JP2002164342A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
半導体装置及びその製造方法Info
- Publication number
- JP2002164342A JP2002164342A JP2001220233A JP2001220233A JP2002164342A JP 2002164342 A JP2002164342 A JP 2002164342A JP 2001220233 A JP2001220233 A JP 2001220233A JP 2001220233 A JP2001220233 A JP 2001220233A JP 2002164342 A JP2002164342 A JP 2002164342A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- insulating film
- protective layer
- semiconductor device
- wiring
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 塗布絶縁膜とその上面或いは下面を被覆する
保護層とで構成される被覆絶縁膜において、又は塗布絶
縁膜とそれらの上面及び下面を被覆する保護層とで構成
される層間絶縁膜において、被覆絶縁膜又は層間絶縁膜
全体として低誘電率化を図ることができ、水分やリーク
電流等に対するバリア性がより完全で、かつ平坦性に優
れた被覆絶縁膜又は層間絶縁膜を形成することができる
半導体装置及びその製造方法を提供すること。 【解決手段】 塗布絶縁膜２６が表面に形成された基板
２０を準備する工程と、Ｓｉ−Ｈ結合を有するアルコキ
シ化合物、又はＳｉ−Ｈ結合を有するシロキサンの何れ
か一と、Ｏ2、Ｎ2Ｏ、ＮＯ2、ＣＯ、ＣＯ2、又はＨ2Ｏ
の何れか一の酸素含有ガスとからなる第１の成膜ガスを
プラズマ化し、反応させて、上記塗布絶縁膜２６を被覆
する保護層２７を形成する工程とを有することを特徴と
する半導体装置の製造方法による。
保護層とで構成される被覆絶縁膜において、又は塗布絶
縁膜とそれらの上面及び下面を被覆する保護層とで構成
される層間絶縁膜において、被覆絶縁膜又は層間絶縁膜
全体として低誘電率化を図ることができ、水分やリーク
電流等に対するバリア性がより完全で、かつ平坦性に優
れた被覆絶縁膜又は層間絶縁膜を形成することができる
半導体装置及びその製造方法を提供すること。 【解決手段】 塗布絶縁膜２６が表面に形成された基板
２０を準備する工程と、Ｓｉ−Ｈ結合を有するアルコキ
シ化合物、又はＳｉ−Ｈ結合を有するシロキサンの何れ
か一と、Ｏ2、Ｎ2Ｏ、ＮＯ2、ＣＯ、ＣＯ2、又はＨ2Ｏ
の何れか一の酸素含有ガスとからなる第１の成膜ガスを
プラズマ化し、反応させて、上記塗布絶縁膜２６を被覆
する保護層２７を形成する工程とを有することを特徴と
する半導体装置の製造方法による。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置及びそ
の製造方法に関し、より詳しくは、低誘電率を有する塗
布絶縁膜を含む層間絶縁膜を形成する半導体装置及びそ
の製造方法に関する。
の製造方法に関し、より詳しくは、低誘電率を有する塗
布絶縁膜を含む層間絶縁膜を形成する半導体装置及びそ
の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体集積回路装置の高集積度
化、高密度化及び高速化に伴い、低誘電率を有する層間
絶縁膜を用いた多層配線構造が採用されている。このよ
うな場合、層間絶縁膜として平坦性に優れた、低い比誘
電率を有する塗布絶縁膜が多く用いられている。
化、高密度化及び高速化に伴い、低誘電率を有する層間
絶縁膜を用いた多層配線構造が採用されている。このよ
うな場合、層間絶縁膜として平坦性に優れた、低い比誘
電率を有する塗布絶縁膜が多く用いられている。
【０００３】低い比誘電率を有する塗布絶縁膜はシリコ
ン含有無機化合物を含む塗布液又はシリコン含有有機化
合物を含む塗布液を回転塗布法により被成膜面に塗布
し、その後加熱により塗布液中の溶媒を除去して得られ
る。しかしながら、塗布絶縁膜は膜中の水分量が多く、
吸湿性も高い。また、塗布絶縁膜自体の強度も比較的弱
い。
ン含有無機化合物を含む塗布液又はシリコン含有有機化
合物を含む塗布液を回転塗布法により被成膜面に塗布
し、その後加熱により塗布液中の溶媒を除去して得られ
る。しかしながら、塗布絶縁膜は膜中の水分量が多く、
吸湿性も高い。また、塗布絶縁膜自体の強度も比較的弱
い。
【０００４】また、塗布絶縁膜はＣＶＤ（Chemical Vap
or Deposition）絶縁膜や金属配線層との密着性が悪
く、塗布絶縁膜の剥離が生じる恐れが有る。これらの塗
布絶縁膜の弱点を補強するため、塗布絶縁膜の上下にＳ
ｉ及びＮを含む又はＳｉ及びＣを含むキャップ層（上部
保護層）とライナ層（下部保護層）を形成し、上下部保
護層により塗布絶縁膜を包むような構造とすることが多
い。
or Deposition）絶縁膜や金属配線層との密着性が悪
く、塗布絶縁膜の剥離が生じる恐れが有る。これらの塗
布絶縁膜の弱点を補強するため、塗布絶縁膜の上下にＳ
ｉ及びＮを含む又はＳｉ及びＣを含むキャップ層（上部
保護層）とライナ層（下部保護層）を形成し、上下部保
護層により塗布絶縁膜を包むような構造とすることが多
い。
【０００５】即ち、多層配線を有する半導体装置では、
上部配線と下部配線の間にＳｉ及びＮを含む又はＳｉ及
びＣを含む下部保護層と塗布絶縁膜とＳｉ及びＮを含む
又はＳｉ及びＣを含む上部保護層とが順に積層されてな
る層間絶縁膜を形成している。しかしながら、Ｓｉ及び
Ｎを含む絶縁膜は比誘電率が高いため、Ｓｉ及びＮを含
む絶縁膜の膜厚を薄くして上下部保護層として用いたと
しても、なお層間絶縁膜全体の誘電率が高くなってしま
う。
上部配線と下部配線の間にＳｉ及びＮを含む又はＳｉ及
びＣを含む下部保護層と塗布絶縁膜とＳｉ及びＮを含む
又はＳｉ及びＣを含む上部保護層とが順に積層されてな
る層間絶縁膜を形成している。しかしながら、Ｓｉ及び
Ｎを含む絶縁膜は比誘電率が高いため、Ｓｉ及びＮを含
む絶縁膜の膜厚を薄くして上下部保護層として用いたと
しても、なお層間絶縁膜全体の誘電率が高くなってしま
う。
【０００６】また、Ｓｉ及びＣを含む上下部保護層は、
Ｓｉ及びＮを含む上下部保護層と比較して比誘電率が５
程度と比較的低いが、リーク電流の増大を十分に抑制す
ることができない。さらに、塗布絶縁膜とＳｉ及びＮを
含む又はＳｉ及びＣを含む上下部保護層との密着性があ
まりよいとはいえず、水分等に対するバリア性が完全で
はない。
Ｓｉ及びＮを含む上下部保護層と比較して比誘電率が５
程度と比較的低いが、リーク電流の増大を十分に抑制す
ることができない。さらに、塗布絶縁膜とＳｉ及びＮを
含む又はＳｉ及びＣを含む上下部保護層との密着性があ
まりよいとはいえず、水分等に対するバリア性が完全で
はない。
【０００７】一方、塗布絶縁膜の上下部にそれぞれ密着
性を強化するために、比較的低温で成膜可能なプラズマ
励起化学気相成長法（以下、ＰＥ−ＣＶＤ法という。）
を用い、その成膜ガスとして、ＳｉＨ4／Ｎ2Ｏ系のガス
やＳｉＨ4／Ｏ2系のガスやＴＥＯＳ／Ｏ2系のガスを用
いて他の上下部保護層を形成する場合もある。しかしな
がら、他の上下部保護層においては膜自体の機械的強度
や塗布絶縁膜との密着性がまだ十分ではないこと、さら
には強い酸化反応を示すガスを用いていたため、以下の
ような欠点がある。即ち、 （ｉ）塗布絶縁膜と上下部保護層との界面において塗布
絶縁膜の剥離が生じる。
性を強化するために、比較的低温で成膜可能なプラズマ
励起化学気相成長法（以下、ＰＥ−ＣＶＤ法という。）
を用い、その成膜ガスとして、ＳｉＨ4／Ｎ2Ｏ系のガス
やＳｉＨ4／Ｏ2系のガスやＴＥＯＳ／Ｏ2系のガスを用
いて他の上下部保護層を形成する場合もある。しかしな
がら、他の上下部保護層においては膜自体の機械的強度
や塗布絶縁膜との密着性がまだ十分ではないこと、さら
には強い酸化反応を示すガスを用いていたため、以下の
ような欠点がある。即ち、 （ｉ）塗布絶縁膜と上下部保護層との界面において塗布
絶縁膜の剥離が生じる。
【０００８】（ii）加工中、特にＣＭＰ（Chemical Mec
hanical Polishing）中に(補強用の)骨格の役割を果た
すストッパとしての下部保護層が破壊されて半導体装置
の積層構造の破壊が生じる。 （iii）上部保護層を形成する際に、成膜ガス中に強い
酸化反応を示すガスを用いているため、塗布絶縁膜の酸
化による誘電率の上昇が生じたりする。
hanical Polishing）中に(補強用の)骨格の役割を果た
すストッパとしての下部保護層が破壊されて半導体装置
の積層構造の破壊が生じる。 （iii）上部保護層を形成する際に、成膜ガス中に強い
酸化反応を示すガスを用いているため、塗布絶縁膜の酸
化による誘電率の上昇が生じたりする。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、係る従来例
の問題点に鑑みて創作されたものであり、塗布絶縁膜と
その上面或いは下面を被覆する保護層とで構成される被
覆絶縁膜において、又は塗布絶縁膜とそれらの上面及び
下面を被覆する保護層とで構成される層間絶縁膜におい
て、被覆絶縁膜又は層間絶縁膜全体として低誘電率化を
図ることができ、水分やリーク電流等に対するバリア性
がより完全で、かつ平坦性に優れた被覆絶縁膜又は層間
絶縁膜を形成することができる半導体装置及びその製造
方法を提供することを目的とする。
の問題点に鑑みて創作されたものであり、塗布絶縁膜と
その上面或いは下面を被覆する保護層とで構成される被
覆絶縁膜において、又は塗布絶縁膜とそれらの上面及び
下面を被覆する保護層とで構成される層間絶縁膜におい
て、被覆絶縁膜又は層間絶縁膜全体として低誘電率化を
図ることができ、水分やリーク電流等に対するバリア性
がより完全で、かつ平坦性に優れた被覆絶縁膜又は層間
絶縁膜を形成することができる半導体装置及びその製造
方法を提供することを目的とする。
【００１０】また、本発明の他の目的は、保護層と塗布
絶縁膜との密着性や、保護層自体の機械的強度を向上さ
せることができる半導体装置及びその製造方法を提供す
ることである。
絶縁膜との密着性や、保護層自体の機械的強度を向上さ
せることができる半導体装置及びその製造方法を提供す
ることである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記した課題は、第1の
発明である、シリコン含有無機化合物又はシリコン含有
有機化合物の何れか一を含む塗布液を塗布して塗布絶縁
膜が表面に形成された基板を準備する工程と、Ｓｉ−Ｈ
結合を有するアルコキシ化合物、又はＳｉ−Ｈ結合を有
するシロキサンの何れか一と、Ｏ2、Ｎ2Ｏ、ＮＯ2、Ｃ
Ｏ、ＣＯ2、又はＨ2Ｏの何れか一の酸素含有ガスとから
なる第１の成膜ガスをプラズマ化し、反応させて、前記
塗布絶縁膜を被覆する保護層を形成する工程とを有する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法によって解決す
る。
発明である、シリコン含有無機化合物又はシリコン含有
有機化合物の何れか一を含む塗布液を塗布して塗布絶縁
膜が表面に形成された基板を準備する工程と、Ｓｉ−Ｈ
結合を有するアルコキシ化合物、又はＳｉ−Ｈ結合を有
するシロキサンの何れか一と、Ｏ2、Ｎ2Ｏ、ＮＯ2、Ｃ
Ｏ、ＣＯ2、又はＨ2Ｏの何れか一の酸素含有ガスとから
なる第１の成膜ガスをプラズマ化し、反応させて、前記
塗布絶縁膜を被覆する保護層を形成する工程とを有する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法によって解決す
る。
【００１２】又は、第２の発明である、前記第１の成膜
ガスにＮ2又はＨ2の何れか一を添加することを特徴とす
る第１の発明に記載の半導体装置の製造方法によって解
決する。又は、第３の発明である、前記第１の成膜ガス
を構成するＳｉ−Ｈ結合を有するアルコキシ化合物は、
トリメトキシシラン（ＴＭＳ：SiH(OCH3)3）であること
を特徴とする第１の発明又は第２の発明に記載の半導体
装置の製造方法によって解決する。
ガスにＮ2又はＨ2の何れか一を添加することを特徴とす
る第１の発明に記載の半導体装置の製造方法によって解
決する。又は、第３の発明である、前記第１の成膜ガス
を構成するＳｉ−Ｈ結合を有するアルコキシ化合物は、
トリメトキシシラン（ＴＭＳ：SiH(OCH3)3）であること
を特徴とする第１の発明又は第２の発明に記載の半導体
装置の製造方法によって解決する。
【００１３】又は、第４の発明である、前記第１の成膜
ガスを構成するＳｉ−Ｈ結合を有するシロキサンは、テ
トラメチルジシロキサン（ＴＭＤＳＯ：(CH3)2HSi-O-Si
H(CH 3)2）であることを特徴とする第１の発明又は第２
の発明に記載の半導体装置の製造方法によって解決す
る。又は、第５の発明である、プラズマ生成手段として
平行平板型の第１の電極及び第２の電極を用い、かつ前
記プラズマ化の際に、前記第１の電極に周波数１ＭＨｚ
以上の高周波電力を印加し、かつ前記基板を保持する前
記第２の電極に周波数１００ｋＨｚ乃至１ＭＨｚの低周
波電力を印加することを特徴とする第１の発明乃至第４
の発明のいずれか一に記載の半導体装置の製造方法によ
って解決する。
ガスを構成するＳｉ−Ｈ結合を有するシロキサンは、テ
トラメチルジシロキサン（ＴＭＤＳＯ：(CH3)2HSi-O-Si
H(CH 3)2）であることを特徴とする第１の発明又は第２
の発明に記載の半導体装置の製造方法によって解決す
る。又は、第５の発明である、プラズマ生成手段として
平行平板型の第１の電極及び第２の電極を用い、かつ前
記プラズマ化の際に、前記第１の電極に周波数１ＭＨｚ
以上の高周波電力を印加し、かつ前記基板を保持する前
記第２の電極に周波数１００ｋＨｚ乃至１ＭＨｚの低周
波電力を印加することを特徴とする第１の発明乃至第４
の発明のいずれか一に記載の半導体装置の製造方法によ
って解決する。
【００１４】又は、第６の発明である、前記塗布絶縁膜
を形成する工程の前に、前記基板は、第１の配線と、前
記第１の配線を被覆する保護層とを有してなり、前記第
１の配線を被覆する保護層は、Ｓｉ−Ｈ結合を有するア
ルコキシ化合物、又はＳｉ−Ｈ結合を有するシロキサン
の何れか一と、Ｏ2、Ｎ2Ｏ、ＮＯ2、ＣＯ、ＣＯ2、又は
Ｈ2Ｏの何れか一の酸素含有ガスとからなる第２の成膜
ガスをプラズマ化し、反応させて形成されたシリコン含
有絶縁膜であることを特徴とする第１の発明乃至第５の
発明のいずれか一に記載の半導体装置の製造方法によっ
て解決する。
を形成する工程の前に、前記基板は、第１の配線と、前
記第１の配線を被覆する保護層とを有してなり、前記第
１の配線を被覆する保護層は、Ｓｉ−Ｈ結合を有するア
ルコキシ化合物、又はＳｉ−Ｈ結合を有するシロキサン
の何れか一と、Ｏ2、Ｎ2Ｏ、ＮＯ2、ＣＯ、ＣＯ2、又は
Ｈ2Ｏの何れか一の酸素含有ガスとからなる第２の成膜
ガスをプラズマ化し、反応させて形成されたシリコン含
有絶縁膜であることを特徴とする第１の発明乃至第５の
発明のいずれか一に記載の半導体装置の製造方法によっ
て解決する。
【００１５】又は、第７の発明である、前記第２の成膜
ガスにＮ2又はＨ2の何れか一を添加することを特徴とす
る第６の発明に記載の半導体装置の製造方法によって解
決する。又は、第８の発明である、前記第２の成膜ガス
を構成するＳｉ−Ｈ結合を有するアルコキシ化合物は、
トリメトキシシラン（ＴＭＳ：SiH(OCH3)3）であること
を特徴とする第６の発明又は第７の発明に記載の半導体
装置の製造方法によって解決する。
ガスにＮ2又はＨ2の何れか一を添加することを特徴とす
る第６の発明に記載の半導体装置の製造方法によって解
決する。又は、第８の発明である、前記第２の成膜ガス
を構成するＳｉ−Ｈ結合を有するアルコキシ化合物は、
トリメトキシシラン（ＴＭＳ：SiH(OCH3)3）であること
を特徴とする第６の発明又は第７の発明に記載の半導体
装置の製造方法によって解決する。
【００１６】又は、第９の発明である、前記第２の成膜
ガスを構成するＳｉ−Ｈ結合を有するシロキサンは、テ
トラメチルジシロキサン（ＴＭＤＳＯ：(CH3)2HSi-O-Si
H(CH 3)2）であることを特徴とする第６の発明又は第７
の発明に記載の半導体装置の製造方法によって解決す
る。又は、第１０の発明である、プラズマ生成手段とし
て平行平板型の第１の電極及び第２の電極を用い、かつ
前記プラズマ化の際に、前記第１の電極に周波数１ＭＨ
ｚ以上の高周波電力を印加し、かつ前記基板を保持する
前記第２の電極に周波数１００ｋＨｚ乃至１ＭＨｚの低
周波電力を印加することを特徴とする第６の発明乃至第
９の発明のいずれか一に記載の半導体装置の製造方法に
よって解決する。
ガスを構成するＳｉ−Ｈ結合を有するシロキサンは、テ
トラメチルジシロキサン（ＴＭＤＳＯ：(CH3)2HSi-O-Si
H(CH 3)2）であることを特徴とする第６の発明又は第７
の発明に記載の半導体装置の製造方法によって解決す
る。又は、第１０の発明である、プラズマ生成手段とし
て平行平板型の第１の電極及び第２の電極を用い、かつ
前記プラズマ化の際に、前記第１の電極に周波数１ＭＨ
ｚ以上の高周波電力を印加し、かつ前記基板を保持する
前記第２の電極に周波数１００ｋＨｚ乃至１ＭＨｚの低
周波電力を印加することを特徴とする第６の発明乃至第
９の発明のいずれか一に記載の半導体装置の製造方法に
よって解決する。
【００１７】又は、第１１の発明である、前記塗布絶縁
膜を被覆する保護層を形成する工程の後に、前記塗布絶
縁膜を被覆する保護層と、前記塗布絶縁膜と、前記第１
の配線を被覆する保護層とに開口部を形成する工程と、
前記開口部を通して前記第１の配線と接続する第２の配
線を形成する工程とを有することを特徴とする第６の発
明乃至第１０の発明のいずれか一に記載の半導体装置の
製造方法によって解決する。
膜を被覆する保護層を形成する工程の後に、前記塗布絶
縁膜を被覆する保護層と、前記塗布絶縁膜と、前記第１
の配線を被覆する保護層とに開口部を形成する工程と、
前記開口部を通して前記第１の配線と接続する第２の配
線を形成する工程とを有することを特徴とする第６の発
明乃至第１０の発明のいずれか一に記載の半導体装置の
製造方法によって解決する。
【００１８】又は、第１２の発明である、前記第２の配
線を形成する工程の後に、Ｓｉ−Ｈ結合を有するアルコ
キシ化合物、又はＳｉ−Ｈ結合を有するシロキサンの何
れか一と、Ｏ2、Ｎ2Ｏ、ＮＯ2、ＣＯ、ＣＯ2、又はＨ2
Ｏの何れか一の酸素含有ガスとからなる第３の成膜ガス
をプラズマ化し、反応させて、前記第２の配線を被覆す
る保護層を形成する工程を有することを特徴とする第１
１の発明に記載の半導体装置の製造方法によって解決す
る。
線を形成する工程の後に、Ｓｉ−Ｈ結合を有するアルコ
キシ化合物、又はＳｉ−Ｈ結合を有するシロキサンの何
れか一と、Ｏ2、Ｎ2Ｏ、ＮＯ2、ＣＯ、ＣＯ2、又はＨ2
Ｏの何れか一の酸素含有ガスとからなる第３の成膜ガス
をプラズマ化し、反応させて、前記第２の配線を被覆す
る保護層を形成する工程を有することを特徴とする第１
１の発明に記載の半導体装置の製造方法によって解決す
る。
【００１９】又は、第１３の発明である、前記第３の成
膜ガスにＮ2又はＨ2の何れか一を添加することを特徴と
する第１２の発明に記載の半導体装置の製造方法によっ
て解決する。又は、第１４の発明である、前記第３の成
膜ガスを構成するＳｉ−Ｈ結合を有するアルコキシ化合
物は、トリメトキシシラン（ＴＭＳ：SiH(OCH3)3）であ
ることを特徴とする第１２の発明又は第１３の発明に記
載の半導体装置の製造方法によって解決する。
膜ガスにＮ2又はＨ2の何れか一を添加することを特徴と
する第１２の発明に記載の半導体装置の製造方法によっ
て解決する。又は、第１４の発明である、前記第３の成
膜ガスを構成するＳｉ−Ｈ結合を有するアルコキシ化合
物は、トリメトキシシラン（ＴＭＳ：SiH(OCH3)3）であ
ることを特徴とする第１２の発明又は第１３の発明に記
載の半導体装置の製造方法によって解決する。
【００２０】又は、第１５の発明である、前記第３の成
膜ガスを構成するＳｉ−Ｈ結合を有するシロキサンは、
テトラメチルジシロキサン（ＴＭＤＳＯ：(CH3)2HSi-O-
SiH(CH3)2）であることを特徴とする第１２の発明又は
第１３の発明に記載の半導体装置の製造方法によって解
決する。又は、第１６の発明である、プラズマ生成手段
として平行平板型の第１の電極及び第２の電極を用い、
かつ前記プラズマ化の際に、前記第１の電極に周波数１
ＭＨｚ以上の高周波電力を印加を印加し、かつ前記基板
を保持する前記第２の電極に周波数１００ｋＨｚ乃至１
ＭＨｚの低周波電力を印加することを特徴とする第１２
の発明乃至第１５の発明のいずれか一に記載の半導体装
置の製造方法によって解決する。
膜ガスを構成するＳｉ−Ｈ結合を有するシロキサンは、
テトラメチルジシロキサン（ＴＭＤＳＯ：(CH3)2HSi-O-
SiH(CH3)2）であることを特徴とする第１２の発明又は
第１３の発明に記載の半導体装置の製造方法によって解
決する。又は、第１６の発明である、プラズマ生成手段
として平行平板型の第１の電極及び第２の電極を用い、
かつ前記プラズマ化の際に、前記第１の電極に周波数１
ＭＨｚ以上の高周波電力を印加を印加し、かつ前記基板
を保持する前記第２の電極に周波数１００ｋＨｚ乃至１
ＭＨｚの低周波電力を印加することを特徴とする第１２
の発明乃至第１５の発明のいずれか一に記載の半導体装
置の製造方法によって解決する。
【００２１】又は、第１７の発明である、基板上に積層
されたシリコン含有有機物又はシリコン含有無機物のう
ち少なくとも何れか一を含む塗布絶縁膜と、前記塗布絶
縁膜上に積層された保護層とを有してなり、前記保護層
は、赤外線の吸収強度のピークが波数２２７０乃至２３
５０ｃｍ-1の範囲にあり、膜密度が２．２５乃至２．４
０ｇ／ｃｍ3の範囲に有り、かつ比誘電率が３．３乃至
４．３の範囲にあるシリコン含有絶縁膜からなることを
特徴とする半導体装置によって解決する。
されたシリコン含有有機物又はシリコン含有無機物のう
ち少なくとも何れか一を含む塗布絶縁膜と、前記塗布絶
縁膜上に積層された保護層とを有してなり、前記保護層
は、赤外線の吸収強度のピークが波数２２７０乃至２３
５０ｃｍ-1の範囲にあり、膜密度が２．２５乃至２．４
０ｇ／ｃｍ3の範囲に有り、かつ比誘電率が３．３乃至
４．３の範囲にあるシリコン含有絶縁膜からなることを
特徴とする半導体装置によって解決する。
【００２２】又は、第１８の発明である、前記基板は、
表面に第１の配線と、該第１の配線と接するように該第
１の配線を被覆する保護層とを有し、前記第１の配線を
被覆する保護層は、赤外線の吸収強度のピークが波数２
２７０乃至２３５０ｃｍ-1の範囲にあり、膜密度が２．
２５乃至２．４０ｇ／ｃｍ3の範囲に有り、かつ比誘電
率が３．３乃至４．３の範囲にあるシリコン含有絶縁膜
からなることを特徴とする第１７の発明に記載の半導体
装置によって解決する。
表面に第１の配線と、該第１の配線と接するように該第
１の配線を被覆する保護層とを有し、前記第１の配線を
被覆する保護層は、赤外線の吸収強度のピークが波数２
２７０乃至２３５０ｃｍ-1の範囲にあり、膜密度が２．
２５乃至２．４０ｇ／ｃｍ3の範囲に有り、かつ比誘電
率が３．３乃至４．３の範囲にあるシリコン含有絶縁膜
からなることを特徴とする第１７の発明に記載の半導体
装置によって解決する。
【００２３】又は、第１９の発明である、前記第１の配
線を被覆する保護層と前記塗布絶縁膜と前記塗布絶縁膜
上に積層された保護層とは層間絶縁膜を構成し、該層間
絶縁膜上に第２の配線が形成されていることを特徴とす
る第１８の発明に記載の半導体装置によって解決する。
又は、第２０の発明である、前記層間絶縁膜下の第１の
配線と前記層間絶縁膜上の第２の配線は前記層間絶縁膜
の開口部を介して接続され、前記開口部の側壁に側壁保
護層を有し、前記側壁保護層は、赤外線の吸収強度のピ
ークが波数２２７０乃至２３５０ｃｍ-1の範囲にあり、
膜密度が２．２５乃至２．４０ｇ／ｃｍ 3の範囲に有
り、かつ比誘電率が３．３乃至４．３の範囲にあるシリ
コン含有絶縁膜からなることを特徴とする第１９の発明
に記載の半導体装置によって解決する。
線を被覆する保護層と前記塗布絶縁膜と前記塗布絶縁膜
上に積層された保護層とは層間絶縁膜を構成し、該層間
絶縁膜上に第２の配線が形成されていることを特徴とす
る第１８の発明に記載の半導体装置によって解決する。
又は、第２０の発明である、前記層間絶縁膜下の第１の
配線と前記層間絶縁膜上の第２の配線は前記層間絶縁膜
の開口部を介して接続され、前記開口部の側壁に側壁保
護層を有し、前記側壁保護層は、赤外線の吸収強度のピ
ークが波数２２７０乃至２３５０ｃｍ-1の範囲にあり、
膜密度が２．２５乃至２．４０ｇ／ｃｍ 3の範囲に有
り、かつ比誘電率が３．３乃至４．３の範囲にあるシリ
コン含有絶縁膜からなることを特徴とする第１９の発明
に記載の半導体装置によって解決する。
【００２４】以下に、本発明の構成により奏される作用
を説明する。この発明においては、基板上に塗布絶縁膜
を形成し、その塗布絶縁膜を被覆するように、Ｓｉ−Ｈ
結合を有するアルコキシ化合物、又はＳｉ−Ｈ結合を有
するシロキサンの何れか一と、Ｏ2、Ｎ2Ｏ、ＮＯ2、Ｃ
Ｏ、ＣＯ2、又はＨ2Ｏの何れか一の酸素含有ガスとから
なる第１の成膜ガスをプラズマ化し、反応させて保護層
を形成している。
を説明する。この発明においては、基板上に塗布絶縁膜
を形成し、その塗布絶縁膜を被覆するように、Ｓｉ−Ｈ
結合を有するアルコキシ化合物、又はＳｉ−Ｈ結合を有
するシロキサンの何れか一と、Ｏ2、Ｎ2Ｏ、ＮＯ2、Ｃ
Ｏ、ＣＯ2、又はＨ2Ｏの何れか一の酸素含有ガスとから
なる第１の成膜ガスをプラズマ化し、反応させて保護層
を形成している。
【００２５】本願発明者の実験によれば、上記第１の成
膜ガスをプラズマ化し、反応させて形成したシリコン含
有絶縁膜は、塗布絶縁膜との密着性が良く、シリコン窒
化膜と同じくらい緻密で、耐水性に優れ、かつシリコン
窒化膜に比べて比誘電率が小さく、さらに膜中の水分含
有量が少ないことが分かった。このように、プラズマＣ
ＶＤ法により形成したこの発明に係るシリコン含有絶縁
膜は塗布絶縁膜との密着性が良く、シリコン窒化膜と同
等な緻密性を有しているため、この発明の構成のよう
に、塗布絶縁膜を被覆するように塗布絶縁膜と接触させ
てこの発明に係るシリコン含有絶縁膜を形成することに
より、外から塗布絶縁膜への水分の侵入及び塗布絶縁膜
から周辺部への水分の流出に対するバリア性がより完全
で、かつ平坦性に優れた被覆絶縁膜を得ることができ
る。
膜ガスをプラズマ化し、反応させて形成したシリコン含
有絶縁膜は、塗布絶縁膜との密着性が良く、シリコン窒
化膜と同じくらい緻密で、耐水性に優れ、かつシリコン
窒化膜に比べて比誘電率が小さく、さらに膜中の水分含
有量が少ないことが分かった。このように、プラズマＣ
ＶＤ法により形成したこの発明に係るシリコン含有絶縁
膜は塗布絶縁膜との密着性が良く、シリコン窒化膜と同
等な緻密性を有しているため、この発明の構成のよう
に、塗布絶縁膜を被覆するように塗布絶縁膜と接触させ
てこの発明に係るシリコン含有絶縁膜を形成することに
より、外から塗布絶縁膜への水分の侵入及び塗布絶縁膜
から周辺部への水分の流出に対するバリア性がより完全
で、かつ平坦性に優れた被覆絶縁膜を得ることができ
る。
【００２６】また、この発明に係るプラズマＣＶＤ絶縁
膜は上記特性を有するほかにシリコン窒化膜に比べて比
誘電率が小さいため、主たる被覆絶縁膜又は層間絶縁膜
としての低比誘電率を有する塗布絶縁膜の上面或いは下
面に、又はその上下両面に、この発明に係るプラズマＣ
ＶＤ絶縁膜からなる保護層を形成することにより、塗布
絶縁膜への水分の侵入及び流出に対するバリア性、及び
リーク電流等に対するバリア性がより完全で、しかも全
体として誘電率が低い被覆絶縁膜又は層間絶縁膜を得る
ことができる。
膜は上記特性を有するほかにシリコン窒化膜に比べて比
誘電率が小さいため、主たる被覆絶縁膜又は層間絶縁膜
としての低比誘電率を有する塗布絶縁膜の上面或いは下
面に、又はその上下両面に、この発明に係るプラズマＣ
ＶＤ絶縁膜からなる保護層を形成することにより、塗布
絶縁膜への水分の侵入及び流出に対するバリア性、及び
リーク電流等に対するバリア性がより完全で、しかも全
体として誘電率が低い被覆絶縁膜又は層間絶縁膜を得る
ことができる。
【００２７】このように、本発明によれば、被覆絶縁膜
又は層間絶縁膜全体として低誘電率化を図ることがで
き、塗布絶縁膜への水分の侵入及び流出に対するバリア
性やリーク電流等に対するバリア性がより完全で、かつ
平坦性に優れた被覆絶縁膜又は層間絶縁膜を得ることが
できる。また、この発明に係るシリコン含有絶縁膜は、
赤外線の吸収強度のピークが波数２２７０乃至２３５０
ｃｍ-1の範囲にあり、膜密度が２．２５乃至２．４０ｇ
／ｃｍ3の範囲に有り、かつ比誘電率が３．３乃至４．
３の範囲にある。
又は層間絶縁膜全体として低誘電率化を図ることがで
き、塗布絶縁膜への水分の侵入及び流出に対するバリア
性やリーク電流等に対するバリア性がより完全で、かつ
平坦性に優れた被覆絶縁膜又は層間絶縁膜を得ることが
できる。また、この発明に係るシリコン含有絶縁膜は、
赤外線の吸収強度のピークが波数２２７０乃至２３５０
ｃｍ-1の範囲にあり、膜密度が２．２５乃至２．４０ｇ
／ｃｍ3の範囲に有り、かつ比誘電率が３．３乃至４．
３の範囲にある。
【００２８】本願発明者の実験によれば、上記特性を有
するシリコン含有絶縁膜は、シリコン窒化膜と同じよう
に、機械的強度が高く、緻密で、耐水性に優れ、膜中の
水分含有量が少なく、かつシリコン窒化膜と比べて比誘
電率が小さいことが分かった。また、そのシリコン含有
絶縁膜は塗布絶縁膜との密着性がよいことが分かった。
するシリコン含有絶縁膜は、シリコン窒化膜と同じよう
に、機械的強度が高く、緻密で、耐水性に優れ、膜中の
水分含有量が少なく、かつシリコン窒化膜と比べて比誘
電率が小さいことが分かった。また、そのシリコン含有
絶縁膜は塗布絶縁膜との密着性がよいことが分かった。
【００２９】この発明の上記特性を有するシリコン含有
絶縁膜を、配線等を被覆する保護層として用いることに
より、配線間の寄生容量を低減しつつ、外来の水分の浸
入を防いで配線の腐食を防止することができる。また、
この発明は、基板上に上下部配線と、上下部配線の間に
介在する層間絶縁膜とを有し、層間絶縁膜は、下層から
順に、この発明の上記特性を有するシリコン含有絶縁膜
からなる下部保護層と、シリコン含有有機物又はシリコ
ン含有無機物のうち少なくとも何れか一を含む塗布絶縁
膜からなる主たる絶縁膜と、この発明の上記特性を有す
るシリコン含有絶縁膜からなる上部保護層とから構成さ
れている。
絶縁膜を、配線等を被覆する保護層として用いることに
より、配線間の寄生容量を低減しつつ、外来の水分の浸
入を防いで配線の腐食を防止することができる。また、
この発明は、基板上に上下部配線と、上下部配線の間に
介在する層間絶縁膜とを有し、層間絶縁膜は、下層から
順に、この発明の上記特性を有するシリコン含有絶縁膜
からなる下部保護層と、シリコン含有有機物又はシリコ
ン含有無機物のうち少なくとも何れか一を含む塗布絶縁
膜からなる主たる絶縁膜と、この発明の上記特性を有す
るシリコン含有絶縁膜からなる上部保護層とから構成さ
れている。
【００３０】この発明の上記特性を有するシリコン含有
絶縁膜は塗布絶縁膜との密着性がよく、機械的強度が高
いため、外部からの機械的な衝撃に対しても膜剥がれ等
積層構造の破壊を防止することができる。また、この発
明の上記特性を有するシリコン含有絶縁膜は緻密である
ため、塗布絶縁膜中に含まれる水分がシリコン含有絶縁
膜の外側周辺部へ放出されるのを防止することができ
る。
絶縁膜は塗布絶縁膜との密着性がよく、機械的強度が高
いため、外部からの機械的な衝撃に対しても膜剥がれ等
積層構造の破壊を防止することができる。また、この発
明の上記特性を有するシリコン含有絶縁膜は緻密である
ため、塗布絶縁膜中に含まれる水分がシリコン含有絶縁
膜の外側周辺部へ放出されるのを防止することができ
る。
【００３１】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施の形態につ
いて図面を参照しながら説明する。 （第１の実施の形態）図１は、本発明の第１の実施の形
態に係る半導体装置の製造方法に用いられる平行平板型
のプラズマ成膜装置１０１の構成を示す側面図である。
いて図面を参照しながら説明する。 （第１の実施の形態）図１は、本発明の第１の実施の形
態に係る半導体装置の製造方法に用いられる平行平板型
のプラズマ成膜装置１０１の構成を示す側面図である。
【００３２】このプラズマ成膜装置１０１は、プラズマ
ガスにより被成膜基板２０上にバリア絶縁膜を形成する
場所である成膜部１０１Ａと、成膜ガスを構成する複数
のガスの供給源を有する成膜ガス供給部１０１Ｂとから
構成されている。成膜部１０１Ａは、図１に示すよう
に、減圧可能なチャンバ１を備え、チャンバ１は排気配
管４を通して排気装置６と接続されている。排気配管４
の途中にはチャンバ１と排気装置６の間の導通／非導通
を制御する開閉バルブ５が設けられている。チャンバ１
にはチャンバ１内の圧力を監視する不図示の真空計など
の圧力計測手段が設けられている。
ガスにより被成膜基板２０上にバリア絶縁膜を形成する
場所である成膜部１０１Ａと、成膜ガスを構成する複数
のガスの供給源を有する成膜ガス供給部１０１Ｂとから
構成されている。成膜部１０１Ａは、図１に示すよう
に、減圧可能なチャンバ１を備え、チャンバ１は排気配
管４を通して排気装置６と接続されている。排気配管４
の途中にはチャンバ１と排気装置６の間の導通／非導通
を制御する開閉バルブ５が設けられている。チャンバ１
にはチャンバ１内の圧力を監視する不図示の真空計など
の圧力計測手段が設けられている。
【００３３】チャンバ１内には対向する一対の上部電極
（第１の電極）２と下部電極（第２の電極）３とが備え
られ、上部電極２に周波数１３．５６ＭＨｚの高周波電
力を供給する高周波電力供給電源（ＲＦ電源）７が接続
され、下部電極３に周波数３８０ｋＨｚの低周波電力を
供給する低周波電力供給電源８が接続されている。これ
らの電源７、８から上部電極２及び下部電極３に電力を
供給して、成膜ガスをプラズマ化する。上部電極２、下
部電極３及び電源７、８が成膜ガスをプラズマ化するプ
ラズマ生成手段を構成する。図中、１３は、不図示の抵
抗素子や容量素子を備えた第１のマッチングボックス
で、高周波電力のインピーダンス整合を図るように機能
する。同様に、１４は、第２のマッチングボックスであ
り、不図示の抵抗素子や容量素子を備えて、低周波電力
のインピーダンス整合を図るように機能する。
（第１の電極）２と下部電極（第２の電極）３とが備え
られ、上部電極２に周波数１３．５６ＭＨｚの高周波電
力を供給する高周波電力供給電源（ＲＦ電源）７が接続
され、下部電極３に周波数３８０ｋＨｚの低周波電力を
供給する低周波電力供給電源８が接続されている。これ
らの電源７、８から上部電極２及び下部電極３に電力を
供給して、成膜ガスをプラズマ化する。上部電極２、下
部電極３及び電源７、８が成膜ガスをプラズマ化するプ
ラズマ生成手段を構成する。図中、１３は、不図示の抵
抗素子や容量素子を備えた第１のマッチングボックス
で、高周波電力のインピーダンス整合を図るように機能
する。同様に、１４は、第２のマッチングボックスであ
り、不図示の抵抗素子や容量素子を備えて、低周波電力
のインピーダンス整合を図るように機能する。
【００３４】なお、プラズマ生成手段として、例えば平
行平板型の上部電極２と、下部電極３とによりプラズマ
を生成する手段、ＥＣＲ（Electron Cyclotron Resonan
ce）法によりプラズマを生成する手段、アンテナからの
高周波電力の放射によりヘリコンプラズマを生成する手
段等がある。上部電極２は成膜ガスの分散具を兼ねてい
る。上部電極２には複数の貫通孔が形成され、下部電極
３との対向面における貫通孔の開口部が成膜ガスの放出
口（導入口）となる。この成膜ガス等の放出口は成膜ガ
ス供給部１０１Ｂと配管９ａで接続されている。また、
場合により、上部電極２には図示しないヒータが備えら
れることもある。成膜中に上部電極２を温度凡そ１００
℃程度に加熱しておくことにより、成膜ガス等の反応生
成物からなるパーティクルが上部電極２に付着するのを
防止するためである。
行平板型の上部電極２と、下部電極３とによりプラズマ
を生成する手段、ＥＣＲ（Electron Cyclotron Resonan
ce）法によりプラズマを生成する手段、アンテナからの
高周波電力の放射によりヘリコンプラズマを生成する手
段等がある。上部電極２は成膜ガスの分散具を兼ねてい
る。上部電極２には複数の貫通孔が形成され、下部電極
３との対向面における貫通孔の開口部が成膜ガスの放出
口（導入口）となる。この成膜ガス等の放出口は成膜ガ
ス供給部１０１Ｂと配管９ａで接続されている。また、
場合により、上部電極２には図示しないヒータが備えら
れることもある。成膜中に上部電極２を温度凡そ１００
℃程度に加熱しておくことにより、成膜ガス等の反応生
成物からなるパーティクルが上部電極２に付着するのを
防止するためである。
【００３５】下部電極３は被成膜基板２０の保持台を兼
ね、また、保持台上の被成膜基板２０を加熱するヒータ
１２を備えている。成膜ガス供給部１０１Ｂには、Ｓｉ
−Ｈ結合を有するアルコキシ化合物の供給源、Ｓｉ−Ｈ
結合を有するシロキサンの供給源、酸素（Ｏ2）、一酸
化窒素（Ｎ2Ｏ）、二酸化窒素（ＮＯ2）、一酸化炭素
（ＣＯ）、二酸化炭素（ＣＯ2）、又は水（Ｈ2Ｏ）の何
れか一の酸素含有ガスの供給源、水素（Ｈ2）の供給
源、及び窒素（Ｎ2）の供給源が設けられている。
ね、また、保持台上の被成膜基板２０を加熱するヒータ
１２を備えている。成膜ガス供給部１０１Ｂには、Ｓｉ
−Ｈ結合を有するアルコキシ化合物の供給源、Ｓｉ−Ｈ
結合を有するシロキサンの供給源、酸素（Ｏ2）、一酸
化窒素（Ｎ2Ｏ）、二酸化窒素（ＮＯ2）、一酸化炭素
（ＣＯ）、二酸化炭素（ＣＯ2）、又は水（Ｈ2Ｏ）の何
れか一の酸素含有ガスの供給源、水素（Ｈ2）の供給
源、及び窒素（Ｎ2）の供給源が設けられている。
【００３６】本発明が適用される成膜ガスであるＳｉ−
Ｈ結合を有するアルコキシ化合物、又はＳｉ−Ｈ結合を
有するシロキサンについては、代表例として以下に示す
ものを用いることができる。 （ｉ）Ｓｉ−Ｈ結合を有するアルコキシ化合物 トリメトキシシラン（ＴＭＳ：SiH(OCH3)3） （ii）Ｓｉ−Ｈ結合を有するシロキサン テトラメチルジシロキサン（ＴＭＤＳＯ：(CH3)2HSi-O-
SiH(CH3)2） これらのガスは適宜分岐配管９ｂ乃至９ｆ及びこれらす
べての分岐配管９ｂ乃至９ｆが接続された配管９ａを通
して成膜部１０１Ａのチャンバ１内に供給される。分岐
配管９ｂ乃至９ｆの途中に流量調整手段１１ａ乃至１１
ｅや、分岐配管９ｂ乃至９ｆの導通又は非導通を制御す
る開閉手段１０ｂ乃至１０ｋが設置され、配管９ａの途
中に配管９ａの導通又は非導通を行う開閉手段１０ａが
設置されている。また、Ｎ2ガスを流通させて分岐配管
９ｂ乃至９ｅ内の残留ガスをパージするため、Ｎ2ガス
の供給源と接続された分岐配管９ｆとその他の分岐配管
９ｂ乃至９ｅの間の導通又は非導通を制御する開閉手段
１０ｌ乃至１０ｎ，１０ｐが設置されている。なお、Ｎ
2ガスは分岐配管９ｂ乃至９ｅ内のほかに、配管９ａ内
及びチャンバ１内の残留ガスをパージする。
Ｈ結合を有するアルコキシ化合物、又はＳｉ−Ｈ結合を
有するシロキサンについては、代表例として以下に示す
ものを用いることができる。 （ｉ）Ｓｉ−Ｈ結合を有するアルコキシ化合物 トリメトキシシラン（ＴＭＳ：SiH(OCH3)3） （ii）Ｓｉ−Ｈ結合を有するシロキサン テトラメチルジシロキサン（ＴＭＤＳＯ：(CH3)2HSi-O-
SiH(CH3)2） これらのガスは適宜分岐配管９ｂ乃至９ｆ及びこれらす
べての分岐配管９ｂ乃至９ｆが接続された配管９ａを通
して成膜部１０１Ａのチャンバ１内に供給される。分岐
配管９ｂ乃至９ｆの途中に流量調整手段１１ａ乃至１１
ｅや、分岐配管９ｂ乃至９ｆの導通又は非導通を制御す
る開閉手段１０ｂ乃至１０ｋが設置され、配管９ａの途
中に配管９ａの導通又は非導通を行う開閉手段１０ａが
設置されている。また、Ｎ2ガスを流通させて分岐配管
９ｂ乃至９ｅ内の残留ガスをパージするため、Ｎ2ガス
の供給源と接続された分岐配管９ｆとその他の分岐配管
９ｂ乃至９ｅの間の導通又は非導通を制御する開閉手段
１０ｌ乃至１０ｎ，１０ｐが設置されている。なお、Ｎ
2ガスは分岐配管９ｂ乃至９ｅ内のほかに、配管９ａ内
及びチャンバ１内の残留ガスをパージする。
【００３７】以上のような成膜装置１０１によれば、Ｓ
ｉ−Ｈ結合を有するアルコキシ化合物、又はＳｉ−Ｈ結
合を有するシロキサンの何れか一の供給源と、酸素含有
ガスの供給源とを備え、さらに成膜ガスをプラズマ化す
るプラズマ生成手段２、３、７、８を備えている。上記
プラズマＣＶＤ装置を用いて、プラズマＣＶＤ法により
Ｓｉ，Ｏ，Ｃ，Ｈを含むシリコン含有絶縁膜を形成する
ことができる。このため、下記の第２の実施の形態に示
すように、低い誘電率を有し、かつ水分含有量が少な
く、緻密で、耐水性に優れたシリコン含有絶縁膜を形成
することができる。また、このシリコン含有絶縁膜は、
有機塗布絶縁膜或いは無機塗布絶縁膜との密着性が良
く、銅（Ｃｕ）の拡散を阻止する能力も高い。
ｉ−Ｈ結合を有するアルコキシ化合物、又はＳｉ−Ｈ結
合を有するシロキサンの何れか一の供給源と、酸素含有
ガスの供給源とを備え、さらに成膜ガスをプラズマ化す
るプラズマ生成手段２、３、７、８を備えている。上記
プラズマＣＶＤ装置を用いて、プラズマＣＶＤ法により
Ｓｉ，Ｏ，Ｃ，Ｈを含むシリコン含有絶縁膜を形成する
ことができる。このため、下記の第２の実施の形態に示
すように、低い誘電率を有し、かつ水分含有量が少な
く、緻密で、耐水性に優れたシリコン含有絶縁膜を形成
することができる。また、このシリコン含有絶縁膜は、
有機塗布絶縁膜或いは無機塗布絶縁膜との密着性が良
く、銅（Ｃｕ）の拡散を阻止する能力も高い。
【００３８】特に、平行平板型の第１及び第２の電極
２、３にそれぞれ高低２つの周波数の電力を供給する電
