JP2020031107A

JP2020031107A - 薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタ基板及びその製造方法

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Publication number: JP2020031107A
Application number: JP2018154801A
Authority: JP
Inventors: 井上　和式; Kazunori Inoue; 和式井上; 耕治小田; Koji Oda; 久保田　健; Takeshi Kubota; 健久保田; 中川　直紀; Naoki Nakagawa; 直紀中川; 弘也山林; Hiroya Yamabayashi; 古畑　武夫; Takeo Furuhata; 武夫古畑
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 2018-08-21
Filing date: 2018-08-21
Publication date: 2020-02-27

Abstract

【課題】酸化物半導体をチャネル層に用いた薄膜トランジスタの特性及び信頼性を向上させることが可能な技術を提供することを目的とする。【解決手段】薄膜トランジスタは、酸化物半導体を含む半導体層７と、エッチングストッパ層８と、ソース電極９と、ドレイン電極１０とを備える。半導体層７のうちソース電極９及びドレイン電極１０が配設された両側部分の間の部分はチャネル領域ＣＮに対応する。半導体層７の当該部分、及び、エッチングストッパ層８のそれぞれは、ソース電極９及びドレイン電極１０からソース電極９及びドレイン電極１０の幅方向に突出している。【選択図】図１

Description

本発明は、薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタ基板、及び薄膜トランジスタ基板の製造方法に関する。

薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor：ＴＦＴ）は、低消費電力かつ薄型という特徴があり、電子デバイスへの応用が盛んになされている。またＴＦＴをスイッチング素子として用いたＴＦＴアクティブマトリックス基板、すなわち薄膜トランジスタ基板（ＴＦＴ基板）は、例えば、液晶または有機ＥＬ（Electro-Luminescence）を利用した表示装置（電気光学装置）に利用されている。

液晶表示装置（Liquid Crystal Display：ＬＣＤ）用の電気光学素子には、単純マトリックス型ＬＣＤと、ＴＦＴをスイッチング素子として用いるＴＦＴ−ＬＣＤとがある。このうちＴＦＴ−ＬＣＤは、モバイルコンピューター、パソコンまたはテレビジョンなどのディスプレイまたはモニターとして広く用いられている。

一般に、ＴＦＴ−ＬＣＤは、マトリックス状に配設された複数のＴＦＴを有するＴＦＴ基板と、カラーフィルタ等を有する対向基板との間に、液晶層が挟持された構造の液晶表示パネルを含む。液晶表示パネルの前面側及び背面側の各々には偏光板が配設されており、さらにそのうちの一方側にはバックライトが配設されている。この構造によって、良好なカラー表示が得られる。

ＬＣＤにおける液晶の駆動方式としては、ＴＮ（Twisted Nematic）モード、ＶＡ（Vertical Alignment）モードなどの縦電界方式と、ＩＰＳ（In Plane Switching）モード（「ＩＰＳ」は登録商標）、ＦＦＳ（Fringe Field Switching）モードなどの横電界方式とがある。

ＴＮモードに代表される縦電界方式のＬＣＤでは、画像信号に応じた電圧が印加される画素電極がＴＦＴ基板に配設され、一定の電位（共通電位）に固定される共通電極が対向基板に配設される。従って、液晶層の液晶は、液晶表示パネルの表面に対してほぼ垂直な電界によって駆動される。

一方、横電界方式の液晶表示パネルでは、画素電極と共通電極との両方がＴＦＴ基板上に配設され、液晶層の液晶は、液晶表示パネルの表面に対してほぼ水平な電界によって駆動される。特に、ＦＦＳモードのＴＦＴ基板では、画素電極と共通電極とが絶縁膜を介して上下に対向するように配設される。画素電極と共通電極はどちらを上下に形成してもよいが、下側に配設される電極は平板状に形成され、上側（液晶層に近い側）に配設される電極はスリットを有する格子状または櫛歯状に形成される。なお、一般に、横電界方式のＬＣＤは、縦電界方式のものに比べて広視野角化に有利であるため、パソコンや車載用表示機器などのディスプレイ製品では主流になりつつある。

ところで、従来、ＬＣＤ用のＴＦＴ基板のスイッチング素子には、ＴＦＴの活性層（チャネル層）を構成する半導体膜として、主にアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）が用いられてきた。

ａ−Ｓｉをチャネル層とするＴＦＴは、通常、逆スタガ構造と呼ばれるＴＦＴ構造が用いられる。逆スタガ構造のＴＦＴを用いると、例えば特許文献１に示されるように、一般的な構成のＴＮモードのＴＦＴ基板を、（１）ゲート電極の形成工程、（２）ゲート絶縁膜及びチャネル層の形成工程、（３）ソース電極及びドレイン電極の形成工程、（４）保護絶縁膜の形成及びコンタクトホール形成工程、（５）画素電極の形成工程、という５回の写真製版工程で効率良く低コストで製造することができる。これらの逆スタガ構造のＴＦＴは、バックチャネルエッチング（ＢＣＥ）型のＴＦＴ構造がベースとなっている。

また逆スタガ構造のＴＦＴでは、特許文献２に示されるように、一般的なＢＣＥ型ＴＦＴをベースとした構成のＦＦＳモードのＴＦＴ基板を、（１）ゲート電極の形成工程、（２）対向電極（共通電極）の形成工程、（３）ゲート絶縁膜及びチャネル層の形成工程、（４）ソース電極及びドレイン電極の形成工程、（５）保護絶縁膜（層間絶縁膜）の形成及びコンタクトホール形成工程、（６）画素電極の形成工程、という計６回の写真製版工程で生産効率よく低コストで製造することができる。

近年、チャネル層に酸化物半導体膜を用いたＴＦＴ（以下、酸化物ＴＦＴ）が新たに開発された。酸化物半導体は、従来のａ−Ｓｉよりも高い移動度を有しており、高性能なＴＦＴを実現することができる。このため、パネルの高精細化や低消費電力化に有利であり、スマートフォンやモバイルコンピューター等の携帯機器やパソコン等への実用化が進められている。酸化物半導体としては、酸化亜鉛（ＺｎＯ）系材料や、酸化亜鉛に酸化ガリウム（Ｇａ_２Ｏ_３）及び酸化インジウム（Ｉｎ_２Ｏ_３）を添加した非晶質のＩｎＧａＺｎＯ系材料が主に用いられる。これらの酸化物ＴＦＴの技術は、例えば特許文献３、４及び非特許文献１〜３等に開示されている。

しかしながら、酸化物半導体膜の薬液耐性が充分ではない。このため、ＴＦＴのソース電極及びドレイン電極に用いられる一般的な金属膜（例えばＣｒ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｔａ、Ａｌ、Ｃｕ及びこれらの合金）のエッチング加工に用いられる酸系溶液によって酸化物半導体膜がエッチングダメージを受け、特性を劣化させてしまうことがある。また、酸化物半導体材料の種類によっては、これらの酸系溶液に溶けてしまうことがある。従って、例えば特許文献１，２のＢＣＥ型ＴＦＴのチャネル層に酸化物半導体を適用する構成では、ソース電極及びドレイン電極の加工に用いる酸系溶液によってチャネル層がダメージを受け、ＴＦＴ特性を劣化させてしまう問題があった。

この問題を解決するための構造として、特許文献５，６に示すような、半導体膜のチャネル領域に保護絶縁膜を配設したＴＦＴ構造を利用することが考えられる。このＴＦＴ構造では、金属膜をソース電極及びドレイン電極に加工するためのエッチングによって、酸化物半導体膜がダメージを受けたり消失したりすることを抑制できる。このような構造のＴＦＴは、一般的に、エッチングストッパまたはエッチストッパ（ＥＳ）型ＴＦＴと呼ばれる。

特開平１０−２６８３５３号公報特開２００１−５６４７４号公報特開２０００−１５０９００号公報特開２００７−２８１４０９号公報特開昭６２−２３５７８４号公報特開２００５−７７８２２号公報

Kenji Nomura等著、「Room-temperature fabrication of transparent flexible thin-film transistors using amorphous oxide semiconductors」、Nature、2004年、第432巻、第488頁〜第492頁 Chio-Shun Chuang等著、「Photosensitivity of Amorphous IGZO TFTs for Active-Matrix Flat-Panel Displays」、SID DIGEST、2008年、第1215頁〜第1218頁 Dharam Pal Gosain等著、「Instability of Amorphous Indium Gallium Zinc Oxide Thin Film Transistors under Light Illumination」、Japanese Journal of Applied Physics、2009年、第48巻、第03B018-1頁〜第03B018-5頁

しかしながら、ＥＳ型ＴＦＴでは、酸化物半導体材料からなるチャネル層を形成した後に、チャネル層上に保護絶縁膜からなるエッチングストッパ層を形成する工程が新たに必要となる。例えば特許文献１に示されるＴＮモードのＴＦＴ基板、及び特許文献２に示されるＦＦＳモードのＴＦＴ基板を製造する場合は、それぞれ６回及び７回の写真製版工程が必要となる。このため、生産効率を低下させ、製造コストの増加を招くといった問題が生じる。

また、ＺｎＯ系やＩｎＧａＺｎＯ系に代表される一般的な酸化物半導体膜は、薬液耐性だけでなく耐熱性も充分ではなく、例えばＴＦＴの製造工程中の熱処理によって亜鉛（Ｚｎ）や酸素（Ｏ）等の原子が離脱し格子欠陥を生じることが知られている。このような格子欠陥は、酸化物半導体膜中の電子キャリアを増大させてＴＦＴ動作時の閾値電圧（threshold voltage：Ｖｔｈ）を低下させ、リーク電流を増大させてしまう。さらに格子欠陥は、酸化物半導体膜と接する絶縁膜と反応して界面近傍に欠陥準位を形成するため、ＴＦＴ動作時の電流ストレスにより大きな閾値電圧の変動、つまりＶｔｈシフトが起こり、ＴＦＴ特性の信頼性（安定性）を劣化させてしまう。

特に、ＴＦＴのチャネル層として形成される島状の酸化物半導体膜においては、島状パターンの端面（側端部）にこのような格子欠陥が発生しやすい。従って、チャネル層表面に保護絶縁膜としてエッチングストッパ層を配設した場合でも、チャネル層の端面に格子欠陥が生じて、酸化物ＴＦＴ特性の劣化や信頼性の劣化してしまうという問題点があった。

さらに、例えば非特許文献２，３に示されるように、一般的な酸化物半導体膜をチャネル層に用いたＴＦＴは、光、特に紫外（ＵＶ：Ultra Violet）光に対してＴＦＴ特性が劣化（光劣化）する問題があることが知られている。このため、ＬＣＤ用途では、ＴＦＴ基板の背面側からのバックライト（ＢＬ）光や表面側からの外光の一部が漏れ光（迷光）として半導体層のチャネル領域に入光することによって光劣化が発生し、表示不良を生じさせる問題があった。

そこで、本発明は、上記のような問題点を鑑みてなされたものであり、酸化物半導体をチャネル層に用いた薄膜トランジスタの特性及び信頼性を向上させることが可能な技術を提供することを目的とする。

本発明に係る薄膜トランジスタは、基板上に選択的に配設されたゲート電極と、前記基板及びゲート電極上に配設されたゲート絶縁層と、平面視において少なくとも一部が前記ゲート電極と重なるように前記ゲート絶縁層上に配設された、酸化物半導体を含む半導体層と、前記半導体層のうち前記ゲート電極と平面視にて重なる領域上に配設されたエッチングストッパ層とを備え、前記半導体層は、平面視の第１方向において前記エッチングストッパ層が配設されていない両側部分を有する。薄膜トランジスタは、前記半導体層の前記両側部分の一方及び前記エッチングストッパ層の一部上に、前記第１方向に延在しかつ前記第１方向と直交する第２方向に幅を有して配設されたソース電極と、前記半導体層の前記両側部分の他方及び前記エッチングストッパ層の一部上に、前記第１方向に延在しかつ前記第２方向に幅を有して配設され、前記エッチングストッパ層上で前記ソース電極と離間されたドレイン電極とをさらに備える。前記半導体層のうち平面視における前記両側部分の間の部分はチャネル領域に対応し、前記半導体層の前記部分、及び、前記エッチングストッパ層のそれぞれは、前記ソース電極及び前記ドレイン電極から前記ソース電極及び前記ドレイン電極の幅方向に突出している。

本発明によれば、半導体層のうちソース電極及びドレイン電極が配設された両側部分の間の部分はチャネル領域に対応し、半導体層の当該部分、及び、エッチングストッパ層のそれぞれは、ソース電極及びドレイン電極からソース電極及びドレイン電極の幅方向に突出している。このような構成によれば、酸化物半導体をチャネル層に用いた薄膜トランジスタの特性及び信頼性を向上させることができる。

実施の形態１に係る薄膜トランジスタの構成を示す平面図である。実施の形態１に係る薄膜トランジスタの構成を示す断面図である。実施の形態１に係る薄膜トランジスタの構成を示す断面図である。実施の形態１に係る薄膜トランジスタの構成を示す断面図である。実施の形態１に係る薄膜トランジスタの構成を示す断面図である。実施の形態１に係る薄膜トランジスタのサンプル例を示す平面図である。関連トランジスタのサンプル例を示す平面図である。サンプルの初期伝達特性を示す図である。サンプルのストレス試験の測定結果を示す図である。実施の形態１に係る薄膜トランジスタの構成を示す断面図である。実施の形態１に係る薄膜トランジスタの構成を示す断面図である。実施の形態１の変形例に係る薄膜トランジスタの構成を示す断面図である。実施の形態１の変形例に係る薄膜トランジスタの構成を示す断面図である。実施の形態１の変形例に係る薄膜トランジスタの構成を示す平面図である。実施の形態２に係る薄膜トランジスタ基板の構成を示す平面図である。実施の形態２に係る薄膜トランジスタ基板の構成を示す断面図である。実施の形態２に係る薄膜トランジスタ基板の製造工程を示す平面図である。実施の形態２に係る薄膜トランジスタ基板の製造工程を示す断面図である。実施の形態２に係る薄膜トランジスタ基板の製造工程を示す平面図である。実施の形態２に係る薄膜トランジスタ基板の製造工程を示す断面図である。実施の形態２に係る薄膜トランジスタ基板の製造工程を示す平面図である。実施の形態２に係る薄膜トランジスタ基板の製造工程を示す断面図である。実施の形態２に係る薄膜トランジスタ基板の製造工程を示す平面図である。実施の形態２に係る薄膜トランジスタ基板の製造工程を示す断面図である。実施の形態２に係る薄膜トランジスタ基板の製造工程を示す平面図である。実施の形態２に係る薄膜トランジスタ基板の製造工程を示す断面図である。実施の形態２に係る薄膜トランジスタ基板の製造工程を示す平面図である。実施の形態２に係る薄膜トランジスタ基板の製造工程を示す断面図である。実施の形態２に係る薄膜トランジスタ基板の製造工程を示す平面図である。実施の形態２に係る薄膜トランジスタ基板の製造工程を示す断面図である。実施の形態２に係る薄膜トランジスタ基板の製造工程を示す平面図である。実施の形態２に係る薄膜トランジスタ基板の製造工程を示す断面図である。実施の形態２の変形例に係る薄膜トランジスタ基板の構成を示す平面図である。実施の形態２の変形例に係る薄膜トランジスタ基板の構成を示す断面図である。実施の形態３に係る薄膜トランジスタ基板の構成を示す平面図である。実施の形態３に係る薄膜トランジスタ基板の構成を示す断面図である。実施の形態３に係る薄膜トランジスタ基板の製造工程を示す平面図である。実施の形態３に係る薄膜トランジスタ基板の製造工程を示す断面図である。実施の形態３に係る薄膜トランジスタ基板の製造工程を示す平面図である。実施の形態３に係る薄膜トランジスタ基板の製造工程を示す断面図である。実施の形態３に係る薄膜トランジスタ基板の製造工程を示す平面図である。実施の形態３に係る薄膜トランジスタ基板の製造工程を示す断面図である。実施の形態３に係る薄膜トランジスタ基板の製造工程を示す平面図である。実施の形態３に係る薄膜トランジスタ基板の製造工程を示す断面図である。実施の形態３に係る薄膜トランジスタ基板の製造工程を示す平面図である。実施の形態３に係る薄膜トランジスタ基板の製造工程を示す断面図である。実施の形態３に係る薄膜トランジスタ基板の製造工程を示す平面図である。実施の形態３に係る薄膜トランジスタ基板の製造工程を示す断面図である。実施の形態３に係る薄膜トランジスタ基板の製造工程を示す平面図である。実施の形態３に係る薄膜トランジスタ基板の製造工程を示す断面図である。実施の形態４に係る薄膜トランジスタ基板の構成を示す平面図である。実施の形態４に係る薄膜トランジスタ基板の構成を示す断面図である。実施の形態４に係る薄膜トランジスタ基板の製造工程を示す平面図である。実施の形態４に係る薄膜トランジスタ基板の製造工程を示す断面図である。実施の形態４に係る薄膜トランジスタ基板の製造工程を示す平面図である。実施の形態４に係る薄膜トランジスタ基板の製造工程を示す断面図である。実施の形態４に係る薄膜トランジスタ基板の製造工程を示す平面図である。実施の形態４に係る薄膜トランジスタ基板の製造工程を示す断面図である。実施の形態４に係る薄膜トランジスタ基板の製造工程を示す平面図である。実施の形態４に係る薄膜トランジスタ基板の製造工程を示す断面図である。実施の形態４に係る薄膜トランジスタ基板の製造工程を示す平面図である。実施の形態４に係る薄膜トランジスタ基板の製造工程を示す断面図である。実施の形態４に係る薄膜トランジスタ基板の製造工程を示す平面図である。実施の形態４に係る薄膜トランジスタ基板の製造工程を示す断面図である。実施の形態４に係る薄膜トランジスタ基板の製造工程を示す平面図である。実施の形態４に係る薄膜トランジスタ基板の製造工程を示す断面図である。

＜実施の形態１＞
＜構造＞
図１〜図５を参照して、本発明の実施の形態１に係るＴＦＴの構成について説明する。図１は、本実施の形態１に係るＴＦＴの平面構成を示す図である。図２、図３、図４、図５は、当該ＴＦＴの断面構成を示す図であり、それぞれ図１に示すＸ−Ｘ線、Ｙ−Ｙ線、Ａ−Ａ線、Ｂ−Ｂ線に沿った断面図である。なお、以下の平面図においては、図が複雑にならないようにするため、ゲート絶縁層及び保護絶縁層などの図示は適宜省略されている。

図２〜図５に示されるように、例えばガラス等の透明絶縁性基板からなる基板１の上に、第１導電膜からなるゲート電極２が選択的に配設されている。第１導電膜には、例えば、銅（Ｃｕ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）、タンタル（Ｔａ）もしくはアルミニウム（Ａｌ）等の金属、またはこれらの金属に他の元素を微量に添加してなる合金を用いることができる。また、第１導電膜には、これらの金属または合金を組み合わせた積層膜を用いてもよい。

図２〜図５に示されるように、ゲート電極２を覆うように、基板１及びゲート電極２上に第１絶縁膜からなるゲート絶縁層６が配設されている。第１絶縁膜には、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮ、Ｓｉ_３Ｎ_４）、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）、酸化シリコン（ＳｉＯ、ＳｉＯ_２）の他、酸化アルミニウム（ＡｌＯ、Ａｌ_２Ｏ_３）、酸化イットリウム（ＹＯ、Ｙ_２Ｏ_３）、酸化ハフニウム（ＨｆＯ、ＨｆＯ_２）、または酸化タンタル（ＴａＯ、Ｔａ_２Ｏ_５）等の金属の酸化物絶縁膜を用いることができる。また、第１絶縁膜には、これらの絶縁膜を組み合わせた積層膜を用いることもできる。特に酸化物半導体膜と直接接する面には酸素（Ｏ）原子を含む酸化物絶縁膜を配設しておくことが好ましい。これにより、酸化物半導体膜の界面が還元すること、つまり、酸化物半導体膜において酸素原子が奪われて酸素欠損が生じることを抑制でき、還元による格子欠陥の発生を抑制することができる。

