JPWO2012039310A1 - 有機ｅｌ素子の製造方法、成膜装置、有機ｅｌ素子 - Google Patents

Abstract

有機ＥＬ素子の保護膜の封止性能を向上させる技術を提供する。基板２上に第一の電極層３と有機層４と第二の電極層５とが順に積層された処理対象物１の第二の電極層５に密着してＰＥＣＶＤ法又はスパッタ法により化学構造中にＳｉを含有する無機物からなる第一の保護膜６を成膜した後、第一の保護膜６に密着してＡＬＤ法によりＡｌ2Ｏ3からなる第二の保護膜７を成膜する。第二の電極層５に密着して第一の保護膜６の成膜を始めるときから、第一の保護膜６に密着して第二の保護膜７の成膜を終えるまでの間は、処理対象物１を外気に曝さないで行う。

Description

本発明は、有機ＥＬ素子の製造方法と、その製造方法に用いる成膜装置と、その製造方法により製造された有機ＥＬ素子に関する。

有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）は、発光効率が高く、薄い発光装置を組み立てることができることから、近年では、大面積化するテレビや照明装置への応用が提案されている。
有機ＥＬ素子には、有機層に水分が入りこむと劣化して寿命が短くなるという性質があるため、大気中の水分から遮断する封止技術が必要とされている。

従来の有機ＥＬ素子製造の封止工程では、ガラス缶による封止が行われていたが、ガラス缶の厚みによりディスプレイの厚みが増してしまい、有機ＥＬ素子の特徴を生かしきることができなかった。
そこで、近年のディスプレイの薄型化の進展に伴い、薄膜による封止技術が研究されている。

薄膜封止技術としては、ＳｉＮ、ＳｉＯＮ又はＳｉＯ₂等の無機物の薄膜（以下無機封止膜と呼ぶ）を、成膜温度の低いプラズマ化学気相蒸着（ＰＥＣＶＤ）法により成膜する方法が既に知られている。
特許文献１には、ＰＥＣＶＤ法により無機封止膜を成膜する方法と、スパッタ法や真空蒸着法などの物理気相蒸着（ＰＶＤ）法により無機封止膜を成膜する方法とが記載されている。
しかしながら、ＣＶＤ法やＰＶＤ法で形成された無機封止膜は内部にパーティクルが混入したりピンホールが生じたりして封止性能が不十分であり、パーティクルとの界面やピンホールから水分などが入りやすいために、長期信頼性が得られないという問題があった。
特許文献１には、ＣＶＤ法やＰＶＤ法で形成された無機封止膜の表面に樹脂膜を成膜する技術が開示されているが、無機封止膜と樹脂膜との応力の違いから密着性が悪く、水分遮断性能を向上できないという不都合があった。

特許第３８１７０８１号公報

本発明は上記従来技術の不都合を解決するために創作されたものであり、その目的は、有機ＥＬ素子の保護膜の封止性能を向上させる技術を提供することにある。

上記課題を解決するために本発明は、基板上に第一の電極層と有機層と第二の電極層とが順に積層された処理対象物の前記第二の電極層上に保護膜を成膜する有機ＥＬ素子の製造方法であって、前記第二の電極層に密着して化学構造中にＳｉを含有する無機物からなる第一の保護膜を成膜する第一の保護膜成膜工程と、前記第一の保護膜に密着してＡＬＤ法によりＡｌ₂Ｏ₃からなる第二の保護膜を成膜する第二の保護膜成膜工程と、を有する有機ＥＬ素子の製造方法である。
本発明は、有機ＥＬ素子の製造方法であって、前記第一の保護膜成膜工程では、ＰＥＣＶＤ法又はスパッタ法のうちいずれか一方の成膜方法により前記第一の保護膜を成膜する有機ＥＬ素子の製造方法である。
本発明は、有機ＥＬ素子の製造方法であって、前記第一の保護膜は、ＳｉＮと、ＳｉＯＮと、ＳｉＯとからなる群のうちいずれか一種類の無機物からなる有機ＥＬ素子の製造方法である。
本発明は、有機ＥＬ素子の製造方法であって、前記第二の保護膜成膜工程では、前記第二の保護膜を１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下の厚みで成膜する有機ＥＬ素子の製造方法である。
本発明は、有機ＥＬ素子の製造方法であって、前記第二の電極層に密着して前記第一の保護膜の成膜を始めるときから、前記第一の保護膜に密着して前記第二の保護膜の成膜を終えるまでの間は、前記処理対象物を外気に曝さない有機ＥＬ素子の製造方法である。
本発明は、有機ＥＬ素子の製造方法に用いる成膜装置であって、前記第一の保護膜を成膜できるように構成された第一の成膜室と、前記第二の保護膜を成膜できるように構成された第二の成膜室と、を有し、前記第二の保護膜成膜室は、真空槽と、前記真空槽内に配置され、前記処理対象物を保持する基板保持部と、前記真空槽内に前記原料ガスを放出する原料ガス放出部と、前記真空槽内に前記反応ガスを放出する反応ガス放出部と、前記真空槽内を真空排気する真空排気部と、前記基板保持部に保持された前記処理対象物を加熱する加熱装置とを有し、前記基板保持部は前記処理対象物を水平にした状態で鉛直方向に沿って複数枚重ねて保持するように構成された成膜装置である。
本発明は、有機ＥＬ素子の製造方法により製造された有機ＥＬ素子である。

ＡＬＤ法により第一の保護膜に密着して第二の保護膜を成膜するので、第一の保護膜の封止欠陥部分が第二の保護膜で埋められて封止性能が向上する。
第一の保護膜成膜工程と第二の保護膜工程を真空一貫処理で行う場合には、保護膜の封止性能がさらに向上する。
ＡＬＤ法による第二の保護膜の成膜工程では、複数枚の基板に同時に成膜できるので、生産性が高い。

本発明の成膜装置の第一例の平面図 第二の成膜室と第二の搬送室と仕込室と磁石マスク投入室の内部構成図 （ａ）：マスク板と処理対象物と磁石板の平面図 （ｂ）：同Ａ−Ａ線切断断面図 （ｃ）：同Ｂ−Ｂ線切断断面図 第一の成膜室の第一例の内部構成図 第一の成膜室の第二例の内部構成図 （ａ）、（ｂ）：基板保持部の別例の内部側面図 （ａ）〜（ｃ）：処理対象物の断面図 第二の成膜室と第二の搬送室と取出室と磁石マスク排出室の内部構成図 本発明の成膜装置の第二例の平面図 エッチング室の内部構成図