源７、８が接続されているので、これら高低２つの周波
数の電力をそれぞれ各電極２、３に印加してプラズマを
生成することができ、このようにして作成したシリコン
含有絶縁膜は緻密である。 （第２の実施の形態）以下に、上記のプラズマＣＶＤ装
置を用いて成膜したシリコン含有絶縁膜に関し、本願発
明者の行なった調査実験について説明する。
２、３にそれぞれ高低２つの周波数の電力を供給する電
源７、８が接続されているので、これら高低２つの周波
数の電力をそれぞれ各電極２、３に印加してプラズマを
生成することができ、このようにして作成したシリコン
含有絶縁膜は緻密である。 （第２の実施の形態）以下に、上記のプラズマＣＶＤ装
置を用いて成膜したシリコン含有絶縁膜に関し、本願発
明者の行なった調査実験について説明する。
【００３９】まず、上記のプラズマＣＶＤ装置のうち良
く知られた平行平板型のプラズマＣＶＤ装置を用いた。
上部電極２、下部電極３のうち下部電極３が基板保持具
を兼ね、下部電極３は基板加熱を行なうためのヒータ１
２を内蔵している。 （試料の作成）図２（ａ）〜（ｄ）及び図３は、この発
明のシリコン酸化膜（シリコン含有絶縁膜）を有する試
料について示す断面図である。
く知られた平行平板型のプラズマＣＶＤ装置を用いた。
上部電極２、下部電極３のうち下部電極３が基板保持具
を兼ね、下部電極３は基板加熱を行なうためのヒータ１
２を内蔵している。 （試料の作成）図２（ａ）〜（ｄ）及び図３は、この発
明のシリコン酸化膜（シリコン含有絶縁膜）を有する試
料について示す断面図である。
【００４０】試料Ｓ１は、図２（ａ）に示すように、ト
リメトキシシラン（ＴＭＳ）を含む成膜ガスを用いたプ
ラズマＣＶＤ法（以下、ＰＥ−ＣＶＤ法とも言う）によ
りシリコン酸化膜（シリコン含有絶縁膜のことであり、
以下、PE-CVD TMS SiO2膜と称する。）４２ａをシリコ
ン基板４１上に形成することにより、作成した。なお、
比較のため、シリコン基板４１上にテトラエトキシシラ
ン（ＴＥＯＳ）を含む成膜ガスを用いたＰＥ−ＣＶＤ法
により形成したシリコン酸化膜（以下、PE-CVDTEOS SiO
2膜と称する。）５１ａを有する比較試料ＣＳ１と、シ
リコン基板４１上にモノシラン（ＳｉＨ4）を含む成膜
ガスを用いたＰＥ−ＣＶＤ法により形成したシリコン酸
化膜（以下、PE-CVD SiH4 SiO2膜と称する。）５２ａを
有する比較試料ＣＳ２とを作成した。
リメトキシシラン（ＴＭＳ）を含む成膜ガスを用いたプ
ラズマＣＶＤ法（以下、ＰＥ−ＣＶＤ法とも言う）によ
りシリコン酸化膜（シリコン含有絶縁膜のことであり、
以下、PE-CVD TMS SiO2膜と称する。）４２ａをシリコ
ン基板４１上に形成することにより、作成した。なお、
比較のため、シリコン基板４１上にテトラエトキシシラ
ン（ＴＥＯＳ）を含む成膜ガスを用いたＰＥ−ＣＶＤ法
により形成したシリコン酸化膜（以下、PE-CVDTEOS SiO
2膜と称する。）５１ａを有する比較試料ＣＳ１と、シ
リコン基板４１上にモノシラン（ＳｉＨ4）を含む成膜
ガスを用いたＰＥ−ＣＶＤ法により形成したシリコン酸
化膜（以下、PE-CVD SiH4 SiO2膜と称する。）５２ａを
有する比較試料ＣＳ２とを作成した。
【００４１】試料Ｓ１Ａは、図３に示すように、シリコ
ン基板４１上にPE-CVD TMS SiO2膜４２ａを形成した試
料Ｓ１において、さらにPE-CVD TMS SiO2膜４２ａ上に
電極４５を形成することにより、作成した。電極４５と
して水銀プローブを用い、それとPE-CVD TMS SiO2膜４
２ａとの接触面積は０．０２３０ｃｍ2である。試料Ｓ
２、Ｓ３は、図２（ｂ）に示すように、シリコン基板
（Ｓｉ基板）４１上にリン含有量７mol％、膜厚約５０
０ｎｍのＢＰＳＧ膜４３とPE-CVD TMS SiO2膜４２ｂと
を順に形成することにより、作成した。試料Ｓ２では、
PE-CVD TMS SiO2膜４２ｂの膜厚を１００ｎｍとし、試
料Ｓ３では、PE-CVD TMS SiO2膜４２ｂの膜厚を２００
ｎｍとした。なお、比較のため、PE-CVD TMS SiO2膜４
２ｂの代わりに、膜厚２００ｎｍのPE-CVD TEOS SiO2膜
５１ｂを用いた比較試料ＣＳ３と、同じく膜厚２００ｎ
ｍのPE-CVD SiH4 SiO2膜５２ｂを用いた比較試料ＣＳ４
と、同じくＳｉＨ4、ＮＨ3及びＮ2を含む成膜ガスを用
いたプラズマＣＶＤ法により形成した膜厚２００ｎｍの
シリコン窒化膜（以下、PE-CVD SiN膜と称する。）５３
を用いた比較試料ＣＳ５とを作成した。
ン基板４１上にPE-CVD TMS SiO2膜４２ａを形成した試
料Ｓ１において、さらにPE-CVD TMS SiO2膜４２ａ上に
電極４５を形成することにより、作成した。電極４５と
して水銀プローブを用い、それとPE-CVD TMS SiO2膜４
２ａとの接触面積は０．０２３０ｃｍ2である。試料Ｓ
２、Ｓ３は、図２（ｂ）に示すように、シリコン基板
（Ｓｉ基板）４１上にリン含有量７mol％、膜厚約５０
０ｎｍのＢＰＳＧ膜４３とPE-CVD TMS SiO2膜４２ｂと
を順に形成することにより、作成した。試料Ｓ２では、
PE-CVD TMS SiO2膜４２ｂの膜厚を１００ｎｍとし、試
料Ｓ３では、PE-CVD TMS SiO2膜４２ｂの膜厚を２００
ｎｍとした。なお、比較のため、PE-CVD TMS SiO2膜４
２ｂの代わりに、膜厚２００ｎｍのPE-CVD TEOS SiO2膜
５１ｂを用いた比較試料ＣＳ３と、同じく膜厚２００ｎ
ｍのPE-CVD SiH4 SiO2膜５２ｂを用いた比較試料ＣＳ４
と、同じくＳｉＨ4、ＮＨ3及びＮ2を含む成膜ガスを用
いたプラズマＣＶＤ法により形成した膜厚２００ｎｍの
シリコン窒化膜（以下、PE-CVD SiN膜と称する。）５３
を用いた比較試料ＣＳ５とを作成した。
【００４２】試料Ｓ４、Ｓ５は、図２（ｃ）に示すよう
に、シリコン基板（Ｓｉ基板）４１上に低誘電率絶縁膜
４４ａ，４４ｂとPE-CVD TMS SiO2膜４２ｃとを順に形
成することにより作成した。試料Ｓ４では、低誘電率絶
縁膜として無機塗布絶縁膜４４ａを用い、試料Ｓ５で
は、同じく、有機塗布絶縁膜４４ｂを用いた。なお、比
較のため、PE-CVD TMS SiO2膜４２ｃの代わりに、PE-CV
D TEOS SiO2膜５１ｃを用いた比較試料ＣＳ６，ＣＳ７
を作成した。比較試料ＣＳ６では、低誘電率絶縁膜とし
て無機塗布絶縁膜４４ａを用い、比較試料ＣＳ７では、
同じく、有機塗布絶縁膜４４ｂを用いた。
に、シリコン基板（Ｓｉ基板）４１上に低誘電率絶縁膜
４４ａ，４４ｂとPE-CVD TMS SiO2膜４２ｃとを順に形
成することにより作成した。試料Ｓ４では、低誘電率絶
縁膜として無機塗布絶縁膜４４ａを用い、試料Ｓ５で
は、同じく、有機塗布絶縁膜４４ｂを用いた。なお、比
較のため、PE-CVD TMS SiO2膜４２ｃの代わりに、PE-CV
D TEOS SiO2膜５１ｃを用いた比較試料ＣＳ６，ＣＳ７
を作成した。比較試料ＣＳ６では、低誘電率絶縁膜とし
て無機塗布絶縁膜４４ａを用い、比較試料ＣＳ７では、
同じく、有機塗布絶縁膜４４ｂを用いた。
【００４３】なお、無機塗布絶縁膜とは、ＨＳＱ（商品
名，ダウコーニング社製），ＭＳＱ（商品名），Ｒ７
（商品名，日立化成工業社製）など塗布液を塗布して形
成された絶縁膜である。塗布液中の成分化合物として炭
素が一つ以下の化合物を含むことを特徴とするものであ
る。有機塗布絶縁膜とは、ＦＬＡＲＥ（商品名，アライ
ドシグナル社製），ＳｉＬＫ（商品名，ダウケミカル社
製）などの塗布液を塗布して形成されたものである。塗
布液中の成分化合物として炭素が二つ以上の化合物を含
むことを特徴とするものである。
名，ダウコーニング社製），ＭＳＱ（商品名），Ｒ７
（商品名，日立化成工業社製）など塗布液を塗布して形
成された絶縁膜である。塗布液中の成分化合物として炭
素が一つ以下の化合物を含むことを特徴とするものであ
る。有機塗布絶縁膜とは、ＦＬＡＲＥ（商品名，アライ
ドシグナル社製），ＳｉＬＫ（商品名，ダウケミカル社
製）などの塗布液を塗布して形成されたものである。塗
布液中の成分化合物として炭素が二つ以上の化合物を含
むことを特徴とするものである。
【００４４】試料Ｓ６は、図２（ｄ）に示すように、シ
リコン基板４１上に、膜厚約１５０ｎｍのPE-CVD TMS S
iO2膜（下部保護層）４２ｄと膜厚約４５０ｎｍの塗布
絶縁膜（中間層）４４ｃと膜厚約２００ｎｍのPE-CVD T
MS SiO2膜（上部保護層）４２ｅとを下層から順に形成
したものである。塗布絶縁膜４４ｃは、ＨＳＱ（Hydrog
en silsesquioxane）を溶媒に溶かして生成された塗布
液（ＦＯｘ（商品名））をスピンコートして被着し、そ
の後、窒素中、温度１５０，２００，３５０℃で、それ
ぞれ１分間ずつベークし、さらに窒素中、温度４００℃
で、５０分間キュアして形成した。なお、比較のため、
下部保護層としてPE-CVD TMS SiO2膜４２ｄの代わりにP
E-CVD TEOS SiO2膜５１ｄを形成した比較試料ＣＳ８
と、上下部保護層としてPE-CVD TMS SiO2膜４２ｄ、４
２ｅの代わりにPE-CVD TEOS SiO2膜５１ｄ，５１ｅを形
成した比較試料ＣＳ９とを作成した。
リコン基板４１上に、膜厚約１５０ｎｍのPE-CVD TMS S
iO2膜（下部保護層）４２ｄと膜厚約４５０ｎｍの塗布
絶縁膜（中間層）４４ｃと膜厚約２００ｎｍのPE-CVD T
MS SiO2膜（上部保護層）４２ｅとを下層から順に形成
したものである。塗布絶縁膜４４ｃは、ＨＳＱ（Hydrog
en silsesquioxane）を溶媒に溶かして生成された塗布
液（ＦＯｘ（商品名））をスピンコートして被着し、そ
の後、窒素中、温度１５０，２００，３５０℃で、それ
ぞれ１分間ずつベークし、さらに窒素中、温度４００℃
で、５０分間キュアして形成した。なお、比較のため、
下部保護層としてPE-CVD TMS SiO2膜４２ｄの代わりにP
E-CVD TEOS SiO2膜５１ｄを形成した比較試料ＣＳ８
と、上下部保護層としてPE-CVD TMS SiO2膜４２ｄ、４
２ｅの代わりにPE-CVD TEOS SiO2膜５１ｄ，５１ｅを形
成した比較試料ＣＳ９とを作成した。
【００４５】上記プラズマＣＶＤ装置を用いて、以下の
成膜条件で各試料Ｓ１乃至Ｓ６のPE-CVD TMS SiO2膜を
作成した。 成膜ガス：ＴＭＳ＋Ｎ2Ｏ ＴＭＳガス流量：１００ sccm Ｎ2Ｏガス流量：３０００ sccm ガス圧力：０．７ Torr プラズマ化条件 上部電極２への印加電力：０．３Ｗ／ｃｍ2（周波数１
３．５６ＭＨｚ） 下部電極３への印加電力：０．３Ｗ／ｃｍ2（周波数３
８０ｋＨｚ） この成膜装置の場合、上記電力密度はいずれも電極への
印加電力７５０Ｗに相当する。
成膜条件で各試料Ｓ１乃至Ｓ６のPE-CVD TMS SiO2膜を
作成した。 成膜ガス：ＴＭＳ＋Ｎ2Ｏ ＴＭＳガス流量：１００ sccm Ｎ2Ｏガス流量：３０００ sccm ガス圧力：０．７ Torr プラズマ化条件 上部電極２への印加電力：０．３Ｗ／ｃｍ2（周波数１
３．５６ＭＨｚ） 下部電極３への印加電力：０．３Ｗ／ｃｍ2（周波数３
８０ｋＨｚ） この成膜装置の場合、上記電力密度はいずれも電極への
印加電力７５０Ｗに相当する。
【００４６】基板温度：３００乃至４００℃ 成膜膜厚：ｔｎｍ なお、同じプラズマ成膜装置１０１は、比較試料ＣＳ１
のPE-CVD TEOS SiO2膜５１ａ、比較試料ＣＳ２のPE-CVD
SiH4 SiO2膜５２ａ、比較試料ＣＳ３、ＣＳ４、ＣＳ６
乃至ＣＳ９のPE-CVD TEOS SiO2膜５１ｂ乃至５１ｅ、比
較試料ＣＳ５のPE-CVD SiN膜５３の形成にも用いられ
た。
のPE-CVD TEOS SiO2膜５１ａ、比較試料ＣＳ２のPE-CVD
SiH4 SiO2膜５２ａ、比較試料ＣＳ３、ＣＳ４、ＣＳ６
乃至ＣＳ９のPE-CVD TEOS SiO2膜５１ｂ乃至５１ｅ、比
較試料ＣＳ５のPE-CVD SiN膜５３の形成にも用いられ
た。
【００４７】上記のようにして作成したPE-CVD TMS SiO
2膜４２ａ乃至４２ｅについて以下の特性を調査した。 （ｉ）基本特性 上記成膜条件で、成膜レートは約１６０乃至１７０ｎｍ
／分であった。また、成膜後のPE-CVD TMS SiO2膜４２
ａの屈折率は１．４７７乃至１．４８であり、膜応力は
−３００ＭＰａ乃至−２５０ＭＰａであった（マイナス
記号は圧縮応力を表す）。屈折率を測定する場合は、エ
リプソメータで６３３８オングストロームのＨｅ−Ｎｅ
レーザを用いた。また、膜応力を測定する場合、オプテ
ィレバーレーザースキャン方式を用いた。
2膜４２ａ乃至４２ｅについて以下の特性を調査した。 （ｉ）基本特性 上記成膜条件で、成膜レートは約１６０乃至１７０ｎｍ
／分であった。また、成膜後のPE-CVD TMS SiO2膜４２
ａの屈折率は１．４７７乃至１．４８であり、膜応力は
−３００ＭＰａ乃至−２５０ＭＰａであった（マイナス
記号は圧縮応力を表す）。屈折率を測定する場合は、エ
リプソメータで６３３８オングストロームのＨｅ−Ｎｅ
レーザを用いた。また、膜応力を測定する場合、オプテ
ィレバーレーザースキャン方式を用いた。
【００４８】また、膜厚（ｔ）５００ｎｍでPE-CVD TMS
SiO2膜４２ａの比誘電率は３．９であった。比誘電率
の調査用試料として試料Ｓ１Ａを用いた。調査用試料Ｓ
１Ａのシリコン基板４１と電極４５間に直流電圧（Ｖ）
を印加し、さらに直流電圧（Ｖ）に周波数１ＭＨｚの微
小信号を重畳して、直流電圧（Ｖ）変化に対する容量
（Ｃ）変化を測定し、その結果から比誘電率を算出し
た。
SiO2膜４２ａの比誘電率は３．９であった。比誘電率
の調査用試料として試料Ｓ１Ａを用いた。調査用試料Ｓ
１Ａのシリコン基板４１と電極４５間に直流電圧（Ｖ）
を印加し、さらに直流電圧（Ｖ）に周波数１ＭＨｚの微
小信号を重畳して、直流電圧（Ｖ）変化に対する容量
（Ｃ）変化を測定し、その結果から比誘電率を算出し
た。
【００４９】（ii） 膜中の炭素及び窒素の濃度 試料Ｓ１を用いて、ＡＥＳ法（オージェ電子分光法）に
より、PE-CVD TMS SiO 2膜４２ａ中の炭素及び窒素の濃
度を測定した。それによれば、炭素の濃度は１．０atom
s％であり、窒素の濃度は２．１atoms％であった。
より、PE-CVD TMS SiO 2膜４２ａ中の炭素及び窒素の濃
度を測定した。それによれば、炭素の濃度は１．０atom
s％であり、窒素の濃度は２．１atoms％であった。
【００５０】（iii）膜密度 試料Ｓ１を用いて、良く知られたＸ線干渉法、及び重量
測定法により、PE-CVDTMS SiO2膜４２ａの膜密度を調査
した。比較のため、PE-CVD TMS SiO2膜４２ａの代わり
に、熱酸化膜（thermal-SiO2膜）と、PE-CVD TEOS SiO2
膜５１ａを用いた比較試料ＣＳ１と、PE-CVD SiH4 SiO2
膜５２ａを用いた比較試料ＣＳ２とにより同様な調査を
行なった。
測定法により、PE-CVDTMS SiO2膜４２ａの膜密度を調査
した。比較のため、PE-CVD TMS SiO2膜４２ａの代わり
に、熱酸化膜（thermal-SiO2膜）と、PE-CVD TEOS SiO2
膜５１ａを用いた比較試料ＣＳ１と、PE-CVD SiH4 SiO2
膜５２ａを用いた比較試料ＣＳ２とにより同様な調査を
行なった。
【００５１】図４に示すように、PE-CVD TMS SiO2膜４
２ａは２．３３と他の絶縁膜と比べて膜密度が高く、緻
密であることが分かった。 （iv）膜中水分含有量 試料Ｓ１を用いて、ＴＤＳ法（Thermal Desorption Mas
s Spectroscopy：昇温離脱質量分析法）により成膜直後
と大気中２週間経過後の膜中の水分含有量を測定した。
ＴＤＳ法とは、試料を加熱してそこから出てくる分子を
測定する方法である。比較のため、PE-CVD TMS SiO2膜
４２ａの代わりに、PE-CVD TEOS SiO2膜５１ａを用いた
比較試料ＣＳ１により同様な調査を行なった。
２ａは２．３３と他の絶縁膜と比べて膜密度が高く、緻
密であることが分かった。 （iv）膜中水分含有量 試料Ｓ１を用いて、ＴＤＳ法（Thermal Desorption Mas
s Spectroscopy：昇温離脱質量分析法）により成膜直後
と大気中２週間経過後の膜中の水分含有量を測定した。
ＴＤＳ法とは、試料を加熱してそこから出てくる分子を
測定する方法である。比較のため、PE-CVD TMS SiO2膜
４２ａの代わりに、PE-CVD TEOS SiO2膜５１ａを用いた
比較試料ＣＳ１により同様な調査を行なった。
【００５２】調査方法は、ＴＤＳ分析装置で、室温から
８００℃まで加熱し、試料からの水分量を定量化するこ
とにより行なった。図５は、その結果を示すグラフであ
る。図５において、縦軸は線形目盛りで表した水分量
（ｗｔ％）を示し、横軸は線形目盛りで表した温度
（℃）を示す。成膜直後の測定では、室温から８００℃
まで昇温したときの水分量はPE-CVD TMS SiO2膜４２ａ
で０．１１ｗｔ％であるのに対して、PE-CVD TEOS SiO2
膜５１ａでは０．４９ｗｔ％であった。さらに、２週間
後の測定でも、PE-CVD TMS SiO 2膜４２ａでは、＋０．
２乃至０．３の増加にとどまり、あまり変化がなかっ
た。
８００℃まで加熱し、試料からの水分量を定量化するこ
とにより行なった。図５は、その結果を示すグラフであ
る。図５において、縦軸は線形目盛りで表した水分量
（ｗｔ％）を示し、横軸は線形目盛りで表した温度
（℃）を示す。成膜直後の測定では、室温から８００℃
まで昇温したときの水分量はPE-CVD TMS SiO2膜４２ａ
で０．１１ｗｔ％であるのに対して、PE-CVD TEOS SiO2
膜５１ａでは０．４９ｗｔ％であった。さらに、２週間
後の測定でも、PE-CVD TMS SiO 2膜４２ａでは、＋０．
２乃至０．３の増加にとどまり、あまり変化がなかっ
た。
【００５３】以上のように、PE-CVD TMS SiO2膜４２ａ
はPE-CVD TEOS SiO2膜５１ａに比較して構造水（成膜直
後に成膜ガス及び膜構造に起因して膜中に含まれる水
分）、物理吸着水（物理的に吸着及び吸収した外来の水
分）ともに少ないことが分かった。 （ｖ）ＦＴ−ＩＲの吸収強度 次に、上記試料Ｓ１について、ＦＴ−ＩＲ分析法により
赤外線の吸収強度を調査した結果を図６に示す。上記比
較試料ＣＳ１、ＣＳ２について、同様に調査した結果を
図７に示す。
はPE-CVD TEOS SiO2膜５１ａに比較して構造水（成膜直
後に成膜ガス及び膜構造に起因して膜中に含まれる水
分）、物理吸着水（物理的に吸着及び吸収した外来の水
分）ともに少ないことが分かった。 （ｖ）ＦＴ−ＩＲの吸収強度 次に、上記試料Ｓ１について、ＦＴ−ＩＲ分析法により
赤外線の吸収強度を調査した結果を図６に示す。上記比
較試料ＣＳ１、ＣＳ２について、同様に調査した結果を
図７に示す。
【００５４】図６の縦軸は線形目盛りで表した吸収強度
（任意単位）を示し、横軸は線形目盛りで表した波数
（ｃｍ-1）を表す。図７も同様である。図６に示すよう
に、波数２２７０乃至２３５０ｃｍ-1の範囲に中心波数
を有する赤外線吸収強度のピークが確認された。一方、
比較試料ＣＳ１、ＣＳ２では、図７に示すように、その
ようなそのピークは観察されなかった。
（任意単位）を示し、横軸は線形目盛りで表した波数
（ｃｍ-1）を表す。図７も同様である。図６に示すよう
に、波数２２７０乃至２３５０ｃｍ-1の範囲に中心波数
を有する赤外線吸収強度のピークが確認された。一方、
比較試料ＣＳ１、ＣＳ２では、図７に示すように、その
ようなそのピークは観察されなかった。
【００５５】（vi）耐水性 図２（ｂ）に示す試料Ｓ２、Ｓ３を用いて、加圧加湿試
験（プレッシャークッカーテスト）により、PE-CVD TMS
SiO2膜４２ｂの耐水性を調査した。比較のため、PE-CV
D TMS SiO2膜４２ｂの代わりに、PE-CVD TEOS SiO2膜５
１ｂを用いた比較試料ＣＳ３と、同じくPE-CVD SiN膜５
３を用いた比較試料ＣＳ５とにより同様な調査を行なっ
た。
験（プレッシャークッカーテスト）により、PE-CVD TMS
SiO2膜４２ｂの耐水性を調査した。比較のため、PE-CV
D TMS SiO2膜４２ｂの代わりに、PE-CVD TEOS SiO2膜５
１ｂを用いた比較試料ＣＳ３と、同じくPE-CVD SiN膜５
３を用いた比較試料ＣＳ５とにより同様な調査を行なっ
た。
【００５６】加圧加湿試験の条件は以下の通りである。
放置時間をパラメータにとっている。 温度：１２１℃ 圧力：２．０ａｔｍ 湿度：１００％Ｒ．Ｔ．（Room Temperature） 耐水性の評価は、加圧加湿試験後に調査用絶縁膜中に含
まれるＰ＝Ｏ結合の量を評価することにより行なった。
ＢＰＳＧ膜４３中に含まれるＰ＝Ｏ結合の量を評価する
ため、ＦＴＩＲ分析法（Fourier Transform Infra Red
分析法）によりＰ＝Ｏの吸収係数を測定した。ＢＰＳＧ
膜４３中に水分が侵入することで膜中のＰ＝Ｏの結合が
反応して壊れるが、ＢＰＳＧ膜４３をカバーするPE-CVD
TMS SiO 2膜４２ｂの耐水性が高ければ、水分を通さず
ＢＰＳＧ膜４３中のＰ＝Ｏの結合が壊れることがない。
従って、Ｐ＝Ｏ吸収係数の経時変化が小さいほど耐水性
が高いといえる。
放置時間をパラメータにとっている。 温度：１２１℃ 圧力：２．０ａｔｍ 湿度：１００％Ｒ．Ｔ．（Room Temperature） 耐水性の評価は、加圧加湿試験後に調査用絶縁膜中に含
まれるＰ＝Ｏ結合の量を評価することにより行なった。
ＢＰＳＧ膜４３中に含まれるＰ＝Ｏ結合の量を評価する
ため、ＦＴＩＲ分析法（Fourier Transform Infra Red
分析法）によりＰ＝Ｏの吸収係数を測定した。ＢＰＳＧ
膜４３中に水分が侵入することで膜中のＰ＝Ｏの結合が
反応して壊れるが、ＢＰＳＧ膜４３をカバーするPE-CVD
TMS SiO 2膜４２ｂの耐水性が高ければ、水分を通さず
ＢＰＳＧ膜４３中のＰ＝Ｏの結合が壊れることがない。
従って、Ｐ＝Ｏ吸収係数の経時変化が小さいほど耐水性
が高いといえる。
【００５７】図８は、加圧加湿試験時間に対する試験後
の絶縁膜中のリン含有量の経時変化を示すグラフであ
る。縦軸は線型目盛りで表したＰ＝Ｏ吸収係数（任意単
位）を示し、横軸は線型目盛りで表した放置時間（Ｈ）
を示す。図８に示す結果より、PE-CVD TMS SiO2膜４２
ｂは膜厚の厚薄にかかわりなく、試料Ｓ２、Ｓ３とも
に、比較試料ＣＳ５のPE-CVD SiN膜５３と同じように、
１５０時間程度放置しても初期のＰ＝Ｏ吸収係数に比べ
てほとんど変化がない。即ち、PE-CVD TMS SiO2膜４２
ｂはPE-CVD SiN膜５３と同等な耐水性を有することが分
かった。
の絶縁膜中のリン含有量の経時変化を示すグラフであ
る。縦軸は線型目盛りで表したＰ＝Ｏ吸収係数（任意単
位）を示し、横軸は線型目盛りで表した放置時間（Ｈ）
を示す。図８に示す結果より、PE-CVD TMS SiO2膜４２
ｂは膜厚の厚薄にかかわりなく、試料Ｓ２、Ｓ３とも
に、比較試料ＣＳ５のPE-CVD SiN膜５３と同じように、
１５０時間程度放置しても初期のＰ＝Ｏ吸収係数に比べ
てほとんど変化がない。即ち、PE-CVD TMS SiO2膜４２
ｂはPE-CVD SiN膜５３と同等な耐水性を有することが分
かった。
【００５８】また、調査用試料Ｓ３及び比較試料ＣＳ
３、ＣＳ４を用いて、別の加圧加湿試験（プレッシャー
クッカーテスト）により、耐水性を調査した。加圧加湿
試験の条件は上記と同じである。結果を図９に示す。図
９の縦軸は線形目盛りで表した耐水性（％）を示し、横
軸は線形目盛りで表した放置時間（hr）を示す。
３、ＣＳ４を用いて、別の加圧加湿試験（プレッシャー
クッカーテスト）により、耐水性を調査した。加圧加湿
試験の条件は上記と同じである。結果を図９に示す。図
９の縦軸は線形目盛りで表した耐水性（％）を示し、横
軸は線形目盛りで表した放置時間（hr）を示す。
【００５９】耐水性の評価は、上記と同じく、加圧加湿
試験後に調査用絶縁膜中に含まれるＰ＝Ｏ結合の量を評
価することにより行なった。図９における耐水性とは、
放置前のＰ＝Ｏ吸収係数を１００とし、これを基準とし
て加圧加湿試験後におけるＰ＝Ｏ吸収係数を算出したも
のである。図９に示すように、試料Ｓ３は比較試料ＣＳ
３、ＣＳ４を上回る９７．４％（１００ｈｒ）の耐水性
を有することが分かった。
試験後に調査用絶縁膜中に含まれるＰ＝Ｏ結合の量を評
価することにより行なった。図９における耐水性とは、
放置前のＰ＝Ｏ吸収係数を１００とし、これを基準とし
て加圧加湿試験後におけるＰ＝Ｏ吸収係数を算出したも
のである。図９に示すように、試料Ｓ３は比較試料ＣＳ
３、ＣＳ４を上回る９７．４％（１００ｈｒ）の耐水性
を有することが分かった。
【００６０】（vii）膜のリーク電流 図３のような調査用試料Ｓ１Ａを作成した。即ち、試料
Ｓ１において、この発明に係る膜厚（ｔ）２００ｎｍの
PE-CVD TMS SiO2膜４２ａの上に電極４５を形成するこ
とにより、試料Ｓ１Ａを作成した。シリコン基板４１と
電極４５との間に電圧を印加し、シリコン基板４１と電
極４５との間に流れるリーク電流を測定した。シリコン
基板４１を接地するとともに、電極４５に負の電圧を印
加する。
Ｓ１において、この発明に係る膜厚（ｔ）２００ｎｍの
PE-CVD TMS SiO2膜４２ａの上に電極４５を形成するこ
とにより、試料Ｓ１Ａを作成した。シリコン基板４１と
電極４５との間に電圧を印加し、シリコン基板４１と電
極４５との間に流れるリーク電流を測定した。シリコン
基板４１を接地するとともに、電極４５に負の電圧を印
加する。
【００６１】その結果によれば、PE-CVD TMS SiO2膜４
２ａ単体のリーク電流は５ＭＶ／ｃｍの電界強度で、１
０-8Ａ／ｃｍ2台であり、ブレークダウン電圧は電界に
換算して約１０ＭＶ／ｃｍであった。 （viii）膜の密着性 試料Ｓ４、Ｓ５を用いて、この発明に係るPE-CVD TMS S
iO2膜４２ｃと、下地の低誘電率絶縁膜４４ａ，４４ｂ
との密着性について調査した。また、成膜前の表面処理
を行なった試料と同処理を行なわなかった試料を作成し
て同様な調査を行なった。成膜前の表面処理とは、
Ｎ2，ＮＨ3，Ｈ2などのプラズマを用いて処理膜の表面
を改質する処理である。
２ａ単体のリーク電流は５ＭＶ／ｃｍの電界強度で、１
０-8Ａ／ｃｍ2台であり、ブレークダウン電圧は電界に
換算して約１０ＭＶ／ｃｍであった。 （viii）膜の密着性 試料Ｓ４、Ｓ５を用いて、この発明に係るPE-CVD TMS S
iO2膜４２ｃと、下地の低誘電率絶縁膜４４ａ，４４ｂ
との密着性について調査した。また、成膜前の表面処理
を行なった試料と同処理を行なわなかった試料を作成し
て同様な調査を行なった。成膜前の表面処理とは、
Ｎ2，ＮＨ3，Ｈ2などのプラズマを用いて処理膜の表面
を改質する処理である。
【００６２】また、比較のため、PE-CVD TMS SiO2膜４
２ｃの代わりにPE-CVD TEOS SiO2膜５１ｃを用い、かつ
低誘電率絶縁膜として無機塗布絶縁膜４４ａ（比較試料
ＣＳ６）、及び有機塗布絶縁膜４４ｂ（比較試料ＣＳ
７）を用いて同様な調査を行なった。膜の密着性を調査
するための試験として、試料面の数ｃｍ×数ｃｍにわた
って格子状に傷を入れ、テープによる剥離試験、及びＣ
ＭＰ（Chemical MechanicalPolishing）によるウエハ前
面での剥離試験を行なった。
２ｃの代わりにPE-CVD TEOS SiO2膜５１ｃを用い、かつ
低誘電率絶縁膜として無機塗布絶縁膜４４ａ（比較試料
ＣＳ６）、及び有機塗布絶縁膜４４ｂ（比較試料ＣＳ
７）を用いて同様な調査を行なった。膜の密着性を調査
するための試験として、試料面の数ｃｍ×数ｃｍにわた
って格子状に傷を入れ、テープによる剥離試験、及びＣ
ＭＰ（Chemical MechanicalPolishing）によるウエハ前
面での剥離試験を行なった。
【００６３】この結果を図１０に示す。これに示すよう
に、PE-CVD TMS SiO2膜４２ｃでは、成膜前の表面処理
の有無にかかわらず、無機塗布絶縁膜４４ａ、及び有機
塗布絶縁膜４４ｂとの密着性は良好だった。一方、PE-C
VD TEOS SiO2膜５１ｃでは、全体的に密着性の程度はPE
-CVD TMS SiO2膜４２ｃよりも劣る。そして、成膜前の
表面処理の有無で差が出ており、表面処理を行なった試
料が同処理を行なわなかった試料に比べて密着性が高か
った。
に、PE-CVD TMS SiO2膜４２ｃでは、成膜前の表面処理
の有無にかかわらず、無機塗布絶縁膜４４ａ、及び有機
塗布絶縁膜４４ｂとの密着性は良好だった。一方、PE-C
VD TEOS SiO2膜５１ｃでは、全体的に密着性の程度はPE
-CVD TMS SiO2膜４２ｃよりも劣る。そして、成膜前の
表面処理の有無で差が出ており、表面処理を行なった試
料が同処理を行なわなかった試料に比べて密着性が高か
った。
【００６４】（ix）ヒートサイクルによる不良発生率 試料Ｓ６及び比較試料ＣＳ８、ＣＳ９について、ヒート
サイクルによる不良発生率について調査した。各試料は
パッケージに封入した。ヒートサイクルの試験条件は以
下の通りである。サイクル数をパラメータにとってい
る。 高い温度（保持時間）：１５０℃（２０分間） 低い温度（保持時間）：−５５℃（２０分間） サイクル数：１００、２００、３００、５００Ｃ（Ｃ：
Ｃｙｃｌｅ） 膜剥がれや膜のクラックが生じたものを不良とした。結
果を図１１に示す。図１１の縦軸は線形目盛りで表した
不良発生率（％）を示し、横軸は試料の種類を示す。試
料の種類は、左側から上記説明した試料Ｓ６、比較試料
ＣＳ８、ＣＳ９の順となっている。棒グラフの区分領域
は特定のサイクル数での不良率を示し、横線でハッチン
グした区分領域は１００Ｃでの不良率を示し、縦線でハ
ッチングした区分領域は２００Ｃでの不良率を示し、斜
線でハッチングした区分領域は３００Ｃでの不良率を示
し、白抜きの区分領域は５００Ｃでの不良率を示す。
サイクルによる不良発生率について調査した。各試料は
パッケージに封入した。ヒートサイクルの試験条件は以
下の通りである。サイクル数をパラメータにとってい
る。 高い温度（保持時間）：１５０℃（２０分間） 低い温度（保持時間）：−５５℃（２０分間） サイクル数：１００、２００、３００、５００Ｃ（Ｃ：
Ｃｙｃｌｅ） 膜剥がれや膜のクラックが生じたものを不良とした。結
果を図１１に示す。図１１の縦軸は線形目盛りで表した
不良発生率（％）を示し、横軸は試料の種類を示す。試
料の種類は、左側から上記説明した試料Ｓ６、比較試料
ＣＳ８、ＣＳ９の順となっている。棒グラフの区分領域
は特定のサイクル数での不良率を示し、横線でハッチン
グした区分領域は１００Ｃでの不良率を示し、縦線でハ
ッチングした区分領域は２００Ｃでの不良率を示し、斜
線でハッチングした区分領域は３００Ｃでの不良率を示
し、白抜きの区分領域は５００Ｃでの不良率を示す。
【００６５】図１１に示すように、下部保護層及び上部
保護層ともにこの発明のシリコン酸化膜を用いた試料Ｓ
６では、３００Ｃ以上で不良が発生するが、３００Ｃ及
び５００Ｃでの不良発生率を合わせても２乃至３％程度
である。下部保護層及び上部保護層のうち下部保護層の
みがこの発明のシリコン酸化膜４２ｄである比較試料Ｃ
Ｓ８の場合、１００Ｃから５００Ｃまでほぼ均等に不良
が発生しており、不良発生率は合わせて約２５％程度で
あった。下部保護層及び上部保護層ともにこの発明のシ
リコン酸化膜４２ｄ、４２ｅを用いない比較試料ＣＳ９
の場合、１００Ｃから５００Ｃまで不良が発生し、特に
３００Ｃ及び５００Ｃでの不良発生率が高くなってお
り、不良発生率は合わせて約５３％であった。
保護層ともにこの発明のシリコン酸化膜を用いた試料Ｓ
６では、３００Ｃ以上で不良が発生するが、３００Ｃ及
び５００Ｃでの不良発生率を合わせても２乃至３％程度
である。下部保護層及び上部保護層のうち下部保護層の
みがこの発明のシリコン酸化膜４２ｄである比較試料Ｃ
Ｓ８の場合、１００Ｃから５００Ｃまでほぼ均等に不良
が発生しており、不良発生率は合わせて約２５％程度で
あった。下部保護層及び上部保護層ともにこの発明のシ
リコン酸化膜４２ｄ、４２ｅを用いない比較試料ＣＳ９
の場合、１００Ｃから５００Ｃまで不良が発生し、特に
３００Ｃ及び５００Ｃでの不良発生率が高くなってお
り、不良発生率は合わせて約５３％であった。
【００６６】（ｘ）銅（Ｃｕ）に対するバリア性調査 （ａ）ＴＤＤＢ（Time Dependent Dielectric Break Do
wn）試験 ＴＤＤＢ試験は、試料に電圧を印加して絶縁破壊に至る
までの時間を計測する試験である。調査用試料は、Ｓｉ
基板上に、この発明に係るPE-CVD TMS SiO2膜とＣｕ膜
とを順に積層することにより作成した。比較のため、PE
-CVD TMS SiO2膜の代わりにPE-CVD TEOS SiO2膜を用い
た試料、及びＣｕ膜とPE-CVD TEOS SiO2膜との間にＴｉ
Ｎ膜を介在させた試料についても同様な調査を行なっ
た。
wn）試験 ＴＤＤＢ試験は、試料に電圧を印加して絶縁破壊に至る
までの時間を計測する試験である。調査用試料は、Ｓｉ
基板上に、この発明に係るPE-CVD TMS SiO2膜とＣｕ膜
とを順に積層することにより作成した。比較のため、PE
-CVD TMS SiO2膜の代わりにPE-CVD TEOS SiO2膜を用い
た試料、及びＣｕ膜とPE-CVD TEOS SiO2膜との間にＴｉ
Ｎ膜を介在させた試料についても同様な調査を行なっ
た。
【００６７】調査結果によれば、電界強度８ＭＶ／ｃｍ
において、１０×１０5秒のブレークダウンライフタイ
ムが得られた。一方、PE-CVD TEOS SiO2膜を用いた試料
では、１０×１０5秒台のブレークダウンライフタイム
が得られるのは、電界強度５ＭＶ／ｃｍであった。この
ことは、PE-CVD TMS SiO2膜を用いた試料の方がPE-CVD
TEOS SiO2膜を用いた試料に比べてブレークダウンライ
フタイムは６桁程度長いことを表している。
において、１０×１０5秒のブレークダウンライフタイ
ムが得られた。一方、PE-CVD TEOS SiO2膜を用いた試料
では、１０×１０5秒台のブレークダウンライフタイム
が得られるのは、電界強度５ＭＶ／ｃｍであった。この
ことは、PE-CVD TMS SiO2膜を用いた試料の方がPE-CVD
TEOS SiO2膜を用いた試料に比べてブレークダウンライ
フタイムは６桁程度長いことを表している。
【００６８】Ｃｕ膜とPE-CVD TEOS SiO2膜との間にＴｉ
Ｎ膜を介在させた試料では、１０×１０5秒台のブレー
クダウンライフタイムが得られるのは、電界強度７．５
ＭＶ／ｃｍであった。以上より、PE-CVD TMS SiO2膜を
用いた試料はPE-CVD TEOS SiO2膜を用いた試料に比べて
６桁程度長いブレークダウンライフタイムを有し、Ｔｉ
Ｎ膜と同等以上のＣｕに対するバリア性を有するといえ
る。
Ｎ膜を介在させた試料では、１０×１０5秒台のブレー
クダウンライフタイムが得られるのは、電界強度７．５
ＭＶ／ｃｍであった。以上より、PE-CVD TMS SiO2膜を
用いた試料はPE-CVD TEOS SiO2膜を用いた試料に比べて
６桁程度長いブレークダウンライフタイムを有し、Ｔｉ
Ｎ膜と同等以上のＣｕに対するバリア性を有するといえ
る。
【００６９】（ｂ）耐熱性調査 調査用試料は、図１２に示すように、不図示のＳｉ基板
上に、この発明に係る膜厚１２５ｎｍのPE-CVD TMS SiO
2膜とＣｕ膜とを隣接して積層することにより作成し
た。調査は、成膜直後の状態（図１２中、点線で示
す。）を基準にして温度４７０℃で所定時間（１時間
（二点鎖線）、７時間（実線）、１５時間（一点鎖線）
の３種類）処理した後のPE-CVD TMS SiO2膜中のＣｕの
分布状態を測定することにより行なった。
上に、この発明に係る膜厚１２５ｎｍのPE-CVD TMS SiO
2膜とＣｕ膜とを隣接して積層することにより作成し
た。調査は、成膜直後の状態（図１２中、点線で示
す。）を基準にして温度４７０℃で所定時間（１時間
（二点鎖線）、７時間（実線）、１５時間（一点鎖線）
の３種類）処理した後のPE-CVD TMS SiO2膜中のＣｕの
分布状態を測定することにより行なった。
【００７０】図１２は調査結果を示すグラフである。図
１２において、左側の縦軸は対数目盛りで表したＣｕ濃
度及びＳｉ濃度（ｃｍ-3）を示す。横軸は線形目盛りで
表したPE-CVD TMS SiO2膜の片面からＣｕ膜の側に向か
って測った深さ（ｎｍ）を示す。図１２に示すように、
成膜直後の分布とほとんど変化がなかった。即ち、PE-C
VD TMS SiO2膜はＣｕに対して十分なバリア性を有する
ことが分かった。
１２において、左側の縦軸は対数目盛りで表したＣｕ濃
度及びＳｉ濃度（ｃｍ-3）を示す。横軸は線形目盛りで
表したPE-CVD TMS SiO2膜の片面からＣｕ膜の側に向か
って測った深さ（ｎｍ）を示す。図１２に示すように、
成膜直後の分布とほとんど変化がなかった。即ち、PE-C
VD TMS SiO2膜はＣｕに対して十分なバリア性を有する
ことが分かった。
【００７１】なお、上記では、成膜ガス中のシリコン含
有ガスとして、Ｓｉ−Ｈ結合を有するアルコキシ化合物
（ＴＭＳ）を用いているが、Ｓｉ−Ｈ結合を有するシロ
キサンを用いることができる。また、酸素含有ガスとし
てＮ2Ｏを用いているが、他に酸素（Ｏ2）、二酸化窒素
（ＮＯ2）、一酸化炭素（ＣＯ）、二酸化炭素（Ｃ
Ｏ2）、又は水（Ｈ2Ｏ）の何れか一を用いることができ
る。
有ガスとして、Ｓｉ−Ｈ結合を有するアルコキシ化合物
（ＴＭＳ）を用いているが、Ｓｉ−Ｈ結合を有するシロ
キサンを用いることができる。また、酸素含有ガスとし
てＮ2Ｏを用いているが、他に酸素（Ｏ2）、二酸化窒素
（ＮＯ2）、一酸化炭素（ＣＯ）、二酸化炭素（Ｃ
Ｏ2）、又は水（Ｈ2Ｏ）の何れか一を用いることができ
る。
【００７２】また、上記の成膜ガスに水素（Ｈ2）、又
は窒素（Ｎ2）の少なくとも一方を添加することによ
り、緻密性を更に高めることができる。 （第３の実施の形態）次に、図１３（ａ）〜（ｃ）、及
び図１４（ａ）、（ｂ）を参照して、本発明の第３の実
施の形態に係る半導体装置及びその製造方法を説明す
る。
は窒素（Ｎ2）の少なくとも一方を添加することによ
り、緻密性を更に高めることができる。 （第３の実施の形態）次に、図１３（ａ）〜（ｃ）、及
び図１４（ａ）、（ｂ）を参照して、本発明の第３の実
施の形態に係る半導体装置及びその製造方法を説明す
る。
【００７３】図１４（ｂ）は、第３の実施の形態に係る
半導体装置を示す断面図である。図１４（ｂ）に示すよ
うに、下地基板２２上にこの発明に係るシリコン含有絶
縁膜からなる下地保護層２３が形成され、下地保護層２
３上に３層の配線２４、２９、３４が層間絶縁膜を挟ん
で形成されている。それらの層間絶縁膜は、この発明に
係るシリコン含有絶縁膜からなる下部保護層２５、３０
と、塗布絶縁膜からなる主たる絶縁膜２６、３１と、こ
の発明に係るシリコン含有絶縁膜からなる上部保護層２
７、３２とから構成されている。さらに、最上部の配線
３４上にはさらに、この発明に係るシリコン含有絶縁膜
からなる保護層３５と塗布絶縁膜３６とが形成されてい
る。
半導体装置を示す断面図である。図１４（ｂ）に示すよ
うに、下地基板２２上にこの発明に係るシリコン含有絶
縁膜からなる下地保護層２３が形成され、下地保護層２
３上に３層の配線２４、２９、３４が層間絶縁膜を挟ん
で形成されている。それらの層間絶縁膜は、この発明に
係るシリコン含有絶縁膜からなる下部保護層２５、３０
と、塗布絶縁膜からなる主たる絶縁膜２６、３１と、こ
の発明に係るシリコン含有絶縁膜からなる上部保護層２
７、３２とから構成されている。さらに、最上部の配線
３４上にはさらに、この発明に係るシリコン含有絶縁膜
からなる保護層３５と塗布絶縁膜３６とが形成されてい
る。
【００７４】保護層２３、２５、２７、３０、３２、３
５を構成する、この発明に係るシリコン含有絶縁膜は、
赤外線の吸収強度のピークが波数２２７０乃至２３５０
ｃｍ -1の範囲にあり、膜密度が２．２５乃至２．４０ｇ
／ｃｍ3の範囲に有り、かつ比誘電率が３．３乃至４．
３の範囲にある。なお、下地基板２２としてシリコン基
板やシリコン基板に配線や絶縁膜が形成されたものを用
いることができ、配線２４、２９、３４の材料としてア
ルミニウムや銅などの導電材料を用いることができる。
５を構成する、この発明に係るシリコン含有絶縁膜は、
赤外線の吸収強度のピークが波数２２７０乃至２３５０
ｃｍ -1の範囲にあり、膜密度が２．２５乃至２．４０ｇ
／ｃｍ3の範囲に有り、かつ比誘電率が３．３乃至４．
３の範囲にある。なお、下地基板２２としてシリコン基
板やシリコン基板に配線や絶縁膜が形成されたものを用
いることができ、配線２４、２９、３４の材料としてア
ルミニウムや銅などの導電材料を用いることができる。
【００７５】本願発明者の実験によれば、上記特性を有
するシリコン含有絶縁膜２３、２５、２７、３０、３
２、３５は、シリコン窒化膜と同じように、機械的強度
が高く、緻密で、耐水性に優れ、膜中の水分含有量が少
なく、かつシリコン窒化膜と比べて比誘電率が小さい。
また、そのシリコン含有絶縁膜２３、２５、２７、３
０、３２、３５は塗布絶縁膜との密着性がよい。
するシリコン含有絶縁膜２３、２５、２７、３０、３
２、３５は、シリコン窒化膜と同じように、機械的強度
が高く、緻密で、耐水性に優れ、膜中の水分含有量が少
なく、かつシリコン窒化膜と比べて比誘電率が小さい。
また、そのシリコン含有絶縁膜２３、２５、２７、３
０、３２、３５は塗布絶縁膜との密着性がよい。
【００７６】従って、配線２４、２９、３４等を被覆す
る保護層２３、２５、２７、３０、３２、３５として上
記特性を有するシリコン含有絶縁膜を用いることによ
り、配線２４、２９、３４間の寄生容量を低減しつつ、
外来の水分の浸入を防いで配線２４、２９、３４の腐食
を防止することができる。また、塗布絶縁膜２６、３
１、３６の上部及び下部を保護する保護層２５、２７、
３０、３２、３５として上記特性を有するシリコン含有
絶縁膜を用いることにより、配線２４、２９、３４間の
寄生容量を低減しつつ、保護層２５、２７、３０、３
２、３５の外側周辺部への水分の流出及び外来の水分の
浸入を防いで配線２４、２９、３４の腐食を防止するこ
とができる。
る保護層２３、２５、２７、３０、３２、３５として上
記特性を有するシリコン含有絶縁膜を用いることによ
り、配線２４、２９、３４間の寄生容量を低減しつつ、
