トランジスタのソース端子に接続された容量性負荷を所定の経過時間だけ充電し、該充電時点における前記駆動用トランジスタのソース端子の前記計測用電圧からの電圧上昇分を変化量として取得し、該変化量に基づいて前記駆動用トランジスタの駆動電流の電流値を取得し、
   前記計測用電圧と前記電流値とに基づいて前記駆動用トランジスタの閾値電圧に応じた特性値または移動度に応じた特性値を取得し、
   前記ゲート接続スイッチおよび前記ソース接続スイッチがオンされた状態において、前記取得した特性値と前記発光素子の発光量に応じた前記駆動用トランジスタの駆動電圧とに基づくデータ信号を前記データ線および前記ソース接続スイッチを介して前記駆動用トランジスタのソース端子に出力することによって前記容量素子に前記データ信号に応じた電圧を保持し、その後、前記ゲート接続スイッチおよび前記ソース接続スイッチをオフすることによって、前記容量素子に保持された電圧に応じた駆動電流を前記駆動用トランジスタによって前記発光素子に供給し、かつ前記取得した特性値を特性値記憶部に記憶し、
   前記走査駆動部により選択された行の画素回路のうちの選択されなかった非選択画素回路については、前記ゲート接続スイッチおよび前記ソース接続スイッチがオンされた状態において、前記特性値記憶部に前回の選択時に記憶された特性値と前記発光素子の発光量に応じた前記駆動用トランジスタの駆動電圧とに基づくデータ信号を前記非選択画素回路の前記駆動用トランジスタのソース端子に出力することによって前記容量素子に前記データ信号に応じた電圧を保持し、その後、前記ゲート接続スイッチおよび前記ソース接続スイッチをオフすることによって、前記容量素子に保持された電圧に応じた駆動電流を前記駆動用トランジスタによって前記発光素子に供給することを特徴とする表示装置の駆動制御方法。
5. 発光素子、該発光素子のアノード端子にソース端子が接続され、前記発光素子に駆動電流を流す駆動用トランジスタ、該駆動用トランジスタのゲート端子とソース端子との間に接続された容量素子、前記駆動用トランジスタのゲート端子と所定の電圧を供給する電圧源との間に接続されたゲート接続スイッチ、および前記駆動用トランジスタのソース端子と所定の信号を供給するデータ線との間に接続されたソース接続スイッチを有する画素回路が多数配列され、該画素回路の列毎に設けられたデータ線を有するアクティブマトリクス基板と、前記画素回路の行を順次選択し、該選択した行の画素回路の前記ゲート接続スイッチおよび前記ソース接続スイッチをオンする走査駆動部と、前記走査駆動部により１行目から最終行までの画素回路の行の選択を繰り返し行うことによってフレーム毎の前記データ信号に基づく画像を表示させる制御部とを備えた表示装置の駆動制御方法であって、
   前記１行目から最終行までの画素回路の行のうちの一部の画素回路行を前記フレーム毎に順次切り替えて選択し、
   該選択した選択画素回路行については、前記ゲート接続スイッチおよび前記ソース接続スイッチがオンされた状態において、予め設定された第１の計測用電圧を前記データ線および前記ソース接続スイッチを介して前記駆動用トランジスタのソース端子へ供給することによって、前記駆動用トランジスタに電流を流し、
   前記第１の計測用電圧の供給の停止後、前記駆動用トランジスタに流れた電流によって前記駆動用トランジスタのソース端子に接続された容量性負荷を所定の経過時間だけ充電し、該充電時点における前記駆動用トランジスタのソース端子の前記第１の計測用電圧からの電圧上昇分を第１の変化量として取得し、該第１の変化量に基づいて前記駆動用トランジスタの駆動電流の第１の電流値を取得し、
   かつ前記ゲート接続スイッチおよび前記ソース接続スイッチがオンされた状態において、予め設定された第２の計測用電圧を前記データ線および前記ソース接続スイッチを介して前記駆動用トランジスタのソース端子へ供給することによって、前記駆動用トランジスタに電流を流し、
