JP2003123969A - 蒸着用マスクおよび有機エレクトロルミネッセンスディスプレイの製造方法 - Google Patents
蒸着用マスクおよび有機エレクトロルミネッセンスディスプレイの製造方法Info
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 23
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 18
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 title claims description 10
- 230000008021 deposition Effects 0.000 title abstract description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 26
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 84
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 11
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 9
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 9
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 claims 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 24
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 7
- 239000011347 resin Substances 0.000 abstract description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 abstract description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 50
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 5
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 5
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 230000001154 acute effect Effects 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000030944 contact inhibition Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N indium tin Chemical compound [In].[Sn] RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005019 vapor deposition process Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 画素電極上に各色発光層の有機EL材料をマ
スクを用いて蒸着形成する際、マスクをガラス基板表面
にできるだけ近接させる必要があり、必要以上にマスク
が下地ガラス基板表面に接近して非線形素子、および配
線、画素電極、形成発光層に損傷を与えないようにガラ
ス基板上には感光性樹脂による突起を設ける必要がある
ためプロセス工程も増加し、それにより有機ELディス
プレイパネルの製造コストが極めて高価となってしまう
ものであった。 【解決手段】 マスクの開口部の端部に、マスクと被蒸
着部材間に一定の間隔を保持できる柱状の突起を少なく
とも複数設ける。
スクを用いて蒸着形成する際、マスクをガラス基板表面
にできるだけ近接させる必要があり、必要以上にマスク
が下地ガラス基板表面に接近して非線形素子、および配
線、画素電極、形成発光層に損傷を与えないようにガラ
ス基板上には感光性樹脂による突起を設ける必要がある
ためプロセス工程も増加し、それにより有機ELディス
プレイパネルの製造コストが極めて高価となってしまう
ものであった。 【解決手段】 マスクの開口部の端部に、マスクと被蒸
着部材間に一定の間隔を保持できる柱状の突起を少なく
とも複数設ける。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は有機エレクトロルミ