外来の水分の浸入を防いで配線２４、２９、３４の腐食
を防止することができる。また、塗布絶縁膜２６、３
１、３６の上部及び下部を保護する保護層２５、２７、
３０、３２、３５として上記特性を有するシリコン含有
絶縁膜を用いることにより、配線２４、２９、３４間の
寄生容量を低減しつつ、保護層２５、２７、３０、３
２、３５の外側周辺部への水分の流出及び外来の水分の
浸入を防いで配線２４、２９、３４の腐食を防止するこ
とができる。
【００７７】また、この発明の上記特性を有するシリコ
ン含有絶縁膜２５、２７、３０、３２、３５は塗布絶縁
膜２６、３１、３６との密着性がよく、機械的強度が高
いため、外部からの機械的な衝撃に対しても膜剥がれ等
積層構造の破壊を防止することができる。図１３（ａ）
〜（ｃ）、及び図１４（ａ）、（ｂ）は、本発明の第３
の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図
である。塗布絶縁膜の上下面のうち少なくとも何れか一
の表面に形成する、この発明が適用される下地保護層、
下部保護層、上部保護層、保護層の成膜ガスとしてＴＭ
Ｓ＋Ｎ2Ｏを用いている。
ン含有絶縁膜２５、２７、３０、３２、３５は塗布絶縁
膜２６、３１、３６との密着性がよく、機械的強度が高
いため、外部からの機械的な衝撃に対しても膜剥がれ等
積層構造の破壊を防止することができる。図１３（ａ）
〜（ｃ）、及び図１４（ａ）、（ｂ）は、本発明の第３
の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図
である。塗布絶縁膜の上下面のうち少なくとも何れか一
の表面に形成する、この発明が適用される下地保護層、
下部保護層、上部保護層、保護層の成膜ガスとしてＴＭ
Ｓ＋Ｎ2Ｏを用いている。
【００７８】まず、図１３（ａ）に示すように、シリコ
ン基板（下地基板）２２上に、成膜ガスとしてＴＭＳ＋
Ｎ2Ｏを用いたプラズマＣＶＤ法によりPE-CVD TMS SiO2
膜からなる下地保護層２３を形成する。PE-CVD TMS SiO
2膜(下地保護層)２３を形成するには、まず、シリコン
基板２２を図１に示す成膜装置１０１のチャンバ１内に
導入し、下部電極３に保持する。続いて、シリコン基板
２２を加熱し、温度３５０℃に保持する。ＴＭＳを流量
１００sccmで、Ｎ2Ｏガスを流量３０００sccmで、プラ
ズマ成膜装置１０１のチャンバ１内に導入し、圧力を
０．７Torrに保持する。次いで、下部電極３に周波数３
８０ＫＨｚの電力０．３Ｗ／ｃｍ2を印加し、上部電極
２にも周波数1３．５６ＭＨｚの電力０．３Ｗ／ｃｍ2を
印加する。
ン基板（下地基板）２２上に、成膜ガスとしてＴＭＳ＋
Ｎ2Ｏを用いたプラズマＣＶＤ法によりPE-CVD TMS SiO2
膜からなる下地保護層２３を形成する。PE-CVD TMS SiO
2膜(下地保護層)２３を形成するには、まず、シリコン
基板２２を図１に示す成膜装置１０１のチャンバ１内に
導入し、下部電極３に保持する。続いて、シリコン基板
２２を加熱し、温度３５０℃に保持する。ＴＭＳを流量
１００sccmで、Ｎ2Ｏガスを流量３０００sccmで、プラ
ズマ成膜装置１０１のチャンバ１内に導入し、圧力を
０．７Torrに保持する。次いで、下部電極３に周波数３
８０ＫＨｚの電力０．３Ｗ／ｃｍ2を印加し、上部電極
２にも周波数1３．５６ＭＨｚの電力０．３Ｗ／ｃｍ2を
印加する。
【００７９】これにより、ＴＭＳとＮ2Ｏがプラズマ化
する。この状態を所定時間保持して、膜厚約２００ｎｍ
のPE-CVD TMS SiO2膜２３を形成する。調査によれば、
成膜されたPE-CVD TMS SiO2膜２３は、周波数１ＭＨｚ
で測定した比誘電率が凡そ３．９であり、電界強度５Ｍ
Ｖ／ｃｍのときリーク電流が１０-8Ａ／ｃｍ2であっ
た。
する。この状態を所定時間保持して、膜厚約２００ｎｍ
のPE-CVD TMS SiO2膜２３を形成する。調査によれば、
成膜されたPE-CVD TMS SiO2膜２３は、周波数１ＭＨｚ
で測定した比誘電率が凡そ３．９であり、電界強度５Ｍ
Ｖ／ｃｍのときリーク電流が１０-8Ａ／ｃｍ2であっ
た。
【００８０】次いで、下地保護層２３上に第１の配線２
４を形成した後、上記PE-CVD TMS SiO2膜２３を形成し
たときと同じ成膜条件としたプラズマＣＶＤ法により、
膜厚約５０ｎｍのPE-CVD TMS SiO2膜からなる第１のバ
リア絶縁膜（下部保護層）２５を形成する。成膜された
第１のバリア絶縁膜２５は、周波数１ＭＨｚで測定した
比誘電率が凡そ３．９であり、電界強度５ＭＶ／ｃｍの
ときリーク電流が１０-8Ａ／ｃｍ2であった。
４を形成した後、上記PE-CVD TMS SiO2膜２３を形成し
たときと同じ成膜条件としたプラズマＣＶＤ法により、
膜厚約５０ｎｍのPE-CVD TMS SiO2膜からなる第１のバ
リア絶縁膜（下部保護層）２５を形成する。成膜された
第１のバリア絶縁膜２５は、周波数１ＭＨｚで測定した
比誘電率が凡そ３．９であり、電界強度５ＭＶ／ｃｍの
ときリーク電流が１０-8Ａ／ｃｍ2であった。
【００８１】なお、第１の配線２４が銅配線の場合に
は、図示していないが、下地保護層２３と第１の配線２
４の間には下層から下地保護層２３に対する銅のバリア
としてのＴａＮ膜と、スパッタにより形成されたＣｕ膜
とが形成されている。次に、図１３（ｂ）に示すよう
に、シリコン含有無機化合物又はシリコン含有有機化合
物を含む塗布液を用いた回転塗布法により、低誘電率を
有する膜厚約５００乃至１０００ｎｍの第１の塗布絶縁
膜２６を形成する。第１の塗布絶縁膜２６は主たる層間
絶縁膜となる。これらが被成膜基板２０を構成する。な
お、シリコン含有無機化合物を含む塗布液とは、上記第
２の実施の形態の（試料の作成）の項で説明した無機塗
布絶縁膜を形成するための塗布液でシリコンを含むもの
である。同じく、シリコン含有有機化合物を含む塗布液
とは有機塗布絶縁膜を形成するための塗布液でシリコン
を含むものである。
は、図示していないが、下地保護層２３と第１の配線２
４の間には下層から下地保護層２３に対する銅のバリア
としてのＴａＮ膜と、スパッタにより形成されたＣｕ膜
とが形成されている。次に、図１３（ｂ）に示すよう
に、シリコン含有無機化合物又はシリコン含有有機化合
物を含む塗布液を用いた回転塗布法により、低誘電率を
有する膜厚約５００乃至１０００ｎｍの第１の塗布絶縁
膜２６を形成する。第１の塗布絶縁膜２６は主たる層間
絶縁膜となる。これらが被成膜基板２０を構成する。な
お、シリコン含有無機化合物を含む塗布液とは、上記第
２の実施の形態の（試料の作成）の項で説明した無機塗
布絶縁膜を形成するための塗布液でシリコンを含むもの
である。同じく、シリコン含有有機化合物を含む塗布液
とは有機塗布絶縁膜を形成するための塗布液でシリコン
を含むものである。
【００８２】次いで、図１３（ｃ）に示すように、上記
PE-CVD TMS SiO2膜２３を形成したときと同じ成膜条件
としたプラズマＣＶＤ法により、膜厚約５０ｎｍのPE-C
VD TMS SiO2膜からなる第２のバリア絶縁膜(上部保護
層)２７を第１の塗布絶縁膜２６上に形成する。次い
で、第２のバリア絶縁膜２７上に不図示のフォトレジス
ト膜を形成した後、図１４（ａ）に示すように、パター
ニングし、ビアホールを形成すべき領域にフォトレジス
ト膜の開口部を形成する。続いて、ＣＦ4＋ＣＨＦ3系の
混合ガスをプラズマ化したものを用いた反応性イオンエ
ッチング（ＲＩＥ）によりフォトレジスト膜の開口部を
通してまず第２のバリア絶縁膜２７をエッチングし、除
去する。続いて、第２のバリア絶縁膜２７のエッチング
に用いたガスと組成比を変えたＣＦ4＋ＣＨＦ3系の混合
ガスにより第１の塗布絶縁膜２６をエッチングし、除去
する。これにより、開口部が形成されて第１のバリア絶
縁膜２５が表出する。なお、ＣＦ4＋ＣＨＦ3系の混合ガ
スは、ＣＦ4＋ＣＨＦ3のほかにＡｒ＋Ｏ2等を加えて濃
度調整を行ってもよい。
PE-CVD TMS SiO2膜２３を形成したときと同じ成膜条件
としたプラズマＣＶＤ法により、膜厚約５０ｎｍのPE-C
VD TMS SiO2膜からなる第２のバリア絶縁膜(上部保護
層)２７を第１の塗布絶縁膜２６上に形成する。次い
で、第２のバリア絶縁膜２７上に不図示のフォトレジス
ト膜を形成した後、図１４（ａ）に示すように、パター
ニングし、ビアホールを形成すべき領域にフォトレジス
ト膜の開口部を形成する。続いて、ＣＦ4＋ＣＨＦ3系の
混合ガスをプラズマ化したものを用いた反応性イオンエ
ッチング（ＲＩＥ）によりフォトレジスト膜の開口部を
通してまず第２のバリア絶縁膜２７をエッチングし、除
去する。続いて、第２のバリア絶縁膜２７のエッチング
に用いたガスと組成比を変えたＣＦ4＋ＣＨＦ3系の混合
ガスにより第１の塗布絶縁膜２６をエッチングし、除去
する。これにより、開口部が形成されて第１のバリア絶
縁膜２５が表出する。なお、ＣＦ4＋ＣＨＦ3系の混合ガ
スは、ＣＦ4＋ＣＨＦ3のほかにＡｒ＋Ｏ2等を加えて濃
度調整を行ってもよい。
【００８３】その後、フォトレジスト膜をアッシングす
る。次に、上記第２のバリア絶縁膜２７のエッチングに
用いたガスと同じ組成比を有するＣＦ4＋ＣＨＦ3系の混
合ガスをプラズマ化したものを用いた反応性イオンエッ
チング（ＲＩＥ）により、第２のバリア絶縁膜２７の開
口部及び第１の塗布絶縁膜２６の開口部を通して第１の
バリア絶縁膜２５をエッチングし、除去する。これによ
り、第１のビアホール２８が形成されてその底部に第１
の配線２４が表出する。このとき、上記第１のバリア絶
縁膜２５のエッチングガスに対して第１の配線２４はエ
ッチング耐性を有する。従って、第１の配線２４がエッ
チングガスによる悪影響を受けない。なお、第１の配線
２４の表面が酸化された場合、レジスト膜のアッシング
工程を経て第１のバリア絶縁膜２５のエッチング工程の
後に還元性ガス、例えばＮＨ3や、アルゴン、窒素等の
不活性ガスで希釈した水素のプラズマに曝して除去す
る。
る。次に、上記第２のバリア絶縁膜２７のエッチングに
用いたガスと同じ組成比を有するＣＦ4＋ＣＨＦ3系の混
合ガスをプラズマ化したものを用いた反応性イオンエッ
チング（ＲＩＥ）により、第２のバリア絶縁膜２７の開
口部及び第１の塗布絶縁膜２６の開口部を通して第１の
バリア絶縁膜２５をエッチングし、除去する。これによ
り、第１のビアホール２８が形成されてその底部に第１
の配線２４が表出する。このとき、上記第１のバリア絶
縁膜２５のエッチングガスに対して第１の配線２４はエ
ッチング耐性を有する。従って、第１の配線２４がエッ
チングガスによる悪影響を受けない。なお、第１の配線
２４の表面が酸化された場合、レジスト膜のアッシング
工程を経て第１のバリア絶縁膜２５のエッチング工程の
後に還元性ガス、例えばＮＨ3や、アルゴン、窒素等の
不活性ガスで希釈した水素のプラズマに曝して除去す
る。
【００８４】次いで、フォトレジスト膜を除去した後、
第１のビアホール２８内に導電膜を埋め込む。続いて、
導電膜を通して第１の配線２４と接続するように銅又は
アルミニウムからなる第２の配線２９を形成する。な
お、第２の配線２９が銅配線の場合には、第１のビアホ
ール２８内及び第２のバリア絶縁膜２７上に、例えば窒
化タンタル（ＴａＮ）等のバリア金属膜とスパッタ法に
より形成した銅膜とからなる下地導電膜を敷き、この上
に銅からなる導電膜を堆積することになる。
第１のビアホール２８内に導電膜を埋め込む。続いて、
導電膜を通して第１の配線２４と接続するように銅又は
アルミニウムからなる第２の配線２９を形成する。な
お、第２の配線２９が銅配線の場合には、第１のビアホ
ール２８内及び第２のバリア絶縁膜２７上に、例えば窒
化タンタル（ＴａＮ）等のバリア金属膜とスパッタ法に
より形成した銅膜とからなる下地導電膜を敷き、この上
に銅からなる導電膜を堆積することになる。
【００８５】次に、図１３（ａ）乃至図１４（ａ）に示
す工程を繰り返して、膜厚約５０ｎｍのPE-CVD TMS SiO
2膜からなる第３のバリア絶縁膜（下部保護層）３０
と、図１３（ｂ）の塗布方法と同じ材料及び条件によ
り、第３のバリア絶縁膜３０上に形成された低誘電率を
有する膜厚約５００乃至１０００ｎｍの第２の塗布絶縁
膜３１と、膜厚約５０ｎｍのPE-CVD TMS SiO2膜からな
る第４のバリア絶縁膜（上部保護層）３２とを順に形成
する。続いて、第４のバリア絶縁膜３２、第２の塗布絶
縁膜３１、及び第３のバリア絶縁膜３０を貫通する第２
のビアホール３３を形成する。続いて、第２のビアホー
ル３３を通して第２の配線２９と接続する第３の配線３
４を第４のバリア絶縁膜３２上に形成する。
す工程を繰り返して、膜厚約５０ｎｍのPE-CVD TMS SiO
2膜からなる第３のバリア絶縁膜（下部保護層）３０
と、図１３（ｂ）の塗布方法と同じ材料及び条件によ
り、第３のバリア絶縁膜３０上に形成された低誘電率を
有する膜厚約５００乃至１０００ｎｍの第２の塗布絶縁
膜３１と、膜厚約５０ｎｍのPE-CVD TMS SiO2膜からな
る第４のバリア絶縁膜（上部保護層）３２とを順に形成
する。続いて、第４のバリア絶縁膜３２、第２の塗布絶
縁膜３１、及び第３のバリア絶縁膜３０を貫通する第２
のビアホール３３を形成する。続いて、第２のビアホー
ル３３を通して第２の配線２９と接続する第３の配線３
４を第４のバリア絶縁膜３２上に形成する。
【００８６】その後、第３の配線３４を被覆して膜厚約
５０ｎｍのPE-CVD TMS SiO2膜からなる第５のバリア絶
縁膜（下部保護層）３５をこの発明のプラズマＣＶＤ法
により形成する。続いて、図１３（ｂ）の塗布方法と同
じ材料及び条件により第５のバリア絶縁膜３５上に低誘
電率を有する膜厚約５００乃至１０００ｎｍの第３の塗
布絶縁膜３６を形成する。
５０ｎｍのPE-CVD TMS SiO2膜からなる第５のバリア絶
縁膜（下部保護層）３５をこの発明のプラズマＣＶＤ法
により形成する。続いて、図１３（ｂ）の塗布方法と同
じ材料及び条件により第５のバリア絶縁膜３５上に低誘
電率を有する膜厚約５００乃至１０００ｎｍの第３の塗
布絶縁膜３６を形成する。
【００８７】以上により、図１４（ｂ）に示すように第
１の配線２４と接続する第２の配線２９、及び第２の配
線２９と接続する第３の配線３４の形成が完了する。第
３の実施の形態によれば、低誘電率を有する第１の塗布
絶縁膜２６がPE-CVDTMS SiO2膜からなる第１のバリア絶
縁膜２５とPE-CVD TMS SiO2膜からなる第２のバリア絶
縁膜２７とによって上下面を被覆され、同じく低誘電率
を有する第２の塗布絶縁膜３１がPE-CVD TMS SiO2膜か
らなる第３のバリア絶縁膜３０とPE-CVD TMS SiO2膜か
らなる第４のバリア絶縁膜３２とによって上下面を被覆
されている。ところで、この発明が適用されるPE-CVD T
MS SiO2膜は、第２の実施の形態の調査結果に示すよう
に、緻密で、耐水性に優れ、膜中の水分含有量が少ない
というシリコン窒化膜と同等な性質を有する。
１の配線２４と接続する第２の配線２９、及び第２の配
線２９と接続する第３の配線３４の形成が完了する。第
３の実施の形態によれば、低誘電率を有する第１の塗布
絶縁膜２６がPE-CVDTMS SiO2膜からなる第１のバリア絶
縁膜２５とPE-CVD TMS SiO2膜からなる第２のバリア絶
縁膜２７とによって上下面を被覆され、同じく低誘電率
を有する第２の塗布絶縁膜３１がPE-CVD TMS SiO2膜か
らなる第３のバリア絶縁膜３０とPE-CVD TMS SiO2膜か
らなる第４のバリア絶縁膜３２とによって上下面を被覆
されている。ところで、この発明が適用されるPE-CVD T
MS SiO2膜は、第２の実施の形態の調査結果に示すよう
に、緻密で、耐水性に優れ、膜中の水分含有量が少ない
というシリコン窒化膜と同等な性質を有する。
【００８８】従って、第１及び第２の塗布絶縁膜２６、
３１中に外来の水分が侵入するのを防止することができ
る。また、当初から第１及び第２の塗布絶縁膜２６、３
１中に水分が含まれていた場合、その水分が第１及び第
２の塗布絶縁膜２６、３１の周辺部に流出するのを防止
することができる。このため、第１及び第２の塗布絶縁
膜２６、３１の水分含有量に依存する比誘電率の変動を
抑制することができる。
３１中に外来の水分が侵入するのを防止することができ
る。また、当初から第１及び第２の塗布絶縁膜２６、３
１中に水分が含まれていた場合、その水分が第１及び第
２の塗布絶縁膜２６、３１の周辺部に流出するのを防止
することができる。このため、第１及び第２の塗布絶縁
膜２６、３１の水分含有量に依存する比誘電率の変動を
抑制することができる。
【００８９】さらに、PE-CVD TMS SiO2膜は、緻密性と
いう点でシリコン窒化膜と同等な性質を有するが、シリ
コン窒化膜と大きく異なり、比誘電率が小さいという性
質を有する。従って、層間絶縁膜として用いても、より
低比誘電率化を図ることができる。特に、第１の塗布絶
縁膜２６の上面及び下面を保護する第１及び第２のバリ
ア絶縁膜２５、２７として用いることにより、これらの
膜から構成される第１の層間絶縁膜全体としてより低比
誘電率化を図ることができる。同様に、第２の塗布絶縁
膜３１の上面及び下面を保護する第３及び第４のバリア
絶縁膜３０、３２として用いることにより、これらの膜
から構成される第２の層間絶縁膜全体としてより低比誘
電率化を図ることができる。
いう点でシリコン窒化膜と同等な性質を有するが、シリ
コン窒化膜と大きく異なり、比誘電率が小さいという性
質を有する。従って、層間絶縁膜として用いても、より
低比誘電率化を図ることができる。特に、第１の塗布絶
縁膜２６の上面及び下面を保護する第１及び第２のバリ
ア絶縁膜２５、２７として用いることにより、これらの
膜から構成される第１の層間絶縁膜全体としてより低比
誘電率化を図ることができる。同様に、第２の塗布絶縁
膜３１の上面及び下面を保護する第３及び第４のバリア
絶縁膜３０、３２として用いることにより、これらの膜
から構成される第２の層間絶縁膜全体としてより低比誘
電率化を図ることができる。
【００９０】また、第１乃至第３の配線２４、２９、３
４の周辺部がそれぞれ下地保護層２３と第１のバリア絶
縁膜２５、第２のバリア絶縁膜２７と第３のバリア絶縁
膜３０、第４のバリア絶縁膜３２と第５のバリア絶縁膜
３５により包まれている。このため、外来の水分の浸入
を防止して第１乃至第３の配線２４、２９、３４が腐食
するのを防止することができる。
４の周辺部がそれぞれ下地保護層２３と第１のバリア絶
縁膜２５、第２のバリア絶縁膜２７と第３のバリア絶縁
膜３０、第４のバリア絶縁膜３２と第５のバリア絶縁膜
３５により包まれている。このため、外来の水分の浸入
を防止して第１乃至第３の配線２４、２９、３４が腐食
するのを防止することができる。
【００９１】特に、下地保護層２３もこの発明が適用さ
れるPE-CVD TMS SiO2膜で形成されているため、第１の
配線２４はPE-CVD TMS SiO2膜によって周辺部がすべて
保護される。これにより、第１の配線２４のすべての周
辺部からの水分の浸透を防止して第１の配線２４が腐食
するのをより一層防止することができる。なお、上記第
３の実施の形態では、下地保護層２３としてこの発明が
適用されるプラズマＣＶＤ法により成膜したPE-CVD TMS
SiO2膜を用いているが、シリコン基板２２を酸素を含
む雰囲気中で加熱して酸化し、形成した熱酸化膜や有機
シリコン含有ガスを用いてＣＶＤ法により形成したＮＳ
Ｇ膜、ＢＰＳＧ膜（Boro-Phospho-Silicate Glass膜）
等を用いることができる。
れるPE-CVD TMS SiO2膜で形成されているため、第１の
配線２４はPE-CVD TMS SiO2膜によって周辺部がすべて
保護される。これにより、第１の配線２４のすべての周
辺部からの水分の浸透を防止して第１の配線２４が腐食
するのをより一層防止することができる。なお、上記第
３の実施の形態では、下地保護層２３としてこの発明が
適用されるプラズマＣＶＤ法により成膜したPE-CVD TMS
SiO2膜を用いているが、シリコン基板２２を酸素を含
む雰囲気中で加熱して酸化し、形成した熱酸化膜や有機
シリコン含有ガスを用いてＣＶＤ法により形成したＮＳ
Ｇ膜、ＢＰＳＧ膜（Boro-Phospho-Silicate Glass膜）
等を用いることができる。
【００９２】（第４の実施の形態）図１５（ａ）〜
（ｃ）、及び図１６を参照して、本発明の第４の実施の
形態に係る半導体装置及びその製造方法について説明す
る。図１６は、本発明の第４の実施の形態に係る半導体
装置について示す断面図である。
（ｃ）、及び図１６を参照して、本発明の第４の実施の
形態に係る半導体装置及びその製造方法について説明す
る。図１６は、本発明の第４の実施の形態に係る半導体
装置について示す断面図である。
【００９３】第３の実施の形態と異なるところは、第１
及び第２のビアホール２８、３３内の側壁がこの発明が
適用されるPE-CVD TMS SiO2膜３７、３８によって覆わ
れており、第１及び第２のビアホール２８、３３内に第
１の塗布絶縁膜２６、３１が露出していない点である。
この発明が適用されるPE-CVD TMS SiO2膜３７、３８
は、赤外線の吸収強度のピークが波数２２７０乃至２３
５０ｃｍ-1の範囲にあり、膜密度が２．２５乃至２．４
０ｇ／ｃｍ3の範囲に有り、かつ比誘電率が３．３乃至
４．３の範囲にある。
及び第２のビアホール２８、３３内の側壁がこの発明が
適用されるPE-CVD TMS SiO2膜３７、３８によって覆わ
れており、第１及び第２のビアホール２８、３３内に第
１の塗布絶縁膜２６、３１が露出していない点である。
この発明が適用されるPE-CVD TMS SiO2膜３７、３８
は、赤外線の吸収強度のピークが波数２２７０乃至２３
５０ｃｍ-1の範囲にあり、膜密度が２．２５乃至２．４
０ｇ／ｃｍ3の範囲に有り、かつ比誘電率が３．３乃至
４．３の範囲にある。
【００９４】次に、上記構造を実現するための製造方法
について説明する。図１５（ａ）〜（ｃ）、及び図１６
は、本発明の第４の実施の形態に係る半導体装置の製造
方法を示す断面図である。この発明が適用される下部保
護層及び上部保護層の他に、側壁保護層を形成するため
の成膜ガスとしてＴＭＳ＋Ｎ2Ｏを用いている。上記構
造を実現するために、図１３（ｃ）に示す工程の後に、
図１５（ａ）に示すように、第１のビアホール２８を形
成し、その後、図１５（ｂ）に示すように、第１のビア
ホール２８を被覆するように、第２のバリア絶縁膜（上
部保護層）２７上にこの発明が適用される膜厚約５０ｎ
ｍのPE-CVD TMS SiO2膜３７ａを形成する。続いて、図
１５（ｃ）に示すように、PE-CVD TMS SiO2膜３７ａを
異方性エッチングすることにより第１のビアホール２８
内の側壁にPE-CVD TMS SiO 2膜（側壁保護層）３７を残
すようにする。
について説明する。図１５（ａ）〜（ｃ）、及び図１６
は、本発明の第４の実施の形態に係る半導体装置の製造
方法を示す断面図である。この発明が適用される下部保
護層及び上部保護層の他に、側壁保護層を形成するため
の成膜ガスとしてＴＭＳ＋Ｎ2Ｏを用いている。上記構
造を実現するために、図１３（ｃ）に示す工程の後に、
図１５（ａ）に示すように、第１のビアホール２８を形
成し、その後、図１５（ｂ）に示すように、第１のビア
ホール２８を被覆するように、第２のバリア絶縁膜（上
部保護層）２７上にこの発明が適用される膜厚約５０ｎ
ｍのPE-CVD TMS SiO2膜３７ａを形成する。続いて、図
１５（ｃ）に示すように、PE-CVD TMS SiO2膜３７ａを
異方性エッチングすることにより第１のビアホール２８
内の側壁にPE-CVD TMS SiO 2膜（側壁保護層）３７を残
すようにする。
【００９５】次いで、図１６に示すように、導電膜を通
して第１の配線２４と接続するように銅又はアルミニウ
ムからなる第２の配線２９を形成する。その後、上記の
工程を繰り返して、第２の塗布絶縁膜３１とその上下面
を被覆する膜厚約５０ｎｍの第３のバリア絶縁膜（下部
保護層）３０及び第４のバリア絶縁膜（上部保護層）３
２とからなる層間絶縁膜と、その層間絶縁膜を貫通する
第２のビアホール３３と、第２のビアホール３３の側壁
を覆う膜厚約５０ｎｍのPE-CVD TMS SiO2膜からなる第
６のバリア絶縁膜（側壁保護層）３８と、第２のビアホ
ール３３を通して第２の配線２９と接続する第３の配線
３４と、第３の配線３４を被覆する膜厚約５０ｎｍのPE
-CVD TMS SiO2膜からなる第５のバリア絶縁膜（下部保
護層）３５と、第３の塗布絶縁膜３６とを形成する。
して第１の配線２４と接続するように銅又はアルミニウ
ムからなる第２の配線２９を形成する。その後、上記の
工程を繰り返して、第２の塗布絶縁膜３１とその上下面
を被覆する膜厚約５０ｎｍの第３のバリア絶縁膜（下部
保護層）３０及び第４のバリア絶縁膜（上部保護層）３
２とからなる層間絶縁膜と、その層間絶縁膜を貫通する
第２のビアホール３３と、第２のビアホール３３の側壁
を覆う膜厚約５０ｎｍのPE-CVD TMS SiO2膜からなる第
６のバリア絶縁膜（側壁保護層）３８と、第２のビアホ
ール３３を通して第２の配線２９と接続する第３の配線
３４と、第３の配線３４を被覆する膜厚約５０ｎｍのPE
-CVD TMS SiO2膜からなる第５のバリア絶縁膜（下部保
護層）３５と、第３の塗布絶縁膜３６とを形成する。
【００９６】以上、第４の実施の形態によれば、第１及
び第２のビアホール２８、３３内も含めてPE-CVD TMS S
iO2膜２５、２７、３７、及び３０、３２、３８によっ
て第１及び第２の塗布絶縁膜２６、３１が完全に保護さ
れている。従って、第３の実施の形態で説明した作用・
効果に加えて、第１及び第２の塗布絶縁膜２６、３１へ
の水分の侵入及び第１及び第２の塗布絶縁膜２６、３１
から周辺部への水分の流出をより一層防止することがで
きる。
び第２のビアホール２８、３３内も含めてPE-CVD TMS S
iO2膜２５、２７、３７、及び３０、３２、３８によっ
て第１及び第２の塗布絶縁膜２６、３１が完全に保護さ
れている。従って、第３の実施の形態で説明した作用・
効果に加えて、第１及び第２の塗布絶縁膜２６、３１へ
の水分の侵入及び第１及び第２の塗布絶縁膜２６、３１
から周辺部への水分の流出をより一層防止することがで
きる。
【００９７】これにより、層間絶縁膜の比誘電率の経時
変動や、層間絶縁膜の上下の配線２４、２９、３４の腐
食を防止することができる。 （第５の実施の形態）図１７はこの発明の第５の実施の
形態である半導体装置及びその製造方法について示す断
面図である。
変動や、層間絶縁膜の上下の配線２４、２９、３４の腐
食を防止することができる。 （第５の実施の形態）図１７はこの発明の第５の実施の
形態である半導体装置及びその製造方法について示す断
面図である。
【００９８】この半導体装置は、図１７に示すように、
基板６１上に保護層と配線群と層間絶縁膜或いはカバー
絶縁膜とを一組とする積層構造が４段積層されているよ
うな構造を有する。即ち、この半導体装置は、この発明
に係るPE-CVD TMS SiO2膜からなる第１乃至第４の保護
層６２、６５、６８、７１の上にそれぞれ、第１の配線
群６３ａ乃至６３ｄ、第２の配線群６６ａ乃至６６ｃ、
第３の配線群６９ａ乃至６９ｄ、第４の配線群７２ａ乃
至７２ｃを有する。配線群６３ａ乃至６３ｄ、６６ａ乃
至６６ｃ、６９ａ乃至６９ｄ、７２ａ乃至７２ｃのうち
隣接する２つの配線群の間にそれぞれ、塗布絶縁膜から
なる層間絶縁膜６４、６７、７０が介在する。配線群７
２ａ乃至７２ｃ上にカバー絶縁膜７３が形成されてな
る。以下の説明では、説明をわかり易くするため、配線
群の符号を省略する場合がある。
基板６１上に保護層と配線群と層間絶縁膜或いはカバー
絶縁膜とを一組とする積層構造が４段積層されているよ
うな構造を有する。即ち、この半導体装置は、この発明
に係るPE-CVD TMS SiO2膜からなる第１乃至第４の保護
層６２、６５、６８、７１の上にそれぞれ、第１の配線
群６３ａ乃至６３ｄ、第２の配線群６６ａ乃至６６ｃ、
第３の配線群６９ａ乃至６９ｄ、第４の配線群７２ａ乃
至７２ｃを有する。配線群６３ａ乃至６３ｄ、６６ａ乃
至６６ｃ、６９ａ乃至６９ｄ、７２ａ乃至７２ｃのうち
隣接する２つの配線群の間にそれぞれ、塗布絶縁膜から
なる層間絶縁膜６４、６７、７０が介在する。配線群７
２ａ乃至７２ｃ上にカバー絶縁膜７３が形成されてな
る。以下の説明では、説明をわかり易くするため、配線
群の符号を省略する場合がある。
【００９９】保護層６２、６５、６８、７１を構成す
る、この発明に係るシリコン含有絶縁膜は、赤外線の吸
収強度のピークが波数２２７０乃至２３５０ｃｍ-1の範
囲にあり、膜密度が２．２５乃至２．４０ｇ／ｃｍ3の
範囲に有り、かつ比誘電率が３．３乃至４．３の範囲に
ある。以上のように、第５の実施の形態によれば、配線
群６３ａ乃至６３ｄ、６６ａ乃至６６ｃ、６９ａ乃至６
９ｄ、７２ａ乃至７２ｃの間にこの発明に係る上記特性
を有する保護層６５、６８、７１が介在している。
る、この発明に係るシリコン含有絶縁膜は、赤外線の吸
収強度のピークが波数２２７０乃至２３５０ｃｍ-1の範
囲にあり、膜密度が２．２５乃至２．４０ｇ／ｃｍ3の
範囲に有り、かつ比誘電率が３．３乃至４．３の範囲に
ある。以上のように、第５の実施の形態によれば、配線
群６３ａ乃至６３ｄ、６６ａ乃至６６ｃ、６９ａ乃至６
９ｄ、７２ａ乃至７２ｃの間にこの発明に係る上記特性
を有する保護層６５、６８、７１が介在している。
【０１００】保護層６５、６８、７１自体は緻密で、耐
水性を有するため、外来の水分の侵入を阻止し、またリ
ーク電流の流れを阻止する機能を有する。したがって、
外来の水分による配線群６３ａ乃至６３ｄ、６６ａ乃至
６６ｃ、６９ａ乃至６９ｄ、７２ａ乃至７２ｃの腐食を
防止するとともに、配線群６３ａ乃至６３ｄ、６６ａ乃
至６６ｃ、６９ａ乃至６９ｄ、７２ａ乃至７２ｃの間の
リーク電流を抑制することができる。
水性を有するため、外来の水分の侵入を阻止し、またリ
ーク電流の流れを阻止する機能を有する。したがって、
外来の水分による配線群６３ａ乃至６３ｄ、６６ａ乃至
６６ｃ、６９ａ乃至６９ｄ、７２ａ乃至７２ｃの腐食を
防止するとともに、配線群６３ａ乃至６３ｄ、６６ａ乃
至６６ｃ、６９ａ乃至６９ｄ、７２ａ乃至７２ｃの間の
リーク電流を抑制することができる。
【０１０１】また、保護層６５、６８、７１は層間絶縁
膜６４，６７，７０及びカバー絶縁膜７３と接触するよ
うに形成されている。保護層６５、６８、７１であるPE
-CVDTMS SiO2 膜は、層間絶縁膜６４，６７，７０及び
カバー絶縁膜７３である塗布絶縁膜との密着性がよいた
め、膜剥がれを防止することができる。さらに、層間絶
縁膜として塗布絶縁膜６４，６７，７０を用いているの
で、平坦性に優れた層間絶縁膜を得ることができる。以
下に、その製造方法について説明する。
膜６４，６７，７０及びカバー絶縁膜７３と接触するよ
うに形成されている。保護層６５、６８、７１であるPE
-CVDTMS SiO2 膜は、層間絶縁膜６４，６７，７０及び
カバー絶縁膜７３である塗布絶縁膜との密着性がよいた
め、膜剥がれを防止することができる。さらに、層間絶
縁膜として塗布絶縁膜６４，６７，７０を用いているの
で、平坦性に優れた層間絶縁膜を得ることができる。以
下に、その製造方法について説明する。
【０１０２】図１７に示すように、まず、基板６１上に
この発明が適用される膜厚２００ｎｍのPE-CVD TMS SiO
2膜からなる第１の保護層（第１のバリア絶縁膜）６２
を形成する。なお、基板６１として半導体基板自体、或
いは半導体基板上に下地絶縁膜と配線とが形成されたも
のを用いることができる。次いで、第１のバリア絶縁膜
６２上に第１の配線群６３ａ乃至６３ｄを形成し、続い
て、第３及び第４の実施の形態と同じ材料及び成膜方法
を用いて第１の配線群６３ａ乃至６３ｄを被覆して第１
の塗布絶縁膜６４を形成する。
この発明が適用される膜厚２００ｎｍのPE-CVD TMS SiO
2膜からなる第１の保護層（第１のバリア絶縁膜）６２
を形成する。なお、基板６１として半導体基板自体、或
いは半導体基板上に下地絶縁膜と配線とが形成されたも
のを用いることができる。次いで、第１のバリア絶縁膜
６２上に第１の配線群６３ａ乃至６３ｄを形成し、続い
て、第３及び第４の実施の形態と同じ材料及び成膜方法
を用いて第１の配線群６３ａ乃至６３ｄを被覆して第１
の塗布絶縁膜６４を形成する。
【０１０３】次に、第１の塗布絶縁膜６４上にこの発明
が適用される膜厚約５０ｎｍの第２のPE-CVD TMS SiO2
膜からなる第２の保護層（第２のバリア絶縁膜）６５を
形成する。第２のバリア絶縁膜６５上に第２の配線群６
６ａ乃至６６ｃを形成した後、第３及び第４の実施の形
態と同じ材料及び成膜方法を用いて第２の配線群６６ａ
乃至６６ｃを被覆して第２の塗布絶縁膜６７を形成す
る。
が適用される膜厚約５０ｎｍの第２のPE-CVD TMS SiO2
膜からなる第２の保護層（第２のバリア絶縁膜）６５を
形成する。第２のバリア絶縁膜６５上に第２の配線群６
６ａ乃至６６ｃを形成した後、第３及び第４の実施の形
態と同じ材料及び成膜方法を用いて第２の配線群６６ａ
乃至６６ｃを被覆して第２の塗布絶縁膜６７を形成す
る。
【０１０４】その後、上記PE-CVD TMS SiO2膜の形成工
程と配線の作成工程と塗布絶縁膜の形成工程とを順次２
回繰り返すことにより、第２の塗布絶縁膜６７上に膜厚
約５０ｎｍのPE-CVD TMS SiO2膜からなる第３の保護層
（第３のバリア絶縁膜）６８と、第３の配線群６９ａ乃
至６９ｄと、第３の塗布絶縁膜７０と、膜厚約５０ｎｍ
のPE-CVD TMS SiO2膜からなる第４の保護層（第４のバ
リア絶縁膜）７１と、第４の配線群７２ａ乃至７２ｃ
と、第４の塗布絶縁膜７３とを順に形成する。
程と配線の作成工程と塗布絶縁膜の形成工程とを順次２
回繰り返すことにより、第２の塗布絶縁膜６７上に膜厚
約５０ｎｍのPE-CVD TMS SiO2膜からなる第３の保護層
（第３のバリア絶縁膜）６８と、第３の配線群６９ａ乃
至６９ｄと、第３の塗布絶縁膜７０と、膜厚約５０ｎｍ
のPE-CVD TMS SiO2膜からなる第４の保護層（第４のバ
リア絶縁膜）７１と、第４の配線群７２ａ乃至７２ｃ
と、第４の塗布絶縁膜７３とを順に形成する。
【０１０５】これにより、各配線群６３ａ乃至６３ｄ、
６６ａ乃至６６ｃ、６９ａ乃至６９ｄ、７２ａ乃至７２
ｃが塗布絶縁膜６４，６７，７０と保護層６５、６８、
７１によって絶縁分離された、全体で４層の多層配線群
６３ａ乃至６３ｄ、６６ａ乃至６６ｃ、６９ａ乃至６９
ｄ、７２ａ乃至７２ｃを有する半導体集積回路装置が作
成される。
６６ａ乃至６６ｃ、６９ａ乃至６９ｄ、７２ａ乃至７２
ｃが塗布絶縁膜６４，６７，７０と保護層６５、６８、
７１によって絶縁分離された、全体で４層の多層配線群
６３ａ乃至６３ｄ、６６ａ乃至６６ｃ、６９ａ乃至６９
ｄ、７２ａ乃至７２ｃを有する半導体集積回路装置が作
成される。
【０１０６】以上のように、第５の実施の形態によれ
ば、主たる層間絶縁膜として塗布絶縁膜６４、６７、７
０を用いているので、平坦性に優れた層間絶縁膜を得る
ことができる。また、配線群６３ａ乃至６３ｄ、６６ａ
乃至６６ｃ、６９ａ乃至６９ｄ、７２ａ乃至７２ｃの間
に保護層６５、６８、７１が介在している。
ば、主たる層間絶縁膜として塗布絶縁膜６４、６７、７
０を用いているので、平坦性に優れた層間絶縁膜を得る
ことができる。また、配線群６３ａ乃至６３ｄ、６６ａ
乃至６６ｃ、６９ａ乃至６９ｄ、７２ａ乃至７２ｃの間
に保護層６５、６８、７１が介在している。
【０１０７】保護層６５、６８、７１自体は緻密で、耐
水性を有するため、外来の水分の侵入を阻止し、またリ
ーク電流の流れを阻止する機能を有する。したがって、
外来の水分による配線群６３ａ乃至６３ｄ、６６ａ乃至
６６ｃ、６９ａ乃至６９ｄ、７２ａ乃至７２ｃの腐食を
防止するとともに、配線群６３ａ乃至６３ｄ、６６ａ乃
至６６ｃ、６９ａ乃至６９ｄ、７２ａ乃至７２ｃ間のリ
ーク電流を抑制することができる。
水性を有するため、外来の水分の侵入を阻止し、またリ
ーク電流の流れを阻止する機能を有する。したがって、
外来の水分による配線群６３ａ乃至６３ｄ、６６ａ乃至
６６ｃ、６９ａ乃至６９ｄ、７２ａ乃至７２ｃの腐食を
防止するとともに、配線群６３ａ乃至６３ｄ、６６ａ乃
至６６ｃ、６９ａ乃至６９ｄ、７２ａ乃至７２ｃ間のリ
ーク電流を抑制することができる。
【０１０８】以上、実施の形態によりこの発明を詳細に
説明したが、この発明の範囲は上記実施の形態に具体的
に示した例に限られるものではなく、この発明の要旨を
逸脱しない範囲の上記実施の形態の変更はこの発明の範
囲に含まれる。例えば、低周波電力供給源８の周波数
は、上記の３８０ｋＨｚに限られず、１００ｋＨｚ乃至
１ＭＨｚの周波数でも上記と同様の効果が得られる。そ
して、高周波電力供給源７の周波数も、上記の１３．５
６ＭＨｚに限られず、１ＭＨｚの周波数でも上記と同様
の効果が得られる。
説明したが、この発明の範囲は上記実施の形態に具体的
に示した例に限られるものではなく、この発明の要旨を
逸脱しない範囲の上記実施の形態の変更はこの発明の範
囲に含まれる。例えば、低周波電力供給源８の周波数
は、上記の３８０ｋＨｚに限られず、１００ｋＨｚ乃至
１ＭＨｚの周波数でも上記と同様の効果が得られる。そ
して、高周波電力供給源７の周波数も、上記の１３．５
６ＭＨｚに限られず、１ＭＨｚの周波数でも上記と同様
の効果が得られる。
【０１０９】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、基板上
に塗布絶縁膜を形成した後、Ｓｉ−Ｈ結合を有するアル
コキシ化合物、又はＳｉ−Ｈ結合を有するシロキサン
と、Ｏ2、Ｎ2Ｏ、ＮＯ2、ＣＯ、ＣＯ2、又はＨ2Ｏのう
ち何れか一の酸素含有ガスとからなる成膜ガスをプラズ
マ化し、反応させて、塗布絶縁膜を被覆するシリコン含
有絶縁膜からなる保護層を形成している。
に塗布絶縁膜を形成した後、Ｓｉ−Ｈ結合を有するアル
コキシ化合物、又はＳｉ−Ｈ結合を有するシロキサン
と、Ｏ2、Ｎ2Ｏ、ＮＯ2、ＣＯ、ＣＯ2、又はＨ2Ｏのう
ち何れか一の酸素含有ガスとからなる成膜ガスをプラズ
マ化し、反応させて、塗布絶縁膜を被覆するシリコン含
有絶縁膜からなる保護層を形成している。
【０１１０】また、保護層であるこの発明に係るシリコ
ン含有絶縁膜は、赤外線の吸収強度のピークが波数２２
７０乃至２３５０ｃｍ-1の範囲にあり、膜密度が２．２
５乃至２．４０ｇ／ｃｍ3の範囲に有り、かつ比誘電率
が３．３乃至４．３の範囲にある。このように形成さ
れ、上記特性を有する保護層は、塗布絶縁膜との密着性
が良く、シリコン窒化膜と同じくらい緻密で、耐水性に
優れ、さらに膜中の水分含有量が少ないため、塗布絶縁
膜とそれを被覆する保護層とを形成することにより、外
から塗布絶縁膜への水分の侵入及び塗布絶縁膜から外へ
の水分の流出に対するバリア性がより完全で、かつ平坦
性に優れた被覆絶縁膜を得ることができる。
ン含有絶縁膜は、赤外線の吸収強度のピークが波数２２
７０乃至２３５０ｃｍ-1の範囲にあり、膜密度が２．２
５乃至２．４０ｇ／ｃｍ3の範囲に有り、かつ比誘電率
が３．３乃至４．３の範囲にある。このように形成さ
れ、上記特性を有する保護層は、塗布絶縁膜との密着性
が良く、シリコン窒化膜と同じくらい緻密で、耐水性に
優れ、さらに膜中の水分含有量が少ないため、塗布絶縁
膜とそれを被覆する保護層とを形成することにより、外
から塗布絶縁膜への水分の侵入及び塗布絶縁膜から外へ
の水分の流出に対するバリア性がより完全で、かつ平坦
性に優れた被覆絶縁膜を得ることができる。
【０１１１】また、上記保護層は、上記性質を有する他
にシリコン窒化膜に比べて比誘電率が小さいため、配線
層の間の主たる層間絶縁膜である塗布絶縁膜の上下面を
被覆してこの発明に係る保護層を形成することにより、
塗布絶縁膜への水分の侵入及び流出に対するバリア性、
及びリーク電流等に対するバリア性がより完全で、しか
も全体として誘電率が低い層間絶縁膜を得ることができ
る。また、この発明の上記特性を有するシリコン含有絶
縁膜は塗布絶縁膜との密着性がよく、機械的強度が高い
ため、外部からの機械的な衝撃に対しても膜剥がれ等積
層構造の破壊を防止することができる。
にシリコン窒化膜に比べて比誘電率が小さいため、配線
層の間の主たる層間絶縁膜である塗布絶縁膜の上下面を
被覆してこの発明に係る保護層を形成することにより、
塗布絶縁膜への水分の侵入及び流出に対するバリア性、
及びリーク電流等に対するバリア性がより完全で、しか
も全体として誘電率が低い層間絶縁膜を得ることができ
る。また、この発明の上記特性を有するシリコン含有絶
縁膜は塗布絶縁膜との密着性がよく、機械的強度が高い
ため、外部からの機械的な衝撃に対しても膜剥がれ等積
層構造の破壊を防止することができる。
【図１】本発明の第１の実施の形態である成膜方法に用
いられるプラズマＣＶＤ成膜装置の構成を示す側面図で
ある。
いられるプラズマＣＶＤ成膜装置の構成を示す側面図で
ある。
【図２】本発明の実施の形態である成膜方法により作成
された絶縁膜の特性調査に用いた試料及び比較試料の構
成を示す断面図（その１）である。
された絶縁膜の特性調査に用いた試料及び比較試料の構
成を示す断面図（その１）である。
【図３】本発明の実施の形態である成膜方法により作成
された絶縁膜の特性調査に用いた試料及び比較試料の構
成を示す断面図（その２）である。
された絶縁膜の特性調査に用いた試料及び比較試料の構
成を示す断面図（その２）である。
【図４】本発明の第２の実施の形態である成膜方法によ
り作成されたシリコン含有絶縁膜の膜密度について、図
２（ａ）に示す試料を用いて調査した結果を示す表であ
る。
り作成されたシリコン含有絶縁膜の膜密度について、図
２（ａ）に示す試料を用いて調査した結果を示す表であ
る。
【図５】本発明の第２の実施の形態である成膜方法によ
り作成されたシリコン含有絶縁膜中の水分含有量及び耐
水性について、図２（ａ）に示す試料を用いて調査した
結果を示すグラフである。
り作成されたシリコン含有絶縁膜中の水分含有量及び耐
水性について、図２（ａ）に示す試料を用いて調査した
結果を示すグラフである。
【図６】本発明の第２の実施の形態である成膜方法によ
り作成されたシリコン含有絶縁膜の赤外線吸収強度を、
図２（ａ）に示す試料を用いて調査した結果を示すグラ
フである。
り作成されたシリコン含有絶縁膜の赤外線吸収強度を、
図２（ａ）に示す試料を用いて調査した結果を示すグラ
フである。
