JP6671155B2 - 薄膜トランジスタ基板 - Google Patents
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Description
<TFT基板の画素の構成>
図1および図2を参照して、実施の形態1のTFT基板100の構成について説明する。なお、本発明はTFT基板に関するものであるが、特に画素の構成に特徴を有するので、以下においては画素の構成について説明する。図1は、実施の形態1に係る画素の平面構成を示す平面図であり、図2は、図1におけるA−A線での断面構成(ゲート配線−ソース配線交差部の断面構成)、X−X線での断面構成(TFT部、画素部および共通電極部の断面構成)、Y−Y線での断面構成(ゲート端子部の断面構成)およびZ−Z線での断面構成(ソース端子部の断面構成)を示す断面図である。なお、以下においてはTFT基板100は光透過型の画像表示を行うことができるTNモードの液晶表示装置に用いるものとして説明する。
以下、図3〜図10を用いて実施の形態1のTFT基板100の製造方法について説明する。なお、最終工程を示す平面図および断面図は、それぞれ図1および図2に相当する。
その後、第1の導電膜上にフォトレジスト材を塗布し、1回目の写真製版工程でフォトレジストパターンを形成し、当該フォトレジストパターンをマスクとして、第1の導電膜をエッチングによりパターニングする。ここでは、リン酸、酢酸および硝酸を含む溶液(Phosphoric-Acetic-Nitric acid:PAN薬液)によるウエットエッチングを用いた。その後、フォトレジストパターンを除去することで、図3および図4に示されるように、基板1の上主面上に、ゲート電極2、ゲート配線3、ゲート端子4、共通電極5、共通電極配線6、ソース電極7、ソース配線8、ソース端子9およびドレイン電極10が形成される。なお、図3に示されるように、ソース配線8は、ゲート配線3および共通電極配線6との交差部手前で分断され短冊状(長方形)となっている。
そして、絶縁膜11上にフォトレジスト材を塗布し、2回目の写真製版工程でフォトレジストパターンを形成し、これをマスクとして、絶縁膜11をエッチングしてパターニングする。このエッチングには、フッ素を含むガスを用いたドライエッチング法を用いることができる。ここでは、六フッ化硫黄(SF6)に酸素(O2)を加えたガスを用いたドライエッチングを行った。またエッチング速度を高めるために、さらにArガスを添加することもできる。その後、フォトレジストパターンを除去することで、図5および図6に示されるように、絶縁膜11に、ソース電極コンタクトホール12およびドレイン電極コンタクトホール13が形成される。
そして、酸化物半導体膜上にフォトレジスト材を塗布し、3回目の写真製版工程でフォトレジストパターンを形成し、これをマスクとして、酸化物半導体膜をエッチングしてパターニングする。このエッチングには、シュウ酸5wt%+水のシュウ酸系薬液を用いたウエットエッチング法を用いた。その後、フォトレジストパターンを除去することで、図7および図8に示されるように、TFT部の絶縁膜11上に、酸化物半導体で構成される半導体チャネル層14が形成される。半導体チャネル層14は、ソース電極コンタクトホール12およびドレイン電極コンタクトホール13にも埋め込まれ、ソース電極7およびドレイン電極10と直接接続される。
そして、保護絶縁膜15上にフォトレジスト材を塗布し、4回目の写真製版工程でフォトレジストパターンを形成し、これをマスクとして、保護絶縁膜15および絶縁膜11を連続してエッチングしてパターニングする。このエッチングには、フッ素を含むガスを用いたドライエッチング法を用いることができる。ここでは、六フッ化硫黄(SF6)に酸素(O2)を加えたガスを用いたドライエッチングを行った。また、エッチング速度を高めるために、さらにArガスを添加することもできる。なお、このドライエッチングプロセス時には、半導体チャネル層14は、絶縁膜15とフォトレジストパターンで覆われているので、半導体チャネル層14がドライエッチングガスによるプロセスダメージを受けることはない。
