JP5838119B2 - 薄膜トランジスタ及びそれを用いた表示装置 - Google Patents
薄膜トランジスタ及びそれを用いた表示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5838119B2 JP5838119B2 JP2012098764A JP2012098764A JP5838119B2 JP 5838119 B2 JP5838119 B2 JP 5838119B2 JP 2012098764 A JP2012098764 A JP 2012098764A JP 2012098764 A JP2012098764 A JP 2012098764A JP 5838119 B2 JP5838119 B2 JP 5838119B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- protective layer
- channel protective
- film
- thin film
- oxide semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 160
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 441
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 317
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 205
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 154
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 96
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 96
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 82
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 60
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims description 39
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 9
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 6
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 3
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 claims 1
- 101150016835 CPL1 gene Proteins 0.000 description 99
- 101100468774 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) RIM13 gene Proteins 0.000 description 99
- 101100221835 Arabidopsis thaliana CPL2 gene Proteins 0.000 description 73
- 102100036464 Activated RNA polymerase II transcriptional coactivator p15 Human genes 0.000 description 49
- 101000713904 Homo sapiens Activated RNA polymerase II transcriptional coactivator p15 Proteins 0.000 description 49
- 229910004444 SUB1 Inorganic materials 0.000 description 49
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 44
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 description 18
- 101100060179 Drosophila melanogaster Clk gene Proteins 0.000 description 16
- 101150038023 PEX1 gene Proteins 0.000 description 16
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 16
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 16
- 101150014555 pas-1 gene Proteins 0.000 description 16
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 description 14
- 101100016388 Arabidopsis thaliana PAS2 gene Proteins 0.000 description 13
- 101100297150 Komagataella pastoris PEX3 gene Proteins 0.000 description 13
- 101100315760 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) PEX4 gene Proteins 0.000 description 13
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 229910007541 Zn O Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 13
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 13
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 13
- GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N Nitrous Oxide Chemical compound [O-][N+]#N GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 10
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 9
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 8
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 8
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 7
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910004438 SUB2 Inorganic materials 0.000 description 6