【図７】図２（ａ）に示す比較試料を用いてシリコン含
有絶縁膜の赤外線吸収強度を調査した結果を示すグラフ
である。
有絶縁膜の赤外線吸収強度を調査した結果を示すグラフ
である。
【図８】本発明の第２の実施の形態である成膜方法によ
り作成されたシリコン含有絶縁膜の耐水性について、図
２（ｂ）に示す試料を用いて調査した結果を示すグラフ
である。
り作成されたシリコン含有絶縁膜の耐水性について、図
２（ｂ）に示す試料を用いて調査した結果を示すグラフ
である。
【図９】本発明の第２の実施の形態である成膜方法によ
り作成されたシリコン含有絶縁膜の耐水性について、図
２（ｂ）に示す試料を用いて調査した結果を示すグラフ
である。
り作成されたシリコン含有絶縁膜の耐水性について、図
２（ｂ）に示す試料を用いて調査した結果を示すグラフ
である。
【図１０】本発明の第２の実施の形態である成膜方法に
より作成されたシリコン含有絶縁膜の塗布絶縁膜に対す
る密着性について、図２（ｃ）に示す試料を用いて調査
した結果を示す表である。
より作成されたシリコン含有絶縁膜の塗布絶縁膜に対す
る密着性について、図２（ｃ）に示す試料を用いて調査
した結果を示す表である。
【図１１】本発明の第２の実施の形態である成膜方法に
より作成されたヒートサイクルによる不良発生率を、図
２（ｄ）の試料を用いて調査した結果を示すグラフであ
る。
より作成されたヒートサイクルによる不良発生率を、図
２（ｄ）の試料を用いて調査した結果を示すグラフであ
る。
【図１２】本発明の第２の実施の形態である成膜方法に
より作成されたシリコン含有絶縁膜の銅に対するバリア
性について調査した結果を示すグラフである。
より作成されたシリコン含有絶縁膜の銅に対するバリア
性について調査した結果を示すグラフである。
【図１３】本発明の第３の実施の形態である半導体装置
の製造方法について示す断面図（その１）である。
の製造方法について示す断面図（その１）である。
【図１４】本発明の第３の実施の形態である半導体装置
の製造方法について示す断面図（その２）である。
の製造方法について示す断面図（その２）である。
【図１５】本発明の第４の実施の形態である半導体装置
の製造方法について示す断面図（その１）である。
の製造方法について示す断面図（その１）である。
【図１６】本発明の第４の実施の形態である半導体装置
の製造方法について示す断面図（その２）である。
の製造方法について示す断面図（その２）である。
【図１７】本発明の第５の実施の形態である半導体装置
の製造方法について示す断面図である。
の製造方法について示す断面図である。
１・・・チャンバ、 ２・・・上部電極（第１の電極）、 ３・・・下部電極（第２の電極）、 ４・・・排気配管、 ５・・・開閉バルブ、 ６・・・排気装置、 ７・・・高周波電力供給電源（ＲＦ電源）、 ８・・・低周波電力供給電源、 ９ａ・・・配管、 ９ｂ〜９ｆ・・・分岐配管、 １０ａ〜１０ｋ・・・開閉手段、 １１ａ〜１１ｅ・・・流量調整手段、 １２・・・ヒータ、 １３・・・第１のマッチングボックス、 １４・・・第２のマッチングボックス、 ２０・・・被成膜基板、 ２２・・・下地基板、 ２３・・・下地保護層、 ２４、２９、３４・・・配線、 ２５、３０・・・下部保護層、 ２６、３１、３６、４４ｃ・・・塗布絶縁膜、 ２７、３２・・・上部保護層、 ２８・・・第１のビアホール、 ３３・・・第２のビアホール、 ３５・・・保護層、 ３７、３８、４２ａ、４２ｂ・・・PE-CVD TMS SiO
2膜、 ４１・・・シリコン基板、 ４３・・・ＢＰＳＧ膜、 ４４ａ、４４ｂ・・・低誘電率絶縁膜、 ４５・・・電極、 ５１ａ、５１ｂ、５１ｃ、５１ｄ、５１ｅ・・・PE-CVD
TEOS SiO2膜、 ５２ａ、５２ｂ・・・PE-CVD SiH4 SiO2膜、 ５３・・・PE-CVD SiN膜、 ６１・・・基板、 ６２・・・第１の保護層、 ６５・・・第２の保護層、 ６８・・・第３の保護層、 ７１・・・第４の保護層、 ６３ａ〜６３ｄ・・・第１の配線群、 ６４、６７、７０・・・層間絶縁膜、 ６６ａ〜６６ｃ・・・第２の配線群、 ６９ａ〜６９ｄ・・・第３の配線群、 ７２ａ〜７２ｃ・・・第４の配線群、 ７３・・・カバー絶縁膜、 １０１・・・プラズマ成膜装置、 １０１Ａ・・・成膜部、 １０１Ｂ・・・成膜ガス供給部。
2膜、 ４１・・・シリコン基板、 ４３・・・ＢＰＳＧ膜、 ４４ａ、４４ｂ・・・低誘電率絶縁膜、 ４５・・・電極、 ５１ａ、５１ｂ、５１ｃ、５１ｄ、５１ｅ・・・PE-CVD
TEOS SiO2膜、 ５２ａ、５２ｂ・・・PE-CVD SiH4 SiO2膜、 ５３・・・PE-CVD SiN膜、 ６１・・・基板、 ６２・・・第１の保護層、 ６５・・・第２の保護層、 ６８・・・第３の保護層、 ７１・・・第４の保護層、 ６３ａ〜６３ｄ・・・第１の配線群、 ６４、６７、７０・・・層間絶縁膜、 ６６ａ〜６６ｃ・・・第２の配線群、 ６９ａ〜６９ｄ・・・第３の配線群、 ７２ａ〜７２ｃ・・・第４の配線群、 ７３・・・カバー絶縁膜、 １０１・・・プラズマ成膜装置、 １０１Ａ・・・成膜部、 １０１Ｂ・・・成膜ガス供給部。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 於久 泰三 東京都港区三田３−11−28 キヤノン販売 株式会社内 (72)発明者 青木 淳一 東京都港区三田３−11−28 キヤノン販売 株式会社内 (72)発明者 衣川 貴志 東京都港区三田３−11−28 キヤノン販売 株式会社内 (72)発明者 前田 和夫 東京都港区港南２−13−29 株式会社半導 体プロセス研究所内 Ｆターム(参考） 4K030 AA01 AA06 AA09 AA13 AA14 AA17 AA18 BA44 CA04 CA12 FA03 JA18 LA15 5F033 HH08 HH11 HH21 HH32 HH33 JJ08 JJ11 JJ21 JJ32 KK08 KK11 MM05 MM08 MM13 NN06 NN07 PP15 QQ09 QQ10 QQ13 QQ37 QQ76 QQ92 QQ94 RR01 RR04 RR09 RR15 RR21 RR25 SS03 SS04 SS15 SS22 TT02 TT04 TT07 WW00 XX12 XX24 XX28 5F058 BA07 BA20 BD01 BD04 BF07 BF23 BF27 BF29 BF46 BJ02 BJ03
Claims (20)
- 【請求項１】シリコン含有無機化合物又はシリコン含有
有機化合物の何れか一を含む塗布液を塗布して塗布絶縁
膜が表面に形成された基板を準備する工程と、 Ｓｉ−Ｈ結合を有するアルコキシ化合物、又はＳｉ−Ｈ
結合を有するシロキサンの何れか一と、Ｏ2、Ｎ2Ｏ、Ｎ
Ｏ2、ＣＯ、ＣＯ2、又はＨ2Ｏの何れか一の酸素含有ガ
スとからなる第１の成膜ガスをプラズマ化し、反応させ
て、前記塗布絶縁膜を被覆する保護層を形成する工程と
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】前記第１の成膜ガスにＮ2又はＨ2の何れか
一を添加することを特徴とする請求項１に記載の半導体
装置の製造方法。 - 【請求項３】前記第１の成膜ガスを構成するＳｉ−Ｈ結
合を有するアルコキシ化合物は、トリメトキシシラン
（ＴＭＳ：SiH(OCH3)3）であることを特徴とする請求項
１又は請求項２に記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項４】前記第１の成膜ガスを構成するＳｉ−Ｈ結
合を有するシロキサンは、テトラメチルジシロキサン
（ＴＭＤＳＯ：(CH3)2HSi-O-SiH(CH3)2）であることを
特徴とする請求項１又は請求項２に記載の半導体装置の
製造方法。 - 【請求項５】プラズマ生成手段として平行平板型の第１
の電極及び第２の電極を用い、かつ前記プラズマ化の際
に、前記第１の電極に周波数１ＭＨｚ以上の高周波電力
を印加し、かつ前記基板を保持する前記第２の電極に周
波数１００ｋＨｚ乃至１ＭＨｚの低周波電力を印加する
ことを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか一項
に記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項６】前記塗布絶縁膜を形成する工程の前に、前
記基板は、第１の配線と、前記第１の配線を被覆する保
護層とを有してなり、 前記第１の配線を被覆する保護層は、Ｓｉ−Ｈ結合を有
するアルコキシ化合物、又はＳｉ−Ｈ結合を有するシロ
キサンの何れか一と、Ｏ2、Ｎ2Ｏ、ＮＯ2、ＣＯ、Ｃ
Ｏ2、又はＨ2Ｏの何れか一の酸素含有ガスとからなる第
２の成膜ガスをプラズマ化し、反応させて形成されたシ
リコン含有絶縁膜であることを特徴とする請求項１乃至
請求項５のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方
法。 - 【請求項７】前記第２の成膜ガスにＮ2又はＨ2の何れか
一を添加することを特徴とする請求項６に記載の半導体
装置の製造方法。 - 【請求項８】前記第２の成膜ガスを構成するＳｉ−Ｈ結
合を有するアルコキシ化合物は、トリメトキシシラン
（ＴＭＳ：SiH(OCH3)3）であることを特徴とする請求項
６又は請求項７に記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項９】前記第２の成膜ガスを構成するＳｉ−Ｈ結
合を有するシロキサンは、テトラメチルジシロキサン
（ＴＭＤＳＯ：(CH3)2HSi-O-SiH(CH3)2）であることを
特徴とする請求項６又は請求項７に記載の半導体装置の
製造方法。 - 【請求項１０】プラズマ生成手段として平行平板型の第
１の電極及び第２の電極を用い、かつ前記プラズマ化の
際に、前記第１の電極に周波数１ＭＨｚ以上の高周波電
力を印加し、かつ前記基板を保持する前記第２の電極に
周波数１００ｋＨｚ乃至１ＭＨｚの低周波電力を印加す
ることを特徴とする請求項６乃至請求項９のいずれか一
項に記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項１１】前記塗布絶縁膜を被覆する保護層を形成
する工程の後に、 前記塗布絶縁膜を被覆する保護層と、前記塗布絶縁膜
と、前記第１の配線を被覆する保護層とに開口部を形成
する工程と、 前記開口部を通して前記第１の配線と接続する第２の配
線を形成する工程とを有することを特徴とする請求項６
乃至請求項１０のいずれか一項に記載の半導体装置の製
造方法。 - 【請求項１２】前記第２の配線を形成する工程の後に、 Ｓｉ−Ｈ結合を有するアルコキシ化合物、又はＳｉ−Ｈ
結合を有するシロキサンの何れか一と、Ｏ2、Ｎ2Ｏ、Ｎ
Ｏ2、ＣＯ、ＣＯ2、又はＨ2Ｏの何れか一の酸素含有ガ
スとからなる第３の成膜ガスをプラズマ化し、反応させ
て、前記第２の配線を被覆する保護層を形成する工程を
有することを特徴とする請求項１１記載の半導体装置の
製造方法。 - 【請求項１３】前記第３の成膜ガスにＮ2又はＨ2の何れ
か一を添加することを特徴とする請求項１２記載の半導
体装置の製造方法。 - 【請求項１４】前記第３の成膜ガスを構成するＳｉ−Ｈ
結合を有するアルコキシ化合物は、トリメトキシシラン
（ＴＭＳ：SiH(OCH3)3）であることを特徴とする請求項
１２又は請求項１３に記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項１５】前記第３の成膜ガスを構成するＳｉ−Ｈ
結合を有するシロキサンは、テトラメチルジシロキサン
（ＴＭＤＳＯ：(CH3)2HSi-O-SiH(CH3)2）であることを
特徴とする請求項１２又は請求項１３に記載の半導体装
置の製造方法。 - 【請求項１６】プラズマ生成手段として平行平板型の第
１の電極及び第２の電極を用い、かつ前記プラズマ化の
際に、前記第１の電極に周波数１ＭＨｚ以上の高周波電
力を印加を印加し、かつ前記基板を保持する前記第２の
電極に周波数１００ｋＨｚ乃至１ＭＨｚの低周波電力を
印加することを特徴とする請求項１２乃至請求項１５の
いずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項１７】基板上に積層されたシリコン含有有機物
又はシリコン含有無機物のうち少なくとも何れか一を含
む塗布絶縁膜と、前記塗布絶縁膜上に積層された保護層
とを有してなり、 前記保護層は、赤外線の吸収強度のピークが波数２２７
０乃至２３５０ｃｍ-1の範囲にあり、膜密度が２．２５
乃至２．４０ｇ／ｃｍ3の範囲に有り、かつ比誘電率が
３．３乃至４．３の範囲にあるシリコン含有絶縁膜から
なることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項１８】前記基板は、表面に第１の配線と、該第
１の配線と接するように該第１の配線を被覆する保護層
とを有し、 前記第１の配線を被覆する保護層は、赤外線の吸収強度
のピークが波数２２７０乃至２３５０ｃｍ-1の範囲にあ
り、膜密度が２．２５乃至２．４０ｇ／ｃｍ3の範囲に
有り、かつ比誘電率が３．３乃至４．３の範囲にあるシ
リコン含有絶縁膜からなることを特徴とする請求項１７
に記載の半導体装置。 - 【請求項１９】前記第１の配線を被覆する保護層と前記
塗布絶縁膜と前記塗布絶縁膜上に積層された保護層とは
層間絶縁膜を構成し、該層間絶縁膜上に第２の配線が形
成されていることを特徴とする請求項１８に記載の半導
体装置。 - 【請求項２０】前記層間絶縁膜下の第１の配線と前記層
間絶縁膜上の第２の配線は前記層間絶縁膜の開口部を介
して接続され、前記開口部の側壁に側壁保護層を有し、
前記側壁保護層は、赤外線の吸収強度のピークが波数２
２７０乃至２３５０ｃｍ -1の範囲にあり、膜密度が２．
２５乃至２．４０ｇ／ｃｍ3の範囲に有り、かつ比誘電
率が３．３乃至４．３の範囲にあるシリコン含有絶縁膜
からなることを特徴とする請求項１９に記載の半導体装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001220233A JP2002164342A (ja) | 2000-07-21 | 2001-07-19 | 半導体装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000221380 | 2000-07-21 | ||
| JP2000-281263 | 2000-09-18 | ||
| JP2000-221380 | 2000-09-18 | ||
| JP2000281263 | 2000-09-18 | ||
| JP2001220233A JP2002164342A (ja) | 2000-07-21 | 2001-07-19 | 半導体装置及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002164342A true JP2002164342A (ja) | 2002-06-07 |
Family
ID=27344137
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001220233A Pending JP2002164342A (ja) | 2000-07-21 | 2001-07-19 | 半導体装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002164342A (ja) |
Cited By (303)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005129920A (ja) * | 2003-10-03 | 2005-05-19 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
| JP2015061075A (ja) * | 2013-09-19 | 2015-03-30 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． | プラズマアシストプロセスにより酸化膜を生成する方法 |
| JP2016076712A (ja) * | 2015-11-09 | 2016-05-12 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 薄膜トランジスタ及びそれを用いた表示装置 |
| US9812578B2 (en) | 2012-04-24 | 2017-11-07 | Japan Display Inc. | Thin film transistor and display device using the same |
| US10312129B2 (en) | 2015-09-29 | 2019-06-04 | Asm Ip Holding B.V. | Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings |
| US10340135B2 (en) | 2016-11-28 | 2019-07-02 | Asm Ip Holding B.V. | Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride |
| US10378106B2 (en) | 2008-11-14 | 2019-08-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming insulation film by modified PEALD |
| US10381219B1 (en) | 2018-10-25 | 2019-08-13 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a silicon nitride film |
| US10388513B1 (en) | 2018-07-03 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
| US10388509B2 (en) | 2016-06-28 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Formation of epitaxial layers via dislocation filtering |
| US10395919B2 (en) | 2016-07-28 | 2019-08-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
| US10403504B2 (en) | 2017-10-05 | 2019-09-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a metallic film on a substrate |
| US10410943B2 (en) | 2016-10-13 | 2019-09-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems |
| US10435790B2 (en) | 2016-11-01 | 2019-10-08 | Asm Ip Holding B.V. | Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap |
| US10438965B2 (en) | 2014-12-22 | 2019-10-08 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| US10446393B2 (en) | 2017-05-08 | 2019-10-15 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures |
| US10458018B2 (en) | 2015-06-26 | 2019-10-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same |
| US10468261B2 (en) | 2017-02-15 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
| US10468251B2 (en) | 2016-02-19 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning |
| US10483099B1 (en) | 2018-07-26 | 2019-11-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming thermally stable organosilicon polymer film |
| US10480072B2 (en) | 2009-04-06 | 2019-11-19 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing reactor and components thereof |
| US10504742B2 (en) | 2017-05-31 | 2019-12-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method of atomic layer etching using hydrogen plasma |
| US10510536B2 (en) | 2018-03-29 | 2019-12-17 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber |
| US10529542B2 (en) | 2015-03-11 | 2020-01-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Cross-flow reactor and method |
| US10529563B2 (en) | 2017-03-29 | 2020-01-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
| US10535516B2 (en) | 2018-02-01 | 2020-01-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures |
| US10541333B2 (en) | 2017-07-19 | 2020-01-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
| US10541173B2 (en) | 2016-07-08 | 2020-01-21 | Asm Ip Holding B.V. | Selective deposition method to form air gaps |
| US10559458B1 (en) | 2018-11-26 | 2020-02-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming oxynitride film |
| US10561975B2 (en) | 2014-10-07 | 2020-02-18 | Asm Ip Holdings B.V. | Variable conductance gas distribution apparatus and method |
| US10566223B2 (en) | 2012-08-28 | 2020-02-18 | Asm Ip Holdings B.V. | Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling |
| US10590535B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-17 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same |
| JP2020043298A (ja) * | 2018-09-13 | 2020-03-19 | キヤノン株式会社 | 半導体装置、その製造方法および電子機器 |
| US10600673B2 (en) | 2015-07-07 | 2020-03-24 | Asm Ip Holding B.V. | Magnetic susceptor to baseplate seal |
| US10607895B2 (en) | 2017-09-18 | 2020-03-31 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal |
| US10604847B2 (en) | 2014-03-18 | 2020-03-31 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same |
| US10605530B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-31 | Asm Ip Holding B.V. | Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace |
| US10612136B2 (en) | 2018-06-29 | 2020-04-07 | ASM IP Holding, B.V. | Temperature-controlled flange and reactor system including same |
| USD880437S1 (en) | 2018-02-01 | 2020-04-07 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus |
| US10612137B2 (en) | 2016-07-08 | 2020-04-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Organic reactants for atomic layer deposition |
| US10622375B2 (en) | 2016-11-07 | 2020-04-14 | Asm Ip Holding B.V. | Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method |
| US10643826B2 (en) | 2016-10-26 | 2020-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for thermally calibrating reaction chambers |
| US10658205B2 (en) | 2017-09-28 | 2020-05-19 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber |
| US10658181B2 (en) | 2018-02-20 | 2020-05-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication |
| US10655221B2 (en) | 2017-02-09 | 2020-05-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD |
| US10665452B2 (en) | 2016-05-02 | 2020-05-26 | Asm Ip Holdings B.V. | Source/drain performance through conformal solid state doping |
| US10672636B2 (en) | 2017-08-09 | 2020-06-02 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly |
| US10683571B2 (en) | 2014-02-25 | 2020-06-16 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same |
| US10685834B2 (en) | 2017-07-05 | 2020-06-16 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures |
| US10692741B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-06-23 | Asm Ip Holdings B.V. | Radiation shield |
| US10707106B2 (en) | 2011-06-06 | 2020-07-07 | Asm Ip Holding B.V. | High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules |
| US10714350B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-07-14 | ASM IP Holdings, B.V. | Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
| US10714315B2 (en) | 2012-10-12 | 2020-07-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Semiconductor reaction chamber showerhead |
| US10714385B2 (en) | 2016-07-19 | 2020-07-14 | Asm Ip Holding B.V. | Selective deposition of tungsten |
| US10714335B2 (en) | 2017-04-25 | 2020-07-14 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing thin film and method of manufacturing semiconductor device |
| US10720331B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-07-21 | ASM IP Holdings, B.V. | Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
| US10720322B2 (en) | 2016-02-19 | 2020-07-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on top surface |
| US10731249B2 (en) | 2018-02-15 | 2020-08-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus |
| US10734223B2 (en) | 2017-10-10 | 2020-08-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition |
| US10734244B2 (en) | 2017-11-16 | 2020-08-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method of processing a substrate and a device manufactured by the same |
| US10734497B2 (en) | 2017-07-18 | 2020-08-04 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a semiconductor device structure and related semiconductor device structures |
| US10741385B2 (en) | 2016-07-28 | 2020-08-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
| US10755922B2 (en) | 2018-07-03 | 2020-08-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
| US10767789B2 (en) | 2018-07-16 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components |
| US10770336B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate lift mechanism and reactor including same |
| US10770286B2 (en) | 2017-05-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
| US10784102B2 (en) | 2016-12-22 | 2020-09-22 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
| US10787741B2 (en) | 2014-08-21 | 2020-09-29 | Asm Ip Holding B.V. | Method and system for in situ formation of gas-phase compounds |
| US10797133B2 (en) | 2018-06-21 | 2020-10-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures |
| US10804098B2 (en) | 2009-08-14 | 2020-10-13 | Asm Ip Holding B.V. | Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species |
| US10811256B2 (en) | 2018-10-16 | 2020-10-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for etching a carbon-containing feature |
| USD900036S1 (en) | 2017-08-24 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Heater electrical connector and adapter |
| US10818758B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures |
| US10832903B2 (en) | 2011-10-28 | 2020-11-10 | Asm Ip Holding B.V. | Process feed management for semiconductor substrate processing |
| US10829852B2 (en) | 2018-08-16 | 2020-11-10 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution device for a wafer processing apparatus |
| US10847371B2 (en) | 2018-03-27 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming an electrode on a substrate and a semiconductor device structure including an electrode |
| US10847366B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process |
| US10847365B2 (en) | 2018-10-11 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD |
| US10844484B2 (en) | 2017-09-22 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
| US10854498B2 (en) | 2011-07-15 | 2020-12-01 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer-supporting device and method for producing same |
| US10851456B2 (en) | 2016-04-21 | 2020-12-01 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides |
| USD903477S1 (en) | 2018-01-24 | 2020-12-01 | Asm Ip Holdings B.V. | Metal clamp |
| US10858737B2 (en) | 2014-07-28 | 2020-12-08 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead assembly and components thereof |
| US10867788B2 (en) | 2016-12-28 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
| US10865475B2 (en) | 2016-04-21 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides and silicides |
| US10867786B2 (en) | 2018-03-30 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
| US10872771B2 (en) | 2018-01-16 | 2020-12-22 | Asm Ip Holding B. V. | Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures |
| US10886123B2 (en) | 2017-06-02 | 2021-01-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures |
| US10883175B2 (en) | 2018-08-09 | 2021-01-05 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein |
| US10892156B2 (en) | 2017-05-08 | 2021-01-12 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
| US10896820B2 (en) | 2018-02-14 | 2021-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
| US10910262B2 (en) | 2017-11-16 | 2021-02-02 | Asm Ip Holding B.V. | Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure |
| US10914004B2 (en) | 2018-06-29 | 2021-02-09 | Asm Ip Holding B.V. | Thin-film deposition method and manufacturing method of semiconductor device |
| US10923344B2 (en) | 2017-10-30 | 2021-02-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures |
| US10928731B2 (en) | 2017-09-21 | 2021-02-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method of sequential infiltration synthesis treatment of infiltrateable material and structures and devices formed using same |
| US10934619B2 (en) | 2016-11-15 | 2021-03-02 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply unit and substrate processing apparatus including the gas supply unit |
| US10941490B2 (en) | 2014-10-07 | 2021-03-09 | Asm Ip Holding B.V. | Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same |
| US10975470B2 (en) | 2018-02-23 | 2021-04-13 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment |
| US11001925B2 (en) | 2016-12-19 | 2021-05-11 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus |
| US11015245B2 (en) | 2014-03-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof |
| US11018002B2 (en) | 2017-07-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
