JP6460614B1 - トランジスタ、半導体装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】酸化物半導体を用いたプレナー型のトランジスタと、該トランジスタに接続され
る容量素子と、を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】トランジスタと容量素子とを有する半導体装置であって、トランジスタは、
酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜上のゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上のゲート電極と
、ゲート電極上の第２の絶縁膜と、第２の絶縁膜上の第３の絶縁膜と、第３の絶縁膜上の
ソース電極及びドレイン電極と、を有し、ソース電極及びドレイン電極は酸化物半導体膜
と電気的に接続され、容量素子は、第１の導電膜と、第２の導電膜と、第２の絶縁膜とを
有し、第１の導電膜は、ゲート電極と同一表面上に設けられ、第２の導電膜は、ソース電
極及びドレイン電極と同一表面上に設けられ、第２の絶縁膜は、第１の導電膜と第２の導
電膜との間に設けられる。
【選択図】図１

Description

本発明の一態様は、酸化物半導体膜を用いた半導体装置及び該半導体装置を用いた表示
装置に関する。
なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本明細書等で開示する発明
の一態様の技術分野は、物、方法、または、製造方法に関する。または、本発明は、プロ
セス、マシン、マニュファクチャ、または、組成物（コンポジション・オブ・マター）に
関する。特に、本発明の一態様は、半導体装置、表示装置、発光装置、蓄電装置、記憶装
置、それらの駆動方法、またはそれらの製造方法に関する。
なお、本明細書等において、半導体装置とは、半導体特性を利用することで機能しうる
装置全般を指す。トランジスタなどの半導体素子をはじめ、半導体回路、演算装置、記憶
装置は、半導体装置の一態様である。撮像装置、表示装置、液晶表示装置、発光装置、電
気光学装置、発電装置（薄膜太陽電池、有機薄膜太陽電池等を含む）、及び電子機器は、
半導体装置を有している場合がある。
絶縁表面を有する基板上に形成された半導体薄膜を用いてトランジスタ（電界効果トラ
ンジスタ（ＦＥＴ）、または薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）ともいう）を構成する技術が注
目されている。該トランジスタは集積回路（ＩＣ）や画像表示装置（表示装置）のような
電子デバイスに広く応用されている。トランジスタに適用可能な半導体薄膜としてシリコ
ンを代表とする半導体材料が広く知られているが、その他の材料として酸化物半導体が注
目されている。
例えば、酸化物半導体として、Ｉｎ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｓｎなどを含む非晶質酸化物を用い
てトランジスタを作製する技術が開示されている（特許文献１参照）。また、自己整列ト
ップゲート構造を有する酸化物薄膜のトランジスタを作製する技術が開示されている（特
許文献２参照）。
特開２００６−１６５５２９号公報 特開２００９−２７８１１５号公報
酸化物半導体膜を用いたトランジスタとしては、例えば、逆スタガ型（ボトムゲート構
造ともいう）またはプレナー型（トップゲート構造ともいう）等が挙げられる。酸化物半
導体膜を用いたトランジスタを表示装置に適用する場合、プレナー型のトランジスタより
も逆スタガ型のトランジスタの方が、作製工程が比較的簡単であり製造コストを抑えられ
るため、利用される場合が多い。しかしながら、表示装置の画面の大型化、または表示装
置の画質の高精細化（例えば、４ｋ×２ｋ（水平方向画素数＝３８４０画素、垂直方向画
素数＝２１６０画素）または８ｋ×４ｋ（水平方向画素数＝７６８０画素、垂直方向画素
数＝４３２０画素）に代表される高精細な表示装置）が進むと、逆スタガ型のトランジス
タでは、ゲート電極とソース電極及びドレイン電極との間の寄生容量があるため、該寄生
容量によって信号遅延等が大きくなり、表示装置の画質が劣化するという問題があった。
また、逆スタガ型のトランジスタの場合、プレナー型のトランジスタと比較して、トラン
ジスタの占有面積が大きくなるといった問題がある。そこで、酸化物半導体膜を用いたプ
レナー型のトランジスタについて、安定した半導体特性及び高い信頼性を有する構造で、
且つ簡単な作製工程で形成されるトランジスタの開発が望まれている。
また、表示装置の画面の大型化、または表示装置の画質の高精細化が進むと、表示装置
の画素に形成されるトランジスタと、該トランジスタに接続される容量素子の構成が重要
となる。容量素子は、画素に書き込まれたデータを保持する保持容量としての機能を有す
る。容量素子の構成によっては、画素に書き込まれたデータを保持できず、表示装置の画
質が劣化するという問題があった。
上記問題に鑑み、本発明の一態様は、酸化物半導体を用いたトランジスタを有する新規
な半導体装置を提供することを課題の１つとする。とくに、酸化物半導体を用いたプレナ
ー型のトランジスタを有する半導体装置を提供することを課題の１つとする。または、酸
化物半導体を用いたプレナー型のトランジスタと、該トランジスタに接続される容量素子
と、を有する半導体装置を提供することを課題の１つとする。または酸化物半導体を用い
たオン電流が大きいトランジスタを有する半導体装置を提供することを課題の１つとする
。または酸化物半導体を用いたオフ電流が小さいトランジスタを有する半導体装置を提供
することを課題の１つとする。または酸化物半導体を用いた占有面積の小さいトランジス
タを有する半導体装置を提供することを課題の１つとする。または酸化物半導体を用いた
安定な電気特性をもつトランジスタを有する半導体装置を提供することを課題の１つとす
る。または酸化物半導体を用いた信頼性の高いトランジスタを有する半導体装置を提供す
ることを課題の１つとする。または新規な半導体装置を提供することを課題の１つとする
。または新規な表示装置を提供することを課題の１つとする。
なお、上記の課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一
態様は、必ずしも、これらの課題の全てを解決する必要はない。上記以外の課題は、明細
書等の記載から自ずと明らかになるものであり、明細書等の記載から上記以外の課題を抽
出することが可能である。
本発明の一態様は、トランジスタと容量素子とを有する半導体装置であって、トランジ
スタは、酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜上のゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上のゲー
ト電極と、ゲート電極上の第２の絶縁膜と、第２の絶縁膜上の第３の絶縁膜と、第３の絶
縁膜上のソース電極と、第３の絶縁膜上のドレイン電極と、を有し、ソース電極は酸化物
半導体膜と電気的に接続され、ドレイン電極は酸化物半導体膜と電気的に接続され、容量
素子は、第１の導電膜と、第２の導電膜と、第２の絶縁膜とを有し、第１の導電膜は、ゲ
ート電極と同一表面上に設けられ、第２の導電膜は、ソース電極及びドレイン電極と同一
表面上に設けられ、第２の絶縁膜は、第１の導電膜と第２の導電膜との間に設けられる。
より詳細には以下の通りである。
本発明の一態様は、トランジスタと容量素子とを有する半導体装置であって、トランジ
スタは、第１の絶縁膜上の酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜上のゲート絶縁膜と、ゲー
ト絶縁膜上のゲート電極と、ゲート電極上の第２の絶縁膜と、第２の絶縁膜上の第３の絶
縁膜と、第３の絶縁膜上のソース電極と、第３の絶縁膜上のドレイン電極と、を有し、第
１の絶縁膜は、酸素を有し、第２の絶縁膜は、窒素を有し、ソース電極は、酸化物半導体
膜と電気的に接続され、ドレイン電極は、酸化物半導体膜と電気的に接続され、容量素子
は、第１の導電膜と、第２の導電膜と、第２の絶縁膜とを有し、第１の導電膜は、ゲート
電極と同一表面上に設けられ、第２の導電膜は、ソース電極及びドレイン電極と同一表面
上に設けられ、第２の絶縁膜は、第１の導電膜と第２の導電膜との間に設けられる。
また、本発明の他の一態様は、トランジスタと容量素子とを有する半導体装置であって
、トランジスタは、第１の絶縁膜上の第１のゲート電極と、第１のゲート電極上の第１の
ゲート絶縁膜と、第１のゲート絶縁膜上の酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜上の第２の
ゲート絶縁膜と、第２のゲート絶縁膜上の第２のゲート電極と、第２のゲート電極上の第
２の絶縁膜と、第２の絶縁膜上の第３の絶縁膜と、第３の絶縁膜上のソース電極と、第３
の絶縁膜上のドレイン電極と、を有し、第１のゲート絶縁膜は、酸素を有し、第２の絶縁
膜は、窒素を有し、ソース電極は、酸化物半導体膜と電気的に接続され、ドレイン電極は
、酸化物半導体膜と電気的に接続され、容量素子は、第１の導電膜と、第２の導電膜と、
第２の絶縁膜とを有し、第１の導電膜は、第２のゲート電極と同一表面上に設けられ、第
２の導電膜は、ソース電極及びドレイン電極と同一表面上に設けられ、第２の絶縁膜は、
第１の導電膜と第２の導電膜との間に設けられる。
また、上記態様において、酸化物半導体膜は、第１の領域と、第２の領域とを有し、第
１の領域は、ゲート電極と重なる領域を有し、第２の領域は、ゲート電極と重ならない領
域を有し、第１の領域は、不純物元素の濃度が第１の濃度である部分を有し、第２の領域
は、不純物元素の濃度が第２の濃度である部分を有し、第１の濃度は、第２の濃度と異な
ると好ましい。また、上記態様において、酸化物半導体膜は、第１の領域と、第２の領域
とを有し、第１の領域は、第２のゲート電極と重なる領域を有し、第２の領域は、第２の
ゲート電極と重ならない領域を有し、第１の領域は、不純物元素の濃度が第１の濃度であ
る部分を有し、第２の領域は、不純物元素の濃度が第２の濃度である部分を有し、第１の
濃度は、第２の濃度と異なると好ましい。
また、上記態様において、不純物元素は、水素、ホウ素、炭素、窒素、フッ素、アルミ
ニウム、シリコン、リン、塩素、または希ガス元素の１以上を有すると好ましい。また、
上記態様において、不純物元素は、アルゴンと水素とを有すると好ましい。
また、上記態様において、第２の領域は、第２の絶縁膜と接する領域を有すると好まし
い。また、上記態様において、第２の領域は、第１の領域よりも不純物元素の濃度が高い
領域を有すると好ましい。また、上記態様において、第１の領域は、第２の領域よりも結
晶性が高い領域を有すると好ましい。
また、上記態様において、酸化物半導体膜は、酸素と、Ｉｎと、Ｚｎと、Ｍ（Ｍは、Ｔ
ｉ、Ｇａ、Ｙ、Ｚｒ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、またはＨｆ）とを有すると好ましい。また、上
記態様において、酸化物半導体膜は、結晶部を含み、結晶部はｃ軸配向性を有し、ｃ軸が
酸化物半導体膜の被形成面の法線ベクトルに平行である部分を有すると好ましい。
また、本発明の他の一態様は、上記態様にいずれか一つに記載の半導体装置と表示素子
とを有する表示装置である。また、本発明の他の一態様は、該表示装置とタッチセンサと
を有する表示モジュールである。また、本発明の他の一態様は、上記態様にいずれか一つ
に記載の半導体装置、上記表示装置、または上記表示モジュールと、操作キーまたはバッ
テリとを有する電子機器である。
本発明の一態様により、酸化物半導体を用いたトランジスタを有する新規な半導体装置
を提供することができる。とくに、酸化物半導体を用いたプレナー型のトランジスタを有
する半導体装置を提供することができる。または、酸化物半導体を用いたプレナー型のト
ランジスタと、該トランジスタに接続される容量素子と、を有する半導体装置を提供する
ことができる。または酸化物半導体を用いたオン電流が大きいトランジスタを有する半導
体装置を提供することができる。または酸化物半導体を用いたオフ電流が小さいトランジ
スタを有する半導体装置を提供することができる。または酸化物半導体を用いた占有面積
の小さいトランジスタを有する半導体装置を提供することができる。または酸化物半導体
を用いた安定な電気特性をもつトランジスタを有する半導体装置を提供することができる
。または酸化物半導体を用いた信頼性の高いトランジスタを有する半導体装置を提供する
ことができる。または新規な半導体装置を提供することができる。または新規な表示装置
を提供することができる。
なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。なお、本発明の
一態様は、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。なお、これら以外の効果
は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図
面、請求項などの記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。
半導体装置の一態様を示す上面図及び断面図。 半導体装置の一態様を示す断面図。 半導体装置の一態様を示す断面図。 半導体装置の一態様を示す断面図。 半導体装置の一態様を示す上面図及び断面図。 半導体装置の一態様を示す断面図。 半導体装置の一態様を示す断面図。 半導体装置の一態様を示す断面図。 半導体装置の一態様を示す断面図。 半導体装置の一態様を示す断面図。 半導体装置の一態様を示す断面図、及びバンド構造の一態様を示す図。 半導体装置の作製工程の一例を示す断面図。 半導体装置の作製工程の一例を示す断面図。 半導体装置の作製工程の一例を示す断面図。 半導体装置の作製工程の一例を示す断面図。 半導体装置の作製工程の一例を示す断面図。 酸化物半導体の断面ＴＥＭ像及び局所的なフーリエ変換像。 酸化物半導体膜のナノビーム電子回折パターンを示す図、及び透過電子回折測定装置の一例を示す図。 透過電子回折測定による構造解析の一例を示す図、及び平面ＴＥＭ像。 計算モデルを説明する図。 初期状態と最終状態を説明する図。 活性化障壁を説明する図。 初期状態と最終状態を説明する図。 活性化障壁を説明する図。 ＶｏＨの遷移レベルを説明する図。 表示装置の一態様を示す上面図。 表示装置の一態様を示す断面図。 表示装置の一態様を示す断面図。 発光装置の画素部の構成について説明する図。 半導体装置の断面図。 表示装置の上面図及び回路図。 表示装置の回路図及びタイミングチャート。 表示装置の回路図及びタイミングチャート。 表示装置の回路図及びタイミングチャート。 表示装置の回路図及びタイミングチャート。 表示モジュールを説明する図。 電子機器を説明する図。 実施例における断面ＴＥＭ像。 抵抗率の温度依存性を説明する図。 ＣＡＡＣ−ＯＳの成膜モデルを説明する模式図、ペレットおよびＣＡＡＣ−ＯＳの断面図。 ｎｃ−ＯＳの成膜モデルを説明する模式図、およびペレットを示す図。 ペレットを説明する図。 被形成面においてペレットに加わる力を説明する図。 被形成面におけるペレットの動きを説明する図。 ＩｎＧａＺｎＯ４の結晶を説明する図。 原子が衝突する前のＩｎＧａＺｎＯ４の構造などを説明する図。 原子が衝突した後のＩｎＧａＺｎＯ４の構造などを説明する図。 原子が衝突した後の原子の軌跡を説明する図。 ＣＡＡＣ−ＯＳおよびターゲットの断面ＨＡＡＤＦ−ＳＴＥＭ像。
以下、実施の形態について図面を参照しながら説明する。但し、実施の形態は多くの異
なる態様で実施することが可能であり、趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態
及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は
、以下の実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
また、図面において、大きさ、層の厚さ、又は領域は、明瞭化のために誇張されている
場合がある。よって、必ずしもそのスケールに限定されない。なお図面は、理想的な例を
模式的に示したものであり、図面に示す形状又は値などに限定されない。
また、本明細書にて用いる「第１」、「第２」、「第３」という序数詞は、構成要素の
混同を避けるために付したものであり、数的に限定するものではないことを付記する。
また、本明細書において、「上に」、「下に」などの配置を示す語句は、構成同士の位
置関係を、図面を参照して説明するために、便宜上用いている。また、構成同士の位置関
係は、各構成を描写する方向に応じて適宜変化するものである。従って、明細書で説明し
た語句に限定されず、状況に応じて適切に言い換えることができる。
また、本明細書等において、トランジスタとは、ゲートと、ドレインと、ソースとを含
む少なくとも三つの端子を有する素子である。そして、ドレイン（ドレイン端子、ドレイ
ン領域またはドレイン電極）とソース（ソース端子、ソース領域またはソース電極）の間
にチャネル領域を有しており、ドレインとチャネル領域とソースとを介して電流を流すこ
とができるものである。なお、本明細書等において、チャネル領域とは、電流が主として
流れる領域をいう。
また、ソースやドレインの機能は、異なる極性のトランジスタを採用する場合や、回路
動作において電流の方向が変化する場合などには入れ替わることがある。このため、本明
細書等においては、ソースやドレインの用語は、入れ替えて用いることができるものとす
る。
また、本明細書等において、「電気的に接続」には、「何らかの電気的作用を有するも
の」を介して接続されている場合が含まれる。ここで、「何らかの電気的作用を有するも
の」は、接続対象間での電気信号の授受を可能とするものであれば、特に制限を受けない
。例えば、「何らかの電気的作用を有するもの」には、電極や配線をはじめ、トランジス
タなどのスイッチング素子、抵抗素子、インダクタ、キャパシタ、その他の各種機能を有
する素子などが含まれる。
（実施の形態１）
本実施の形態では、トランジスタと容量素子とを同一基板上に備える半導体装置、及び
該半導体装置の作製方法の一例について、図１乃至図１６を用いて説明する。
＜半導体装置の構成１＞
図１（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）（Ｄ）に、トランジスタと容量素子とを同一基板上に備える半
導体装置の一例を示す。なお、トランジスタは、トップゲート構造である。
図１（Ａ）は半導体装置が有するトランジスタ１００の上面図であり、図１（Ｂ）は半
導体装置が有する容量素子１５０の上面図であり、図１（Ｃ）は図１（Ａ）の一点鎖線Ｘ
１−Ｘ２間の断面図であり、図１（Ｄ）は図１（Ｂ）の一点鎖線Ｘ３−Ｘ４間の断面図で
ある。なお、図１（Ａ）（Ｂ）では、明瞭化のため、基板１０２、絶縁膜１０４、絶縁膜
１０８、絶縁膜１１８、絶縁膜１２０などを省略している。なお、トランジスタ及び容量
素子の上面図においては、以降の図面においても図１（Ａ）（Ｂ）と同様に、構成要素の
一部を省略して図示する場合がある。また、一点鎖線Ｘ１−Ｘ２方向をチャネル長方向、
一点鎖線Ｙ１−Ｙ２方向をチャネル幅方向と呼称する場合がある。
図１（Ａ）（Ｃ）に示すトランジスタ１００は、基板１０２上に形成された絶縁膜１０
８と、絶縁膜１０８上の酸化物半導体膜１１０と、酸化物半導体膜１１０上の絶縁膜１１
２と、絶縁膜１１２を介して酸化物半導体膜１１０と重なる導電膜１１４と、酸化物半導
体膜１１０、絶縁膜１１２、及び導電膜１１４を覆う絶縁膜１１８と、絶縁膜１１８上の
絶縁膜１２０と、絶縁膜１１８及び絶縁膜１２０に設けられる開口部１４０ａを介して、
酸化物半導体膜１１０に接続される導電膜１２２と、絶縁膜１１８及び絶縁膜１２０に設
けられる開口部１４０ｂを介して、酸化物半導体膜１１０に接続される導電膜１２４と、
を有する。なお、トランジスタ１００上には、絶縁膜１２０、導電膜１２２、及び導電膜
１２４、を覆う絶縁膜１２８を設けてもよい。
なお、図１（Ｃ）において、絶縁膜１０８は、絶縁膜１０８ａと、絶縁膜１０８ａ上の
絶縁膜１０８ｂの積層構造である。また、導電膜１１４は、導電膜１１４ａと、導電膜１
１４ａ上の導電膜１１４ｂの積層構造である。また、導電膜１２２は、導電膜１２２ａと
、導電膜１２２ａ上の導電膜１２２ｂの積層構造である。また、導電膜１２４は、導電膜
１２４ａと、導電膜１２４ａ上の導電膜１２４ｂの積層構造である。
トランジスタ１００において、導電膜１１４は、ゲート電極（トップゲート電極ともい
う）としての機能を有し、導電膜１２２は、ソース電極及びドレイン電極の一方の電極と
しての機能を有し、導電膜１２４は、ソース電極及びドレイン電極の他方の電極としての
機能を有する。また、トランジスタ１００において、絶縁膜１０８は、酸化物半導体膜１
１０の下地膜としての機能を有し、絶縁膜１１２は、ゲート絶縁膜としての機能を有する
。
また、図１（Ｂ）（Ｄ）に示す容量素子１５０は、基板１０２上に形成された絶縁膜１
０８と、絶縁膜１０８上の絶縁膜１１２と、絶縁膜１１２上の導電膜１１６と、絶縁膜１
０８、絶縁膜１１２、及び導電膜１１６を覆う絶縁膜１１８と、絶縁膜１１８上の絶縁膜
１２０と、絶縁膜１２０に設けられる開口部１４０ｃにおいて、絶縁膜１１８を介して導
電膜１１６と重なる導電膜１２６と、を有する。なお、容量素子１５０上には、絶縁膜１
２０及び導電膜１２６を覆う絶縁膜１２８と、を設けてもよい。
また、図１（Ｄ）において、絶縁膜１０８は、絶縁膜１０８ａと、絶縁膜１０８ａ上の
絶縁膜１０８ｂの積層構造である。また、導電膜１１６は、導電膜１１６ａと、導電膜１
１６ａ上の導電膜１１６ｂの積層構造である。また、導電膜１２６は、導電膜１２６ａと
、導電膜１２６ａ上の導電膜１２６ｂの積層構造である。
また、容量素子１５０は、一対の電極間に誘電体を挟持する構造である。より詳しくは
、一対の電極の一方が導電膜１１６であり、一対の電極の他方が導電膜１２６であり、導
電膜１１６と導電膜１２６の間の絶縁膜１１８が誘電体として機能する。
なお、トランジスタ１００のゲート電極として機能する導電膜１１４と、容量素子１５
０の一対の電極の一方として機能する導電膜１１６は、同じ工程で形成され、少なくとも
一部が同一表面上に形成される。また、トランジスタ１００のソース電極及びドレイン電
極として機能する導電膜１２２及び導電膜１２４と、容量素子１５０の一対の電極の他方
として機能する導電膜１２６は、同じ工程で形成され、少なくとも一部が同一表面上に形
成される。
このように、トランジスタ１００と容量素子１５０の各電極として機能する導電膜を同
一工程で形成することによって、製造コストを低減することが可能となる。
また、容量素子１５０において、絶縁膜１２０は、開口部１４０ｃを有している。した
がって、絶縁膜１１８及び絶縁膜１２０が積層された絶縁膜のうち、絶縁膜１１８のみを
誘電体として機能させている。このような構成とすることにより、容量素子１５０の容量
値を大きくすることが可能となる。したがって、表示装置の容量値を大きくすることが可
能となる。
次に、図１（Ａ）に示すトランジスタ１００の一点鎖線Ｙ１−Ｙ２方向（チャネル幅方
向）の断面図を図２に示す。
図２に示すように、チャネル幅方向において、導電膜１１４ａの端部は、導電膜１１４
ｂの端部よりも外側に位置する。また、絶縁膜１１２の端部は、導電膜１１４ａの端部よ
りも外側に位置する。また、絶縁膜１０８ｂは、絶縁膜１１２が重ならない領域に凹部を
有する。このような構造にすることで、絶縁膜１１８、１２０、１２８の被覆性を向上さ
せることができる。
次に、トランジスタ１００が有する酸化物半導体膜１１０の詳細について、以下説明を
行う。
トランジスタ１００の酸化物半導体膜１１０において、導電膜１１４と重ならない領域
には、酸素欠損を形成する元素を有する。以下、酸素欠損を形成する元素を、不純物元素
として説明する。不純物元素の代表例としては、水素、ホウ素、炭素、窒素、フッ素、ア
ルミニウム、シリコン、リン、塩素、希ガス元素等がある。希ガス元素の代表例としては
、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン及びキセノンがある。
不純物元素が酸化物半導体膜に添加されると、酸化物半導体膜中の金属元素及び酸素の
結合が切断され、酸素欠損が形成される。または、不純物元素が酸化物半導体膜に添加さ
れると、酸化物半導体膜中の金属元素と結合していた酸素が不純物元素と結合し、金属元
素から酸素が脱離され、酸素欠損が形成される。これらの結果、酸化物半導体膜において
キャリア密度が増加し、導電性が高くなる。
不純物元素の添加により酸素欠損が形成された酸化物半導体に水素を添加すると、酸素
欠損サイトに水素が入り伝導帯近傍にドナー準位が形成される。この結果、酸化物半導体
は、導電性が高くなり、導電体化する。導電体化された酸化物半導体を酸化物導電体とい
うことができる。一般に、酸化物半導体は、エネルギーギャップが大きいため、可視光に
対して透光性を有する。一方、酸化物導電体は、伝導帯近傍にドナー準位を有する酸化物
半導体である。したがって、該ドナー準位による吸収の影響は小さく、可視光に対して酸
化物半導体と同程度の透光性を有する。
ここで、酸化物導電体で形成される膜（以下、酸化物導電体膜という。）における、抵
抗率の温度依存性について、図３９を用いて説明する。
ここでは、酸化物導電体膜を有する試料を作製した。酸化物導電体膜としては、酸化物
半導体膜が窒化シリコン膜に接することで形成された酸化物導電体膜（ＯＣ＿ＳｉＮｘ）
、ドーピング装置において酸化物半導体膜にアルゴンが添加され、且つ窒化シリコン膜と
接することで形成された酸化物導電体膜（ＯＣ＿Ａｒ ｄｏｐｅ＋ＳｉＮｘ）、またはプ
ラズマ処理装置において酸化物半導体膜がアルゴンプラズマに曝され、且つ窒化シリコン
膜と接することで形成された酸化物導電体膜（ＯＣ＿Ａｒ ｐｌａｓｍａ＋ＳｉＮｘ）を
作製した。なお、窒化シリコン膜は、水素を含む。
酸化物導電体膜（ＯＣ＿ＳｉＮｘ）を含む試料の作製方法を以下に示す。ガラス基板上
に、厚さ４００ｎｍの酸化窒化シリコン膜をプラズマＣＶＤ法により形成した後、酸素プ
ラズマに曝し、酸素イオンを酸化窒化シリコン膜に添加することで、加熱により酸素を放
出する酸化窒化シリコン膜を形成した。次に、加熱により酸素を放出する酸化窒化シリコ
ン膜上に、原子数比がＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１．２のスパッタリングターゲットを
用いたスパッタリング法により、厚さ１００ｎｍのＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物膜を形成し、
４５０℃の窒素雰囲気で加熱処理した後、４５０℃の窒素及び酸素の混合ガス雰囲気で加
熱処理した。次に、プラズマＣＶＤ法で、厚さ１００ｎｍの窒化シリコン膜を形成した。
次に、３５０℃の窒素及び酸素の混合ガス雰囲気で加熱処理した。
酸化物導電体膜（ＯＣ＿Ａｒ ｄｏｐｅ＋ＳｉＮｘ）を含む試料の作製方法を以下に示
す。ガラス基板上に、厚さ４００ｎｍの酸化窒化シリコン膜をプラズマＣＶＤ法により形
成した後、酸素プラズマに曝し、酸素イオンを酸化窒化シリコン膜に添加することで、加
熱により酸素を放出する酸化窒化シリコン膜を形成した。次に、加熱により酸素を放出す
る酸化窒化シリコン膜上に、原子数比がＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１．２のスパッタリ
ングターゲットを用いたスパッタリング法により、厚さ１００ｎｍのＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸
化物膜を形成し、４５０℃の窒素雰囲気で加熱処理した後、４５０℃の窒素及び酸素の混
合ガス雰囲気で加熱処理した。次に、ドーピング装置を用いて、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物
膜に、加速電圧を１０ｋＶとし、ドーズ量が５×１０１４ｉｏｎｓ／ｃｍ２のアルゴンを
添加して、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物膜に酸素欠損を形成した。次に、プラズマＣＶＤ法で
、厚さ１００ｎｍの窒化シリコン膜を形成した。次に、３５０℃の窒素及び酸素の混合ガ
ス雰囲気で加熱処理した。
酸化物導電体膜（ＯＣ＿Ａｒ ｐｌａｓｍａ＋ＳｉＮｘ）を含む試料の作製方法を以下
に示す。ガラス基板上に、厚さ４００ｎｍの酸化窒化シリコン膜をプラズマＣＶＤ法によ
り形成した後、酸素プラズマに曝すことで、加熱により酸素を放出する酸化窒化シリコン
膜を形成した。次に、加熱により酸素を放出する酸化窒化シリコン膜上に、原子数比がＩ
ｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１．２のスパッタリングターゲットを用いたスパッタリング法
により、厚さ１００ｎｍのＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物膜を形成し、４５０℃の窒素雰囲気で
加熱処理した後、４５０℃の窒素及び酸素の混合ガス雰囲気で加熱処理した。次に、プラ
ズマ処理装置において、アルゴンプラズマを発生させ、加速させたアルゴンイオンをＩｎ
−Ｇａ−Ｚｎ酸化物膜に衝突させることで酸素欠損を形成した。次に、プラズマＣＶＤ法
で、厚さ１００ｎｍの窒化シリコン膜を形成した。次に、３５０℃の窒素及び酸素の混合
ガス雰囲気で加熱処理した。
次に、各試料の抵抗率を測定した結果を図３９に示す。ここで、抵抗率の測定は４端子
のｖａｎ−ｄｅｒ−Ｐａｕｗ法で行った。図３９において、横軸は測定温度を示し、縦軸
は抵抗率を示す。また、酸化物導電体膜（ＯＣ＿ＳｉＮｘ）の測定結果を四角印で示し、
酸化物導電体膜（ＯＣ＿Ａｒ ｄｏｐｅ＋ＳｉＮｘ）の測定結果を丸印で示し、酸化物導
電体膜（ＯＣ＿Ａｒ ｐｌａｓｍａ＋ＳｉＮｘ）の測定結果を三角印で示す。
なお、図示しないが、窒化シリコン膜と接しない酸化物半導体膜は、抵抗率が高く、抵
抗率の測定が困難であった。このため、酸化物導電体膜は、酸化物半導体膜より抵抗率が
低いことがわかる。
図３９からわかるように、酸化物導電体膜（ＯＣ＿Ａｒ ｄｏｐｅ＋ＳｉＮｘ）及び酸
化物導電体膜（ＯＣ＿Ａｒ ｐｌａｓｍａ＋ＳｉＮｘ）が、酸素欠損及び水素を含む場合
、抵抗率の変動が小さい。代表的には、８０Ｋ以上２９０Ｋ以下において、抵抗率の変動
率は、±２０％未満である。または、１５０Ｋ以上２５０Ｋ以下において、抵抗率の変動
率は、±１０％未満である。即ち、酸化物導電体は、縮退半導体であり、伝導帯端とフェ
ルミ準位とが一致または略一致していると推定される。このため、酸化物導電体膜をトラ
ンジスタのソース領域及びドレイン領域として用いることで、酸化物導電体膜とソース電
極及びドレイン電極として機能する導電膜との接触がオーミック接触となり、酸化物導電
体膜とソース電極及びドレイン電極として機能する導電膜との接触抵抗を低減できる。ま
た、酸化物導電体の抵抗率は温度依存性が低いため、酸化物導電体膜とソース電極及びド
レイン電極として機能する導電膜との接触抵抗の変動量が少なく、信頼性の高いトランジ
スタを作製することが可能である。
ここで、酸化物半導体膜１１０近傍の拡大図を図３（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）（Ｄ）及び図４
（Ａ）（Ｂ）に示す。なお、図３（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）（Ｄ）及び図４（Ａ）（Ｂ）におい
ては、煩雑さを避けるために、構成要素の一部を省略して図示している。
酸化物半導体膜１１０のチャネル長方向の断面形状において、酸化物半導体膜のキャリ
ア密度が増加し導電性が高くなる領域（以下、低抵抗領域という）が形成される。また、
酸化物半導体膜１１０中に形成される低抵抗領域は、図３（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）（Ｄ）及び
図４（Ａ）（Ｂ）に示すように複数の構造がある。なお、図３（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）（Ｄ）
及び図４（Ａ）（Ｂ）において、チャネル長Ｌは、一対の低抵抗領域に挟まれた領域の長
さである。
図３（Ａ）に示すように、酸化物半導体膜１１０は、導電膜１１４と重なる領域に形成
されるチャネル領域１１０ａと、チャネル領域１１０ａを挟み、且つ不純物元素を含む領
域、すなわち低抵抗領域１１０ｂ、１１０ｃとを有する。なお、図３（Ａ）に示すように
、チャネル長方向の断面形状において、チャネル領域１１０ａ及び低抵抗領域１１０ｂ、
１１０ｃの境界が、絶縁膜１１２を介して、導電膜１１４ａの下端部と、一致または概略
一致している。すなわち、上面形状において、チャネル領域１１０ａ及び低抵抗領域１１
０ｂ、１１０ｃの境界が、導電膜１１４ａの下端部と、一致または概略一致している。
なお、図３（Ａ）に示すように、チャネル長方向の断面形状において、導電膜１１４ａ
の端部は、導電膜１１４ｂの端部より外側に位置し、且つ導電膜１１４ｂがテーパ形状で
あってもよい。すなわち、導電膜１１４ａ及び導電膜１１４ｂが接する面と、導電膜１１
４ｂの側面のなす角度θ１が、９０°未満、１０°以上８５°以下、または１５°以上８
５°以下、または３０°以上８５°以下、または４５°以上８５°以下、または６０°以
上８５°以下であってもよい。角度θ１を、９０°未満、１０°以上８５°以下、または
１５°以上８５°以下、または３０°以上８５°以下、または４５°以上８５°以下、ま
たは６０°以上８５°以下とすることで、導電膜１１４ｂの側面における絶縁膜１１８の
被覆性を高めることが可能である。
また、図３（Ａ）に示すように、チャネル長方向の断面形状において、絶縁膜１１２の
端部が、導電膜１１４ａ及び導電膜１１４ｂの端部より外側に位置してもよい。また、絶
縁膜１１２の端部の一部が円弧を有していてもよい。また、絶縁膜１１２がテーパ形状で
あってもよい。すなわち、酸化物半導体膜１１０及び絶縁膜１１２が接する面と、絶縁膜
１１２の側面のなす角度θ２が９０°未満、好ましくは３０°以上９０°未満であっても
よい。
または、図３（Ｂ）に示すように、チャネル長方向の断面形状において、低抵抗領域１
１０ｂ、１１０ｃは、絶縁膜１１２を介して、導電膜１１４と重なる領域を有する。該領
域はオーバーラップ領域として機能する。チャネル長方向におけるオーバーラップ領域の
