JP2014032415A5 - 液晶表示装置 - Google Patents
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- 第1の基板と、
液晶と、
第2の基板と、を有し、
前記第1の基板は、
第1の導電膜と、
前記第1の導電膜上の第1の絶縁膜と、
前記第1の絶縁膜上の屈曲部を有する半導体膜と、
前記半導体膜上の第2の絶縁膜と、
前記第2の絶縁膜上の第2の導電膜と、
前記第2の導電膜上の第3の絶縁膜と、
前記第3の絶縁膜上の第3の導電膜と、
前記第3の導電膜上の第4の絶縁膜と、
前記第4の絶縁膜上の第4の導電膜と、を有し、
前記半導体膜は、チャネル形成領域を有し、
前記チャネル形成領域と、前記第1の導電膜と、前記第1の絶縁膜と、前記第2の絶縁膜と、前記第2の導電膜と、前記第3の絶縁膜と、前記第3の導電膜と、前記第4の絶縁膜と、前記第4の導電膜と、は重なる領域を有することを特徴とする液晶表示装置。 - 第1の基板と、
液晶と、
第2の基板と、を有し、
前記第1の基板は、
第1の導電膜と、
前記第1の導電膜上の第1の絶縁膜と、
前記第1の絶縁膜上の屈曲部を有する半導体膜と、
前記半導体膜上の第2の絶縁膜と、
前記第2の絶縁膜上の第2の導電膜と、
前記第2の導電膜上の第3の絶縁膜と、
前記第3の絶縁膜上の第3の導電膜と、
前記第3の導電膜上の第4の絶縁膜と、
前記第4の絶縁膜上の第4の導電膜と、
前記第4の導電膜上の第5の絶縁膜と、
前記第5の絶縁膜上の第5の導電膜と、を有し、
前記半導体膜は、チャネル形成領域を有し、
前記チャネル形成領域と、前記第1の導電膜と、前記第1の絶縁膜と、前記第2の絶縁膜と、前記第2の導電膜と、前記第3の絶縁膜と、前記第3の導電膜と、前記第4の絶縁膜と、前記第4の導電膜と、は重なる領域を有し、
前記第4の導電膜と前記第5の絶縁膜と前記第5の導電膜で容量を形成し、
前記容量は、前記第5の導電膜の周縁部に形成されることを特徴とする液晶表示装置。 - 第1の基板と、
液晶と、
第2の基板と、を有し、
前記第1の基板は、
第1の導電膜と、
前記第1の導電膜上の第1の絶縁膜と、
前記第1の絶縁膜上の屈曲部を有する半導体膜と、
前記半導体膜上の第2の絶縁膜と、
前記第2の絶縁膜上の第2の導電膜と、
前記第2の導電膜上の第3の絶縁膜と、
前記第3の絶縁膜上の第3の導電膜と、
前記第3の導電膜上の第4の絶縁膜と、
前記第4の絶縁膜上の第4の導電膜と、を有し、
前記半導体膜は、チャネル形成領域を有し、
前記チャネル形成領域と、前記第1の導電膜と、前記第1の絶縁膜と、前記第2の絶縁膜と、前記第2の導電膜と、前記第3の絶縁膜と、前記第3の導電膜と、前記第4の絶縁膜と、前記第4の導電膜と、は重なる領域を有し、
前記第1の導電膜は、第1の方向に延伸する領域を有し、
前記第3の導電膜は、第2の方向に延伸する領域を有し、
前記半導体膜は、前記第1の方向及び前記第2の方向に延伸する領域を有し、
前記第1の導電膜は、前記半導体膜の第1の方向に延伸する領域と重なる領域を有し、
前記第3の導電膜は、前記半導体膜の第2の方向に延伸する領域と重なる領域を有し、
前記第1の方向と前記第2の方向は、交差することを特徴とする液晶表示装置。 - 第1の基板と、
液晶と、
第2の基板と、を有し、
前記第1の基板は、
第1の導電膜と、
前記第1の導電膜上の第1の絶縁膜と、
前記第1の絶縁膜上の屈曲部を有する半導体膜と、
前記半導体膜上の第2の絶縁膜と、
前記第2の絶縁膜上の第2の導電膜と、
前記第2の導電膜上の第3の絶縁膜と、
前記第3の絶縁膜上の第3の導電膜と、
前記第3の導電膜上の有機樹脂膜と、
前記有機樹脂膜上の第4の導電膜と、を有し、
前記半導体膜は、チャネル形成領域を有し、
前記チャネル形成領域と、前記第1の導電膜と、前記第1の絶縁膜と、前記第2の絶縁膜と、前記第2の導電膜と、前記第3の絶縁膜と、前記第3の導電膜と、前記有機樹脂膜と、前記第4の導電膜と、は重なる領域を有することを特徴とする液晶表示装置。 - 第1の基板と、
液晶と、
第2の基板と、を有し、
前記第1の基板は、
第1の導電膜と、
前記第1の導電膜上の第1の絶縁膜と、
前記第1の絶縁膜上の屈曲部を有する半導体膜と、
前記半導体膜上の第2の絶縁膜と、
前記第2の絶縁膜上の第2の導電膜と、
前記第2の導電膜上の第3の絶縁膜と、
前記第3の絶縁膜上の第3の導電膜と、
前記第3の導電膜上の有機樹脂膜と、
前記有機樹脂膜上の第4の導電膜と、
前記第4の導電膜上の第4の絶縁膜と、
前記第4の絶縁膜上の第5の導電膜と、を有し、
前記半導体膜は、チャネル形成領域を有し、
前記チャネル形成領域と、前記第1の導電膜と、前記第1の絶縁膜と、前記第2の絶縁膜と、前記第2の導電膜と、前記第3の絶縁膜と、前記第3の導電膜と、前記有機樹脂膜と、前記第4の導電膜と、は重なる領域を有し、
前記第4の導電膜と前記第4の絶縁膜と前記第5の導電膜で容量を形成し、
前記容量は、前記第5の導電膜の周縁部に形成されることを特徴とする液晶表示装置。 - 第1の基板と、
液晶と、
第2の基板と、を有し、
前記第1の基板は、
第1の導電膜と、
前記第1の導電膜上の第1の絶縁膜と、
前記第1の絶縁膜上の屈曲部を有する半導体膜と、
前記半導体膜上の第2の絶縁膜と、
前記第2の絶縁膜上の第2の導電膜と、
前記第2の導電膜上の第3の絶縁膜と、
前記第3の絶縁膜上の第3の導電膜と、
前記第3の導電膜上の有機樹脂膜と、
前記有機樹脂膜上の第4の導電膜と、を有し、
前記半導体膜は、チャネル形成領域を有し、
前記チャネル形成領域と、前記第1の導電膜と、前記第1の絶縁膜と、前記第2の絶縁膜と、前記第2の導電膜と、前記第3の絶縁膜と、前記第3の導電膜と、前記有機樹脂膜と、前記第4の導電膜と、は重なる領域を有し、
前記第1の導電膜は、第1の方向に延伸する領域を有し、
前記第3の導電膜は、第2の方向に延伸する領域を有し、
前記半導体膜は、前記第1の方向及び前記第2の方向に延伸する領域を有し、
前記第1の導電膜は、前記半導体膜の第1の方向に延伸する領域と重なる領域を有し、
前記第3の導電膜は、前記半導体膜の第2の方向に延伸する領域と重なる領域を有し、
前記第1の方向と前記第2の方向は、交差することを特徴とする液晶表示装置。
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JP5046445B2 (ja) * | 2001-07-31 | 2012-10-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
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KR100840318B1 (ko) | 2001-12-10 | 2008-06-20 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 기판 및 그의 제조 방법과 액정 표시 장치 |
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KR100635042B1 (ko) * | 2001-12-14 | 2006-10-17 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전면전극을 구비한 평판표시장치 및 그의 제조방법 |
KR100484591B1 (ko) * | 2001-12-29 | 2005-04-20 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 능동행렬 유기전기발광소자 및 그의 제조 방법 |
TW594336B (en) * | 2002-01-30 | 2004-06-21 | Sanyo Electric Co | Semiconductor display device, method for making the same, and active matrix type display device |
TWI244571B (en) * | 2002-01-30 | 2005-12-01 | Sanyo Electric Co | Semiconductor display device |
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JP2005045017A (ja) * | 2003-07-22 | 2005-02-17 | Sharp Corp | アクティブマトリクス基板およびそれを備えた表示装置 |
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JP2005084104A (ja) * | 2003-09-04 | 2005-03-31 | Seiko Epson Corp | 半導体装置及び電気光学装置 |
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JP4063266B2 (ja) * | 2004-09-30 | 2008-03-19 | セイコーエプソン株式会社 | 薄膜半導体装置の製造方法、薄膜半導体装置、電気光学装置、および電子機器 |
US7379718B2 (en) * | 2004-12-20 | 2008-05-27 | Marvell World Trade Ltd. | Method and apparatus to manage power consumption of a semiconductor device |
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EP2479604B1 (en) | 2005-12-05 | 2015-07-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
JP5178018B2 (ja) * | 2006-01-31 | 2013-04-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
JP5222477B2 (ja) * | 2006-01-31 | 2013-06-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
EP1832915B1 (en) | 2006-01-31 | 2012-04-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device with improved contrast |
JP2007233361A (ja) * | 2006-02-02 | 2007-09-13 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置 |
EP1816508A1 (en) | 2006-02-02 | 2007-08-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
JP5346441B2 (ja) * | 2006-02-24 | 2013-11-20 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置 |
EP1826605A1 (en) | 2006-02-24 | 2007-08-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
WO2007111044A1 (ja) * | 2006-03-24 | 2007-10-04 | Sharp Kabushiki Kaisha | 液晶表示装置 |
EP1843194A1 (en) | 2006-04-06 | 2007-10-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device, semiconductor device, and electronic appliance |
JP5028906B2 (ja) * | 2006-08-11 | 2012-09-19 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置用基板及び電気光学装置、並びに電子機器 |
US7952100B2 (en) * | 2006-09-22 | 2011-05-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US7507998B2 (en) * | 2006-09-29 | 2009-03-24 | Tpo Displays Corp. | System for displaying images and method for fabricating the same |
US8021518B2 (en) * | 2006-11-30 | 2011-09-20 | Nalco Company | Method of applying a super-absorbent composition to tissue or towel substrates |
JP5280671B2 (ja) * | 2006-12-20 | 2013-09-04 | 富士フイルム株式会社 | 画像検出器および放射線検出システム |
JP4007412B2 (ja) * | 2007-01-12 | 2007-11-14 | ソニー株式会社 | 薄膜半導体装置及び液晶表示装置とこれらの製造方法 |
KR101366162B1 (ko) * | 2007-03-20 | 2014-02-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 패널 및 이의 제조방법 |
JP4730407B2 (ja) * | 2008-07-17 | 2011-07-20 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置及び電子機器 |
JP2010134395A (ja) * | 2008-11-06 | 2010-06-17 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置及び電子機器 |
TWI401494B (zh) | 2009-03-06 | 2013-07-11 | Hannstar Display Corp | 接地結構 |
CN101840899B (zh) * | 2009-03-19 | 2012-05-02 | 瀚宇彩晶股份有限公司 | 接地结构 |
TWI529942B (zh) * | 2009-03-27 | 2016-04-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
KR101073174B1 (ko) * | 2009-07-31 | 2011-10-12 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 화소 및 이를 구비한 유기전계발광 표시장치 |
JP4530105B2 (ja) * | 2009-10-13 | 2010-08-25 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置及び電子機器 |
JP5874804B2 (ja) * | 2010-02-15 | 2016-03-02 | Nltテクノロジー株式会社 | 薄膜トランジスタ、その製造方法、及び表示装置並びに電子機器 |
CN202404339U (zh) * | 2012-01-12 | 2012-08-29 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及包括该阵列基板的显示装置 |
KR101335527B1 (ko) * | 2012-02-23 | 2013-12-02 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광표시장치 및 그 제조 방법 |
JP2013222124A (ja) * | 2012-04-18 | 2013-10-28 | Sony Corp | 信号伝達装置、表示装置および電子機器 |
JP5386626B2 (ja) * | 2012-11-06 | 2014-01-15 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
CN103926760B (zh) * | 2013-01-14 | 2017-08-25 | 瀚宇彩晶股份有限公司 | 像素结构及像素阵列基板 |
JP6098309B2 (ja) * | 2013-04-09 | 2017-03-22 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置、電子機器、及び電気光学装置の製造方法 |
JP2013200574A (ja) * | 2013-06-05 | 2013-10-03 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
JP6367655B2 (ja) * | 2013-09-13 | 2018-08-01 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
JP5685633B2 (ja) * | 2013-10-08 | 2015-03-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
US9590111B2 (en) * | 2013-11-06 | 2017-03-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and display device including the semiconductor device |
JP6486660B2 (ja) * | 2013-11-27 | 2019-03-20 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
KR102132697B1 (ko) * | 2013-12-05 | 2020-07-10 | 엘지디스플레이 주식회사 | 휘어진 디스플레이 장치 |
US9704888B2 (en) | 2014-01-08 | 2017-07-11 | Apple Inc. | Display circuitry with reduced metal routing resistance |
KR102206377B1 (ko) * | 2014-01-24 | 2021-01-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | 액정 표시 장치 |
CN103985671B (zh) * | 2014-04-30 | 2016-06-15 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板制备方法和阵列基板、显示装置 |
JP5799132B2 (ja) * | 2014-05-02 | 2015-10-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置、表示モジュール、及び電子機器 |
JP6087970B2 (ja) * | 2015-03-26 | 2017-03-01 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置、表示モジュール及び電子機器 |
CN106158879B (zh) * | 2015-04-15 | 2019-10-01 | 群创光电股份有限公司 | 显示面板 |
US9899445B2 (en) * | 2015-05-19 | 2018-02-20 | Canon Kabushiki Kaisha | Method for manufacturing solid-state image pickup apparatus, solid-state image pickup apparatus, and image pickup system including the same |
JP2017022377A (ja) * | 2015-07-14 | 2017-01-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
CN105096871B (zh) * | 2015-08-11 | 2017-08-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板驱动电路、阵列基板、显示面板、显示装置 |
CN105226055B (zh) | 2015-11-03 | 2018-06-01 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及制作方法、显示面板及显示装置 |
WO2017094644A1 (ja) * | 2015-11-30 | 2017-06-08 | シャープ株式会社 | 半導体基板及び表示装置 |
KR102611499B1 (ko) * | 2015-12-15 | 2023-12-06 | 엘지디스플레이 주식회사 | 플렉서블 표시장치 |
JP6749591B2 (ja) * | 2015-12-29 | 2020-09-02 | 天馬微電子有限公司 | 表示装置および表示装置の製造方法 |
JP2018017981A (ja) * | 2016-07-29 | 2018-02-01 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 電子機器 |
US10896103B2 (en) * | 2016-09-05 | 2021-01-19 | Hitachi, Ltd. | Information processing system |
KR20180040185A (ko) | 2016-10-11 | 2018-04-20 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
CN111540779B (zh) | 2016-10-12 | 2023-01-06 | 群创光电股份有限公司 | 发光二极管显示设备 |
JP6999272B2 (ja) | 2017-01-20 | 2022-01-18 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
CN106876429B (zh) * | 2017-02-16 | 2019-09-17 | 信利(惠州)智能显示有限公司 | 有机发光显示设备 |
JP6412181B2 (ja) * | 2017-02-22 | 2018-10-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP6673386B2 (ja) * | 2018-02-26 | 2020-03-25 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置および電子機器 |
CN108899339B (zh) * | 2018-05-07 | 2021-04-30 | 武汉天马微电子有限公司 | 显示面板和显示装置 |
CN108767016B (zh) * | 2018-05-21 | 2021-09-21 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置 |
JP6466614B2 (ja) * | 2018-06-04 | 2019-02-06 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置 |
CN109064908B (zh) * | 2018-10-31 | 2021-04-02 | 厦门天马微电子有限公司 | 阵列基板和显示面板 |
KR20200110573A (ko) * | 2019-03-15 | 2020-09-24 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
JP7352826B2 (ja) | 2019-10-21 | 2023-09-29 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置および電子機器 |
CN112397562B (zh) * | 2020-11-13 | 2023-09-22 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 一种显示基板及其制备方法、显示装置 |
Family Cites Families (96)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US523211A (en) * | 1894-07-17 | Car-door | ||
US36836A (en) * | 1862-11-04 | Improvement in revolving battery-guns | ||
DE3015936A1 (de) * | 1980-04-25 | 1981-10-29 | Albrecht G. Prof. Dr. 4600 Dortmund Fischer | Herstellungsverfahren fuer duennfilmtransistor-grossmatrizen fuer flache bildschirme |
US4337989A (en) * | 1980-05-28 | 1982-07-06 | Amp Incorporated | Electromagnetic shielded connector |
JPS586127A (ja) * | 1981-07-03 | 1983-01-13 | Hitachi Ltd | フオトマスク欠陥修正方法とその装置 |
US5650637A (en) * | 1982-04-30 | 1997-07-22 | Seiko Epson Corporation | Active matrix assembly |
JPS59121876A (ja) | 1982-12-28 | 1984-07-14 | Toshiba Corp | 薄膜デバイス用ガラス基板 |
JP2727562B2 (ja) | 1988-04-27 | 1998-03-11 | ソニー株式会社 | 表示装置 |
JPH02234128A (ja) | 1989-03-08 | 1990-09-17 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置の製造方法 |
JPH0728093Y2 (ja) | 1989-05-16 | 1995-06-28 | トーイン株式会社 | 容器類の多段収納パッケージ |
JP2906470B2 (ja) | 1989-08-23 | 1999-06-21 | セイコーエプソン株式会社 | アクティブマトリックス基板 |
JP3070062B2 (ja) * | 1990-03-29 | 2000-07-24 | ソニー株式会社 | 液晶表示装置及びその製造方法 |
JP2622183B2 (ja) * | 1990-04-05 | 1997-06-18 | シャープ株式会社 | アクティブマトリクス表示装置 |
EP0714119B1 (en) * | 1990-05-09 | 2002-12-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Pattern forming process and process for preparing semiconductor device utilizing said pattern forming process |
JPH0451120A (ja) * | 1990-06-19 | 1992-02-19 | Nec Corp | 薄膜電界効果型トランジスタ駆動液晶表示素子アレイ |
JPH0472769A (ja) | 1990-07-13 | 1992-03-06 | Seiko Epson Corp | 薄膜トランジスタ |
JPH0824193B2 (ja) | 1990-10-16 | 1996-03-06 | 工業技術院長 | 平板型光弁駆動用半導体装置の製造方法 |
JP3024661B2 (ja) | 1990-11-09 | 2000-03-21 | セイコーエプソン株式会社 | アクティブマトリクス基板及びその製造方法 |
JPH04217230A (ja) * | 1990-12-19 | 1992-08-07 | Nec Corp | 液晶表示素子およびその製造方法 |
JPH04283729A (ja) | 1991-03-13 | 1992-10-08 | Sharp Corp | アクティブマトリクス表示装置 |
JP2998255B2 (ja) | 1991-04-04 | 2000-01-11 | セイコーエプソン株式会社 | 薄膜トランジスタ装置及びその製造方法 |
JP2776083B2 (ja) * | 1991-08-23 | 1998-07-16 | 日本電気株式会社 | 液晶表示装置およびその製造方法 |
TW226044B (ja) * | 1992-04-15 | 1994-07-01 | Toshiba Co Ltd | |
JPH0621455A (ja) * | 1992-06-30 | 1994-01-28 | Sanyo Electric Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
JP3357687B2 (ja) * | 1992-07-15 | 2002-12-16 | 株式会社東芝 | 薄膜トランジスタおよび液晶表示装置の製造方法 |
JP2859784B2 (ja) * | 1992-09-03 | 1999-02-24 | シャープ株式会社 | アクティブマトリクス基板 |
JP3287806B2 (ja) | 1992-09-03 | 2002-06-04 | シャープ株式会社 | アクティブマトリクス基板 |
JP2950061B2 (ja) | 1992-11-13 | 1999-09-20 | 日本電気株式会社 | 液晶表示素子 |
JPH06175154A (ja) * | 1992-12-03 | 1994-06-24 | Seiko Epson Corp | 液晶表示装置の製造方法 |
JPH06202155A (ja) | 1992-12-28 | 1994-07-22 | Toshiba Corp | 液晶表示装置の製造方法 |
JP2556252B2 (ja) * | 1993-05-14 | 1996-11-20 | 日本電気株式会社 | 薄膜電界効果型トランジスタアレイ |
JPH0728093A (ja) | 1993-07-13 | 1995-01-31 | Sony Corp | 表示用アクティブマトリクス基板 |
JP3267011B2 (ja) * | 1993-11-04 | 2002-03-18 | セイコーエプソン株式会社 | 液晶表示装置 |
JPH07147411A (ja) | 1993-11-24 | 1995-06-06 | Sony Corp | 表示素子基板用半導体装置 |
US5822026A (en) | 1994-02-17 | 1998-10-13 | Seiko Epson Corporation | Active matrix substrate and color liquid crystal display |
WO1995022782A1 (fr) | 1994-02-17 | 1995-08-24 | Seiko Epson Corporation | Substrat matriciel actif et dispositif d'affichage couleur a cristaux liquides |
JPH07302912A (ja) * | 1994-04-29 | 1995-11-14 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
US5650636A (en) * | 1994-06-02 | 1997-07-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Active matrix display and electrooptical device |
JP3253808B2 (ja) * | 1994-07-07 | 2002-02-04 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置およびその作製方法 |
JPH0869009A (ja) | 1994-08-30 | 1996-03-12 | Rohm Co Ltd | Tft型液晶表示装置 |
JP3464287B2 (ja) | 1994-09-05 | 2003-11-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
JP2643098B2 (ja) * | 1994-12-07 | 1997-08-20 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション | 液晶表示装置及びその製造方法並びに画像形成方法 |
JP3307144B2 (ja) | 1995-02-28 | 2002-07-24 | ソニー株式会社 | 表示装置 |
JP3617857B2 (ja) | 1995-04-17 | 2005-02-09 | 株式会社東芝 | カラー撮像装置 |
JPH0926603A (ja) * | 1995-05-08 | 1997-01-28 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置 |
JP3307181B2 (ja) | 1995-07-31 | 2002-07-24 | ソニー株式会社 | 透過型表示装置 |
JP3642876B2 (ja) * | 1995-08-04 | 2005-04-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | プラズマを用いる半導体装置の作製方法及びプラズマを用いて作製された半導体装置 |
JPH0990405A (ja) | 1995-09-21 | 1997-04-04 | Sharp Corp | 薄膜トランジスタ |
US5917563A (en) * | 1995-10-16 | 1999-06-29 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device having an insulation film made of organic material between an additional capacity and a bus line |
JP3490216B2 (ja) * | 1996-04-24 | 2004-01-26 | シャープ株式会社 | スイッチング素子基板の製造方法 |
JP3245527B2 (ja) * | 1995-12-13 | 2002-01-15 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置 |
JP3468986B2 (ja) * | 1996-04-16 | 2003-11-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | アクティブマトリクス回路および表示装置 |
JP3433779B2 (ja) * | 1996-06-19 | 2003-08-04 | シャープ株式会社 | アクティブマトリクス基板およびその製造方法 |
JPH1010580A (ja) | 1996-06-25 | 1998-01-16 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置 |
US6005648A (en) | 1996-06-25 | 1999-12-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
JPH1010581A (ja) | 1996-06-25 | 1998-01-16 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置 |
JP3126661B2 (ja) * | 1996-06-25 | 2001-01-22 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置 |
JP3708637B2 (ja) * | 1996-07-15 | 2005-10-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置 |
JPH1048667A (ja) | 1996-08-01 | 1998-02-20 | Seiko Epson Corp | 液晶パネル用基板およびその製造方法並びに投射型表示装置 |
JP3634089B2 (ja) * | 1996-09-04 | 2005-03-30 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
JP3830213B2 (ja) | 1996-10-04 | 2006-10-04 | セイコーエプソン株式会社 | スイッチング素子を備えた基板及び液晶表示パネル並びにそれを用いた電子機器 |
TWI236556B (en) | 1996-10-16 | 2005-07-21 | Seiko Epson Corp | Substrate for a liquid crystal equipment, liquid crystal equipment and projection type display equipment |
WO1998018044A1 (fr) * | 1996-10-22 | 1998-04-30 | Seiko Epson Corporation | Panneau a cristaux liquides a matrice active |
JP3087841B2 (ja) * | 1996-10-29 | 2000-09-11 | 日本電気株式会社 | 広視野角液晶表示装置 |
JPH10133217A (ja) * | 1996-11-05 | 1998-05-22 | Hosiden Corp | 液晶表示素子 |
JP3588945B2 (ja) * | 1996-11-25 | 2004-11-17 | セイコーエプソン株式会社 | アクティブマトリクス基板の製造方法 |
US6532053B2 (en) * | 1996-12-18 | 2003-03-11 | Hitachi, Ltd. | Transverse electric field system liquid crystal display device suitable for improving aperture ratio |
JP3468003B2 (ja) | 1996-12-20 | 2003-11-17 | ソニー株式会社 | 表示用薄膜半導体装置 |
JP4201862B2 (ja) * | 1997-02-27 | 2008-12-24 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置 |
JP3784491B2 (ja) | 1997-03-28 | 2006-06-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | アクティブマトリクス型の表示装置 |
JPH10282527A (ja) | 1997-04-11 | 1998-10-23 | Casio Comput Co Ltd | 液晶表示装置 |
US5889302A (en) * | 1997-04-21 | 1999-03-30 | Advanced Micro Devices, Inc. | Multilayer floating gate field effect transistor structure for use in integrated circuit devices |
JPH112844A (ja) * | 1997-06-13 | 1999-01-06 | Nec Corp | 液晶表示パネル及びその製造方法 |
JP3767154B2 (ja) * | 1997-06-17 | 2006-04-19 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置用基板、電気光学装置、電子機器及び投写型表示装置 |
JP3892115B2 (ja) | 1997-07-07 | 2007-03-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | ディスプレイ及びディスプレイを備えた装置 |
JP3929119B2 (ja) | 1997-08-04 | 2007-06-13 | 株式会社アドバンスト・ディスプレイ | 液晶表示装置 |
JP3919900B2 (ja) | 1997-09-19 | 2007-05-30 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置およびその作製方法 |
JP4050377B2 (ja) * | 1997-10-31 | 2008-02-20 | セイコーエプソン株式会社 | 液晶装置及び電子機器並びに投射型表示装置 |
JP4312851B2 (ja) * | 1998-04-27 | 2009-08-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置およびその作製方法 |
JP3702096B2 (ja) | 1998-06-08 | 2005-10-05 | 三洋電機株式会社 | 薄膜トランジスタ及び表示装置 |
KR100357213B1 (ko) * | 1998-07-23 | 2002-10-18 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 멀티도메인 액정표시소자 |
JP2000058847A (ja) | 1998-07-31 | 2000-02-25 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体素子からなる半導体回路を備えた半導体装置およびその作製方法 |
JP3141860B2 (ja) | 1998-10-28 | 2001-03-07 | ソニー株式会社 | 液晶表示装置の製造方法 |
TW413844B (en) * | 1998-11-26 | 2000-12-01 | Samsung Electronics Co Ltd | Manufacturing methods of thin film transistor array panels for liquid crystal displays and photolithography method of thin films |
DE69942442D1 (de) * | 1999-01-11 | 2010-07-15 | Semiconductor Energy Lab | Halbleiteranordnung mit Treiber-TFT und Pixel-TFT auf einem Substrat |
EP1031873A3 (en) * | 1999-02-23 | 2005-02-23 | Sel Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and fabrication method thereof |
US7821065B2 (en) * | 1999-03-02 | 2010-10-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising a thin film transistor comprising a semiconductor thin film and method of manufacturing the same |
US6531993B1 (en) * | 1999-03-05 | 2003-03-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Active matrix type display device |
JP2000284723A (ja) * | 1999-03-30 | 2000-10-13 | Sanyo Electric Co Ltd | 表示装置 |
US7122835B1 (en) * | 1999-04-07 | 2006-10-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electrooptical device and a method of manufacturing the same |
TW478014B (en) * | 1999-08-31 | 2002-03-01 | Semiconductor Energy Lab | Semiconductor device and method of manufacturing thereof |
JP4700156B2 (ja) | 1999-09-27 | 2011-06-15 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP4118484B2 (ja) * | 2000-03-06 | 2008-07-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
JP2001257350A (ja) * | 2000-03-08 | 2001-09-21 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
JP2002319679A (ja) * | 2001-04-20 | 2002-10-31 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
JP2003149681A (ja) * | 2002-07-18 | 2003-05-21 | Seiko Epson Corp | 液晶パネル用基板、液晶パネル及び投射型表示装置 |
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