JP4073533B2

JP4073533B2 - 情報処理装置

Info

Publication number: JP4073533B2
Application number: JP04465898A
Authority: JP
Inventors: 舜平山崎; 吉晴平形; 毅西; 秀明桑原
Original assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Current assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority date: 1998-02-09
Filing date: 1998-02-09
Publication date: 2008-04-09
Anticipated expiration: 2018-02-09
Also published as: CN1126043C; US6580405B1; EP0935183A3; CN1912677A; CN100426052C; EP0935183A2; JPH11232011A; TW446837B; CN1494006A; EP0935183B1; CN1231447A; KR100687450B1; KR19990072507A; CN1273909C; DE69942868D1

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本明細書で開示する発明は、ヘッドマウントディスプレイと呼ばれる頭に装着し、目の前に画像を映し出す表示装置およびそれを用いた情報処理装置及びそのシステムに関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、電子情報を取り扱う使用者は、情報処理装置の概略図として図１３に示したような装置を用いて情報処理操作を行っている。本明細書で情報処理操作とは、コンピュータ等を用いて情報の入力、取得、送信、交換、保存、整理等を行うことを指している。
【０００３】
キーボード、マウス等の入力端末装置１１は、使用者１０が情報の入力操作を行うための装置である。また、入力端末装置１１に接続されているコンピュ─タ─等の制御装置１２は情報の記憶、演算、通信等の処理を行うための装置である。また、ＣＲＴ等の表示装置１３は、情報を表示画面に出力するための装置である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
このうち、ＣＲＴ等の表示装置１３は装置自体が大きく、デスク上の空間を大幅に狭めていた。さらに、多くの表示情報（文字、画像等）を認識するために、画面サイズを大きくすると空間がさらに狭まるとともに、重量も相当なものとなり、日常的に使うディスプレイとしては適していない。また、人間の目に悪影響（疲れ、視力の低下等）を与えるため、長時間連続して使用することが敬遠されていた。
【０００５】
そこで、ＣＲＴと比較して装置の奥行きが薄いため、軽量である液晶等を用いたフラットディスプレイパネルが表示装置として普及している。液晶パネルは、軽量であるため、小型のものであれば、携帯することが可能であった。また、人間の目に与える影響も低いという長所も有している。しかしながら、画面サイズが大きくなると、日常的に使うディスプレイとしては高価なものとなっていた。加えて、依然として表示装置がデスク上の空間を狭めていた。
【０００６】
また、上記装置以外の表示装置として、小型の液晶パネルを利用したヘッドマウントディスプレイ（ＨＭＤ）と呼ばれる表示装置が知られている。この表示装置は頭に装着して利用するため、空間を狭めることはなく、また、仮想表示画面のサイズが自由に変更可能であるという長所を有している。
【０００７】
この表示装置（ＨＭＤ）は、光学系を用いて目の前数センチ程度の場所に画像を映し出すことにより、人間の目には大型ディスプレイに表示されたような仮想現実感のある画像を認識するものである。その応用範囲としては、ＴＶゲーム等の遊戯関係、映画鑑賞、教育やプレゼンテーション、医療といったものを挙げることができる。
【０００８】
しかしながら、従来のＨＭＤは解像度が低く、文字の認識が困難であった。また、このＨＭＤは数時間（２〜３時間）連続使用すると、かなりの目の疲労を覚える。さらに、乗り物酔いに似た症状がでる場合もある。従って、情報処理装置の表示装置としては不適であった。これらの問題は、液晶パネルと目との距離が数ｃｍ程度と小さいのでチラツキが目立ち、目に悪影響を与えていると考えられている。
【０００９】
このチラツキは、液晶材料の劣化を防ぎ、表示品位を保つため行われている交流化駆動が原因で生じている。各画素への印加電圧の正負の極性が反転する周期（極性反転周期）が、人間の目に視認できる周波数域（約３０Ｈｚ程度）となると、映像信号の極性が正の時の表示と映像信号の極性が負の時の表示とが微妙に異なっているためチラツキとして視認される。
【００１０】
また、ディスプレイの表示画素数は年々増加しており、高画素数のパネルでは、駆動周波数が非常に高くなる。例えば、ＮＴＳＣ規格で画素数は約４０万個、ＨＤＴＶ規格では画素数は約２００万個が必要とされている。従って、入力される映像信号の最高周波数は、ＮＴＳＣ規格で約６ＭＨｚ、ＨＤＴＶ規格では約２０ＭＨｚ〜３０ＭＨｚとなっている。この映像信号を正確に表示するためには、クロック信号は、この映像信号の数倍の周波数（例えば約５０ＭＨｚ〜６０ＭＨｚ）が必要である。今後、ますます高精細で高画質な表示が要求されることが予想され、非常に速いドットクロックを持つ映像信号が取り扱われることになる。
【００１１】
従来、このように高い周波数帯域を有する映像信号およびクロック信号を正確に交流化させて液晶パネルを駆動することは困難であった。なぜなら、そのような高い周波数帯域で正確に動作可能な薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を非晶質シリコンや多結晶シリコンを用いて作製することができなかったためである。
【００１２】
そして、非常に速いドットクロックを持つ映像信号が取り扱われるようになると、表示画素への映像信号の書き込み期間が短くなり、従来のＴＦＴでは、位相ずれ、ノイズ、信号波形のなまり等が生じ、不正確な表示になるという問題が生じていた。
【００１３】
本明細書で開示する発明は、空間を狭めずに日常的に使う表示装置として、ヘッドマウントディスプレイを用い、この表示装置を用いて、容易に情報処理操作を行うことが可能な情報処理装置及びそのシステムに関する。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
本実施例で開示する本発明の第１の構成は、
右目用と左目用のフラットパネルディスプレイを具備し、使用者の頭に装着する表示装置と、
前記表示装置と接続された制御装置と、
前記制御装置と接続された入力操作装置とを有し、
前記表示装置、前記制御装置及び前記入力操作装置は、前記使用者によって情報処理操作が行われるものであることを特徴とする情報処理装置である。
【００１５】
更に、本発明の第２の構成は、
右目用と左目用のフラットパネルディスプレイを具備し、使用者の頭に装着する表示装置と、前記表示装置に接続された通信装置と、入力操作装置と有し、
前記通信装置を用いて、使用者に通信相手からの情報の受信が行われ、
前記入力操作装置を用いて、前記使用者から前記通信相手に情報の送信が行われるものであることを特徴とする情報処理装置である。
【００１６】