長さをＬｏｖと示す。Ｌｏｖは、チャネル長Ｌの２０％未満、または１０％未満、または
５％未満、または２％未満である。
または、図３（Ｃ）に示すように、チャネル長方向の断面形状において、チャネル領域
１１０ａは、導電膜１１４ａの下端部と重ならない領域を有する。該領域は、オフセット
領域として機能する。チャネル長方向におけるオフセット領域の長さをＬｏｆｆと示す。
なお、オフセット領域が複数ある場合は、一つのオフセット領域の長さをＬｏｆｆという
。Ｌｏｆｆは、チャネル長Ｌに含まれる。また、Ｌｏｆｆは、チャネル長Ｌの２０％未満
、または１０％未満、または５％未満、または２％未満である。
または、図３（Ｄ）に示すように、チャネル長方向の断面形状において、酸化物半導体
膜１１０は、チャネル領域１１０ａと低抵抗領域１１０ｂの間に低抵抗領域１１０ｄを有
し、チャネル領域１１０ａと低抵抗領域１１０ｃの間に低抵抗領域１１０ｅを有する。低
抵抗領域１１０ｄ、１１０ｅは、低抵抗領域１１０ｂ、１１０ｃより不純物元素の濃度が
低く、抵抗率が高い。ここでは、低抵抗領域１１０ｄ、１１０ｅは、絶縁膜１１２と重な
るが、絶縁膜１１２及び導電膜１１４と重なってもよい。
または、図４（Ａ）に示すように、チャネル長方向の断面形状において、酸化物半導体
膜１１０は、導電膜１２２、１２４と重なる領域に、領域１１０ｆ、１１０ｇを有する。
領域１１０ｆ、１１０ｇには、不純物元素が添加されていなくてもよい。この場合、酸化
物半導体膜１１０は、導電膜１２２、１２４と接する領域１１０ｆ、１１０ｇとチャネル
領域１１０ａとの間に、不純物元素を有する領域、即ち低抵抗領域１１０ｂ、１１０ｃを
有する。なお、領域１１０ｆ、１１０ｇは、導電膜１２２、１２４に電圧が印加されると
導電性を有するため、ソース領域及びドレイン領域としての機能を有する。
なお、図４（Ａ）に示す構造は、導電膜１２２、１２４を形成した後、導電膜１１４、
１２２、１２４をマスクとして、絶縁膜１２０及び絶縁膜１１８を介して、不純物元素を
酸化物半導体膜１１０に添加することで形成される。
または、図４（Ｂ）に示すように、チャネル長方向の断面形状において、チャネル領域
１１０ａを挟む低抵抗領域１１０ｂ、１１０ｃ、１１０ｄ、１１０ｅ、１１０ｈ、１１０
ｉを設けてもよい。
具体的には、図４（Ｂ）に示す酸化物半導体膜１１０は、チャネル領域１１０ａと、チ
ャネル領域１１０ａを挟む低抵抗領域１１０ｈ、１１０ｉと、低抵抗領域１１０ｈ、１１
０ｉを挟む低抵抗領域１１０ｄ、１１０ｅと、低抵抗領域１１０ｄ、１１０ｅを挟む低抵
抗領域１１０ｂ、１１０ｃとを有する。低抵抗領域１１０ｈ、１１０ｉは、導電膜１１４
ｂと重ならない領域の導電膜１１４ａと、絶縁膜１１２を介して、不純物元素が添加され
ることにより形成される。また、低抵抗領域１１０ｄ、１１０ｅは、導電膜１１４ａ及び
導電膜１１４ｂと重ならない領域の絶縁膜１１２を介して、不純物元素が添加されること
により形成される。また、低抵抗領域１１０ｂ、１１０ｃは、不純物元素が直接添加され
ることにより形成される。したがって、低抵抗領域１１０ｈ、１１０ｉは、低抵抗領域１
１０ｄ、１１０ｅ及び低抵抗領域１１０ｂ、１１０ｃより不純物元素濃度が低く、抵抗率
が高い。また、低抵抗領域１１０ｄ、１１０ｅは、低抵抗領域１１０ｂ、１１０ｃより不
純物元素濃度が低く、抵抗率が高い。
なお、図４（Ｂ）において、チャネル領域１１０ａは導電膜１１４ｂと重なる。また、
低抵抗領域１１０ｈ、１１０ｉは、導電膜１１４ｂの外側に突出している導電膜１１４ａ
と重なる。また、低抵抗領域１１０ｄ、１１０ｅは、導電膜１１４ａの外側に突出してい
る絶縁膜１１２と重なる。また、低抵抗領域１１０ｂ、１１０ｃは絶縁膜１１２の外側に
突出し、絶縁膜１１８と重なる。
図３（Ｄ）及び図４（Ｂ）に示すように、酸化物半導体膜１１０が低抵抗領域１１０ｂ
、１１０ｃより、不純物元素の濃度が低く、抵抗率が高い低抵抗領域１１０ｄ、１１０ｅ
、１１０ｈ、１１０ｉを有することで、ドレイン領域の電界緩和が可能である。そのため
、ドレイン領域の電界に起因したトランジスタのしきい値電圧の変動を低減することが可
能である。
また、図３（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）（Ｄ）、及び図４（Ａ）（Ｂ）に示す酸化物半導体膜１
１０は、絶縁膜１１２及び導電膜１１４と重ならない領域の膜厚が、絶縁膜１１２及び導
電膜１１４と重なる領域の膜厚よりも薄い領域を有する。該薄い領域は、絶縁膜１１２及
び導電膜１１４と重なる領域の酸化物半導体膜の膜厚よりも薄く、厚さが０．１ｎｍ以上
５ｎｍ以下である。
なお、酸化物半導体膜１１０中の低抵抗領域１１０ｂ、１１０ｃは、ソース領域及びド
レイン領域として機能する。また、低抵抗領域１１０ｂ、１１０ｃ及び低抵抗領域１１０
ｄ、１１０ｅ、１１０ｈ、１１０ｉには不純物元素が含まれる。
不純物元素が希ガス元素であって、酸化物半導体膜１１０がスパッタリング法で形成さ
れる場合、チャネル領域１１０ａ及び低抵抗領域１１０ｂ、１１０ｃ、１１０ｄ、１１０
ｅ、１１０ｈ、１１０ｉは、それぞれ希ガス元素を含む。なお、チャネル領域１１０ａと
比較して、低抵抗領域１１０ｂ、１１０ｃの方が希ガス元素の濃度が高い。また、低抵抗
領域１１０ｄ、１１０ｅと比較して、低抵抗領域１１０ｂ、１１０ｃの方が希ガス元素の
濃度が高い。また、低抵抗領域１１０ｈ、１１０ｉと比較して、低抵抗領域１１０ｄ、１
１０ｅの方が希ガス元素の濃度が高い。
これは、酸化物半導体膜１１０がスパッタリング法で形成される場合、スパッタリング
ガスとして希ガスを用いるため、酸化物半導体膜１１０に希ガスが含まれること、並びに
低抵抗領域１１０ｂ、１１０ｃにおいて、酸素欠損を形成するために、意図的に希ガスが
添加されることが原因である。また、低抵抗領域１１０ｄ、１１０ｅ、１１０ｈ、１１０
ｉは、低抵抗領域１１０ｄ、１１０ｅ、１１０ｈ、１１０ｉ上に形成される膜構成及び膜
厚の違いから酸素欠損を形成するために添加される希ガスの濃度が、低抵抗領域１１０ｄ
、１１０ｅ、１１０ｈ、１１０ｉの中で異なる。なお、低抵抗領域１１０ｂ、１１０ｃ、
１１０ｄ、１１０ｅ、１１０ｈ、１１０ｉにおいて、チャネル領域１１０ａと異なる希ガ
ス元素が添加されていてもよい。
また、不純物元素が、ホウ素、炭素、窒素、フッ素、アルミニウム、シリコン、リン、
または、塩素の場合、低抵抗領域１１０ｂ、１１０ｃ、１１０ｄ、１１０ｅ、１１０ｈ、
１１０ｉは、上記の不純物元素を有する。このため、チャネル領域１１０ａと比較して、
低抵抗領域１１０ｂ、１１０ｃ、１１０ｄ、１１０ｅ、１１０ｈ、１１０ｉの方が上記の
不純物元素の濃度が高い。なお、低抵抗領域１１０ｂ、１１０ｃ、１１０ｄ、１１０ｅ、
１１０ｈ、１１０ｉにおいて、二次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ：Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ
Ｉｏｎ Ｍａｓｓ Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）により得られる不純物元素の濃度は、５
×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上１×１０２２ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、または１×１
０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上１×１０２１ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、または５×１０１
９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上５×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下とすることができる。
また、不純物元素が、水素の場合、チャネル領域１１０ａと比較して、低抵抗領域１１
０ｂ、１１０ｃ、１１０ｄ、１１０ｅ、１１０ｈ、１１０ｉの方が水素の濃度が高い。な
お、低抵抗領域１１０ｂ、１１０ｃ、１１０ｄ、１１０ｅ、１１０ｈ、１１０ｉにおいて
、二次イオン質量分析法により得られる水素の濃度は、８×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３
以上、または１×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上、または５×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃ
ｍ３以上とすることができる。
低抵抗領域１１０ｂ、１１０ｃ、１１０ｄ、１１０ｅ、１１０ｈ、１１０ｉは不純物元
素を有するため、酸素欠損が増加し、キャリア密度が増加する。この結果、低抵抗領域１
１０ｂ、１１０ｃ、１１０ｄ、１１０ｅ、１１０ｈ、１１０ｉは、導電性が高くなる。
なお、不純物元素は、水素、ホウ素、炭素、窒素、フッ素、アルミニウム、シリコン、
リン、または塩素の一以上と、希ガスを組み合わせてもよい。この場合、低抵抗領域１１
０ｂ、１１０ｃ、１１０ｄ、１１０ｅ、１１０ｈ、１１０ｉにおいて、希ガスにより形成
された酸素欠損と、添加された水素、ホウ素、炭素、窒素、フッ素、アルミニウム、シリ
コン、リン、または塩素の一以上との相互作用により、低抵抗領域１１０ｂ、１１０ｃ、
１１０ｄ、１１０ｅ、１１０ｈ、１１０ｉは、導電性がさらに高まる場合がある。
また、不純物元素の添加により酸素欠損が形成された酸化物半導体に水素を添加すると
、酸素欠損サイトに水素が入り伝導帯近傍にドナー準位が形成される。その結果、酸化物
導電体を形成することができる。このため、酸化物導電体は透光性を有する。なお、ここ
では、導電体化された酸化物半導体を酸化物導電体という。
酸化物導電体は、縮退半導体であり、伝導帯端とフェルミ準位とが一致または略一致し
ていると推定される。このため、酸化物導電体膜とソース電極及びドレイン電極として機
能する導電膜との接触はオーミック接触であり、酸化物導電体膜とソース電極及びドレイ
ン電極として機能する導電膜との接触抵抗を低減できる。
本実施の形態に示すトランジスタ１００は、チャネル領域１１０ａがソース領域及びド
レイン領域として機能する低抵抗領域１１０ｂと低抵抗領域１１０ｃとに挟まれる構造で
ある。したがって、トランジスタ１００は、オン電流が大きく、電界効果移動度が高い。
また、トランジスタ１００において、導電膜１１４をマスクとして、不純物元素が酸化物
半導体膜１１０に添加される。すなわち、セルフアラインで低抵抗領域を形成することが
できる。
また、トランジスタ１００は、ゲート電極として機能する導電膜１１４と、ソース電極
及びドレイン電極として機能する導電膜１２２、１２４とが重ならない構成である。した
がって、導電膜１１４と、導電膜１２２及び導電膜１２４との間の寄生容量を低減するこ
とが可能である。この結果、基板１０２として大面積基板を用いた場合、導電膜１１４と
、導電膜１２２及び導電膜１２４における信号遅延を低減することが可能である。
次に、図１（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）（Ｄ）に示す半導体装置のその他の構成の詳細について
説明する。
基板１０２としては、様々な基板を用いることができ、特定のものに限定されることは
ない。基板の一例としては、半導体基板（例えば単結晶基板またはシリコン基板）、ＳＯ
Ｉ基板、ガラス基板、石英基板、プラスチック基板、金属基板、ステンレス・スチル基板
、ステンレス・スチル・ホイルを有する基板、タングステン基板、タングステン・ホイル
を有する基板、可撓性基板、貼り合わせフィルム、繊維状の材料を含む紙、または基材フ
ィルムなどがある。ガラス基板の一例としては、バリウムホウケイ酸ガラス、アルミノホ
ウケイ酸ガラス、またはソーダライムガラスなどがある。可撓性基板、貼り合わせフィル
ム、基材フィルムなどの一例としては、以下のものがあげられる。例えば、ポリエチレン
テレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルサルフ
ォン（ＰＥＳ）に代表されるプラスチックがある。または、一例としては、アクリル等の
合成樹脂などがある。または、一例としては、ポリエステル 、ポリプロピレン、ポリフ
ッ化ビニル、またはポリ塩化ビニルなどがある。または、一例としては、ポリアミド、ポ
リイミド、アラミド、エポキシ、無機蒸着フィルム、または紙類などがある。特に、半導
体基板、単結晶基板、またはＳＯＩ基板などを用いてトランジスタ及び容量素子を製造す
ることによって、特性、サイズ、または形状などのばらつきが少なく、電流能力が高く、
サイズの小さいトランジスタ及び容量素子を製造することができる。このようなトランジ
スタ及び容量素子によって回路を構成すると、回路の低消費電力化、または回路の高集積
化を図ることができる。
また、基板１０２として、可撓性基板を用い、可撓性基板上に直接、トランジスタ及び
容量素子を形成してもよい。または、基板１０２とトランジスタ及び容量素子の間に剥離
層を設けてもよい。剥離層は、その上に半導体装置を一部あるいは全部完成させた後、基
板１０２より分離し、他の基板に転載するのに用いることができる。その際、トランジス
タ及び容量素子は、耐熱性の劣る基板や可撓性の基板にも転載できる。なお、上述の剥離
層には、例えば、タングステン膜と酸化シリコン膜との無機膜の積層構造の構成や、基板
上にポリイミド等の有機樹脂膜が形成された構成等を用いることができる。
トランジスタ及び容量素子が転載される基板の一例としては、上述したトランジスタ及
び容量素子を形成することが可能な基板に加え、紙基板、セロファン基板、アラミドフィ
ルム基板、ポリイミドフィルム基板、石材基板、木材基板、布基板（天然繊維（絹、綿、
麻）、合成繊維（ナイロン、ポリウレタン、ポリエステル）若しくは再生繊維（アセテー
ト、キュプラ、レーヨン、再生ポリエステル）などを含む）、皮革基板、またはゴム基板
などがある。これらの基板を用いることにより、特性のよいトランジスタの形成、消費電
力の小さいトランジスタの形成、壊れにくい装置の製造、耐熱性の付与、軽量化、または
薄型化を図ることができる。
絶縁膜１０８としては、スパッタリング法、ＣＶＤ法、蒸着法、パルスレーザー堆積（
ＰＬＤ）法、印刷法、塗布法等を適宜用いて形成することができる。また、絶縁膜１０８
としては、例えば、酸化物絶縁膜または窒化物絶縁膜を単層または積層して形成すること
ができる。なお、酸化物半導体膜１１０との界面特性を向上させるため、絶縁膜１０８に
おいて少なくとも酸化物半導体膜１１０と接する領域は酸化物絶縁膜で形成することが好
ましい。また、絶縁膜１０８として加熱により酸素を放出する酸化物絶縁膜を用いること
で、加熱処理により絶縁膜１０８に含まれる酸素を、酸化物半導体膜１１０に移動させる
ことが可能である。
絶縁膜１０８の厚さは、５０ｎｍ以上、または１００ｎｍ以上３０００ｎｍ以下、また
は２００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下とすることができる。絶縁膜１０８を厚くすることで
、絶縁膜１０８の酸素放出量を増加させることができると共に、絶縁膜１０８と酸化物半
導体膜１１０との界面における界面準位、並びに酸化物半導体膜１１０のチャネル領域１
１０ａに含まれる酸素欠損を低減することが可能である。
絶縁膜１０８として、例えば酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒
化シリコン、酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、酸化ガリウムまたはＧａ−Ｚｎ酸化物
などを用いればよく、単層または積層で設けることができる。本実施の形態では、絶縁膜
１０８ａとして、窒化シリコン膜を用い、絶縁膜１０８ｂとして酸化窒化シリコン膜を用
いる。
酸化物半導体膜１１０は、代表的には、Ｉｎ−Ｇａ酸化物、Ｉｎ−Ｚｎ酸化物、Ｉｎ−
Ｍ−Ｚｎ酸化物（Ｍは、Ｔｉ、Ｇａ、Ｙ、Ｚｒ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、またはＨｆ）等の金
属酸化物で形成される。なお、酸化物半導体膜１１０は、透光性を有する。
なお、酸化物半導体膜１１０がＩｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物の場合、ＩｎとＭの原子数比率は
、Ｉｎ及びＭの和を１００ａｔｏｍｉｃ％としたときＩｎが２５ａｔｏｍｉｃ％以上、Ｍ
が７５ａｔｏｍｉｃ％未満、またはＩｎが３４ａｔｏｍｉｃ％以上、Ｍが６６ａｔｏｍｉ
ｃ％未満とする。
酸化物半導体膜１１０は、エネルギーギャップが２ｅＶ以上、または２．５ｅＶ以上、
または３ｅＶ以上である。
酸化物半導体膜１１０の厚さは、３ｎｍ以上２００ｎｍ以下、または３ｎｍ以上１００
ｎｍ以下、または３ｎｍ以上６０ｎｍ以下とすることができる。
酸化物半導体膜１１０がＩｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物の場合、Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物を成膜す
るために用いるスパッタリングターゲットの金属元素の原子数比は、Ｉｎ≧Ｍ、Ｚｎ≧Ｍ
を満たすことが好ましい。このようなスパッタリングターゲットの金属元素の原子数比と
して、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：１：１、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：１：１．２、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ
＝２：１：１．５、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝２：１：２．３、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝２：１：３、Ｉ
ｎ：Ｍ：Ｚｎ＝３：１：２等が好ましい。なお、成膜される酸化物半導体膜１１０の原子
数比はそれぞれ、誤差として上記のスパッタリングターゲットに含まれる金属元素の原子
数比のプラスマイナス４０％の変動を含む。
また、酸化物半導体膜１１０において、第１４族元素の一つであるシリコンや炭素が含
まれると、酸化物半導体膜１１０において、酸素欠損が増加し、ｎ型化してしまう。この
ため、酸化物半導体膜１１０であって、特にチャネル領域１１０ａにおいて、シリコンや
炭素の濃度（二次イオン質量分析法により得られる濃度）を、２×１０１８ａｔｏｍｓ／
ｃｍ３以下、または２×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下とすることができる。この結果
、トランジスタは、しきい値電圧がプラスとなる電気特性（ノーマリーオフ特性ともいう
。）を有する。
また、酸化物半導体膜１１０であって、特にチャネル領域１１０ａにおいて、二次イオ
ン質量分析法により得られるアルカリ金属またはアルカリ土類金属の濃度を、１×１０１
８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、または２×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下とすることがで
きる。アルカリ金属及びアルカリ土類金属は、酸化物半導体と結合するとキャリアを生成
する場合があり、トランジスタのオフ電流が増大してしまうことがある。このため、チャ
ネル領域１１０ａのアルカリ金属またはアルカリ土類金属の濃度を低減することが好まし
い。この結果、トランジスタは、しきい値電圧がプラスとなる電気特性（ノーマリーオフ
特性ともいう。）を有する。
また、酸化物半導体膜１１０であって、特にチャネル領域１１０ａに窒素が含まれてい
ると、キャリアである電子が生じ、キャリア密度が増加し、ｎ型化となる場合がある。こ
の結果、窒素が含まれている酸化物半導体膜を用いたトランジスタはノーマリーオン特性
となりやすい。従って、当該酸化物半導体膜であって、特にチャネル領域１１０ａにおい
て、窒素はできる限り低減されていることが好ましい。例えば、二次イオン質量分析法に
より得られる窒素濃度を、５×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下にすることができる。
酸化物半導体膜１１０であって、特にチャネル領域１１０ａにおいて、不純物元素を低
減することで、酸化物半導体膜のキャリア密度を低減することができる。このため、酸化
物半導体膜１１０であって、特にチャネル領域１１０ａにおいては、キャリア密度を１×
１０１７個／ｃｍ３以下、または１×１０１５個／ｃｍ３以下、または１×１０１３個／
ｃｍ３以下、または１×１０１１個／ｃｍ３以下、または１×１０−９個／ｃｍ３以上１
×１０１０個／ｃｍ３以下とすることができる。
酸化物半導体膜１１０として、不純物濃度が低く、欠陥準位密度の低い酸化物半導体膜
を用いることで、さらに優れた電気特性を有するトランジスタを作製することができる。
ここでは、不純物濃度が低く、欠陥準位密度の低い（酸素欠損の少ない）ことを高純度真
性または実質的に高純度真性とよぶ。高純度真性または実質的に高純度真性である酸化物
半導体は、キャリア発生源が少ないため、キャリア密度を低くすることができる場合があ
る。従って、当該酸化物半導体膜にチャネル領域が形成されるトランジスタは、しきい値
電圧がプラスとなる電気特性（ノーマリーオフ特性ともいう。）になりやすい。また、高
純度真性または実質的に高純度真性である酸化物半導体膜は、欠陥準位密度が低いため、
トラップ準位密度も低くなる場合がある。また、高純度真性または実質的に高純度真性で
ある酸化物半導体膜は、オフ電流が著しく小さく、ソース電極とドレイン電極間の電圧（
ドレイン電圧）が１Ｖから１０Ｖの範囲において、オフ電流が、半導体パラメータアナラ
イザの測定限界以下、すなわち１×１０−１３Ａ以下という特性を得ることができる。従
って、当該酸化物半導体膜にチャネル領域が形成されるトランジスタは、電気特性の変動
が小さく、信頼性の高いトランジスタとなる場合がある。
また、酸化物半導体膜１１０は、例えば非単結晶構造でもよい。非単結晶構造は、例え
ば、後述するＣＡＡＣ−ＯＳ（Ｃ Ａｘｉｓ Ａｌｉｇｎｅｄ Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ
Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）、多結晶構造、後述する微結晶構造、また
は非晶質構造を含む。非単結晶構造において、非晶質構造は最も欠陥準位密度が高く、Ｃ
ＡＡＣ−ＯＳは最も欠陥準位密度が低い。
なお、酸化物半導体膜１１０が、非晶質構造の領域、微結晶構造の領域、多結晶構造の
領域、ＣＡＡＣ−ＯＳの領域、単結晶構造の領域の二種以上を有する混合膜であってもよ
い。混合膜は、例えば、非晶質構造の領域、微結晶構造の領域、多結晶構造の領域、ＣＡ
ＡＣ−ＯＳの領域、単結晶構造の領域のいずれか二種以上の領域を有する単層構造の場合
がある。また、混合膜は、例えば、非晶質構造の領域、微結晶構造の領域、多結晶構造の
領域、ＣＡＡＣ−ＯＳの領域、単結晶構造の領域のいずれか二種以上が積層された構造の
場合がある。
なお、酸化物半導体膜１１０において、チャネル領域１１０ａと低抵抗領域１１０ｂ、
１１０ｃ、１１０ｄ、１１０ｅ、１１０ｈ、１１０ｉとの結晶性が異なる場合がある。具
体的には、酸化物半導体膜１１０において、低抵抗領域１１０ｂ、１１０ｃ、１１０ｄ、
１１０ｅ、１１０ｈ、１１０ｉよりもチャネル領域１１０ａの方が、結晶性が高い。これ
は、低抵抗領域１１０ｂ、１１０ｃ、１１０ｄ、１１０ｅ、１１０ｈ、１１０ｉに不純物
元素が添加された際に、低抵抗領域１１０ｂ、１１０ｃ、１１０ｄ、１１０ｅ、１１０ｈ
、１１０ｉにダメージが入ってしまい、結晶性が低下するためである。
絶縁膜１１２は、酸化物絶縁膜または窒化物絶縁膜を単層または積層して形成すること
ができる。なお、酸化物半導体膜１１０との界面特性を向上させるため、絶縁膜１１２に
おいて少なくとも酸化物半導体膜１１０と接する領域は酸化物絶縁膜を用いて形成するこ
とが好ましい。絶縁膜１１２として、例えば酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化
シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、酸化ガリウムまたはＧａ
−Ｚｎ酸化物などを用いればよく、単層または積層で設けることができる。
また、絶縁膜１１２として、酸素、水素、水等のブロッキング効果を有する絶縁膜を設
けることで、酸化物半導体膜１１０からの酸素の外部への拡散と、外部から酸化物半導体
膜１１０への水素、水等の侵入を防ぐことができる。酸素、水素、水等のブロッキング効
果を有する絶縁膜としては、酸化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、酸化ガリウム、
酸化窒化ガリウム、酸化イットリウム、酸化窒化イットリウム、酸化ハフニウム、酸化窒
化ハフニウム等がある。
また、絶縁膜１１２として、ハフニウムシリケート（ＨｆＳｉＯｘ）、窒素が添加され
たハフニウムシリケート（ＨｆＳｉｘＯｙＮｚ）、窒素が添加されたハフニウムアルミネ
ート（ＨｆＡｌｘＯｙＮｚ）、酸化ハフニウム、酸化イットリウムなどのｈｉｇｈ−ｋ材
料を用いることでトランジスタのゲートリーク電流を低減できる。
また、絶縁膜１１２として、加熱により酸素を放出する酸化物絶縁膜を用いることで、
加熱処理により絶縁膜１１２に含まれる酸素を、酸化物半導体膜１１０に移動させること
が可能である。
絶縁膜１１２の厚さは、５ｎｍ以上４００ｎｍ以下、または５ｎｍ以上３００ｎｍ以下
、または１０ｎｍ以上２５０ｎｍ以下とすることができる。
導電膜１１４、導電膜１１６、導電膜１２２、導電膜１２４、及び導電膜１２６として
は、スパッタリング法、真空蒸着法、パルスレーザー堆積（ＰＬＤ）法、熱ＣＶＤ法等を
用いて形成することができる。また、導電膜１１４、導電膜１１６、導電膜１２２、導電
膜１２４、及び導電膜１２６としては、例えば、アルミニウム、クロム、銅、タンタル、
チタン、モリブデン、ニッケル、鉄、コバルト、タングステンから選ばれた金属元素、ま
たは上述した金属元素を成分とする合金か、上述した金属元素を組み合わせた合金等を用
いて形成することができる。また、マンガン、ジルコニウムのいずれか一または複数から
選択された金属元素を用いてもよい。また、導電膜１１４、導電膜１１６、導電膜１２２
、導電膜１２４、及び導電膜１２６は、単層構造でも、二層以上の積層構造としてもよい
。例えば、シリコンを含むアルミニウム膜の単層構造、マンガンを含む銅膜の単層構造、
アルミニウム膜上にチタン膜を積層する二層構造、窒化チタン膜上にチタン膜を積層する
二層構造、窒化チタン膜上にタングステン膜を積層する二層構造、窒化タンタル膜または
窒化タングステン膜上にタングステン膜を積層する二層構造、マンガンを含む銅膜上に銅
膜を積層する二層構造、チタン膜と、そのチタン膜上にアルミニウム膜を積層し、さらに
その上にチタン膜を形成する三層構造、マンガンを含む銅膜上に銅膜を積層し、さらにそ
の上にマンガンを含む銅膜を形成する三層構造等がある。また、アルミニウムに、チタン
、タンタル、タングステン、モリブデン、クロム、ネオジム、スカンジウムから選ばれた
一または複数組み合わせた合金膜、もしくは窒化膜を用いてもよい。
なお、導電膜１１４と導電膜１１６は同時に形成されるため、同じ材料及び同じ積層構
造を有する。また、導電膜１２２、導電膜１２４、及び導電膜１２６は同時に形成される
ため、同じ材料及び同じ積層構造を有する。
また、導電膜１１４、導電膜１１６、導電膜１２２、導電膜１２４、及び導電膜１２６
は、インジウム錫酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ、ＩＴＯともいう）、酸化
タングステンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、
酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、インジウム
亜鉛酸化物、酸化シリコンを含むインジウム錫酸化物等の透光性を有する導電性材料を適
用することもできる。また、上記透光性を有する導電性材料と、上記金属元素の積層構造
とすることもできる。
導電膜１１４、導電膜１１６、導電膜１２２、導電膜１２４、及び導電膜１２６の厚さ
は、３０ｎｍ以上５００ｎｍ以下、または１００ｎｍ以上４００ｎｍ以下とすることがで
きる。
絶縁膜１１８は、窒化物絶縁膜を用いる。該窒化物絶縁膜としては、窒化シリコン、窒
化酸化シリコン、窒化アルミニウム、窒化酸化アルミニウム等を用いて形成することがで
きる。絶縁膜１１８に含まれる水素濃度は、１×１０２２ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上である
と好ましい。また、絶縁膜１１８は、酸化物半導体膜１１０の低抵抗領域と接する。した
がって、酸化物半導体膜１１０において、絶縁膜１１８に含まれる水素が酸化物半導体膜
１１０の低抵抗領域に拡散することで、チャネル領域と比較して低抵抗領域の方が、水素
濃度が高い。
絶縁膜１２０は、酸化物絶縁膜または窒化物絶縁膜を単層または積層して形成すること
ができる。絶縁膜１２０として、例えば酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリ
コン、窒化シリコン、酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、酸化ガリウムまたはＧａ−Ｚ
ｎ酸化物などを用いればよく、単層または積層で設けることができる。
絶縁膜１２８は、外部からの水素、水等のバリア膜として機能する膜であることが好ま
しい。絶縁膜１２８として、例えば窒化シリコン、窒化酸化シリコン、酸化アルミニウム
などを用いればよく、単層または積層で設けることができる。
絶縁膜１１８、絶縁膜１２０及び絶縁膜１２８の厚さはそれぞれ、３０ｎｍ以上５００
ｎｍ以下、または１００ｎｍ以上４００ｎｍ以下とすることができる。
＜半導体装置の構成２＞
次に、図１（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）（Ｄ）に示す半導体装置の別の構成について、図５及び
図６を用いて説明する。
図５（Ａ）は半導体装置が有するトランジスタ１００Ａの上面図であり、図５（Ｂ）は
半導体装置が有する容量素子１５０Ａの上面図であり、図５（Ｃ）は図５（Ａ）の一点鎖
線Ｘ１−Ｘ２間の断面図であり、図５（Ｄ）は図５（Ｂ）の一点鎖線Ｘ３−Ｘ４間の断面
図である。
図５（Ａ）（Ｃ）に示すトランジスタ１００Ａは、基板１０２上に形成された絶縁膜１
０４と、絶縁膜１０４上の導電膜１０６と、絶縁膜１０４及び導電膜１０６上の絶縁膜１
０８と、絶縁膜１０８を介して導電膜１０６と重なる酸化物半導体膜１１０と、酸化物半
導体膜１１０上の絶縁膜１１２と、絶縁膜１１２を介して酸化物半導体膜１１０と重なる
導電膜１１４と、酸化物半導体膜１１０、絶縁膜１１２、及び導電膜１１４を覆う絶縁膜
１１８と、絶縁膜１１８上の絶縁膜１２０と、絶縁膜１１８及び絶縁膜１２０に設けられ
る開口部１４０ａを介して、酸化物半導体膜１１０に接続される導電膜１２２と、絶縁膜
１１８及び絶縁膜１２０に設けられる開口部１４０ｂを介して、酸化物半導体膜１１０に
接続される導電膜１２４と、を有する。なお、トランジスタ１００Ａ上には、絶縁膜１２
０、導電膜１２２、及び導電膜１２４、を覆う絶縁膜１２８と、を設けてもよい。
なお、図５（Ｃ）において、導電膜１０６は、導電膜１０６ａと、導電膜１０６ａ上の
導電膜１０６ｂの積層構造である。また、絶縁膜１０８は、絶縁膜１０８ａと、絶縁膜１
０８ａ上の絶縁膜１０８ｂの積層構造である。また、導電膜１１４は、導電膜１１４ａと
、導電膜１１４ａ上の導電膜１１４ｂの積層構造である。また、導電膜１２２は、導電膜
１２２ａと、導電膜１２２ａ上の導電膜１２２ｂの積層構造である。また、導電膜１２４
は、導電膜１２４ａと、導電膜１２４ａ上の導電膜１２４ｂの積層構造である。
トランジスタ１００Ａにおいて、導電膜１０６は、第１のゲート電極（ボトムゲート電
極ともいう）としての機能を有し、導電膜１１４は、第２のゲート電極（トップゲート電
極ともいう）としての機能を有し、導電膜１２２は、ソース電極及びドレイン電極の一方
の電極としての機能を有し、導電膜１２４は、ソース電極及びドレイン電極の他方の電極
としての機能を有する。また、トランジスタ１００Ａにおいて、絶縁膜１０８は、第１の
ゲート絶縁膜としての機能を有し、絶縁膜１１２は、第２のゲート絶縁膜としての機能を
有する。
なお、図５（Ａ）（Ｃ）に示すトランジスタ１００Ａは、先に説明したトランジスタ１
００と異なり、酸化物半導体膜１１０の上下にゲート電極として機能する導電膜を有する
構造である。トランジスタ１００Ａに示すように、本発明の一態様の半導体装置には、２
つ以上のゲート電極を設けてもよい。
また、図５（Ｂ）（Ｄ）に示す容量素子１５０Ａは、基板１０２上に形成された絶縁膜
１０４と、絶縁膜１０４上の絶縁膜１０８と、絶縁膜１０８上の絶縁膜１１２と、絶縁膜
１１２上の導電膜１１６と、絶縁膜１０８、絶縁膜１１２、及び導電膜１１６を覆う絶縁
膜１１８と、絶縁膜１１８上の絶縁膜１２０と、絶縁膜１２０に設けられる開口部１４０
ｃにおいて、絶縁膜１１８を介して導電膜１１６と重なる導電膜１２６と、を有する。な
お、容量素子１５０Ａ上には、絶縁膜１２０及び導電膜１２６を覆う絶縁膜１２８と、を
設けてもよい。
なお、図５（Ｄ）において、絶縁膜１０８は、絶縁膜１０８ａと、絶縁膜１０８ａ上の
絶縁膜１０８ｂの積層構造である。また、導電膜１１６は、導電膜１１６ａと、導電膜１
１６ａ上の導電膜１１６ｂの積層構造である。また、導電膜１２６は、導電膜１２６ａと
、導電膜１２６ａ上の導電膜１２６ｂの積層構造である。
また、容量素子１５０Ａは、一対の電極間に誘電体を挟持する構造である。より詳しく
は、一対の電極の一方が導電膜１１６であり、一対の電極の他方が導電膜１２６であり、
導電膜１１６と導電膜１２６の間の絶縁膜１１８が誘電体として機能する。
なお、トランジスタ１００Ａの第２のゲート電極として機能する導電膜１１４と、容量