そして、第2の導電膜上にフォトレジスト材を塗布し、5回目の写真製版工程でフォトレジストパターンを形成し、これをマスクとして、第2の導電膜である非晶質ITO膜をエッチングしてパターニングする。このエッチングには、シュウ酸5wt%+水のシュウ酸系薬液を用いたウエットエッチング法を用いた。
以上説明した実施の形態1では、保護絶縁膜15をSiO膜およびSiN膜のような無機絶縁膜で形成する構成を示したが、図11に示すように、保護絶縁膜15の上にさらに光透過性を有する樹脂系絶縁膜16を配設した多層膜を保護絶縁膜とし、樹脂系絶縁膜16上に画素電極21を形成する構成としても良い。
<TFT基板の画素の構成>
図12および図13を参照して、実施の形態2のTFT基板200の構成について説明する。なお、図1および図2を用いて説明したTFT基板100と同一の構成については同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
以下、図14〜図21を用いて実施の形態2のTFT基板200の製造方法について説明する。なお、最終工程を示す平面図および断面図は、それぞれ図12および図13に相当する。また、実施の形態1と重複する説明は適宜省略する。
その後、第1の導電膜上にフォトレジスト材を塗布し、1回目の写真製版工程でフォトレジストパターンを形成し、当該フォトレジストパターンをマスクとして、第1の導電膜をエッチングによりパターニングする。ここでは、PAN薬液によるウエットエッチングを用いた。その後、フォトレジストパターンを除去することで、図14および図15に示されるように、基板1の上主面上に、ゲート電極2、ゲート配線3、ゲート端子4、共通電極5、共通電極配線6、ソース電極7、ソース配線8、ソース端子9およびドレイン電極10が形成される。なお、図14に示されるように、ゲート配線3および共通電極配線6はソース配線8との交差部手前で分断され、ゲート配線3はL字形の平面視形状となっており、共通電極配線6は短冊状(長方形)となっている。
そして、絶縁膜11上にフォトレジスト材を塗布し、2回目の写真製版工程でフォトレジストパターンを形成し、これをマスクとして、絶縁膜11をエッチングしてパターニングする。このエッチングには、フッ素を含むガスを用いたドライエッチング法を用いることができる。ここでは、六フッ化硫黄(SF6)に酸素(O2)を加えたガスを用いたドライエッチングを行った。またエッチング速度を高めるために、さらにArガスを添加することもできる。その後、フォトレジストパターンを除去することで、図16および図17に示されるように、絶縁膜11に、ソース電極コンタクトホール12およびドレイン電極コンタクトホール13が形成される。
そして、酸化物半導体膜上にフォトレジスト材を塗布し、3回目の写真製版工程でフォトレジストパターンを形成し、これをマスクとして、酸化物半導体膜をエッチングしてパターニングする。このエッチングには、シュウ酸5wt%+水のシュウ酸系薬液を用いたウエットエッチング法を用いた。その後、フォトレジストパターンを除去することで、図18および図19に示されるように、TFT部の絶縁膜11上に、酸化物半導体で構成される半導体チャネル層14が形成される。半導体チャネル層14は、ソース電極コンタクトホール12およびドレイン電極コンタクトホール13にも埋め込まれ、ソース電極7およびドレイン電極10と直接接続される。
そして、保護絶縁膜15上にフォトレジスト材を塗布し、4回目の写真製版工程でフォトレジストパターンを形成し、これをマスクとして、保護絶縁膜15および絶縁膜11を連続してエッチングしてパターニングする。このエッチングには、フッ素を含むガスを用いたドライエッチング法を用いることができる。ここでは、六フッ化硫黄(SF6)に酸素(O2)を加えたガスを用いたドライエッチングを行った。また、エッチング速度を高めるために、さらにArガスを添加することもできる。なお、このドライエッチングプロセス時には、半導体チャネル層14は、絶縁膜15とフォトレジストパターンで覆われているので、半導体チャネル層14がドライエッチングガスによるプロセスダメージを受けることはない。