- 101100311330 Schizosaccharomyces pombe (strain 972 / ATCC 24843) uap56 gene Proteins 0.000 description 6
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 6
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 6
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 6
- 101150018444 sub2 gene Proteins 0.000 description 6
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 6
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 5
- 238000011161 development Methods 0.000 description 5
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 229960001730 nitrous oxide Drugs 0.000 description 5
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 5
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 5
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910020923 Sn-O Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 4
- 235000013842 nitrous oxide Nutrition 0.000 description 4
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 3
- 239000002585 base Substances 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 3
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001868 water Inorganic materials 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000560 X-ray reflectometry Methods 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 1
- UBAZGMLMVVQSCD-UHFFFAOYSA-N carbon dioxide;molecular oxygen Chemical compound O=O.O=C=O UBAZGMLMVVQSCD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000007687 exposure technique Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001272 nitrous oxide Substances 0.000 description 1
- 230000001151 other effect Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 description 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/7869—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film having a semiconductor body comprising an oxide semiconductor material, e.g. zinc oxide, copper aluminium oxide, cadmium stannate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/78606—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
- G02F1/1336—Illuminating devices
- G02F1/133602—Direct backlight
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1222—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer
- H01L27/1225—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer with semiconductor materials not belonging to the group IV of the periodic table, e.g. InGaZnO
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Description
前記チャネル保護層は、前記酸化物半導体層に接して設けられる第1のチャネル保護層と、前記第1のチャネル保護層の上面に形成される第2のチャネル保護層と、を少なくとも備え、
前記第1のチャネル保護層と前記第2のチャネル保護層とはシリコン酸化膜であり、
前記チャネル保護層は、前記ソース電極、前記ドレイン電極及び前記酸化物半導体層を覆うようにして形成されており、
前記第1のチャネル保護層の膜密度が、前記第2のチャネル保護層の膜密度よりも大きく形成されてなる薄膜トランジスタである。
図1は本発明の実施形態1の薄膜トランジスタの概略構成を説明するための断面図であり、以下、図1に基づいて、実施形態1の薄膜トランジスタの全体構成を説明する。ただし、実施形態1の薄膜トランジスタは、いわゆるボトムゲート型のトランジスタ構造である。
次に、図2及び図3に本発明の実施形態1の薄膜トランジスタの製造方法を説明するための図を示し、以下、図2及び図3に基づいて詳細に説明する。特に、以下に説明する製造工程では、ゲート電極形成、ゲート絶縁膜形成、半導体層形成、チャネル保護層形成、ソース電極とドレイン電極の形成、及びパッシベーション層形成工程について詳細に説明する。なお、以下の説明では、説明を簡単にするために、パターニング前の薄膜層にもパターニング後と同じ記号を付けた説明とする。
まず、ガラス基板等の第1基板SUB1の表面上にスパッタリング法により、モリブデン膜、アルミニウム膜などの金属導電膜を成膜する。続いて、この金属導電膜上に周知のレジスト材料である感光性樹脂(感光性のレジスト)を塗布し感光性樹脂膜を形成した後に、現像しパターニングすることでゲート電極GTの形状に対応したレジストパターンを形成する。その後に、レジストパターンから露出する金属導電膜をウエットエッチング等で除去した後に、このレジストパターンを剥離することにより、ゲート電極GTが形成される。なお、ゲート電極GTはガラス基板からなる第1基板SUB1の表面上に直接形成する構成としたが、これに限定されることはない。例えば、ガラス基板からのアルカリイオン等の混入を防ぐため、第1基板SUB1の表面に下地層となるシリコン窒化膜等を形成し、該下地層の上面にゲート電極GTを形成してもよい。