   前記第２の計測用電圧の供給の停止後、前記駆動用トランジスタに流れた電流によって前記駆動用トランジスタのソース端子に接続された容量性負荷を所定の経過時間だけ充電し、該充電時点における前記駆動用トランジスタのソース端子の前記第２の計測用電圧からの電圧上昇分を第２の変化量として取得し、該第２の変化量に基づいて前記駆動用トランジスタの駆動電流の第２の電流値を取得し、
   前記第１の計測用電圧と前記第２の計測用電圧と前記第１の電流値と前記第２の電流値とに基づいて前記駆動用トランジスタの閾値電圧に応じた特性値および移動度に応じた特性値を取得し、
   前記ゲート接続スイッチおよび前記ソース接続スイッチがオンされた状態において、前記取得した特性値と前記発光素子の発光量に応じた前記駆動用トランジスタの駆動電圧とに基づくデータ信号を前記データ線および前記ソース接続スイッチを介して前記駆動用トランジスタのソース端子に出力することによって前記容量素子に前記データ信号に応じた電圧を保持し、その後、前記ゲート接続スイッチおよび前記ソース接続スイッチをオフすることによって、前記容量素子に保持された電圧に応じた駆動電流を前記駆動用トランジスタによって前記発光素子に供給し、かつ前記取得した特性値を特性値記憶部に記憶し、
   前記一部の画素回路行以外の選択されなかった非選択画素回路については、前記ゲート接続スイッチおよび前記ソース接続スイッチがオンされた状態において、前記特性値記憶部に前回の選択時に記憶された特性値と前記発光素子の発光量に応じた前記駆動用トランジスタの駆動電圧とに基づくデータ信号を前記非選択画素回路の前記駆動用トランジスタのソース端子に出力することによって前記容量素子に前記データ信号に応じた電圧を保持し、その後、前記ゲート接続スイッチおよび前記ソース接続スイッチをオフすることによって、前記容量素子に保持された電圧に応じた駆動電流を前記駆動用トランジスタによって前記発光素子に供給することを特徴とする表示装置の駆動制御方法。
6. 発光素子、該発光素子のアノード端子にソース端子が接続され、前記発光素子に駆動電流を流す駆動用トランジスタ、該駆動用トランジスタのゲート端子とソース端子との間に接続された容量素子、前記駆動用トランジスタのゲート端子と所定の電圧を供給する電圧源との間に接続されたゲート接続スイッチ、および前記駆動用トランジスタのソース端子と所定の信号を供給するデータ線との間に接続されたソース接続スイッチを有する画素回路が多数配列され、該画素回路の列毎に設けられたデータ線を有するアクティブマトリクス基板と、前記画素回路の行を順次選択し、該選択した行の画素回路の前記ゲート接続スイッチおよび前記ソース接続スイッチをＯＮする走査駆動部と、前記走査駆動部により１行目から最終行までの画素回路の行の選択を繰り返し行うことによってフレーム毎の前記データ信号に基づく画像を表示させる制御部とを備えた表示装置の駆動制御方法であって、
   前記１行目から最終行までの画素回路の行のうちの一部の画素回路行を前記フレーム毎に順次切り替えて選択し、
   該選択した選択画素回路行については、前記ゲート接続スイッチおよび前記ソース接続スイッチがオンされた状態において、予め設定された計測用電圧を前記データ線および前記ソース接続スイッチを介して前記駆動用トランジスタのソース端子へ供給することによって、前記駆動用トランジスタに電流を流し、
   前記計測用電圧の供給の停止後、前記駆動用トランジスタに流れた電流によって前記駆動用トランジスタのソース端子に接続された容量性負荷を所定の経過時間だけ充電し、該充電時点における前記駆動用トランジスタのソース端子の前記計測用電圧からの電圧上昇分を変化量として取得し、該変化量に基づいて前記駆動用トランジスタの駆動電流の電流値を取得し、
   前記計測用電圧と前記電流値とに基づいて前記駆動用トランジスタの閾値電圧に応じた特性値または移動度に応じた特性値を取得し、
