JP7275112B2 - 半導体装置 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 466
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 25
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 25
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 25
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 21
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims description 9
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 claims description 7
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 1023
- 239000010408 film Substances 0.000 description 355
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 182
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 172
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 130
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 130
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 130
- 238000000034 method Methods 0.000 description 93
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 92
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 86
- 230000006870 function Effects 0.000 description 78
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 59
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 58
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 51
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 45
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 44
- 239000000463 material Substances 0.000 description 44
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 42
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 40
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 36
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 33
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 30
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 29
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 29
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 27
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 27
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 26
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 25
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 25
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 25
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 24
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 23
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 18
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 17
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 16
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 16
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 15
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 15
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 15
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 14
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 14
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 14
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 14
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 13
- 230000008569 process Effects 0.000 description 13
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 13
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 12
- 230000001976 improved effect Effects 0.000 description 12
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 description 11
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 11
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 10
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 9
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 9
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 9
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 9
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 9
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 9
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 9
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000004833 X-ray photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 8
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 8
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 8
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 8
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 8
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 8
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical group [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 7
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 7
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 7
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000011733 molybdenum Chemical group 0.000 description 7
- 239000002159 nanocrystal Substances 0.000 description 7
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 7
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 7
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 7
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 7
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical group [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 6
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010949 copper Chemical group 0.000 description 6
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 6
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 6
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 6
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 6
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 5
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 5
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 5
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 5
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical group [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical group [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 4
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 4
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 4
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 3
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004983 Polymer Dispersed Liquid Crystal Substances 0.000 description 3
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000009471 action Effects 0.000 description 3
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 3
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 3
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 3
- -1 hafnium aluminate Chemical class 0.000 description 3
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 3
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 3
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 238000004549 pulsed laser deposition Methods 0.000 description 3
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 3
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N Nitric oxide Chemical compound O=[N] MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003917 TEM image Methods 0.000 description 2
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 2
- UQZIWOQVLUASCR-UHFFFAOYSA-N alumane;titanium Chemical compound [AlH3].[Ti] UQZIWOQVLUASCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 2
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 210000005252 bulbus oculi Anatomy 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000003776 cleavage reaction Methods 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000012447 hatching Effects 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 description 2
- DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N krypton atom Chemical compound [Kr] DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N lanthanum(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[La+3].[La+3] MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 2
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- PLDDOISOJJCEMH-UHFFFAOYSA-N neodymium(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Nd+3].[Nd+3] PLDDOISOJJCEMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 2
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 2
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 2
- 230000007017 scission Effects 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 2
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 2
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical group [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005264 High molar mass liquid crystal Substances 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004974 Thermotropic liquid crystal Substances 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical group [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 1
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 1
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical group [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical group [Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce] ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 239000011258 core-shell material Substances 0.000 description 1
- 238000007766 curtain coating Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 238000002050 diffraction method Methods 0.000 description 1
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 238000002003 electron diffraction Methods 0.000 description 1
- 238000001962 electrophoresis Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000007687 exposure technique Methods 0.000 description 1
- 210000001508 eye Anatomy 0.000 description 1
- 210000000744 eyelid Anatomy 0.000 description 1
- 239000005262 ferroelectric liquid crystals (FLCs) Substances 0.000 description 1
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 1
- 238000005247 gettering Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 1
- 210000003128 head Anatomy 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical group [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 description 1
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 239000011156 metal matrix composite Substances 0.000 description 1
- 239000003094 microcapsule Substances 0.000 description 1
- 239000013081 microcrystal Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 1
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical group [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007645 offset printing Methods 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 230000001151 other effect Effects 0.000 description 1
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CNRZQDQNVUKEJG-UHFFFAOYSA-N oxo-bis(oxoalumanyloxy)titanium Chemical compound O=[Al]O[Ti](=O)O[Al]=O CNRZQDQNVUKEJG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 description 1
- 238000005488 sandblasting Methods 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 1
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 1
- 238000001004 secondary ion mass spectrometry Methods 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000012916 structural analysis Methods 0.000 description 1
- 230000008093 supporting effect Effects 0.000 description 1