更に、本発明の第３の構成は、
右目用と左目用のフラットパネルディスプレイを具備し、使用者の頭に装着する表示装置と、通信装置と、入力操作装置と、使用者の声データを文字変換する装置とを有し、
前記入力操作装置には、使用者の声のデータが入力され、
声データを文字変換する前記装置は、前記使用者の声データを文字に変換して通信相手に送信するものであることを特徴とする情報処理装置である。
【００１７】
更に、本発明の第４の構成は、
右目用と左目用のフラットパネルディスプレイを具備し、使用者の頭に装着する表示装置と、通信装置と、入力操作装置と、通信相手の声データを文字変換する装置とを有し、
前記入力操作装置には、前記通信相手の声のデータが入力され、
前記表示装置によって前記使用者に提供される仮想表示画面には、通信相手との会話が文字として表示されるものであることを特徴とする情報処理装置である。
【００１８】
上記第１乃至４の構成において、入力操作装置は、集音装置であることを特徴としている。
【００１９】
上記第１乃至４の構成において、入力操作装置は、撮像装置であることを特徴としている。
【００２０】
上記各構成において、前記表示装置のフラットパネルディスプレイの画素電極に接続されているＴＦＴのチャネル形成領域は、絶縁表面上に形成された複数の棒状または偏平棒状結晶の集合体からなる半導体薄膜で構成されていることを特徴としている。
【００２１】
また、上記構成において、前記チャネル形成領域の面方位は概略｛１１０｝配向である。
【００２２】
また、上記各構成において、前記チャネル形成領域の結晶粒界において９０％以上の結晶格子に連続性がある。
【００２３】
上記各構成において、前記情報処理装置における、前記フラットパネルディスプレイは、４５Ｈｚ〜１８０Ｈｚで１画面の書き込みが行われ、且つ、１画面毎に画素電極に印加する電圧の極性を反転させることにより画面表示が得られる表示装置であることを特徴としている。
【００２４】
上記各構成において、前記フラットパネルディスプレイの液晶材料が、実質的にしきい値を持たない反強誘電性液晶である。
【００２５】
上記各構成において、右目用と左目用のフラットパネルディスプレイを具備し、使用者の頭に装着する表示装置は、使用者に仮想平面映像を提供することを特徴としている。
【００２６】
上記各構成において、右目用と左目用のフラットパネルディスプレイを具備し、使用者の頭に装着して利用する表示装置は、使用者に仮想立体映像を提供することを特徴としている。
【００２７】
【発明の実施の形態】
本発明は、図１にその概略図を示すように、使用者１００は表示装置１０３（ヘッドマウントディスプレイ）を頭部に装着し、仮想表示画面１０４を見ながら入力端末装置１０１及び制御装置１０２を用いて情報処理操作を行う情報処理装置及びそのシステムである。
【００２８】
本発明の表示装置１０３としては、右目用と左目用の液晶パネルを頭部に装着し、文字が認識可能な解像度を有する仮想表示画面（平面画像または立体画像表示画面）が得られる表示装置であれば、特に限定されない。
【００２９】
また、本発明の表示装置の液晶パネルにおいては、スイッチング素子の半導体膜が連続粒界結晶シリコン（Continuous Grain Silicon：ＣＧＳ）で構成されている液晶パネルを用いているのであれば特に限定されない。
【００３０】
また、本発明の表示装置は、液晶パネルと目との距離が数ｃｍ程度と小さくとも、人間の目に視認できない周波数域（約４５Ｈｚ以上）で１フレーム（１画面）毎に、全ての画素の印加電圧の正負の極性を反転させるフレーム反転駆動で駆動させている。本発明の液晶パネルにおいては、画素ＴＦＴの線順次走査を行い、人間の目に視認できない周波数域（約４５Ｈｚ以上）で交流化駆動されている液晶パネルであれば特に限定されない。
【００３１】
また、本発明の入力端末装置１０１としては、使用者が情報を制御装置に入力できる装置であれば、特に限定されない。代表的な装置としてキーボードや、マウス、コントローラ、カメラ、マイク等が挙げられる。
【００３２】
また、制御装置１０２は、入力端末装置からの情報を受け取る手段と、電子情報を記憶する手段と、表示装置に画像情報を送る手段とを少なくとも有している装置であれば特に限定されない。
【００３３】
情報を制御装置に入力する手段及び表示装置に画像情報を送る手段として、電気コード配線、光ファイバーを用いることが可能である。また、コードレスとして、光で情報を送信する構成としてもよい。
【００３４】
【実施例】
以下、本実施例の実施例を説明するが、この実施例に限定されないことは勿論である。
〔実施例１〕
図１に本実施例に示す情報処理装置の概略図を示す。また、図２に本実施例に示す表示装置（ヘッドマウントディスプレイ）の外観図を示す。本実施例の画像の表示方法としては、２Ｄ（平面画像）を表示する。
【００３５】
図１に示すように、表示装置１０３は、入力端末装置１０１や制御装置１０２（コンピューター等）と電気的に接続されている。なお、それらで情報処理装置及びそのシステムが構成されている。
【００３６】
図２に示す表示装置の構成は、本体２０１を頭に固定するためのバンド２０３、画像を表示するためのアクティブマトリクス型の０．２〜２．６インチの小型液晶パネル２０２を備えている。本実施例では、１．４インチの小型液晶パネルを用いた。
【００３７】
液晶パネルは、右目用と左目用とにそれぞれ１枚づつ配置されている。液晶パネルの配置方法としては、図示する構成以外に液晶パネルで光学変調された画像をミラーやハーフミラーに写し、それを目で見る形式のものを挙げることができる。この場合も液晶パネルは、本体２０１に配置される。本実施例において、光学系は従来と同様の機能を有するものを用いた。
【００３８】
また、本体２０１に、仮想表示される画像サイズを拡大する光学系（凹面ハーフミラー等）を設けてもよい。その場合には、拡大された映像の粗さを防止するために液晶パネル前面にディフューザ（拡散板）を設けることが好ましい。また、バックライトを設ける構成、目幅などの調節機能を設ける構成、さらに音響装置等を本体２０１に内蔵する構成としてもよい。
【００３９】
また、本実施例に示す液晶パネルは、カラーフィルタを設け、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）でカラー映像を形成する場合の構成とした。なお、カラー表示を行うために必要とする原色は上記構成に限定されるものではなく、適宜設定することができる。
【００４０】
また、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の発光ダイオードをバックライトとして用いて本体２０１に内蔵し、カラー映像を得る構成としてもよい。この場合のカラー表示としては、例えば、１画面の書き込み期間（フレーム周波数）の３倍の周波数で発光ダイオードのＲ、Ｇ、Ｂの点滅を各色毎にＲ、Ｇ、Ｂ、Ｒ、Ｇ、Ｂ、Ｒ・・・と時系列的に繰り返せば人間の目にはカラー映像として認識される。この場合は、カラーフィルターは必要としないため、明るい表示を得ることができる。
【００４１】
液晶パネルの形式としては、バックライトが必要とされる透過型のものが一般に利用される。しかし、光学系を適宜変更すれば、反射型を利用することもできる。
【００４２】
本実施例に示す構成においては、２０２で示される２つの液晶パネルの構造、特に画素の配置に関しての構造を図３に示すようなものとしている。画素サイズは、４μｍ×４μｍ〜４５μｍ×３０μｍの範囲内であることが望ましい。本実施例では、画素サイズは、２８μｍ×２８μｍとした。アクティブマトリクス領域３０６の画素は、開口率を向上させるため、画素面積が小さくなるように設定することが望ましい。