| US11018047B2 (en) | 2018-01-25 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Hybrid lift pin |
| US11022879B2 (en) | 2017-11-24 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer |
| US11024523B2 (en) | 2018-09-11 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
| US11031242B2 (en) | 2018-11-07 | 2021-06-08 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a boron doped silicon germanium film |
| USD922229S1 (en) | 2019-06-05 | 2021-06-15 | Asm Ip Holding B.V. | Device for controlling a temperature of a gas supply unit |
| US11049751B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-06-29 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith |
| US11053591B2 (en) | 2018-08-06 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-port gas injection system and reactor system including same |
| US11056344B2 (en) | 2017-08-30 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method |
| US11056567B2 (en) | 2018-05-11 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a doped metal carbide film on a substrate and related semiconductor device structures |
| US11069510B2 (en) | 2017-08-30 | 2021-07-20 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus |
| US11081345B2 (en) | 2018-02-06 | 2021-08-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method of post-deposition treatment for silicon oxide film |
| US11087997B2 (en) | 2018-10-31 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
| US11088002B2 (en) | 2018-03-29 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate rack and a substrate processing system and method |
| US11101370B2 (en) | 2016-05-02 | 2021-08-24 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a germanium oxynitride film |
| US11114283B2 (en) | 2018-03-16 | 2021-09-07 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same |
| US11114294B2 (en) | 2019-03-08 | 2021-09-07 | Asm Ip Holding B.V. | Structure including SiOC layer and method of forming same |
| USD930782S1 (en) | 2019-08-22 | 2021-09-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor |
| US11127617B2 (en) | 2017-11-27 | 2021-09-21 | Asm Ip Holding B.V. | Storage device for storing wafer cassettes for use with a batch furnace |
| US11127589B2 (en) | 2019-02-01 | 2021-09-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method of topology-selective film formation of silicon oxide |
| USD931978S1 (en) | 2019-06-27 | 2021-09-28 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead vacuum transport |
| US11139191B2 (en) | 2017-08-09 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
| US11139308B2 (en) | 2015-12-29 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices |
| JP2021168404A (ja) * | 2012-11-05 | 2021-10-21 | 大日本印刷株式会社 | 多層配線構造体とその製造方法 |
| US11158513B2 (en) | 2018-12-13 | 2021-10-26 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
| US11171025B2 (en) | 2019-01-22 | 2021-11-09 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing device |
| USD935572S1 (en) | 2019-05-24 | 2021-11-09 | Asm Ip Holding B.V. | Gas channel plate |
| US11205585B2 (en) | 2016-07-28 | 2021-12-21 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method of operating the same |
| US11217444B2 (en) | 2018-11-30 | 2022-01-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film |
| US11222772B2 (en) | 2016-12-14 | 2022-01-11 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus |
| USD940837S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-01-11 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode |
| US11227782B2 (en) | 2019-07-31 | 2022-01-18 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
| US11227789B2 (en) | 2019-02-20 | 2022-01-18 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a recess formed within a substrate surface |
| US11230766B2 (en) | 2018-03-29 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
| US11233133B2 (en) | 2015-10-21 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | NbMC layers |
| US11232963B2 (en) | 2018-10-03 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
| US11251040B2 (en) | 2019-02-20 | 2022-02-15 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclical deposition method including treatment step and apparatus for same |
| US11251068B2 (en) | 2018-10-19 | 2022-02-15 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
| USD944946S1 (en) | 2019-06-14 | 2022-03-01 | Asm Ip Holding B.V. | Shower plate |
| US11270899B2 (en) | 2018-06-04 | 2022-03-08 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer handling chamber with moisture reduction |
| US11274369B2 (en) | 2018-09-11 | 2022-03-15 | Asm Ip Holding B.V. | Thin film deposition method |
| US11282698B2 (en) | 2019-07-19 | 2022-03-22 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming topology-controlled amorphous carbon polymer film |
| US11289326B2 (en) | 2019-05-07 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Method for reforming amorphous carbon polymer film |
| US11286558B2 (en) | 2019-08-23 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film |
| US11286562B2 (en) | 2018-06-08 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase chemical reactor and method of using same |
| USD947913S1 (en) | 2019-05-17 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
| US11295980B2 (en) | 2017-08-30 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
| USD948463S1 (en) | 2018-10-24 | 2022-04-12 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus |
| USD949319S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Exhaust duct |
| US11306395B2 (en) | 2017-06-28 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus |
| US11315794B2 (en) | 2019-10-21 | 2022-04-26 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and methods for selectively etching films |
| US11342216B2 (en) | 2019-02-20 | 2022-05-24 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclical deposition method and apparatus for filling a recess formed within a substrate surface |
| US11339476B2 (en) | 2019-10-08 | 2022-05-24 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing device having connection plates, substrate processing method |
| US11345999B2 (en) | 2019-06-06 | 2022-05-31 | Asm Ip Holding B.V. | Method of using a gas-phase reactor system including analyzing exhausted gas |
| US11355338B2 (en) | 2019-05-10 | 2022-06-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing material onto a surface and structure formed according to the method |
| US11361990B2 (en) | 2018-05-28 | 2022-06-14 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method and device manufactured by using the same |
| US11374112B2 (en) | 2017-07-19 | 2022-06-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
| US11378337B2 (en) | 2019-03-28 | 2022-07-05 | Asm Ip Holding B.V. | Door opener and substrate processing apparatus provided therewith |
| US11393690B2 (en) | 2018-01-19 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition method |
| US11390945B2 (en) | 2019-07-03 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Temperature control assembly for substrate processing apparatus and method of using same |
| US11390946B2 (en) | 2019-01-17 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
| US11390950B2 (en) | 2017-01-10 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process |
| US11401605B2 (en) | 2019-11-26 | 2022-08-02 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus |
| US11414760B2 (en) | 2018-10-08 | 2022-08-16 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate support unit, thin film deposition apparatus including the same, and substrate processing apparatus including the same |
| US11424119B2 (en) | 2019-03-08 | 2022-08-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selective deposition of silicon nitride layer and structure including selectively-deposited silicon nitride layer |
| US11430674B2 (en) | 2018-08-22 | 2022-08-30 | Asm Ip Holding B.V. | Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
| US11430640B2 (en) | 2019-07-30 | 2022-08-30 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus |
| US11437241B2 (en) | 2020-04-08 | 2022-09-06 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and methods for selectively etching silicon oxide films |
| US11443926B2 (en) | 2019-07-30 | 2022-09-13 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus |
| US11447864B2 (en) | 2019-04-19 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
| US11447861B2 (en) | 2016-12-15 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure |
| US11453943B2 (en) | 2016-05-25 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor |
| USD965044S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
| USD965524S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-10-04 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor support |
| US11469098B2 (en) | 2018-05-08 | 2022-10-11 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing an oxide film on a substrate by a cyclical deposition process and related device structures |
| US11473195B2 (en) | 2018-03-01 | 2022-10-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate |
| US11476109B2 (en) | 2019-06-11 | 2022-10-18 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming an electronic structure using reforming gas, system for performing the method, and structure formed using the method |
| US11482412B2 (en) | 2018-01-19 | 2022-10-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition |
| US11482533B2 (en) | 2019-02-20 | 2022-10-25 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications |
| US11482418B2 (en) | 2018-02-20 | 2022-10-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method and apparatus |
| US11488819B2 (en) | 2018-12-04 | 2022-11-01 | Asm Ip Holding B.V. | Method of cleaning substrate processing apparatus |
| US11488854B2 (en) | 2020-03-11 | 2022-11-01 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate handling device with adjustable joints |
| US11492703B2 (en) | 2018-06-27 | 2022-11-08 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material |
| US11495459B2 (en) | 2019-09-04 | 2022-11-08 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition using a sacrificial capping layer |
| US11499222B2 (en) | 2018-06-27 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material |
| US11501968B2 (en) | 2019-11-15 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps |
| US11499226B2 (en) | 2018-11-02 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate supporting unit and a substrate processing device including the same |
| US11515188B2 (en) | 2019-05-16 | 2022-11-29 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer boat handling device, vertical batch furnace and method |
| US11515187B2 (en) | 2020-05-01 | 2022-11-29 | Asm Ip Holding B.V. | Fast FOUP swapping with a FOUP handler |
| US11521851B2 (en) | 2020-02-03 | 2022-12-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures including a vanadium or indium layer |
| US11527403B2 (en) | 2019-12-19 | 2022-12-13 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures |
| US11527400B2 (en) | 2019-08-23 | 2022-12-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon oxide film having improved quality by peald using bis(diethylamino)silane |
| US11532757B2 (en) | 2016-10-27 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of charge trapping layers |
| US11530483B2 (en) | 2018-06-21 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing system |
| US11530876B2 (en) | 2020-04-24 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly comprising a cooling gas supply |
| US11551925B2 (en) | 2019-04-01 | 2023-01-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method for manufacturing a semiconductor device |
| US11551912B2 (en) | 2020-01-20 | 2023-01-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming thin film and method of modifying surface of thin film |
| USD975665S1 (en) | 2019-05-17 | 2023-01-17 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
| US11557474B2 (en) | 2019-07-29 | 2023-01-17 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition utilizing n-type dopants and/or alternative dopants to achieve high dopant incorporation |
| US11562901B2 (en) | 2019-09-25 | 2023-01-24 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
| US11572620B2 (en) | 2018-11-06 | 2023-02-07 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate |
| US11581186B2 (en) | 2016-12-15 | 2023-02-14 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus |
| US11587815B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
| US11587814B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
| USD979506S1 (en) | 2019-08-22 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Insulator |
| US11594450B2 (en) | 2019-08-22 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming a structure with a hole |
| US11594600B2 (en) | 2019-11-05 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Structures with doped semiconductor layers and methods and systems for forming same |
| US11605528B2 (en) | 2019-07-09 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Plasma device using coaxial waveguide, and substrate treatment method |
| USD980813S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate for substrate processing apparatus |
| USD980814S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor for substrate processing apparatus |
| US11610774B2 (en) | 2019-10-02 | 2023-03-21 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a topographically selective silicon oxide film by a cyclical plasma-enhanced deposition process |
| US11610775B2 (en) | 2016-07-28 | 2023-03-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
| US11615970B2 (en) | 2019-07-17 | 2023-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Radical assist ignition plasma system and method |
| USD981973S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor wall for substrate processing apparatus |
| US11626308B2 (en) | 2020-05-13 | 2023-04-11 | Asm Ip Holding B.V. | Laser alignment fixture for a reactor system |
| US11626316B2 (en) | 2019-11-20 | 2023-04-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing carbon-containing material on a surface of a substrate, structure formed using the method, and system for forming the structure |
| US11629406B2 (en) | 2018-03-09 | 2023-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate |
| US11629407B2 (en) | 2019-02-22 | 2023-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method for processing substrates |
| US11637011B2 (en) | 2019-10-16 | 2023-04-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method of topology-selective film formation of silicon oxide |
| US11637014B2 (en) | 2019-10-17 | 2023-04-25 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition of doped semiconductor material |
| US11639548B2 (en) | 2019-08-21 | 2023-05-02 | Asm Ip Holding B.V. | Film-forming material mixed-gas forming device and film forming device |
| US11639811B2 (en) | 2017-11-27 | 2023-05-02 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus including a clean mini environment |
| US11646205B2 (en) | 2019-10-29 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same |
| US11644758B2 (en) | 2020-07-17 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Structures and methods for use in photolithography |
| US11646184B2 (en) | 2019-11-29 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus |
| US11643724B2 (en) | 2019-07-18 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures using a neutral beam |
| US11646204B2 (en) | 2020-06-24 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming a layer provided with silicon |
| US11658035B2 (en) | 2020-06-30 | 2023-05-23 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
| US11658029B2 (en) | 2018-12-14 | 2023-05-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a device structure using selective deposition of gallium nitride and system for same |
| US11664199B2 (en) | 2018-10-19 | 2023-05-30 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
| US11664267B2 (en) | 2019-07-10 | 2023-05-30 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate support assembly and substrate processing device including the same |
| US11664245B2 (en) | 2019-07-16 | 2023-05-30 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing device |
| US11674220B2 (en) | 2020-07-20 | 2023-06-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing molybdenum layers using an underlayer |
| US11680839B2 (en) | 2019-08-05 | 2023-06-20 | Asm Ip Holding B.V. | Liquid level sensor for a chemical source vessel |
| USD990441S1 (en) | 2021-09-07 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate |
| US11685991B2 (en) | 2018-02-14 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
| USD990534S1 (en) | 2020-09-11 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Weighted lift pin |
| US11688603B2 (en) | 2019-07-17 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming silicon germanium structures |
| US11705333B2 (en) | 2020-05-21 | 2023-07-18 | Asm Ip Holding B.V. | Structures including multiple carbon layers and methods of forming and using same |
| US11718913B2 (en) | 2018-06-04 | 2023-08-08 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system and reactor system including same |
| US11725280B2 (en) | 2020-08-26 | 2023-08-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming metal silicon oxide and metal silicon oxynitride layers |
| US11725277B2 (en) | 2011-07-20 | 2023-08-15 | Asm Ip Holding B.V. | Pressure transmitter for a semiconductor processing environment |
| US11735422B2 (en) | 2019-10-10 | 2023-08-22 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a photoresist underlayer and structure including same |
| US11742198B2 (en) | 2019-03-08 | 2023-08-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structure including SiOCN layer and method of forming same |
| US11742189B2 (en) | 2015-03-12 | 2023-08-29 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same |
| US11767589B2 (en) | 2020-05-29 | 2023-09-26 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing device |
| US11769682B2 (en) | 2017-08-09 | 2023-09-26 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
| US11776846B2 (en) | 2020-02-07 | 2023-10-03 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices |
| US11781243B2 (en) | 2020-02-17 | 2023-10-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon |
| US11781221B2 (en) | 2019-05-07 | 2023-10-10 | Asm Ip Holding B.V. | Chemical source vessel with dip tube |
| US11804364B2 (en) | 2020-05-19 | 2023-10-31 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus |
| US11814747B2 (en) | 2019-04-24 | 2023-11-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase reactor system-with a reaction chamber, a solid precursor source vessel, a gas distribution system, and a flange assembly |