＜成膜装置の構造＞
本発明の成膜装置の構造を説明する。図１はこの成膜装置１０の一例の平面図である。
成膜装置１０はここでは、前工程室１１と、反転室１４と、第一の搬送室１２と、搬入出室１６と、仕込室２１と、第二の搬送室２３と、取出室２５と、後工程室２７とを有しており、これらの各室はこの順序で直列に接続されている。
各室は成膜装置１０の外側の外気から遮断されている。

前工程室１１と、反転室１４と、第一の搬送室１２には不図示の真空排気装置が接続され、内部を真空排気できるようになっている。
一方、仕込室２１と、第二の搬送室２３と、取出室２５と、後工程室２７には不図示のガス導入装置が接続され、内部にＮ₂ガスやＡｒガス等の乾燥した不活性ガスを流して大気圧にできるようになっている。
搬入出室１６には不図示の真空排気装置とガス導入装置が接続され、内部を大気圧にも真空雰囲気にもできるように構成されている。

本発明の成膜装置１０は、複数の第一の成膜室１３ａ〜１３ｅと、一乃至複数の第二の成膜室２４ａ、２４ｂとを有している。ここでは二つの第二の成膜室２４ａ、２４ｂを有してる。
第一の膜成膜室１３ａ〜１３ｅは第一の搬送室１２に接続され、第二の保成膜室２４ａ、２４ｂは第二の搬送室２３に接続されている。

＜第一の成膜室の構造＞
第一の成膜室１３ａ〜１３ｅの構造は互いに同じであり、符号１３ａの第一の成膜室で代表して説明する。
図４は第一の成膜室１３ａの一例の内部構成図である。

第一の成膜室１３ａは、真空槽４１と、シャワーヘッド４７と、基板ステージ４６と、原料ガス源４３とを有している。
基板ステージ４６は真空槽４１内に配置され、上方を向いた面に処理対象物を保持できるように構成されている。符号１は基板ステージ４６上に配置された処理対象物を示している。

シャワーヘッド４７は、複数の放出孔５１が設けられたシャワープレート４７ａと、電極枠４７ｂとを有している。電極枠４７ｂの縁はシャワープレート４７ａの裏面の外周部に固定され、シャワープレート４７ａと電極枠４７ｂとの間には、シャワープレート４７ａと電極枠４７ｂとで取り囲まれた放出空間４４が形成されている。シャワープレート４７ａと電極枠４７ｂは電気的に接続されている。
シャワーヘッド４７は、シャワープレート４７ａを基板ステージ４６の上方を向いた面と対面させて、基板ステージ４６の上方に配置されている。

原料ガス源４３はシャワーヘッド４７に接続され、放出空間４４に原料ガスを放出できるように構成されている。原料ガス源４４から複数種類の原料ガスを放出させると、原料ガスは放出空間４３で互いに混合し、放出孔５１から真空槽４１内に放出されるようになっている。

電極枠４７ｂには高周波電源４８が電気的に接続され、高周波電源４８は電極枠４７ｂに高周波電圧を印加できるように構成されている。電極枠４７ｂに高周波電圧を印加すると、真空槽４１内に放出された原料ガスはプラズマ化するようになっている。

シャワープレート４７ａと基板ステージ４６との間には第一のマスク板を水平に保持できるように構成されたマスク保持部４９が配置されている。符号９はマスク保持部４９に保持された第一のマスク板を示している。

基板ステージ４６の下方にはステージ昇降装置４５が配置され、基板ステージ４６を処理対象物１と一緒に鉛直方向に沿って移動できるように構成されている。基板ステージ４６を上昇させると、基板ステージ４６上の処理対象物１の表面はマスク保持部４９に保持された第一のマスク板９の裏面に近づいて接触し、基板ステージ４６を下降させると処理対象物１は第一のマスク板９から離間する。
真空槽４１には真空排気装置４２が接続され、内部を真空排気できるように構成されている。

＜第二の成膜室の構造＞
第二の成膜室２４ａ、２４ｂの構造は互いに同じであり、符号２４ａの第二の成膜室で代表して説明する。
図２は第二の成膜室２４ａと、第二の搬送室２３と、仕込室２１と、磁石マスク投入室２２の内部構成図である。

第二の成膜室２４ａは、真空槽８１と、基板保持部８２と、原料ガス放出部８３と、反応ガス放出部８４と、パージガス放出部８７と、真空排気部８５と、加熱装置８６とを有している。
基板保持部８２は筐体であり、内部に複数の基板保持空間９５が鉛直方向に沿って並んで設けられている。ここでは隣り合う二つの基板保持空間９５は隔壁により遮断されている。

基板保持空間９５の厚みは後述する磁石板３２と処理対象物１とマスク板３１とが積層されて構成された成膜対象物１’の厚みより大きく形成され、内部で成膜対象物１’を水平に保持できるように構成されている。

各基板保持空間９５に成膜対象物１’を保持させると、成膜対象物１’は鉛直方向に沿って重なって配置されることになる。従って、基板保持部８２に保持させる成膜対象物１’の枚数を増やしても、装置の水平方向の占有面積は増加しないようになっている。

真空槽８１内にはガス導入管８８が鉛直に立てられて配置されている。ガス導入管８８の一端は真空槽８１の壁面を気密に貫通して真空槽８１の外側に延ばされている。
原料ガス放出部８３と反応ガス放出部８４とパージガス放出部８７は真空槽８１の外側に配置され、ガス導入管８８にそれぞれ接続されている。

原料ガス放出部８３は原料ガスを放出できるように構成され、反応ガス放出部８４は原料ガスと反応する反応ガスを放出できるように構成され、パージガス放出部８７は不活性なパージガスを放出できるように構成されている。

ガス導入管８８の外周側面のうち基板保持部８２と対面可能な部分には複数の放出孔９０が鉛直方向に沿って並んで設けられている。隣り合う放出孔９０の鉛直方向の中心間距離は、隣り合う基板保持空間９５の鉛直方向の中心間距離と同じ長さにされている。

基板保持部８２の下方には基板保持部昇降装置８９が配置され、基板保持部８２を鉛直方向に沿って移動できるように構成されている。基板保持部８２を鉛直方向に沿って移動させると、各基板保持空間９５はそれぞれ異なる放出孔９０と同じ高さに配置されるようになっている。この状態で、放出孔９０からガスを放出させると、水平方向に放出されたガスはその放出孔９０と同じ高さの基板保持空間９５に流入する。

基板保持部８２の構造は、放出孔９０から放出されたガスが基板保持空間９５に流入するときに隣り合う二つの基板保持空間９５の間が遮断されているならば、隣り合う二つの基板保持空間９５が隔壁により遮断されている構成に限定されず、図６（ａ）に示すように、隣り合う二つの基板保持空間９５の間の隔壁にマスク板３１の外周よりも小さい孔が設けられていて、各基板保持空間９５に成膜対象物１’を配置する前は、隣り合う二つの基板保持空間９５が孔を通って接続されていてもよい。

この場合、各基板保持空間９５に成膜対象物１’を配置すると、マスク板３１が孔を覆って、隣り合う二つの基板保持空間９５の間が遮断されるようになっている。
基板保持部８２の構造は、成膜対象物１’を水平にした状態で鉛直方向に重ねて保持できるならば上記構成に限定されず、図６（ｂ）に示すように基板保持空間９５が互いに接続され、すなわち同一の空間に複数の成膜対象物１’が配置されてもよい。

ただし、基板保持空間９５が互いに遮断されている方が、基板保持空間９５の容積が小さくなり、成膜対象物１’表面でのガスの圧力を高くするために必要なガスの量が少なくて済むので好ましい。

加熱装置８６はここでは赤外線ランプであり、真空槽８１の外側に配置され、基板保持部８２に保持された成膜対象物１’の表面に赤外線を照射して加熱できるようになっている。
本発明の加熱装置８６は基板保持部８２に保持された成膜対象物１’の表面を加熱できるならば上記構成に限定されず、加熱装置８６は発熱可能なホットプレートであり、基板保持空間９５の壁面にそれぞれ設置され、熱伝導により成膜対象物１’をそれぞれ加熱するように構成してもよい。
真空槽８１には真空排気部８５が接続され、真空排気部８５は真空槽８１の内部を真空排気できるように構成されている。

＜成膜方法＞
上述の成膜装置１０を用いた保護膜の成膜方法を説明する。
図１を参照し、搬入出室１６と仕込室２１との間の真空バルブを予め閉じておく。前工程室１１と、第一の搬送室１２と、第一の成膜室１３ａ〜１３ｅと、マスク保管室１５と、搬入出室１６を真空排気して真空雰囲気を形成する。以後、真空排気を継続して真空雰囲気を維持する。

仕込室２１と、第二の搬送室２３と、取出室２５と、後工程室２７と、第二の成膜室２４ａ、２４ｂと、マスク投入室２２と、磁石マスク排出室２６に不活性ガスを流して、大気圧にする。以後、不活性ガスの導入を継続して、大気圧を維持する。

第一の搬送室１２には第一の搬送ロボット１９が配置されている。マスク保管室１５には複数枚の第一のマスク板９が保管されている。マスク保管室１５から第一のマスク板９を取り出し、第一の成膜室１３ａ〜１３ｅ内に設置しておく。

図７（ａ）はこの成膜装置１０で成膜する処理対象物１の断面図である。処理対象物１は、ガラス基板２上に第一の電極層３と有機層４と第二の電極層５とが順に積層されている。第二の電極層５の表面には電極引き出し部と保護膜を成膜すべき成膜部とが予め定められている。

図１を参照し、処理対象物１は第二の電極層５が下方に向けられた状態で、前工程室１１から反転室１４に搬入される。
反転室１４には処理対象物１の表面と裏面の向きを反転させる不図示の反転装置が配置されている。反転装置により、処理対象物１の向きを反転させて、第二の電極層５を上方に向けさせる。

第一の搬送ロボット１９により、処理対象物１を反転室１４から取り出し、第一の成膜室１３ａ〜１３ｅのうちの一室に搬入する。
前工程室１１から順に運ばれてくる複数枚の処理対象物１を、それぞれ異なる第一の成膜室１３ａ〜１３ｅに搬入する。

＜第一の保護膜成膜工程＞
各第一の成膜室１３ａ〜１３ｅでの第一の保護膜成膜方法は互いに同じであり、符号１３ａの第一の成膜室を例にＰＥＣＶＤ法による成膜方法を説明する。
図４を参照し、真空槽４１内を真空排気装置４２により真空排気し、以後真空排気を継続して真空雰囲気を維持する。

マスク保持部４９には遮蔽部と開口部を有する第一のマスク板９を予め保持させておく。基板ステージ４６を下降させ、第一のマスク板９から離間させておく。
処理対象物１を真空槽４１内に搬入し、第二の電極層５が上方を向く向きで基板ステージ４６上に載置する。

不図示の位置合わせ手段により基板ステージ４６を処理対象物１と一緒に水平方向に移動させ、かつ鉛直な回転軸線の周りに回転させて、第一のマスク板９の遮蔽部が処理対象物１の第二の電極層５の電極引き出し部を覆い、第一のマスク板９の開口部から第二の電極層５の成膜部が露出するように位置合わせする。

位置合わせ手段は、第一のマスク板９を水平方向に移動させ、かつ鉛直な回転軸線の周りに回転させて静止した処理対象物１に対して位置合わせするように構成してもよい。

処理対象物１と第一のマスク板９とが位置合わせされた状態で、ステージ昇降装置４５により基板ステージ４６を処理対象物１と一緒に上昇させ、処理対象物１の表面を第一のマスク板９の裏面と接触させる。
原料ガス源４３から放出空間４４にシラン（ＳｉＨ₄）とアンモニア（ＮＨ₃）と窒素（Ｎ₂）ガスを放出させ、混合させ、混合ガスを放出孔５１から放出させる。

高周波電源４８から電極枠４７ｂに高周波電圧を印加すると、放出孔５１から真空槽４１内に放出された混合ガスはプラズマ化して、化学反応し、ＳｉＮの粒子が生成される。生成されたＳｉＮの粒子は処理対象物１表面のうち第一のマスク板９の開口部から露出した成膜部に付着して、図７（ｂ）に示すように、第二の電極層５の成膜部に密着して第一の保護膜６としてＳｉＮの薄膜が形成される。

本発明の第一の保護膜６は化学構造中にＳｉを含有する無機物であればＳｉＮに限定されず、原料ガス源４３からＳｉＨ₄ガスとＮＨ₃ガスと酸化窒素（Ｎ₂Ｏ）ガスの混合ガスを放出させて、第二の電極層５の成膜部に密着してＳｉＯＮの薄膜を形成してもよい。

