JP7252385B2 - 表示装置 - Google Patents

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Description

本発明の一態様は、表示装置とその作製方法に関する。本発明の一態様は、特に、可撓性
を有する表示装置とその作製方法に関する。本発明の一態様は、表示装置を有するモジュ
ール及び電子機器に関する。
なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本発明の一態様の技術分野と
しては、半導体装置、表示装置、発光装置、蓄電装置、記憶装置、電子機器、照明装置、
入力装置（例えば、タッチセンサなど）、入出力装置（例えば、タッチパネルなど）、そ
れらの駆動方法、またはそれらの製造方法を一例として挙げることができる。
有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）素子や、液晶素子が適用された
表示装置が知られている。そのほか、発光ダイオード（ＬＥＤ：Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔ
ｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）等の発光素子を備える発光装置、電気泳動方式などにより表示を行
う電子ペーパなども、表示装置の一例として挙げることができる。
有機ＥＬ素子の基本的な構成は、一対の電極間に発光性の有機化合物を含む層を挟持した
ものである。この素子に電圧を印加することにより、発光性の有機化合物から発光を得る
ことができる。このような有機ＥＬ素子が適用された表示装置は、薄型、軽量、高コント
ラストで且つ低消費電力な表示装置を実現できる。
また、可撓性を有する基板（フィルム）上に、トランジスタなどの半導体素子や、有機Ｅ
Ｌ素子などの表示素子を形成することによりフレキシブルな表示装置が実現できる。
特許文献１では、犠牲層を介して耐熱性樹脂層及び電子素子が設けられた支持基板（ガラ
ス基板）にレーザ光を照射して、耐熱性樹脂層をガラス基板から剥離することで、フレキ
シブルな表示装置を作製する方法が開示されている。
特開２０１５－２２３８２３号公報
本発明の一態様は、表示装置の表示不良を低減することを課題の一つとする。本発明の一
態様は、表示装置の表示品位を向上することを課題の一つとする。本発明の一態様は、曲
面を有する表示装置を提供することを課題の一つとする。本発明の一態様は、可撓性を有
する表示装置を提供することを課題の一つとする。本発明の一態様は、軽量な表示装置を
提供することを課題の一つとする。本発明の一態様は、薄型の表示装置を提供することを
課題の一つとする。本発明の一態様は、信頼性の高い表示装置を提供することを課題の一
つとする。本発明の一態様は、新規な表示装置もしくは電子機器等を提供することを課題
の一つとする。
なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。本発明の一態様は
、必ずしも、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。明細書、図面、請求
項の記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。
本発明の一態様は、基板と、基板上の第１の導電層と、第１の導電層上のトランジスタ及
び発光素子と、を有する表示装置である。トランジスタ及び発光素子は、それぞれ、第１
の導電層と電気的に絶縁され、かつ、それぞれ、第１の導電層を介して基板と重なる。第
１の導電層には定電位が供給される。
本発明の一態様は、基板と、基板上の樹脂層と、樹脂層上の第１の導電層と、第１の導電
層上のトランジスタ及び発光素子と、を有する表示装置である。トランジスタ及び発光素
子は、それぞれ、第１の導電層と電気的に絶縁され、かつ、それぞれ、第１の導電層を介
して基板と重なる。第１の導電層は、樹脂層を介して基板と重なる。第１の導電層には定
電位が供給される。樹脂層の厚さは０．１μｍ以上３μｍ以下であることが好ましい。樹
脂層の５％重量減少温度は４００℃未満であることが好ましい。樹脂層は開口を有するこ
とが好ましい。このとき、樹脂層の開口では、第１の導電層の少なくとも一部が露出する
ことが好ましい。さらに、基板も開口を有していてもよい。このとき、基板の開口は、樹
脂層の開口と重なる部分を有していてもよい。基板の開口では、第１の導電層の少なくと
も一部が露出してもよい。
上記各構成の表示装置は、第１の導電層上に無機絶縁層を有し、無機絶縁層上にトランジ
スタ及び発光素子を有していてもよい。
本発明の一態様は、基板と、基板上の第１の樹脂層と、第１の樹脂層上の第１の導電層と
、第１の導電層上の第２の樹脂層と、第２の樹脂層上のトランジスタ及び発光素子と、を
有する表示装置である。トランジスタ及び発光素子は、それぞれ、第１の導電層と電気的
に絶縁され、かつ、それぞれ、第１の導電層を介して基板と重なる。第１の導電層は、第
１の樹脂層を介して基板と重なる。第１の導電層には定電位が供給される。表示装置は、
第１の導電層上に第１の無機絶縁層を有し、第１の無機絶縁層上に第２の樹脂層を有して
いてもよい。表示装置は、該第２の樹脂層上に第２の無機絶縁層を有し、第２の無機絶縁
層上にトランジスタ及び発光素子を有していてもよい。第１の樹脂層の厚さは０．１μｍ
以上３μｍ以下であることが好ましい。第１の樹脂層の５％重量減少温度は４００℃未満
であることが好ましい。第１の樹脂層は開口を有することが好ましい。このとき、第１の
樹脂層の開口では、第１の導電層の少なくとも一部が露出することが好ましい。さらに、
基板も開口を有していてもよい。このとき、基板の開口は、第１の樹脂層の開口と重なる
部分を有していてもよい。基板の開口では、第１の導電層の少なくとも一部が露出しても
よい。
上記各構成の表示装置において、トランジスタは、チャネル形成領域に酸化物半導体を有
することが好ましい。
上記各構成の表示装置において、基板は、可撓性を有することが好ましい。
上記各構成の表示装置において、第１の導電層は、酸化物導電体を有することが好ましい
。
本発明の一態様は、上記のいずれかの表示装置と、第１の接続配線と、を有するモジュー
ルである。表示装置は、第２の導電層を有する。第２の導電層は、第１の導電層と電気的
に絶縁される。第２の導電層は、第１の接続配線と電気的に接続される。
上記構成のモジュールにおいて、第２の導電層は、第１の導電層を介して、基板と重なっ
てもよい。
上記構成のモジュールにおいて、第２の導電層は、第１の導電層を介さずに、基板と重な
ってもよい。
上記構成のモジュールは、フレキシブルプリント基板を有していてもよい。フレキシブル
プリント基板は、第１の接続配線及び第２の接続配線を有する。第１の導電層は、第２の
接続配線と電気的に接続される。
本発明の一態様は、上記のいずれかのモジュールと、センサ、アンテナ、バッテリ、筐体
、カメラ、スピーカ、マイク、または操作ボタンの少なくともいずれか一と、を有する、
電子機器である。
本発明の一態様により、表示装置の表示不良を低減することができる。本発明の一態様に
より、表示装置の表示品位を向上することができる。本発明の一態様により、曲面を有す
る表示装置を提供することができる。本発明の一態様により、可撓性を有する表示装置を
提供することができる。本発明の一態様により、軽量な表示装置を提供することができる
。本発明の一態様により、薄型の表示装置を提供することができる。本発明の一態様によ
り、信頼性の高い表示装置を提供することができる。本発明の一態様により、新規な表示
装置もしくは電子機器等を提供することができる。
なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。本発明の一態様は
、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。明細書、図面、請求項の記載から
、これら以外の効果を抽出することが可能である。
表示装置の一例を示す上面図、下面図、及び断面図。 表示装置の一例を示す上面図、下面図、及び断面図。 表示装置の一例を示す断面図。 表示装置の一例を示す断面図。 表示装置の一例を示す上面図及び断面図。 表示装置の一例を示す上面図及び断面図。 表示装置の一例を示す上面図及び断面図。 表示装置の一例を示す断面図。 表示装置の作製方法の一例を示す断面図。 表示装置の作製方法の一例を示す断面図。 表示装置の作製方法の一例を示す断面図。 表示装置の作製方法の一例を示す断面図。 表示装置の作製方法の一例を示す断面図。 表示装置の作製方法の一例を示す断面図。 表示装置の作製方法の一例を示す断面図。 表示装置の作製方法の一例を示す断面図。 表示装置の作製方法の一例を示す断面図。 表示装置の作製方法の一例を示す断面図。 表示装置の作製方法の一例を示す断面図。 表示装置の作製方法の一例を示す断面図。 表示装置の作製方法の一例を示す断面図。 表示モジュールの一例を示す図。 電子機器の一例を示す図。
実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定さ
れず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し
得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の
記載内容に限定して解釈されるものではない。
なお、以下に説明する発明の構成において、同一部分または同様な機能を有する部分には
同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。また、同様
の機能を指す場合には、ハッチパターンを同じくし、特に符号を付さない場合がある。
また、図面において示す各構成の、位置、大きさ、範囲などは、理解の簡単のため、実際
の位置、大きさ、範囲などを表していない場合がある。このため、開示する発明は、必ず
しも、図面に開示された位置、大きさ、範囲などに限定されない。
なお、「膜」という言葉と、「層」という言葉とは、場合によっては、または、状況に応
じて、互いに入れ替えることが可能である。例えば、「導電層」という用語を、「導電膜
」という用語に変更することが可能である。または、例えば、「絶縁膜」という用語を、
「絶縁層」という用語に変更することが可能である。
（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置について図１～図８を用いて説明する。
本実施の形態では、トランジスタ及び有機ＥＬ素子を有する表示装置（アクティブマトリ
クス型の有機ＥＬ表示装置ともいう）を例に挙げて説明する。当該表示装置は、基板に可
撓性を有する材料を用いることで、フレキシブルデバイスとすることができる。なお、本
発明の一態様は、有機ＥＬ素子を用いた発光装置、表示装置、及び入出力装置（タッチパ
ネルなど）に限られず、他の機能素子を用いた半導体装置、発光装置、表示装置、及び入
出力装置等の各種装置に適用することができる。
本発明の一態様は、基板と、基板上の第１の導電層と、第１の導電層上のトランジスタ及
び発光素子と、を有する表示装置である。トランジスタ及び発光素子は、それぞれ、第１
の導電層と電気的に絶縁される。トランジスタ及び発光素子は、それぞれ、第１の導電層
を介して基板と重なる。第１の導電層には、定電位が供給される。
電子機器の筐体内に、表示装置と、他の電子部品（集積回路（ＩＣ）、中央演算回路（Ｃ
ＰＵ）、及びそれらを有するプリント基板など）とを配置した場合、表示装置に、電子部
品の動作に起因するノイズ（不要輻射ともいう）が伝達することがある。これにより、表
示装置の動作に不具合が生じることがある。具体的には、表示装置では、輝度の変化など
の表示不良が生じる可能性がある。同様に、電子部品に、表示装置の動作に起因するノイ
ズ（不要輻射）が伝達することがある。これにより、電子部品の動作不良が生じる可能性
がある。
そこで、本発明の一態様の表示装置では、定電位が供給される第１の導電層を、トランジ
スタ及び発光素子と重ねて配置する。第１の導電層には定電位が供給されるため、ノイズ
による電位変化が抑制される。第１の導電層が外部からのノイズを遮断するため、トラン
ジスタ及び発光素子が有する導電層の電位が変化することを抑制できる。したがって、表
示装置の表示不良を低減することができる。同様に、第１の導電層では、表示装置の動作
による電位変化も抑制される。これにより、表示装置から他の電子部品にノイズが伝達す
ること、さらには、当該電子部品の動作不良が生じることを抑制できる。
定電位としては、低電源電位（ＶＳＳ）及び高電源電位（ＶＤＤ）等の電源電位、接地電
位（ＧＮＤ電位）、共通電位、基準電位等が挙げられる。
表示装置が第１の導電層を有することで、電子機器の筐体内に、ノイズを遮断するための
シールド等を別途設ける必要がなく、電子機器の薄型化、軽量化、及び低コスト化が可能
となる。また、表示装置が第１の導電層を有し、さらに電子機器の筐体内に、別途、シー
ルドを有する構成であっても、第１の導電層を有さない場合に比べて、より確実にノイズ
を遮断することができ、電子機器の信頼性を高めることができる。
電子機器の小型化のため、表示装置の表示面とは反対の面（裏面ともいう）側に、ＩＣな
どの電子部品を配置することが好ましい。ＩＣでは大電流が流れるため、ＩＣはノイズの
発生源の一つといえる。そのため、表示装置の裏面側に、定電位が供給される第１の導電
層を配置することが好ましい。これにより、トランジスタ及び発光素子は、第１の導電層
を介してＩＣなどの電子部品と重なる構成となり、トランジスタ及び発光素子が、該電子
部品からのノイズを受けにくくなる。
また、第１の導電層は、表示装置の作製工程中または作製工程後に様々な要因で生じるま
たは印加される静電気（電荷）を拡散して逃がす、または電荷の局部的な存在（局在化）
を防ぐ（局部的な電位差が発生しないようにする）ため、トランジスタ及び発光素子の静
電気破壊を防ぐことができる。
本発明の一態様の表示装置は、基板と第１の導電層との間に、樹脂層を有する。
本発明の一態様の表示装置は、トランジスタのチャネル形成領域に、酸化物半導体を有す
ることが好ましい。
トランジスタのチャネル形成領域に低温ポリシリコン（ＬＴＰＳ（Ｌｏｗ Ｔｅｍｐｅｒ
ａｔｕｒｅ Ｐｏｌｙ－Ｓｉｌｉｃｏｎ））を用いる場合、５００℃から５５０℃程度の
温度をかける必要があるため、樹脂層に耐熱性が求められる。また、レーザ結晶化の工程
でのダメージを緩和するため、樹脂層の厚膜化が必要となる。
一方、酸化物半導体を用いたトランジスタは、３５０℃以下、さらには３００℃以下で形
成することができる。そのため、樹脂層に高い耐熱性は求められない。したがって、樹脂
層の耐熱温度を低くすることができ、材料の選択の幅が広がる。また、酸化物半導体を用
いたトランジスタは、レーザ結晶化の工程が不要であるため、樹脂層の厚さを薄くするこ
とができる。樹脂層に高耐熱性が要求されず、薄膜化できることで、デバイス作製の大幅
なコストダウンが期待できる。また、ＬＴＰＳを用いる場合に比べて、工程が簡略化でき
好ましい。
本発明の一態様では、樹脂層の厚さが、０．１μｍ以上３μｍ以下である。樹脂層を薄く
形成することで、低コストで表示装置を作製できる。また、表示装置の軽量化及び薄型化