【００４３】
図３において、３０７で示すのが左目用の液晶パネルのガラス基板（または石英基板）である。この基板３０７上には、周辺駆動回路３０１及び３０２が配置されている。また、アクティブマトリクス領域（画素マトリクス領域）３０３が配置されている。
【００４４】
また、３０８で示すのが右目用の液晶パネルのガラス基板（または石英基板）である。この基板３０８上には、周辺駆動回路３０４及び３０５が配置されている。また、アクティブマトリクス領域（画素マトリクス領域）３０６が配置されている。
【００４５】
アクティブマトリクス領域は、ゲイト線３０９とソース線３１０とが格子状に配置され、その交点近くに薄膜トランジスタ３１１が配置されている。そしてこの薄膜トランジスタによって、画素電極３１２に保持される電荷量が制御され、液晶の透過光量を制御し、他の画素との組み合わせで液晶パネル全体で映像を得る構造となっている。
【００４６】
また、周辺駆動回路の配置が左右の液晶パネルにおいて、その間を通る軸３００に対して線対称となっている。この軸３００は一般に顔の中心を縦に２分する線と概略一致する。
【００４７】
こうすることにより、右目で見る右側の液晶パネル対する見た目の構造と、左目で見る左側の液晶パネル対する見た目の構造との対称性を得ることができる。また、液晶パネルの配置を対称軸３００に対して対称にすることができる。
【００４８】
これは、構造上のバランスを確保する上で重要なものとなる。特にヘッドマウントディスプレイにおいては、液晶パネルの位置が目に近いものとなるので、この点は重要なものとなる。
【００４９】
図４に表示装置内部のブロック図の１例を示した。なお、図４の液晶パネルは図３に対応している。表示装置内部には、液晶コントローラ４０１ａ、４０１ｂ、タイミング発生回路４０２等を有している。
【００５０】
タイミング発生回路４０２では、表示するタイミングを調節するためのクロック信号等の同期信号を形成している。本実施例においては外部装置（制御装置等）により、左右の液晶パネルに信号を２つに分離する処理を行っている。液晶コントローラ（回路）４０１ａ、４０１ｂは、主に、外部からの信号〔制御装置（コンピュ─タ等）、画像を記憶した記憶装置（光磁気記憶媒体や磁気記憶媒体等）、ＴＶチューナー等からの映像情報信号４０５〕を、左右の液晶パネルが表示可能な信号に変換する処理を行うものである。但し、この表示装置本体４００内での信号の処理の順序を、回路設計により適宜変更することが可能であることはいうまでもない。
【００５１】
また、液晶コントローラ４０１ａ、４０１ｂ及びタイミング発生回路４０２は、液晶パネルの周辺回路として同一基板上に形成すると、さらなる軽量化及び集積化が図れる。
【００５２】
また、表示装置に、外界の様子の情報を遮断する機能や、周囲の景色に重ねて仮想画面を表示する機能を備えた構成としてもよい。情報処理操作中、外界の様子を遮断する場合は、使用者は、仮想表示画面に集中できる。また、周囲の環境から切り離されるのでリラックスできる。また、周囲の景色に重ねて仮想画面を表示する機能を備えた場合は、仮想表示画面と入力装置（キーボード等）を同時に見ることができるため、情報処理の操作を容易とすることができる。勿論、前記両方の機能を備え、それらの切替えを使用者が自由に決定する切替え装置を設ける構成とすることが望ましい。また、入力される映像信号によって、自動的に切替えをする機能を表示装置に設ける構成としてもよい。
【００５３】
本実施例の画像の表示方法としては、２Ｄ（平面画像）を表示するため、右目用の映像信号４０６と左目用の映像信号４０７が同じ信号を液晶コントローラで形成し、液晶パネルに入力する。
【００５４】
また、本発明の表示装置に用いられる液晶パネル（右目用の液晶パネル４０３、左目用の液晶パネル４０４）は、画素ＴＦＴの線順次走査を行い、その画素数は、今後のＡＴＶ（ＡｄｏｖａｎｃｅｄＴＶ）に対応できる程莫大である。よって、ＸＧＡ以上のもの、例えば、横１９２０×縦１２８０のような高解像度を有している。
【００５５】
また、本発明の表示装置は、液晶パネルと目との距離が数ｃｍ程度と小さくとも、人間の目に視認できない周波数域（約６０Ｈｚ以上）で１フレーム（１画面）毎に、全ての画素の印加電圧の正負の極性を反転させるフレーム反転駆動で駆動させている。本実施例においては、周波数６０Ｈｚで、１フレーム（１画面）毎に、全ての画素の印加電圧の正負の極性を反転させた。
【００５６】
本発明の液晶パネルにおいては、スイッチング素子（ＴＦＴ）のチャネル形成領域が連続粒界結晶シリコン（Continuous Grain Silicon：ＣＧＳ）で構成され、且つ、画素ＴＦＴの線順次走査を行い、人間の目に視認できない周波数域（約４５Ｈｚ〜１８０Ｈｚ、好ましくは６０〜８５Ｈｚ）で交流化駆動されている液晶パネルであれば特に限定されない。
【００５７】
〔実施例２〕
本実施例においては、表示装置（ヘッドマウントディスプレイ）を利用し、３Ｄ（立体画像）映像を仮想表示させた例を示す。本実施例を図４を用いて説明する。表示装置の液晶パネルとしては、スイッチング素子の半導体膜が連続粒界結晶シリコン（ＣＧＳ）で構成され、且つ、画素ＴＦＴの線順次走査を行い、人間の目に視認できない周波数域（約４５Ｈｚ〜１８０Ｈｚ）で交流化駆動している液晶パネルであれば特に限定されない。
【００５８】
３Ｄ（立体画像）映像は、２つの異なる画像情報、即ち、右目用の映像信号４０６と左目用の映像信号４０７とを用意する。本実施例では、外部装置（制御装置、記憶装置等）で、２つの異なる映像信号を形成し、それぞれ右目用の液晶パネルと左目の液晶パネルに入力する構成として、表示装置の簡略化を図った。
【００５９】
また、立体映像を撮像するために、２つの撮像装置で２つの映像信号４０６、４０７を得た場合は、直接、得られた映像情報を用いればよい。
【００６０】
上記２つの異なる映像信号を液晶コントローラ４０１ａまたは４０１ｂで形成し、それぞれ右目用の液晶パネルと左目用の液晶パネルに入力することにより、３Ｄ（立体画像）映像が得られる。即ち、液晶コントローラ４０１ａまたは４０１ｂでは、液晶パネルに表示される画像が３Ｄ（立体画像）映像として人間の目に認識される信号に映像情報信号４０５を変換している。但し、この表示装置本体４００内での信号の処理の順序を、回路設計により適宜変更することが可能であることはいうまでもない。
【００６１】
加えて、表示装置本体４００に切替えスイッチ等を備え、２Ｄ（平面画像）も表示することが可能な構成とすることが好ましい。
【００６２】
〔実施例３〕
本実施例では、１枚のガラス基板または石英基板上にアクティブマトリクス領域と周辺駆動回路とを集積化して、さらに液晶パネルを作製する作製工程の１例を図５を用いて示す。本実施例で示す作製工程を利用することにより、図２乃至４に示すような液晶パネルを得ることができる。
【００６３】
まず図５（Ａ）に示すように絶縁性基板５０１上に下地膜として、酸化珪素膜５０２を３０００Åの厚さにスパッタリング法によって成膜する。
【００６４】
次に図示しない非晶質珪素膜を減圧熱ＣＶＤ法により、４００Åの厚さに成膜する。さらにこの非晶質珪素膜を結晶化させて、連続粒界結晶シリコン（ＣＧＳ）と呼ばれる結晶シリコン膜を得る。そしてこの結晶シリコン膜をパターニングすることにより、図５（Ａ）の５０３、５０４、５０５で示されるパターンを形成する。
【００６５】
