JP2013016831A5 - - Google Patents

Claims (6)

1. 第１のトランジスタを有する画素部と、第２のトランジスタを有する駆動回路と、を有し、
   前記第１のトランジスタは、
   基板上の第１のゲート電極と、
   前記第１のゲート電極上の第１の絶縁層と、
   前記第１の絶縁層上の、第１のソース電極及び第１のドレイン電極と、
   前記第１の絶縁層を介して前記第１のゲート電極と重なる領域を有する第１の酸化物半導体層と、を有し、
   前記第１の酸化物半導体層は、画素電極と電気的に接続され、
   前記第２のトランジスタは、
   前記基板上の第２のゲート電極と、
   前記第２のゲート電極上の前記第１の絶縁層と、
   前記第１の絶縁層を介して前記第２のゲート電極と重なる領域を有する第２の酸化物半導体層と、
   前記第２の酸化物半導体層上の、第２のソース電極及び第２のドレイン電極と、を有し、
   前記第１のゲート電極、前記第１のソース電極、前記第１のドレイン電極、及び前記画素電極は、可視光に対して透光性を有し、
   前記第２のソース電極及び前記第２のドレイン電極は、金属を有することを特徴とする半導体装置。
2. 請求項１において、
   前記第２のゲート電極は、可視光に対して透光性を有することを特徴とする半導体装置。
3. 請求項１において、
   前記第２のゲート電極は、金属を有することを特徴とする半導体装置。
4. 請求項１乃至３のいずれか一において、
   前記第２のソース電極及び前記第２のドレイン電極上の第２の絶縁層と、
   前記第２の絶縁層を介して前記第２の酸化物半導体層と重なる領域を有する導電層と、を有することを特徴とする半導体装置。
5. 請求項４において、
   前記導電層は、前記第２のゲート電極と電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
6. 請求項４において、
   前記導電層は、前記第２のゲート電極に与えられる電位と異なる電位を有することを特徴とする半導体装置。