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Description
を有する表示装置とその作製方法に関する。本発明の一態様は、表示装置を有するモジュ
ール及び電子機器に関する。
しては、半導体装置、表示装置、発光装置、蓄電装置、記憶装置、電子機器、照明装置、
入力装置(例えば、タッチセンサなど)、入出力装置(例えば、タッチパネルなど)、そ
れらの駆動方法、またはそれらの製造方法を一例として挙げることができる。
表示装置が知られている。そのほか、発光ダイオード(LED:Light Emitt
ing Diode)等の発光素子を備える発光装置、電気泳動方式などにより表示を行
う電子ペーパなども、表示装置の一例として挙げることができる。
ものである。この素子に電圧を印加することにより、発光性の有機化合物から発光を得る
ことができる。このような有機EL素子が適用された表示装置は、薄型、軽量、高コント
ラストで且つ低消費電力な表示装置を実現できる。
L素子などの表示素子を形成することによりフレキシブルな表示装置が実現できる。
ス基板)にレーザ光を照射して、耐熱性樹脂層をガラス基板から剥離することで、フレキ
シブルな表示装置を作製する方法が開示されている。
態様は、表示装置の表示品位を向上することを課題の一つとする。本発明の一態様は、曲
面を有する表示装置を提供することを課題の一つとする。本発明の一態様は、可撓性を有
する表示装置を提供することを課題の一つとする。本発明の一態様は、軽量な表示装置を
提供することを課題の一つとする。本発明の一態様は、薄型の表示装置を提供することを
課題の一つとする。本発明の一態様は、信頼性の高い表示装置を提供することを課題の一
つとする。本発明の一態様は、新規な表示装置もしくは電子機器等を提供することを課題
の一つとする。
、必ずしも、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。明細書、図面、請求
項の記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。
び発光素子と、を有する表示装置である。トランジスタ及び発光素子は、それぞれ、第1
の導電層と電気的に絶縁され、かつ、それぞれ、第1の導電層を介して基板と重なる。第
1の導電層には定電位が供給される。
層上のトランジスタ及び発光素子と、を有する表示装置である。トランジスタ及び発光素
子は、それぞれ、第1の導電層と電気的に絶縁され、かつ、それぞれ、第1の導電層を介
して基板と重なる。第1の導電層は、樹脂層を介して基板と重なる。第1の導電層には定
電位が供給される。樹脂層の厚さは0.1μm以上3μm以下であることが好ましい。樹
脂層の5%重量減少温度は400℃未満であることが好ましい。樹脂層は開口を有するこ
とが好ましい。このとき、樹脂層の開口では、第1の導電層の少なくとも一部が露出する
ことが好ましい。さらに、基板も開口を有していてもよい。このとき、基板の開口は、樹
脂層の開口と重なる部分を有していてもよい。基板の開口では、第1の導電層の少なくと
も一部が露出してもよい。
スタ及び発光素子を有していてもよい。
、第1の導電層上の第2の樹脂層と、第2の樹脂層上のトランジスタ及び発光素子と、を
有する表示装置である。トランジスタ及び発光素子は、それぞれ、第1の導電層と電気的
に絶縁され、かつ、それぞれ、第1の導電層を介して基板と重なる。第1の導電層は、第
1の樹脂層を介して基板と重なる。第1の導電層には定電位が供給される。表示装置は、
第1の導電層上に第1の無機絶縁層を有し、第1の無機絶縁層上に第2の樹脂層を有して
いてもよい。表示装置は、該第2の樹脂層上に第2の無機絶縁層を有し、第2の無機絶縁
層上にトランジスタ及び発光素子を有していてもよい。第1の樹脂層の厚さは0.1μm
以上3μm以下であることが好ましい。第1の樹脂層の5%重量減少温度は400℃未満
であることが好ましい。第1の樹脂層は開口を有することが好ましい。このとき、第1の
樹脂層の開口では、第1の導電層の少なくとも一部が露出することが好ましい。さらに、
基板も開口を有していてもよい。このとき、基板の開口は、第1の樹脂層の開口と重なる
部分を有していてもよい。基板の開口では、第1の導電層の少なくとも一部が露出しても
よい。
することが好ましい。
。
ルである。表示装置は、第2の導電層を有する。第2の導電層は、第1の導電層と電気的
に絶縁される。第2の導電層は、第1の接続配線と電気的に接続される。
てもよい。
ってもよい。
プリント基板は、第1の接続配線及び第2の接続配線を有する。第1の導電層は、第2の
接続配線と電気的に接続される。
、カメラ、スピーカ、マイク、または操作ボタンの少なくともいずれか一と、を有する、
電子機器である。
より、表示装置の表示品位を向上することができる。本発明の一態様により、曲面を有す
る表示装置を提供することができる。本発明の一態様により、可撓性を有する表示装置を
提供することができる。本発明の一態様により、軽量な表示装置を提供することができる
。本発明の一態様により、薄型の表示装置を提供することができる。本発明の一態様によ
り、信頼性の高い表示装置を提供することができる。本発明の一態様により、新規な表示
装置もしくは電子機器等を提供することができる。
、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。明細書、図面、請求項の記載から
、これら以外の効果を抽出することが可能である。
れず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し
得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の
記載内容に限定して解釈されるものではない。
同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。また、同様
の機能を指す場合には、ハッチパターンを同じくし、特に符号を付さない場合がある。
の位置、大きさ、範囲などを表していない場合がある。このため、開示する発明は、必ず
しも、図面に開示された位置、大きさ、範囲などに限定されない。
じて、互いに入れ替えることが可能である。例えば、「導電層」という用語を、「導電膜
」という用語に変更することが可能である。または、例えば、「絶縁膜」という用語を、
「絶縁層」という用語に変更することが可能である。
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置について図1~図8を用いて説明する。
クス型の有機EL表示装置ともいう)を例に挙げて説明する。当該表示装置は、基板に可
撓性を有する材料を用いることで、フレキシブルデバイスとすることができる。なお、本
発明の一態様は、有機EL素子を用いた発光装置、表示装置、及び入出力装置(タッチパ
ネルなど)に限られず、他の機能素子を用いた半導体装置、発光装置、表示装置、及び入
出力装置等の各種装置に適用することができる。
び発光素子と、を有する表示装置である。トランジスタ及び発光素子は、それぞれ、第1
の導電層と電気的に絶縁される。トランジスタ及び発光素子は、それぞれ、第1の導電層
を介して基板と重なる。第1の導電層には、定電位が供給される。
PU)、及びそれらを有するプリント基板など)とを配置した場合、表示装置に、電子部
品の動作に起因するノイズ(不要輻射ともいう)が伝達することがある。これにより、表
示装置の動作に不具合が生じることがある。具体的には、表示装置では、輝度の変化など
の表示不良が生じる可能性がある。同様に、電子部品に、表示装置の動作に起因するノイ
ズ(不要輻射)が伝達することがある。これにより、電子部品の動作不良が生じる可能性
がある。
スタ及び発光素子と重ねて配置する。第1の導電層には定電位が供給されるため、ノイズ
による電位変化が抑制される。第1の導電層が外部からのノイズを遮断するため、トラン
ジスタ及び発光素子が有する導電層の電位が変化することを抑制できる。したがって、表
示装置の表示不良を低減することができる。同様に、第1の導電層では、表示装置の動作
による電位変化も抑制される。これにより、表示装置から他の電子部品にノイズが伝達す
ること、さらには、当該電子部品の動作不良が生じることを抑制できる。
位(GND電位)、共通電位、基準電位等が挙げられる。
シールド等を別途設ける必要がなく、電子機器の薄型化、軽量化、及び低コスト化が可能
となる。また、表示装置が第1の導電層を有し、さらに電子機器の筐体内に、別途、シー
ルドを有する構成であっても、第1の導電層を有さない場合に比べて、より確実にノイズ
を遮断することができ、電子機器の信頼性を高めることができる。
どの電子部品を配置することが好ましい。ICでは大電流が流れるため、ICはノイズの
発生源の一つといえる。そのため、表示装置の裏面側に、定電位が供給される第1の導電
層を配置することが好ましい。これにより、トランジスタ及び発光素子は、第1の導電層
を介してICなどの電子部品と重なる構成となり、トランジスタ及び発光素子が、該電子
部品からのノイズを受けにくくなる。
たは印加される静電気(電荷)を拡散して逃がす、または電荷の局部的な存在(局在化)
を防ぐ(局部的な電位差が発生しないようにする)ため、トランジスタ及び発光素子の静
電気破壊を防ぐことができる。
ることが好ましい。
ature Poly-Silicon))を用いる場合、500℃から550℃程度の
温度をかける必要があるため、樹脂層に耐熱性が求められる。また、レーザ結晶化の工程
でのダメージを緩和するため、樹脂層の厚膜化が必要となる。
成することができる。そのため、樹脂層に高い耐熱性は求められない。したがって、樹脂
層の耐熱温度を低くすることができ、材料の選択の幅が広がる。また、酸化物半導体を用
いたトランジスタは、レーザ結晶化の工程が不要であるため、樹脂層の厚さを薄くするこ
とができる。樹脂層に高耐熱性が要求されず、薄膜化できることで、デバイス作製の大幅
なコストダウンが期待できる。また、LTPSを用いる場合に比べて、工程が簡略化でき