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 description 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010345 tape casting Methods 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N vanadium Chemical group [V]#[V] GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
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Description
本実施の形態では、本発明の一態様の半導体装置、及びその作製方法について説明する。
以下では、本発明の一態様の半導体装置に適用可能なトランジスタについて、図面を参照して説明する。ここでは、構造が異なる2種類のトランジスタについて説明する。なお、以下では、2つのトランジスタに共通する構成要素については同じ符号を付し、重複する説明は省略する場合がある。
トランジスタ100の上面図を図1(A)、トランジスタ100Aの上面図を図1(B)に示す。なお、図1(A)及び図1(B)において、トランジスタ100及びトランジスタ100Aの構成要素の一部(絶縁層等)を省略して図示している。トランジスタの上面図については、以降の図面においても図1(A)及び図1(B)と同様に、構成要素の一部を省略して図示するものとする。
図5(A1)はトランジスタ100Bのチャネル長方向の断面図であり、図5(B1)はトランジスタ100Bのチャネル幅方向の断面図である。なお、上面図は図1(A)を援用できるため省略する。トランジスタ100Bは、半導体層208に換えて、絶縁層103側から半導体層208aと、半導体層208bとが積層された構成を有する点で、上記構成例1で例示したトランジスタ100と主に相違している。
図6(A1)はトランジスタ100Dのチャネル長方向の断面図であり、図6(B1)はトランジスタ100Dのチャネル幅方向の断面図である。なお、上面図は図1(A)を援用できるため省略する。トランジスタ100Dは、半導体層208上に絶縁層116を有する点で、上記構成例1で例示したトランジスタ100と主に相違している。
図7(A1)はトランジスタ100Fのチャネル長方向の断面図であり、図7(B1)はトランジスタ100Fのチャネル幅方向の断面図である。なお、上面図は図1(A)を援用できるため省略する。トランジスタ100Fは、半導体層208に換えて、絶縁層103側から半導体層208aと、半導体層208bとが積層された構成を有する点で、上記構成例3で例示したトランジスタ100Dと主に相違している。
以下では、本発明の一態様の半導体装置の作製方法について、図面を参照して説明する。ここでは、上記構成例で例示したトランジスタ100及びトランジスタ100Aを例に挙げて説明する。
基板102上に導電膜を成膜し、これをエッチングにより加工して、第1のゲート電極として機能する導電層106を形成する。
続いて、基板102及び導電層106を覆って絶縁層103となる絶縁膜103fを形成する。絶縁層103は、PECVD法、ALD法、スパッタリング法等を用いて形成することができる。
続いて、絶縁膜103f上に、半導体層108及び半導体層208となる金属酸化物膜108fを成膜する(図8(A))。
続いて、レジストマスク115に覆われない絶縁膜103fの一部をエッチングにより膜厚を薄くし、半導体層108又は半導体層208と重畳する部分を有する領域103aと、半導体層108及び半導体層208のいずれとも重畳しない領域103bを形成する。領域103bは、領域103aよりも厚さの薄い領域となる(図9(A))
続いて、絶縁層103及び半導体層108を覆って、絶縁層110と金属酸化物膜114fを積層して成膜する。
続いて、金属酸化物膜114f上に、導電層112となる導電膜112fを成膜する(図9(B))。導電膜112fは、金属または合金のスパッタリングターゲットを用いたスパッタリング法により成膜することが好ましい。
続いて、導電層112及び導電層212をマスクとして、絶縁層110、半導体層108及び半導体層208に不純物元素140を供給(添加、または注入ともいう)する処理を行い、領域108N、領域208N、領域110d、及び領域103dを形成する(図10(B))。半導体層108、半導体層208及び絶縁層110のうち、導電層112又は導電層212と重畳する領域には、導電層112又は導電層112がマスクとなり不純物元素140は供給されない。
続いて、絶縁層118を順に形成する(図11(A))。
絶縁層118の形成後、加熱処理を行う。加熱処理は、窒素、酸素、希ガスのうち一以上を含む雰囲気下にて、150℃以上450℃以下、好ましくは200℃以上400℃以下の温度で行うことが好ましい。当該加熱処理により、より安定して低抵抗な領域108nとすることができる。例えば、上記温度で加熱処理を行うことにより、不純物元素140を適度に拡散して局所的に均一化され、理想的な不純物元素の濃度勾配を有する領域108n及び領域110dが形成されうる。なお、加熱処理の温度が高すぎる(例えば500℃以上)と、不純物元素140がチャネル形成領域内にまで拡散し、トランジスタの電気特性や信頼性の悪化を招く恐れがある。
続いて、絶縁層118の所望の位置にリソグラフィによりマスクを形成した後、絶縁層118及び絶縁層110の一部をエッチングすることで、領域108nに達する開口部141a及び開口部141b、並びに領域208Nに達する開口部241a及び開口部241bを形成する。
続いて、開口部141a、開口部141b、開口部241a及び開口部241bを覆うように、絶縁層118上に導電膜を成膜し、当該導電膜を所望の形状に加工することで、導電層120a、導電層120b、導電層220a及び導電層220bを形成する(図11(B))。
以下では、本発明の一態様の半導体装置の作製方法について、図面を参照して説明する。ここでは、上記構成例で例示したトランジスタ100D及びトランジスタ100Eを例に挙げて説明する。
続いて、導電膜112f上にレジストマスクを形成する。その後、レジストマスクに覆われていない領域において、異方性のエッチング法を用いて導電膜112f、金属酸化物膜114f、及び絶縁膜110fをエッチングし、導電層112、金属酸化物層114、絶縁層110、導電層212、金属酸化物層214及び絶縁層110を形成する。その後、レジストマスクを除去する(図12(A))。
続いて、半導体層108の露出した領域、及び半導体層208の露出した領域に接して、絶縁層116を形成する(図12(B))。
続いて、絶縁層116上に絶縁層118を形成する(図13(B))。
続いて、絶縁層118の所望の位置にリソグラフィによりマスクを形成した後、絶縁層118及び絶縁層116の一部をエッチングすることで、領域108nに達する開口部141a及び開口部141b、並びに領域208Nに達する開口部241a及び開口部241bを形成する。
続いて、開口部141a、開口部141b、開口部241a及び開口部241bを覆うように、絶縁層118上に導電膜を成膜し、当該導電膜を所望の形状に加工することで、導電層120a、導電層120b、導電層220a及び導電層220bを形成する(図14)。
次に、本実施の形態の半導体装置に含まれる構成要素について、詳細に説明する。
基板102の材質などに大きな制限はないが、少なくとも、後の熱処理に耐えうる程度の耐熱性を有している必要がある。例えば、シリコンや炭化シリコンを材料とした単結晶半導体基板、多結晶半導体基板、シリコンゲルマニウム等の化合物半導体基板、SOI基板、ガラス基板、セラミック基板、石英基板、サファイア基板等を、基板102として用いてもよい。また、これらの基板上に半導体素子が設けられたものを、基板102として用いてもよい。
絶縁層103としては、スパッタリング法、CVD法、蒸着法、パルスレーザー堆積(PLD)法等を適宜用いて形成することができる。また、絶縁層103としては、例えば、酸化物絶縁膜または窒化物絶縁膜を単層または積層して形成することができる。なお、半導体層108との界面特性を向上させるため、絶縁層103において少なくとも半導体層108と接する領域は酸化物絶縁膜で形成することが好ましい。また、絶縁層103には、加熱により酸素を放出する膜を用いることが好ましい。
