JP5685989B2 - 表示装置および電子機器 - Google Patents
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Description
(A)基板
(B)基板に設けられた表示素子
(C)基板に設けられると共に、チャネル領域の両側にソース領域およびドレイン領域を含む第1酸化物半導体膜を有し、第1酸化物半導体膜は、ソース領域およびドレイン領域の上面から深さ方向における少なくとも一部に、チャネル領域よりも酸素濃度が低い第1低抵抗領域を有する薄膜トランジスタ
(D)基板の薄膜トランジスタが設けられた領域以外の領域に設けられると共に、上面から深さ方向における少なくとも一部に、チャネル領域よりも酸素濃度が低い第2低抵抗領域を有する第2酸化物半導体膜
(E)薄膜トランジスタ,第2酸化物半導体膜および基板を覆うと共に、第1低抵抗領域に接する領域に第1透光領域を有し、第2低抵抗領域に接する領域に第2透光領域を有し、第1透光領域および第2透光領域以外の領域に不透光領域を有し、第1透光領域および第1透光領域はアルミニウム酸化膜により構成され、不透光領域はアルミニウムの低級酸化物により構成されている高抵抗膜
1.実施の形態(トップゲート薄膜トランジスタ;有機EL素子の例)
2.変形例1(トップゲート薄膜トランジスタ;第1酸化物半導体膜と第2酸化物半導体膜とを連続して設けた例)
3.変形例2(トップゲート薄膜トランジスタ;液晶表示素子の例)
4.変形例3(ボトムゲート薄膜トランジスタ;有機EL素子の例)
5.適用例
図12は、変形例1に係る表示装置の断面構成を表したものである。この表示装置は、第1酸化物半導体膜20と第2酸化物半導体膜80とを連続して設けるようにしたものである。この場合には、第2酸化物半導体膜80は第2低抵抗領域81を有しており、抵抗が低いので、電極としての機能を有することが可能である。よって、第2酸化物半導体膜80を有機発光素子10R,10G,10Bの第1電極13として用いることが可能となる。このことを除いては、本変形例1の表示装置は上記実施の形態の表示装置と同様の構成を有し、その作用および効果も同様である。
図13は、変形例2に係る表示装置の断面構成を表したものである。この表示装置は、表示素子として液晶表示素子10Lを備えたことを除いては、上記実施の形態の表示装置と同様の構成を有し、その作用および効果も同様である。よって、対応する構成要素には同一の符号を付して説明する。
図14は、変形例3に係る表示装置の断面構成を表したものである。この表示装置は、薄膜トランジスタ1としてボトムゲート薄膜トランジスタを用いたものである。すなわち、薄膜トランジスタ1は、基板11上にゲート電極40,ゲート絶縁膜30,第1酸化物半導体膜20およびチャネル保護膜90をこの順に積層した構成を有している。チャネル保護膜90は、第1酸化物半導体膜20のチャネル領域20A上に設けられ、例えば、厚みが200nm程度であり、シリコン酸化膜,シリコン窒化膜またはアルミニウム酸化膜の単層膜または積層膜により構成されている。このことを除いては、本変形例の表示装置は上記実施の形態と同様の構成を有し、その作用および効果も同様である。
以下、上述した実施の形態で説明した表示装置の適用例について説明する。上記実施の形態の表示装置は、テレビジョン装置,デジタルカメラ,ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置あるいはビデオカメラなど、外部から入力された映像信号あるいは内部で生成した映像信号を、画像あるいは映像として表示するあらゆる分野の電子機器の表示装置に適用することが可能である。
上記実施の形態の表示装置は、例えば、図15に示したようなモジュールとして、後述する適用例1〜5などの種々の電子機器に組み込まれる。このモジュールは、例えば、基板11の一辺に、上記実施の形態における封止用基板(図示せず)または変形例2における対向基板18から露出した領域210を設け、この露出した領域210に、信号線駆動回路120および走査線駆動回路130の配線を延長して外部接続端子(図示せず)を形成したものである。外部接続端子には、信号の入出力のためのフレキシブルプリント配線基板(FPC;Flexible Printed Circuit)220が設けられていてもよい。
図16は、上記実施の形態の表示装置が適用されるテレビジョン装置の外観を表したものである。このテレビジョン装置は、例えば、フロントパネル310およびフィルターガラス320を含む映像表示画面部300を有しており、この映像表示画面部300は、上記各実施の形態に係る表示装置により構成されている。
図17は、上記実施の形態の表示装置が適用されるデジタルカメラの外観を表したものである。このデジタルカメラは、例えば、フラッシュ用の発光部410、表示部420、メニュースイッチ430およびシャッターボタン440を有しており、その表示部420は、上記各実施の形態に係る表示装置により構成されている。
図18は、上記実施の形態の表示装置が適用されるノート型パーソナルコンピュータの外観を表したものである。このノート型パーソナルコンピュータは、例えば、本体510,文字等の入力操作のためのキーボード520および画像を表示する表示部530を有しており、その表示部530は、上記各実施の形態に係る表示装置により構成されている。
図19は、上記実施の形態の表示装置が適用されるビデオカメラの外観を表したものである。このビデオカメラは、例えば、本体部610,この本体部610の前方側面に設けられた被写体撮影用のレンズ620,撮影時のスタート/ストップスイッチ630および表示部640を有しており、その表示部640は、上記各実施の形態に係る表示装置により構成されている。
図20は、上記実施の形態の表示装置が適用される携帯電話機の外観を表したものである。この携帯電話機は、例えば、上側筐体710と下側筐体720とを連結部(ヒンジ部)730で連結したものであり、ディスプレイ740,サブディスプレイ750,ピクチャーライト760およびカメラ770を有している。そのディスプレイ740またはサブディスプレイ750は、上記各実施の形態に係る表示装置により構成されている。
(1)
基板と、
前記基板に設けられた表示素子と、
前記基板に設けられると共に、チャネル領域の両側にソース領域およびドレイン領域を含む第1酸化物半導体膜を有し、前記第1酸化物半導体膜は、前記ソース領域および前記ドレイン領域の上面から深さ方向における少なくとも一部に、前記チャネル領域よりも酸素濃度が低い第1低抵抗領域を有する薄膜トランジスタと、
前記基板の前記薄膜トランジスタが設けられた領域以外の領域に設けられると共に、上面から深さ方向における少なくとも一部に、前記チャネル領域よりも酸素濃度が低い第2低抵抗領域を有する第2酸化物半導体膜と、
前記薄膜トランジスタ,前記第2酸化物半導体膜および前記基板を覆うと共に金属酸化物により構成され、前記第1低抵抗領域に接する領域に第1透光領域を有し、前記第2低抵抗領域に接する領域に第2透光領域を有する高抵抗膜と
を備えた表示装置。
(2)
前記第1透光領域および前記第2透光領域はアルミニウム酸化膜により構成されている
前記(1)記載の表示装置。
(3)
前記第1酸化物半導体膜と前記第2酸化物半導体膜とは連続して設けられている
前記(1)または(2)に記載の表示装置。
(4)
前記第1酸化物半導体膜は前記基板上に設けられ、
前記第1酸化物半導体膜の前記チャネル領域上にゲート絶縁膜およびゲート電極がこの順に同一形状で設けられ、
前記第1酸化物半導体膜,前記ゲート絶縁膜および前記ゲート電極の表面に前記高抵抗膜および層間絶縁膜がこの順に設けられ、
前記層間絶縁膜または前記高抵抗膜に設けられた接続孔を介してソース電極およびドレイン電極が前記第1低抵抗領域に接続されている
前記(1)ないし(3)のいずれか1項に記載の表示装置。
(5)
前記表示素子は、第1電極,発光層を含む有機層および第2電極を前記基板側からこの順に有する有機発光素子であり、前記有機発光素子で発生した光は前記第2透光領域を透過して前記基板の側から取り出される
前記(1)ないし(4)のいずれか1項に記載の表示装置。
(6)
前記表示素子は液晶表示素子であり、
前記基板の裏面側に照明部が設けられ、
前記照明部からの光は前記第2透光領域を透過して前記液晶表示素子に入射する
前記(1)ないし(4)のいずれか1項に記載の表示装置。
(7)
表示装置を備え、
前記表示装置は、
基板と、
前記基板に設けられた表示素子と、