好ましい。
形成することで、低コストで表示装置を作製できる。また、表示装置の軽量化及び薄型化
が可能となる。また、表示装置の可撓性を高めることができる。
価できる。本発明の一態様では、樹脂層の5%重量減少温度は、450℃以下、400℃
以下、400℃未満、または350℃未満とすることができる。
とで、所望の形状の樹脂層を容易に形成することができる。例えば、開口を有する樹脂層
、またはそれぞれ厚さの異なる2以上の領域を有する樹脂層を、容易に形成することがで
きる。これにより、樹脂層が、外部接続端子や貫通電極等の作製の妨げになることを防止
できる。
の形態の表示装置に用いることができる材料、及び表示装置の作製方法については、実施
の形態2で説明する。
図1(A)に、表示装置の上面図を示し、図1(B)に、表示装置の下面図を示す。図1
(A)は、表示装置の表示面側の図であり、図1(B)は、表示装置の表示面とは反対の
面(以下、裏面ともいう)側の図である。図1(C)に、表示装置の表示部381、接続
部383、及び接続部384を含む断面図を示す。
示装置の表示面側には、FPC77が貼り付けられている。図1(B)に示すように、表
示装置の裏面側では、基板29に開口が設けられ、樹脂層23及び導電層21が露出して
いる。
導電層21は、接続部383と重ねて設けられ、かつ、接続部383とは電気的に絶縁さ
れている。
置である。
30、絶縁層31、トランジスタ40、導電層43c、絶縁層33、絶縁層34、絶縁層
35、表示素子60、絶縁層74、保護層75を有する。
で説明する。
くとも一部は、基板29と重ならず、露出している。表示装置において、導電層21が露
出している部分は、接続部384として機能し、接続配線19と接続される。例えば、接
続配線19から導電層21に定電位を供給することができる。
脂層23に設けた開口を介して、導電層21と接続配線19とを電気的に接続することが
できる。
配線19を用いて、導電層21と筐体のGNDラインとを電気的に接続させることで、導
電層21にGND電位を供給することができる。
nted circuit、以下、FPCと記す)またはTCP(Tape Carri
er Package)等のコネクタが有する配線を用いることができる。これらの配線
は、異方性導電フィルム(ACF:Anisotropic Conductive F
ilm)または異方性導電ペースト(ACP:Anisotropic Conduct
ive Paste)を用いて、導電層21と電気的に接続させることができる。
酸化物半導体を含む)、金属、合金、導電性ペースト、及び導電性ポリマー等の各種導電
性材料を用いることができる。
接着剤を用いることができる。
ジスタとしてもよいし、スタガ型のトランジスタとしてもよいし、逆スタガ型のトランジ
スタとしてもよい。また、トップゲート構造またはボトムゲート構造のいずれのトランジ
スタ構造としてもよい。または、チャネルの上下にゲート電極が設けられていてもよい。
び導電層43bを有する。導電層41は、ゲートとして機能する。絶縁層32は、ゲート
絶縁層として機能する。導電層41は、絶縁層32を介して酸化物半導体層44と重なる
。導電層43a及び導電層43bは、酸化物半導体層44と接続する。導電層43a及び
導電層43bのうち一方はソースとして機能し、他方はドレインとして機能する。
いるため、レーザ照射を行わず、かつ、低温でトランジスタを作製できる。よって、樹脂
層23に高い耐熱性及び厚膜化が求められない。したがって、樹脂層23を薄膜とするこ
とができる。これにより、低コストで表示装置を作製できる。また、表示装置の軽量化及
び薄型化が可能となる。また、表示装置の可撓性を高めることができる。
以上3μm以下であることがより好ましく、0.5μm以上1μm以下であることがさら
に好ましい。樹脂層23の厚さを上記範囲とすることで、表示装置の可撓性を高めること
ができる。ただし、これに限定されず、樹脂層23の厚さは、10μm以上としてもよい
。例えば、樹脂層23の厚さを10μm以上200μm以下としてもよい。樹脂層23の
厚さを10μm以上とすることで、表示装置の剛性を高めることができるため好適である
。
散しにくい材料を用いることが好ましい。同様に、絶縁層33及び絶縁層34のうち、少
なくとも一層には、水または水素などの不純物が拡散しにくい材料を用いることが好まし
い。外部から不純物がトランジスタに拡散することを効果的に抑制することが可能となり
、表示装置の信頼性を高めることができる。絶縁層34は、平坦化層としての機能を有す
る。
子、液晶素子、電気泳動素子、MEMS(マイクロ・エレクトロ・メカニカル・システム
)を用いた表示素子等を適用してもよい。発光素子としては、自発光が可能な素子を用い
ることができ、電流又は電圧によって輝度が制御される素子をその範疇に含んでいる。例
えば、発光ダイオード(LED)、有機EL素子、無機EL素子等を用いることができる
。
を示す。表示素子60は、導電層61、EL層62、及び導電層63を有する。表示素子
60は、保護層75側に光を射出する。
表示部381の開口率を高めることができる。
する。導電層61及び導電層63の間に、発光素子の閾値電圧より高い電圧を印加すると
、EL層62に陽極側から正孔が注入され、陰極側から電子が注入される。注入された電
子と正孔はEL層62において再結合し、EL層62に含まれる発光物質が発光する。
は、直接接続されるか、他の導電層を介して接続される。図1(C)では、導電層61は
、導電層43bと直接接続されている。導電層61は、画素電極として機能し、発光素子
ごとに設けられている。隣り合う2つの導電層61は、絶縁層35によって電気的に絶縁
されている。
いた有機EL素子を好適に用いることができる。
正孔注入性の高い物質、正孔輸送性の高い物質、正孔ブロック材料、電子輸送性の高い物
質、電子注入性の高い物質、またはバイポーラ性の物質(電子輸送性及び正孔輸送性が高
い物質)等を含む層をさらに有することができる。
合物を含んでいてもよい。
層63には、定電位が供給される。
に位置することがより好ましく、2.5μm以内に位置することがさらに好ましい。
ことがある。表示素子60を中立面から近い位置に配置することで、表示素子60にかか
る応力を低減することができる。そして、表示装置の作製における剥離工程、及び表示装
置を曲げて使用する際等に、膜剥がれが生じることを抑制できる。
または量子ドット方式等を適用してもよい。
とができる。例えば、導電層43cは、導電層43a及び導電層43bと同一の材料及び
同一の工程で形成することができる。導電層43cは、駆動回路部382に外部からの信
号及び電位を伝達する外部入力端子と電気的に接続する。ここでは、外部入力端子として
FPC77を設ける例を示している。接続体76を介してFPC77と導電層43cは電
気的に接続する。
とができる。
能する。表示素子60は、絶縁層74によって封止される。
い絶縁層の間に表示素子60及びトランジスタ40等を配置することで、これらの素子に
水等の不純物が入り込むことを抑制でき、表示装置の信頼性が高くなるため好ましい。
む膜、及び、窒化アルミニウム膜等の窒素とアルミニウムを含む膜等が挙げられる。また
、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜等を用いてもよい。
以下、好ましくは1×10-6[g/(m2・day)]以下、より好ましくは1×10
-7[g/(m2・day)]以下、さらに好ましくは1×10-8[g/(m2・da
y)]以下とする。
、可視光に対する透過性が高いことが好ましい。保護層75には、有機絶縁膜を好適に用
いることができる。保護層75は、当該有機絶縁膜と、表面を傷などから保護するハード
コート層(例えば、窒化シリコン層など)や、押圧を分散可能な材質の層(例えば、アラ
ミド樹脂層など)等とが積層された構成であってもよい。
図2(A)に、表示装置の上面図を示し、図2(B)に、表示装置の下面図を示す。図2
(A)は、表示装置の表示面側の図であり、図2(B)は、表示装置の裏面側の図である
。図2(C)に、表示装置の表示部381、接続部383、及び接続部384を含む断面
図を示す。
いては詳細な説明を省略することがある。
示装置の表示面側には、FPC77が貼り付けられている。図2(B)に示すように、表
示装置の裏面側では、基板29に開口が設けられ、樹脂層23及び導電層21が露出して
いる。
導電層21は、接続部383と重ならない位置に設けられている。
置である。
30、絶縁層31、トランジスタ40、導電層43c、絶縁層33、絶縁層34、絶縁層
35、表示素子60、絶縁層74、接着層75b、及び基板75aを有する。
部384は、それぞれ基板75aと重ならない位置に設けられている。
接続体76と接続されている。これにより、導電層43cとFPC77とが電気的に接続
されている。基板75aと基板29を互いに異なる大きさとすることで、導電層43cと
FPC77とを電気的に接続することが容易となる。具体的には、接着層75b及び基板
75aの一部を除去する工程(例えば開口を設ける工程など)が不要となる。
縁層32の、導電層43c近傍の領域には力がかかりやすく、クラックが発生する恐れが
ある。そのため、接続部383に導電層21を設けない構成とすることが好ましい。これ
により、絶縁層にクラックが発生して、導電層43cと導電層21とが電気的に接続され
、短絡してしまうことを防止できる。
化型接着剤を用いることができる。
図3(A)に示す表示装置は、基板75a、接着層75b、絶縁層34、及び絶縁層33
に設けられた開口を介して、接続体76と導電層43cとが接続されている点で、図2(
C)に示す表示装置と異なる。
ことで、導電層43cを露出させ、FPC77と電気的に接続させることができる。
図3(B)に示す表示装置は、樹脂層23を有していない点で、図1(C)に示す表示装
置と異なる。図3(B)に示す表示装置の作製方法は、実施の形態2の作製方法例3で説
明する。
くとも一部は、基板29と重ならず、露出している。表示装置において、導電層21が露
出している部分は、接続部384として機能し、接続配線19と接続される。例えば、接
続配線19から導電層21に定電位を供給することができる。
図4(A)に示す表示装置は、樹脂層25を有する点で、図1(C)に示す表示装置と異
なる。
程の成膜が容易となり好ましい。
図4(B)に示す表示装置は、樹脂層25を有し、かつ、絶縁層30を有していない点で
、図1(C)に示す表示装置と異なる。
図4(C)に示す表示装置は、樹脂層25及び絶縁層26を有する点で、図1(C)に示
す表示装置と異なる。
上に形成される各機能素子に水等の不純物が入り込むことを抑制でき、表示装置の信頼性
が高くなるため好ましい。
図5(A)に、表示装置の上面図を示す。図5(A)は、表示装置の表示面側の図である
。図5(B)に、表示装置の表示部381、接続部383、及び接続部384を含む断面
図を示す。
表示面側には、FPC77が貼り付けられている。
導電層21は、接続部383と重ならない位置に設けられている。
表示装置である。
30、絶縁層31、トランジスタ80、導電層86c、導電層86d、絶縁層33、絶縁
層34、絶縁層35、表示素子60、接着層99、着色層97、遮光層98、基板22、
接着層13、樹脂層93、及び絶縁層95を有する。
び導電層86bを有する。導電層85は、ゲートとして機能する。絶縁層84は、ゲート
絶縁層として機能する。導電層85は、絶縁層84を介して酸化物半導体層83と重なる
。導電層86a及び導電層86bのうち一方は、酸化物半導体層83のソース領域と電気
的に接続され、他方は酸化物半導体層83のドレイン領域と電気的に接続される。
用いるため、樹脂層23に高い耐熱性及び厚膜化が求められない。したがって、樹脂層2
3を薄膜とすることができる。これにより、低コストで表示装置を作製できる。また、表
示装置の軽量化及び薄型化が可能となる。また、表示装置の可撓性を高めることができる
。樹脂層93についても同様である。
とが好ましく、0.1μm以上3μm以下であることがより好ましく、0.5μm以上1
μm以下であることがさらに好ましい。樹脂層23及び樹脂層93の厚さは、それぞれ、
10μm以上としてもよい。
工程で形成することができる。例えば、導電層86c及び導電層86dは、導電層86a
及び導電層86bと同一の材料及び同一の工程で形成することができる。
電気的に接続する。ここでは、外部入力端子としてFPC77を設ける例を示している。
接続部383において、導電層86cは、接続体76を介して、FPC77が有する第1
の接続配線と電気的に接続される。
7が有する第2の接続配線と電気的に接続される。第2の接続配線から定電位が導電層2
1に供給される。
cと導電層21とに、1つのFPC77を用いて信号または電位を供給することができる
。そのため、部品点数を少なくすることができる。
材料に限定されない。
介して遮光層98と重なる。
たは黄色の波長域の光を透過するカラーフィルタなどを用いることができる。着色層97
に用いることのできる材料としては、金属材料、樹脂材料、または、顔料もしくは染料が
含まれた樹脂材料などが挙げられる。
子からの光を遮り、隣接する発光素子間における混色を抑制する。ここで、着色層97の
端部を、遮光層98と重なるように設けることにより、光漏れを抑制することができる。
遮光層98としては、発光素子の光を遮る材料を用いることができ、例えば、金属材料、
または、顔料もしくは染料を含む樹脂材料等を用いてブラックマトリクスを形成すること
ができる。なお、遮光層98は、駆動回路部382などの表示部381以外の領域に設け
ると、導波光などによる意図しない光漏れを抑制できるため好ましい。
板22は接着層13によって貼り合わされている。
層13、接着層99、及び接着層28には、それぞれ、各種硬化型接着剤を用いることが
できる。
い絶縁層の間に表示素子60及びトランジスタ80等を配置することで、これらの素子に
水等の不純物が入り込むことを抑制でき、表示装置の信頼性が高くなるため好ましい。
図6(A)に、表示装置の上面図を示す。図6(A)は、表示装置の表示面側の図である
。図6(B)に、表示装置の表示部381、接続部383、及び接続部384を含む断面
図を示す。
表示面とは反対の面側には、FPC77が貼り付けられている。
。導電層21aは、接続部383と重ならない位置に設けられている。なお、接続部38
3には導電層21bが設けられている(図6(A)では示していない)。
表示装置である。
とができる。例えば、導電層86cは、導電層86a及び導電層86bと同一の材料及び
同一の工程で形成することができる。
電層21aと導電層21bは、互いに電気的に絶縁されている。
電気的に接続する。ここでは、外部入力端子としてFPC77を設ける例を示している。
接続部383において、導電層86cは、導電層21b及び接続体76を介して、FPC
77が有する第1の接続配線と電気的に接続される。
の接続配線と電気的に接続される。第2の接続配線から定電位が導電層21aに供給され
る。
位を供給することができる。そのため、部品点数を少なくすることができる。
脂層23に設けた開口を介して、導電層86cとFPC77とを電気的に接続することが
できる。同様に、樹脂層23に設けた開口を介して、導電層21aとFPC77とを電気
的に接続することができる。このような構成とすることで、FPC77を、表示面とは反
対側に配置することができる。そのため、表示装置を電子機器に組み込む際に、FPC7
7を折り曲げるためのスペースを省くことができ、より小型化した電子機器を実現できる
。また、基板22側から導電層86c及び導電層21aを露出させる必要が無いため、工
程の簡略化を図ることができる。
図7(A)に、表示装置の上面図を示す。図7(A)は、表示装置の表示面側の図である
。図7(B)に、表示装置の表示部381、接続部383、及び接続部384を含む断面
図を示す。
表示面側と、裏面側との双方に、FPCが貼り付けられている。
。導電層21aは、接続部383と重ならない位置に設けられている。なお、接続部38
3には導電層21bが設けられている(図7(A)では示していない)。
表示装置である。
工程で形成することができる。例えば、導電層86c及び導電層86dは、導電層86a
及び導電層86bと同一の材料及び同一の工程で形成することができる。
電層21aと導電層21bは、互いに電気的に絶縁されている。
伝達する外部入力端子と電気的に接続する。ここでは、外部入力端子としてFPC77b
を設ける例を示している。接続部383において、導電層86cは、導電層21b及び接
続体76bを介して、FPC77bと電気的に接続される。
C77aと電気的に接続される。FPC77aから定電位が導電層21aに供給される。
図8(A)に、表示装置の表示部381、駆動回路部382、及び接続部383を含む断
面図を示す。
表示装置である。
層21b、絶縁層31、トランジスタ40、トランジスタ50、導電層43c、絶縁層3
3、絶縁層34、絶縁層35、表示素子60、着色層97、接着層75b、及び基板75
aを有する。
スタ40の構成に加えて、ゲートとして機能する導電層45を有する例を示す。
は電気的に接続する。
図8(B)に、表示装置の表示部381、接続部383、及び接続部384を含む断面図
を示す。
て、ゲートとして機能する導電層81及びゲート絶縁層として機能する絶縁層82を有す
る例を示す。
、トランジスタ及び表示素子と電気的に絶縁される導電層21(または導電層21a)を
有する。導電層21(または導電層21a)には、定電位が供給される。これにより、表
示装置を電子機器の筐体に実装した際に、他の電子部品の動作に起因するノイズで、表示
装置の表示不良が生じることを抑制できる。したがって、表示装置の表示品位を向上させ
ることができる。
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置の作製方法について説明する。
する。
、その後、フォトリソグラフィ法を用いて開口を形成することで、開口を有する樹脂層を
形成する。次に、作製基板上及び樹脂層上に酸化物導電層を形成する。酸化物導電層の一
部は、樹脂層上に設けられ、酸化物導電層の他の一部は、樹脂層の開口を介して作製基板
上に接して設けられる。次に、酸化物導電層上に絶縁層を形成する。次に、絶縁層上に、
トランジスタ等を形成する。そして、レーザを用いて、樹脂層及び酸化物導電層に光を照
射した後、トランジスタ等と作製基板とを分離する。
とで、所望の形状の樹脂層を容易に形成することができる。例えば、樹脂層に、開口を設
けることが容易である。
有することで、作製基板との分離が困難になることがある。
るように設ける。そして、レーザを用いて、樹脂層と、酸化物導電層と、に光を照射する
。
板と樹脂層との密着性が低下する。
たは、レーザ光の照射により、作製基板と、酸化物導電層の、樹脂層の開口と重なる部分
との密着性が低下する。
でき、樹脂層の開口では、酸化物導電層を露出させることができる。
成する。1つ目の方法と異なり、樹脂層に開口は設けられず、かつ、導電層は作製基板と
接しない。次に、導電層上に絶縁層を形成する。次に、絶縁層上に、トランジスタ等を形
成する。そして、レーザを用いて、樹脂層に光を照射した後、トランジスタ等と作製基板
とを分離する。
着性が低下する。
とができる。作製基板と導電層との界面で分離させる領域を有さないため、導電層が、酸
化物導電層に限定されず、様々な導電性材料を適用することができる。
少なくとも一部を露出させるために、樹脂層の少なくとも一部を除去することが好ましい
。
導体を用いることで、LTPSを用いる場合よりも、プロセスの最高温度を低くすること
ができる。
ば、トランジスタは、350℃以下、さらには300℃以下の温度で作製することが好ま
しい。
のレーザ装置を使用することができるため、これらの装置の有効利用が可能である。線状
レーザは、矩形長尺状に集光(線状レーザビームに成形)して、樹脂層(及び酸化物導電
層)に光を照射する。
的に説明する。ここでは、アクティブマトリクス型の有機EL表示装置を作製する場合を
例に挙げて説明する。当該表示装置は、基板に可撓性を有する材料を用いることで、折り
曲げ可能な(Foldable)有機EL表示装置とすることができる。
化学気相堆積(CVD:Chemical Vapor Deposition)法、真
空蒸着法、パルスレーザー堆積(PLD:Pulsed Laser Depositi
on)法、原子層成膜(ALD:Atomic Layer Deposition)法
等を用いて形成することができる。CVD法としては、プラズマ化学気相堆積(PECV
D:Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposit
ion)法や、熱CVD法でもよい。熱CVD法の例として、有機金属化学気相堆積(M
OCVD:Metal Organic CVD)法を使ってもよい。
スプレー塗布、インクジェット、ディスペンス、スクリーン印刷、オフセット印刷、ドク
ターナイフ、スリットコート、ロールコート、カーテンコート、ナイフコート等の方法に
より形成することができる。
きる。または、遮蔽マスクを用いた成膜方法により、島状の薄膜を形成してもよい。また
は、ナノインプリント法、サンドブラスト法、リフトオフ法などにより薄膜を加工しても
よい。フォトリソグラフィ法としては、加工したい薄膜上にレジストマスクを形成して、
エッチング等により当該薄膜を加工し、レジストマスクを除去する方法と、感光性を有す
る薄膜を成膜した後に、露光、現像を行って、当該薄膜を所望の形状に加工する方法と、
がある。
m)、g線(波長436nm)、h線(波長405nm)、またはこれらを混合させた光
を用いることができる。そのほか、紫外線やKrFレーザ光、またはArFレーザ光等を
用いることもできる。また、液浸露光技術により露光を行ってもよい。また、露光に用い
る光として、極端紫外光(EUV:Extreme Ultra-violet)やX線
を用いてもよい。また、露光に用いる光に換えて、電子ビームを用いることもできる。極
端紫外光、X線または電子ビームを用いると、極めて微細な加工が可能となるため好まし
い。なお、電子ビームなどのビームを走査することにより露光を行う場合には、フォトマ
スクは不要である。
などを用いることができる。
作製方法例1では、図1(C)に示す表示装置を作製する場合を説明する。
(A))。
光性及び熱硬化性を有する材料を用いる例を示す。
り、第1の層24の一部を除去し、所望の形状の樹脂層23を形成することができる。
)を行い、その後フォトマスクを用いて露光を行う。続いて、現像処理を施すことで、不
要な部分を除去することができる。次に、所望の形状に加工された膜を加熱し(ポストベ
ーク処理ともいう)、樹脂層23を形成する(図9(B))。図9(B)では、樹脂層2
3に、作製基板14に達する開口を設ける例を示す。
ことができる。特に、樹脂層23上に形成する各層の作製温度と同じ温度またはそれより
も高い温度で加熱することが好ましい。例えば、トランジスタの作製温度が350℃まで
である場合、樹脂層23となる膜を350℃以上450℃以下で加熱することが好ましく
、350℃以上400℃以下がより好ましく、350℃以上375℃以下がさらに好まし
い。これにより、トランジスタの作製工程における、樹脂層23からの脱ガスを大幅に抑
制することができる。
itive polyimide、PSPIともいう)を用いて形成されることが好まし
い。
る材料としては、例えば、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミドア
ミド樹脂、シロキサン樹脂、ベンゾシクロブテン系樹脂、フェノール樹脂等が挙げられる
。
スピンコート法を用いることで、大判基板に薄い膜を均一に形成することができる。
cP以上100cP未満、より好ましくは10cP以上50cP以下の溶液を用いて形成
することが好ましい。溶液の粘度が低いほど、塗布が容易となる。また、溶液の粘度が低
いほど、気泡の混入を抑制でき、良質な膜を形成できる。
以上3μm以下であることがより好ましく、0.5μm以上1μm以下であることがさら
に好ましい。低粘度の溶液を用いることで、樹脂層23を薄く形成することが容易となる
。樹脂層23を薄く形成することで、低コストで表示装置を作製できる。また、表示装置
の軽量化及び薄型化が可能となる。また、表示装置の可撓性を高めることができる。樹脂
層23の厚さは、10μm以上としてもよい。例えば、樹脂層23の厚さを10μm以上
200μm以下としてもよい。樹脂層23の厚さを10μm以上とすることで、表示装置
の剛性を高めることができるため好適である。
塗布、インクジェット、ディスペンス、スクリーン印刷、オフセット印刷、ドクターナイ
フ、スリットコート、ロールコート、カーテンコート、ナイフコート等が挙げられる。
しく、0.1ppm/℃以上10ppm/℃以下であることがより好ましい。樹脂層23
の熱膨張係数が低いほど、加熱により、トランジスタ等が破損することを抑制できる。
が高いことが好ましい。
て耐熱性を有する。作製基板14に用いることができる材料としては、例えば、ガラス、
石英、セラミック、サファイヤ、樹脂、半導体、金属または合金などが挙げられる。ガラ
スとしては、例えば、無アルカリガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、アルミノホウケイ
酸ガラス等が挙げられる。
体及びトランジスタの導電層に用いることができる酸化物導電体(欠陥準位または不純物
準位が高められた酸化物半導体を含む)等を適用できる。
及び亜鉛を含むことが好ましい。また、それらに加えて、アルミニウム、ガリウム、イッ
トリウムまたはスズなどが含まれていることが好ましい。また、ホウ素、シリコン、チタ
ン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネ
オジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、またはマグネシウムなどから選ばれた一
種、または複数種が含まれていてもよい。導電層21は、例えば少なくともインジウム、
亜鉛及びM(アルミニウム、ガリウム、イットリウム、スズ、ホウ素、シリコン、チタン
、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオ
ジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、またはマグネシウム)を含むIn-M-Z
n系酸化物で表記される膜を含むことが好ましい。特に、In-M-Zn系酸化物層(M
は、Al、Ga、Y、またはSn)を用いることが好ましく、In-Ga-Zn系酸化物
層を用いることがより好ましい。
有する酸化物という意味であり、InとGaとZnの比率は問わない。また、InとGa
とZn以外の金属元素が入っていてもよい。
用いるスパッタリングターゲットの金属元素の原子数比は、In:M:Zn=1:1:1
、In:M:Zn=1:1:1.2、In:M:Zn=1:3:2、In:M:Zn=1
:3:4、In:M:Zn=1:3:6、In:M:Zn=2:1:3、In:M:Zn
=3:1:2、In:M:Zn=4:2:3、In:M:Zn=4:2:4.1、In:
M:Zn=5:1:6、In:M:Zn=5:1:7、In:M:Zn=5:1:8等が
好ましい。特に、Inの割合が高い材料を用いることで、導電層21のエネルギーギャッ
プを狭くでき、後の光照射工程で、導電層21に十分に光を吸収させることができる。こ
れにより、剥離の歩留まりを高めることができる。また、Inの割合が高い材料を用いる
ことで、導電層21の導電性を高めることができる。なお、成膜される導電層21の原子
数比はそれぞれ、上記のスパッタリングターゲットに含まれる金属元素の原子数比のプラ
スマイナス40%の変動を含む。
酸化物、In-W-Zn系酸化物、In-Ti系酸化物、In-Ti-Sn系酸化物、I
n-Zn系酸化物、Zn系酸化物(ZnO)、Ga-Zn系酸化物、またはIn-Sn-
Si系酸化物(ITSO)等の酸化物導電層を用いてもよい。
しい。
酸化物半導体層を用いることができる。
CVD法またはスパッタリング法等により成膜することができる。または、成膜後に、酸
素イオンを注入してもよい。特に酸化物半導体層を用いる場合には、酸素を含む雰囲気下
でスパッタリング法により成膜することが好ましい。導電層21に酸素を含有させるため
、導電層21の成膜後に酸素を含む雰囲気下で加熱処理をしてもよい。
ち少なくとも一方によって、抵抗を制御することができる半導体材料である。そのため、
酸化物半導体層へ酸素欠損及び不純物濃度の少なくとも一方が増加する処理、または酸素
欠損及び不純物濃度の少なくとも一方が低減する処理を選択することによって、酸化物半
導体層または酸化物導電層の有する抵抗率を制御することができる。
えば、希ガス(He、Ne、Ar、Kr、Xe)、水素、ボロン、リン、及び窒素の中か
ら選ばれた一種以上を含むガスを用いて行うプラズマ処理を適用できる。プラズマ処理は
、例えば、Ar雰囲気下、Arと窒素の混合ガス雰囲気下、Arと水素の混合ガス雰囲気
下、アンモニア雰囲気下、Arとアンモニアの混合ガス雰囲気下、または窒素雰囲気下等
で行うことができる。これにより、酸化物半導体層のキャリア密度を高め、抵抗率を低く
することができる。
プランテーション法などを用いて、水素、ボロン、リン、または窒素を酸化物半導体層に
注入して、酸化物半導体層の抵抗率を低くすることができる。
し、当該絶縁層から酸化物半導体層に水素及び窒素のうち少なくとも一方を拡散させる方
法を用いることができる。これにより、酸化物半導体層のキャリア密度を高め、抵抗率を
低くすることができる。
導体層に接して形成することで、効果的に水素を酸化物半導体層に含有させることができ
る。絶縁層としては、窒化シリコン膜を用いることが好ましい。
酸素が脱離した格子(または酸素が脱離した部分)に酸素欠損を形成する。該酸素欠損に
水素が入ることで、キャリアである電子が生成される場合がある。また、水素の一部が金
属原子と結合する酸素と結合することで、キャリアである電子を生成する場合がある。こ
れにより、酸化物半導体層のキャリア密度を高め、抵抗率を低くすることができる。