が可能となる。また、表示装置の可撓性を高めることができる。
樹脂層の耐熱性は、例えば、加熱による重量減少率、具体的には５％重量減少温度等で評
価できる。本発明の一態様では、樹脂層の５％重量減少温度は、４５０℃以下、４００℃
以下、４００℃未満、または３５０℃未満とすることができる。
本発明の一態様では、感光性の材料を用いて樹脂層を作製する。感光性の材料を用いるこ
とで、所望の形状の樹脂層を容易に形成することができる。例えば、開口を有する樹脂層
、またはそれぞれ厚さの異なる２以上の領域を有する樹脂層を、容易に形成することがで
きる。これにより、樹脂層が、外部接続端子や貫通電極等の作製の妨げになることを防止
できる。
以下では、本発明の一態様の表示装置の構成について、具体的に説明する。なお、本実施
の形態の表示装置に用いることができる材料、及び表示装置の作製方法については、実施
の形態２で説明する。
［構成例１］
図１（Ａ）に、表示装置の上面図を示し、図１（Ｂ）に、表示装置の下面図を示す。図１
（Ａ）は、表示装置の表示面側の図であり、図１（Ｂ）は、表示装置の表示面とは反対の
面（以下、裏面ともいう）側の図である。図１（Ｃ）に、表示装置の表示部３８１、接続
部３８３、及び接続部３８４を含む断面図を示す。
図１（Ａ）、（Ｂ）に示す表示装置は、表示部３８１及び駆動回路部３８２を有する。表
示装置の表示面側には、ＦＰＣ７７が貼り付けられている。図１（Ｂ）に示すように、表
示装置の裏面側では、基板２９に開口が設けられ、樹脂層２３及び導電層２１が露出して
いる。
導電層２１は、表示部３８１、駆動回路部３８２、及び接続部３８４に設けられている。
導電層２１は、接続部３８３と重ねて設けられ、かつ、接続部３８３とは電気的に絶縁さ
れている。
図１（Ｃ）に示す表示装置は、塗り分け方式が適用されたトップエミッション型の表示装
置である。
図１（Ｃ）に示す表示装置は、基板２９、接着層２８、樹脂層２３、導電層２１、絶縁層
３０、絶縁層３１、トランジスタ４０、導電層４３ｃ、絶縁層３３、絶縁層３４、絶縁層
３５、表示素子６０、絶縁層７４、保護層７５を有する。
図１（Ｃ）に示す表示装置の作製方法は、実施の形態２の作製方法例１及び作製方法例２
で説明する。
導電層２１には、接着層２８を介して基板２９が貼り合わされている。導電層２１の少な
くとも一部は、基板２９と重ならず、露出している。表示装置において、導電層２１が露
出している部分は、接続部３８４として機能し、接続配線１９と接続される。例えば、接
続配線１９から導電層２１に定電位を供給することができる。
上述の通り、樹脂層２３は、感光性の材料を用いて形成することができる。そのため、樹
脂層２３に設けた開口を介して、導電層２１と接続配線１９とを電気的に接続することが
できる。
接続配線１９として、例えば、導電性テープ及びケーブル等を用いることができる。接続
配線１９を用いて、導電層２１と筐体のＧＮＤラインとを電気的に接続させることで、導
電層２１にＧＮＤ電位を供給することができる。
また、接続配線１９として、フレキシブルプリント回路基板（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ ｐｒｉ
ｎｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ、以下、ＦＰＣと記す）またはＴＣＰ（Ｔａｐｅ Ｃａｒｒｉ
ｅｒ Ｐａｃｋａｇｅ）等のコネクタが有する配線を用いることができる。これらの配線
は、異方性導電フィルム（ＡＣＦ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｆ
ｉｌｍ）または異方性導電ペースト（ＡＣＰ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔ
ｉｖｅ Ｐａｓｔｅ）を用いて、導電層２１と電気的に接続させることができる。
導電層２１には、酸化物半導体、酸化物導電体（欠陥準位または不純物準位が高められた
酸化物半導体を含む）、金属、合金、導電性ペースト、及び導電性ポリマー等の各種導電
性材料を用いることができる。
基板２９には、樹脂フィルムを好適に用いることができる。接着層２８には、各種硬化型
接着剤を用いることができる。
表示部３８１は、トランジスタ４０を有する。
表示装置が有するトランジスタの構造は特に限定されない。例えば、プレーナ型のトラン
ジスタとしてもよいし、スタガ型のトランジスタとしてもよいし、逆スタガ型のトランジ
スタとしてもよい。また、トップゲート構造またはボトムゲート構造のいずれのトランジ
スタ構造としてもよい。または、チャネルの上下にゲート電極が設けられていてもよい。
トランジスタ４０は、導電層４１、絶縁層３２、酸化物半導体層４４、導電層４３ａ、及
び導電層４３ｂを有する。導電層４１は、ゲートとして機能する。絶縁層３２は、ゲート
絶縁層として機能する。導電層４１は、絶縁層３２を介して酸化物半導体層４４と重なる
。導電層４３ａ及び導電層４３ｂは、酸化物半導体層４４と接続する。導電層４３ａ及び
導電層４３ｂのうち一方はソースとして機能し、他方はドレインとして機能する。
上述の通り、本発明の一態様では、トランジスタのチャネル形成領域に酸化物半導体を用
いるため、レーザ照射を行わず、かつ、低温でトランジスタを作製できる。よって、樹脂
層２３に高い耐熱性及び厚膜化が求められない。したがって、樹脂層２３を薄膜とするこ
とができる。これにより、低コストで表示装置を作製できる。また、表示装置の軽量化及
び薄型化が可能となる。また、表示装置の可撓性を高めることができる。
樹脂層２３の厚さは、０．０１μｍ以上１０μｍ未満であることが好ましく、０．１μｍ
以上３μｍ以下であることがより好ましく、０．５μｍ以上１μｍ以下であることがさら
に好ましい。樹脂層２３の厚さを上記範囲とすることで、表示装置の可撓性を高めること
ができる。ただし、これに限定されず、樹脂層２３の厚さは、１０μｍ以上としてもよい
。例えば、樹脂層２３の厚さを１０μｍ以上２００μｍ以下としてもよい。樹脂層２３の
厚さを１０μｍ以上とすることで、表示装置の剛性を高めることができるため好適である
。
絶縁層３０及び絶縁層３１のうち、少なくとも一層には、水または水素などの不純物が拡
散しにくい材料を用いることが好ましい。同様に、絶縁層３３及び絶縁層３４のうち、少
なくとも一層には、水または水素などの不純物が拡散しにくい材料を用いることが好まし
い。外部から不純物がトランジスタに拡散することを効果的に抑制することが可能となり
、表示装置の信頼性を高めることができる。絶縁層３４は、平坦化層としての機能を有す
る。
本発明の一態様の表示装置には、様々な表示素子を用いることができる。例えば、発光素
子、液晶素子、電気泳動素子、ＭＥＭＳ（マイクロ・エレクトロ・メカニカル・システム
）を用いた表示素子等を適用してもよい。発光素子としては、自発光が可能な素子を用い
ることができ、電流又は電圧によって輝度が制御される素子をその範疇に含んでいる。例
えば、発光ダイオード（ＬＥＤ）、有機ＥＬ素子、無機ＥＬ素子等を用いることができる
。
本実施の形態では、表示素子６０として、発光素子の一例である有機ＥＬ素子を用いる例
を示す。表示素子６０は、導電層６１、ＥＬ層６２、及び導電層６３を有する。表示素子
６０は、保護層７５側に光を射出する。
トランジスタ、容量素子、及び配線等を、発光素子の発光領域と重ねて配置することで、
表示部３８１の開口率を高めることができる。
導電層６１及び導電層６３のうち、一方は、陽極として機能し、他方は、陰極として機能
する。導電層６１及び導電層６３の間に、発光素子の閾値電圧より高い電圧を印加すると
、ＥＬ層６２に陽極側から正孔が注入され、陰極側から電子が注入される。注入された電
子と正孔はＥＬ層６２において再結合し、ＥＬ層６２に含まれる発光物質が発光する。
導電層６１は、トランジスタ４０のソースまたはドレインと電気的に接続される。これら
は、直接接続されるか、他の導電層を介して接続される。図１（Ｃ）では、導電層６１は
、導電層４３ｂと直接接続されている。導電層６１は、画素電極として機能し、発光素子
ごとに設けられている。隣り合う２つの導電層６１は、絶縁層３５によって電気的に絶縁
されている。
ＥＬ層６２は、発光材料を含む層である。発光素子には、発光材料として有機化合物を用
いた有機ＥＬ素子を好適に用いることができる。
ＥＬ層６２は少なくとも１層の発光層を有する。ＥＬ層６２は、発光層以外の層として、
正孔注入性の高い物質、正孔輸送性の高い物質、正孔ブロック材料、電子輸送性の高い物
質、電子注入性の高い物質、またはバイポーラ性の物質（電子輸送性及び正孔輸送性が高
い物質）等を含む層をさらに有することができる。
ＥＬ層６２には低分子系化合物及び高分子系化合物のいずれを用いることもでき、無機化
合物を含んでいてもよい。
導電層６３は、共通電極として機能し、複数の発光素子にわたって設けられている。導電
層６３には、定電位が供給される。
ここで、表示素子６０は中立面から１０μｍ以内に位置することが好ましく、５μｍ以内
に位置することがより好ましく、２．５μｍ以内に位置することがさらに好ましい。
表示素子６０にＥＬ素子を用いる場合など、表示素子６０には密着性の低い部分が生じる
ことがある。表示素子６０を中立面から近い位置に配置することで、表示素子６０にかか
る応力を低減することができる。そして、表示装置の作製における剥離工程、及び表示装
置を曲げて使用する際等に、膜剥がれが生じることを抑制できる。
なお、本発明の一態様は、塗り分け方式に限られず、カラーフィルタ方式、色変換方式、
または量子ドット方式等を適用してもよい。
導電層４３ｃは、トランジスタが有する導電層と同一の材料及び同一の工程で形成するこ
とができる。例えば、導電層４３ｃは、導電層４３ａ及び導電層４３ｂと同一の材料及び
同一の工程で形成することができる。導電層４３ｃは、駆動回路部３８２に外部からの信
号及び電位を伝達する外部入力端子と電気的に接続する。ここでは、外部入力端子として
ＦＰＣ７７を設ける例を示している。接続体７６を介してＦＰＣ７７と導電層４３ｃは電
気的に接続する。
接続体７６としては、様々な異方性導電フィルム及び異方性導電ペーストなどを用いるこ
とができる。
絶縁層７４は、表示素子６０に水などの不純物が拡散することを抑制する保護層として機
能する。表示素子６０は、絶縁層７４によって封止される。
絶縁層７４及び絶縁層３１に防湿性の高い膜を用いることが好ましい。一対の防湿性の高
い絶縁層の間に表示素子６０及びトランジスタ４０等を配置することで、これらの素子に
水等の不純物が入り込むことを抑制でき、表示装置の信頼性が高くなるため好ましい。
防湿性の高い絶縁層としては、窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜等の窒素と珪素を含
む膜、及び、窒化アルミニウム膜等の窒素とアルミニウムを含む膜等が挙げられる。また
、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜等を用いてもよい。
例えば、防湿性の高い絶縁層の水蒸気透過量は、１×１０－５［ｇ／（ｍ２・ｄａｙ）］
以下、好ましくは１×１０－６［ｇ／（ｍ２・ｄａｙ）］以下、より好ましくは１×１０
－７［ｇ／（ｍ２・ｄａｙ）］以下、さらに好ましくは１×１０－８［ｇ／（ｍ２・ｄａ
ｙ）］以下とする。
保護層７５は、表示装置の最表面に位置する層として用いることができる。保護層７５は
、可視光に対する透過性が高いことが好ましい。保護層７５には、有機絶縁膜を好適に用
いることができる。保護層７５は、当該有機絶縁膜と、表面を傷などから保護するハード
コート層（例えば、窒化シリコン層など）や、押圧を分散可能な材質の層（例えば、アラ
ミド樹脂層など）等とが積層された構成であってもよい。
［構成例２］
図２（Ａ）に、表示装置の上面図を示し、図２（Ｂ）に、表示装置の下面図を示す。図２
（Ａ）は、表示装置の表示面側の図であり、図２（Ｂ）は、表示装置の裏面側の図である
。図２（Ｃ）に、表示装置の表示部３８１、接続部３８３、及び接続部３８４を含む断面
図を示す。
なお、以降の構成例及び変形例では、先に説明した構成例または変形例と同様の部分につ
いては詳細な説明を省略することがある。
図２（Ａ）、（Ｂ）に示す表示装置は、表示部３８１及び駆動回路部３８２を有する。表
示装置の表示面側には、ＦＰＣ７７が貼り付けられている。図２（Ｂ）に示すように、表
示装置の裏面側では、基板２９に開口が設けられ、樹脂層２３及び導電層２１が露出して
いる。
導電層２１は、表示部３８１、駆動回路部３８２、及び接続部３８４に設けられている。
導電層２１は、接続部３８３と重ならない位置に設けられている。
図２（Ｃ）に示す表示装置は、塗り分け方式が適用されたトップエミッション型の表示装
置である。
図２（Ｃ）に示す表示装置は、基板２９、接着層２８、樹脂層２３、導電層２１、絶縁層
３０、絶縁層３１、トランジスタ４０、導電層４３ｃ、絶縁層３３、絶縁層３４、絶縁層
３５、表示素子６０、絶縁層７４、接着層７５ｂ、及び基板７５ａを有する。
図２（Ａ）に示すように、基板７５ａは、基板２９よりも小さい。接続部３８３及び接続
部３８４は、それぞれ基板７５ａと重ならない位置に設けられている。
図２（Ｃ）に示すように、導電層４３ｃは、絶縁層３３及び絶縁層３４の開口を介して、
接続体７６と接続されている。これにより、導電層４３ｃとＦＰＣ７７とが電気的に接続
されている。基板７５ａと基板２９を互いに異なる大きさとすることで、導電層４３ｃと
ＦＰＣ７７とを電気的に接続することが容易となる。具体的には、接着層７５ｂ及び基板
７５ａの一部を除去する工程（例えば開口を設ける工程など）が不要となる。
接続部３８３において、ＦＰＣ７７を圧着させる際に、絶縁層３０、絶縁層３１、及び絶
縁層３２の、導電層４３ｃ近傍の領域には力がかかりやすく、クラックが発生する恐れが
ある。そのため、接続部３８３に導電層２１を設けない構成とすることが好ましい。これ
により、絶縁層にクラックが発生して、導電層４３ｃと導電層２１とが電気的に接続され
、短絡してしまうことを防止できる。
基板７５ａには、樹脂フィルムを好適に用いることができる。接着層７５ｂには、各種硬
化型接着剤を用いることができる。
［変形例１］
図３（Ａ）に示す表示装置は、基板７５ａ、接着層７５ｂ、絶縁層３４、及び絶縁層３３
に設けられた開口を介して、接続体７６と導電層４３ｃとが接続されている点で、図２（
Ｃ）に示す表示装置と異なる。
開口を有する基板７５ａを用いる、または基板７５ａ及び接着層７５ｂに開口を形成する
ことで、導電層４３ｃを露出させ、ＦＰＣ７７と電気的に接続させることができる。
［変形例２］
図３（Ｂ）に示す表示装置は、樹脂層２３を有していない点で、図１（Ｃ）に示す表示装
置と異なる。図３（Ｂ）に示す表示装置の作製方法は、実施の形態２の作製方法例３で説
明する。
導電層２１には、接着層２８を介して基板２９が貼り合わされている。導電層２１の少な
くとも一部は、基板２９と重ならず、露出している。表示装置において、導電層２１が露
出している部分は、接続部３８４として機能し、接続配線１９と接続される。例えば、接
続配線１９から導電層２１に定電位を供給することができる。
［変形例３］
図４（Ａ）に示す表示装置は、樹脂層２５を有する点で、図１（Ｃ）に示す表示装置と異
なる。
樹脂層２５が平坦化機能を有すると、樹脂層２３による段差が平坦化されるため、後の工
程の成膜が容易となり好ましい。
［変形例４］
