WO2023119981A1 - 表示素子、及び電子機器 - Google Patents

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WO2023119981A1
WO2023119981A1 PCT/JP2022/042855 JP2022042855W WO2023119981A1 WO 2023119981 A1 WO2023119981 A1 WO 2023119981A1 JP 2022042855 W JP2022042855 W JP 2022042855W WO 2023119981 A1 WO2023119981 A1 WO 2023119981A1
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substrate
integrated circuit
display element
driving integrated
conductive structure
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PCT/JP2022/042855
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哲理 青柳
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ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社
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    • G09FDISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
    • G09F9/00Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00Electroluminescent light sources
    • H05B33/02Details
    • H05B33/06Electrode terminals
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00Electroluminescent light sources
    • H05B33/12Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/14Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of the electroluminescent material, or by the simultaneous addition of the electroluminescent material in or onto the light source
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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    • H05K1/11Printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
    • HELECTRICITY
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    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
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    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00

Definitions

  • the present disclosure relates to display elements and electronic devices.
  • a known display element includes a substrate having a light-emitting element on a base substrate, and further includes a driving integrated circuit and a flexible substrate (FPC; flexible integrated circuit) on the same surface of the substrate. ing.
  • the area of the substrate is required to be large enough to secure an area for providing the driving integrated circuit and the flexible substrate in addition to the area for providing the light emitting element. Therefore, the display element has room for improvement in terms of reducing the area of the substrate provided with the light emitting element.
  • the electro-optical device described in Patent Document 1 includes an electro-optical panel in which a plurality of EL elements are arranged, an IC element connected to the electro-optical panel and having an internal circuit for driving or controlling the EL elements, and an IC.
  • the FPC is provided with wiring that is mounted and electrically connected to the circuit inside the IC element.
  • An IC element in an electro-optical device has first terminal pads connected to wiring on the FPC and second terminal pads connected to wiring on the electro-optical panel.
  • the electro-optical device disclosed in Patent Document 1 dimensional accuracy is required for the first terminal pad and the second terminal pad. Furthermore, in order to stabilize the state in which the FPC and the IC element are pressure-bonded to the electro-optical panel using the anisotropic conductive film, it is required to consider the difference in elastic modulus between the FPC and the IC element. As described above, the electro-optical device disclosed in Patent Document 1 has room for improvement in terms of improving the stability of connection of the IC element to both the electro-optical panel and the FPC.
  • the present disclosure has been made in view of the above points, and provides a display capable of realizing a small area of a substrate provided with a light emitting element and improving the stability of connection of a driving integrated circuit to the substrate and the flexible substrate.
  • An object is to provide an electronic device using an element and a display element.
  • the present disclosure includes, for example, (1) a substrate having a light-emitting surface provided with light-emitting elements; a driving integrated circuit having a driving circuit for controlling driving of the light emitting element; a flexible substrate; the driving integrated circuit is provided on one side of the substrate; wherein the flexible substrate is provided on a surface of the driving integrated circuit that does not face the substrate; It is a display element.
  • the present disclosure provides (2) a substrate provided with a light emitting element and having a light emitting surface; a driving integrated circuit having a driving circuit for controlling driving of the light emitting element; a flexible substrate; the driving integrated circuit is provided on one side of the substrate; The flexible substrate is provided on a surface of the substrate opposite to the light emitting surface, It is a display element.
  • the present disclosure provides (3) a substrate provided with a light emitting element and having a light emitting surface; a driving integrated circuit having a driving circuit for controlling driving of the light emitting element; a conductive connection member that relays electrical connection with the outside, the driving integrated circuit is provided on one side of the substrate; wherein the conductive connecting member is provided on a surface of the driving integrated circuit that is not facing the substrate; A display element may be used.
  • the present disclosure may be, for example, (4) an electronic device including the display device described in (1) above.
  • FIG. 1 is an exploded perspective view for explaining an example of a display device according to a first embodiment
  • FIG. FIG. 2 is a cross-sectional view for explaining an example of the display device according to the first embodiment
  • 3 is a cross-sectional view for explaining an example of a drive circuit in an example of the display device according to the first embodiment
  • FIG. FIG. 4 is a cross-sectional view for explaining an example of the display device according to the second embodiment.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view for explaining an example of the display device according to the third embodiment.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view for explaining an example of the display device according to the fourth embodiment.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view for explaining an example of the display device according to the fifth embodiment.
  • FIG. 8 is a cross-sectional view for explaining an example of a display device according to a modification of the fifth embodiment
  • FIG. 9 is a plan view for explaining an example of the display device according to the sixth embodiment.
  • 10A and 10B are diagrams for explaining an example of an electronic device using a display device.
  • FIG. 11 is a diagram for explaining an example of an electronic device using a display device.
  • FIG. 12 is a diagram for explaining an example of an electronic device using a display device.
  • the Z-axis direction is the vertical direction (the upper side is the +Z direction and the lower side is the -Z direction)
  • the X-axis direction is the front-back direction (the front side is the +X direction and the rear side is the -X direction)
  • the Y-axis direction. is the left-right direction (the right side is the +Y direction and the left side is the -Y direction).
  • FIG. 1 The relative magnitude ratio of the size and thickness of each layer shown in each drawing such as FIG. 1 is described for convenience, and does not limit the actual magnitude ratio.
  • the directions and size ratios are the same for each of FIGS. 2 to 9.
  • FIG. 1 The relative magnitude ratio of the size and thickness of each layer shown in each drawing such as FIG. 1 is described for convenience, and does not limit the actual magnitude ratio.
  • the directions and size ratios are the same for each of FIGS. 2 to 9.
  • Examples of display elements according to the present disclosure include display modules and lighting modules. In the following first to sixth embodiments, the case where the display element is a display module will be described.
  • the light-emitting elements provided in the display area described later are not particularly limited, and LEDs (Light Emitting Diodes) and OLEDs (Organic Light Emitting Diodes) can be exemplified.
  • LEDs Light Emitting Diodes
  • OLED Organic Light Emitting Diodes
  • the case where the light emitting element is an OLED will be described as an example.
  • OLED may be referred to as an organic EL (Electroluminescence) element.
  • a display element having an OLED as a light emitting element is sometimes called an organic EL display element.
  • FIG. 1 is an exploded perspective view showing one configuration example of the display element 10.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view for explaining the display element.
  • the display element 10 includes a substrate 11 provided with a light emitting element 104 and having a light emitting surface D as shown in FIGS.
  • a light emitting region 10A and an outer region 10B are defined on the light emitting surface D side.
  • the light emitting region 10A is defined as a region from which light emitted from the plurality of light emitting elements 104 is emitted to the outside.
  • the outer region 10B is defined as a region outside the light emitting region 10A on the light emitting surface D side of the substrate 11 .
  • the light emitting region 10A is formed as a rectangular region, and the region defined as the rectangular annular region outside the light emitting region 10A is the outer region 10B.
  • the position of the outer edge of the light emitting region 10A is the position of the inner peripheral edge of the outer region 10B, and the light emitting region 10A and the outer region 10B are in contact with each other.
  • the light-emitting surface D indicates a surface of the substrate 11 from which light emitted from the light-emitting element 104 in the display element 10 is extracted to the outside.
  • the top emission method indicates a method in which the light emitting element 104 is arranged closer to the light emitting surface D than the base substrate 11A. Therefore, in the display element 10, the base substrate 11A is located on the back surface side of the display element 10, and the direction (+Z direction) from the base substrate 11A toward the light emitting element 104 described later is the surface side (upper surface side) direction of the display element 10. ing. In the display element 10, light emitted from the light emitting element 104 is directed in the +Z direction and emitted to the outside.
  • the surface that is the display surface side in the display area (light emitting area 10A) of the display element 10 is referred to as a first surface (upper surface), and the back surface side of the display element 10 is called a second surface (lower surface). Note that this does not prohibit the case where the display element 10 according to the present disclosure is of the bottom emission type.
  • the display element 10 can also be applied with a bottom emission method. In the bottom emission method, light emitted from the light emitting element 104 is directed in the -Z direction and emitted to the outside.
  • one pixel is formed by combining a plurality of sub-pixels corresponding to a plurality of color types.
  • three colors of red, green, and blue are defined as a plurality of color types, and three types of sub-pixels, sub-pixel 101R, sub-pixel 101G, and sub-pixel 101B, are provided.
  • a sub-pixel 101R, a sub-pixel 101G, and a sub-pixel 101B are a red sub-pixel, a green sub-pixel, and a blue sub-pixel, respectively, and display red, green, and blue, respectively.
  • FIG. 1 Structure of sub-pixel
  • the wavelengths of light corresponding to each color of red, green, and blue can be defined as wavelengths in the ranges of 610 nm to 650 nm, 510 nm to 590 nm, and 440 nm to 480 nm, respectively.
