JP5708910B2 - 薄膜トランジスタおよびその製造方法、並びに表示装置 - Google Patents
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- H01L29/78696—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film characterised by the structure of the channel, e.g. multichannel, transverse or longitudinal shape, length or width, doping structure, or the overlap or alignment between the channel and the gate, the source or the drain, or the contacting structure of the channel
Description
(A)ゲート電極
(B)ゲート電極に対向してチャネル領域を有すると共にチャネル領域の一方の側にソース領域、他方の側にドレイン領域を有し、ソース領域およびドレイン領域の上面から深さ方向における少なくとも一部に、アルミニウム(Al),ホウ素(B),ガリウム(Ga),インジウム(In),チタン(Ti),シリコン(Si),ゲルマニウム(Ge),スズ(Sn)および鉛(Pb)からなる群のうちの少なくとも一種をドーパントとして含む低抵抗領域を有する酸化物半導体膜
(C)低抵抗領域に接続されたソース電極およびドレイン電極
(D)酸化物半導体膜の低抵抗領域側の表面に設けられ、アルミニウム(Al),ホウ素(B),ガリウム(Ga),インジウム(In),チタン(Ti),シリコン(Si),ゲルマニウム(Ge),スズ(Sn)および鉛(Pb)からなる群のうちの少なくとも一種の酸化物よりなる高抵抗膜
(A)ゲート電極
(B)ゲート電極に対向してチャネル領域を有すると共にチャネル領域の一方の側にソース領域、他方の側にドレイン領域を有し、ソース領域およびドレイン領域の上面から深さ方向における少なくとも一部に、チャネル領域よりも酸素濃度が低い低抵抗領域を有する酸化物半導体膜
(C)低抵抗領域に接続されたソース電極およびドレイン電極
(D)酸化物半導体膜の低抵抗領域側の表面に設けられ、酸化チタン,酸化アルミニウムまたは酸化インジウムよりなると共に、複数の島状高抵抗膜よりなる高抵抗膜
(A)基板に、チャネル領域を有すると共にチャネル領域の一方の側にソース領域、他方の側にドレイン領域を有する酸化物半導体膜を形成する工程
(B)酸化物半導体膜のチャネル領域上にゲート絶縁膜およびゲート電極をこの順に同一形状で形成する工程
(C)酸化物半導体膜,ゲート絶縁膜およびゲート電極の上に金属膜を形成する工程
(D)熱処理により前記金属膜を酸化させて高抵抗膜とすると共に、ソース領域およびドレイン領域の上面から深さ方向における少なくとも一部に、アルミニウム(Al),ホウ素(B),ガリウム(Ga),インジウム(In),チタン(Ti),シリコン(Si),ゲルマニウム(Ge),スズ(Sn)および鉛(Pb)からなる群のうちの少なくとも一種をドーパントとして含む低抵抗領域を形成する工程
(E)低抵抗領域にソース電極およびドレイン電極を接続する工程
(A)基板に、チャネル領域を有すると共にチャネル領域の一方の側にソース領域、他方の側にドレイン領域を有する酸化物半導体膜を形成する工程
(B)酸化物半導体膜のチャネル領域上にゲート絶縁膜およびゲート電極をこの順に同一形状で形成する工程
(C)酸化物半導体膜,ゲート絶縁膜およびゲート電極の上に複数の島状金属膜よりなる金属膜を形成する工程