| US11823866B2 (en) | 2020-04-02 | 2023-11-21 | Asm Ip Holding B.V. | Thin film forming method |
| US11821078B2 (en) | 2020-04-15 | 2023-11-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film |
| US11823876B2 (en) | 2019-09-05 | 2023-11-21 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus |
| US11830730B2 (en) | 2017-08-29 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
| US11828707B2 (en) | 2020-02-04 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for transmittance measurements of large articles |
| US11827981B2 (en) | 2020-10-14 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing material on stepped structure |
| US11830738B2 (en) | 2020-04-03 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming barrier layer and method for manufacturing semiconductor device |
| US11840761B2 (en) | 2019-12-04 | 2023-12-12 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus |
| US11876356B2 (en) | 2020-03-11 | 2024-01-16 | Asm Ip Holding B.V. | Lockout tagout assembly and system and method of using same |
| US11873557B2 (en) | 2020-10-22 | 2024-01-16 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing vanadium metal |
| USD1012873S1 (en) | 2020-09-24 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for semiconductor processing apparatus |
| US11885013B2 (en) | 2019-12-17 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming vanadium nitride layer and structure including the vanadium nitride layer |
| US11885023B2 (en) | 2018-10-01 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate retaining apparatus, system including the apparatus, and method of using same |
| US11887857B2 (en) | 2020-04-24 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Methods and systems for depositing a layer comprising vanadium, nitrogen, and a further element |
| US11885020B2 (en) | 2020-12-22 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Transition metal deposition method |
| US11891696B2 (en) | 2020-11-30 | 2024-02-06 | Asm Ip Holding B.V. | Injector configured for arrangement within a reaction chamber of a substrate processing apparatus |
| US11898243B2 (en) | 2020-04-24 | 2024-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming vanadium nitride-containing layer |
| US11901179B2 (en) | 2020-10-28 | 2024-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method and device for depositing silicon onto substrates |
| US11915929B2 (en) | 2019-11-26 | 2024-02-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface |
| US11923181B2 (en) | 2019-11-29 | 2024-03-05 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for minimizing the effect of a filling gas during substrate processing |
| US11929251B2 (en) | 2019-12-02 | 2024-03-12 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus having electrostatic chuck and substrate processing method |
| US11946137B2 (en) | 2020-12-16 | 2024-04-02 | Asm Ip Holding B.V. | Runout and wobble measurement fixtures |
| US11961741B2 (en) | 2020-03-12 | 2024-04-16 | Asm Ip Holding B.V. | Method for fabricating layer structure having target topological profile |
| US11959168B2 (en) | 2020-04-29 | 2024-04-16 | Asm Ip Holding B.V. | Solid source precursor vessel |
| US11967488B2 (en) | 2013-02-01 | 2024-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method for treatment of deposition reactor |
| US11976359B2 (en) | 2020-01-06 | 2024-05-07 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply assembly, components thereof, and reactor system including same |
| US11986868B2 (en) | 2020-02-28 | 2024-05-21 | Asm Ip Holding B.V. | System dedicated for parts cleaning |
| US11987881B2 (en) | 2020-05-22 | 2024-05-21 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for depositing thin films using hydrogen peroxide |
| US11993843B2 (en) | 2017-08-31 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus |
| US11993847B2 (en) | 2020-01-08 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Injector |
| US11996289B2 (en) | 2020-04-16 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods |
| US11996292B2 (en) | 2019-10-25 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures |
| US11996309B2 (en) | 2019-05-16 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer boat handling device, vertical batch furnace and method |
| US12006572B2 (en) | 2019-10-08 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor system including a gas distribution assembly for use with activated species and method of using same |
| US12009224B2 (en) | 2020-09-29 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and method for etching metal nitrides |
| US12009241B2 (en) | 2019-10-14 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette |
| US12020934B2 (en) | 2020-07-08 | 2024-06-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
| US12027365B2 (en) | 2020-11-24 | 2024-07-02 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for filling a gap and related systems and devices |
| US12025484B2 (en) | 2018-05-08 | 2024-07-02 | Asm Ip Holding B.V. | Thin film forming method |
| US12033885B2 (en) | 2020-01-06 | 2024-07-09 | Asm Ip Holding B.V. | Channeled lift pin |
| US12040177B2 (en) | 2020-08-18 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes |
| US12040199B2 (en) | 2018-11-28 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
| US12040200B2 (en) | 2017-06-20 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus |
| US12051567B2 (en) | 2020-10-07 | 2024-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply unit and substrate processing apparatus including gas supply unit |
| US12057314B2 (en) | 2020-05-15 | 2024-08-06 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for silicon germanium uniformity control using multiple precursors |
| US12074022B2 (en) | 2020-08-27 | 2024-08-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method and system for forming patterned structures using multiple patterning process |
| US12087586B2 (en) | 2020-04-15 | 2024-09-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming chromium nitride layer and structure including the chromium nitride layer |
| US12107005B2 (en) | 2020-10-06 | 2024-10-01 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition method and an apparatus for depositing a silicon-containing material |
| US12106944B2 (en) | 2020-06-02 | 2024-10-01 | Asm Ip Holding B.V. | Rotating substrate support |
| US12112940B2 (en) | 2019-07-19 | 2024-10-08 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming topology-controlled amorphous carbon polymer film |
| US12125700B2 (en) | 2021-01-13 | 2024-10-22 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming high aspect ratio features |
-
2001
- 2001-07-19 JP JP2001220233A patent/JP2002164342A/ja active Pending
Cited By (387)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005129920A (ja) * | 2003-10-03 | 2005-05-19 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
| US10378106B2 (en) | 2008-11-14 | 2019-08-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming insulation film by modified PEALD |
| US10844486B2 (en) | 2009-04-06 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing reactor and components thereof |
| US10480072B2 (en) | 2009-04-06 | 2019-11-19 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing reactor and components thereof |
| US10804098B2 (en) | 2009-08-14 | 2020-10-13 | Asm Ip Holding B.V. | Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species |
| US10707106B2 (en) | 2011-06-06 | 2020-07-07 | Asm Ip Holding B.V. | High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules |
| US10854498B2 (en) | 2011-07-15 | 2020-12-01 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer-supporting device and method for producing same |
| US11725277B2 (en) | 2011-07-20 | 2023-08-15 | Asm Ip Holding B.V. | Pressure transmitter for a semiconductor processing environment |
| US10832903B2 (en) | 2011-10-28 | 2020-11-10 | Asm Ip Holding B.V. | Process feed management for semiconductor substrate processing |
| US9812578B2 (en) | 2012-04-24 | 2017-11-07 | Japan Display Inc. | Thin film transistor and display device using the same |
| US10566223B2 (en) | 2012-08-28 | 2020-02-18 | Asm Ip Holdings B.V. | Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling |
| US10714315B2 (en) | 2012-10-12 | 2020-07-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Semiconductor reaction chamber showerhead |
| US11501956B2 (en) | 2012-10-12 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor reaction chamber showerhead |
| JP7188502B2 (ja) | 2012-11-05 | 2022-12-13 | 大日本印刷株式会社 | 多層配線構造体とその製造方法 |
| JP2021168404A (ja) * | 2012-11-05 | 2021-10-21 | 大日本印刷株式会社 | 多層配線構造体とその製造方法 |
| US11862564B2 (en) | 2012-11-05 | 2024-01-02 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Multi-layer line structure and method for manufacturing thereof |
| JP7452605B2 (ja) | 2012-11-05 | 2024-03-19 | 大日本印刷株式会社 | 多層配線構造体とその製造方法 |
| US11967488B2 (en) | 2013-02-01 | 2024-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method for treatment of deposition reactor |
| JP2015061075A (ja) * | 2013-09-19 | 2015-03-30 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． | プラズマアシストプロセスにより酸化膜を生成する方法 |
| US10683571B2 (en) | 2014-02-25 | 2020-06-16 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same |
| US10604847B2 (en) | 2014-03-18 | 2020-03-31 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same |
| US11015245B2 (en) | 2014-03-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof |
| US10858737B2 (en) | 2014-07-28 | 2020-12-08 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead assembly and components thereof |
| US10787741B2 (en) | 2014-08-21 | 2020-09-29 | Asm Ip Holding B.V. | Method and system for in situ formation of gas-phase compounds |
| US10561975B2 (en) | 2014-10-07 | 2020-02-18 | Asm Ip Holdings B.V. | Variable conductance gas distribution apparatus and method |
| US11795545B2 (en) | 2014-10-07 | 2023-10-24 | Asm Ip Holding B.V. | Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same |
| US10941490B2 (en) | 2014-10-07 | 2021-03-09 | Asm Ip Holding B.V. | Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same |
| US10438965B2 (en) | 2014-12-22 | 2019-10-08 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| US10529542B2 (en) | 2015-03-11 | 2020-01-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Cross-flow reactor and method |
| US11742189B2 (en) | 2015-03-12 | 2023-08-29 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same |
| US11242598B2 (en) | 2015-06-26 | 2022-02-08 | Asm Ip Holding B.V. | Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same |
| US10458018B2 (en) | 2015-06-26 | 2019-10-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same |
| US10600673B2 (en) | 2015-07-07 | 2020-03-24 | Asm Ip Holding B.V. | Magnetic susceptor to baseplate seal |
| US10312129B2 (en) | 2015-09-29 | 2019-06-04 | Asm Ip Holding B.V. | Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings |
| US11233133B2 (en) | 2015-10-21 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | NbMC layers |
| JP2016076712A (ja) * | 2015-11-09 | 2016-05-12 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 薄膜トランジスタ及びそれを用いた表示装置 |
| US11139308B2 (en) | 2015-12-29 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices |
| US11956977B2 (en) | 2015-12-29 | 2024-04-09 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices |
| US11676812B2 (en) | 2016-02-19 | 2023-06-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on top/bottom portions |
| US10720322B2 (en) | 2016-02-19 | 2020-07-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on top surface |
| US10468251B2 (en) | 2016-02-19 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning |
| US10865475B2 (en) | 2016-04-21 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides and silicides |
| US10851456B2 (en) | 2016-04-21 | 2020-12-01 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides |
| US10665452B2 (en) | 2016-05-02 | 2020-05-26 | Asm Ip Holdings B.V. | Source/drain performance through conformal solid state doping |
| US11101370B2 (en) | 2016-05-02 | 2021-08-24 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a germanium oxynitride film |
| US11453943B2 (en) | 2016-05-25 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor |
| US10388509B2 (en) | 2016-06-28 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Formation of epitaxial layers via dislocation filtering |
| US11649546B2 (en) | 2016-07-08 | 2023-05-16 | Asm Ip Holding B.V. | Organic reactants for atomic layer deposition |
| US11749562B2 (en) | 2016-07-08 | 2023-09-05 | Asm Ip Holding B.V. | Selective deposition method to form air gaps |
| US10541173B2 (en) | 2016-07-08 | 2020-01-21 | Asm Ip Holding B.V. | Selective deposition method to form air gaps |
| US11094582B2 (en) | 2016-07-08 | 2021-08-17 | Asm Ip Holding B.V. | Selective deposition method to form air gaps |
| US10612137B2 (en) | 2016-07-08 | 2020-04-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Organic reactants for atomic layer deposition |
| US10714385B2 (en) | 2016-07-19 | 2020-07-14 | Asm Ip Holding B.V. | Selective deposition of tungsten |
| US11694892B2 (en) | 2016-07-28 | 2023-07-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
| US10741385B2 (en) | 2016-07-28 | 2020-08-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
| US11205585B2 (en) | 2016-07-28 | 2021-12-21 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method of operating the same |
| US11107676B2 (en) | 2016-07-28 | 2021-08-31 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
| US11610775B2 (en) | 2016-07-28 | 2023-03-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
| US10395919B2 (en) | 2016-07-28 | 2019-08-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
| US10410943B2 (en) | 2016-10-13 | 2019-09-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems |
| US10643826B2 (en) | 2016-10-26 | 2020-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for thermally calibrating reaction chambers |
| US10943771B2 (en) | 2016-10-26 | 2021-03-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for thermally calibrating reaction chambers |
| US11532757B2 (en) | 2016-10-27 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of charge trapping layers |
| US10720331B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-07-21 | ASM IP Holdings, B.V. | Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
| US10435790B2 (en) | 2016-11-01 | 2019-10-08 | Asm Ip Holding B.V. | Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap |
| US11810788B2 (en) | 2016-11-01 | 2023-11-07 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
| US10714350B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-07-14 | ASM IP Holdings, B.V. | Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
| US10644025B2 (en) | 2016-11-07 | 2020-05-05 | Asm Ip Holding B.V. | Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method |
| US10622375B2 (en) | 2016-11-07 | 2020-04-14 | Asm Ip Holding B.V. | Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method |
| US11396702B2 (en) | 2016-11-15 | 2022-07-26 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply unit and substrate processing apparatus including the gas supply unit |
| US10934619B2 (en) | 2016-11-15 | 2021-03-02 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply unit and substrate processing apparatus including the gas supply unit |
| US10340135B2 (en) | 2016-11-28 | 2019-07-02 | Asm Ip Holding B.V. | Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride |
| US11222772B2 (en) | 2016-12-14 | 2022-01-11 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus |
| US12000042B2 (en) | 2016-12-15 | 2024-06-04 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure |
| US11851755B2 (en) | 2016-12-15 | 2023-12-26 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure |
| US11447861B2 (en) | 2016-12-15 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure |
| US11970766B2 (en) | 2016-12-15 | 2024-04-30 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus |
| US11581186B2 (en) | 2016-12-15 | 2023-02-14 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus |
| US11001925B2 (en) | 2016-12-19 | 2021-05-11 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus |
| US11251035B2 (en) | 2016-12-22 | 2022-02-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
| US10784102B2 (en) | 2016-12-22 | 2020-09-22 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
| US10867788B2 (en) | 2016-12-28 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
| US11390950B2 (en) | 2017-01-10 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process |
| US12043899B2 (en) | 2017-01-10 | 2024-07-23 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process |
| US10655221B2 (en) | 2017-02-09 | 2020-05-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD |
| US11410851B2 (en) | 2017-02-15 | 2022-08-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
| US10468261B2 (en) | 2017-02-15 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
| US12106965B2 (en) | 2017-02-15 | 2024-10-01 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
| US10468262B2 (en) | 2017-02-15 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metallic film on a substrate by a cyclical deposition and related semiconductor device structures |
| US11658030B2 (en) | 2017-03-29 | 2023-05-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
| US10529563B2 (en) | 2017-03-29 | 2020-01-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
| US10714335B2 (en) | 2017-04-25 | 2020-07-14 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing thin film and method of manufacturing semiconductor device |
| US10950432B2 (en) | 2017-04-25 | 2021-03-16 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing thin film and method of manufacturing semiconductor device |
| US10446393B2 (en) | 2017-05-08 | 2019-10-15 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures |
| US10892156B2 (en) | 2017-05-08 | 2021-01-12 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
| US11848200B2 (en) | 2017-05-08 | 2023-12-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
| US10770286B2 (en) | 2017-05-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
| US10504742B2 (en) | 2017-05-31 | 2019-12-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method of atomic layer etching using hydrogen plasma |
| US10886123B2 (en) | 2017-06-02 | 2021-01-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures |
| US12040200B2 (en) | 2017-06-20 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus |
| US11976361B2 (en) | 2017-06-28 | 2024-05-07 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus |
| US11306395B2 (en) | 2017-06-28 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus |
| US10685834B2 (en) | 2017-07-05 | 2020-06-16 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures |
| US11695054B2 (en) | 2017-07-18 | 2023-07-04 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a semiconductor device structure and related semiconductor device structures |
| US11164955B2 (en) | 2017-07-18 | 2021-11-02 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a semiconductor device structure and related semiconductor device structures |
| US10734497B2 (en) | 2017-07-18 | 2020-08-04 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a semiconductor device structure and related semiconductor device structures |
| US11374112B2 (en) | 2017-07-19 | 2022-06-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
| US11004977B2 (en) | 2017-07-19 | 2021-05-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
| US11018002B2 (en) | 2017-07-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
| US10541333B2 (en) | 2017-07-19 | 2020-01-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
| US10605530B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-31 | Asm Ip Holding B.V. | Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace |
| US11802338B2 (en) | 2017-07-26 | 2023-10-31 | Asm Ip Holding B.V. | Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same |
| US10590535B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-17 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same |
| US10770336B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate lift mechanism and reactor including same |
| US11587821B2 (en) | 2017-08-08 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate lift mechanism and reactor including same |
| US11417545B2 (en) | 2017-08-08 | 2022-08-16 | Asm Ip Holding B.V. | Radiation shield |
| US10692741B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-06-23 | Asm Ip Holdings B.V. | Radiation shield |
| US11139191B2 (en) | 2017-08-09 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
| US10672636B2 (en) | 2017-08-09 | 2020-06-02 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly |
| US11769682B2 (en) | 2017-08-09 | 2023-09-26 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
| USD900036S1 (en) | 2017-08-24 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Heater electrical connector and adapter |
| US11830730B2 (en) | 2017-08-29 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
| US11069510B2 (en) | 2017-08-30 | 2021-07-20 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus |
| US11295980B2 (en) | 2017-08-30 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
| US11056344B2 (en) | 2017-08-30 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method |
| US11581220B2 (en) | 2017-08-30 | 2023-02-14 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
| US11993843B2 (en) | 2017-08-31 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus |
| US10607895B2 (en) | 2017-09-18 | 2020-03-31 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal |
| US10928731B2 (en) | 2017-09-21 | 2021-02-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method of sequential infiltration synthesis treatment of infiltrateable material and structures and devices formed using same |
| US10844484B2 (en) | 2017-09-22 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
| US10658205B2 (en) | 2017-09-28 | 2020-05-19 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber |
| US11387120B2 (en) | 2017-09-28 | 2022-07-12 | Asm Ip Holding B.V. | Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber |
| US10403504B2 (en) | 2017-10-05 | 2019-09-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a metallic film on a substrate |
| US12033861B2 (en) | 2017-10-05 | 2024-07-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a metallic film on a substrate |
| US11094546B2 (en) | 2017-10-05 | 2021-08-17 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a metallic film on a substrate |
| US10734223B2 (en) | 2017-10-10 | 2020-08-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition |
| US10923344B2 (en) | 2017-10-30 | 2021-02-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures |
| US12040184B2 (en) | 2017-10-30 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures |
| US10910262B2 (en) | 2017-11-16 | 2021-02-02 | Asm Ip Holding B.V. | Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure |
| US10734244B2 (en) | 2017-11-16 | 2020-08-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method of processing a substrate and a device manufactured by the same |
| US11022879B2 (en) | 2017-11-24 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer |
| US11639811B2 (en) | 2017-11-27 | 2023-05-02 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus including a clean mini environment |
| US11127617B2 (en) | 2017-11-27 | 2021-09-21 | Asm Ip Holding B.V. | Storage device for storing wafer cassettes for use with a batch furnace |
| US11682572B2 (en) | 2017-11-27 | 2023-06-20 | Asm Ip Holdings B.V. | Storage device for storing wafer cassettes for use with a batch furnace |
| US10872771B2 (en) | 2018-01-16 | 2020-12-22 | Asm Ip Holding B. V. | Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures |
| US11501973B2 (en) | 2018-01-16 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures |
| US12119228B2 (en) | 2018-01-19 | 2024-10-15 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition method |
| US11972944B2 (en) | 2018-01-19 | 2024-04-30 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition |
| US11482412B2 (en) | 2018-01-19 | 2022-10-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition |
| US11393690B2 (en) | 2018-01-19 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition method |
| USD903477S1 (en) | 2018-01-24 | 2020-12-01 | Asm Ip Holdings B.V. | Metal clamp |
| US11018047B2 (en) | 2018-01-25 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Hybrid lift pin |
| USD880437S1 (en) | 2018-02-01 | 2020-04-07 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus |
| USD913980S1 (en) | 2018-02-01 | 2021-03-23 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus |
| US10535516B2 (en) | 2018-02-01 | 2020-01-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures |
| US11735414B2 (en) | 2018-02-06 | 2023-08-22 | Asm Ip Holding B.V. | Method of post-deposition treatment for silicon oxide film |
| US11081345B2 (en) | 2018-02-06 | 2021-08-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method of post-deposition treatment for silicon oxide film |
| US11685991B2 (en) | 2018-02-14 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
| US10896820B2 (en) | 2018-02-14 | 2021-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
| US11387106B2 (en) | 2018-02-14 | 2022-07-12 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
| US10731249B2 (en) | 2018-02-15 | 2020-08-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus |
| US10658181B2 (en) | 2018-02-20 | 2020-05-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication |
| US11482418B2 (en) | 2018-02-20 | 2022-10-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method and apparatus |
| US11939673B2 (en) | 2018-02-23 | 2024-03-26 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment |
| US10975470B2 (en) | 2018-02-23 | 2021-04-13 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment |
| US11473195B2 (en) | 2018-03-01 | 2022-10-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate |
| US11629406B2 (en) | 2018-03-09 | 2023-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate |
| US11114283B2 (en) | 2018-03-16 | 2021-09-07 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same |
| US12020938B2 (en) | 2018-03-27 | 2024-06-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming an electrode on a substrate and a semiconductor device structure including an electrode |
| US11398382B2 (en) | 2018-03-27 | 2022-07-26 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming an electrode on a substrate and a semiconductor device structure including an electrode |
| US10847371B2 (en) | 2018-03-27 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming an electrode on a substrate and a semiconductor device structure including an electrode |
| US11088002B2 (en) | 2018-03-29 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate rack and a substrate processing system and method |
| US11230766B2 (en) | 2018-03-29 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
| US10510536B2 (en) | 2018-03-29 | 2019-12-17 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber |
| US10867786B2 (en) | 2018-03-30 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
| US12025484B2 (en) | 2018-05-08 | 2024-07-02 | Asm Ip Holding B.V. | Thin film forming method |
| US11469098B2 (en) | 2018-05-08 | 2022-10-11 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing an oxide film on a substrate by a cyclical deposition process and related device structures |
| US11056567B2 (en) | 2018-05-11 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a doped metal carbide film on a substrate and related semiconductor device structures |
| US11361990B2 (en) | 2018-05-28 | 2022-06-14 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method and device manufactured by using the same |
| US11908733B2 (en) | 2018-05-28 | 2024-02-20 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method and device manufactured by using the same |
| US11837483B2 (en) | 2018-06-04 | 2023-12-05 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer handling chamber with moisture reduction |
| US11270899B2 (en) | 2018-06-04 | 2022-03-08 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer handling chamber with moisture reduction |
| US11718913B2 (en) | 2018-06-04 | 2023-08-08 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system and reactor system including same |
| US11286562B2 (en) | 2018-06-08 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase chemical reactor and method of using same |
| US11296189B2 (en) | 2018-06-21 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures |
| US10797133B2 (en) | 2018-06-21 | 2020-10-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures |
| US11530483B2 (en) | 2018-06-21 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing system |
| US11492703B2 (en) | 2018-06-27 | 2022-11-08 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material |
| US11499222B2 (en) | 2018-06-27 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material |
| US11952658B2 (en) | 2018-06-27 | 2024-04-09 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material |
| US11814715B2 (en) | 2018-06-27 | 2023-11-14 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material |
| US11168395B2 (en) | 2018-06-29 | 2021-11-09 | Asm Ip Holding B.V. | Temperature-controlled flange and reactor system including same |
| US10914004B2 (en) | 2018-06-29 | 2021-02-09 | Asm Ip Holding B.V. | Thin-film deposition method and manufacturing method of semiconductor device |
| US10612136B2 (en) | 2018-06-29 | 2020-04-07 | ASM IP Holding, B.V. | Temperature-controlled flange and reactor system including same |
| US10755923B2 (en) | 2018-07-03 | 2020-08-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
| US10388513B1 (en) | 2018-07-03 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
| US11646197B2 (en) | 2018-07-03 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
| US10755922B2 (en) | 2018-07-03 | 2020-08-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
| US11923190B2 (en) | 2018-07-03 | 2024-03-05 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
| US10767789B2 (en) | 2018-07-16 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components |
| US10483099B1 (en) | 2018-07-26 | 2019-11-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming thermally stable organosilicon polymer film |
| US11053591B2 (en) | 2018-08-06 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-port gas injection system and reactor system including same |
| US10883175B2 (en) | 2018-08-09 | 2021-01-05 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein |
| US10829852B2 (en) | 2018-08-16 | 2020-11-10 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution device for a wafer processing apparatus |
| US11430674B2 (en) | 2018-08-22 | 2022-08-30 | Asm Ip Holding B.V. | Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
| US11024523B2 (en) | 2018-09-11 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
| US11274369B2 (en) | 2018-09-11 | 2022-03-15 | Asm Ip Holding B.V. | Thin film deposition method |
| US11804388B2 (en) | 2018-09-11 | 2023-10-31 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
| JP2020043298A (ja) * | 2018-09-13 | 2020-03-19 | キヤノン株式会社 | 半導体装置、その製造方法および電子機器 |
| US11049751B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-06-29 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith |
| US11885023B2 (en) | 2018-10-01 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate retaining apparatus, system including the apparatus, and method of using same |
| US11232963B2 (en) | 2018-10-03 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
| US11414760B2 (en) | 2018-10-08 | 2022-08-16 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate support unit, thin film deposition apparatus including the same, and substrate processing apparatus including the same |
| US10847365B2 (en) | 2018-10-11 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD |
| US10811256B2 (en) | 2018-10-16 | 2020-10-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for etching a carbon-containing feature |
| US11664199B2 (en) | 2018-10-19 | 2023-05-30 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
| US11251068B2 (en) | 2018-10-19 | 2022-02-15 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
| USD948463S1 (en) | 2018-10-24 | 2022-04-12 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus |
| US10381219B1 (en) | 2018-10-25 | 2019-08-13 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a silicon nitride film |
| US11735445B2 (en) | 2018-10-31 | 2023-08-22 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
| US11087997B2 (en) | 2018-10-31 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
| US11866823B2 (en) | 2018-11-02 | 2024-01-09 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate supporting unit and a substrate processing device including the same |
| US11499226B2 (en) | 2018-11-02 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate supporting unit and a substrate processing device including the same |
| US11572620B2 (en) | 2018-11-06 | 2023-02-07 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate |
| US11031242B2 (en) | 2018-11-07 | 2021-06-08 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a boron doped silicon germanium film |
| US10847366B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process |
| US11411088B2 (en) | 2018-11-16 | 2022-08-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures |
| US11244825B2 (en) | 2018-11-16 | 2022-02-08 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process |
| US11798999B2 (en) | 2018-11-16 | 2023-10-24 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures |
| US10818758B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures |
| US10559458B1 (en) | 2018-11-26 | 2020-02-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming oxynitride film |
| US12040199B2 (en) | 2018-11-28 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
| US11217444B2 (en) | 2018-11-30 | 2022-01-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film |
| US11488819B2 (en) | 2018-12-04 | 2022-11-01 | Asm Ip Holding B.V. | Method of cleaning substrate processing apparatus |
| US11769670B2 (en) | 2018-12-13 | 2023-09-26 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
| US11158513B2 (en) | 2018-12-13 | 2021-10-26 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
| US11658029B2 (en) | 2018-12-14 | 2023-05-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a device structure using selective deposition of gallium nitride and system for same |
| US11390946B2 (en) | 2019-01-17 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
| US11959171B2 (en) | 2019-01-17 | 2024-04-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
| US11171025B2 (en) | 2019-01-22 | 2021-11-09 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing device |
| US11127589B2 (en) | 2019-02-01 | 2021-09-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method of topology-selective film formation of silicon oxide |
| US11342216B2 (en) | 2019-02-20 | 2022-05-24 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclical deposition method and apparatus for filling a recess formed within a substrate surface |
| US11482533B2 (en) | 2019-02-20 | 2022-10-25 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications |
| US11615980B2 (en) | 2019-02-20 | 2023-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a recess formed within a substrate surface |
| US11227789B2 (en) | 2019-02-20 | 2022-01-18 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a recess formed within a substrate surface |
| US11251040B2 (en) | 2019-02-20 | 2022-02-15 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclical deposition method including treatment step and apparatus for same |
| US11798834B2 (en) | 2019-02-20 | 2023-10-24 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclical deposition method and apparatus for filling a recess formed within a substrate surface |
| US11629407B2 (en) | 2019-02-22 | 2023-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method for processing substrates |
| US11114294B2 (en) | 2019-03-08 | 2021-09-07 | Asm Ip Holding B.V. | Structure including SiOC layer and method of forming same |
| US11424119B2 (en) | 2019-03-08 | 2022-08-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selective deposition of silicon nitride layer and structure including selectively-deposited silicon nitride layer |
| US11742198B2 (en) | 2019-03-08 | 2023-08-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structure including SiOCN layer and method of forming same |
| US11901175B2 (en) | 2019-03-08 | 2024-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selective deposition of silicon nitride layer and structure including selectively-deposited silicon nitride layer |
| US11378337B2 (en) | 2019-03-28 | 2022-07-05 | Asm Ip Holding B.V. | Door opener and substrate processing apparatus provided therewith |
| US11551925B2 (en) | 2019-04-01 | 2023-01-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method for manufacturing a semiconductor device |
| US11447864B2 (en) | 2019-04-19 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
| US11814747B2 (en) | 2019-04-24 | 2023-11-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase reactor system-with a reaction chamber, a solid precursor source vessel, a gas distribution system, and a flange assembly |
| US11289326B2 (en) | 2019-05-07 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Method for reforming amorphous carbon polymer film |
