JP6142136B2 - トランジスタの製造方法、表示装置の製造方法および電子機器の製造方法 - Google Patents
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Description
1.第1の実施の形態(基板が板状部材のみにより構成されている、有機EL表示装置の例)
2.変形例1(液晶表示装置の例)
3.変形例2(電子ペーパーの例)
4.第2の実施の形態(基板が拡散防止膜を有する例)
5.適用例
図1は本技術の第1の実施の形態に係る表示装置(表示装置1)の断面構成を表したも
のである。この表示装置1はアクティブマトリクス型の有機EL(Electroluminescence)表示装置であり、トランジスタ10Tおよびトランジスタ10Tにより駆動される有機EL素子20をそれぞれ複数有している。図1には、一のトランジスタ10Tおよび有機EL素子20に対応する領域(サブピクセル)を示す。
基板11は、例えば、石英,ガラス,シリコンまたはプラスチックフィルムなどの板状部材により構成されている。ここでは、酸化物半導体膜12が接しているため、基板11に水分透過率の比較的低い材料、例えばガラスを用いる。
いる。ゲート電極14Tおよびゲート絶縁膜13Tは平面視で互いに同一形状を有してい
る。ゲート絶縁膜13Tは例えば厚みが300nm程度であり、シリコン酸化膜(SiO),シリコン窒化膜(SiN),シリコン窒化酸化膜(SiON)または酸化アルミニウム膜(AlO)などのうちの1種よりなる単層膜あるいはそれらのうちの2種以上よりなる積層膜により構成されている。ゲート絶縁膜13Tには酸化物半導体膜12を還元させにくい材料、例えば、シリコン酸化膜あるいは酸化アルミニウム膜を用いることが好ましい。
化物半導膜12(チャネル領域12T)中のキャリア密度を制御すると共に、電位を供給
す配線としての機能を有するものである。このゲート電極14Tは、例えばモリブデン(Mo),チタン(Ti),アルミニウム,銀(Ag),ネオジウム(Nd)および銅(Cu)のうちの1種からなる単体もしくはこれらの合金により構成されている。複数の単体または合金を用いた積層構造であってもよい。ゲート電極14Tは低抵抗な金属、例えば、アルミニウムまたは銅等により構成することが好ましい。低抵抗な金属からなる層(低抵抗層)に、例えばチタンまたはモリブデンからなる層(バリア層)を積層させるようにしてもよく、低抵抗な金属を含む合金、例えばアルミニウムとネオジウムとの合金(Al−Nd)を用いるようにしてもよい。ゲート電極14TをITO等の透明導電膜により構成するようにしてもよい。ゲート電極14Tの厚みは、例えば10nm〜500nmである。
保持容量素子10Cはトランジスタ10Tと共に基板11上に設けられ、例えば、後述の画素回路50Aにおいて電荷を保持する容量素子である。この保持容量素子10Cは、基板11側からトランジスタ10Tと共有の酸化物半導体膜12,容量絶縁膜13Cおよび容量電極14Cをこの順に有している。保持容量素子10C上には高抵抗膜15および層間絶縁膜16がこの順に設けられている。酸化物半導体膜12のうち、容量電極14Cと対向する領域(容量領域12C)は、チャネル領域12Tと同様に低抵抗領域12Bを有しておらず厚み方向の電気抵抗は一定である。換言すれば、酸化物半導体膜12のうち、チャネル領域12Tおよび容量領域12C以外には低抵抗領域12Bが設けられている。容量領域12Cにおいて、基板11と酸化物半導体膜12との間(図2(A))、または酸化物半導体膜12と容量絶縁膜13Cとの間(図2(B))に例えば金属材料からなる導電膜(導電膜19)を設けるようにしてもよい。これにより、容量値の印加電圧依存性をなくし、ゲート電圧の大きさに関わらず十分な容量を確保して表示特性を維持することができる。