ゲート絶縁膜GIが形成された第1基板SUB1の表面に、周知のスパッタリング法により、In-Ga-Zn-O系In-Al-Zn-O系、In-Sn-Zn-O系、In-Zn-O系、In-Sn-O系、Zn-O系、又はSn-O系などの酸化物半導体OSLを成膜する。この酸化物半導体OSLは、後に詳述するように、酸化物半導体層OSLを形成するための薄膜層である。ただし、酸化物半導体層(酸化物半導体)OSLに対して、酸素や一酸化二窒素を用いてプラズマ処理を施すことにより、酸素欠陥の少ない酸化物半導体層OSLを形成できる。
酸化物半導体OSLが成膜された第1基板SUB1の表面に、周知のプラズマCVD法等により第1のシリコン酸化膜CPL1及び第2のシリコン酸化膜CPL2を、この順番で連続して成膜する。このとき、第1のチャネル保護層CPL1に適用されるシリコン酸化膜の膜密度は、第2のチャネル保護層CPL2に適用されるシリコン酸化膜よりも膜密度を高く形成する。すなわち、異なる膜密度を有する2層のシリコン酸化膜を形成する。
第2のチャネル保護層CPL2の上面に感光性樹脂膜を塗布した後に、現像しパターニングすることで図示しないチャネル保護層CPLの形状に対応したレジストパターンを形成する。その後、レジストパターンから露出する第2のチャネル保護層CPL2をドライエッチングにより除去すると共に、この第2のチャネル保護層CPL2のエッチングで露出される第1のチャネル保護層CPL1もドライエッチングにより除去する。このように、実施形態1では、第2のチャネル保護層CPL2と第1のチャネル保護層CPL1とを連続的にエッチングした後、レジストパターンを剥離し、第1のチャネル保護層CPL1と第2のチャネル保護層CPL2との2層のシリコン酸化膜からなるチャネル保護層CPLを形成する。この第1のチャネル保護層CPL1及び第2のチャネル保護層CPL2の形成工程により、図2(c)に示すように、第1基板SUB1の表面を覆うようにして形成される酸化物半導体OSLの上面に、X方向に対して島状をなす第1のチャネル保護層CPL1と第2のチャネル保護層CPL2との2層の薄膜層(シリコン酸化膜)からなるチャネル保護層CPLが形成される。
チャネル保護層CPLが形成された酸化物半導体OSLを含む第1基板SUB1の上面に、感光性樹脂膜を塗布した後に、現像しパターニングすることで、酸化物半導体層OSLの形状に対応した図示しないレジストパターンを形成する。その後、該レジストパターンから露出する酸化物半導体OSLをウエットエッチングにより除去(パターニング)した後に、レジストパターンを剥離することにより、酸化物半導体層OSLが形成される。この酸化物半導体層OSLの形成工程により、図2(d)に示すように、第1基板SUB1の表面を覆うようにして形成されるゲート絶縁膜GIの上面(Z方向)に、島状をなす酸化物半導体層OSLが形成される。このとき、酸化物半導体層OSLの上面(Z方向)には、第1のチャネル保護層CPL1及び第2のチャネル保護層CPL2が配置される構成となる。
第2のチャネル保護層CPL2、第1のチャネル保護層CPL1、及び酸化物半導体層OSLが形成された基板上すなわち第1基板SUB1の表面に、例えば周知のスパッタリング法により、モリブデン膜やアルミニウム膜などの金属導電膜SDを成膜する(図3(e)参照)。
シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、又はシリコン酸窒化膜などの絶縁膜をプラズマCVD法等により第1基板SUB1の表面を覆うようにして形成することにより、パッシベーション層(保護層)PASを成膜する。その後、このパッシベーション層PASに図示しない周知の貫通孔(コンタクトホール)を形成することにより、ソース電極ST及びドレイン電極DTと図示しない信号線とを電気的に接続することができる。
図6は本発明の実施形態2の薄膜トランジスタの概略構成を説明するための断面図であり、以下、図6に基づいて、実施形態2の薄膜トランジスタについて詳細に説明する。ただし、実施形態2の薄膜トランジスタは、チャネル保護層CPLの構成が異なるのみで、他の構成は実施形態1と同様の構成となる。従って、以下の説明では、チャネル保護層CPLの構成及びその製造方法について詳細に説明する。
図7は本発明の実施形態3の薄膜トランジスタの概略構成を説明するための断面図であり、以下、図7に基づいて、実施形態3の薄膜トランジスタについて詳細に説明する。ただし、実施形態3の薄膜トランジスタは、ソース電極ST及びドレイン電極DT並びにチャネル保護層CPLの構成を除く構成は、実施形態1の薄膜トランジスタと同様である。従って、以下の説明では、ソース電極ST及びドレイン電極DT並びにチャネル保護層CPLの構成について詳細に説明する。
図8は本発明の実施形態4の薄膜トランジスタの概略構成を説明するための断面図である。ただし、パッシベーション層(保護膜)PASを構成する第1のパッシベーション層PAS1及び第2のパッシベーション層PAS2を除く他の構成は、チャネル保護層が無いことを除けば実施形態1と同様の構成となる。従って、以下の説明では、第1のパッシベーション層PAS1及び第2のパッシベーション層PAS2について詳細に説明する。
図9は本発明の実施形態5の表示装置である液晶表示装置の全体構成を説明するための平面図であり、実施形態1〜4の薄膜トランジスタを用いた構成である。なお、実施形態5では、各画素に配置されるスイッチング用の薄膜トランジスタTFTに適用した場合について説明するが、駆動回路DRを構成する薄膜トランジスタにも適用可能である。また、実施形態5では非発光型の表示装置である液晶表示装置に実施形態1〜4の薄膜トランジスタを用いた場合について説明するが、これに限定されることはない。例えば、有機EL表示装置等の自発光型の表示装置等に実施形態1〜4の薄膜トランジスタを適用可能である。
DR……駆動回路、GL……ゲート線、CL……コモン線、PNL……液晶表示パネル
DL……ドレイン線、PX……画素電極、CT……共通電極、Cst……保持容量
TFT……薄膜トランジスタ、FPC……フレキシブルプリント基板
GT……ゲート電極、GI……ゲート絶縁膜、OSL……酸化物半導体層
ST……ソース電極、DT……ドレイン電極、CPL……チャネル保護層
CPL1……第1のチャネル保護層、CPL2……第2のチャネル保護層
PAS……パッシベーション層、PAS1……第1のパッシベーション膜
PAS2……第2のパッシベーション膜
Claims (12)
- 絶縁基板と、前記絶縁基板の上面に設けられたゲート電極と、前記ゲート電極を覆うように設けられたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に設けられた酸化物半導体層と、前記酸化物半導体層の少なくとも上面に設けられたチャネル保護層と、前記酸化物半導体層に接して設けられたソース電極及びドレイン電極と、を備える薄膜トランジスタであって、
前記チャネル保護層は、前記酸化物半導体層に接して設けられる第1のチャネル保護層と、前記第1のチャネル保護層の上面に形成される第2のチャネル保護層と、を少なくとも備え、
前記第1のチャネル保護層と前記第2のチャネル保護層とはシリコン酸化膜であり、
前記チャネル保護層は、前記ソース電極、前記ドレイン電極及び前記酸化物半導体層を覆うようにして形成されており、
