JP2014063179A5 - - Google Patents
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前記画素と電気的に接続されたソース配線と、
前記画素と電気的に接続されたゲート配線と、
前記ソース配線側の接続端子部と、を有し、
前記接続端子部は、第1の導電層を有し、
前記接続端子部は、前記第1の導電層上方の第1の絶縁層を有し、
前記接続端子部は、前記第1の絶縁層上方の第1の半導体層有し、
前記接続端子部は、前記第1の半導体層上方の第2の半導体層を有し、
前記接続端子部は、前記第2の半導体層上方の第2の導電層を有し、
前記接続端子部は、前記第2の導電層上方の第2の絶縁層を有し、
前記接続端子部は、前記第2の絶縁層上方の第3の導電層を有し、
前記第2の絶縁層は、前記第1の半導体層の上面の少なくとも一部と接する領域を有し、
前記第1の導電層は、前記第3の導電層の少なくとも一部と接する領域を有し、
前記第2の導電層は、前記第3の導電層の少なくとも一部と接する領域を有し、
前記第3の導電層は、前記第2の絶縁層の側面の少なくとも一部と接する領域を有することを特徴とする表示装置。 - 画素と、
前記画素と電気的に接続されたソース配線と、
前記画素と電気的に接続されたゲート配線と、
前記ソース配線側の接続端子部と、を有し、
前記接続端子部は、第1の導電層を有し、
前記接続端子部は、前記第1の導電層上方の第1の絶縁層を有し、
前記接続端子部は、前記第1の絶縁層上方の第1の半導体層有し、
前記接続端子部は、前記第1の半導体層上方の第2の半導体層を有し、
前記接続端子部は、前記第2の半導体層上方の第2の導電層を有し、
前記接続端子部は、前記第2の導電層上方の第2の絶縁層を有し、
前記接続端子部は、前記第2の絶縁層上方の第3の導電層を有し、
前記第1の半導体層は、第1の膜厚であって且つ前記第2の半導体層と重なる領域を有し、
前記第1の半導体層は、第2の膜厚であって且つ前記第2の半導体層と重ならない領域を有し、
前記第1の膜厚は、前記第2の膜厚よりも大きく、
前記第1の導電層は、前記第3の導電層の少なくとも一部と接する領域を有し、
前記第2の導電層は、前記第3の導電層の少なくとも一部と接する領域を有し、
前記第3の導電層は、前記第2の絶縁層の側面の少なくとも一部と接する領域を有することを特徴とする表示装置。 - 画素と、
前記画素と電気的に接続されたソース配線と、
前記画素と電気的に接続されたゲート配線と、
前記ソース配線側の接続端子部と、を有し、
前記接続端子部は、第1の導電層を有し、
前記接続端子部は、前記第1の導電層上方の第1の絶縁層を有し、
前記接続端子部は、前記第1の絶縁層上方の第1の半導体層有し、
前記接続端子部は、前記第1の半導体層上方の第2の半導体層を有し、
前記接続端子部は、前記第2の半導体層上方の第2の導電層を有し、
前記接続端子部は、前記第2の導電層上方の第2の絶縁層を有し、
前記接続端子部は、前記第2の絶縁層上方の第3の導電層を有し、
前記第2の絶縁層は、前記第2の半導体層を介さずに前記第1の半導体層と重なる領域を有し、
前記第1の導電層は、前記第3の導電層の少なくとも一部と接する領域を有し、
前記第2の導電層は、前記第3の導電層の少なくとも一部と接する領域を有し、
前記第3の導電層は、前記第2の絶縁層の側面の少なくとも一部と接する領域を有することを特徴とする表示装置。 - 請求項1乃至請求項3のいずれか一項において、
前記第2の導電層の全領域が前記第2の半導体層と接することを特徴とする表示装置。 - 請求項1乃至請求項4のいずれか一項において、
前記第2の絶縁層は、前記第1の半導体層の側面の少なくとも一部と接する領域を有し、
前記第2の絶縁層は、前記第1の半導体層の上面の少なくとも一部と接する領域を有し、
前記第2の絶縁層は、前記第2の半導体層の側面の少なくとも一部と接する領域を有することを特徴とする表示装置。 - 請求項1乃至請求項5のいずれか一項において、
前記画素は、トランジスタを有し、
前記画素は、画素電極を有し、
前記第1の導電層は、前記トランジスタのゲート電極と同層であり、
前記第1の半導体層は、前記トランジスタのチャネル形成領域を有する半導体層と同層であり、
前記第2の半導体層は、前記トランジスタのソース領域又はドレイン領域を有する半導体層と同層であり、
前記第2の導電層は、前記トランジスタのソース電極又はドレイン電極と同層であり、
前記第3の導電層は、前記画素電極と同層であることを特徴とする表示装置。
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