   前記ゲート接続スイッチおよび前記ソース接続スイッチがオンされた状態において、前記取得した特性値と前記発光素子の発光量に応じた前記駆動用トランジスタの駆動電圧とに基づくデータ信号を前記データ線および前記ソース接続スイッチを介して前記駆動用トランジスタのソース端子に出力することによって前記容量素子に前記データ信号に応じた電圧を保持し、その後、前記ゲート接続スイッチおよび前記ソース接続スイッチをオフすることによって、前記容量素子に保持された電圧に応じた駆動電流を前記駆動用トランジスタによって前記発光素子に供給し、かつ前記取得した特性値を特性値記憶部に記憶し、
   前記一部の画素回路行以外の非選択画素回路行については、前記ゲート接続スイッチおよび前記ソース接続スイッチがオンされた状態において、前記特性値記憶部に前回の選択時に記憶された特性値と前記発光素子の発光量に応じた前記駆動用トランジスタの駆動電圧とに基づくデータ信号を前記非選択画素回路の前記駆動用トランジスタのソース端子に出力することによって前記容量素子に前記データ信号に応じた電圧を保持し、その後、前記ゲート接続スイッチおよび前記ソース接続スイッチをオフすることによって、前記容量素子に保持された電圧に応じた駆動電流を前記駆動用トランジスタによって前記発光素子に供給することを特徴とする表示装置の駆動制御方法。
7. 発光素子、該発光素子のアノード端子にソース端子が接続され、前記発光素子に駆動電流を流す駆動用トランジスタ、該駆動用トランジスタのゲート端子とソース端子との間に接続された容量素子、前記駆動用トランジスタのゲート端子と所定の電圧を供給する電圧源との間に接続されたゲート接続スイッチ、および前記駆動用トランジスタのソース端子と所定の信号を供給するデータ線との間に接続されたソース接続スイッチを有する画素回路が多数配列され、該画素回路の列毎に設けられたデータ線を有するアクティブマトリクス基板と、
   前記ゲート接続スイッチおよび前記ソース接続スイッチがオンされた状態において、予め設定された第１の計測用電圧を前記データ線および前記ソース接続スイッチを介して前記駆動用トランジスタのソース端子へ供給することによって、前記駆動用トランジスタに電流を流し、前記第１の計測用電圧の供給の停止後、前記駆動用トランジスタに流れた電流によって前記駆動用トランジスタのソース端子に接続された容量性負荷を所定の経過時間だけ充電し、該充電時点における前記駆動用トランジスタのソース端子の前記第１の計測用電圧からの電圧上昇分を第１の変化量として取得し、該第１の変化量に基づいて前記駆動用トランジスタの駆動電流の第１の電流値を取得し、かつ前記ゲート接続スイッチおよび前記ソース接続スイッチがオンされた状態において、予め設定された第２の計測用電圧を前記データ線および前記ソース接続スイッチを介して前記駆動用トランジスタのソース端子へ供給することによって、前記駆動用トランジスタに電流を流し、前記第２の計測用電圧の供給の停止後、前記駆動用トランジスタに流れた電流によって前記駆動用トランジスタのソース端子に接続された容量性負荷を所定の経過時間だけ充電し、該充電時点における前記駆動用トランジスタのソース端子の前記第２の計測用電圧からの電圧上昇分を第２の変化量として取得し、該第２の変化量に基づいて前記駆動用トランジスタの駆動電流の第２の電流値を取得する電流値取得部、前記第１の計測用電圧と前記第２の計測用電圧と前記第１の電流値と前記第２の電流値とに基づいて前記駆動用トランジスタの閾値電圧に応じた特性値および移動度に応じた特性値を取得する特性値取得部、および前記ゲート接続スイッチおよび前記ソース接続スイッチがオンされた状態において、前記特性値取得部によって取得された特性値と前記発光素子の発光量に応じた前記駆動用トランジスタの駆動電圧とに基づくデータ信号を前記データ線および前記ソース接続スイッチを介して前記駆動用トランジスタのソース端子に出力するデータ信号出力部を有するソース駆動回路とを備え、
   前記データ信号出力部からの前記駆動用トランジスタのソース端子への前記データ信号の出力によって前記容量素子に前記データ信号に応じた電圧を保持し、その後、前記ゲート接続スイッチおよび前記ソース接続スイッチをオフすることによって、前記容量素子に保持された電圧に応じた駆動電流を前記駆動用トランジスタによって前記発光素子に供給するものであることを特徴とする表示装置。