(D)熱処理により前記金属膜を酸化させて、複数の島状高抵抗膜よりなる高抵抗膜とすると共に、ソース領域およびドレイン領域の上面から深さ方向における少なくとも一部に、チャネル領域よりも酸素濃度が低い低抵抗領域を形成する工程
(E)低抵抗領域にソース電極およびドレイン電極を接続する工程
1.第1の実施の形態(トップゲート薄膜トランジスタ;金属の酸化を利用して低抵抗領域を形成した例)
2.第2の実施の形態(トップゲート薄膜トランジスタ;ドーパントを利用して低抵抗領域を形成した例)
3.変形例1(トップゲート薄膜トランジスタ;高抵抗膜を除去した例)
4.第3の実施の形態(ボトムゲート薄膜トランジスタ;高抵抗膜を残した例)
5.変形例2(ボトムゲート薄膜トランジスタ;高抵抗膜を除去した例)
6.第4の実施の形態(トップゲート薄膜トランジスタ;高抵抗膜を島状とする例)
7.変形例3(金属膜を島状にパターニングしたのちに酸化させて高抵抗膜とする製造方法の例)
8.変形例4(金属膜を酸化させて高抵抗膜としたのちに島状にパターニングする製造方法の例)
9.第5の実施の形態(ボトムゲート薄膜トランジスタ;高抵抗膜を島状とした例)
10.適用例
図1は、本発明の第1の実施の形態に係る薄膜トランジスタ1の断面構造を表すものである。薄膜トランジスタ1は、液晶ディスプレイや有機ELディスプレイなどの駆動素子として用いられるものであり、例えば、基板11に酸化物半導体膜20,ゲート絶縁膜30,ゲート電極40,高抵抗膜50,層間絶縁膜60,ソース電極70Sおよびドレイン電極70Dがこの順に積層されたトップゲート型(スタガ型)の構成を有している。
金属膜50Aが酸化されて高抵抗膜50が形成される。この金属膜50Aの酸化反応には、ソース領域20Sおよびドレイン領域20Dに含まれる酸素の一部が利用される。そのため、金属膜50Aの酸化の進行に伴って、ソース領域20Sおよびドレイン領域20Dの金属膜50Aと接する上面側から、ソース領域20Sおよびドレイン領域20D中の酸素濃度が低下していく。これにより、ソース領域20Sおよびドレイン領域20Dの上面から深さ方向における一部に、チャネル領域20Aよりも酸素濃度が低い低抵抗領域21が形成される。
本実施の形態は、低抵抗領域21の構成および製造方法において上記第1の実施の形態と異なるものである。このことを除いては、本実施の形態の薄膜トランジスタは、図1に示した第1の実施の形態の薄膜トランジスタ1と同様の構成を有している。よって、対応する構成要素には同一の符号を付して説明する。また、第1の実施の形態と重複する工程については、図1ないし図3を参照して説明する。
図7は、本発明の変形例1に係る薄膜トランジスタ1Aの断面構成を表したものである。この薄膜トランジスタ1Aは、高抵抗膜50を設けないことによりリーク電流を低減するようにしたことを除いては、上記第1の実施の形態の薄膜トランジスタ1と同様の構成を有し、その作用および効果も同様である。
図9は、本発明の第3の実施の形態に係る薄膜トランジスタ1Bの断面構成を表したものである。この薄膜トランジスタ1Bは、基板11上にゲート電極40,ゲート絶縁膜30および酸化物半導体膜20,チャネル保護膜80,層間絶縁膜60,ソース電極70Sおよびドレイン電極70Dをこの順に積層したボトムゲート薄膜トランジスタである。このことを除いては、この薄膜トランジスタ1Bは、上記第1の実施の形態の薄膜トランジスタ1と同様の構成を有している。よって、対応する構成要素には同一の符号を付して説明する。
図12は、変形例2に係る薄膜トランジスタ1Cの断面構成を表したものである。この薄膜トランジスタ1Cは、高抵抗膜50を設けないことによりリーク電流を低減するようにしたことを除いては、上記第3の実施の形態の薄膜トランジスタ1Bと同様の構成を有し、その作用および効果も同様である。
図14は、本発明の第4の実施の形態に係る薄膜トランジスタの構造を表したものである。この薄膜トランジスタ1Dは、高抵抗膜50が複数の不連続な島状高抵抗膜51よりなるものであることを除いては、上記第1の実施の形態の薄膜トランジスタ1と同様の構成を有している。よって、対応する構成要素には同一の符号を付して説明する。
図23および図24は、変形例3に係る薄膜トランジスタ1Dの製造方法を工程順に表したものである。この製造方法は、第4の実施の形態とは高抵抗膜50を形成する方法が異なるものである。また、第1の実施の形態と製造工程が重複する部分については、図2を参照して説明する。
図25および図26は、変形例4に係る薄膜トランジスタ1Dの製造方法を工程順に表したものである。この製造方法は、第4の実施の形態とは高抵抗膜50を形成する方法が異なるものである。また、第1の実施の形態と製造工程が重複する部分については、図2を参照して説明する。
図27は、本発明の第5の実施の形態に係る薄膜トランジスタ1Eの構造を表したもの
である。この薄膜トランジスタ1Eは、基板11上にゲート電極40,ゲート絶縁膜30および酸化物半導体膜20,チャネル保護膜80,層間絶縁膜60,ソース電極70Sおよびドレイン電極70Dをこの順に積層したボトムゲート薄膜トランジスタである。このことを除いては、この薄膜トランジスタ1Eは、上記第3および第4の実施の形態の薄膜トランジスタ1B,1Dと同様の構成を有している。よって、対応する構成要素には同一の符号を付して説明する。
図30は、この薄膜トランジスタ1を駆動素子として備えた表示装置の回路構成を表すものである。表示装置90は、例えば液晶ディスプレイや有機ELディスプレイなどであり、駆動パネル91上に、マトリクス状に配設された複数の画素10R,10G,10Bと、これらの画素10R,10G,10Bを駆動するための各種駆動回路とが形成されたものである。画素10R,10G,10Bはそれぞれ、赤色(R:Red ),緑色(G:Green )および青色(B:Blue)の色光を発する液晶表示素子や有機EL素子などである。これら3つの画素10R,10G,10Bを一つのピクセルとして、複数のピクセルにより表示領域110が構成されている。駆動パネル91上には、駆動回路として、例えば映像表示用のドライバである信号線駆動回路120および走査線駆動回路130と、画素駆動回路150とが配設されている。この駆動パネル91には、図示しない封止パネルが貼り合わせられ、この封止パネルにより画素10R,10G,10Bおよび上記駆動回路が封止されている。
図32は、テレビジョン装置の外観を表したものである。このテレビジョン装置は、例えば、フロントパネル310およびフィルターガラス320を含む映像表示画面部300を有している。
図33は、デジタルスチルカメラの外観を表したものである。このデジタルスチルカメラは、例えば、フラッシュ用の発光部410、表示部420、メニュースイッチ430およびシャッターボタン440を有している。
図34は、ノート型パーソナルコンピュータの外観を表したものである。このノート型パーソナルコンピュータは、例えば、本体510,文字等の入力操作のためのキーボード520および画像を表示する表示部530を有している。
図35は、ビデオカメラの外観を表したものである。このビデオカメラは、例えば、本体部610,この本体部610の前方側面に設けられた被写体撮影用のレンズ620,撮影時のスタート/ストップスイッチ630および表示部640を有している。
図36は、携帯電話機の外観を表したものである。この携帯電話機は、例えば、上側筐体710と下側筐体720とを連結部(ヒンジ部)730で連結したものであり、ディスプレイ740,サブディスプレイ750,ピクチャーライト760およびカメラ770を有している。
Claims (16)
- ゲート電極と、
