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  1. 第１の半導体と、第２の半導体と、第１の導電層と、第２の導電層と、第３の導電層と、第４の導電層と、第５の導電層と、第６の導電層と、第７の導電層と、第８の導電層と、第９の導電層と、ＥＬ層と、を有し、
    前記第１の半導体は、第１のトランジスタのチャネル形成領域を有し、
    前記第２の半導体は、第２のトランジスタのチャネル形成領域を有し、
    前記第１の導電層は、第１の配線として機能する領域を有し、
    前記第２の導電層は、前記第１のトランジスタのゲート電極として機能する領域を有し、
    前記第２の導電層は、前記第１の導電層と異なる層であり、
    前記第２の導電層は、前記第１の導電層と電気的に接続され、
    前記第３の導電層は、前記第２のトランジスタのゲート電極として機能する領域を有し、
    前記第３の導電層は、前記第１の導電層と異なる層であり、
    前記第４の導電層は、第２の配線として機能する領域を有し、
    前記第４の導電層は、前記第１の半導体と電気的に接続され、
    前記第５の導電層は、前記第１の半導体と電気的に接続され、
    前記第５の導電層は、前記第３の導電層と電気的に接続され、
    前記第６の導電層は、第３の配線として機能する領域を有し、
    前記第６の導電層は、前記第２の半導体と電気的に接続され、
    前記第７の導電層は、前記第２の半導体と電気的に接続され、
    前記第８の導電層は、画素電極として機能する領域を有し、
    前記第８の導電層は、前記第７の導電層と電気的に接続され、
    前記第９の導電層は、陰極として機能する領域を有し、
    前記ＥＬ層は、前記第８の導電層と前記第９の導電層とに挟まれた領域を有することを特徴とする表示装置。
  2. 請求項１において、
    前記第９の導電層上方の窒素及び珪素を有する膜を有することを特徴とする表示装置。
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