JP2006113568A - 表示装置、及び表示装置の作製方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 152
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 28
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims abstract description 58
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 1013
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 158
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 128
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 120
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 114
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 31
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 28
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 27
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 27
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 26
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 claims description 26
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 26
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 23
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 14
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 10
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 claims description 6
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 5
- 239000011368 organic material Substances 0.000 abstract description 12
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 12
- 239000000565 sealant Substances 0.000 abstract description 10
- 230000035699 permeability Effects 0.000 abstract description 3
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 abstract description 2
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 316
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 70
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 56
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 48
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 48
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 38
- 230000008569 process Effects 0.000 description 35
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 35
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 35
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 29
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 29
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 23
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 22
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 22
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 22
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 21
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 20
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 19
- 239000002585 base Substances 0.000 description 18
- 230000006870 function Effects 0.000 description 18
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 18
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 17
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 17
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 17
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 15
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 15
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 14
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 13
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 13
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 12
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 12
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 12
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 11
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 11
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 11
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 10
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 10
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 10
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 10
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 10
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 9
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 9
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 9
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 9
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 9
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 9
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 8
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 8
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 8
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 8
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 8
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 8
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 8
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 8
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 7
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 7
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 7
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 7
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical group C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 6
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 6
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229920000265 Polyparaphenylene Polymers 0.000 description 5
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 5
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 5
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 5
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 5
- 239000002274 desiccant Substances 0.000 description 5
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 5
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 5
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 5
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 5
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 5
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 5
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 5
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 5
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 5
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 5
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 5
- 229910017073 AlLi Inorganic materials 0.000 description 4
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 4
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Chemical compound [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 4
- XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M caesium fluoride Chemical compound [F-].[Cs+] XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 4
- 238000005247 gettering Methods 0.000 description 4
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 4
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 4
- 239000003550 marker Substances 0.000 description 4
- 229910000476 molybdenum oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 4
- AHLBNYSZXLDEJQ-FWEHEUNISA-N orlistat Chemical compound CCCCCCCCCCC[C@H](OC(=O)[C@H](CC(C)C)NC=O)C[C@@H]1OC(=O)[C@H]1CCCCCC AHLBNYSZXLDEJQ-FWEHEUNISA-N 0.000 description 4
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 4
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 4
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 4
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 4
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 4
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Substances [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 4
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 4
- 229920000172 poly(styrenesulfonic acid) Polymers 0.000 description 4
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 4
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- 230000005236 sound signal Effects 0.000 description 4
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 4
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 4
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 4
- YLYPIBBGWLKELC-UHFFFAOYSA-N 4-(dicyanomethylene)-2-methyl-6-(4-(dimethylamino)styryl)-4H-pyran Chemical compound C1=CC(N(C)C)=CC=C1C=CC1=CC(=C(C#N)C#N)C=C(C)O1 YLYPIBBGWLKELC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910004261 CaF 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910017911 MgIn Inorganic materials 0.000 description 3
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 3
- 229910003902 SiCl 4 Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 3
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 3
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 3
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 3
- VBVAVBCYMYWNOU-UHFFFAOYSA-N coumarin 6 Chemical compound C1=CC=C2SC(C3=CC4=CC=C(C=C4OC3=O)N(CC)CC)=NC2=C1 VBVAVBCYMYWNOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 3
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 3
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 3
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 3
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 3
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 3
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005499 laser crystallization Methods 0.000 description 3
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 3
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- VOFUROIFQGPCGE-UHFFFAOYSA-N nile red Chemical compound C1=CC=C2C3=NC4=CC=C(N(CC)CC)C=C4OC3=CC(=O)C2=C1 VOFUROIFQGPCGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 3
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 3
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 3
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 3
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 3
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 3
- 229940005642 polystyrene sulfonic acid Drugs 0.000 description 3
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 3
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 3
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 3
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 3
- MIOPJNTWMNEORI-GMSGAONNSA-N (S)-camphorsulfonic acid Chemical compound C1C[C@@]2(CS(O)(=O)=O)C(=O)C[C@@H]1C2(C)C MIOPJNTWMNEORI-GMSGAONNSA-N 0.000 description 2
- 150000005072 1,3,4-oxadiazoles Chemical class 0.000 description 2
- IYZMXHQDXZKNCY-UHFFFAOYSA-N 1-n,1-n-diphenyl-4-n,4-n-bis[4-(n-phenylanilino)phenyl]benzene-1,4-diamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 IYZMXHQDXZKNCY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000282 Poly(3-cyclohexylthiophene) Polymers 0.000 description 2
- 229920000291 Poly(9,9-dioctylfluorene) Polymers 0.000 description 2
- 239000004693 Polybenzimidazole Substances 0.000 description 2
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 2
- 229910000676 Si alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 2
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 2
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 2
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- WZJYKHNJTSNBHV-UHFFFAOYSA-N benzo[h]quinoline Chemical compound C1=CN=C2C3=CC=CC=C3C=CC2=C1 WZJYKHNJTSNBHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N bisphenol F Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1CC1=CC=C(O)C=C1 PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 description 2
- XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N copper(II) phthalocyanine Chemical compound [Cu+2].C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L hydroxy(oxo)manganese;manganese Chemical compound [Mn].O[Mn]=O.O[Mn]=O AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 239000013081 microcrystal Substances 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007645 offset printing Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 125000000962 organic group Chemical group 0.000 description 2
- PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N oxomolybdenum Chemical compound [Mo]=O PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003504 photosensitizing agent Substances 0.000 description 2
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical class N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 2
- 229920000301 poly(3-hexylthiophene-2,5-diyl) polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 2
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 2
- 229920002480 polybenzimidazole Polymers 0.000 description 2
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 2
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229920001709 polysilazane Polymers 0.000 description 2
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 2
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 2
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 description 2
- 229910001925 ruthenium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N ruthenium(iv) oxide Chemical compound O=[Ru]=O WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 2