ネッセンスを利用して、かかる有機EL材料の薄膜から
なる発光層を備えた有機EL素子の複数をマトリクス状
に配置した有機ELディスプレイパネルを製造する際に
用いる蒸着用マスクおよび選択的蒸着方法に関し、特
に、当接禁止部分を有する被蒸着部材に選択的に蒸着を
行なう技術に関するものである。
ネッセンスを利用して、かかる有機EL材料の薄膜から
なる発光層を備えた有機EL素子の複数をマトリクス状
に配置した有機ELディスプレイパネルを製造する際に
用いる蒸着用マスクおよび選択的蒸着方法に関し、特
に、当接禁止部分を有する被蒸着部材に選択的に蒸着を
行なう技術に関するものである。
【0002】
【従来の技術】近年、携帯端末、モバイルPC、携帯電
話等の表示デバイスとして有機ELディスプレイが有望
視されている。有機ELディスプレイパネルは画素自身
が自己発光方式のためバックライトが不要で、かつカラ
ーフィルタを用いずにフルカラー表示が可能なため、広
視野角、高コントラスト、優れた色再現性といった特長
を持ち、加えて高輝度、薄型、応答特性に優れるなどの
特性を備えていることから、携帯電話やPDA(携帯情
報端末)向けに各社で開発が盛んに行われている。
話等の表示デバイスとして有機ELディスプレイが有望
視されている。有機ELディスプレイパネルは画素自身
が自己発光方式のためバックライトが不要で、かつカラ
ーフィルタを用いずにフルカラー表示が可能なため、広
視野角、高コントラスト、優れた色再現性といった特長
を持ち、加えて高輝度、薄型、応答特性に優れるなどの
特性を備えていることから、携帯電話やPDA(携帯情
報端末)向けに各社で開発が盛んに行われている。
【0003】有機ELディスプレイパネルは、例えば特
開平9−115672や特開平8−227276に記載
されているように、マトリクス状に配置された個々の画
素電極上に有機電界発光素子(以下、有機EL素子と称
する)を形成し、画素電極に加えた電圧により陰極から
電子を注入しかつ陽極からホールを注入し、電子とホー
ルの再結合により発光をさせ、表示を行うものであり、
この発光は、有機電界発光材料層を挟んで陰極と陽極と
が重なり合う部分で生じるものである。このように、マ
トリクス状に配置された画素電極上に赤色発光層R、緑
色発光層G、青色発光層Bを繰り返し配置する構成によ
り各画素電極の発光色を任意に発光させることによって
フルカラーの有機ELディスプレイパネルを実現するこ
とができる。
開平9−115672や特開平8−227276に記載
されているように、マトリクス状に配置された個々の画
素電極上に有機電界発光素子(以下、有機EL素子と称
する)を形成し、画素電極に加えた電圧により陰極から
電子を注入しかつ陽極からホールを注入し、電子とホー
ルの再結合により発光をさせ、表示を行うものであり、
この発光は、有機電界発光材料層を挟んで陰極と陽極と
が重なり合う部分で生じるものである。このように、マ
トリクス状に配置された画素電極上に赤色発光層R、緑
色発光層G、青色発光層Bを繰り返し配置する構成によ
り各画素電極の発光色を任意に発光させることによって
フルカラーの有機ELディスプレイパネルを実現するこ
とができる。
【0004】次に、図6、図7に有機ELディスプレイ
パネルの製造方法を示す。
パネルの製造方法を示す。
【0005】図6(a)において、ガラス基板30上に
はマトリクス状に配置した非線形素子32が形成され
る。非線形素子32はフォトリソグラフィー法や真空蒸
着法により形成される。
はマトリクス状に配置した非線形素子32が形成され
る。非線形素子32はフォトリソグラフィー法や真空蒸
着法により形成される。
【0006】非線形素子32上には非線形素子形成によ
る凹凸を緩和するための平坦化膜39を形成し、平坦化
膜39上には非線形素子32と電気的に接続する透明導
電材料であるインジウム錫酸化物(ITO)から成る画
素電極31を形成する。
る凹凸を緩和するための平坦化膜39を形成し、平坦化
膜39上には非線形素子32と電気的に接続する透明導
電材料であるインジウム錫酸化物(ITO)から成る画
素電極31を形成する。
【0007】図6(b)において、平坦化膜39および
画素電極31上に感光性樹脂による突起40をフォトリ
ソグラフィー法により形成する。この突起40は後の有
機EL層蒸着工程で用いる蒸着用マスクが画素電極3
1、および形成された有機EL層と接触することによる
損傷を防止するため、蒸着用マスクとガラス基板30の
表面とを一定間隔に保持するために形成される。この突
起40の厚みは10μm以下程度、一般的には1〜2ミ
クロン程度である。
画素電極31上に感光性樹脂による突起40をフォトリ
ソグラフィー法により形成する。この突起40は後の有
機EL層蒸着工程で用いる蒸着用マスクが画素電極3
1、および形成された有機EL層と接触することによる
損傷を防止するため、蒸着用マスクとガラス基板30の
表面とを一定間隔に保持するために形成される。この突
起40の厚みは10μm以下程度、一般的には1〜2ミ
クロン程度である。
【0008】図6(c)において、個々の画素電極31
上にホール輸送層33となる有機媒体を形成する。次
に、図6(d)において、ガラス基板30上の非線形素
子32が形成された面に金属製の蒸着用マスク34をガ
ラス基板30上に設けられた突起40に圧着させ、赤色
発光層Rの材料となる有機材料を蒸着用マスク34の開
口部37によって選択的に蒸着形成する。次に、図7
(e)で蒸着用マスク34を画素電極の配列ピッチ分横
方向に移動41させて、蒸着用マスク34の開口部37
を緑色発光層Gを蒸着形成する画素電極31上に位置合
わせを行い、ガラス基板30に設けられた突起40に圧
着し、緑色発光層Gの材料となる有機材料を蒸着用マス
ク34の開口部37によって選択的に蒸着形成する。図
7(f)において、同様に隣接する画素電極31に対し
て蒸着用マスク34を画素電極31の配列ピッチ分横方
向に移動41させて、青色発光層Bの材料となる有機材
料を蒸着用マスク34の開口部37によって選択的に蒸
着形成する。
上にホール輸送層33となる有機媒体を形成する。次
に、図6(d)において、ガラス基板30上の非線形素
子32が形成された面に金属製の蒸着用マスク34をガ
ラス基板30上に設けられた突起40に圧着させ、赤色
発光層Rの材料となる有機材料を蒸着用マスク34の開
口部37によって選択的に蒸着形成する。次に、図7
(e)で蒸着用マスク34を画素電極の配列ピッチ分横
方向に移動41させて、蒸着用マスク34の開口部37
を緑色発光層Gを蒸着形成する画素電極31上に位置合
わせを行い、ガラス基板30に設けられた突起40に圧
着し、緑色発光層Gの材料となる有機材料を蒸着用マス
ク34の開口部37によって選択的に蒸着形成する。図
7(f)において、同様に隣接する画素電極31に対し
て蒸着用マスク34を画素電極31の配列ピッチ分横方
向に移動41させて、青色発光層Bの材料となる有機材
料を蒸着用マスク34の開口部37によって選択的に蒸
着形成する。
【0009】図7(g)では、このようにして各画素電
極31に赤色発光層R、緑色発光層G、青色発光層Bを
繰り返し蒸着形成した後、別のマスク(図示せず)を用
いて同様に各発光層R、G、B上に電子輸送層35を形
成し、同じく別のマスク(図示せず)によってホール輸
送層33と発光層R、G、Bと電子輸送層35を覆うよ
うにAlからなる陰極36を形成する。その後、湿度の
影響による発光特性劣化を防ぐため、これら蒸着形成さ
れた有機EL層に対して封止を行うものであった。
極31に赤色発光層R、緑色発光層G、青色発光層Bを
繰り返し蒸着形成した後、別のマスク(図示せず)を用
いて同様に各発光層R、G、B上に電子輸送層35を形
成し、同じく別のマスク(図示せず)によってホール輸
送層33と発光層R、G、Bと電子輸送層35を覆うよ
うにAlからなる陰極36を形成する。その後、湿度の
影響による発光特性劣化を防ぐため、これら蒸着形成さ
れた有機EL層に対して封止を行うものであった。
【0010】このように、各発光層R、G、Bおよび陰
極36を形成する際、蒸着用マスク34を用いて選択的
に蒸着することで、フォトレジストを用いたエッチング
の困難な有機材料を用いた各発光層R、G、B、および
当該発光層形成後に形成される陰極36を、容易に形成
することができる。
極36を形成する際、蒸着用マスク34を用いて選択的
に蒸着することで、フォトレジストを用いたエッチング
の困難な有機材料を用いた各発光層R、G、B、および
当該発光層形成後に形成される陰極36を、容易に形成
することができる。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ような有機ELディスプレイパネルの従来の製造方法に
は、次のような問題点があった。
ような有機ELディスプレイパネルの従来の製造方法に
は、次のような問題点があった。
【0012】画素電極上に各色発光層の有機EL材料を
マスクを用いて蒸着形成する際、画素電極と各色発光層
により形成される素子の精度を確保するためには、位置
合わせ精度およびパターニング精度を確保することが必
要である。従って、ガラス基板表面に対するマスクの位
置をできるだけ正確に調整するとともに、有機材料の蒸
着の際にはマスクをガラス基板表面にできるだけ近接さ
せる必要がある。一方、マスクの面積はかなり大型なた
め、マスクとガラス基板表面との距離を一定に保つのは
マスク自体のたわみ、そりの影響で機械的に極めて困難
である。そこで、蒸着の際にマスクをガラス基板表面に
密着させるようにしているが、マスクをガラス基板表面
に密着させたまま位置調整を行ない、そのまま蒸着処理
を実施すれば、容易に、蒸着により形成される素子の精
度を確保することができる反面、マスクの位置調整の
際、下地ガラス基板表面に形成された非線形素子、およ
び配線、画素電極、形成発光層に損傷を与えてしまうお
それがあった。
マスクを用いて蒸着形成する際、画素電極と各色発光層
により形成される素子の精度を確保するためには、位置
合わせ精度およびパターニング精度を確保することが必
要である。従って、ガラス基板表面に対するマスクの位
置をできるだけ正確に調整するとともに、有機材料の蒸
着の際にはマスクをガラス基板表面にできるだけ近接さ
せる必要がある。一方、マスクの面積はかなり大型なた
め、マスクとガラス基板表面との距離を一定に保つのは
マスク自体のたわみ、そりの影響で機械的に極めて困難
である。そこで、蒸着の際にマスクをガラス基板表面に
密着させるようにしているが、マスクをガラス基板表面
に密着させたまま位置調整を行ない、そのまま蒸着処理
を実施すれば、容易に、蒸着により形成される素子の精
度を確保することができる反面、マスクの位置調整の
際、下地ガラス基板表面に形成された非線形素子、およ
び配線、画素電極、形成発光層に損傷を与えてしまうお
それがあった。
【0013】このため、位置調整の際にはマスクと下地
ガラス基板表面とを離しておき、蒸着の際にマスクを下
地ガラス基板表面に密着させるようにする構成やガラス
基板上にある個々の画素電極の周辺に感光性樹脂をフォ
トリソグラフィー法によって突起を設けて、直接マスク
が画素電極および既に蒸着形成された発光層と接触して
損傷することを防止する方法も考えられるが、製造装置
の構造や動作が複雑となり、また、プロセス工程も増加
することにより有機ELディスプレイパネルの製造コス
トが極めて高価となってしまうのである。
ガラス基板表面とを離しておき、蒸着の際にマスクを下
地ガラス基板表面に密着させるようにする構成やガラス
基板上にある個々の画素電極の周辺に感光性樹脂をフォ
トリソグラフィー法によって突起を設けて、直接マスク
が画素電極および既に蒸着形成された発光層と接触して
損傷することを防止する方法も考えられるが、製造装置
の構造や動作が複雑となり、また、プロセス工程も増加
することにより有機ELディスプレイパネルの製造コス
トが極めて高価となってしまうのである。
【0014】この発明は、このような問題点を解決し、
被蒸着部材に高い精度で容易に信頼性の高い選択的蒸着
を行なうことのできる蒸着用マスクおよび選択的蒸着方
法を提供することを目的とする。
被蒸着部材に高い精度で容易に信頼性の高い選択的蒸着
を行なうことのできる蒸着用マスクおよび選択的蒸着方
法を提供することを目的とする。
【0015】
【課題を解決するための手段】本発明の蒸着用マスク
は、被蒸着部材に選択的に蒸着を行なうための蒸着用マ
スクにおいて、被蒸着部材の当接可能部分に当接する当
接部と、被蒸着部材の当接禁止部分に当接しないように
形成された逃げ部と、被蒸着部材の被蒸着部に対応する
部分に設けられた蒸着用貫通穴とを備えたことを特徴と
する。
は、被蒸着部材に選択的に蒸着を行なうための蒸着用マ
スクにおいて、被蒸着部材の当接可能部分に当接する当
接部と、被蒸着部材の当接禁止部分に当接しないように
形成された逃げ部と、被蒸着部材の被蒸着部に対応する
部分に設けられた蒸着用貫通穴とを備えたことを特徴と
する。
【0016】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て説明する。
て説明する。
【0017】(実施の形態1)本発明の蒸着用マスクの
実施の形態1を図1に示す。図1(a)は蒸着用マスク
の平面図を示したものである。
実施の形態1を図1に示す。図1(a)は蒸着用マスク
の平面図を示したものである。
【0018】蒸着用マスク5には被蒸着部材であるガラ
ス基板上にマトリクス状に形成された複数の非線形素子
と、薄膜トランジスタとそれに接続する画素電極と相対
した位置関係にあるところに開口部14が設けられてい
る。この開口部14はマトリクス状に配置された画素電
極R、G、Bを一組として、そのうちの画素電極R、
G、Bの一つに対応する位置関係にある開口部において
ストライプ状に形成されている。蒸着用マスクの開口部
14の端部には柱状の突起13が複数設けられており、
その柱状の突起13により蒸着用マスク5が被蒸着部材
に密着した際、蒸着用マスク5と被蒸着部材間に一定の
間隔を保持できるようになる。この蒸着用マスク5は主
に金属性で、蒸着用マスクの開口部14および柱状の突
起13はエッチングにより形成できる。また、ストライ
プ状に形成された蒸着用マスクの開口部14は鋭角状で
はなく、鈍角またはなめらかな形状が好ましい。また、
