JPH09288283A - アクティブマトリクス基板及びこれを用いた液晶表示装置 - Google Patents
アクティブマトリクス基板及びこれを用いた液晶表示装置Info
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- JPH09288283A JPH09288283A JP9026314A JP2631497A JPH09288283A JP H09288283 A JPH09288283 A JP H09288283A JP 9026314 A JP9026314 A JP 9026314A JP 2631497 A JP2631497 A JP 2631497A JP H09288283 A JPH09288283 A JP H09288283A
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- gate
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】走査線冗長性不良による断線や、酸化膜や信号
線の位置ずれによって発生する走査線−信号線交差部の
絶縁不良の問題を解決し、歩留りの高いＡＭＸ基板を提
供する。 【解決手段】ゲート電極１０と、該ゲート電極上に設け
たゲート絶縁膜４と、該ゲート絶縁膜上に設けた半導体
層５と、該半導体層上に対向させて設けたソース電極
９、ドレイン電極８とから成る薄膜トランジスタ１２
と、該ゲート電極と接続する走査線と、該ドレイン電極
あるいは該ソース電極のいずれか一方と接続する信号線
および他の一方と接続する画素電極７とから成るアクテ
イブマトリクス基板であって、該走査線を陽極化成の可
能な第一、第二の金属膜で構成し、該ゲート電極を該第
一の金属膜で構成して、該走査線と該ゲート電極との層
構成を異ならせることで達成される。
線の位置ずれによって発生する走査線−信号線交差部の
絶縁不良の問題を解決し、歩留りの高いＡＭＸ基板を提
供する。 【解決手段】ゲート電極１０と、該ゲート電極上に設け
たゲート絶縁膜４と、該ゲート絶縁膜上に設けた半導体
層５と、該半導体層上に対向させて設けたソース電極
９、ドレイン電極８とから成る薄膜トランジスタ１２
と、該ゲート電極と接続する走査線と、該ドレイン電極
あるいは該ソース電極のいずれか一方と接続する信号線
および他の一方と接続する画素電極７とから成るアクテ
イブマトリクス基板であって、該走査線を陽極化成の可
能な第一、第二の金属膜で構成し、該ゲート電極を該第
一の金属膜で構成して、該走査線と該ゲート電極との層
構成を異ならせることで達成される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はアクティブマトリクス基
板及びこれを用いた液晶表示装置に係り、特に走査線−
信号線間短絡の防止に好適なアクティブマトリクス基板
及びこれを用いた液晶表示装置に関する。
板及びこれを用いた液晶表示装置に係り、特に走査線−
信号線間短絡の防止に好適なアクティブマトリクス基板
及びこれを用いた液晶表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】非品質シリコン薄膜トランジスタ（anor
phaous Sillicon Thin Firm Transistor）以下ａ−Ｓｉ
ＴＦＴと略す）をスイッチング素子として用いたアクテ
ィブマトリクス基板(Active Matrix以下ＡＭＸと略す）
は、クロストーク等の問題がないため各社で研究・開発
が活発に行れている。また、ＡＭＸ基板を用いた液晶デ
ィスプレイも、各社で製品化されている。従来このＡＭ
Ｘ基板は、特開昭６２−６５４６８号に記載のように図
４に（ａ）に示す構造を有していた。即ち、タンメル
（Ｔａ）から成る主走査線２とアルミ（Ａｌ）等タンメ
ル以外の金属膜から成る補助走査線３と、薄膜トランジ
スタ部１２と、アルミ（Ａｌ）やクロム（Ｃｒ）等の金
属膜から成る信号線と画素電極７により構成されてお
り、走査線−信号線交差部の主走査線３とゲート電極１
０上に陽極化成による酸化膜１１が形成されている。ま
た、走査線−信号線交差部の断面図は図３（ｂ）に示す
ように、表面が絶縁膜で形成されているガラス等の基盤
１上にＴａから成る主走査線３と、この上に陽極化成に
より形成された酸化膜１１と、この上に設けられたゲー
ト絶縁膜４とこの上に設けられた半導体層５と半導体層
上に設けられたＡｌやＣｒ等の金属膜から成る信号線６
により構成されていた。また、その創造方法は図５に示
すように、 （ａ）表面が絶縁物で形成された基板１上にＴａから成
る主走査線３とゲート電極１０を形成する工程。
phaous Sillicon Thin Firm Transistor）以下ａ−Ｓｉ
ＴＦＴと略す）をスイッチング素子として用いたアクテ
ィブマトリクス基板(Active Matrix以下ＡＭＸと略す）
は、クロストーク等の問題がないため各社で研究・開発
が活発に行れている。また、ＡＭＸ基板を用いた液晶デ
ィスプレイも、各社で製品化されている。従来このＡＭ
Ｘ基板は、特開昭６２−６５４６８号に記載のように図
４に（ａ）に示す構造を有していた。即ち、タンメル
（Ｔａ）から成る主走査線２とアルミ（Ａｌ）等タンメ
ル以外の金属膜から成る補助走査線３と、薄膜トランジ
スタ部１２と、アルミ（Ａｌ）やクロム（Ｃｒ）等の金
属膜から成る信号線と画素電極７により構成されてお
り、走査線−信号線交差部の主走査線３とゲート電極１
０上に陽極化成による酸化膜１１が形成されている。ま
た、走査線−信号線交差部の断面図は図３（ｂ）に示す
ように、表面が絶縁膜で形成されているガラス等の基盤
１上にＴａから成る主走査線３と、この上に陽極化成に
より形成された酸化膜１１と、この上に設けられたゲー
ト絶縁膜４とこの上に設けられた半導体層５と半導体層
上に設けられたＡｌやＣｒ等の金属膜から成る信号線６
により構成されていた。また、その創造方法は図５に示
すように、 （ａ）表面が絶縁物で形成された基板１上にＴａから成
る主走査線３とゲート電極１０を形成する工程。
【０００３】（ｂ）走査線−信号線交差部の主走査線３
とゲート電極１０上に陽極化成により酸化膜１１を設け
る工程。
とゲート電極１０上に陽極化成により酸化膜１１を設け
る工程。
【０００４】（ｃ）主走査線上の一部に補助走査線を設
ける工程。
ける工程。
【０００５】（ｄ）(ａ)〜(ｃ)上にゲート絶縁膜４，半
導体層５を設ける工程。
導体層５を設ける工程。
【０００６】（ｅ）(ｄ)上にＣｒやＡｌから成るソース
８・ドレイン電極８とドレイン電極８に接続する信号線
６を形成する工程。
８・ドレイン電極８とドレイン電極８に接続する信号線
６を形成する工程。
【０００７】（ｆ）(ｅ)で設けたソース電極９と接続す
る画素電極７を設ける工程。
る画素電極７を設ける工程。
【０００８】から成っていた。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術では、走
査線−信号線交差部の走査線の構造が金属膜一層である
ため、断線による冗長性が保たれていなかった。また、
陽極化成により部分的に酸化膜を形成しているため、信
号線や、酸化膜の位置ずれにより、走査線−信号線交差
部の絶縁層がゲート絶縁膜一層のみとなり、絶縁不足に
よる短絡発生の危険性が高かった。
査線−信号線交差部の走査線の構造が金属膜一層である
ため、断線による冗長性が保たれていなかった。また、
陽極化成により部分的に酸化膜を形成しているため、信
号線や、酸化膜の位置ずれにより、走査線−信号線交差
部の絶縁層がゲート絶縁膜一層のみとなり、絶縁不足に
よる短絡発生の危険性が高かった。
【００１０】本発明の目的は、上記従来技術にみられた
走査線冗長性不良による断線や、酸化膜や信号線の位置
ずれによって発生する走査線−信号線交差部の絶縁不良
の問題を解決し、歩留りの高いＡＭＸ基板を提供するこ
とにある。
走査線冗長性不良による断線や、酸化膜や信号線の位置
ずれによって発生する走査線−信号線交差部の絶縁不良
の問題を解決し、歩留りの高いＡＭＸ基板を提供するこ
とにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記目的は、ゲート電極
と、該ゲート電極上に設けたゲート絶縁膜と、該ゲート
絶縁膜上に設けた半導体層と、該半導体層上に対向させ
て設けたソース電極、ドレイン電極とから成る薄膜トラ
ンジスタと、該ゲート電極と接続する走査線と、該ドレ
イン電極あるいは該ソース電極のいずれか一方と接続す
る信号線および他の一方と接続する画素電極とから成る
アクテイブマトリクス基板であって、該走査線を陽極化
成の可能な第一、第二の金属膜で構成し、該ゲート電極
を該第一の金属膜で構成して、該走査線と該ゲート電極
との層構成を異ならせることで達成される。
と、該ゲート電極上に設けたゲート絶縁膜と、該ゲート
絶縁膜上に設けた半導体層と、該半導体層上に対向させ
て設けたソース電極、ドレイン電極とから成る薄膜トラ
ンジスタと、該ゲート電極と接続する走査線と、該ドレ
イン電極あるいは該ソース電極のいずれか一方と接続す
る信号線および他の一方と接続する画素電極とから成る
アクテイブマトリクス基板であって、該走査線を陽極化
成の可能な第一、第二の金属膜で構成し、該ゲート電極
を該第一の金属膜で構成して、該走査線と該ゲート電極
との層構成を異ならせることで達成される。
【００１２】もしくは、ゲート電極と、該ゲート電極上
に設けたゲート絶縁膜と、該ゲート絶縁膜上に設けた半
導体層と、該半導体層上に対向させて設けたソース電
極、ドレイン電極とから成る薄膜トランジスタと、該ゲ
ート電極と接続する走査線と、該ドレイン電極あるいは
該ソース電極のいずれか一方と接続する信号線および他
の一方と接続する画素電極とからなり、該走査線を陽極
化成の可能な第一、第二の金属膜で構成し、該ゲート電
極を該第一の金属膜で構成して、該走査線と該ゲート電
極との層構成を異ならせた第一の基板と、対向電極を有
し、該第一の基板に対向させて配置した第二の基板と、
該第一の基板と該第二の基板との間に充填された液晶材
料とを備えることで達成される。
に設けたゲート絶縁膜と、該ゲート絶縁膜上に設けた半
導体層と、該半導体層上に対向させて設けたソース電
極、ドレイン電極とから成る薄膜トランジスタと、該ゲ
ート電極と接続する走査線と、該ドレイン電極あるいは
該ソース電極のいずれか一方と接続する信号線および他
の一方と接続する画素電極とからなり、該走査線を陽極
化成の可能な第一、第二の金属膜で構成し、該ゲート電
極を該第一の金属膜で構成して、該走査線と該ゲート電
極との層構成を異ならせた第一の基板と、対向電極を有
し、該第一の基板に対向させて配置した第二の基板と、
該第一の基板と該第二の基板との間に充填された液晶材
料とを備えることで達成される。
【００１３】
【作用】走査線全域を多層構造とし、全面を陽極化成し
て酸化膜を設けているため、走査線の断線や、信号線の
位置づれによる走査線−信号線間の絶縁性低下がない。
また、走査線は陽極化成できうる金属膜の多層構造とす
るため上層膜に欠陥が発生しても下層膜表面には、酸化
膜が形成されるため走査線表面の酸化膜欠陥はない。
て酸化膜を設けているため、走査線の断線や、信号線の
位置づれによる走査線−信号線間の絶縁性低下がない。
また、走査線は陽極化成できうる金属膜の多層構造とす
るため上層膜に欠陥が発生しても下層膜表面には、酸化
膜が形成されるため走査線表面の酸化膜欠陥はない。
【００１４】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図を用いて説明す
る。本発明によるＡＭＸ基板は、図１（ａ）に示すよう
に、Ｔａ，Ｗ，Ｔｉ，Ｎｂ，Ｚｒ，Ｈｆの中から選ばれ
た金属膜から成る主走査線３と主走査線全域をカバーす
るように形成され主走査線以外の金属膜から成る補助走
査線２とＣｒやＡｌから成る信号線６とＩＴＯ（Indium
Tin Oxide）等の透明導電膜から成る画素電極７と薄膜
トランジスタ部１２により構成される。走査線−信号線
交差部の構造は図１（ｂ）に示すように、ガラス等表面
が絶縁物で形成された基板１上に設けられた補助走査線
２とこの上に設けられた主走査線３と、走査線１３を陽
極化成することによって形成される酸化膜１１と、この
上に設けられたゲート絶縁膜４、半導体層５と、信号線
６によりなっている。使って、走査線−信号線交差部の
走査線は、主走査線３と補助走査線２の多層構造となる
ため冗長性が高まり断線がなくなる。また、陽極化成に
より主走査線表面全体に酸化膜１１を設けているため、
信号線形成時の位置づれが生じても、走査線−信号線交
差部は酸化膜１１とゲート絶縁膜４の２層で絶縁できる
ので走査線３と信号線５の短絡を防げる。
る。本発明によるＡＭＸ基板は、図１（ａ）に示すよう
に、Ｔａ，Ｗ，Ｔｉ，Ｎｂ，Ｚｒ，Ｈｆの中から選ばれ
た金属膜から成る主走査線３と主走査線全域をカバーす
るように形成され主走査線以外の金属膜から成る補助走
査線２とＣｒやＡｌから成る信号線６とＩＴＯ（Indium
Tin Oxide）等の透明導電膜から成る画素電極７と薄膜
トランジスタ部１２により構成される。走査線−信号線
交差部の構造は図１（ｂ）に示すように、ガラス等表面
が絶縁物で形成された基板１上に設けられた補助走査線
２とこの上に設けられた主走査線３と、走査線１３を陽
極化成することによって形成される酸化膜１１と、この
上に設けられたゲート絶縁膜４、半導体層５と、信号線
６によりなっている。使って、走査線−信号線交差部の
走査線は、主走査線３と補助走査線２の多層構造となる
ため冗長性が高まり断線がなくなる。また、陽極化成に
より主走査線表面全体に酸化膜１１を設けているため、
信号線形成時の位置づれが生じても、走査線−信号線交
差部は酸化膜１１とゲート絶縁膜４の２層で絶縁できる
ので走査線３と信号線５の短絡を防げる。
【００１５】図２に本発明によるＡＭＸ基板の製造方法
を示す。（ａ）は少なくとも表面が絶縁物から成る基板
１上にＴａ，Ｎｉ，Ｗ，Ｎｂ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆの中か
ら選ばれた金属膜により補助走査線２を形成した状態。
（ｂ）は（ａ）で得た試料上に補助走査線２で使用した
以外の金属膜により主走査線３と、これにつながるゲー
ト電極１０を形成した状態。（ｃ）は（ｂ）で得た試料
を陽極化成し、走査線１３とゲート電極１０表面に酸化
膜１１を形成した状態。（ｄ）は（ｃ）で得た資料上に
ゲート絶縁膜４、半導体層５を形成した状態。（ｅ）は
（ｄ）で得た試料上にＡｌやＣｒ等の金属膜により信号
線６と、これにつながるドレイン電極８とドレイン電極
８と対抗するソース電極９を形成した状態。（ｆ）はソ
ース電極９と接続する。ＩＴＯ等の透明導電膜から成る
画素電極７を形成した状態。（ａ）〜（ｃ）で明らかな
ように、補助走査線２と主走査を形成した後に酸化図を
設けており、かつ、両者とも陽極化成ができる材料を用
いているため、主査走査線に欠陥が生じ補助走査線が露
出しても補助走査線表面に酸化膜が形成できるので、走
査線と信号線の間は絶えず酸化膜とゲート絶縁膜によっ
て絶縁されるため、この間の短絡はない。
を示す。（ａ）は少なくとも表面が絶縁物から成る基板
１上にＴａ，Ｎｉ，Ｗ，Ｎｂ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆの中か
ら選ばれた金属膜により補助走査線２を形成した状態。
（ｂ）は（ａ）で得た試料上に補助走査線２で使用した
以外の金属膜により主走査線３と、これにつながるゲー
ト電極１０を形成した状態。（ｃ）は（ｂ）で得た試料
を陽極化成し、走査線１３とゲート電極１０表面に酸化
膜１１を形成した状態。（ｄ）は（ｃ）で得た資料上に
ゲート絶縁膜４、半導体層５を形成した状態。（ｅ）は
（ｄ）で得た試料上にＡｌやＣｒ等の金属膜により信号
線６と、これにつながるドレイン電極８とドレイン電極
８と対抗するソース電極９を形成した状態。（ｆ）はソ
ース電極９と接続する。ＩＴＯ等の透明導電膜から成る
画素電極７を形成した状態。（ａ）〜（ｃ）で明らかな
ように、補助走査線２と主走査を形成した後に酸化図を
設けており、かつ、両者とも陽極化成ができる材料を用
いているため、主査走査線に欠陥が生じ補助走査線が露
出しても補助走査線表面に酸化膜が形成できるので、走
査線と信号線の間は絶えず酸化膜とゲート絶縁膜によっ
て絶縁されるため、この間の短絡はない。
【００１６】図３に本発明によるＡＭＸ基板を搭載した
液晶表示素子の構造を示す。（ａ）は平面図、（ｂ）は
断面図である。液晶表示素子は、ＡＭＸ基板の下部に偏
光板１４を、上部に保護膜２０と、この上に設けられた
配向膜板１８から成る基板を下板とし、基板の下部に偏
光板１４を上部にカラフィルタ１５を設け、この上に保
護膜１６と、保護膜１６上に設けられたＩＴＯ等の透明
導電膜による対向電極１７と、この上に設けられた配向
膜１８から成る基板を上板とし、この上板と下板の間に
液晶１９をはさんだ構造を有している。従って、ＡＭＸ
基板の構造歩留りが向上すると、液晶表示素子のコスト
を低減できる。
液晶表示素子の構造を示す。（ａ）は平面図、（ｂ）は
断面図である。液晶表示素子は、ＡＭＸ基板の下部に偏
光板１４を、上部に保護膜２０と、この上に設けられた
配向膜板１８から成る基板を下板とし、基板の下部に偏
光板１４を上部にカラフィルタ１５を設け、この上に保
護膜１６と、保護膜１６上に設けられたＩＴＯ等の透明
導電膜による対向電極１７と、この上に設けられた配向
膜１８から成る基板を上板とし、この上板と下板の間に
液晶１９をはさんだ構造を有している。従って、ＡＭＸ
基板の構造歩留りが向上すると、液晶表示素子のコスト
を低減できる。
【００１７】発明者等は、ＡＭＸ基板とその製造方法に
おいて本発明を適用することにより、走査線の断線や走
査線−信号線間短絡がなく、良好な歩留りでＡＭＸ基板
を製造できるという結果を得た。また、本発明によるAM
X基板を液晶表示素子に適用した場合、コストを低減で
きるという結果を得た。
おいて本発明を適用することにより、走査線の断線や走
査線−信号線間短絡がなく、良好な歩留りでＡＭＸ基板
を製造できるという結果を得た。また、本発明によるAM
X基板を液晶表示素子に適用した場合、コストを低減で
きるという結果を得た。
【００１８】
【発明の効果】本発明によれば、走査線全域を主走査線
と補助走査線の多層構造とし両者とも陽極酸化できうる
材料を用いているため走査線表面の酸化膜形成不良がな
い。と共に走査線の断線がない。また、走査線全域に酸
化膜を設けているため信号線の位置づれが生じても、走
査線−信号線間は絶えず酸化膜とゲート絶縁膜により絶
縁されるのでこの間での短絡はない。従って、ＡＭＸ基
板の製造歩留りを向上せしめる効果がある。また、これ
を用いた液晶表示素子のコストを低減させる効果があ
る。
と補助走査線の多層構造とし両者とも陽極酸化できうる
材料を用いているため走査線表面の酸化膜形成不良がな
い。と共に走査線の断線がない。また、走査線全域に酸
化膜を設けているため信号線の位置づれが生じても、走
査線−信号線間は絶えず酸化膜とゲート絶縁膜により絶
縁されるのでこの間での短絡はない。従って、ＡＭＸ基
板の製造歩留りを向上せしめる効果がある。また、これ
を用いた液晶表示素子のコストを低減させる効果があ
る。
【図１】（ａ）は本発明の一実施例であるＡＭＸ基板の
平面図、（ｂ）は本発明の一実施例であるAMX基板の走
査線−信号線間断面図。
平面図、（ｂ）は本発明の一実施例であるAMX基板の走
査線−信号線間断面図。
【図２】（ａ）〜（ｆ）は本発明の一実施例であるAMX
基板の製造方法を示す図。
基板の製造方法を示す図。
【図３】（ａ）は本発明の一実施例である液晶表示素子
の平面図、（ｂ）は本発明の一実施例である液晶表示素
子の断面構造を示す図。
の平面図、（ｂ）は本発明の一実施例である液晶表示素
子の断面構造を示す図。
【図４】（ａ）はＡＭＸ基板平面図の従来例を示す図
（ｂ）はＡＭＸ基板断面構造の従来例を示す図。
（ｂ）はＡＭＸ基板断面構造の従来例を示す図。
【図５】（ａ）〜（ｆ）はＡＭＸ基板製造方法の従来例
を示す図。
を示す図。
１…基板、 ２…補助走査線、 ３…主走査線、 ４…ゲート絶縁膜、 ５…半導体層、 ６…信号線、 ７…画素電極、 ８…ドレイン電極、 ９…ソース電極、 10…ゲート電極、 11…酸化膜、 12…薄膜トランジスタ、 13…走査線、 14…偏光板、 15…カラーフィルタ、 16…保護膜、 17…対向電極、 18…配光膜、 19…液晶、 20…保護膜、 21…アクティブマトリクス基板。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 釼持 秋広 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者 高野 隆男 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者 中谷 光雄 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内
Claims (2)
- 【請求項１】ゲート電極と、該ゲート電極上に設けたゲ
ート絶縁膜と、該ゲート絶縁膜上に設けた半導体層と、
該半導体層上に対向させて設けたソース電極、ドレイン
電極とから成る薄膜トランジスタと、 該ゲート電極と接続する走査線と、 該ドレイン電極あるいは該ソース電極のいずれか一方と
接続する信号線および他の一方と接続する画素電極とか
ら成るアクテイブマトリクス基板であって、 該走査線を陽極化成の可能な第一、第二の金属膜で構成
し、該ゲート電極を該第一の金属膜で構成して、該走査
線と該ゲート電極との層構成を異ならせたことを特徴と
するアクテイブマトリクス基板。 - 【請求項２】ゲート電極と、該ゲート電極上に設けたゲ
ート絶縁膜と、該ゲート絶縁膜上に設けた半導体層と、
該半導体層上に対向させて設けたソース電極、ドレイン
電極とから成る薄膜トランジスタと、該ゲート電極と接
続する走査線と、該ドレイン電極あるいは該ソース電極
のいずれか一方と接続する信号線および他の一方と接続
する画素電極とからなり、該走査線を陽極化成の可能な
第一、第二の金属膜で構成し、該ゲート電極を該第一の
金属膜で構成して、該走査線と該ゲート電極との層構成
を異ならせた第一の基板と、 対向電極を有し、該第一の基板に対向させて配置した第
二の基板と、 該第一の基板と該第二の基板との間に充填された液晶材
料とを備えたことを特徴とする画像表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9026314A JPH09288283A (ja) | 1997-02-10 | 1997-02-10 | アクティブマトリクス基板及びこれを用いた液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9026314A JPH09288283A (ja) | 1997-02-10 | 1997-02-10 | アクティブマトリクス基板及びこれを用いた液晶表示装置 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63159100A Division JPH0210330A (ja) | 1988-06-29 | 1988-06-29 | アクティブマトリクス基板とその製造方法及びこれを用いた液晶表示素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09288283A true JPH09288283A (ja) | 1997-11-04 |
Family
ID=12189927
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9026314A Pending JPH09288283A (ja) | 1997-02-10 | 1997-02-10 | アクティブマトリクス基板及びこれを用いた液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09288283A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013047808A (ja) * | 2000-01-17 | 2013-03-07 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
| US8866198B2 (en) | 2010-12-03 | 2014-10-21 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device and method for manufacturing the same |
-
1997
- 1997-02-10 JP JP9026314A patent/JPH09288283A/ja active Pending
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