また、原料ガス源４３からＳｉＨ₄ガスとＮ₂Ｏガスを放出させて、第二の電極層５の成膜部に密着してＳｉＯの薄膜を形成してもよい。
ＳｉＮはＳｉＯＮやＳｉＯよりも可視光を多く吸収するという性質がある。従って、第一の保護膜６としてＳｉＮの代わりにＳｉＯＮやＳｉＯを成膜すると、光透過率を向上することができる。
第一の保護膜６の厚みを予め決めておき、所定の厚みの第一の保護膜６を形成した後、高周波電圧の印加を停止し、原料ガスと反応ガスの放出を停止する。

図４を参照し、ステージ昇降装置４５により基板ステージ４６を処理対象物１と一緒に下降させて、処理対象物１を第一のマスク板９から離間させる。
真空槽４１内の真空雰囲気を維持しながら、処理対象物１を真空槽４１から搬出する。

図１を参照し、第一の搬送ロボット１９により、第一の保護膜６が成膜された処理対象物１を第一の成膜室１３ａから取り出し、搬入出室１６に入れる。この搬送工程を、他の第一の成膜室１３ｂ〜１３ｅで成膜された処理対象物１についても繰り返す。

搬入出室１６に一乃至複数枚の処理対象物１を収納した後、搬入出室１６と第一の搬送室１２との間の真空バルブを閉じる。
搬入出室１６内に不活性ガスを流して、大気圧にする。次いで、搬入出室１６と仕込室２１との間の真空バルブを開ける。

＜第二のマスク板取付工程＞
図２を参照し、磁石マスク投入室２２には棚９２が配置されている。棚９２には磁石板３２と金属製の第二のマスク板３１が複数枚ずつ収納され、水平に保持されている。

仕込室２１はここでは上方空間２１ａと下方空間２１ｂを有している。
磁石板３２と第二のマスク板３１が収納された棚９２を、磁石マスク投入室２２から仕込室２１の上方空間２１ａに予め移動しておく。

第二の搬送室２３には第二の搬送ロボット９１が配置されている。第二の搬送ロボット９１により、仕込室２１の上方空間２１ａの棚９２から磁石板３２を取り出し、下方空間２１ｂに入れる。

仕込室２１の下方空間２１ｂには第二のマスク板３１を保持するマスク板保持棒３７と、処理対象物１を保持する基板保持ピン３６と、磁石板３２を保持する磁石板保持棒３５がそれぞれ鉛直に立設されている。

図３（ａ）はマスク板保持棒３７と、基板保持ピン３６と、磁石板保持棒３５に、第二のマスク板３１と、処理対象物１と、磁石板３２をそれぞれ保持させた状態の平面図、図３（ｂ）は同Ａ−Ａ線切断断面図、図３（ｃ）は同Ｂ−Ｂ線切断断面図を示している。図３（ａ）では、マスク板保持棒３７と、基板保持ピン３６と、磁石板保持棒３５の図示を省略している。

第二のマスク板取付工程を説明する。
まず、図２を参照し、基板保持ピン３６の上端とマスク板保持棒３７の上端を、磁石板保持棒３５の上端よりも予め低い位置に配置しておく。第二の搬送ロボット９１により、上方空間２１ａから下方空間２１ｂに磁石板３２を搬入し、磁石板保持棒３５に載せて水平に保持させる。

図３（ａ）、（ｂ）を参照し、磁石板３２のうち基板保持ピン３６とマスク板保持棒３７とそれぞれ重なる位置には磁石板切欠き３３が設けられており、基板保持ピン３６とマスク板保持棒３７をそれぞれ上昇させると、基板保持ピン３６とマスク板保持棒３７はどちらも磁石板３２とぶつからないようになっている。基板保持ピン３６の上端を磁石板３２よりも高い位置に配置し、マスク板保持棒３７の上端を基板保持ピン３６の上端よりも高い位置に配置する。

図１を参照し、搬入出室１６から仕込室２１の下方空間２１ｂに処理対象物１を搬入し、図２を参照し、処理対象物１を基板保持ピン３６に載せて水平に保持させる。基板保持ピン３６を処理対象物１と一緒に下降させ、処理対象物１を磁石板３２に載せる。

第二の搬送ロボット９１により、仕込室２１の上方空間２１ａから下方空間２１ｂに第二のマスク板３１を搬入し、マスク保持棒３７に載せて水平に保持させる。不図示の位置合わせ手段により、第二のマスク板３１を水平方向に移動させ、かつ鉛直な回転軸線の周りに回転させ、第二のマスク板３１の遮蔽部が処理対象物１の第二の電極層５の電極引き出し部を覆い、第二のマスク板３１の開口部から第一の保護膜６が露出するように位置合わせする。

第二のマスク板３１と処理対象物１とを互いに位置合わせした状態で、マスク保持棒３７を第二のマスク板３１と一緒に下降させ、第二のマスク板３１を処理対象物１上に載せる。

図３（ａ）、（ｃ）を参照し、第二のマスク板３１のうち磁石板保持棒３５と重なる位置にはマスク板切欠き３４が設けられており、第二のマスク板３１を下降させても、第二のマスク板３１は磁石板保持棒３５にぶつからないようになっている。

第二のマスク板３１は磁石板３２からの磁力（引力）により処理対象物１に押しつけられて密着し、第二のマスク板３１と処理対象物１との相対位置関係は振動などの外力を受けても変化しないようになっている。

図２を参照し、磁石板３２と処理対象物１と第二のマスク板３１とが順に積層された状態の成膜対象物に符号１’を付して示す。
第二の搬送ロボット９１により、成膜対象物１’を仕込室２１の下方空間２１ｂから取り出し、第二の成膜室２４ａに搬入する。

図１を参照し、上述の第二のマスク板取付工程を搬入出室１６内に収納された複数の処理対象物１に対して繰り返して、複数の成膜対象物１’を第二の成膜室２４ａに順に搬入する。

＜第二の保護膜成膜工程＞
第二の成膜室２４ａでのＡＬＤ法による第二の保護膜成膜方法を説明する。
図２を参照し、真空排気部８５により真空槽８１内を真空排気しながら、パージガス放出部８７からパージガスとしてここではＮ₂ガスを放出させ、真空槽８１内を大気圧にしておく。
基板保持部８２を第二の搬送ロボット９１の高さまで降下させておく。

真空槽８１内に成膜対象物１’を搬入し、基板保持部８２の基板保持空間９５内に配置する。基板保持部昇降装置８９により基板保持部８２を上昇又は下降させながら、各基板保持空間９５内に成膜対象物１’を一枚ずつ配置する。