図４（Ｂ）に示す表示装置は、樹脂層２５を有し、かつ、絶縁層３０を有していない点で
、図１（Ｃ）に示す表示装置と異なる。
［変形例５］
図４（Ｃ）に示す表示装置は、樹脂層２５及び絶縁層２６を有する点で、図１（Ｃ）に示
す表示装置と異なる。
樹脂層２５上に、絶縁層２６として、防湿性の高い絶縁層を形成することで、絶縁層２６
上に形成される各機能素子に水等の不純物が入り込むことを抑制でき、表示装置の信頼性
が高くなるため好ましい。
［構成例３］
図５（Ａ）に、表示装置の上面図を示す。図５（Ａ）は、表示装置の表示面側の図である
。図５（Ｂ）に、表示装置の表示部３８１、接続部３８３、及び接続部３８４を含む断面
図を示す。
図５（Ａ）に示す表示装置は、表示部３８１及び駆動回路部３８２を有する。表示装置の
表示面側には、ＦＰＣ７７が貼り付けられている。
導電層２１は、表示部３８１、駆動回路部３８２、及び接続部３８４に設けられている。
導電層２１は、接続部３８３と重ならない位置に設けられている。
図５（Ｂ）に示す表示装置は、カラーフィルタ方式が適用されたトップエミッション型の
表示装置である。
図５（Ｂ）に示す表示装置は、基板２９、接着層２８、樹脂層２３、導電層２１、絶縁層
３０、絶縁層３１、トランジスタ８０、導電層８６ｃ、導電層８６ｄ、絶縁層３３、絶縁
層３４、絶縁層３５、表示素子６０、接着層９９、着色層９７、遮光層９８、基板２２、
接着層１３、樹脂層９３、及び絶縁層９５を有する。
表示部３８１は、トランジスタ８０を有する。
トランジスタ８０は、酸化物半導体層８３、絶縁層８４、導電層８５、導電層８６ａ、及
び導電層８６ｂを有する。導電層８５は、ゲートとして機能する。絶縁層８４は、ゲート
絶縁層として機能する。導電層８５は、絶縁層８４を介して酸化物半導体層８３と重なる
。導電層８６ａ及び導電層８６ｂのうち一方は、酸化物半導体層８３のソース領域と電気
的に接続され、他方は酸化物半導体層８３のドレイン領域と電気的に接続される。
上述の通り、本発明の一態様では、トランジスタのチャネル形成領域に、酸化物半導体を
用いるため、樹脂層２３に高い耐熱性及び厚膜化が求められない。したがって、樹脂層２
３を薄膜とすることができる。これにより、低コストで表示装置を作製できる。また、表
示装置の軽量化及び薄型化が可能となる。また、表示装置の可撓性を高めることができる
。樹脂層９３についても同様である。
樹脂層２３及び樹脂層９３の厚さは、それぞれ、０．０１μｍ以上１０μｍ未満であるこ
とが好ましく、０．１μｍ以上３μｍ以下であることがより好ましく、０．５μｍ以上１
μｍ以下であることがさらに好ましい。樹脂層２３及び樹脂層９３の厚さは、それぞれ、
１０μｍ以上としてもよい。
導電層８６ｃ及び導電層８６ｄは、トランジスタが有する導電層と同一の材料及び同一の
工程で形成することができる。例えば、導電層８６ｃ及び導電層８６ｄは、導電層８６ａ
及び導電層８６ｂと同一の材料及び同一の工程で形成することができる。
導電層８６ｃは、駆動回路部３８２に外部からの信号及び電位を伝達する外部入力端子と
電気的に接続する。ここでは、外部入力端子としてＦＰＣ７７を設ける例を示している。
接続部３８３において、導電層８６ｃは、接続体７６を介して、ＦＰＣ７７が有する第１
の接続配線と電気的に接続される。
接続部３８４において、導電層２１は、導電層８６ｄ及び接続体７６を介して、ＦＰＣ７
７が有する第２の接続配線と電気的に接続される。第２の接続配線から定電位が導電層２
１に供給される。
導電層８６ｃと導電層２１とは互いに電気的に絶縁されている。本構成では、導電層８６
ｃと導電層２１とに、１つのＦＰＣ７７を用いて信号または電位を供給することができる
。そのため、部品点数を少なくすることができる。
図５（Ｂ）では、樹脂層２３に開口を設ける必要がない。樹脂層２３の材料は、感光性の
材料に限定されない。
表示素子６０は、接着層９９を介して着色層９７と重なる。絶縁層３５は、接着層９９を
介して遮光層９８と重なる。
着色層９７は特定の波長域の光を透過する有色層である。例えば、赤色、緑色、青色、ま
たは黄色の波長域の光を透過するカラーフィルタなどを用いることができる。着色層９７
に用いることのできる材料としては、金属材料、樹脂材料、または、顔料もしくは染料が
含まれた樹脂材料などが挙げられる。
遮光層９８は、隣接する着色層９７の間に設けられている。遮光層９８は隣接する発光素
子からの光を遮り、隣接する発光素子間における混色を抑制する。ここで、着色層９７の
端部を、遮光層９８と重なるように設けることにより、光漏れを抑制することができる。
遮光層９８としては、発光素子の光を遮る材料を用いることができ、例えば、金属材料、
または、顔料もしくは染料を含む樹脂材料等を用いてブラックマトリクスを形成すること
ができる。なお、遮光層９８は、駆動回路部３８２などの表示部３８１以外の領域に設け
ると、導波光などによる意図しない光漏れを抑制できるため好ましい。
樹脂層２３と基板２９は接着層２８によって貼り合わされている。また、樹脂層９３と基
板２２は接着層１３によって貼り合わされている。
基板２２及び基板２９には、それぞれ、樹脂フィルムを好適に用いることができる。接着
層１３、接着層９９、及び接着層２８には、それぞれ、各種硬化型接着剤を用いることが
できる。
絶縁層９５及び絶縁層３１に防湿性の高い膜を用いることが好ましい。一対の防湿性の高
い絶縁層の間に表示素子６０及びトランジスタ８０等を配置することで、これらの素子に
水等の不純物が入り込むことを抑制でき、表示装置の信頼性が高くなるため好ましい。
［構成例４］
図６（Ａ）に、表示装置の上面図を示す。図６（Ａ）は、表示装置の表示面側の図である
。図６（Ｂ）に、表示装置の表示部３８１、接続部３８３、及び接続部３８４を含む断面
図を示す。
図６（Ａ）に示す表示装置は、表示部３８１及び駆動回路部３８２を有する。表示装置の
表示面とは反対の面側には、ＦＰＣ７７が貼り付けられている。
導電層２１ａは、表示部３８１、駆動回路部３８２、及び接続部３８４に設けられている
。導電層２１ａは、接続部３８３と重ならない位置に設けられている。なお、接続部３８
３には導電層２１ｂが設けられている（図６（Ａ）では示していない）。
図６（Ｂ）に示す表示装置は、カラーフィルタ方式が適用されたトップエミッション型の
表示装置である。
図６（Ｂ）に示す表示装置の作製方法は、実施の形態２の作製方法例４で説明する。
図６（Ｂ）に示す表示部３８１は、図５（Ｂ）の構成と同様である。
導電層８６ｃは、トランジスタが有する導電層と同一の材料及び同一の工程で形成するこ
とができる。例えば、導電層８６ｃは、導電層８６ａ及び導電層８６ｂと同一の材料及び
同一の工程で形成することができる。
導電層２１ａと導電層２１ｂは、同一の材料及び同一の工程で形成することができる。導
電層２１ａと導電層２１ｂは、互いに電気的に絶縁されている。
導電層８６ｃは、駆動回路部３８２に外部からの信号及び電位を伝達する外部入力端子と
電気的に接続する。ここでは、外部入力端子としてＦＰＣ７７を設ける例を示している。
接続部３８３において、導電層８６ｃは、導電層２１ｂ及び接続体７６を介して、ＦＰＣ
７７が有する第１の接続配線と電気的に接続される。
接続部３８４において、導電層２１ａは、接続体７６を介して、ＦＰＣ７７が有する第２
の接続配線と電気的に接続される。第２の接続配線から定電位が導電層２１ａに供給され
る。
本構成では、導電層２１ａと導電層８６ｃとに、１つのＦＰＣ７７を用いて信号または電
位を供給することができる。そのため、部品点数を少なくすることができる。
上述の通り、樹脂層２３は、感光性の材料を用いて形成することができる。そのため、樹
脂層２３に設けた開口を介して、導電層８６ｃとＦＰＣ７７とを電気的に接続することが
できる。同様に、樹脂層２３に設けた開口を介して、導電層２１ａとＦＰＣ７７とを電気
的に接続することができる。このような構成とすることで、ＦＰＣ７７を、表示面とは反
対側に配置することができる。そのため、表示装置を電子機器に組み込む際に、ＦＰＣ７
７を折り曲げるためのスペースを省くことができ、より小型化した電子機器を実現できる
。また、基板２２側から導電層８６ｃ及び導電層２１ａを露出させる必要が無いため、工
程の簡略化を図ることができる。
［構成例５］
図７（Ａ）に、表示装置の上面図を示す。図７（Ａ）は、表示装置の表示面側の図である
。図７（Ｂ）に、表示装置の表示部３８１、接続部３８３、及び接続部３８４を含む断面
図を示す。
図７（Ａ）に示す表示装置は、表示部３８１及び駆動回路部３８２を有する。表示装置の
表示面側と、裏面側との双方に、ＦＰＣが貼り付けられている。
導電層２１ａは、表示部３８１、駆動回路部３８２、及び接続部３８４に設けられている
。導電層２１ａは、接続部３８３と重ならない位置に設けられている。なお、接続部３８
３には導電層２１ｂが設けられている（図７（Ａ）では示していない）。
図７（Ｂ）に示す表示装置は、カラーフィルタ方式が適用されたトップエミッション型の
表示装置である。
図７（Ｂ）に示す表示部３８１は、図５（Ｂ）の構成と同様である。
導電層８６ｃ及び導電層８６ｄは、トランジスタが有する導電層と同一の材料及び同一の
工程で形成することができる。例えば、導電層８６ｃ及び導電層８６ｄは、導電層８６ａ
及び導電層８６ｂと同一の材料及び同一の工程で形成することができる。
導電層２１ａと導電層２１ｂは、同一の材料及び同一の工程で形成することができる。導
電層２１ａと導電層２１ｂは、互いに電気的に絶縁されている。
接続部３８３において、導電層８６ｃは、駆動回路部３８２に外部からの信号及び電位を
伝達する外部入力端子と電気的に接続する。ここでは、外部入力端子としてＦＰＣ７７ｂ
を設ける例を示している。接続部３８３において、導電層８６ｃは、導電層２１ｂ及び接
続体７６ｂを介して、ＦＰＣ７７ｂと電気的に接続される。
接続部３８４において、導電層２１ａは、導電層８６ｄ及び接続体７６ａを介して、ＦＰ
Ｃ７７ａと電気的に接続される。ＦＰＣ７７ａから定電位が導電層２１ａに供給される。
［構成例６］
図８（Ａ）に、表示装置の表示部３８１、駆動回路部３８２、及び接続部３８３を含む断
面図を示す。
図８（Ａ）に示す表示装置は、カラーフィルタ方式が適用されたボトムエミッション型の
表示装置である。
図８（Ａ）に示す表示装置は、基板２９、接着層２８、樹脂層２３、導電層２１ａ、導電
層２１ｂ、絶縁層３１、トランジスタ４０、トランジスタ５０、導電層４３ｃ、絶縁層３
３、絶縁層３４、絶縁層３５、表示素子６０、着色層９７、接着層７５ｂ、及び基板７５
ａを有する。
図８（Ａ）では、トランジスタ４０及びトランジスタ５０が、図１（Ｃ）に示すトランジ
スタ４０の構成に加えて、ゲートとして機能する導電層４５を有する例を示す。
表示素子６０は、着色層９７側に光を射出する。
接続部３８３において、導電層２１ｂ及び接続体７６を介してＦＰＣ７７と導電層４３ｃ
は電気的に接続する。
［変形例６］
図８（Ｂ）に、表示装置の表示部３８１、接続部３８３、及び接続部３８４を含む断面図
を示す。
図８（Ｂ）では、トランジスタ８０が、図６（Ｂ）に示すトランジスタ８０の構成に加え
て、ゲートとして機能する導電層８１及びゲート絶縁層として機能する絶縁層８２を有す
る例を示す。
以上のように、本発明の一態様の表示装置は、トランジスタ及び表示素子と重なり、かつ
、トランジスタ及び表示素子と電気的に絶縁される導電層２１（または導電層２１ａ）を
有する。導電層２１（または導電層２１ａ）には、定電位が供給される。これにより、表
示装置を電子機器の筐体に実装した際に、他の電子部品の動作に起因するノイズで、表示
装置の表示不良が生じることを抑制できる。したがって、表示装置の表示品位を向上させ
ることができる。
本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
（実施の形態２）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置の作製方法について説明する。
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置の作製方法として、主に２つの方法を説明
する。
１つ目の方法では、まず、作製基板上に、感光性を有する材料を用いて第１の層を形成し
、その後、フォトリソグラフィ法を用いて開口を形成することで、開口を有する樹脂層を
形成する。次に、作製基板上及び樹脂層上に酸化物導電層を形成する。酸化物導電層の一
部は、樹脂層上に設けられ、酸化物導電層の他の一部は、樹脂層の開口を介して作製基板
上に接して設けられる。次に、酸化物導電層上に絶縁層を形成する。次に、絶縁層上に、
トランジスタ等を形成する。そして、レーザを用いて、樹脂層及び酸化物導電層に光を照
射した後、トランジスタ等と作製基板とを分離する。
本発明の一態様では、感光性の材料を用いて樹脂層を作製する。感光性の材料を用いるこ
とで、所望の形状の樹脂層を容易に形成することができる。例えば、樹脂層に、開口を設
けることが容易である。
しかし、樹脂層と作製基板との界面、または樹脂層中で分離させる場合、樹脂層が開口を
有することで、作製基板との分離が困難になることがある。
そこで、本発明の一態様では、酸化物導電層を、樹脂層の開口を介して作製基板上に接す
るように設ける。そして、レーザを用いて、樹脂層と、酸化物導電層と、に光を照射する
。
レーザ光の照射により、樹脂層は脆弱化される。または、レーザ光の照射により、作製基
板と樹脂層との密着性が低下する。
レーザ光の照射により、酸化物導電層の、樹脂層の開口と重なる部分は脆弱化される。ま
たは、レーザ光の照射により、作製基板と、酸化物導電層の、樹脂層の開口と重なる部分
との密着性が低下する。
これにより、作製基板を容易に分離することができる。
１つ目の方法を用いると、樹脂層が設けられている部分では、樹脂層を露出させることが
でき、樹脂層の開口では、酸化物導電層を露出させることができる。
２つ目の方法では、まず、作製基板上に樹脂層を形成する。次に、樹脂層上に導電層を形
成する。１つ目の方法と異なり、樹脂層に開口は設けられず、かつ、導電層は作製基板と
接しない。次に、導電層上に絶縁層を形成する。次に、絶縁層上に、トランジスタ等を形
成する。そして、レーザを用いて、樹脂層に光を照射した後、トランジスタ等と作製基板
とを分離する。
前述の通り、レーザ光の照射により、樹脂層が脆弱化されるか、作製基板と樹脂層との密
着性が低下する。
２つ目の方法では、レーザ光を照射することで、作製基板と樹脂層の界面で分離させるこ
とができる。作製基板と導電層との界面で分離させる領域を有さないため、導電層が、酸
化物導電層に限定されず、様々な導電性材料を適用することができる。
２つ目の方法を用いると、作製基板が剥離された表面には、樹脂層が露出する。導電層の
少なくとも一部を露出させるために、樹脂層の少なくとも一部を除去することが好ましい
。
トランジスタのチャネル形成領域には、酸化物半導体を用いることが好ましい。酸化物半
導体を用いることで、ＬＴＰＳを用いる場合よりも、プロセスの最高温度を低くすること
ができる。
本発明の一態様では、樹脂層の耐熱温度以下の温度で、トランジスタ等を形成する。例え
ば、トランジスタは、３５０℃以下、さらには３００℃以下の温度で作製することが好ま
しい。
本発明の一態様では、線状レーザを用いてレーザ光を照射する。ＬＴＰＳ等の製造ライン
のレーザ装置を使用することができるため、これらの装置の有効利用が可能である。線状