図１〜図５に示されるように、平面視において少なくとも一部がゲート電極２と重なるように、ゲート絶縁層６上に酸化物半導体を含む半導体層７が配設されている。本実施の形態１では、半導体層７は酸化物半導体膜からなり、酸化物半導体膜には、例えば、ＺｎＯからなる酸化物半導体材料や、ＺｎＯに酸化インジウム（Ｉｎ_２Ｏ_３）を添加したＩｎＺｎＯ系、ＺｎＯに酸化ガリウム（Ｇａ_２Ｏ_３）を添加したＧａＺｎＯ系、ＺｎＯにＩｎ_２Ｏ_３と酸化すず（ＳｎＯ_２）とを添加したＩｎＺｎＳｎＯ系、またはＺｎＯにＩｎ_２Ｏ_３とＧａ_２Ｏ_３とを添加したＩｎＧａＺｎＯ系の酸化物半導体材料等を用いることができる。

図１〜図５に示されるように、半導体層７のうちゲート電極２と平面視にて重なる領域上に、第２絶縁膜からなるエッチングストッパ層８が配設されている。

エッチングストッパ層８の材料である第２絶縁膜は、酸化物半導体膜からなる半導体層７に直接接するように配設されることから、半導体層７の還元反応を抑制するために、第２絶縁膜には酸化物からなる絶縁膜材料を用いることが好ましく、例えばＳｉＯ、ＡｌＯ、ＹＯ、ＨｆＯまたはＴａＯ等を用いることができる。なお、第２絶縁膜には、酸化物からなる絶縁膜の上にさらに異なる絶縁膜を配設した積層膜を用いることもできる。この場合、酸化物からなる絶縁膜の上に配設される絶縁膜として、ＳｉＮのような非酸化物系の絶縁膜材料を用いることも可能である。

本実施の形態１では、第１方向は、後述するソース電極９及びドレイン電極１０が延在する方向（図４の左右方向）であるとする。図４に示されるように、上述した半導体層７は、平面視の第１方向においてエッチングストッパ層８が配設されていない両側部分を有している。

図１及び図４に示されるように、半導体層７の上記両側部分の一方及びエッチングストッパ層８の一部上に、第２導電膜からなるソース電極９が配設されている。ソース電極９は、第１方向に延在しかつ第１方向と直交する第２方向に幅を有している。さらに、半導体層７の上記両側部分の他方及びエッチングストッパ層８の一部上に、第２導電膜からなるドレイン電極１０が配設されている。ドレイン電極１０は、ソース電極９と同様に、第１方向に延在しかつ第１方向と直交する第２方向に幅を有している。そして、ソース電極９及びドレイン電極１０は、エッチングストッパ層８上で互いに一定の距離だけ離間して対向するように配設されている。なお、ソース電極９及びドレイン電極１０に用いられる第２導電膜には、例えば第１導電膜と同じ金属もしくは合金膜、または、これらを組み合わせた積層膜を用いることができる。

図１〜図５において、半導体層７は、エッチングストッパ層８、ソース電極９及びドレイン電極１０を含む構造体の下面全体にわたって配設されている。すなわち、平面視において、半導体層７の形状は、エッチングストッパ層８、ソース電極９及びドレイン電極１０を含む構造体の形状によって規定されている。そして、半導体層７のうちエッチングストッパ層８と接する領域がＴＦＴのチャネル領域ＣＮとして機能する。なお、半導体層７のうち平面視における上記両側部分の間の部分は、チャネル領域ＣＮに対応する部分（「チャネル対応部分ＣＮ」と記すこともある）である。

図２〜図５に示されるように、エッチングストッパ層８、ソース電極９及びドレイン電極１０を覆うように、ゲート絶縁層６上の全体に第３絶縁膜からなる保護絶縁層１２１が配設される。第３絶縁膜には、ＳｉＮ（Ｓｉ_３Ｎ_４）、ＳｉＯＮ、ＳｉＯ（ＳｉＯ_２）の他、ＡｌＯ（Ａｌ_２Ｏ_３）、ＹＯ（Ｙ_２Ｏ_３）、ＨｆＯ（ＨｆＯ_２）、及びＴａＯ（Ｔａ_２Ｏ_５）等の金属の酸化物絶縁膜を用いることができる。また、第３絶縁膜には、これらの絶縁膜を組み合わせた積層膜を用いることもできる。

図１に示すように、エッチングストッパ層８とソース電極９との間の境界線を第１の境界線Ｌｂ１とし、エッチングストッパ層８とドレイン電極１０との間の境界線を第２の境界線Ｌｂ２と定義する。この場合、ＴＦＴのチャネル幅Ｗｃは、第１の境界線Ｌｂ１及び第２の境界線Ｌｂ２のそれぞれの長さで定義される。本実施の形態１に係るＴＦＴでは、ＴＦＴのチャネル幅Ｗｃは、ソース電極９及びドレイン電極１０のそれぞれの幅Ｗｓｄと等しくなっている。また図１に示すように、第１の境界線Ｌｂ１と第２の境界線Ｌｂ２とは、互いに一定の距離だけ離間して対向し、この距離によってＴＦＴのチャネル長Ｌｃが定義される。本実施の形態１に係るＴＦＴでは、ＴＦＴのチャネル長Ｌｃは、エッチングストッパ層８の幅Ｗｅと等しくなっている。

図１において、チャネル幅Ｗｃ方向のエッチングストッパ層８の長さＬｅ１は、第１の境界線Ｌｂ１及び第２の境界線Ｌｂ２よりも長くなっている。すなわち、エッチングストッパ層８の長さＬｅ１は、ソース電極９及びドレイン電極１０のそれぞれの幅Ｗｓｄよりも長くなっている。これにより、半導体層７のうちのチャネル対応部分ＣＮ、及び、エッチングストッパ層８のそれぞれは、ソース電極９及びドレイン電極１０からソース電極９及びドレイン電極１０の幅方向に突出している。

＜実施の形態１のまとめ＞
ＴＦＴのチャネル領域ＣＮが形成される島状の酸化物半導体膜においては、島状パターンの端面（側端部）に格子欠陥が発生しやすい。島状の酸化物半導体膜の端面にこのような格子欠陥が発生すると、格子欠陥が劣化チャネルとして機能し、本来のＴＦＴの特性を劣化させてしまうことがある。しかしながら、図１に示されるように、本実施の形態１に係るＴＦＴでは、半導体層７のうちソース電極９及びドレイン電極１０の間のチャネル対応部分ＣＮ、並びに、エッチングストッパ層８のそれぞれは、ソース電極９及びドレイン電極１０からソース電極９及びドレイン電極１０の幅方向に突出するように構成されている。従って、チャネル対応部分ＣＮのうち劣化チャネルのチャネル長として機能する端面の長さＬｅ２が、ＴＦＴの実質的なチャネル長Ｌｃよりも長くなる。これにより、劣化チャネルの影響を小さくすることができるので、ＴＦＴ特性の劣化を抑制することができる。

次に、本実施の形態１に係る薄膜トランジスタと、それに関連する関連トランジスタとを比較した。

本実施の形態１に係る薄膜トランジスタとして、図６に示されるような、チャネル幅Ｗｃが２０μｍ、チャネル長Ｌｃが１０μｍ、劣化チャネルのチャネル長となる半導体層７（チャネル対応部分ＣＮ）の側端部の長さＬｅ２が１５μｍとなるようなＴＦＴサンプルを作製した。このＴＦＴサンプルでは、劣化チャネルのチャネル長Ｌｅ２が、実質的なチャネル長Ｌｃよりも大きくなっている。

一方、関連トランジスタとして、図７に示されるような、チャネル幅Ｗｃが２０μｍ、チャネル長Ｌｃが１０μｍ、劣化チャネルのチャネル長となる半導体層７（チャネル対応部分ＣＮ）の側端部の長さＬｅ２が３．５μｍとなるようなＴＦＴサンプルを作製した。このＴＦＴサンプルでは、劣化チャネルのチャネル長Ｌｅ２が、実質的なチャネル長Ｌｃ以下となっている。

図８は、横軸をゲート電圧（Ｖｇ）、縦軸をドレイン−ソース間の電流（ドレイン電流；Ｉｄ）にとったＴＦＴサンプルの初期伝達特性（初期Ｉｄ−Ｖｇ特性）を示す図である。関連トランジスタのＴＦＴサンプルでは、破線で示される初期伝達特性の形状に「こぶ（ハンプ：Ｈｕｍｐ）」が図の左側に突出しており、比較的好ましくないＩｄ−Ｖｇ特性が得られている。このようなハンプは、劣化チャネルの影響によるものと考えられる。一方、本実施の形態１に係るＴＦＴサンプルでは、実線で示される初期伝達特性のように、劣化チャネルの影響が抑制されるので、良好な初期Ｉｄ−Ｖｇ特性が得られている。

図９は、ＴＦＴサンプルのストレス試験の測定結果を示す図である。ストレス試験では、負バイアスストレス（ＮＢＳ）の印加条件として、室温２５℃の下でゲート電極に−６Ｖの電圧（Ｖｇ＝−６Ｖ）を３００００秒（約８時間）印加し、Ｉｄ−Ｖｇ特性における閾値電圧（Ｖｔｈ）の初期状態からの変化を調べた。なおＶｔｈは、このストレス試験では、例えば図８に示されるＩｄ−Ｖｇ特性においてＩｄが１×１０^−１０ＡとなるＶｇの値とした。図９では、縦軸をＶｔｈの変化（ＶｔｈシフトであるΔＶｔｈ）、横軸をストレス印加時間としている。関連トランジスタのＴＦＴサンプルでは、三角マーク及び破線で示されるように、ストレス印加時間が１０００秒を超えたあたりから、ΔＶｔｈが急激に負側にシフトしていく。これは劣化チャネルでのストレスの影響によるものと考えられる。一方、本実施の形態１に係るＴＦＴサンプルでは、黒丸マーク及び実線で示されるように、ΔＶｔｈはほとんど変化せず、優れた負バイアスストレス耐性を有していることがわかる。これは劣化チャネルの影響が抑制された効果によるものと考えられる。

さらに、本実施の形態１に係るＴＦＴは、チャネル領域ＣＮの表面がエッチングストッパ層８で完全に覆われるととともに、チャネル領域ＣＮ全体が、平面視でゲート電極２の外縁の内側に配置されている。これにより、チャネル領域ＣＮへのＵＶ光の入光を遮断（遮光）することができるので、光劣化も抑制することができる。以上のように、本実施の形態１によれば、ＴＦＴの特性及び安定性を向上させることができる。

なお図５に示すように、本実施の形態１では、チャネル対応部分ＣＮは、平面視においてエッチングストッパ層８の外縁まで配設されているが、これに限ったものではない。例えば、半導体層７及びエッチングストッパ層８のパターニング加工時のプロセスのばらつきによって、両者の外縁形状に若干の相違が生じる場合がある。この場合、チャネル対応部分ＣＮの一部が、平面視においてエッチングストッパ層８の外縁からはみ出ることもある。

図１０に示されるように、チャネル対応部分ＣＮの端面が、エッチングストッパ層８の外縁よりも外側に出た構成では、製造工程のプロセスダメージによって当該端面に格子欠陥を生じさせてしまうので好ましくない。また図１１に示されるように、チャネル対応部分ＣＮの端面が傾斜を有するテーパー形状である構成では、製造工程のプロセスダメージによって当該端面に格子欠陥を生じさせるだけでなく、当該端面の面積が増大して格子欠陥の領域を増大させてしまうので好ましくない。しかしながら、図１０及び図１１に示されるような構成であっても、本実施の形態１に係るＴＦＴによれば、ＴＦＴの特性や安定性をある程度向上させることができる。

＜実施の形態１の変形例＞
上記実施の形態１では、半導体層７のうち劣化チャネルとなる側端部の長さＬｅ２をＴＦＴの実質的なチャネル長Ｌｃよりも長くすることで、劣化チャネルの影響を抑制した。一方、このように構成するだけでなく、劣化チャネルの発生自体を抑制することも劣化チャネルによる影響の抑制にとって有効である。劣化チャネルを引き起こす、半導体層７の端面における格子欠陥は、製造工程におけるプロセスダメージが原因で生じることが多い。このため、製造工程において半導体層７をできるだけ露出させないことは、劣化チャネルの発生抑制にとって有効である。

上記実施の形態１では、図１〜図５に示されるように、チャネル領域ＣＮの表面をエッチングストッパ層８で覆うとともに、半導体層７の外縁形状がエッチングストッパ層８の外縁形状と同一となるようにした。つまり、チャネル対応部分ＣＮは、平面視においてエッチングストッパ層８の外縁まで配設されていた。これにより、半導体層７の露出が少なくなるので、劣化チャネルの発生領域をある程度小さくすることができる。これに対して、以下で説明する本変形例では、劣化チャネルの発生をさらに抑制可能となっている。

図１２は、本変形例に係るＴＦＴの構成を示す断面図である。図１２は、図１に示すＸ−Ｘ線に沿った断面図である。図１２の例では、チャネル対応部分ＣＮは、平面視においてエッチングストッパ層８の外縁よりも内側に配設されている。このような構成によれば、第３絶縁膜からなる保護絶縁層１２１を成膜する場合でも、半導体層７の端面での、成膜のプロセスダメージによる格子欠陥の発生を抑制することができる。この結果、ＴＦＴの特性及び安定性をさらに向上させることができる。

図１３は、本変形例に係るＴＦＴの別構成を示す断面図である。図１３は、図１に示すＸ−Ｘ線に沿った断面図である。図１３の例では、チャネル対応部分ＣＮの端面がエッチングストッパ層８で覆われるように構成されている。このような構成によれば、チャネル対応部分ＣＮの端面での、製造工程のプロセスダメージによる格子欠陥の発生をさらに抑制することができる。この結果、ＴＦＴの特性及び安定性をさらに向上させることができる。

以上のように、本変形例では、チャネル対応部分ＣＮの端面で発生する劣化チャネルについて、その発生領域を小さくしたり、それによる悪影響を緩和したりする構成が採られる。これらの構成では、チャネル対応部分ＣＮの側端部の長さをＴＦＴの実質的なチャネル長よりも長くする必要性は低くなる。このため、本変形例では、必ずしもエッチングストッパ層８の長さを、ソース電極９及びドレイン電極１０の幅よりも長くする必要はない。つまり、チャネル対応部分ＣＮ及びエッチングストッパ層８のそれぞれが、ソース電極９及びドレイン電極１０からソース電極９及びドレイン電極１０の幅方向に突出する必要はない。

従って、例えば、図１２または図１３の構成に、チャネル対応部分ＣＮ及びエッチングストッパ層のそれぞれの、ソース電極及びドレイン電極の幅方向における長さが、ソース電極及びドレイン電極の幅以下である構成を組み合わせてもよい。つまり、図１２または図１３の構成に、エッチングストッパ層の長さを、ソース電極及びドレイン電極の幅と同じとした構成、または、これらの幅より短くした構成を組み合わせてもよい。

このような構成によれば、エッチングストッパ層のサイズを小さくすることができるので、ＴＦＴの平面的なサイズを小さく設計することができる。つまり、実施の形態１に係るＴＦＴと同様に、ＴＦＴの特性及び安定性を向上することができるという効果が得られるだけでなく、ＴＦＴの平面的なサイズを小さくすることができるという付加的な効果も得ることができる。参考のため、エッチングストッパ層８の、ソース電極９及びドレイン電極１０の幅方向における長さが、ソース電極９及びドレイン電極１０の幅より短い構成を、図１２または図１３の構成に組み合わせた構成を図１４に示す。

なお、本変形例の劣化チャネル部分に対して、酸化処理の追加により絶縁化すること、または、エッチングなどの方法の追加によって実質的に劣化チャネル部分を除去することなどを行ってもよい。この場合、劣化チャネルによる悪影響をさらに抑制することができる。

＜実施の形態２＞
＜構造＞
図１５及び図１６を参照して、本発明の実施の形態２に係るＴＦＴ及びＴＦＴ基板の構成について説明する。図１５は、光透過型の画像表示を行うことができるＦＦＳモードのＬＣＤ用ＴＦＴ基板における画素部、画素部（画素表示領域）の外側のゲート端子部、及びソース端子部の平面構成を示す図であり、図１６は、その断面構成を示す図である。図１６では、図１５に示すＸ−Ｘ’線、Ｙ−Ｙ’線及びＺ−Ｚ’線に沿った断面構成が示されている。Ｘ−Ｘ’線に沿った断面構成は、ＴＦＴの配設領域「ＴＦＴ部」と、画素電極２０を含む画素の配設領域「画素電極部」と、ゲート配線３とソース配線１１とが交差する領域「ゲート配線×ソース配線の交差部」とに対応する。Ｙ−Ｙ’線に沿った断面構成は、ゲート配線３にゲート信号を供給するための領域「ゲート端子部」に対応する。Ｚ−Ｚ’線に沿った断面構成は、ソース配線１１に表示信号を印加するための領域「ソース端子部」に対応する。

図１６に示されるように、画素部は、「ＴＦＴ部」と、「画素電極部」と、「ゲート配線×ソース配線の交差部」とを含んでいる。ＴＦＴ基板には、例えばガラス等の透明性絶縁基板である基板１が用いられる。基板１上の「ＴＦＴ部」、「ゲート端子部」及び「画素電極部」には、それぞれ第１導電膜からなるゲート電極２、ゲート端子４及び共通電極５が選択的に配設されている。

図１５において、ゲート配線３及び共通電極５は、互いに概略平行であり、横方向に延在している。ＴＦＴのゲート電極２は、ゲート配線３の一部分であり、ゲート配線３に含まれる。すなわち、ゲート配線３におけるＴＦＴの配置部分がゲート電極２となっている。そして、ゲート端子４は、ゲート配線３の一方の端部に配設されている。

本実施の形態２では、ゲート配線３などの第１導電膜として、例えばＣｕ、Ｍｏ、Ｔｉ、もしくはＡｌ等の金属、または、これらの金属に他の元素を微量に添加してなる合金を用いることができる。ここでは第１導電膜として、Ｍｏを用いる。

図１６に示されるように、ゲート配線３、ゲート端子４及び共通電極５を覆うように、これらの上及び基板１上に第１絶縁膜からなるゲート絶縁層６が配設されている。第１絶縁膜は、バリア（透過遮断）性に優れ、かつ透湿性が低い材料を含むことが好ましい。ここでいうバリア性は、基板１に含まれる不純物原子（イオン）、例えば、リチウム（Ｌｉ）、ホウ素（Ｂ）、炭素（Ｃ）、ナトリウム（Ｎａ）、マグネシウム（Ｍｇ）及びカリウム（Ｋ）等を透過させ難い性質を意味する。本実施の形態２では、第１絶縁膜として、まず不純物原子のバリア性に優れ、かつ高い比誘電率（約６．９）を有するＳｉＮ膜を配設し、さらにＳｉＮ膜上に酸化物絶縁膜であるＳｉＯ膜（誘電率約３．９）を配設した二層構成の絶縁膜を用いる。