素子１５０Ａの一対の電極の一方として機能する導電膜１１６は、同じ工程で形成され、
少なくとも一部が同一表面上に形成される。また、トランジスタ１００Ａのソース電極及
びドレイン電極として機能する導電膜１２２及び導電膜１２４と、容量素子１５０Ａの一
対の電極の他方として機能する導電膜１２６は、同じ工程で形成され、少なくとも一部が
同一表面上に形成される。
このように、トランジスタ１００Ａと容量素子１５０Ａの各電極として機能する導電膜
を同一工程で形成することによって、製造コストを低減することが可能となる。
また、容量素子１５０Ａにおいて、絶縁膜１２０は、開口部１４０ｃを有している。し
たがって、絶縁膜１１８及び絶縁膜１２０が積層された絶縁膜のうち、絶縁膜１１８のみ
を誘電体として機能させている。このような構成とすることにより、容量素子１５０Ａの
容量値を大きくすることが可能となる。したがって、表示装置の容量値を大きくすること
が可能となる。
次に、図５（Ａ）に示すトランジスタ１００Ａの一点鎖線Ｙ３−Ｙ４方向（チャネル幅
方向）の断面図を図６に示す。
図６に示すように、第２のゲート電極として機能する導電膜１１４は、絶縁膜１０８及
び絶縁膜１１２に設けられる開口部１３９において、第１のゲート電極として機能する導
電膜１０６に接続される。よって、導電膜１１４と導電膜１０６には、同じ電位が与えら
れる。なお、開口部１３９を設けずに導電膜１１４と導電膜１０６とを接続させない構成
としてもよい。導電膜１１４と導電膜１０６とを接続させない構成とする場合、導電膜１
１４及び導電膜１０６には、異なる電位を与えてもよい。
また、図６に示すように、酸化物半導体膜１１０は、第１のゲート電極として機能する
導電膜１０６と、第２のゲート電極として機能する導電膜１１４のそれぞれと対向するよ
うに位置し、２つのゲート電極として機能する導電膜に挟まれている。第２のゲート電極
として機能する導電膜１１４のチャネル幅方向の長さは、酸化物半導体膜１１０のチャネ
ル幅方向の長さよりも長く、酸化物半導体膜１１０のチャネル幅方向全体は、絶縁膜１１
２を介して導電膜１１４に覆われている。また、第２のゲート電極として機能する導電膜
１１４と第１のゲート電極として機能する導電膜１０６とは、絶縁膜１０８及び絶縁膜１
１２に設けられる開口部１３９において接続されるため、酸化物半導体膜１１０のチャネ
ル幅方向の側面の一方は、絶縁膜１１２を介して第２のゲート電極として機能する導電膜
１１４と対向している。
別言すると、トランジスタ１００Ａのチャネル幅方向において、第１のゲート電極とし
て機能する導電膜１０６及び第２のゲート電極として機能する導電膜１１４は、第１のゲ
ート絶縁膜として機能する絶縁膜１０８、及び第２のゲート絶縁膜として機能する絶縁膜
１１２に設けられる開口部において接続すると共に、第１のゲート絶縁膜として機能する
絶縁膜１０８、及び第２のゲート絶縁膜として機能する絶縁膜１１２を介して酸化物半導
体膜１１０を囲む構成である。
このような構成を有することで、トランジスタ１００Ａに含まれる酸化物半導体膜１１
０を、第１のゲート電極として機能する導電膜１０６及び第２のゲート電極として機能す
る導電膜１１４の電界によって電気的に囲むことができる。トランジスタ１００Ａのよう
に、第１のゲート電極及び第２のゲート電極の電界によって、チャネル領域が形成される
酸化物半導体膜を電気的に囲むトランジスタのデバイス構造をｓｕｒｒｏｕｎｄｅｄ ｃ
ｈａｎｎｅｌ（ｓ−ｃｈａｎｎｅｌ）構造と呼ぶことができる。
トランジスタ１００Ａは、ｓ−ｃｈａｎｎｅｌ構造を有するため、第１のゲート電極と
して機能する導電膜１０６、または第２のゲート電極として機能する導電膜１１４によっ
てチャネルを誘起させるための電界を効果的に酸化物半導体膜１１０に印加することがで
きるため、トランジスタ１００Ａの電流駆動能力が向上し、高いオン電流特性を得ること
が可能となる。また、オン電流を高くすることが可能であるため、トランジスタ１００Ａ
を微細化することが可能となる。また、トランジスタ１００Ａは、酸化物半導体膜１１０
が第１のゲート電極として機能する導電膜１０６及び第２のゲート電極として機能する導
電膜１１４によって囲まれた構造を有するため、トランジスタ１００Ａの機械的強度を高
めることができる。
なお、トランジスタ１００Ａのチャネル幅方向において、開口部１３９が形成されてい
ない酸化物半導体膜１１０の側面に、開口部１３９と異なる開口部を形成してもよい。
トランジスタ１００Ａ及び容量素子１５０Ａが有する絶縁膜１０４としては、絶縁膜１
０８に示す材料と同様の材料を用いることができる。ここでは、絶縁膜１０４として、Ｐ
ＥＣＶＤ装置を用い、膜厚１００ｎｍの窒化シリコン膜を形成する。
また、トランジスタ１００Ａが有する導電膜１０６としては、導電膜１１４、１２２、
１２４に示す材料と同様の材料を用いることができる。ここでは、導電膜１０６ａとして
、スパッタリング装置を用い、膜厚１０ｎｍの窒化タンタル膜を形成し、導電膜１０６ｂ
として、スパッタリング装置を用い、膜厚３００ｎｍの銅膜を形成する。
次に、図１（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）（Ｄ）、及び図５（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）（Ｄ）に示す半導
体装置の別の構成について、図７乃至図１１（Ａ）を用いて説明する。なお、図７乃至図
１１（Ａ）に示す半導体装置は、図５（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）（Ｄ）に示す半導体装置の変形
例である。
図７（Ａ）は半導体装置が有するトランジスタ１００Ｂの断面図であり、図７（Ｂ）は
半導体装置が有する容量素子１５０Ｂの断面図である。なお、トランジスタ１００Ｂ及び
容量素子１５０Ｂの上面図については、それぞれ図５（Ａ）（Ｂ）に示す上面図と同様の
ため、ここでの記載は省略する。また、図７（Ｃ）に示すトランジスタ１００Ｃ、図７（
Ｄ）に示す容量素子１５０Ｃ、図８（Ａ）に示すトランジスタ１００Ｄ、図８（Ｂ）に示
す容量素子１５０Ｄ、図８（Ｃ）に示すトランジスタ１００Ｅ、図８（Ｄ）に示す容量素
子１５０Ｅ、図９（Ａ）に示すトランジスタ１００Ｆ、図９（Ｂ）に示す容量素子１５０
Ｆ、図９（Ｃ）に示すトランジスタ１００Ｇ、図９（Ｄ）に示す容量素子１５０Ｇに示す
上面図においても、それぞれ図５（Ａ）（Ｂ）に示す上面図と同様のため、ここでの記載
は省略する。
また、図７乃至図１１（Ａ）に示す構成において、先に説明した機能と同様の機能を有
する場合には、ハッチパターンを同じくし、特に符号を付さない場合がある。
＜半導体装置の構成３＞
図７（Ａ）に示すトランジスタ１００Ｂは、図５（Ｃ）に示すトランジスタ１００Ａと
導電膜１１４の形状が相違する。具体的には、トランジスタ１００Ｂが有する導電膜１１
４は、導電膜１１４ａと導電膜１１４ａ上の導電膜１１４ｂの積層構造であり、導電膜１
１４ａの下端部と絶縁膜１１２の上端部が一致または概略一致し、導電膜１１４ｂの下端
部が、導電膜１１４ａの上端部よりも内側に位置する。また、導電膜１１４ｂの端部の一
部が円弧を有する。
また、図７（Ｂ）に示す容量素子１５０Ｂは、図５（Ｄ）に示す容量素子１５０Ａと導
電膜１１６の形状が相違する。具体的には、容量素子１５０Ｂが有する導電膜１１６は、
導電膜１１６ａと導電膜１１６ａ上の導電膜１１６ｂの積層構造であり、導電膜１１６ａ
の下端部と絶縁膜１１２の上端部が一致または概略一致し、導電膜１１６ｂの下端部が、
導電膜１１６ａの上端部よりも内側に位置する。
図７（Ａ）（Ｂ）に示す絶縁膜１１２及び／または導電膜１１４、１１６の形状とする
ことで、絶縁膜１１８の被覆性を高めることができる。
＜半導体装置の構成４＞
図７（Ｃ）に示すトランジスタ１００Ｃは、図５（Ｃ）に示すトランジスタ１００Ａと
絶縁膜１１２の形状が相違する。具体的には、トランジスタ１００Ｃが有する絶縁膜１１
２は、絶縁膜１１２の下端部及び上端部が導電膜１１４の下端部より外側に位置する。す
なわち、絶縁膜１１２が、導電膜１１４から迫り出した形状を有する。図７（Ｃ）に示す
絶縁膜１１２の形状とすることで、酸化物半導体膜１１０のチャネル領域から、絶縁膜１
１８を遠ざけることが可能であるため、絶縁膜１１８に含まれる窒素、水素等が、酸化物
半導体膜１１０のチャネル領域に入り込むのを抑制することができる。
図７（Ｄ）に示す容量素子１５０Ｃは、図５（Ｄ）に示す容量素子１５０Ａと絶縁膜１
１２の形状が相違する。具体的には、容量素子１５０Ｃが有する絶縁膜１１２は、絶縁膜
１１２の下端部及び上端部が導電膜１１６の下端部より外側に位置する。
図７（Ｃ）（Ｄ）に示す絶縁膜１１２の形状とすることで、絶縁膜１１８の被覆性を高
めることができる。
＜半導体装置の構成５＞
図８（Ａ）に示すトランジスタ１００Ｄは、図５（Ｃ）に示すトランジスタ１００Ａと
絶縁膜１０８及び絶縁膜１１２の構造が相違する。具体的には、図８（Ａ）に示すトラン
ジスタ１００Ｄが有する絶縁膜１０８は、絶縁膜１０８ａ、絶縁膜１０８ｂ、及び絶縁膜
１０８ｃの積層構造である。また、図８（Ａ）に示すトランジスタ１００Ｄが有する絶縁
膜１１２は、絶縁膜１１２ａ及び絶縁膜１１２ｂの積層構造である。
図８（Ｂ）に示す容量素子１５０Ｄは、図５（Ｄ）に示す容量素子１５０Ａと絶縁膜１
０８及び絶縁膜１１２の構造が相違する。具体的には、図８（Ｂ）に示す容量素子１５０
Ｄが有する絶縁膜１０８は、絶縁膜１０８ａ、絶縁膜１０８ｂ、及び絶縁膜１０８ｃの積
層構造である。また、図８（Ｂ）に示す容量素子１５０Ｄが有する絶縁膜１１２は、絶縁
膜１１２ａ、及び絶縁膜１１２ｂの積層構造である。
なお、図８（Ａ）（Ｂ）に示す絶縁膜１０８ｃ及び絶縁膜１１２ａは、酸化物半導体膜
の価電子帯の上端のエネルギー（Ｅｖ＿ｏｓ）と伝導帯の下端のエネルギー（Ｅｃ＿ｏｓ
）の間に窒素酸化物の準位密度が低い酸化物絶縁膜を用いて形成することができる。Ｅｖ
＿ｏｓとＥｃ＿ｏｓの間に窒素酸化物の準位密度が低い酸化物絶縁膜として、窒素酸化物
の放出量が少ない酸化窒化シリコン膜、または窒素酸化物の放出量が少ない酸化窒化アル
ミニウム膜等を用いることができる。なお、絶縁膜１０８ｃ、１１２ａは、平均膜厚が、
０．１ｎｍ以上５０ｎｍ以下、または０．５ｎｍ以上１０ｎｍ以下である。
なお、窒素酸化物の放出量の少ない酸化窒化シリコン膜は、昇温脱離ガス分析法（ＴＤ
Ｓ（Ｔｈｅｒｍａｌ Ｄｅｓｏｒｐｔｉｏｎ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ））において、
窒素酸化物の放出量よりアンモニアの放出量が多い膜であり、代表的にはアンモニアの放
出量が１×１０１８個／ｃｍ３以上５×１０１９個／ｃｍ３以下である。なお、アンモニ
アの放出量は、膜の表面温度が５０℃以上６５０℃以下、好ましくは５０℃以上５５０℃
以下の加熱処理による放出量とする。
絶縁膜１０８ｂ、１１２ｂは、加熱により酸素を放出する酸化物絶縁膜を用いて形成す
ることができる。なお、絶縁膜１０８ｂ、１１２ｂは、平均膜厚が５ｎｍ以上１０００ｎ
ｍ以下、または１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下である。
加熱により酸素を放出する酸化物絶縁膜の代表例としては、酸化窒化シリコン膜、酸化
窒化アルミニウム膜等がある。
窒素酸化物（ＮＯｘ、ｘは０以上２以下、好ましくは１以上２以下）、代表的にはＮＯ
２またはＮＯは、絶縁膜１０８及び絶縁膜１１２などに準位を形成する。当該準位は、酸
化物半導体膜１１０のエネルギーギャップ内に位置する。そのため、窒素酸化物が、絶縁
膜１０８、１１２及び酸化物半導体膜１１０の界面に拡散すると、当該準位が絶縁膜１０
８、１１２側において電子をトラップする場合がある。この結果、トラップされた電子が
、絶縁膜１０８、１１２及び酸化物半導体膜１１０界面近傍に留まるため、トランジスタ
のしきい値電圧をプラス方向にシフトさせてしまう。
また、窒素酸化物は、加熱処理においてアンモニア及び酸素と反応する。絶縁膜１０８
ｂ、１１２ｂに含まれる窒素酸化物は、加熱処理において、絶縁膜１０８ｃ、１１２ａに
含まれるアンモニアと反応するため、絶縁膜１０８ｂ、１１２ｂに含まれる窒素酸化物が
低減される。このため、絶縁膜１０８、１１２及び酸化物半導体膜１１０の界面において
、電子がトラップされにくい。
絶縁膜１０８ｃ、１１２ａとして、Ｅｖ＿ｏｓとＥｃ＿ｏｓの間に窒素酸化物の準位密
度が低い酸化物絶縁膜を用いることで、トランジスタのしきい値電圧のシフトを低減する
ことが可能であり、トランジスタの電気特性の変動を低減することができる。
なお、トランジスタの作製工程の加熱処理、代表的には３００℃以上基板歪み点未満の
加熱処理により、絶縁膜１０８、１１２は、１００Ｋ以下のＥＳＲで測定して得られたス
ペクトルにおいてｇ値が２．０３７以上２．０３９以下の第１のシグナル、ｇ値が２．０
０１以上２．００３以下の第２のシグナル、及びｇ値が１．９６４以上１．９６６以下の
第３のシグナルが観測される。なお、第１のシグナル及び第２のシグナルのスプリット幅
、並びに第２のシグナル及び第３のシグナルのスプリット幅は、ＸバンドのＥＳＲ測定に
おいて約５ｍＴである。また、ｇ値が２．０３７以上２．０３９以下の第１のシグナル、
ｇ値が２．００１以上２．００３以下の第２のシグナル、及びｇ値が１．９６４以上１．
９６６以下である第３のシグナルのスピンの密度の合計が１×１０１８ｓｐｉｎｓ／ｃｍ
３未満であり、代表的には１×１０１７ｓｐｉｎｓ／ｃｍ３以上１×１０１８ｓｐｉｎｓ
／ｃｍ３未満である。
なお、１００Ｋ以下のＥＳＲスペクトルにおいてｇ値が２．０３７以上２．０３９以下
の第１シグナル、ｇ値が２．００１以上２．００３以下の第２のシグナル、及びｇ値が１
．９６４以上１．９６６以下の第３のシグナルは、窒素酸化物（ＮＯｘ、ｘは０以上２以
下、好ましくは１以上２以下）起因のシグナルに相当する。窒素酸化物の代表例としては
、一酸化窒素、二酸化窒素等がある。即ち、ｇ値が２．０３７以上２．０３９以下の第１
のシグナル、ｇ値が２．００１以上２．００３以下の第２のシグナル、及びｇ値が１．９
６４以上１．９６６以下である第３のシグナルのスピンの密度の合計が少ないほど、酸化
物絶縁膜に含まれる窒素酸化物の含有量が少ないといえる。
また、窒素を含み、且つ欠陥量の少ない酸化物絶縁膜は、ＳＩＭＳで測定される窒素濃
度が６×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下である。
基板温度が２２０℃以上、または２８０℃以上、または３５０℃以上であり、シラン及
び一酸化二窒素を用いたＰＥＣＶＤ法を用いて、窒素を含み、且つ欠陥量の少ない酸化物
絶縁膜を形成することで、緻密であり、且つ硬度の高い膜を形成することができる。
＜半導体装置の構成６＞
図８（Ｃ）に示すトランジスタ１００Ｅは、図５（Ｃ）に示すトランジスタ１００Ａと
絶縁膜１１２及び導電膜１１４の形状が相違する。具体的には、トランジスタ１００Ｅが
有する絶縁膜１１２の端部の一部が円弧を有する。また、導電膜１１４ａの下端部及び上
端部が絶縁膜１１２の上端部よりも内側に位置する。また、導電膜１１４ｂの下端部が、
導電膜１１４ａの上端部よりも内側に位置する。また、導電膜１１４ａ及び導電膜１１４
ｂの端部の一部が円弧を有する。
図８（Ｄ）に示す容量素子１５０Ｅは、図５（Ｄ）に示す容量素子１５０Ａと絶縁膜１
１２及び導電膜１１６の形状が相違する。具体的には、容量素子１５０Ｅが有する絶縁膜
１１２の端部の一部が円弧を有する。また、導電膜１１６ａの下端部及び上端部が絶縁膜
１１２の上端部よりも内側に位置する。また、導電膜１１６ｂの下端部が、導電膜１１６
ａの上端部よりも内側に位置する。なお、導電膜１１６ａ及び導電膜１１６ｂの端部の一
部が円弧を有する。
＜半導体装置の構成７＞
図９（Ａ）に示すトランジスタ１００Ｆは、図５（Ｃ）に示すトランジスタ１００Ａと
絶縁膜１１２及び導電膜１１４の形状等が相違する。具体的には、トランジスタ１００Ｆ
が有する絶縁膜１１２及び導電膜１１４は、断面において矩形形状である。また、トラン
ジスタ１００Ｆは、酸化物半導体膜１１０と、絶縁膜１１８との間に、絶縁膜１１７を有
する。
図９（Ｂ）に示す容量素子１５０Ｆは、図５（Ｄ）に示す容量素子１５０Ａと絶縁膜１
１２及び導電膜１１６の形状等が相違する。具体的には、容量素子１５０Ｆが有する絶縁
膜１１２及び導電膜１１６は、断面において矩形形状である。また、容量素子１５０Ｆは
、導電膜１１６と、絶縁膜１１８との間に、絶縁膜１１７を有する。
図９（Ａ）（Ｂ）に示す絶縁膜１１７は、図８（Ａ）（Ｂ）に示すトランジスタ１００
Ｄ及び容量素子１５０Ｄで説明した、絶縁膜１０８ｃ及び絶縁膜１１２ａに用いることの
できる、窒素を含み、且つ欠陥量の少ない酸化物絶縁膜を用いて形成することができる。
トランジスタ１００Ｆの構造を図９（Ａ）に示す形状とすることで、酸化物半導体膜１
１０中に形成される低抵抗領域の形状が図１０に示す構造となる場合がある。
図１０は、図９（Ａ）に示すトランジスタ１００Ｆの酸化物半導体膜１１０近傍の拡大
図である。図１０に示すように、酸化物半導体膜１１０のチャネル長方向の断面形状にお
いて、酸化物半導体膜のキャリア密度が増加し導電性が高くなる領域（低抵抗領域）が形
成される。また、図１０において、チャネル長Ｌは、一対の低抵抗領域に挟まれた領域の
長さである。
図１０に示す酸化物半導体膜１１０は、チャネル長方向の断面形状において、チャネル
領域１１０ａ及び低抵抗領域１１０ｂの間に低抵抗領域１１０ｄを有し、チャネル領域１
１０ａ及び低抵抗領域１１０ｃの間に低抵抗領域１１０ｅを有する。低抵抗領域１１０ｄ
、１１０ｅは、低抵抗領域１１０ｂ、１１０ｃより不純物元素の濃度が低く、抵抗率が高
い。なお、ここでは、低抵抗領域１１０ｄ、１１０ｅは、絶縁膜１１２及び導電膜１１４
の側面に接する絶縁膜１１７と重なる領域である。なお、低抵抗領域１１０ｄ、１１０ｅ
は、絶縁膜１１２及び導電膜１１４と重なってもよい。
酸化物半導体膜１１０が低抵抗領域１１０ｂ、１１０ｃより、不純物元素の濃度が低く
、抵抗率が高い低抵抗領域１１０ｄ、１１０ｅを有することで、ドレイン領域の電界緩和
が可能である。そのため、ドレイン領域の電界に起因したトランジスタのしきい値電圧の
変動を低減することが可能である。
＜半導体装置の構成８＞
図９（Ｃ）に示すトランジスタ１００Ｇは、図５（Ｃ）に示すトランジスタ１００Ａと
絶縁膜１１２及び酸化物半導体膜１１０の形状が相違する。具体的には、トランジスタ１
００Ｇが有する絶縁膜１１２は、２つの膜厚を有しており、導電膜１１４と重なる領域の
膜厚と、導電膜１１４と重ならない領域の膜厚が異なる。導電膜１１４と重なる領域の膜
厚より、導電膜１１４と重ならない領域の膜厚の方が薄い。また、絶縁膜１１２が酸化物
半導体膜１１０を覆う構成のため、酸化物半導体膜１１０の全体において、膜厚が概略同
一である。
図９（Ｄ）に示す容量素子１５０Ｇは、図５（Ｄ）に示す容量素子１５０Ａと絶縁膜１
１２の形状が相違する。具体的には、容量素子１５０Ｇが有する絶縁膜１１２は、２つの
膜厚を有しており、導電膜１１６と重なる領域の膜厚と、導電膜１１６と重ならない領域
の膜厚が異なる。導電膜１１６と重なる領域の膜厚より、導電膜１１６と重ならない領域
の膜厚の方が薄い。
図９（Ｃ）（Ｄ）に示す絶縁膜１１２の形成方法としては、例えば、導電膜１１４の加
工の後に、絶縁膜１１２を除去する際に、導電膜１１４と重ならない領域の絶縁膜１１２
を残すことによって形成することができる。
なお、図９（Ｃ）に示すトランジスタ１００Ｇは、絶縁膜１１２が、酸化物半導体膜１
１０のチャネル領域１１０ａに接するとともに、低抵抗領域１１０ｂ、１１０ｃに接する
。また、絶縁膜１１２は、チャネル領域１１０ａと接する領域と比較して、低抵抗領域１
１０ｂ、１１０ｃと接する領域の膜厚が薄く、代表的には、平均膜厚が、０．１ｎｍ以上
５０ｎｍ以下、または０．５ｎｍ以上１０ｎｍ以下である。この結果、絶縁膜１１２を介
して、酸化物半導体膜１１０に不純物元素を添加することが可能であると共に、絶縁膜１
１８に含まれる水素を、絶縁膜１１２を介して酸化物半導体膜１１０へ移動させることが
できる。この結果、低抵抗領域１１０ｂ、１１０ｃを形成することができる。
絶縁膜１１２として、窒素を含み、且つ欠陥量の少ない酸化物絶縁膜を用いて形成する
ことで、絶縁膜１１２において窒素酸化物が生成されにくくなり、絶縁膜１１２と、酸化
物半導体膜１１０との界面におけるキャリアのトラップを低減することが可能である。こ
の結果、トランジスタのしきい値電圧のシフトを低減することが可能であり、トランジス
タの電気特性の変動を低減することができる。
さらに、絶縁膜１０８を絶縁膜１０８ａ、１０８ｂ、１０８ｃの多層構造とし、例えば
、窒化物絶縁膜を用いて絶縁膜１０８ａを形成し、加熱により酸素を放出する酸化物絶縁
膜を用いて絶縁膜１０８ｂを形成し、窒素を含み、且つ欠陥量の少ない酸化物絶縁膜を用
いて絶縁膜１０８ｃを形成する。さらに、窒素を含み、且つ欠陥量の少ない酸化物絶縁膜
を用いて絶縁膜１１２を形成する。すなわち、窒素を含み、且つ欠陥量の少ない酸化物絶
縁膜で、酸化物半導体膜１１０を覆うことができる。この結果、絶縁膜１０８ｂに含まれ
る酸素を、加熱処理により酸化物半導体膜１１０に移動させ、酸化物半導体膜１１０のチ
ャネル領域１１０ａに含まれる酸素欠損を低減しつつ、絶縁膜１０８ｃ、１１２と、酸化
物半導体膜１１０との界面におけるキャリアのトラップを低減することが可能である。こ
の結果、トランジスタのしきい値電圧のシフトを低減することが可能であり、トランジス
タの電気特性の変動を低減することができる。
＜半導体装置の構成９＞
図１１（Ａ）に示すトランジスタ１００Ｈは、図５（Ｃ）に示すトランジスタ１００Ａ
と酸化物半導体膜１１０の構造が相違する。具体的には、トランジスタ１００Ｈが有する
酸化物半導体膜１１０は、酸化物半導体膜１１０＿１と、酸化物半導体膜１１０＿１に接
して設けられる酸化物半導体膜１１０＿２と、を有する。すなわち、酸化物半導体膜１１
０が多層構造である。
また、図１１（Ａ）に示すトランジスタ１００Ｈの酸化物半導体膜１１０は、先に説明
した低抵抗領域を有する。具体的には、トランジスタ１００Ｈの酸化物半導体膜１１０は
、チャネル領域１１０ａ＿１と、チャネル領域１１０ａ＿２と、低抵抗領域１１０ｂ＿１
と、低抵抗領域１１０ｂ＿２と、低抵抗領域１１０ｃ＿１と、低抵抗領域１１０ｃ＿２と
、を有する。
＜バンド構造＞
ここで、図１１（Ｂ）に、トランジスタ１００Ｈのチャネル領域を含むＡ−Ｂ断面にお
けるバンド構造を示す。なお、酸化物半導体膜１１０＿２は、酸化物半導体膜１１０＿１
よりもエネルギーギャップが大きいとする。また、絶縁膜１０８ａ、絶縁膜１０８ｂ及び
絶縁膜１１２は、酸化物半導体膜１１０＿１及び酸化物半導体膜１１０＿２よりもエネル
ギーギャップが大きいとする。また、酸化物半導体膜１１０＿１、酸化物半導体膜１１０
＿２、絶縁膜１０８ａ、絶縁膜１０８ｂ及び絶縁膜１１２のフェルミ準位（Ｅｆと表記す
る。）は、それぞれの真性フェルミ準位（Ｅｉと表記する。）の位置とする。また、導電
膜１０６及び導電膜１１４の仕事関数は、該フェルミ準位と同じ位置とする。
ゲート電圧をトランジスタのしきい値電圧以上としたとき、酸化物半導体膜１１０＿１
と酸化物半導体膜１１０＿２との間の伝導帯下端のエネルギーの差により、電子は酸化物
半導体膜１１０＿１を優先的に流れる。すなわち酸化物半導体膜１１０＿１に電子が埋め
込まれると推定することができる。なお、伝導帯下端のエネルギーをＥｃと表記し、価電
子帯上端のエネルギーをＥｖと表記する。
したがって、本発明の一態様に係るトランジスタは、電子の埋め込みによって界面散乱
の影響が低減されている。そのため、本発明の一態様に係るトランジスタは、チャネル抵
抗が小さい。
次に、図１１（Ｃ）に、トランジスタのソース領域またはドレイン領域を含むＣ−Ｄ断
面におけるバンド構造を示す。なお、低抵抗領域１１０ｃ＿１及び低抵抗領域１１０ｃ＿
２は、縮退状態とする。また、低抵抗領域１１０ｃ＿１において、酸化物半導体膜１１０
＿１のフェルミ準位は伝導帯下端のエネルギーと同程度とする。また、低抵抗領域１１０
ｃ＿２において、酸化物半導体膜１１０＿２のフェルミ準位は伝導帯下端のエネルギーと
同程度とする。
このとき、ソース電極またはドレイン電極としての機能を有する導電膜１２４と、低抵
抗領域１１０ｃ＿２と、はエネルギー障壁が十分小さいため、オーミック接触となる。ま
た、低抵抗領域１１０ｃ＿２と、低抵抗領域１１０ｃ＿１と、はオーミック接触となる。
したがって、導電膜１２４と、酸化物半導体膜１１０＿１及び酸化物半導体膜１１０＿２
と、の間で、電子の授受がスムーズに行われることがわかる。
なお、トランジスタのソース電極及びドレイン電極の一方の電極として機能する導電膜
１２２と酸化物半導体膜１１０の低抵抗領域１１０ｂ＿１及び低抵抗領域１１０ｂ＿２が
接触する領域においても、図１１（Ｃ）と同様の説明を行うことができる。
以上に示したように、本発明の一態様に係るトランジスタは、ソース電極及びドレイン
電極と、チャネル領域と、の間の電子の授受がスムーズに行われ、かつチャネル抵抗の小
さいトランジスタである。即ち、優れたスイッチング特性を有するトランジスタであるこ
とがわかる。
＜半導体装置の導電膜の接続部及び交差部＞
次に、図５（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）（Ｄ）に示す、本発明の一態様の半導体装置の各導電膜
の接続部及び交差部の構成について、図３０（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）（Ｄ）を用いて説明する
。なお、図３０（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）は、各導電膜の接続部の構成を示す断面図であり、図
３０（Ｄ）は、異なる２つの導電膜の交差部の構成を示す断面図である。
図３０（Ａ）に示す接続部は、基板１０２上の絶縁膜１０４と、絶縁膜１０４上の導電
膜３０６と、導電膜３０６を覆う絶縁膜１０８と、絶縁膜１０８上の絶縁膜１１２と、絶
縁膜１１２上に設けられ、絶縁膜１１２及び絶縁膜１０８に設けられた開口部３５２を介
して、導電膜３０６と接続する導電膜３１４と、絶縁膜１０８、１１２、及び導電膜３１
４を覆う絶縁膜１１８と、絶縁膜１１８上の絶縁膜１２０と、絶縁膜１２０上に設けられ
、絶縁膜１１８、１２０に設けられた開口部３５３を介して、導電膜３１４と接続する導
電膜３１８と、絶縁膜１２０及び導電膜３１８を覆う絶縁膜１２８と、を有する。
図３０（Ｂ）に示す接続部は、基板１０２上の絶縁膜１０４と、絶縁膜１０４上の絶縁
膜１０８と、絶縁膜１０８上の絶縁膜１１２と、絶縁膜１１２上の導電膜３２４と、絶縁
膜１０８、１１２、及び導電膜３２４を覆う絶縁膜１１８と、絶縁膜１１８上の絶縁膜１
２０と、絶縁膜１２０上に設けられ、絶縁膜１１８、１２０に設けられた開口部３５４を
介して、導電膜３２４と接続する導電膜３２８と、絶縁膜１２０及び導電膜３２８を覆う
絶縁膜１２８と、を有する。
図３０（Ｃ）に示す接続部は、基板１０２上の絶縁膜１０４と、絶縁膜１０４上の導電
膜３１６と、導電膜３１６を覆う絶縁膜１０８と、絶縁膜１０８上の絶縁膜１１２と、絶
縁膜１１２上に設けられ、絶縁膜１１２及び絶縁膜１０８に設けられた開口部３５５を介
して、導電膜３１６と接続する導電膜３３４と、絶縁膜１０８及び導電膜３３４を覆う絶
縁膜１１８と、絶縁膜１１８上の絶縁膜１２０と、絶縁膜１２０上の絶縁膜１２８と、を
有する。
図３０（Ｄ）に示す交差部は、基板１０２上の絶縁膜１０４と、絶縁膜１０４上の導電
膜３２６と、導電膜３２６を覆う絶縁膜１０８と、絶縁膜１０８上の絶縁膜１１８と、絶
縁膜１１８上の絶縁膜１２０と、絶縁膜１２０上の導電膜３３８と、導電膜３３８上の絶
縁膜１２８と、を有する。
なお、図３０（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）（Ｄ）において、絶縁膜１０８は、絶縁膜１０８ａと
、絶縁膜１０８ａ上の絶縁膜１０８ｂとの積層構造である。また、図３０（Ａ）において
、導電膜３０６は、導電膜３０６ａと、導電膜３０６ａ上の導電膜３０６ｂとの積層構造
であり、導電膜３１４は、導電膜３１４ａと、導電膜３１４ａ上の導電膜３１４ｂとの積
層構造であり、導電膜３１８は、導電膜３１８ａと、導電膜３１８ａ上の導電膜３１８ｂ
との積層構造である。また、図３０（Ｂ）において、導電膜３２４は、導電膜３２４ａと
、導電膜３２４ａ上の導電膜３２４ｂとの積層構造であり、導電膜３２８は、導電膜３２
８ａと、導電膜３２８ａ上の導電膜３２８ｂとの積層構造である。また、図３０（Ｃ）に
おいて、導電膜３１６は、導電膜３１６ａと、導電膜３１６ａ上の導電膜３１６ｂとの積
層構造であり、導電膜３３４は、導電膜３３４ａと、導電膜３３４ａ上の導電膜３３４ｂ
との積層構造である。また、図３０（Ｄ）において、導電膜３２６は、導電膜３２６ａと
、導電膜３２６ａ上の導電膜３２６ｂとの積層構造であり、導電膜３３８は、導電膜３３
８ａと、導電膜３３８ａ上の導電膜３３８ｂとの積層構造である。
導電膜３０６、３１６、３２６は、トランジスタ１００Ａが有する導電膜１０６と同一
工程で形成される。すなわち、導電膜１０６と、導電膜３０６と、導電膜３１６と、導電
膜３２６は、少なくとも一部が同一表面上に形成される。また、導電膜３１４、３２４、
３３４は、トランジスタ１００Ａが有する導電膜１１４及び容量素子１５０Ａが有する導
電膜１１６と、同一工程で形成される。すなわち、導電膜１１４と、導電膜１１６と、導
電膜３１４と、導電膜３２４と、導電膜３３４は、少なくとも一部が同一表面上に形成さ
れる。また、導電膜３１８、３２８、３３８は、トランジスタ１００Ａが有する導電膜１
２２及び導電膜１２４、並びに容量素子１５０Ａが有する導電膜１２６と、同一工程で形
成される。すなわち、導電膜１２４と、導電膜１２６と、導電膜３１８と、導電膜３２８
と、導電膜３３８は、少なくとも一部が同一表面上に形成される。
また、図３０（Ｄ）に示すように、導電膜３２６と導電膜３３８の間には、絶縁膜１０
８と、絶縁膜１１８と、絶縁膜１２０が設けられている。すなわち、導電膜３２６と導電
膜３３８の交差部においては、複数の絶縁膜が積層された構造である。図３０（Ｄ）に示
すような導電膜の交差部の構造とすることで、導電膜が交差する部分における寄生容量を
低減することができる。この結果、該寄生容量による信号遅延を低減することができる。
＜半導体装置の作製方法１＞
次に、図１に示すトランジスタ１００及び容量素子１５０の作製方法の一例について、
図１２乃至図１６を用いて説明する。
なお、トランジスタ１００及び容量素子１５０を構成する膜（絶縁膜、酸化物半導体膜
、導電膜等）は、スパッタリング法、化学気相堆積（ＣＶＤ）法、真空蒸着法、パルスレ
ーザー堆積（ＰＬＤ）法を用いて形成することができる。あるいは、塗布法や印刷法で形
成することができる。成膜方法としては、スパッタリング法、プラズマ化学気相堆積（Ｐ
ＥＣＶＤ）法が代表的であるが、熱ＣＶＤ法でもよい。熱ＣＶＤ法の例として、ＭＯＣＶ
Ｄ（有機金属化学堆積）法やＡＬＤ（原子層成膜）法を使ってもよい。
熱ＣＶＤ法は、チャンバー内を大気圧または減圧下とし、原料ガスと酸化剤を同時にチ
ャンバー内に送り、基板近傍または基板上で反応させて基板上に堆積させることで成膜を
行う。このように、熱ＣＶＤ法は、プラズマを発生させない成膜方法であるため、プラズ
マダメージにより欠陥が生成されることが無いという利点を有する。
また、ＡＬＤ法は、チャンバー内を大気圧または減圧下とし、反応のための原料ガスが
順次にチャンバーに導入され、そのガス導入の順序を繰り返すことで成膜を行う。例えば
、それぞれのスイッチングバルブ（高速バルブともよぶ。）を切り替えて２種類以上の原
料ガスを順番にチャンバーに供給し、複数種の原料ガスが混ざらないように第１の原料ガ
スと同時またはその後に不活性ガス（アルゴン、或いは窒素など）などを導入し、第２の
原料ガスを導入する。なお、同時に不活性ガスを導入する場合には、不活性ガスはキャリ
アガスとなり、また、第２の原料ガスの導入時にも同時に不活性ガスを導入してもよい。
また、不活性ガスを導入する代わりに真空排気によって第１の原料ガスを排出した後、第
２の原料ガスを導入してもよい。第１の原料ガスが基板の表面に吸着して第１の単原子層
を成膜し、後から導入される第２の原料ガスと反応して、第２の単原子層が第１の単原子
層上に積層されて薄膜が形成される。
このガス導入順序を制御しつつ所望の厚さになるまで複数回繰り返すことで、段差被覆
性に優れた薄膜を形成することができる。薄膜の厚さは、ガス導入順序を繰り返す回数に
よって調節することができるため、精密な膜厚調節が可能であり、微細なトランジスタを
作製する場合に適している。
なお、図１２（Ａ）（Ｃ）（Ｅ）（Ｇ）、図１３（Ａ）（Ｃ）（Ｅ）、図１４（Ａ）（
Ｃ）（Ｅ）、図１５（Ａ）（Ｃ）（Ｅ）、及び図１６（Ａ）（Ｃ）（Ｅ）がトランジスタ
１００の作製方法を説明する断面図であり、図１２（Ｂ）（Ｄ）（Ｆ）（Ｈ）、図１３（
Ｂ）（Ｄ）（Ｆ）、図１４（Ｂ）（Ｄ）（Ｆ）、図１５（Ｂ）（Ｄ）（Ｆ）、及び図１６
（Ｂ）（Ｄ）（Ｆ）が容量素子１５０の作製方法を説明する断面図である。
まず、基板１０２上に絶縁膜１０８（絶縁膜１０８ａ及び絶縁膜１０８ｂ）を形成する
（図１２（Ａ）（Ｂ）参照）。
絶縁膜１０８としては、スパッタリング法、ＣＶＤ法、蒸着法、パルスレーザー堆積（
ＰＬＤ）法、印刷法、塗布法等を適宜用いて形成することができる。本実施の形態におい
ては、絶縁膜１０８ａとして、ＰＥＣＶＤ装置を用い、窒化シリコン膜を１００ｎｍ形成
する。また、絶縁膜１０８ｂとして、ＰＥＣＶＤ装置を用い、酸化窒化シリコン膜を４０
０ｎｍ形成する。
また、絶縁膜１０８ｂを形成した後、絶縁膜１０８ｂに酸素を添加してもよい。絶縁膜
１０８ｂに添加する酸素としては、酸素ラジカル、酸素原子、酸素原子イオン、酸素分子
イオン等がある。また、添加方法としては、イオンドーピング法、イオン注入法、プラズ
マ処理法等がある。また、絶縁膜上に酸素の脱離を抑制する膜を形成した後、該膜を介し
て絶縁膜１０８ｂに酸素を添加してもよい。
また、ＰＥＣＶＤ装置の真空排気された処理室内に載置された基板を１８０℃以上２８
０℃以下、又は２００℃以上２４０℃以下に保持し、処理室に原料ガスを導入して処理室
内における圧力を１００Ｐａ以上２５０Ｐａ以下、又は１００Ｐａ以上２００Ｐａ以下と
し、処理室内に設けられる電極に０．１７Ｗ／ｃｍ２以上０．５Ｗ／ｃｍ２以下、又は０
．２５Ｗ／ｃｍ２以上０．３５Ｗ／ｃｍ２以下の高周波電力を供給する条件により、加熱
処理により酸素を放出することが可能な酸化シリコン膜又は酸化窒化シリコン膜を絶縁膜