ゲート電極として機能する導電層112及び導電層106、並びにソース電極またはドレイン電極の一方として機能する導電層120a及び、他方として機能する導電層120bとしては、クロム、銅、アルミニウム、金、銀、亜鉛、モリブデン、タンタル、チタン、タングステン、マンガン、ニッケル、鉄、コバルトから選ばれた金属元素、または上述した金属元素を成分とする合金か、上述した金属元素を組み合わせた合金等を用いてそれぞれ形成することができる。
トランジスタ100等のゲート絶縁膜として機能する絶縁層110は、PECVD法、スパッタリング法等により形成できる。絶縁層110としては、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、酸化ハフニウム膜、酸化イットリウム膜、酸化ジルコニウム膜、酸化ガリウム膜、酸化タンタル膜、酸化マグネシウム膜、酸化ランタン膜、酸化セリウム膜および酸化ネオジム膜を一種以上含む絶縁層を用いることができる。なお、絶縁層110を、2層の積層構造または3層以上の積層構造としてもよい。
半導体層108がIn-M-Zn酸化物の場合、In-M-Zn酸化物を成膜するために用いるスパッタリングターゲットは、Inの原子数比がMの原子数比以上であることが好ましい。このようなスパッタリングターゲットの金属元素の原子数比として、In:M:Zn=1:1:1、In:M:Zn=1:1:1.2、In:M:Zn=2:1:3、In:M:Zn=3:1:2、In:M:Zn=4:2:3、In:M:Zn=4:2:4.1、In:M:Zn=5:1:6、In:M:Zn=5:1:7、In:M:Zn=5:1:8、In:M:Zn=6:1:6、In:M:Zn=5:2:5等が挙げられる。
以下では、本発明の一態様で開示されるトランジスタに用いることができるCAC(Cloud-Aligned Composite)-OSの構成について説明する。
本実施の形態では、先の実施の形態で例示した半導体装置を有する表示装置について説明する。
図15(A)に、表示装置700の上面図を示す。表示装置700は、シール材712により貼り合された第1の基板701と第2の基板705を有する。また第1の基板701、第2の基板705、及びシール材712で封止される領域において、第1の基板701上に画素部702、ソースドライバ回路部704、及びゲートドライバ回路部706が設けられる。また画素部702には、複数の表示素子が設けられる。
以下では、表示素子として液晶素子を用いる構成、及びEL素子を用いる構成について、図16乃至図19を用いて説明する。なお、図16乃至図18は、それぞれ図15(A)に示す一点鎖線Q-Rにおける断面図である。また図19は、図15(B)に示した表示装置700A中の一点鎖線S-Tにおける断面図である。図16及び図17は、表示素子として液晶素子を用いた構成であり、図18及び図19は、EL素子を用いた構成である。
図16乃至図19に示す表示装置は、引き回し配線部711と、画素部702と、ソースドライバ回路部704と、FPC端子部708と、を有する。引き回し配線部711は、信号線710を有する。画素部702は、トランジスタ750及び容量素子790を有する。ソースドライバ回路部704は、トランジスタ752を有する。図17では、容量素子790が無い場合を示している。
図16に示す表示装置700は、液晶素子775を有する。液晶素子775は、導電層772、導電層774、及びこれらの間に液晶層776を有する。導電層774は、第2の基板705側に設けられ、共通電極としての機能を有する。また、導電層772は、トランジスタ750が有するソース電極またはドレイン電極と電気的に接続される。導電層772は、平坦化絶縁膜770上に形成され、画素電極として機能する。
図18に示す表示装置700は、発光素子782を有する。発光素子782は、導電層772、EL層786、及び導電膜788を有する。EL層786は、有機化合物、または量子ドットなどの無機化合物を有する。
また、図16乃至図19に示す表示装置700に入力装置を設けてもよい。当該入力装置としては、例えば、タッチセンサ等が挙げられる。
本実施の形態では、本発明の一態様の半導体装置を有する表示装置について、図20を用いて説明を行う。
以下では、画素に表示される階調を補正するためのメモリを備える画素回路と、これを有する表示装置について説明する。実施の形態1で例示したトランジスタは、以下で例示する画素回路に用いられるトランジスタに適用することができる。
図21(A)に、画素回路400の回路図を示す。画素回路400は、トランジスタM1、トランジスタM2、容量C1、及び回路401を有する。また画素回路400には、配線S1、配線S2、配線G1、及び配線G2が接続される。
続いて、図21(B)を用いて、画素回路400の動作方法の一例を説明する。図21(B)は、画素回路400の動作に係るタイミングチャートである。なおここでは説明を容易にするため、配線抵抗などの各種抵抗や、トランジスタや配線などの寄生容量、及びトランジスタのしきい値電圧などの影響は考慮しない。
期間T1では、配線G1と配線G2の両方に、トランジスタをオン状態にする電位を与える。また、配線S1には固定電位である電位Vrefを供給し、配線S2には第1データ電位Vwを供給する。
続いて期間T2では、配線G1にはトランジスタM1をオン状態とする電位を与え、配線G2にはトランジスタM2をオフ状態とする電位を与える。また、配線S1には第2データ電位Vdataを供給する。配線S2には所定の定電位を与える、またはフローティングとしてもよい。
[液晶素子を用いた例]
図21(C)に示す画素回路400LCは、回路401LCを有する。回路401LCは、液晶素子LCと、容量C2とを有する。
図21(D)に示す画素回路400ELは、回路401ELを有する。回路401ELは、発光素子EL、トランジスタM3、及び容量C2を有する。
本実施の形態では、本発明の一態様を用いて作製することができる表示モジュールについて説明する。
本実施の形態では、本発明の一態様を適用可能な電子機器の例について説明する。
本実施の形態では、本発明の一態様を適用可能な電子機器について説明する。
作製したトランジスタの構成は、実施の形態1及び図2で例示したトランジスタ100及びトランジスタ100Aを援用できる。領域103aの厚さ(t1)を305nmとし、領域103bの厚さ(t2)を異ならせた複数の試料を作製した。具体的には、領域103bの厚さ(t2)が205nmである試料と、領域103bの厚さ(t2)が55nmである試料を作製した。領域103bの厚さ(t2)が205nmである試料においては、領域103aの厚さ(t1)が領域103bの厚さ(t2)の1.5倍となる。領域103bの厚さ(t2)が55nmである試料においては、領域103aの厚さ(t1)が領域103bの厚さ(t2)の5.5倍となる。また、比較試料として、領域103aの厚さ(t1)と領域103bの厚さ(t2)が同じである試料も同様に作製した。比較試料においては、領域103aの厚さ(t1)が領域103bの厚さ(t2)の1.0倍となる。
続いて、上記で作製したトランジスタのId-Vg特性を測定した。
続いて、上記で作製したトランジスタの信頼性を評価した。
Claims (5)
- 絶縁表面上に、トランジスタを有し、
前記トランジスタは、
第1の絶縁層上に位置し、チャネル形成領域を有する第1の半導体層と、
前記第1の半導体層上に位置する第2の絶縁層を介して、前記第1の半導体層と重なる領域を有する第1の導電層と、を有し、
前記第1の絶縁層は、厚さ方向に突出した形状を有する第1の領域と、前記第1の領域に隣接して配置され且つ前記第1の領域よりも小さい膜厚を有する第2の領域と、を有し、
前記第1の領域は、前記第1の半導体層との重なりを有し、
前記第2の領域は、前記第1の半導体層との重なりを有さず、
前記第2の領域と重なる領域において、前記第1の導電層は、その下面が、前記第1の半導体層の下面よりも低く位置する部分を有し、