このパターンが、薄膜トランジスタの活性層となる。ここで、５０３は周辺駆動回路のＣＭＯＳ回路を構成するＮＭＯＳ（Ｎチャネル型の薄膜ＭＯＳトランジスタ）の活性層となる。
【００６６】
また、５０４は周辺駆動回路のＣＭＯＳ回路を構成するＰＭＯＳ（Ｐチャネル型の薄膜ＭＯＳトランジスタ）の活性層となる。
【００６７】
また、５０５は画素に配置されるＮＭＯＳ（Ｎチャネル型の薄膜ＭＯＳトランジスタ）の活性層となる。
【００６８】
このようにして図５（Ａ）に示す状態を得る。次に図５（Ｂ）に示すようにアルミニウムでなるゲイト電極のパターン５０７、５０８、５０９を形成する。
【００６９】
ここでは、まずスカンジウムを0.18重量パーセント含有させたアルミニウム膜をスパッタリング法により、４０００Åの厚さに成膜する。ここで、スカンジウムを含有させるのは、後の工程においてアルミニウムの異常成長によりヒロックやウィスカーといった突起物が形成されることを抑制するためである。
【００７０】
アルミニウム膜を成膜したら、その表面に緻密な膜質を有する図示しない陽極酸化膜を１００Å程度の厚さに成膜する。
【００７１】
ここでは、電解溶液として３％の酒石酸を含んだエチレングルコール溶液をアンモニア水で中和したものを用いる。そして、この電解溶液中において、白金を陰極、アルミニウムを陽極として、両電極間に電流を流すことにより、アルミニウム膜の表面に陽極酸化膜を形成することができる。
【００７２】
この陽極酸化膜は、緻密な強固な膜質を有し、後に形成されるレジストマスクとアルミニウム膜との密着性を高める機能を有している。この陽極酸化膜の膜厚は、印加電圧によって概略制御することができる。
【００７３】
図示しない陽極酸化膜を形成した図示しないアルミニウム膜を得たら、その表面にレジストマスクを形成し、そのマスクを利用してパターニングを行なう。こうして、図５（Ｂ）の５０７、５０８、５０９で示されるゲイト電極パターンを得る。
【００７４】
５０７、５０８、５０９で示されるゲイト電極パターンを得たら、再度の陽極酸化膜を形成する。この陽極酸化膜の形成も電解溶液として３％の酒石酸を含んだエチレングルコール溶液をアンモニア水で中和したものを用いて行なう。
【００７５】
ここでは、この陽極酸化膜の膜厚を１０００Åとする。この陽極酸化膜は、アルミニウムでなるゲイト電極の表面を電気的、及び物理的に保護する機能を有している。
【００７６】
次にゲイト電極とその表面の陽極酸化膜をマスクとして導電型を付与する不純物のドーピングを行なう。この工程では、選択的にレジストマスクを配置して、Ｐ（リン）及びＢ（ボロン）のドーピングをプラズマドーピング法により交互に選択的に行ない、Ｎ型領域５０、５２、５６、５８を形成する。また、Ｐ型領域５３、５５を形成する。
【００７７】
ドーピングの終了後、レーザー光の照射を行なうことにより、ドーピングされた不純物の活性化とドーピング時における損傷のアニールとを行なう。
【００７８】
ここで、５０はＮＭＯＳのソース領域、５２がＮＭＯＳのドレイン領域、５３がＰＭＯＳのドレイン領域、５５がＰＭＯＳのソース領域となる。また５６がＮＭＯＳのドレイン領域、５８がＮＭＯＳのソース領域となる。また、５１、５４、５７が各薄膜トランジスタのチャネル形成領域となる。
【００７９】
こうして、図５（Ｂ）に示す状態を得る。そして、第１の層間絶縁膜を構成する窒化珪素膜５１３を２０００Åの厚さにプラズマＣＶＤ法でもって成膜する。
【００８０】
さらに、第１の層間絶縁膜を構成するポリイミド樹脂でなる膜５１４をスピンコート法を用いて成膜する。ポリイミド樹脂の他には、ポリアミド、ポリイミドアミド等を利用することができる。ここで、樹脂材料を層間絶縁膜に利用するのは、その表面を平坦にできるからである。
【００８１】
こうして図５（Ｃ）に示す状態を得る。そして、コンタクトホールの形成を行い、チタン膜とアルミニウム膜とチタン膜との積層膜でなる電極５１５、５１６、５１７、５１８を形成する。
【００８２】
ここで、チタン膜の厚さは１０００Å、アルミニウム膜の膜厚は２０００Åとする。また各膜は、スパッタ法で成膜する。
【００８３】
この状態で周辺駆動回路を構成するＣＭＯＳ回路が形成される。また、５１８で示される電極は、アクティブマトリクス回路のソース線またはソース線から延在したものとなる。
【００８４】
こうして図５（Ｄ）に示す状態を得る。次にポリイミド樹脂でなる第２の層間絶縁膜５１９を成膜する。そして、コンタクトホールの形成を行いＩＴＯでなる画素電極５２０を形成する。
【００８５】
こうして図５（Ｅ）に示す状態を得る。図５（Ｅ）に示す状態を得たら、３５０℃の水素雰囲気中において加熱処理を１時間行う。こうしてＴＦＴを作製する。
【００８６】
本実施例においては、トップゲイト型ＴＦＴの例を示したが、ボトムゲイト型ＴＦＴを用いた構成としてもよい。図６にボトムゲイト型ＴＦＴの構造の一例を示す。６０１は基板、６０２は下地膜、６０３はゲイト電極、６０４は、ゲイト絶縁膜、６０５はソース領域、６０６はドレイン領域、６０７はＬＤＤ領域、６０８は、チャネル形成領域、６０９はチャネル保護膜、６１０は層間絶縁膜、６１１はソース電極、６１２はドレイン電極である。
【００８７】
ＴＦＴの構造をボトムゲイト型とする場合は、同様に、チャネル形成領域６０８をＣＧＳと呼ばれる連続粒界結晶シリコン膜を用いて構成する。即ち、本発明においては、ＴＦＴの構造に限定されず、ＣＧＳと呼ばれる連続粒界結晶シリコン膜を用いているスイッチング素子であれば、特に限定されない。
【００８８】
その後、ＣＧＳでもって形成された複数のＴＦＴは、基板上に画素マトリクス回路７０３、ゲイト側駆動回路７０４、ソース側駆動回路７０５、ロジック回路７０６を構成する。その様なアクティブマトリクス基板に対して対向基板７０７が貼り合わされる。アクティブマトリクス基板と対向基板７０７との間には液晶層（図示せず）が挟持される。
【００８９】
また、図７に示す構成では、アクティブマトリクス基板の側面と対向基板の側面とをある一辺を除いて全て揃えることが望ましい。こうすることで大版基板からの多面取り数を効率良く増やすことができる。また、前述の一辺では、対向基板の一部を除去してアクティブマトリクス基板の一部を露出させ、そこにＦＰＣ（フレキシブル・プリント・サーキット）７０８を取り付ける。ここには必要に応じてＩＣチップ（単結晶シリコン上に形成されたMOSFETで構成される半導体回路）を搭載しても構わない。
【００９０】
ＣＧＳを活性層としたＴＦＴは極めて高い動作速度を有しているため、数百ＭＨｚ〜数ＧＨｚの高周波数で駆動する信号処理回路を画素マトリクス回路と同一の基板上に一体形成することが可能である。即ち、図７に示す液晶モジュールはシステム・オン・パネルを具現化したものである。
【００９１】
なお、本発明は、駆動回路一体型の液晶表示装置にのみ適用されるものではなく、駆動回路が液晶パネルと異なる基板に形成されたいわゆる外付け型の表示装置に適用することも可能である。
【００９２】
なお、本実施例では本願発明を液晶表示装置に適用した場合について記載しているが、アクティブマトリクス型ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）表示装置などを構成することも可能である。また、光電変換層を具備したイメージセンサ等を同一基板上に形成することも可能である。
【００９３】
なお、上述の液晶表示装置、ＥＬ表示装置及びイメージセンサの様に光学信号を電気信号に変換する、又は電気信号を光学信号に変換する機能を有する装置を電気光学装置と定義する。本願発明は絶縁表面を有する基板上に半導体薄膜（ＣＧＳ）を利用して形成しうる電気光学装置ならば全てに適用することができる。