基板保持部昇降装置８９により基板保持部８２を上昇させ、各基板保持空間９５をガス導入管８８のそれぞれ異なる放出孔９０と同じ高さの位置に配置する。
加熱装置８６により処理対象物１’をここでは８０℃に加熱する。

第一の工程として、原料ガス放出部８３から原料ガスとしてここではトリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）を０．１秒以上５秒以下放出させる。各放出孔９０から水平方向に放出された原料ガスは、その放出孔９０と同じ高さに位置する基板保持空間９５内に導入され、処理対象物１’の表面に原料ガスの分子が化学吸着する。
処理対象物１’の表面に原料ガスの分子を化学吸着させた後、原料ガス放出部８３からの原料ガスの放出を停止する。

次いで、第二の工程として、パージガス放出部８７からパージガスを放出させる。各放出孔９０から放出されたパージガスは基板保持空間９５内に導入される。パージガスにより基板保持空間９５内の圧力が高まり、基板保持空間９５から原料ガスが押し出される。基板保持空間９５から押し出されて真空槽８１内に拡散した原料ガスは真空排気部８５により真空排気される。

次いで、第三の工程として、反応ガス放出部８４から反応ガスとしてここでは水蒸気（Ｈ₂Ｏ）を０．１秒以上５秒以下放出させる。各放出孔９０から水平方向に放出された反応ガスは、その放出孔９０と同じ高さに位置する基板保持空間９５内に導入され、処理対象物１’の表面に付着していた原料ガスの分子と反応し、図７（ｃ）に示すように、第一の保護膜６に密着して第二の保護膜７としてアルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）の薄膜が形成される。第二の電極層５の電極引き出し部は、第二のマスク板３１の遮蔽部で覆われているため、薄膜は形成されない。
処理対象物１’の表面の原料ガスの分子と反応ガスを反応させた後、反応ガス放出部８５からの反応ガスの放出を停止する。

次いで、図２を参照し、第四の工程として、パージガス放出部８７からパージガスを放出させる。放出孔９０から放出されたパージガスは基板保持空間９５に導入される。パージガスにより基板保持空間９５内の圧力が高まり、基板保持空間９５から反応ガスが押し出される。基板保持空間９５から押し出されて真空槽８１内に拡散した反応ガスは真空排気部８５により真空排気される。
所望の厚みの第二の保護膜７が形成されるまで上記第一〜第四の工程を順に複数サイクル繰り返してもよい。
第二の保護膜７は１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下の厚みが好ましい。１０ｎｍ未満では有機ＥＬ素子の封止膜としては水分遮断性能が不足し、１００ｎｍより厚いと光透過性が得られない。

上述のＡＬＤ法では第一の保護膜成膜工程のＰＥＣＶＤ法に較べて膜の付き周りがよいため、第二の保護膜７は第一の保護膜６に混入したパーティクルとの界面やピンホールやヒビなどの空間を埋めて、保護膜の水分遮断性能（封止性能）を向上させる。

またＡＬＤ法はＰＥＣＶＤ法に較べて成膜速度が遅いが、第二の成膜室２４ａでは複数枚の成膜対象物１’に同時に第二の保護膜７を成膜することで、一枚ずつ成膜するよりも生産性が高くなっている。

さらに、図１を参照し、一方の第二の成膜室２４ａで第二の保護膜を成膜中に、仕込室２１で組み立てられた成膜対象物１’を他方の第二の成膜室２４ｂに搬入すれば、第二の保護膜成膜中に基板搬送の流れが止まることが防止される。

図８は、第二の成膜室２４ａと、第二の搬送室２３と、取出室２５と、磁石マスク排出室２６の内部構成図を示している。
第二の成膜工程を終了した後、第二の搬送室２３の真空槽８１内で基板保持部８２を第二の搬送ロボット９１の高さまで下降させる。

取出室２５はここでは上方空間２５ａと下方空間２５ｂを有している。上方空間２５ａには第二のマスク板３１と磁石板３２を収納できるように構成された棚９２’が配置され、下方空間２５ｂには成膜対象物１’を磁石板３２と処理対象物１と第二のマスク板３１とに分離する不図示の取り外し装置が配置されている。

第二の搬送ロボット９１により、成膜対象物１’を第二の成膜室２４ａから取り出し、取出室２５の下方空間２５ｂに入れる。
下方空間２５ｂでは取り外し装置により、使用済みの第二のマスク板３１を処理対象物１から取り外す。次いで第二の搬送ロボット９１により、取り外された第二のマスク板３１を上方空間２５ａに配置された棚９２’に収納する。

次いで、下方空間２５ｂでは取り外し装置により、処理対象物１を磁石板３２から持ち上げて、図１を参照し、処理対象物１を後工程室２７に搬送する。

図２を参照し、第二の搬送ロボット９１により、下方空間２５ｂに残された磁石板３２を上方空間２５ａの棚９２’に収納する。
使用済みの第二のマスク板３１と磁石板３２とが収納された棚９２’を取出室２５から磁石マスク排出室２６に搬出して、クリーニング工程に回す。

本発明によれば、第二の電極層５に密着して第一の保護膜６の成膜を始めるときから、第一の保護膜６に密着して第二の保護膜７の成膜を終えるまでの間は真空一貫処理され、すなわち処理対象物１は外気に曝されない。従って、第二の保護膜７の成膜前に第一の保護膜６の表面に外気の粒子が付着することは起こらず、外気に曝す場合よりも高い密着性で第二の保護膜７を成膜でき、保護膜の封止性能が向上する。

＜第一の保護膜成膜工程の第二例＞
本発明の第一の保護膜６の成膜は、上述したＰＥＣＶＤ法に限定されず、スパッタ法により成膜してもよい。
図５は第一の成膜室１３ａの第二例の内部構成図を示している。

この第一の成膜室１３ａは、真空槽６１と、基板ステージ６６と、ターゲット保持板６３とを有している。
基板ステージ６６は真空槽６１内に配置され、上方を向いた面に処理対象物１を保持できるように構成されている。

ターゲット保持板６３は、基板ステージ６６の上方に配置され、基板ステージ６６と対面する表面には平板形状のターゲット６４が固定されている。
ターゲット保持板６３には高周波電源６８が電気的に接続され、ターゲット保持板６３に高周波電圧を印加できるように構成されている。
ターゲット保持板６３と基板ステージ６６との間には第一のマスク板９を水平に保持できるように構成されたマスク保持部６９が配置されている。