そして、第2の導電膜上にフォトレジスト材を塗布し、5回目の写真製版工程でフォトレジストパターンを形成し、これをマスクとして、第2の導電膜である非晶質ITO膜をエッチングしてパターニングする。このエッチングには、シュウ酸5wt%+水のシュウ酸系薬液を用いたウエットエッチング法を用いた。
以上説明した実施の形態2では、保護絶縁膜15をSiO膜およびSiN膜のような無機絶縁膜で形成する構成を示したが、図22に示すように、保護絶縁膜15の上にさらに光透過性を有する樹脂系絶縁膜16を配設した多層膜を保護絶縁膜とし、樹脂系絶縁膜16上に画素電極21を形成する構成としても良い。
以上説明した実施の形態1、2およびこれらの変形例においては、本発明を光透過型のTNモード(またはVAモード)の液晶表示装置に使用されるTFT基板に適用した構成を説明したが、実施の形態3では、実施の形態2で説明した構成をベースとして、本発明を光透過型のFFSモードの液晶表示装置に使用されるTFT基板に適用した構成を説明する。
図23および図24を参照して、実施の形態3のTFT基板300の構成について説明する。なお、図12および図13を用いて説明したTFT基板200と同一の構成については同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
以下、図25〜図36を用いて実施の形態3のTFT基板300の製造方法について説明する。なお、最終工程を示す平面図および断面図は、それぞれ図23および図24に相当する。また、実施の形態1と重複する説明は適宜省略する。
その後、第1の導電膜上にフォトレジスト材を塗布し、1回目の写真製版工程でフォトレジストパターンを形成し、当該フォトレジストパターンをマスクとして、第1の導電膜をエッチングによりパターニングする。ここでは、PAN薬液によるウエットエッチングを用いた。その後、フォトレジストパターンを除去することで、図25および図26に示されるように、基板1の上主面上に、ゲート電極2、ゲート配線3、ゲート端子4、共通電極5、共通電極配線6、ソース電極7、ソース配線8、ソース端子9およびドレイン電極10が形成される。なお、図25に示されるように、ゲート配線3および共通電極配線6はソース配線8との交差部手前で分断され、ゲート配線3はL字形の平面視形状となっており、共通電極配線6は短冊状(長方形)となっている。
そして、絶縁膜11上にフォトレジスト材を塗布し、2回目の写真製版工程でフォトレジストパターンを形成し、これをマスクとして、絶縁膜11をエッチングしてパターニングする。このエッチングには、フッ素を含むガスを用いたドライエッチング法を用いることができる。ここでは、六フッ化硫黄(SF6)に酸素(O2)を加えたガスを用いたドライエッチングを行った。またエッチング速度を高めるために、さらにArガスを添加することもできる。その後、フォトレジストパターンを除去することで、図27および図28に示されるように、絶縁膜11に、ソース電極コンタクトホール12およびドレイン電極コンタクトホール13が形成される。
そして、酸化物半導体膜上にフォトレジスト材を塗布し、3回目の写真製版工程でフォトレジストパターンを形成し、これをマスクとして、酸化物半導体膜をエッチングしてパターニングする。このエッチングには、シュウ酸5wt%+水のシュウ酸系薬液を用いたウエットエッチング法を用いた。その後、フォトレジストパターンを除去することで、図29および図30に示されるように、TFT部の絶縁膜11上に、酸化物半導体で構成される半導体チャネル層14が形成される。半導体チャネル層14は、ソース電極コンタクトホール12およびドレイン電極コンタクトホール13にも埋め込まれ、ソース電極7およびドレイン電極10と直接接続される。