容量絶縁膜13Cを無機絶縁材料により構成することにより大きな容量の保持容量素子10Cを得ることができる。この容量絶縁膜13Cは、例えばゲート絶縁膜13Tと同一工程により形成されたものであり、ゲート絶縁膜13Tと同一材料により構成され、同一膜厚を有している。また、容量電極14Cも、例えば、ゲート電極14Tと同一工程により構成されたものであり、ゲート電極14Tと同一材料により構成され、同一膜厚を有している。容量絶縁膜13Cとゲート絶縁膜13T、容量電極14Cとゲート電極14Tをそれぞれ互いに別工程で形成するようにしてもよく、これらを互いに異なる材料、異なる膜厚で形成するようにしてもよい。
(下面発光方式)であってもよく、封止用基板27側から取り出すトップエミッション方式(上面発光方式)であってもよい。
図3に示したように、表示装置1はこのような有機EL素子20を含む画素PXLCを複数有しており、画素PXLCは基板11上の表示領域50に例えばマトリクス状に配置されている。表示領域50の周辺には信号線駆動回路としての水平セレクタ(HSEL)51、走査線駆動回路としてのライトスキャナ(WSCN)52および電源線駆動回路としての電源スキャナ53が設けられている。
まず、図5(A)に示したように、板状部材からなる基板11に接して、上述した材料よりなる酸化物半導体膜12を形成する。具体的には、基板11の全面にわたって、例えばスパッタリング法により、酸化物半導体材料膜(図示せず)を例えば50nm程度の厚みで成膜する。この際、ターゲットとしては、成膜対象の酸化物半導体と同一組成のセラミックを用いる。また、酸化物半導体中のキャリア濃度は、スパッタリングの際の酸素分圧に大きく依存するので、所望のトランジスタ特性が得られるように酸素分圧を制御する。酸化物半導体膜12を例えば、ZnO,IZO,IGO等の結晶性材料により構成しておくと、後述のゲート絶縁膜13T(または容量絶縁膜13C)のエッチング工程において、容易にエッチング選択性を向上させることができる。次いで、例えばフォトリソグラフィおよびエッチングにより、成膜した酸化物半導体材料膜を所定の形状にパターニングする。その際、リン酸、硝酸および酢酸の混合液を用いたウェットエッチングにより加工することが好ましい。リン酸、硝酸および酢酸の混合液は、下地との選択比を十分に大きくすることが可能であり、比較的容易に加工が可能となる。
トランジスタ10Tおよび保持容量素子10Cを形成した後、アニール処理(第2の熱処理)を行う。本実施の形態では、層間絶縁膜16から酸化物半導体膜12への水分の浸入が基板11により抑えられるので、この工程においてトランジスタ10Tの電気特性を向上させることができる。以下、これについて説明する。
トランジスタ10Tおよび保持容量素子10Cをアニール処理した後、層間絶縁膜16およびソース・ドレイン電極17を覆うように、上述した材料よりなる平坦化膜18を、例えばスピンコート法やスリットコート法により成膜し、ソース・ドレイン電極層17に対向する領域の一部に接続孔H2を形成する。
続いて、この平坦化膜18上に、有機EL素子20を形成する。具体的には、平坦化膜18上に、接続孔H2を埋め込むように、上述した材料よりなる第1電極21を例えばスパッタリング法により成膜した後、フォトリソグラフィおよびエッチングによりパターニングする。この後、第1電極21上に開口を有する画素分離膜22を形成した後、有機層23を例えば真空蒸着法により成膜する。続いて、有機層23上に、上述した材料よりなる第2電極24を例えばスパッタリング法により形成する。次いで、この第2電極24上に保護層25を例えばCVD法により成膜した後、この保護層25上に、接着層26を用いて封止用基板27を貼り合わせる。以上により、図1に示した表示装置1を完成する。