  • the layout of the individual sub-pixels 101R, 101G, and 101B for example, a layout in which combinations of sub-pixels 101 formed in stripes are arranged in a matrix can be cited. In the example of FIG. 1, sub-pixels 101R, 101G, and 101B are two-dimensionally provided within the light emitting region 10A.
  • sub-pixel 101 is used when the sub-pixels 101R, 101G, and 101B are not particularly distinguished.
  • the substrate 11 (hereinafter sometimes referred to as a main substrate) includes a circuit board 15 having a circuit layer 12 for driving a plurality of light emitting elements 104 on a base substrate 11A, and a plurality of light emitting elements 104 on the circuit board 15.
  • a circuit layer 12 formed on a circuit board 15 forming a main substrate has a circuit structure 13 forming a circuit and an insulating layer 14 .
  • Examples of circuits formed by the circuit structure 13 include a control circuit for controlling driving of the light emitting elements 104 and a power supply circuit for supplying power to the plurality of light emitting elements 104 (none of which is shown).
  • the circuit structure 13 is illustrated as one layer inclusively.
  • the circuit board 15 forming the board 11 as the main board corresponds to a so-called backplane. This is the same for FIGS. 4 to 9 as well.
  • the base substrate 11A may be made of, for example, glass or resin having low moisture and oxygen permeability, or may be made of a semiconductor that facilitates formation of transistors and the like.
  • the base substrate 11A may be a glass substrate, a semiconductor substrate, a resin substrate, or the like.
  • the glass substrate includes, for example, high strain point glass, soda glass, borosilicate glass, forsterite, lead glass, quartz glass, or the like.
  • Semiconductor substrates include, for example, amorphous silicon, polycrystalline silicon, monocrystalline silicon, or the like.
  • the resin substrate contains, for example, at least one selected from the group consisting of polymethyl methacrylate, polyvinyl alcohol, polyvinyl phenol, polyethersulfone, polyimide, polycarbonate, polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, and the like.
  • a plurality of contact plugs 17 for connecting the light emitting elements 104 and the circuits provided in the circuit structure 13 of the circuit layer 12 are provided on the first surface of the base substrate 11A.
  • An insulating layer 14 is formed around the circuit structure 13 and the contact plugs 17 formed on the base substrate 11A.
  • the insulating layer 14 is made of, for example, an organic material or an inorganic material.
  • the organic material includes, for example, at least one of polyimide and acrylic resin.
  • the inorganic material includes, for example, at least one of silicon oxide, silicon nitride, silicon oxynitride, and aluminum oxide.
  • the contact plug 17 can be formed, for example, as a portion in which a conductive structure is formed in a hole formed in the insulating layer 14 .
  • the contact plug 17 electrically connects the light emitting element 104 and the circuit structure 13 .
  • the conductive structure includes both a case where a layer of a conductive material is formed on the inner peripheral surface of the hole and a case where the inside of the hole is filled with a conductive material.
  • the conductive material the same conductive material as that for forming the through hole 115A that becomes the first conductive structure 115, which will be described later, can be used.
  • the contact plug 17 is formed for each pixel for convenience of explanation, but the contact plug 17 is preferably formed for each sub-pixel 101 .
  • the display element 10 a plurality of light emitting elements 104 are provided on the first surface side of the substrate 11 .
  • the light emitting element 104 is an organic electroluminescence element (organic EL element, OLED element).
  • organic EL element organic electroluminescence element
  • a plurality of light emitting elements 104 are formed for each pixel for convenience of explanation. , provided for each sub-pixel.
  • the plurality of light emitting elements 104 are two-dimensionally arranged in a prescribed arrangement pattern such as a matrix, for example.
  • the light emitting element 104 includes a first electrode, an organic layer, and a second electrode (not shown).
  • the first electrode, the organic layer and the second electrode are laminated in this order from the base substrate 11A side in the direction from the second surface to the first surface.
  • first electrode A plurality of first electrodes are provided on the first surface side of the base substrate 11A.
  • the first electrode is electrically connected to contact plug 17 (not shown).
  • a first electrode is connected for each sub-pixel 101 .
  • the first electrode is electrically isolated for each sub-pixel 101 by an insulating layer, which will be described later.
  • the first electrode is the anode electrode.
  • the first electrode is composed of at least one of a metal layer and a metal oxide layer.
  • the first electrode may be composed of a single layer film of a metal layer or a metal oxide layer, or a laminated film of a metal layer and a metal oxide layer.
  • the metal layer is, for example, chromium (Cr), gold (Au), platinum (Pt), nickel (Ni), copper (Cu), molybdenum (Mo), titanium (Ti), tantalum (Ta), aluminum (Al). , magnesium (Mg), iron (Fe), tungsten (W) and silver (Ag).
  • the metal layer may contain the at least one metal element as a constituent element of an alloy. Specific examples of alloys include aluminum alloys and silver alloys. Specific examples of aluminum alloys include AlNd and AlCu.
  • the metal oxide layer contains, for example, at least one of a mixture of indium oxide and tin oxide (ITO), a mixture of indium oxide and zinc oxide (IZO), and titanium oxide (TiO).
  • ITO indium oxide and tin oxide
  • IZO indium oxide and zinc oxide
  • TiO titanium oxide
  • the organic layer is provided between the first electrode and the second electrode.
  • the organic layer may be provided as a layer common to the subpixels 101, or may be provided as an independent layer for each of the subpixels 101R, 101G, and 101B.
  • an organic layer that emits red light, an organic layer that emits blue light, an organic layer that emits green light, or the like may be employed according to the sub-pixels 101R, 101G, and 101B.
  • an organic layer that emits white light may be employed as the organic layer.
  • the organic layer has, for example, a structure in which a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, and an electron transport layer are laminated in this order from the first electrode toward the second electrode.
  • An electron injection layer may be provided between the electron transport layer and the second electrode.
  • the electron injection layer is for enhancing electron injection efficiency. Note that the structure of the organic layer is not limited to this, and layers other than the light-emitting layer are provided as necessary.
  • the hole injection layer serves to increase the efficiency of hole injection into the light-emitting layer and also serves as a buffer layer for suppressing leakage.
  • the hole-transporting layer is for increasing the efficiency of transporting holes to the light-emitting layer.
  • the electron transport layer is for enhancing electron transport efficiency to the light emitting layer.
  • the light-emitting layer generates light by recombination of electrons and holes when an electric field is applied.
  • the light-emitting layer is an organic light-emitting layer containing an organic light-emitting material.
  • the second electrode is provided to face the first electrode.
  • the second electrode may be provided for each subpixel 101 or may be provided as a common electrode for a plurality of subpixels 101 .
  • the second electrode is the cathode electrode.
  • the second electrode is preferably a transparent electrode that is transparent to light generated in the organic layer.
  • the transparent electrode referred to here includes one formed of a transparent conductive layer and one formed of a laminated structure having a transparent conductive layer and a transflective layer.
  • the transparent conductive layer can be made of, for example, metal oxide.
  • the material for the transparent conductive layer is at least one of a mixture of indium oxide and tin oxide (ITO), a mixture of indium oxide and zinc oxide (IZO), and zinc oxide (ZnO). Those containing seeds can be exemplified.
  • the transflective layer can be formed of, for example, a metal layer.
  • the material of the transflective layer is at least one metal element selected from the group consisting of magnesium (Mg), aluminum (Al), silver (Ag), gold (Au) and copper (Cu). What is included can be exemplified.
  • the metal layer may contain the at least one metal element as a constituent element of an alloy. Specific examples of alloys include MgAg alloys and AgPdCu alloys.
  • protective layer 18 is formed to cover the first surface of light emitting element 104 .
  • the protective layer 18 shields the light-emitting element 104 from the outside air and suppresses moisture from entering the light-emitting element 104 from the external environment.
  • the protective layer 18 is made of an insulating material.
  • the insulating material for example, a thermosetting resin can be used.
  • the insulating material may be SiO, SiON, AlO, TiO, or the like.
  • a CVD film containing SiO, SiON, etc. an ALD film containing AlO, TiO, SiO, etc. can be exemplified.
  • a CVD film indicates a film formed using a chemical vapor deposition method.
  • ALD film refers to a film formed using atomic layer deposition.
  • the protective layer 18, the insulating layer formed between the adjacent first electrodes, and the layer filling the space between the color filter 16 and the opposing substrate 19 are formed as an integral layer structure. described. That is, in FIG. 2, the protective layer 18 is also formed on the second surface side of the light emitting element 104 and is illustrated as being formed between the color filter 16 and the counter substrate 19 as well.
  • the light emitting element 104 may be provided with a color filter 16 as necessary.
  • color filters 16 corresponding to the color types of the sub-pixels 101 are provided.
  • a red filter 16R is provided as the color filter 16 in the sub-pixel 101R.
  • a green filter 16G is provided as the color filter 16 in the sub-pixel 101G.
  • a blue filter 16B is provided as the color filter 16 in the sub-pixel 101B.
  • a lens or the like may be provided.
  • a layer structure similar to that of the protective layer 18 may be formed between the color filter 16 and the counter substrate 19 as well.
  • a counter substrate 19 may be provided on the first surface side of the light emitting element 104 as shown in the examples of FIGS. 1 and 2 .
  • the material of the counter substrate 19 the material of the base substrate 11A of the substrate 11 or the like can be used.
  • a glass substrate can be used as the counter substrate 19 .
  • the material of the glass substrate is not particularly limited as long as it is made of a substance that transmits light emitted from the organic layer. Examples of the material of the glass substrate include various glass substrates such as high strain point glass, soda glass, borosilicate glass, and lead glass, and quartz substrates.
  • Electrode pads 21 electrically connected to a driving integrated circuit 110 are formed on the first surface side of the substrate 11. As shown in FIG. The electrode pads 21 on the substrate 11 side are provided so as to be electrically connectable to the driver integrated circuit 110 at the position where the driver integrated circuit 110 is arranged in the outer area 10B when viewed from the top of the substrate 11 . ing. The electrode pads 21 are formed in layers in the example of FIG. Such an electrode pad 21 can be formed using, for example, a sputtering method and an etching method.
  • the electrode pad 21 connected to the driving integrated circuit 110 can be made of, for example, a conductive material. Examples of conductive materials include metal materials such as copper, aluminum, and silver.
  • the electrode pads 21 are provided in the insulating layer 14 provided on the base substrate 11A. At least a part of the electrode pad 21 (exposed surface 21A) is exposed on the upper surface side of the electrode pad 21 (the same surface as the light emitting surface D). At the exposed surface 21A of the electrode pad 21, the electrode pad 21 is electrically connected to the driving integrated circuit 110, which will be described later, as shown in FIG. In the example of FIG. 2, the electrode pads 21 are electrically connected to the driving integrated circuit 110 via the protruding electrodes 118 .
  • driver integrated circuit The display element 10 is provided with a driving integrated circuit 110 on one side of the substrate 11 .
  • the driving integrated circuit 110 is provided on the light emitting surface D side of the substrate 11 .
  • the driving integrated circuit 110 is an integrated circuit (IC) forming a driving circuit for controlling driving of the light emitting element 104 .
  • driver integrated circuit 110 is a display driver integrated circuit (DDIC) that controls the driving of the circuitry of substrate 11 .
  • the DDIC controls the light emitting state of the light emitting surface D.
  • the driving integrated circuit 110 is provided in the outer region 10B in the example of FIG. 1 and the like.
  • the driving integrated circuit 110 has a substrate 111 (sometimes referred to as a sub-substrate) having a structure in which a driving circuit layer 112 is formed on a base substrate 111A. That is, the substrate 111 is a substrate on which the drive circuit formed on the drive circuit layer 112 is mounted. As with the base substrate 11A forming the substrate 11, the base substrate 111A may be a glass substrate, a semiconductor substrate, a resin substrate, or the like. A silicon substrate or the like can be suitably used as the base substrate 111A.
  • the drive circuit layer 112 has a structure in which a drive circuit is provided inside the insulating layer 114, as shown in FIG. FIG. 3 illustrates the wiring 113 that constitutes the drive circuit.
  • the material of the insulating layer 114 the same material as that of the insulating layer 14 provided on the base substrate 11A may be used.
  • the driving integrated circuit 110 is provided with a conductive structure that relays the electrical connection with the flexible substrate 150 .
  • This conductive structure is referred to as first conductive structure 115 .
  • the first conductive structure 115 electrically connects the driving circuitry of the driving integrated circuit 110 and the circuitry of the flexible substrate 150 .
  • a through hole 115A is provided as the first conductive structure 115. As shown in FIG.
  • the through hole 115A as the first conductive structure 115 has a structure that conducts between one end 115A1 and the other end 115A2 in the thickness direction (Z-axis direction) of the driving integrated circuit 110.
  • FIG. The through-hole 115A extends in a direction from the surface 110A facing the substrate 11 (so-called active surface) toward the non-facing surface 110B (surface opposite to the active surface).
  • the through-hole 115A is connected to the wiring 113 forming the drive circuit at the tip on the facing surface 110A side, and the tip on the non-facing surface 110B extends to or near the non-facing surface 110B of the driving integrated circuit 110. extends to In the examples of FIGS.
  • the through hole 115A is formed as a hole penetrating the base substrate 111A.
  • the through holes 115A form conductive through electrodes.
  • the through hole 115A is a so-called through-silicon via (TSV).
  • the number and positions of the through-holes 115A are determined according to the electrode pads 117 on the non-facing surface 110B.
  • the through-hole 115A illustrated in FIGS. 2 and 3 has a solid structure.
  • a through hole 115A is formed, for example, by forming a layer of a metal material (metal layer) inside the hole that constitutes the through hole 115A, and further by forming a layer of the same or different material as that of the metal layer on the inner peripheral surface side of the metal layer.
  • a structure filled with a metal material can be exemplified.
  • the metal material is not particularly limited as long as it is a conductive material, and examples thereof include copper and tungsten.
  • the example described here is only an example, and the structure of the through hole 115A is not limited as long as the through hole 115A is a through electrode.
  • the through hole 115A may have a hollow structure in which a metal layer is formed inside the hole. This also applies to through holes 136A, first substrate through holes 125A, second substrate through holes 130A, third substrate through holes 145A, and vias 145B, which will be described later.
  • Electrode pad of driving integrated circuit The driving integrated circuit 110 shown in FIG. 2 is provided with electrode pads 116 and 117 on the facing surface 110A side and the non-facing surface 110B side, respectively. Electrode pads 116 provided on the opposing surface 110A side are electrically connected to projecting electrodes 118 on one surface side (second surface side). Also, the electrode pads 116 are electrically connected to the drive circuit of the drive circuit layer 112 on the other surface side (first surface side).
  • the structure of the electrode pads 116 provided on the facing surface 110A side is not particularly limited, and a metal layer formed of a metal material such as aluminum can be exemplified.
  • a plurality of electrode pads 116 on the facing surface 110A side are provided at positions corresponding to the electrode pads 21 of the substrate 11 .
  • the electrode pads 117 provided on the non-facing surface 110B side are electrically connected to the through holes 115A on one surface side (second surface side). Also, the electrode pad 117 is electrically connected to the flexible substrate 150 on the other side (first side) of the exposed surface 117A.
  • the structure of the electrode pads 117 on the non-facing surface 110B side may have the same structure as the electrode pads 116 on the facing surface 110A side. Further, the electrode pad 117 on the non-opposing surface 110B side may have a layer formed of a metal material forming the through hole 115A. In this case, the electrode pad 117 may be formed integrally with the through hole 115A. In this case, the electrode pad 117 is preferably plated with nickel/gold on the exposed surface 117A side. Thereby, the stability of bonding between the electrode pads 117 and the flexible substrate 150 can be improved.
  • a protruding electrode 118 is arranged between the substrate 11 and the driving integrated circuit 110 .
  • a so-called bump is preferably used as the projecting electrode 118 .
  • the projecting electrodes 118 are preferably provided on the electrode pads 116 on the facing surface 110A side of the driving integrated circuit 110 .
  • the protruding electrode 118 is provided on a predetermined area including the exposed surface 116A of the electrode pad 116 and electrically connected to the electrode pad 116.
  • the projecting electrode 118 is preferably a structure formed by a method selected from electroplating, electroless plating, and stud bump forming. However, this does not exclude that the projecting electrodes 118 are formed by methods other than these methods.
  • Examples of materials for the protruding electrodes 118 include Au, Cu, Al, Ni, and Sn-based solder alloys, and laminated structures of a plurality of these metals.
  • An insulating layer 119 is provided on the facing surface 110A side of the driving integrated circuit 110 .
  • the insulating layer 119 fills the space between adjacent electrode pads 116 in plan view of the driving integrated circuit 110 .
  • the insulating layer 119 may be formed on the surface (second surface) of the electrode pad 116 so as to cover the outer periphery of the electrode pad 116 .
  • an opening 119A is formed in the insulating layer 119, and the electrode pad 116 is exposed from the opening 119A. A portion of the surface of the electrode pad 116 exposed from the opening 119A serves as an exposed surface 116A.
  • the driver integrated circuit 110 is electrically connected to the circuitry of the circuit layer 12 of the substrate 11 .
  • a connection method between the substrate 11 and the driving integrated circuit 110 is not particularly limited.
  • this connection method for example, as shown in FIG. 2, there is a method using an anisotropic conductive film 120 (anisotropic conductive film; ACF) made of a resin film containing conductive particles 120A.
  • ACF anisotropic conductive film
  • This method can be implemented, for example, as follows.
  • the driving integrated circuit 110 is aligned so that the protruding electrode 118 of the driving integrated circuit 110 faces the electrode pad 21 on the substrate 11 side through the anisotropic conductive film 120 .
  • the projecting electrode 118 and the electrode pad 21 are pressure-bonded with the anisotropic conductive film 120 interposed therebetween.