１０８ｂとして形成することができる。
ここでは、絶縁膜１０８ｂ上に酸素の脱離を抑制する膜を形成した後、該膜を介して絶
縁膜１０８ｂに酸素を添加する方法を説明する。
絶縁膜１０８ｂ上に、酸素の脱離を抑制する膜１４１を形成する（図１２（Ｃ）（Ｄ）
参照）。
次に、膜１４１を介して絶縁膜１０８ｂに酸素１４２を添加する（図１２（Ｅ）（Ｆ）
参照）。
酸素の脱離を抑制する膜１４１として、アルミニウム、クロム、タンタル、チタン、モ
リブデン、ニッケル、鉄、コバルト、タングステンから選ばれた金属元素、上述した金属
元素を成分とする合金、上述した金属元素を組み合わせた合金、上述した金属元素を有す
る金属窒化物、上述した金属元素を有する金属酸化物、上述した金属元素を有する金属窒
化酸化物等の導電性を有する材料を用いて形成する。
酸素の脱離を抑制する膜１４１の厚さは、１ｎｍ以上２０ｎｍ以下、または２ｎｍ以上
１０ｎｍ以下とすることができる。
膜１４１を介して絶縁膜１０８ｂに酸素１４２を添加する方法としては、イオンドーピ
ング法、イオン注入法、プラズマ処理法等がある。絶縁膜１０８ｂ上に膜１４１を設けて
酸素を添加することで、膜１４１が絶縁膜１０８ｂから酸素が脱離することを抑制する保
護膜として機能する。このため、絶縁膜１０８ｂにより多くの酸素を添加することができ
る。
また、プラズマ処理で酸素の添加を行う場合、マイクロ波で酸素を励起し、高密度な酸
素プラズマを発生させることで、絶縁膜１０８ｂへの酸素添加量を増加させることができ
る。
こののち、膜１４１を除去する（図１２（Ｇ）（Ｈ）参照）。
なお、成膜後に十分に酸素が添加された絶縁膜１０８ｂを形成できる場合においては、
図１２（Ｃ）（Ｄ）、及び図１２（Ｅ）（Ｆ）に示す酸素を添加する処理を行わなくても
よい。
次に、絶縁膜１０８ｂ上に酸化物半導体膜を形成し、該酸化物半導体膜を所望の形状に
加工することで、酸化物半導体膜１１０を形成する。こののち、絶縁膜１０８ｂ及び酸化
物半導体膜１１０上に絶縁膜１１２を形成する（図１３（Ａ）（Ｂ）参照）。
酸化物半導体膜１１０の形成方法について以下に説明する。絶縁膜１０８ｂ上にスパッ
タリング法、塗布法、パルスレーザー蒸着法、レーザーアブレーション法、熱ＣＶＤ法等
により酸化物半導体膜を形成する。次に、酸化物半導体膜上にリソグラフィ工程によりマ
スクを形成した後、該マスクを用いて酸化物半導体膜の一部をエッチングすることで、図
１３（Ａ）に示すように、酸化物半導体膜１１０を形成することができる。この後、マス
クを除去する。なお、酸化物半導体膜１１０を形成した後、加熱処理を行ってもよい。
また、酸化物半導体膜１１０として印刷法を用いることで、素子分離された酸化物半導
体膜１１０を直接形成することができる。
スパッタリング法で酸化物半導体膜を形成する場合、プラズマを発生させるための電源
装置は、ＲＦ電源装置、ＡＣ電源装置、ＤＣ電源装置等を適宜用いることができる。なお
、ＡＣ電源装置またはＤＣ電源装置を用いることで、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜を形成することが
可能である。また、ＲＦ電源装置を用いたスパッタリング法で酸化物半導体膜を形成する
よりも、ＡＣ電源装置またはＤＣ電源装置を用いたスパッタリング法で酸化物半導体膜を
形成した方が、膜厚の分布、膜組成の分布、または結晶性の分布が均一となるため好まし
い。
酸化物半導体膜を形成する場合のスパッタリングガスは、希ガス（代表的にはアルゴン
）、酸素ガス、希ガス及び酸素ガスの混合ガスを適宜用いる。なお、希ガス及び酸素ガス
の混合ガスの場合、希ガスに対して酸素のガス比を高めることが好ましい。
また、酸化物半導体膜を形成する場合のスパッタリングターゲットは、形成する酸化物
半導体膜の組成にあわせて、適宜選択すればよい。
なお、酸化物半導体膜を形成する際に、例えば、スパッタリング法を用いる場合、基板
温度を１５０℃以上７５０℃以下、または１５０℃以上４５０℃以下、または２００℃以
上３５０℃以下として、酸化物半導体膜を成膜することで、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜を形成する
ことができる。また、基板温度を２５℃以上１５０℃未満とすることで、微結晶酸化物半
導体膜を形成することができる。
また、後述するＣＡＡＣ−ＯＳ膜を成膜するために、以下の条件を適用することが好ま
しい。
成膜時の不純物混入を抑制することで、不純物によって結晶状態が崩れることを抑制で
きる。例えば、成膜室内に存在する不純物濃度（水素、水、二酸化炭素及び窒素など）を
低減すればよい。また、成膜ガス中の不純物濃度を低減すればよい。具体的には、露点が
−８０℃以下、または−１００℃以下である成膜ガスを用いる。
また、成膜ガス中の酸素割合を高め、電力を最適化することで成膜時のプラズマダメー
ジを軽減すると好ましい。成膜ガス中の酸素割合は、３０体積％以上、または１００体積
％とする。
また、酸化物半導体膜を形成した後、加熱処理を行い、酸化物半導体膜の脱水素化また
は脱水化をしてもよい。加熱処理の温度は、代表的には、１５０℃以上基板歪み点未満、
または２５０℃以上４５０℃以下、または３００℃以上４５０℃以下とする。
加熱処理は、ヘリウム、ネオン、アルゴン、キセノン、クリプトン等の希ガス、または
窒素を含む不活性ガス雰囲気で行う。または、不活性ガス雰囲気で加熱した後、酸素雰囲
気で加熱してもよい。なお、上記不活性雰囲気及び酸素雰囲気に水素、水などが含まれな
いことが好ましい。処理時間は３分以上２４時間以下とする。
該加熱処理は、電気炉、ＲＴＡ装置等を用いることができる。ＲＴＡ装置を用いること
で、短時間に限り、基板の歪み点以上の温度で熱処理を行うことができる。そのため加熱
処理時間を短縮することができる。
酸化物半導体膜を加熱しながら成膜することで、さらには酸化物半導体膜を形成した後
、加熱処理を行うことで、酸化物半導体膜において、二次イオン質量分析法により得られ
る水素濃度を５×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、または１×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃ
ｍ３以下、５×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、または１×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ
３以下、または５×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、または１×１０１６ａｔｏｍｓ／
ｃｍ３以下とすることができる。
ＡＬＤを利用する成膜装置により酸化物半導体膜、例えばＩｎＧａＺｎＯＸ（Ｘ＞０）
膜を成膜する場合には、Ｉｎ（ＣＨ３）３ガスとＯ３ガスを順次繰り返し導入してＩｎＯ
２層を形成し、その後、Ｇａ（ＣＨ３）３ガスとＯ３ガスを同時に導入してＧａＯ層を形
成し、更にその後Ｚｎ（ＣＨ３）２とＯ３ガスを同時に導入してＺｎＯ層を形成する。な
お、これらの層の順番はこの例に限らない。また、これらのガスを混ぜてＩｎＧａＯ２層
やＩｎＺｎＯ２層、ＧａＩｎＯ層、ＺｎＩｎＯ層、ＧａＺｎＯ層などの混合化合物層を形
成してもよい。なお、Ｏ３ガスに変えてＡｒ等の不活性ガスでバブリングしたＨ２Ｏガス
を用いてもよいが、Ｈを含まないＯ３ガスを用いる方が好ましい。また、Ｉｎ（ＣＨ３）
３ガスにかえて、Ｉｎ（Ｃ２Ｈ５）３ガスを用いてもよい 。また、Ｇａ（ＣＨ３）３ガ
スにかえて、Ｇａ（Ｃ２Ｈ５）３ガスを用いてもよい。また、Ｚｎ（ＣＨ３）２ガスを用
いてもよい。
なお、本実施の形態においては、酸化物半導体膜１１０として、スパッタリング装置を
用い、スパッタリングターゲットとしてＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ金属酸化物（Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ
＝１：１：１．２［原子数比］）を用いて、膜厚５０ｎｍの酸化物半導体膜を成膜した後
、加熱処理を行い、絶縁膜１０８ｂに含まれる酸素を酸化物半導体膜に移動させる。次に
、当該酸化物半導体膜上にマスクを形成し、酸化物半導体膜の一部を選択的にエッチング
することで、酸化物半導体膜１１０を形成する。
なお、加熱処理は、３５０℃より高く６５０℃以下、または４５０℃以上６００℃以下
で行うことで、後述するＣＡＡＣ化率が、６０％以上１００％未満、または８０％以上１
００％未満、または９０％以上１００％未満、または９５％以上９８％以下である酸化物
半導体膜を得ることができる。また、水素、水等の含有量が低減された酸化物半導体膜を
得ることが可能である。すなわち、不純物濃度が低く、欠陥準位密度の低い酸化物半導体
膜を形成することができる。
絶縁膜１１２は、絶縁膜１０８ｂの形成方法を適宜用いることができる。絶縁膜１１２
としては、酸化シリコン膜または酸化窒化シリコン膜を、ＰＥＣＶＤ法を用いて形成する
ことができる。この場合、原料ガスとしては、シリコンを含む堆積性気体及び酸化性気体
を用いることが好ましい。シリコンを含む堆積性気体の代表例としては、シラン、ジシラ
ン、トリシラン、フッ化シラン等がある。酸化性気体としては、酸素、オゾン、一酸化二
窒素、二酸化窒素等がある。
また、絶縁膜１１２として、堆積性気体に対する酸化性気体を２０倍より大きく１００
倍未満、または４０倍以上８０倍以下とし、処理室内の圧力を１００Ｐａ未満、または５
０Ｐａ以下とするＰＥＣＶＤ法を用いることで、欠陥量の少ない酸化窒化シリコン膜を形
成することができる。
また、絶縁膜１１２として、ＰＥＣＶＤ装置の真空排気された処理室内に載置された基
板を２８０℃以上４００℃以下に保持し、処理室に原料ガスを導入して処理室内における
圧力を２０Ｐａ以上２５０Ｐａ以下、さらに好ましくは１００Ｐａ以上２５０Ｐａ以下と
し、処理室内に設けられる電極に高周波電力を供給する条件により、絶縁膜１１２として
、緻密である酸化シリコン膜または酸化窒化シリコン膜を形成することができる。
また、絶縁膜１１２を、マイクロ波を用いたプラズマＣＶＤ法を用いて形成することが
できる。マイクロ波とは３００ＭＨｚから３００ＧＨｚの周波数域を指す。マイクロ波は
電子温度が低く、電子エネルギーが小さい。また、供給された電力において、電子の加速
に用いられる割合が少なく、より多くの分子の解離及び電離に用いられることが可能であ
り、密度の高いプラズマ（高密度プラズマ）を励起することができる。このため、被成膜
面及び堆積物へのプラズマダメージが少なく、欠陥の少ない絶縁膜１１２を形成すること
ができる。
また、絶縁膜１１２を、有機シランガスを用いたＣＶＤ法を用いて形成することができ
る。有機シランガスとしては、珪酸エチル（ＴＥＯＳ：化学式Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）４）、
テトラメチルシラン（ＴＭＳ：化学式Ｓｉ（ＣＨ３）４）、テトラメチルシクロテトラシ
ロキサン（ＴＭＣＴＳ）、オクタメチルシクロテトラシロキサン（ＯＭＣＴＳ）、ヘキサ
メチルジシラザン（ＨＭＤＳ）、トリエトキシシラン（ＳｉＨ（ＯＣ２Ｈ５）３）、トリ
スジメチルアミノシラン（ＳｉＨ（Ｎ（ＣＨ３）２）３）などのシリコン含有化合物を用
いることができる。有機シランガスを用いたＣＶＤ法を用いることで、被覆性の高い絶縁
膜１１２を形成することができる。
また、絶縁膜１１２として酸化ガリウム膜を形成する場合、ＭＯＣＶＤ（Ｍｅｔａｌ
Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法を用いて形
成することができる。
また、絶縁膜１１２として、ＭＯＣＶＤ法やＡＬＤ法などの熱ＣＶＤ法を用いて、酸化
ハフニウム膜を形成する場合には、溶媒とハフニウム前駆体化合物を含む液体（ハフニウ
ムアルコキシド溶液、代表的にはテトラキスジメチルアミドハフニウム（ＴＤＭＡＨ））
を気化させた原料ガスと、酸化剤としてオゾン（Ｏ３）の２種類のガスを用いる。なお、
テトラキスジメチルアミドハフニウムの化学式はＨｆ［Ｎ（ＣＨ３）２］４である。また
、他の材料液としては、テトラキス（エチルメチルアミド）ハフニウムなどがある。
また、絶縁膜１１２として、ＭＯＣＶＤ法やＡＬＤ法などの熱ＣＶＤ法を用いて、酸化
アルミニウム膜を形成する場合には、溶媒とアルミニウム前駆体化合物を含む液体（トリ
メチルアルミニウムＴＭＡなど）を気化させた原料ガスと、酸化剤としてＨ２Ｏの２種類
のガスを用いる。なお、トリメチルアルミニウムの化学式はＡｌ（ＣＨ３）３である。ま
た、他の材料液としては、トリス（ジメチルアミド）アルミニウム、トリイソブチルアル
ミニウム、アルミニウムトリス（２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオ
ナート）などがある。なお、ＡＬＤ法で形成することで、被覆率が高く、膜厚の薄い絶縁
膜１１２を形成することが可能である。
また、絶縁膜１１２として、ＭＯＣＶＤ法やＡＬＤ法などの熱ＣＶＤ法を用いて、酸化
シリコン膜を形成する場合には、ヘキサクロロジシランを被成膜面に吸着させ、吸着物に
含まれる塩素を除去し、酸化性ガス（Ｏ２、一酸化二窒素）のラジカルを供給して吸着物
と反応させる。
ここでは、絶縁膜１１２として、ＰＥＣＶＤ装置を用い、厚さ１００ｎｍの酸化窒化シ
リコン膜を形成する。
次に、絶縁膜１１２上に導電膜１１３（導電膜１１３ａ及び導電膜１１３ｂ）を形成す
る（図１３（Ｃ）（Ｄ）参照）。
導電膜１１３としては、スパッタリング法、真空蒸着法、パルスレーザー堆積（ＰＬＤ
）法、熱ＣＶＤ法等を用いて形成することができる。本実施の形態においては、導電膜１
１３ａとして、スパッタリング装置を用い、窒化タンタル膜を１０ｎｍ形成する。また、
導電膜１１３ｂとして、スパッタリング装置を用い、銅膜を３００ｎｍ形成する。なお、
導電膜１１３ａと導電膜１１３ｂを真空中で連続して形成すると、導電膜１１３ａと導電
膜１１３ｂの界面に不純物が混入するのを抑制できるため好適である。
また、ＡＬＤ法を利用する成膜装置により導電膜１１３ｂとしてタングステン膜を成膜
することができる。この場合には、ＷＦ６ガスとＢ２Ｈ６ガスを順次繰り返し導入して初
期タングステン膜を形成し、その後、ＷＦ６ガスとＨ２ガスを同時に導入してタングステ
ン膜を形成する。なお、Ｂ２Ｈ６ガスに代えてＳｉＨ４ガスを用いてもよい。
次に、導電膜１１３ｂ上にリソグラフィ工程によりマスク１４５を形成した後、導電膜
１１３ｂ、導電膜１１３ａ、及び絶縁膜１１２の一部をエッチングする（図１３（Ｅ）（
Ｆ）参照）。
導電膜１１３及び絶縁膜１１２をエッチングする方法は、ウエットエッチング法または
／及びドライエッチング法を適宜用いることができる。
次に、マスク１４５を縮小させながら、導電膜１１３及び絶縁膜１１２を加工すること
で、導電膜１１４ａ、１１４ｂ、１１６ａ、１１６ｂを形成する（図１４（Ａ）（Ｂ）参
照）。
また、トランジスタ１００においては、導電膜１１３及び絶縁膜１１２のエッチング工
程において、酸化物半導体膜１１０の一部を露出させる。なお、酸化物半導体膜１１０の
一部が露出した領域は、導電膜１１４及び絶縁膜１１２のエッチング工程により、導電膜
１１４と重なる酸化物半導体膜１１０よりも膜厚が薄くなる場合がある。また、トランジ
スタ１００においては、導電膜１１３及び絶縁膜１１２のエッチング工程において、下地
膜として機能する絶縁膜１０８ｂの酸化物半導体膜１１０から露出した領域の一部が除去
され、酸化物半導体膜１１０と重畳する領域の膜厚よりも薄くなる場合がある。また、容
量素子１５０においては、導電膜１１３及び絶縁膜１１２のエッチング工程において、下
地膜として機能する絶縁膜１０８ｂの絶縁膜１１２から露出した領域の一部が除去され、
絶縁膜１１２と重畳する領域の膜厚よりも薄くなる場合がある。
次に、絶縁膜１０８ｂ、絶縁膜１１２、酸化物半導体膜１１０、導電膜１１４、及びマ
スク１４５上から不純物元素１４３を添加する（図１４（Ｃ）（Ｄ）参照）。
不純物元素１４３の添加工程において、導電膜１１４、絶縁膜１１２、及びマスク１４
５に覆われていない酸化物半導体膜１１０に不純物元素が添加される。なお、不純物元素
１４３の添加により、酸化物半導体膜１１０には酸素欠損が形成される。
不純物元素１４３の添加方法としては、イオンドーピング法、イオン注入法、プラズマ
処理法等がある。プラズマ処理法の場合、添加する不純物元素を含むガス雰囲気にてプラ
ズマを発生させて、プラズマ処理を行うことによって、不純物元素を添加することができ
る。上記プラズマを発生させる装置としては、ドライエッチング装置、アッシング装置、
プラズマＣＶＤ装置、高密度プラズマＣＶＤ装置等を用いることができる。
なお、不純物元素１４３の原料ガスとして、Ｂ２Ｈ６、ＰＨ３、ＣＨ４、Ｎ２、ＮＨ３
、ＡｌＨ３、ＡｌＣｌ３、ＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６、Ｆ２、ＨＦ、Ｈ２及び希ガスの一以上
を用いることができる。または、希ガスで希釈されたＢ２Ｈ６、ＰＨ３、Ｎ２、ＮＨ３、
ＡｌＨ３、ＡｌＣｌ３、Ｆ２、ＨＦ、及びＨ２の一以上を用いることができる。希ガスで
希釈されたＢ２Ｈ６、ＰＨ３、Ｎ２、ＮＨ３、ＡｌＨ３、ＡｌＣｌ３、Ｆ２、ＨＦ、及び
Ｈ２の一以上を用いて不純物元素１４３を酸化物半導体膜１１０に添加することで、希ガ
スと、水素、ホウ素、炭素、窒素、フッ素、アルミニウム、シリコン、リン、及び塩素の
一以上とを同時に酸化物半導体膜１１０に添加することができる。
または、希ガスを酸化物半導体膜１１０に添加した後、Ｂ２Ｈ６、ＰＨ３、ＣＨ４、Ｎ
２、ＮＨ３、ＡｌＨ３、ＡｌＣｌ３、ＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６、Ｆ２、ＨＦ、及びＨ２の一
以上を酸化物半導体膜１１０に添加してもよい。
または、Ｂ２Ｈ６、ＰＨ３、ＣＨ４、Ｎ２、ＮＨ３、ＡｌＨ３、ＡｌＣｌ３、ＳｉＨ４
、Ｓｉ２Ｈ６、Ｆ２、ＨＦ、及びＨ２の一以上を酸化物半導体膜１１０に添加した後、希
ガスを酸化物半導体膜１１０に添加してもよい。
不純物元素１４３の添加は、加速電圧、ドーズ量などの注入条件を適宜設定して制御す
ればよい。例えば、イオン注入法でアルゴンの添加を行う場合、加速電圧１０ｋＶ、ドー
ズ量は１×１０１３ｉｏｎｓ／ｃｍ２以上１×１０１６ｉｏｎｓ／ｃｍ２以下とすればよ
く、例えば、１×１０１４ｉｏｎｓ／ｃｍ２とすればよい。また、イオン注入法でリンイ
オンの添加を行う場合、加速電圧３０ｋＶ、ドーズ量は１×１０１３ｉｏｎｓ／ｃｍ２以
上５×１０１６ｉｏｎｓ／ｃｍ２以下とすればよく、例えば、１×１０１５ｉｏｎｓ／ｃ
ｍ２とすればよい。
また、ドライエッチング装置を用いて、不純物元素１４３として、アルゴンの添加を行
う場合、平行平板のカソード側に基板を設置し、基板側にバイアスが印加されるように、
ＲＦ電力を供給すればよい。該ＲＦ電力としては、例えば、電力密度を０．１Ｗ／ｃｍ２
以上２Ｗ／ｃｍ２以下とすればよい。
なお、本実施の形態に示すように、マスク１４５を残した状態で、不純物元素１４３の
添加を行うと好適である。マスク１４５を残した状態で不純物元素１４３の添加を行うこ
とで、導電膜１１４の構成元素が絶縁膜１１２の側壁に付着するのを抑制することができ
る。ただし、不純物元素１４３の添加方法は、これに限定されず、例えば、マスク１４５
を除去した後に、導電膜１１４及び絶縁膜１１２をマスクに不純物元素１４３の添加を行
ってもよい。
こののち、加熱処理を行い、不純物元素１４３が添加された領域の導電性をさらに高め
てもよい。上記加熱処理の温度は、代表的には、１５０℃以上基板歪み点未満、または２
５０℃以上４５０℃以下、または３００℃以上４５０℃以下とする。
次に、マスク１４５を除去する（図１４（Ｅ）（Ｆ）参照）。
次に、絶縁膜１０８ｂ、酸化物半導体膜１１０、及び導電膜１１４、１１６上に絶縁膜
１１８を形成し、絶縁膜１１８上に絶縁膜１２０を形成する（図１５（Ａ）（Ｂ）参照）
。
絶縁膜１１８及び絶縁膜１２０は、絶縁膜１０８ａ及び絶縁膜１０８ｂの形成方法を適
宜用いることができる。
本実施の形態においては、絶縁膜１１８としては、ＰＥＣＶＤ装置を用い、窒化シリコ
ン膜を１００ｎｍ形成する。また、絶縁膜１２０としては、ＰＥＣＶＤ装置を用い、酸化
窒化シリコン膜を３００ｎｍ形成する。
絶縁膜１１８として窒化シリコン膜を用いることで、該窒化シリコン膜中の水素が酸化
物半導体膜１１０中に入り込み、絶縁膜１１８に接する酸化物半導体膜１１０のキャリア
濃度をさらに向上させることが可能となる。
次に、絶縁膜１２０上にリソグラフィ工程によりマスクを形成した後、絶縁膜１２０の
一部をエッチングして、絶縁膜１１８に達する開口部１４０ｃを形成する（図１５（Ｃ）
（Ｄ）参照）。
絶縁膜１２０をエッチングする方法は、ウエットエッチング法または／及びドライエッ
チング法を適宜用いることができる。
次に、絶縁膜１２０上にリソグラフィ工程によりマスクを形成した後、絶縁膜１１８及
び絶縁膜１２０の一部をエッチングして、酸化物半導体膜１１０に達する開口部１４０ａ
及び開口部１４０ｂを形成する（図１５（Ｅ）（Ｆ）参照）。
なお、本実施の形態においては、開口部１４０ｃと開口部１４０ａ及び開口部１４０ｂ
とは、別工程にて形成する方法について例示したが、これに限定されない。例えば、ハー
フトーンマスクまたはグレートーンマスクを用いて、開口部１４０ｃと開口部１４０ａ及
び開口部１４０ｂを一括して形成してもよい。ハーフトーンマスクまたはグレートーンマ
スクを用いることで、リソグラフィ工程を１工程少なくすることが可能となるため、製造
コストを低減することが可能となる。
次に、開口部１４０ａ、開口部１４０ｂ、及び開口部１４０ｃを覆うように、絶縁膜１
２０上に導電膜１２１（導電膜１２１ａ及び導電膜１２１ｂ）を形成する（図１６（Ａ）
（Ｂ）参照）。
導電膜１２１としては、導電膜１１３の形成方法を適宜用いることができる。ここでは
、導電膜１２１ａとしては、スパッタリング装置を用い、厚さ５０ｎｍのタングステン膜
を形成する。また、導電膜１２１ｂとしては、スパッタリング装置を用い、厚さ２００ｎ
ｍの銅膜を形成する。
次に、導電膜１２１ｂ上にリソグラフィ工程によりマスクを形成した後、導電膜１２１
ａ及び導電膜１２１ｂの一部をエッチングして、導電膜１２２、導電膜１２４、及び導電
膜１２６を形成する（図１６（Ｃ）（Ｄ）参照）。
なお、導電膜１２２は、導電膜１２２ａと導電膜１２２ａ上の導電膜１２２ｂの積層構
造となる。また、導電膜１２４は、導電膜１２４ａと導電膜１２４ａ上の導電膜１２４ｂ
の積層構造となる。また、導電膜１２６は、導電膜１２６ａと導電膜１２６ａ上の導電膜
１２６ｂの積層構造となる。
次に、絶縁膜１２０、導電膜１２２、導電膜１２４、及び導電膜１２６上に絶縁膜１２
８を形成する（図１６（Ｅ）（Ｆ）参照）。
絶縁膜１２８は、絶縁膜１０８ａの形成方法を適宜用いることができる。ここでは、絶
縁膜１２８としては、ＰＥＣＶＤ装置を用い、厚さ２００ｎｍの窒化シリコン膜を形成す
る。
以上の工程により、トランジスタ１００及び容量素子１５０を同一基板上に作製するこ
とができる。
＜半導体装置の作製方法２＞
次に、図５に示すトランジスタ１００Ａ及び容量素子１５０Ａの作製方法の一例につい
て、以下説明する。
基板１０２上に絶縁膜１０４を形成する。次に絶縁膜１０４上に導電膜を形成し、該導
電膜を所望の形状に加工することで、導電膜１０６を形成する。次に、図１２（Ａ）乃至
（Ｈ）、及び図１３（Ａ）（Ｂ）に示す工程と同様の工程を行う。その後、絶縁膜１１２
上にリソグラフィ工程によりマスクを形成した後、絶縁膜１１２の一部をエッチングして
導電膜１０６に達する開口部１３９を形成する。その後の工程については、図１３（Ｃ）
以降に示す工程と同様の工程を行うことで、図５に示すトランジスタ１００Ａ及び容量素
子１５０Ａを同一基板上に作製することができる。
以上、本実施の形態で示す構成、方法は、他の実施の形態で示す構成、方法と適宜組み
合わせて用いることができる。
（実施の形態２）
本実施の形態では、本発明の一態様の半導体装置に含まれる酸化物半導体膜の構成につ
いて以下詳細に説明を行う。
まず、以下に酸化物半導体膜の有しうる構造について説明する。
酸化物半導体膜は、非単結晶酸化物半導体膜と単結晶酸化物半導体膜とに大別される。
非単結晶酸化物半導体膜とは、ＣＡＡＣ−ＯＳ（Ｃ Ａｘｉｓ Ａｌｉｇｎｅｄ Ｃｒｙ
ｓｔａｌｌｉｎｅ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）膜、多結晶酸化物半導体
膜、微結晶酸化物半導体膜、非晶質酸化物半導体膜などをいう。
まずは、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜について説明する。
ＣＡＡＣ−ＯＳ膜は、ｃ軸配向した複数の結晶部を有する酸化物半導体膜の一つである
。
ＣＡＡＣ−ＯＳ膜を透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ：Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ Ｅｌｅｃ
ｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）によって観察すると、明確な結晶部同士の境界、即ち
結晶粒界（グレインバウンダリーともいう。）を確認することができない。そのため、Ｃ
ＡＡＣ−ＯＳ膜は、結晶粒界に起因する電子移動度の低下が起こりにくいといえる。
ＣＡＡＣ−ＯＳ膜を、試料面と概略平行な方向からＴＥＭによって観察（断面ＴＥＭ観
察）すると、結晶部において、金属原子が層状に配列していることを確認できる。金属原
子の各層は、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜の膜を形成する面（被形成面ともいう。）または上面の凹
凸を反映した形状であり、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜の被形成面または上面と平行に配列する。
一方、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜を、試料面と概略垂直な方向からＴＥＭによって観察（平面Ｔ
ＥＭ観察）すると、結晶部において、金属原子が三角形状または六角形状に配列している
ことを確認できる。しかしながら、異なる結晶部間で、金属原子の配列に規則性は見られ
ない。
図１７（Ａ）は、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜の断面ＴＥＭ像である。また、図１７（Ｂ）は、図
１７（Ａ）をさらに拡大した断面ＴＥＭ像であり、理解を容易にするために原子配列を強
調表示している。
図１７（Ｃ）は、図１７（Ａ）のＡ−Ｏ−Ａ’間において、丸で囲んだ領域（直径約４
ｎｍ）の局所的なフーリエ変換像である。図１７（Ｃ）より、各領域においてｃ軸配向性
が確認できる。また、Ａ−Ｏ間とＯ−Ａ’間とでは、ｃ軸の向きが異なるため、異なるグ
レインであることが示唆される。また、Ａ−Ｏ間では、ｃ軸の角度が１４．３°、１６．
６°、３０．９°のように少しずつ連続的に変化していることがわかる。同様に、Ｏ−Ａ
’間では、ｃ軸の角度が−１８．３°、−１７．６°、−１１．３°と少しずつ連続的に
変化していることがわかる。
なお、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜に対し、電子回折を行うと、配向性を示すスポット（輝点）が
観測される。例えば、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜の上面に対し、例えば１ｎｍ以上３０ｎｍ以下の
電子線を用いる電子回折（ナノビーム電子回折ともいう。）を行うと、スポットが観測さ
れる（図１８（Ａ）参照）。
断面ＴＥＭ観察及び平面ＴＥＭ観察より、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜の結晶部は配向性を有して
いることがわかる。
なお、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜に含まれるほとんどの結晶部は、一辺が１００ｎｍ未満の立方
体内に収まる大きさである。従って、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜に含まれる結晶部は、一辺が１０
ｎｍ未満、５ｎｍ未満または３ｎｍ未満の立方体内に収まる大きさの場合も含まれる。た
だし、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜に含まれる複数の結晶部が連結することで、一つの大きな結晶領
域を形成する場合がある。例えば、平面ＴＥＭ像において、２５００ｎｍ２以上、５μｍ
２以上または１０００μｍ２以上となる結晶領域が観察される場合がある。
ＣＡＡＣ−ＯＳ膜に対し、Ｘ線回折（ＸＲＤ：Ｘ−Ｒａｙ Ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ）
装置を用いて構造解析を行うと、例えばＩｎＧａＺｎＯ４の結晶を有するＣＡＡＣ−ＯＳ
膜のｏｕｔ−ｏｆ−ｐｌａｎｅ法による解析では、回折角（２θ）が３１°近傍にピーク
が現れる場合がある。このピークは、ＩｎＧａＺｎＯ４の結晶の（００９）面に帰属され
ることから、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜の結晶がｃ軸配向性を有し、ｃ軸が被形成面または上面に
概略垂直な方向を向いていることが確認できる。
一方、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜に対し、ｃ軸に概略垂直な方向からＸ線を入射させるｉｎ−ｐ
ｌａｎｅ法による解析では、２θが５６°近傍にピークが現れる場合がある。このピーク
は、ＩｎＧａＺｎＯ４の結晶の（１１０）面に帰属される。ＩｎＧａＺｎＯ４の単結晶酸
化物半導体膜であれば、２θを５６°近傍に固定し、試料面の法線ベクトルを軸（φ軸）
として試料を回転させながら分析（φスキャン）を行うと、（１１０）面と等価な結晶面
に帰属されるピークが６本観察される。これに対し、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜の場合は、２θを
５６°近傍に固定してφスキャンした場合でも、明瞭なピークが現れない。
以上のことから、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜では、異なる結晶部間ではａ軸及びｂ軸の配向は不
規則であるが、ｃ軸配向性を有し、かつｃ軸が被形成面または上面の法線ベクトルに平行
な方向を向いていることがわかる。従って、前述の断面ＴＥＭ観察で確認された層状に配
列した金属原子の各層は、結晶のａｂ面に平行な面である。
なお、結晶部は、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜を成膜した際、または加熱処理などの結晶化処理を
行った際に形成される。上述したように、結晶のｃ軸は、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜の被形成面ま
たは上面の法線ベクトルに平行な方向に配向する。従って、例えば、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜の
形状をエッチングなどによって変化させた場合、結晶のｃ軸がＣＡＡＣ−ＯＳ膜の被形成
面または上面の法線ベクトルと平行にならないこともある。
また、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜中において、ｃ軸配向した結晶部の分布が均一でなくてもよい
。例えば、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜の結晶部が、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜の上面近傍からの結晶成長に
よって形成される場合、上面近傍の領域は、被形成面近傍の領域よりもｃ軸配向した結晶
部の割合が高くなることがある。また、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜に不純物を添加する場合、不純
物が添加された領域が変質し、部分的にｃ軸配向した結晶部の割合の異なる領域が形成さ
れることもある。
なお、ＩｎＧａＺｎＯ４の結晶を有するＣＡＡＣ−ＯＳ膜のｏｕｔ−ｏｆ−ｐｌａｎｅ
法による解析では、２θが３１°近傍のピークの他に、２θが３６°近傍にもピークが現
れる場合がある。２θが３６°近傍のピークは、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜中の一部に、ｃ軸配向
性を有さない結晶が含まれることを示している。ＣＡＡＣ−ＯＳ膜は、２θが３１°近傍
にピークを示し、２θが３６°近傍にピークを示さないことが好ましい。
ＣＡＡＣ−ＯＳ膜は、不純物濃度の低い酸化物半導体膜である。不純物は、水素、炭素
、シリコン、遷移金属元素などの酸化物半導体膜の主成分以外の元素である。特に、シリ
コンなどの、酸化物半導体膜を構成する金属元素よりも酸素との結合力の強い元素は、酸
化物半導体膜から酸素を奪うことで酸化物半導体膜の原子配列を乱し、結晶性を低下させ
る要因となる。また、鉄やニッケルなどの重金属、アルゴン、二酸化炭素などは、原子半
径（または分子半径）が大きいため、酸化物半導体膜内部に含まれると、酸化物半導体膜
の原子配列を乱し、結晶性を低下させる要因となる。なお、酸化物半導体膜に含まれる不
純物は、キャリアトラップやキャリア発生源となる場合がある。
また、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜は、欠陥準位密度の低い酸化物半導体膜である。例えば、酸化
物半導体膜中の酸素欠損は、キャリアトラップとなることや、水素を捕獲することによっ
てキャリア発生源となることがある。
次に、微結晶酸化物半導体膜について説明する。
微結晶酸化物半導体膜は、ＴＥＭによる観察像では、明確に結晶部を確認することがで
きない場合がある。微結晶酸化物半導体膜に含まれる結晶部は、１ｎｍ以上１００ｎｍ以
下、または１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の大きさであることが多い。特に、１ｎｍ以上１０ｎ
ｍ以下、または１ｎｍ以上３ｎｍ以下の微結晶であるナノ結晶（ｎｃ：ｎａｎｏｃｒｙｓ