【００９４】
〔実施例４〕
上記実施例３の連続粒界結晶シリコン（Continuous Grain Silicon：ＣＧＳ）の作製方法及びその構造を図８〜１０を用いて、以下に説明する。
【００９５】
〔ＣＧＳの作製工程〕
まず、絶縁性基板上に非晶質半導体薄膜を減圧熱ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法またはスパッタ法により形成する。
【００９６】
なお、非晶質半導体薄膜としては代表的には非晶質珪素膜を用いれば良い。この他、半導体薄膜としてSi_xGe_1-x（0<X<1)で示される珪素とゲルマニウムの化合物を利用することも可能である。非晶質半導体薄膜の膜厚は25〜100nm （好ましくは30〜60nm）とする。
【００９７】
なお、成膜中に混入する炭素、酸素、窒素等の不純物は後の結晶化を阻害する恐れがあるので徹底的に低減することが好ましい。具体的には炭素及び窒素の濃度はいずれも 5×10¹⁸atoms/cm³ 未満（代表的には 5×10¹⁷atoms/cm³ 以下）とし、酸素の濃度は 1.5×10¹⁹atoms/cm³ 未満（代表的には 1×10¹⁸atoms/cm³ 以下）とするこのが望ましい。成膜時に上記濃度としておけば、完成したＴＦＴにおける上記不純物の濃度も上述の範囲に収まる。
【００９８】
なお、成膜時にＴＦＴのしきい値電圧（Ｖth）を制御するための不純物元素（１３族元素、代表的にはボロン又は１５族元素、代表的にはリン）を添加することは有効である。添加量は上記Ｖth制御用不純物を添加しない場合のＶthを鑑みて決定する必要がある。
【００９９】
次に、非晶質半導体薄膜の結晶化工程を行う。結晶化の手段としては本発明者らによる特開平7-130652号公報記載の技術を用いる。同公報の実施例１および実施例２のどちらの手段でも良いが、本願発明では実施例２に記載した技術内容（特開平8-78329 号公報に詳しい）を利用するのが好ましい。
【０１００】
特開平8-78329 号公報記載の技術は、まず触媒元素の添加領域を選択するマスク絶縁膜を形成する。そして、非晶質半導体薄膜の結晶化を助長する触媒元素を含有した溶液をスピンコート法により塗布し、触媒元素含有層を形成する。
【０１０１】
なお、触媒元素としてはニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、鉄（Ｆｅ）、パラジウム（Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、鉛（Ｐｂ）から選ばれた一種または複数種の元素を用いることができる。特に、珪素との格子の整合性に優れたニッケルを用いることが好ましい。
【０１０２】
また、上記触媒元素の添加工程はスピンコート法に限らず、マスクを利用したイオン注入法またはプラズマドーピング法を用いることもできる。この場合、添加領域の占有面積の低減、横成長領域の成長距離の制御が容易となるので、微細化した回路を構成する際に有効な技術となる。
【０１０３】
次に、触媒元素の添加工程が終了したら、500 ℃２時間程度の水素出しの後、不活性雰囲気、水素雰囲気または酸素雰囲気中において 500〜700 ℃（代表的には 550〜650 ℃、好ましくは570 ℃）の温度で 4〜24時間の加熱処理を加えて非晶質半導体薄膜の結晶化を行う。
【０１０４】
この時、非晶質半導体薄膜の結晶化は触媒元素を添加した領域で発生した核から優先的に進行し、基板の基板面に対してほぼ平行に成長した結晶領域が形成される。本発明者らはこの結晶領域を横成長領域と呼んでいる。横成長領域は比較的揃った状態で個々の結晶が集合しているため、全体的な結晶性に優れるという利点がある。
【０１０５】
結晶化のための加熱処理が終了したら、マスク絶縁膜を除去した後、触媒元素を除去するための加熱処理（触媒元素のゲッタリング工程）を行う。この加熱処理は処理雰囲気中にハロゲン元素を含ませ、ハロゲン元素による金属元素のゲッタリング効果を利用するものである。
【０１０６】
なお、ハロゲン元素によるゲッタリング効果を十分に得るためには、上記加熱処理を700 ℃を超える温度で行なうことが好ましい。この温度以下では処理雰囲気中のハロゲン化合物の分解が困難となり、ゲッタリング効果が得られなくなる恐れがある。そのため加熱処理温度を好ましくは800 〜1000℃（代表的には950 ℃）とし、処理時間は 0.1〜 6hr、代表的には 0.5〜 1hrとする。
【０１０７】
代表的には酸素雰囲気に対して塩化水素（ＨＣｌ）を0.5 〜10体積％（好ましくは３体積％）の濃度で含有させ、950 ℃、30分の加熱処理を行えば良い。ＨＣｌ濃度を上記濃度以上とすると、横成長領域の表面に膜厚程度の凹凸が生じてしまうため好ましくない。
【０１０８】
また、ハロゲン元素を含む化合物してはＨＣｌガス以外にもＨＦ、ＮＦ₃ 、ＨＢｒ、Ｃｌ₂ 、ＣｌＦ₃ 、ＢＣｌ₃ 、Ｆ₂ 、Ｂｒ₂ 等のハロゲン元素を含む化合物から選ばれた一種または複数種のものを用いることが出来る。
【０１０９】
この工程においては横成長領域中の触媒元素が塩素の作用によりゲッタリングされ、揮発性の塩化物となって大気中へ離脱して除去される。そして、この工程後の横成長領域中における触媒元素の濃度は 5×10¹⁷atoms/cm³ 以下（代表的には 2×10¹⁷atoms/cm³ 以下）にまで低減される。
【０１１０】
こうして得られた横成長領域は棒状または偏平棒状結晶の集合体からなる特異な結晶構造を示す。以下にその特徴について示す。
【０１１１】
〔横成長領域の結晶構造に関する知見〕
上記作製工程に従って形成した横成長領域は、微視的に見れば複数の棒状（または偏平棒状）結晶が互いに概略平行に特定方向への規則性をもって並んだ結晶構造を有する。このことはＴＥＭ（透過型電子顕微鏡法）による観察で容易に確認することができる。
【０１１２】
また、本発明者らは本願発明の半導体薄膜の結晶粒界をＨＲ−ＴＥＭ（高分解能透過型電子顕微鏡法）で詳細に観察した（図８（Ａ））。ただし、本明細書中において結晶粒界とは、断りがない限り異なる棒状結晶同士が接した境界に形成される粒界を指すものと定義する。従って、例えば別々の横成長領域がぶつかりあって形成される様なマクロな意味あいでの粒界とは区別して考える。
【０１１３】
ところで前述のＨＲ−ＴＥＭ（高分解能透過型電子顕微鏡法）とは、試料に対して垂直に電子線を照射し、透過電子や弾性散乱電子の干渉を利用して原子・分子配列を評価する手法である。同手法を用いることで結晶格子の配列状態を格子縞として観察することが可能である。従って、結晶粒界を観察することで、結晶粒界における原子同士の結合状態を推測することができる。
【０１１４】
本発明者らが得たＴＥＭ写真（図８（Ａ））では異なる二つの結晶粒（棒状結晶粒）が結晶粒界で接した状態が明瞭に観察された。また、この時、二つの結晶粒は結晶軸に多少のずれが含まれているものの概略｛１１０｝配向であることが電子線回折により確認されている。
【０１１５】
ところで、前述の様なＴＥＭ写真による格子縞観察では｛１１０｝面内に｛１１１｝面に対応する格子縞が観察された。なお、｛１１１｝面に対応する格子縞とは、その格子縞に沿って結晶粒を切断した場合に断面に｛１１１｝面が現れる様な格子縞を指している。格子縞がどの様な面に対応するかは、簡易的には格子縞間の距離により確認できる。
【０１１６】
この時、本発明者らは本願発明の半導体薄膜のＴＥＭ写真を詳細に観察した結果、非常に興味深い知見を得た。写真に見える異なる二つの結晶粒ではどちらにも｛１１１｝面に対応する格子縞が見えていた。そして、互いの格子縞が明らかに平行に走っているのが観察されたのである。
【０１１７】
さらに、結晶粒界の存在と関係なく、結晶粒界を横切る様にして異なる二つの結晶粒の格子縞が繋がっていた。即ち、結晶粒界を横切る様にして観測される格子縞の殆どが、異なる結晶粒の格子縞であるにも拘らず直線的に連続していることが確認できた。これは任意の結晶粒界で同様であった。
【０１１８】
この様な結晶構造（正確には結晶粒界の構造）は、結晶粒界において異なる二つの結晶粒が極めて整合性よく接合していることを示している。即ち、結晶粒界において結晶格子が連続的に連なり、結晶欠陥等に起因するトラップ準位を非常に作りにくい構成となっている。換言すれば、結晶粒界において結晶格子に連続性があるとも言える。
【０１１９】
なお、図８（Ｂ）に、本発明者らはリファレンスとして従来の多結晶珪素膜（いわゆる高温ポリシリコン膜）についても電子線回折およびＨＲ−ＴＥＭ観察による解析を行った。その結果、異なる二つの結晶粒において互いの格子縞は全くバラバラに走っており、結晶粒界で整合性よく連続する様な接合は殆どなかった。即ち、結晶粒界では格子縞が途切れた部分が多く、結晶欠陥が多いことが判明した。
【０１２０】
本発明者らは、本願発明で利用する半導体薄膜の様に格子縞が整合性良く対応した場合の原子の結合状態を整合結合と呼び、その時の結合手を整合結合手と呼ぶ。また、逆に従来の多結晶珪素膜に多く見られる様に格子縞が整合性良く対応しない場合の原子の結合状態を不整合結合と呼び、その時の結合手を不整合結合手（又は不対結合手）と呼ぶ。
【０１２１】
本願発明で利用する半導体薄膜は結晶粒界における整合性が極めて優れているため、上述の不整合結合手が極めて少ない。本発明者らが任意の複数の結晶粒界について調べた結果、全体の結合手に対する不整合結合手の存在割合は10％以下（好ましくは５％以下、さらに好ましくは３％以下）であった。即ち、全体の結合手の90％以上（好ましくは95％以上、さらに好ましくは97％以上）が整合結合手によって構成されているのである。
【０１２２】
また、前述の工程に従って作製した横成長領域を電子線回折で観察した結果を図９（Ａ）に示す。なお、図９（Ｂ）は比較のために観察した従来のポリシリコン膜（高温ポリシリコン膜と呼ばれるもの）の電子線回折パターンである。
【０１２３】
図９（Ａ）、（Ｂ）に示す電子線回折パターンは電子線の照射エリアの径が4.25μｍであり、十分に広い領域の情報を拾っている。ここで示している写真は任意の複数箇所を調べた結果の代表的な回折パターンである。
【０１２４】
図９（Ａ）の場合、〈１１０〉入射に対応する回折スポット（回折斑点）が比較的きれいに現れており、電子線の照射エリア内では殆ど全ての結晶粒が｛１１０｝配向していることが確認できる。一方、図９（Ｂ）に示す従来の高温ポリシリコン膜の場合、回折スポットには明瞭な規則性が見られず、｛１１０｝面以外の面方位の結晶粒が不規則に混在することが判明した。
【０１２５】
この様に、結晶粒界を有する半導体薄膜でありながら、｛１１０｝配向に特有の規則性を有する電子線回折パターンを示す点が本願発明で利用する半導体薄膜の特徴であり、電子線回折パターンを比較すれば従来の半導体薄膜との違いは明白である。
【０１２６】
以上の様に、前述に示した作製工程で作製された半導体薄膜は従来の半導体薄膜とは全く異なる結晶構造（正確には結晶粒界の構造）を有する半導体薄膜であった。本発明者らは本願発明で利用する半導体薄膜について解析した結果を特願平9-55633 、同9-165216、同9-212428でも説明している。
【０１２７】
また、上述の様な本願発明で利用する半導体薄膜の結晶粒界は、90％以上が整合結合手によって構成されているため、キャリアの移動を阻害する障壁（バリア）としては機能は殆どない。即ち、本願発明で利用する半導体薄膜は実質的に結晶粒界が存在しないとも言える。
【０１２８】
従来の半導体薄膜では結晶粒界がキャリアの移動を妨げる障壁として機能していたのだが、本願発明で利用する半導体薄膜ではその様な結晶粒界が実質的に存在しないので高いキャリア移動度が実現される。そのため、本願発明で利用する半導体薄膜を用いて作製したＴＦＴの電気特性は非常に優れた値を示す。この事については以下に示す。
【０１２９】
（ＴＦＴの電気特性に関する知見）
本願発明で利用する半導体薄膜は実質的に単結晶と見なせる（実質的に結晶粒界が存在しない）ため、それを活性層とするＴＦＴは単結晶シリコンを用いたＭＯＳＦＥＴに匹敵する電気特性を示す。本発明者らが試作したＴＦＴからは次に示す様なデータが得られている。
【０１３０】
（１）ＴＦＴのスイッチング性能（オン／オフ動作の切り換えの俊敏性）の指標となるサブスレッショルド係数が、Ｎチャネル型ＴＦＴおよびＰチャネル型ＴＦＴともに60〜100mV/decade（代表的には60〜85mV/decade ）と小さい。
（２）ＴＦＴの動作速度の指標となる電界効果移動度（μ_FE）が、Ｎチャネル型ＴＦＴで200 〜650cm²/Vs （代表的には250 〜300cm²/Vs ）、Ｐチャネル型ＴＦＴで100 〜300cm²/Vs （代表的には150 〜200cm²/Vs ）と大きい。
（３）ＴＦＴの駆動電圧の指標となるしきい値電圧（Ｖ_th）が、Ｎチャネル型ＴＦＴで-0.5〜1.5 Ｖ、Ｐチャネル型ＴＦＴで-1.5〜0.5 Ｖと小さい。
【０１３１】
以上の様に、極めて優れたスイッチング特性および高速動作特性が実現可能であることが確認されている。
【０１３２】
なお、ＣＧＳを形成するにあたって前述した結晶化温度以上の温度（７００〜１１００℃）でのアニール工程は、結晶粒内の欠陥低減に関して重要な役割を果たしている。そのことについて以下に説明する。
【０１３３】
図１０（Ａ）は、前述の結晶化工程までを終了した時点での結晶シリコン膜を２５万倍に拡大したＴＥＭ写真であり、結晶粒内（黒い部分と白い部分はコントラストの差に起因して現れる）に矢印で示されるようなジグザグ上に見える欠陥が確認される。
【０１３４】
このような欠陥としては主としてシリコン結晶格子面の原子の積み重ね順序が食い違っている積層欠陥であるが、転位などの場合もある。図１０（Ａ）は｛１１１｝面に平行な欠陥面を有する積層欠陥と思われる。そのことは、ジグザグ状に見える欠陥が約７０°の角度をなして折れ曲がっていることからも確認できる。
【０１３５】
一方、図１０（Ｂ）に示すように、同倍率で見た本発明に用いた結晶シリコン膜は、結晶粒内にはほとんど積層欠陥や転位などに起因する欠陥が見られず、非常に結晶性が高いことが確認できる。この傾向は膜面全体について言えることであり、欠陥数をゼロにすることは現状では困難であるものの、実質的にはゼロと見なせる程度にまで低減することができる。
【０１３６】
即ち、本発明に用いた結晶シリコン膜は、結晶粒内の欠陥がほとんど無視しうる程度にまで低減され、且つ、結晶粒界が高い連続性によってキャリア移動の障壁になりえないため、単結晶または実質的に単結晶と見なせる。
【０１３７】
このように図１０（Ａ）と（Ｂ）の写真が示した結晶シリコン膜はどちらも結晶粒界にほぼ同等の連続性を有しているが、結晶粒内の欠陥数には大きな差がある。本発明の結晶シリコン膜が図１０（Ａ）に示した結晶シリコン膜よりも遙に高い電気特性を示す理由はこの欠陥数の差による所が大きい。
【０１３８】
以上のことから、本発明にとって、触媒元素のゲッタリングプロセスは必要不可欠な工程であることが判る。本発明者らは、この工程によって起こる現象について次のようなモデルを考えている。
【０１３９】
まず、図１０（Ａ）に示す状態では結晶粒内の欠陥（主として積層欠陥）には触媒元素（代表的にはニッケル）が偏析している。即ち、Si-Ni-Siといった形の結合が多数存在していると考えられる。
【０１４０】
しかしながら、触媒元素のゲッタリングプロセスを行うことで欠陥に存在するNiが除去されるとSi-Ni 結合は切れる。そのため、シリコンの余った結合手は、すぐにSi-Si 結合を形成して安定する。こうして欠陥が消滅する。
【０１４１】
勿論、高い温度での熱アニールによって結晶シリコン膜中の欠陥が消滅することは知られているが、ニッケルとの結合が切れて、未結合手が多く発生するためのシリコンの再結合がスムーズに行われると推測できる。
【０１４２】
また、本発明者らは結晶化温度以上の温度（７００〜１１００℃）で加熱処理を行うことで結晶シリコン膜とその下地との間が固着し、密着性が高まることで欠陥が消滅するというモデルも考えている。
【０１４３】
こうして得られた本発明に用いた結晶シリコン膜（図１０（Ｂ））は、単に結晶化をおこなっただけの結晶シリコン膜（図１０（Ａ）と比較して格段に結晶粒内の欠陥数が少ないという特徴を有している。この欠陥数の差は電子スピン共鳴分析（Electron Spin Resonance ：ＥＳＲ）によってスピン密度の差となって現れる。現状では本発明に用いた結晶シリコン膜のスピン密度は少なくとも１×１０¹⁸個／ｃｍ³ 以下（代表的には５×１０¹⁷個／ｃｍ³ 以下）である。
【０１４４】
以上のような結晶構造および特徴を有する本発明に用いた結晶シリコン膜を、連続粒界結晶シリコン（Continuous Grain Silicon：ＣＧＳ）と呼んでいる。
【０１４５】
〔実施例５〕
上記実施例の表示装置において、高解像度を実施する場合には、書き込み期間を短くする必要がある。本実施例では、上記各実施例で用いられている液晶パネルの液晶材料として、比較的高画質な映像情報を用いる場合は、実質的にしきい値を持たない反強誘電性液晶を用いた例を示す。
【０１４６】
従来のＬＣＤで用いられている液晶材料は、電圧が印加されてからの反応速度（数十ｍｓ〜数百ｍｓ）が遅く、駆動回路を、例えば結晶シリコン（ＣＧＳ）を用いて高い周波数帯域で動作可能なＴＦＴより構成しても、液晶材料がその高速動作に反応できない。
【０１４７】
しかしながら、本実施例では、結晶シリコン（ＣＧＳ）を用い、高い周波数帯域で動作可能なＴＦＴを液晶パネルのスイッチング素子として用い、さらに、電圧が印加されてからの反応速度が速く、実質的にしきい値を持たない反強誘電性液晶を用いたことで、チラツキのない高精細、高解像度の表示装置を実現できた。
【０１４８】
〔実施例６〕
本実施例は、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の発光ダイオードをバックライトとして用いて表示装置本体に内蔵し、カラー映像を得る構成とした場合の例を示す。この場合のカラー表示としては、例えば、１画面の書き込み期間（フレーム周波数と呼ぶ）の３倍の周波数で発光ダイオードのＲ、Ｇ、Ｂの点滅を各色毎にＲ、Ｇ、Ｂ、Ｒ、Ｇ、Ｂ、Ｒ・・・と時系列的に繰り返せば人間の目にはカラー映像として認識される。本実施例においては、６０Ｈｚで１画面を書き込み、その３倍の１８０Ｈｚで発光ダイオードのＲ、Ｇ、Ｂの点滅を各色毎にＲ、Ｇ、Ｂ、Ｒ、Ｇ、Ｂ、Ｒ・・・と時系列的に繰り返した。この１画面の書き込み期間（フレーム周波数と呼ぶ）は４５Ｈｚ以上、好ましくは６０Ｈｚ以上であれば特に限定されない。この場合は、カラーフィルターは必要としないため、明るい表示を得ることができる。
【０１４９】
また、発光ダイオードの代わりに、ＥＬ素子のような発光素子を用いてバックライトを構成してもよい。
【０１５０】
〔実施例７〕
本実施例においては、上記各実施例の表示装置（液晶パネルのスイッチング素子のチャネル形成領域にＣＧＳを用いた）を用いて情報通信操作を行った例を図１１を用いて説明する。
【０１５１】
図１１では、情報処理装置およびそのシステムを表示装置１１０３と通信装置１１０２と、集音装置１１０５と、撮像装置１１０６とで構成し、仮想映像（平面映像または立体画像）を使用者に提供することが可能なテレビ電話とした例を示した。
【０１５２】
使用者１１００は、電話器等の通信装置１１０２と電話回線または通信ケーブルによって接続し、マイク等の集音装置１１０５やカメラ等の撮像装置１１０６を用いて、通信相手と情報処理操作（使用者の声デ─タの送信、使用者の表情等の映像の送信等）を行うことができる。また、コンピュータ等の制御装置を介して通信装置と表示装置を接続する構成としてもよい。
【０１５３】
使用者の表情等の仮想立体画像を送信する場合は、右目用の映像信号を形成する撮像装置と、左目用の映像信号を形成する撮像装置を表示装置、通信装置または制御装置に、別々に設けて２つの映像信号を送る構成とすることが望ましい。
【０１５４】
この情報処理装置およびそのシステムを用いると、使用者は、通信相手から送られてくる仮想映像を見ながら情報処理操作（会話、電子文書交換等）をすることができる。使用者は、情報処理操作中、外界の様子を遮断することも可能であるため、仮想表示画面に集中できる。また、周囲の環境から切り離されるのでリラックスできる。加えて、周囲の景色に重ねて仮想画面を表示することもできるため、便利である。
【０１５５】
また、従来のＣＲＴ等の表示装置を用いたテレビ電話では、使用者以外の周囲の人に情報を見られる心配があったが、本実施例の情報処理装置およびそのシステムは、仮想映像を用いているため、表示装置を装着した使用者以外にその仮想映像を見られる心配がなく、周囲の人の目を気にせず、安心して情報の交換をすることができる。
【０１５６】
また、表示装置と接続する通信装置を携帯可能な小型のもの、例えば携帯電話器等を用いれば、どのような場所であっても、情報通信が可能である。さらに、この小型通信装置に小型の撮像装置１２０６を搭載とすることで、携帯型のテレビ電話とすることができる。小型通信装置を用いて情報通信操作を行った例を図１２を用いて説明する。
【０１５７】
図１２では、情報処理装置およびそのシステムを表示装置１２０３と小型通信装置１２０２と、撮像装置１２０６とで構成し、仮想表示画面１２０４（平面映像または立体画像）を使用者１２００に提供することが可能なテレビ電話とした例を示した。なお、小型通信装置１２０２は使用者の声を声データとして入力できる集音装置（マイク等）は内蔵されている。また、簡単な文字の入力のできる入力装置も備えている。
【０１５８】
加えて、表示装置、通信装置または制御装置に、使用者の声データを自動的に文字に変換する装置１２０８を具備させることによって、会話等を文字として同時に仮想表示することが可能である。こうした機能を加えることによって、図１２に示したように、使用者１２００から見た仮想画面１２０９には、通信相手１２１０から送信された映像（通信相手の上半身等の映像）を見ながら対話すると同時に会話の文章表示欄１２０７にその会話が文字に変換されて表示され、また、電子情報欄１２０５に電子情報が表示される。なお、使用者１２００から見た仮想画面１２０９は、仮想表示画面１２０４に対応している。また、前記の表示欄１２０６、１２０７の表示される箇所は特に限定されない。
【０１５９】
また、会話を文字として同時に記憶させることも可能であるため、メモをとる必要なく、正確に情報交換を行うことができる。また、使用者の耳が不自由であっても、仮想表示される文字を見ながら正確に会話をすることができる。
【０１６０】
従来のＨＭＤでは、細かい文字を正確に認識できる程の解像度を得ることは不可能であったが、チャネル形成領域にＣＧＳを用いた本実施例のＨＭＤにより、初めて可能とすることができた。
【０１６１】
本実施例では、従来のような表示画面（ＣＲＴ等）が必要ではなく、仮想表示するだけであるので、どのような場所、どのような環境であっても情報処理操作（通信相手との会話、通信相手との映像情報の交換等）が可能である。
【０１６２】
【発明の効果】
本発明の表示装置（ＨＭＤ）を備えた情報処理装置において、液晶パネルの薄膜トランジスタの活性層を構成する結晶シリコンは、ＣＧＳであるため、比較的高画質な映像信号（６０Ｈz 以上）にも対応することができ、高解像度を有する仮想映像（２Ｄまたは３Ｄ）を得ることができた。
【０１６３】
また、液晶パネルと目との距離が数ｃｍ程度と小さいにもかかわらず、フレーム反転駆動の極性反転周期が短い（４５Ｈｚ〜１８０Ｈｚ）ため、チラツキが生じないため、人間の目に与える影響を低減することができた。即ち、従来よりも使用時間を延長することができた。
【０１６４】
加えて、従来のＨＭＤでは、解像度が低く、細かい文字の読み取りが困難であったが、本発明の液晶パネルは、細かい文字も鮮明に認識することができるため、正確に情報処理操作を行うことができる。即ち、本明細書に開示するＨＭＤは、情報処理装置の表示装置として最適なものである。
【０１６５】
本明細書に開示する情報処理装置において、使用者は、情報処理操作中、外界の様子を遮断することも可能であるため、仮想表示画面に集中できる。また、周囲の環境から切り離されるのでリラックスできる。また、周囲の景色に重ねて仮想画面を表示することもできる。
【０１６６】
また、デスク上などの空間を狭めないので、空間を有効に使用することができる。また、軽量であるため、持ち運んであらゆる場所で情報処理操作ができる。
【０１６７】
例えば、携帯電話や公衆電話の通信回線を用いて、その回線と本発明の表示装置とを接続することにより、通信相手の映像または情報を仮想画面で見ながら情報交換（会話等）を行うことができる。
【０１６８】
また、反応速度が速い液晶材料（例えば、無しきい値ＡＦＬＣ等）を用いれば、さらに高解像度な映像を得ることが可能である。
【０１６９】
このように、本明細書に開示するヘッドマウントディスプレイは、情報処理操作時の表示装置として最適なものとすることができ、それを備えた情報処理装置及びそのシステムを用いて、良好な情報処理操作環境を提供する。
【図面の簡単な説明】
【図１】情報処理装置の概略を示す図。
【図２】ヘッドマウントディスプレイの概要を示す図。
【図３】液晶パネルの配置構造を示す図。
【図４】表示装置本体のブロック図
【図５】ＴＦＴ作製工程
【図６】ボトム型ＴＦＴの構造の１例
【図７】液晶パネルの構造の１例
【図８】ＴＥＭ写真図
【図９】電子線回折パターン図
【図１０】ＴＥＭ写真図
【図１１】通信装置を用いた１例を示す図
【図１２】小型の通信装置を用いた１例を示す図
【図１３】従来の情報処理装置の概略を示す図。
【符号の説明】
１０使用者
１１入力端末装置
１２制御装置
１３表示装置
１４表示画面
１００使用者
１０１入力端末装置
１０２制御装置
１０３表示装置（ＨＭＤ）
１０４仮想表示画面
２０１本体
２０２液晶パネル
２０３バンド部
３０１周辺駆動回路
３０２周辺駆動回路
３０３アクティブマトリクス回路
３０４周辺駆動回路
３０５周辺駆動回路
３０６アクティブマトリクス回路
３０７ガラス基板（または石英基板）
３０８ガラス基板（または石英基板）
３０９ゲイト線
３１０ソース線
３１１薄膜トランジスタの活性層
３１２画素電極
３１３画素電極

Claims

画素マトリクス領域と周辺駆動回路とが絶縁性の同一基板上に設けられた右目用と左目用のフラットパネルディスプレイを具備し、使用者の頭に装着する表示装置と、
前記表示装置と接続された制御装置と、
前記制御装置と接続された入力操作装置とを有し、
前記制御装置及び前記入力操作装置は、前記使用者によって情報処理操作が行われるものであり、
前記画素マトリクス領域と前記周辺駆動回路とを構成するトランジスタのチャネル形成領域は結晶粒界において９０％以上の結晶格子に連続性を有し、
前記右目用と左目用のフラットパネルディスプレイが有する前記周辺駆動回路の配置は、前記右目用のフラットパネルディスプレイと前記左目用のフラットパネルディスプレイとの間を通る軸に対して線対称であることを特徴とする情報処理装置。
画素マトリクス領域と周辺駆動回路とが絶縁性の同一基板上に設けられた右目用と左目用のフラットパネルディスプレイを具備し、使用者の頭に装着する表示装置と、
前記表示装置と接続された制御装置と、
前記制御装置と接続された通信装置及び入力操作装置とを有し、
前記制御装置及び前記入力操作装置は、前記使用者によって情報処理操作が行われるものであり、
前記画素マトリクス領域と前記周辺駆動回路とを構成するトランジスタのチャネル形成領域は結晶粒界において９０％以上の結晶格子に連続性を有し、
前記右目用と左目用のフラットパネルディスプレイが有する前記周辺駆動回路の配置は、前記右目用のフラットパネルディスプレイと前記左目用のフラットパネルディスプレイとの間を通る軸に対して線対称であり、
前記通信装置を用いて通信相手と情報の送受信が行われるものであることを特徴とする情報処理装置。
請求項２において、
前記通信装置は声を声データとして入力可能な集音装置を有し、
前記通信装置または制御装置は、声データを文字変換する装置を具備し、
前記集音装置より入力された前記使用者の声データを、声データを文字変換する前記装置により文字に変換して前記通信装置を用いて通信相手に送信することを特徴とする情報処理装置。
請求項２において、
前記通信装置は声を声データとして入力可能な集音装置を有し、
前記通信装置または制御装置は、声データを文字変換する装置を具備し、
前記集音装置より入力された前記使用者の声データを、声データを文字変換する前記装置により文字に変換し、
前記表示装置によって前記使用者に提供される仮想表示画面には、通信相手との会話が文字として表示されるものであることを特徴とする情報処理装置。
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記フラットパネルディスプレイは、４５Ｈｚ〜１８０Ｈｚで１画面の書き込みが行われ、且つ、１画面毎に前記フラットパネルディスプレイの画素電極に印加する電圧の極性を反転させることにより画面表示が得られる表示装置であることを特徴とする情報処理装置。
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記フラットパネルディスプレイの液晶材料が、実質的にしきい値を持たない反強誘電性液晶である表示装置を備えた情報処理装置。
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
右目用と左目用のフラットパネルディスプレイを具備し、使用者の頭に装着する表示装置は、使用者に仮想平面映像を提供することを特徴とする情報処理装置。
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
右目用と左目用のフラットパネルディスプレイを具備し、使用者の頭に装着して利用する表示装置は、使用者に仮想立体映像を提供することを特徴とする情報処理装置。