8. 発光素子、該発光素子のアノード端子にソース端子が接続され、前記発光素子に駆動電流を流す駆動用トランジスタ、該駆動用トランジスタのゲート端子とソース端子との間に接続された容量素子、前記駆動用トランジスタのゲート端子と所定の電圧を供給する電圧源との間に接続されたゲート接続スイッチ、および前記駆動用トランジスタのソース端子と所定の信号を供給するデータ線との間に接続されたソース接続スイッチを有する画素回路が多数配列され、該画素回路の列毎に設けられたデータ線を有するアクティブマトリクス基板と、
   前記ゲート接続スイッチおよび前記ソース接続スイッチがオンされた状態において、予め設定された計測用電圧を前記データ線および前記ソース接続スイッチを介して前記駆動用トランジスタのソース端子へ供給することによって、前記駆動用トランジスタに電流を流し、前記計測用電圧の供給の停止後、前記駆動用トランジスタに流れた電流によって前記駆動用トランジスタのソース端子に接続された容量性負荷を所定の経過時間だけ充電し、該充電時点における前記駆動用トランジスタのソース端子の前記計測用電圧からの電圧上昇分を変化量として取得し、該変化量に基づいて前記駆動用トランジスタの駆動電流の電流値を取得する電流値取得部、前記計測用電圧と前記電流値とに基づいて前記駆動用トランジスタの閾値電圧に応じた特性値または移動度に応じた特性値を取得する特性値取得部、および前記ゲート接続スイッチおよび前記ソース接続スイッチがオンされた状態において、前記特性値取得部によって取得された特性値と前記発光素子の発光量に応じた前記駆動用トランジスタの駆動電圧とに基づくデータ信号を前記データ線および前記ソース接続スイッチを介して前記駆動用トランジスタのソース端子に出力するデータ信号出力部を有するソース駆動回路とを備え、
   前記データ信号出力部からの前記駆動用トランジスタのソース端子への前記データ信号の出力によって前記容量素子に前記データ信号に応じた電圧を保持し、その後、前記ゲート接続スイッチおよび前記ソース接続スイッチをオフすることによって、前記容量素子に保持された電圧に応じた駆動電流を前記駆動用トランジスタによって前記発光素子に供給するものであることを特徴とする表示装置。
9. 発光素子、該発光素子のアノード端子にソース端子が接続され、前記発光素子に駆動電流を流す駆動用トランジスタ、該駆動用トランジスタのゲート端子とソース端子との間に接続された容量素子、前記駆動用トランジスタのゲート端子と所定の電圧を供給する電圧源との間に接続されたゲート接続スイッチ、および前記駆動用トランジスタのソース端子と所定の信号を供給するデータ線との間に接続されたソース接続スイッチを有する画素回路が多数配列され、該画素回路の列毎に設けられたデータ線を有するアクティブマトリクス基板と、
   前記画素回路の行を順次選択し、該選択した行の画素回路の前記ゲート接続スイッチおよび前記ソース接続スイッチをオンする走査駆動部と、
   前記ゲート接続スイッチおよび前記ソース接続スイッチがオンされた状態において、予め設定された第１の計測用電圧を前記データ線および前記ソース接続スイッチを介して前記駆動用トランジスタのソース端子へ供給することによって、前記駆動用トランジスタに電流を流し、前記第１の計測用電圧の供給の停止後、前記駆動用トランジスタに流れた電流によって前記駆動用トランジスタのソース端子に接続された容量性負荷を所定の経過時間だけ充電し、該充電時点における前記駆動用トランジスタのソース端子の前記第１の計測用電圧からの電圧上昇分を第１の変化量として取得し、該第１の変化量に基づいて前記駆動用トランジスタの駆動電流の第１の電流値を取得し、かつ前記ゲート接続スイッチおよび前記ソース接続スイッチがオンされた状態において、予め設定された第２の計測用電圧を前記データ線および前記ソース接続スイッチを介して前記駆動用トランジスタのソース端子へ供給することによって、前記駆動用トランジスタに電流を流し、前記第２の計測用電圧の供給の停止後、前記駆動用トランジスタに流れた電流によって前記駆動用トランジスタのソース端子に接続された容量性負荷を所定の経過時間だけ充電し、該充電時点における前記駆動用トランジスタのソース端子の前記第２の計測用電圧からの電圧上昇分を第２の変化量として取得し、該第２の変化量に基づいて前記駆動用トランジスタの駆動電流の第２の電流値を取得する電流値取得部、前記第１の計測用電圧と前記第２の計測用電圧と前記第１の電流値と前記第２の電流値とに基づいて前記駆動用トランジスタの閾値電圧に応じた特性値および移動度に応じた特性値を取得する特性値取得部、および前記ゲート接続スイッチおよび前記ソース接続スイッチがオンされた状態において、前記特性値取得部によって取得された特性値と前記発光素子の発光量に応じた前記駆動用トランジスタの駆動電圧とに基づくデータ信号を前記データ線および前記ソース接続スイッチを介して前記駆動用トランジスタのソース端子に出力するデータ信号出力部を有するソース駆動部と、
   全ての前記画素回路の駆動用トランジスタの前記特性値を記憶する特性値記憶部と、
   前記走査駆動部により１行目から最終行までの画素回路の行の選択を繰り返し行い、
   かつ該選択された画素回路の行毎について、前記データ信号出力部からの前記駆動用トランジスタのソース端子への前記データ信号の出力によって前記容量素子に前記データ信号に応じた電圧を保持させ、その後、前記ゲート接続スイッチおよび前記ソース接続スイッチをオフすることによって、前記容量素子に保持された電圧に応じた駆動電流を前記駆動用トランジスタによって前記発光素子に供給させることによって、フレーム毎の前記データ信号に基づく画像を表示させる制御部とを備え、
   前記電流値取得部が、前記走査駆動部により選択された行の画素回路のうちの一部の画素回路を前記フレーム毎に順次切り替えて選択し、該選択した画素回路について前記第１の電流値と前記第２の電流値とを取得するものであり、
   前記特性値取得部が、前記電流取得部により選択された画素回路について前記特性値を取得し、該取得した特性値を前記特性値記憶部に出力して該特性値記憶部に前に記憶された前記選択された画素回路についての特性値を更新するものであり、
   前記データ信号出力部が、前記電流値取得部により選択された選択画素回路については、該選択時に前記特性値取得部により取得された特性値と前記発光素子の発光量に応じた前記駆動用トランジスタの駆動電圧とに基づくデータ信号を前記選択画素回路の前記駆動用トランジスタのソース端子に出力し、前記電流値取得部により選択されなかった非選択画素回路については、前記特性値記憶部に前回の選択時に記憶された特性値と前記発光素子の発光量に応じた前記駆動用トランジスタの駆動電圧とに基づくデータ信号を前記非選択画素回路の前記駆動用トランジスタのソース端子に出力するものであることを特徴とする表示装置。
10. 発光素子、該発光素子のアノード端子にソース端子が接続され、前記発光素子に駆動電流を流す駆動用トランジスタ、該駆動用トランジスタのゲート端子とソース端子との間に接続された容量素子、前記駆動用トランジスタのゲート端子と所定の電圧を供給する電圧源との間に接続されたゲート接続スイッチ、および前記駆動用トランジスタのソース端子と所定の信号を供給するデータ線との間に接続されたソース接続スイッチを有する画素回路が多数配列され、該画素回路の列毎に設けられたデータ線を有するアクティブマトリクス基板と、
    前記画素回路の行を順次選択し、該選択した行の画素回路の前記ゲート接続スイッチおよび前記ソース接続スイッチをオンする走査駆動部と、
    前記ゲート接続スイッチおよび前記ソース接続スイッチがオンされた状態において、予め設定された計測用電圧を前記データ線および前記ソース接続スイッチを介して前記駆動用トランジスタのソース端子へ供給することによって、前記駆動用トランジスタに電流を流し、前記計測用電圧の供給の停止後、前記駆動用トランジスタに流れた電流によって前記駆動用トランジスタのソース端子に接続された容量性負荷を所定の経過時間だけ充電し、該充電時点における前記駆動用トランジスタのソース端子の前記計測用電圧からの電圧上昇分を変化量として取得し、該変化量に基づいて前記駆動用トランジスタの駆動電流の電流値を取得する電流値取得部、前記計測用電圧と前記電流値とに基づいて前記駆動用トランジスタの閾値電圧に応じた特性値または移動度に応じた特性値を取得する特性値取得部、および前記ゲート接続スイッチおよび前記ソース接続スイッチがオンされた状態において、前記特性値取得部によって取得された特性値と前記発光素子の発光量に応じた前記駆動用トランジスタの駆動電圧とに基づくデータ信号を前記データ線および前記ソース接続スイッチを介して前記駆動用トランジスタのソース端子に出力するデータ信号出力部を有するソース駆動部と、