この柱状突起13は角柱状に限定されるものではなく、
円柱状でも良い。
ス基板上にマトリクス状に形成された複数の非線形素子
と、薄膜トランジスタとそれに接続する画素電極と相対
した位置関係にあるところに開口部14が設けられてい
る。この開口部14はマトリクス状に配置された画素電
極R、G、Bを一組として、そのうちの画素電極R、
G、Bの一つに対応する位置関係にある開口部において
ストライプ状に形成されている。蒸着用マスクの開口部
14の端部には柱状の突起13が複数設けられており、
その柱状の突起13により蒸着用マスク5が被蒸着部材
に密着した際、蒸着用マスク5と被蒸着部材間に一定の
間隔を保持できるようになる。この蒸着用マスク5は主
に金属性で、蒸着用マスクの開口部14および柱状の突
起13はエッチングにより形成できる。また、ストライ
プ状に形成された蒸着用マスクの開口部14は鋭角状で
はなく、鈍角またはなめらかな形状が好ましい。また、
この柱状突起13は角柱状に限定されるものではなく、
円柱状でも良い。
【0019】(実施の形態2)本発明の蒸着用マスクを
用いた有機ELディスプレイパネルの製造方法を図面を
用いて説明する。
用いた有機ELディスプレイパネルの製造方法を図面を
用いて説明する。
【0020】図2(a)において、ガラス基板1上に非
線形素子である薄膜トランジスタ3とゲートライン、ゲ
ート絶縁膜、チャネル層、コンタクト層、ソース、ドレ
インライン、信号線等(図示せず)をマトリクス状に配
置形成し、薄膜トランジスタ3上に平坦化膜4を形成
し、平坦化膜4上には平坦化膜4の開口部を介して薄膜
トランジスタ3のドレイン電極と電気的に接続したIT
Oから成る画素電極2を500〜1500オングストロ
ームの膜厚で形成する。この画素電極2は後の有機EL
層の陽極(アノード)となるもので、インジウム錫酸化
物(ITO)等の仕事関数が小さい材料が用いられる。
線形素子である薄膜トランジスタ3とゲートライン、ゲ
ート絶縁膜、チャネル層、コンタクト層、ソース、ドレ
インライン、信号線等(図示せず)をマトリクス状に配
置形成し、薄膜トランジスタ3上に平坦化膜4を形成
し、平坦化膜4上には平坦化膜4の開口部を介して薄膜
トランジスタ3のドレイン電極と電気的に接続したIT
Oから成る画素電極2を500〜1500オングストロ
ームの膜厚で形成する。この画素電極2は後の有機EL
層の陽極(アノード)となるもので、インジウム錫酸化
物(ITO)等の仕事関数が小さい材料が用いられる。
【0021】図2(b)において、画素電極2上にホー
ル輸送層9となる有機材料を形成する。なお、ホール輸
送層9はマスク等(図示せず)を用いて蒸着形成できる
ものである。
ル輸送層9となる有機材料を形成する。なお、ホール輸
送層9はマスク等(図示せず)を用いて蒸着形成できる
ものである。
【0022】次に、図2(c)において、ガラス基板1
上に柱状突起13が設けられた蒸着用マスク5を配置
し、赤色発光層Rを形成させる画素電極2と蒸着用マス
ク5の開口部14とで位置合わせを行い、蒸着用マスク
5をガラス基板1に密着させる。そして、蒸着用マスク
5の開口部14と位置合わせされた画素電極2上に選択
的に赤色発光層Rを蒸着形成する。
上に柱状突起13が設けられた蒸着用マスク5を配置
し、赤色発光層Rを形成させる画素電極2と蒸着用マス
ク5の開口部14とで位置合わせを行い、蒸着用マスク
5をガラス基板1に密着させる。そして、蒸着用マスク
5の開口部14と位置合わせされた画素電極2上に選択
的に赤色発光層Rを蒸着形成する。
【0023】次に、図2(d)において、蒸着用マスク
5を隣接する画素電極2の間隔分、横方向に水平移動6
させ、緑色発光層Gを形成する画素電極2と蒸着用マス
ク5の開口部14とで位置合わせを行い、蒸着用マスク
5をガラス基板1に密着させる。そして同様に、蒸着用
マスク5の開口部14と位置合わせされた画素電極2上
に選択的に緑色発光層Gを蒸着形成する。同様にして、
図2(e)に示すように、蒸着用マスク5を隣接する画
素電極2の間隔分、横方向に水平移動6させ、青色発光
層Bを画素電極2に形成する。
5を隣接する画素電極2の間隔分、横方向に水平移動6
させ、緑色発光層Gを形成する画素電極2と蒸着用マス
ク5の開口部14とで位置合わせを行い、蒸着用マスク
5をガラス基板1に密着させる。そして同様に、蒸着用
マスク5の開口部14と位置合わせされた画素電極2上
に選択的に緑色発光層Gを蒸着形成する。同様にして、
図2(e)に示すように、蒸着用マスク5を隣接する画
素電極2の間隔分、横方向に水平移動6させ、青色発光
層Bを画素電極2に形成する。
【0024】次に、図3(f)において、画素電極2上
に形成された各色発光層R、G、B上に電子輸送層11
を形成する。なお、電子輸送層11はホール輸送層9と
同様にマスク等(図示せず)を用いて蒸着形成できるも
のである。
に形成された各色発光層R、G、B上に電子輸送層11
を形成する。なお、電子輸送層11はホール輸送層9と
同様にマスク等(図示せず)を用いて蒸着形成できるも
のである。
【0025】次に、図3(g)において、画素電極2上
に形成された各色発光層R、G、Bおよび電子輸送層1
1を覆うようにAlから成る陰極12を形成する。その
後、湿度の影響による発光特性劣化を防ぐため、これら
蒸着形成された有機EL層に対して封止が行われ、有機
ELディスプレイパネルを実現する。
に形成された各色発光層R、G、Bおよび電子輸送層1
1を覆うようにAlから成る陰極12を形成する。その
後、湿度の影響による発光特性劣化を防ぐため、これら
蒸着形成された有機EL層に対して封止が行われ、有機
ELディスプレイパネルを実現する。
【0026】また、本発明の蒸着用マスク5の他の形態
としては図4、図5のものも使用できる。図4は蒸着用
マスク5の開口部14の端辺に帯状の突起13を設ける
もので、開口部14の端辺全て、あるいは開口部14の
端辺の一カ所に設けても同様の効果がある。
としては図4、図5のものも使用できる。図4は蒸着用
マスク5の開口部14の端辺に帯状の突起13を設ける
もので、開口部14の端辺全て、あるいは開口部14の
端辺の一カ所に設けても同様の効果がある。
【0027】また、図5に示す形態は蒸着用マスク5の
開口部14の端部を取り囲むように突起帯を設けたもの
である。いずれの形態においても蒸着用マスク5の突起
13および開口部14はエッチングにより形成されたも
のである。
開口部14の端部を取り囲むように突起帯を設けたもの
である。いずれの形態においても蒸着用マスク5の突起
13および開口部14はエッチングにより形成されたも
のである。
【0028】
【発明の効果】本発明の効果はマスク表面の開口部の端
部に突起部を設けて、マスクを被蒸着部材表面に密着さ
せることにより容易にマスクと被蒸着部材表面との間隔
を一定に保つことが可能となり、ガラス基板上にある個
々の画素電極の周辺に感光性樹脂をフォトリソグラフィ
ー法によって突起を設ける必要もなく、プロセス工程の
増加も生じない。また、蒸着装置のマスク搬送動作をシ
ンプルにでき、製造装置の構造、構成の簡素化が可能と
なる。これらにより、有機ELディスプレイパネル製造
の低コスト化が可能となる。
部に突起部を設けて、マスクを被蒸着部材表面に密着さ
せることにより容易にマスクと被蒸着部材表面との間隔
を一定に保つことが可能となり、ガラス基板上にある個
々の画素電極の周辺に感光性樹脂をフォトリソグラフィ
ー法によって突起を設ける必要もなく、プロセス工程の
増加も生じない。また、蒸着装置のマスク搬送動作をシ
ンプルにでき、製造装置の構造、構成の簡素化が可能と
なる。これらにより、有機ELディスプレイパネル製造
の低コスト化が可能となる。
【図1】本発明による実施の形態1の蒸着用マスクを示
した平面図および斜視図
した平面図および斜視図
【図2】本発明による実施の形態2の蒸着用マスクを用
いた有機ELディスプレイパネルの工程断面図
いた有機ELディスプレイパネルの工程断面図
【図3】本発明による実施の形態2の蒸着用マスクを用
いた有機ELディスプレイパネルの工程断面図
いた有機ELディスプレイパネルの工程断面図
【図4】本発明による実施の形態2の別の蒸着用マスク
を示した平面図および斜視図
を示した平面図および斜視図
【図5】本発明による実施の形態2の別の蒸着用マスク
を示した平面図および斜視図
を示した平面図および斜視図
【図6】本発明の従来例である有機ELディスプレイパ
ネルの工程断面図
ネルの工程断面図
【図7】本発明の従来例である有機ELディスプレイパ
ネルの工程断面図
ネルの工程断面図
1 ガラス基板
2 画素電極
3 薄膜トランジスタ
4 平坦化膜
5 蒸着用マスク
6 移動
9 ホール輸送層
11 電子輸送層
12 陰極
13 突起
14 開口部
R 赤色発光層
G 緑色発光層
B 青色発光層
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考)
H05B 33/12 H05B 33/12 B
33/14 33/14 A
Fターム(参考) 3K007 AB04 AB18 BA06 BB07 CB01
DA01 DB03 EB00 FA01
4K029 AA09 AA24 BA03 BD00 BD09
HA03
5C094 AA07 AA08 AA42 AA43 AA44
AA47 AA48 BA03 BA12 BA27
CA19 CA24 DA13 DB01 DB04
EA04 EA05 EA06 EA07 EB02
FB01 FB20 GB10
5G435 AA04 AA17 BB05 CC09 CC12
EE37 HH01 HH20 KK05
Claims (11)
- 【請求項1】 被蒸着部材に選択的に蒸着を行うための
蒸着用マスクにおいて、被蒸着部材の被蒸着部に対応す
る領域に蒸着用貫通穴と前記蒸着用貫通穴の側縁部に接
する突起が設けられたことを特徴とする蒸着用マスク。 - 【請求項2】 前記蒸着用貫通穴の側縁部に接する突起
が角柱状であることを特徴とする請求項1記載の蒸着用
マスク。 - 【請求項3】 前記蒸着用貫通穴の側縁部に接する突起
が円柱状であることを特徴とする請求項1記載の蒸着用
マスク。 - 【請求項4】 前記蒸着用貫通穴の側縁部に接する突起
が帯状であることを特徴とする請求項1記載の蒸着用マ
スク。 - 【請求項5】 マトリクス状に配置された複数の非線形
素子と発光部からなる画像表示配列を有している有機エ
レクトロルミネッセンスディスプレイパネルの製造方法
であって、透明基板上に、非線形素子をマトリクス状に
形成配置する工程と前記非線形素子上に絶縁膜を形成す
る工程と前記絶縁膜に形成した開口部を介して前記非線
形素子と電気的に接続した前記発光部に対応する複数の
第1の表示電極を形成する工程と、前記第1の表示電極
の形状に開口した蒸着用貫通穴と前記蒸着用貫通穴の側
縁部に接した突起が設けられた蒸着用マスクを用い、表
示電極上に少なくとも1層の有機エレクトロルミネッセ
ンス媒体の薄膜を形成する発光層形成工程と、前記有機
エレクトロルミネッセンス媒体の薄膜の複数の上に第2
表示電極を共通に形成する工程とを含むことを特徴とす
る有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルの
製造方法。 - 【請求項6】 前記非線形素子は互いに接続された薄膜
トランジスタ及びコンデンサからなることを特徴とする
請求項5記載の有機エレクトロルミネッセンスディスプ
レイパネルの製造方法。 - 【請求項7】 1つの前記開口部が1つの前記第1表示
電極上からその隣接する前記第1表示電極上へ配置され
るように前記蒸着用マスクを順次移動せしめて前記発光
層形成工程を順次繰り返すことを特徴とする請求項5記
載の有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネル
の製造方法。 - 【請求項8】 前記基板及び前記第1表示電極が透明材
料であることを特徴とする請求項5記載の有機エレクト
ロルミネッセンスディスプレイパネルの製造方法。 - 【請求項9】 前記第2表示電極上に反射膜を設けるこ
とを特徴とする請求項5記載の有機エレクトロルミネッ
センスディスプレイパネルの製造方法。 - 【請求項10】 前記第2表示電極が透明材料であるこ
とを特徴とする請求項5記載の有機エレクトロルミネッ
センスディスプレイパネルの製造方法。 - 【請求項11】 前記第1表示電極の外側に反射膜を設
けることを特徴とする請求項5記載の有機エレクトロル
ミネッセンスディスプレイパネルの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001319004A JP2003123969A (ja) | 2001-10-17 | 2001-10-17 | 蒸着用マスクおよび有機エレクトロルミネッセンスディスプレイの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2001319004A JP2003123969A (ja) | 2001-10-17 | 2001-10-17 | 蒸着用マスクおよび有機エレクトロルミネッセンスディスプレイの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003123969A true JP2003123969A (ja) | 2003-04-25 |
Family
ID=19136617
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001319004A Pending JP2003123969A (ja) | 2001-10-17 | 2001-10-17 | 蒸着用マスクおよび有機エレクトロルミネッセンスディスプレイの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2003123969A (ja) |
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-
2001
- 2001-10-17 JP JP2001319004A patent/JP2003123969A/ja active Pending
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