レーザは、矩形長尺状に集光（線状レーザビームに成形）して、樹脂層（及び酸化物導電
層）に光を照射する。
以下では、図９～図２１を用いて、本発明の一態様の表示装置の作製方法について、具体
的に説明する。ここでは、アクティブマトリクス型の有機ＥＬ表示装置を作製する場合を
例に挙げて説明する。当該表示装置は、基板に可撓性を有する材料を用いることで、折り
曲げ可能な（Ｆｏｌｄａｂｌｅ）有機ＥＬ表示装置とすることができる。
なお、表示装置を構成する薄膜（絶縁膜、半導体膜、導電膜等）は、スパッタリング法、
化学気相堆積（ＣＶＤ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、真
空蒸着法、パルスレーザー堆積（ＰＬＤ：Ｐｕｌｓｅｄ Ｌａｓｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉ
ｏｎ）法、原子層成膜（ＡＬＤ：Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法
等を用いて形成することができる。ＣＶＤ法としては、プラズマ化学気相堆積（ＰＥＣＶ
Ｄ：Ｐｌａｓｍａ Ｅｎｈａｎｃｅｄ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔ
ｉｏｎ）法や、熱ＣＶＤ法でもよい。熱ＣＶＤ法の例として、有機金属化学気相堆積（Ｍ
ＯＣＶＤ：Ｍｅｔａｌ Ｏｒｇａｎｉｃ ＣＶＤ）法を使ってもよい。
表示装置を構成する薄膜（絶縁膜、半導体膜、導電膜等）は、スピンコート、ディップ、
スプレー塗布、インクジェット、ディスペンス、スクリーン印刷、オフセット印刷、ドク
ターナイフ、スリットコート、ロールコート、カーテンコート、ナイフコート等の方法に
より形成することができる。
表示装置を構成する薄膜を加工する際には、リソグラフィ法等を用いて加工することがで
きる。または、遮蔽マスクを用いた成膜方法により、島状の薄膜を形成してもよい。また
は、ナノインプリント法、サンドブラスト法、リフトオフ法などにより薄膜を加工しても
よい。フォトリソグラフィ法としては、加工したい薄膜上にレジストマスクを形成して、
エッチング等により当該薄膜を加工し、レジストマスクを除去する方法と、感光性を有す
る薄膜を成膜した後に、露光、現像を行って、当該薄膜を所望の形状に加工する方法と、
がある。
リソグラフィ法において光を用いる場合、露光に用いる光は、例えばｉ線（波長３６５ｎ
ｍ）、ｇ線（波長４３６ｎｍ）、ｈ線（波長４０５ｎｍ）、またはこれらを混合させた光
を用いることができる。そのほか、紫外線やＫｒＦレーザ光、またはＡｒＦレーザ光等を
用いることもできる。また、液浸露光技術により露光を行ってもよい。また、露光に用い
る光として、極端紫外光（ＥＵＶ：Ｅｘｔｒｅｍｅ Ｕｌｔｒａ－ｖｉｏｌｅｔ）やＸ線
を用いてもよい。また、露光に用いる光に換えて、電子ビームを用いることもできる。極
端紫外光、Ｘ線または電子ビームを用いると、極めて微細な加工が可能となるため好まし
い。なお、電子ビームなどのビームを走査することにより露光を行う場合には、フォトマ
スクは不要である。
薄膜のエッチングには、ドライエッチング法、ウエットエッチング法、サンドブラスト法
などを用いることができる。
［作製方法例１］
作製方法例１では、図１（Ｃ）に示す表示装置を作製する場合を説明する。
まず、作製基板１４上に、感光性を有する材料を用いて、第１の層２４を形成する（図９
（Ａ））。
特に、感光性及び熱硬化性を有する材料を用いることが好ましい。本実施の形態では、感
光性及び熱硬化性を有する材料を用いる例を示す。
本発明の一態様では、感光性を有する材料を用いるため、光を用いたリソグラフィ法によ
り、第１の層２４の一部を除去し、所望の形状の樹脂層２３を形成することができる。
具体的には、材料を成膜した後に溶媒を除去するための熱処理（プリベーク処理ともいう
）を行い、その後フォトマスクを用いて露光を行う。続いて、現像処理を施すことで、不
要な部分を除去することができる。次に、所望の形状に加工された膜を加熱し（ポストベ
ーク処理ともいう）、樹脂層２３を形成する（図９（Ｂ））。図９（Ｂ）では、樹脂層２
３に、作製基板１４に達する開口を設ける例を示す。
ポストベーク処理により、樹脂層２３中の脱ガス成分（例えば、水素、水等）を低減する
ことができる。特に、樹脂層２３上に形成する各層の作製温度と同じ温度またはそれより
も高い温度で加熱することが好ましい。例えば、トランジスタの作製温度が３５０℃まで
である場合、樹脂層２３となる膜を３５０℃以上４５０℃以下で加熱することが好ましく
、３５０℃以上４００℃以下がより好ましく、３５０℃以上３７５℃以下がさらに好まし
い。これにより、トランジスタの作製工程における、樹脂層２３からの脱ガスを大幅に抑
制することができる。
樹脂層２３は、可撓性を有する。作製基板１４は、樹脂層２３よりも可撓性が低い。
樹脂層２３（または第１の層２４）は、感光性のポリイミド樹脂（ｐｈｏｔｏ ｓｅｎｓ
ｉｔｉｖｅ ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ、ＰＳＰＩともいう）を用いて形成されることが好まし
い。
そのほか、樹脂層２３（または第１の層２４）の形成に用いることができる感光性を有す
る材料としては、例えば、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミドア
ミド樹脂、シロキサン樹脂、ベンゾシクロブテン系樹脂、フェノール樹脂等が挙げられる
。
樹脂層２３（または第１の層２４）は、スピンコータを用いて形成することが好ましい。
スピンコート法を用いることで、大判基板に薄い膜を均一に形成することができる。
樹脂層２３（または第１の層２４）は、粘度が５ｃＰ以上５００ｃＰ未満、好ましくは５
ｃＰ以上１００ｃＰ未満、より好ましくは１０ｃＰ以上５０ｃＰ以下の溶液を用いて形成
することが好ましい。溶液の粘度が低いほど、塗布が容易となる。また、溶液の粘度が低
いほど、気泡の混入を抑制でき、良質な膜を形成できる。
樹脂層２３の厚さは、０．０１μｍ以上１０μｍ未満であることが好ましく、０．１μｍ
以上３μｍ以下であることがより好ましく、０．５μｍ以上１μｍ以下であることがさら
に好ましい。低粘度の溶液を用いることで、樹脂層２３を薄く形成することが容易となる
。樹脂層２３を薄く形成することで、低コストで表示装置を作製できる。また、表示装置
の軽量化及び薄型化が可能となる。また、表示装置の可撓性を高めることができる。樹脂
層２３の厚さは、１０μｍ以上としてもよい。例えば、樹脂層２３の厚さを１０μｍ以上
２００μｍ以下としてもよい。樹脂層２３の厚さを１０μｍ以上とすることで、表示装置
の剛性を高めることができるため好適である。
そのほか、樹脂層２３（または第１の層２４）の形成方法としては、ディップ、スプレー
塗布、インクジェット、ディスペンス、スクリーン印刷、オフセット印刷、ドクターナイ
フ、スリットコート、ロールコート、カーテンコート、ナイフコート等が挙げられる。
樹脂層２３の熱膨張係数は、０．１ｐｐｍ／℃以上２０ｐｐｍ／℃以下であることが好ま
しく、０．１ｐｐｍ／℃以上１０ｐｐｍ／℃以下であることがより好ましい。樹脂層２３
の熱膨張係数が低いほど、加熱により、トランジスタ等が破損することを抑制できる。
表示装置の表示面側に樹脂層２３が位置する場合、樹脂層２３は、可視光に対する透光性
が高いことが好ましい。
作製基板１４は、搬送が容易となる程度に剛性を有し、かつ作製工程にかかる温度に対し
て耐熱性を有する。作製基板１４に用いることができる材料としては、例えば、ガラス、
石英、セラミック、サファイヤ、樹脂、半導体、金属または合金などが挙げられる。ガラ
スとしては、例えば、無アルカリガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、アルミノホウケイ
酸ガラス等が挙げられる。
次に、作製基板１４上及び樹脂層２３上に、導電層２１を形成する（図９（Ｃ））。
導電層２１としては、例えば、トランジスタの半導体層に用いることができる酸化物半導
体及びトランジスタの導電層に用いることができる酸化物導電体（欠陥準位または不純物
準位が高められた酸化物半導体を含む）等を適用できる。
導電層２１は、少なくともインジウムまたは亜鉛を含むことが好ましい。特にインジウム
及び亜鉛を含むことが好ましい。また、それらに加えて、アルミニウム、ガリウム、イッ
トリウムまたはスズなどが含まれていることが好ましい。また、ホウ素、シリコン、チタ
ン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネ
オジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、またはマグネシウムなどから選ばれた一
種、または複数種が含まれていてもよい。導電層２１は、例えば少なくともインジウム、
亜鉛及びＭ（アルミニウム、ガリウム、イットリウム、スズ、ホウ素、シリコン、チタン
、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオ
ジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、またはマグネシウム）を含むＩｎ－Ｍ－Ｚ
ｎ系酸化物で表記される膜を含むことが好ましい。特に、Ｉｎ－Ｍ－Ｚｎ系酸化物層（Ｍ
は、Ａｌ、Ｇａ、Ｙ、またはＳｎ）を用いることが好ましく、Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ系酸化物
層を用いることがより好ましい。
本明細書等において、Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ系酸化物とは、ＩｎとＧａとＺｎを主成分として
有する酸化物という意味であり、ＩｎとＧａとＺｎの比率は問わない。また、ＩｎとＧａ
とＺｎ以外の金属元素が入っていてもよい。
導電層２１がＩｎ－Ｍ－Ｚｎ系酸化物の場合、Ｉｎ－Ｍ－Ｚｎ系酸化物を成膜するために
用いるスパッタリングターゲットの金属元素の原子数比は、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：１：１
、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：１：１．２、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：３：２、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１
：３：４、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：３：６、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝２：１：３、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ
＝３：１：２、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝４：２：３、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝４：２：４．１、Ｉｎ：
Ｍ：Ｚｎ＝５：１：６、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：７、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：８等が
好ましい。特に、Ｉｎの割合が高い材料を用いることで、導電層２１のエネルギーギャッ
プを狭くでき、後の光照射工程で、導電層２１に十分に光を吸収させることができる。こ
れにより、剥離の歩留まりを高めることができる。また、Ｉｎの割合が高い材料を用いる
ことで、導電層２１の導電性を高めることができる。なお、成膜される導電層２１の原子
数比はそれぞれ、上記のスパッタリングターゲットに含まれる金属元素の原子数比のプラ
スマイナス４０％の変動を含む。
または、導電層２１として、Ｉｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｓｎ系酸化物（ＩＴＯ）、Ｉｎ－Ｗ系
酸化物、Ｉｎ－Ｗ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｔｉ系酸化物、Ｉｎ－Ｔｉ－Ｓｎ系酸化物、Ｉ
ｎ－Ｚｎ系酸化物、Ｚｎ系酸化物（ＺｎＯ）、Ｇａ－Ｚｎ系酸化物、またはＩｎ－Ｓｎ－
Ｓｉ系酸化物（ＩＴＳＯ）等の酸化物導電層を用いてもよい。
導電層２１は、光を吸収し発熱することにより、酸素を放出する機能を有することが好ま
しい。
導電層２１としては、例えば、それぞれ加熱により酸素が放出される、酸化物導電層及び
酸化物半導体層を用いることができる。
酸化物導電層及び酸化物半導体層は、それぞれ、例えば酸素を含む雰囲気下で、プラズマ
ＣＶＤ法またはスパッタリング法等により成膜することができる。または、成膜後に、酸
素イオンを注入してもよい。特に酸化物半導体層を用いる場合には、酸素を含む雰囲気下
でスパッタリング法により成膜することが好ましい。導電層２１に酸素を含有させるため
、導電層２１の成膜後に酸素を含む雰囲気下で加熱処理をしてもよい。
酸化物半導体は、膜中の酸素欠損、及び膜中の不純物濃度（代表的には水素、水等）のう
ち少なくとも一方によって、抵抗を制御することができる半導体材料である。そのため、
酸化物半導体層へ酸素欠損及び不純物濃度の少なくとも一方が増加する処理、または酸素
欠損及び不純物濃度の少なくとも一方が低減する処理を選択することによって、酸化物半
導体層または酸化物導電層の有する抵抗率を制御することができる。
具体的には、プラズマ処理を用いて、酸化物半導体の抵抗率を制御することができる。例
えば、希ガス（Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅ）、水素、ボロン、リン、及び窒素の中か
ら選ばれた一種以上を含むガスを用いて行うプラズマ処理を適用できる。プラズマ処理は
、例えば、Ａｒ雰囲気下、Ａｒと窒素の混合ガス雰囲気下、Ａｒと水素の混合ガス雰囲気
下、アンモニア雰囲気下、Ａｒとアンモニアの混合ガス雰囲気下、または窒素雰囲気下等
で行うことができる。これにより、酸化物半導体層のキャリア密度を高め、抵抗率を低く
することができる。
または、イオン注入法、イオンドーピング法、もしくはプラズマイマージョンイオンイン
プランテーション法などを用いて、水素、ボロン、リン、または窒素を酸化物半導体層に
注入して、酸化物半導体層の抵抗率を低くすることができる。
または、水素及び窒素のうち少なくとも一方を含む絶縁層を酸化物半導体層に接して形成
し、当該絶縁層から酸化物半導体層に水素及び窒素のうち少なくとも一方を拡散させる方
法を用いることができる。これにより、酸化物半導体層のキャリア密度を高め、抵抗率を
低くすることができる。
例えば、膜中の含有水素濃度が１×１０２２ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上の絶縁層を酸化物半
導体層に接して形成することで、効果的に水素を酸化物半導体層に含有させることができ
る。絶縁層としては、窒化シリコン膜を用いることが好ましい。