  • the circuit of the substrate 11 and the drive circuit of the drive integrated circuit 110 are electrically connected via the conductive particles 120A contained in the anisotropic conductive film 120.
  • FIG. the formation surface (active surface) of the driving circuit layer 112 of the driving integrated circuit 110 faces the substrate 11 side, and the driving integrated circuit 110 is flip-chip mounted on the substrate 11. It is
  • the method of connecting the substrate 11 and the driving integrated circuit 110 is not limited to the method using the anisotropic conductive film 120 described above.
  • a method of connecting the substrate 11 and the driving integrated circuit 110 for example, a method of fixing the protruding electrodes 118 and the electrode pads 21 in a state of being directly connected using a non-conductive adhesive film (Non Conductive File; NCF); , a method of using an anisotropic conductive film and a non-conductive adhesive film in combination, solder connection, or the like may be used.
  • the flexible board 150 is a so-called flexible printed circuit board (FPC).
  • the flexible substrate 150 relays electrical connection with an external device or the like.
  • As the flexible substrate 150 a laminate sheet including a substrate layer 151, a circuit portion 152 formed on the substrate layer 151, and a cover layer 153 covering the circuit portion 152, as shown in FIG. 1, is exemplified. can be done.
  • An exposed portion 154 is formed in the cover layer 153 at a predetermined position on one end side of the flexible substrate 150 .
  • the wiring portion forming the circuit portion 152 is exposed from the exposed portion 154 , and the exposed wiring portion serves as the connection terminal 155 .
  • connection terminal 155 is electrically connected to the electrode pad 117 on the non-facing surface 110B of the driving integrated circuit 110 .
  • the connection terminals 155 of the flexible substrate 150 are formed according to the layout of the electrode pads 117 on the non-facing surface 110B.
  • the flexible substrate 150 preferably has an external connection terminal (not shown) connected to the outside on the opposite end side of the connection terminal 155 described above. 2, 4 to 9, the base layer 151, the circuit section 152 and the cover layer 153 are omitted for convenience of explanation.
  • the flexible substrate 150 is provided on the surface 110 ⁇ /b>B of the driving integrated circuit 110 that does not face the substrate 11 .
  • the connection terminals 155 of the flexible substrate 150 and the electrode pads 117 of the driving integrated circuit 110 are connected.
  • a method of connecting the connection terminals 155 of the flexible substrate 150 and the electrode pads 117 of the driving integrated circuit 110 is not particularly limited.
  • a method of connecting the connection terminal 155 of the flexible substrate 150 and the electrode pad 117 as described in the explanation of the method of connecting the driving integrated circuit 110 and the substrate 11, for example, a method using the anisotropic conductive film 121 is mentioned. be done. This method can be implemented, for example, as follows.
  • connection terminal 155 of the flexible substrate 150 is opposed to the electrode pad 117 of the driving integrated circuit 110 .
  • An anisotropic conductive film 121 is interposed between the electrode pad 117 of the driving integrated circuit 110 and the connection terminal 155 of the flexible substrate 150 .
  • the electrode pads 117 and the connection terminals 155 are electrically connected via the conductive particles 121A contained in the anisotropic conductive film 121. Connected.
  • the circuit portion 152 of the flexible substrate 150 is electrically connected to the through hole 115A corresponding to the first conductive structure 115, and furthermore, the first conductive structure It is electrically connected to the driver circuit layer 112 of the driver integrated circuit 110 via the structure 115 .
  • a base substrate 11A is prepared.
  • the substrate 11 is formed by forming the circuit layer 12, the light emitting element 104, the electrode pad 21, etc. on the base substrate 11A using techniques such as sputtering, lithography, etching, and vapor deposition as necessary. Obtainable.
  • a base substrate 111A is prepared, and the drive circuit layer 112 is formed using the same technique as that for preparing the substrate 11 as appropriate.
  • Electrode pads 116 are formed on the driving circuit layer 112 by, for example, sputtering and etching techniques, and an insulating layer 119 is formed to fill the space between adjacent electrode pads 116 . At this time, the electrode pad 116 is exposed from the opening 119A of the insulating layer 119. Next, as shown in FIG.
  • a projecting electrode 118 is formed at the position where the electrode pad 116 is formed so as to cover the exposed surface 116A of the electrode pad 116 .
  • Examples of the method for forming the projecting electrodes 118 include the electrolytic plating method, the electroless plating method, and the stud bump forming method, as described above.
  • a through hole 115A is formed in the driving integrated circuit 110 .
  • a method of forming the through hole 115A is not particularly limited. For example, before or after forming the driving circuit layer 112 on the base substrate 111A, the etching method or the like is used to lay out the through holes 115A with respect to the base substrate 111A from the formation surface side of the driving circuit layer 112 (opposing surface 110A). A structure in which plugs are embedded in a layout corresponding to 1 is formed, and the surface opposite to the formation surface of the drive circuit layer 112 (non-opposing surface 110B) is ground to expose the plugs.
  • a method of forming a plug on the base substrate 111A from the surface on which the drive circuit layer 112 is not formed may be used.
  • the plug has a columnar structure extending in the thickness direction of the base substrate 111A and has electrical conductivity.
  • the material of the plug can be exemplified by metal materials such as copper and tungsten.
  • An electrode pad 117 is formed on the side of the drive circuit layer 112 of the drive integrated circuit 110 on which the drive circuit layer 112 is not formed.
  • the electrode pads 117 can be formed using, for example, a sputtering method and an etching method.
  • the electrode pads 117 are formed in such a layout as to come into contact with the plugs.
  • the substrate 11 and the driving integrated circuit 110 are electrically connected. Also, the driving integrated circuit 110 and the flexible substrate 150 are electrically connected.
  • the method of connecting the substrate 11 and the driver integrated circuit 110 and the method of connecting the driver integrated circuit 110 and the flexible substrate 150 can be the methods described above. Thus, the display element 10 can be obtained.
  • the driving integrated circuit 110 serving as the sub-substrate is provided on the substrate 11 serving as the main substrate.
  • a flexible substrate 150 is provided on the surface (surface side). Therefore, according to the first embodiment, it is possible to reduce the area of the substrate 11 provided with the light emitting element 104 . Further, according to the display element 10 according to the first embodiment, it is easy to form a structure in which the dimensions of the protruding electrodes 118 are generally uniform. Also when connecting the circuit 110, the stability of the connection between the substrate 11 and the driver integrated circuit 110 can be improved. Also, when the driving integrated circuit 110 and the flexible substrate 150 are connected through the anisotropic conductive film 120, the stability of the connection between the driving integrated circuit 110 and the flexible substrate 150 can be improved.
  • the display element 10 it is possible to shorten the transmission distance of the electric signal from the circuit of the flexible substrate 150 to the integrated circuit of the driving integrated circuit 110, thereby increasing the transmission speed. can be done.
  • the first conductive structure 115 is the through hole 115A
  • the through hole 115A tends to have a structure having a large cross-sectional area. This also makes it possible to increase the transmission speed.
  • a display element 10 according to the second embodiment has a first conductive structure as shown in FIG.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view schematically showing an example of the display element 10 according to the second embodiment.
  • the first conductive structure 115 has a side wire 115B1 as a wire formed on the side 110C of the driving integrated circuit 110.
  • FIG. The display element 10 according to the second embodiment may be configured similarly to the first embodiment, except for the configuration of the first conductive structure 115 . Therefore, in the description of the second embodiment, the description of the configuration other than the configuration of the first conductive structure 115 is omitted.
  • the first conductive structure 115 has side interconnects 115B1 as shown in FIG. In addition, in the example of FIG. 4, the first conductive structure 115 continues to one end of the side wiring 115B1 on the side of the facing surface 110A (active surface side) with respect to the substrate 11 and is connected to the electrode pad 116 on the side of the facing surface 110A. It has a connecting wiring (first connecting wiring 115B2).
  • the first conductive structure 115 is provided on the side opposite to the active surface (non-opposing surface 110B side), and is continuous with the other end of the side wiring 115B1 and connected to the electrode pad 117 on the non-opposing surface 110B side (second conductive structure 115). It has two connecting wires 115B3).
  • the first connection wiring 115B2 shown in FIG. 4 is connected to the side surface of the electrode pad 116, and the second connection wiring 115B3 is interposed between the electrode pad 117 and the base substrate 111A.
  • the side wiring 115B1, the first connecting wiring 115B2 and the second connecting wiring 115B3 are composed of a metal wiring layer formed on the outer peripheral surface of the driving integrated circuit 110.
  • a metal wiring layer for example, wiring may be formed after dicing, as in a molded interconnect device (MID). It can also be formed by separating into individual pieces.
  • MID molded interconnect device
  • the material of the side wiring 115B1, the first connecting wiring 115B2, and the second connecting wiring 115B3 is not particularly limited, and examples thereof include aluminum, silver, and copper.
  • the through holes 115A according to the first embodiment are omitted, but in the display element 10 according to the second embodiment, the first As the conductive structure 115, the through hole 115A may be used together with the side wiring 115B1.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view schematically showing an example of the display element 10 according to the third embodiment.
