JP2012060160A5 - - Google Patents
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- 第１の導電層と、前記第１の導電層上の酸化物半導体層と、前記酸化物半導体層上の第２の導電層と、を有するトランジスタを含み、
前記第２の導電層は、前記第１の導電層よりも幅が広い領域を有し、
前記第２の導電層は、前記第１の導電層と重なる領域を有し、
前記酸化物半導体層は、インジウム、ガリウム、及び亜鉛と、インジウム、ガリウム、及び亜鉛とは異なる金属元素と、を含むことを特徴とする半導体装置。 - 請求項１において、
前記第２の導電層は、透明導電膜を用いて形成されたものであることを特徴とする半導体装置。 - 請求項１または請求項２において、
前記第２の導電層は、前記酸化物半導体層を覆うように設けられていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記第１の導電層と前記第２の導電層には、同じ電位が与えられることを特徴とする半導体装置。 - 請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記第１の導電層と前記第２の導電層には、異なる電位が与えられることを特徴とする半導体装置。
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