CN104752633A - 一种薄膜封装方法 - Google Patents
一种薄膜封装方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN104752633A CN104752633A CN201310753312.5A CN201310753312A CN104752633A CN 104752633 A CN104752633 A CN 104752633A CN 201310753312 A CN201310753312 A CN 201310753312A CN 104752633 A CN104752633 A CN 104752633A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- deposition
- functional layer
- layer
- pecvd
- inorganic functional
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 90
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 title abstract 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 57
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 claims abstract description 34
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 claims abstract description 31
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 47
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 26
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 11
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 22
- 239000010408 film Substances 0.000 description 20
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 6
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 6
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 3
- UQEAIHBTYFGYIE-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisiloxane Chemical compound C[Si](C)(C)O[Si](C)(C)C UQEAIHBTYFGYIE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920006280 packaging film Polymers 0.000 description 2
- 239000012785 packaging film Substances 0.000 description 2
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241001515806 Stictis Species 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 1
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 1
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/513—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using plasma jets
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
- H10K50/8445—Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
本发明涉及一种薄膜封装方法,包括如下步骤:通过PECVD方法沉积有机功能层;通过PECVD方法沉积无机功能层;通过ALD方法沉积无机功能层;沉积包括若干有机功能层和若干无机功能层结构的薄膜。该方法同时采用PECVD方法和ALD方法,使本发明兼具PECVD方法可快速沉积的优势以及ALD方法可沉积高质量薄膜的优势,实现了快速沉积较高质量的薄膜。
Description
技术领域
本发明涉及器件的封装方法,具体涉及一种薄膜封装方法。
背景技术
电子器件尤其是有机电子器件对空气中的水汽和氧气特别敏感,因此需要对有机器件进行封装以保证器件的性能和使用寿命。目前柔性有机电子器件封装主要方法,是直接在器件表面制作阻挡水氧渗透性能优异的柔性薄膜结构。由于柔性的聚合物膜阻挡水氧渗透能力非常有限,而致密无针孔的无机膜阻挡水氧能力虽较高但达到一定厚度时则表现为刚性结构且易碎裂,因而目前国际上绝大多数的柔性封装研究都是基于有机/无机多层膜交替复合结构的BarixTM封装技术开展的。实现有机/无机交替结构的主要方法有:(1)PECVD方法,如中科院苏州纳米所采用PECVD方法,通过改变沉积过程中工艺气体组分,从而沉积无明显界面的有机/无机交替结构;(2)ALD方法,如BENEQ公司采用ALD方法沉积Al2O3/ZrO2多层膜,实现有机电子器件的封装。上述两种方法中,PECVD的方法薄膜沉积速度较快,但由于PECVD方法基于岛状生长,岛边界等处就会存在缺陷,因此沉积的无机薄膜的质量相对较差;ALD的方法基于原子层式生长,生长无缺陷,虽能沉积高质量的无机薄膜,但沉积速度太慢,一般不超过2nm/min,且ALD方法制备的Al2O3/ZrO2等多层膜由于Al2O3和ZrO2都是无机薄膜,厚度一定时就呈现出刚性,所以严格意义上不属于柔性封装。因此,需要一种PECVD设备,可以高效、高质量、柔性薄膜封装成为制约有机电子器件发展的最主要瓶颈。
发明内容