    全ての前記画素回路の駆動用トランジスタの前記特性値を記憶する特性値記憶部と、
    前記走査駆動部により１行目から最終行までの画素回路の行の選択を繰り返し行い、かつ該選択された画素回路の行毎について、前記データ信号出力部からの前記駆動用トランジスタのソース端子への前記データ信号の出力によって前記容量素子に前記データ信号に応じた電圧を保持させ、その後、前記ゲート接続スイッチおよび前記ソース接続スイッチをオフすることによって、前記容量素子に保持された電圧に応じた駆動電流を前記駆動用トランジスタによって前記発光素子に供給させることによって、フレーム毎の前記データ信号に基づく画像を表示させる制御部とを備え、
    前記電流値取得部が、前記走査駆動部により選択された行の画素回路のうちの一部の画素回路を前記フレーム毎に順次切り替えて選択し、該選択した画素回路について前記電流値を取得するものであり、
    前記特性値取得部が、前記電流取得部により選択された画素回路について前記特性値を取得し、該取得した特性値を前記特性値記憶部に出力して該特性値記憶部に前に記憶された前記選択された画素回路についての特性値を更新するものであり、
    前記データ信号出力部が、前記電流値取得部により選択された選択画素回路については、該選択時に前記特性値取得部により取得された特性値と前記発光素子の発光量に応じた前記駆動用トランジスタの駆動電圧とに基づくデータ信号を前記選択画素回路の前記駆動用トランジスタのソース端子に出力し、前記電流値取得部により選択されなかった非選択画素回路については、前記特性値記憶部に前回の選択時に記憶された特性値と前記発光素子の発光量に応じた前記駆動用トランジスタの駆動電圧とに基づくデータ信号を前記非選択画素回路の前記駆動用トランジスタのソース端子に出力するものであることを特徴とする表示装置。
11. 発光素子、該発光素子のアノード端子にソース端子が接続され、前記発光素子に駆動電流を流す駆動用トランジスタ、該駆動用トランジスタのゲート端子とソース端子との間に接続された容量素子、前記駆動用トランジスタのゲート端子と所定の電圧を供給する電圧源との間に接続されたゲート接続スイッチ、および前記駆動用トランジスタのソース端子と所定の信号を供給するデータ線との間に接続されたソース接続スイッチを有する画素回路が多数配列され、該画素回路の列毎に設けられたデータ線を有するアクティブマトリクス基板と、
    前記画素回路の行を順次選択し、該選択した行の画素回路の前記ゲート接続スイッチおよび前記ソース接続スイッチをオンする走査駆動部と、
    前記ゲート接続スイッチおよび前記ソース接続スイッチがオンされた状態において、予め設定された第１の計測用電圧を前記データ線および前記ソース接続スイッチを介して前記駆動用トランジスタのソース端子へ供給することによって、前記駆動用トランジスタに電流を流し、前記第１の計測用電圧の供給の停止後、前記駆動用トランジスタに流れた電流によって前記駆動用トランジスタのソース端子に接続された容量性負荷を所定の経過時間だけ充電し、該充電時点における前記駆動用トランジスタのソース端子の前記第１の計測用電圧からの電圧上昇分を第１の変化量として取得し、該第１の変化量に基づいて前記駆動用トランジスタの駆動電流の第１の電流値を取得し、かつ前記ゲート接続スイッチおよび前記ソース接続スイッチがオンされた状態において、予め設定された第２の計測用電圧を前記データ線および前記ソース接続スイッチを介して前記駆動