前記第1のチャネル保護層の膜密度が、前記第2のチャネル保護層の膜密度よりも大きく形成されてなることを特徴とする薄膜トランジスタ。 - 前記チャネル保護層の幅は、前記酸化物半導体層に接して設けられる側から前記チャネル保護層の上面側に向かうに従って小さく形成されていることを特徴とする請求項1に記載の薄膜トランジスタ。
- 前記チャネル保護層は、前記酸化物半導体層と共に前記絶縁基板の上面を覆うようにして形成され、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極は前記チャネル保護層の上面に形成されると共に、前記チャネル保護層に形成される貫通孔を介して前記酸化物半導体層と電気的に接続され、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極並びに前記チャネル保護層を覆うようにして保護膜となるパッシベーション膜が形成されてなることを特徴とする請求項1に記載の薄膜トランジスタ。 - 前記第1のチャネル保護層の膜密度が2.2g/cm 3 以上2.6g/cm 3 以下であることを特徴とする請求項1、2又は3に記載の薄膜トランジスタ。
- 前記第1のチャネル保護層の膜厚が200nm以下であることを特徴とする請求項1、2、3又は4に記載の薄膜トランジスタ。
- 前記第1のチャネル保護層の膜密度と前記第2のチャネル保護層の膜密度との差が0.3g/cm 3 以上であることを特徴とする請求項1、2、3、4又は5に記載の薄膜トランジスタ。
- 前記第2のチャネル保護層の膜厚が200nm以上であり、
かつ前記第1のチャネル保護層と前記第2のチャネル保護層の膜厚を足した膜厚が600nm以下であることを特徴とする請求項1、2、3、4、5又は6に記載の薄膜トランジスタ。 - 絶縁基板と、前記絶縁基板の上面に設けられたゲート電極と、前記ゲート電極を覆うように設けられたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に設けられた酸化物半導体層と、前記酸化物半導体層の少なくとも上面に設けられたチャネル保護層と、前記酸化物半導体層に接して設けられたソース電極及びドレイン電極と、を備える薄膜トランジスタであって、
前記チャネル保護層は、シリコン酸化膜である1層の薄膜層からなり、前記酸化物半導体層に接して設けられる領域の膜密度が他の領域の膜密度よりも高く形成されると共に、当該チャネル保護層の膜密度が前記酸化物半導体層に接して設けられる領域の膜厚方向に対して連続的に順次低くなるように形成されてなることを特徴とする薄膜トランジスタ。 - 前記チャネル保護層の膜厚が600nm以下であることを特徴とする請求項8に記載の薄膜トランジスタ。
- 前記薄膜層の幅は、前記酸化物半導体層に接して設けられる側から前記チャネル保護層の上面側に向かうに従って小さく形成されていることを特徴とする請求項8又は9に記載の薄膜トランジスタ。
- 絶縁基板からなる第1基板を有し、前記第1基板は映像信号線と、走査信号線と、薄膜トランジスタを介して前記映像信号線からの映像信号が供給される画素電極と、前記映像信号の基準となる共通信号が供給される共通電極とを有し、前記映像信号線と前記走査信号線とで囲まれる画素の領域がマトリクス状に形成される表示装置であって、
前記薄膜トランジスタは、請求項1、2、3、4、5、6、7、8、9又は10に記載の薄膜トランジスタからなることを特徴とする表示装置。 - 前記第1基板と液晶層を介して対向配置される第2基板を有する液晶表示パネルと、前記液晶表示パネルの裏面側に配置され、前記液晶表示パネルの光源となるバックライト光を照射するバックライトユニットとを備えることを特徴とする請求項11に記載の表示装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012098764A JP5838119B2 (ja) | 2012-04-24 | 2012-04-24 | 薄膜トランジスタ及びそれを用いた表示装置 |
US13/851,162 US9209306B2 (en) | 2012-04-24 | 2013-03-27 | Thin film transistor and display device using the same |
US14/920,647 US9812578B2 (en) | 2012-04-24 | 2015-10-22 | Thin film transistor and display device using the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012098764A JP5838119B2 (ja) | 2012-04-24 | 2012-04-24 | 薄膜トランジスタ及びそれを用いた表示装置 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015219055A Division JP2016076712A (ja) | 2015-11-09 | 2015-11-09 | 薄膜トランジスタ及びそれを用いた表示装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013229371A JP2013229371A (ja) | 2013-11-07 |
JP5838119B2 true JP5838119B2 (ja) | 2015-12-24 |
Family
ID=49379803
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012098764A Active JP5838119B2 (ja) | 2012-04-24 | 2012-04-24 | 薄膜トランジスタ及びそれを用いた表示装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US9209306B2 (ja) |
JP (1) | JP5838119B2 (ja) |
Families Citing this family (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9590113B2 (en) * | 2013-03-19 | 2017-03-07 | Applied Materials, Inc. | Multilayer passivation or etch stop TFT |
CN103199114B (zh) * | 2013-03-25 | 2016-11-16 | 合肥京东方光电科技有限公司 | 薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置 |
CN103926767B (zh) * | 2013-10-17 | 2017-01-25 | 成都天马微电子有限公司 | 液晶显示器及其检测方法 |
JP2015103598A (ja) * | 2013-11-22 | 2015-06-04 | 富士フイルム株式会社 | 有機機能層付き基板およびその製造方法 |
US20150155313A1 (en) * | 2013-11-29 | 2015-06-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US20160300954A1 (en) * | 2013-12-02 | 2016-10-13 | Joled Inc. | Thin-film transistor and manufacturing method for same |
JP6216668B2 (ja) * | 2014-03-17 | 2017-10-18 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置の製造方法 |
US20150349000A1 (en) * | 2014-05-29 | 2015-12-03 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Fabrication of transistor with high density storage capacitor |
CN105336743B (zh) * | 2014-08-04 | 2019-06-18 | 群创光电股份有限公司 | 薄膜晶体管基板以及显示面板 |
CN104465670B (zh) * | 2014-12-12 | 2018-01-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板及其制作方法、显示装置 |
CN104538407B (zh) * | 2015-01-14 | 2017-11-10 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板及其制备方法、显示装置 |
CN104966739A (zh) * | 2015-07-02 | 2015-10-07 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 氧化物薄膜晶体管及其制作方法 |
CN106847756B (zh) * | 2017-01-04 | 2020-02-18 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板的制作方法、阵列基板及显示装置 |
JP6706638B2 (ja) * | 2018-03-07 | 2020-06-10 | シャープ株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
KR102619290B1 (ko) * | 2018-12-04 | 2023-12-28 | 엘지디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 및 이를 포함하는 표시장치 |
JP7333758B2 (ja) * | 2020-01-23 | 2023-08-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜方法及び成膜装置 |
CN114846623A (zh) * | 2020-12-01 | 2022-08-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 氧化物薄膜晶体管及其制备方法、显示装置 |
CN115084167A (zh) * | 2022-07-14 | 2022-09-20 | Tcl华星光电技术有限公司 | 一种显示面板 |
Family Cites Families (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04174563A (ja) * | 1990-11-07 | 1992-06-22 | Canon Inc | 薄膜半導体装置 |
US5173754A (en) * | 1992-02-03 | 1992-12-22 | Micron Technology, Inc. | Integrated circuit device with gate in sidewall |
US6127285A (en) * | 1997-02-28 | 2000-10-03 | Dallas Instruments Incorporated | Interlevel dielectrics with reduced dielectric constant |
JP2915397B1 (ja) * | 1998-05-01 | 1999-07-05 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション | バックチャネル効果を防止する薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
JP3391343B2 (ja) | 1999-10-26 | 2003-03-31 | 日本電気株式会社 | アクティブマトリクス基板及びその製造方法 |
JP2002164342A (ja) | 2000-07-21 | 2002-06-07 | Canon Sales Co Inc | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2004228599A (ja) * | 2000-07-21 | 2004-08-12 | Canon Sales Co Inc | 半導体装置 |
JP2002118103A (ja) | 2000-10-12 | 2002-04-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜製造装置と薄膜の製造方法並びに薄膜トランジスタの製造方法 |
JP2004091243A (ja) * | 2002-08-30 | 2004-03-25 | Kyocera Corp | 窒化珪素質焼結体の製造方法および窒化珪素質焼結体 |
US7320945B2 (en) * | 2004-06-30 | 2008-01-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Gradient low k material |
EP3614442A3 (en) * | 2005-09-29 | 2020-03-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having oxide semiconductor layer and manufactoring method thereof |
WO2007091301A1 (ja) * | 2006-02-07 | 2007-08-16 | Fujitsu Limited | 半導体装置とその製造方法 |
JP4200458B2 (ja) * | 2006-05-10 | 2008-12-24 | ソニー株式会社 | 薄膜トランジスタの製造方法 |
JP5309619B2 (ja) * | 2008-03-07 | 2013-10-09 | ソニー株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP5704790B2 (ja) | 2008-05-07 | 2015-04-22 | キヤノン株式会社 | 薄膜トランジスタ、および、表示装置 |
JP2010045263A (ja) | 2008-08-15 | 2010-02-25 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 酸化物半導体、スパッタリングターゲット、及び薄膜トランジスタ |
JP4623179B2 (ja) | 2008-09-18 | 2011-02-02 | ソニー株式会社 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
JP5552753B2 (ja) * | 2008-10-08 | 2014-07-16 | ソニー株式会社 | 薄膜トランジスタおよび表示装置 |
