JP2690404B2 - アクティブマトリクス基板 - Google Patents
アクティブマトリクス基板Info
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Description
てTFT(薄膜トランジスタ)を備え、該TFTを介し
て表示絵素電極に駆動信号を入力して表示動作を行う表
示装置に組み込まれるアクティブマトリクス基板に関す
る。
置、プラズマ表示装置等の表示装置においては、マトリ
クス状に配列された絵素電極を選択駆動することによ
り、画面上に表示パターンが形成される。より具体的に
は、選択された絵素電極とこれに対向する対向電極との
間に電圧を印加し、これらの電極間に介在させた液晶等
の表示媒体を光学的に変調して表示パターンを形成す
る。
た絵素電極をマトリクス状に配列すると共に、絵素電極
それぞれにスイッチング素子としてのTFTを接続し、
このTFTを介して絵素電極を駆動するアクティブマト
リクス駆動方式が知られている。このようなアクティブ
マトリクス駆動方式による表示装置は、高コントラスト
の表示が可能であり、液晶テレビジョン、ワードプロセ
ッサ、コンピュータの端末表示装置等に実用化されてい
る。このようなアクティブマトリクス液晶表示装置は、
TFTが形成されたアクティブマトリクス基板と対向電
極が配設された対向基板とを貼り合わせ、両基板間に液
晶を封入して構成される。
基板においては、製造工程中に各絵素電極にソース信号
を入力(供給)するソースバスラインが何らかの原因に
よって断線してしまう場合がある。このような断線が発
生すると、ソースバスラインの断線発生部の先端側に接
続されている絵素電極には、本来入力されるべき信号が
入力されないため、断線発生部の先の絵素電極を駆動す
ることができず、結果的に、駆動されない部分が表示上
の線欠陥として認識されることになる。このような線欠
陥はアクティブマトリクス表示装置の表示品位を著しく
損なうものであり、製品歩留まりの観点から見て大きな
問題となる。
線を防止するための技術が従来より種々提案されている
が、その一例としてソースバスラインを2層構造とする
技術がある。これは、図8に示すように、ゲートバスラ
イン100とソースバスライン110で囲まれた領域それぞれ
にマトリクス状に配列された絵素電極120にTFT130を
接続したアクティブマトリクス基板において、ソースバ
スライン110とTFT130のソース電極131およびドレイ
ン電極132を、絵素電極120を形成するためのITO(I
ndium Tin Oxide)膜の上にMo等の金
属層を積層した2層構造とし、金属層(上層)110a、13
1a、132aをパターニングする前に、その下にITO膜
(下層)110b、131b、132bを残し、しかる後、金属層を
パターニングして形成される。なお、上層の金属層110
a、131a、132aと下層のITO膜110b、131b、132bの長
手寸法及び幅寸法は同一に設定されている。
ラインの製造工程中に金属ソースバスラインに断線が発
生したとしても、その下層にITO膜が残存しているの
で、該ITO膜を介して絵素電極120にソース信号が入
力されるため、線欠陥を防止できる。
クティブマトリクス基板のTFT130においては、ソー
ス電極131とドレイン電極132の下層にリンPをドーピン
グしてなるn+a-Si(アモルファスシリコン)層から
なるコンタクト層160a、160bが形成されるため、金属ソ
ースバスラインとn+a-Si層との間にITO膜が介在
することになる。すなわち、ITO膜を介して金属ソー
スバスラインとn+a-Si層が全面にわたって間接的に
接続されることになり、金属ソースバスラインとn+a-
Si層との間の直列抵抗が大きくなる。このため、TF
T130をスイッチングするために必要なON電流を確保す
る必要上TFT130を大きくしなければならず、その分
開口率が低下するため表示画面が暗くなり、表示品位が
低下するという欠点があった。
するものであり、TFTのソース電極およびドレイン電
極とコンタクト層との間の直列抵抗を低減でき、結果的
に開口率の向上およびこれに伴う表示品位の向上が図れ
るアクティブマトリクス基板を提供することを目的とす
る。
リクス基板は、透明絶縁性基板上にゲートバスラインお
よびソースバスラインを格子状に配線し、両バスライン
で囲まれた領域に絵素電極をそれぞれ配設すると共に、
該絵素電極と該ゲートバスラインおよびソースバスライ
ンにそれぞれスイッチング素子としてTFTを接続した
アクティブマトリクス基板において、該絵素電極を形成
するための透明導電膜の上に金属層を積層してなる2層
構造で該ソースバスラインと該TFTのソース電極およ
びドレイン電極をパターン形成して、該ソース電極およ
びドレイン電極の金属層の幅方向及び長手方向の寸法を
該透明導電膜の幅方向及び長手方向の寸法よりも大きく
設定し、該金属層の所定領域を下層のコンタクト層に接
触させてなり、そのことにより上記目的が達成される。
は、透明絶縁性基板上にゲートバスラインおよびソース
バスラインを格子状に配線し、両バスラインで囲まれた
領域に絵素電極をそれぞれ配設すると共に、該絵素電極
と該ゲートバスラインおよびソースバスラインにそれぞ
れスイッチング素子としてTFTを接続したアクティブ
マトリクス基板において、該絵素電極を形成するための
透明導電膜の上に金属層を積層してなる2層構造で該ソ
ースバスラインと該TFTのソース電極およびドレイン
電極をパターン形成して、該ソース電極およびドレイン
電極の領域の該透明導電膜に開口又は切り欠きを形成
し、該金属層の所定領域を下層のコンタクト層に接触さ
せてなり、そのことにより上記目的が達成される。ま
た、本発明のアクティブマトリクス基板は、透明絶縁性
基板上にゲートバスラインおよびソースバスラインを格
子状に配線し、両バスラインで囲まれた領域に絵素電極
をそれぞれ配設すると共に、該絵素電極と該ゲートバス
ラインおよびソースバスラインにそれぞれスイッチング
素子としてTFTを接続したアクティブマトリクス基板
において、該絵素電極を形成するための透明導電膜の上
に金属層を積層してなる2層構造で該ソースバスライン
と該TFTのソース電極およびドレイン電極をパターン
形成して、該TFTのソース電極およびドレイン電極の
基部から途中までの領域を2層構造とし且つ該TFTの
コンタクト層の上層となる領域は金属層のみとなるよう
に設定し、該ソース電極および該ドレイン電極の金属層
を下層のコンタクト層に接触させてなり、そのことによ
り上記目的が達成される。
れば、ソースバスラインとTFTのソース電極およびド
レイン電極が透明導電膜の上に金属層を積層した2層構
造とされ、且つソース電極およびドレイン電極における
金属層の幅方向及び長手方向の寸法が透明導電膜の幅方
向及び長手方向の寸法よりも大きく設定されるため、こ
の金属層の所定領域がコンタクト層に接触して直接接触
部が形成される。また、請求項2記載のアクティブマト
リクス基板によれば、ソースバスラインとTFTのソー
ス電極およびドレイン電極が透明導電膜の上に金属層を
積層した2層構造とされ、且つソース電極およびドレイ
ン電極の領域の透明導電膜に開口又は切り欠きが形成さ
れるため、この金属層の所定領域が下層のコンタクト層
に接触して直接接触部が形成される。このため、ソース
バスラインの断線が有効に防止されるのに加えて、接触
部の直列抵抗が格段に低減される。従って、TFTをス
イッチングするために必要なON電流を得るのに必要なT
FTの面積が大幅に低減される。その結果、アクティブ
マトリクス基板の開口率が向上して、表示画面が明るく
なり表示品位が向上する。また、請求項3記載のアクテ
ィブマトリクス基板によれば、ソースバスラインとTF
Tのソース電極およびドレイン電極の基部から途中まで
の領域が透明導電膜の上に金属層を積層した2層構造と
され且つTFTのコンタクト層の上層となる領域は金属
層のみとなるように設定されるため、ソース電極および
ドレイン電極の金属層が下層のコンタクト層に接触して
直接接触部が形成される。このため、ソース電極および
ドレイン電極とコンタクト層との間の直列抵抗が最大限
に低減される。従って、TFTをスイッチングするため
に必要なON電流を得るのに必要なTFTの面積が最小限
となる。その結果、アクティブマトリクス基板の開口率
が大幅に向上して、表示画面が明るくなり表示品位が一
層向上する。
の一実施例を示しており、このアクティブマトリクス基
板は、透明絶縁性基板としてのガラス基板1上に走査線
として機能するゲートバス10および信号線として機能
するソースバスライン20を格子上に配線してなる。両
バスライン10、20で囲まれた領域それぞれにはIT
O膜をパターニングしてなる絵素電極40がマトリクス
状に配列される。
に向けてゲート電極11が分岐され、該ゲート電極11
の先端部には、スイッチング素子として機能するTFT
30が形成される。このTFT30にはソース電極31
とドレイン電極32とが形成される。これらソースバス
ライン20、ソース電極31およびドレイン電極32
は、図中破線で示される下層20b、31b、32bの
上にMo等の金属層からなる上層20a、31a、32
a(図中実線部)をそれぞれ積層した2層構造になって
いる。そして、ソース電極31およびドレイン電極32
の先端部における下層には、n+a-Si層からなるコン
タクト層60a、60bが形成される。
トリクス基板のTFT形成部における断面構造を工程順
に説明する。まず、ガラス基板1上にTa膜をスパッタ
リング法で積層し、次いで、フォトリソグラフィの手法
によりTa膜をパターニングしてゲートバスライン10
およびゲート電極11を形成する。なお、Ta単層の膜
に代えてTi、Al、Cr等の単層またはTa、Ti、
Al、Crの多層構造からなる導電体で形成することに
してもよい。また、ゲートバスライン10とガラス基板
1との間に、ベースコート膜としてTa2O5等の絶縁膜
を形成することにしてもよい。
マCVD法により膜厚300nmのSiNx膜からなるゲー
ト絶縁膜50を積層する。なお、ゲートバスライン10
を陽極酸化してその表面にTa酸化膜を形成することに
してもよい。このようにすれば、2層の絶縁膜が形成さ
れるので、絶縁性をより向上できる利点がある。
30nmのa-Si膜からなる半導体層52および膜厚200
nmのSiNx膜からなるエッチングストッパー層53
を、プラズマCVD法により順次積層する。そして、エ
ッチングストッパー層53をパターニングすると、その
後、n+a-Si層をプラズマCVD法により膜厚80nm
で積層し、これをパターニングしてコンタクト層60
a、60bを形成する。このコンタクト層60a、60
bは、半導体層52と次に積層されるソース電極31お
よびドレイン電極32とのオーミックコンタクトを良好
にするために形成される。
グすると、その上に絵素電極40およびソースバスライ
ン20の下層となるITO膜をスパッタリング法により
積層し、これをパターニングして絵素電極40およびソ
ースバスライン20、ソース電極31の下層20b、3
1bを得る。なお、絵素電極40の図上左端部はドレイ
ン電極32の下層32bとして利用される。次いで、そ
の上にソース導電体をスパッタリング法により積層す
る。ソース導電体としては、Ti、Al、Mo、Cr等
を選択し得るが、本実施例ではMoを採用した。次い
で、ソース導電体をパターニングし、これにより、ソー
スバスライン20、ソース電極31の上層20a、31
aおよびドレイン電極32の上層32bを形成する。従
って、ドレイン電極32と絵素電極40とは導通状態に
ある。
1およびドレイン電極32は図1および図2に示される
ように、ソースバスライン20の長手方向に長い平面視
矩形状をなし、いずれも上層31a、32aが下層31
b、32bよりも長手方向および幅方向において広幅に
なっており、広幅部の下方にコンタクト層60a、60
bが接触する構造になっている。すなわち、図1に斜線
で示される部分が直接接触部33、34になっており、
該直接接触部33、34の存在によりソース電極31お
よびドレイン電極32とコンタクト層60a、60bと
の直列抵抗を格段に低減できる構造になっている。従っ
て、ON電流を確保するためにTFT30を不必要に大き
くする必要がないので、その分開口率の低下を防止でき
る。
と、次に、絵素電極40上にSiNxからなる保護膜層
70を積層し、その上に配向膜71を積層する。この保
護膜層70は絵素電極40の中央部を開口させた窓開き
状に形成することもできる。また、配向膜71はガラス
基板1と、該ガラス基板1に貼り合わせられる対向基板
との間に封入される表示媒体としての液晶の液晶分子を
配向させるために形成され、両基板が貼り合わされてア
クティブマトリクス表示装置が作成される。
2、エッチングストッパー層53およびコンタクト層6
0a、60bを、ゲートバスライン10およびソースバ
スライン20との交差部にパターニングして残し、絶縁
性を一層向上させるようにしてもよい。
この第2実施例では、ソース電極31およびドレイン電
極32の上層31a、32aの幅方向における幅寸法の
みを下層31b、32bの幅寸法よりも広幅に設定し、
該広幅部の下方に下層31b、32bを設けず、広幅部
をコンタクト層60a、60bに直接接触させて直接接
触部33、34を確保する構成をとる。この第2実施例
によれば、直接接触部33、34の面積を最大にできる
ので、開口率の向上を図る上で最も都合のよいものにな
る。
この第3実施例では、図2に示されるようにコンタクト
層60a、60bには段差部が存在するため、この段差
部に起因する上層31a、32bの段切れを考慮して下
層を段差部まで残す構成をとる。この第3実施例によれ
ば、図中斜線で示す直接接触部33、34が確保され
る。
この第4実施例では下層31b、32bに窓状の開口3
7、37を形成し、この開口37、37を通して上層3
1a、32aとコンタクト層60a、60bとの間に直
接接触部33、34を形成する構成をとる。開口37、
37の存在により上層31a、32aの幅寸法が下層3
1b、32bの幅寸法よりも広幅になっているといえ
る。
この第5実施例では下層31b、32bの先端中央に切
り欠き38、38を形成し、該切り欠き38、38を通
して直接接触部33、34を形成する構成をとる。
この第6実施例では下層31b、32bの幅方向におけ
る基部から中央寄りの部分を切り欠き、この切り欠き3
9、39を通して直接接触部33、34を形成する構成
をとる。
板によれば、ソースバスラインとTFTのソース電極お
よびドレイン電極を透明導電膜の上に金属層を積層した
2層構造とし、且つソース電極およびドレイン電極にお
ける金属層の幅方向及び長手方向の寸法を透明導電膜の
幅方向及び長手方向の寸法よりも大きく設定し、この金
属層の所定領域をコンタクト層に接触させて直接接触部
を形成する。また、請求項2記載のアクティブマトリク
ス基板によれば、ソースバスラインとTFTのソース電
極およびドレイン電極を透明導電膜の上に金属層を積層
した2層構造とし、且つソース電極およびドレイン電極
の領域の透明導電膜に開口又は切り欠きを形成し、この
金属層の所定領域を下層のコンタクト層に接触させて直
接接触部を形成する。 このため、ソースバスラインの断
線を有効に防止できることはもちろんのこと、接触部の
直列抵抗を上記従来例に比べて格段に低減できる。従っ
て、TFTをスイッチングするために必要なON電流を得
るのに必要なTFTの面積を従来例に比して大幅に低減
できる。それ故、アクティブマトリクス基板の開口率を
向上でき、表示画面の明るさ、即ち、表示品位を向上で
きる。
リクス基板によれば、ソースバスラインとTFTのソー
ス電極およびドレイン電極の基部から途中までの領域を
透明導電膜の上に金属層を積層した2層構造とし且つT
FTのコンタクト層の上層となる領域は金属層のみとな
るように設定して、ソース電極およびドレイン電極の金
属層を下層のコンタクト層に接触させて直接接触部を形
成する。このため、ソース電極およびドレイン電極とコ
ンタクト層との間の直列抵抗を最大限に低減できる。従
って、TFTをスイッチングするために必要なON電流を
得るのに必要なTFTの面積を最小限にでき、開口率を
最も向上できるので、表示品位の向上を図る上でより一
層都合のよいものになる。
を示す平面図。
ス基板の平面図。
ス基板の平面図。
ス基板の平面図。
ス基板の平面図。
ス基板の平面図。
Claims (3)
- 【請求項1】透明絶縁性基板上にゲートバスラインおよ
びソースバスラインを格子状に配線し、両バスラインで
囲まれた領域に絵素電極をそれぞれ配設すると共に、該
絵素電極と該ゲートバスラインおよびソースバスライン
にそれぞれスイッチング素子としてTFTを接続したア
クティブマトリクス基板において、 該絵素電極を形成するための透明導電膜の上に金属層を
積層してなる2層構造で該ソースバスラインと該TFT
のソース電極およびドレイン電極をパターン形成して、
該ソース電極およびドレイン電極の金属層の幅方向及び
長手方向の寸法を該透明導電膜の幅方向及び長手方向の
寸法よりも大きく設定し、該金属層の所定領域を下層の
コンタクト層に接触させたアクティブマトリクス基板。 - 【請求項2】透明絶縁性基板上にゲートバスラインおよ
びソースバスラインを格子状に配線し、両バスラインで
囲まれた領域に絵素電極をそれぞれ配設すると共に、該
絵素電極と該ゲートバスラインおよびソースバスライン
にそれぞれスイッチング素子としてTFTを接続したア
クティブマトリクス基板において、 該絵素電極を形成するための透明導電膜の上に金属層を
積層してなる2層構造で該ソースバスラインと該TFT
のソース電極およびドレイン電極をパターン形成して、
該ソース電極およびドレイン電極の領域の該透明導電膜
に開口又は切り欠きを形成し、該金属層の所定領域を下
層のコンタクト層に接触させたアクティブマトリクス基
板。 - 【請求項3】透明絶縁性基板上にゲートバスラインおよ
びソースバスラインを格子状に配線し、両バスラインで
囲まれた領域に絵素電極をそれぞれ配設すると共に、該
絵素電極と該ゲートバスラインおよびソースバスライン
にそれぞれスイッチング素子としてTFTを接続したア
クティブマトリクス基板において、 該絵素電極を形成するための透明導電膜の上に金属層を
積層してなる2層構造で該ソースバスラインと該TFT
のソース電極およびドレイン電極をパターン形成して、
該TFTのソース電極およびドレイン電極の基部から途
中までの領域を2層構造とし且つ該TFTのコンタクト
層の上層となる領域は金属層のみとなるように設定し、
該ソース電極および該ドレイン電極の金属層を下層のコ
ンタクト層に接触させたアクティブマトリクス基板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4207591A JP2690404B2 (ja) | 1991-03-07 | 1991-03-07 | アクティブマトリクス基板 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4207591A JP2690404B2 (ja) | 1991-03-07 | 1991-03-07 | アクティブマトリクス基板 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04278928A JPH04278928A (ja) | 1992-10-05 |
JP2690404B2 true JP2690404B2 (ja) | 1997-12-10 |
Family
ID=12625944
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4207591A Expired - Lifetime JP2690404B2 (ja) | 1991-03-07 | 1991-03-07 | アクティブマトリクス基板 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2690404B2 (ja) |
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---|---|---|---|---|
JPH01303760A (ja) * | 1988-06-01 | 1989-12-07 | Hitachi Ltd | アクティブマトリクス基板およびその製造方法 |
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-
1991
- 1991-03-07 JP JP4207591A patent/JP2690404B2/ja not_active Expired - Lifetime
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