酸化物半導体層に含まれる水素は、金属原子と結合する酸素と反応して水になると共に、
酸素が脱離した格子（または酸素が脱離した部分）に酸素欠損を形成する。該酸素欠損に
水素が入ることで、キャリアである電子が生成される場合がある。また、水素の一部が金
属原子と結合する酸素と結合することで、キャリアである電子を生成する場合がある。こ
れにより、酸化物半導体層のキャリア密度を高め、抵抗率を低くすることができる。
表示装置の作製工程で加熱処理を行う場合、酸化物半導体層が加熱されることで、酸化物
半導体層から酸素が放出され、酸素欠損が増えることがある。これにより、酸化物半導体
層の抵抗率を低くすることができる。
また、作製基板から酸化物半導体層を剥離するために、酸化物半導体層にレーザを照射す
ることで、酸化物半導体層から酸素が放出され、酸素欠損が増えることがある。これによ
り、酸化物半導体層の抵抗率を低くすることができる。
なお、このように、酸化物半導体層を用いて形成された酸化物導電層は、キャリア密度が
高く低抵抗な酸化物半導体層、導電性を有する酸化物半導体層、または導電性の高い酸化
物半導体層ということもできる。
導電層２１の厚さは、例えば、１ｎｍ以上２００ｎｍ以下であることが好ましく、５ｎｍ
以上１００ｎｍ以下であることがより好ましい。
導電層２１の形成後に、プラズマ処理等を行い、導電層２１の抵抗率を低下させてもよい
。
なお、以降の工程において加熱処理を行うことで、導電層２１から酸素及び水分のうちの
少なくとも一方が放出されて、酸素欠損が生じ、導電層２１の抵抗率が低下することがあ
る。
以降で説明する、レーザ光を照射する前に行われる各工程では、導電層２１から酸素が放
出されにくい温度で加熱することが好ましい。これにより、レーザ光を照射する前に導電
層２１が剥離される等の不具合を防止し、歩留まりの低下を抑制できる。
導電層２１とトランジスタの半導体層とを同一の金属元素で形成することで、製造コスト
を低減させることができる。例えば、同一の金属組成の金属酸化物ターゲットを用いるこ
とで製造コストを低減させることができる。また、同一の金属組成の金属酸化物ターゲッ
トを用いることによって、酸化物半導体層を加工する際のエッチングガスまたはエッチン
グ液を共通して用いることができる。ただし、導電層２１とトランジスタの半導体層は、
同一の金属元素を有していても、組成が異なる場合がある。例えば、表示装置の作製工程
中に、膜中の金属元素が脱離し、異なる金属組成となる場合がある。
次に、導電層２１上に、絶縁層３０を形成する（図９（Ｄ））。
絶縁層３０は、樹脂層２３の耐熱温度以下の温度で形成する。また、絶縁層３０は、前述
のポストベーク処理における加熱温度と同じ温度またはそれより低い温度で形成すること
が好ましい。
導電層２１として酸化物半導体層を形成した場合、絶縁層３０として、水素及び窒素のう
ち少なくとも一方を含む絶縁層を形成することが好ましい。絶縁層３０から導電層２１に
水素及び窒素のうち少なくとも一方を拡散させることで、導電層２１のキャリア密度を高
め、抵抗率を低くすることができる。
絶縁層３０として、例えば、窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜などを用いることが好
ましい。
絶縁層３０の形成時の温度は、室温（２５℃）以上３５０℃以下が好ましく、１００℃以
上３００℃以下がさらに好ましい。
なお、導電層２１及び絶縁層３１の構成等によっては、絶縁層３０を設けなくてもよい場
合がある。一例としては、導電層２１の抵抗率が十分に低い場合、絶縁層３１と導電層２
１とを接して設けることで導電層２１の抵抗率を下げることができる場合、導電層２１の
抵抗率を下げるための処理（プラズマ処理等）を行う場合等が挙げられる。
次に、絶縁層３０上に、絶縁層３１を形成し、絶縁層３１上にトランジスタ４０を形成す
る（図９（Ｅ））。
絶縁層３１は、樹脂層２３に含まれる不純物が、後に形成するトランジスタ及び表示素子
に拡散することを防ぐバリア層として用いることができる。例えば、絶縁層３１は、樹脂
層２３を加熱した際に、樹脂層２３に含まれる水分等がトランジスタ及び表示素子に拡散
することを防ぐことが好ましい。そのため、絶縁層３１は、バリア性が高いことが好まし
い。
絶縁層３１としては、例えば、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、
窒化酸化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、窒化アルミニウム膜などの無機絶縁膜を用い
ることができる。また、酸化ハフニウム膜、酸化イットリウム膜、酸化ジルコニウム膜、
酸化ガリウム膜、酸化タンタル膜、酸化マグネシウム膜、酸化ランタン膜、酸化セリウム
膜、及び酸化ネオジム膜等を用いてもよい。また、上述の絶縁膜を２以上積層して用いて
もよい。
特に、導電層２１上に、絶縁層３０として窒化シリコン膜を形成し、窒化シリコン膜上に
絶縁層３１として酸化シリコン膜または酸化窒化シリコン膜を形成することが好ましい。
無機絶縁膜は、成膜温度が高いほど緻密でバリア性の高い膜となるため、高温で形成する
ことが好ましい。
絶縁層３１に無機絶縁膜を用いる場合、成膜時の基板温度は、室温以上３５０℃以下が好
ましく、１００℃以上３００℃以下がさらに好ましい。
樹脂層２３の表面に凹凸がある場合、絶縁層３１は当該凹凸を被覆することが好ましい。
絶縁層３１は、当該凹凸を平坦化する平坦化層としての機能を有していてもよい。例えば
、絶縁層３１として、有機絶縁材料と無機絶縁材料を積層して用いることが好ましい。有
機絶縁材料としては、樹脂層２３に用いることができる樹脂が挙げられる。
絶縁層３１に有機絶縁膜を用いる場合、絶縁層３１の形成時に樹脂層２３にかかる温度は
、室温以上３５０℃以下が好ましく、室温以上３００℃以下がさらに好ましい。
作製方法例１では、トランジスタ４０として、酸化物半導体層４４を有する、ボトムゲー
ト構造のトランジスタを作製する場合を示す。
本発明の一態様において、トランジスタの半導体には、酸化物半導体を用いる。シリコン
よりもバンドギャップが広く、且つキャリア密度の小さい半導体材料を用いると、トラン
ジスタのオフ状態における電流を低減できるため好ましい。
トランジスタ４０は、樹脂層２３の耐熱温度以下の温度で形成する。また、トランジスタ
４０は、前述のポストベーク処理における加熱温度と同じ温度またはそれより低い温度で
形成することが好ましい。
具体的には、まず、絶縁層３１上に導電層４１を形成する（図９（Ｅ））。導電層４１は
、導電膜を成膜した後、レジストマスクを形成し、当該導電膜をエッチングした後にレジ
ストマスクを除去することで形成できる。
導電膜の成膜時の基板温度は、室温以上３５０℃以下が好ましく、室温以上３００℃以下
がさらに好ましい。
表示装置が有する導電層には、それぞれ、アルミニウム、チタン、クロム、ニッケル、銅
、イットリウム、ジルコニウム、モリブデン、銀、タンタル、もしくはタングステン等の
金属、またはこれを主成分とする合金を単層構造または積層構造として用いることができ
る。または、Ｉｎ系酸化物、ＩＴＯ、Ｉｎ－Ｗ系酸化物、Ｉｎ－Ｗ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ
－Ｔｉ系酸化物、Ｉｎ－Ｔｉ－Ｓｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｚｎ系酸化物、ＺｎＯ、Ｇａ－Ｚｎ
系酸化物、またはＩＴＳＯ等の透光性を有する導電性材料を用いてもよい。また、不純物
元素を含有させる等して低抵抗化させた、多結晶シリコンもしくは酸化物半導体等の半導
体、またはニッケルシリサイド等のシリサイドを用いてもよい。また、グラフェンを含む
膜を用いることもできる。グラフェンを含む膜は、例えば膜状に形成された酸化グラフェ
ンを含む膜を還元して形成することができる。また、不純物元素を含有させた酸化物半導
体等の半導体を用いてもよい。または、銀、カーボン、もしくは銅等の導電性ペースト、
またはポリチオフェン等の導電性ポリマーを用いて形成してもよい。導電性ペーストは、
安価であり、好ましい。導電性ポリマーは、塗布しやすく、好ましい。
続いて、絶縁層３２を形成する（図９（Ｅ））。絶縁層３２は、絶縁層３１に用いること
のできる無機絶縁膜を援用できる。
続いて、酸化物半導体層４４を形成する（図９（Ｅ））。酸化物半導体層４４は、酸化物
半導体膜を成膜した後、レジストマスクを形成し、当該酸化物半導体膜をエッチングした
後にレジストマスクを除去することで形成できる。
酸化物半導体膜の成膜時の基板温度は、３５０℃以下が好ましく、室温以上２００℃以下
がより好ましく、室温以上１３０℃以下がさらに好ましい。
また、酸化物半導体膜は、不活性ガス及び酸素ガスのいずれか一方又は双方を用いて成膜
することができる。なお、酸化物半導体膜の成膜時における酸素の流量比（酸素分圧）に
、特に限定はない。ただし、電界効果移動度が高いトランジスタを得る場合においては、
酸化物半導体膜の成膜時における酸素の流量比（酸素分圧）は、０％以上３０％以下が好
ましく、５％以上３０％以下がより好ましく、７％以上１５％以下がさらに好ましい。
酸化物半導体膜は、少なくともインジウムまたは亜鉛を含むことが好ましい。特にインジ
ウム及び亜鉛を含むことが好ましい。また、それらに加えて、アルミニウム、ガリウム、
イットリウムまたはスズなどが含まれていることが好ましい。また、ホウ素、シリコン、
チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム
、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、またはマグネシウムなどから選ばれ
た一種、または複数種が含まれていてもよい。酸化物半導体膜は、例えば少なくともイン
ジウム、亜鉛及びＭ（アルミニウム、ガリウム、イットリウム、スズ、ホウ素、シリコン
、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウ
ム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、またはマグネシウム）を含むＩｎ
－Ｍ－Ｚｎ系酸化物で表記される膜を含むことが好ましい。特に、Ｉｎ－Ｍ－Ｚｎ系酸化
物層（Ｍは、Ａｌ、Ｇａ、Ｙ、またはＳｎ）を用いることが好ましく、Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ
系酸化物層を用いることがより好ましい。
また、半導体層と導電層は、上記酸化物のうち同一の金属元素を有していてもよい。半導
体層と導電層を同一の金属元素とすることで、製造コストを低減させることができる。例
えば、同一の金属組成の金属酸化物ターゲットを用いることで、製造コストを低減させる
ことができる。また半導体層と導電層を加工する際のエッチングガスまたはエッチング液
を共通して用いることができる。ただし、半導体層と導電層は、同一の金属元素を有して
いても、組成が異なる場合がある。例えば、トランジスタ及び容量素子の作製工程中に、
膜中の金属元素が脱離し、異なる金属組成となる場合がある。
酸化物半導体のエネルギーギャップは、２ｅＶ以上であると好ましく、２．５ｅＶ以上で
あるとより好ましく、３ｅＶ以上であるとさらに好ましい。このように、エネルギーギャ
ップの広い酸化物半導体を用いることで、トランジスタのオフ電流を低減することができ
る。
酸化物半導体がＩｎ－Ｍ－Ｚｎ系酸化物の場合、Ｉｎ－Ｍ－Ｚｎ系酸化物を成膜するため
に用いるスパッタリングターゲットの金属元素の原子数比は、Ｉｎ≧Ｍ、Ｚｎ≧Ｍを満た
すことが好ましい。このようなスパッタリングターゲットの金属元素の原子数比として、
Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：１：１、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：１：１．２、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝３：
１：２、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝４：２：３、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝４：２：４．１、Ｉｎ：Ｍ：Ｚ
ｎ＝５：１：６、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：７、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：８等が好まし
い。なお、成膜される半導体層の原子数比はそれぞれ、上記のスパッタリングターゲット
に含まれる金属元素の原子数比のプラスマイナス４０％の変動を含む。
酸化物半導体膜は、スパッタリング法により形成することができる。そのほか、例えばＰ
ＬＤ法、ＰＥＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、ＡＬＤ法、真空蒸着法などを用いてもよい。
続いて、導電層４３ａ、導電層４３ｂ、及び導電層４３ｃを形成する（図９（Ｅ））。導
電層４３ａ、導電層４３ｂ、及び導電層４３ｃは、導電膜を成膜した後、レジストマスク
を形成し、当該導電膜をエッチングした後にレジストマスクを除去することにより形成で
きる。導電層４３ａ及び導電層４３ｂは、それぞれ、酸化物半導体層４４と接続される。
なお、導電層４３ａ及び導電層４３ｂの加工の際に、レジストマスクに覆われていない酸
化物半導体層４４の一部がエッチングにより薄膜化する場合がある。
導電膜の成膜時の基板温度は、室温以上３５０℃以下が好ましく、室温以上３００℃以下
がさらに好ましい。
以上のようにして、トランジスタ４０を作製できる（図９（Ｅ））。トランジスタ４０に
おいて、導電層４１の一部はゲートとして機能し、絶縁層３２の一部はゲート絶縁層とし
て機能し、導電層４３ａ及び導電層４３ｂは、それぞれソースまたはドレインのいずれか
一方として機能する。
次に、トランジスタ４０を覆う絶縁層３３を形成する（図１０（Ａ））。絶縁層３３は、
絶縁層３１と同様の方法により形成することができる。
また、絶縁層３３として、酸素を含む雰囲気下で上述のような低温で成膜した酸化シリコ
ン膜や酸化窒化シリコン膜等の酸化物絶縁膜を用いることが好ましい。さらに、当該酸化
シリコン膜や酸化窒化シリコン膜上に窒化シリコン膜などの酸素を拡散、透過しにくい絶
縁膜を積層することが好ましい。酸素を含む雰囲気下で、低温で形成した酸化物絶縁膜は
、加熱により多くの酸素を放出しやすい絶縁膜とすることができる。このような酸素を放
出する酸化物絶縁膜と、酸素を拡散、透過しにくい絶縁膜を積層した状態で、加熱処理を
行うことにより、酸化物半導体層４４に酸素を供給することができる。その結果、酸化物
半導体層４４中の酸素欠損、及び酸化物半導体層４４と絶縁層３３の界面の欠陥を修復し
、欠陥準位を低減することができる。これにより、極めて信頼性の高いフレキシブルデバ
イスを実現できる。
以上の工程により、樹脂層２３上に導電層２１、絶縁層３０、絶縁層３１、トランジスタ
４０、及び絶縁層３３を形成することができる（図１０（Ａ））。
この段階において、後述する方法を用いて作製基板１４とトランジスタ４０とを分離する