用トランジスタのソース端子へ供給することによって、前記駆動用トランジスタに電流を流し、前記第２の計測用電圧の供給の停止後、前記駆動用トランジスタに流れた電流によって前記駆動用トランジスタのソース端子に接続された容量性負荷を所定の経過時間だけ充電し、該充電時点における前記駆動用トランジスタのソース端子の前記第２の計測用電圧からの電圧上昇分を第２の変化量として取得し、該第２の変化量に基づいて前記駆動用トランジスタの駆動電流の第２の電流値を取得する電流値取得部、前記第１の計測用電圧と前記第２の計測用電圧と前記第１の電流値と前記第２の電流値とに基づいて前記駆動用トランジスタの閾値電圧に応じた特性値および移動度に応じた特性値を取得する特性値取得部、および前記ゲート接続スイッチおよび前記ソース接続スイッチがオンされた状態において、前記特性値取得部によって取得された特性値と前記発光素子の発光量に応じた前記駆動用トランジスタの駆動電圧とに基づくデータ信号を前記データ線および前記ソース接続スイッチを介して前記駆動用トランジスタのソース端子に出力するデータ信号出力部を有するソース駆動部と、
    全ての前記画素回路の駆動用トランジスタの前記特性値を記憶する特性値記憶部と、
    前記走査駆動部により１行目から最終行までの画素回路の行の選択を繰り返し行い、かつ該選択された画素回路の行毎について、前記データ信号出力部からの前記駆動用トランジスタのソース端子への前記データ信号の出力によって前記容量素子に前記データ信号に応じた電圧を保持させ、その後、前記ゲート接続スイッチおよび前記ソース接続スイッチをオフすることによって、前記容量素子に保持された電圧に応じた駆動電流を前記駆動用トランジスタによって前記発光素子に供給させることによって、フレーム毎の前記データ信号に基づく画像を表示させる制御部とを備え、
    前記電流値取得部が、前記１行目から最終行までの画素回路の行のうちの一部の画素回路行を前記フレーム毎に順次切り替えて選択し、該選択した画素回路行について前記第１の電流値と前記第２の電流値とを取得するものであり、
    前記特性値取得部が、前記電流取得部により選択された画素回路行について前記特性値を取得し、該取得した特性値を前記特性値記憶部に出力して該特性値記憶部に前に記憶された前記選択された画素回路行についての特性値を更新するものであり、
    前記データ信号出力部が、前記電流値取得部により選択された選択画素回路行については、該選択時に前記特性値取得部により取得された特性値と前記発光素子の発光量に応じた前記駆動用トランジスタの駆動電圧とに基づくデータ信号を前記選択画素回路行の前記駆動用トランジスタのソース端子に出力し、前記電流値取得部により選択されなかった非選択画素回路行については、前記特性値記憶部に前回の選択時に記憶された特性値と前記発光素子の発光量に応じた前記駆動用トランジスタの駆動電圧とに基づくデータ信号を前記非選択画素回路行の前記駆動用トランジスタのソース端子に出力するものであることを特徴とする表示装置。
12. 発光素子、該発光素子のアノード端子にソース端子が接続され、前記発光素子に駆動電流を流す駆動用トランジスタ、該駆動用トランジスタのゲート端子とソース端子との間に接続された容量素子、前記駆動用トランジスタのゲート端子と所定の電圧を供給する電圧源との間に接続されたゲート接続スイッチ、および前記駆動用トランジスタのソース端子と所定の信号を供給するデータ線との間に接続されたソース接続スイッチを有する画素回路が多数配列され、該画素回路の列毎に設けられたデータ線を有するアクティブマトリクス基板と、
    前記画素回路の行を順次選択し、該選択した行の画素回路の前記ゲート接続スイッチおよび前記ソース接続スイッチをオンする走査駆動部と、