| US11781221B2 (en) | 2019-05-07 | 2023-10-10 | Asm Ip Holding B.V. | Chemical source vessel with dip tube |
| US11355338B2 (en) | 2019-05-10 | 2022-06-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing material onto a surface and structure formed according to the method |
| US11515188B2 (en) | 2019-05-16 | 2022-11-29 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer boat handling device, vertical batch furnace and method |
| US11996309B2 (en) | 2019-05-16 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer boat handling device, vertical batch furnace and method |
| USD975665S1 (en) | 2019-05-17 | 2023-01-17 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
| USD947913S1 (en) | 2019-05-17 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
| USD935572S1 (en) | 2019-05-24 | 2021-11-09 | Asm Ip Holding B.V. | Gas channel plate |
| USD922229S1 (en) | 2019-06-05 | 2021-06-15 | Asm Ip Holding B.V. | Device for controlling a temperature of a gas supply unit |
| US11345999B2 (en) | 2019-06-06 | 2022-05-31 | Asm Ip Holding B.V. | Method of using a gas-phase reactor system including analyzing exhausted gas |
| US11908684B2 (en) | 2019-06-11 | 2024-02-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming an electronic structure using reforming gas, system for performing the method, and structure formed using the method |
| US11476109B2 (en) | 2019-06-11 | 2022-10-18 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming an electronic structure using reforming gas, system for performing the method, and structure formed using the method |
| USD944946S1 (en) | 2019-06-14 | 2022-03-01 | Asm Ip Holding B.V. | Shower plate |
| USD931978S1 (en) | 2019-06-27 | 2021-09-28 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead vacuum transport |
| US11390945B2 (en) | 2019-07-03 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Temperature control assembly for substrate processing apparatus and method of using same |
| US11746414B2 (en) | 2019-07-03 | 2023-09-05 | Asm Ip Holding B.V. | Temperature control assembly for substrate processing apparatus and method of using same |
| US11605528B2 (en) | 2019-07-09 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Plasma device using coaxial waveguide, and substrate treatment method |
| US12107000B2 (en) | 2019-07-10 | 2024-10-01 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate support assembly and substrate processing device including the same |
| US11664267B2 (en) | 2019-07-10 | 2023-05-30 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate support assembly and substrate processing device including the same |
| US11664245B2 (en) | 2019-07-16 | 2023-05-30 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing device |
| US11996304B2 (en) | 2019-07-16 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing device |
| US11615970B2 (en) | 2019-07-17 | 2023-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Radical assist ignition plasma system and method |
| US11688603B2 (en) | 2019-07-17 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming silicon germanium structures |
| US11643724B2 (en) | 2019-07-18 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures using a neutral beam |
| US11282698B2 (en) | 2019-07-19 | 2022-03-22 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming topology-controlled amorphous carbon polymer film |
| US12112940B2 (en) | 2019-07-19 | 2024-10-08 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming topology-controlled amorphous carbon polymer film |
| US11557474B2 (en) | 2019-07-29 | 2023-01-17 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition utilizing n-type dopants and/or alternative dopants to achieve high dopant incorporation |
| US11430640B2 (en) | 2019-07-30 | 2022-08-30 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus |
| US11443926B2 (en) | 2019-07-30 | 2022-09-13 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus |
| US11227782B2 (en) | 2019-07-31 | 2022-01-18 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
| US11876008B2 (en) | 2019-07-31 | 2024-01-16 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
| US11587814B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
| US11587815B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
| US11680839B2 (en) | 2019-08-05 | 2023-06-20 | Asm Ip Holding B.V. | Liquid level sensor for a chemical source vessel |
| USD965524S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-10-04 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor support |
| USD965044S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
| US11639548B2 (en) | 2019-08-21 | 2023-05-02 | Asm Ip Holding B.V. | Film-forming material mixed-gas forming device and film forming device |
| USD979506S1 (en) | 2019-08-22 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Insulator |
| US12040229B2 (en) | 2019-08-22 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming a structure with a hole |
| USD930782S1 (en) | 2019-08-22 | 2021-09-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor |
| USD940837S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-01-11 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode |
| USD949319S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Exhaust duct |
| US11594450B2 (en) | 2019-08-22 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming a structure with a hole |
| US11827978B2 (en) | 2019-08-23 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film |
| US12033849B2 (en) | 2019-08-23 | 2024-07-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon oxide film having improved quality by PEALD using bis(diethylamino)silane |
| US11286558B2 (en) | 2019-08-23 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film |
| US11898242B2 (en) | 2019-08-23 | 2024-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a polycrystalline molybdenum film over a surface of a substrate and related structures including a polycrystalline molybdenum film |
| US11527400B2 (en) | 2019-08-23 | 2022-12-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon oxide film having improved quality by peald using bis(diethylamino)silane |
| US11495459B2 (en) | 2019-09-04 | 2022-11-08 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition using a sacrificial capping layer |
| US11823876B2 (en) | 2019-09-05 | 2023-11-21 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus |
| US11562901B2 (en) | 2019-09-25 | 2023-01-24 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
| US11610774B2 (en) | 2019-10-02 | 2023-03-21 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a topographically selective silicon oxide film by a cyclical plasma-enhanced deposition process |
| US11339476B2 (en) | 2019-10-08 | 2022-05-24 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing device having connection plates, substrate processing method |
| US12006572B2 (en) | 2019-10-08 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor system including a gas distribution assembly for use with activated species and method of using same |
| US11735422B2 (en) | 2019-10-10 | 2023-08-22 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a photoresist underlayer and structure including same |
| US12009241B2 (en) | 2019-10-14 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette |
| US11637011B2 (en) | 2019-10-16 | 2023-04-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method of topology-selective film formation of silicon oxide |
| US11637014B2 (en) | 2019-10-17 | 2023-04-25 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition of doped semiconductor material |
| US11315794B2 (en) | 2019-10-21 | 2022-04-26 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and methods for selectively etching films |
| US11996292B2 (en) | 2019-10-25 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures |
| US11646205B2 (en) | 2019-10-29 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same |
| US11594600B2 (en) | 2019-11-05 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Structures with doped semiconductor layers and methods and systems for forming same |
| US11501968B2 (en) | 2019-11-15 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps |
| US11626316B2 (en) | 2019-11-20 | 2023-04-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing carbon-containing material on a surface of a substrate, structure formed using the method, and system for forming the structure |
| US11915929B2 (en) | 2019-11-26 | 2024-02-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface |
| US11401605B2 (en) | 2019-11-26 | 2022-08-02 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus |
| US11923181B2 (en) | 2019-11-29 | 2024-03-05 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for minimizing the effect of a filling gas during substrate processing |
| US11646184B2 (en) | 2019-11-29 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus |
| US11929251B2 (en) | 2019-12-02 | 2024-03-12 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus having electrostatic chuck and substrate processing method |
| US11840761B2 (en) | 2019-12-04 | 2023-12-12 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus |
| US11885013B2 (en) | 2019-12-17 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming vanadium nitride layer and structure including the vanadium nitride layer |
| US12119220B2 (en) | 2019-12-19 | 2024-10-15 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures |
| US11527403B2 (en) | 2019-12-19 | 2022-12-13 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures |
| US11976359B2 (en) | 2020-01-06 | 2024-05-07 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply assembly, components thereof, and reactor system including same |
| US12033885B2 (en) | 2020-01-06 | 2024-07-09 | Asm Ip Holding B.V. | Channeled lift pin |
| US11993847B2 (en) | 2020-01-08 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Injector |
| US11551912B2 (en) | 2020-01-20 | 2023-01-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming thin film and method of modifying surface of thin film |
| US11521851B2 (en) | 2020-02-03 | 2022-12-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures including a vanadium or indium layer |
| US11828707B2 (en) | 2020-02-04 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for transmittance measurements of large articles |
| US11776846B2 (en) | 2020-02-07 | 2023-10-03 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices |
| US11781243B2 (en) | 2020-02-17 | 2023-10-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon |
| US11986868B2 (en) | 2020-02-28 | 2024-05-21 | Asm Ip Holding B.V. | System dedicated for parts cleaning |
| US11876356B2 (en) | 2020-03-11 | 2024-01-16 | Asm Ip Holding B.V. | Lockout tagout assembly and system and method of using same |
| US11837494B2 (en) | 2020-03-11 | 2023-12-05 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate handling device with adjustable joints |
| US11488854B2 (en) | 2020-03-11 | 2022-11-01 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate handling device with adjustable joints |
| US11961741B2 (en) | 2020-03-12 | 2024-04-16 | Asm Ip Holding B.V. | Method for fabricating layer structure having target topological profile |
| US11823866B2 (en) | 2020-04-02 | 2023-11-21 | Asm Ip Holding B.V. | Thin film forming method |
| US11830738B2 (en) | 2020-04-03 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming barrier layer and method for manufacturing semiconductor device |
| US11437241B2 (en) | 2020-04-08 | 2022-09-06 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and methods for selectively etching silicon oxide films |
| US11821078B2 (en) | 2020-04-15 | 2023-11-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film |
| US12087586B2 (en) | 2020-04-15 | 2024-09-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming chromium nitride layer and structure including the chromium nitride layer |
| US11996289B2 (en) | 2020-04-16 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods |
| US11887857B2 (en) | 2020-04-24 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Methods and systems for depositing a layer comprising vanadium, nitrogen, and a further element |
| US11898243B2 (en) | 2020-04-24 | 2024-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming vanadium nitride-containing layer |
| US11530876B2 (en) | 2020-04-24 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly comprising a cooling gas supply |
| US11959168B2 (en) | 2020-04-29 | 2024-04-16 | Asm Ip Holding B.V. | Solid source precursor vessel |
| US11515187B2 (en) | 2020-05-01 | 2022-11-29 | Asm Ip Holding B.V. | Fast FOUP swapping with a FOUP handler |
| US11798830B2 (en) | 2020-05-01 | 2023-10-24 | Asm Ip Holding B.V. | Fast FOUP swapping with a FOUP handler |
| US11626308B2 (en) | 2020-05-13 | 2023-04-11 | Asm Ip Holding B.V. | Laser alignment fixture for a reactor system |
| US12057314B2 (en) | 2020-05-15 | 2024-08-06 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for silicon germanium uniformity control using multiple precursors |
| US11804364B2 (en) | 2020-05-19 | 2023-10-31 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus |
| US11705333B2 (en) | 2020-05-21 | 2023-07-18 | Asm Ip Holding B.V. | Structures including multiple carbon layers and methods of forming and using same |
| US11987881B2 (en) | 2020-05-22 | 2024-05-21 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for depositing thin films using hydrogen peroxide |
| US11767589B2 (en) | 2020-05-29 | 2023-09-26 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing device |
| US12106944B2 (en) | 2020-06-02 | 2024-10-01 | Asm Ip Holding B.V. | Rotating substrate support |
| US11646204B2 (en) | 2020-06-24 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming a layer provided with silicon |
| US11658035B2 (en) | 2020-06-30 | 2023-05-23 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
| US12020934B2 (en) | 2020-07-08 | 2024-06-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
| US11644758B2 (en) | 2020-07-17 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Structures and methods for use in photolithography |
| US12055863B2 (en) | 2020-07-17 | 2024-08-06 | Asm Ip Holding B.V. | Structures and methods for use in photolithography |
| US11674220B2 (en) | 2020-07-20 | 2023-06-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing molybdenum layers using an underlayer |
| US12040177B2 (en) | 2020-08-18 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes |
| US11725280B2 (en) | 2020-08-26 | 2023-08-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming metal silicon oxide and metal silicon oxynitride layers |
| US12074022B2 (en) | 2020-08-27 | 2024-08-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method and system for forming patterned structures using multiple patterning process |
| USD990534S1 (en) | 2020-09-11 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Weighted lift pin |
| USD1012873S1 (en) | 2020-09-24 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for semiconductor processing apparatus |
| US12009224B2 (en) | 2020-09-29 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and method for etching metal nitrides |
| US12107005B2 (en) | 2020-10-06 | 2024-10-01 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition method and an apparatus for depositing a silicon-containing material |
| US12051567B2 (en) | 2020-10-07 | 2024-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply unit and substrate processing apparatus including gas supply unit |
| US11827981B2 (en) | 2020-10-14 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing material on stepped structure |
| US11873557B2 (en) | 2020-10-22 | 2024-01-16 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing vanadium metal |
| US11901179B2 (en) | 2020-10-28 | 2024-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method and device for depositing silicon onto substrates |
| US12027365B2 (en) | 2020-11-24 | 2024-07-02 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for filling a gap and related systems and devices |
| US11891696B2 (en) | 2020-11-30 | 2024-02-06 | Asm Ip Holding B.V. | Injector configured for arrangement within a reaction chamber of a substrate processing apparatus |
| US11946137B2 (en) | 2020-12-16 | 2024-04-02 | Asm Ip Holding B.V. | Runout and wobble measurement fixtures |
| US11885020B2 (en) | 2020-12-22 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Transition metal deposition method |
| US12125700B2 (en) | 2021-01-13 | 2024-10-22 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming high aspect ratio features |
| USD981973S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor wall for substrate processing apparatus |
| USD980814S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor for substrate processing apparatus |
| USD980813S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate for substrate processing apparatus |
| USD990441S1 (en) | 2021-09-07 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2002164342A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JP3600507B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| KR100407012B1 (ko) | 반도체 장치 및 그 제조 방법 | |
| JP3926588B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP4090740B2 (ja) | 集積回路の作製方法および集積回路 | |
| KR100486333B1 (ko) | 반도체 장치 및 그 제조 방법 | |
| US6835669B2 (en) | Film forming method, semiconductor device and semiconductor device manufacturing method | |
| US6500752B2 (en) | Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method | |
| JP2003059923A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JP3934343B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| US7170177B2 (en) | Semiconductor apparatus | |
| JP3845061B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| KR0138853B1 (ko) | 플라즈마에 의한 SOG(Spin-On Glass) 경화(Curing) 방법 | |
| JP2002164346A (ja) | 成膜方法、半導体装置及びその製造方法 | |
| US7646101B2 (en) | Semiconductor device and manufacturing method thereof | |
| JP2004228599A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2004015034A (ja) | 成膜方法、成膜装置及び成膜装置のクリーニング方法 | |
| Ming et al. | Preparation of porous ultra low k films using different sacrificial porogen precursors for 28 nM technological node | |
| Loboda et al. | Deposition of low-K dielectric films using trimethylsilane | |
| JP2002164429A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JP2002305242A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2810649B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2007048811A (ja) | 半導体装置の配線層間絶縁膜及びその製造方法 | |
| JPH1070119A (ja) | 絶縁膜 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040316 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040517 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050607 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20051213 |