ことで、表示素子を有さないフレキシブルデバイスを作製することができる。例えば、ト
ランジスタ４０や、トランジスタ４０に加えて容量素子、抵抗素子、及び配線などを形成
し、後述する方法を用いて作製基板１４とトランジスタ４０とを分離することで、半導体
回路を有するフレキシブルデバイスを作製することができる。
次に、絶縁層３３上に絶縁層３４を形成する（図１０（Ａ））。絶縁層３４は、後に形成
する表示素子の被形成面を有する層であるため、平坦化層として機能することが好ましい
。絶縁層３４は、絶縁層３１に用いることのできる有機絶縁膜または無機絶縁膜を援用で
きる。
絶縁層３４は、樹脂層２３の耐熱温度以下の温度で形成する。また、前述のポストベーク
処理における加熱温度と同じ温度またはそれより低い温度で形成することが好ましい。
絶縁層３４に有機絶縁膜を用いる場合、絶縁層３４の形成時に樹脂層２３にかかる温度は
、室温以上３５０℃以下が好ましく、室温以上３００℃以下がさらに好ましい。
絶縁層３４に無機絶縁膜を用いる場合、成膜時の基板温度は、室温以上３５０℃以下が好
ましく、１００℃以上３００℃以下がさらに好ましい。
次に、絶縁層３４及び絶縁層３３に、導電層４３ｂ及び導電層４３ｃ等に達する開口を形
成する。
その後、導電層６１を形成する（図１０（Ｂ））。導電層６１は、その一部が表示素子６
０の画素電極として機能する。導電層６１は、導電膜を成膜した後、レジストマスクを形
成し、当該導電膜をエッチングした後にレジストマスクを除去することにより形成できる
。
導電層６１は、樹脂層２３の耐熱温度以下の温度で形成する。また、導電層６１は、前述
のポストベーク処理における加熱温度と同じ温度またはそれより低い温度で形成すること
が好ましい。
導電膜の成膜時の基板温度は、室温以上３５０℃以下が好ましく、室温以上３００℃以下
がさらに好ましい。
次に、導電層６１の端部を覆う絶縁層３５を形成する（図１０（Ｂ））。絶縁層３５は、
絶縁層３１に用いることのできる有機絶縁膜または無機絶縁膜を援用できる。
絶縁層３５は、樹脂層２３の耐熱温度以下の温度で形成する。また、絶縁層３５は、前述
のポストベーク処理における加熱温度と同じ温度またはそれより低い温度で形成すること
が好ましい。
絶縁層３５に有機絶縁膜を用いる場合、絶縁層３５の形成時に樹脂層２３にかかる温度は
、室温以上３５０℃以下が好ましく、室温以上３００℃以下がさらに好ましい。
絶縁層３５に無機絶縁膜を用いる場合、成膜時の基板温度は、室温以上３５０℃以下が好
ましく、１００℃以上３００℃以下がさらに好ましい。
次に、ＥＬ層６２及び導電層６３を形成する（図１０（Ｃ））。導電層６３は、その一部
が表示素子６０の共通電極として機能する。
ＥＬ層６２は、蒸着法、塗布法、印刷法、吐出法などの方法で形成することができる。Ｅ
Ｌ層６２を画素毎に作り分ける場合、メタルマスクなどの遮蔽マスクを用いた蒸着法、ま
たはインクジェット法等により形成することができる。ＥＬ層６２を画素毎に作り分けな
い場合には、メタルマスクを用いない蒸着法を用いることができる。
ＥＬ層６２には、低分子系化合物及び高分子系化合物のいずれを用いることもでき、無機
化合物を含んでいてもよい。
導電層６３は、蒸着法やスパッタリング法等を用いて形成することができる。
ＥＬ層６２及び導電層６３は、それぞれ、樹脂層２３の耐熱温度以下の温度で形成する。
また、ＥＬ層６２及び導電層６３は、それぞれ、前述のポストベーク処理における加熱温
度と同じ温度またはそれより低い温度で形成することが好ましい。導電層６３は、ＥＬ層
６２の耐熱温度以下の温度で形成する。
具体的には、ＥＬ層６２及び導電層６３の形成時の温度は、それぞれ、室温以上３５０℃
以下で形成することが好ましく、室温以上３００℃以下で形成することがさらに好ましい
。
以上のようにして、表示素子６０を形成することができる（図１０（Ｃ））。表示素子６
０は、一部が画素電極として機能する導電層６１、ＥＬ層６２、及び一部が共通電極とし
て機能する導電層６３が積層された構成を有する。
ここでは、表示素子６０として、トップエミッション型の発光素子を作製する例を示した
が、本発明の一態様はこれに限られない。
発光素子は、トップエミッション型、ボトムエミッション型、デュアルエミッション型の
いずれであってもよい。光を取り出す側の電極には、可視光を透過する導電膜を用いる。
また、光を取り出さない側の電極には、可視光を反射する導電膜を用いることが好ましい
。
次に、導電層６３を覆って絶縁層７４を形成する（図１０（Ｄ））。絶縁層７４は、表示
素子６０に水などの不純物が拡散することを抑制する保護層として機能する。表示素子６
０は、絶縁層７４によって封止される。
絶縁層７４は、樹脂層２３の耐熱温度以下の温度かつ表示素子６０の耐熱温度以下の温度
で形成する。また、絶縁層７４は、前述のポストベーク処理における加熱温度と同じ温度
またはそれより低い温度で形成することが好ましい。
絶縁層７４は、例えば、上述した絶縁層３１に用いることのできるバリア性の高い無機絶
縁膜が含まれる構成とすることが好ましい。また、無機絶縁膜と有機絶縁膜を積層して用
いてもよい。
次に、絶縁層７４上に保護層７５を形成する（図１１（Ａ））。保護層７５は、表示装置
の最表面に位置する層として用いることができる。保護層７５は、可視光に対する透過性
が高いことが好ましい。
保護層７５として、上述した絶縁層３１に用いることのできる有機絶縁膜を用いると、表
示装置の表面に傷がつくことや、クラックが生じてしまうことを抑制できるため好ましい
。
図１１（Ｂ）、（Ｃ）には、接着層７５ｂを用いて絶縁層７４上に基板７５ａを貼り合わ
せた例を示す。
後の工程で導電層４３ｃを簡便に露出させるため、または導電層４３ｃを露出させる工程
を削減するために、導電層４３ｃと重なる位置を避けて、保護層７５、基板７５ａ、及び
接着層７５ｂ等を配置することが好ましい。図１１（Ｂ）では、基板７５ａが、導電層４
３ｃと重なる部分に開口を有する例を示す。図１１（Ｃ）では、基板７５ａ及び接着層７
５ｂが、導電層４３ｃと重ならない例を示す。
接着層７５ｂには、紫外線硬化型等の光硬化型接着剤、反応硬化型接着剤、熱硬化型接着
剤、嫌気型接着剤等の各種硬化型接着剤を用いることができる。また、接着シート等を用
いてもよい。
基板７５ａには、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタ
レート（ＰＥＮ）等のポリエステル樹脂、ポリアクリロニトリル樹脂、アクリル樹脂、ポ
リイミド樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリカーボネート（ＰＣ）樹脂、ポリエ
ーテルスルホン（ＰＥＳ）樹脂、ポリアミド樹脂（ナイロン、アラミド等）、ポリシロキ
サン樹脂、シクロオレフィン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリウレ
タン樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリ塩化ビニリデン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリテ
トラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）樹脂、ＡＢＳ樹脂、セルロースナノファイバー等を用
いることができる。基板７５ａには、可撓性を有する程度の厚さのガラス、石英、樹脂、
金属、合金、半導体等の各種材料を用いてもよい。
次に、作製基板１４を介して樹脂層２３及び導電層２１にレーザ光６５を照射する（図１
２（Ａ））。レーザ光６５は、例えば、図１２（Ａ）においては、左側から右側に走査さ
れる線状レーザビームで、その長軸は、その走査方向及びその入射方向（下から上）に垂
直である。
樹脂層２３及び導電層２１（主に、樹脂層２３の開口と重なる部分）は、レーザ光６５を
吸収する。
レーザ光６５の照射により、樹脂層２３は脆弱化される。または、レーザ光６５の照射に
より、樹脂層２３と作製基板１４の密着性が低下する。
レーザ光６５の照射により、導電層２１は脆弱化される。または、レーザ光６５の照射に
より、導電層２１と作製基板１４との密着性が低下する。
また、レーザ光６５の照射により、導電層２１が加熱され、導電層２１から酸素が放出さ
れることがある。このとき放出される酸素は、例えば、ガス状となって放出される。放出
されたガスは導電層２１と作製基板１４の界面近傍に留まり、これらを引き剥がす力が生
じる。その結果、導電層２１と作製基板１４の密着性が低下し、容易に剥離可能な状態と
することができる。
また、導電層２１から放出される酸素の一部が、導電層２１中に留まる場合もある。その
ため、導電層２１が脆弱化し、導電層２１の内部で分離しやすい状態となる場合がある。
レーザ光６５としては、少なくともその一部が作製基板１４を透過し、かつ樹脂層２３及
び導電層２１に吸収される波長の光を選択して用いる。レーザ光６５は、可視光線から紫
外線の波長領域の光であることが好ましい。例えば波長が２００ｎｍ以上４００ｎｍ以下
の光、好ましくは波長が２５０ｎｍ以上３５０ｎｍ以下の光を用いることができる。特に
、波長３０８ｎｍのエキシマレーザを用いると、生産性に優れるため好ましい。エキシマ
レーザは、ＬＴＰＳにおけるレーザ結晶化にも用いるため、既存のＬＴＰＳ製造ラインの
装置を流用することができ、新たな設備投資を必要としないため好ましい。また、Ｎｄ：
ＹＡＧレーザの第三高調波である波長３５５ｎｍのＵＶレーザなどの固体ＵＶレーザ（半
導体ＵＶレーザともいう）を用いてもよい。固体レーザはガスを用いないため、エキシマ
レーザに比べて、ランニングコストを約１／３にでき、好ましい。また、ピコ秒レーザ等
のパルスレーザーを用いてもよい。
レーザ光６５として、線状のレーザ光を用いる場合には、作製基板１４と光源とを相対的
に移動させることでレーザ光６５を走査し、剥離したい領域に亘ってレーザ光６５を照射
する。
なお、導電層２１にレーザ光６５が照射されることで、導電層２１から酸素及び水分のう
ちの少なくとも一方が放出されて、酸素欠損が生じ、導電層２１の抵抗率が低下すること
がある。
次に、作製基板１４とトランジスタ４０とを分離する（図１２（Ｂ１）または図１２（Ｂ
２））。
分離面は、導電層２１、樹脂層２３、及び作製基板１４等の各層の材料及び形成方法、並
びに、光照射の条件等によって、様々な位置となり得る。
図１２（Ｂ１）では、作製基板１４と導電層２１との界面及び作製基板１４と樹脂層２３
との界面で分離が生じる例を示す。分離により、樹脂層２３及び導電層２１が露出する。
図１２（Ｂ２）では、樹脂層２３中及び導電層２１中で分離が生じる例を示す。作製基板
１４上には樹脂層の一部（樹脂層２３ｇ）及び導電層の一部（導電層２１ｇ）が残存する
。絶縁層３０側に残存する樹脂層２３及び導電層２１は図１２（Ａ）に比べて薄膜化され
ている。
例えば、樹脂層２３及び導電層２１に垂直方向に引っ張る力をかけることにより、作製基
板１４を剥離することができる。具体的には、保護層７５の上面の一部を吸着し、上方に
引っ張ることにより、作製基板１４を引き剥がすことができる。
作製基板１４と樹脂層２３との間に、刃物などの鋭利な形状の器具を差し込むことで分離
の起点を形成することが好ましい。
分離工程では、機械的な力が作製基板１４にかかることで、樹脂層２３に摩擦による静電
気が生じることがある。樹脂層２３は絶縁性が高いため、導電層２１が無い場合、例えば
、樹脂層２３におけるトランジスタ４０の直下の部分に局所的に多くの電荷が蓄積すると
、その部分とトランジスタ４０の間の絶縁性が破壊され、トランジスタ４０がダメージを
受けることがある。この現象は、特に、樹脂層２３が薄い場合に顕著となる。一方、本発
明の一態様では、トランジスタ４０と樹脂層２３の間に導電層２１が存在するため、樹脂
層２３に蓄積された電荷は導電層２１を介して拡散し、直接、トランジスタ４０にダメー
ジを与えることはない。このように、導電層２１は、何らかの理由によって、樹脂層２３
に電荷が局所的に蓄積すること、及び、蓄積された電荷がトランジスタ等の回路にダメー
ジを与えることを、防止する効果を奏する。なお、この工程に際して、分離面に水等の導
電性を有する液体を与えることも電荷の蓄積を防止する上で効果がある。
作製基板１４とトランジスタ４０とを分離することにより、表示装置を作製することがで
きる。図１２（Ｂ１）に示す界面で分離が生じた場合に作製できる表示装置を、図１（Ｃ
）に示す。
図１（Ｃ）に示すように、分離により露出した樹脂層２３の表面に、接着層２８を用いて
基板２９を貼り合わせてもよい。なお、基板２９及び接着層２８は、導電層２１が露出し
ている部分と重ならないように配置する。基板２９は、フレキシブルデバイスの支持基板
として機能することができる。
基板２９には、基板７５ａに用いることができる材料を適用することができる。
保護層７５の導電層４３ｃと重なる部分を、レーザ光の照射または切削加工等により除去
することで、導電層４３ｃを露出させることができる。そして、接続体７６を介して、導
電層４３ｃとＦＰＣ７７を電気的に接続する。これにより、導電層４３ｃとＦＰＣ７７と
を電気的に接続することができる。
以上の工程により、トランジスタに酸化物半導体が適用され、ＥＬ素子に塗り分け方式が
適用された表示装置を作製することができる（図１（Ｃ））。
［作製方法例２］
作製方法例２では、図１（Ｃ）に示す表示装置を作製する場合を説明する。作製方法例２
では、作製方法例１と異なり、作製基板１４に導電層２１が接しない場合を説明する。な
お、作製方法例１と同様の部分については説明を省略することがある。
作製方法例２では、作製基板１４と導電層２１との界面で分離を行わないため、導電層２
１に酸化物導電体及び酸化物半導体以外の材料を適用することができる。つまり、導電層
２１は、様々な導電性材料を用いて形成することができる。
まず、作製基板１４上に、感光性を有する材料を用いて、第１の層２４を形成し（図１３
（Ａ））、第１の層２４を用いて、凹部を有する樹脂層２３を形成する（図１３（Ｂ））
。
具体的には、材料を成膜した後にプリベーク処理を行い、その後フォトマスクを用いて露
光を行う。続いて、現像処理を施すことで、不要な部分を除去することができる。次に、
所望の形状に加工された膜を加熱し（ポストベーク処理ともいう）、樹脂層２３を形成す
る。露光の際に、樹脂層２３に開口を設ける条件よりも露光量を減らすことで、凹部を有
する樹脂層２３を形成することができる。例えば、樹脂層２３に開口を形成する露光条件
よりも、露光時間を短くする、光の強度を弱める、光の焦点をずらすなどの方法が挙げら
れる。
樹脂層２３に開口と凹部の両方を形成する場合には、ハーフトーンマスクもしくはグレー
トーンマスクを用いた露光技術、または２以上のフォトマスクを用いた多重露光技術を用
いることが好ましい。
次に、作製方法例１と同様に、樹脂層２３上に、導電層２１から保護層７５までを順に形
成する（図１３（Ｃ））。
導電層２１としては、作製方法例１で例示した、酸化物半導体及び酸化物導電体に加えて
、各種導電性材料を適用できる。例えば、トランジスタの電極及び配線等に用いることが
できる導電性材料を適用できる。具体的には、アルミニウム、チタン、クロム、ニッケル
、銅、イットリウム、ジルコニウム、モリブデン、銀、タンタル、もしくはタングステン
等の金属、またはこれを主成分とする合金を単層構造または積層構造として用いることが