前記ゲート電極に対向してチャネル領域を有すると共に前記チャネル領域の一方の側にソース領域、他方の側にドレイン領域を有し、前記ソース領域および前記ドレイン領域の上面から深さ方向における少なくとも一部に、アルミニウム(Al),ホウ素(B),ガリウム(Ga),インジウム(In),チタン(Ti),シリコン(Si),ゲルマニウム(Ge),スズ(Sn)および鉛(Pb)からなる群のうちの少なくとも一種をドーパントとして含む低抵抗領域を有する酸化物半導体膜と、
前記低抵抗領域に接続されたソース電極およびドレイン電極と、
前記酸化物半導体膜の前記低抵抗領域側の表面に設けられ、アルミニウム(Al),ホウ素(B),ガリウム(Ga),インジウム(In),チタン(Ti),シリコン(Si),ゲルマニウム(Ge),スズ(Sn)および鉛(Pb)からなる群のうちの少なくとも一種の酸化物よりなる高抵抗膜と
を備えた薄膜トランジスタ。 - 前記高抵抗膜は、複数の島状高抵抗膜よりなる
請求項1記載の薄膜トランジスタ。 - 前記複数の島状高抵抗膜は、前記ゲート電極と前記酸化物半導体膜との間の少なくとも一か所で互いに分離されている
請求項2記載の薄膜トランジスタ。 - 前記酸化物半導体膜は基板上に設けられ、
前記酸化物半導体膜の前記チャネル領域上にゲート絶縁膜および前記ゲート電極がこの順に同一形状で設けられ、
前記酸化物半導体膜,前記ゲート絶縁膜および前記ゲート電極の表面に前記高抵抗膜および層間絶縁膜がこの順に設けられ、
前記層間絶縁膜または前記高抵抗膜に設けられた接続孔を介して前記ソース電極および前記ドレイン電極が前記低抵抗領域に接続されている
請求項1ないし3のいずれか1項に記載の薄膜トランジスタ。 - ゲート電極と、
前記ゲート電極に対向してチャネル領域を有すると共に前記チャネル領域の一方の側にソース領域、他方の側にドレイン領域を有し、前記ソース領域および前記ドレイン領域の上面から深さ方向における少なくとも一部に、前記チャネル領域よりも酸素濃度が低い低抵抗領域を有する酸化物半導体膜と、
前記低抵抗領域に接続されたソース電極およびドレイン電極と、
前記酸化物半導体膜の前記低抵抗領域側の表面に設けられ、酸化チタン,酸化アルミニウムまたは酸化インジウムよりなると共に、複数の島状高抵抗膜よりなる高抵抗膜と
を備えた薄膜トランジスタ。 - 前記低抵抗領域は、前記ソース領域および前記ドレイン領域の上面から深さ方向に10nm以内の領域である
請求項5記載の薄膜トランジスタ。 - 前記複数の島状高抵抗膜は、前記ゲート電極と前記酸化物半導体膜との間の少なくとも一か所で互いに分離されている
請求項5または6に記載の薄膜トランジスタ。 - 前記酸化物半導体膜は基板上に設けられ、
前記酸化物半導体膜の前記チャネル領域上にゲート絶縁膜および前記ゲート電極がこの順に同一形状で設けられ、
前記酸化物半導体膜,前記ゲート絶縁膜および前記ゲート電極の表面に前記高抵抗膜および層間絶縁膜がこの順に設けられ、
前記層間絶縁膜または前記高抵抗膜に設けられた接続孔を介して前記ソース電極および前記ドレイン電極が前記低抵抗領域に接続されている
請求項5ないし7のいずれか1項に記載の薄膜トランジスタ。 - 基板に、チャネル領域を有すると共に前記チャネル領域の一方の側にソース領域、他方の側にドレイン領域を有する酸化物半導体膜を形成する工程と、
前記酸化物半導体膜のチャネル領域上にゲート絶縁膜およびゲート電極をこの順に同一形状で形成する工程と、
前記酸化物半導体膜,前記ゲート絶縁膜および前記ゲート電極の上に、アルミニウム(Al),ホウ素(B),ガリウム(Ga),インジウム(In),チタン(Ti),シリコン(Si),ゲルマニウム(Ge),スズ(Sn)および鉛(Pb)からなる群のうちの少なくとも一種よりなるドーパント材料膜としての金属膜または非金属膜を形成する工程と、
熱処理により前記ドーパント材料膜を酸化させて高抵抗膜とすると共に、前記ソース領域および前記ドレイン領域の上面から深さ方向における少なくとも一部に、アルミニウム(Al),ホウ素(B),ガリウム(Ga),インジウム(In),チタン(Ti),シリコン(Si),ゲルマニウム(Ge),スズ(Sn)および鉛(Pb)からなる群のうちの少なくとも一種をドーパントとして含む低抵抗領域を形成する工程と、
前記低抵抗領域にソース電極およびドレイン電極を接続する工程と
を含む薄膜トランジスタの製造方法。 - 前記熱処理を酸化性のガス雰囲気中で行う
請求項9記載の薄膜トランジスタの製造方法。 - 前記金属膜を形成する工程において、複数の島状金属膜よりなる金属膜を形成したのち、
前記低抵抗領域を形成する工程において、熱処理により前記金属膜を酸化させて、複数の島状高抵抗膜よりなる前記高抵抗膜とする
請求項10記載の薄膜トランジスタの製造方法。 - 基板に、チャネル領域を有すると共に前記チャネル領域の一方の側にソース領域、他方の側にドレイン領域を有する酸化物半導体膜を形成する工程と、
前記酸化物半導体膜のチャネル領域上にゲート絶縁膜およびゲート電極をこの順に同一形状で形成する工程と、
前記酸化物半導体膜,前記ゲート絶縁膜および前記ゲート電極の上に複数の島状金属膜よりなる金属膜を形成する工程と、
熱処理により前記金属膜を酸化させて、複数の島状高抵抗膜よりなる高抵抗膜とすると共に、前記ソース領域および前記ドレイン領域の上面から深さ方向における少なくとも一部に、前記チャネル領域よりも酸素濃度が低い低抵抗領域を形成する工程と、
前記低抵抗領域にソース電極およびドレイン電極を接続する工程と
を含む薄膜トランジスタの製造方法。 - 前記金属膜を、チタン(Ti),アルミニウム(Al)またはインジウム(In)により構成する
請求項12記載の薄膜トランジスタの製造方法。 - 前記熱処理を酸化性のガス雰囲気中で行う
請求項13記載の薄膜トランジスタの製造方法。 - 複数の画素および前記複数の画素を駆動するための薄膜トランジスタを備え、
前記薄膜トランジスタは、
ゲート電極と、
前記ゲート電極に対向してチャネル領域を有すると共に前記チャネル領域の一方の側にソース領域、他方の側にドレイン領域を有し、前記ソース領域および前記ドレイン領域の上面から深さ方向における少なくとも一部に、アルミニウム(Al),ホウ素(B),ガリウム(Ga),インジウム(In),チタン(Ti),シリコン(Si),ゲルマニウム(Ge),スズ(Sn)および鉛(Pb)からなる群のうちの少なくとも一種をドーパントとして含む低抵抗領域を有する酸化物半導体膜と、
前記低抵抗領域に接続されたソース電極およびドレイン電極と、
前記酸化物半導体膜の前記低抵抗領域側の表面に設けられ、アルミニウム(Al),ホウ素(B),ガリウム(Ga),インジウム(In),チタン(Ti),シリコン(Si),ゲルマニウム(Ge),スズ(Sn)および鉛(Pb)からなる群のうちの少なくとも一種の酸化物よりなる高抵抗膜と
を備えた表示装置。 - 複数の画素および前記複数の画素を駆動するための薄膜トランジスタを備え、
前記薄膜トランジスタは、
ゲート電極と、
前記ゲート電極に対向してチャネル領域を有すると共に前記チャネル領域の一方の側にソース領域、他方の側にドレイン領域を有し、前記ソース領域および前記ドレイン領域の上面から深さ方向における少なくとも一部に、前記チャネル領域よりも酸素濃度が低い低抵抗領域を有する酸化物半導体膜と、
前記低抵抗領域に接続されたソース電極およびドレイン電極と、
前記酸化物半導体膜の前記低抵抗領域側の表面に設けられ、酸化チタン,酸化アルミニウムまたは酸化インジウムよりなると共に、複数の島状高抵抗膜よりなる高抵抗膜と
を備えた表示装置。
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