図13は、上記第1の実施の形態の変形例1に係る表示装置(表示装置1A)の断面構成を表したものである。この表示装置1Aは、表示装置1の有機EL素子20に代えて液晶表示素子30を有するものである。この点を除き、表示装置1Aは上記実施の形態の表示装置1と同様の構成を有し、その作用および効果も同様である。
図14は、上記第1の実施の形態の変形例2に係る表示装置(表示装置1B)の断面構成を表したものである。この表示装置1Bは所謂電子ペーパーであり、表示装置1の有機EL素子20に代えて電気泳動型表示素子40を有している。この点を除き、表示装置1Bは上記実施の形態の表示装置1と同様の構成を有し、その作用および効果も同様である。
図15は、本技術の第2の実施の形態に係る表示装置(表示装置2)の断面構成を表したものである。この表示装置2では、基板(基板71)がその表面に拡散防止膜71Aを有している。この点を除き、表示装置2は上記第1の実施の形態の表示装置1と同様の構成を有し、その作用および効果も同様である。
以下、上記のような表示装置(表示装置1,1A,1B,2)の電子機器への適用例について説明する。電子機器としては、例えばテレビジョン装置,デジタルカメラ,ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置あるいはビデオカメラ等が挙げられる。言い換えると、上記表示装置は、外部から入力された映像信号あるいは内部で生成した映像信号を、画像あるいは映像として表示するあらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。
上記表示装置は、例えば図17に示したようなモジュールとして、後述の適用例1〜7
などの種々の電子機器に組み込まれる。このモジュールは、例えば、基板11の一辺に、封止用基板27または対向基板35,44から露出した領域61を設け、この露出した領域61に、水平セレクタ51、ライトスキャナ52および電源スキャナ53の配線を延長して外部接続端子(図示せず)を形成したものである。この外部接続端子には、信号の入出力のためのフレキシブルプリント配線基板(FPC;Flexible Printed Circuit)62が設けられていてもよい。
図18(A)および図18(B)はそれぞれ、上記実施の形態の表示装置が適用される電子ブックの外観を表したものである。この電子ブックは、例えば、表示部210および非表示部220を有しており、この表示部210が上記実施の形態の表示装置により構成されている。
図19は、上記実施の形態の表示装置が適用されるスマートフォンの外観を表したものである。このスマートフォンは、例えば、表示部230および非表示部240を有しており、この表示部230が上記実施の形態の表示装置により構成されている。
図20は、上記実施の形態の表示装置が適用されるテレビジョン装置の外観を表したものである。このテレビジョン装置は、例えば、フロントパネル310およびフィルターガラス320を含む映像表示画面部300を有しており、この映像表示画面部300は、上記実施の形態の表示装置により構成されている。
図21は、上記実施の形態の表示装置が適用されるデジタルカメラの外観を表したものである。このデジタルカメラは、例えば、フラッシュ用の発光部410、表示部420、メニュースイッチ430およびシャッターボタン440を有しており、この表示部420が上記実施の形態の表示装置により構成されている。
図22は、上記実施の形態の表示装置が適用されるノート型パーソナルコンピュータの外観を表したものである。このノート型パーソナルコンピュータは、例えば、本体510,文字等の入力操作のためのキーボード520および画像を表示する表示部530を有しており、この表示部530が上記実施の形態の表示装置により構成されている。
図23は、上記実施の形態の表示装置が適用されるビデオカメラの外観を表したものである。このビデオカメラは、例えば、本体部610,この本体部610の前方側面に設けられた被写体撮影用のレンズ620,撮影時のスタート/ストップスイッチ630および表示部640を有している。そして、この表示部640が上記実施の形態の表示装置により構成されている。
図24は、上記実施の形態の表示装置が適用される携帯電話機の外観を表したものである。この携帯電話機は、例えば、上側筐体710と下側筐体720とを連結部(ヒンジ部)730で連結したものであり、ディスプレイ740,サブディスプレイ750,ピクチャーライト760およびカメラ770を有している。そして、これらのうちのディスプレイ740またはサブディスプレイ750が、上記実施の形態の表示装置により構成されている。
(1)基板上にチャネル領域を有する酸化物半導体膜と前記チャネル領域に対向するゲート電極とを形成する工程と、前記ゲート電極および前記酸化物半導体膜を覆う絶縁膜を形成する工程とを含み、前記絶縁膜から前記酸化物半導体膜への水分の浸入を前記基板により抑制するトランジスタの製造方法。
(2)前記基板はガラスからなる前記(1)記載のトランジスタの製造方法。
(3)前記絶縁膜に有機絶縁材料を含む前記(1)または(2)記載のトランジスタの製造方法。
(4)前記基板に接して前記酸化物半導体膜を形成する前記(1)乃至(3)のうちいずれか1つに記載のトランジスタの製造方法。
(5)前記酸化物半導体膜のチャネル領域以外に接する金属膜を形成し、前記金属膜に第1の熱処理を施して高抵抗膜を形成すると共に、前記酸化物半導体膜に低抵抗領域を形成する前記(1)乃至(4)のうちいずれか1つに記載のトランジスタの製造方法。
(6)前記低抵抗領域にソース・ドレイン電極を電気的に接続する前記(5)記載のトラ ンジスタの製造方法。
(7)前記ソース・ドレイン電極を形成した後、第2の熱処理を行う前記(6)記載のトランジスタの製造方法。
(8)前記第2の熱処理を200℃以上で行う前記(7)記載のトランジスタの製造方法 。
(9)前記第2の熱処理を300℃以上で行う前記(7)または(8)記載のトランジス タの製造方法。
(10)前記基板は、その表面に水分の拡散防止膜を有する前記(1)記載のトランジスタの製造方法。
(11)前記拡散防止膜に接して前記酸化物半導体膜を形成する前記(10)記載のトランジスタの製造方法。
(12)前記拡散防止膜をスパッタリング法またはイオンビームスパッタ法により成膜する前記(10)または(11)記載のトランジスタの製造方法。
(13)前記基板を樹脂材料からなる板状部材に前記拡散防止膜を成膜することにより形成する前記(10)乃至(12)のうちいずれか1つに記載のトランジスタの製造方法。(14)前記拡散防止膜は、シリコン酸化膜,シリコン窒化膜または酸化アルミニウム膜のうちのいずれか1つを含む前記(10)乃至(13)のうちいずれか1つに記載のトランジスタの製造方法。
(15)基板上のチャネル領域を有する酸化物半導体膜および前記チャネル領域に対向するゲート電極と、前記ゲート電極および前記酸化物半導体膜を覆う絶縁膜とを備え、前記絶縁膜から前記酸化物半導体膜への水分の浸入を前記基板により抑制するトランジスタ。
(16)表示素子および前記表示素子を駆動するトランジスタを備え、前記トランジスタは、基板上のチャネル領域を有する酸化物半導体膜および前記チャネル領域に対向するゲート電極と、前記ゲート電極および前記酸化物半導体膜を覆う絶縁膜とを備え、前記絶縁膜から前記酸化物半導体膜への水分の浸入を前記基板により抑制する表示装置。
(17)前記トランジスタの酸化物半導体膜を共有した保持容量素子を有する前記(1
6)記載の表示装置。