できる。また、不純物元素を含有させる等して低抵抗化させた、多結晶シリコンもしくは
酸化物半導体等の半導体、またはニッケルシリサイド等のシリサイドを用いてもよい。ま
た、グラフェンを含む膜を用いることもできる。または、銀、カーボン、もしくは銅等の
導電性ペースト、またはポリチオフェン等の導電性ポリマーを用いて形成してもよい。
次に、作製基板１４を介して樹脂層２３にレーザ光６５を照射する（図１３（Ｄ））。
樹脂層２３は、レーザ光６５を吸収する。
レーザ光６５の照射により、樹脂層２３は脆弱化される。または、レーザ光６５の照射に
より、樹脂層２３と作製基板１４の密着性が低下する。
次に、作製基板１４とトランジスタ４０とを分離する（図１４（Ａ）、図１４（Ｂ）、ま
たは図１４（Ｃ））。
図１４（Ａ）では、作製基板１４と樹脂層２３との界面で分離が生じる例を示す。分離に
より、樹脂層２３が露出する。作製基板１４側には、樹脂層２３が残存しない。
図１４（Ｂ）では、樹脂層２３中で分離が生じる例を示す。作製基板１４上には樹脂層の
一部（樹脂層２３ａ）が残存する。導電層２１側に残存する樹脂層２３は図１３（Ｄ）に
比べて薄膜化されている。
図１４（Ｃ）では、樹脂層２３中、及び、樹脂層２３の凹部と導電層２１との界面で分離
が生じる例を示す。作製基板１４上には樹脂層の一部（樹脂層２３ａ）が残存する。絶縁
層３１側に残存する樹脂層２３は図１３（Ｄ）に比べて薄膜化されている。
図１４（Ａ）、（Ｂ）に示すように、樹脂層２３が残存し、導電層２１が露出していない
場合は、残存する樹脂層２３の少なくとも一部を除去することで、導電層２１を露出させ
る。樹脂層２３は、例えば、酸素を含む雰囲気下でのプラズマ処理（アッシング処理）に
より除去することができる。
その後、作製方法例１と同様に、樹脂層２３の表面に接着層２８を用いて基板２９を貼り
合わせてもよい。また、保護層７５の導電層４３ｃと重なる部分を、レーザ光の照射また
は切削加工等により除去することで、導電層４３ｃを露出させる。そして、接続体７６を
介して、導電層４３ｃとＦＰＣ７７を電気的に接続する。
以上により、図１（Ｃ）に示す表示装置を作製することができる。
［作製方法例３］
作製方法例３では、図３（Ｂ）に示す表示装置を作製する場合を説明する。作製方法例３
では、作製方法例２と同様に、作製基板１４に導電層２１が接しない場合を説明する。作
製方法例３では、作製方法例１、２と異なり、樹脂層２３に開口及び凹部を設けない場合
を説明する。なお、作製方法例１、２と同様の部分については説明を省略することがある
。
作製方法例３では、作製基板１４と導電層２１との界面で分離を行わないため、導電層２
１に酸化物導電体及び酸化物半導体以外の材料を適用することができる。つまり、導電層
２１は、様々な導電性材料を用いて形成することができる。
まず、作製基板１４上に、感光性を有する材料を用いて、第１の層２４を形成し（図１５
（Ａ））、第１の層２４を硬化させることで、樹脂層２３を形成する（図１５（Ｂ））。
次に、作製方法例１と同様に、樹脂層２３上に、導電層２１から保護層７５までを順に形
成する（図１５（Ｃ））。
導電層２１としては、作製方法例１で例示した酸化物半導体及び酸化物導電体、並びに、
作製方法例２で例示した導電性材料を適用できる。
次に、作製基板１４を介して樹脂層２３にレーザ光６５を照射する（図１５（Ｄ））。
樹脂層２３は、レーザ光６５を吸収する。
レーザ光６５の照射により、樹脂層２３は脆弱化される。または、レーザ光６５の照射に
より、樹脂層２３と作製基板１４の密着性が低下する。
次に、作製基板１４とトランジスタ４０とを分離する（図１６（Ａ））。
図１６（Ａ）では、作製基板１４と樹脂層２３との界面で分離が生じる例を示す。分離に
より、樹脂層２３が露出する。作製基板１４側には、樹脂層２３が残存しない。
次に、樹脂層２３を除去することで、導電層２１を露出させる（図１６（Ｂ））。樹脂層
２３は、例えば、エッチング等により除去することができる。
その後、導電層２１の表面に接着層２８を用いて基板２９を貼り合わせてもよい（図１６
（Ｃ））。なお、導電層２１の少なくとも一部を露出させておくことで、後に、導電層２
１と接続配線１９とを接続させることができる。これにより、接続配線１９から導電層２
１に定電位を供給することができる。
また、作製方法例１と同様に、保護層７５の導電層４３ｃと重なる部分を、レーザ光の照
射または切削加工等により除去することで、導電層４３ｃを露出させる。そして、接続体
７６を介して、導電層４３ｃとＦＰＣ７７を電気的に接続する（図３（Ｂ））。
以上により、図３（Ｂ）に示す表示装置を作製することができる。
［作製方法例４］
作製方法例４では、図６（Ｂ）に示す表示装置を作製する場合を説明する。なお、作製方
法例１～３と同様の部分については、説明を省略することがある。
まず、作製基板１４上に、感光性を有する材料を用いて、第１の層２４を形成する（図１
７（Ａ））。そして、作製方法例１と同様に、フォトリソグラフィ法を用いて、作製基板
１４に達する開口を有する樹脂層２３を形成する（図１７（Ｂ））。
次に、作製基板１４上及び樹脂層２３上に、導電層２１ａ及び導電層２１ｂを形成する（
図１７（Ｃ））。導電層２１ａと導電層２１ｂとは互いに電気的に絶縁される。
導電層２１ａ及び導電層２１ｂは、作製方法例１で例示した導電層２１に適用することが
できる材料を用いて形成することができる。
導電層２１ａ及び導電層２１ｂは、導電膜を成膜した後、レジストマスクを形成し、当該
導電膜をエッチングした後にレジストマスクを除去することで形成できる。
次に、樹脂層２３上、導電層２１ａ上、及び導電層２１ｂ上に、絶縁層３０を形成する（
図１７（Ｃ））。
次に、絶縁層３０上に、絶縁層３１を形成し、絶縁層３１上にトランジスタ８０を形成す
る（図１７（Ｄ）、図１７（Ｅ）、図１８（Ａ））。
ここではトランジスタ８０として、酸化物半導体層８３とトップゲートを有するトランジ
スタを作製する場合を示す。
トランジスタ８０は、樹脂層２３の耐熱温度以下の温度で形成する。また、前述のポスト
ベーク処理における加熱温度と同じ温度またはそれより低い温度で形成することが好まし
い。
具体的には、まず、絶縁層３１上に酸化物半導体層８３を形成する（図１７（Ｄ））。酸
化物半導体層８３は、酸化物半導体膜を成膜した後、レジストマスクを形成し、当該酸化
物半導体膜をエッチングした後にレジストマスクを除去することで形成できる。酸化物半
導体層８３は、酸化物半導体層４４に用いることのできる材料を援用できる。
続いて、絶縁層８４及び導電層８５を形成する（図１７（Ｄ））。絶縁層８４は、絶縁層
３１に用いることのできる無機絶縁膜を援用できる。絶縁層８４及び導電層８５は、絶縁
層８４となる絶縁膜と、導電層８５となる導電膜とを成膜した後、レジストマスクを形成
し、当該絶縁膜及び当該導電膜をエッチングした後にレジストマスクを除去することによ
り形成できる。
次に、酸化物半導体層８３、絶縁層８４、及び導電層８５を覆う絶縁層３３を形成する。
絶縁層３３は、絶縁層３１と同様の方法により形成することができる。
絶縁層３０、絶縁層３１、及び絶縁層３３に開口を設け、導電層２１ｂを露出させる（図
１７（Ｅ））。ここでは、絶縁層３０、絶縁層３１、及び絶縁層３３に、一括で開口を形
成する例を示す。絶縁層３０、絶縁層３１、及び絶縁層３３には、それぞれ別の工程で開
口を形成してもよい。また、２以上の絶縁層に同時に開口を形成してもよい。例えば、酸
化物半導体層８３を形成する前に、絶縁層３０及び絶縁層３１に開口を形成してもよい。
例えば、絶縁層３３に、酸化物半導体層８３に達する開口を形成する工程で、導電層２１
ｂに達する開口を形成してもよい。
続いて、導電層８６ａ、導電層８６ｂ、及び導電層８６ｃを形成する（図１８（Ａ））。
導電層８６ａ、導電層８６ｂ、及び導電層８６ｃは、導電膜を成膜した後、レジストマス
クを形成し、当該導電膜をエッチングした後にレジストマスクを除去することにより形成
できる。導電層８６ａ及び導電層８６ｂは、それぞれ、絶縁層３３の開口を介して酸化物
半導体層８３と電気的に接続される。導電層８６ｃは、絶縁層３０、絶縁層３１、及び絶
縁層３３にそれぞれ設けられた開口を介して導電層２１ｂと接続される。
以上のようにして、トランジスタ８０を作製できる（図１８（Ａ））。トランジスタ８０
において、絶縁層８４の一部はゲート絶縁層として機能し、導電層８５の一部はゲートと
して機能する。酸化物半導体層８３はチャネル領域と低抵抗領域とを有する。チャネル領
域は絶縁層８４を介して導電層８５と重なる。低抵抗領域は導電層８６ａと接続される部
分と、導電層８６ｂと接続される部分と、を有する。
次に、絶縁層３３上に絶縁層３４から表示素子６０までを形成する（図１８（Ｂ））。こ
れらの工程は作製方法例１を参照できる。
また、作製基板９１上に、感光性を有する材料を用いて、樹脂層９３を形成する（図１８
（Ｃ））。
樹脂層９３は、可撓性を有する。作製基板９１は、樹脂層９３よりも可撓性が低い。作製
基板９１上に樹脂層９３を形成することで、樹脂層９３の搬送を容易にすることができる
。
樹脂層９３には、ポリイミド樹脂を用いることが好ましい。そのほか、樹脂層９３の材料
及び形成方法については、樹脂層２３の記載を援用できる。
樹脂層９３の厚さは、０．０１μｍ以上１０μｍ未満であることが好ましく、０．１μｍ
以上３μｍ以下であることがより好ましく、０．５μｍ以上１μｍ以下であることがさら
に好ましい。低粘度の溶液を用いることで、樹脂層９３を薄く形成することが容易となる
。樹脂層９３の厚さは、１０μｍ以上としてもよい。
表示装置の表示面側に樹脂層９３が位置する場合、樹脂層９３は、可視光に対する透光性
が高いことが好ましい。
作製基板９１については、作製基板１４の記載を援用できる。
次に、樹脂層９３上に絶縁層９５を形成する。次に、絶縁層９５上に、着色層９７及び遮
光層９８を形成する（図１８（Ｃ））。
絶縁層９５については、絶縁層３１の記載を援用できる。
着色層９７として、カラーフィルタ等を用いることができる。着色層９７は表示素子６０
の表示領域と重なるように配置する。
遮光層９８として、ブラックマトリクス等を用いることができる。遮光層９８は、絶縁層
３５と重なるように配置する。
次に、作製基板１４のトランジスタ８０等が形成されている面と、作製基板９１の樹脂層
９３等が形成されている面とを、接着層９９を用いて貼り合わせる（図１９（Ａ））。
次に、作製基板９１を介して樹脂層９３にレーザ光６５を照射する（図１９（Ｂ））。作
製基板１４と作製基板９１はどちらを先に分離してもよい。ここでは、作製基板１４より
も先に作製基板９１を分離する例を示す。
レーザ光６５の照射により、樹脂層９３は脆弱化される。または、レーザ光６５の照射に
より、樹脂層９３と作製基板９１の密着性が低下する。
次に、作製基板９１と絶縁層９５とを分離する（図２０（Ａ））。図２０（Ａ）では、作
製基板９１と樹脂層９３の界面で分離が生じる例を示す。
なお、樹脂層９３中で分離が生じる場合もある。そのとき、作製基板９１上には樹脂層の
一部が残存し、絶縁層９５側に残存する樹脂層９３は図１９（Ｂ）に比べて薄膜化される
。
そして、露出した樹脂層９３（または絶縁層９５）と基板２２とを接着層１３を用いて貼
り合わせる（図２０（Ｂ））。
図２０（Ｂ）において、表示素子６０の発光は、着色層９７及び樹脂層９３を通して、表
示装置の外部に取り出される。そのため、樹脂層９３の可視光の透過率は高いことが好ま
しい。本発明の一態様を適用することで、樹脂層９３の厚さを薄くすることができる。そ
のため、樹脂層９３の可視光の透過率を高めることができる。
また、樹脂層９３を除去し、接着層１３を用いて絶縁層９５に基板２２を貼り合わせても
よい。
接着層１３には、接着層７５ｂに用いることができる材料を適用できる。
基板２２には、基板７５ａに用いることができる材料を適用できる。
次に、作製基板１４を介して樹脂層２３、導電層２１ａ、及び導電層２１ｂにレーザ光６
５を照射する（図２１（Ａ））。
レーザ光６５の照射により、樹脂層２３は脆弱化される。または、レーザ光６５の照射に
より、樹脂層２３と作製基板１４の密着性が低下する。
レーザ光６５の照射により、導電層２１ａ及び導電層２１ｂは脆弱化される。または、レ
ーザ光６５の照射により、導電層２１ａと作製基板１４との密着性、及び、導電層２１ｂ
と作製基板１４との密着性が低下する。
次に、作製基板１４とトランジスタ８０とを分離する（図２１（Ｂ））。
図２１（Ｂ）では、作製基板１４と導電層２１ａとの界面、作製基板１４と導電層２１ｂ
との界面、及び作製基板１４と樹脂層２３との界面で分離が生じる例を示す。分離により
、樹脂層２３、導電層２１ａ、及び導電層２１ｂが露出する。
その後、作製方法例１と同様に、樹脂層２３の表面に接着層２８を用いて基板２９を貼り
合わせてもよい（図６（Ｂ））。また、接続体７６を介して、導電層２１ａ及び導電層２
１ｂと、ＦＰＣ７７が有する接続配線と、を電気的に接続する。導電層２１ａと導電層２
１ｂとは、それぞれ異なる接続配線と電気的に接続される。そのため、導電層２１ａと導
電層２１ｂは電気的に絶縁される。
以上により、図６（Ｂ）に示す表示装置を作製することができる。
作製方法例４は、作製基板の分離を２回行ってフレキシブルデバイスを作製する例である
。本発明の一態様では、フレキシブルデバイスを構成する機能素子等は、全て作製基板上
で形成するため、精細度の高い表示装置を作製する場合においても、可撓性を有する基板
には、高い位置合わせ精度が要求されない。よって、簡便に可撓性を有する基板を貼り付
けることができる。
本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
（実施の形態３）
本実施の形態では、本発明の一態様を用いて作製することができる表示モジュール及び電
子機器について、図２２及び図２３を用いて説明する。
図２２に示す表示モジュール８０００は、上部カバー８００１と下部カバー８００２との
間に、ＦＰＣ８００３に接続されたタッチパネル８００４、ＦＰＣ８００５に接続された
表示パネル８００６、フレーム８００９、プリント基板８０１０、及びバッテリ８０１１
を有する。
本発明の一態様の表示装置は、例えば、表示パネル８００６に用いることができる。
表示パネル８００６には、接続配線８０１６が接続されている。接続配線８０１６は、表
示パネル８００６が有する導電層（実施の形態１に示した導電層２１及び導電層２１ａに
相当）に定電位を供給する機能を有する。接続配線８０１６は、表示モジュール８０００
のＧＮＤラインに接続されることが好ましい。接続配線８０１６は、フレーム８００９に
接続されていてもよい。
上部カバー８００１及び下部カバー８００２は、タッチパネル８００４及び表示パネル８
００６のサイズに合わせて、形状や寸法を適宜変更することができる。
タッチパネル８００４としては、抵抗膜方式または静電容量方式のタッチパネルを表示パ
ネル８００６に重畳して用いることができる。また、タッチパネル８００４を設けず、表
示パネル８００６に、タッチパネル機能を持たせるようにすることも可能である。
フレーム８００９は、表示パネル８００６の保護機能を有する。フレーム８００９は、プ
リント基板８０１０の動作により発生する電磁波を遮断するための電磁シールドとしての
機能を有していてもよい。フレーム８００９は、放熱板としての機能を有していてもよい
。
プリント基板８０１０は、電源回路、ビデオ信号及びクロック信号を出力するための信号