ｔａｌ）を有する酸化物半導体膜を、ｎｃ−ＯＳ（ｎａｎｏｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ Ｏ
ｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）膜と呼ぶ。また、ｎｃ−ＯＳ膜は、例えば、Ｔ
ＥＭによる観察像では、結晶粒界を明確に確認できない場合がある。
ｎｃ−ＯＳ膜は、微小な領域（例えば、１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の領域、特に１ｎｍ以
上３ｎｍ以下の領域）において原子配列に周期性を有する。また、ｎｃ−ＯＳ膜は、異な
る結晶部間で結晶方位に規則性が見られない。そのため、膜全体で配向性が見られない。
従って、ｎｃ−ＯＳ膜は、分析方法によっては、非晶質酸化物半導体膜と区別が付かない
場合がある。例えば、ｎｃ−ＯＳ膜に対し、結晶部よりも大きい径のＸ線を用いるＸＲＤ
装置を用いて構造解析を行うと、ｏｕｔ−ｏｆ−ｐｌａｎｅ法による解析では、結晶面を
示すピークが検出されない。また、ｎｃ−ＯＳ膜に対し、結晶部よりも大きいプローブ径
（例えば５０ｎｍ以上）の電子線を用いる電子回折（制限視野電子回折ともいう。）を行
うと、ハローパターンのような回折パターンが観測される。一方、ｎｃ−ＯＳ膜に対し、
結晶部の大きさと近いか結晶部より小さいプローブ径の電子線を用いるナノビーム電子回
折を行うと、スポットが観測される。また、ｎｃ−ＯＳ膜に対しナノビーム電子回折を行
うと、円を描くように（リング状に）輝度の高い領域が観測される場合がある。また、ｎ
ｃ−ＯＳ膜に対しナノビーム電子回折を行うと、リング状の領域内に複数のスポットが観
測される場合がある（図１８（Ｂ）参照。）。
ｎｃ−ＯＳ膜は、非晶質酸化物半導体膜よりも規則性の高い酸化物半導体膜である。そ
のため、ｎｃ−ＯＳ膜は、非晶質酸化物半導体膜よりも欠陥準位密度が低くなる。ただし
、ｎｃ−ＯＳ膜は、異なる結晶部間で結晶方位に規則性が見られない。そのため、ｎｃ−
ＯＳ膜は、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜と比べて欠陥準位密度が高くなる。
なお、酸化物半導体膜は、例えば、非晶質酸化物半導体膜、微結晶酸化物半導体膜、Ｃ
ＡＡＣ−ＯＳ膜のうち、二種以上の構造を有する膜であってもよい。
酸化物半導体膜が複数の構造を有する場合、ナノビーム電子回折を用いることで構造解
析が可能となる場合がある。
図１８（Ｃ）に、電子銃室２１０と、電子銃室２１０の下の光学系２１２と、光学系２
１２の下の試料室２１４と、試料室２１４の下の光学系２１６と、光学系２１６の下の観
察室２２０と、観察室２２０に設置されたカメラ２１８と、観察室２２０の下のフィルム
室２２２と、を有する透過電子回折測定装置を示す。カメラ２１８は、観察室２２０内部
に向けて設置される。なお、フィルム室２２２を有さなくても構わない。
また、図１８（Ｄ）に、図１８（Ｃ）で示した透過電子回折測定装置内部の構造を示す
。透過電子回折測定装置内部では、電子銃室２１０に設置された電子銃から放出された電
子が、光学系２１２を介して試料室２１４に配置された物質２２８に照射される。物質２
２８を通過した電子は、光学系２１６を介して観察室２２０内部に設置された蛍光板２３
２に入射する。蛍光板２３２では、入射した電子の強度に応じたパターンが現れることで
透過電子回折パターンを測定することができる。
カメラ２１８は、蛍光板２３２を向いて設置されており、蛍光板２３２に現れたパター
ンを撮影することが可能である。カメラ２１８のレンズの中央、及び蛍光板２３２の中央
を通る直線と蛍光板２３２との為す角度は、例えば、１５°以上８０°以下、３０°以上
７５°以下、または４５°以上７０°以下とする。該角度が小さいほど、カメラ２１８で
撮影される透過電子回折パターンは歪みが大きくなる。ただし、あらかじめ該角度がわか
っていれば、得られた透過電子回折パターンの歪みを補正することも可能である。なお、
カメラ２１８をフィルム室２２２に設置しても構わない場合がある。例えば、カメラ２１
８をフィルム室２２２に、電子２２４の入射方向と対向するように設置してもよい。この
場合、蛍光板２３２の裏面から歪みの少ない透過電子回折パターンを撮影することができ
る。
試料室２１４には、試料である物質２２８を固定するためのホルダが設置されている。
ホルダは、物質２２８を通過する電子を透過するような構造をしている。ホルダは、例え
ば、物質２２８をＸ軸、Ｙ軸、Ｚ軸などに移動させる機能を有していてもよい。ホルダの
移動機能は、例えば、１ｎｍ以上１０ｎｍ以下、５ｎｍ以上５０ｎｍ以下、１０ｎｍ以上
１００ｎｍ以下、５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下、１００ｎｍ以上１μｍ以下などの範囲で
移動させる精度を有すればよい。これらの範囲は、物質２２８の構造によって最適な範囲
を設定すればよい。
次に、上述した透過電子回折測定装置を用いて、物質の透過電子回折パターンを測定す
る方法について説明する。
例えば、図１８（Ｄ）に示すように物質におけるナノビームである電子２２４の照射位
置を変化させる（スキャンする）ことで、物質の構造が変化していく様子を確認すること
ができる。このとき、物質２２８がＣＡＡＣ−ＯＳ膜であれば、図１８（Ａ）に示したよ
うな回折パターンが観測される。または、物質２２８がｎｃ−ＯＳ膜であれば、図１８（
Ｂ）に示したような回折パターンが観測される。
ところで、物質２２８がＣＡＡＣ−ＯＳ膜であったとしても、部分的にｎｃ−ＯＳ膜な
どと同様の回折パターンが観測される場合がある。したがって、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜の良否
は、一定の範囲におけるＣＡＡＣ−ＯＳ膜の回折パターンが観測される領域の割合（ＣＡ
ＡＣ化率ともいう。）で表すことができる場合がある。例えば、良質なＣＡＡＣ−ＯＳ膜
であれば、ＣＡＡＣ化率は、６０％以上、好ましくは８０％以上、さらに好ましくは９０
％以上、より好ましくは９５％以上となる。なお、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜と異なる回折パター
ンが観測される領域の割合を非ＣＡＡＣ化率と表記する。
一例として、成膜直後（ａｓ−ｓｐｕｔｔｅｒｅｄと表記。）、または酸素を含む雰囲
気における４５０℃加熱処理後のＣＡＡＣ−ＯＳ膜を有する各試料の上面に対し、スキャ
ンしながら透過電子回折パターンを取得した。ここでは、５ｎｍ／秒の速度で６０秒間ス
キャンしながら回折パターンを観測し、観測された回折パターンを０．５秒ごとに静止画
に変換することで、ＣＡＡＣ化率を導出した。なお、電子線としては、プローブ径が１ｎ
ｍのナノビームを用いた。なお、同様の測定は６試料に対して行った。そしてＣＡＡＣ化
率の算出には、６試料における平均値を用いた。
各試料におけるＣＡＡＣ化率を図１９（Ａ）に示す。成膜直後のＣＡＡＣ−ＯＳ膜のＣ
ＡＡＣ化率は７５．７％（非ＣＡＡＣ化率は２４．３％）であった。また、４５０℃加熱
処理後のＣＡＡＣ−ＯＳ膜のＣＡＡＣ化率は８５．３％（非ＣＡＡＣ化率は１４．７％）
であった。成膜直後と比べて、４５０℃加熱処理後のＣＡＡＣ化率が高いことがわかる。
即ち、高い温度（例えば４００℃以上）における加熱処理によって、非ＣＡＡＣ化率が低
くなる（ＣＡＡＣ化率が高くなる）ことがわかる。また、５００℃未満の加熱処理におい
ても高いＣＡＡＣ化率を有するＣＡＡＣ−ＯＳ膜が得られることがわかる。
ここで、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜と異なる回折パターンのほとんどはｎｃ−ＯＳ膜と同様の回
折パターンであった。また、測定領域において非晶質酸化物半導体膜は、確認することが
できなかった。したがって、加熱処理によって、ｎｃ−ＯＳ膜と同様の構造を有する領域
が、隣接する領域の構造の影響を受けて再配列し、ＣＡＡＣ化していることが示唆される
。
図１９（Ｂ）及び図１９（Ｃ）は、成膜直後及び４５０℃加熱処理後のＣＡＡＣ−ＯＳ
膜の平面ＴＥＭ像である。図１９（Ｂ）と図１９（Ｃ）とを比較することにより、４５０
℃加熱処理後のＣＡＡＣ−ＯＳ膜は、膜質がより均質であることがわかる。即ち、高い温
度における加熱処理によって、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜の膜質が向上することがわかる。
このような測定方法を用いれば、複数の構造を有する酸化物半導体膜の構造解析が可能
となる場合がある。
以上のいずれかの構成を有する酸化物半導体膜を用いて本発明の一態様に係る半導体装
置を構成することができる。
＜成膜モデル＞
以下では、ＣＡＡＣ−ＯＳおよびｎｃ−ＯＳの成膜モデルについて説明する。
図４０（Ａ）は、スパッタリング法によりＣＡＡＣ−ＯＳが成膜される様子を示した成
膜室内の模式図である。
ターゲット１１３０は、バッキングプレート上に接着されている。ターゲット１１３０
およびバッキングプレート下には、複数のマグネットが配置される。該複数のマグネット
によって、ターゲット１１３０上には磁場が生じている。マグネットの磁場を利用して成
膜速度を高めるスパッタリング法は、マグネトロンスパッタリング法と呼ばれる。
ターゲット１１３０は、多結晶構造を有し、いずれかの結晶粒には劈開面が含まれる。
なお、劈開面の詳細については後述する。
基板１１２０は、ターゲット１１３０と向かい合うように配置しており、その距離ｄ（
ターゲット−基板間距離（Ｔ−Ｓ間距離）ともいう。）は０．０１ｍ以上１ｍ以下、好ま
しくは０．０２ｍ以上０．５ｍ以下とする。成膜室内は、ほとんどが成膜ガス（例えば、
酸素、アルゴン、または酸素を５０体積％以上の割合で含む混合ガス）で満たされ、０．
０１Ｐａ以上１００Ｐａ以下、好ましくは０．１Ｐａ以上１０Ｐａ以下に制御される。こ
こで、ターゲット１１３０に一定以上の電圧を印加することで、放電が始まり、プラズマ
が確認される。なお、ターゲット１１３０上の磁場によって、高密度プラズマ領域が形成
される。高密度プラズマ領域では、成膜ガスがイオン化することで、イオン１１０１が生
じる。イオン１１０１は、例えば、酸素の陽イオン（Ｏ＋）やアルゴンの陽イオン（Ａｒ
＋）などである。
イオン１１０１は、電界によってターゲット１１３０側に加速され、やがてターゲット
１１３０と衝突する。このとき、劈開面から平板状またはペレット状のスパッタリング粒
子であるペレット１１００ａおよびペレット１１００ｂが剥離し、叩き出される。なお、
ペレット１１００ａおよびペレット１１００ｂは、イオン１１０１の衝突の衝撃によって
、構造に歪みが生じる場合がある。
ペレット１１００ａは、三角形、例えば正三角形の平面を有する平板状またはペレット
状のスパッタリング粒子である。また、ペレット１１００ｂは、六角形、例えば正六角形
の平面を有する平板状またはペレット状のスパッタリング粒子である。なお、ペレット１
１００ａおよびペレット１１００ｂなどの平板状またはペレット状のスパッタリング粒子
を総称してペレット１１００と呼ぶ。ペレット１１００の平面の形状は、三角形、六角形
に限定されない、例えば、三角形が２個以上６個以下合わさった形状となる場合がある。
例えば、三角形（正三角形）が２個合わさった四角形（ひし形）となる場合もある。
ペレット１１００は、成膜ガスの種類などに応じて厚さが決定する。理由は後述するが
、ペレット１１００の厚さは、均一にすることが好ましい。また、スパッタ粒子は厚みの
ないペレット状である方が、厚みのあるサイコロ状であるよりも好ましい。
ペレット１１００は、プラズマを通過する際に電荷を受け取ることで、側面が負または
正に帯電する場合がある。ペレット１１００は、側面に酸素原子を有し、当該酸素原子が
負に帯電する可能性がある。例えば、ペレット１１００ａが、側面に負に帯電した酸素原
子を有する例を図４２に示す。このように、側面が同じ極性の電荷を帯びることにより、
電荷同士の反発が起こり、平板状の形状を維持することが可能となる。なお、ＣＡＡＣ−
ＯＳが、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物である場合、インジウム原子と結合した酸素原子が負に
帯電する可能性がある。または、インジウム原子、ガリウム原子および亜鉛原子と結合し
た酸素原子が負に帯電する可能性がある。
図４０（Ａ）に示すように、例えば、ペレット１１００は、プラズマ中を凧のように飛
翔し、ひらひらと基板１１２０上まで舞い上がっていく。ペレット１１００は電荷を帯び
ているため、ほかのペレット１１００が既に堆積している領域が近づくと、斥力が生じる
。ここで、基板１１２０の上面では、基板１１２０の上面に平行な向きの磁場が生じてい
る。また、基板１１２０およびターゲット１１３０間には、電位差が与えられているため
、基板１１２０からターゲット１１３０に向けて電流が流れている。したがって、ペレッ
ト１１００は、基板１１２０の上面において、磁場および電流の作用によって、力（ロー
レンツ力）を受ける（図４３参照。）。このことは、フレミングの左手の法則によって理
解できる。なお、ペレット１１００に与える力を大きくするためには、基板１１２０の上
面において、基板１１２０の上面に平行な向きの磁場が１０Ｇ以上、好ましくは２０Ｇ以
上、さらに好ましくは３０Ｇ以上、より好ましくは５０Ｇ以上となる領域を設けるとよい
。または、基板１１２０の上面において、基板１１２０の上面に平行な向きの磁場が、基
板１１２０の上面に垂直な向きの磁場の１．５倍以上、好ましくは２倍以上、さらに好ま
しくは３倍以上、より好ましくは５倍以上となる領域を設けるとよい。
また、基板１１２０は加熱されており、ペレット１１００と基板１１２０との間で摩擦
などの抵抗が小さい状態となっている。その結果、図４４（Ａ）に示すように、ペレット
１１００は、基板１１２０の上面を滑空するように移動する。ペレット１１００の移動は
、平板面を基板１１２０に向けた状態で起こる。その後、図４４（Ｂ）に示すように、既
に堆積しているほかのペレット１１００の側面まで到達すると、側面同士が結合する。こ
のとき、ペレット１１００の側面にある酸素原子が脱離する。脱離した酸素原子によって
、ＣＡＡＣ−ＯＳ中の酸素欠損が埋まる場合があるため、欠陥準位密度の低いＣＡＡＣ−
ＯＳとなる。
また、ペレット１１００が基板１１２０上で加熱されることにより、原子が再配列し、
イオン１１０１の衝突で生じた構造の歪みが緩和される。歪みの緩和されたペレット１１
００は、ほぼ単結晶となる。ペレット１１００がほぼ単結晶となることにより、ペレット
１１００同士が結合した後に加熱されたとしても、ペレット１１００自体の伸縮はほとん
ど起こり得ない。したがって、ペレット１１００間の隙間が広がることで結晶粒界などの
欠陥を形成し、クレバス化することがない。また、隙間には、伸縮性のある金属原子など
が敷き詰められ、向きのずれたペレット１１００同士の側面を高速道路のように繋いでい
ると考えられる。
以上のようなモデルにより、ペレット１１００が基板１１２０上に堆積していくと考え
られる。したがって、エピタキシャル成長とは異なり、被形成面が結晶構造を有さない場
合においても、ＣＡＡＣ−ＯＳの成膜が可能であることがわかる。例えば、基板１１２０
の上面（被形成面）の構造が非晶質構造であっても、ＣＡＡＣ−ＯＳを成膜することは可
能である。
また、ＣＡＡＣ−ＯＳは、平坦面に対してだけでなく、被形成面である基板１１２０の
上面に凹凸がある場合でも、その形状に沿ってペレット１１００が配列することがわかる
。例えば、基板１１２０の上面が原子レベルで平坦な場合、ペレット１１００はａｂ面と
平行な平面である平板面を下に向けて並置するため、厚さが均一で平坦、かつ高い結晶性
を有する層が形成される。そして、当該層がｎ段（ｎは自然数。）積み重なることで、Ｃ
ＡＡＣ−ＯＳを得ることができる（図４０（Ｂ）参照。）。
一方、基板１１２０の上面が凹凸を有する場合でも、ＣＡＡＣ−ＯＳは、ペレット１１
００が凸面に沿って並置した層がｎ段（ｎは自然数。）積み重なった構造となる。基板１
１２０が凹凸を有するため、ＣＡＡＣ−ＯＳは、ペレット１１００間に隙間が生じやすい
場合がある。ただし、ペレット１１００間で分子間力が働き、凹凸があってもペレット間
の隙間はなるべく小さくなるように配列する。したがって、凹凸があっても高い結晶性を
有するＣＡＡＣ−ＯＳとすることができる（図４０（Ｃ）参照。）。
したがって、ＣＡＡＣ−ＯＳは、レーザ結晶化が不要であり、大面積のガラス基板など
であっても均一な成膜が可能である。
このようなモデルによってＣＡＡＣ−ＯＳが成膜されるため、スパッタ粒子が厚みのな
いペレット状である方が好ましい。なお、スパッタ粒子が厚みのあるサイコロ状である場
合、基板１１２０上に向ける面が一定とならず、厚さや結晶の配向を均一にできない場合
がある。
以上に示した成膜モデルにより、非晶質構造を有する被形成面上であっても、高い結晶
性を有するＣＡＡＣ−ＯＳを得ることができる。
また、ＣＡＡＣ−ＯＳは、ペレット１１００のほかに酸化亜鉛粒子を有する成膜モデル
によっても説明することができる。
酸化亜鉛粒子は、ペレット１１００よりも質量が小さいため、先に基板１１２０に到達
する。基板１１２０の上面において、酸化亜鉛粒子は、水平方向に優先的に結晶成長する
ことで薄い酸化亜鉛層を形成する。該酸化亜鉛層は、ｃ軸配向性を有する。なお、該酸化
亜鉛層の結晶のｃ軸は、基板１１２０の法線ベクトルに平行な方向を向く。該酸化亜鉛層
は、ＣＡＡＣ−ＯＳを成長させるためのシード層の役割を果たすため、ＣＡＡＣ−ＯＳの
結晶性を高める機能を有する。なお、該酸化亜鉛層は、厚さが０．１ｎｍ以上５ｎｍ以下
、ほとんどが１ｎｍ以上３ｎｍ以下となる。該酸化亜鉛層は十分薄いため、結晶粒界をほ
とんど確認することができない。
したがって、結晶性の高いＣＡＡＣ−ＯＳを成膜するためには、化学量論的組成よりも
高い割合で亜鉛を含むターゲットを用いることが好ましい。
同様に、ｎｃ−ＯＳは、図４１に示す成膜モデルによって理解することができる。なお
、図４１と図４０（Ａ）との違いは、基板１１２０の加熱の有無のみである。
したがって、基板１１２０は加熱されておらず、ペレット１１００と基板１１２０との
間で摩擦などの抵抗が大きい状態となっている。その結果、ペレット１１００は、基板１
１２０の上面を滑空するように移動することができないため、不規則に降り積もっていく
ことでｎｃ−ＯＳを得ることができる。
＜劈開面＞
以下では、ＣＡＡＣ−ＯＳの成膜モデルにおいて記載のターゲットの劈開面について説
明する。
まずは、ターゲットの劈開面について図４５を用いて説明する。図４５に、ＩｎＧａＺ
ｎＯ４の結晶の構造を示す。なお、図４５（Ａ）は、ｃ軸を上向きとし、ｂ軸に平行な方
向からＩｎＧａＺｎＯ４の結晶を観察した場合の構造を示す。また、図４５（Ｂ）は、ｃ
軸に平行な方向からＩｎＧａＺｎＯ４の結晶を観察した場合の構造を示す。
ＩｎＧａＺｎＯ４の結晶の各結晶面における劈開に必要なエネルギーを、第一原理計算
により算出する。なお、計算には、擬ポテンシャルと、平面波基底を用いた密度汎関数プ
ログラム（ＣＡＳＴＥＰ）を用いる。なお、擬ポテンシャルには、ウルトラソフト型の擬
ポテンシャルを用いる。また、汎関数には、ＧＧＡ ＰＢＥを用いる。また、カットオフ
エネルギーは４００ｅＶとする。
初期状態における構造のエネルギーは、セルサイズを含めた構造最適化を行った後に導
出する。また、各面で劈開後の構造のエネルギーは、セルサイズを固定した状態で、原子
配置の構造最適化を行った後に導出する。
図４５に示したＩｎＧａＺｎＯ４の結晶の構造をもとに、第１の面、第２の面、第３の
面、第４の面のいずれかで劈開した構造を作製し、セルサイズを固定した構造最適化計算
を行う。ここで、第１の面は、Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ層とＩｎ−Ｏ層との間の結晶面であり、（
００１）面（またはａｂ面）に平行な結晶面である（図４５（Ａ）参照。）。第２の面は
、Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ層とＧａ−Ｚｎ−Ｏ層との間の結晶面であり、（００１）面（またはａ
ｂ面）に平行な結晶面である（図４５（Ａ）参照。）。第３の面は、（１１０）面に平行
な結晶面である（図４５（Ｂ）参照。）。第４の面は、（１００）面（またはｂｃ面）に
平行な結晶面である（図４５（Ｂ）参照。）。
以上のような条件で、各面で劈開後の構造のエネルギーを算出する。次に、劈開後の構
造のエネルギーと初期状態における構造のエネルギーとの差を、劈開面の面積で除すこと
で、各面における劈開しやすさの尺度である劈開エネルギーを算出する。なお、構造のエ
ネルギーは、構造に含まれる原子と電子に対して、電子の運動エネルギーと、原子間、原
子−電子間、および電子間の相互作用と、を考慮したエネルギーである。
計算の結果、第１の面の劈開エネルギーは２．６０Ｊ／ｍ２、第２の面の劈開エネルギ
ーは０．６８Ｊ／ｍ２、第３の面の劈開エネルギーは２．１８Ｊ／ｍ２、第４の面の劈開
エネルギーは２．１２Ｊ／ｍ２であることがわかった（表１参照。）。
この計算により、図４５に示したＩｎＧａＺｎＯ４の結晶の構造において、第２の面に
おける劈開エネルギーが最も低くなる。即ち、Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ層とＧａ−Ｚｎ−Ｏ層との
間が最も劈開しやすい面（劈開面）であることがわかる。したがって、本明細書において
、劈開面と記載する場合、最も劈開しやすい面である第２の面のことを示す。
Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ層とＧａ−Ｚｎ−Ｏ層との間である第２の面に劈開面を有するため、図
４５（Ａ）に示すＩｎＧａＺｎＯ４の結晶は、二つの第２の面と等価な面で分離すること
ができる。したがって、ターゲットにイオンなどを衝突させる場合、もっとも劈開エネル
ギーの低い面で劈開したウェハース状のユニット（我々はこれをペレットと呼ぶ。）が最
小単位となって飛び出してくると考えられる。その場合、ＩｎＧａＺｎＯ４のペレットは
、Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ層、Ｉｎ−Ｏ層およびＧａ−Ｚｎ−Ｏ層の３層となる。
また、第１の面（Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ層とＩｎ−Ｏ層との間の結晶面であり、（００１）面
（またはａｂ面）に平行な結晶面）よりも、第３の面（１１０）面に平行な結晶面）、第
４の面（（１００）面（またはｂｃ面）に平行な結晶面）の劈開エネルギーが低いことか
ら、ペレットの平面形状は三角形状または六角形状が多いことが示唆される。
次に、古典分子動力学計算により、ターゲットとしてホモロガス構造を有するＩｎＧａ
ＺｎＯ４の結晶を仮定し、当該ターゲットをアルゴン（Ａｒ）または酸素（Ｏ）によりス
パッタした場合の劈開面について評価する。計算に用いたＩｎＧａＺｎＯ４の結晶（２６
８８原子）の断面構造を図４６（Ａ）に、上面構造を図４６（Ｂ）に示す。なお、図４６
（Ａ）に示す固定層は、位置が変動しないよう原子の配置を固定した層である。また、図
４６（Ａ）に示す温度制御層は、常に一定の温度（３００Ｋ）とした層である。
古典分子動力学計算には、富士通株式会社製Ｍａｔｅｒｉａｌｓ Ｅｘｐｌｏｒｅｒ５
．０を用いる。なお、初期温度を３００Ｋ、セルサイズを一定、時間刻み幅を０．０１フ
ェムト秒、ステップ数を１０００万回とする。計算では、当該条件のもと、原子に３００
ｅＶのエネルギーを与え、ＩｎＧａＺｎＯ４の結晶のａｂ面に垂直な方向からセルに原子
を入射させる。
図４７（Ａ）は、図４６に示したＩｎＧａＺｎＯ４の結晶を有するセルにアルゴンが入
射してから９９．９ピコ秒（ｐｓｅｃ）後の原子配列を示す。また、図４７（Ｂ）は、セ
ルに酸素が入射してから９９．９ピコ秒後の原子配列を示す。なお、図４７では、図４６
（Ａ）に示した固定層の一部を省略して示す。
図４７（Ａ）より、アルゴンがセルに入射してから９９．９ピコ秒までに、図４５（Ａ
）に示した第２の面に対応する劈開面から亀裂が生じる。したがって、ＩｎＧａＺｎＯ４
の結晶に、アルゴンが衝突した場合、最上面を第２の面（０番目）とすると、第２の面（
２番目）に大きな亀裂が生じることがわかる。
一方、図４７（Ｂ）より、酸素がセルに入射してから９９．９ピコ秒までに、図４５（
Ａ）に示した第２の面に対応する劈開面から亀裂が生じることがわかる。ただし、酸素が
衝突した場合は、ＩｎＧａＺｎＯ４の結晶の第２の面（１番目）において大きな亀裂が生
じることがわかる。
したがって、ホモロガス構造を有するＩｎＧａＺｎＯ４の結晶を含むターゲットの上面
から原子（イオン）が衝突すると、ＩｎＧａＺｎＯ４の結晶は第２の面に沿って劈開し、
平板状の粒子（ペレット）が剥離することがわかる。また、このとき、ペレットの大きさ
は、アルゴンを衝突させた場合よりも、酸素を衝突させた場合の方が小さくなることがわ
かる。
なお、上述の計算から、剥離したペレットは損傷領域を含むことが示唆される。ペレッ
トに含まれる損傷領域は、損傷によって生じた欠陥に酸素を反応させることで修復できる
場合がある。
そこで、衝突させる原子の違いによって、ペレットの大きさが異なることについて調査
する。
図４８（Ａ）に、図４６に示したＩｎＧａＺｎＯ４の結晶を有するセルにアルゴンが入
射した後、０ピコ秒から０．３ピコ秒までにおける各原子の軌跡を示す。したがって、図
４８（Ａ）は、図４６から図４７（Ａ）の間の期間に対応する。
図４８（Ａ）より、アルゴンが第１層（Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ層）のガリウム（Ｇａ）と衝突
すると、当該ガリウムが第３層（Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ層）の亜鉛（Ｚｎ）と衝突した後、当該
亜鉛が第６層（Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ層）の近傍まで到達することがわかる。なお、ガリウムと
衝突したアルゴンは、外に弾き飛ばされる。したがって、ＩｎＧａＺｎＯ４の結晶を含む
ターゲットにアルゴンを衝突させた場合、図４６（Ａ）における第２の面（２番目）に亀
裂が入ると考えられる。
また、図４８（Ｂ）に、図４６に示したＩｎＧａＺｎＯ４の結晶を有するセルに酸素が
入射した後、０ピコ秒から０．３ピコ秒までにおける各原子の軌跡を示す。したがって、
図４８（Ｂ）は、図４６から図４７（Ａ）の間の期間に対応する。
一方、図４８（Ｂ）より、酸素が第１層（Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ層）のガリウム（Ｇａ）と衝
突すると、当該ガリウムが第３層（Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ層）の亜鉛（Ｚｎ）と衝突した後、当
該亜鉛が第５層（Ｉｎ−Ｏ層）まで到達しないことがわかる。なお、ガリウムと衝突した
酸素は、外に弾き飛ばされる。したがって、ＩｎＧａＺｎＯ４の結晶を含むターゲットに
酸素を衝突させた場合、図４６（Ａ）における第２の面（１番目）に亀裂が入ると考えら
れる。
本計算からも、ＩｎＧａＺｎＯ４の結晶は、原子（イオン）が衝突した場合、劈開面か
ら剥離することが示唆される。
また、亀裂の深さの違いを保存則の観点から検討する。エネルギー保存則および運動量
保存則は、式（１）および式（２）のように示すことができる。ここで、Ｅは衝突前のア
ルゴンまたは酸素の持つエネルギー（３００ｅＶ）、ｍＡはアルゴンまたは酸素の質量、
ｖＡは衝突前のアルゴンまたは酸素の速度、ｖ’Ａは衝突後のアルゴンまたは酸素の速度
、ｍＧａはガリウムの質量、ｖＧａは衝突前のガリウムの速度、ｖ’Ｇａは衝突後のガリ
ウムの速度である。
アルゴンまたは酸素の衝突が弾性衝突であると仮定すると、ｖＡ、ｖ’Ａ、ｖＧａおよ
びｖ’Ｇａの関係は式（３）のように表すことができる。
式（１）、式（２）および式（３）より、ｖＧａを０とすると、アルゴンまたは酸素が
衝突した後のガリウムの速度ｖ’Ｇａは、式（４）のように表すことができる。
式（４）において、ｍＡにアルゴンの質量または酸素の質量を代入し、それぞれの原子
が衝突した後のガリウムの速度を比較する。アルゴンおよび酸素の衝突前に持つエネルギ
ーが同じである場合、アルゴンが衝突した場合の方が、酸素が衝突した場合よりも１．２
４倍ガリウムの速度が高いことがわかる。したがって、ガリウムの持つエネルギーもアル
ゴンが衝突した場合の方が、酸素が衝突した場合よりも速度の二乗分だけ高くなる。
アルゴンを衝突させた場合の方が、酸素を衝突させた場合よりも、衝突後のガリウムの
速度（エネルギー）が高くなることがわかる。したがって、アルゴンを衝突させた場合の
方が、酸素を衝突させた場合よりも深い位置に亀裂が生じたと考えられる。
以上の計算により、ホモロガス構造を有するＩｎＧａＺｎＯ４の結晶を含むターゲット
をスパッタすると、劈開面から剥離し、ペレットが形成されることがわかる。一方、劈開
面を有さないターゲットの他の構造の領域をスパッタしてもペレットは形成されず、ペレ
ットよりも微細な原子レベルの大きさのスパッタ粒子が形成される。該スパッタ粒子は、
ペレットと比べて小さいため、スパッタリング装置に接続されている真空ポンプを介して
排気されると考えられる。したがって、ホモロガス構造を有するＩｎＧａＺｎＯ４の結晶
を含むターゲットをスパッタした場合、様々な大きさ、形状の粒子が基板まで飛翔し、堆
積することで成膜されるモデルは考えにくい。スパッタされたペレットが堆積してＣＡＡ
Ｃ−ＯＳを成膜する図４０（Ａ）などに記載のモデルが道理に適っている。
このようにして成膜されたＣＡＡＣ−ＯＳの密度は、単結晶ＯＳと同程度の密度を有す
る。例えば、ＩｎＧａＺｎＯ４のホモロガス構造を有する単結晶ＯＳの密度は６．３６ｇ
／ｃｍ３であるのに対し、同程度の原子数比であるＣＡＡＣ−ＯＳの密度は６．３ｇ／ｃ
ｍ３程度となる。
図４９に、スパッタリング法で成膜したＣＡＡＣ−ＯＳであるＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物
（図４９（Ａ）参照。）、およびそのターゲット（図４９（Ｂ）参照。）の断面における
原子配列を示す。原子配列の観察には、高角散乱環状暗視野走査透過電子顕微鏡法（ＨＡ
ＡＤＦ−ＳＴＥＭ：Ｈｉｇｈ−Ａｎｇｌｅ Ａｎｎｕｌａｒ Ｄａｒｋ Ｆｉｅｌｄ Ｓ
ｃａｎｎｉｎｇ Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｙ
）を用いる。なお、ＨＡＡＤＦ−ＳＴＥＭでは、各原子の像強度は原子番号の二乗に比例
する。したがって、原子番号の近いＺｎ（原子番号３０）とＧａ（原子番号３１）とは、
ほとんど区別できない。ＨＡＡＤＦ−ＳＴＥＭには、日立走査透過電子顕微鏡ＨＤ−２７
００を用いる。
図４９（Ａ）および図４９（Ｂ）を比較すると、ＣＡＡＣ−ＯＳと、ターゲットは、と
もにホモロガス構造を有しており、それぞれの原子の配置が対応していることがわかる。
したがって、図４０（Ａ）などの成膜モデルに示したように、ターゲットの結晶構造が転
写されることでＣＡＡＣ−ＯＳが成膜されることがわかる。
以上、本実施の形態で示す構成、方法は、他の実施の形態で示す構成、方法と適宜組み
合わせて用いることができる。
（実施の形態３）
本実施の形態においては、酸化物半導体膜の酸素欠損について、以下詳細に説明を行う
。
＜（１）ＶｏＨの形成しやすさ及び安定性＞
酸化物半導体膜（以下、ＩＧＺＯと示す。）が完全な結晶の場合、室温では、Ｈは、優
先的にａｂ面に沿って拡散する。また、４５０℃の加熱処理の際には、Ｈは、ａｂ面及び
ｃ軸方向それぞれに拡散する。そこで、ここでは、ＩＧＺＯに酸素欠損Ｖｏが存在する場
合、Ｈは酸素欠損Ｖｏ中に入りやすいか否かについて説明する。ここで、酸素欠損Ｖｏ中
にＨがある状態をＶｏＨと表記する。
計算には、図２０に示すＩｎＧａＺｎＯ４結晶モデルを用いた。ここで、ＶｏＨ中のＨ
がＶｏから出ていき、酸素と結合する反応経路の活性化障壁（Ｅａ）を、ＮＥＢ（Ｎｕｄ
ｇｅｄ Ｅｌａｓｔｉｃ Ｂａｎｄ）法を用いて計算した。計算条件を表２に示す。
また、ＩｎＧａＺｎＯ４結晶モデルにおいて、酸素が結合する金属元素及びその数の違
いから、図２０に示すように酸素サイト１乃至酸素サイト４がある。ここでは、酸素欠損
Ｖｏを形成しやすい酸素サイト１及び酸素サイト２について計算を行った。
はじめに、酸素欠損Ｖｏを形成しやすい酸素サイト１として、３個のＩｎと１個のＺｎ
と結合した酸素サイトについて計算を行った。
初期状態のモデルを図２１（Ａ）に示し、最終状態のモデルを図２１（Ｂ）に示す。ま
た、初期状態及び最終状態において、算出した活性化障壁（Ｅａ）を図２２に示す。なお
、ここでの初期状態とは、酸素欠損Ｖｏ中にＨがある状態（ＶｏＨ）であり、最終状態と
は、酸素欠損Ｖｏと、１個のＧａ及び２個のＺｎと結合した酸素とＨとが結合した状態（
Ｈ−Ｏ）を有する構造である。
計算の結果、酸素欠損Ｖｏ中のＨが他のＯと結合するには約１．５２ｅＶのエネルギー
が必要であるのに対して、Ｏと結合したＨが酸素欠損Ｖｏ中に入るには約０．４６ｅＶの
エネルギーが必要であった。
ここで、計算により得られた活性化障壁（Ｅａ）と数式５より、反応頻度（Γ）を算出
した。なお、数式５において、ｋＢはボルツマン定数であり、Ｔは絶対温度である。
頻度因子ν＝１０１３［１／ｓｅｃ］と仮定して３５０℃における反応頻度を算出した
。図２１（Ａ）に示すモデルから図２１（Ｂ）に示すモデルへＨが移動する頻度は５．５
２×１００［１／ｓｅｃ］であった。また、図２１（Ｂ）に示すモデルから図２１（Ａ）
に示すモデルへＨが移動する頻度は１．８２×１０９［１／ｓｅｃ］であった。このこと
から、ＩＧＺＯ中を拡散するＨは、近くに酸素欠損ＶｏがあるとＶｏＨを形成しやすく、
一旦ＶｏＨを形成すると酸素欠損Ｖｏから放出されにくいと考えられる。
次に、酸素欠損Ｖｏを形成しやすい酸素サイト２として、１個のＧａと２個のＺｎと結
合した酸素サイトについて計算を行った。
初期状態のモデルを図２３（Ａ）に示し、最終状態のモデルを図２３（Ｂ）に示す。ま
た、初期状態及び最終状態において、算出した活性化障壁（Ｅａ）を図２４に示す。なお
、ここでの初期状態とは、酸素欠損Ｖｏ中にＨがある状態（ＶｏＨ）であり、最終状態と
は、酸素欠損Ｖｏと、１個のＧａ及び２個のＺｎと結合した酸素とＨとが結合した状態（
Ｈ−Ｏ）を有する構造である。
計算の結果、酸素欠損Ｖｏ中のＨが他のＯと結合するには約１．７５ｅＶのエネルギー