(18)前記酸化物半導体膜は、前記チャネル領域に隣接する一対の低抵抗領域を有する前記(16)または(17)記載の表示装置。
(19)表示素子および前記表示素子を駆動するトランジスタを有する表示装置を備え、前記トランジスタは、基板上のチャネル領域を有する酸化物半導体膜および前記チャネル領域に対向するゲート電極と、前記ゲート電極および前記酸化物半導体膜を覆う絶縁膜とを備え、前記絶縁膜から前記酸化物半導体膜への水分の浸入を前記基板により抑制する電子機器。
Claims (15)
- ガラスの板状部材からなる基板上に、前記ガラスの板状部材に接してチャネル領域を有する酸化物半導体膜を形成する工程と、
前記チャネル領域に対向するゲート電極を形成する工程と、
前記酸化物半導体膜のチャネル領域以外に接する金属膜を形成する工程と、
前記金属膜に第1の熱処理を施して高抵抗膜を形成すると共に、前記酸化物半導体膜に低抵抗領域を形成する工程と、
前記ゲート電極および前記酸化物半導体膜を覆う絶縁膜を形成する工程と、
前記低抵抗領域にソース・ドレイン電極を電気的に接続する工程と、
前記ソース・ドレイン電極を形成した後、300℃以上で第2の熱処理を行う工程とを含み、
前記絶縁膜から前記酸化物半導体膜への水分の浸入を前記基板により抑制する
トランジスタの製造方法。 - 基板上にチャネル領域を有する酸化物半導体膜と前記チャネル領域に対向するゲート電極とを形成する工程と、
前記酸化物半導体膜のチャネル領域以外に接する金属膜を形成する工程と、
前記金属膜に第1の熱処理を施して高抵抗膜を形成すると共に、前記酸化物半導体膜に低抵抗領域を形成する工程と、
前記ゲート電極および前記酸化物半導体膜を覆う絶縁膜を形成する工程と、
前記低抵抗領域にソース・ドレイン電極を電気的に接続する工程と、
前記ソース・ドレイン電極を形成した後、300℃以上で第2の熱処理を行う工程とを含み、
前記基板は、その表面全面に水分の拡散防止膜を有し、
前記絶縁膜から前記酸化物半導体膜への水分の浸入を前記基板により抑制する
トランジスタの製造方法。 - 前記拡散防止膜は、無機絶縁膜により構成されている
請求項2記載のトランジスタの製造方法。 - 前記拡散防止膜に接して前記酸化物半導体膜を形成する
請求項2または3記載のトランジスタの製造方法。 - 前記拡散防止膜をスパッタリング法またはイオンビームスパッタ法により成膜する
請求項2乃至4のうちいずれか1つ記載のトランジスタの製造方法。 - 前記基板を樹脂材料からなる板状部材に前記拡散防止膜を成膜することにより形成する
請求項2乃至5のうちいずれか1つ記載のトランジスタの製造方法。 - 前記拡散防止膜は、シリコン酸化膜,シリコン窒化膜または酸化アルミニウム膜のうちのいずれか1つを含む
請求項2乃至6のうちいずれか1つ記載のトランジスタの製造方法。 - 前記絶縁膜に有機絶縁材料を含む
請求項1乃至7のうちいずれか1つ記載のトランジスタの製造方法。 - 表示素子および前記表示素子を駆動するトランジスタを形成し、
前記トランジスタを形成する工程は、
ガラスの板状部材からなる基板上に、前記ガラスの板状部材に接してチャネル領域を有する酸化物半導体膜を形成する工程と、
前記チャネル領域に対向するゲート電極を形成する工程と、
前記酸化物半導体膜のチャネル領域以外に接する金属膜を形成する工程と、
前記金属膜に第1の熱処理を施して高抵抗膜を形成すると共に、前記酸化物半導体膜に低抵抗領域を形成する工程と、
前記ゲート電極および前記酸化物半導体膜を覆う絶縁膜を形成する工程と、
前記低抵抗領域にソース・ドレイン電極を電気的に接続する工程と、
前記ソース・ドレイン電極を形成した後、300℃以上で第2の熱処理を行う工程とを含み、
前記絶縁膜から前記酸化物半導体膜への水分の浸入を前記基板により抑制する
表示装置の製造方法。 - 表示素子および前記表示素子を駆動するトランジスタを形成し、
前記トランジスタを形成する工程は、
基板上にチャネル領域を有する酸化物半導体膜と前記チャネル領域に対向するゲート電極とを形成する工程と、
前記酸化物半導体膜のチャネル領域以外に接する金属膜を形成する工程と、
前記金属膜に第1の熱処理を施して高抵抗膜を形成すると共に、前記酸化物半導体膜に低抵抗領域を形成する工程と、
前記ゲート電極および前記酸化物半導体膜を覆う絶縁膜を形成する工程と、
前記低抵抗領域にソース・ドレイン電極を電気的に接続する工程と、
前記ソース・ドレイン電極を形成した後、300℃以上で第2の熱処理を行う工程とを含み、
前記基板は、その表面全面に水分の拡散防止膜を有し、
前記絶縁膜から前記酸化物半導体膜への水分の浸入を前記基板により抑制する
表示装置の製造方法。 - 前記トランジスタの酸化物半導体膜を共有した保持容量素子を形成する
請求項9または10記載の表示装置の製造方法。 - 前記酸化物半導体膜に、前記チャネル領域に隣接する一対の低抵抗領域を形成する
請求項9乃至11のうちいずれか1つ記載の表示装置の製造方法。 - 表示素子および前記表示素子を駆動するトランジスタを有する表示装置を形成し、
前記トランジスタを形成する工程は、
ガラスの板状部材からなる基板上に、前記ガラスの板状部材に接してチャネル領域を有する酸化物半導体膜を形成する工程と、
前記チャネル領域に対向するゲート電極を形成する工程と、
前記酸化物半導体膜のチャネル領域以外に接する金属膜を形成する工程と、
前記金属膜に第1の熱処理を施して高抵抗膜を形成すると共に、前記酸化物半導体膜に低抵抗領域を形成する工程と、
前記ゲート電極および前記酸化物半導体膜を覆う絶縁膜を形成する工程と、
前記低抵抗領域にソース・ドレイン電極を電気的に接続する工程と、
前記ソース・ドレイン電極を形成した後、300℃以上で第2の熱処理を行う工程とを含み、
前記絶縁膜から前記酸化物半導体膜への水分の浸入を前記基板により抑制する
電子機器の製造方法。 - 表示素子および前記表示素子を駆動するトランジスタを有する表示装置を形成し、
前記トランジスタを形成する工程は、
基板上にチャネル領域を有する酸化物半導体膜と前記チャネル領域に対向するゲート電極とを形成する工程と、
前記酸化物半導体膜のチャネル領域以外に接する金属膜を形成する工程と、
前記金属膜に第1の熱処理を施して高抵抗膜を形成すると共に、前記酸化物半導体膜に低抵抗領域を形成する工程と、
前記ゲート電極および前記酸化物半導体膜を覆う絶縁膜を形成する工程と、
前記低抵抗領域にソース・ドレイン電極を電気的に接続する工程と、
前記ソース・ドレイン電極を形成した後、300℃以上で第2の熱処理を行う工程とを含み、
前記基板は、その表面全面に水分の拡散防止膜を有し、
前記絶縁膜から前記酸化物半導体膜への水分の浸入を前記基板により抑制する
電子機器の製造方法。 - 表示素子および前記表示素子を駆動するトランジスタを形成し、
前記トランジスタを形成する工程は、
ガラスの板状部材からなる基板上に、前記ガラスの板状部材に接してチャネル領域を有する酸化物半導体膜を形成する工程と、
前記チャネル領域に対向するゲート電極を形成する工程と、
前記酸化物半導体膜のチャネル領域以外に接する金属膜を形成する工程と、
前記金属膜に第1の熱処理を施して高抵抗膜を形成すると共に、前記酸化物半導体膜に低抵抗領域を形成する工程と、
前記ゲート電極および前記酸化物半導体膜を覆う絶縁膜を形成する工程と、
前記低抵抗領域にソース・ドレイン電極を電気的に接続する工程と、
前記ソース・ドレイン電極を形成した後、300℃以上で第2の熱処理を行う工程とを含む
表示装置の製造方法。
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