    前記ゲート接続スイッチおよび前記ソース接続スイッチがオンされた状態において、予め設定された計測用電圧を前記データ線および前記ソース接続スイッチを介して前記駆動用トランジスタのソース端子へ供給することによって、前記駆動用トランジスタに電流を流し、前記計測用電圧の供給の停止後、前記駆動用トランジスタに流れた電流によって前記駆動用トランジスタのソース端子に接続された容量性負荷を所定の経過時間だけ充電し、該充電時点における前記駆動用トランジスタのソース端子の前記計測用電圧からの電圧上昇分を変化量として取得し、該変化量に基づいて前記駆動用トランジスタの駆動電流の電流値を取得する電流値取得部、前記計測用電圧と前記電流値とに基づいて前記駆動用トランジスタの閾値電圧に応じた特性値または移動度に応じた特性値を取得する特性値取得部、および該特性値取得部により取得された特性値と前記発光素子の発光量に応じた前記駆動用トランジスタの駆動電圧とに基づくデータ信号を前記データ線および前記ソース接続スイッチを介して前記駆動用トランジスタのソース端子に出力するデータ信号出力部を有するソース駆動部と、
    全ての前記画素回路の駆動用トランジスタの前記特性値を記憶する特性値記憶部と、
    前記走査駆動部により１行目から最終行までの画素回路の行の選択を繰り返し行い、かつ該選択された画素回路の行毎について、前記データ信号出力部からの前記駆動用トランジスタのソース端子への前記データ信号の出力によって前記容量素子に前記データ信号に応じた電圧を保持させ、その後、前記ゲート接続スイッチおよび前記ソース接続スイッチをオフすることによって、前記容量素子に保持された電圧に応じた駆動電流を前記駆動用トランジスタによって前記発光素子に供給させることによって、フレーム毎の前記データ信号に基づく画像を表示させる制御部とを備え、
    前記電流値取得部が、前記１行目から最終行までの画素回路の行のうちの一部の画素回路行を前記フレーム毎に順次切り替えて選択し、該選択した画素回路行について前記電流値を取得するものであり、
    前記特性値取得部が、前記電流取得部により選択された画素回路行について前記特性値を取得し、該取得した特性値を前記特性値記憶部に出力して該特性値記憶部に前に記憶された前記選択された画素回路行についての特性値を更新するものであり、
    前記データ信号出力部が、前記電流値取得部により選択された選択画素回路行については、該選択時に前記特性値取得部により取得された特性値と前記発光素子の発光量に応じた前記駆動用トランジスタの駆動電圧とに基づくデータ信号を前記選択画素回路行の前記駆動用トランジスタのソース端子に出力し、前記電流値取得部により選択されなかった非選択画素回路行については、前記特性値記憶部に前回の選択時に記憶された特性値と前記発光素子の発光量に応じた前記駆動用トランジスタの駆動電圧とに基づくデータ信号を前記非選択画素回路行の前記駆動用トランジスタのソース端子に出力するものであることを特徴とする表示装置。
13. 前記駆動用トランジスタに出力されるデータ信号に応じた大きさの逆バイアス電圧を前記駆動用トランジスタのゲート端子に供給する逆バイアス電圧出力部をさらに備えたことを特徴とする請求項７から１２いずれか１項記載の表示装置。
14. 前記駆動用トランジスタが、閾値電圧が負電圧の電流特性を有する薄膜トランジスタにより構成されたものであることを特徴とする請求項１３記載の表示装置。
15. 前記駆動用トランジスタが、ＩＧＺＯ（ＩｎＧａＺｎＯ）からなる薄膜トランジスタにより構成されたものであることを特徴とする請求項７から１４いずれか１項記載の表示装置。
16. 前記電流値取得部により選択される一部の画素回路が、１つの表示画素に属する赤の前記発光素子を有する画素回路と緑の前記発光素子を有する画素回路と青の前記発光素子を有する画素回路であることを特徴とする請求項９または１０記載の表示装置。
17. 前記発光素子のカソード端子に、前記逆バイアス電圧印加期間と該逆バイアス電圧印加期間以外の期間とで異なる電圧を供給する共通電極線が接続されていることを特徴とする請求項１３または１４記載の表示装置。
18. 前記容量性負荷が、前記発光素子の寄生容量であることを特徴とする請求項１から６いずれか１項記載の表示装置の駆動制御方法。
19. 前記容量性負荷が、前記発光素子の寄生容量であることを特徴とする請求項７から１７いずれか１項記載の表示装置。