が必要であるのに対して、Ｏと結合したＨが酸素欠損Ｖｏ中に入るには約０．３５ｅＶの
エネルギーが必要であった。
また、計算により得られた活性化障壁（Ｅａ）と上記の数式５より、反応頻度（Γ）を
算出した。
頻度因子ν＝１０１３［１／ｓｅｃ］と仮定して３５０℃における反応頻度を算出した
。図２３（Ａ）に示すモデルから図２３（Ｂ）に示すモデルへＨが移動する頻度は７．５
３×１０−２［１／ｓｅｃ］であった。また、図２３（Ｂ）に示すモデルから図２３（Ａ
）に示すモデルへＨが移動する頻度は１．４４×１０１０［１／ｓｅｃ］であった。この
ことから、一旦ＶｏＨを形成すると酸素欠損ＶｏからＨは放出されにくいと考えられる。
以上のことから、アニール時にＩＧＺＯ中のＨは拡散し易く、酸素欠損Ｖｏがある場合
は酸素欠損Ｖｏの中に入ってＶｏＨとなりやすいことが分かった。
＜（２）ＶｏＨの遷移レベル＞
ＩＧＺＯ中において酸素欠損ＶｏとＨが存在する場合、＜（１）ＶｏＨの形成しやすさ
及び安定性＞で示した、ＮＥＢ法を用いた計算より、酸素欠損ＶｏとＨはＶｏＨを形成し
やすく、さらにＶｏＨは安定であると考えられる。そこで、ＶｏＨがキャリアトラップに
関与するかを調べるため、ＶｏＨの遷移レベルの算出を行った。
計算にはＩｎＧａＺｎＯ４結晶モデル（１１２原子）を用いた。図２０に示す酸素サイ
ト１及び酸素サイト２に対してＶｏＨモデルを作成し、遷移レベルの算出を行った。計算
条件を表３に示す。
実験値に近いバンドギャップが出るよう、交換項の混合比を調整したことで、欠陥のな
いＩｎＧａＺｎＯ４結晶モデルのバンドギャップは３．０８ｅＶとなり、実験値の３．１
５ｅＶと近い結果となった。
欠陥Ｄをもつモデルの遷移レベル（ε（ｑ／ｑ’））は、以下の数式６により算出され
る。なお、ΔＥ（Ｄｑ）は欠陥Ｄの電荷ｑにおける形成エネルギーであり、数式７より算
出される。
数式６及び数式７において、Ｅｔｏｔ（Ｄｑ）は欠陥Ｄを含むモデルの電荷ｑにおける
全エネルギー、Ｅｔｏｔ（ｂｕｌｋ）は欠陥のないモデル（完全結晶）の全エネルギー、
Δｎｉは欠陥に関する原子ｉの増減数、μｉは原子ｉの化学ポテンシャル、εＶＢＭは欠
陥のないモデルにおける価電子帯上端のエネルギー、ΔＶｑは静電ポテンシャルに関する
補正項、ＥＦはフェルミエネルギーである。
算出したＶｏＨの遷移レベルを図２５に示す。図２５中の数値は伝導帯下端からの深さ
である。図２５より、酸素サイト１に対するＶｏＨの遷移レベルは伝導帯下端の下０．０
５ｅＶに存在し、酸素サイト２に対するＶｏＨの遷移レベルは伝導帯下端の下０．１１ｅ
Ｖに存在するため、それぞれのＶｏＨは電子トラップに関与すると考えられる。すなわち
、ＶｏＨはドナーとして振る舞うことが明らかになった。また、ＶｏＨを有するＩＧＺＯ
は導電性を有することが明らかになった。
本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示す構成と適宜組み合わせて用いること
ができる。
（実施の形態４）
本実施の形態においては、先の実施の形態で例示したトランジスタ及び容量素子を用い
た表示装置の一例について、図２６乃至図２８を用いて以下説明を行う。
図２６は、表示装置の一例を示す上面図である。図２６に示す表示装置７００は、第１
の基板７０１上に設けられた画素部７０２と、第１の基板７０１に設けられたソースドラ
イバ回路部７０４及びゲートドライバ回路部７０６と、画素部７０２、ソースドライバ回
路部７０４、及びゲートドライバ回路部７０６を囲むように配置されるシール材７１２と
、第１の基板７０１に対向するように設けられる第２の基板７０５と、を有する。なお、
第１の基板７０１と第２の基板７０５は、シール材７１２によって封止されている。すな
わち、画素部７０２、ソースドライバ回路部７０４、及びゲートドライバ回路部７０６は
、第１の基板７０１とシール材７１２と第２の基板７０５によって封止されている。なお
、図２６には図示しないが、第１の基板７０１と第２の基板７０５の間には表示素子が設
けられる。
また、表示装置７００は、第１の基板７０１上のシール材７１２によって囲まれている
領域とは異なる領域に、画素部７０２、ソースドライバ回路部７０４、及びゲートドライ
バ回路部７０６と電気的に接続されるＦＰＣ端子部７０８（ＦＰＣ：Ｆｌｅｘｉｂｌｅ
ｐｒｉｎｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ）が設けられる。また、ＦＰＣ端子部７０８には、ＦＰ
Ｃ７１６が接続され、ＦＰＣ７１６によって画素部７０２、ソースドライバ回路部７０４
、及びゲートドライバ回路部７０６に各種信号等が供給される。また、画素部７０２、ソ
ースドライバ回路部７０４、ゲートドライバ回路部７０６、及びＦＰＣ端子部７０８には
、信号線７１０が各々接続されている。ＦＰＣ７１６により供給される各種信号等は、信
号線７１０を介して、画素部７０２、ソースドライバ回路部７０４、ゲートドライバ回路
部７０６、及びＦＰＣ端子部７０８に与えられる。
また、表示装置７００にゲートドライバ回路部７０６を複数設けてもよい。また、表示
装置７００としては、ソースドライバ回路部７０４、及びゲートドライバ回路部７０６を
画素部７０２と同じ第１の基板７０１に形成している例を示しているが、この構成に限定
されない。例えば、ゲートドライバ回路部７０６のみを第１の基板７０１に形成しても良
い、またはソースドライバ回路部７０４のみを第１の基板７０１に形成しても良い。この
場合、ソースドライバ回路またはゲートドライバ回路等が形成された基板（例えば、単結
晶半導体膜、多結晶半導体膜で形成された駆動回路基板）を、第１の基板７０１に実装す
る構成としても良い。なお、別途形成した駆動回路基板の接続方法は、特に限定されるも
のではなく、ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）方法、ワイヤボンディング方法など
を用いることができる。
また、表示装置７００が有する画素部７０２、ソースドライバ回路部７０４及びゲート
ドライバ回路部７０６は、複数のトランジスタを有しており、本発明の一態様の半導体装
置であるトランジスタを適用することができる。また、画素部７０２においては、本発明
の一態様の半導体装置であるトランジスタ及び容量素子を適用することができる。
また、表示装置７００は、様々な素子を有することが出来る。該素子の一例としては、
液晶素子、ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子（有機物及び無機物を含むＥＬ素子、
有機ＥＬ素子、無機ＥＬ素子）、ＬＥＤ（白色ＬＥＤ、赤色ＬＥＤ、緑色ＬＥＤ、青色Ｌ
ＥＤなど）、トランジスタ（電流に応じて発光するトランジスタ）、電子放出素子、電子
インク、電気泳動素子、グレーティングライトバルブ（ＧＬＶ）、プラズマディスプレイ
（ＰＤＰ）、ＭＥＭＳ（マイクロ・エレクトロ・メカニカル・システム）を用いた表示素
子、デジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）、ＤＭＳ（デジタル・マイクロ・シャッ
ター）、ＭＩＲＡＳＯＬ（登録商標）、ＩＭＯＤ（インターフェアレンス・モジュレーシ
ョン）素子、シャッター方式のＭＥＭＳ表示素子、光干渉方式のＭＥＭＳ表示素子、エレ
クトロウェッティング素子、圧電セラミックディスプレイ、カーボンナノチューブを用い
た表示素子などがある。これらの他にも、電気的または磁気的作用により、コントラスト
、輝度、反射率、透過率などが変化する表示媒体を有していても良い。。ＥＬ素子を用い
た表示装置の一例としては、ＥＬディスプレイなどがある。電子放出素子を用いた表示装
置の一例としては、フィールドエミッションディスプレイ（ＦＥＤ）又はＳＥＤ方式平面
型ディスプレイ（ＳＥＤ：Ｓｕｒｆａｃｅ−ｃｏｎｄｕｃｔｉｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ−
ｅｍｉｔｔｅｒ Ｄｉｓｐｌａｙ）などがある。液晶素子を用いた表示装置の一例として
は、液晶ディスプレイ（透過型液晶ディスプレイ、半透過型液晶ディスプレイ、反射型液
晶ディスプレイ、直視型液晶ディスプレイ、投射型液晶ディスプレイ）などがある。電子
インク又は電気泳動素子を用いた表示装置の一例としては、電子ペーパーなどがある。な
お、半透過型液晶ディスプレイや反射型液晶ディスプレイを実現する場合には、画素電極
の一部、または、全部が、反射電極としての機能を有するようにすればよい。例えば、画
素電極の一部、または、全部が、アルミニウム、銀、などを有するようにすればよい。さ
らに、その場合、反射電極の下に、ＳＲＡＭなどの記憶回路を設けることも可能である。
これにより、さらに、消費電力を低減することができる。
なお、表示装置７００における表示方式は、プログレッシブ方式やインターレース方式
等を用いることができる。また、カラー表示する際に画素で制御する色要素としては、Ｒ
ＧＢ（Ｒは赤、Ｇは緑、Ｂは青を表す）の三色に限定されない。例えば、Ｒの画素とＧの
画素とＢの画素とＷ（白）の画素の四画素から構成されてもよい。または、ペンタイル配
列のように、ＲＧＢのうちの２色分で一つの色要素を構成し、色要素によって、異なる２
色を選択して構成してもよい。またはＲＧＢに、イエロー、シアン、マゼンタ等を一色以
上追加してもよい。なお、色要素のドット毎にその表示領域の大きさが異なっていてもよ
い。ただし、開示する発明はカラー表示の表示装置に限定されるものではなく、モノクロ
表示の表示装置に適用することもできる。
また、バックライト（有機ＥＬ素子、無機ＥＬ素子、ＬＥＤ、蛍光灯など）に白色光（
Ｗ）を用いて表示装置をフルカラー表示させるために、着色層（カラーフィルタともいう
。）を用いてもよい。着色層は、例えば、レッド（Ｒ）、グリーン（Ｇ）、ブルー（Ｂ）
、イエロー（Ｙ）などを適宜組み合わせて用いることができる。着色層を用いることで、
着色層を用いない場合と比べて色の再現性を高くすることができる。このとき、着色層を
有する領域と、着色層を有さない領域と、を配置することによって、着色層を有さない領
域における白色光を直接表示に利用しても構わない。一部に着色層を有さない領域を配置
することで、明るい表示の際に、着色層による輝度の低下を少なくでき、消費電力を２割
から３割程度低減できる場合がある。ただし、有機ＥＬ素子や無機ＥＬ素子などの自発光
素子を用いてフルカラー表示する場合、Ｒ、Ｇ、Ｂ、Ｙ、Ｗを、それぞれの発光色を有す
る素子から発光させても構わない。自発光素子を用いることで、着色層を用いた場合より
も、さらに消費電力を低減できる場合がある。
本実施の形態においては、表示素子として液晶素子及びＥＬ素子を用いる構成について
、図２７及び図２８を用いて説明する。なお、図２７は、図２６に示す一点鎖線Ｑ−Ｒに
おける断面図であり、表示素子として液晶素子を用いた構成である。また、図２８は、図
２６に示す一点鎖線Ｑ−Ｒにおける断面図であり、表示素子としてＥＬ素子を用いた構成
である。
まず、図２７及び図２８に示す共通部分について最初に説明し、次に異なる部分につい
て以下説明する。
＜表示装置の共通部分に関する説明＞
図２７及び図２８に示す表示装置７００は、引き回し配線部７１１と、画素部７０２と
、ソースドライバ回路部７０４と、ＦＰＣ端子部７０８と、を有する。また、引き回し配
線部７１１は、信号線７１０を有する。また、画素部７０２は、トランジスタ７５０及び
容量素子７９０を有する。また、ソースドライバ回路部７０４は、トランジスタ７５２を
有する。
トランジスタ７５０及びトランジスタ７５２は、先に示すトランジスタ１００Ａと同様
の構成である。なお、トランジスタ７５０及びトランジスタ７５２の構成については、先
の実施の形態に示す、その他のトランジスタを用いてもよい。
本実施の形態で用いるトランジスタは、高純度化し、酸素欠損の形成を抑制した酸化物
半導体膜を有する。該トランジスタは、オフ状態における電流値（オフ電流値）を低くす
ることができる。よって、画像信号等の電気信号の保持時間を長くすることができ、電源
オン状態では書き込み間隔も長く設定できる。よって、リフレッシュ動作の頻度を少なく
することができるため、消費電力を抑制する効果を奏する。
また、本実施の形態で用いるトランジスタは、比較的高い電界効果移動度が得られるた
め、高速駆動が可能である。例えば、このような高速駆動が可能なトランジスタを液晶表
示装置に用いることで、画素部のスイッチングトランジスタと、駆動回路部に使用するド
ライバトランジスタを同一基板上に形成することができる。すなわち、別途駆動回路とし
て、シリコンウェハ等により形成された半導体装置を用いる必要がないため、半導体装置
の部品点数を削減することができる。また、画素部においても、高速駆動が可能なトラン
ジスタを用いることで、高画質な画像を提供することができる。
容量素子７９０は、先に示す容量素子１５０Ａと同様の構成である。
また、図２７及び図２８において、トランジスタ７５０、トランジスタ７５２、及び容
量素子７９０上に、絶縁膜７６６及び平坦化絶縁膜７７０が設けられている。
絶縁膜７６６としては、先の実施の形態に示す絶縁膜１２８と、同様の材料及び作製方
法により形成することができる。また、平坦化絶縁膜７７０としては、ポリイミド樹脂、
アクリル樹脂、ポリイミドアミド樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂、ポリアミド樹脂、エポ
キシ樹脂等の耐熱性を有する有機材料を用いることができる。なお、これらの材料で形成
される絶縁膜を複数積層させることで、平坦化絶縁膜７７０を形成してもよい。また、平
坦化絶縁膜７７０を設けない構成としてもよい。
また、信号線７１０は、トランジスタ７５０、７５２のソース電極及びドレイン電極と
して機能する導電膜と同じ工程で形成される。なお、信号線７１０は、トランジスタ７５
０、７５２のソース電極及びドレイン電極と異なる工程で形成された導電膜、例えば第１
のゲート電極として機能する導電膜、または第２のゲート電極として機能する導電膜を用
いてもよい。信号線７１０として、例えば、銅元素を含む材料を用いた場合、配線抵抗に
起因する信号遅延等が少なく、大画面での表示が可能となる。
また、ＦＰＣ端子部７０８は、接続電極７６０、異方性導電膜７８０、及びＦＰＣ７１
６を有する。なお、接続電極７６０は、トランジスタ７５０、７５２のソース電極及びド
レイン電極として機能する導電膜と同じ工程で形成される。また、接続電極７６０は、Ｆ
ＰＣ７１６が有する端子と異方性導電膜７８０を介して、電気的に接続される。
また、第１の基板７０１及び第２の基板７０５としては、例えばガラス基板を用いるこ
とができる。また、第１の基板７０１及び第２の基板７０５として、可撓性を有する基板
を用いてもよい。該可撓性を有する基板としては、例えばプラスチック基板等が挙げられ
る。
また、第１の基板７０１と第２の基板７０５の間には、構造体７７８が設けられる。構
造体７７８は、絶縁膜を選択的にエッチングすることで得られる柱状のスペーサであり、
第１の基板７０１と第２の基板７０５の間の距離（セルギャップ）を制御するために設け
られる。なお、構造体７７８として、球状のスペーサを用いていても良い。
また、第２の基板７０５側には、ブラックマトリクスとして機能する遮光膜７３８と、
カラーフィルタとして機能する着色膜７３６と、遮光膜７３８及び着色膜７３６に接する
絶縁膜７３４が設けられる。
＜表示素子として液晶素子を用いる表示装置の構成例＞
図２７に示す表示装置７００は、液晶素子７７５を有する。液晶素子７７５は、導電膜
７７２、導電膜７７４、及び液晶層７７６を有する。導電膜７７４は、第２の基板７０５
側に設けられ、対向電極としての機能を有する。図２７に示す表示装置７００は、導電膜
７７２と導電膜７７４に印加される電圧によって、液晶層７７６の配向状態が変わること
によって光の透過、非透過が制御され画像を表示することができる。
また、導電膜７７２は、トランジスタ７５０が有するソース電極及びドレイン電極とし
て機能する導電膜に接続される。導電膜７７２は、平坦化絶縁膜７７０上に形成され画素
電極、すなわち表示素子の一方の電極として機能する。また、導電膜７７２は、反射電極
としての機能を有する。図２７に示す表示装置７００は、外光を利用し導電膜７７２で光
を反射して着色膜７３６を介して表示する、所謂反射型のカラー液晶表示装置である。
導電膜７７２としては、可視光において透光性のある導電膜、または可視光において反
射性のある導電膜を用いることができる。可視光において透光性のある導電膜としては、
例えば、インジウム（Ｉｎ）、亜鉛（Ｚｎ）、錫（Ｓｎ）の中から選ばれた一種を含む材
料を用いるとよい。可視光において反射性のある導電膜としては、例えば、アルミニウム
、または銀を含む材料を用いるとよい。本実施の形態においては、導電膜７７２として、
可視光において、反射性のある導電膜を用いる。
また、図２７に示す表示装置７００においては、画素部７０２の平坦化絶縁膜７７０の
一部に凹凸が設けられている。該凹凸は、例えば、平坦化絶縁膜７７０を有機樹脂膜等で
形成し、該有機樹脂膜の表面に凹凸を設けることで形成することができる。また、反射電
極として機能する導電膜７７２は、上記凹凸に沿って形成される。したがって、外光が導
電膜７７２に入射した場合において、導電膜７７２の表面で光を乱反射することが可能と
なり、視認性を向上させることができる。
なお、図２７に示す表示装置７００は、反射型のカラー液晶表示装置について例示した
が、これに限定されない、例えば、導電膜７７２を可視光において、透光性のある導電膜
を用いることで透過型のカラー液晶表示装置としてもよい。透過型のカラー液晶表示装置
の場合、平坦化絶縁膜７７０に設けられる凹凸については、設けない構成としてもよい。
なお、図２７において図示しないが、導電膜７７２、７７４の液晶層７７６と接する側
に、それぞれ配向膜を設ける構成としてもよい。また、図２７において図示しないが、偏
光部材、位相差部材、反射防止部材などの光学部材（光学基板）などは適宜設けてもよい
。例えば、偏光基板及び位相差基板による円偏光を用いてもよい。また、光源としてバッ
クライト、サイドライトなどを用いてもよい。
表示素子として液晶素子を用いる場合、サーモトロピック液晶、低分子液晶、高分子液
晶、高分子分散型液晶、強誘電性液晶、反強誘電性液晶等を用いることができる。これら
の液晶材料は、条件により、コレステリック相、スメクチック相、キュービック相、カイ
ラルネマチック相、等方相等を示す。
また、横電界方式を採用する場合、配向膜を用いないブルー相を示す液晶を用いてもよ
い。ブルー相は液晶相の一つであり、コレステリック液晶を昇温していくと、コレステリ
ック相から等方相へ転移する直前に発現する相である。ブルー相は狭い温度範囲でしか発
現しないため、温度範囲を改善するために数重量％以上のカイラル剤を混合させた液晶組
成物を用いて液晶層に用いる。ブルー相を示す液晶とカイラル剤とを含む液晶組成物は、
応答速度が短い。また、ブルー相を示す液晶とカイラル剤とを含む液晶組成物は、光学的
等方性であるため配向処理が不要であり、且つ視野角依存性が小さい。また配向膜を設け
なくてもよいのでラビング処理も不要となるため、ラビング処理によって引き起こされる
静電破壊を防止することができ、作製工程中の液晶表示装置の不良や破損を軽減すること
ができる。
また、表示素子として液晶素子を用いる場合、ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ
）モード、ＩＰＳ（Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ−Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード、ＦＦＳ（Ｆｒｉｎ
ｇｅ Ｆｉｅｌｄ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード、ＡＳＭ（Ａｘｉａｌｌｙ Ｓｙｍｍｅ
ｔｒｉｃ ａｌｉｇｎｅｄ Ｍｉｃｒｏ−ｃｅｌｌ）モード、ＯＣＢ（Ｏｐｔｉｃａｌ
Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｅｄ Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）モード、ＦＬＣ（Ｆｅｒｒｏｅ
ｌｅｃｔｒｉｃ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ）モード、ＡＦＬＣ（ＡｎｔｉＦｅｒｒ
ｏｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ）モードなどを用いることができる
。
また、ノーマリーブラック型の液晶表示装置、例えば垂直配向（ＶＡ）モードを採用し
た透過型の液晶表示装置としてもよい。垂直配向モードとしては、いくつか挙げられるが
、例えば、ＭＶＡ（Ｍｕｌｔｉ−Ｄｏｍａｉｎ Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ
）モード、ＰＶＡ（Ｐａｔｔｅｒｎｅｄ Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モー
ド、ＡＳＶモードなどを用いることができる。
＜表示素子として発光素子を用いる表示装置＞
図２８に示す表示装置７００は、発光素子７８２を有する。発光素子７８２は、導電膜
７８４、ＥＬ層７８６、及び導電膜７８８を有する。図２８に示す表示装置７００は、発
光素子７８２が有するＥＬ層７８６が発光することによって、画像を表示することができ
る。
また、導電膜７８４は、トランジスタ７５０が有するソース電極及びドレイン電極とし
て機能する導電膜に接続される。導電膜７８４は、平坦化絶縁膜７７０上に形成され画素
電極、すなわち表示素子の一方の電極として機能する。導電膜７８４としては、可視光に
おいて透光性のある導電膜、または可視光において反射性のある導電膜を用いることがで
きる。可視光において透光性のある導電膜としては、例えば、インジウム（Ｉｎ）、亜鉛
（Ｚｎ）、錫（Ｓｎ）の中から選ばれた一種を含む材料を用いるとよい。可視光において
反射性のある導電膜としては、例えば、アルミニウム、または銀を含む材料を用いるとよ
い。
また、図２８に示す表示装置７００には、平坦化絶縁膜７７０及び導電膜７８４上に絶
縁膜７３０が設けられる。絶縁膜７３０は、導電膜７８４の一部を覆う。なお、発光素子
７８２はトップエミッション構造である。したがって、導電膜７８８は透光性を有し、Ｅ
Ｌ層７８６が発する光を透過する。なお、本実施の形態においては、トップエミッション
構造について、例示するが、これに限定されない。例えば、導電膜７８４側に光を射出す
るボトムエミッション構造や、導電膜７８４及び導電膜７８８の双方に光を射出するデュ
アルエミッション構造にも適用することができる。
また、発光素子７８２と重なる位置に、着色膜７３６が設けられ、絶縁膜７３０と重な
る位置、引き回し配線部７１１、及びソースドライバ回路部７０４に遮光膜７３８が設け
られている。また、着色膜７３６及び遮光膜７３８は、絶縁膜７３４で覆われている。ま
た、発光素子７８２と絶縁膜７３４の間は封止膜７３２で充填されている。なお、図２８
に示す表示装置７００においては、着色膜７３６を設ける構成について例示したが、これ
に限定されない。例えば、ＥＬ層７８６を塗り分けにより形成する場合においては、着色
膜７３６を設けない構成としてもよい。
本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示す構成と適宜組み合わせて用いること
ができる。
（実施の形態５）
本実施の形態では、本発明の一態様の半導体装置を用いる発光装置の一態様について説
明する。なお、本実施の形態では、発光装置の画素部の構成について、図２９（Ａ）（Ｂ
）を用いて説明する。
図２９（Ａ）では、第１の基板５０２上に複数のＦＥＴ５００が形成されており、各Ｆ
ＥＴ５００は、各発光素子（５０４Ｒ、５０４Ｇ、５０４Ｂ、５０４Ｗ）と電気的に接続
されている。具体的には、各ＦＥＴ５００と発光素子が有する第１の導電膜５０６と電気
的に接続されている。なお、各発光素子（５０４Ｒ、５０４Ｇ、５０４Ｂ、５０４Ｗ）は
、第１の導電膜５０６、第２の導電膜５０７、ＥＬ層５１０、及び第３の導電膜５１２に
よって構成される。
また、各発光素子（５０４Ｒ、５０４Ｇ、５０４Ｂ、５０４Ｗ）に対向する位置に、着
色層（５１４Ｒ、５１４Ｇ、５１４Ｂ、５１４Ｗ）がそれぞれ設けられている。なお、着
色層（５１４Ｒ、５１４Ｇ、５１４Ｂ、５１４Ｗ）としては、第２の基板５１６に接して
設けられている。また、第１の基板５０２と第２の基板５１６との間には封止膜５１８が
設けられている。封止膜５１８としては、例えば、ガラスフリットなどのガラス材料や、
二液混合型の樹脂などの常温で硬化する硬化樹脂、光硬化性の樹脂、熱硬化性の樹脂など
の樹脂材料を用いることができる。
また、隣り合う第１の導電膜５０６及び第２の導電膜５０７の端部を覆うように隔壁５
０８が設けられている。また、隔壁５０８上には、構造体５０９が設けられている。なお
、第１の導電膜５０６は、反射電極としての機能と、発光素子の陽極としての機能を有す
る。また、第２の導電膜５０７は、各発光素子の光路長を調整する機能を有する。また、
第２の導電膜５０７上には、ＥＬ層５１０が形成されており、ＥＬ層５１０上には、第３
の導電膜５１２が形成されている。また、第３の導電膜５１２は、半透過・半反射電極と
しての機能と、発光素子の陰極としての機能を有する。また、構造体５０９は、発光素子
と着色層の間に設けられ、スペーサとしての機能を有する。
また、ＥＬ層５１０については、各発光素子（５０４Ｒ、５０４Ｇ、５０４Ｂ、５０４
Ｗ）で共通して用いることができる。なお、各発光素子（５０４Ｒ、５０４Ｇ、５０４Ｂ
、５０４Ｗ）は、第１の導電膜５０６と第３の導電膜５１２によってＥＬ層５１０からの
発光を共振させる微小光共振器（マイクロキャビティともいう）構造を有しており、同じ
ＥＬ層５１０を有していても異なる波長の光のスペクトルを狭線化して取り出すことがで
きる。具体的には、各発光素子（５０４Ｒ、５０４Ｇ、５０４Ｂ、５０４Ｗ）は、ＥＬ層
５１０の下方に設けられる第２の導電膜５０７の膜厚をそれぞれ調整することによって、
ＥＬ層５１０から得られるスペクトルを所望の発光スペクトルとし、色純度の良い発光を
得ることができる。したがって、図２９（Ａ）に示す構成とすることにより、ＥＬ層の塗
り分けの工程が不要となり、高精細化を実現することが容易となる。
また、図２９（Ａ）に示す発光装置は、着色層（カラーフィルタ）を有する。したがっ
て、マイクロキャビティ構造とカラーフィルタとを組み合わせることで、さらに色純度の
良い発光を得ることができる。具体的には、発光素子５０４Ｒは、赤色発光が得られるよ
うに発光素子の光路長が調整されており、着色層５１４Ｒを通って矢印の方向に赤色の光
が射出される。また、発光素子５０４Ｇは、緑色発光が得られるように発光素子の光路長
が調整されており、着色層５１４Ｇを通って矢印の方向に緑色の光が射出される。また、
発光素子５０４Ｂは、青色発光が得られるように発光素子の光路長が調整されており、着
色層５１４Ｂを通って矢印の方向に青色の光が射出される。また、発光素子５０４Ｗは、
白色発光が得られるように発光素子の光路長が調整されており、着色層５１４Ｗを通って
矢印の方向に白色の光が射出される。
なお、各発光素子の光路長の調整方法については、これに限定されない。例えば、各発
光素子において、ＥＬ層５１０の膜厚を調整して光路長を調整してもよい。
また、着色層（５１４Ｒ、５１４Ｇ、５１４Ｂ）としては、特定の波長帯域の光を透過
する機能を有していればよく、例えば、赤色の波長帯域の光を透過する赤色（Ｒ）のカラ
ーフィルタ、緑色の波長帯域の光を透過する緑色（Ｇ）のカラーフィルタ、青色の波長帯
域の光を透過する青色（Ｂ）のカラーフィルタなどを用いることができる。また、着色層
５１４Ｗとしては、例えば、顔料等を含まないアクリル系の樹脂材料等を用いればよい。
着色層（５１４Ｒ、５１４Ｇ、５１４Ｂ、５１４Ｗ）としては、様々な材料を用いて、印
刷法、インクジェット法、フォトリソグラフィ技術を用いたエッチング方法などで形成す
ることができる。
第１の導電膜５０６としては、例えば、反射率が高い（可視光の反射率が４０％以上１
００％以下、好ましくは７０％以上１００％以下）金属膜を用いることができる。導電膜
５０６としては、アルミニウム、銀、または、これらの金属材料を含む合金（例えば、銀
とパラジウムと銅の合金）を、単層または積層して形成することができる。
また、第２の導電膜５０７としては、例えば、導電性の金属酸化物を用いて形成するこ
とができる。導電性の金属酸化物としては酸化インジウム、酸化スズ、酸化亜鉛、インジ
ウムスズ酸化物、インジウム亜鉛酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、また
はこれらの金属酸化物材料に酸化シリコン、酸化タングステンを含ませたものを用いるこ
とができる。第２の導電膜５０７を設けることによって、後に形成されるＥＬ層５１０と
第１の導電膜５０６との間に形成される絶縁膜の生成を抑制することができるので好適で
ある。また、第１の導電膜５０６の下層に、第２の導電膜５０７として用いる導電性の金
属酸化物を形成してもよい。
また、第３の導電膜５１２としては、反射性を有する導電性材料と透光性を有する導電
性材料とにより形成され、可視光の反射率が２０％以上８０％以下、好ましくは４０％以
上７０％以下であると好ましい。第３の導電膜５１２としては、例えば、銀、マグネシウ
ム、またはこれらの金属材料を含む合金等を薄く（例えば、１０ｎｍ以下）形成し、その
後、第２の導電膜５０７に用いることのできる導電性の金属酸化物を形成すればよい。
以上に説明した構成においては、第２の基板５１６側に発光を取り出す構造（トップエ
ミッション構造）の発光装置となるが、ＦＥＴ５００が形成されている第１の基板５０１
側に光を取り出す構造（ボトムエミッション構造）、または第１の基板５０１側及び第２
の基板５１６側の双方に光を取り出す構造（デュアルエミッション構造）の発光装置とし
ても良い。ボトムエミッション構造の場合、例えば、着色層（５１４Ｒ、５１４Ｇ、５１
４Ｂ、５１４Ｗ）を第１の導電膜５０６の下方に形成する構成とすればよい。なお、光を
射出する側の基板には、透光性の基板を用いればよく、光を射出しない側の基板には、透
光性の基板及び遮光性の基板を用いることができる。
また、図２９（Ａ）においては、発光素子が４色（赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）、白
（Ｗ））の構成について例示したが、これに限定されない。例えば、発光素子が３色（赤
（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ））の構成としてもよい。
ここで、各発光素子と各ＦＥＴの接続関係について、図２９（Ｂ）を用いて詳細に説明
する。なお、図２９（Ｂ）は、図２９（Ａ）に示す破線で囲まれた領域５２０の構成の一
例である。
図２９（Ｂ）では、ＦＥＴ５００上に平坦化膜として機能する絶縁膜５２２が形成され
ている。また、絶縁膜５２２には、ＦＥＴ５００のソース電極またはドレイン電極として
機能する導電膜に達する開口部５２４が形成されている。また、絶縁膜５２２上には、Ｆ
ＥＴ５００のソース電極またはドレイン電極として機能する導電膜に接続される第１の導
電膜５０６が形成されている。また、第１の導電膜５０６上には、第２の導電膜５０７が
形成されている。
また、ＦＥＴ５００としては、先の実施の形態に示すトランジスタ１００Ａと同様の構
成のため、ここでの説明は省略する。
なお、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示した構成を適宜組み合わせて用
いることができる。
（実施の形態６）
本実施の形態においては、本発明の一態様に係る表示装置の構成例について説明する。
＜表示装置の構成例＞
図３１（Ａ）には、本発明の一態様に係る表示装置の上面図を示す。また、図３１（Ｂ
）には、本発明の一態様に係る表示装置の画素に液晶素子を用いた場合における画素回路
を示す。また、図３１（Ｃ）には、本発明の一態様に係る表示装置の画素に有機ＥＬ素子
を用いた場合における画素回路を示す。
画素に用いるトランジスタは、上述したトランジスタを用いることができる。ここでは
、ｎチャネル型のトランジスタを用いる例を示す。なお、画素に用いたトランジスタと、
同一工程を経て作製したトランジスタを駆動回路として用いても構わない。また、画素に
用いる容量素子は、上述した容量素子を用いることができる。このように、画素や駆動回
路に上述したトランジスタ及び容量素子を用いることにより、表示品位が高い、または／
及び信頼性の高い表示装置となる。
アクティブマトリクス型表示装置の上面図の一例を図３１（Ａ）に示す。表示装置の基
板５０００上には、画素部５００１、第１の走査線駆動回路５００２、第２の走査線駆動
回路５００３、信号線駆動回路５００４が配置される。画素部５００１は、複数の信号線
によって信号線駆動回路５００４と電気的に接続され、複数の走査線によって第１の走査
線駆動回路５００２、及び第２の走査線駆動回路５００３と電気的に接続される。なお、
走査線と信号線とによって区切られる領域には、それぞれ表示素子を有する画素が配置さ
れている。また、表示装置の基板５０００は、ＦＰＣ等の接続部を介して、タイミング制
御回路（コントローラ、制御ＩＣともいう）に電気的に接続されている。
第１の走査線駆動回路５００２、第２の走査線駆動回路５００３及び信号線駆動回路５
００４は、画素部５００１と同じ基板５０００上に形成される。そのため、駆動回路を別
途作製する場合と比べて、表示装置を作製するコストを低減することができる。また、駆
動回路を別途作製した場合、配線間の接続数が増える。したがって、同じ基板５０００上
に駆動回路を設けることで、配線間の接続数を減らすことができ、信頼性の向上、または
／及び歩留まりの向上を図ることができる。
＜（１）液晶表示装置＞
また、画素の回路構成の一例を図３１（Ｂ）に示す。ここでは、ＶＡ型液晶表示装置の
画素などに適用することができる画素回路を示す。
この画素回路は、一つの画素に複数の画素電極を有する構成に適用できる。それぞれの
画素電極は異なるトランジスタに接続され、各トランジスタは異なるゲート信号で駆動で
きるように構成されている。これにより、マルチドメイン設計された画素の個々の画素電
極に印加する信号を、独立して制御できる。
トランジスタ５０１６のゲート配線５０１２と、トランジスタ５０１７のゲート配線５
０１３には、異なるゲート信号を与えることができるように分離されている。一方、デー