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 229910001935 vanadium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- DTZWGKCFKSJGPK-VOTSOKGWSA-N (e)-2-(2-methyl-6-(2-(1,1,7,7-tetramethyl-1,2,3,5,6,7-hexahydropyrido[3,2,1-ij]quinolin-9-yl)vinyl)-4h-pyran-4-ylidene)malononitrile Chemical compound O1C(C)=CC(=C(C#N)C#N)C=C1\C=C\C1=CC(C(CCN2CCC3(C)C)(C)C)=C2C3=C1 DTZWGKCFKSJGPK-VOTSOKGWSA-N 0.000 description 1
- BCMCBBGGLRIHSE-UHFFFAOYSA-N 1,3-benzoxazole Chemical class C1=CC=C2OC=NC2=C1 BCMCBBGGLRIHSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KLCLIOISYBHYDZ-UHFFFAOYSA-N 1,4,4-triphenylbuta-1,3-dienylbenzene Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(C=1C=CC=CC=1)=CC=C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 KLCLIOISYBHYDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 2-methylphenol;3-methylphenol;4-methylphenol Chemical compound CC1=CC=C(O)C=C1.CC1=CC=CC(O)=C1.CC1=CC=CC=C1O QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HONWGFNQCPRRFM-UHFFFAOYSA-N 2-n-(3-methylphenyl)-1-n,1-n,2-n-triphenylbenzene-1,2-diamine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C(=CC=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC=CC=2)=C1 HONWGFNQCPRRFM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LNILPZLJSRHNPD-UHFFFAOYSA-N 3,4-dicyclohexylthiophene Chemical compound C1CCCCC1C1=CSC=C1C1CCCCC1 LNILPZLJSRHNPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YEWTUGLUENRXFN-UHFFFAOYSA-N 3-(4-octylphenyl)-2-thiophen-2-ylthiophene Chemical compound C1=CC(CCCCCCCC)=CC=C1C1=C(C=2SC=CC=2)SC=C1 YEWTUGLUENRXFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CHMILGIDWWDNMF-UHFFFAOYSA-N 3-(4-octylphenyl)thiophene Chemical compound C1=CC(CCCCCCCC)=CC=C1C1=CSC=C1 CHMILGIDWWDNMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 3-methyl-n-[4-[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]phenyl]-n-phenylaniline Chemical group CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HXWWMGJBPGRWRS-CMDGGOBGSA-N 4- -2-tert-butyl-6- -4h-pyran Chemical compound O1C(C(C)(C)C)=CC(=C(C#N)C#N)C=C1\C=C\C1=CC(C(CCN2CCC3(C)C)(C)C)=C2C3=C1 HXWWMGJBPGRWRS-CMDGGOBGSA-N 0.000 description 1
- SCZWJXTUYYSKGF-UHFFFAOYSA-N 5,12-dimethylquinolino[2,3-b]acridine-7,14-dione Chemical compound CN1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C1C(=O)C3=CC=CC=C3N(C)C1=C2 SCZWJXTUYYSKGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 5-(5-carboxythiophen-2-yl)thiophene-2-carboxylic acid Chemical compound S1C(C(=O)O)=CC=C1C1=CC=C(C(O)=O)S1 DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VIZUPBYFLORCRA-UHFFFAOYSA-N 9,10-dinaphthalen-2-ylanthracene Chemical compound C12=CC=CC=C2C(C2=CC3=CC=CC=C3C=C2)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=C(C=CC=C2)C2=C1 VIZUPBYFLORCRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FCNCGHJSNVOIKE-UHFFFAOYSA-N 9,10-diphenylanthracene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=CC=CC=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 FCNCGHJSNVOIKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SXGIRTCIFPJUEQ-UHFFFAOYSA-N 9-anthracen-9-ylanthracene Chemical group C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C(C=3C4=CC=CC=C4C=C4C=CC=CC4=3)=C21 SXGIRTCIFPJUEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018575 Al—Ti Inorganic materials 0.000 description 1
- 229930185605 Bisphenol Natural products 0.000 description 1
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MSDMPJCOOXURQD-UHFFFAOYSA-N C545T Chemical compound C1=CC=C2SC(C3=CC=4C=C5C6=C(C=4OC3=O)C(C)(C)CCN6CCC5(C)C)=NC2=C1 MSDMPJCOOXURQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004640 Melamine resin Substances 0.000 description 1
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 description 1
- 229910016978 MnOx Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Chemical compound P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- 238000001237 Raman spectrum Methods 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002808 Si–O–Si Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001069 Ti alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910008484 TiSi Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- GDFCWFBWQUEQIJ-UHFFFAOYSA-N [B].[P] Chemical compound [B].[P] GDFCWFBWQUEQIJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 239000004844 aliphatic epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 229920000109 alkoxy-substituted poly(p-phenylene vinylene) Polymers 0.000 description 1
- CSDREXVUYHZDNP-UHFFFAOYSA-N alumanylidynesilicon Chemical compound [Al].[Si] CSDREXVUYHZDNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 239000004760 aramid Substances 0.000 description 1
- 150000004984 aromatic diamines Chemical class 0.000 description 1
- 229920003235 aromatic polyamide Polymers 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- LDDQLRUQCUTJBB-UHFFFAOYSA-O azanium;hydrofluoride Chemical compound [NH4+].F LDDQLRUQCUTJBB-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- GQVWHWAWLPCBHB-UHFFFAOYSA-L beryllium;benzo[h]quinolin-10-olate Chemical compound [Be+2].C1=CC=NC2=C3C([O-])=CC=CC3=CC=C21.C1=CC=NC2=C3C([O-])=CC=CC3=CC=C21 GQVWHWAWLPCBHB-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 1
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 1
- 125000006267 biphenyl group Chemical group 0.000 description 1
- UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K bis[(2-methylquinolin-8-yl)oxy]-(4-phenylphenoxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC([O-])=CC=C1C1=CC=CC=C1 UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000005380 borophosphosilicate glass Substances 0.000 description 1
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 1
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- SLLGVCUQYRMELA-UHFFFAOYSA-N chlorosilicon Chemical compound Cl[Si] SLLGVCUQYRMELA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 229930003836 cresol Natural products 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOCHARZZJNPSEU-UHFFFAOYSA-N diboron Chemical compound B#B ZOCHARZZJNPSEU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 1
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000003344 environmental pollutant Substances 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 229910000078 germane Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 230000012447 hatching Effects 0.000 description 1
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 229920001519 homopolymer Polymers 0.000 description 1
- 238000004050 hot filament vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N krypton atom Chemical compound [Kr] DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 description 1
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- AFEQENGXSMURHA-UHFFFAOYSA-N oxiran-2-ylmethanamine Chemical compound NCC1CO1 AFEQENGXSMURHA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N palladium Substances [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N phenylbenzene Natural products C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 231100000719 pollutant Toxicity 0.000 description 1
- 229920000052 poly(p-xylylene) Polymers 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 125000002943 quinolinyl group Chemical group N1=C(C=CC2=CC=CC=C12)* 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N rubrene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=CC=C2C(C=2C=CC=CC=2)=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010979 ruby Substances 0.000 description 1
- 229910001750 ruby Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012266 salt solution Substances 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- KCIKCCHXZMLVDE-UHFFFAOYSA-N silanediol Chemical compound O[SiH2]O KCIKCCHXZMLVDE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010944 silver (metal) Substances 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 1
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002803 thermoplastic polyurethane Polymers 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
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- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
【解決手段】 本発明は、画素電極層上にスペーサを形成し、電界発光層形成時のマスクから画素電極層を保護する。また、透水性を有する有機材料を含む層を表示装置の中にシール材で封止し、かつシール材と有機材料を含む層が接しないため、発光素子の水等の汚染物質による劣化を防ぐ事ができる。シール材は表示装置の駆動回路領域の一部に形成されるため表示装置の狭額縁化も達成できる。
【選択図】 図1
Description
本実施の形態における薄膜トランジスタの作製方法を、図1乃至図3を用いて詳細に説明する。
本発明の実施の形態を、図7乃至図9を用いて説明する。本実施の形態は、実施の形態1で作製した表示装置において、第2の層間絶縁層を形成しない例を示す。よって、同一部分又は同様な機能を有する部分の繰り返しの説明は省略する。
本発明の実施の形態を、図10を用いて説明する。本実施の形態は、実施の形態1で作製した表示装置において、薄膜トランジスタのゲート電極層の構造が異なる例を示す。よって、同一部分又は同様な機能を有する部分の繰り返しの説明は省略する。
本発明を適用して発光素子を有する表示装置を形成することができるが、該発光素子から発せられる光は、下方放射、上方放射、両方放射のいずれかを行う。本実施の形態では、両方射出型、上方射出型の例を、図11及び図12を用いて説明する。