基板ステージ６６の下方にはステージ昇降装置６５が配置され、基板ステージ６６を処理対象物１と一緒に鉛直方向に沿って移動できるように構成されている。基板ステージ６６を上昇させると、基板ステージ６６上の処理対象物１の表面はマスク保持部６９に保持された第一のマスク板９の裏面に近づいて接触し、基板ステージ６６を下降させると処理対象物１は第一のマスク板９から離間する。

真空槽６１にはガス導入装置６７が接続され、内部にガスを導入できるように構成されている。また、真空槽６１には真空排気装置６２が接続され、内部を真空排気できるように構成されている。

この第二例の第一の成膜室１３ａを用いてスパッタ法による第一の保護膜成膜方法を説明する。
真空排気装置６２により真空槽６１内を真空排気し、以後真空排気を継続して、真空槽６１内の真空雰囲気を維持する。

ターゲット保持部６３にはＳｉのターゲット６４が予め取り付けられている。
基板ステージ６６を下降させて、マスク保持部６９に保持された第一のマスク板９から離間させておく。
処理対象物１を真空槽６１内に搬入し、第二の電極層５が上方を向く向きで基板ステージ６６上に載置する。

不図示の位置合わせ手段により基板ステージ６６を処理対象物１と一緒に水平方向に移動させ、かつ鉛直な回転軸線の周りに回転させて、第一のマスク板９の遮蔽部が処理対象物１の第二の電極層５の電極引き出し部を覆い、第一のマスク板９の開口部から第二の電極層５の電極引き出し部が露出するように位置合わせする。

位置合わせ手段は、第一のマスク板９を水平方向に移動させ、かつ鉛直な回転軸線の周りに回転させて静止した処理対象物１に対して位置合わせするように構成してもよい。
処理対象物１と第一のマスク板９とが位置合わせされた状態で、ステージ昇降装置６５により基板ステージ６６を処理対象物１と一緒に上昇させ、処理対象物１の表面を第一のマスク板９の裏面と接触させる。

ガス導入装置６７からＮ₂ガスとＡｒガスの混合ガスを真空槽６１内に放出させる。
高周波電源６８からターゲット保持板６３に高周波電圧を印加すると、Ａｒガスはプラズマ化して、Ａｒイオンがターゲット６４に入射し、ターゲット６４からＳｉの粒子を弾き飛ばす。

ターゲット６４から放出されたＳｉの粒子はＮ₂ガスと反応してＳｉＮが生成され、生成されたＳｉＮの粒子は処理対象物１表面の第二の電極層５のうち第一のマスク板９の開口部から露出する成膜部に到達して付着し、成膜部に密着して第一の保護膜６としてＳｉＮの薄膜が形成される。

本発明の第一の保護膜６は化学構造中にＳｉを含有する無機物であればＳｉＮに限定されず、ガス導入装置６７からＯ₂ガスとＮ₂ガスとＡｒガスの混合ガスを放出させ、第二の電極層５の成膜部に密着してＳｉＯＮの薄膜を形成してもよい。

または、ガス導入装置６７からＯ₂ガスとＡｒガスの混合ガスを放出させ、第二の電極層５の成膜部に密着してＳｉＯの薄膜を形成してもよい。
所定の厚みの第一の保護膜６を形成した後、高周波電圧の印加を停止し、スパッタガスと反応ガスの放出を停止する。

ステージ昇降装置６５により基板ステージ６６を下降させて、処理対象部１を第一のマスク板９から離間させる。
真空槽６６内の真空雰囲気を維持しながら、処理対象物１を真空槽６１から搬出する。

スパッタ法ではターゲット６４から放出された粒子の運動量がＰＥＣＶＤ法で生成される粒子の運動量よりも大きく、この粒子が処理対象物１に衝突する際に処理対象物１の層構造を損傷する虞があるため、スパッタ法よりもＰＥＣＶＤ法により第一の保護膜６を成膜する方が好ましい。

＜成膜方法の第二例＞
上述したように有機ＥＬ素子の保護膜の形成工程では、第二の電極層５のうち電極引き出し部を保護膜から露出させる必要があるのだが、その方法は、上述したように第二のマスク板３１の遮蔽部で第二の電極層５の電極引き出し部を覆った状態でＡＬＤ法により第二の保護膜７を成膜する方法に限定されない。

図９は成膜装置１０’の第二例の平面図を示している。
この第二例の成膜装置１０’では、上述の第一例の成膜装置１０から、仕込室２１とマスク投入室２２と取出室２５と磁石マスク排出室２６とが削除され、待機室２８とエッチング室２９とが追加されている。

前工程室１１と、反転室１４と、第一の搬送室１２と、搬入出室１６と、第二の搬送室２３と、待機室２８と、後工程室２７とがこの順序で直列に接続されている。エッチング室２９は待機室２８に接続されている。

図１０はエッチング室２９の内部構成図を示している。
エッチング室２９は、真空槽７１と、基板ステージ７６と、マスク保持部７９と、スパッタガス導入装置７７とを有している。

基板ステージ７６は真空槽７１内に配置され、上方を向いた面に処理対象物１を保持できるように構成されている。
基板ステージ７６には高周波電源７８が電気的に接続され、基板ステージ７６に高周波電圧を印加できるように構成されている。

マスク保持部７９は基板ステージ７６の上方に配置され、第三のマスク板を水平に保持できるように構成されている。符号７３はマスク保持部７９に保持された第三のマスク板を示している。

基板ステージ７６の下方にはステージ昇降装置７５が配置され、基板ステージ７６を処理対象物１と一緒に鉛直方向に沿って移動できるように構成されている。基板ステージ７６を上昇させると、基板ステージ７６上の処理対象物１の表面はマスク保持部７９に保持された第三のマスク板７３の裏面に近づいて接触し、基板ステージ７６を下降させると処理対象物１は第三のマスク板７３から離間する。

スパッタガス導入装置７７は真空槽７１に接続され、内部にスパッタガスを導入できるように構成されている。また、真空槽７１には真空排気装置７２が接続され、内部を真空排気できるように構成されている。

この第二例の成膜装置１０’を用いた成膜方法を説明する。
図９を参照し、上述の第一の保護膜成膜工程と同様にして、第一の成膜室１３ａ〜１３ｅで第一の保護膜６を成膜する。このとき処理対象物１の第二の電極層５の電極引き出し部を第一のマスク板９の遮蔽部で覆った状態で成膜するので、第二の電極層５の成膜部に密着して第一の保護膜６が成膜されるが、第二の電極層５の電極引き出し部には第一の保護膜６は成膜されない。

第一の成膜工程を終了した後、第一例の成膜方法と同様に、処理対象物１を第一の成膜室１３ａ〜１３ｅから搬出して、搬入出室１６に搬入し、第一の搬送室１２と搬入出室１６との間の真空バルブを閉じて、搬入出室１６内を大気圧にする。

搬入出室１６内に収納された一乃至複数枚の処理対象物１を、第二のマスク板３１を取り付けずに、第二の搬送ロボット９１により、第二の成膜室２４ａ、２４ｂに搬入する。すなわち、第一例の成膜方法とは異なり、第二のマスク板取付工程を行わない。
次いで、上述の第二の保護膜成膜工程と同様にして、第二の成膜室２４ａ、２４ｂで第二の保護膜７を成膜する。

第二の電極層５の電極引き出し部分は第二のマスク板３１の遮蔽部で覆われておらず、第二の保護膜７は第一の保護膜６と、第二の電極層５の電極引き出し部の両方に密着して成膜される。
第二の成膜工程を終了した後、処理対象物１を第二の成膜室２４ａ、２４ｂから搬出して待機室２８に搬入する。

次いで第二の搬送室２３と待機室２８との間の真空バルブを閉じて、待機室２８内を真空排気し、真空雰囲気にする。
後述するようにエッチング室２９内を予め真空雰囲気においておく。待機室２８とエッチング室２８との間の真空バルブを開いて、処理対象物１をエッチング室２９に搬入する。

図１０を参照し、エッチング室２９での第二の保護膜除去方法を説明する。
真空排気装置７２により真空槽７１内を真空排気し、以後真空排気を継続して、真空槽７１内の真空雰囲気を維持する。

マスク保持部７９には第三のマスク板７３が予め取り付けられている。基板ステージ７６を下降させて、第三のマスク板７３から離間させておく。
処理対象物１を真空槽７１内に搬入し、第二の保護膜７が上方を向く向きで基板ステージ７６上に載置する。

不図示の位置合わせ手段により基板ステージ７６を処理対象物１と一緒に水平方向に移動させ、かつ鉛直な回転軸線の周りに回転させて、第三のマスク板７３の遮蔽部が第二の保護膜７のうち第一の保護膜６と重なる範囲を覆い、第二の保護膜７のうち第二の電極層５の電極引き出し部と重なる範囲が第三のマスク板７３の開口部から露出するように位置合わせする。

位置合わせ手段は、第三のマスク板７３を水平方向に移動させ、かつ鉛直な回転軸線の周りに回転させて静止した処理対象物１に対して位置合わせするように構成してもよい。

処理対象物１と第三のマスク板７３とが位置合わせされた状態で、ステージ昇降装置７５により基板ステージ７６を処理対象物１と一緒に上昇させ、処理対象物１の表面を第三のマスク板７３の裏面と接触させる。
スパッタガス導入装置７７からスパッタガスとしてＡｒガスを真空槽７１内に放出させる。

高周波電源７８から基板ステージ７６に高周波電圧を印加すると、Ａｒガスはプラズマ化して、Ａｒイオンが処理対象物１の第二の保護膜７のうち第三のマスク板７３の開口部から露出する範囲に入射し、第二の保護膜７をエッチングする。

第二の保護膜７がエッチングされると、第二の電極層５の電極引き出し部分が露出する。第二の保護膜７のうち第一の保護膜６と重なる範囲は第三のマスク板７３の遮蔽部で覆われているので、エッチングされず、第一の保護膜６は露出しない。
第二の電極層５の電極引き出し部分を露出させた後、高周波電圧の印加を停止し、スパッタガスの導入を停止する。

ステージ昇降装置７５により基板ステージ７６を下降させて、処理対象部１を第三のマスク板７３から離間させる。
真空槽７１内の真空雰囲気を維持しながら、処理対象物１を真空槽７１から搬出する。

図９を参照し、エッチング室２９と待機室２８との間の真空バルブを閉じた後、待機室２８内に不活性ガスを流して大気圧にする。待機室２８と後工程室２７との間の真空バルブを開いて、処理対象物１を待機室２８から後工程室２７に搬送する。

ポリイミドフィルム（ここではカプトン（登録商標）のフィルム）に密着してＰＥＣＶＤ法によりＳｉＮ膜を１μｍの厚みで成膜した後、ＳｉＮ膜に密着してＡＬＤ法によりＡｌ₂Ｏ₃膜を１００ｎｍの厚みで成膜して、第一の試料を作成した。

また別のフィルムに密着してＰＥＣＶＤ法によりＳｉＮ膜を１μｍの厚みで成膜した後、ＳｉＮ膜に密着してＡＬＤ法によりＡｌ₂Ｏ₃膜を５０ｎｍの厚みで成膜して、第二の試料を作成した。

また別のフィルムに密着してＰＥＣＶＤ法によりＳｉＮ膜を２μｍの厚みで成膜した後、ＳｉＮ膜に密着してＡＬＤ法によりＡｌ₂Ｏ₃膜を１００ｎｍの厚みで成膜して、第三の試料を作成した。

また別のフィルムに密着してＰＥＣＶＤ法によりＳｉＮ膜を２μｍの厚みで成膜した後、ＳｉＮ膜に密着してＡＬＤ法によりＡｌ₂Ｏ₃膜を５０ｎｍの厚みで成膜して、第四の試料を作成した。

また別のフィルムに密着してＰＥＣＶＤ法によりＳｉＮ膜を１μｍの厚みで成膜した後、一度この処理対象物を外気に曝し、次いでＳｉＮ膜に密着してＡＬＤ法によりＡｌ₂Ｏ₃膜を１００ｎｍの厚みで成膜して、第五の試料を作成した。

また別のフィルムに密着してＰＥＣＶＤ法によりＳｉＮ膜を１μｍの厚みで成膜して、比較試料を作成した。
第一〜第五の試料と比較試料について、赤外センサ法（モコン法）により水蒸気透過度（ｇ／ｍ²／ｄａｙ）を測定した。水蒸気透過度は、ＪＩＳ Ｋ７１２９：２００８に規定され、赤外センサ法は、ＪＩＳ Ｋ７１２９：２００８ 附属書Ｂに規定されている。

測定結果を表１にまとめて示す。

第一〜第五の試料の測定結果と、比較試料の測定結果とを較べると、ＡＬＤ法によりＳｉＮの薄膜に密着してＡｌ₂Ｏ₃の薄膜を積層することで水蒸気透過度が低減すること、すなわち水分遮断性能が向上することが認められる。

さらに、第一の試料の測定結果と第五の試料の測定結果とを較べると、ＳｉＮ膜の成膜とＡｌ₂Ｏ₃膜の成膜を途中で大気に曝さずに真空一貫処理にすることで、途中で大気に曝す場合よりも水分遮断性能が向上することが認められる。

１……処理対象物
２……基板
３……第一の電極層
４……有機層
５……第二の電極層
６……第一の保護膜
７……第二の保護膜
１０……成膜装置
１３ａ〜１３ｅ……第一の成膜室
２４ａ、２４ｂ……第二の成膜室
８１……第二の成膜室の真空槽
８２……基板保持部
８３……原料ガス放出部
８４……反応ガス放出部
８５……第二の成膜室の真空排気部
８６……加熱装置

本発明の成膜装置１０は、複数の第一の成膜室１３ａ〜１３ｅと、一乃至複数の第二の成膜室２４ａ、２４ｂとを有している。ここでは二つの第二の成膜室２４ａ、２４ｂを有してる。
第一の膜成膜室１３ａ〜１３ｅは第一の搬送室１２に接続され、第二の成膜室２４ａ、２４ｂは第二の搬送室２３に接続されている。

原料ガス源４３はシャワーヘッド４７に接続され、放出空間４４に原料ガスを放出できるように構成されている。原料ガス源４３から複数種類の原料ガスを放出させると、原料ガスは放出空間４４で互いに混合し、放出孔５１から真空槽４１内に放出されるようになっている。

基板保持空間９５の厚みは後述する磁石板３２と処理対象物１と第二のマスク板３１とが積層されて構成された成膜対象物１’の厚みより大きく形成され、内部で成膜対象物１’を水平に保持できるように構成されている。

基板保持部８２の構造は、放出孔９０から放出されたガスが基板保持空間９５に流入するときに隣り合う二つの基板保持空間９５の間が遮断されているならば、隣り合う二つの基板保持空間９５が隔壁により遮断されている構成に限定されず、図６（ａ）に示すように、隣り合う二つの基板保持空間９５の間の隔壁に第二のマスク板３１の外周よりも小さい孔が設けられていて、各基板保持空間９５に成膜対象物１’を配置する前は、隣り合う二つの基板保持空間９５が孔を通って接続されていてもよい。

この場合、各基板保持空間９５に成膜対象物１’を配置すると、第二のマスク板３１が孔を覆って、隣り合う二つの基板保持空間９５の間が遮断されるようになっている。
基板保持部８２の構造は、成膜対象物１’を水平にした状態で鉛直方向に重ねて保持できるならば上記構成に限定されず、図６（ｂ）に示すように基板保持空間９５が互いに接続され、すなわち同一の空間に複数の成膜対象物１’が配置されてもよい。

図８を参照し、第二の搬送ロボット９１により、下方空間２５ｂに残された磁石板３２を上方空間２５ａの棚９２’に収納する。
使用済みの第二のマスク板３１と磁石板３２とが収納された棚９２’を取出室２５から磁石マスク排出室２６に搬出して、クリーニング工程に回す。

ステージ昇降装置６５により基板ステージ６６を下降させて、処理対象物１を第一のマスク板９から離間させる。
真空槽６１内の真空雰囲気を維持しながら、処理対象物１を真空槽６１から搬出する。

次いで第二の搬送室２３と待機室２８との間の真空バルブを閉じて、待機室２８内を真空排気し、真空雰囲気にする。
後述するようにエッチング室２９内を予め真空雰囲気においておく。待機室２８とエッチング室２９との間の真空バルブを開いて、処理対象物１をエッチング室２９に搬入する。

Claims (7)

1. 基板上に第一の電極層と有機層と第二の電極層とが順に積層された処理対象物の前記第二の電極層上に保護膜を成膜する有機ＥＬ素子の製造方法であって、
   前記第二の電極層に密着して化学構造中にＳｉを含有する無機物からなる第一の保護膜を成膜する第一の保護膜成膜工程と、
   前記第一の保護膜に密着してＡＬＤ法によりＡｌ₂Ｏ₃からなる第二の保護膜を成膜する第二の保護膜成膜工程と、
   を有する有機ＥＬ素子の製造方法。
2. 前記第一の保護膜成膜工程では、ＰＥＣＶＤ法又はスパッタ法のうちいずれか一方の成膜方法により前記第一の保護膜を成膜する請求項１記載の有機ＥＬ素子の製造方法。
3. 前記第一の保護膜は、ＳｉＮと、ＳｉＯＮと、ＳｉＯとからなる群のうちいずれか一種類の無機物からなる請求項１又は請求項２のいずれか１項記載の有機ＥＬ素子の製造方法。
4. 前記第二の保護膜成膜工程では、前記第二の保護膜を１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下の厚みで成膜する請求項１乃至請求項３のいずれか１項記載の有機ＥＬ素子の製造方法。
5. 前記第二の電極層に密着して前記第一の保護膜の成膜を始めるときから、前記第一の保護膜に密着して前記第二の保護膜の成膜を終えるまでの間は、前記処理対象物を外気に曝さない請求項１乃至請求項４のいずれか１項記載の有機ＥＬ素子の製造方法。
6. 請求項１乃至請求項５のいずれか１項記載の有機ＥＬ素子の製造方法に用いる成膜装置であって、
   前記第一の保護膜を成膜できるように構成された第一の成膜室と、
   前記第二の保護膜を成膜できるように構成された第二の成膜室と、
   を有し、
   前記第二の保護膜成膜室は、
   真空槽と、
   前記真空槽内に配置され、前記処理対象物を保持する基板保持部と、
   前記真空槽内に前記原料ガスを放出する原料ガス放出部と、
   前記真空槽内に前記反応ガスを放出する反応ガス放出部と、
   前記真空槽内を真空排気する真空排気部と、
   前記基板保持部に保持された前記処理対象物を加熱する加熱装置とを有し、
   前記基板保持部は前記処理対象物を水平にした状態で鉛直方向に沿って複数枚重ねて保持するように構成された成膜装置。
7. 請求項１乃至請求項５のいずれか１項記載の有機ＥＬ素子の製造方法により製造された有機ＥＬ素子。

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