酸化物絶縁膜であるＳｉＯ膜は、酸化物半導体膜からなる半導体層７と直接接する界面において、半導体層７が還元されることを抑制する目的で配設される。従って、ＳｉＯ膜に限らず、ＡｌＯ、ＹＯ、ＨｆＯまたはＴａＯ等の金属の酸化物絶縁膜を配設してもよい。このような金属の酸化物絶縁膜は、不純物原子のバリア性にも優れた特性を有する。

図１６に示されるように、ゲート絶縁層６上の「ＴＦＴ部」には、平面視において少なくとも一部がゲート電極２と重なるように、ゲート絶縁層６上に酸化物半導体を含む半導体層７が配設されている。本実施の形態２では、半導体層７は酸化物半導体膜からなり、酸化物半導体膜には、例えば、ＺｎＯや、ＺｎＯにＩｎ_２Ｏ_３を添加したＩｎＺｎＯ系、ＺｎＯにＧａ_２Ｏ_３を添加したＧａＺｎＯ系、ＺｎＯにＩｎ_２Ｏ_３とＳｎＯ_２とを添加したＩｎＺｎＳｎＯ系、またはＺｎＯにＩｎ_２Ｏ_３とＧａ_２Ｏ_３とを添加したＩｎＧａＺｎＯ系を用いることができる。ここでは、酸化物半導体膜としてＩｎＧａＺｎＯ膜を用いる。

図１６に示されるように、半導体層７のうちゲート電極２と平面視にて重なる領域上に、第２絶縁膜からなるエッチングストッパ層８が配設されている。第２絶縁膜としては、酸化物半導体膜からなる半導体層７が還元されないように、酸化物絶縁膜を用いることが好ましい。酸化物絶縁膜には、例えばＳｉＯ膜や、ＡｌＯ、ＹＯ、ＨｆＯまたはＴａＯ等の金属の酸化物絶縁膜を用いることができる。ここでは、第２絶縁膜としてＳｉＯ膜を用いる。

本実施の形態２では、第１方向は、ソース電極９及びドレイン電極１０が延在する方向であるとする。図１６に示されるように、上述した半導体層７は、平面視の第１方向においてエッチングストッパ層８が配設されていない両側部分を有している。

図１５及び図１６に示されるように、半導体層７の上記両側部分の一方及びエッチングストッパ層８の一部上に、第２導電膜からなるソース電極９が配設されている。ソース電極９は、第１方向に延在しかつ第１方向と直交する第２方向に幅を有している。さらに、半導体層７の上記両側部分の他方及びエッチングストッパ層８の一部上に、第２導電膜からなるドレイン電極１０が配設されている。ドレイン電極１０は、ソース電極９と同様に、第１方向に延在しかつ第１方向と直交する第２方向に幅を有している。そして、ソース電極９及びドレイン電極１０は、エッチングストッパ層８上で互いに一定の距離だけ離間して対向するように配設されている。なお、ソース電極９及びドレイン電極１０に用いられる第２導電膜には、例えば第１導電膜と同じ金属もしくは合金膜、または、これらを組み合わせた積層膜を用いることができる。本実施の形態２では、第２導電膜として第１導電膜と同じＭｏ膜を用いる。

なお、図１５の平面視において、ソース電極９及びソース端子１２を含み、第２導電膜からなるソース配線１１が、ゲート配線３及び共通配線（共通電極５）と交差するように縦方向に延設されている。なお、ソース電極９は、ソース配線１１から分岐され、ソース端子１２は、ソース配線１１の一方の端部に配設されている。

図１５及び図１６において、酸化物半導体膜からなる半導体層７は、エッチングストッパ層８、ソース配線１１（ソース電極９，ソース端子１２）及びドレイン電極１０を含む構造体の下面全体にわたって配設されている。すなわち、平面視において、半導体層７の形状は、エッチングストッパ層８、ソース配線１１及びドレイン電極１０を含む構造体の形状によって規定されている。そして、半導体層７のうちエッチングストッパ層８と接する領域がＴＦＴのチャネル領域ＣＮとして機能する。なお、半導体層７のうち平面視における上記両側部分の間の部分は、チャネル領域ＣＮに対応するチャネル対応部分ＣＮである。

図１５に示されるように、本実施の形態２のＴＦＴ部の平面構成では、本実施の形態１のＴＦＴと同様に、エッチングストッパ層８の長さＬｅ１は、ソース電極９及びドレイン電極１０のそれぞれの幅Ｗｓｄよりも長くなっている。これにより、半導体層７のうちのチャネル対応部分ＣＮ、及び、エッチングストッパ層８のそれぞれは、ソース電極９及びドレイン電極１０からソース電極９及びドレイン電極１０の幅方向に突出している。

図１５及び図１６に示されるように、「画素電極部」には第３導電膜からなる画素電極２０が配設されている。画素電極２０は、平面視においてドレイン電極１０の一部領域と接する領域を有し、ドレイン電極１０と電気的に接続されている。また、画素電極２０は、平面視でゲート配線３、共通電極５及び隣接する２本のソース配線１１で囲まれる領域に概ね配設される。本実施の形態２では、平面視において画素電極２０の一部が、共通電極５の一部と重なるように配設されている。これによりゲート絶縁層６を挟んで対向する画素電極２０と共通電極５との間で画素電極２０の保持容量が構成される。

本実施の形態２では、画素電極２０の第３導電膜として光透過性を有する酸化物の透明導電膜を用いる。このような酸化物の透明導電膜としては、例えばＩｎ_２Ｏ_３とＳｎＯ_２とを混合したＩＴＯ膜、または、Ｉｎ_２Ｏ_３とＺｎＯとを混合したＩｎＺｎＯ膜等を用いることができる。ここでは第３導電膜にＩｎＺｎＯ膜を用いる。これにより、「画素電極部」には光透過性を有する透過型の画素電極２０が配設される。

本実施の形態２では、透明導電膜であるＩｎＺｎＯ膜を、画素電極２０だけに用いるようにしたが、例えば、ソース電極９、ソース配線１１及びソース端子１２上に配設されてもよい。この場合は、ソース電極、ソース配線及びソース端子が、実質的に、第２導電膜のＭｏ膜と、第３導電膜のＩｎＺｎＯ膜との積層膜で構成されることになるので、膜中の異物やパターニング不良等に起因するソース配線やソース端子の断線不良を低減することができる。

図１６に示されるように、チャネル領域ＣＮ、ソース電極９、ソース配線１１、ドレイン電極１０及び画素電極２０等を覆うように、画素電極２０上などに第３絶縁膜からなる層間絶縁層２１（層間絶縁膜）が配設されている。本実施の形態２においては、層間絶縁層２１が、酸化物半導体膜からなる半導体層７とほとんど直接接しないので、必ずしも酸素を含む酸化物絶縁膜を第３絶縁膜に用いる必要はない。ここでは、第３絶縁膜として、比誘電率が高く、不純物原子のバリア性に優れるＳｉＮ膜などの絶縁性窒化膜を用いる。

図１５及び図１６に示されるように、「画素電極部」では、共通電極５の表面を露出させるように、ゲート絶縁層６及び層間絶縁層２１に共通電極部コンタクトホール２２が設けられている。また「ゲート端子部」では、ゲート端子４の表面を露出させるように、ゲート絶縁層６及び層間絶縁層２１にゲート端子部コンタクトホール２３が設けられている。さらに「ソース端子部」では、ソース端子１２の表面を露出させるように、層間絶縁層２１にソース端子部コンタクトホール２４が設けられている。

さらに図１５及び図１６に示されるように、「画素電極部」では、平面視にて画素電極２０と重なるように層間絶縁層２１上に、第４導電膜からなる対向電極２５が配設されている。対向電極２５の一部は、共通電極部コンタクトホール２２を通して下方の共通電極５と電気的に接続されており、共通電極５から対向電極２５に一定の電位（共通電位）の信号が供給される。

図１５及び図１６に示されるように、対向電極２５は、平面視で画素電極２０の大部分と重なるように層間絶縁層２１上に配設されている。また本実施の形態２では、対向電極２５は、ゲート配線３、共通電極５及び隣接する２本のソース配線１１に囲まれてなる複数の画素領域に跨っており、各画素領域の対向電極２５同士が接続されるように連続した形状を有している。これにより、例えばひとつの画素領域の共通電極部コンタクトホール２２において、共通電極５と対向電極２５との接触（コンタクト）不良による共通電位信号の導通不良が生じたとしても、隣接した画素領域からの共通電位信号が対向電極２５に供給される。このため、画素単位の表示不良（点欠陥）の発生を抑制することができる。

対向電極２５にはスリット状の開口部ＳＬが設けられている。この構造により、画素電極２０と対向電極２５との間に信号電圧が印加されると、対向電極２５の上方に基板面に対して概略水平方向の電界が発生する。このため本実施の形態２に係るＴＦＴ基板は、横電界駆動仕様であるＦＦＳモードのＬＣＤに適用可能となる。なお、対向電極２５には、スリット状の開口部ＳＬの代わりに櫛歯形状を設けてもよい。

また「ゲート端子部」及び「ソース端子部」では、層間絶縁層２１に設けられたゲート端子部コンタクトホール２３及びソース端子部コンタクトホール２４の領域に、第４導電膜からなるゲート端子パッド２６及びソース端子パッド２７が、それぞれ配設されている。

本実施の形態２では、対向電極２５などの第４導電膜として、酸化物からなる透明導電膜を用いる。ここでは、第４導電膜として、画素電極２０の透明導電膜と同じＩｎＺｎＯ膜を用いる。これにより、「画素電極部」に、画素電極２０及び対向電極２５がともに光透過性を有する透過型の電極を構成することができる。また、「ゲート端子部」及び「ソース端子部」において、信号入力のための駆動用ＩＣ（Integrated Circuit）端子と、ゲート端子またはソース端子との剥がれを抑制できるので、信頼性の高いＩＣ実装を実現することができる。

以上のように構成された本実施の形態２に係るＴＦＴ及びＴＦＴ基板は、光透過型の画像表示を行うことができるＦＦＳモードのＬＣＤ用ＴＦＴ基板として用いることができる。

＜製造方法＞
次に、本実施の形態２に係るＴＦＴ基板の製造方法について、図１７〜図３２に示す製造工程図を参照して説明する。図１７〜図３２のうち図１７などの奇数番号の図は、本実施の形態２に係るＴＦＴ基板の製造工程を示す平面図である。図１７〜図３２のうち図１８などの偶数番号の図は、本実施の形態２に係るＴＦＴ基板の製造工程を示す断面図であり、対応する平面図に示すＸ−Ｘ’線、Ｙ−Ｙ’線及びＺ−Ｚ’線に沿った断面構成が示されている。これら断面図において、Ｘ−Ｘ’線に沿った断面構成は、「ＴＦＴ部」などに対応し、Ｙ−Ｙ’線に沿った断面構成は、「ゲート端子部」に対応し、Ｚ−Ｚ’線に沿った断面構成は、「ソース端子部」に対応する。図１７〜図３２では、図１５及び図１６に示される構成要素に対応する構成要素に、それと同一符号が付されている。なお、製造の最終工程図である図３１及び図３２は、図１５及び図１６に対応している。

＜第１回目の写真製版工程：図１７及び図１８に示す工程＞
まず、基板１を洗浄液または純水を用いて洗浄する。本実施の形態２では、厚さ０．５ｍｍのガラス基板を基板１として用いる。そして、洗浄された基板１上に、ゲート電極２、ゲート配線３等の材料である第１導電膜を成膜する。

第１導電膜としては、例えばＣｕ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｗ、ＴａもしくはＡｌなどの金属、または、これらの金属元素を主成分として他の元素を１種類以上添加した合金等を用いることができる。ここで、主成分の元素とは、合金を構成する元素のうち、含有量が最も多い元素のことを示すものとする。また、第１導電膜は、これらの金属または合金からなる層を２以上含む積層構造であってもよい。これらの金属または合金を用いることによって、比抵抗値が５０μΩｃｍ以下の低抵抗な導電膜を得ることができる。本実施の形態２では、第１導電膜としてＭｏターゲットを用い、アルゴン（Ａｒ）ガスを用いたスパッタリング法で金属膜であるＭｏ膜を２００ｎｍの厚さに成膜する。

その後、第１導電膜上にフォトレジスト材を塗布し、フォトレジスト材のパターン露光及び現像プロセスを含む１回目の写真製版工程でフォトレジストパターンを形成する。フォトレジスト材の現像には、例えば水酸化テトラメチルアンモニウム（Tetramethylammonium hydroxide：ＴＭＡＨ）を２．３８重量％（ｗｔ％）の濃度で含む有機アルカリ現像液が用いられる。そして、当該フォトレジストパターンをマスクとして、第１導電膜のＭｏ膜をエッチングによりパターニングする。ここでは、リン酸（Phosphoric acid）、酢酸（Acetic acid）、硝酸（Nitric acid）を含む混酸であるＰＡＮ薬液によるウエットエッチング法を第１導電膜のパターニングに用いることができる。その後、フォトレジストパターンを除去すると、図１７及び図１８に示されるように、基板１上に、ゲート電極２、ゲート配線３、ゲート端子４及び共通電極５が選択的に形成される。図１７に示すようにゲート配線３及び共通電極５は、平面視で互いに平行であり、横方向に延びるように形成される。ゲート電極２はゲート配線３の一部分として形成され、ゲート端子４はゲート配線３の一方の端部に形成される。

＜第２回目の写真製版工程：図１９及び図２０に示す工程＞
次に、基板１、及び、ゲート電極２を含むゲート配線３上などに、ゲート絶縁層６の材料である第１絶縁膜を成膜する。本実施の形態２では、第１絶縁膜を２層の積層膜で形成する。まず、シラン（ＳｉＨ_４）ガス、アンモニア（ＮＨ_３）ガス及び窒素（Ｎ_２）ガスを原料ガスとしたＰＥＣＶＤ（Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition）法を用いて、ＳｉＮ膜を３５０ｎｍの厚さで成膜する。ＰＥＣＶＤ法で成膜したＳｉＮ膜は、多量の水素（Ｈ）を含む原料ガスを用いて形成されることから、膜中には一般的に２０〜２５ａｔ％の水素（Ｈ）が含まれる。一方で、ＳｉＮ膜は、一般的に密度が大きく緻密な膜質を有する。このため、ＳｉＮ膜は、水分（Ｈ_２Ｏ）やＬｉ、Ｂ、Ｃ、Ｎａ、ＭｇまたはＫ等のＴＦＴ特性に悪影響を及ぼす不純物元素に対するバリア能力が高く、基板１に含まれる不純物が、次に形成される酸化物半導体膜に拡散することを抑制することができる。さらにＳｉＮ膜の比誘電率が大きいため、ＴＦＴ動作時のゲート電極の印加電圧を小さくすることができる。

成膜されたＳｉＮ膜の上に、ＳｉＨ_４ガス及び一酸化二窒素（Ｎ_２Ｏ）ガスを原材料ガスとしたＰＥＣＶＤ法を用いてＳｉＯ膜を５０ｎｍの厚さで成膜する。ＳｉＯ膜は一般に多孔質になりやすく不純物元素に対するバリア性はＳｉＮ膜に劣る。しかしながら、ＳｉＯ膜は、ＳｉＮ膜に比べてＨ含有量が少ない（２〜７％）ことや、Ｏ原子を含むことから、次に形成される酸化物半導体膜との界面において酸化物半導体膜が還元されることを抑制することができる。

次に、ゲート絶縁層６上に半導体層７の材料である酸化物半導体膜ＳＥ１を成膜する。本実施の形態２では、ＩｎとＧａとＺｎを含む酸化物であるＩｎＧａＺｎＯターゲットを用いたスパッタリング法で酸化物半導体膜ＳＥ１を成膜する。具体的には、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ：Ｏの原子組成比が１：１：１：４であるＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ［Ｉｎ_２Ｏ_３・Ｇａ_２Ｏ_３・２（ＺｎＯ）］ターゲットを用いて、ＡｒガスにＯ_２ガスを添加した混合ガスを用いたスパッタリング法でＩｎＧａＺｎＯ膜を５０ｎｍの厚さで成膜する。このとき、Ｏ_２／Ａｒのガス分圧比は、ＩｎＧａＺｎＯ膜が半導体領域の比抵抗値となるように調整する。ここでは、Ｏ_２／Ａｒガス分圧比が１０％の条件でスパッタリングを行い、約１×１０^４Ωｃｍの比抵抗値を有するＩｎＧａＺｎＯ膜からなる酸化物半導体膜ＳＥ１を成膜する。

なお、酸化物半導体膜ＳＥ１のスパッタリングには、Ａｒガスの代わりに、他にも１８族不活性ガスであるＮｅガスやＫｒガスを用いることができる。特にＡｒよりも原子量の大きいＫｒガスを用いた場合は、膜密度の高いＩｎＧａＺｎＯ半導体膜を得ることができるため、より特性が安定した信頼性に優れる酸化物半導体膜を成膜することができる。また、Ｏ_２／Ａｒ分圧比を１０％としたが、これに限らない。例えば、使用するスパッタリング装置に合わせて、比抵抗値が１×１０^−２Ωｃｍ以上１×１０^６Ωｃｍ未満、より好ましくは１Ωｃｍ以上１×１０^５Ωｃｍ未満となるような酸化物半導体膜が得られるように、Ｏ_２／Ａｒ分圧比を適宜調整すればよい。一般的にＩｎＧａＺｎＯ系に代表される金属酸化物膜は、スパッタリング時のＯ_２／Ａｒガス、Ｏ_２／Ｎｅガス、または、Ｏ_２／Ｋｒガスの分圧比を変えることによって、比抵抗値を変えることができる。具体的には、分圧比を下げると比抵抗値を下げることができ、分圧比を上げると比抵抗値を上げることができる。

続けて、酸化物半導体膜ＳＥ１の上に、エッチングストッパ層８の材料である第２絶縁膜を成膜する。本実施の形態２では、第２絶縁膜として、ＳｉＨ_４ガス及び一酸化二窒素（Ｎ_２Ｏ）ガスを原材料ガスとしたＰＥＣＶＤ法を用いてＳｉＯ膜を１００ｎｍの厚さで成膜する。Ｏ原子を含むＳｉＯ膜などの絶縁性酸化膜を形成することによって、その下層である酸化物半導体膜ＳＥ１との界面において酸化物半導体膜ＳＥ１が還元されることを抑制することができる。

その後、第２絶縁膜上にフォトレジスト材を塗布し、２回目の写真製版工程でフォトレジストパターンを形成し、当該フォトレジストパターンをマスクとして、第２絶縁膜であるＳｉＯ膜をエッチングすることによりパターニングする。このエッチングには、フッ素（Ｆ）を含むガスを用いたドライエッチング法を用いることができる。ここでは、六フッ化硫黄（ＳＦ_６）に酸素（Ｏ_２）を加えたガスを用いたドライエッチング法を用いてエッチングを行う。その後、フォトレジストパターンを除去すると、図１９及び図２０に示されるように、「ＴＦＴ部」の酸化物半導体膜ＳＥ１上に、エッチングストッパ層８が形成される。エッチングストッパ層８は、酸化物半導体膜ＳＥ１のうちゲート電極２と平面視で重なる領域上に形成される。

＜第３回目の写真製版工程：図２１〜図２６に示す工程＞
＜図２１及び図２２に示す工程＞
次に、酸化物半導体膜ＳＥ１及びエッチングストッパ層８上などに、ソース電極及びドレイン電極等の材料となる導電膜である第２導電膜Ｍ０を成膜（形成）する。本実施の形態２では、第２導電膜Ｍ０として、第１導電膜と同様にして金属膜であるＭｏ膜を２００ｎｍの厚さに成膜する。

その後、第２導電膜Ｍ０上にフォトレジスト材を塗布し、３回目の写真製版工程でフォトレジストパターンを形成する。図２２に示されるように、フォトレジストパターンは、「ＴＦＴ部」に形成されるフォトレジストパターンＰＲ１，ＰＲ２と、「ゲート配線×ソース配線の交差部」に形成されるフォトレジストパターンＰＲ３と、「ソース端子部」に形成されるフォトレジストパターンＰＲ４とを含む。

図２１に示されるように、ＴＦＴのソース電極を形成するためのフォトレジストパターンＰＲ２と、ゲート配線との交差部を含みソース電極から延設されるソース配線を形成するためのフォトレジストパターンＰＲ３と、ソース配線から延設されソース配線の一方の端部に配設されるソース端子を形成するためのフォトレジストパターンＰＲ４とは、平面視で連続している。

ドレイン電極を形成するためのフォトレジストパターンＰＲ１と、ソース電極を形成するためのフォトレジストパターンＰＲ２とは、エッチングストッパ層８上で互いに一定の距離だけ離間して対向するように形成される。この一定の距離を隔てた領域はＴＦＴのチャネル領域の一部となる。チャネル領域を含む領域では、第２導電膜Ｍ０がフォトレジストパターンＰＲ１，ＰＲ２と、第２絶縁膜からなるエッチングストッパ層８とで覆われてマスキングされる。

＜図２３及び図２４に示す工程＞
次に、図２３及び図２４に示されるように、フォトレジストパターンＰＲ１，ＰＲ２，ＰＲ３，ＰＲ４をマスクとして第２導電膜Ｍ０を選択的にエッチングし、フォトレジストパターンＰＲ１，ＰＲ２，ＰＲ３，ＰＲ４及びエッチングストッパ層８をマスクとして、酸化物半導体膜ＳＥ１を選択的にエッチングする。まず、ＰＡＮ薬液によるウエットエッチング法を用いて、Ｍｏからなる第２導電膜Ｍ０を選択的にエッチングする。続けて、シュウ酸（ジカルボン酸：Oxalic acid）５ｗｔ％濃度の水溶液を含む薬液によるウエットエッチング法を用いて、ＩｎＧａＺｎＯからなる酸化物半導体膜ＳＥ１を選択的にエッチングする。

このとき、フォトレジストパターンＰＲ１，ＰＲ２，ＰＲ３，ＰＲ４をマスクとしてエッチングされる領域では、用いられる薬液によっては、フォトレジストパターン端部と第２導電膜Ｍ０との界面の密着力が低下して、フォトレジストパターン端部が第２導電膜Ｍ０の界面からわずかに剥離する場合がある。この剥離による隙間に薬液が入りこむことで、第２導電膜Ｍ０のエッチング時に基板面と水平方向のエッチング（サイドエッチング）が進む。この結果、第２導電膜Ｍ０のエッチング端面がテーパー状になり、かつ、平面視でフォトレジストパターン端部よりも大きく内側に後退した態様でエッチングされてしまうことがある。このような状態で、酸化物半導体膜ＳＥ１のエッチングを続けると、さらに薬液がフォトレジストパターン端部の剥離部へ染み込み、第２導電膜Ｍ０の端面がフォトレジストパターン端部から大きく内側に後退した領域内へも薬液が浸入しながらエッチングが進行する。この結果、酸化物半導体膜ＳＥ１のエッチング端面もテーパー状に仕上がってしまう場合がある。

すなわち、フォトレジストパターンＰＲ１，ＰＲ２，ＰＲ３，ＰＲ４をマスクとしてエッチングされた第２導電膜Ｍ０及び酸化物半導体膜ＳＥ１のエッチング端面が、テーパー状に形成される場合がある。

しかしながら本実施の形態２の製造方法によれば、フォトレジストパターンＰＲ１，ＰＲ２，ＰＲ３，ＰＲ４をマスクとして、第２導電膜Ｍ０のエッチングが完了した後、チャネル対応部分ＣＮを形成するための酸化物半導体膜ＳＥ１のエッチングは、エッチングストッパ層８などをマスクとして行われることになる。エッチングストッパ層８と酸化物半導体膜ＳＥ１との密着力は強固であるため、エッチングストッパ層８のパターン端部はエッチングの薬液によって酸化物半導体膜ＳＥ１から剥離されることはない。従って、チャネル対応部分ＣＮの端面が概ねテーパー状になることはなく、最終的にチャネル対応部分ＣＮの外縁形状とエッチングストッパ層８の外縁形状とがほぼ同一形状となるパターニングを行うことができる。

なお、適宜エッチング時間を十分に長くすれば、酸化物半導体膜ＳＥ１のパターン端面を平面視でエッチングストッパ層８のパターン端面よりも内側に後退させることは可能である。つまり、最終的にチャネル対応部分ＣＮ及びエッチングストッパ層８の端面を図１２に示されるような形状に仕上げることによって、チャネル対応部分ＣＮの露出ができるだけ少なくなるような構成を形成することは可能である。

＜図２５及び図２６に示す工程＞
その後、フォトレジストパターンＰＲ１，ＰＲ２，ＰＲ３，ＰＲ４を除去する。以上により、図２５及び図２６に示されるように、「ＴＦＴ部」では、酸化物半導体膜ＳＥ１からなる半導体層７と、第２導電膜Ｍ０からなるソース配線１１及びドレイン電極１０とが形成される。

半導体層７は、平面視において少なくとも一部がゲート電極２と重なるようにゲート絶縁層６上に形成される。エッチングストッパ層８は、平面視において半導体層７の両側部分の間の領域のうちゲート電極２と重なる領域上に形成される。

第２導電膜Ｍ０からなるソース配線１１のソース電極９は、半導体層７の上記両側部分の一方及びエッチングストッパ層８の一部上に形成される。第２導電膜Ｍ０からなるドレイン電極１０は、半導体層７の上記両側部分の他方及びエッチングストッパ層８の一部上に形成される。そして、ソース電極９及びドレイン電極１０は、エッチングストッパ層８上で互いに一定の距離だけ離間して対向するように形成される。

半導体層７（酸化物半導体膜ＳＥ１）は、エッチングストッパ層８、ソース配線１１（ソース電極９，ソース端子１２）及びドレイン電極１０を含む構造体の下面全体にわたって形成されている。すなわち、平面視において、半導体層７の形状は、エッチングストッパ層８、ソース配線１１及びドレイン電極１０を含む構造体の平面視での形状によって規定されている。そして、半導体層７のうちエッチングストッパ層８と接する領域がＴＦＴのチャネル領域ＣＮとして機能する。

図２５において、本実施の形態２のＴＦＴの平面構成では、本実施の形態１のＴＦＴと同様に、エッチングストッパ層８の長さＬｅ１は、ソース電極９及びドレイン電極１０のそれぞれの幅Ｗｓｄよりも長くなっている。これにより、半導体層７のうちのチャネル対応部分ＣＮ、及び、エッチングストッパ層８のそれぞれは、ソース電極９及びドレイン電極１０からソース電極９及びドレイン電極１０の幅方向に突出している。

第２導電膜Ｍ０からなるソース電極９は、ゲート配線３と交差部を有するソース配線１１からソース端子１２まで延設された連続したパターンで形成されている。さらに酸化物半導体膜ＳＥ１は、ソース配線１１及びソース端子１２の下面全体にわたって形成されており、それらの部分が最下層ソース配線１１Ｓ及び最下層ソース端子１２Ｓとして形成されている。

＜第４回目の写真製版工程：図２７及び図２８に示す工程＞
次に基板１の上面全面に、画素電極の材料となる第３導電膜Ｃ０を成膜する。本実施の形態２では、第３導電膜Ｃ０として光透過性を有する酸化物からなる透明導電膜を成膜する。ここでは透明導電膜として、Ｉｎ_２Ｏ_３とＺｎＯとを９：１の割合で混合したＩｎＺｎＯターゲットを用いて、ＡｒガスにＯ_２ガスを添加した混合ガスを用いたスパッタリング法でＩｎＺｎＯ膜を１００ｎｍの厚さで成膜する。具体的にはＯ_２／Ａｒガス分圧比が１％の条件でスパッタリングを行い、２×１０^−４Ωｃｍの比抵抗値を有するＩｎＺｎＯ膜からなる透明導電膜を第３導電膜Ｃ０として成膜する。

その後、第３導電膜Ｃ０上にフォトレジスト材を塗布し、４回目の写真製版工程でフォトレジストパターンを形成し、当該フォトレジストパターンをマスクとして、第３導電膜Ｃ０であるＩｎＺｎＯ膜をエッチングすることによりパターニングする。このエッチングには、シュウ酸５ｗｔ％の薬液によるウエットエッチング法を用いることができる。その後、フォトレジストパターンを除去すると、図２７及び図２８に示されるように、「画素電極部」に、ドレイン電極１０と電気的に接続された、光透過性を有する透過型の画素電極２０が形成される。

図２７において、画素電極２０は、平面視でゲート配線３、共通電極５及び隣接する２本のソース配線１１で囲まれる領域に形成される。また本実施の形態２では、平面視において画素電極２０の一部が、共通電極５の一部と重なるように形成されている。これによりゲート絶縁層６を挟んで対向する画素電極２０と共通電極５との間で画素電極の保持容量が形成される。

なお、本工程において、画素電極２０の形成だけではなく、第３導電膜Ｃ０をソース電極９、ソース配線１１及びソース端子１２上に形成してもよい。この場合は、ソース電極、ソース配線及びソース端子が、実質的に、第２導電膜のＭｏ膜と、第３導電膜のＩｎＺｎＯ膜との積層膜で構成されることになるので、膜中の異物やパターニング不良等に起因するソース配線やソース端子の断線不良を低減することができる。

＜第５回目の写真製版工程：図２９及び図３０に示す工程＞
次に、基板１の上面全面に、層間絶縁層２１の材料である第３絶縁膜を成膜する。本実施の形態２では、第３絶縁膜として、ＳｉＨ_４ガス、アンモニアＮＨ_３ガス及び窒素Ｎ_２ガスを原料ガスとしたＰＥＣＶＤ法を用いて、ＳｉＮ膜を２００ｎｍの厚さで成膜する。ＳｉＮ膜は、Ｈ_２ＯやＬｉ、Ｂ、Ｃ、Ｎａ、ＭｇまたはＫ等のＴＦＴ特性に悪影響を及ぼす不純物に対するバリア能力が高く、不純物が外部から半導体層７に拡散することを抑制することができる。またＳｉＮ膜の比誘電率は比較的大きいため、画素電極２０と、この後の第６回目の写真製版工程で層間絶縁層２１上に形成される対向電極２５との間で形成される画素電極の単位面積あたりの保持容量を大きくすることができる。これにより、ＬＣＤの高い表示品質を得ることができる。

本実施の形態２では、酸化物半導体膜からなるチャネル対応部分ＣＮの大部分が、ＳｉＯ膜からなるエッチングストッパ層８で覆われるため、チャネル対応部分ＣＮは層間絶縁層２１とほとんど直接接することがない。このことに鑑みて、ここではＳｉＮ膜の単層で層間絶縁層２１を形成するようにしたが、ＳｉＮ膜を成膜する前に、エッチングストッパ層８上に例えばＳｉＯ膜等のＯ原子を含む酸化物絶縁膜を成膜してもよい。ＳｉＯ膜を形成することによって、ＳｉＮ膜の成膜時に酸化物半導体膜からなる半導体層７の還元抑制に対するマージンを向上させることができる。

その後、第３絶縁膜上にフォトレジスト材を塗布し、５回目の写真製版工程でフォトレジストパターンを形成し、当該フォトレジストパターンをマスクとして、第３絶縁膜であるＳｉＮ膜をエッチングすることによりパターニングする。このエッチングには、ＳＦ_６にＯ_２を加えたガスを用いたドライエッチング法を用いることができる。

その後、フォトレジストパターンを除去すると、図２９及び図３０に示されるように、層間絶縁層２１が形成される。「画素電極部」では、共通電極５の表面を露出させるように、ゲート絶縁層６及び層間絶縁層２１に共通電極部コンタクトホール２２が形成される。また「ゲート端子部」では、ゲート端子４の表面を露出させるように、ゲート絶縁層６及び層間絶縁層２１にゲート端子部コンタクトホール２３が形成される。さらに「ソース端子部」では、ソース端子１２の表面を露出させるように、層間絶縁層２１にソース端子部コンタクトホール２４が形成される。

＜第６回目の写真製版工程：図３１及び図３２に示す工程＞
次に、基板１の上面全面に、対向電極２５等の材料となる第４導電膜を成膜する。本実施の形態２では、第４導電膜として第３導電膜Ｃ０と同じ透明導電膜であるＩｎＺｎＯ膜を用いる。ここでは第３導電膜Ｃ０と同様にして、ＩｎＺｎＯ膜を１００ｎｍの厚さに成膜する。

その後、第４導電膜上にフォトレジスト材を塗布し、６回目の写真製版工程でフォトレジストパターンを形成し、当該フォトレジストパターンをマスクとして、第４導電膜であるＩｎＺｎＯ膜をエッチングすることによりパターニングする。このエッチングには、シュウ酸５ｗｔ％の薬液によるウエットエッチング法を用いることができる。

その後、フォトレジストパターンを除去すると、図３１及び図３２に示されるように、「画素電極部」では、画素電極２０に重なる領域の層間絶縁層２１の上に、第４導電膜からなる対向電極２５が形成される。対向電極２５の一部は、共通電極部コンタクトホール２２を通して下方の共通電極５と電気的に接続されており、一定の電位が印加できるように形成されている。

図３１において、対向電極２５は、平面視で画素電極２０の大部分と重なるように形成されている。また対向電極２５は、ゲート配線３、共通電極５及び隣接する２本のソース配線１１に囲まれてなる複数の画素領域に跨っており、各画素領域の対向電極２５同士が接続されるように連続した形状を有している。これにより、例えばひとつの画素領域の共通電極部コンタクトホール２２において、共通電極５と対向電極２５との接触（コンタクト）不良による共通電位信号の導通不良が生じたとしても、隣接した画素領域からの共通電位信号が対向電極２５に供給される。このため、画素単位の表示不良（点欠陥）の発生を抑制することができる。

図３１及び図３２において、「ゲート端子部」及び「ソース端子部」では、層間絶縁層２１に設けられたゲート端子部コンタクトホール２３及びソース端子部コンタクトホール２４の領域に、第４導電膜からなるゲート端子パッド２６及びソース端子パッド２７が、それぞれ形成されている。

本実施の形態２では、対向電極２５などの第４導電膜として、酸化物からなる透明導電膜であるＩｎＺｎＯ膜を用いる。これにより、「画素電極部」に、画素電極２０及び対向電極２５がともに光透過性を有する透過型の電極を形成することができ、画素電極領域の開口透過率を向上させることができる。また、「ゲート端子部」及び「ソース端子部」において、信号入力のための駆動用ＩＣ端子と、ゲート端子またはソース端子との剥がれを抑制できるので、信頼性の高いＩＣ実装を実現することができる。

本実施の形態２に係るＴＦＴ及びＴＦＴ基板は、以上の工程を経て製造が完了され、光透過型の画像表示を行うことができるＦＦＳモードのＬＣＤ用ＴＦＴ基板として用いることができる。

液晶表示パネルの組み立ての際には、完成したＴＦＴ基板の表面に配向膜やスペーサを形成する。配向膜は、液晶を配列させるための膜であり、ポリイミド等で構成される。また、別途作製したカラーフィルタ及び配向膜等を備えた対向基板を、本実施の形態２のＴＦＴ基板と貼り合わせる。このときスペーサによってＴＦＴ基板と対向基板との間に隙間が形成され、その隙間に液晶層を封止することによって、ＦＦＳモードなどの横電界方式の液晶表示パネルが形成される。最後に、液晶表示パネルの外側に偏光板、位相差板、駆動回路及びバックライトユニット等を配設することによってＬＣＤが完成する。

＜実施の形態２のまとめ＞
本実施の形態２に係るＴＦＴ及びＴＦＴ基板の製造方法によれば、「ＴＦＴ部」に上記実施の形態１及びその変形例と同じ構成のＥＳ型の酸化物ＴＦＴを形成することができるので、良好な特性及び高い信頼性を有する酸化物ＴＦＴを製造することができる。

また、２回目の写真製版工程で、酸化物半導体膜ＳＥ１上にパターニングされたエッチングストッパ層８を形成した後、３回目の写真製版工程で、半導体層７、ソース電極９及びドレイン電極１０を一括して形成することができる。このため、ＥＳ型の酸化物ＴＦＴを備えたＦＦＳモードなどの横電界方式のＬＣＤ用ＴＦＴ基板を、６回という比較的少ない回数の写真製版工程で製造することができる。このため、生産性の向上及び低コスト化が期待できる。

なお、本実施の形態２では、横電界方式のＬＣＤ用ＴＦＴ基板の構成及び製造方法について説明したが、対向電極２５を形成する前の５回目の写真製版工程まで完了したＴＦＴ基板を用いることで、ＥＳ型の酸化物ＴＦＴを備えたＴＮモードなどの縦電界方式のＬＣＤ用ＴＦＴ基板を製造することも可能である。

このようなＴＮモードの液晶表示パネルの組み立ての際、完成したＴＦＴ基板の表面に配向膜やスペーサを形成する。また、別途作製したカラーフィルタ、配向膜、及び、対向電極等を備えた対向基板を、当該ＴＦＴ基板と貼り合わせる。このときスペーサによってＴＦＴ基板と対向基板との間に隙間が形成され、その隙間に液晶層を封止することによって、縦電界方式のＴＮモードの液晶表示パネルが形成される。最後に、液晶表示パネルの外側に偏光板、位相差板、駆動回路及びバックライトユニット等を配設することによってＬＣＤが完成する。

＜実施の形態２の変形例＞
＜構造＞
図３３及び図３４を参照して、実施の形態２の変形例に係るＴＦＴ基板の構成について説明する。図３３は、光透過型の画像表示を行うことができるＦＦＳモードのＬＣＤ用ＴＦＴ基板における画素部、画素部（画素表示領域）の外側のゲート端子部、及びソース端子部の平面構成を示す図であり、図３４は、その断面構成を示す図である。図３４では、図３３に示すＸ−Ｘ’線、Ｙ−Ｙ’線及びＺ−Ｚ’線に沿った断面構成が示されている。これら断面図において、Ｘ−Ｘ’線に沿った断面構成は、「ＴＦＴ部」などに対応し、Ｙ−Ｙ’線に沿った断面構成は、「ゲート端子部」に対応し、Ｚ−Ｚ’線に沿った断面構成は、「ソース端子部」に対応する。

図３３及び図３４に示されるように、本実施の形態２の変形例に係るＴＦＴ基板では、ゲート配線３とソース配線１１とが交差する「ゲート配線×ソース配線の交差部」の領域に、絶縁層であるエッチングストッパ層１３が配設されている。このエッチングストッパ層１３の絶縁材料は、ＴＦＴのチャネル領域ＣＮに配設されたエッチングストッパ層８の絶縁材料と同じ第２絶縁膜である。

図３３において、エッチングストッパ層１３は、ゲート配線３及び共通電極５とソース配線１１とが交差する領域に、島状パターンで配設されている。図３４において、「ゲート配線×ソース配線の交差部」の領域では、エッチングストッパ層１３が、ゲート配線３による段差部に跨ってソース配線１１下に配設されている。このエッチングストッパ層１３によって、ゲート配線３の厚みに起因する凸部の段差形状が緩やかになるように緩和される。このため、段差部におけるソース配線１１のカバレッジが改善されるので、段差部におけるソース配線１１の断線不良を低減することが可能となる。