为了解决以上技术问题,本发明提供一种薄膜封装方法,该方法同时采用PECVD方法和ALD方法,使本发明兼具PECVD方法可快速沉积的优势以及ALD方法可沉积高质量薄膜的优势,实现了快速沉积较高质量的薄膜。
本发明通过以下技术方案实现:
一种薄膜封装方法,包括如下步骤:
通过PECVD方法沉积有机功能层;
通过PECVD方法沉积无机功能层;
通过ALD方法沉积无机功能层;
沉积包括若干有机功能层和若干无机功能层结构的薄膜。
在上述技术方案中,所述通过PECVD方法沉积有机功能层所用等离子材料为SiOxCyHz。
在上述技术方案中,所述通过PECVD方法沉积的有机功能层每层的厚度为50-2000nm。
在上述技术方案中,所述通过PECVD方法沉积无机功能层所用的等离子材料为SiOx、SiNx或SiOxNy
在上述技术方案中,所述通过PECVD方法沉积无机功能层每层的厚度为20-500nm。
在上述技术方案中,所述通过ALD方法沉积无机功能层所用等离子材料为Al2O3、TiO2或ZrO2。
在上述技术方案中,所述通过ALD方法沉积无机功能层每层的厚度为5-200nm。
本发明通过PECVD工艺气体输入部分进行快速沉积薄膜的功能层,由于PECVD方法通过岛状沉积模式形成功能层,岛边界等处容易存在缺陷,而使用ALD工艺气体输入部分进行原子层式生长,可填补岛状沉积中各岛边缘的凹陷,弥补岛状沉积的缺陷,实现了快速沉积较高质量薄膜。
附图说明
图1为本发明实施例提供的薄膜封装方法的工艺流程图。
图2为本发明实施例提供的薄膜封装方法使用的装置示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明的技术方案进行详细描述。
参见图1和图2,一种薄膜封装方法,包括如下步骤:通过PECVD方法沉积有机功能层;通过PECVD方法沉积有机功能层所用等离子材料为SiOxCyHz,沉积的有机功能层厚度为300nm。通过PECVD方法沉积无机功能层;通过PECVD方法沉积无机功能层所用的等离子材料为SiOx,每层无机层的厚度为60nm。具体操作方法为:通过薄膜封装设备的前驱体输入气路1输入HMDSO、辅助气体的输入气路4输入Ar气体,在基片台6放置的基片上沉积有机功能层;之后,前驱体输入气路继续输入HMDSO、反应气体输入气路2输入反应气体O2,辅助气体输入气路4继续输入Ar气体,沉积无机功能层;通过调节PECVD沉积过程中前驱体和反应气体的比例,分别根据需要沉积无机功能层和有机功能层,沉积无机功能层使用的等离子体为SiOx,通过调节与沉积腔室9连接的ICP等离子体电源5发射SiOxCyHz、SiOx等离子体,沉积有机功能层使用的等离子体为SiOxCyHz(具体操作方式及原理参见A.Bieder,A.Gruniger,Ph.Rudolf vonRohr,Surface&Coatings Technology,200,928-931,2005.)。
通过ALD方法沉积无机功能层;通过ALD方法沉积无机功能层所用等离子材料为Al2O3,每层ALD方法沉积的无机功能层的厚度为30nm。具体操作方法为:通过前驱体输入气路1输入TMA,反应气体输入气路2输入反应气体O2,周期性交替输入TMA和O2,借助吹扫气体输入气路3将基片上未反应完全的前驱体、反应气体或反应副产物吹掉(具体操作方式及原理参见《工业化Al2O3沉积技术在硅太阳能电池表面钝化中的应用研究》,选自第十期印刷版《Photovoltaics International》,p36-41);
再通过PECVD方法沉积无机功能层,所用的等离子材料为SiOx,沉积的厚度为60nm。操作方法与前述PECVD方法沉积无机功能层的步骤相同。
基片台6通过电源7提供热量,加热的温度为100℃。整个沉积过程维持沉积腔室9的真空环境,通过与沉积腔室9连接的真空泵8抽真空。
对以上所述的薄膜封装系统制备的有机层/无机层/ALD高质量无机层/无机层沉积交替封装结构交替结构的封装薄膜的质量进行测试,测量封装薄膜的水氧渗透率,经过等离子体处理的平均水氧渗透率2.21mg/cm2·day;
本发明通过首次将PECVD方法与ALD方法结合,通过PECVD方法进行快速沉积薄膜的功能层,由于PECVD方法通过岛状沉积模式形成功能层,岛边界等处容易存在缺陷,而使用ALD方法进行原子层式生长,可填补岛状沉积中各岛边缘的凹陷,弥补岛状沉积的缺陷;由于该方法吸取了两种方法的优势,因此实现了快速沉积较高质量的薄膜。
最后所应说明的是,以上实施例仅用以说明本材料的技术实施方案而非限制,尽管参照较佳实施例对本发明进行了详细说明,本领域的普通技术人员应当理解,可以对本发明的技术方案进行修改或者等同替换,而不脱离本发明技术方案的精神和范围,其均应涵盖在本发明的权利要求范围当中。
Claims (7)
1.一种薄膜封装方法,其特征在于:包括如下步骤:
通过PECVD方法沉积有机功能层;
通过PECVD方法沉积无机功能层;
通过ALD方法沉积无机功能层;
沉积包括若干有机功能层和若干无机功能层结构的薄膜。
2.如权利要求1所述的薄膜封装方法,其特征在于,所述通过PECVD方法沉积有机功能层所用等离子材料为SiOxCyHz。
3.如权利要求1所述的薄膜封装方法,其特征在于,所述通过PECVD方法沉积的有机功能层每层的厚度为50-2000nm。
4.如权利要求1所述的薄膜封装方法,其特征在于,所述通过PECVD方法沉积无机功能层所用的等离子材料为SiOx、SiNx或SiOxNy。
5.如权利要求1所述的薄膜封装方法,其特征在于,所述通过PECVD方法沉积无机功能层每层的厚度为20-500nm。
6.如权利要求1所述的薄膜封装方法,其特征在于,所述通过ALD方法沉积无机功能层所用等离子材料为Al2O3、TiO2或ZrO2。
7.如权利要求1所述的薄膜封装方法,其特征在于,所述通过ALD方法沉积无机功能层每层的厚度为5-200nm。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201310753312.5A CN104752633A (zh) | 2013-12-31 | 2013-12-31 | 一种薄膜封装方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201310753312.5A CN104752633A (zh) | 2013-12-31 | 2013-12-31 | 一种薄膜封装方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN104752633A true CN104752633A (zh) | 2015-07-01 |
Family
ID=53591998
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201310753312.5A Pending CN104752633A (zh) | 2013-12-31 | 2013-12-31 | 一种薄膜封装方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN104752633A (zh) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105679964A (zh) * | 2016-03-28 | 2016-06-15 | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 | 有机电致发光器件的封装结构及方法 |
CN106058071A (zh) * | 2016-07-01 | 2016-10-26 | 沈阳拓荆科技有限公司 | Oled器件的阻挡层结构及其制备方法 |
CN106784368A (zh) * | 2016-12-23 | 2017-05-31 | Tcl集团股份有限公司 | 一种显示面板封装结构、显示装置及制作方法 |
CN109786488A (zh) * | 2019-01-14 | 2019-05-21 | 江苏林洋光伏科技有限公司 | 一种具有阻水阻中远红外光功能柔性光伏组件封装前板 |
CN110797332A (zh) * | 2019-11-07 | 2020-02-14 | 苏州晶台光电有限公司 | Smd led封装防潮性提升的方法 |
Citations (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1161386A (zh) * | 1996-01-30 | 1997-10-08 | 贝克顿迪金森公司 | 用于等离子体处理的设备和方法 |
CN1552943A (zh) * | 2002-08-07 | 2004-12-08 | Ф�ء�����˹��˾ | 生产多层隔离层的快速方法 |
CN1677625A (zh) * | 2004-03-31 | 2005-10-05 | 半导体工程研究所股份有限公司 | 沉积方法与半导体器件 |
CN1754979A (zh) * | 2004-09-27 | 2006-04-05 | 乐金电子(天津)电器有限公司 | 利用等离子体的金属的耐腐蚀处理方法 |
CN101135048A (zh) * | 2006-08-30 | 2008-03-05 | 财团法人工业技术研究院 | 等离子体镀膜装置及其镀膜方法 |
CN101153380A (zh) * | 2006-09-27 | 2008-04-02 | 宝山钢铁股份有限公司 | 有机预涂金属板上SiOx镀层的真空制备方法 |
CN101198722A (zh) * | 2005-06-16 | 2008-06-11 | 创新系统技术公司 | 通过等离子体在至少一个侧面形成薄涂层的聚合物制品及其生产方法 |
CN101522941A (zh) * | 2006-07-12 | 2009-09-02 | 拉尔夫·斯坦 | 在中空主体的内壁上进行等离子辅助化学气相沉积的方法与装置 |
CN101678390A (zh) * | 2007-05-01 | 2010-03-24 | 埃克阿泰克有限责任公司 | 一种为涂层提供均匀的耐候性的方法 |
CN101697343A (zh) * | 2009-10-27 | 2010-04-21 | 苏州纳科显示技术有限公司 | 一种薄膜封装方法 |
CN102113120A (zh) * | 2008-08-04 | 2011-06-29 | 普林斯顿大学理事会 | 用于薄膜晶体管的杂化的介电材料 |
TW201230428A (en) * | 2010-09-22 | 2012-07-16 | Ulvac Inc | Method for manufacturing organic EL device, apparatus for forming a thin film, and organic EL device |
US20130009264A1 (en) * | 2010-02-18 | 2013-01-10 | U.S. Department Of Energy | Moisture barrier |
CN103258955A (zh) * | 2012-02-20 | 2013-08-21 | 中国科学院微电子研究所 | 有机电子器件的封装方法 |
-
2013
- 2013-12-31 CN CN201310753312.5A patent/CN104752633A/zh active Pending
Patent Citations (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1161386A (zh) * | 1996-01-30 | 1997-10-08 | 贝克顿迪金森公司 | 用于等离子体处理的设备和方法 |
CN1552943A (zh) * | 2002-08-07 | 2004-12-08 | Ф�ء�����˹��˾ | 生产多层隔离层的快速方法 |
CN1677625A (zh) * | 2004-03-31 | 2005-10-05 | 半导体工程研究所股份有限公司 | 沉积方法与半导体器件 |
CN1754979A (zh) * | 2004-09-27 | 2006-04-05 | 乐金电子(天津)电器有限公司 | 利用等离子体的金属的耐腐蚀处理方法 |
CN101198722A (zh) * | 2005-06-16 | 2008-06-11 | 创新系统技术公司 | 通过等离子体在至少一个侧面形成薄涂层的聚合物制品及其生产方法 |
CN101522941A (zh) * | 2006-07-12 | 2009-09-02 | 拉尔夫·斯坦 | 在中空主体的内壁上进行等离子辅助化学气相沉积的方法与装置 |
CN101135048A (zh) * | 2006-08-30 | 2008-03-05 | 财团法人工业技术研究院 | 等离子体镀膜装置及其镀膜方法 |
CN101153380A (zh) * | 2006-09-27 | 2008-04-02 | 宝山钢铁股份有限公司 | 有机预涂金属板上SiOx镀层的真空制备方法 |
CN101678390A (zh) * | 2007-05-01 | 2010-03-24 | 埃克阿泰克有限责任公司 | 一种为涂层提供均匀的耐候性的方法 |
CN102113120A (zh) * | 2008-08-04 | 2011-06-29 | 普林斯顿大学理事会 | 用于薄膜晶体管的杂化的介电材料 |
CN101697343A (zh) * | 2009-10-27 | 2010-04-21 | 苏州纳科显示技术有限公司 | 一种薄膜封装方法 |
US20130009264A1 (en) * | 2010-02-18 | 2013-01-10 | U.S. Department Of Energy | Moisture barrier |
TW201230428A (en) * | 2010-09-22 | 2012-07-16 | Ulvac Inc | Method for manufacturing organic EL device, apparatus for forming a thin film, and organic EL device |
CN103258955A (zh) * | 2012-02-20 | 2013-08-21 | 中国科学院微电子研究所 | 有机电子器件的封装方法 |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105679964A (zh) * | 2016-03-28 | 2016-06-15 | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 | 有机电致发光器件的封装结构及方法 |
CN106058071A (zh) * | 2016-07-01 | 2016-10-26 | 沈阳拓荆科技有限公司 | Oled器件的阻挡层结构及其制备方法 |
CN106784368A (zh) * | 2016-12-23 | 2017-05-31 | Tcl集团股份有限公司 | 一种显示面板封装结构、显示装置及制作方法 |
CN106784368B (zh) * | 2016-12-23 | 2019-07-09 | Tcl集团股份有限公司 | 一种显示面板封装结构、显示装置及制作方法 |
CN109786488A (zh) * | 2019-01-14 | 2019-05-21 | 江苏林洋光伏科技有限公司 | 一种具有阻水阻中远红外光功能柔性光伏组件封装前板 |
CN109786488B (zh) * | 2019-01-14 | 2022-03-15 | 江苏林洋光伏科技有限公司 | 一种具有阻水阻中远红外光功能柔性光伏组件封装前板 |
CN110797332A (zh) * | 2019-11-07 | 2020-02-14 | 苏州晶台光电有限公司 | Smd led封装防潮性提升的方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN104752633A (zh) | 一种薄膜封装方法 | |
CN103258955B (zh) | 有机电子器件的封装方法 | |
CN101697343B (zh) | 一种薄膜封装方法 | |
EP3014675A1 (en) | Method for deposition of high-performance coatings and encapsulated electronic devices | |
KR102197243B1 (ko) | 적층체 및 가스 배리어 필름 | |
TW200737304A (en) | Technique and apparatus for deposition layers of semiconductors for solar cell and module fabrication | |
Muñoz-Rojas et al. | Spatial atomic layer deposition | |
MY159272A (en) | Silicon thin film solar cell having improved haze and methods of making the same | |
CN106848092B (zh) | 有机发光二极管装置及其制作方法 | |
WO2013190387A3 (en) | Nanocrystalline zinc oxide for photovoltaic modules and hydrogen treatment method | |
WO2012170166A3 (en) | Method and system for inline chemical vapor deposition | |
CN104532210A (zh) | 一种原子层沉积设备和应用 | |
KR20140136437A (ko) | 플라즈마 cvd법에 의하여 형성된 화학 증착막 | |
CN109148613A (zh) | 一种抗pid双面perc太阳电池的制备方法 | |
CN103641063A (zh) | 一种制备图形化多孔硅结构的方法 | |
CN203659835U (zh) | 一种薄膜封装系统 | |
CN207441751U (zh) | 一种同质结钙钛矿薄膜太阳能电池 | |
JP5849086B2 (ja) | 多層膜を加工する方法 | |
CN105297072A (zh) | 一种含硒的ZnO光阳极及其制备方法和应用 | |
JP5861376B2 (ja) | ガスバリア性フィルム、ガスバリア性フィルムの製造方法、及びガスバリア性フィルムを有する電子デバイス | |
CN203653697U (zh) | 一种pecvd系统 | |
CN104746036B (zh) | 一种薄膜封装方法 | |
CN110085764B (zh) | 一种可拉伸有机光电器件的薄膜封装方法 | |
CN203445127U (zh) | 显示面板及显示装置 | |
US10008689B2 (en) | Display panel, display device and method of manufacturing display panel |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20150701 |
|
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |