JP2013179097A5 - 表示装置 - Google Patents

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  1. 半導体層と、
    第１の導電層と、
    前記半導体層と前記第１の導電層とに挟まれている領域を有する第１の絶縁層と、
    前記半導体層と接する領域を有する第２の導電層と、
    前記第２の導電層と接する領域を有する第３の導電層と、
    前記第３の導電層上方の第２の絶縁層と、
    第４の導電層と、
    前記第３の導電層と前記第４の導電層とに挟まれている領域を有する有機化合物を含む層と、
    を有し、
    前記第２の絶縁層は、第１の領域と、第２の領域と、を有し、
    前記第１の領域における前記第２の絶縁層の膜厚は、前記第２の領域における前記第２の絶縁層の膜厚よりも厚く、
    前記第１の領域は、前記半導体層と重なることを特徴とする表示装置。
  2. 半導体層と、
    第１の導電層と、
    前記半導体層と前記第１の導電層とに挟まれている領域を有する第１の絶縁層と、
    前記半導体層と接する領域を有する第２の導電層と、
    前記第２の導電層と接する領域を有する第３の導電層と、
    前記第３の導電層上方の第２の絶縁層と、
    第４の導電層と、
    前記第３の導電層と前記第４の導電層とに挟まれている領域を有する有機化合物を含む層と、
    を有し、
    前記第２の絶縁層は、第１の領域と、第２の領域と、を有し、
    前記第１の領域における前記第２の絶縁層の膜厚は、前記第２の領域における前記第２の絶縁層の膜厚よりも厚く、
    前記第１の領域は、前記第１の導電層を介して前記半導体層と重なることを特徴とする表示装置。
  3. 半導体層と、
    第１の導電層と、
    前記半導体層と前記第１の導電層とに挟まれている領域を有する第１の絶縁層と、
    前記半導体層と接する領域を有する第２の導電層と、
    前記第２の導電層と接する領域を有する第３の導電層と、
    前記第３の導電層上方の第２の絶縁層と、
    第４の導電層と、
    前記第３の導電層と前記第４の導電層とに挟まれている領域を有する有機化合物を含む層と、
    前記第３の導電層と同一表面に設けられる第５の導電層と、
    を有し、
    前記第２の絶縁層は、第１の領域と、第２の領域と、を有し、
    前記第１の領域における前記第２の絶縁層の膜厚は、前記第２の領域における前記第２の絶縁層の膜厚よりも厚く、
    前記第１の領域は、前記第５の導電層と重なることを特徴とする表示装置。
  4. 請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
    前記第１の領域における前記第２の絶縁層の表面は、前記第２の領域における前記第２の絶縁層の表面よりも高いことを特徴とする表示装置。
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