＜実施の形態３＞
＜構造＞
図３５及び図３６を参照して、本発明の実施の形態３に係るＴＦＴ及びＴＦＴ基板の構成について説明する。図３５は、光透過型の画像表示を行うことができるＦＦＳモードのＬＣＤ用ＴＦＴ基板における画素部、画素部（画素表示領域）の外側のゲート端子部、及びソース端子部の平面構成を示す図であり、図３６は、その断面構成を示す図である。図３６では、図３５に示すＸ−Ｘ’線、Ｙ−Ｙ’線及びＺ−Ｚ’線に沿った断面構成が示されている。Ｘ−Ｘ’線に沿った断面構成は、ＴＦＴの配設領域「ＴＦＴ部」と、画素電極２０を含む画素の配設領域「画素電極部」と、ゲート配線３とソース配線１１とが交差する領域「ゲート配線×ソース配線の交差部」とに対応する。Ｙ−Ｙ’線に沿った断面構成は、ゲート配線３にゲート信号を供給するための領域「ゲート端子部」に対応する。Ｚ−Ｚ’線に沿った断面構成は、ソース配線１１に表示信号を印加するための領域「ソース端子部」に対応する。

図３６に示されるように、画素部は、「ＴＦＴ部」と、「画素電極部」と、「ゲート配線×ソース配線の交差部」とを含んでいる。ＴＦＴ基板には、例えばガラス等の透明性絶縁基板である基板１を用いられる。基板１上の「ＴＦＴ部」、「ゲート端子部」及び「画素電極部」には、それぞれ第１導電膜からなるゲート電極２、ゲート端子４及び共通電極５が選択的に配設されている。

図３５において、ゲート配線３及び共通電極５は、互いに概略平行であり、横方向に延在している。ＴＦＴのゲート電極２は、ゲート配線３の一部分であり、ゲート配線３に含まれる。すなわち、ゲート配線３におけるＴＦＴの配置部分がゲート電極２となっている。そして、ゲート端子４は、ゲート配線３の一方の端部に配設されている。

本実施の形態３では、ゲート配線３などの第１導電膜として、例えばＣｕ、Ｍｏ、Ｔｉ、もしくはＡｌ等の金属、または、これらの金属に他の元素を微量に添加してなる合金を用いることができる。ここでは第１導電膜として、上記実施の形態２と同様にＭｏを用いる。

図３６に示されるように、ゲート電極２、ゲート端子４及び共通電極５を覆うように、これらの上及び基板１上に第１絶縁膜からなるゲート絶縁層６が配設されている。本実施の形態３では、上記実施の形態２と同様に、第１絶縁膜として、不純物原子のバリア性に優れるＳｉＮ膜と、ＳｉＮ膜上に酸化物絶縁膜であるＳｉＯ膜を配設した二層構成の絶縁膜を用いる。

酸化物絶縁膜であるＳｉＯ膜は、酸化物半導体膜からなる半導体層７と直接接する界面において、半導体層７が還元されることを抑制する目的で配設される。従って、ＳｉＯ膜に限らず、ＡｌＯ、ＹＯ、ＨｆＯまたはＴａＯ等の金属の酸化物絶縁膜を配設してもよい。本実施の形態３では、酸化物半導体膜として、上記実施の形態２と同様にＩｎＧａＺｎＯ膜を用いる。

図３６に示されるように、ゲート絶縁層６上の「ＴＦＴ部」には、平面視において少なくとも一部がゲート電極２と重なるように、ゲート絶縁層６上に酸化物半導体を含む半導体層７が配設されている。本実施の形態３では、上記実施の形態２と同様に、半導体層７は酸化物半導体膜であり、酸化物半導体膜としてＩｎＧａＺｎＯ膜を用いる。

図３６に示されるように、半導体層７のうちゲート電極２と平面視にて重なる領域上に、第２絶縁膜からなるエッチングストッパ層８が配設されている。第２絶縁膜としては、酸化物半導体膜からなる半導体層７が還元されないように、酸化物絶縁膜を用いることが好ましく、ここでは第２絶縁膜として、上記実施の形態２と同様にＳｉＯ膜を用いる。

本実施の形態３では、第１方向は、ソース電極９及びドレイン電極１０が延在する方向であるとする。図３６に示されるように、上述した半導体層７は、平面視の第１方向においてエッチングストッパ層８が配設されていない両側部分を有している。

図３５及び図３６に示されるように、半導体層７の上記両側部分の一方及びエッチングストッパ層８の一部上に、下層導電膜Ｃ１からなる下層ソース電極９Ｃが配設されている。下層ソース電極９Ｃは、第１方向に延在しかつ第１方向と直交する第２方向に幅を有している。さらに、半導体層７の上記両側部分の他方及びエッチングストッパ層８の一部上に、下層導電膜Ｃ１からなる下層ドレイン電極１０Ｃが配設されている。下層ドレイン電極１０Ｃは、下層ソース電極９Ｃと同様に、第１方向に延在しかつ第１方向と直交する第２方向に幅を有している。そして、下層ソース電極９Ｃ及び下層ドレイン電極１０Ｃは、エッチングストッパ層８上で互いに一定の距離だけ離間して対向するように配設されている。

本実施の形態３では、ソース配線（ソース電極，ソース端子）及びドレイン電極は、実質的に、下層導電膜Ｃ１と上層導電膜Ｍ１とからなる二層を含んでいる。そして、下層導電膜Ｃ１としては、下層ソース配線１１Ｃ（下層ソース電極９Ｃ，下層ソース端子１２Ｃ）及び下層ドレイン電極１０Ｃが配設されている。上層導電膜Ｍ１としては、ソース配線１１（ソース電極９，ソース端子１２）及びドレイン電極１０が配設されている。

本実施の形態３では、下層導電膜Ｃ１として酸化物を含む透明導電体からなる透明導電膜を用いる。このような酸化物導電膜としては、例えばＩｎ_２Ｏ_３とＳｎＯ_２とを混合したＩＴＯ膜、または、Ｉｎ_２Ｏ_３とＺｎＯとを混合したＩｎＺｎＯ膜等を用いることができる。ここでは下層導電膜Ｃ１としてＩｎＺｎＯ膜を用いる。また本実施の形態３では、上層導電膜Ｍ１として金属または合金からなる導電膜を用いる。ここでは上層導電膜Ｍ１として第１導電膜と同じＭｏ膜を用いる。

酸化物半導体膜からなる半導体層７は、エッチングストッパ層８、ソース配線１１（ソース電極９，ソース端子１２）、ドレイン電極１０、下層ソース配線１１Ｃ（下層ソース電極９Ｃ，下層ソース端子１２Ｃ）及び下層ドレイン電極１０Ｃを含む構造体の下面全体にわたって配設されている。すなわち、平面視において、半導体層７の形状は、エッチングストッパ層８、ソース配線１１、ドレイン電極１０、下層ソース配線１１Ｃ及び下層ドレイン電極１０Ｃを含む構造体の形状によって規定されている。そして、半導体層７のうちエッチングストッパ層８と接する領域がＴＦＴのチャネル領域ＣＮとして機能する。なお、半導体層７のうち平面視における上記両側部分の間の部分は、チャネル領域ＣＮに対応するチャネル対応部分ＣＮである。

図３５に示されるように、本実施の形態３のＴＦＴ部の平面構成では、本実施の形態１，２のＴＦＴと同様に、エッチングストッパ層８の長さＬｅ１は、ソース電極９及びドレイン電極１０のそれぞれの幅Ｗｓｄよりも長くなっている。これにより、半導体層７のうちのチャネル対応部分ＣＮ、及び、エッチングストッパ層８のそれぞれは、ソース電極９及びドレイン電極１０からソース電極９及びドレイン電極１０の幅方向に突出している。

図３５及び図３６において、下層導電膜Ｃ１からなる下層ドレイン電極１０Ｃは、その下の半導体層７と接した状態で「画素電極部」まで延設されている。一方、上層導電膜Ｍ１からなるドレイン電極１０は、「画素電極部」において除去されている。これにより、「画素電極部」では、半導体層７と同じ酸化物半導体膜ＳＥ１からなる下層画素電極２０Ｓと、下層ドレイン電極１０Ｃと同じ下層導電膜Ｃ１（透明導電膜）との積層構造が、画素電極として機能する。酸化物半導体膜ＳＥ１も下層導電膜Ｃ１も光透過性を有するため、「画素電極部」では光透過性を有する透過型の電極が配設される。

「画素電極部」の下層導電膜Ｃ１である画素電極２０は、平面視でゲート配線３、共通電極５及び隣接する２本のソース配線１１で囲まれる領域に概ね配設される。また本実施の形態３では、平面視において画素電極２０の一部が、共通電極５の一部と重なるように配設されている。これによりゲート絶縁層６を挟んで対向する画素電極２０と共通電極５との間で画素電極２０の保持容量が構成される。

「ＴＦＴ部」では、上層導電膜Ｍ１からなるソース電極９と、下層導電膜Ｃ１からなる下層ソース電極９Ｃとの積層構成が、ソース配線１１からソース端子１２まで連続的に延設されている。すなわち、上層導電膜Ｍ１からなるソース配線１１は、下層導電膜Ｃ１からなる下層ソース配線１１Ｃに積層されており、上層導電膜Ｍ１からなるソース端子１２は、下層導電膜Ｃ１からなる下層ソース端子１２Ｃに積層されている。また、半導体層７が、下層ソース配線１１Ｃ及び下層ソース端子１２Ｃなどの下面全体にわたって配設されており、それぞれ最下層ソース配線１１Ｓ及び最下層ソース端子１２Ｓとして配設される。すなわち、半導体層７が、下層ソース配線１１Ｃから下層ソース端子１２Ｃまでわたって連続するパターンなどを有している。このような構成によれば、膜中の異物やパターニング不良に起因するソース配線やソース端子の断線不良を低減することができる。

図３６に示されるように、チャネル領域ＣＮ、ソース電極９、ソース配線１１、ドレイン電極１０及び画素電極２０等を覆うように、画素電極２０上などに第３絶縁膜からなる層間絶縁層２１（層間絶縁膜）が配設されている。本実施の形態３においては、層間絶縁層２１が、酸化物半導体膜からなる半導体層７とほとんど直接接しないので、必ずしも酸素を含む酸化物絶縁膜を第３絶縁膜に用いる必要はない。ここでは、第３絶縁膜として、上記実施の形態２と同様に、比誘電率が高く、不純物原子のバリア性に優れるＳｉＮ膜などの絶縁性窒化膜を用いる。

図３５及び図３６に示されるように、「画素電極部」では、共通電極５の表面を露出させるように、ゲート絶縁層６及び層間絶縁層２１に共通電極部コンタクトホール２２が設けられている。また「ゲート端子部」では、ゲート端子４の表面を露出させるように、ゲート絶縁層６及び層間絶縁層２１にゲート端子部コンタクトホール２３が設けられている。さらに「ソース端子部」では、ソース端子１２の表面を露出させるように、層間絶縁層２１にソース端子部コンタクトホール２４が設けられている。

「画素電極部」では、平面視にて画素電極２０と重なるように層間絶縁層２１上に、第３導電膜からなる対向電極２５が配設されている。対向電極２５の一部は、共通電極部コンタクトホール２２を通して下方の共通電極５と電気的に接続されており、共通電極５から対向電極２５に一定の電位（共通電位）信号が供給される。

図３５及び図３６に示されるように、対向電極２５は、平面視で画素電極２０の大部分と重なるように層間絶縁層２１上に配設されている。また本実施の形態３では、上記実施の形態２と同様に、対向電極２５は、ゲート配線３、共通電極５及び隣接する２本のソース配線１１に囲まれてなる複数の画素領域に跨っており、各画素領域の対向電極２５同士が接続されるように連続した形状を有している。これにより、例えばひとつの画素領域の共通電極部コンタクトホール２２において、共通電極５と対向電極２５との接触（コンタクト）不良による共通電位信号の導通不良が生じたとしても、隣接した画素領域からの共通電位信号が対向電極２５に供給される。このため、画素単位の表示不良（点欠陥）の発生を抑制することができる。

対向電極２５にはスリット状の開口部ＳＬが設けられている。この構造により、画素電極２０と対向電極２５との間に信号電圧が印加されると、対向電極２５の上方に基板面に対して概略水平方向の電界が発生する。このため本実施の形態３に係るＴＦＴ基板は、横電界駆動仕様であるＦＦＳモードのＬＣＤに適用可能となる。なお、対向電極２５には、スリット状の開口部ＳＬの代わりに櫛歯形状を設けてもよい。

また「ゲート端子部」及び「ソース端子部」では、層間絶縁層２１に設けられたゲート端子部コンタクトホール２３及びソース端子部コンタクトホール２４の領域に、第３導電膜からなるゲート端子パッド２６及びソース端子パッド２７が、それぞれ配設されている。

本実施の形態３では、対向電極２５などの第３導電膜として、酸化物からなる透明導電膜を用いる。ここでは、第３導電膜として、下層導電膜Ｃ１と同じＩｎＺｎＯ膜を用いる。これにより、「画素電極部」に、画素電極２０及び対向電極２５がともに光透過性を有する透過型の電極を構成することができる。また、「ゲート端子部」及び「ソース端子部」において、信号入力のための駆動用ＩＣ端子と、ゲート端子またはソース端子との剥がれを抑制できるので、信頼性の高いＩＣ実装を実現することができる。

以上のように構成された本実施の形態３に係るＴＦＴ及びＴＦＴ基板は、光透過型の画像表示を行うことができるＦＦＳモードのＬＣＤ用ＴＦＴ基板として用いることができる。

＜製造方法＞
次に、本実施の形態３に係るＴＦＴ基板の製造方法について、図面を参照して説明する。本実施の形態３に係るＴＦＴ基板の製造方法においては、ゲート電極２等が形成される第１回目の写真製版工程と、エッチングストッパ層８等が形成される第２回目の写真製版工程とは、上記実施の形態２のＴＦＴ基板と同じ製造方法を用いることができる。このため、以下の説明では、これらの説明は省略し、第３回目の写真製版工程から図面を参照して説明する。

図３７〜図５０のうち図３７などの奇数番号の図は、本実施の形態３に係るＴＦＴ基板の製造工程を示す平面図である。図３７〜図５０のうち図３８などの偶数番号の図は、本実施の形態３に係るＴＦＴ基板の製造工程を示す断面図であり、対応する平面図に示すＸ−Ｘ’線、Ｙ−Ｙ’線及びＺ−Ｚ’線に沿った断面構成が示されている。これら断面図において、Ｘ−Ｘ’線に沿った断面構成は、「ＴＦＴ部」などに対応し、Ｙ−Ｙ’線に沿った断面構成は、「ゲート端子部」に対応し、Ｚ−Ｚ’線に沿った断面構成は、「ソース端子部」に対応する。図３７〜図５０では、図３５及び図３６に示される構成要素に対応する構成要素に、それと同一符号が付されている。なお、製造の最終工程図である図４９及び図５０は、図３５及び図３６に対応している。

＜第３回目の写真製版工程：図３７〜図４６に示す工程＞
＜図３７及び図３８に示す工程＞
上記実施の形態２に係るＴＦＴ基板の製造方法の第２回目までの写真製版工程（図１９及び図２０）を経て、酸化物半導体膜ＳＥ１及びエッチングストッパ層８などが基板１上に形成されている。これら酸化物半導体膜ＳＥ１及びエッチングストッパ層８上などに、ソース電極、ドレイン電極及び画素電極等の材料となる、上層導電膜Ｍ１及び下層導電膜Ｃ１を含む第２導電膜を成膜する。まず第２導電膜の下層導電膜Ｃ１として光透過性を有する酸化物からなる透明導電膜を成膜する。ここでは透明導電膜として、Ｉｎ_２Ｏ_３とＺｎＯとを９：１の割合で混合したＩｎＺｎＯターゲットを用いて、ＡｒガスにＯ_２ガスを添加した混合ガスを用いたスパッタリング法でＩｎＺｎＯ膜を１００ｎｍの厚さで成膜する。具体的にはＯ_２／Ａｒガス分圧比が１％の条件でスパッタリングを行い、２×１０^−４Ωｃｍの比抵抗値を有するＩｎＺｎＯ膜からなる下層導電膜Ｃ１を成膜する。その後、下層導電膜Ｃ１の上に、第２導電膜の上層導電膜Ｍ１として、第１導電膜と同様にＭｏ膜を２００ｎｍの厚さに成膜する。

その後、第２導電膜の上層導電膜Ｍ１上にフォトレジスト材を塗布し、３回目の写真製版工程でフォトレジストパターンを形成する。図３８に示されるように、フォトレジストパターンは、「ＴＦＴ部」から「画素電極部」まで跨って形成されるフォトレジストパターンＰＲ１と、「ＴＦＴ部」に形成されるフォトレジストパターンＰＲ２と、「ゲート配線×ソース配線の交差部」に形成されるフォトレジストパターンＰＲ３と、「ソース端子部」に形成されるフォトレジストパターンＰＲ４とが形成される。フォトレジストパターンＰＲ１は、ＴＦＴのドレイン電極を形成するためのドレイン電極領域のフォトレジストパターンＰＲ１ａと、画素電極を形成するための画素電極領域のフォトレジストパターンＰＲ１ｂとを含む。

図３７に示されるように、ＴＦＴのソース電極を形成するためのフォトレジストパターンＰＲ２と、ゲート配線との交差部を含みソース電極から延設されるソース配線を形成するためのフォトレジストパターンＰＲ３と、ソース配線から延設されソース配線の一方の端部に配設されるソース端子を形成するためのフォトレジストパターンＰＲ４とは、平面視で連続している。

フォトレジストパターンＰＲ１とフォトレジストパターンＰＲ２とは、エッチングストッパ層８上で互いに一定の距離だけ離間して対向するように形成される。この一定の距離を隔てた領域はＴＦＴのチャネル領域の一部となる。チャネル領域を含む領域では、上層導電膜Ｍ１がフォトレジストパターンＰＲ１，ＰＲ２と、第２絶縁膜からなるエッチングストッパ層８とで覆われてマスキングされる。

図３８に示されるように、第１フォトレジストパターンであるフォトレジストパターンＰＲ１ａ，ＰＲ２，ＰＲ３，ＰＲ４のそれぞれの厚さｈ１ａ，ｈ２，ｈ３，ｈ４はほぼ同じである。一方、第２フォトレジストパターンである画素電極領域のフォトレジストパターンＰＲ１ｂの厚さｈ１ｂは、厚さｈ１ａ，ｈ２，ｈ３，ｈ４よりも薄くなっている。本実施の形態３では、厚さｈ１ａ，ｈ２，ｈ３，ｈ４が約２．５μｍであり、厚さｈ１ｂが約１．０μｍである。なお、各々のフォトレジストパターンＰＲ１ａ，ＰＲ２，ＰＲ３，ＰＲ４において、若干の厚さの差異があってもよい。このような差異は、フォトレジストが形成される表面の形状に起因して生じ得るものであり、例えば、第１導電膜または第２絶縁膜の膜厚程度の大きさである。