そして、保護絶縁膜15上にフォトレジスト材を塗布し、4回目の写真製版工程でフォトレジストパターンを形成し、これをマスクとして、保護絶縁膜15および絶縁膜11を連続してエッチングしてパターニングする。このエッチングには、フッ素を含むガスを用いたドライエッチング法を用いることができる。ここでは、六フッ化硫黄(SF6)に酸素(O2)を加えたガスを用いたドライエッチングを行った。また、エッチング速度を高めるために、さらにArガスを添加することもできる。なお、このドライエッチングプロセス時には、半導体チャネル層14は、絶縁膜15とフォトレジストパターンで覆われているので、半導体チャネル層14がドライエッチングガスによるプロセスダメージを受けることはない。
そして、第2の導電膜上にフォトレジスト材を塗布し、5回目の写真製版工程でフォトレジストパターンを形成し、これをマスクとして、第2の導電膜である非晶質ITO膜をエッチングしてパターニングする。このエッチングには、シュウ酸5wt%+水のシュウ酸系薬液を用いたウエットエッチング法を用いた。
そして、層間絶縁膜29上にフォトレジスト材を塗布し、6回目の写真製版工程でフォトレジストパターンを形成し、これをマスクとして、層間絶縁膜29、保護絶縁膜15および絶縁膜11を連続してエッチングしてパターニングする。このエッチングには、フッ素を含むガスを用いたドライエッチング法を用いることができる。ここでは、六フッ化硫黄(SF6)に酸素(O2)を加えたガスを用いたドライエッチングを行った。その後、フォトレジストパターンを除去することで、図35および図36に示されるように、層間絶縁膜29、保護絶縁膜15およびゲート絶縁膜11を貫通する、ゲート端子コンタクトホール30、ソース端子コンタクトホール31および共通電極コンタクトホール32が形成される。
そして、第3の導電膜上にフォトレジスト材を塗布し、7回目の写真製版工程でフォトレジストパターンを形成し、これをマスクとして、第3の導電膜である非晶質ITO膜をエッチングしてパターニングする。このエッチングには、シュウ酸5wt%+水のシュウ酸系薬液を用いたウエットエッチング法を用いた。
以上説明した実施の形態3では、保護絶縁膜15をSiN膜のような無機絶縁膜で形成する構成を示したが、実施の形態4では、保護絶縁膜15の上に光透過性を有する樹脂系絶縁膜16を配設した多層膜を保護絶縁膜とした構成としている。
図37および図38を参照して、実施の形態4のTFT基板400の構成について説明する。なお、図23および図24を用いて説明したTFT基板300と同一の構成については同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
以下、図39〜図50を用いて実施の形態4のTFT基板400の製造方法について説明する。なお、最終工程を示す平面図および断面図は、それぞれ図37および図38に相当する。また、実施の形態1と重複する説明は適宜省略する。
その後、第1の導電膜上にフォトレジスト材を塗布し、1回目の写真製版工程でフォトレジストパターンを形成し、当該フォトレジストパターンをマスクとして、第1の導電膜をエッチングによりパターニングする。ここでは、PAN薬液によるウエットエッチングを用いた。その後、フォトレジストパターンを除去することで、図39および図40に示されるように、基板1の上主面上に、ゲート電極2、ゲート配線3、ゲート端子4、共通電極5、共通電極配線6、ソース電極7、ソース配線8、ソース端子9およびドレイン電極10が形成される。なお、図40に示されるように、ゲート配線3および共通電極配線6はソース配線8との交差部手前で分断され、ゲート配線3はL字形の平面視形状となっており、共通電極配線6は短冊状(長方形)となっている。
そして、絶縁膜11上にフォトレジスト材を塗布し、2回目の写真製版工程でフォトレジストパターンを形成し、これをマスクとして、絶縁膜11をエッチングしてパターニングする。このエッチングには、フッ素を含むガスを用いたドライエッチング法を用いることができる。ここでは、六フッ化硫黄(SF6)に酸素(O2)を加えたガスを用いたドライエッチングを行った。またエッチング速度を高めるために、さらにArガスを添加することもできる。その後、フォトレジストパターンを除去することで、図41および図42に示されるように、絶縁膜11に、ソース電極コンタクトホール12およびドレイン電極コンタクトホール13が形成される。