処理回路を有する。電源回路に電力を供給する電源としては、外部の商用電源であっても
よいし、別途設けたバッテリ８０１１による電源であってもよい。バッテリ８０１１は、
商用電源を用いる場合には、省略可能である。
表示モジュール８０００は、さらに、偏光板、位相差板、プリズムシートなどの部材を有
していてもよい。
本発明の一態様により、曲面を有し、信頼性の高い電子機器を作製できる。また、本発明
の一態様により、可撓性を有し、信頼性の高い電子機器を作製できる。
電子機器としては、例えば、テレビジョン装置、デスクトップ型もしくはノート型のパー
ソナルコンピュータ、コンピュータ用などのモニタ、デジタルカメラ、デジタルビデオカ
メラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生
装置、パチンコ機などの大型ゲーム機などが挙げられる。
本発明の一態様の電子機器は、家屋もしくはビルの内壁もしくは外壁、または、自動車の
内装もしくは外装の曲面に沿って組み込むことができる。
本発明の一態様の電子機器は、二次電池を有していてもよく、非接触電力伝送を用いて、
二次電池を充電することができると好ましい。
二次電池としては、例えば、ゲル状電解質を用いるリチウムポリマー電池（リチウムイオ
ンポリマー電池）等のリチウムイオン二次電池、ニッケル水素電池、ニカド電池、有機ラ
ジカル電池、鉛蓄電池、空気二次電池、ニッケル亜鉛電池、銀亜鉛電池などが挙げられる
。
本発明の一態様の電子機器は、アンテナを有していてもよい。アンテナで信号を受信する
ことで、表示部で映像や情報等の表示を行うことができる。また、電子機器がアンテナ及
び二次電池を有する場合、アンテナを非接触電力伝送に用いてもよい。
本発明の一態様の電子機器は、センサ（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数
、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、
放射線、流量、湿度、傾度、振動、においまたは赤外線を測定する機能を含むもの）を有
していてもよい。
本発明の一態様の電子機器は、様々な機能を有することができる。例えば、様々な情報（
静止画、動画、テキスト画像など）を表示部に表示する機能、タッチパネル機能、カレン
ダー、日付または時刻などを表示する機能、様々なソフトウェア（プログラム）を実行す
る機能、無線通信機能、記録媒体に記録されているプログラムまたはデータを読み出す機
能等を有することができる。
さらに、複数の表示部を有する電子機器においては、一つの表示部を主として画像情報を
表示し、別の一つの表示部を主として文字情報を表示する機能、または複数の表示部に視
差を考慮した画像を表示することで立体的な画像を表示する機能等を有することができる
。さらに、受像部を有する電子機器においては、静止画または動画を撮影する機能、撮影
した画像を自動または手動で補正する機能、撮影した画像を記録媒体（外部または電子機
器に内蔵）に保存する機能、撮影した画像を表示部に表示する機能等を有することができ
る。なお、本発明の一態様の電子機器が有する機能はこれらに限定されず、様々な機能を
有することができる。
図２３（Ａ）～（Ｃ）に、湾曲した表示部７０００を有する電子機器の一例を示す。表示
部７０００はその表示面が湾曲して設けられ、湾曲した表示面に沿って表示を行うことが
できる。なお、表示部７０００は可撓性を有していてもよい。
表示部７０００は、本発明の一態様の表示装置を用いて作製される。本発明の一態様によ
り、湾曲した表示部を備え、且つ信頼性の高い電子機器を提供できる。
図２３（Ａ）に携帯電話機の一例を示す。図２３（Ａ）に示す携帯電話機７１１０は、筐
体７１０１、表示部７０００、操作ボタン７１０３、外部接続ポート７１０４、スピーカ
７１０５、マイク７１０６、カメラ７１０７等を有する。
携帯電話機７１１０は、表示部７０００にタッチセンサを備える。電話を掛ける、或いは
文字を入力するなどのあらゆる操作は、指やスタイラスなどで表示部７０００に触れるこ
とで行うことができる。
また、操作ボタン７１０３の操作により、電源のＯＮ、ＯＦＦ動作や、表示部７０００に
表示される画像の種類を切り替えることができる。例えば、メール作成画面から、メイン
メニュー画面に切り替えることができる。
また、携帯電話機内部に、ジャイロセンサまたは加速度センサ等の検出装置を設けること
で、携帯電話機の向き（縦か横か）を判断して、表示部７０００の画面表示の向きを自動
的に切り替えるようにすることができる。また、画面表示の向きの切り替えは、表示部７
０００を触れること、操作ボタン７１０３の操作、またはマイク７１０６を用いた音声入
力等により行うこともできる。
図２３（Ｂ）に携帯情報端末の一例を示す。図２３（Ｂ）に示す携帯情報端末７２１０は
、筐体７２０１及び表示部７０００を有する。さらに、操作ボタン、外部接続ポート、ス
ピーカ、マイク、アンテナ、カメラ、またはバッテリ等を有していてもよい。表示部７０
００にはタッチセンサを備える。携帯情報端末の操作は、指やスタイラスなどで表示部７
０００に触れることで行うことができる。
本実施の形態で例示する携帯情報端末は、例えば、電話機、手帳または情報閲覧装置等か
ら選ばれた一つまたは複数の機能を有する。具体的には、スマートフォンとして用いるこ
とができる。本実施の形態で例示する携帯情報端末は、例えば、移動電話、電子メール、
文章閲覧及び作成、音楽再生、インターネット通信、コンピュータゲームなどの種々のア
プリケーションを実行することができる。
携帯情報端末７２１０は、文字及び画像情報等をその複数の面に表示することができる。
例えば、３つの操作ボタン７２０２を一の面に表示し、矩形で示す情報７２０３を他の面
に表示することができる。図２３（Ｂ）では、携帯情報端末７２１０の上面に操作ボタン
７２０２が表示され、携帯情報端末７２１０の側面に情報７２０３が表示される例を示す
。なお、例えば携帯情報端末７２１０の側面に操作ボタン７２０２を表示し、例えば携帯
情報端末７２１０の上面に情報７２０３を表示してもよい。また、携帯情報端末７２１０
の３面以上に情報を表示してもよい。
情報７２０３の例としては、ＳＮＳ（ソーシャル・ネットワーキング・サービス）の通知
、電子メールや電話などの着信を知らせる表示、電子メールなどの題名もしくは送信者名
、日時、時刻、バッテリの残量、アンテナ受信の強度などがある。または、情報７２０３
が表示されている位置に、情報の代わりに、操作ボタン、アイコンなどを表示してもよい
。
図２３（Ｃ）にテレビジョン装置の一例を示す。テレビジョン装置７３００は、筐体７３
０１に表示部７０００が組み込まれている。ここでは、スタンド７３０３により筐体７３
０１を支持した構成を示している。
図２３（Ｃ）に示すテレビジョン装置７３００の操作は、筐体７３０１が備える操作スイ
ッチや、別体のリモコン操作機７３１１により行うことができる。または、表示部７００
０にタッチセンサを備えていてもよく、指等で表示部７０００に触れることで操作しても
よい。リモコン操作機７３１１は、当該リモコン操作機７３１１から出力する情報を表示
する表示部を有していてもよい。リモコン操作機７３１１が備える操作キーまたはタッチ
パネルにより、チャンネル及び音量の操作を行うことができ、表示部７０００に表示され
る映像を操作することができる。
なお、テレビジョン装置７３００は、受信機及びモデムなどを備えた構成とする。受信機
により一般のテレビ放送の受信を行うことができる。また、モデムを介して有線または無
線による通信ネットワークに接続することにより、一方向（送信者から受信者）または双
方向（送信者と受信者間、あるいは受信者間同士など）の情報通信を行うことも可能であ
る。
図２３（Ｄ）～（Ｆ）に、可撓性を有し、曲げることのできる表示部７００１を有する携
帯情報端末の一例を示す。
表示部７００１は、本発明の一態様の表示装置等を用いて作製される。例えば、曲率半径
０．０１ｍｍ以上１５０ｍｍ以下で曲げることができる表示装置等を適用できる。また、
表示部７００１はタッチセンサを備えていてもよく、指等で表示部７００１に触れること
で携帯情報端末を操作することができる。本発明の一態様により、可撓性を有する表示部
を備え、且つ信頼性の高い電子機器を提供できる。
図２３（Ｄ）に腕時計型の携帯情報端末の一例を示す。携帯情報端末７８００は、バンド
７８０１、表示部７００１、入出力端子７８０２、操作ボタン７８０３等を有する。バン
ド７８０１は、筐体としての機能を有する。また、携帯情報端末７８００は、可撓性を有
するバッテリ７８０５を搭載することができる。バッテリ７８０５は例えば表示部７００
１またはバンド７８０１等と重ねて配置してもよい。
バンド７８０１、表示部７００１、及びバッテリ７８０５は可撓性を有する。そのため、
携帯情報端末７８００を所望の形状に湾曲させることが容易である。
操作ボタン７８０３は、時刻設定のほか、電源のオン、オフ動作、無線通信のオン、オフ
動作、マナーモードの実行及び解除、省電力モードの実行及び解除など、様々な機能を持
たせることができる。例えば、携帯情報端末７８００に組み込まれたオペレーティングシ
ステムにより、操作ボタン７８０３の機能を自由に設定することもできる。
また、表示部７００１に表示されたアイコン７８０４に指等で触れることで、アプリケー
ションを起動することができる。
また、携帯情報端末７８００は、通信規格に準拠した近距離無線通信を実行することが可
能である。例えば無線通信可能なヘッドセットと相互通信することによって、ハンズフリ
ーで通話することもできる。
また、携帯情報端末７８００は入出力端子７８０２を有していてもよい。入出力端子７８
０２を有する場合、他の情報端末とコネクタを介して直接データのやりとりを行うことが
できる。また入出力端子７８０２を介して充電を行うこともできる。なお、本実施の形態
で例示する携帯情報端末の充電動作は、入出力端子を介さずに非接触電力伝送により行っ
てもよい。
図２３（Ｅ）、（Ｆ）に、折りたたみ可能な携帯情報端末の一例を示す。図２３（Ｅ）で
は、表示部７００１が内側になるように折りたたんだ状態、図２３（Ｆ）では、表示部７
００１が外側になるように折りたたんだ状態の携帯情報端末７６５０を示す。携帯情報端
末７６５０は表示部７００１及び非表示部７６５１を有する。携帯情報端末７６５０を使
用しない際に、表示部７００１が内側になるように折りたたむことで、表示部７００１の
汚れ及び傷つきを抑制できる。なお、図２３（Ｅ）、（Ｆ）では携帯情報端末７６５０を
２つ折りにした構成を示しているが、携帯情報端末７６５０は３つ折りにしてもよいし、
４つ折り以上にしてもよい。また、携帯情報端末７６５０は、操作ボタン、外部接続ポー
ト、スピーカ、マイク、アンテナ、カメラ、またはバッテリ等を有していてもよい。
本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
１３ 接着層
１４ 作製基板
１９ 接続配線
２１ 導電層
２１ａ 導電層
２１ｂ 導電層
２１ｇ 導電層
２２ 基板
２３ 樹脂層
２３ａ 樹脂層
２３ｇ 樹脂層
２４ 第１の層
２５ 樹脂層
２６ 絶縁層
２８ 接着層
２９ 基板
３０ 絶縁層
３１ 絶縁層
３２ 絶縁層
３３ 絶縁層
３４ 絶縁層
３５ 絶縁層
４０ トランジスタ
４１ 導電層
４３ａ 導電層
４３ｂ 導電層
４３ｃ 導電層
４４ 酸化物半導体層
４５ 導電層
５０ トランジスタ
６０ 表示素子
６１ 導電層
６２ ＥＬ層
６３ 導電層
６５ レーザ光
７４ 絶縁層
７５ 保護層
７５ａ 基板
７５ｂ 接着層
７６ 接続体
７６ａ 接続体
７６ｂ 接続体
７７ ＦＰＣ
７７ａ ＦＰＣ
７７ｂ ＦＰＣ
８０ トランジスタ
８１ 導電層
８２ 絶縁層
８３ 酸化物半導体層
８４ 絶縁層
８５ 導電層
８６ａ 導電層
８６ｂ 導電層
８６ｃ 導電層
８６ｄ 導電層
９１ 作製基板
９３ 樹脂層
９５ 絶縁層
９７ 着色層
９８ 遮光層
９９ 接着層
３８１ 表示部
３８２ 駆動回路部
３８３ 接続部
３８４ 接続部
７０００ 表示部
７００１ 表示部
７１０１ 筐体
７１０３ 操作ボタン
７１０４ 外部接続ポート
７１０５ スピーカ
７１０６ マイク
７１０７ カメラ
７１１０ 携帯電話機
７２０１ 筐体
７２０２ 操作ボタン
７２０３ 情報
７２１０ 携帯情報端末
７３００ テレビジョン装置
７３０１ 筐体
７３０３ スタンド
７３１１ リモコン操作機
７６５０ 携帯情報端末
７６５１ 非表示部
７８００ 携帯情報端末
７８０１ バンド
７８０２ 入出力端子
７８０３ 操作ボタン
７８０４ アイコン
７８０５ バッテリ
８０００ 表示モジュール
８００１ 上部カバー
８００２ 下部カバー
８００３ ＦＰＣ
８００４ タッチパネル
８００５ ＦＰＣ
８００６ 表示パネル
８００９ フレーム
８０１０ プリント基板
８０１１ バッテリ
８０１６ 接続配線

Claims (1)

  1. 第１の樹脂フィルムと、第２の樹脂フィルムと、樹脂層と、第１の導電層と、第１の絶縁層と、ゲート電極、ソース電極、ドレイン電極および半導体層を含むトランジスタと、第２の絶縁層と、画素電極を含む発光素子と、第２の導電層と、第１の接続体と、第１のＦＰＣと、第３の導電層と、第２の接続体と、第２のＦＰＣと、を有し、
    前記第２の樹脂フィルムは、前記第１の樹脂フィルムに対向するように設けられ、
    前記樹脂層は、前記第１の樹脂フィルム上に設けられ、
    前記第１の導電層は、前記樹脂層上に設けられ、
    前記第１の絶縁層は、前記第１の導電層上に設けられ、
    前記トランジスタは、前記第１の絶縁層上に設けられ、
    前記第２の絶縁層は、前記ゲート電極上に設けられ、
    前記ソース電極、前記ドレイン電極および前記第２の導電層は、前記第２の絶縁層上に接して設けられ、
    前記ソース電極、前記ドレイン電極および前記第２の導電層は、同一の材料を有し、
    前記ソース電極および前記ドレイン電極は、前記第２の絶縁層に設けられた開口において前記半導体層と電気的に接続し、
    前記第２の導電層は、前記第２の絶縁層および前記第１の絶縁層に設けられた開口において前記第１の導電層に接して設けられ、
    前記画素電極は、前記ソース電極または前記ドレイン電極に接して設けられ、
    前記第２の樹脂フィルムは、前記発光素子上に設けられ、
    前記第１のＦＰＣは、前記第２の樹脂フィルム上に設けられ、
    前記第１のＦＰＣは、前記第２の樹脂フィルムに設けられた開口において、前記第１の接続体を介して、前記第２の導電層と電気的に接続し、
    前記トランジスタおよび前記発光素子は、それぞれ、前記第１の導電層と電気的に絶縁され、
    前記トランジスタおよび前記発光素子は、それぞれ、前記第１の導電層を介して前記第１の樹脂フィルムと重なり、
    前記第１の導電層には、前記第１のＦＰＣより定電位が供給され、
    前記第１の導電層及び前記第３の導電層は、同一の材料を有し、
    前記第３の導電層は、前記樹脂層上および前記樹脂層の開口に設けられ、
    前記第２のＦＰＣは、前記第１の樹脂フィルムに設けられた開口において、前記第２の接続体と電気的に接続され、
    前記第２の接続体は、前記樹脂層の開口に設けられた前記第３の導電層と電気的に接続される、表示装置。
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