走査線側入力端子部と信号線側入力端子部とに保護ダイオードを設けた一態様について図15を参照して説明する。図15において画素2702にはTFT501、TFT502、容量素子504、発光素子503が設けられている。このTFTは実施の形態1と同様な構成を有している。
本発明によって形成される表示装置によって、テレビジョン装置を完成させることができる。表示パネルには、図16(A)で示すような構成として画素部のみが形成されて走査線側駆動回路と信号線側駆動回路とが、図17(B)のようなTAB方式により実装される場合と、図17(A)のようなCOG方式により実装される場合と、図16(B)に示すようにSASでTFTを形成し、画素部と走査線側駆動回路を基板上に一体形成し信号線側駆動回路を別途ドライバICとして実装する場合、また図16(C)のように画素部と信号線側駆動回路と走査線側駆動回路を基板上に一体形成する場合などがあるが、どのような形態としても良い。
本発明を適用して、様々な表示装置を作製することができる。即ち、それら表示装置を表示部に組み込んだ様々な電子機器に本発明を適用できる。
Claims (17)
- 画素領域、接続領域を有し、
前記画素領域に不純物領域を含む半導体層を有し、
前記半導体層上にはゲート絶縁層を有し、
前記ゲート絶縁層上にはゲート電極層を有し、
前記ゲート電極層上には第1の層間絶縁層を有し、
前記ゲート絶縁層及び前記第1の層間絶縁層は前記不純物領域に達する第1の開口を有し、
前記開口にソース電極層又はドレイン電極層を有し、
前記ソース電極層又は前記ドレイン電極層は、前記第1の層間絶縁層を介して前記ゲート電極層の一部を覆っており、
前記ソース電極層又は前記ドレイン電極層及び前記第1の層間絶縁層上に第2の層間絶縁層を有し、
前記第2の層間絶縁層は前記ソース電極層又は前記ドレイン電極層に達する第2の開口を有し、
前記第2の開口は、前記第1の層間絶縁層を介して前記ゲート電極層の一部を覆っている前記ソース電極層又は前記ドレイン電極層に設けられ、
前記第2の開口にスペーサを有する第1の電極層を有し、
前記接続領域に前記第1の層間絶縁層上に設けられた配線層を有し、
前記配線層上に、前記配線層に達する第3の開口が設けられた前記第2の層間絶縁層を有し、
前記第3の開口の上端部は、絶縁層に覆われており、
前記第3の開口に、前記絶縁層に接して第2の電極層を有することを特徴とする表示装置。 - 画素領域、接続領域を有し、
前記画素領域に不純物領域を含む半導体層を有し、
前記半導体層上にはゲート絶縁層を有し、
前記ゲート絶縁層上にはゲート電極層を有し、
前記ゲート電極層上には第1の層間絶縁層を有し、
前記ゲート絶縁層及び前記第1の層間絶縁層は前記不純物領域に達する第1の開口を有し、
前記開口にソース電極層又はドレイン電極層を有し、
前記ソース電極層又は前記ドレイン電極層は、前記第1の層間絶縁層を介して前記ゲート電極層の一部を覆っており、
前記ソース電極層又は前記ドレイン電極層及び前記第1の層間絶縁層上に第2の層間絶縁層を有し、
前記第2の層間絶縁層は前記ソース電極層又は前記ドレイン電極層に達する第2の開口を有し、
前記第2の開口は、前記第1の層間絶縁層を介して前記ゲート電極層の一部を覆っている前記ソース電極層又は前記ドレイン電極層に設けられ、
前記第2の開口にスペーサを有する第1の電極層を有し、
前記接続領域に前記第1の層間絶縁層上に設けられた配線層を有し、
前記配線層上に、前記配線層に達する第3の開口が設けられた前記第2の層間絶縁層を有し、
前記第3の開口の上端部は、絶縁層に覆われており、
前記第3の開口に、前記絶縁層に接して第2の電極層を有し、
前記第1の層間絶縁層上にシール材を有し、
前記シール材は前記絶縁層と接しないことを特徴とする表示装置。 - 請求項1または請求項2において、前記スペーサは柱状であることを特徴とする表示装置。
- 請求項1乃至請求項3のいずれか一項において、前記スペーサと前記絶縁層とは分離していることを特徴とする表示装置。
- 請求項1乃至請求項3のいずれか一項において、前記スペーサと前記絶縁層とはつながっていることを特徴とする表示装置。
- 画素領域、接続領域を有し、
前記画素領域に不純物領域を含む半導体層を有し、
前記半導体層上にはゲート絶縁層を有し、
前記ゲート絶縁層上にはゲート電極層を有し、
前記ゲート電極層上には第1の層間絶縁層を有し、
前記ゲート絶縁層及び前記第1の層間絶縁層は前記不純物領域に達する第1の開口を有し、
前記開口にソース電極層又はドレイン電極層を有し、
前記ソース電極層又は前記ドレイン電極層は、前記第1の層間絶縁層を介して前記ゲート電極層の一部を覆っており、
前記ソース電極層又は前記ドレイン電極層及び前記第1の層間絶縁層上に第2の層間絶縁層を有し、
前記第2の層間絶縁層は前記ソース電極層又は前記ドレイン電極層に達する第2の開口を有し、
前記第2の開口は、前記第1の層間絶縁層を介して前記ゲート電極層の一部を覆っている前記ソース電極層又は前記ドレイン電極層に設けられ、
前記第2の開口に第1の電極層を有し、
前記接続領域に前記第1の層間絶縁層上に設けられた配線層を有し、
前記配線層上に、前記配線層に達する第3の開口が設けられた前記第2の層間絶縁層を有し、
前記第3の開口の上端部は、絶縁層に覆われており、
前記第3の開口に、前記絶縁層に接して第2の電極層を有し、
前記第1の層間絶縁層上にシール材を有し、
前記シール材は前記絶縁層と接しないことを特徴とする表示装置。 - 請求項1乃至6のいずれか一項において、前記第1の層間絶縁層は無機絶縁性材料であり、前記第2の層間絶縁層は有機絶縁性材料であることを特徴とする表示装置。
- 請求項1乃至6のいずれか一項において、前記第2の層間絶縁層は2層の積層構造であることを特徴とする表示装置。
- 請求項8において、前記第2の層間絶縁層は無機絶縁性材料と有機絶縁性材料の2層の積層構造であることを特徴とする表示装置。
- 画素領域に不純物領域を有する半導体層を形成し、
接続領域及び前記半導体層上にゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上にゲート電極層及び導電層を形成し、
前記ゲート電極層上及び前記導電層上に第1の層間絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層及び前記第1の層間絶縁層は前記不純物領域に達する第1の開口を有し、
前記第1の開口、及び前記ゲート電極層の一部を覆ってソース電極層又はドレイン電極層を形成し、
前記第1の層間絶縁層上に前記導電層を覆って配線層を形成し、
前記第1の層間絶縁層、前記配線層、前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層上に第2の層間絶縁層を形成し、
前記第2の層間絶縁層に前記ソース電極層又は前記ドレイン電極層に達する第2の開口、及び前記配線層に達する第3の開口を形成し、
前記第2の開口に第1の電極層を形成し、
前記第2の層間絶縁層の前記第3の開口の上端部及び第1の電極層の一部を覆って絶縁層を形成し、
前記第1の電極層上にスペーサを形成し、
前記第3の開口に、前記絶縁層に接して第2の電極層を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。 - 画素領域に不純物領域を有する半導体層を形成し、
接続領域及び前記半導体層上にゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上にゲート電極層及び導電層を形成し、
前記ゲート電極層上及び前記導電層上に第1の層間絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層及び前記第1の層間絶縁層は前記不純物領域に達する第1の開口を有し、
前記第1の開口、及び前記ゲート電極層の一部を覆ってソース電極層又はドレイン電極層を形成し、
前記第1の層間絶縁層上に前記導電層を覆って配線層を形成し、
前記第1の層間絶縁層、前記配線層、前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層上に第2の層間絶縁層を形成し、
前記第2の層間絶縁層に前記ソース電極層又は前記ドレイン電極層に達する第2の開口、及び前記配線層に達する第3の開口を形成し、
前記第2の開口に第1の電極層を形成し、
前記第2の層間絶縁層の前記第3の開口の上端部及び第1の電極層の一部を覆って絶縁層を形成し、
前記第1の電極層上にスペーサを形成し、
前記第3の開口に、前記絶縁層に接して第2の電極層を形成し、
前記第1の層間絶縁層上に、前記絶縁層に接せずにシール材を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。 - 請求項10または請求項11において、前記スペーサと前記絶縁層とは同材料を用いて同工程で形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
- 画素領域に不純物領域を有する半導体層を形成し、
接続領域及び前記半導体層上にゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上にゲート電極層及び導電層を形成し、
前記ゲート電極層上及び前記導電層上に第1の層間絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層及び前記第1の層間絶縁層は前記不純物領域に達する第1の開口を有し、
前記第1の開口、及び前記ゲート電極層の一部を覆ってソース電極層又はドレイン電極層を形成し、
前記第1の層間絶縁層上に前記導電層を覆って配線層を形成し、
前記第1の層間絶縁層、前記配線層、前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層上に第2の層間絶縁層を形成し、
前記第2の層間絶縁層に前記ソース電極層又は前記ドレイン電極層に達する第2の開口、及び前記配線層に達する第3の開口を形成し、
前記第2の開口に第1の電極層を形成し、
前記第2の層間絶縁層の前記第3の開口の上端部及び第1の電極層の一部を覆って絶縁層を形成し、
前記第3の開口に、前記絶縁層に接して第2の電極層を形成し、
前記第1の層間絶縁層上に、前記絶縁層に接せずにシール材を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。 - 請求項10乃至13いずれか一項において、前記第1の層間絶縁層を形成した後、加熱処理を行うことを特徴とする表示装置の作製方法。
- 請求項10乃至14いずれか一項において、前記第1の層間絶縁層は無機絶縁材料を用いて形成し、前記第2の層間絶縁層は有機絶縁性材料を塗布法を用いて形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
- 請求項10乃至14いずれか一項において、前記第2の層間絶縁層は2層の積層構造であり、酸化窒化膜を形成した後、アルキル基を有する酸化珪素膜を塗布法により形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
- 請求項10乃至14いずれか一項において、前記第1の層間絶縁層は2層の積層構造であり、窒化酸化珪素膜を形成し、連続的に酸化窒化珪素膜を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005267826A JP2006113568A (ja) | 2004-09-17 | 2005-09-15 | 表示装置、及び表示装置の作製方法 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004272628 | 2004-09-17 | ||
JP2005267826A JP2006113568A (ja) | 2004-09-17 | 2005-09-15 | 表示装置、及び表示装置の作製方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011265630A Division JP5244958B2 (ja) | 2004-09-17 | 2011-12-05 | 発光表示装置の作製方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006113568A true JP2006113568A (ja) | 2006-04-27 |
JP2006113568A5 JP2006113568A5 (ja) | 2008-10-16 |
Family
ID=36382081
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005267826A Pending JP2006113568A (ja) | 2004-09-17 | 2005-09-15 | 表示装置、及び表示装置の作製方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2006113568A (ja) |
Cited By (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007335327A (ja) * | 2006-06-16 | 2007-12-27 | Konica Minolta Holdings Inc | 有機エレクトロルミネッセンス素子及び該素子の製造方法 |
JP2008084740A (ja) * | 2006-09-28 | 2008-04-10 | Toppan Printing Co Ltd | 有機el素子およびその製造方法 |
JP2009140689A (ja) * | 2007-12-05 | 2009-06-25 | Seiko Epson Corp | 有機el装置および電子機器 |
WO2012001734A1 (ja) * | 2010-06-29 | 2012-01-05 | パナソニック株式会社 | 有機発光素子、表示パネル、表示装置、および有機発光素子の製造方法 |
US8409672B2 (en) | 2008-04-24 | 2013-04-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing evaporation donor substrate and method of manufacturing light-emitting device |
US8415882B2 (en) | 2010-05-28 | 2013-04-09 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting diode display and method for manufacturing the same |
US8734915B2 (en) | 2008-02-29 | 2014-05-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Film-formation method and manufacturing method of light-emitting device |
JP2014142456A (ja) * | 2013-01-23 | 2014-08-07 | Japan Display Inc | 表示装置 |
US8840972B2 (en) | 2008-03-07 | 2014-09-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Deposition method and method for manufacturing light-emitting device |
US9343518B2 (en) | 2014-06-09 | 2016-05-17 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light-emitting display apparatus including discontinuous insulating layer |
JP2017152231A (ja) * | 2016-02-25 | 2017-08-31 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置、表示装置の製造方法 |
KR20170135682A (ko) * | 2016-05-31 | 2017-12-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 절연막을 포함하는 유기 발광 표시 장치 |
CN110137229A (zh) * | 2013-12-18 | 2019-08-16 | 三星显示有限公司 | 有机发光二极管显示器 |
JP2021517258A (ja) * | 2018-03-30 | 2021-07-15 | 京東方科技集團股▲ふん▼有限公司Boe Technology Group Co.,Ltd. | 基板及びその製造方法、電子装置 |
JP2022070953A (ja) * | 2016-05-11 | 2022-05-13 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0545677A (ja) * | 1991-08-20 | 1993-02-26 | Hitachi Ltd | 配線基板の製造方法並びに配線基板及び液晶表示装置 |
JP2000105391A (ja) * | 1998-07-30 | 2000-04-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示装置、及び、これを用いた受像装置と情報処理装置 |
JP2001250777A (ja) * | 1999-12-28 | 2001-09-14 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
JP2002318546A (ja) * | 2001-02-19 | 2002-10-31 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置およびその作製方法 |
JP2003059671A (ja) * | 2001-08-20 | 2003-02-28 | Sony Corp | 表示素子及びその製造方法 |
JP2003123969A (ja) * | 2001-10-17 | 2003-04-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 蒸着用マスクおよび有機エレクトロルミネッセンスディスプレイの製造方法 |
JP2003243171A (ja) * | 2002-02-18 | 2003-08-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルおよびその製造方法 |
JP2003257650A (ja) * | 2002-03-05 | 2003-09-12 | Sanyo Electric Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法、有機エレクトロルミネッセンス素子およびマスク |
JP2004134788A (ja) * | 2002-09-20 | 2004-04-30 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
-
2005
- 2005-09-15 JP JP2005267826A patent/JP2006113568A/ja active Pending
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0545677A (ja) * | 1991-08-20 | 1993-02-26 | Hitachi Ltd | 配線基板の製造方法並びに配線基板及び液晶表示装置 |
JP2000105391A (ja) * | 1998-07-30 | 2000-04-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示装置、及び、これを用いた受像装置と情報処理装置 |
JP2001250777A (ja) * | 1999-12-28 | 2001-09-14 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
JP2002318546A (ja) * | 2001-02-19 | 2002-10-31 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置およびその作製方法 |
JP2003059671A (ja) * | 2001-08-20 | 2003-02-28 | Sony Corp | 表示素子及びその製造方法 |
JP2003123969A (ja) * | 2001-10-17 | 2003-04-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 蒸着用マスクおよび有機エレクトロルミネッセンスディスプレイの製造方法 |
JP2003243171A (ja) * | 2002-02-18 | 2003-08-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルおよびその製造方法 |
JP2003257650A (ja) * | 2002-03-05 | 2003-09-12 | Sanyo Electric Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法、有機エレクトロルミネッセンス素子およびマスク |
JP2004134788A (ja) * | 2002-09-20 | 2004-04-30 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
Cited By (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007335327A (ja) * | 2006-06-16 | 2007-12-27 | Konica Minolta Holdings Inc | 有機エレクトロルミネッセンス素子及び該素子の製造方法 |
JP2008084740A (ja) * | 2006-09-28 | 2008-04-10 | Toppan Printing Co Ltd | 有機el素子およびその製造方法 |
JP2009140689A (ja) * | 2007-12-05 | 2009-06-25 | Seiko Epson Corp | 有機el装置および電子機器 |
US8734915B2 (en) | 2008-02-29 | 2014-05-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Film-formation method and manufacturing method of light-emitting device |
US8840972B2 (en) | 2008-03-07 | 2014-09-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Deposition method and method for manufacturing light-emitting device |
US8409672B2 (en) | 2008-04-24 | 2013-04-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing evaporation donor substrate and method of manufacturing light-emitting device |
US8415882B2 (en) | 2010-05-28 | 2013-04-09 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting diode display and method for manufacturing the same |
US8795018B2 (en) | 2010-05-28 | 2014-08-05 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting diode display and method for manufacturing the same |
JP5735506B2 (ja) * | 2010-06-29 | 2015-06-17 | 株式会社Joled | 有機発光素子の製造方法 |
JPWO2012001734A1 (ja) * | 2010-06-29 | 2013-08-22 | パナソニック株式会社 | 有機発光素子、表示パネル、表示装置、および有機発光素子の製造方法 |
WO2012001734A1 (ja) * | 2010-06-29 | 2012-01-05 | パナソニック株式会社 | 有機発光素子、表示パネル、表示装置、および有機発光素子の製造方法 |
US8618536B2 (en) | 2010-06-29 | 2013-12-31 | Panasonic Corporation | Organic light-emitting element, display panel, display device, and manufacturing method for organic light-emitting element |
US9871092B2 (en) | 2013-01-23 | 2018-01-16 | Japan Display Inc. | Display device with reduced frame size |
JP2014142456A (ja) * | 2013-01-23 | 2014-08-07 | Japan Display Inc | 表示装置 |
US9634080B2 (en) | 2013-01-23 | 2017-04-25 | Japan Display Inc. | Display device |
CN110137229A (zh) * | 2013-12-18 | 2019-08-16 | 三星显示有限公司 | 有机发光二极管显示器 |
US9343518B2 (en) | 2014-06-09 | 2016-05-17 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light-emitting display apparatus including discontinuous insulating layer |
JP2017152231A (ja) * | 2016-02-25 | 2017-08-31 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置、表示装置の製造方法 |
JP2022070953A (ja) * | 2016-05-11 | 2022-05-13 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
JP7252385B2 (ja) | 2016-05-11 | 2023-04-04 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
KR20170135682A (ko) * | 2016-05-31 | 2017-12-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 절연막을 포함하는 유기 발광 표시 장치 |
KR102497187B1 (ko) | 2016-05-31 | 2023-02-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 절연막을 포함하는 유기 발광 표시 장치 |
JP2021517258A (ja) * | 2018-03-30 | 2021-07-15 | 京東方科技集團股▲ふん▼有限公司Boe Technology Group Co.,Ltd. | 基板及びその製造方法、電子装置 |
US11482592B2 (en) | 2018-03-30 | 2022-10-25 | Chengdu Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Substrate and manufacturing method thereof and electronic device |
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