このように異なる厚さを有するフォトレジストパターンは、第２導電膜の上層導電膜Ｍ１上に、例えばノボラック系樹脂で構成されるほぼ均一な厚さを有するポジ型のフォトレジストを所望の最大膜厚（上記の例では２．５μｍ）となるように塗布形成した後に、当該フォトレジストを露光する時に露光量を多段階に制御することで形成することができる。すなわち、当該フォトレジスト露光時に、露光光を遮光する領域（フォトレジストパターンＰＲ１，ＰＲ２，ＰＲ３，ＰＲ４に対応した領域）と、露光光の強度を減光させて照射する領域（フォトレジストパターンＰＲ１ｂに対応した領域）と、露光光を直接照射する領域と、に分けて露光処理を行う。その後、フォトレジストの現像処理を行うと、フォトレジストのうち、露光光が直接照射された領域の部分は完全に除去され、遮光された領域の部分は最大膜厚で残存し、減光された領域の部分の膜厚は低減される。このように露光量を多段階に制御する方法としては、グレイトーンまたはハーフトーンのフォトマスクを用いた公知のフォトリソグラフィープロセスを用いることができる。

＜図３９及び図４０に示す工程＞
次に、図３９及び図４０に示されるように、フォトレジストパターンＰＲ１，ＰＲ２，ＰＲ３，ＰＲ４をマスクとして、第２導電膜の上層導電膜Ｍ１及び下層導電膜Ｃ１を順に選択的にエッチングする。その後、フォトレジストパターンＰＲ１，ＰＲ２，ＰＲ３，ＰＲ４及びエッチングストッパ層８をマスクとして酸化物半導体膜ＳＥ１を選択的にエッチングする。まず、ＰＡＮ薬液によるウエットエッチング法を用いて、第２導電膜のＭｏからなる上層導電膜Ｍ１を選択的にエッチングする。続けて、シュウ酸５ｗｔ％濃度の水溶液を含む薬液によるウエットエッチング法を用いて、第２導電膜のＩｎＺｎＯからなる下層導電膜Ｃ１とＩｎＧａＺｎＯからなる酸化物半導体膜ＳＥ１とを順に選択的にエッチングする。

このとき、上記実施の形態２においても述べたように、フォトレジストパターンＰＲ１，ＰＲ２，ＰＲ３，ＰＲ４をマスクとしてエッチングされる領域では、用いられる薬液によっては、フォトレジストパターン端部と第２導電膜の上層導電膜Ｍ１との界面の密着力が低下して、フォトレジストパターン端部が第２導電膜の上層導電膜Ｍ１の界面からわずかに剥離する場合がある。この剥離による隙間に薬液が入りこむことで、第２導電膜の上層導電膜Ｍ１のエッチング時に基板面と水平方向のエッチング（サイドエッチング）が進む。この結果、上層導電膜Ｍ１のエッチング端面がテーパー状になり、かつ、平面視でフォトレジストパターン端部よりも大きく内側に後退した態様でエッチングされてしまうことがある。このような状態で、第２導電膜の下層導電膜Ｃ１及び酸化物半導体膜ＳＥ１のエッチングを続けると、さらに薬液がフォトレジストパターン端部の剥離部へ染み込み、第２導電膜の上層導電膜Ｍ１の端面がフォトレジストパターン端部から大きく内側に後退した領域内へも薬液が浸入しながらエッチングが進行する。この結果、第２導電膜の下層導電膜Ｃ１及び酸化物半導体膜ＳＥ１のエッチング端面もテーパー状に仕上がってしまう場合がある。

すなわち、フォトレジストパターンＰＲ１，ＰＲ２，ＰＲ３，ＰＲ４をマスクとしてエッチングされた第２導電膜の上層導電膜Ｍ１及び下層導電膜Ｃ１並びに酸化物半導体膜ＳＥ１のエッチング端面が、テーパー状に形成される場合がある。

しかしながら本実施の形態３の製造方法によれば、フォトレジストパターンＰＲ１，ＰＲ２，ＰＲ３，ＰＲ４をマスクとして、第２導電膜（上層導電膜Ｍ１及び下層導電膜Ｃ１）のエッチングが完了した後、チャネル対応部分ＣＮを形成するための酸化物半導体膜ＳＥ１のエッチングは、エッチングストッパ層８などをマスクとして行われることになる。エッチングストッパ層８と酸化物半導体膜ＳＥ１との密着力は強固であるため、エッチングストッパ層８のパターン端部はエッチングの薬液によって酸化物半導体膜ＳＥ１から剥離されることはない。従って、チャネル対応部分ＣＮの端面が概ねテーパー状になることはなく、最終的にチャネル対応部分ＣＮの外縁形状とエッチングストッパ層８の外縁形状とがほぼ同一形状となるパターニングを行うことができる。

＜図４１及び図４２に示す工程＞
その後、図４２の複数の矢印に示されるように、基板１の上面全体にＯ_２プラズマを照射して、フォトレジストパターンＰＲ１，ＰＲ２，ＰＲ３，ＰＲ４をアッシング（Ashing）する。これにより厚さが薄いフォトレジストパターンＰＲ１ｂが完全に除去され、「画素電極部」において上層導電膜Ｍ１が露出する。また、厚さが厚いフォトレジストＰＲ１ａ，ＰＲ２，ＰＲ３，ＰＲ４は薄膜化し（後退し）、図４１及び図４２に示されるように、それぞれの厚さがｈ１ａ’，ｈ２’，ｈ３’，ｈ４’である後退されたフォトレジストパターンＰＲ１ａ’，ＰＲ２’，ＰＲ３’，ＰＲ４’が形成される。なお、アッシングによる薄膜化に伴い、フォトレジストパターンＰＲ１ａ’，ＰＲ２’，ＰＲ３’，ＰＲ４’の外縁形状は、平面視で元のフォトレジストパターンＰＲ１，ＰＲ２，ＰＲ３，ＰＲ４の外縁形状に比べて、全体的に内側に後退して縮小化される。一方、ＴＦＴのチャネル対応部分ＣＮを形成するためのマスクとなるエッチングストッパ層８は、膜厚及び形状ともにほとんど変化せず、Ｏ_２プラズマの照射によりＯ原子が供給されてさらに酸化される。これにより、エッチングストッパ層８は、化学量論比のＳｉＯ_２に近い、化学的に安定なＳｉＯ膜となる。

＜図４３及び図４４に示す工程＞
次に、図４３及び図４４に示されるように、フォトレジストパターンＰＲ１ａ’，ＰＲ２’，ＰＲ３’，ＰＲ４’をマスクとして、第２導電膜のＭｏからなる上層導電膜Ｍ１を選択的にエッチングすることによりパターニングする。このエッチングには、例えばＰＡＮ薬液によるウエットエッチング法が用いられる。これにより、「画素電極部」に、酸化物半導体膜ＳＥ１と、第２導電膜の下層導電膜Ｃ１との積層膜からなる画素電極が形成される。酸化物半導体膜ＳＥ１も第２導電膜の下層導電膜Ｃ１も光透過性を有するため、「画素電極部」では光透過性を有する透過型の電極が形成される。

＜図４５及び図４６に示す工程＞
その後、フォトレジストパターンＰＲ１ａ’，ＰＲ２’，ＰＲ３’，ＰＲ４’を除去する。これにより、図４５及び図４６に示されるように、「ＴＦＴ部」では、酸化物半導体膜ＳＥ１からなる半導体層７と、第２導電膜Ｍ０からなるソース配線１１及びドレイン電極１０とが形成される。

上層導電膜Ｍ１からなるソース配線１１のソース電極９は、半導体層７の上記両側部分の一方及びエッチングストッパ層８の一部上に形成される。ソース電極９下には、下層導電膜Ｃ１からなる下層ソース電極９Ｃが形成されている。上層導電膜Ｍ１からなるドレイン電極１０は、半導体層７の上記両側部分の他方及びエッチングストッパ層８の一部上に形成される。ドレイン電極１０下には、下層導電膜Ｃ１からなる下層ドレイン電極１０Ｃが形成されている。そして、ソース電極９及び下層ソース電極９Ｃと、ドレイン電極１０及び下層ドレイン電極１０Ｃとは、エッチングストッパ層８上で互いに一定の距離だけ離間して対向するように形成される。

半導体層７（酸化物半導体膜ＳＥ１）は、エッチングストッパ層８、ソース配線１１（ソース電極９，ソース端子１２）、ドレイン電極１０、下層ソース配線１１Ｃ（下層ソース電極９Ｃ，下層ソース端子１２Ｃ）及び下層ドレイン電極１０Ｃを含む構造体の下面全体にわたって形成されている。すなわち、平面視において、半導体層７の形状は、エッチングストッパ層８、ソース配線１１ドレイン電極１０、下層ソース配線１１Ｃ及び下層ドレイン電極１０Ｃを含む構造体の平面視での形状によって規定されている。そして、半導体層７のうちエッチングストッパ層８と接する領域がＴＦＴのチャネル領域ＣＮとして機能する。

図４５において、本実施の形態３のＴＦＴの平面構成では、本実施の形態１，２のＴＦＴと同様に、エッチングストッパ層８の長さＬｅ１は、ソース電極９及びドレイン電極１０のそれぞれの幅Ｗｓｄよりも長くなっている。これにより、半導体層７のうちのチャネル対応部分ＣＮ、及び、エッチングストッパ層８のそれぞれは、ソース電極９及びドレイン電極１０からソース電極９及びドレイン電極１０の幅方向に突出している。

図４５及び図４６において、下層導電膜Ｃ１（透明導電膜）からなる下層ドレイン電極１０Ｃは、その下の半導体層７（酸化物半導体膜ＳＥ１）と接した状態で「画素電極部」まで延設されている。一方、上層導電膜Ｍ１からなるドレイン電極１０は、「画素電極部」において除去されている。これにより、「画素電極部」では、酸化物半導体膜ＳＥ１からなる下層画素電極２０Ｓと、下層ドレイン電極１０Ｃと同じ下層導電膜Ｃ１（透明導電膜）からなる画素電極２０との積層構造が、画素電極として機能する。酸化物半導体膜ＳＥ１も下層導電膜Ｃ１も光透過性を有するため、「画素電極部」では光透過性を有する透過型の電極が形成される。

「画素電極部」の下層導電膜Ｃ１である画素電極２０は、平面視でゲート配線３、共通電極５及び隣接する２本のソース配線１１で囲まれる領域に概ね形成される。また本実施の形態３では、平面視において画素電極２０の一部が、共通電極５の一部と重なるように形成されている。これによりゲート絶縁層６を挟んで対向する画素電極２０と共通電極５との間で画素電極２０の保持容量が形成される。

「ＴＦＴ部」では、上層導電膜Ｍ１からなるソース電極９と、下層導電膜Ｃ１からなる下層ソース電極９Ｃとの積層構成が、ソース配線１１からソース端子１２まで連続的に延設されている。すなわち、上層導電膜Ｍ１からなるソース配線１１は、下層導電膜Ｃ１からなる下層ソース配線１１Ｃに積層されており、上層導電膜Ｍ１からなるソース端子１２は、下層導電膜Ｃ１からなる下層ソース端子１２Ｃに積層されている。また、半導体層７が、下層ソース配線１１Ｃ及び下層ソース端子１２Ｃなどの下面全体にわたって形成されており、それぞれの部分が、最下層ソース配線１１Ｓ及び最下層ソース端子１２Ｓとして形成される。このような構成によれば、膜中の異物やパターニング不良に起因するソース配線やソース端子の断線不良を低減することができる。

＜第４回目の写真製版工程：図４７及び図４８に示す工程＞
次に、基板１の上面全面に、層間絶縁層２１の材料である第３絶縁膜を成膜する。本実施の形態３では、第３絶縁膜として、上記実施の形態２と同様にＳｉＮ膜を２００ｎｍの厚さで成膜する。ＳｉＮ膜は、Ｈ原子を多く含むので、酸化物半導体膜からなる半導体層７を還元させて特性を劣化させるが、本実施の形態３ではチャネル対応部分ＣＮの大部分が、ＳｉＯ膜からなるエッチングストッパ層８で覆われるため、ＳｉＮ膜の単層で形成することができる。さらに本実施の形態３では、第３回目の写真製版工程において、フォトレジストをアッシングするためのＯ_２プラズマ照射時に、エッチングストッパ層８のＳｉＯ膜にＯ原子が供給されて化学的に安定なＳｉＯ膜が形成されているので、ＳｉＮ膜による還元作用の影響をさらに強力に抑制できる。もちろん、ＳｉＮ膜を成膜する前に、エッチングストッパ層８上にＳｉＯ膜等のＯ原子を含む酸化物絶縁膜を成膜してもよい。

その後、第３絶縁膜上にフォトレジスト材を塗布し、４回目の写真製版工程でフォトレジストパターンを形成し、当該フォトレジストパターンをマスクとして、第３絶縁膜であるＳｉＮ膜をエッチングすることによりパターニングする。このエッチングには、ＳＦ_６にＯ_２を加えたガスを用いたドライエッチング法を用いることができる。

その後、フォトレジストパターンを除去すると、図４７及び図４８に示されるように、層間絶縁層２１が形成される。「画素電極部」では、共通電極５の表面を露出させるように、ゲート絶縁層６及び層間絶縁層２１に共通電極部コンタクトホール２２が形成される。また「ゲート端子部」では、ゲート端子４の表面を露出させるように、ゲート絶縁層６及び層間絶縁層２１にゲート端子部コンタクトホール２３が形成される。さらに「ソース端子部」では、ソース端子１２の表面を露出させるように、層間絶縁層２１にソース端子部コンタクトホール２４が形成される。

＜第５回目の写真製版工程：図４９及び図５０に示す工程＞
次に、基板１の上面全面に、対向電極２５等の材料となる第３導電膜を成膜する。本実施の形態３では、第３導電膜として第２導電膜の下層導電膜Ｃ１と同じ酸化物の透明導電膜であるＩｎＺｎＯ膜を用いる。ここでは第２導電膜の下層導電膜Ｃ１と同様にして、ＩｎＺｎＯ膜を１００ｎｍの厚さに成膜する。

その後、第３導電膜上にフォトレジスト材を塗布し、５回目の写真製版工程でフォトレジストパターンを形成し、当該フォトレジストパターンをマスクとして、第３導電膜であるＩｎＺｎＯ膜をエッチングすることによりパターニングする。このエッチングには、シュウ酸５ｗｔ％の薬液によるウエットエッチング法を用いることができる。

その後、フォトレジストパターンを除去すると、図４９及び図５０に示されるように、「画素電極部」では、画素電極２０に重なる領域の層間絶縁層２１の上に、第３導電膜からなる対向電極２５が形成される。対向電極２５の一部は、共通電極部コンタクトホール２２を通して下方の共通電極５と電気的に接続されており、一定の電位が印加できるように形成されている。

図４９において、対向電極２５は、平面視で画素電極２０の大部分と重なるように形成されている。また対向電極２５は、上記実施の形態２と同様に、ゲート配線３、共通電極５及び隣接する２本のソース配線１１に囲まれてなる複数の画素領域に跨っており、各画素領域の対向電極２５同士が接続されるように連続した形状を有している。これにより、例えばひとつの画素領域の共通電極部コンタクトホール２２において、共通電極５と対向電極２５との接触（コンタクト）不良による共通電位信号の導通不良が生じたとしても、隣接した画素領域からの共通電位信号が当該対向電極２５に供給される。このため、画素単位の表示不良（点欠陥）の発生を抑制することができる。

図４９及び図５０において、「ゲート端子部」及び「ソース端子部」では、層間絶縁層２１に設けられたゲート端子部コンタクトホール２３及びソース端子部コンタクトホール２４の領域に、第３導電膜からなるゲート端子パッド２６及びソース端子パッド２７が、それぞれ形成されている。

本実施の形態３では、対向電極２５などの第３導電膜として、酸化物からなる透明導電膜を用いる。これにより、「画素電極部」を、画素電極２０及び対向電極２５がともに光透過性を有する透過型の電極として形成することができ、画素電極領域の開口透過率を向上させることができる。また、「ゲート端子部」または「ソース端子部」において、信号入力のための駆動用ＩＣ端子と、ゲート端子またはソース端子との剥がれを抑制できるので、信頼性の高いＩＣ実装を実現することができる。

本実施の形態３に係るＴＦＴ及びＴＦＴ基板は、以上の工程を経て製造が完了され、光透過型の画像表示を行うことができるＦＦＳモードのＬＣＤ用ＴＦＴ基板として用いることができる。

液晶表示パネルの組み立ての際は、完成したＴＦＴ基板の表面に配向膜やスペーサを形成する。配向膜は、液晶を配列させるための膜であり、ポリイミド等で構成される。また、別途作製したカラーフィルタ及び配向膜等を備えた対向基板を、本実施の形態３のＴＦＴ基板と貼り合わせる。このときスペーサによってＴＦＴ基板と対向基板との間に隙間が形成され、その隙間に液晶層を封止することによって、ＦＦＳモードなどの横電界方式の液晶表示パネルが形成される。最後に、液晶表示パネルの外側に偏光板、位相差板、駆動回路及びバックライトユニット等を配設することによってＬＣＤが完成する。

＜実施の形態３のまとめ＞
本実施の形態３に係るＴＦＴ及びＴＦＴ基板の製造方法によれば、「ＴＦＴ部」に上記実施の形態１及びその変形例と同じ構成のＥＳ型の酸化物ＴＦＴを形成することができるので、良好な特性及び高い信頼性を有する酸化物ＴＦＴを製造することができる。

また、２回目の写真製版工程で、酸化物半導体膜ＳＥ１上にパターニングされたエッチングストッパ層８を形成した後、３回目の写真製版工程で、半導体層７、ソース電極９、ドレイン電極１０及び画素電極２０を一括して形成することができる。このため、ＥＳ型の酸化物ＴＦＴを備えたＦＦＳモードなどの横電界方式のＬＣＤ用ＴＦＴ基板を、上記実施の形態２よりも１回少ない５回の写真製版工程で製造することができる。このため、さらなる生産性の向上及び低コスト化が期待できる。

なお、本実施の形態３では、横電界方式のＬＣＤ用ＴＦＴ基板の構成及び製造方法について説明したが、対向電極２５を形成する前の４回目の写真製版工程まで完了したＴＦＴ基板を用いることで、ＥＳ型の酸化物ＴＦＴを備えたＴＮモードなどの縦電界方式のＬＣＤ用ＴＦＴ基板を製造することも可能である。

このようなＴＮモードの液晶表示パネルの組み立ての際、完成したＴＦＴ基板の表面に配向膜やスペーサを形成する。また、別途作製したカラーフィルタ、配向膜及び対向電極等を備えた対向基板を、当該ＴＦＴ基板と貼り合わせる。このときスペーサによってＴＦＴ基板と対向基板との間に隙間が形成され、その隙間に液晶層を封止することによって、縦電界方式のＴＮモードの液晶表示パネルが形成される。最後に、液晶表示パネルの外側に偏光板、位相差板、駆動回路及びバックライトユニット等を配設することによってＬＣＤが完成する。

＜実施の形態３の変形例＞
＜構造＞
本実施の形態３に係るＴＦＴ基板においても、上記実施の形態２の変形例と同様に、ゲート配線３とソース配線１１とが交差する「ゲート配線×ソース配線の交差部」の領域に、絶縁層であるエッチングストッパ層１３が配設されてもよい。このエッチングストッパ層１３の絶縁材料は、ＴＦＴのチャネル領域ＣＮに配設されたエッチングストッパ層８の絶縁材料と同じ第２絶縁膜である。

エッチングストッパ層１３は、ゲート配線３及び共通電極５とソース配線１１とが交差する領域に、島状パターンで配設される。このエッチングストッパ層１３によって、ゲート配線３の厚みに起因する凸部の段差形状が緩やかになるように緩和される。このため、段差部におけるソース配線１１のカバレッジが改善されるので、段差部におけるソース配線１１の断線不良を低減することが可能となる。

＜実施の形態４＞
＜構造＞
本発明の実施の形態４に係るＴＦＴ及びＴＦＴ基板は、上記実施の形態３において「画素電極部」に配設される画素電極の膜構成を変えたものである。図５１及び図５２を参照して、本実施の形態４に係るＴＦＴ及びＴＦＴ基板の構成について説明する。図５１は、光透過型の画像表示を行うことができるＦＦＳモードのＬＣＤ用ＴＦＴ基板における画素部、画素部（画素表示領域）の外側のゲート端子部、及びソース端子部の平面構成を示す図であり、図５２は、その断面構成を示す図である。図５２では、図５１に示すＸ−Ｘ’線、Ｙ−Ｙ’線及びＺ−Ｚ’線に沿った断面構成が示されている。Ｘ−Ｘ’線に沿った断面構成は、ＴＦＴの配設領域「ＴＦＴ部」と、画素電極１２０Ｓを含む画素の配設領域「画素電極部」と、ゲート配線３とソース配線１１とが交差する領域「ゲート配線×ソース配線の交差部」とに対応する。Ｙ−Ｙ’線に沿った断面構成は、ゲート配線３にゲート信号を供給するための領域「ゲート端子部」に対応する。Ｚ−Ｚ’線に沿った断面構成は、ソース配線１１に表示信号を印加するための領域「ソース端子部」に対応する。

図５１において、画素部は、「ＴＦＴ部」と、「画素電極部」と、「ゲート配線×ソース配線の交差部」とを含んでいる。本実施の形態４では、上記実施の形態３とは異なり、「画素電極部」に配設される透過型の下層導電膜からなる下層ドレイン電極１０Ｃ（図３５）が省略されている。そして本実施の形態４では、半導体層７（酸化物半導体膜ＳＥ１）のうち導電特性が付与された領域によって透過型の画素電極１２０Ｓが配設されている。

また図５１及び図５２に示されるように、ソース電極９から延設されたソース配線１１、及びソース配線１１の一方の端部に配設されるソース端子１２に至る下面全体には、それぞれ酸化物半導体膜ＳＥ１からなり導電特性が付与された最下層ソース配線１１１Ｓ及び最下層ソース端子１１２Ｓが配設されている。これにより、膜中の異物やパターニング不良に起因するソース配線やソース端子の断線不良を低減することができる。

以上のように、本実施の形態４に係るＴＦＴ及びＴＦＴ基板は、画素電極に固有の透明導電膜の代わりに、光透過性を有する酸化物半導体膜ＳＥ１のうち導体化させた部分を画素電極１２０Ｓとして有する。これにより、良好な特性及び高い信頼性を有するＥＳ型の酸化物ＴＦＴを備えたＦＦＳモードなどの横電界方式のＬＣＤ用ＴＦＴ基板の製造工程が簡略化されるので、上記実施の形態３よりも生産性の向上及び低コスト化が期待できる。

＜製造方法＞
次に、本実施の形態４に係るＴＦＴ基板の製造方法について、図面を参照して説明する。本実施の形態４に係るＴＦＴ基板の製造方法においては、ゲート電極２等が形成される第１回目の写真製版工程と、エッチングストッパ層８等が形成される第２回目の写真製版工程とは、上記実施の形態２のＴＦＴ基板と同じ製造方法を用いることができる。このため、以下の説明では、これらの説明は省略し、第３回目の写真製版工程から図面を参照して説明する。

図５３〜図６６のうち図５３などの奇数番号の図は、本実施の形態４に係るＴＦＴ基板の製造工程を示す平面図である。図５３〜図６６のうち図５４などの偶数番号の図は、本実施の形態４に係るＴＦＴ基板の製造工程を示す断面図であり、対応する平面図に示すＸ−Ｘ’線、Ｙ−Ｙ’線及びＺ−Ｚ’線に沿った断面構成が示されている。これら断面図において、Ｘ−Ｘ’線に沿った断面構成は、「ＴＦＴ部」などに対応し、Ｙ−Ｙ’線に沿った断面構成は、「ゲート端子部」に対応し、Ｚ−Ｚ’線に沿った断面構成は、「ソース端子部」に対応する。図５３〜図６６では、図５１及び図５２に示される構成要素に対応する構成要素に、それと同一符号が付されている。なお、製造の最終工程図である図６５及び図６６は、図５１及び図５２に対応している。

＜第３回目の写真製版工程：図５３〜図６２に示す工程＞
＜図５３及び図５４に示す工程＞
上記実施の形態２に係るＴＦＴ基板の製造方法の第２回目までの写真製版工程（図１９及び図２０）を経て、酸化物半導体膜ＳＥ１及びエッチングストッパ層８などが基板１上に形成されている。これら酸化物半導体膜ＳＥ１及びエッチングストッパ層８上などに、ソース電極及びドレイン電極及び画素電極等の材料となる、第２導電膜Ｍ２を成膜する。ここでは第２導電膜Ｍ２を、第１導電膜と同様にして金属のＭｏ膜を２００ｎｍの厚さに成膜する。

その後、第２導電膜Ｍ２上にフォトレジスト材を塗布し、３回目の写真製版工程でフォトレジストパターンを形成する。図５４に示されるように、フォトレジストパターンは、「ＴＦＴ部」から「画素電極部」まで跨って形成されるフォトレジストパターンＰＲ１と、「ＴＦＴ部」に形成されるフォトレジストパターンＰＲ２と、「ゲート配線×ソース配線の交差部」に形成されるフォトレジストパターンＰＲ３と、「ソース端子部」に形成されるフォトレジストパターンＰＲ４が形成される。フォトレジストパターンＰＲ１は、ＴＦＴのドレイン電極を形成するためのドレイン電極領域のフォトレジストパターンＰＲ１ａと、画素電極を形成するための画素電極領域のフォトレジストパターンＰＲ１ｂとを含む。

図５３に示されるように、ＴＦＴのソース電極を形成するためのフォトレジストパターンＰＲ２と、ゲート配線との交差部を含みソース電極から延設されるソース配線を形成するためのフォトレジストパターンＰＲ３と、ソース配線から延設されソース配線の一方に端部に配設されるソース端子を形成するためのフォトレジストパターンＰＲ４とは、平面視で連続している。

フォトレジストパターンＰＲ１とフォトレジストパターンＰＲ２とは、エッチングストッパ層８上で互いに一定の距離だけ離間して対向するように形成される。この一定の距離を隔てた領域はＴＦＴのチャネル領域の一部となる。チャネル領域を含む領域では、第２導電膜Ｍ２がフォトレジストパターンＰＲ１，ＰＲ２と、第２絶縁膜からなるエッチングストッパ層８とで覆われてマスキングされる。

図５４に示されるように、第１フォトレジストパターンであるフォトレジストパターンＰＲ１ａ，ＰＲ２，ＰＲ３，ＰＲ４のそれぞれの厚さｈ１ａ，ｈ２，ｈ３，ｈ４はほぼ同じである。一方、第２フォトレジストパターンである画素電極領域のフォトレジストパターンＰＲ１ｂの厚さｈ１ｂは、厚さｈ１ａ，ｈ２，ｈ３，ｈ４よりも薄くなっている。本実施の形態４では、厚さｈ１ａ，ｈ２，ｈ３，ｈ４が約２．５μｍであり、厚さｈ１ｂが約１．０μｍである。なお、各々のフォトレジストパターンＰＲ１ａ，ＰＲ２，ＰＲ３，ＰＲ４において、若干の厚さの差異があってもよい。このような差異は、フォトレジストが形成される表面の形状に起因して生じ得るものであり、例えば、第１導電膜または第２絶縁膜の膜厚程度の大きさである。

このように異なる厚さを有するフォトレジストパターンは、第２導電膜Ｍ２上に、例えばノボラック系樹脂で構成されるほぼ均一な厚さを有するポジ型フォトレジストを所望の最大膜厚（上記の例では２．５μｍ）となるように塗布形成した後に、当該フォトレジストを露光する時に露光量を多段階に制御することで形成することができる。すなわち、当該フォトレジスト露光時に、露光光を遮光する領域（フォトレジストパターンＰＲ１，ＰＲ２，ＰＲ３，ＰＲ４に対応した領域）と、露光光の強度を減光させて照射する領域（フォトレジストパターンＰＲ１ｂに対応した領域）と、露光光を直接照射する領域と、に分けて露光処理を行う。その後、フォトレジストの現像処理を行うと、フォトレジストのうち、露光光が直接照射された領域の部分は完全に除去され、遮光された領域の部分は最大膜厚で残存し、減光された領域の部分の膜厚は低減される。このように露光量を多段階に制御する方法としては、グレイトーンまたはハーフトーンのフォトマスクを用いた公知のフォトリソグラフィープロセスを用いることができる。

＜図５５及び図５６に示す工程＞
次に、図５５及び図５６に示されるように、フォトレジストパターンＰＲ１，ＰＲ２，ＰＲ３，ＰＲ４をマスクとして、第２導電膜Ｍ２を選択的にエッチングする。その後、フォトレジストパターンＰＲ１，ＰＲ２，ＰＲ３，ＰＲ４及びエッチングストッパ層８をマスクとして酸化物半導体膜ＳＥ１を選択的にエッチングする。まず、ＰＡＮ薬液によるウエットエッチング法を用いて、Ｍｏからなる第２導電膜Ｍ２を選択的にエッチングする。続けて、シュウ酸５ｗｔ％濃度の水溶液を含む薬液によるウエットエッチング法を用いて、ＩｎＧａＺｎＯからなる酸化物半導体膜ＳＥ１を選択的にエッチングする。

このとき、上記実施の形態２においても述べたように、フォトレジストパターンＰＲ１，ＰＲ２，ＰＲ３，ＰＲ４をマスクとしてエッチングされる領域では、用いられる薬液によっては、フォトレジストパターン端部と第２導電膜Ｍ２との界面の密着力が低下して、フォトレジストパターン端部が第２導電膜Ｍ２の界面からわずかに剥離する場合がある。この剥離による隙間に薬液が入りこむことで、第２導電膜Ｍ２のエッチング時に基板面と水平方向のエッチング（サイドエッチング）が進む。この結果、第２導電膜Ｍ２のエッチング端面がテーパー状になり、かつ、平面視でフォトレジストパターン端部よりも大きく内側に後退した態様でエッチングされてしまうことがある。このような状態で、酸化物半導体膜ＳＥ１のエッチングを続けると、さらに薬液がフォトレジストパターン端部の剥離部へ染み込み、第２導電膜Ｍ２の端面がフォトレジストパターン端部から大きく内側に後退した領域内へも薬液が浸入しながらエッチングが進行する。この結果、酸化物半導体膜ＳＥ１のエッチング端面もテーパー状に仕上がってしまう場合がある。

すなわち、フォトレジストパターンＰＲ１，ＰＲ２，ＰＲ３，ＰＲ４をマスクとしてエッチングされた第２導電膜Ｍ２及び酸化物半導体膜ＳＥ１のエッチング端面が、テーパー状に形成される場合がある。

しかしながら本実施の形態４の製造方法によれば、フォトレジストパターンＰＲ１，ＰＲ２，ＰＲ３，ＰＲ４をマスクとして、第２導電膜Ｍ２のエッチングが完了した後、チャネル対応部分ＣＮを形成するための酸化物半導体膜ＳＥ１のエッチングは、エッチングストッパ層８などをマスクとして行われることになる。エッチングストッパ層８と酸化物半導体膜ＳＥ１との密着力は強固であるため、エッチングストッパ層８のパターン端部はエッチングの薬液によって酸化物半導体膜ＳＥ１から剥離されることはない。従って、チャネル対応部分ＣＮの端面が概ねテーパー状になることはなく、最終的にチャネル対応部分ＣＮの外縁形状とエッチングストッパ層８の外縁形状とがほぼ同一形状となるパターニングを行うことができる。

＜図５７及び図５８に示す工程＞
その後、図５８の複数の矢印に示されるように、基板１上の上面全体にＯ_２プラズマを照射して、フォトレジストパターンＰＲ１，ＰＲ２，ＰＲ３，ＰＲ４をアッシングする。これにより厚さが薄いフォトレジストパターンＰＲ１ｂが完全に除去され、「画素電極部」において第２導電膜Ｍ２が露出する。また、厚さが厚いフォトレジストＰＲ１ａ，ＰＲ２，ＰＲ３，ＰＲ４は薄膜化し（後退し）、図５７及び図５８に示されるように、それぞれの厚さがｈ１ａ’，ｈ２’，ｈ３’，ｈ４’である後退されたフォトレジストパターンＰＲ１ａ’，ＰＲ２’，ＰＲ３’，ＰＲ４’が形成される。なお、アッシングによる薄膜化に伴い、フォトレジストパターンＰＲ１ａ’，ＰＲ２’，ＰＲ３’，ＰＲ４’の外縁形状は、平面視で元のフォトレジストパターンＰＲ１，ＰＲ２，ＰＲ３，ＰＲ４の外縁形状に比べて、全体的に内側に後退して縮小化される。一方、ＴＦＴのチャネル対応部分ＣＮを形成するためのマスクとなるエッチングストッパ層８は、膜厚及び形状ともにほとんど変化せず、Ｏ_２プラズマの照射によりＯ原子が供給されてさらに酸化される。これにより、エッチングストッパ層８は、化学量論比のＳｉＯ_２に近い、化学的に安定なＳｉＯ膜となる。

＜図５９及び図６０に示す工程＞
次に、図５９及び図６０に示されるように、フォトレジストパターンＰＲ１ａ’，ＰＲ２’，ＰＲ３’，ＰＲ４’をマスクとして、Ｍｏからなる第２導電膜Ｍ２を選択的にエッチングすることによりパターニングする。このエッチングには、例えばＰＡＮ薬液によるウエットエッチング法が用いられる。これにより、「画素電極部」において、第２導電膜Ｍ２が除去され、酸化物半導体膜ＳＥ１が残る。

＜図６１及び図６２に示す工程＞
その後、フォトレジストパターンＰＲ１ａ’，ＰＲ２’，ＰＲ３’，ＰＲ４’を除去する。その後、図６２の複数の矢印に示されるように、例えば低圧水銀灯を用いて、基板１に対して裏面側から全面に紫外線（ＵＶ）光を照射する。この処理を行うことで、基板１を透過したＵＶ光が照射される酸化物半導体膜ＳＥ１が選択的に導電化される。これにより、酸化物半導体膜ＳＥ１のうちＵＶ光が照射された部分の電気抵抗が低減し、その部分は半導体から導電体に変化する。このときの導電体の比抵抗値は、１×１０^−２Ω・ｃｍ以下であることが好ましく、１×１０^−３Ω・ｃｍ以下であることがさらに好ましい。このような酸化物半導体膜ＳＥ１の導電化された部分が、画素電極１２０Ｓと、ソース配線１１の下層である最下層ソース配線１１１Ｓと、ソース端子１２の下層である最下層ソース端子１１２Ｓとなる。

ＵＶ光としては、酸化物半導体膜ＳＥ１を効率よく導体化できるように、４５０ｎｍ以下の波長領域に強度ピークを有する光を用いことが好ましい。なお、本実施の形態４では低圧水銀灯を照射したが、これに限られることなく、例えば紫外線レーザー光等を用いることもできる。

一方、図６１の平面視において、酸化物半導体膜ＳＥ１のうちゲート電極２、ゲート配線３及び共通電極５と重なる領域は、基板裏面からのＵＶ光が遮光されるため半導体としての特性が維持される。このため、図６１及び図６２に示されるように、「ＴＦＴ部」では、酸化物半導体膜ＳＥ１のうちゲート電極２と重なる部分であってエッチングストッパ層８下の部分を、半導体層７として残存させることができる。つまり、半導体層７は、平面視において少なくとも一部がゲート電極２と重なるようにゲート絶縁層６上に形成される。エッチングストッパ層８は、平面視において半導体層７の両側部分の間の領域のうちゲート電極２と重なる領域上に形成される。

さらに「ＴＦＴ部」では、第２導電膜Ｍ２からなるソース配線１１のソース電極９は、半導体層７の上記両側部分の一方及びエッチングストッパ層８の一部上に形成される。第２導電膜Ｍ２からなるドレイン電極１０は、半導体層７の上記両側部分の他方及びエッチングストッパ層８の一部上に形成される。そして、ソース電極９及びドレイン電極１０は、エッチングストッパ層８上で互いに一定の距離だけ離間して対向するように形成される。

半導体層７は、エッチングストッパ層８、ソース配線１１（ソース電極９，ソース端子１２）及びドレイン電極１０を含む構造体の下面全体にわたって形成されている。すなわち、平面視において、半導体層７の形状は、エッチングストッパ層８、ソース配線１１及びドレイン電極１０を含む構造体の平面視での形状によって規定されている。そして、半導体層７のうちエッチングストッパ層８と接する領域がＴＦＴのチャネル領域ＣＮとして機能する。

図６１において、本実施の形態４のＴＦＴの平面構成では、本実施の形態１乃至３のＴＦＴと同様に、エッチングストッパ層８の長さＬｅ１は、ソース電極９及びドレイン電極１０の幅Ｗｓｄよりも長くなっている。これにより、半導体層７のうちのチャネル対応部分ＣＮ、及び、エッチングストッパ層８のそれぞれは、ソース電極９及びドレイン電極１０からソース電極９及びドレイン電極１０の幅方向に突出している。

図６１及び図６２において、半導体層７から連続し、ドレイン電極１０と接する酸化物半導体膜ＳＥ１は、「画素電極部」まで延設されて形成されており、導体化されている。また、「画素電極部」ではドレイン電極１０を形成している第２導電膜Ｍ２は除去されている。このため、「画素電極部」では、半導体層７から連続する、導体化された酸化物半導体膜ＳＥ１によって、光透過性を有する透過型の画素電極１２０Ｓが形成される。

図６１において、画素電極１２０Ｓは、平面視でゲート配線３、共通電極５及び隣接する２本のソース配線１１で囲まれる領域に形成される。また本実施の形態４では上記実施の形態２と同様に、平面視において画素電極１２０Ｓの一部が、共通電極５の一部と重なるように形成されている。これによりゲート絶縁層６を挟んで対向する画素電極１２０Ｓと共通電極５との間で画素電極の保持容量が形成される。

ソース配線１１及びソース端子１２の下面全体に形成されている酸化物半導体膜ＳＥ１は、ゲート配線３及び共通電極５と重なる部分を除いて、ほとんどの部分が導体化される。そのうちのいくつかの部分が、最下層ソース配線１１１Ｓ及び最下層ソース端子１１２Ｓとして形成される。これにより、膜中の異物やパターニング不良等に起因するソース配線やソース端子の断線不良を低減することができる。

なお、この工程において、ＵＶ光の照射後に熱処理を行ってもよい。これにより、導体化された領域の導体特性を安定化することができ、かつ、エッチングストッパ層８からチャネル対応部分ＣＮに酸素を提供することができる。

＜第４回目の写真製版工程：図６３及び図６４に示す工程＞
次に、基板１の上面全面に、層間絶縁層２１の材料である第３絶縁膜を成膜する。本実施の形態４では、第３絶縁膜として、上記実施の形態２と同様にＳｉＮ膜を２００ｎｍの厚さで成膜する。ＳｉＮ膜は、Ｈ原子を多く含むので、酸化物半導体膜からなる半導体層７を還元させて特性を劣化させるが、本実施の形態４ではチャネル対応部分ＣＮの大部分が、ＳｉＯ膜からなるエッチングストッパ層８で覆われるため、ＳｉＮ膜の単層で形成することができる。本実施の形態４では上記実施の形態３と同様に、第３回目の写真製版工程において、フォトレジストをアッシングするためのＯ_２プラズマ照射時に、エッチングストッパ層８のＳｉＯ膜にＯ原子が供給されて化学的に安定なＳｉＯ膜が形成されているので、ＳｉＮ膜による還元作用の影響をさらに強力に抑制できる。もちろん、ＳｉＮ膜を成膜する前に、エッチングストッパ層８上にＳｉＯ膜等のＯ原子を含む酸化物絶縁膜を成膜してもよい。

その後、第３絶縁膜上にフォトレジスト材を塗布し、４回目の写真製版工程でフォトレジストパターンを形成し、当該フォトレジストパターンをマスクとして、第３絶縁膜であるＳｉＮ膜をエッチングすることによりパターニングする。このエッチングには、ＳＦ_６）にＯ_２を加えたガスを用いたドライエッチング法を用いることができる。

その後、フォトレジストパターンを除去すると、図６３及び図６４に示されるように、層間絶縁層２１が形成される。「画素電極部」では、共通電極５の表面を露出させるように、ゲート絶縁層６及び層間絶縁層２１に共通電極部コンタクトホール２２が形成される。また「ゲート端子部」では、ゲート端子４の表面を露出させるように、ゲート絶縁層６及び層間絶縁層２１にゲート端子部コンタクトホール２３が形成される。さらに「ソース端子部」では、ソース端子１２の表面を露出させるように、層間絶縁層２１にソース端子部コンタクトホール２４が形成される。

＜第５回目の写真製版工程：図６５及び図６６に示す工程＞
次に、基板１の上面全面に、対向電極２５等の材料となる第３導電膜を成膜する。本実施の形態４では、上記実施の形態３と同様にしてＩｎＺｎＯ膜を１００ｎｍの厚さに成膜する。

その後、フォトレジストパターンを除去すると、図６５及び図６６に示されるように、「画素電極部」では、画素電極１２０Ｓに重なる領域の層間絶縁層２１の上に、第３導電膜からなる対向電極２５が形成される。対向電極２５の一部は、共通電極部コンタクトホール２２を通して下方の共通電極５と電気的に接続されており、一定の電位が印加できるように形成されている。

図６５において、対向電極２５は、平面視で画素電極１２０Ｓの大部分と重なるように形成されている。また対向電極２５は、上記実施の形態２と同様に、ゲート配線３、共通電極５及び隣接する２本のソース配線１１に囲まれてなる複数の画素領域に跨っており、各画素領域の対向電極２５同士が接続されるように連続した形状を有している。これにより、例えばひとつの画素領域の共通電極部コンタクトホール２２において、共通電極５と対向電極２５との接触（コンタクト）不良による共通電位信号の導通不良が生じたとしても、隣接した画素領域からの共通電位信号が当該対向電極２５に供給される。このため、画素単位の表示不良（点欠陥）の発生を抑制することができる。

対向電極２５にはスリット状の開口部ＳＬが設けられている。この構造により、画素電極１２０Ｓと対向電極２５との間に信号電圧が印加されると、対向電極２５の上方に基板面に対して概略水平方向の電界が発生する。このため本実施の形態４に係るＴＦＴ基板は、横電界駆動仕様であるＦＦＳモードのＬＣＤに適用可能となる。なお、対向電極２５には、スリット状の開口部ＳＬの代わりに櫛歯形状を設けてもよい。

図６５及び図６６において、「ゲート端子部」及び「ソース端子部」では、層間絶縁層２１に設けられたゲート端子部コンタクトホール２３及びソース端子部コンタクトホール２４の領域に、第３導電膜からなるゲート端子パッド２６及びソース端子パッド２７が、それぞれ形成されている。

本実施の形態４では、対向電極２５などの第３導電膜として、酸化物からなる透明導電膜を用いる。これにより、「画素電極部」に、画素電極１２０Ｓ及び対向電極２５がともに光透過性を有する透過型の電極を形成することができ、画素電極領域の開口透過率を向上させることができる。また、「ゲート端子部」または「ソース端子部」において、信号入力のための駆動用ＩＣ端子と、ゲート端子またはソース端子との剥がれを抑制できるので、信頼性の高いＩＣ実装を実現することができる。

本実施の形態４に係るＴＦＴ及びＴＦＴ基板は、以上の工程を経て製造が完了され、光透過型の画像表示を行うことができるＦＦＳモードのＬＣＤ用ＴＦＴ基板として用いることができる。

液晶表示パネルの組み立ての際は、完成したＴＦＴ基板の表面に配向膜やスペーサを形成する。配向膜は、液晶を配列させるための膜であり、ポリイミド等で構成される。また、別途作製したカラーフィルタ及び配向膜等を備えた対向基板を、本実施の形態４のＴＦＴ基板と貼り合わせる。このときスペーサによってＴＦＴ基板と対向基板との間に隙間が形成され、その隙間に液晶層を封止することによって、ＦＦＳモードなどの横電界方式の液晶表示パネルが形成される。最後に、液晶表示パネルの外側に偏光板、位相差板、駆動回路及びバックライトユニット等を配設することによってＬＣＤが完成する。

＜実施の形態４のまとめ＞
本実施の形態４に係るＴＦＴ及びＴＦＴ基板の製造方法によれば、「ＴＦＴ部」に上記実施の形態１及びその変形例と同じ構成のＥＳ型の酸化物ＴＦＴを形成することができるので、良好な特性及び高い信頼性を有する酸化物ＴＦＴを製造することができる。

また本実施の形態４に係るＴＦＴ及びＴＦＴ基板の構成及び製造方法によれば、画素電極に固有の透明導電膜の成膜工程を省略して、半導体層７の材料である酸化物半導体膜ＳＥ１を導体化させて画素電極１２０Ｓを形成する。このため、ＥＳ型の酸化物ＴＦＴを備えたＦＦＳモードなどの横電界方式のＬＣＤ用ＴＦＴ基板の製造に関して、上記実施の形態３よりも生産性の向上及び低コスト化が期待できる。

なお、本実施の形態４において、対向電極２５を形成する前の４回目の写真製版工程まで完了したＴＦＴ基板を用いることで、ＥＳ型の酸化物ＴＦＴを備えたＴＮモードなどの縦電界方式のＬＣＤ用ＴＦＴ基板を製造することも可能である。

＜実施の形態４の変形例＞
本実施の形態４に係るＴＦＴ基板においても、上記実施の形態３の変形例と同様に、ゲート配線３とソース配線１１とが交差する「ゲート配線×ソース配線の交差部」の領域に、絶縁層であるエッチングストッパ層１３が配設されてもよい。このエッチングストッパ層１３の絶縁材料は、ＴＦＴのチャネル領域ＣＮに配設されたエッチングストッパ層８の絶縁材料と同じ第２絶縁膜である。この場合においても、上記実施の形態３の変形例と同様の効果を得ることができる。

＜その他の変形例＞
上記実施の形態及び変形例におけるＦＦＳモードのＬＣＤ用ＴＦＴ基板では、第１導電膜からなる共通電極５を、ゲート配線３と平行に配設して各画素電極部に配設し、対向電極２５が共通電極部コンタクトホール２２を通して各画素電極部に共通電極５と電気的に接続させる構成を例示して説明した。しかしながら、各画素に設けられる対向電極２５を画素表示領域内で連続したパターン形状で配設することにより、共通電位信号が対向電極同士において充分に均一化することが可能であれば、例えば、各画素電極部に設けられる対向電極２５及び共通電極部コンタクトホール２２を適宜省略することは可能である。

また、上記実施の形態及び変形例では、酸化物半導体としてＩｎＧａＺｎＯ系材料を用い、他にもＺｎＯに酸化インジウムＩｎ_２Ｏ_３を添加したＩｎＺｎＯ系、ＺｎＯにＧａ_２Ｏ_３を添加したＧａＺｎＯ系、またはＺｎＯにＩｎ_２Ｏ_３とＳｎＯ_２とを添加したＩｎＺｎＳｎＯ系を用いることができることを例示した。しかしながら、酸化物半導体は、これらに限らず、例えば、ＩｎＧａＯ系、ＩｎＳｎＯ系、ＩｎＧａＺｎＳｎＯ系、ＩｎＡｌＺｎＯ系、ＩｎＨｆＺｎＯ系、ＩｎＺｒＺｎＯ系、ＩｎＭｇＺｎＯ系、ＩｎＹＺｎＯ系のような酸化物半導体材料を用いることが可能である。これらの酸化物半導体膜を用いた場合でも、ａ−Ｓｉ半導体膜よりも高い移動度を有する高性能なＴＦＴ基板を得ることができる。

さらに、上記実施の形態及び変形例では、ＬＣＤ用のＴＦＴ基板の構成及び製造方法を例示して説明したが、これ以外のＴＦＴ基板にも適用可能である。例えば、画素電極２０などの代わりに、有機ＥＬ材料を含む自発光層を備えた画素表示素子を「画素電極部」に配設することにより、有機ＥＬディスプレイ（ＯＬＥＤディスプレイ：Organic Light-Emitting Diode Display）用のＴＦＴ基板に適用することも可能である。この場合でも、良好な特性及び高い信頼性を有する高性能酸化物ＴＦＴを備えた表示装置を生産性よく低コストで製造することができる。

なお、本発明は、その発明の範囲内において、各実施の形態及び各変形例を自由に組み合わせたり、各実施の形態及び各変形例を適宜、変形、省略したりすることが可能である。

１基板、２ゲート電極、３ゲート配線、６ゲート絶縁層、７半導体層、８，１３エッチングストッパ層、９ソース電極、１０ドレイン電極、１１ソース配線、２０，１２０Ｓ画素電極、２１層間絶縁層、２５対向電極、ＣＮチャネル領域（チャネル対応部分）、ＳＬ開口部、ＳＥ１酸化物半導体膜、Ｍ０，Ｍ２第２導電膜、Ｃ１下層導電膜、Ｍ１上層導電膜、ＰＲ１，ＰＲ１ａ，ＰＲ１ｂ，ＰＲ２，ＰＲ３，ＰＲ４フォトレジストパターン。

Claims

基板上に選択的に配設されたゲート電極と、
前記基板及びゲート電極上に配設されたゲート絶縁層と、
平面視において少なくとも一部が前記ゲート電極と重なるように前記ゲート絶縁層上に配設された、酸化物半導体を含む半導体層と、
前記半導体層のうち前記ゲート電極と平面視にて重なる領域上に配設されたエッチングストッパ層と
を備え、
前記半導体層は、平面視の第１方向において前記エッチングストッパ層が配設されていない両側部分を有し、
前記半導体層の前記両側部分の一方及び前記エッチングストッパ層の一部上に、前記第１方向に延在しかつ前記第１方向と直交する第２方向に幅を有して配設されたソース電極と、
前記半導体層の前記両側部分の他方及び前記エッチングストッパ層の一部上に、前記第１方向に延在しかつ前記第２方向に幅を有して配設され、前記エッチングストッパ層上で前記ソース電極と離間されたドレイン電極と
をさらに備え、
前記半導体層のうち平面視における前記両側部分の間の部分はチャネル領域に対応し、
前記半導体層の前記部分、及び、前記エッチングストッパ層のそれぞれは、前記ソース電極及び前記ドレイン電極から前記ソース電極及び前記ドレイン電極の幅方向に突出している、薄膜トランジスタ。
請求項１に記載の薄膜トランジスタであって、
前記半導体層は、前記エッチングストッパ層、前記ソース電極及び前記ドレイン電極を含む構造体の下面全体に配設され、
平面視において、前記半導体層の形状は、前記構造体の形状によって規定されている、薄膜トランジスタ。
請求項１に記載の薄膜トランジスタであって、
前記半導体層の前記部分は、平面視において前記エッチングストッパ層の外縁まで、または当該外縁よりも内側に配設されている、薄膜トランジスタ。
請求項１に記載の薄膜トランジスタと、
前記ゲート電極を含むゲート配線と、
前記ソース電極を含み、前記ゲート配線と平面視で交差するソース配線と
を備え、
前記ドレイン電極は、画素電極と電気的に接続されている、薄膜トランジスタ基板。
請求項４に記載の薄膜トランジスタ基板であって、
前記半導体層は、前記エッチングストッパ層、前記ソース配線及び前記ドレイン電極を含む構造体の下面全体に配設され、
平面視において、前記半導体層の形状は、前記構造体の形状によって規定されている、薄膜トランジスタ基板。
請求項４に記載の薄膜トランジスタ基板であって、
前記半導体層の前記部分は、平面視において前記エッチングストッパ層の外縁まで、または当該外縁よりも内側に配設されている、薄膜トランジスタ基板。
請求項４から請求項６のうちのいずれか１項に記載の薄膜トランジスタ基板であって、
前記ゲート配線と前記ソース配線とが交差する領域に配設され、前記エッチングストッパ層の絶縁材料と同じ絶縁材料からなる絶縁層をさらに備える、薄膜トランジスタ基板。
請求項４から請求項７のうちのいずれか１項に記載の薄膜トランジスタ基板であって、
前記画素電極上に配設され、絶縁性窒化膜を含む層間絶縁膜と、
前記画素電極と平面視で重なるように前記層間絶縁膜上に配設され、櫛歯形状またはスリット状の開口部を有する対向電極と
をさらに備え、
前記エッチングストッパ層は絶縁性酸化膜を含む、薄膜トランジスタ基板。
（ａ）基板上に、ゲート電極を含むゲート配線を選択的に形成する工程と、
（ｂ）前記基板及びゲート配線上にゲート絶縁層を形成する工程と、
（ｃ）前記ゲート絶縁層上に酸化物半導体膜を形成する工程と、
（ｄ）前記酸化物半導体膜のうち前記ゲート電極と平面視で重なる領域上にエッチングストッパ層を形成する工程と、
（ｅ）前記酸化物半導体膜及び前記エッチングストッパ層上に導電膜を形成する工程と、
（ｆ）前記導電膜上にフォトレジストパターンを形成する工程と、
（ｇ）前記フォトレジストパターンをマスクとして前記導電膜を選択的にエッチングし、前記フォトレジストパターン及び前記エッチングストッパ層をマスクとして前記酸化物半導体膜を選択的にエッチングすることによって、前記酸化物半導体膜を含む半導体層を形成し、かつ、前記エッチングストッパ層上で互いに離間され、前記半導体層と電気的に接続された前記導電膜を含むソース配線及びドレイン電極を形成する工程とを備える、薄膜トランジスタ基板の製造方法。
請求項９に記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法であって、
前記ソース配線は、ソース電極を含み、前記ゲート配線と平面視で交差し、
前記半導体層は、平面視において少なくとも一部が前記ゲート電極と重なるように前記ゲート絶縁層上に形成され、
前記エッチングストッパ層は、平面視において前記半導体層の両側部分の間の領域のうち前記ゲート電極と重なる領域上に形成され、
前記ソース電極は、前記半導体層の前記両側部分の一方及び前記エッチングストッパ層の一部上に形成され、
前記ドレイン電極は、前記半導体層の前記両側部分の他方及び前記エッチングストッパ層の一部上に形成され、
前記半導体層は、前記エッチングストッパ層、前記ソース配線及び前記ドレイン電極を含む構造体の下面全体に形成され、
平面視において、前記半導体層の形状は、前記構造体の形状によって規定されている、薄膜トランジスタ基板の製造方法。
請求項９または請求項１０に記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法であって、
（ｈ）前記工程（ｇ）の後、前記ドレイン電極と電気的に接続された画素電極を形成する工程をさらに備える、薄膜トランジスタ基板の製造方法。
請求項９または請求項１０に記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法であって、
前記工程（ｅ）で形成される前記導電膜は、透明導電体を含む下層導電膜と、前記下層導電膜上に形成され、金属または合金を含む上層導電膜とを含み、
前記工程（ｆ）で形成されるフォトレジストパターンは、第１フォトレジストパターンと、前記第１フォトレジストパターンよりも薄い第２フォトレジストパターンとを含み、
前記工程（ｇ）は、
（ｇ−１）前記フォトレジストパターンをマスクとして前記導電膜を選択的にエッチングし、前記フォトレジストパターン及び前記エッチングストッパ層をマスクとして前記酸化物半導体膜を選択的にエッチングする工程と、
（ｇ−２）前記フォトレジストパターンをアッシングすることによって、前記第１フォトレジストパターンから後退されたフォトレジストパターンを形成し、かつ、前記第２フォトレジストパターンを除去する工程と、
（ｇ−３）後退された前記フォトレジストパターンをマスクとして前記上層導電膜を選択的にエッチングすることによって、前記ソース配線及び前記ドレイン電極を形成し、かつ、前記ドレイン電極と電気的に接続され、前記上層導電膜が除去された前記下層導電膜を画素電極として形成する工程と
を含む、薄膜トランジスタ基板の製造方法。
請求項９または請求項１０に記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法であって、
前記工程（ｅ）で形成される前記導電膜は、金属または合金を含み、
前記工程（ｆ）で形成されるフォトレジストパターンは、第１フォトレジストパターンと、前記第１フォトレジストパターンよりも薄い第２フォトレジストパターンとを含み、
前記工程（ｇ）は、
（ｇ−１）前記フォトレジストパターンをマスクとして前記導電膜を選択的にエッチングし、前記フォトレジストパターン及び前記エッチングストッパ層をマスクとして前記酸化物半導体膜を選択的にエッチングする工程と、
（ｇ−２）前記フォトレジストパターンをアッシングすることによって、前記第１フォトレジストパターンから後退されたフォトレジストパターンを形成し、かつ、前記第２フォトレジストパターンを除去する工程と、
（ｇ−３）後退された前記フォトレジストパターンをマスクとして前記導電膜を選択的にエッチングする工程と、
（ｇ−４）前記酸化物半導体膜に電気抵抗を低減する導体化を選択的に行うことよって、前記半導体層を形成し、かつ、前記半導体層から連続する、導体化された前記酸化物半導体膜を画素電極として形成する工程と
を含む、薄膜トランジスタ基板の製造方法。
基板上に選択的に配設されたゲート電極と、
前記基板及びゲート電極上に配設されたゲート絶縁層と、
平面視において少なくとも一部が前記ゲート電極と重なるように前記ゲート絶縁層上に配設された、酸化物半導体を含む半導体層と、
前記半導体層のうち前記ゲート電極と平面視にて重なる領域上に配設されたエッチングストッパ層と
を備え、
前記半導体層は、平面視の第１方向において前記エッチングストッパ層が配設されていない両側部分を有し、
前記半導体層の前記両側部分の一方及び前記エッチングストッパ層の一部上に、前記第１方向に延在しかつ前記第１方向と直交する第２方向に幅を有して配設されたソース電極と、
前記半導体層の前記両側部分の他方及び前記エッチングストッパ層の一部上に、前記第１方向に延在しかつ前記第２方向に幅を有して配設され、前記エッチングストッパ層上で前記ソース電極と離間されたドレイン電極と
をさらに備え、
前記半導体層のうち平面視における前記両側部分の間の部分はチャネル領域に対応し、
前記半導体層の前記部分は、平面視において前記エッチングストッパ層の外縁まで、または当該外縁よりも内側に配設されている、薄膜トランジスタ。
請求項１４に記載の薄膜トランジスタであって、
前記半導体層の前記部分、及び、前記エッチングストッパ層のそれぞれの、前記ソース電極及び前記ドレイン電極の幅方向における長さは、前記ソース電極及び前記ドレイン電極の幅以下である、薄膜トランジスタ。