前記基板に設けられると共に、チャネル領域の両側にソース領域およびドレイン領域を含む第1酸化物半導体膜を有し、前記第1酸化物半導体膜は、前記ソース領域および前記ドレイン領域の上面から深さ方向における少なくとも一部に、前記チャネル領域よりも酸素濃度が低い第1低抵抗領域を有する薄膜トランジスタと、
前記基板の前記薄膜トランジスタが設けられた領域以外の領域に設けられると共に、上面から深さ方向における少なくとも一部に、前記チャネル領域よりも酸素濃度が低い第2低抵抗領域を有する第2酸化物半導体膜と、
前記薄膜トランジスタ,前記第2酸化物半導体膜および前記基板を覆うと共に金属酸化物により構成され、前記第1低抵抗領域に接する領域に第1透光領域を有し、前記第2低抵抗領域に接する領域に第2透光領域を有する高抵抗膜と
を備えた電子機器。
Claims (6)
- 基板と、
前記基板に設けられた表示素子と、
前記基板に設けられると共に、チャネル領域の両側にソース領域およびドレイン領域を含む第1酸化物半導体膜を有し、前記第1酸化物半導体膜は、前記ソース領域および前記ドレイン領域の上面から深さ方向における少なくとも一部に、前記チャネル領域よりも酸素濃度が低い第1低抵抗領域を有する薄膜トランジスタと、
前記基板の前記薄膜トランジスタが設けられた領域以外の領域に設けられると共に、上面から深さ方向における少なくとも一部に、前記チャネル領域よりも酸素濃度が低い第2低抵抗領域を有する第2酸化物半導体膜と、
前記薄膜トランジスタ,前記第2酸化物半導体膜および前記基板を覆うと共に、前記第1低抵抗領域に接する領域に第1透光領域を有し、前記第2低抵抗領域に接する領域に第2透光領域を有し、前記第1透光領域および前記第2透光領域以外の領域に不透光領域を有し、前記第1透光領域および前記第1透光領域はアルミニウム酸化膜により構成され、前記不透光領域はアルミニウムの低級酸化物により構成されている高抵抗膜と
を備えた表示装置。 - 前記第1酸化物半導体膜と前記第2酸化物半導体膜とは連続して設けられている
請求項1記載の表示装置。 - 前記第1酸化物半導体膜は前記基板上に設けられ、
前記第1酸化物半導体膜の前記チャネル領域上にゲート絶縁膜およびゲート電極がこの順に同一形状で設けられ、
前記第1酸化物半導体膜,前記ゲート絶縁膜および前記ゲート電極の表面に前記高抵抗膜および層間絶縁膜がこの順に設けられ、
前記層間絶縁膜および前記高抵抗膜に設けられた接続孔を介してソース電極およびドレイン電極が前記第1低抵抗領域に接続されている
請求項1記載の表示装置。 - 前記表示素子は、第1電極,発光層を含む有機層および第2電極を前記基板側からこの順に有する有機発光素子であり、前記有機発光素子で発生した光は前記第2透光領域を透過して前記基板の側から取り出される
請求項1記載の表示装置。 - 前記表示素子は液晶表示素子であり、
前記基板の裏面側に照明部が設けられ、
前記照明部からの光は前記第2透光領域を透過して前記液晶表示素子に入射する
請求項1記載の表示装置。 - 表示装置を備え、
前記表示装置は、
基板と、
前記基板に設けられた表示素子と、
前記基板に設けられると共に、チャネル領域の両側にソース領域およびドレイン領域を含む第1酸化物半導体膜を有し、前記第1酸化物半導体膜は、前記ソース領域および前記ドレイン領域の上面から深さ方向における少なくとも一部に、前記チャネル領域よりも酸素濃度が低い第1低抵抗領域を有する薄膜トランジスタと、
前記基板の前記薄膜トランジスタが設けられた領域以外の領域に設けられると共に、上面から深さ方向における少なくとも一部に、前記チャネル領域よりも酸素濃度が低い第2低抵抗領域を有する第2酸化物半導体膜と、
前記薄膜トランジスタ,前記第2酸化物半導体膜および前記基板を覆うと共に、前記第1低抵抗領域に接する領域に第1透光領域を有し、前記第2低抵抗領域に接する領域に第2透光領域を有し、前記第1透光領域および前記第2透光領域以外の領域に不透光領域を有し、前記第1透光領域および前記第1透光領域はアルミニウム酸化膜により構成され、前記不透光領域はアルミニウムの低級酸化物により構成されている高抵抗膜と
を備えた電子機器。
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