タ線として機能するソース電極またはドレイン電極５０１４は、トランジスタ５０１６と
トランジスタ５０１７で共通に用いられている。トランジスタ５０１６とトランジスタ５
０１７は上述したトランジスタを適宜用いることができる。また、容量素子５０２３ａ、
５０２３ｂは、上述した容量素子を適宜用いることができる。これにより、表示品位が高
い、または／及び信頼性の高い液晶表示装置を提供することができる。
また、トランジスタ５０１６には、第１の画素電極が電気的に接続され、トランジスタ
５０１７には、第２の画素電極が電気的に接続される。第１の画素電極と第２の画素電極
とは、それぞれ分離されている。なお、第１の画素電極及び第２の画素電極の形状として
は、特に限定は無く、例えばＶ字状とすればよい。
トランジスタ５０１６のゲート電極はゲート配線５０１２と電気的に接続され、トラン
ジスタ５０１７のゲート電極はゲート配線５０１３と電気的に接続されている。ゲート配
線５０１２とゲート配線５０１３に異なるゲート信号を与えてトランジスタ５０１６とト
ランジスタ５０１７の動作タイミングを異ならせ、液晶の配向を制御することができる。
また、容量配線５０１０と、誘電体として機能する絶縁膜と、第１の画素電極または第
２の画素電極と電気的に接続する導電膜とで容量素子を形成してもよい。
マルチドメイン構造は、一画素に第１の液晶素子５０１８と第２の液晶素子５０１９を
備える。第１の液晶素子５０１８は第１の画素電極と対向電極とその間の液晶層とで構成
され、第２の液晶素子５０１９は第２の画素電極と対向電極とその間の液晶層とで構成さ
れる。
なお、本発明の一態様に係る表示装置は、図３１（Ｂ）に示す画素回路に限定されない
。例えば、図３１（Ｂ）に示す画素に新たにスイッチ、抵抗素子、容量素子、トランジス
タ、センサ、または論理回路などを追加してもよい。
＜（２）発光装置＞
画素の回路構成の他の一例を図３１（Ｃ）に示す。ここでは、有機ＥＬ素子に代表され
る発光素子を用いた表示装置（発光装置ともいう。）の画素構造を示す。
有機ＥＬ素子は、発光素子に電圧を印加することにより、有機ＥＬ素子が有する一対の
電極の一方から電子が、他方から正孔がそれぞれ発光性の有機化合物を含む層に注入され
、電流が流れる。そして、電子及び正孔が再結合することにより、発光性の有機化合物が
励起状態を形成し、その励起状態が基底状態に戻る際に発光する。このようなメカニズム
から、このような発光素子は、電流励起型の発光素子と呼ばれる。
図３１（Ｃ）は、画素回路の一例を示す図である。ここでは１つの画素にｎチャネル型
のトランジスタを２つ用い、容量素子を１つ用いる例を示す。なお、ｎチャネル型のトラ
ンジスタには、上述したトランジスタを用いることができる。また、容量素子には、上述
した容量素子を用いることができる。また、当該画素回路は、デジタル時間階調駆動を適
用することができる。
適用可能な画素回路の構成及びデジタル時間階調駆動を適用した場合の画素の動作につ
いて説明する。
画素５０２０は、スイッチング用トランジスタ５０２１、駆動用トランジスタ５０２２
、発光素子５０２４及び容量素子５０２３を有する。スイッチング用トランジスタ５０２
１は、ゲート電極が走査線５０２６に接続され、第１電極（ソース電極、ドレイン電極の
一方）が信号線５０２５に接続され、第２電極（ソース電極、ドレイン電極の他方）が駆
動用トランジスタ５０２２のゲート電極に接続されている。駆動用トランジスタ５０２２
は、ゲート電極が容量素子５０２３を介して電源線５０２７に接続され、第１電極が電源
線５０２７に接続され、第２電極が発光素子５０２４の第１電極（画素電極）に接続され
ている。発光素子５０２４の第２電極は共通電極５０２８に相当する。共通電極５０２８
は、同一基板上に形成される共通電位線と電気的に接続される。
スイッチング用トランジスタ５０２１及び駆動用トランジスタ５０２２は上述したトラ
ンジスタを用いることができる。また、容量素子５０２３は上述した容量素子を用いるこ
とができる。これにより、表示品位の高い、または／及び信頼性の高い有機ＥＬ表示装置
となる。
発光素子５０２４の第２電極（共通電極５０２８）の電位は低電源電位に設定する。な
お、低電源電位とは、電源線５０２７に供給される高電源電位より低い電位であり、例え
ばＧＮＤ、０Ｖなどを低電源電位として設定することができる。発光素子５０２４の順方
向のしきい値電圧以上となるように高電源電位と低電源電位を設定し、その電位差を発光
素子５０２４に印加することにより、発光素子５０２４に電流を流して発光させる。なお
、発光素子５０２４の順方向電圧とは、所望の輝度とする場合の電圧を指しており、少な
くとも順方向しきい値電圧を含む。
なお、容量素子５０２３は駆動用トランジスタ５０２２のゲート容量を代用することに
より省略できる場合がある。駆動用トランジスタ５０２２のゲート容量については、チャ
ネル形成領域とゲート電極との間で容量が形成されていてもよい。
次に、駆動用トランジスタ５０２２に入力する信号について説明する。電圧入力電圧駆
動方式の場合、駆動用トランジスタ５０２２がオンまたはオフの二つの状態となるような
ビデオ信号を、駆動用トランジスタ５０２２に入力する。なお、駆動用トランジスタ５０
２２を線形領域で動作させるために、電源線５０２７の電圧よりも高い電圧を駆動用トラ
ンジスタ５０２２のゲート電極に与える。また、信号線５０２５には、電源線電圧に駆動
用トランジスタ５０２２のしきい値電圧Ｖｔｈを加えた値以上の電圧をかける。
アナログ階調駆動を行う場合、駆動用トランジスタ５０２２のゲート電極に発光素子５
０２４の順方向電圧に駆動用トランジスタ５０２２のしきい値電圧Ｖｔｈを加えた値以上
の電圧をかける。なお、駆動用トランジスタ５０２２が飽和領域で動作するようにビデオ
信号を入力し、発光素子５０２４に電流を流す。また、駆動用トランジスタ５０２２を飽
和領域で動作させるために、電源線５０２７の電位を、駆動用トランジスタ５０２２のゲ
ート電位より高くする。ビデオ信号をアナログとすることで、発光素子５０２４にビデオ
信号に応じた電流を流し、アナログ階調駆動を行うことができる。
なお、本発明の一態様に係る表示装置は、図３１（Ｃ）に示す画素構成に限定されない
。例えば、図３１（Ｃ）に示す画素回路にスイッチ、抵抗素子、容量素子、センサ、トラ
ンジスタまたは論理回路などを追加してもよい。
例えば、図３２（Ａ）は、画素回路の一例を示す図である。ここでは１つの画素にｎチ
ャネル型のトランジスタを３つ用い、容量素子を１つ用いる例を示す。
図３２（Ａ）に、画素５１１１の回路図の一例を示す。画素５１１１は、トランジスタ
５１５５と、トランジスタ５１５６と、トランジスタ５１５７と、容量素子５１５８と、
発光素子５１５４と、を有する。
発光素子５１５４の画素電極は、画素５１１１に入力される画像信号Ｓｉｇにしたがっ
て電位が制御される。また、発光素子５１５４の輝度は、画素電極と共通電極の間の電位
差によって定まる。
トランジスタ５１５６は、配線ＳＬと、トランジスタ５１５５のゲートとの間の導通状
態を制御する機能を有する。トランジスタ５１５５は、ソース及びドレインの一方が、発
光素子５１５４の陽極に電気的に接続され、ソース及びドレインの他方が配線ＶＬに電気
的に接続されている。トランジスタ５１５７は、配線ＭＬと、トランジスタ５１５５のソ
ース及びドレインの一方の間の導通状態を制御する機能を有する。容量素子５１５８の一
対の電極のうち、一方はトランジスタ５１５５のゲートに電気的に接続され、他方は発光
素子５１５４の陽極に電気的に接続されている。
また、トランジスタ５１５６のスイッチングは、トランジスタ５１５６のゲートに電気
的に接続された配線ＧＬの電位にしたがって行われる。トランジスタ５１５７のスイッチ
ングは、トランジスタ５１５７のゲートに電気的に接続された配線ＧＬの電位にしたがっ
て行われる。
なお、トランジスタ５１５５、トランジスタ５１５６及びトランジスタ５１５７の少な
くともいずれかに、上述したトランジスタを用いることができる。また、容量素子５１５
８は、上述した容量素子を用いることができる。
なお、例えば、トランジスタのソース（又は第１の端子など）が、Ｚ１を介して（又は
介さず）、Ｘと電気的に接続され、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）が、
Ｚ２を介して（又は介さず）、Ｙと電気的に接続されている場合や、トランジスタのソー
ス（又は第１の端子など）が、Ｚ１の一部と直接的に接続され、Ｚ１の別の一部がＸと直
接的に接続され、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）が、Ｚ２の一部と直接
的に接続され、Ｚ２の別の一部がＹと直接的に接続されている場合では、以下のように表
現することができる。
例えば、「ＸとＹとトランジスタのソース（又は第１の端子など）とドレイン（又は第
２の端子など）とは、互いに電気的に接続されており、Ｘ、トランジスタのソース（又は
第１の端子など）、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）、Ｙの順序で電気的
に接続されている。」と表現することができる。または、「トランジスタのソース（又は
第１の端子など）は、Ｘと電気的に接続され、トランジスタのドレイン（又は第２の端子
など）はＹと電気的に接続され、Ｘ、トランジスタのソース（又は第１の端子など）、ト
ランジスタのドレイン（又は第２の端子など）、Ｙは、この順序で電気的に接続されてい
る」と表現することができる。または、「Ｘは、トランジスタのソース（又は第１の端子
など）とドレイン（又は第２の端子など）とを介して、Ｙと電気的に接続され、Ｘ、トラ
ンジスタのソース（又は第１の端子など）、トランジスタのドレイン（又は第２の端子な
ど）、Ｙは、この接続順序で設けられている」と表現することができる。これらの例と同
様な表現方法を用いて、回路構成における接続の順序について規定することにより、トラ
ンジスタのソース（又は第１の端子など）と、ドレイン（又は第２の端子など）とを、区
別して、技術的範囲を決定することができる。なお、これらの表現方法は、一例であり、
これらの表現方法に限定されない。ここで、Ｘ、Ｙ、Ｚ１、Ｚ２は、対象物（例えば、装
置、素子、回路、配線、電極、端子、導電膜、層、など）であるとする。
次に、図３２（Ａ）に示す画素５１１１の動作例について説明する。
図３２（Ｂ）に、図３２（Ａ）に示す画素５１１１に電気的に接続される配線ＧＬの電
位と、配線ＳＬに供給される画像信号Ｓｉｇの電位のタイミングチャートを例示する。な
お、図３２（Ｂ）に示すタイミングチャートは、図３２（Ａ）に示す画素５１１１に含ま
れるトランジスタが全てｎチャネル型である場合を例示するものである。
まず、期間ｔ１では、配線ＧＬにハイレベルの電位が与えられる。よって、トランジス
タ５１５６及びトランジスタ５１５７がオンとなる。そして、配線ＳＬには、画像信号Ｓ
ｉｇの電位Ｖｄａｔａが与えられており、電位Ｖｄａｔａは、トランジスタ５１５６を介
してトランジスタ５１５５のゲートに与えられる。
また、配線ＶＬには電位Ｖａｎｏが与えられ、配線ＣＬには電位Ｖｃａｔが与えられる
。電位Ｖａｎｏは、電位Ｖｃａｔに発光素子５１５４のしきい値電圧Ｖｔｈｅとトランジ
スタ５１５５のしきい値電圧Ｖｔｈを加算した電位よりも高くすることが好ましい。配線
ＶＬと配線ＣＬとの間に上記電位差が設けられることにより、電位Ｖｄａｔａにしたがっ
て、トランジスタ５１５５のドレイン電流の値が定められる。そして、当該ドレイン電流
が発光素子５１５４に供給されることで、発光素子５１５４の輝度が定められる。
また、トランジスタ５１５５がｎチャネル型である場合、期間ｔ１では、配線ＭＬの電
位が、配線ＣＬの電位に発光素子５１５４のしきい値電圧Ｖｔｈｅを加算した電位よりも
低く、配線ＶＬの電位が、配線ＭＬの電位にトランジスタ５１５５のしきい値電圧Ｖｔｈ
を加算した電位よりも高いことが好ましい。上記構成により、トランジスタ５１５７がオ
ンであっても、トランジスタ５１５５のドレイン電流を、発光素子５１５４ではなく配線
ＭＬの方に優先的に流すことができる。
次に、期間ｔ２では、配線ＧＬにローレベルの電位が与えられる。よって、トランジス
タ５１５６及びトランジスタ５１５７がオフとなる。トランジスタ５１５６がオフになる
ことで、トランジスタ５１５５のゲートにおいて、電位Ｖｄａｔａが保持される。また、
配線ＶＬには電位Ｖａｎｏが与えられ、配線ＣＬには電位Ｖｃａｔが与えられる。よって
、発光素子５１５４では、期間ｔ１において定められた輝度にしたがって発光する。
次に、期間ｔ３では、配線ＧＬにハイレベルの電位が与えられる。よって、トランジス
タ５１５６及びトランジスタ５１５７がオンとなる。また、配線ＳＬには、トランジスタ
５１５５のゲート電圧がしきい値電圧Ｖｔｈよりも大きくなるような電位が与えられる。
また、配線ＣＬには電位Ｖｃａｔが与えられる。そして、配線ＭＬの電位は、配線ＣＬの
電位に発光素子５１５４のしきい値電圧Ｖｔｈｅを加算した電位よりも低くなり、配線Ｖ
Ｌの電位は、配線ＭＬの電位にトランジスタ５１５５のしきい値電圧Ｖｔｈを加算した電
位よりも高くなる。上記構成により、トランジスタ５１５５のドレイン電流を、発光素子
５１５４ではなく配線ＭＬの方に優先的に流すことができる。
そして、トランジスタ５１５５のドレイン電流は、配線ＭＬを介してモニター回路に供
給される。モニター回路は、配線ＭＬに流れたドレイン電流を用いて、当該ドレイン電流
の値を情報として含む信号を生成する。そして、本発明の一態様に係る発光装置では、上
記信号を用いて、画素５１１１に供給される画像信号Ｓｉｇの電位Ｖｄａｔａの値を、補
正することができる。
なお、図３２（Ａ）に示す画素５１１１を有する発光装置では、期間ｔ２の動作の後に
期間ｔ３の動作を行わなくてもよい。例えば、画素５１１１において、期間ｔ１から期間
ｔ２の動作を複数回繰り返した後に、期間ｔ３の動作を行うようにしてもよい。また、１
行の画素５１１１において期間ｔ３の動作を行った後、最小の階調値０に対応する画像信
号を、当該動作を行った１行の画素５１１１に書き込むことで、発光素子５１５４を非発
光の状態にした後、次の行の画素５１１１において、期間ｔ３の動作を行うようにしても
よい。
また、図３３（Ａ）に示す画素回路の構成としてもよい。図３３（Ａ）は、画素回路の
一例を示す図である。ここでは１つの画素にｎチャネル型のトランジスタを４つ用い、容
量素子を１つ用いる例を示す。
図３３（Ａ）に示す画素５２１１は、トランジスタ５２１５と、トランジスタ５２１６
と、トランジスタ５２１７と、容量素子５２１８と、発光素子５２１４と、トランジスタ
５２１９と、を有する。
発光素子５２１４の画素電極は、画素５２１１に入力される画像信号Ｓｉｇにしたがっ
て電位が制御される。また、発光素子５２１４の輝度は、画素電極と共通電極の間の電位
差によって定まる。
トランジスタ５２１９は、配線ＳＬと、トランジスタ５２１５のゲートとの間の導通状
態を制御する機能を有する。トランジスタ５２１５は、ソース及びドレインの一方が、発
光素子５２１４の陽極に電気的に接続されている。トランジスタ５２１６は、配線ＶＬと
、トランジスタ５２１５のソース及びドレインの他方との間の導通状態を制御する機能を
有する。トランジスタ５２１７は、配線ＭＬと、トランジスタ５２１５のソース及びドレ
インの他方との間の導通状態を制御する機能を有する。容量素子５２１８の一対の電極の
うち、一方はトランジスタ５２１５のゲートに電気的に接続され、他方は発光素子５２１
４の陽極に電気的に接続されている。
また、トランジスタ５２１９のスイッチングは、トランジスタ５２１９のゲートに電気
的に接続された配線ＧＬａの電位にしたがって行われる。トランジスタ５２１６のスイッ
チングは、トランジスタ５２１６のゲートに電気的に接続された配線ＧＬｂの電位にした
がって行われる。トランジスタ５２１７のスイッチングは、トランジスタ５２１７のゲー
トに電気的に接続された配線ＧＬｃの電位にしたがって行われる。
なお、トランジスタ５２１５、トランジスタ５２１６、トランジスタ５２１７及びトラ
ンジスタ５２１９の少なくともいずれかに、上述したトランジスタを用いることができる
。また、容量素子５２１８は、上述した容量素子を用いることができる。
次に、図３３（Ａ）に示す画素５２１１の、外部補正の動作例について説明する。
図３３（Ｂ）に、図３３（Ａ）に示す画素５２１１に電気的に接続される配線ＧＬａ、
配線ＧＬｂ、配線ＧＬｃの電位と、配線ＳＬに供給される画像信号Ｓｉｇの電位のタイミ
ングチャートを例示する。なお、図３３（Ｂ）に示すタイミングチャートは、図３３（Ａ
）に示す画素５２１１に含まれるトランジスタが全てｎチャネル型である場合を例示する
ものである。
まず、期間ｔ１では、配線ＧＬａにハイレベルの電位が与えられ、配線ＧＬｂにハイレ
ベルの電位が与えられ、配線ＧＬｃにローレベルの電位が与えられる。よって、トランジ
スタ５２１９及びトランジスタ５２１６がオンとなり、トランジスタ５２１７はオフとな
る。そして、配線ＳＬには、画像信号Ｓｉｇの電位Ｖｄａｔａが与えられており、電位Ｖ
ｄａｔａは、トランジスタ５２１９を介してトランジスタ５２１５のゲートに与えられる
。
また、配線ＶＬには電位Ｖａｎｏが与えられ、配線ＣＬには電位Ｖｃａｔが与えられる
。電位Ｖａｎｏは、電位Ｖｃａｔに発光素子５２１４のしきい値電圧Ｖｔｈｅを加算した
電位よりも高くすることが好ましい。配線ＶＬの電位Ｖａｎｏは、トランジスタ５２１６
を介して、トランジスタ５２１５のソース及びドレインの他方に与えられる。よって、電
位Ｖｄａｔａにしたがって、トランジスタ５２１５のドレイン電流の値が定められる。そ
して、当該ドレイン電流が発光素子５２１４に供給されることで、発光素子５２１４の輝
度が定められる。
次に、期間ｔ２では、配線ＧＬａにローレベルの電位が与えられ、配線ＧＬｂにハイレ
ベルの電位が与えられ、配線ＧＬｃにローレベルの電位が与えられる。よって、トランジ
スタ５２１６がオンとなり、トランジスタ５２１９、及びトランジスタ５２１７がオフと
なる。トランジスタ５２１９がオフになることで、トランジスタ５２１５のゲートにおい
て、電位Ｖｄａｔａが保持される。また、配線ＶＬには電位Ｖａｎｏが与えられ、配線Ｃ
Ｌには電位Ｖｃａｔが与えられる。よって、発光素子５２１４では、期間ｔ１において定
められた輝度が保持される。
次に、期間ｔ３では、配線ＧＬａにローレベルの電位が与えられ、配線ＧＬｂにローレ
ベルの電位が与えられ、配線ＧＬｃにハイレベルの電位が与えられる。よって、トランジ
スタ５２１７がオンとなり、トランジスタ５２１９及びトランジスタ５２１６がオフとな
る。また、配線ＣＬには電位Ｖｃａｔが与えられる。そして、配線ＭＬには電位Ｖａｎｏ
が与えられ、なおかつモニター回路に接続される。
上記動作により、トランジスタ５２１７を介して、トランジスタ５２１５のドレイン電
流は、発光素子５２１４に供給される。なおかつ、当該ドレイン電流は、配線ＭＬを介し
てモニター回路にも供給される。モニター回路は、配線ＭＬに流れたドレイン電流を用い
て、当該ドレイン電流の値を情報として含む信号を生成する。そして、本発明の一態様に
係る発光装置では、上記信号を用いて、画素５２１１に供給される画像信号Ｓｉｇの電位
Ｖｄａｔａの値を、補正することができる。
なお、図３３（Ａ）に示す画素５２１１を有する発光装置では、期間ｔ２の動作の後に
期間ｔ３の動作を行わなくてもよい。例えば、発光装置において、期間ｔ１から期間ｔ２
の動作を複数回繰り返した後に、期間ｔ３の動作を行うようにしてもよい。また、１行の
画素５２１１において期間ｔ３の動作を行った後、最小の階調値０に対応する画像信号を
、当該動作を行った１行の画素５２１１に書き込むことで、発光素子５２１４を非発光の
状態にした後、次の行の画素５２１１において、期間ｔ３の動作を行うようにしてもよい
。
また、図３４（Ａ）に示す画素回路の構成としてもよい。図３４（Ａ）は、画素回路の
一例を示す図である。ここでは１つの画素にｎチャネル型のトランジスタを５つ用い、容
量素子を１つ用いる例を示す。
図３４（Ａ）に示す画素５３１１は、トランジスタ５３１５と、トランジスタ５３１６
と、トランジスタ５３１７と、容量素子５３１８と、発光素子５３１４と、トランジスタ
５３１９と、トランジスタ５３２０と、を有する。
トランジスタ５３２０は、配線ＲＬと、発光素子５３１４の陽極との間の導通状態を制
御する機能を有する。トランジスタ５３１９は、配線ＳＬと、トランジスタ５３１５のゲ
ートとの間の導通状態を制御する機能を有する。トランジスタ５３１５は、ソース及びド
レインの一方が、発光素子５３１４の陽極に電気的に接続されている。トランジスタ５３
１６は、配線ＶＬと、トランジスタ５３１５のソース及びドレインの他方との間の導通状
態を制御する機能を有する。トランジスタ５３１７は、配線ＭＬと、トランジスタ５３１
５のソース及びドレインの他方との間の導通状態を制御する機能を有する。容量素子５３
１８の一対の電極のうち、一方はトランジスタ５３１５のゲートに電気的に接続され、他
方は発光素子５３１４の陽極に電気的に接続されている。
また、トランジスタ５３１９のスイッチングは、トランジスタ５３１９のゲートに電気
的に接続された配線ＧＬａの電位にしたがって行われる。トランジスタ５３１６のスイッ
チングは、トランジスタ５３１６のゲートに電気的に接続された配線ＧＬｂの電位にした
がって行われる。トランジスタ５３１７のスイッチングは、トランジスタ５３１７のゲー
トに電気的に接続された配線ＧＬｃの電位にしたがって行われる。トランジスタ５３２０
のスイッチングは、トランジスタ５３２０のゲートに電気的に接続された配線ＧＬｄの電
位にしたがって行われる。
なお、トランジスタ５３１５、トランジスタ５３１６、トランジスタ５３１７、トラン
ジスタ５３１９及びトランジスタ５３２０の少なくともいずれかに、上述したトランジス
タを用いることができる。また、容量素子５３１８は、上述した容量素子を用いることが
できる。
次に、図３４（Ａ）に示す画素５３１１の、外部補正の動作例について説明する。
図３４（Ｂ）に、図３４（Ａ）に示す画素５３１１に電気的に接続される配線ＧＬａ、
配線ＧＬｂ、配線ＧＬｃ、配線ＧＬｄの電位と、配線ＳＬに供給される画像信号Ｓｉｇの
電位のタイミングチャートを例示する。なお、図３４（Ｂ）に示すタイミングチャートは
、図３４（Ａ）に示す画素５３１１に含まれるトランジスタが全てｎチャネル型である場
合を例示するものである。
まず、期間ｔ１では、配線ＧＬａにハイレベルの電位が与えられ、配線ＧＬｂにハイレ
ベルの電位が与えられ、配線ＧＬｃにローレベルの電位が与えられ、配線ＧＬｄにハイレ
ベルの電位が与えられる。よって、トランジスタ５３１９、トランジスタ５３１６、及び
トランジスタ５３２０がオンとなり、トランジスタ５３１７はオフとなる。また、配線Ｓ
Ｌには、画像信号Ｓｉｇの電位Ｖｄａｔａが与えられており、電位Ｖｄａｔａは、トラン
ジスタ５３１９を介してトランジスタ５３１５のゲートに与えられる。よって、電位Ｖｄ
ａｔａにしたがって、トランジスタ５３１５のドレイン電流の値が定められる。そして、
配線ＶＬには電位Ｖａｎｏが与えられ、配線ＲＬには電位Ｖ１が与えられるため、当該ド
レイン電流は、トランジスタ５３１６及びトランジスタ５３２０を介して、配線ＶＬと配
線ＲＬの間に流れる。
電位Ｖａｎｏは、電位Ｖｃａｔに発光素子５３１４のしきい値電圧Ｖｔｈｅを加算した
電位よりも高くすることが好ましい。配線ＶＬの電位Ｖａｎｏは、トランジスタ５３１６
を介して、トランジスタ５３１５のソース及びドレインの他方に与えられる。また、配線
ＲＬに与えられた電位Ｖ１は、トランジスタ５３２０を介してトランジスタ５３１５のソ
ース及びドレインの一方に与えられる。配線ＣＬには電位Ｖｃａｔが与えられる。
なお、電位Ｖ１は、電位Ｖ０からトランジスタ５３１５のしきい値電圧Ｖｔｈを差し引
いた電位よりも、十分低いことが好ましい。期間ｔ１では、電位Ｖ１を、電位Ｖｃａｔか
ら発光素子５３１４のしきい値電圧Ｖｔｈｅを差し引いた電位よりも十分低くすることが
できるので、発光素子５３１４は発光しない。
次に、期間ｔ２では、配線ＧＬａにローレベルの電位が与えられ、配線ＧＬｂにハイレ
ベルの電位が与えられ、配線ＧＬｃにローレベルの電位が与えられ、配線ＧＬｄにローレ
ベルの電位が与えられる。よって、トランジスタ５３１６がオンとなり、トランジスタ５
３１９、トランジスタ５３１７及びトランジスタ５３２０がオフとなる。トランジスタ５
３１９がオフになることで、トランジスタ５３１５のゲートにおいて、電位Ｖｄａｔａが
保持される。
また、配線ＶＬには電位Ｖａｎｏが与えられ、配線ＣＬには電位Ｖｃａｔが与えられる
。よって、期間ｔ１において値が定められたトランジスタ５３１５のドレイン電流は、ト
ランジスタ５３２０がオフになることで、発光素子５３１４に供給される。そして、発光
素子５３１４に当該ドレイン電流が供給されることで、発光素子５３１４の輝度が定めら
れ、当該輝度は期間ｔ２において保持される。
次に、期間ｔ３では、配線ＧＬａにローレベルの電位が与えられ、配線ＧＬｂにローレ
ベルの電位が与えられ、配線ＧＬｃにハイレベルの電位が与えられ、配線ＧＬｄにローレ
ベルの電位が与えられる。よって、トランジスタ５３１７がオンとなり、トランジスタ５
３１９、トランジスタ５３１６及びトランジスタ５３２０がオフとなる。また、配線ＣＬ
には電位Ｖｃａｔが与えられる。そして、配線ＭＬには電位Ｖａｎｏが与えられ、なおか
つモニター回路に接続される。
上記動作により、トランジスタ５３１７を介して、トランジスタ５３１５のドレイン電
流は、発光素子５３１４に供給される。なおかつ、当該ドレイン電流は、配線ＭＬを介し
てモニター回路にも供給される。モニター回路は、配線ＭＬに流れたドレイン電流を用い
て、当該ドレイン電流の値を情報として含む信号を生成する。そして、本発明の一態様に
係る発光装置では、上記信号を用いて、画素５３１１に供給される画像信号Ｓｉｇの電位
Ｖｄａｔａの値を、補正することができる。
なお、図３４（Ａ）に示す画素５３１１を有する発光装置では、期間ｔ２の動作の後に
期間ｔ３の動作を行わなくてもよい。例えば、発光装置において、期間ｔ１から期間ｔ２
の動作を複数回繰り返した後に、期間ｔ３の動作を行うようにしてもよい。また、１行の
画素５３１１において期間ｔ３の動作を行った後、最小の階調値０に対応する画像信号を
、当該動作を行った１行の画素５３１１に書き込むことで、発光素子５３１４を非発光の
状態にした後、次の行の画素５３１１において、期間ｔ３の動作を行うようにしてもよい
。
また、図３４（Ａ）に示す画素５３１１では、発光素子５３１４の劣化などにより、発
光素子５３１４の陽極と陰極間の抵抗値が画素間でばらついても、電位Ｖｄａｔａをトラ
ンジスタ５３１５のゲートに与える際に、トランジスタ５３１５のソースの電位を所定の
電位Ｖ１に設定することができる。よって、画素間において発光素子５３１４の輝度にば
らつきが生じるのを、防ぐことができる。
また、図３５（Ａ）に示す画素回路の構成としてもよい。図３５（Ａ）は、画素回路の
一例を示す図である。ここでは１つの画素にｎチャネル型のトランジスタを６つ用い、容
量素子を１つ用いる例を示す。
図３５（Ａ）に示す画素５４１１は、トランジスタ５４１５と、トランジスタ５４１６
と、トランジスタ５４１７と、容量素子５４１８と、発光素子５４１４と、トランジスタ
５４４０と、トランジスタ５４４１と、トランジスタ５４４２と、を有する。
発光素子５４１４の画素電極は、画素５４１１に入力される画像信号Ｓｉｇにしたがっ
て電位が制御される。また、発光素子５４１４の輝度は、画素電極と共通電極の間の電位
差によって定まる。
トランジスタ５４４０は、配線ＳＬと、容量素子５４１８の一対の電極のうちの一方と
の間の導通状態を制御する機能を有する。容量素子５４１８の一対の電極のうちの他方は
、トランジスタ５４１５のソース及びドレインの一方に電気的に接続される。トランジス
タ５４１６は、配線ＶＬ１と、トランジスタ５４１５のゲートとの間の導通状態を制御す
る機能を有する。トランジスタ５４４１は、容量素子５４１８の一対の電極のうちの一方
と、トランジスタ５４１５のゲートとの間の導通状態を制御する機能を有する。トランジ
スタ５４４２は、トランジスタ５４１５のソース及びドレインの一方と、発光素子５４１
４の陽極との間の導通状態を制御する機能を有する。トランジスタ５４１７は、トランジ
スタ５４１５のソース及びドレインの一方と、配線ＭＬとの間の導通状態を制御する機能
を有する。
さらに、図３５（Ａ）では、トランジスタ５４１５のソース及びドレインの他方は配線
ＶＬに電気的に接続されている。
また、トランジスタ５４４０におけるオンまたはオフの選択は、トランジスタ５４４０
のゲートに電気的に接続された配線ＧＬａの電位にしたがって行われる。トランジスタ５
４１６におけるオンまたはオフの選択は、トランジスタ５４１６のゲートに電気的に接続
された配線ＧＬａの電位にしたがって行われる。トランジスタ５４４１におけるオンまた
はオフの選択は、トランジスタ５４４１のゲートに電気的に接続された配線ＧＬｂの電位
にしたがって行われる。トランジスタ５４４２におけるオンまたはオフの選択は、トラン
ジスタ５４４２のゲートに電気的に接続された配線ＧＬｂの電位にしたがって行われる。
トランジスタ５４１７におけるオンまたはオフの選択は、トランジスタ５４１７のゲート
に電気的に接続された配線ＧＬｃの電位にしたがって行われる。
図３５（Ｂ）に、図３５（Ａ）に示す画素５４１１に電気的に接続される配線ＧＬａ、
配線ＧＬｂ、配線ＧＬｃの電位と、配線ＳＬに供給される画像信号Ｓｉｇの電位のタイミ
ングチャートを例示する。なお、図３５（Ｂ）に示すタイミングチャートは、図３５（Ａ
）に示す画素５４１１に含まれるトランジスタが全てｎチャネル型である場合を例示する
ものである。
まず、期間ｔ１では、配線ＧＬａにローレベルの電位が与えられ、配線ＧＬｂにハイレ
ベルの電位が与えられ、配線ＧＬｃにハイレベルの電位が与えられる。よって、トランジ
スタ５４４１、トランジスタ５４４２及びトランジスタ５４１７がオンとなり、トランジ
スタ５４４０及びトランジスタ５４１６はオフとなる。トランジスタ５４４２及びトラン
ジスタ５４１７がオンになることで、トランジスタ５４１５のソース及びドレインの一方
及び容量素子５４１８の一対の電極のうちの他方（ノードＡとして図示する。）に、配線
ＭＬの電位Ｖ０が与えられる。
また、配線ＶＬには電位Ｖａｎｏが与えられ、配線ＣＬには電位Ｖｃａｔが与えられる
。電位Ｖａｎｏは、電位Ｖ０に発光素子５４１４のしきい値電圧Ｖｔｈｅを加算した電位
よりも高くすることが好ましい。また、電位Ｖ０は、電位Ｖｃａｔに発光素子５４１４の
しきい値電圧Ｖｔｈｅを加算した電位よりも、低いことが好ましい。電位Ｖ０を上記値に
設定することで、期間ｔ１において発光素子５４１４に電流が流れるのを防ぐことができ
る。
次に、配線ＧＬｂにローレベルの電位が与えられることで、トランジスタ５４４１及び
トランジスタ５４４２がオフになり、ノードＡは電位Ｖ０に保持される。
次に、期間ｔ２では、配線ＧＬａにハイレベルの電位が与えられ、配線ＧＬｂにローレ
ベルの電位が与えられ、配線ＧＬｃにローレベルの電位が与えられる。よって、トランジ
スタ５４４０及びトランジスタ５４１６がオンとなり、トランジスタ５４４１、トランジ
スタ５４４２及びトランジスタ５４１７がオフとなる。
なお、期間ｔ１から期間ｔ２に移行する際、配線ＧＬａに与える電位をローレベルから
ハイレベルに切り替えた後に、配線ＧＬｃに与える電位をハイレベルからローレベルに切
り替えることが好ましい。このような動作を行うことによって、配線ＧＬａに与えられる
電位の切り替えによる、ノードＡの電位の変動を防ぐことができる。
また、配線ＶＬには電位Ｖａｎｏが与えられ、配線ＣＬには電位Ｖｃａｔが与えられる
。そして、配線ＳＬには画像信号Ｓｉｇの電位Ｖｄａｔａが与えられ、配線ＶＬ１には電
位Ｖ１が与えられる。電位Ｖ１は、電位Ｖｃａｔにトランジスタ５４１５のしきい値電圧
Ｖｔｈを加算した電位よりも高く、電位Ｖａｎｏにトランジスタ５４１５のしきい値電圧
Ｖｔｈを加算した電位より低いことが好ましい。
なお、図３５（Ａ）に示す画素構成では、電位Ｖ１を、発光素子５４１４のしきい値電
圧Ｖｔｈｅを電位Ｖｃａｔに加算した値より高くしても、トランジスタ５４４２がオフで
ある限り、発光素子５４１４は発光しない。そのため、電位Ｖ０として設定できる値の幅
を広げることが可能となり、Ｖ１−Ｖ０として取りうる値の幅も広げることが可能となる
。したがって、Ｖ１−Ｖ０の値の設定の自由度が上がるため、トランジスタ５４１５のし
きい値電圧Ｖｔｈの取得に要する時間を短縮した場合、またはしきい値電圧Ｖｔｈの取得
期間に制限がある場合においても、正確にトランジスタ５４１５のしきい値電圧Ｖｔｈの
取得を行うことができる。
上記動作により、トランジスタ５４１５のゲート（ノードＢとして図示する。）に、ノ
ードＡの電位にしきい値電圧Ｖｔｈを加算した電位よりも、高い電位Ｖ１が入力され、ト
ランジスタ５４１５がオンとなる。よって、トランジスタ５４１５を介して容量素子５４
１８の電荷が放出され、電位Ｖ０だったノードＡの電位が上昇を始める。そして、最終的
にはノードＡの電位がＶ１−Ｖｔｈに収束し、トランジスタ５４１５のゲート電圧がしき
い値電圧Ｖｔｈに収束すると、トランジスタ５４１５がオフになる。
また、容量素子５４１８の一対の電極のうちの一方（ノードＣとして図示する。）には
、配線ＳＬに与えられた画像信号Ｓｉｇの電位Ｖｄａｔａが、トランジスタ５４４０を介
して与えられる。
次に、期間ｔ３では、配線ＧＬａにローレベルの電位が与えられ、配線ＧＬｂにハイレ
ベルの電位が与えられ、配線ＧＬｃにローレベルの電位が与えられる。よって、トランジ
スタ５４４１及びトランジスタ５４４２がオンとなり、トランジスタ５４４０、トランジ
スタ５４１６及びトランジスタ５４１７がオフとなる。
なお、期間ｔ２から期間ｔ３に移行する際、配線ＧＬａに与える電位がハイレベルから
ローレベルに切り替えられてから、配線ＧＬｂに与える電位をローレベルからハイレベル
に切り替えることが好ましい。上記構成により、配線ＧＬａに与える電位の切り替えによ
るノードＡにおける電位の変動を防ぐことができる。
また、配線ＶＬには電位Ｖａｎｏが与えられ、配線ＣＬには電位Ｖｃａｔが与えられる
。
上記動作により、ノードＢに電位Ｖｄａｔａが与えられるため、トランジスタ５４１５
のゲート電圧がＶｄａｔａ−Ｖ１＋Ｖｔｈとなる。よって、トランジスタ５４１５のゲー
ト電圧を、しきい値電圧Ｖｔｈが加味された値に設定することができる。上記構成により
、トランジスタ５４１５のしきい値電圧Ｖｔｈのばらつきを抑制することができる。よっ
て、発光素子５４１４に供給する電流値のばらつきを抑えることができ、発光装置の輝度
ムラを低減することができる。