そして、酸化物半導体膜上にフォトレジスト材を塗布し、3回目の写真製版工程でフォトレジストパターンを形成し、これをマスクとして、酸化物半導体膜をエッチングしてパターニングする。このエッチングには、シュウ酸5wt%+水のシュウ酸系薬液を用いたウエットエッチング法を用いた。その後、フォトレジストパターンを除去することで、図43および図44に示されるように、TFT部の絶縁膜11上に、酸化物半導体で構成される半導体チャネル層14が形成される。半導体チャネル層14は、ソース電極コンタクトホール12およびドレイン電極コンタクトホール13にも埋め込まれ、ソース電極7およびドレイン電極10と直接接続される。
その後、4回目の写真製版工程で有機アルカリ樹脂膜をパターニングし、これをマスクとして、保護絶縁膜15および絶縁膜11を連続してエッチングしてパターニングする。このエッチングには、実施の形態1と同様にフッ素を含むガスを用いたドライエッチング法を用いることができる。またエッチング速度を高めるために、さらにArガスを添加することもできる。
そして、第2の導電膜上にフォトレジスト材を塗布し、5回目の写真製版工程でフォトレジストパターンを形成し、これをマスクとして、第2の導電膜である非晶質ITO膜をエッチングしてパターニングする。このエッチングには、シュウ酸5wt%+水のシュウ酸系薬液を用いたウエットエッチング法を用いた。
そして、層間絶縁膜29上にフォトレジスト材を塗布し、6回目の写真製版工程でフォトレジストパターンを形成し、これをマスクとして、層間絶縁膜29をエッチングしてパターニングする。このエッチングには、フッ素を含むガスを用いたドライエッチング法を用いることができる。ここでは、六フッ化硫黄(SF6)に酸素(O2)を加えたガスを用いたドライエッチングを行った。その後、フォトレジストパターンを除去することで、図49および図50に示されるように、層間絶縁膜29を貫通するように設けられた上層ゲート端子コンタクトホール36、上層ソース端子コンタクトホール37および共通電極コンタクトホール32が形成される。
そして、第3の導電膜上にフォトレジスト材を塗布し、7回目の写真製版工程でフォトレジストパターンを形成し、これをマスクとして、第3の導電膜である非晶質ITO膜をエッチングしてパターニングする。このエッチングには、シュウ酸5wt%+水のシュウ酸系薬液を用いたウエットエッチング法を用いた。
Claims (8)
- 画素がマトリックス状に複数配列された薄膜トランジスタ基板であって、
基板の上に選択的に配設されたゲート電極、ソース電極およびドレイン電極と、
前記基板の上に複数配設されたゲート配線および前記ゲート配線に直交する方向に延在するように複数配設されたソース配線と、
前記ゲート電極、前記ソース電極、前記ドレイン電極、前記ゲート配線および前記ソース配線を覆う第1の絶縁膜と、
前記第1の絶縁膜の上に選択的に配設され、前記第1の絶縁膜を貫通するソース電極コンタクトホールおよびドレイン電極コンタクトホールをそれぞれ介して、前記ソース電極および前記ドレイン電極に接続される半導体層と、
前記半導体層の上を含む前記第1の絶縁膜の上に配設された第2の絶縁膜と、
前記第2の絶縁膜の上に配設され、前記第1および第2の絶縁膜を貫通する画素ドレインコンタクトホールを介して前記ドレイン電極に接続された画素電極と、
前記ソース配線の上に沿って延在するように前記第2の絶縁膜の上に前記画素電極と同一層で配設され、前記第1および第2の絶縁膜を貫通するソース配線接続コンタクトホールを介して前記ソース配線と電気的に接続されるソース配線接続配線と、
前記基板の上に複数配設され、前記ゲート配線と平行な方向に延在する共通電極配線と、
前記共通電極配線の一部であって前記画素電極との間で電気容量を形成する共通電極と、を備え、
前記ソース配線は、平面視において前記ゲート配線との交差部手前で分断され、前記ソース配線接続配線は、分断された前記ソース配線間を電気的に接続し、