前記第1の領域は、前記第1の半導体層の下端部と接する部分から前記第2の領域にかけて、前記第1の半導体層と重ならず、且つ断面視における勾配が連続的に変化する部分を有する、半導体装置。 - 絶縁表面上に、第1のトランジスタと、第2のトランジスタと、を有し、
前記第1のトランジスタは、
第1の絶縁層上に位置し、チャネル形成領域を有する第1の半導体層と、
前記第1の半導体層上に位置する第2の絶縁層を介して、前記第1の半導体層と重なる領域を有する第1の導電層と、を有し、
前記第1の絶縁層は、厚さ方向に突出した形状を有する第1の領域と、前記第1の領域に隣接して配置され且つ前記第1の領域よりも小さい膜厚を有する第2の領域と、を有し、
前記第1の領域は、前記第1の半導体層との重なりを有し、
前記第2の領域は、前記第1の半導体層との重なりを有さず、
前記第2の領域と重なる領域において、前記第1の導電層は、その下面が、前記第1の半導体層の下面よりも低く位置する部分を有し、
前記第2のトランジスタは、
前記第1の絶縁層上に位置し、チャネル形成領域を有する第2の半導体層と、
前記第2の絶縁層を介して、前記第2の半導体層と重なる領域を有する第2の導電層と、
前記第1の絶縁層を介して、前記第2の半導体層と重なる領域を有する第3の導電層と、を有し、
前記第1の絶縁層は、厚さ方向に突出した形状を有する第3の領域と、前記第3の領域に隣接して配置され且つ前記第3の領域よりも小さい膜厚を有する第4の領域と、を有し、
前記第3の領域は、前記第2の半導体層との重なりを有し、
前記第4の領域は、前記第2の半導体層との重なりを有さず、
前記第4の領域と重なる領域において、前記第2の導電層は、その下面が、前記第1の半導体層の下面よりも低く位置する部分を有し、
前記第1の領域は、前記第1の半導体層の下端部と接する部分から前記第2の領域にかけて、前記第1の半導体層と重ならず、且つ断面視における勾配が連続的に変化する部分を有し、
前記第3の領域は、前記第2の半導体層の下端部と接する部分から前記第4の領域にかけて、前記第2の半導体層と重ならず、且つ断面視における勾配が連続的に変化する部分を有する、半導体装置。 - 請求項2において、
前記第2の絶縁層は、前記第1の領域の側面と接する領域と、前記第2の領域の上面と接する領域と、前記第1の半導体層の上面と接する領域と、前記第1の半導体層の側面と接する領域と、を有する、半導体装置。 - 請求項2において、
前記第1の半導体層は、前記第1の導電層と重ならない第5の領域を有し、
前記第2の半導体層は、前記第2の導電層と重ならない第6の領域を有し、
前記第5の領域及び前記第6の領域は、第1の元素を有し、
前記第1の元素は、リン、ホウ素、マグネシウム、アルミニウム、またはシリコンのいずれか一以上である半導体装置。 - 請求項1乃至請求項4のいずれか一において、
前記第1の領域の厚さは、前記第2の領域の厚さの1.2倍以上10倍以下である、半導体装置。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018081381 | 2018-04-20 | ||
JP2018081381 | 2018-04-20 | ||
PCT/IB2019/052855 WO2019202430A1 (ja) | 2018-04-20 | 2019-04-08 | 半導体装置 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2019202430A1 JPWO2019202430A1 (ja) | 2021-05-13 |
JPWO2019202430A5 JPWO2019202430A5 (ja) | 2022-03-31 |
JP7275112B2 true JP7275112B2 (ja) | 2023-05-17 |
Family
ID=68240045
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020514791A Active JP7275112B2 (ja) | 2018-04-20 | 2019-04-08 | 半導体装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11552111B2 (ja) |
JP (1) | JP7275112B2 (ja) |
TW (1) | TW202005099A (ja) |
WO (1) | WO2019202430A1 (ja) |
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2019
- 2019-04-08 JP JP2020514791A patent/JP7275112B2/ja active Active
- 2019-04-08 WO PCT/IB2019/052855 patent/WO2019202430A1/ja active Application Filing
- 2019-04-08 US US17/043,232 patent/US11552111B2/en active Active
- 2019-04-19 TW TW108113891A patent/TW202005099A/zh unknown
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---|---|---|---|---|
JP2003257864A (ja) | 2001-12-28 | 2003-09-12 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及び半導体装置の生産システム |
JP2015035590A (ja) | 2013-07-12 | 2015-02-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
WO2015075985A1 (ja) | 2013-11-25 | 2015-05-28 | シャープ株式会社 | 半導体装置およびその書き込み方法 |
JP2015144266A (ja) | 2013-12-27 | 2015-08-06 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2015181162A (ja) | 2014-03-06 | 2015-10-15 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
JP2017112374A (ja) | 2015-12-16 | 2017-06-22 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | トランジスタ、半導体装置、および電子機器 |
JP2018063743A (ja) | 2015-12-29 | 2018-04-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、電子機器、半導体ウエハ |
JP2018006734A (ja) | 2016-03-11 | 2018-01-11 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、当該半導体装置の作製方法、及び当該半導体装置を有する表示装置 |
JP2017224813A (ja) | 2016-06-09 | 2017-12-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | トランジスタ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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TW202005099A (zh) | 2020-01-16 |
US11552111B2 (en) | 2023-01-10 |
WO2019202430A1 (ja) | 2019-10-24 |
US20210020665A1 (en) | 2021-01-21 |
JPWO2019202430A1 (ja) | 2021-05-13 |
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