JP5515281B2 (ja) | 2008-12-03 | 2014-06-11 | ソニー株式会社 | 薄膜トランジスタ、表示装置、電子機器および薄膜トランジスタの製造方法 |
WO2011043218A1 (en) * | 2009-10-09 | 2011-04-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
WO2011077607A1 (ja) | 2009-12-21 | 2011-06-30 | シャープ株式会社 | アクティブマトリクス基板及びそれを備えた表示パネル、並びにアクティブマトリクス基板の製造方法 |
WO2011089832A1 (en) * | 2010-01-20 | 2011-07-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for driving display device and liquid crystal display device |
JP2011187506A (ja) | 2010-03-04 | 2011-09-22 | Sony Corp | 薄膜トランジスタおよびその製造方法、並びに表示装置 |
JP5708910B2 (ja) * | 2010-03-30 | 2015-04-30 | ソニー株式会社 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法、並びに表示装置 |
JP2011222767A (ja) * | 2010-04-09 | 2011-11-04 | Sony Corp | 薄膜トランジスタならびに表示装置および電子機器 |
JP5551553B2 (ja) | 2010-09-29 | 2014-07-16 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 液晶表示装置 |
JP5668917B2 (ja) * | 2010-11-05 | 2015-02-12 | ソニー株式会社 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
JP5766467B2 (ja) * | 2011-03-02 | 2015-08-19 | 株式会社東芝 | 薄膜トランジスタ及びその製造方法、表示装置 |
-
2012
- 2012-04-24 JP JP2012098764A patent/JP5838119B2/ja active Active
-
2013
- 2013-03-27 US US13/851,162 patent/US9209306B2/en active Active
-
2015
- 2015-10-22 US US14/920,647 patent/US9812578B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US9209306B2 (en) | 2015-12-08 |
JP2013229371A (ja) | 2013-11-07 |
US9812578B2 (en) | 2017-11-07 |
US20160043232A1 (en) | 2016-02-11 |
US20130278855A1 (en) | 2013-10-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5838119B2 (ja) | 薄膜トランジスタ及びそれを用いた表示装置 | |
KR102321760B1 (ko) | 반도체 장치 | |
US8183097B2 (en) | Thin-film transistor substrate and method of manufacturing the same | |
US9880436B2 (en) | Liquid crystal display device and manufacturing method thereof | |
US8957418B2 (en) | Semiconductor device and display apparatus | |
US9726940B2 (en) | Active matrix substrate manufacturing method, display apparatus manufacturing method, and display apparatus | |
TWI523225B (zh) | 半導體裝置及半導體裝置的製造方法 | |
CN108027541B (zh) | 薄膜晶体管基板及其制造方法 | |
US9530896B2 (en) | Display device using an oxide semiconductor | |
US20160027853A1 (en) | Display panels, methods of manufacturing the same and organic light emitting display devices having the same | |
JP6482256B2 (ja) | 薄膜トランジスタ基板および液晶表示装置 | |
US7943441B2 (en) | Method of forming thin film transistor array substrate | |
US9709853B2 (en) | Liquid crystal display panel | |
US10700097B2 (en) | Array substrate and fabricating method thereof | |
JP2016076712A (ja) | 薄膜トランジスタ及びそれを用いた表示装置 | |
US11502115B2 (en) | Active matrix substrate and method for manufacturing same | |
JP2020031107A (ja) | 薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタ基板及びその製造方法 | |
JP2015184602A (ja) | 薄膜トランジスタ基板およびその製造方法 | |
KR101888429B1 (ko) | 박막 트랜지스터와 표시장치용 전극기판의 제조방법 | |
KR101471149B1 (ko) | 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140820 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20150727 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150804 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150930 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20151020 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20151109 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5838119 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |