JPH10123550A - 表示システム - Google Patents
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- JPH10123550A JPH10123550A JP8294548A JP29454896A JPH10123550A JP H10123550 A JPH10123550 A JP H10123550A JP 8294548 A JP8294548 A JP 8294548A JP 29454896 A JP29454896 A JP 29454896A JP H10123550 A JPH10123550 A JP H10123550A
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- panel display
- liquid crystal
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-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1343—Electrodes
- G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
- G02F1/134336—Matrix
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- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
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- Optics & Photonics (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ヘッドマウントディスプレイにおいて、水平
視野角の違いによる見た目の画素電極の大きさの違いを
是正する。 【解決手段】 アクティブマトリクス領域１０６におい
て、水平視野角が大きくなる領域における画素電極の水
平方向の幅ｅを水平視野角が小さくよい領域の画素のそ
れｄに比較して大きくする。こうすることで、水平視野
角の違いによる画素電極の見た目の面積の違いを是正す
ることができる。
視野角の違いによる見た目の画素電極の大きさの違いを
是正する。 【解決手段】 アクティブマトリクス領域１０６におい
て、水平視野角が大きくなる領域における画素電極の水
平方向の幅ｅを水平視野角が小さくよい領域の画素のそ
れｄに比較して大きくする。こうすることで、水平視野
角の違いによる画素電極の見た目の面積の違いを是正す
ることができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本明細書で開示する発明は、
ヘッドマウントディスプレイと呼ばれる頭に装着し、目
の前に画像を映し出す表示システムに関する。
ヘッドマウントディスプレイと呼ばれる頭に装着し、目
の前に画像を映し出す表示システムに関する。
【０００２】
【従来の技術】小型の液晶パネルを利用したヘッドマウ
ントディスプレイ（ＨＭＤ）と呼ばれる表示システムが
知られている。（例えば、株式会社プレスジャーナル発
行 月刊LCD Intelligensce 1996.10 月号 p59〜p64 に
記載の記事参照)
ントディスプレイ（ＨＭＤ）と呼ばれる表示システムが
知られている。（例えば、株式会社プレスジャーナル発
行 月刊LCD Intelligensce 1996.10 月号 p59〜p64 に
記載の記事参照)
【０００３】この表示システムは、目の前数センチ程度
の場所に画像を映し出すことにより、仮想現実感のある
画像を認識するものである。その応用範囲としては、Ｔ
Ｖゲーム等の遊戯関係、映画鑑賞、教育やプレゼンテー
ション、医療といったものを挙げることができる。
の場所に画像を映し出すことにより、仮想現実感のある
画像を認識するものである。その応用範囲としては、Ｔ
Ｖゲーム等の遊戯関係、映画鑑賞、教育やプレゼンテー
ション、医療といったものを挙げることができる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ヘッドマウントディス
プレイを利用した画像の表示方法として、３Ｄ（立体画
像）がある。この場合、水平視野角として、６０°〜９
０°が要求される。
プレイを利用した画像の表示方法として、３Ｄ（立体画
像）がある。この場合、水平視野角として、６０°〜９
０°が要求される。
【０００５】しかし、ヘッドマウントディスプレイにお
いては、液晶パネルと目との距離が数ｃｍ程度と小さい
ので、画角によって画素の実効面積（見た目の面積）が
変化してしまうという問題がある。
いては、液晶パネルと目との距離が数ｃｍ程度と小さい
ので、画角によって画素の実効面積（見た目の面積）が
変化してしまうという問題がある。
【０００６】上記の問題は、水平視野角によって、像の
見た感じが異なったり、違和感が生じたりする要因とな
る。
見た感じが異なったり、違和感が生じたりする要因とな
る。
【０００７】一般の液晶ディスプレイにおいては、目と
画面との距離は数十ｃｍ以上離れているので、上記の水
平視野角の違いによる画素の実効面積の違いは、問題と
はならない。
画面との距離は数十ｃｍ以上離れているので、上記の水
平視野角の違いによる画素の実効面積の違いは、問題と
はならない。
【０００８】本明細書で開示する発明は、上述したヘッ
ドマウントディスプレイにおいて問題となる水平視野角
による画素の実効面積の違いを是正する技術に関する。
ドマウントディスプレイにおいて問題となる水平視野角
による画素の実効面積の違いを是正する技術に関する。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本明細書で開示する発明
の一つは、右目用と左目用のフラットパネルディスプレ
イを具備し、頭に装着して利用する表示システムであっ
て、フラットパネルディスプレイの画素の水平方向にお
ける寸法が所定の位置からの水平視野角に応じて連続的
あるいは段階的に変化して設定されていることを特徴と
する。
の一つは、右目用と左目用のフラットパネルディスプレ
イを具備し、頭に装着して利用する表示システムであっ
て、フラットパネルディスプレイの画素の水平方向にお
ける寸法が所定の位置からの水平視野角に応じて連続的
あるいは段階的に変化して設定されていることを特徴と
する。
【００１０】他の発明の構成は、右目用と左目用のフラ
ットパネルディスプレイを具備し、頭に装着して利用す
る表示システムであって、フラットパネルディスプレイ
の画素の面積が所定の位置からの水平視野角に応じて連
続的あるいは段階的に変化して設定されていることを特
徴とする。
ットパネルディスプレイを具備し、頭に装着して利用す
る表示システムであって、フラットパネルディスプレイ
の画素の面積が所定の位置からの水平視野角に応じて連
続的あるいは段階的に変化して設定されていることを特
徴とする。
【００１１】他の発明にお構成は、フラットパネルディ
スプレイの画素の面積が所定の位置からの視野角に対応
して連続的あるいは段階的に変化して設定されているこ
とを特徴とする。
スプレイの画素の面積が所定の位置からの視野角に対応
して連続的あるいは段階的に変化して設定されているこ
とを特徴とする。
【００１２】他の発明の構成は、右目用と左目用のフラ
ットパネルディスプレイを具備し、頭に装着して利用す
る表示システムであって、フラットパネルディスプレイ
は周辺駆動回路が一体化されたアクティブマトリクス型
の液晶表示装置であって、前記右目用のフラットパネル
ディスプレイと前記左目用のフラットパネルディスプレ
イにおいて、周辺駆動回路が線対称に配置されているこ
とを特徴とする。
ットパネルディスプレイを具備し、頭に装着して利用す
る表示システムであって、フラットパネルディスプレイ
は周辺駆動回路が一体化されたアクティブマトリクス型
の液晶表示装置であって、前記右目用のフラットパネル
ディスプレイと前記左目用のフラットパネルディスプレ
イにおいて、周辺駆動回路が線対称に配置されているこ
とを特徴とする。
【００１３】上記構成において、フラットパネルディス
プレイの画素の水平方向における寸法が所定の位置から
の水平視野角に応じて連続的あるいは段階的に変化して
設定することは有効である。
プレイの画素の水平方向における寸法が所定の位置から
の水平視野角に応じて連続的あるいは段階的に変化して
設定することは有効である。
【００１４】また、フラットパネルディスプレイの画素
の面積が所定の位置からの水平視野角に応じて連続的あ
るいは段階的に変化して設定することは有効である。
の面積が所定の位置からの水平視野角に応じて連続的あ
るいは段階的に変化して設定することは有効である。
【００１５】
【発明の実施の形態】図１に示すように、ヘッドマウン
トディスプレイに配置される右用の液晶パネルと左目用
の液晶パネルにおいて、水平視野角が大きくなる方向に
むかって、ｄ及びｅで示される画素電極の幅を順次大き
くすることにより、水平視野角の違いによる見た目の画
素電極の面積を違いを是正することができる。
トディスプレイに配置される右用の液晶パネルと左目用
の液晶パネルにおいて、水平視野角が大きくなる方向に
むかって、ｄ及びｅで示される画素電極の幅を順次大き
くすることにより、水平視野角の違いによる見た目の画
素電極の面積を違いを是正することができる。
【００１６】
〔実施例１〕図２に本実施例に示すヘッドマウントディ
スプレイの概略を示す。図２示す構成は、本体２１０１
を頭に固定するためのバンド２１０３、画像を表示する
ためのアクティブマトリクス型の液晶パネル２１０２を
備えている。
スプレイの概略を示す。図２示す構成は、本体２１０１
を頭に固定するためのバンド２１０３、画像を表示する
ためのアクティブマトリクス型の液晶パネル２１０２を
備えている。
【００１７】液晶パネルは、右目用と左目用とにそれぞ
れ１枚づつ配置されている。液晶パネルの配置方法とし
ては、図示する構成以外に液晶パネルで光学変調された
画像をミラーやハーフミラーに写し、それを目で見る形
式のものを挙げることができる。この場合も液晶パネル
は、本体２１０１に配置される。
れ１枚づつ配置されている。液晶パネルの配置方法とし
ては、図示する構成以外に液晶パネルで光学変調された
画像をミラーやハーフミラーに写し、それを目で見る形
式のものを挙げることができる。この場合も液晶パネル
は、本体２１０１に配置される。
【００１８】また、図示されていないが、画像を記憶し
た記憶装置（光磁気記憶媒体や磁気記憶媒体）やＴＶチ
ューナーが別にあり、それと図２に示す本体２１０１と
でもってシステムが構成されている。
た記憶装置（光磁気記憶媒体や磁気記憶媒体）やＴＶチ
ューナーが別にあり、それと図２に示す本体２１０１と
でもってシステムが構成されている。
【００１９】液晶パネルの形式としては、バックライト
が必要とされる透過型ものが一般に利用される。しか
し、反射型を利用することもできる。
が必要とされる透過型ものが一般に利用される。しか
し、反射型を利用することもできる。
【００２０】画像を形成する装置としては、液晶パネル
以外にＥＬ（エレクトロルミネッンス）パネル、ＥＣ
（エレクトロクロミスク）パネルを用いることができ
る。これらの表示装置（一般にフラットパネルディスプ
レイと称される）は、アクティブマトリクス型であるこ
とが好ましい。
以外にＥＬ（エレクトロルミネッンス）パネル、ＥＣ
（エレクトロクロミスク）パネルを用いることができ
る。これらの表示装置（一般にフラットパネルディスプ
レイと称される）は、アクティブマトリクス型であるこ
とが好ましい。
【００２１】本実施例に示す構成においては、２１０２
で示される２つの液晶パネルの構造、特に画素の配置に
関しての構造を図１に示すようなものとしている。
で示される２つの液晶パネルの構造、特に画素の配置に
関しての構造を図１に示すようなものとしている。
【００２２】図１において、１０７で示すのが左目用の
液晶パネルのガラス基板（または石英基板）である。こ
の基板１０７上には、周辺駆動回路１０１及び１０２が
配置されている。また、アクティブマトリクス領域（画
素マトリクス領域）１０３が配置されている。
液晶パネルのガラス基板（または石英基板）である。こ
の基板１０７上には、周辺駆動回路１０１及び１０２が
配置されている。また、アクティブマトリクス領域（画
素マトリクス領域）１０３が配置されている。
【００２３】また、１０８で示すのが右目用の液晶パネ
ルのガラス基板（または石英基板）である。この基板１
０８上には、周辺駆動回路１０４及び１０５が配置され
ている。また、アクティブマトリクス領域（画素マトリ
クス領域）１０６が配置されている。
ルのガラス基板（または石英基板）である。この基板１
０８上には、周辺駆動回路１０４及び１０５が配置され
ている。また、アクティブマトリクス領域（画素マトリ
クス領域）１０６が配置されている。
【００２４】アクティブマトリクス領域は、ゲイト線１
０９とソース線１１０とが格子状に配置され、その交点
近くに薄膜トランジスタ１１１が配置されている。そし
てこの薄膜トランジスタによって、画素電極１１２に保
持される電荷量が制御される構造となっている。
０９とソース線１１０とが格子状に配置され、その交点
近くに薄膜トランジスタ１１１が配置されている。そし
てこの薄膜トランジスタによって、画素電極１１２に保
持される電荷量が制御される構造となっている。
【００２５】ここで重要なのは、周辺駆動回路の配置が
左右の液晶パネルにおいて、その間を通る軸１００に対
して線対称となっている点である。この軸１００は一般
に顔の中心を縦に２分する線と概略一致する。
左右の液晶パネルにおいて、その間を通る軸１００に対
して線対称となっている点である。この軸１００は一般
に顔の中心を縦に２分する線と概略一致する。
【００２６】こうすることにより、右目で見る右側の液
晶パネル対する見た目の構造と、左目で見る左側の液晶
パネル対する見た目の構造との対称性を得ることができ
る。また、液晶パネルの配置を対称軸１００に対して対
称にすることができる。
晶パネル対する見た目の構造と、左目で見る左側の液晶
パネル対する見た目の構造との対称性を得ることができ
る。また、液晶パネルの配置を対称軸１００に対して対
称にすることができる。
【００２７】これは、構造上のバランスを確保する上で
重要なものとなる。特にヘッドマウントディスプレイに
おいては、液晶パネルの位置が目に近いものとなるの
で、この点は重要なものとなる。
重要なものとなる。特にヘッドマウントディスプレイに
おいては、液晶パネルの位置が目に近いものとなるの
で、この点は重要なものとなる。
【００２８】また、アクティブマトリクス領域（ここで
は右側の液晶パネルについて特に示す）１０６の構造に
も特徴がある。
は右側の液晶パネルについて特に示す）１０６の構造に
も特徴がある。
【００２９】即ち、アクティブマトリクス領域１０６の
内側（対称軸１００に近い領域）の画素は、１１３に示
されるようにようにその水平方向の幅ｄが狭く（小さ
く）設定されている。即ち、画素面積が小さくなるよう
に設定されている。
内側（対称軸１００に近い領域）の画素は、１１３に示
されるようにようにその水平方向の幅ｄが狭く（小さ
く）設定されている。即ち、画素面積が小さくなるよう
に設定されている。
【００３０】それに対して、アクティブマトリクス領域
１０６の外側（対称軸１００から遠い領域）の画素は、
１１２に示されるようにようにその水平方向の幅ｅが広
く（大きく）設定されている。即ち、画素面積が小さく
なるように設定されている。
１０６の外側（対称軸１００から遠い領域）の画素は、
１１２に示されるようにようにその水平方向の幅ｅが広
く（大きく）設定されている。即ち、画素面積が小さく
なるように設定されている。
【００３１】これは、水平視野角が小さい領域と大きい
領域とで、見た目の画素の面積を同じまたは概略同じも
のとするための工夫である。
領域とで、見た目の画素の面積を同じまたは概略同じも
のとするための工夫である。
【００３２】この点についての原理的な説明を図４を参
照して以下に示す。図４には、液晶パネル４０１に対す
る眼球４０２の水平視野角α及びβと、見た目の画素の
水平方向の寸法と、実際の画素の水平方向の寸法との関
係が示されている。
照して以下に示す。図４には、液晶パネル４０１に対す
る眼球４０２の水平視野角α及びβと、見た目の画素の
水平方向の寸法と、実際の画素の水平方向の寸法との関
係が示されている。
【００３３】図４において、Ｘで示されるのは、水平視
野角が０°の場合における水平方向における画素の見た
目の寸法である。この場合、画素の水平方向の実際の寸
法と見た目の水平方向との寸法は、Ｘで示される値で一
致している。
野角が０°の場合における水平方向における画素の見た
目の寸法である。この場合、画素の水平方向の実際の寸
法と見た目の水平方向との寸法は、Ｘで示される値で一
致している。
【００３４】ここで、βで示される水平視野角だけ視点
を移動した場合を考える。この場合、見た目の水平方向
における画素寸法Ｘを得るには、実際の水平方向におけ
る画素寸法は、ｚでなければならない。なお、ｘとｚと
の概略の関係は、ｚcos β＝ｘで示される。
を移動した場合を考える。この場合、見た目の水平方向
における画素寸法Ｘを得るには、実際の水平方向におけ
る画素寸法は、ｚでなければならない。なお、ｘとｚと
の概略の関係は、ｚcos β＝ｘで示される。
【００３５】同様に、αで示される水平視野角だけ視点
を移動した場合を考える。この場合、見た目の水平方向
における画素寸法ｙを得るには、実際の水平方向におけ
る画素寸法は、ｙだけ必要となる。なお、ｘとｙとの概
略の関係は、ｙcos β＝ｘとなる。
を移動した場合を考える。この場合、見た目の水平方向
における画素寸法ｙを得るには、実際の水平方向におけ
る画素寸法は、ｙだけ必要となる。なお、ｘとｙとの概
略の関係は、ｙcos β＝ｘとなる。
【００３６】このように眼球と液晶パネルとの距離が近
い場合には、水平視野角の違いによる見た目の画素電極
の水平方向の寸法の違いが顕著になる。
い場合には、水平視野角の違いによる見た目の画素電極
の水平方向の寸法の違いが顕著になる。
【００３７】しかし、図１に示すような構造を採用する
ことにより、上記画素電極の水平方向における寸法の違
いを是正することができる。
ことにより、上記画素電極の水平方向における寸法の違
いを是正することができる。
【００３８】そして、水平視野角が大きくなった領域で
画像が歪んだり、見た目の違和感が生じたりすることを
抑制することができる。
画像が歪んだり、見た目の違和感が生じたりすることを
抑制することができる。
【００３９】図１に示すのは、１１４の方向に向かっ
て、視野角が大きくなるように眼球と液晶パネルとの位
置関係が設定された場合に有効な構成である。
て、視野角が大きくなるように眼球と液晶パネルとの位
置関係が設定された場合に有効な構成である。
【００４０】画素の寸法の変化の具合は、連続的になる
ようにしてもよいし、段階的になるようにしてもよい。
ようにしてもよいし、段階的になるようにしてもよい。
【００４１】〔実施例２〕図３に示すのは、図１に示す
構成をさらに改良したものである。図３において、図１
と符号の同じものは、図１に示すものと同じ箇所を示
す。
構成をさらに改良したものである。図３において、図１
と符号の同じものは、図１に示すものと同じ箇所を示
す。
【００４２】図３に示す構成は、３０２で示される領域
において水平視野角が０℃となるように設定された場合
に有効な構成である。
において水平視野角が０℃となるように設定された場合
に有効な構成である。
【００４３】この場合、３０１で示される領域、さらに
３０３で示される領域において、水平視野角がある所定
の値（０でない所定の値）をとることになる。
３０３で示される領域において、水平視野角がある所定
の値（０でない所定の値）をとることになる。
【００４４】そしてその視野角に対応させて、ｂ及びｃ
で示される画素の水平方向における寸法を設定する。こ
うすることで、全ての画素の見た目の水平方向の寸法を
ａで示される値に合わせることができる。換言すれば、
全ての画素における水平方向における見た目の寸法を同
じ、またはその違いが無視できる程度にすることができ
る。
で示される画素の水平方向における寸法を設定する。こ
うすることで、全ての画素の見た目の水平方向の寸法を
ａで示される値に合わせることができる。換言すれば、
全ての画素における水平方向における見た目の寸法を同
じ、またはその違いが無視できる程度にすることができ
る。
【００４５】〔実施例３〕本実施例では、１枚のガラス
基板または石英基板上にアクティブマトリクス領域と周
辺駆動回路とを集積化する作製工程を示す。本実施例で
示す作製工程を利用することにより、図１あるいは図３
に示すような周辺駆動回路一体型のアクティブマトリク
ス型の液晶パネルを得ることができる。
基板または石英基板上にアクティブマトリクス領域と周
辺駆動回路とを集積化する作製工程を示す。本実施例で
示す作製工程を利用することにより、図１あるいは図３
に示すような周辺駆動回路一体型のアクティブマトリク
ス型の液晶パネルを得ることができる。
【００４６】まず図５（Ａ）に示すようにガラス基板５
０１上に下地膜として、酸化珪素膜５０２を３０００Å
の厚さにスパッタリング法によって成膜する。
０１上に下地膜として、酸化珪素膜５０２を３０００Å
の厚さにスパッタリング法によって成膜する。
【００４７】次に図示しない非晶質珪素膜を減圧熱ＣＶ
Ｄ法により、４００Åの厚さに成膜する。さらにこの非
晶質珪素膜にレーザー光を照射することにより結晶性珪
素膜（図示せず）を得る。そしてこの非晶質珪素膜をパ
ターニングすることにより、図５（Ａ）の５０３、５０
４、５０５で示されるパターンを形成する。
Ｄ法により、４００Åの厚さに成膜する。さらにこの非
晶質珪素膜にレーザー光を照射することにより結晶性珪
素膜（図示せず）を得る。そしてこの非晶質珪素膜をパ
ターニングすることにより、図５（Ａ）の５０３、５０
４、５０５で示されるパターンを形成する。
【００４８】このパターンが、薄膜トランジスタの活性
層となる。ここで、５０３は周辺駆動回路のＣＭＯＳ回
路を構成するＮＭＯＳ（Ｎチャネル型の薄膜ＭＯＳトラ
ンジスタ）の活性層となる。
層となる。ここで、５０３は周辺駆動回路のＣＭＯＳ回
路を構成するＮＭＯＳ（Ｎチャネル型の薄膜ＭＯＳトラ
ンジスタ）の活性層となる。
【００４９】また、５０４は周辺駆動回路のＣＭＯＳ回
路を構成するＰＭＯＳ（Ｐチャネル型の薄膜ＭＯＳトラ
ンジスタ）の活性層となる。
路を構成するＰＭＯＳ（Ｐチャネル型の薄膜ＭＯＳトラ
ンジスタ）の活性層となる。
【００５０】また、５０５は画素に配置されるＮＭＯＳ
（Ｎチャネル型の薄膜ＭＯＳトランジスタ）の活性層と
なる。
（Ｎチャネル型の薄膜ＭＯＳトランジスタ）の活性層と
なる。
【００５１】このようにして図５（Ａ）に示す状態を得
る。次に図５（Ｂ）に示すようにアルミニウムでなるゲ
イト電極のパターン５０７、５０８、５０９を形成す
る。
る。次に図５（Ｂ）に示すようにアルミニウムでなるゲ
イト電極のパターン５０７、５０８、５０９を形成す
る。
【００５２】ここでは、まずスカンジウムを0.18重量パ
ーセント含有させたアルミニウム膜をスパッタリング法
により、４０００Åの厚さに成膜する。ここで、スカン
ジウムを含有させるのは、後の工程においてアルミニウ
ムの異常成長によりヒロックやウィスカーといった突起
物が形成されることを抑制するためである。
ーセント含有させたアルミニウム膜をスパッタリング法
により、４０００Åの厚さに成膜する。ここで、スカン
ジウムを含有させるのは、後の工程においてアルミニウ
ムの異常成長によりヒロックやウィスカーといった突起
物が形成されることを抑制するためである。
【００５３】アルミニウム膜を成膜したら、その表面に
緻密な膜質を有する図示しない陽極酸化膜を１００Å程
度の厚さに成膜する。
緻密な膜質を有する図示しない陽極酸化膜を１００Å程
度の厚さに成膜する。
【００５４】ここでは、電解溶液として３％の酒石酸を
含んだエチレングルコール溶液をアンモニア水で中和し
たものを用いる。そして、この電解溶液中において、白
金を陰極、アルミニウムを陽極として、両電極間に電流
を流すことにより、アルミニウム膜の表面に陽極酸化膜
を形成することができる。
含んだエチレングルコール溶液をアンモニア水で中和し
たものを用いる。そして、この電解溶液中において、白
金を陰極、アルミニウムを陽極として、両電極間に電流
を流すことにより、アルミニウム膜の表面に陽極酸化膜
を形成することができる。
【００５５】この陽極酸化膜は、緻密な強固な膜質を有
し、後に形成されるレジストマスクとアルミニウム膜と
の密着性を高める機能を有している。この陽極酸化膜の
膜厚は、印加電圧によって概略制御することができる。
し、後に形成されるレジストマスクとアルミニウム膜と
の密着性を高める機能を有している。この陽極酸化膜の
膜厚は、印加電圧によって概略制御することができる。
【００５６】図示しない陽極酸化膜を形成した図示しな
いアルミニウム膜を得たら、その表面にレジストマスク
を形成し、そのマスクを利用してパターニングを行な
う。こうして、図５（Ｂ）の５０７、５０８、５０９で
示されるゲイト電極パターンを得る。
いアルミニウム膜を得たら、その表面にレジストマスク
を形成し、そのマスクを利用してパターニングを行な
う。こうして、図５（Ｂ）の５０７、５０８、５０９で
示されるゲイト電極パターンを得る。
【００５７】５０７、５０８、５０９で示されるゲイト
電極パターンを得たら、再度の陽極酸化膜を形成する。
この陽極酸化膜の形成も電解溶液として３％の酒石酸を
含んだエチレングルコール溶液をアンモニア水で中和し
たものを用いて行なう。
電極パターンを得たら、再度の陽極酸化膜を形成する。
この陽極酸化膜の形成も電解溶液として３％の酒石酸を
含んだエチレングルコール溶液をアンモニア水で中和し
たものを用いて行なう。
【００５８】ここでは、この陽極酸化膜の膜厚を１００
０Åとする。この陽極酸化膜は、アルミニウムでなるゲ
イト電極の表面を電気的、及び物理的に保護する機能を
有している。
０Åとする。この陽極酸化膜は、アルミニウムでなるゲ
イト電極の表面を電気的、及び物理的に保護する機能を
有している。
【００５９】次にゲイト電極とその表面の陽極酸化膜を
マスクとして導電型を付与する不純物のドーピングを行
なう。この工程では、選択的にレジストマスクを配置し
て、Ｐ（リン）及びＢ（ボロン）のドーピングをプラズ
マドーピング法により交互に選択的に行ない、Ｎ型領域
５０、５２、５６、５８を形成する。また、Ｐ型領域５
３、５５を形成する。
マスクとして導電型を付与する不純物のドーピングを行
なう。この工程では、選択的にレジストマスクを配置し
て、Ｐ（リン）及びＢ（ボロン）のドーピングをプラズ
マドーピング法により交互に選択的に行ない、Ｎ型領域
５０、５２、５６、５８を形成する。また、Ｐ型領域５
３、５５を形成する。
【００６０】ドーピングの終了後、レーザー光の照射を
行なうことにより、ドーピングされた不純物の活性化と
ドーピング時における損傷のアニールとを行なう。
行なうことにより、ドーピングされた不純物の活性化と
ドーピング時における損傷のアニールとを行なう。
【００６１】ここで、５０はＮＭＯＳのソース領域、５
２がＮＭＯＳのドレイン領域、５３がＰＭＯＳのドレイ
ン領域、５５がＰＭＯＳのソース領域となる。また５６
がＮＭＯＳのドレイン領域、５８がＮＭＯＳのソース領
域となる。また、５１、５４、５７が各薄膜トランジス
タのチャネル領域となる。
２がＮＭＯＳのドレイン領域、５３がＰＭＯＳのドレイ
ン領域、５５がＰＭＯＳのソース領域となる。また５６
がＮＭＯＳのドレイン領域、５８がＮＭＯＳのソース領
域となる。また、５１、５４、５７が各薄膜トランジス
タのチャネル領域となる。
【００６２】こうして、図５（Ｂ）に示す状態を得る。
そして、第１の層間絶縁膜を構成する窒化珪素膜５１３
を２０００Åの厚さにプラズマＣＶＤ法でもって成膜す
る。
そして、第１の層間絶縁膜を構成する窒化珪素膜５１３
を２０００Åの厚さにプラズマＣＶＤ法でもって成膜す
る。
【００６３】さらに、第１の層間絶縁膜を構成するポリ
イミド樹脂でなる膜５１４をスピンコート法を用いて成
膜する。ポリイミド樹脂の他には、ポリアミド、ポリイ
ミドアミド等を利用することができる。ここで、樹脂材
料を層間絶縁膜に利用するのは、その表面を平坦にでき
るからである。
イミド樹脂でなる膜５１４をスピンコート法を用いて成
膜する。ポリイミド樹脂の他には、ポリアミド、ポリイ
ミドアミド等を利用することができる。ここで、樹脂材
料を層間絶縁膜に利用するのは、その表面を平坦にでき
るからである。
【００６４】こうして図５（Ｃ）に示す状態を得る。そ
して、コンタクトホールの形成を行い、チタン膜とアル
ミニウム膜とチタン膜との積層膜でなる電極５１５、５
１６、５１７、５１８を形成する。
して、コンタクトホールの形成を行い、チタン膜とアル
ミニウム膜とチタン膜との積層膜でなる電極５１５、５
１６、５１７、５１８を形成する。
【００６５】ここで、チタン膜の厚さは１０００Å、ア
ルミニウム膜の膜厚は２０００Åとする。また各膜は、
スパッタ法で成膜する。
ルミニウム膜の膜厚は２０００Åとする。また各膜は、
スパッタ法で成膜する。
【００６６】この状態で周辺駆動回路を構成するＣＭＯ
Ｓ回路が形成される。また、５１８で示される電極は、
アクティブマトリクス回路のソース線またはソース線か
ら延在したものとなる。
Ｓ回路が形成される。また、５１８で示される電極は、
アクティブマトリクス回路のソース線またはソース線か
ら延在したものとなる。
【００６７】こうして図５（Ｄ）に示す状態を得る。次
にポリイミド樹脂でなる第２の層間絶縁膜５１９を成膜
する。そして、コンタクトホールの形成を行いＩＴＯで
なる画素電極５２０を形成する。
にポリイミド樹脂でなる第２の層間絶縁膜５１９を成膜
する。そして、コンタクトホールの形成を行いＩＴＯで
なる画素電極５２０を形成する。
【００６８】こうして図５（Ｅ）に示す状態を得る。図
５（Ｅ）に示す状態を得たら、３５０℃の水素雰囲気中
において加熱処理を１時間行う。そして、液晶を配向さ
せるための図示しない配向膜を形成し、さらに配向処理
を施す。
５（Ｅ）に示す状態を得たら、３５０℃の水素雰囲気中
において加熱処理を１時間行う。そして、液晶を配向さ
せるための図示しない配向膜を形成し、さらに配向処理
を施す。
【００６９】さらに図示しない、別に用意した対向基板
と図８（Ｅ）に示すＴＦＴ基板とを張り合わせ、その間
隙に液晶を注入することにより、周辺駆動回路一体型の
アクティブマトリクス型の液晶表示装置を得る。
と図８（Ｅ）に示すＴＦＴ基板とを張り合わせ、その間
隙に液晶を注入することにより、周辺駆動回路一体型の
アクティブマトリクス型の液晶表示装置を得る。
【００７０】
【発明の効果】本明細書に開示する発明を利用すること
で、ヘッドマウントディスプレイにおいて、水平視野角
によって、画素の実効面積（見た目の面積）が変化して
しまうという問題を解決することができる。
で、ヘッドマウントディスプレイにおいて、水平視野角
によって、画素の実効面積（見た目の面積）が変化して
しまうという問題を解決することができる。
【図１】 液晶パネルの配置構造を示す図。
【図２】 ヘッドマウントディスプレイの概要を示す
図。
図。
【図３】 液晶パネルの配置構造を示す図。
【図４】 水平視野各と画素の寸法との関係を示す
図。
図。
【図５】 液晶パネルに配置する薄膜トランジスタの
作製工程を示す図。
作製工程を示す図。
１０１ 周辺駆動回路 １０２ 周辺駆動回路 １０３ アクティブマトリクス回路 １０４ 周辺駆動回路 １０５ 周辺駆動回路 １０６ アクティブマトリクス回路 １０７ ガラス基板（または石英基板） １０８ ガラス基板（または石英基板） １０９ ゲイト線 １１０ ソース線 １１１ 薄膜トランジスタの活性層 １１２ 画素電極 １１３ 画素電極
Claims (6)
- 【請求項１】右目用と左目用のフラットパネルディスプ
レイを具備し、頭に装着して利用する表示システムであ
って、 フラットパネルディスプレイの画素の水平方向における
寸法が所定の位置からの水平視野角に応じて連続的ある
いは段階的に変化して設定されていることを特徴とする
表示システム。 - 【請求項２】右目用と左目用のフラットパネルディスプ
レイを具備し、頭に装着して利用する表示システムであ
って、 フラットパネルディスプレイの画素の面積が所定の位置
からの水平視野角に応じて連続的あるいは段階的に変化
して設定されていることを特徴とする表示システム。 - 【請求項３】フラットパネルディスプレイの画素の面積
が所定の位置からの視野角に対応して連続的あるいは段
階的に変化して設定されていることを特徴とする表示シ
ステム。 - 【請求項４】右目用と左目用のフラットパネルディスプ
レイを具備し、頭に装着して利用する表示システムであ
って、 フラットパネルディスプレイは周辺駆動回路が一体化さ
れたアクティブマトリクス型の液晶表示装置であって、 前記右目用のフラットパネルディスプレイと前記左目用
のフラットパネルディスプレイにおいて、周辺駆動回路
が線対称に配置されていることを特徴とする表示システ
ム。 - 【請求項５】請求項４において、フラットパネルディス
プレイの画素の水平方向における寸法が所定の位置から
の水平視野角に応じて連続的あるいは段階的に変化して
設定されていることを特徴とする表示システム。 - 【請求項６】請求項４において、フラットパネルディス
プレイの画素の面積が所定の位置からの水平視野角に応
じて連続的あるいは段階的に変化して設定されているこ
とを特徴とする表示システム。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8294548A JPH10123550A (ja) | 1996-10-16 | 1996-10-16 | 表示システム |
| US08/948,617 US6115007A (en) | 1996-10-16 | 1997-10-10 | Head mounted display system with varied pixel width |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8294548A JPH10123550A (ja) | 1996-10-16 | 1996-10-16 | 表示システム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10123550A true JPH10123550A (ja) | 1998-05-15 |
Family
ID=17809220
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8294548A Pending JPH10123550A (ja) | 1996-10-16 | 1996-10-16 | 表示システム |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6115007A (ja) |
| JP (1) | JPH10123550A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017033007A (ja) * | 2000-01-17 | 2017-02-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 電子機器 |
| JP2017044768A (ja) * | 2015-08-25 | 2017-03-02 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置および頭部装着型の表示装置 |
| US10642350B2 (en) | 2017-09-28 | 2020-05-05 | Seiko Epson Corporation | Virtual image display device |
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| JP2017130190A (ja) | 2015-12-04 | 2017-07-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 電子機器、表示システム |
| JP2017130201A (ja) | 2016-01-20 | 2017-07-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 入力システム、および電子機器 |
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-
1996
- 1996-10-16 JP JP8294548A patent/JPH10123550A/ja active Pending
-
1997
- 1997-10-10 US US08/948,617 patent/US6115007A/en not_active Expired - Lifetime
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Also Published As
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|---|---|
| US6115007A (en) | 2000-09-05 |
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