前記ソース配線接続配線は、
前記ソース配線に沿って連続した1本のライン状のパターンとして設けられ、
前記共通電極配線は、前記ゲート電極、前記ソース電極および前記ドレイン電極と同層で前記ゲート配線に並列して設けられ、
前記ソース配線接続配線は、前記共通電極配線の上方も跨ぐように設けられる、薄膜トランジスタ基板。 - 画素がマトリックス状に複数配列された薄膜トランジスタ基板であって、
基板の上に選択的に配設されたゲート電極、ソース電極およびドレイン電極と、
前記基板の上に複数配設されたゲート配線および前記ゲート配線に直交する方向に延在するように複数配設されたソース配線と、
前記ゲート電極、前記ソース電極、前記ドレイン電極、前記ゲート配線および前記ソース配線を覆う第1の絶縁膜と、
前記第1の絶縁膜の上に選択的に配設され、前記第1の絶縁膜を貫通するソース電極コンタクトホールおよびドレイン電極コンタクトホールをそれぞれ介して、前記ソース電極および前記ドレイン電極に接続される半導体層と、
前記半導体層の上を含む前記第1の絶縁膜の上に配設された第2の絶縁膜と、
前記第2の絶縁膜の上に配設され、前記第1および第2の絶縁膜を貫通する画素ドレインコンタクトホールを介して前記ドレイン電極に接続された画素電極と、
前記ソース配線の上に沿って延在するように前記第2の絶縁膜の上に前記画素電極と同一層で配設され、前記第1および第2の絶縁膜を貫通するソース配線接続コンタクトホールを介して前記ソース配線と電気的に接続されるソース配線接続配線と、
前記基板の上に複数配設され、前記ゲート配線と平行な方向に延在する共通電極配線と、
前記共通電極配線の一部であって前記画素電極との間で電気容量を形成する共通電極と、を備え、
前記共通電極配線は、前記ゲート電極、前記ソース電極および前記ドレイン電極と同層で前記ゲート配線に並列して設けられ、
前記ソース配線は、平面視において前記ゲート配線との交差部手前で分断され、前記ソース配線接続配線は、分断された前記ソース配線間を電気的に接続し、前記共通電極配線の上方も跨ぐように設けられる、薄膜トランジスタ基板。 - 画素がマトリックス状に複数配列された薄膜トランジスタ基板であって、
基板の上に選択的に配設されたゲート電極、ソース電極およびドレイン電極と、
前記基板の上に複数配設されたゲート配線および前記ゲート配線に直交する方向に延在するように複数配設されたソース配線と、
前記ゲート電極、前記ソース電極、前記ドレイン電極、前記ゲート配線および前記ソース配線を覆う第1の絶縁膜と、
前記第1の絶縁膜の上に選択的に配設され、前記第1の絶縁膜を貫通するソース電極コンタクトホールおよびドレイン電極コンタクトホールをそれぞれ介して、前記ソース電極および前記ドレイン電極に接続される半導体層と、
前記半導体層の上を含む前記第1の絶縁膜の上に配設された第2の絶縁膜と、
前記第2の絶縁膜の上に配設され、前記第1および第2の絶縁膜を貫通する画素ドレインコンタクトホールを介して前記ドレイン電極に接続された画素電極と、
前記ゲート配線の上に沿って延在するように前記第2の絶縁膜上に前記画素電極と同一層で配設され、前記第1および第2の絶縁膜を貫通するゲート配線接続コンタクトホールを介して前記ゲート配線と電気的に接続されるゲート配線接続配線と、
前記基板の上に複数配設され、前記ゲート電極、前記ソース電極および前記ドレイン電極と同層で設けられ、前記ゲート配線と平行な方向に延在する共通電極配線と、
前記共通電極配線の一部であって前記画素電極との間で電気容量を形成する共通電極と、
前記共通電極配線の上に沿って延在するように前記第2の絶縁膜の上に前記画素電極と同一層で配設され、前記第1および第2の絶縁膜を貫通する共通電極配線接続コンタクトホールを介して前記共通電極配線と接続される共通電極配線接続配線と、を備え、
前記ゲート配線は、平面視において前記ソース配線との交差部手前で分断され、前記ゲート配線接続配線は、分断された前記ゲート配線間を電気的に接続し、
前記ゲート配線接続配線は、
前記ゲート配線に沿って連続した1本のライン状のパターンとして設けられ、
前記共通電極配線は、平面視において前記ソース配線との交差部手前で分断され、前記共通電極配線接続配線は、分断された前記共通電極配線間を電気的に接続する、薄膜トランジスタ基板。 - 画素がマトリックス状に複数配列された薄膜トランジスタ基板であって、
基板の上に選択的に配設されたゲート電極、ソース電極およびドレイン電極と、
前記基板の上に複数配設されたゲート配線および前記ゲート配線に直交する方向に延在するように複数配設されたソース配線と、
前記ゲート電極、前記ソース電極、前記ドレイン電極、前記ゲート配線および前記ソース配線を覆う第1の絶縁膜と、
前記第1の絶縁膜の上に選択的に配設され、前記第1の絶縁膜を貫通するソース電極コンタクトホールおよびドレイン電極コンタクトホールをそれぞれ介して、前記ソース電極および前記ドレイン電極に接続される半導体層と、
前記半導体層の上を含む前記第1の絶縁膜の上に配設された第2の絶縁膜と、
前記第2の絶縁膜の上に配設され、前記第1および第2の絶縁膜を貫通する画素ドレインコンタクトホールを介して前記ドレイン電極に接続された画素電極と、
前記ゲート配線の上に沿って延在するように前記第2の絶縁膜上に前記画素電極と同一層で配設され、前記第1および第2の絶縁膜を貫通するゲート配線接続コンタクトホールを介して前記ゲート配線と電気的に接続されるゲート配線接続配線と、
前記基板の上に複数配設され、前記ゲート電極、前記ソース電極および前記ドレイン電極と同層で設けられ、前記ゲート配線と平行な方向に延在する共通電極配線と、
前記共通電極配線の一部であって前記画素電極との間で電気容量を形成する共通電極と、
前記共通電極配線の上に沿って延在するように前記第2の絶縁膜の上に前記画素電極と同一層で配設され、前記第1および第2の絶縁膜を貫通する共通電極配線接続コンタクトホールを介して前記共通電極配線と接続される共通電極配線接続配線と、を備え、
前記ゲート配線は、平面視において前記ソース配線との交差部手前で分断され、前記ゲート配線接続配線は、分断された前記ゲート配線間を電気的に接続し、
前記共通電極配線は、平面視において前記ソース配線との交差部手前で分断され、前記共通電極配線接続配線は、分断された前記共通電極配線間を電気的に接続する、薄膜トランジスタ基板。 - 前記画素電極上および前記ゲート配線接続配線の上を含む前記第2の絶縁膜の上に配設された第3の絶縁膜と、
前記第3の絶縁膜の上に前記画素電極と対向して配設された対向電極と、をさらに備え、
前記対向電極は、前記共通電極配線の上方に延在するように設けられ、前記共通電極配線の上方の領域において前記第3の絶縁膜を貫通する共通電極コンタクトホールを介して前記共通電極配線接続配線に接続される、請求項3または請求項4記載の薄膜トランジスタ基板。 - 前記薄膜トランジスタ基板は、
前記基板の上に複数配設され、前記ゲート配線と平行な方向に延在する共通電極配線と、
前記共通電極配線の一部であって前記画素電極との間で電気容量を形成する共通電極と、
前記画素電極上および前記ゲート配線接続配線の上を含む前記第2の絶縁膜の上に配設された第3の絶縁膜と、
前記第3の絶縁膜の上に前記画素電極と対向して配設された対向電極と、をさらに備え、
前記共通電極配線は、平面視において前記ソース配線との交差部手前で分断され、
前記対向電極は、前記共通電極配線の上方に延在するように設けられ、前記共通電極配線の上方の領域において前記第1、第2および第3の絶縁膜を貫通する共通電極コンタクトホールを介して前記共通電極配線に接続され、分断された前記共通電極配線間を電気的に接続する、請求項3記載の薄膜トランジスタ基板。 - 前記半導体層は、酸化物半導体で構成される、請求項1、2、3および4の何れか1項に記載の薄膜トランジスタ基板。
- 前記第2の絶縁膜は、
無機絶縁膜の多層膜、または少なくとも樹脂系絶縁膜を含む多層膜で構成される、請求項1、2、3および4の何れか1項に記載の薄膜トランジスタ基板。
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