なお、配線ＧＬｂに与える電位の変動を大きくしておくことで、トランジスタ５４４２
のしきい値電圧のばらつきが発光素子５４１４に供給する電流値に影響を及ぼすことを防
ぐことができる。つまり、配線ＧＬｂに与えるハイレベルの電位をトランジスタ５４４２
のしきい値電圧よりも十分大きく、また、配線ＧＬｂに与えるローレベルの電位をトラン
ジスタ５４４２のしきい値電圧よりも十分小さくしてやることで、トランジスタ５４４２
のオンとオフの切り替えを確実に行い、トランジスタ５４４２のしきい値電圧のばらつき
が発光素子５４１４の電流値に影響を及ぼすことを防ぐことができる。
次に、期間ｔ４では、配線ＧＬａにローレベルの電位が与えられ、配線ＧＬｂにローレ
ベルの電位が与えられ、配線ＧＬｃにハイレベルの電位が与えられる。よって、トランジ
スタ５４１７がオンとなり、トランジスタ５４１６、トランジスタ５４４０、トランジス
タ５４４１及びトランジスタ５４４２がオフとなる。
また、配線ＶＬには電位Ｖａｎｏが与えられ、配線ＭＬは、モニター回路に電気的に接
続される。
上記動作により、トランジスタ５４１５のドレイン電流Ｉｄが、発光素子５４１４では
なく、トランジスタ５４１７を介して配線ＭＬに流れる。モニター回路は、配線ＭＬに流
れたドレイン電流Ｉｄを用いて、当該ドレイン電流Ｉｄの値を情報として含む信号を生成
する。このドレイン電流Ｉｄは、トランジスタ５４１５の移動度やトランジスタ５４１５
のサイズ（チャネル長、チャネル幅）などに依存した大きさとなっている。そして、本発
明の一態様に係る発光装置では、上記信号を用いて、画素５４１１に供給される画像信号
Ｓｉｇの電位Ｖｄａｔａの値を、補正することができる。つまり、トランジスタ５４１５
の移動度のばらつきの影響を低減することが出来る。
なお、図３５（Ａ）に示す画素５４１１を有する発光装置では、期間ｔ３の動作の後に
期間ｔ４の動作を行わなくてもよい。例えば、発光装置において、期間ｔ１から期間ｔ３
の動作を複数回繰り返した後に、期間ｔ４の動作を行うようにしてもよい。また、一行の
画素５４１１において期間ｔ４の動作を行った後、最小の階調値０に対応する画像信号を
、当該動作を行った一行の画素５４１１に書き込むことで、発光素子５４１４を非発光の
状態にした後、次の行の画素５４１１において、期間ｔ４の動作を行うようにしてもよい
。
図３５（Ａ）に示した画素５４１１を有する発光装置では、トランジスタ５４１５のソ
ース及びドレインの他方と、トランジスタ５４１５のゲートとが電気的に分離しているの
で、それぞれの電位を個別に制御することができる。よって、期間ｔ２において、トラン
ジスタ５４１５のソース及びドレインの他方の電位を、トランジスタ５４１５のゲートの
電位に、しきい値電圧Ｖｔｈを加算した電位よりも高い値に設定することができる。その
ため、トランジスタ５４１５がノーマリーオンである場合に、すなわちしきい値電圧Ｖｔ
ｈがマイナスの値を有している場合に、トランジスタ５４１５において、ソースの電位が
ゲートの電位Ｖ１よりも高くなるまで、容量素子５４１８に電荷を蓄積することができる
。よって、本発明の一態様に係る発光装置では、トランジスタ５４１５がノーマリーオン
であっても、期間ｔ２においてしきい値電圧Ｖｔｈを取得することができ、期間ｔ３にお
いて、しきい値電圧Ｖｔｈを加味した値になるよう、トランジスタ５４１５のゲート電圧
を設定することができる。
したがって、本発明の一態様に係る発光装置では、トランジスタ５４１５がノーマリー
オンとなっても、表示ムラを低減でき、高い画質の表示を行うことができる。
なお、トランジスタ５４１５の特性だけでなく、発光素子５４１４の特性もモニターし
てもよい。このとき、画像信号Ｓｉｇの電位Ｖｄａｔａを制御することなどにより、トラ
ンジスタ５４１５には、電流が流れないようにしておくことが好ましい。これにより、発
光素子５４１４の電流を取り出すことが出来る。その結果、発光素子５４１４の電流特性
の劣化やばらつきの状態を取得することが出来る。
本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示す構成と適宜組み合わせて用いること
ができる。
（実施の形態７）
本実施の形態では、本発明の一態様の半導体装置を用いることができる表示モジュール
及び電子機器について、図３６及び図３７を用いて説明を行う。
図３６に示す表示モジュール８０００は、上部カバー８００１と下部カバー８００２と
の間に、ＦＰＣ８００３に接続されたタッチパネル８００４、ＦＰＣ８００５に接続され
た表示パネル８００６、バックライトユニット８００７、フレーム８００９、プリント基
板８０１０、バッテリ８０１１を有する。
本発明の一態様の半導体装置は、例えば、表示パネル８００６に用いることができる。
上部カバー８００１及び下部カバー８００２は、タッチパネル８００４及び表示パネル
８００６のサイズに合わせて、形状や寸法を適宜変更することができる。
タッチパネル８００４は、抵抗膜方式または静電容量方式のタッチパネルを表示パネル
８００６に重畳して用いることができる。また、表示パネル８００６の対向基板（封止基
板）に、タッチパネル機能を持たせるようにすることも可能である。また、表示パネル８
００６の各画素内に光センサを設け、光学式のタッチパネルとすることも可能である。
バックライトユニット８００７は、光源８００８を有する。なお、図３６において、バ
ックライトユニット８００７上に光源８００８を配置する構成について例示したが、これ
に限定さない。例えば、バックライトユニット８００７の端部に光源８００８を配置し、
さらに光拡散板を用いる構成としてもよい。なお、有機ＥＬ素子等の自発光型の発光素子
を用いる場合、または反射型パネル等の場合においては、バックライトユニット８００７
を設けない構成としてもよい。
フレーム８００９は、表示パネル８００６の保護機能の他、プリント基板８０１０の動
作により発生する電磁波を遮断するための電磁シールドとしての機能を有する。またフレ
ーム８００９は、放熱板としての機能を有していてもよい。
プリント基板８０１０は、電源回路、ビデオ信号及びクロック信号を出力するための信
号処理回路を有する。電源回路に電力を供給する電源としては、外部の商用電源であって
も良いし、別途設けたバッテリ８０１１による電源であってもよい。バッテリ８０１１は
、商用電源を用いる場合には、省略可能である。
また、表示モジュール８０００は、偏光板、位相差板、プリズムシートなどの部材を追
加して設けてもよい。
図３７（Ａ）乃至図３７（Ｈ）は、電子機器を示す図である。これらの電子機器は、筐
体９０００、表示部９００１、スピーカ９００３、ＬＥＤランプ９００４、操作キー９０
０５（電源スイッチ、又は操作スイッチを含む）、接続端子９００６、センサ９００７（
力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質
、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、にお
い又は赤外線を測定する機能を含むもの）、マイクロフォン９００８、等を有することが
できる。
図３７（Ａ）はモバイルコンピュータであり、上述したものの他に、スイッチ９００９
、赤外線ポート９０１０、等を有することができる。図３７（Ｂ）は記録媒体を備えた携
帯型の画像再生装置（たとえば、ＤＶＤ再生装置）であり、上述したものの他に、第２表
示部９００２、記録媒体読込部９０１１、等を有することができる。図３７（Ｃ）はゴー
グル型ディスプレイであり、上述したものの他に、第２表示部９００２、支持部９０１２
、イヤホン９０１３、等を有することができる。図３７（Ｄ）は携帯型遊技機であり、上
述したものの他に、記録媒体読込部９０１１、等を有することができる。図３７（Ｅ）は
テレビ受像機能付きデジタルカメラであり、上述したものの他に、アンテナ９０１４、シ
ャッターボタン９０１５、受像部９０１６、等を有することができる。図３７（Ｆ）は携
帯型遊技機であり、上述したものの他に、第２表示部９００２、記録媒体読込部９０１１
、等を有することができる。図３７（Ｇ）はテレビ受像器であり、上述したものの他に、
チューナ、画像処理部、等を有することができる。図３７（Ｈ）は持ち運び型テレビ受像
器であり、上述したものの他に、信号の送受信が可能な充電器９０１７、等を有すること
ができる。
図３７（Ａ）乃至図３７（Ｈ）に示す電子機器は、様々な機能を有することができる。
例えば、様々な情報（静止画、動画、テキスト画像など）を表示部に表示する機能、タッ
チパネル機能、カレンダー、日付又は時刻などを表示する機能、様々なソフトウェア（プ
ログラム）によって処理を制御する機能、無線通信機能、無線通信機能を用いて様々なコ
ンピュータネットワークに接続する機能、無線通信機能を用いて様々なデータの送信又は
受信を行う機能、記録媒体に記録されているプログラム又はデータを読み出して表示部に
表示する機能、等を有することができる。さらに、複数の表示部を有する電子機器におい
ては、一つの表示部を主として画像情報を表示し、別の一つの表示部を主として文字情報
を表示する機能、または、複数の表示部に視差を考慮した画像を表示することで立体的な
画像を表示する機能、等を有することができる。さらに、受像部を有する電子機器におい
ては、静止画を撮影する機能、動画を撮影する機能、撮影した画像を自動または手動で補
正する機能、撮影した画像を記録媒体（外部又はカメラに内蔵）に保存する機能、撮影し
た画像を表示部に表示する機能、等を有することができる。なお、図３７（Ａ）乃至図３
７（Ｈ）に示す電子機器が有することのできる機能はこれらに限定されず、様々な機能を
有することができる。
本実施の形態において述べた電子機器は、何らかの情報を表示するための表示部を有す
ることを特徴とする。なお、本発明の一態様の半導体装置は、表示部を有さない電子機器
にも適用することができる。
本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示す構成と適宜組み合わせて用いること
ができる。
本実施例においては、本発明の一態様のトランジスタの断面形状について観察を行った
。
本実施例で観察した試料の作製方法について、以下説明を行う。なお、本実施例におい
ては、図１（Ａ）（Ｃ）に示すトランジスタ１００に相当するトランジスタを作製した。
まず、基板１０２を準備した。基板１０２としては、ガラス基板を用いた。次に、基板
１０２上に絶縁膜１０８ａとして、厚さ１００ｎｍの窒化シリコン膜（ＳｉＮ−１）を形
成した。次に、絶縁膜１０８ａ上に絶縁膜１０８ｂとして、厚さ４００ｎｍの酸化窒化シ
リコン膜（ＳｉＯＮ−１）を形成した。なお、絶縁膜１０８ａと絶縁膜１０８ｂとしては
、ＰＥＣＶＤ装置を用い、真空中で連続して形成した。
次に、絶縁膜１０８ｂ上に酸素の脱離を抑制する膜として、厚さ５ｎｍの窒化タンタル
膜を形成した。なお、該窒化タンタル膜は、スパッタリング装置を用いて形成した。次に
、窒化タンタル膜上から、アッシング装置を用い、酸素を絶縁膜１０８ｂ中に添加した。
次に、上記窒化タンタル膜を、ドライエッチング装置を用い除去した。
次に、絶縁膜１０８ｂ上に酸化物半導体膜１１０として、厚さ５０ｎｍの酸化物半導体
膜（ＩＧＺＯ）を形成した。なお、酸化物半導体膜１１０としては、スパッタリング装置
を用い、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１．２［原子％］の金属酸化物をスパッタリングタ
ーゲットとし、該スパッタリングターゲットに印加する電源としてはＡＣ電源を用いた。
次に、酸化物半導体膜１１０が形成された基板の熱処理を行った。該熱処理としては、窒
素雰囲気下において、４５０℃ １時間の熱処理を行い、続けて窒素と酸素の混合ガス雰
囲気下において、４５０℃ １時間の熱処理を行った。
次に、酸化物半導体膜１１０上にリソグラフィ工程によりマスクを形成し、該マスクを
用いて、酸化物半導体膜１１０を島状に加工した。なお、酸化物半導体膜１１０の加工に
は、薬液を用いたウエットエッチング法により行った。
次に、島状の酸化物半導体膜１１０上に絶縁膜１１２として、厚さ１００ｎｍの酸化窒
化シリコン膜（ＳｉＯＮ−２）を形成した。なお、絶縁膜１１２としては、ＰＥＣＶＤ装
置を用いて形成した。
次に、絶縁膜１１２上に導電膜１１４ａとして、厚さ３０ｎｍの窒化タンタル膜（Ｔａ
Ｎ）を形成した。次に、導電膜１１４ａ上に導電膜１１４ｂとして、厚さ１５０ｎｍのタ
ングステン膜（Ｗ）を形成した。なお、導電膜１１４ａと導電膜１１４ｂとしては、スパ
ッタリング装置を用い、真空中で連続して形成した。
次に、導電膜１１４ｂ上にリソグラフィ工程によりマスクを形成し、該マスクを用いて
導電膜１１４ｂ、１１４ａ及び絶縁膜１１２を島状に加工した。導電膜１１４ａ、１１４
ｂ、及び絶縁膜１１２の加工には、ドライエッチング装置を用いた。次に、上記マスクを
残したままの状態で、酸化物半導体膜１１０中に不純物元素を添加した。該不純物元素の
添加方法としては、エッチング装置を用い、エッチング装置チャンバー内の平行平板間に
基板を配置した。その後、上記チャンバー内にアルゴンガスを導入し、基板側にバイアス
がかかるように該平行平板間にＲＦ電力を印加した。
次に、絶縁膜１０８ｂ、酸化物半導体膜１１０、絶縁膜１１２、及び導電膜１１４ａ、
１１４ｂを覆うように絶縁膜１１８として、厚さ１００ｎｍの窒化シリコン膜（ＳｉＮ−
２）を形成した。次に、絶縁膜１１８上に絶縁膜１２０として、厚さ３００ｎｍの酸化窒
化シリコン膜（ＳｉＯＮ−３）を形成した。なお、絶縁膜１１８と絶縁膜１２０としては
、ＰＥＣＶＤ装置を用い、真空中で連続して形成した。
次に、絶縁膜１２０上にリソグラフィ工程によりマスクを形成し、該マスクを用いて、
絶縁膜１２０、１１８に開口部を形成した。なお、該開口部は、酸化物半導体膜１１０に
達する。また、該開口部の加工には、ドライエッチング装置を用いた。
次に、絶縁膜１２０及び上記開口部を覆うように導電膜を形成した。該導電膜としては
、厚さ５０ｎｍのタングステン膜と、厚さ４００ｎｍのアルミニウム膜と、厚さ１００ｎ
ｍのチタン膜を形成した。なお、上記導電膜としては、スパッタリング装置を用いて、真
空中で連続して形成した。
次に、上記導電膜上にリソグラフィ工程によりマスクを形成し、該マスクを用いて、導
電膜１２２及び導電膜１２４を形成した。
以上の工程によって、本実施例の断面観察用の試料を作製した。
断面観察の結果を図３８（Ａ）（Ｂ）に示す。なお、断面観察としては、透過型電子顕
微鏡（ＴＥＭ：Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）
を用いた。
なお、図３８（Ａ）は、図１（Ａ）に示す一点鎖線Ｘ１−Ｘ２方向の、導電膜１１４近
傍の断面ＴＥＭ像である。また、図３８（Ｂ）は、図１（Ａ）に示す一点鎖線Ｙ１−Ｙ２
方向の、導電膜１１４近傍の断面ＴＥＭ像である。
なお、図３８（Ａ）（Ｂ）に示す、ＳｉＮ−１、ＳｉＮ−２、ＳｉＯＮ−１、ＳｉＯＮ
−２、ＳｉＯＮ−３、ＴａＮ、Ｗは、上記実施例の括弧内に記載のそれぞれの膜種に対応
する。また、図３８（Ａ）（Ｂ）に示すＰｔは、断面観察用の表面コーティングのプラチ
ナを表す。
図３８（Ａ）に示す断面ＴＥＭ像より、窒化タンタル膜（ＴａＮ）の端部は、タングス
テン膜（Ｗ）の端部より外側に位置する。また、酸化窒化シリコン膜（ＳｉＯＮ−２）の
端部は、窒化タンタル膜（ＴａＮ）の端部よりも外側に位置する。また、図３８（Ｂ）に
示す断面ＴＥＭ像より、窒化タンタル膜（ＴａＮ）の端部は、タングステン膜（Ｗ）の端
部よりも外側に位置する。また、酸化窒化シリコン膜（ＳｉＯＮ−２）の端部は、窒化タ
ンタル膜（ＴａＮ）の端部よりも外側に位置する。また、酸化窒化シリコン膜（ＳｉＯＮ
−１）は、酸化窒化シリコン膜（ＳｉＯＮ−２）が重ならない領域に凹部を有する。また
、図３８（Ａ）（Ｂ）に示す断面ＴＥＭ像より、本実施例で作製した試料は、窒化シリコ
ン膜（ＳｉＮ−２）の被覆性が良く、良好な断面形状を有していることが確認された。
以上、本実施例に示す構成は、他の実施の形態に示す構成と適宜組み合わせて用いるこ
とができる。
１００ トランジスタ
１００Ａ トランジスタ
１００Ｂ トランジスタ
１００Ｃ トランジスタ
１００Ｄ トランジスタ
１００Ｅ トランジスタ
１００Ｆ トランジスタ
１００Ｇ トランジスタ
１００Ｈ トランジスタ
１０２ 基板
１０４ 絶縁膜
１０６ 導電膜
１０６ａ 導電膜
１０６ｂ 導電膜
１０８ 絶縁膜
１０８ａ 絶縁膜
１０８ｂ 絶縁膜
１０８ｃ 絶縁膜
１１０ 酸化物半導体膜
１１０＿１ 酸化物半導体膜
１１０＿２ 酸化物半導体膜
１１０ａ チャネル領域
１１０ａ＿１ チャネル領域
１１０ａ＿２ チャネル領域
１１０ｂ 低抵抗領域
１１０ｂ＿１ 低抵抗領域
１１０ｂ＿２ 低抵抗領域
１１０ｃ 低抵抗領域
１１０ｃ＿１ 低抵抗領域
１１０ｃ＿２ 低抵抗領域
１１０ｄ 低抵抗領域
１１０ｅ 低抵抗領域
１１０ｆ 領域
１１０ｇ 領域
１１０ｈ 低抵抗領域
１１０ｉ 低抵抗領域
１１２ 絶縁膜
１１２ａ 絶縁膜
１１２ｂ 絶縁膜
１１３ 導電膜
１１３ａ 導電膜
１１３ｂ 導電膜
１１４ 導電膜
１１４ａ 導電膜
１１４ｂ 導電膜
１１６ 導電膜
１１６ａ 導電膜
１１６ｂ 導電膜
１１７ 絶縁膜
１１８ 絶縁膜
１２０ 絶縁膜
１２１ 導電膜
１２１ａ 導電膜
１２１ｂ 導電膜
１２２ 導電膜
１２２ａ 導電膜
１２２ｂ 導電膜
１２４ 導電膜
１２４ａ 導電膜
１２４ｂ 導電膜
１２６ 導電膜
１２６ａ 導電膜
１２６ｂ 導電膜
１２８ 絶縁膜
１３９ 開口部
１４０ａ 開口部
１４０ｂ 開口部
１４０ｃ 開口部
１４１ 膜
１４２ 酸素
１４３ 不純物元素
１４５ マスク
１５０ 容量素子
１５０Ａ 容量素子
１５０Ｂ 容量素子
１５０Ｃ 容量素子
１５０Ｄ 容量素子
１５０Ｅ 容量素子
１５０Ｆ 容量素子
１５０Ｇ 容量素子
２１０ 電子銃室
２１２ 光学系
２１４ 試料室
２１６ 光学系
２１８ カメラ
２２０ 観察室
２２２ フィルム室
２２４ 電子
２２８ 物質
２３２ 蛍光板
３０６ 導電膜
３０６ａ 導電膜
３０６ｂ 導電膜
３１４ 導電膜
３１４ａ 導電膜
３１４ｂ 導電膜
３１６ 導電膜
３１６ａ 導電膜
３１６ｂ 導電膜
３１８ 導電膜
３１８ａ 導電膜
３１８ｂ 導電膜
３２４ 導電膜
３２４ａ 導電膜
３２４ｂ 導電膜
３２６ 導電膜
３２６ａ 導電膜
３２６ｂ 導電膜
３２８ 導電膜
３２８ａ 導電膜
３２８ｂ 導電膜
３３４ 導電膜
３３４ａ 導電膜
３３４ｂ 導電膜
３３８ 導電膜
３３８ａ 導電膜
３３８ｂ 導電膜
３５２ 開口部
３５３ 開口部
３５４ 開口部
３５５ 開口部
５００ ＦＥＴ
５０１ 基板
５０２ 基板
５０４Ｂ 発光素子
５０４Ｇ 発光素子
５０４Ｒ 発光素子
５０４Ｗ 発光素子
５０６ 導電膜
５０７ 導電膜
５０８ 隔壁
５０９ 構造体
５１０ ＥＬ層
５１２ 導電膜
５１４Ｂ 着色層
５１４Ｇ 着色層
５１４Ｒ 着色層
５１４Ｗ 着色層
５１６ 基板
５１８ 封止膜
５２０ 領域
５２２ 絶縁膜
５２４ 開口部
７００ 表示装置
７０１ 基板
７０２ 画素部
７０４ ソースドライバ回路部
７０５ 基板
７０６ ゲートドライバ回路部
７０８ ＦＰＣ端子部
７１０ 信号線
７１１ 配線部
７１２ シール材
７１６ ＦＰＣ
７３０ 絶縁膜
７３２ 封止膜
７３４ 絶縁膜
７３６ 着色膜
７３８ 遮光膜
７５０ トランジスタ
７５２ トランジスタ
７６０ 接続電極
７６６ 絶縁膜
７７０ 平坦化絶縁膜
７７２ 導電膜
７７４ 導電膜
７７５ 液晶素子
７７６ 液晶層
７７８ 構造体
７８０ 異方性導電膜
７８２ 発光素子
７８４ 導電膜
７８６ ＥＬ層
７８８ 導電膜
７９０ 容量素子
１１００ ペレット
１１００ａ ペレット
１１００ｂ ペレット
１１０１ イオン
１１２０ 基板
１１３０ ターゲット
５０００ 基板
５００１ 画素部
５００２ 走査線駆動回路
５００３ 走査線駆動回路
５００４ 信号線駆動回路
５０１０ 容量配線
５０１２ ゲート配線
５０１３ ゲート配線
５０１４ ドレイン電極
５０１６ トランジスタ
５０１７ トランジスタ
５０１８ 液晶素子
５０１９ 液晶素子
５０２０ 画素
５０２１ スイッチング用トランジスタ
５０２２ 駆動用トランジスタ
５０２３ 容量素子
５０２３ａ 容量素子
５０２３ｂ 容量素子
５０２４ 発光素子
５０２５ 信号線
５０２６ 走査線
５０２７ 電源線
５０２８ 共通電極
５１１１ 画素
５１５４ 発光素子
５１５５ トランジスタ
５１５６ トランジスタ
５１５７ トランジスタ
５１５８ 容量素子
５２１１ 画素
５２１４ 発光素子
５２１５ トランジスタ
５２１６ トランジスタ
５２１７ トランジスタ
５２１８ 容量素子
５２１９ トランジスタ
５３１１ 画素
５３１４ 発光素子
５３１５ トランジスタ
５３１６ トランジスタ
５３１７ トランジスタ
５３１８ 容量素子
５３１９ トランジスタ
５３２０ トランジスタ
５４１１ 画素
５４１４ 発光素子
５４１５ トランジスタ
５４１６ トランジスタ
５４１７ トランジスタ
５４１８ 容量素子
５４４０ トランジスタ
５４４１ トランジスタ
５４４２ トランジスタ
８０００ 表示モジュール
８００１ 上部カバー
８００２ 下部カバー
８００３ ＦＰＣ
８００４ タッチパネル
８００５ ＦＰＣ
８００６ 表示パネル
８００７ バックライトユニット
８００８ 光源
８００９ フレーム
８０１０ プリント基板
８０１１ バッテリ
９０００ 筐体
９００１ 表示部
９００２ 表示部
９００３ スピーカ
９００４ ＬＥＤランプ
９００５ 操作キー
９００６ 接続端子
９００７ センサ
９００８ マイクロフォン
９００９ スイッチ
９０１０ 赤外線ポート
９０１１ 記録媒体読込部
９０１２ 支持部
９０１３ イヤホン
９０１４ アンテナ
９０１５ シャッターボタン
９０１６ 受像部
９０１７ 充電器

Claims (10)

  1. 第１の絶縁膜上の酸化物半導体膜と、
    前記酸化物半導体膜上のゲート絶縁膜と、
    前記ゲート絶縁膜上のゲート電極と、
    前記ゲート電極上の第２の絶縁膜と、
    前記第２の絶縁膜の第１の開口部を介して前記酸化物半導体膜と電気的に接続されたソース電極と、
    前記第２の絶縁膜の第２の開口部を介して前記酸化物半導体膜と電気的に接続されたドレイン電極と、を有し、
    前記第２の絶縁膜は、前記ゲート絶縁膜の上面に接する領域と、前記ゲート絶縁膜の側面に接する領域と、を有し、
    前記第１の絶縁膜は、第１の領域と、第２の領域と、を有し、
    前記第１の領域は、前記酸化物半導体膜と重なり、
    前記第２の領域は、前記酸化物半導体膜、前記ゲート絶縁膜及び前記ゲート電極のいずれとも重ならず、
    前記第２の領域の膜厚は、前記第１の領域の膜厚よりも小さいことを特徴とするトランジスタ。
  2. 第１の導電膜と、
    前記第１の導電膜上の第１の絶縁膜と、
    第１の絶縁膜上の酸化物半導体膜と、
    前記酸化物半導体膜上のゲート絶縁膜と、
    前記ゲート絶縁膜上のゲート電極と、
    前記ゲート電極上の第２の絶縁膜と、
    前記第２の絶縁膜の第１の開口部を介して前記酸化物半導体膜と電気的に接続されたソース電極と、
    前記第２の絶縁膜の第２の開口部を介して前記酸化物半導体膜と電気的に接続されたドレイン電極と、を有し、
    前記第１の導電膜は、前記第１の絶縁膜を介して前記酸化物半導体膜と重なる領域を有し、
    前記第２の絶縁膜は、前記ゲート絶縁膜の上面に接する領域と、前記ゲート絶縁膜の側面に接する領域と、を有し、
    前記第１の絶縁膜は、第１の領域と、第２の領域と、を有し、
    前記第１の領域は、前記酸化物半導体膜と重なり、
    前記第２の領域は、前記酸化物半導体膜、前記ゲート絶縁膜及び前記ゲート電極のいずれとも重ならず、
    前記第２の領域の膜厚は、前記第１の領域の膜厚よりも小さいことを特徴とするトランジスタ。
  3. 第１の絶縁膜上の酸化物半導体膜と、
    前記酸化物半導体膜上のゲート絶縁膜と、
    前記ゲート絶縁膜上のゲート電極と、
    前記ゲート電極上の第２の絶縁膜と、
    前記第２の絶縁膜の第１の開口部を介して前記酸化物半導体膜と電気的に接続されたソース電極と、
    前記第２の絶縁膜の第２の開口部を介して前記酸化物半導体膜と電気的に接続されたドレイン電極と、を有し、
    前記第２の絶縁膜は、前記ゲート絶縁膜の上面に接する領域と、前記ゲート絶縁膜の側面に接する領域と、容量素子の誘電体として機能する領域と、を有し、
    前記第１の絶縁膜は、第１の領域と、第２の領域と、を有し、
    前記第１の領域は、前記酸化物半導体膜と重なり、
    前記第２の領域は、前記酸化物半導体膜、前記ゲート絶縁膜及び前記ゲート電極のいずれとも重ならず、
    前記第２の領域の膜厚は、前記第１の領域の膜厚よりも小さいことを特徴とする半導体装置。
  4. 第１の絶縁膜上の酸化物半導体膜と、
    前記酸化物半導体膜上のゲート絶縁膜と、
    前記ゲート絶縁膜上のゲート電極と、
    前記ゲート電極上の第２の絶縁膜と、
    前記第２の絶縁膜の第１の開口部を介して前記酸化物半導体膜と電気的に接続されたソース電極と、
    前記第２の絶縁膜の第２の開口部を介して前記酸化物半導体膜と電気的に接続されたドレイン電極と、
    前記ソース電極上及び前記ドレイン電極上の第３の絶縁膜と、
    前記第３の絶縁膜上の画素電極と、を有し、
    前記画素電極は、前記ソース電極及び前記ドレイン電極の一方と電気的に接続され、
    前記画素電極は、容量素子と重なる領域を有し、
    前記第２の絶縁膜は、前記ゲート絶縁膜の上面に接する領域と、前記ゲート絶縁膜の側面に接する領域と、前記容量素子の誘電体として機能する領域と、を有し、
    前記第１の絶縁膜は、第１の領域と、第２の領域と、を有し、
    前記第１の領域は、前記酸化物半導体膜と重なり、
    前記第２の領域は、前記酸化物半導体膜、前記ゲート絶縁膜及び前記ゲート電極のいずれとも重ならず、
    前記第２の領域の膜厚は、前記第１の領域の膜厚よりも小さいことを特徴とする半導体装置。
  5. 第１の導電膜と、
    前記第１の導電膜上の第１の絶縁膜と、
    第１の絶縁膜上の酸化物半導体膜と、
    前記酸化物半導体膜上のゲート絶縁膜と、
    前記ゲート絶縁膜上のゲート電極と、
    前記ゲート電極上の第２の絶縁膜と、
    前記第２の絶縁膜の第１の開口部を介して前記酸化物半導体膜と電気的に接続されたソース電極と、
    前記第２の絶縁膜の第２の開口部を介して前記酸化物半導体膜と電気的に接続されたドレイン電極と、を有し、
    前記第１の導電膜は、前記第１の絶縁膜を介して前記酸化物半導体膜と重なる領域を有し、
    前記第２の絶縁膜は、前記ゲート絶縁膜の上面に接する領域と、前記ゲート絶縁膜の側面に接する領域と、容量素子の誘電体として機能する領域と、を有し、
    前記第１の絶縁膜は、第１の領域と、第２の領域と、を有し、
    前記第１の領域は、前記酸化物半導体膜と重なり、
    前記第２の領域は、前記酸化物半導体膜、前記ゲート絶縁膜及び前記ゲート電極のいずれとも重ならず、
    前記第２の領域の膜厚は、前記第１の領域の膜厚よりも小さいことを特徴とする半導体装置。
  6. 第１の導電膜と、
    前記第１の導電膜上の第１の絶縁膜と、
    第１の絶縁膜上の酸化物半導体膜と、
    前記酸化物半導体膜上のゲート絶縁膜と、
    前記ゲート絶縁膜上のゲート電極と、
    前記ゲート電極上の第２の絶縁膜と、
    前記第２の絶縁膜の第１の開口部を介して前記酸化物半導体膜と電気的に接続されたソース電極と、
    前記第２の絶縁膜の第２の開口部を介して前記酸化物半導体膜と電気的に接続されたドレイン電極と、
    前記ソース電極上及び前記ドレイン電極上の第３の絶縁膜と、
    前記第３の絶縁膜上の画素電極と、を有し、
    前記第１の導電膜は、前記第１の絶縁膜を介して前記酸化物半導体膜と重なる領域を有し、
    前記画素電極は、前記ソース電極及び前記ドレイン電極の一方と電気的に接続され、
    前記画素電極は、容量素子と重なる領域を有し、
    前記第２の絶縁膜は、前記ゲート絶縁膜の上面に接する領域と、前記ゲート絶縁膜の側面に接する領域と、前記容量素子の誘電体として機能する領域と、を有し、
    前記第１の絶縁膜は、第１の領域と、第２の領域と、を有し、
    前記第１の領域は、前記酸化物半導体膜と重なり、
    前記第２の領域は、前記酸化物半導体膜、前記ゲート絶縁膜及び前記ゲート電極のいずれとも重ならず、
    前記第２の領域の膜厚は、前記第１の領域の膜厚よりも小さいことを特徴とする半導体装置。
  7. 第１の絶縁膜上の酸化物半導体膜と、
    前記酸化物半導体膜上のゲート絶縁膜と、
    前記ゲート絶縁膜上のゲート電極と、
    前記ゲート電極上の第２の絶縁膜と、
    前記第２の絶縁膜の第１の開口部を介して前記酸化物半導体膜と電気的に接続されたソース電極と、
    前記第２の絶縁膜の第２の開口部を介して前記酸化物半導体膜と電気的に接続されたドレイン電極と、を有し、
    前記第２の絶縁膜は、前記ゲート絶縁膜の上面に接する領域と、前記ゲート絶縁膜の側面に接する領域と、容量素子の誘電体として機能する領域と、を有し、
    前記酸化物半導体膜は、第１の領域と、第２の領域と、を有し、
    前記第２の領域は、前記ゲート電極及び前記ゲート絶縁膜のいずれとも重ならず、
    前記第２の領域の膜厚は、前記第１の領域の膜厚よりも小さく、
    前記第１の絶縁膜は、第３の領域と、第４の領域と、を有し、
    前記第３の領域は、前記酸化物半導体膜と重なり、
    前記第４の領域は、前記酸化物半導体膜、前記ゲート絶縁膜及び前記ゲート電極のいずれとも重ならず、
    前記第４の領域の膜厚は、前記第３の領域の膜厚よりも小さいことを特徴とする半導体装置。
  8. 第１の絶縁膜上の酸化物半導体膜と、
    前記酸化物半導体膜上のゲート絶縁膜と、
    前記ゲート絶縁膜上のゲート電極と、
    前記ゲート電極上の第２の絶縁膜と、
    前記第２の絶縁膜の第１の開口部を介して前記酸化物半導体膜と電気的に接続されたソース電極と、
    前記第２の絶縁膜の第２の開口部を介して前記酸化物半導体膜と電気的に接続されたドレイン電極と、
    前記ソース電極上及び前記ドレイン電極上の第３の絶縁膜と、
    前記第３の絶縁膜上の画素電極と、を有し、
    前記画素電極は、前記ソース電極及び前記ドレイン電極の一方と電気的に接続され、
    前記画素電極は、容量素子と重なる領域を有し、
    前記第２の絶縁膜は、前記ゲート絶縁膜の上面に接する領域と、前記ゲート絶縁膜の側面に接する領域と、前記容量素子の誘電体として機能する領域と、を有し、
    前記酸化物半導体膜は、第１の領域と、第２の領域と、を有し、
    前記第２の領域は、前記ゲート電極及び前記ゲート絶縁膜のいずれとも重ならず、
    前記第２の領域の膜厚は、前記第１の領域の膜厚よりも小さく、
    前記第１の絶縁膜は、第３の領域と、第４の領域と、を有し、
    前記第３の領域は、前記酸化物半導体膜と重なり、
    前記第４の領域は、前記酸化物半導体膜、前記ゲート絶縁膜及び前記ゲート電極のいずれとも重ならず、
    前記第４の領域の膜厚は、前記第３の領域の膜厚よりも小さいことを特徴とする半導体装置。
  9. 第１の導電膜と、
    前記第１の導電膜上の第１の絶縁膜と、
    第１の絶縁膜上の酸化物半導体膜と、
    前記酸化物半導体膜上のゲート絶縁膜と、
    前記ゲート絶縁膜上のゲート電極と、
    前記ゲート電極上の第２の絶縁膜と、
    前記第２の絶縁膜の第１の開口部を介して前記酸化物半導体膜と電気的に接続されたソース電極と、
    前記第２の絶縁膜の第２の開口部を介して前記酸化物半導体膜と電気的に接続されたドレイン電極と、を有し、
    前記第１の導電膜は、前記第１の絶縁膜を介して前記酸化物半導体膜と重なる領域を有し、
    前記第２の絶縁膜は、前記ゲート絶縁膜の上面に接する領域と、前記ゲート絶縁膜の側面に接する領域と、容量素子の誘電体として機能する領域と、を有し、
    前記酸化物半導体膜は、第１の領域と、第２の領域と、を有し、
    前記第２の領域は、前記ゲート電極及び前記ゲート絶縁膜のいずれとも重ならず、
    前記第２の領域の膜厚は、前記第１の領域の膜厚よりも小さく、
    前記第１の絶縁膜は、第３の領域と、第４の領域と、を有し、
    前記第３の領域は、前記酸化物半導体膜と重なり、
    前記第４の領域は、前記酸化物半導体膜、前記ゲート絶縁膜及び前記ゲート電極のいずれとも重ならず、
    前記第４の領域の膜厚は、前記第３の領域の膜厚よりも小さいことを特徴とする半導体装置。
  10. 第１の導電膜と、
    前記第１の導電膜上の第１の絶縁膜と、
    第１の絶縁膜上の酸化物半導体膜と、
    前記酸化物半導体膜上のゲート絶縁膜と、
    前記ゲート絶縁膜上のゲート電極と、
    前記ゲート電極上の第２の絶縁膜と、
    前記第２の絶縁膜の第１の開口部を介して前記酸化物半導体膜と電気的に接続されたソース電極と、
    前記第２の絶縁膜の第２の開口部を介して前記酸化物半導体膜と電気的に接続されたドレイン電極と、
    前記ソース電極上及び前記ドレイン電極上の第３の絶縁膜と、
    前記第３の絶縁膜上の画素電極と、を有し、
    前記第１の導電膜は、前記第１の絶縁膜を介して前記酸化物半導体膜と重なる領域を有し、
    前記画素電極は、前記ソース電極及び前記ドレイン電極の一方と電気的に接続され、
    前記画素電極は、容量素子と重なる領域を有し、
    前記第２の絶縁膜は、前記ゲート絶縁膜の上面に接する領域と、前記ゲート絶縁膜の側面に接する領域と、前記容量素子の誘電体として機能する領域と、を有し、
    前記酸化物半導体膜は、第１の領域と、第２の領域と、を有し、
    前記第２の領域は、前記ゲート電極及び前記ゲート絶縁膜のいずれとも重ならず、
    前記第２の領域の膜厚は、前記第１の領域の膜厚よりも小さく、
    前記第１の絶縁膜は、第３の領域と、第４の領域と、を有し、
    前記第３の領域は、前記酸化物半導体膜と重なり、
    前記第４の領域は、前記酸化物半導体膜、前記ゲート絶縁膜及び前記ゲート電極のいずれとも重ならず、
    前記第４の領域の膜厚は、前記第３の領域の膜厚よりも小さいことを特徴とする半導体装置。
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