半導体層から酸素が放出され、酸素欠損が増えることがある。これにより、酸化物半導体
層の抵抗率を低くすることができる。
ることで、酸化物半導体層から酸素が放出され、酸素欠損が増えることがある。これによ
り、酸化物半導体層の抵抗率を低くすることができる。
高く低抵抗な酸化物半導体層、導電性を有する酸化物半導体層、または導電性の高い酸化
物半導体層ということもできる。
以上100nm以下であることがより好ましい。
。
少なくとも一方が放出されて、酸素欠損が生じ、導電層21の抵抗率が低下することがあ
る。
出されにくい温度で加熱することが好ましい。これにより、レーザ光を照射する前に導電
層21が剥離される等の不具合を防止し、歩留まりの低下を抑制できる。
を低減させることができる。例えば、同一の金属組成の金属酸化物ターゲットを用いるこ
とで製造コストを低減させることができる。また、同一の金属組成の金属酸化物ターゲッ
トを用いることによって、酸化物半導体層を加工する際のエッチングガスまたはエッチン
グ液を共通して用いることができる。ただし、導電層21とトランジスタの半導体層は、
同一の金属元素を有していても、組成が異なる場合がある。例えば、表示装置の作製工程
中に、膜中の金属元素が脱離し、異なる金属組成となる場合がある。
のポストベーク処理における加熱温度と同じ温度またはそれより低い温度で形成すること
が好ましい。
ち少なくとも一方を含む絶縁層を形成することが好ましい。絶縁層30から導電層21に
水素及び窒素のうち少なくとも一方を拡散させることで、導電層21のキャリア密度を高
め、抵抗率を低くすることができる。
ましい。
上300℃以下がさらに好ましい。
合がある。一例としては、導電層21の抵抗率が十分に低い場合、絶縁層31と導電層2
1とを接して設けることで導電層21の抵抗率を下げることができる場合、導電層21の
抵抗率を下げるための処理(プラズマ処理等)を行う場合等が挙げられる。
る(図9(E))。
に拡散することを防ぐバリア層として用いることができる。例えば、絶縁層31は、樹脂
層23を加熱した際に、樹脂層23に含まれる水分等がトランジスタ及び表示素子に拡散
することを防ぐことが好ましい。そのため、絶縁層31は、バリア性が高いことが好まし
い。
窒化酸化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、窒化アルミニウム膜などの無機絶縁膜を用い
ることができる。また、酸化ハフニウム膜、酸化イットリウム膜、酸化ジルコニウム膜、
酸化ガリウム膜、酸化タンタル膜、酸化マグネシウム膜、酸化ランタン膜、酸化セリウム
膜、及び酸化ネオジム膜等を用いてもよい。また、上述の絶縁膜を2以上積層して用いて
もよい。
絶縁層31として酸化シリコン膜または酸化窒化シリコン膜を形成することが好ましい。
ことが好ましい。
ましく、100℃以上300℃以下がさらに好ましい。
絶縁層31は、当該凹凸を平坦化する平坦化層としての機能を有していてもよい。例えば
、絶縁層31として、有機絶縁材料と無機絶縁材料を積層して用いることが好ましい。有
機絶縁材料としては、樹脂層23に用いることができる樹脂が挙げられる。
、室温以上350℃以下が好ましく、室温以上300℃以下がさらに好ましい。
ト構造のトランジスタを作製する場合を示す。
よりもバンドギャップが広く、且つキャリア密度の小さい半導体材料を用いると、トラン
ジスタのオフ状態における電流を低減できるため好ましい。
40は、前述のポストベーク処理における加熱温度と同じ温度またはそれより低い温度で
形成することが好ましい。
、導電膜を成膜した後、レジストマスクを形成し、当該導電膜をエッチングした後にレジ
ストマスクを除去することで形成できる。
がさらに好ましい。
、イットリウム、ジルコニウム、モリブデン、銀、タンタル、もしくはタングステン等の
金属、またはこれを主成分とする合金を単層構造または積層構造として用いることができ
る。または、In系酸化物、ITO、In-W系酸化物、In-W-Zn系酸化物、In
-Ti系酸化物、In-Ti-Sn系酸化物、In-Zn系酸化物、ZnO、Ga-Zn
系酸化物、またはITSO等の透光性を有する導電性材料を用いてもよい。また、不純物
元素を含有させる等して低抵抗化させた、多結晶シリコンもしくは酸化物半導体等の半導
体、またはニッケルシリサイド等のシリサイドを用いてもよい。また、グラフェンを含む
膜を用いることもできる。グラフェンを含む膜は、例えば膜状に形成された酸化グラフェ
ンを含む膜を還元して形成することができる。また、不純物元素を含有させた酸化物半導
体等の半導体を用いてもよい。または、銀、カーボン、もしくは銅等の導電性ペースト、
またはポリチオフェン等の導電性ポリマーを用いて形成してもよい。導電性ペーストは、
安価であり、好ましい。導電性ポリマーは、塗布しやすく、好ましい。
のできる無機絶縁膜を援用できる。
半導体膜を成膜した後、レジストマスクを形成し、当該酸化物半導体膜をエッチングした
後にレジストマスクを除去することで形成できる。
がより好ましく、室温以上130℃以下がさらに好ましい。
することができる。なお、酸化物半導体膜の成膜時における酸素の流量比(酸素分圧)に
、特に限定はない。ただし、電界効果移動度が高いトランジスタを得る場合においては、
酸化物半導体膜の成膜時における酸素の流量比(酸素分圧)は、0%以上30%以下が好
ましく、5%以上30%以下がより好ましく、7%以上15%以下がさらに好ましい。
ウム及び亜鉛を含むことが好ましい。また、それらに加えて、アルミニウム、ガリウム、
イットリウムまたはスズなどが含まれていることが好ましい。また、ホウ素、シリコン、
チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム
、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、またはマグネシウムなどから選ばれ
た一種、または複数種が含まれていてもよい。酸化物半導体膜は、例えば少なくともイン
ジウム、亜鉛及びM(アルミニウム、ガリウム、イットリウム、スズ、ホウ素、シリコン
、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウ
ム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、またはマグネシウム)を含むIn
-M-Zn系酸化物で表記される膜を含むことが好ましい。特に、In-M-Zn系酸化
物層(Mは、Al、Ga、Y、またはSn)を用いることが好ましく、In-Ga-Zn
系酸化物層を用いることがより好ましい。
体層と導電層を同一の金属元素とすることで、製造コストを低減させることができる。例
えば、同一の金属組成の金属酸化物ターゲットを用いることで、製造コストを低減させる
ことができる。また半導体層と導電層を加工する際のエッチングガスまたはエッチング液
を共通して用いることができる。ただし、半導体層と導電層は、同一の金属元素を有して
いても、組成が異なる場合がある。例えば、トランジスタ及び容量素子の作製工程中に、
膜中の金属元素が脱離し、異なる金属組成となる場合がある。
あるとより好ましく、3eV以上であるとさらに好ましい。このように、エネルギーギャ
ップの広い酸化物半導体を用いることで、トランジスタのオフ電流を低減することができ
る。
に用いるスパッタリングターゲットの金属元素の原子数比は、In≧M、Zn≧Mを満た
すことが好ましい。このようなスパッタリングターゲットの金属元素の原子数比として、
In:M:Zn=1:1:1、In:M:Zn=1:1:1.2、In:M:Zn=3:
1:2、In:M:Zn=4:2:3、In:M:Zn=4:2:4.1、In:M:Z
n=5:1:6、In:M:Zn=5:1:7、In:M:Zn=5:1:8等が好まし
い。なお、成膜される半導体層の原子数比はそれぞれ、上記のスパッタリングターゲット
に含まれる金属元素の原子数比のプラスマイナス40%の変動を含む。
LD法、PECVD法、熱CVD法、ALD法、真空蒸着法などを用いてもよい。
電層43a、導電層43b、及び導電層43cは、導電膜を成膜した後、レジストマスク
を形成し、当該導電膜をエッチングした後にレジストマスクを除去することにより形成で
きる。導電層43a及び導電層43bは、それぞれ、酸化物半導体層44と接続される。
化物半導体層44の一部がエッチングにより薄膜化する場合がある。
がさらに好ましい。
おいて、導電層41の一部はゲートとして機能し、絶縁層32の一部はゲート絶縁層とし
て機能し、導電層43a及び導電層43bは、それぞれソースまたはドレインのいずれか
一方として機能する。
絶縁層31と同様の方法により形成することができる。
ン膜や酸化窒化シリコン膜等の酸化物絶縁膜を用いることが好ましい。さらに、当該酸化
シリコン膜や酸化窒化シリコン膜上に窒化シリコン膜などの酸素を拡散、透過しにくい絶
縁膜を積層することが好ましい。酸素を含む雰囲気下で、低温で形成した酸化物絶縁膜は
、加熱により多くの酸素を放出しやすい絶縁膜とすることができる。このような酸素を放
出する酸化物絶縁膜と、酸素を拡散、透過しにくい絶縁膜を積層した状態で、加熱処理を
行うことにより、酸化物半導体層44に酸素を供給することができる。その結果、酸化物
半導体層44中の酸素欠損、及び酸化物半導体層44と絶縁層33の界面の欠陥を修復し
、欠陥準位を低減することができる。これにより、極めて信頼性の高いフレキシブルデバ
イスを実現できる。
40、及び絶縁層33を形成することができる(図10(A))。
ことで、表示素子を有さないフレキシブルデバイスを作製することができる。例えば、ト
ランジスタ40や、トランジスタ40に加えて容量素子、抵抗素子、及び配線などを形成
し、後述する方法を用いて作製基板14とトランジスタ40とを分離することで、半導体
回路を有するフレキシブルデバイスを作製することができる。
する表示素子の被形成面を有する層であるため、平坦化層として機能することが好ましい
。絶縁層34は、絶縁層31に用いることのできる有機絶縁膜または無機絶縁膜を援用で
きる。
処理における加熱温度と同じ温度またはそれより低い温度で形成することが好ましい。
、室温以上350℃以下が好ましく、室温以上300℃以下がさらに好ましい。
ましく、100℃以上300℃以下がさらに好ましい。
成する。
0の画素電極として機能する。導電層61は、導電膜を成膜した後、レジストマスクを形
成し、当該導電膜をエッチングした後にレジストマスクを除去することにより形成できる
。
のポストベーク処理における加熱温度と同じ温度またはそれより低い温度で形成すること
が好ましい。
がさらに好ましい。
絶縁層31に用いることのできる有機絶縁膜または無機絶縁膜を援用できる。
のポストベーク処理における加熱温度と同じ温度またはそれより低い温度で形成すること
が好ましい。
、室温以上350℃以下が好ましく、室温以上300℃以下がさらに好ましい。
ましく、100℃以上300℃以下がさらに好ましい。
が表示素子60の共通電極として機能する。
L層62を画素毎に作り分ける場合、メタルマスクなどの遮蔽マスクを用いた蒸着法、ま
たはインクジェット法等により形成することができる。EL層62を画素毎に作り分けな
い場合には、メタルマスクを用いない蒸着法を用いることができる。
化合物を含んでいてもよい。
また、EL層62及び導電層63は、それぞれ、前述のポストベーク処理における加熱温
度と同じ温度またはそれより低い温度で形成することが好ましい。導電層63は、EL層
62の耐熱温度以下の温度で形成する。
以下で形成することが好ましく、室温以上300℃以下で形成することがさらに好ましい
。
0は、一部が画素電極として機能する導電層61、EL層62、及び一部が共通電極とし
て機能する導電層63が積層された構成を有する。
が、本発明の一態様はこれに限られない。
いずれであってもよい。光を取り出す側の電極には、可視光を透過する導電膜を用いる。
また、光を取り出さない側の電極には、可視光を反射する導電膜を用いることが好ましい
。
素子60に水などの不純物が拡散することを抑制する保護層として機能する。表示素子6
0は、絶縁層74によって封止される。
で形成する。また、絶縁層74は、前述のポストベーク処理における加熱温度と同じ温度
またはそれより低い温度で形成することが好ましい。
縁膜が含まれる構成とすることが好ましい。また、無機絶縁膜と有機絶縁膜を積層して用
いてもよい。
の最表面に位置する層として用いることができる。保護層75は、可視光に対する透過性
が高いことが好ましい。
示装置の表面に傷がつくことや、クラックが生じてしまうことを抑制できるため好ましい
。
せた例を示す。
を削減するために、導電層43cと重なる位置を避けて、保護層75、基板75a、及び
接着層75b等を配置することが好ましい。図11(B)では、基板75aが、導電層4
3cと重なる部分に開口を有する例を示す。図11(C)では、基板75a及び接着層7
5bが、導電層43cと重ならない例を示す。
剤、嫌気型接着剤等の各種硬化型接着剤を用いることができる。また、接着シート等を用
いてもよい。
レート(PEN)等のポリエステル樹脂、ポリアクリロニトリル樹脂、アクリル樹脂、ポ
リイミド樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリカーボネート(PC)樹脂、ポリエ
ーテルスルホン(PES)樹脂、ポリアミド樹脂(ナイロン、アラミド等)、ポリシロキ
サン樹脂、シクロオレフィン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリウレ
タン樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリ塩化ビニリデン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリテ
トラフルオロエチレン(PTFE)樹脂、ABS樹脂、セルロースナノファイバー等を用
いることができる。基板75aには、可撓性を有する程度の厚さのガラス、石英、樹脂、
金属、合金、半導体等の各種材料を用いてもよい。
2(A))。レーザ光65は、例えば、図12(A)においては、左側から右側に走査さ
れる線状レーザビームで、その長軸は、その走査方向及びその入射方向(下から上)に垂
直である。
吸収する。
より、樹脂層23と作製基板14の密着性が低下する。
より、導電層21と作製基板14との密着性が低下する。
れることがある。このとき放出される酸素は、例えば、ガス状となって放出される。放出
されたガスは導電層21と作製基板14の界面近傍に留まり、これらを引き剥がす力が生
じる。その結果、導電層21と作製基板14の密着性が低下し、容易に剥離可能な状態と
することができる。
ため、導電層21が脆弱化し、導電層21の内部で分離しやすい状態となる場合がある。
び導電層21に吸収される波長の光を選択して用いる。レーザ光65は、可視光線から紫
外線の波長領域の光であることが好ましい。例えば波長が200nm以上400nm以下
の光、好ましくは波長が250nm以上350nm以下の光を用いることができる。特に
、波長308nmのエキシマレーザを用いると、生産性に優れるため好ましい。エキシマ
レーザは、LTPSにおけるレーザ結晶化にも用いるため、既存のLTPS製造ラインの
装置を流用することができ、新たな設備投資を必要としないため好ましい。また、Nd:
YAGレーザの第三高調波である波長355nmのUVレーザなどの固体UVレーザ(半
導体UVレーザともいう)を用いてもよい。固体レーザはガスを用いないため、エキシマ
レーザに比べて、ランニングコストを約1/3にでき、好ましい。また、ピコ秒レーザ等
のパルスレーザーを用いてもよい。
に移動させることでレーザ光65を走査し、剥離したい領域に亘ってレーザ光65を照射
する。
ちの少なくとも一方が放出されて、酸素欠損が生じ、導電層21の抵抗率が低下すること
がある。
2))。
びに、光照射の条件等によって、様々な位置となり得る。
との界面で分離が生じる例を示す。分離により、樹脂層23及び導電層21が露出する。
14上には樹脂層の一部(樹脂層23g)及び導電層の一部(導電層21g)が残存する
。絶縁層30側に残存する樹脂層23及び導電層21は図12(A)に比べて薄膜化され
ている。
板14を剥離することができる。具体的には、保護層75の上面の一部を吸着し、上方に
引っ張ることにより、作製基板14を引き剥がすことができる。
の起点を形成することが好ましい。
気が生じることがある。樹脂層23は絶縁性が高いため、導電層21が無い場合、例えば
、樹脂層23におけるトランジスタ40の直下の部分に局所的に多くの電荷が蓄積すると
、その部分とトランジスタ40の間の絶縁性が破壊され、トランジスタ40がダメージを
受けることがある。この現象は、特に、樹脂層23が薄い場合に顕著となる。一方、本発
明の一態様では、トランジスタ40と樹脂層23の間に導電層21が存在するため、樹脂
層23に蓄積された電荷は導電層21を介して拡散し、直接、トランジスタ40にダメー
ジを与えることはない。このように、導電層21は、何らかの理由によって、樹脂層23
に電荷が局所的に蓄積すること、及び、蓄積された電荷がトランジスタ等の回路にダメー
ジを与えることを、防止する効果を奏する。なお、この工程に際して、分離面に水等の導
電性を有する液体を与えることも電荷の蓄積を防止する上で効果がある。
きる。図12(B1)に示す界面で分離が生じた場合に作製できる表示装置を、図1(C
)に示す。
基板29を貼り合わせてもよい。なお、基板29及び接着層28は、導電層21が露出し
ている部分と重ならないように配置する。基板29は、フレキシブルデバイスの支持基板
として機能することができる。
することで、導電層43cを露出させることができる。そして、接続体76を介して、導
電層43cとFPC77を電気的に接続する。これにより、導電層43cとFPC77と
を電気的に接続することができる。
適用された表示装置を作製することができる(図1(C))。
作製方法例2では、図1(C)に示す表示装置を作製する場合を説明する。作製方法例2
では、作製方法例1と異なり、作製基板14に導電層21が接しない場合を説明する。な
お、作製方法例1と同様の部分については説明を省略することがある。
1に酸化物導電体及び酸化物半導体以外の材料を適用することができる。つまり、導電層
21は、様々な導電性材料を用いて形成することができる。
(A))、第1の層24を用いて、凹部を有する樹脂層23を形成する(図13(B))
。
光を行う。続いて、現像処理を施すことで、不要な部分を除去することができる。次に、
所望の形状に加工された膜を加熱し(ポストベーク処理ともいう)、樹脂層23を形成す
る。露光の際に、樹脂層23に開口を設ける条件よりも露光量を減らすことで、凹部を有
する樹脂層23を形成することができる。例えば、樹脂層23に開口を形成する露光条件
よりも、露光時間を短くする、光の強度を弱める、光の焦点をずらすなどの方法が挙げら
れる。
トーンマスクを用いた露光技術、または2以上のフォトマスクを用いた多重露光技術を用
いることが好ましい。
成する(図13(C))。
、各種導電性材料を適用できる。例えば、トランジスタの電極及び配線等に用いることが
できる導電性材料を適用できる。具体的には、アルミニウム、チタン、クロム、ニッケル
、銅、イットリウム、ジルコニウム、モリブデン、銀、タンタル、もしくはタングステン
等の金属、またはこれを主成分とする合金を単層構造または積層構造として用いることが
できる。また、不純物元素を含有させる等して低抵抗化させた、多結晶シリコンもしくは
酸化物半導体等の半導体、またはニッケルシリサイド等のシリサイドを用いてもよい。ま
た、グラフェンを含む膜を用いることもできる。または、銀、カーボン、もしくは銅等の
導電性ペースト、またはポリチオフェン等の導電性ポリマーを用いて形成してもよい。
より、樹脂層23と作製基板14の密着性が低下する。
たは図14(C))。
より、樹脂層23が露出する。作製基板14側には、樹脂層23が残存しない。
一部(樹脂層23a)が残存する。導電層21側に残存する樹脂層23は図13(D)に
比べて薄膜化されている。
が生じる例を示す。作製基板14上には樹脂層の一部(樹脂層23a)が残存する。絶縁
層31側に残存する樹脂層23は図13(D)に比べて薄膜化されている。
場合は、残存する樹脂層23の少なくとも一部を除去することで、導電層21を露出させ
る。樹脂層23は、例えば、酸素を含む雰囲気下でのプラズマ処理(アッシング処理)に
より除去することができる。
合わせてもよい。また、保護層75の導電層43cと重なる部分を、レーザ光の照射また
は切削加工等により除去することで、導電層43cを露出させる。そして、接続体76を
介して、導電層43cとFPC77を電気的に接続する。
作製方法例3では、図3(B)に示す表示装置を作製する場合を説明する。作製方法例3
では、作製方法例2と同様に、作製基板14に導電層21が接しない場合を説明する。作
製方法例3では、作製方法例1、2と異なり、樹脂層23に開口及び凹部を設けない場合
を説明する。なお、作製方法例1、2と同様の部分については説明を省略することがある
。
1に酸化物導電体及び酸化物半導体以外の材料を適用することができる。つまり、導電層
21は、様々な導電性材料を用いて形成することができる。
(A))、第1の層24を硬化させることで、樹脂層23を形成する(図15(B))。
成する(図15(C))。
作製方法例2で例示した導電性材料を適用できる。
より、樹脂層23と作製基板14の密着性が低下する。
より、樹脂層23が露出する。作製基板14側には、樹脂層23が残存しない。
23は、例えば、エッチング等により除去することができる。
(C))。なお、導電層21の少なくとも一部を露出させておくことで、後に、導電層2
1と接続配線19とを接続させることができる。これにより、接続配線19から導電層2
1に定電位を供給することができる。
射または切削加工等により除去することで、導電層43cを露出させる。そして、接続体
76を介して、導電層43cとFPC77を電気的に接続する(図3(B))。
作製方法例4では、図6(B)に示す表示装置を作製する場合を説明する。なお、作製方
法例1~3と同様の部分については、説明を省略することがある。
7(A))。そして、作製方法例1と同様に、フォトリソグラフィ法を用いて、作製基板
14に達する開口を有する樹脂層23を形成する(図17(B))。
図17(C))。導電層21aと導電層21bとは互いに電気的に絶縁される。
できる材料を用いて形成することができる。
導電膜をエッチングした後にレジストマスクを除去することで形成できる。
図17(C))。
る(図17(D)、図17(E)、図18(A))。
スタを作製する場合を示す。
ベーク処理における加熱温度と同じ温度またはそれより低い温度で形成することが好まし
い。
化物半導体層83は、酸化物半導体膜を成膜した後、レジストマスクを形成し、当該酸化
物半導体膜をエッチングした後にレジストマスクを除去することで形成できる。酸化物半
導体層83は、酸化物半導体層44に用いることのできる材料を援用できる。
31に用いることのできる無機絶縁膜を援用できる。絶縁層84及び導電層85は、絶縁
層84となる絶縁膜と、導電層85となる導電膜とを成膜した後、レジストマスクを形成
し、当該絶縁膜及び当該導電膜をエッチングした後にレジストマスクを除去することによ
り形成できる。
絶縁層33は、絶縁層31と同様の方法により形成することができる。
17(E))。ここでは、絶縁層30、絶縁層31、及び絶縁層33に、一括で開口を形
成する例を示す。絶縁層30、絶縁層31、及び絶縁層33には、それぞれ別の工程で開
口を形成してもよい。また、2以上の絶縁層に同時に開口を形成してもよい。例えば、酸
化物半導体層83を形成する前に、絶縁層30及び絶縁層31に開口を形成してもよい。
例えば、絶縁層33に、酸化物半導体層83に達する開口を形成する工程で、導電層21
bに達する開口を形成してもよい。
導電層86a、導電層86b、及び導電層86cは、導電膜を成膜した後、レジストマス
クを形成し、当該導電膜をエッチングした後にレジストマスクを除去することにより形成
できる。導電層86a及び導電層86bは、それぞれ、絶縁層33の開口を介して酸化物
半導体層83と電気的に接続される。導電層86cは、絶縁層30、絶縁層31、及び絶
縁層33にそれぞれ設けられた開口を介して導電層21bと接続される。
において、絶縁層84の一部はゲート絶縁層として機能し、導電層85の一部はゲートと
して機能する。酸化物半導体層83はチャネル領域と低抵抗領域とを有する。チャネル領
域は絶縁層84を介して導電層85と重なる。低抵抗領域は導電層86aと接続される部
分と、導電層86bと接続される部分と、を有する。
れらの工程は作製方法例1を参照できる。
(C))。
基板91上に樹脂層93を形成することで、樹脂層93の搬送を容易にすることができる
。
及び形成方法については、樹脂層23の記載を援用できる。
以上3μm以下であることがより好ましく、0.5μm以上1μm以下であることがさら
に好ましい。低粘度の溶液を用いることで、樹脂層93を薄く形成することが容易となる
。樹脂層93の厚さは、10μm以上としてもよい。
が高いことが好ましい。
光層98を形成する(図18(C))。
の表示領域と重なるように配置する。
35と重なるように配置する。
93等が形成されている面とを、接着層99を用いて貼り合わせる(図19(A))。
製基板14と作製基板91はどちらを先に分離してもよい。ここでは、作製基板14より
も先に作製基板91を分離する例を示す。
より、樹脂層93と作製基板91の密着性が低下する。
製基板91と樹脂層93の界面で分離が生じる例を示す。
一部が残存し、絶縁層95側に残存する樹脂層93は図19(B)に比べて薄膜化される
。
り合わせる(図20(B))。
示装置の外部に取り出される。そのため、樹脂層93の可視光の透過率は高いことが好ま
しい。本発明の一態様を適用することで、樹脂層93の厚さを薄くすることができる。そ
のため、樹脂層93の可視光の透過率を高めることができる。
よい。
5を照射する(図21(A))。
より、樹脂層23と作製基板14の密着性が低下する。
ーザ光65の照射により、導電層21aと作製基板14との密着性、及び、導電層21b
と作製基板14との密着性が低下する。
との界面、及び作製基板14と樹脂層23との界面で分離が生じる例を示す。分離により
、樹脂層23、導電層21a、及び導電層21bが露出する。
合わせてもよい(図6(B))。また、接続体76を介して、導電層21a及び導電層2
1bと、FPC77が有する接続配線と、を電気的に接続する。導電層21aと導電層2
1bとは、それぞれ異なる接続配線と電気的に接続される。そのため、導電層21aと導
電層21bは電気的に絶縁される。
。本発明の一態様では、フレキシブルデバイスを構成する機能素子等は、全て作製基板上
で形成するため、精細度の高い表示装置を作製する場合においても、可撓性を有する基板
には、高い位置合わせ精度が要求されない。よって、簡便に可撓性を有する基板を貼り付
けることができる。
本実施の形態では、本発明の一態様を用いて作製することができる表示モジュール及び電
子機器について、図22及び図23を用いて説明する。
間に、FPC8003に接続されたタッチパネル8004、FPC8005に接続された
表示パネル8006、フレーム8009、プリント基板8010、及びバッテリ8011
を有する。
示パネル8006が有する導電層(実施の形態1に示した導電層21及び導電層21aに
相当)に定電位を供給する機能を有する。接続配線8016は、表示モジュール8000
のGNDラインに接続されることが好ましい。接続配線8016は、フレーム8009に
接続されていてもよい。
006のサイズに合わせて、形状や寸法を適宜変更することができる。
ネル8006に重畳して用いることができる。また、タッチパネル8004を設けず、表
示パネル8006に、タッチパネル機能を持たせるようにすることも可能である。
リント基板8010の動作により発生する電磁波を遮断するための電磁シールドとしての
機能を有していてもよい。フレーム8009は、放熱板としての機能を有していてもよい
。
処理回路を有する。電源回路に電力を供給する電源としては、外部の商用電源であっても
よいし、別途設けたバッテリ8011による電源であってもよい。バッテリ8011は、
商用電源を用いる場合には、省略可能である。
していてもよい。
の一態様により、可撓性を有し、信頼性の高い電子機器を作製できる。
ソナルコンピュータ、コンピュータ用などのモニタ、デジタルカメラ、デジタルビデオカ
メラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生
装置、パチンコ機などの大型ゲーム機などが挙げられる。
内装もしくは外装の曲面に沿って組み込むことができる。
二次電池を充電することができると好ましい。
ンポリマー電池)等のリチウムイオン二次電池、ニッケル水素電池、ニカド電池、有機ラ
ジカル電池、鉛蓄電池、空気二次電池、ニッケル亜鉛電池、銀亜鉛電池などが挙げられる
。
ことで、表示部で映像や情報等の表示を行うことができる。また、電子機器がアンテナ及
び二次電池を有する場合、アンテナを非接触電力伝送に用いてもよい。
、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、
放射線、流量、湿度、傾度、振動、においまたは赤外線を測定する機能を含むもの)を有
していてもよい。
静止画、動画、テキスト画像など)を表示部に表示する機能、タッチパネル機能、カレン
ダー、日付または時刻などを表示する機能、様々なソフトウェア(プログラム)を実行す
る機能、無線通信機能、記録媒体に記録されているプログラムまたはデータを読み出す機
能等を有することができる。
表示し、別の一つの表示部を主として文字情報を表示する機能、または複数の表示部に視
差を考慮した画像を表示することで立体的な画像を表示する機能等を有することができる
。さらに、受像部を有する電子機器においては、静止画または動画を撮影する機能、撮影
した画像を自動または手動で補正する機能、撮影した画像を記録媒体(外部または電子機
器に内蔵)に保存する機能、撮影した画像を表示部に表示する機能等を有することができ
る。なお、本発明の一態様の電子機器が有する機能はこれらに限定されず、様々な機能を
有することができる。
部7000はその表示面が湾曲して設けられ、湾曲した表示面に沿って表示を行うことが
できる。なお、表示部7000は可撓性を有していてもよい。
り、湾曲した表示部を備え、且つ信頼性の高い電子機器を提供できる。
体7101、表示部7000、操作ボタン7103、外部接続ポート7104、スピーカ
7105、マイク7106、カメラ7107等を有する。
文字を入力するなどのあらゆる操作は、指やスタイラスなどで表示部7000に触れるこ
とで行うことができる。
表示される画像の種類を切り替えることができる。例えば、メール作成画面から、メイン
メニュー画面に切り替えることができる。
で、携帯電話機の向き(縦か横か)を判断して、表示部7000の画面表示の向きを自動
的に切り替えるようにすることができる。また、画面表示の向きの切り替えは、表示部7
000を触れること、操作ボタン7103の操作、またはマイク7106を用いた音声入
力等により行うこともできる。
、筐体7201及び表示部7000を有する。さらに、操作ボタン、外部接続ポート、ス
ピーカ、マイク、アンテナ、カメラ、またはバッテリ等を有していてもよい。表示部70
00にはタッチセンサを備える。携帯情報端末の操作は、指やスタイラスなどで表示部7
000に触れることで行うことができる。
ら選ばれた一つまたは複数の機能を有する。具体的には、スマートフォンとして用いるこ
とができる。本実施の形態で例示する携帯情報端末は、例えば、移動電話、電子メール、
文章閲覧及び作成、音楽再生、インターネット通信、コンピュータゲームなどの種々のア
プリケーションを実行することができる。
例えば、3つの操作ボタン7202を一の面に表示し、矩形で示す情報7203を他の面
に表示することができる。図23(B)では、携帯情報端末7210の上面に操作ボタン
7202が表示され、携帯情報端末7210の側面に情報7203が表示される例を示す
。なお、例えば携帯情報端末7210の側面に操作ボタン7202を表示し、例えば携帯
情報端末7210の上面に情報7203を表示してもよい。また、携帯情報端末7210
の3面以上に情報を表示してもよい。
、電子メールや電話などの着信を知らせる表示、電子メールなどの題名もしくは送信者名
、日時、時刻、バッテリの残量、アンテナ受信の強度などがある。または、情報7203
が表示されている位置に、情報の代わりに、操作ボタン、アイコンなどを表示してもよい
。
01に表示部7000が組み込まれている。ここでは、スタンド7303により筐体73
01を支持した構成を示している。
ッチや、別体のリモコン操作機7311により行うことができる。または、表示部700
0にタッチセンサを備えていてもよく、指等で表示部7000に触れることで操作しても
よい。リモコン操作機7311は、当該リモコン操作機7311から出力する情報を表示
する表示部を有していてもよい。リモコン操作機7311が備える操作キーまたはタッチ
パネルにより、チャンネル及び音量の操作を行うことができ、表示部7000に表示され
る映像を操作することができる。
により一般のテレビ放送の受信を行うことができる。また、モデムを介して有線または無
線による通信ネットワークに接続することにより、一方向(送信者から受信者)または双
方向(送信者と受信者間、あるいは受信者間同士など)の情報通信を行うことも可能であ
る。
帯情報端末の一例を示す。
0.01mm以上150mm以下で曲げることができる表示装置等を適用できる。また、
表示部7001はタッチセンサを備えていてもよく、指等で表示部7001に触れること
で携帯情報端末を操作することができる。本発明の一態様により、可撓性を有する表示部
を備え、且つ信頼性の高い電子機器を提供できる。
7801、表示部7001、入出力端子7802、操作ボタン7803等を有する。バン
ド7801は、筐体としての機能を有する。また、携帯情報端末7800は、可撓性を有
するバッテリ7805を搭載することができる。バッテリ7805は例えば表示部700
1またはバンド7801等と重ねて配置してもよい。
携帯情報端末7800を所望の形状に湾曲させることが容易である。
動作、マナーモードの実行及び解除、省電力モードの実行及び解除など、様々な機能を持
たせることができる。例えば、携帯情報端末7800に組み込まれたオペレーティングシ
ステムにより、操作ボタン7803の機能を自由に設定することもできる。
ションを起動することができる。
能である。例えば無線通信可能なヘッドセットと相互通信することによって、ハンズフリ
ーで通話することもできる。
02を有する場合、他の情報端末とコネクタを介して直接データのやりとりを行うことが
できる。また入出力端子7802を介して充電を行うこともできる。なお、本実施の形態
で例示する携帯情報端末の充電動作は、入出力端子を介さずに非接触電力伝送により行っ
てもよい。
は、表示部7001が内側になるように折りたたんだ状態、図23(F)では、表示部7
001が外側になるように折りたたんだ状態の携帯情報端末7650を示す。携帯情報端
末7650は表示部7001及び非表示部7651を有する。携帯情報端末7650を使
用しない際に、表示部7001が内側になるように折りたたむことで、表示部7001の
汚れ及び傷つきを抑制できる。なお、図23(E)、(F)では携帯情報端末7650を
2つ折りにした構成を示しているが、携帯情報端末7650は3つ折りにしてもよいし、
4つ折り以上にしてもよい。また、携帯情報端末7650は、操作ボタン、外部接続ポー
ト、スピーカ、マイク、アンテナ、カメラ、またはバッテリ等を有していてもよい。
14 作製基板
19 接続配線
21 導電層
21a 導電層
21b 導電層
21g 導電層
22 基板
23 樹脂層
23a 樹脂層
23g 樹脂層
24 第1の層
25 樹脂層
26 絶縁層
28 接着層
29 基板
30 絶縁層
31 絶縁層
32 絶縁層
33 絶縁層
34 絶縁層
35 絶縁層
40 トランジスタ
41 導電層
43a 導電層
43b 導電層
43c 導電層
44 酸化物半導体層
45 導電層
50 トランジスタ
60 表示素子
61 導電層
62 EL層
63 導電層
65 レーザ光
74 絶縁層
75 保護層
75a 基板
75b 接着層
76 接続体
76a 接続体
76b 接続体
77 FPC
77a FPC
77b FPC
80 トランジスタ
81 導電層
82 絶縁層
83 酸化物半導体層
84 絶縁層
85 導電層
86a 導電層
86b 導電層
86c 導電層
86d 導電層
91 作製基板
93 樹脂層
95 絶縁層
97 着色層
98 遮光層
99 接着層
381 表示部
382 駆動回路部
383 接続部
384 接続部
7000 表示部
7001 表示部
7101 筐体
7103 操作ボタン
7104 外部接続ポート
7105 スピーカ
7106 マイク
7107 カメラ
7110 携帯電話機
7201 筐体
7202 操作ボタン
7203 情報
7210 携帯情報端末
7300 テレビジョン装置
7301 筐体
7303 スタンド
7311 リモコン操作機
7650 携帯情報端末
7651 非表示部
7800 携帯情報端末
7801 バンド
7802 入出力端子
7803 操作ボタン
7804 アイコン
7805 バッテリ
8000 表示モジュール
8001 上部カバー
8002 下部カバー
8003 FPC
8004 タッチパネル
8005 FPC
8006 表示パネル
8009 フレーム
8010 プリント基板
8011 バッテリ
8016 接続配線
Claims (1)
- 第1の樹脂フィルムと、第2の樹脂フィルムと、樹脂層と、第1の導電層と、第1の絶縁層と、ゲート電極、ソース電極、ドレイン電極および半導体層を含むトランジスタと、第2の絶縁層と、画素電極を含む発光素子と、第2の導電層と、第1の接続体と、第1のFPCと、第3の導電層と、第2の接続体と、第2のFPCと、を有し、
前記第2の樹脂フィルムは、前記第1の樹脂フィルムに対向するように設けられ、
前記樹脂層は、前記第1の樹脂フィルム上に設けられ、
前記第1の導電層は、前記樹脂層上に設けられ、
前記第1の絶縁層は、前記第1の導電層上に設けられ、
前記トランジスタは、前記第1の絶縁層上に設けられ、
前記第2の絶縁層は、前記ゲート電極上に設けられ、
前記ソース電極、前記ドレイン電極および前記第2の導電層は、前記第2の絶縁層上に接して設けられ、
前記ソース電極、前記ドレイン電極および前記第2の導電層は、同一の材料を有し、
前記ソース電極および前記ドレイン電極は、前記第2の絶縁層に設けられた開口において前記半導体層と電気的に接続し、
前記第2の導電層は、前記第2の絶縁層および前記第1の絶縁層に設けられた開口において前記第1の導電層に接して設けられ、
前記画素電極は、前記ソース電極または前記ドレイン電極に接して設けられ、
前記第2の樹脂フィルムは、前記発光素子上に設けられ、
前記第1のFPCは、前記第2の樹脂フィルム上に設けられ、
前記第1のFPCは、前記第2の樹脂フィルムに設けられた開口において、前記第1の接続体を介して、前記第2の導電層と電気的に接続し、
前記トランジスタおよび前記発光素子は、それぞれ、前記第1の導電層と電気的に絶縁され、
前記トランジスタおよび前記発光素子は、それぞれ、前記第1の導電層を介して前記第1の樹脂フィルムと重なり、
前記第1の導電層には、前記第1のFPCより定電位が供給され、
前記第1の導電層及び前記第3の導電層は、同一の材料を有し、
前記第3の導電層は、前記樹脂層上および前記樹脂層の開口に設けられ、
前記第2のFPCは、前記第1の樹脂フィルムに設けられた開口において、前記第2の接続体と電気的に接続され、
前記第2の接続体は、前記樹脂層の開口に設けられた前記第3の導電層と電気的に接続される、表示装置。
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