  • the substrate 11 is provided with a second conductive structure 125 and an electrode pad 126 connected to the second conductive structure 125
  • the flexible substrate 150 is connected to the second conductive structure 125 via the electrode pad 126 . is electrically connected to Also, in this example, the first conductive structure 115 and the electrode pads 117 described in the first embodiment are omitted.
  • the display element 10 according to the third embodiment may be configured in the same manner as in the first embodiment. For this reason, in the description of the third embodiment, the description of the configuration other than the configuration of the second conductive structure 125 and the electrode pads 126 and the connection structure between the flexible substrate 150 and the second conductive structure 125 is omitted. .
  • the substrate 11 is provided with a second conductive structure 125 at a position corresponding to the position to which the flexible substrate 150 is connected.
  • the second conductive structure 125 is a conductive structure that has electrical conductivity and relays electrical connection with the driving integrated circuit 110 .
  • substrate through-holes are provided as the second conductive structures 125 . This substrate through-hole is called the first substrate through-hole 125A.
  • the first substrate through-hole 125A as the second conductive structure 125 has a structure in which one end 125A1 and the other end 125A2 of the first substrate through-hole 125A are electrically connected in the thickness direction of the substrate 11 .
  • the first substrate through-hole 125A extends from the light emitting surface D side (first surface side) of the surface of the substrate 11 toward the surface opposite to the light emitting surface D (second surface side).
  • the first substrate through hole 125A is connected to the electrode pad 21 connected to the protruding electrode 118 of the driving integrated circuit 110 at the end on the side of the light emitting surface D, and the end on the side opposite to the light emitting surface D is connected to the flexible substrate.
  • the first substrate through-hole 125A is formed as a hole penetrating the base substrate 11A, and is connected to the electrode pad 21 through the insulating layer 14.
  • the first substrate through-hole 125A is formed as a hole penetrating the base substrate 11A, and is connected to the electrode pad 21 through the insulating layer 14.
  • the first substrate through hole 125A forms a conductive through electrode.
  • the first substrate through holes 125A are so-called silicon through electrodes.
  • the first substrate through-hole 125A may have the same structure as the through-hole 115A described in the first embodiment. Also, the first substrate through-hole 125A can be formed by the same method as the through-hole 115A.
  • the number and positions of the first substrate through-holes 125A to be formed are determined according to the number and positions of the electrode pads 126 to be formed.
  • Electrode pads 126 are formed on the second surface side of the substrate 11 .
  • the electrode pads 126 are formed with a layout corresponding to the connection terminals 155 of the flexible substrate 150 .
  • the electrode pads 126 are electrically connected to the first substrate through holes 125A.
  • the material of the electrode pads 126 may be the same as the material of the electrode pads 117 on the first surface of the driving integrated circuit 110 . Also, the electrode pads 126 may be formed by a method similar to that of the electrode pads 117 .
  • connection terminals 155 of the flexible substrate 150 and the electrode pads 126 are connected, the connection terminals 155 and the second conductive structure 125 of the substrate 11 are electrically connected.
  • a method of connecting the connection terminals 155 of the flexible substrate 150 and the electrode pads 126 is not particularly limited.
  • a method of connecting the connection terminal 155 and the electrode pad 126 as described in the explanation of the method of connecting the flexible substrate 150 and the driving integrated circuit 110 in the first embodiment, for example, a method using the anisotropic conductive film 127 is used. is given. This method can be implemented, for example, as follows.
  • the connection terminals 155 of the flexible substrate 150 are opposed to the electrode pads 126 of the substrate 11 .
  • An anisotropic conductive film 127 is interposed between the electrode pad 126 and the connection terminal 155 of the flexible substrate 150 .
  • the electrode pads 126 and the connection terminals 155 are electrically connected via the conductive particles 127A contained in the anisotropic conductive film 127. be.
  • the circuit of the flexible substrate 150 is electrically connected to the second conductive structure 125, and further electrically connected from the second conductive structure 125 to the driving circuit of the driving integrated circuit 110 via the protruding electrode 118. .
  • the substrate 11 can be obtained by a method similar to that of the first embodiment. However, in the third embodiment, a first substrate through-hole 125A and an electrode pad 126 that become the second conductive structure 125 are additionally formed.
  • the same method as the method for forming the through-hole 115A described in the method for manufacturing the display element 10 according to the first embodiment can be used.
  • the driver integrated circuit 110 can be obtained in the same manner as in the first embodiment. However, in the third embodiment, the method of forming the through holes 115A described in the method of manufacturing the display element 10 according to the first embodiment is omitted, and the formation of the electrode pads 117 is also omitted.
  • a projecting electrode 118 is formed at the position where the electrode pad 116 is formed so as to cover the exposed surface 116A of the electrode pad 116 .
  • Examples of the method for forming the projecting electrodes 118 include the electrolytic plating method, the electroless plating method, and the stud bump forming method, as described above.
  • the substrate 11 and the driving integrated circuit 110 are electrically connected.
  • a connection method between the substrate 11 and the driving integrated circuit 110 can be implemented in the same manner as the connection method described in the first embodiment.
  • the driving integrated circuit 110 and the flexible substrate 150 are electrically connected through the second conductive structure 125 .
  • the method of connecting the driving integrated circuit 110 and the flexible substrate 150 via the second conductive structure 125 can be the method described above.
  • the display element 10 can be obtained.
  • the opposing substrate 19 and the driving integrated circuit 110 are arranged on the same side of the substrate 11 (the side of the light emitting surface D in the example of FIG. 5).
  • the position of the display element 10 in the vertical direction (thickness direction (Z-axis direction) of the substrate 11) is the position of the non-facing surface 110B of the driving integrated circuit 110 facing the substrate 11 (the first side of the driving integrated circuit 110). It is preferable that the position of the surface side) and the position of the exposed surface of the counter substrate 19 (the position of the first surface side of the counter substrate 19) are aligned.
  • the distance H1 from the first surface (light-emitting surface D) of the substrate 11 to the first surface (non-facing surface 110B) of the driver integrated circuit 110 and the distance H1 from the first surface of the substrate 11 to the second surface of the opposing substrate 19 1 (the surface not facing the light emitting element 104) is approximately equal to the distance H2.
  • the thickness of the light-emitting element 104 and the size (height) of the protruding electrode 118 are usually very small compared to the thickness of the counter substrate 19 and the driving integrated circuit 110
  • the thickness of substrate 19 and the thickness of driver integrated circuit 110 are substantially equal.
  • the driving integrated circuit 110 and the flexible substrate 150 are electrically connected as described above.
  • the driving integrated circuit 110 and the flexible substrate 150 are often placed on the same stage.
  • the distance H1 and the distance H2 are approximately equal, so that the connection between the driving integrated circuit 110 and the flexible substrate 150 via the second conductive structure 125 can be efficiently achieved.
  • the display element 10 according to the third embodiment it is possible to shorten the transmission distance of the electric signal from the circuit of the flexible substrate 150 to the integrated circuit of the driving integrated circuit 110, thereby increasing the transmission speed. can be done.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view schematically showing an example of the display element 10 according to the fourth embodiment.
  • the substrate 11 is provided with the third conductive structure 130 and the electrode pad 131 connected to the third conductive structure 130 , and the driving integrated circuit is connected via the electrode pad 131 .
  • 110 is electrically connected to the third conductive structure 130 .
  • the second conductive structure 125 described in the third embodiment has one end connected to the flexible substrate 150 , the other end of the second conductive structure 125 is electrically connected to the circuitry of the circuit layer 12 of the substrate 11 . properly connected. Except for these configurations, the display element 10 according to the fourth embodiment may be configured similarly to the third embodiment.
  • the description of the configuration other than the configuration of the third conductive structure 130 and the electrode pad 131 and the connection structure between the driving integrated circuit 110 and the third conductive structure 130 is omitted.
  • the first conductive structure 115 described in the first embodiment is omitted as in the third embodiment.
  • the electrode pads 21 described in the first embodiment are omitted.
  • the substrate 11 is provided with a third conductive structure 130 at a position corresponding to the position to which the driving integrated circuit 110 is connected.
  • the third conductive structure 130 has electrical conductivity, similar to the second conductive structure 125 described in the third embodiment.
  • the third conductive structure 130 is a conductive structure that relays electrical connection with the circuit of the substrate 11 .
  • a substrate through-hole is provided as the third conductive structure 130 in the display element 10 according to the fourth embodiment. This substrate through-hole is called a second substrate through-hole 130A.
  • the second substrate through-hole 130A as the third conductive structure 130 has a structure that conducts between one end and the other end of the second substrate through-hole 130A in the thickness direction of the substrate 11 .
  • substrate through-holes are similar to 125 A of 1st board
  • the second substrate through hole 130A is connected to the circuit of the circuit layer 12 at the end on the side of the light emitting surface D, and the end on the side opposite to the light emitting surface D is connected to the projecting electrode 118 of the driving integrated circuit 110. They are connected via pads 131 . In the example of FIG.
  • the second substrate through-hole 130A is formed as a hole penetrating through the base substrate 11A.
  • the substrate 11 is formed with the first substrate through-hole 125A and the second substrate through-hole 130A described in the third embodiment as substrate through-holes.
  • the first substrate through-hole 125A is connected to the connection terminal 155 of the flexible substrate 150 at the end on the side opposite to the light emitting surface D, unlike the case of the third embodiment, the first substrate through hole 125A is connected to the light emitting surface D side. is connected to the circuitry of circuit layer 12 at the end of the .
  • the second substrate through hole 130A forms a conductive through electrode. Similar to the first substrate through hole 125A described in the third embodiment, when the base substrate 11A is a silicon substrate, the second substrate through hole 130A is a so-called silicon through electrode. Like the first substrate through-hole 125A, the second substrate through-hole 130A may have the same structure as the through-hole 115A described in the first embodiment. Also, the second substrate through hole 130A can be formed by the same method as the through hole 115A.
  • the number and positions of the second substrate through-holes 130A to be formed are determined according to the number and positions of the electrode pads 131 to be formed.
  • Electrode pad 131 is formed in addition to the electrode pad 126 on the second surface side of the substrate 11 .
  • the electrode pads 131 are formed with a layout corresponding to the protruding electrodes 118 of the driving integrated circuit 110 .
  • the electrode pads 131 are electrically connected to the second substrate through holes 130A.
  • a material similar to that of the electrode pad 126 may be adopted as the material of the electrode pad 131 .
  • the electrode pads 131 may be formed in the same manner as the electrode pads 126 .
  • a method of connecting the protruding electrodes 118 of the driving integrated circuit 110 and the electrode pads 131 is not particularly limited.
  • anisotropic conduction can be used as a method for connecting the protruding electrode 118 of the driving integrated circuit 110 and the electrode pad 131.
  • anisotropic conduction can be used as a method for connecting the protruding electrode 118 of the driving integrated circuit 110 and the electrode pad 131.
  • anisotropic conduction can be used as described in the explanation of the connecting method between the driving integrated circuit 110 and the substrate 11 in the first embodiment.
  • a method using the film 132 is mentioned. This method can be implemented, for example, as follows.
  • the protruding electrodes 118 of the driving integrated circuit 110 are opposed to the electrode pads 131 of the substrate 11 .
  • the electrode pad 131 and the protruding electrode 118 are connected via the conductive particles 132A contained in the anisotropic conductive film 132. are electrically connected.
  • the driving circuit of the driving integrated circuit 110 is electrically connected to the third conductive structure 130, and furthermore, the third conductive structure 130 is connected to the substrate. It is electrically connected to the circuits that make up the 11 circuit layers 12 .
  • the area of the substrate 11 can be reduced.
  • the stability of the connection between the driving integrated circuit 110 and the flexible substrate 150 can be improved. It is possible to increase the number of channels between the driving integrated circuit 110 and the display element 10, and to increase the transmission speed.
  • the display element 10 according to the fifth embodiment includes a conductive connection member 135 that relays electrical connection with the outside.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view showing an example of the display element 10 according to the fifth embodiment.
  • the display element 10 according to the fifth embodiment has a driving integrated circuit 110 .
  • the driving integrated circuit 110 is provided with a fourth conductive structure 136 as a conductive structure for relaying electrical connection with the driving circuit.
  • the fourth conductive structure 136 of the driving integrated circuit 110 and the conductive connection member 135 are electrically connected. Except for these points, the display element 10 according to the fifth embodiment is formed in the same manner as in the first embodiment.
  • the display element 10 according to the fifth embodiment has a structure in which the driving integrated circuit 110 is provided on one surface of the substrate 11 (on the light emitting surface D), similarly to the display element 10 according to the first embodiment.
  • the conductive connection member 135 is a conductive member that relays electrical connection with the outside. One end of the conductive connection member 135 is provided on the surface 110 ⁇ /b>B of the driving integrated circuit 110 that does not face the substrate 11 .
  • the conductive connection member 135 is a member different from the flexible substrate 150, and is a wire 135A in the example shown in FIG. FIG. 7 is an example, and does not prohibit the case where the conductive connection member 135 is different from the wire 135A.
  • the description will be continued taking as an example the case where the conductive connection member 135 is the wire 135A.
  • wire 135A is electrically connected at one end to the electrode pad of the driver integrated circuit.
  • the material of the wire 135A is not particularly limited, and metal materials such as silver, gold, and copper can be used.
  • Wires 135A are typically connected to individual electrode pads 137 depending on the layout of the electrode pads.
  • the driving integrated circuit 110 is provided with a fourth conductive structure 136 for relaying electrical connection with the conductive connecting member 135 .
  • the fourth conductive structure 136 may be formed similarly to the first conductive structure 115 formed in the display element 10 according to the first embodiment.
  • a fourth conductive structure 136 is provided on the driving integrated circuit 110 to electrically connect the conductive connecting member 135 and the driving circuit.
  • a through hole 136A is provided as the fourth conductive structure 136 as shown in FIG.
  • the through-hole 136A has a structure that conducts between one end and the other end thereof in the thickness direction of the driving integrated circuit 110 .
  • Through-hole 136A may have the same structure as through-hole 115A formed as first conductive structure 115 .
  • electrode pad In the fifth embodiment, similarly to the electrode pads 117 of the first embodiment, electrode pads 137 are provided on the non-facing surface 110B of the driving integrated circuit 110 (the surface opposite to the surface facing the light emitting surface D). The electrode pad 137 is electrically connected to the through hole 136A.
  • the electrode pad 137 may be made of the same material as the electrode pad 117 . Also, the electrode pads 137 may be formed by a method similar to that of the electrode pads 117 .
  • a method of electrically connecting the conductive connecting member 135 and the driving integrated circuit 110 is not particularly limited. However, as shown in FIG. Wire bonding can be exemplified as a method of electrical connection with a circuit. In this case, one end of the wire 135A is fixed on the electrode pad 137 by wire bonding. 7, reference numeral 149 denotes a bonding material for fixing the wire 135A to the electrode pad 137. As shown in FIG. The portion fixed with the bonding material 149 becomes the connecting portion 139A.
  • the display element 10 according to the fifth embodiment is preferably provided with a sealing layer 138 as shown in FIG. 7, for example.
  • the encapsulation layer 138 covers the connection portion 139 A between the conductive connecting member 135 and the driving integrated circuit 110 .
  • encapsulation layer 138 covers connection 139A and wire 135A.
  • the sealing layer 138 suppresses breakage of the connecting portion 139A and disconnection of the wire 135A.
  • the material of the sealing layer 138 can be exemplified by a resin material.
  • the display element 10 according to the modification of the fifth embodiment includes a first substrate 140 made of the substrate 11 and a second substrate 141 different from the first substrate 140, and a conductive connecting member. 135 is electrically connected to the second substrate 141 .
  • FIG. 8 is a cross-sectional view showing an example of the display element 10 according to the modification of the fifth embodiment.
  • FIG. 8 also shows an embodiment of the display element 10 in which the conductive connection members 135 are wires 135A.
  • the second board 141 is a printed wiring board in which a circuit is formed on a base board 141A.
  • a part of the wiring 142 forming the circuit is illustrated, and the description of the entire circuit is omitted.
  • a so-called motherboard or the like can be exemplified as the second substrate.
  • the second substrate 141 is a substrate different from the flexible substrate 150 described above.
  • a rigid substrate can be exemplified as the second substrate 141 .
  • the second substrate 141 is bonded to a surface (second surface) of the surfaces of the first substrate 140 opposite to the light emitting surface D.
  • a method of bonding the second substrate 141 and the first substrate 140 is not particularly limited, and for example, a die bonding method can be used.
  • the conductive connection member 135 has one end electrically connected to the driving integrated circuit 110 and the other end electrically connected to the second substrate 141 .
  • a method of electrically connecting the conductive connection member 135 and the second substrate 141 is not particularly limited. As shown in FIG. 8, when the conductive connection member 135 is a wire 135A, the wire 135A and the second substrate 141 may be electrically connected by wire bonding. In the example of FIG. 8, the side of the second substrate 141 facing the first substrate 140 (first surface side) has conductivity formed by the wiring 142 formed in the circuit of the second substrate 141. The connection terminal 142A is exposed.
  • a connecting portion 139A between the wire 135A and the driving integrated circuit 110 and a connecting portion 139B between the wire 135A and the second substrate 141 and , are preferably sealed with a sealing layer 138 .
  • FIG. 9 is a cross-sectional view schematically showing an example of the display element 10 according to the sixth embodiment.
  • the substrate 11 is provided with a fifth conductive structure 145 and an electrode pad 146 connected to the fifth conductive structure 145 , and the conductive connecting member 135 is connected to the fifth conductive structure via the electrode pad 146 . It is electrically connected to structure 145 .
  • the conductive connection member 135 is a connector 135B.
  • the fourth conductive structure 136 provided in the fifth embodiment and the optionally provided sealing layer 138 are omitted. Except for these configurations, the display element 10 according to the sixth embodiment may be configured in the same manner as in the fifth embodiment.
  • the configuration of the conductive connection member 135, the fifth conductive structure 145 and the electrode pad 146 and the connection structure between the conductive connection member 135 and the fifth conductive structure 145 are omitted.
  • the description of the configuration of is omitted.
  • the conductive connection member 135 is a conductive connection member that relays electrical connection with the outside, as shown in the fifth embodiment.
  • the conductive connection member 135 is a member different from the flexible substrate 150, and is a connector 135B in the example shown in FIG. FIG. 9 is an example, and does not prohibit the case where the conductive connection member 135 is different from the connector 135B.
  • the explanation will be continued taking as an example the case where the conductive connecting member 135 is the connector 135B.
  • the connector 135B has a body 147 and wiring 148 arranged on the outer peripheral surface of the body 147 .
  • the material of the wiring 148 is not particularly limited, and metal materials such as silver, gold, and copper can be used.
  • the wiring 148 continuously extends from the surface of the body 147 not facing the substrate 11 (second surface) toward the surface facing the substrate 11 on the side surface of the substrate 11 .
  • the ends of the wirings 148 extending toward the surface facing the substrate 11 in the connector 135B are electrically connected to the electrode pads 146 of the substrate 11 .
  • the shape of the body 147 of the connector 135B is not limited, and in the example of FIG. 9, the body 147 has a trapezoidal cross section.
  • the material of the body 147 of the connector 135B is preferably made of an insulating material, and a specific example thereof is a resin material.
  • the substrate 11 is provided with a fifth conductive structure 145 as a conductive structure at a position corresponding to a position where a connector 135B, which is an example of the conductive connection member 135, is connected.
  • the fifth conductive structure 145 may have the same structure as the second conductive structure 125 described in the third embodiment.
  • the fifth conductive structure 145 may be formed using the same material and method as the second conductive structure 125 .
  • the fifth conductive structure 145 has a structure that conducts between its one end and the other end in the thickness direction of the substrate 11 . In the example of FIG.
  • the fifth conductive structure 145 is provided with a substrate through-hole (referred to as a third substrate through-hole 145A) having the same structure as the second conductive structure 125. As shown in FIG. 9, unlike the second conductive structure 125, the fifth conductive structure 145 is not electrically connected to the electrode pad 21 connected to the driving integrated circuit 110 and has no conductivity. A hole (via 145B (Via)) may be employed.
  • Electrode pads 146 are formed on the second surface side of the substrate 11 .
  • the electrode pad 146 may be formed with the same material and method as the electrode pad 126 described in the third embodiment.
  • the wiring 148 of the conductive connection member 135 and the electrode pad 146 are connected, the wiring 148 and the fifth conductive structure 145 of the substrate 11 are electrically connected.
  • the method of connecting the wiring 148 of the conductive connecting member 135 and the electrode pad 146 is not particularly limited. As a method for connecting the wiring 148 of the conductive connection member 135 and the electrode pad 146, a die bonding method or the like can be used.
  • the display element 10 it is possible to shorten the transmission distance of the electric signal from the conductive connection member 135 such as the connector 135B to the integrated circuit of the driving integrated circuit 110, thereby reducing the transmission speed. It can be faster.
  • the display element 10 according to the present disclosure may be provided in various electronic devices.
  • the display element (display element 10) according to one of the above-described embodiments may be provided in various electronic devices.
  • the display element according to the above-described embodiment should be provided for devices that require high resolution, such as video cameras, electronic viewfinders of single-lens reflex cameras, and head-mounted displays, and that are used in an enlarged manner near the eyes. is preferred.
  • FIG. 10A is a front view showing an example of the appearance of the digital still camera 310.
  • FIG. 10B is a rear view showing an example of the appearance of the digital still camera 310.
  • This digital still camera 310 is of an interchangeable single-lens reflex type, and has an interchangeable photographing lens unit (interchangeable lens) 312 in approximately the center of the front of a camera main body (camera body) 311, and on the left side of the front. It has a grip portion 313 for a photographer to hold.
  • interchangeable photographing lens unit interchangeable lens
  • a monitor 314 is provided at a position shifted to the left from the center of the back surface of the camera body 311 .
  • An electronic viewfinder (eyepiece window) 315 is provided above the monitor 314 . By looking through the electronic viewfinder 315, the photographer can view the optical image of the subject guided from the photographing lens unit 312 and determine the composition.
  • the electronic viewfinder 315 any one of the display elements 10 according to the above-described embodiments and modifications can be used.
  • FIG. 11 is a perspective view showing an example of the appearance of the head mounted display 320.
  • the head-mounted display 320 has, for example, ear hooks 322 on both sides of an eyeglass-shaped display 321 to be worn on the user's head.
  • the display unit 321 any one of the display elements 10 according to the above-described embodiment and modifications can be used.
  • FIG. 12 is a perspective view showing an example of the appearance of the television device 330.
  • This television device 330 has, for example, an image display screen portion 331 including a front panel 332 and a filter glass 333, and this image display screen portion 331 includes the display element 10 according to the above-described embodiment and modification. Consists of either
  • the display elements and application examples according to the first to sixth embodiments and modifications of the present disclosure have been specifically described above.
  • the display elements according to the embodiments and modifications and the application examples are not limited, and various modifications are possible based on the technical concept of the present disclosure.
  • the present disclosure can also employ the following configuration.
  • the driving integrated circuit is provided with a first conductive structure that relays an electrical connection with the driving circuit; the flexible substrate is electrically connected to the first conductive structure; The display element according to (1) above.
  • the first conductive structure is a through hole that is conductive and conducts in the thickness direction of the driving integrated circuit; The display element according to (2) above.
  • the first conductive structure has traces formed on the side of the driving integrated circuit;
  • the driving integrated circuit is formed of a sub-board on which the driving circuit is mounted.
  • the display element according to any one of (1) to (4) above.
  • the flexible substrate is provided on a surface of the substrate opposite to the light emitting surface, display element.
  • the substrate is provided with a second conductive structure that relays an electrical connection with the driving integrated circuit; the flexible substrate is electrically connected to the second conductive structure; The display element according to (6) above.
  • the second conductive structure is a first substrate through-hole that has electrical conductivity and conducts in the thickness direction of the substrate, The display element according to (7) above.
  • a counter substrate is provided to cover the light emitting surface of the substrate, The driving integrated circuit is provided on the light emitting surface side of the substrate, The position of the surface of the drive integrated circuit not facing the substrate is aligned with the position of the exposed surface of the counter substrate.
  • the display element according to any one of (6) to (8) above.
  • the driving integrated circuit is provided on a surface of the substrate opposite to the light emitting surface, The display element according to any one of (6) to (8) above.
  • the substrate has a circuit, the substrate is provided with a third conductive structure that relays an electrical connection with the circuit; the driving integrated circuit is electrically connected to the third conductive structure; The display element according to (10) above.
  • the third conductive structure is a second substrate through-hole that has conductivity and conducts in the thickness direction of the substrate, The display element according to (11) above.
  • the driving integrated circuit is provided with a fourth conductive structure that relays an electrical connection with the driving circuit, the electrically conductive connecting member is electrically connected to the fourth electrically conductive structure; The display element according to (13) above.
  • the fourth conductive structure is a through-hole having electrical conductivity and conducting in the thickness direction of the driving integrated circuit;
  • the conductive connection member is a wire;
  • a first substrate formed from the substrate;
  • a substrate provided with a light emitting element; a driving integrated circuit having a driving circuit for controlling driving of the light emitting element; a conductive connection member that relays electrical connection with the outside, the driving integrated circuit is provided on one side of the substrate; The conductive connection member is provided on a side of the substrate opposite to the light emitting surface, display element.
  • the substrate is provided with a fifth conductive structure that relays an electrical connection with the driving integrated circuit; the electrically conductive connecting member is electrically connected to the fifth electrically conductive structure;
  • the fifth conductive structure is a substrate through-hole that has electrical conductivity and conducts in the thickness direction of the substrate, The display element according to (19) above. (21) wherein the conductive connection member is a connector; The display element according to any one of (18) to (20) above. (22) Equipped with the display element according to any one of (1) to (21) above, Electronics.

Abstract

発光素子を備えた基板の小面積化を実現でき、且つ、基板とフレキシブル基板に対する駆動集積回路の接続の安定性を向上させた表示素子、及び表示素子を用いた電子機器を提供する。 表示素子は、発光素子が設けられ発光面を有する基板と、前記発光素子の駆動を制御する駆動回路を有する駆動集積回路と、接続端子を有するフレキシブル基板と、を備え、前記駆動集積回路が、前記基板の一方面上に設けられ、前記フレキシブル基板が、前記駆動集積回路の面のうち前記基板との非対向面側に設けられている。

Description

表示素子、及び電子機器
 本開示は、表示素子、及び電子機器に関する。
 表示素子には、ベース基板上に発光素子を備えた基板を備えており、基板の同一面上に、さらに駆動集積回路とフレキシブル基板(FPC;Flexible Integrated Circuit)が設けられているものが知られている。このような表示素子では、基板の面積として、発光素子を設ける領域の他に駆動集積回路とフレキシブル基板を設けるための領域を確保できる程度の面積が要請される。したがって、表示素子には、発光素子を備えた基板の小面積化の点で改善の余地がある。
 特許文献1に記載された電気光学装置では、複数のEL素子が配列された電気光学パネルと、電気光学パネルに接続され、EL素子を駆動または制御する回路を内部に有するIC素子と、ICが搭載されておりIC素子の内部の回路に電気的に接続された配線が設けられたFPCを備える。電気光学装置におけるIC素子は、FPC上の配線に接続される第1の端子パッドと、電気光学パネル上の配線に接続される第2の端子パッドとを有する。
特開2006-244888号公報
 特許文献1に示される電気光学装置では、第1の端子パッドと第2の端子パッドの寸法精度が要請される。さらに異方性導電フィルムを用いてFPCとIC素子を電気光学パネルに圧着させた状態を安定的させるためには、FPCとIC素子の弾性率の違いを考慮することが要請される。このように特許文献1に示される電気光学装置では、電気光学パネルとFPCの両方に対するIC素子の接続の安定性を向上する点で改善の余地がある。
 本開示は、上述した点に鑑みてなされたものであり、発光素子を備えた基板の小面積化を実現でき、且つ、基板とフレキシブル基板に対する駆動集積回路の接続の安定性を向上させた表示素子、及び表示素子を用いた電子機器の提供を目的の一つとする。
 本開示は、例えば、(1)
 発光素子が設けられ発光面を有する基板と、
 前記発光素子の駆動を制御する駆動回路を有する駆動集積回路と、
 フレキシブル基板と、を備え、
 前記駆動集積回路が、前記基板の一方面上に設けられ、 
 前記フレキシブル基板が、前記駆動集積回路の面のうち前記基板との非対向面に設けられている、
 表示素子である。
 また、本開示は、(2)発光素子が設けられ発光面を有する基板と、
 前記発光素子の駆動を制御する駆動回路を有する駆動集積回路と、
 フレキシブル基板と、を備え、
 前記駆動集積回路が、前記基板の一方面上に設けられ、
 前記フレキシブル基板が、前記基板の面のうち前記発光面とは逆面に設けられている、
 表示素子である。
 本開示は、(3)発光素子が設けられ発光面を有する基板と、
 前記発光素子の駆動を制御する駆動回路を有する駆動集積回路と、
 外部との電気的接続を中継する導電性接続部材と、を備え、
 前記駆動集積回路が、前記基板の一方面上に設けられ、
 前記導電性接続部材が、前記駆動集積回路の面のうち前記基板との非対向面に設けられている、
 表示素子でもよい。
 本開示は、例えば、(4)上記(1)記載の表示装置を備えた電子機器であってもよい。
図1は、第1の実施形態にかかる表示装置の一実施例を説明するための分解斜視図である。 図2は、第1の実施形態にかかる表示装置の一実施例を説明するための断面図である。 図3は、第1の実施形態にかかる表示装置の一実施例における駆動回路の例を説明するための断面図である。 図4は、第2の実施形態にかかる表示装置の一実施例を説明するための断面図である。 図5は、第3の実施形態にかかる表示装置の一実施例を説明するための断面図である。 図6は、第4の実施形態にかかる表示装置の一実施例を説明するための断面図である。 図7は、第5の実施形態にかかる表示装置の一実施例を説明するための断面図である。 図8は、第5の実施形態の変形例にかかる表示装置の一実施例を説明するための断面図である。 図9は、第6の実施形態にかかる表示装置の一実施例を説明するための平面図である。 図10A、図10Bは、表示装置を用いた電子機器の一実施例を説明するための図である。 図11は、表示装置を用いた電子機器の一実施例を説明するための図である。 図12は、表示装置を用いた電子機器の一実施例を説明するための図である。
 以下、本開示にかかる一実施例等について図面を参照しながら説明する。なお、説明は以下の順序で行う。本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
 なお、説明は以下の順序で行うものとする。
1.第1の実施形態
2.第2の実施形態
3.第3の実施形態
4.第4の実施形態
5.第5の実施形態
6.第6の実施形態
7.応用例
 以下の説明は本開示の好適な具体例であり、本開示の内容は、これらの実施の形態等に限定されるものではない。また、以下の説明において、説明の便宜を考慮して前後、左右、上下等の方向を示すが、本開示の内容はこれらの方向に限定されるものではない。図1、図2の例では、Z軸方向を上下方向(上側が+Z方向、下側が-Z方向)、X軸方向を前後方向(前側が+X方向、後ろ側が-X方向)、Y軸方向を左右方向(右側が+Y方向、左側が-Y方向)であるものとし、これに基づき説明を行う。これは、図3から図9についても同様である。図1等の各図に示す各層の大きさや厚みの相対的な大小比率は便宜上の記載であり、実際の大小比率を限定するものではない。これらの方向に関する定めや大小比率については、図2から図9の各図についても同様である。
 本開示に係る表示素子は、例えば表示モジュールや照明モジュール等を挙げることができる。以下の第1の実施形態から第6の実施形態については、表示素子が表示モジュールである場合について説明する。
 本開示に係る表示素子では、後述する表示領域に設けられる発光素子は、特に限定されず、LED(Light Emitting Diode)やOLED(Organic Light Emitting Diode)等を例示することができる。以下の第1の実施形態から第6の実施形態については、発光素子がOLEDである場合を例として説明する。本開示において、OLEDは、有機EL(Electroluminescence)素子と称呼される場合がある。また、発光素子としてOLEDを備えた表示素子は、有機EL表示素子と称呼される場合がある。
[1 第1の実施形態]
[1-1 表示素子の構成]
 本開示の一実施形態に係る表示素子の一実施例としての有機EL(OLED)表示素子(以下、単に「表示素子10」という。)について、図1、図2等を参照しつつ、以下に説明する。図1は、表示素子10の一構成例を示す分解斜視図である。図2は、表示素子を説明するための断面図である。表示素子10は、図1、図2に示すように発光素子104を設けられており且つ発光面Dを有する基板11を備える。
(表示領域と外側領域)
 表示素子10においては、発光面D側に、発光領域10Aと外側領域10Bが定められる。発光領域10Aは、複数の発光素子104から生じた光を外部に出射する領域として定められる。外側領域10Bは、基板11の発光面D側の面における発光領域10Aの外側の領域として定められる。図1の例では、発光領域10Aは、矩形状の領域として形成されており、また、発光領域10Aの外側の矩形環状の領域として定められた領域が外側領域10Bとなっている。発光領域10Aの外縁の位置が外側領域10Bの内周縁の位置となっており、発光領域10Aと外側領域10Bは境界を接している。なお、発光面Dとは、基板11の面のうち、表示素子10において発光素子104から生じた光が外部に取り出される面を示す。
 以下では表示素子10がトップエミッション方式で表示する場合を例として説明する。トップエミッション方式は、ベース基板11Aよりも発光素子104が発光面D側に配置される方式を示すものとする。したがって表示素子10は、ベース基板11Aが表示素子10の裏面側に位置し、ベース基板11Aから後述する発光素子104に向かう方向(+Z方向)が表示素子10の表面側(上面側)方向となっている。表示素子10では、発光素子104から生じた光は、+Z方向に向けられ、外部に出射される。以下の説明において、表示素子10を構成する各層において、表示素子10の表示領域(発光領域10A)での表示面側となる面を第1の面(上面)といい、表示素子10の裏面側となる面を第2の面(下面)という。なお、このことは、本開示にかかる表示素子10が、ボトムエミッション方式である場合を禁止するものではない。表示素子10は、ボトムエミッション方式でも適用可能である。ボトムエミッション方式では、発光素子104から生じた光が-Z方向に向けられ外部に出射される。
(副画素の構成)
 図1に示す表示素子10の例では、1つの画素が、複数の色種に対応した複数の副画素の組み合わせで形成されている。この例では、複数の色種として赤色、緑色、青色の3色が定められ、副画素として、副画素101R、副画素101G、副画素101Bの3種が設けられる。副画素101R、副画素101G、副画素101Bは、それぞれ赤色の副画素、緑色の副画素、青色の副画素であり、それぞれ赤色、緑色、青色の表示を行う。ただし、図1の例は、一例であり、複数の副画素の色種を限定するものではない。また、赤色、緑色、青色の各色種に対応する光の波長は、例えば、それぞれ610nmから650nmの範囲、510nmから590nmの範囲、440nmから480nmの範囲にある波長として定めることができる。また、個々の副画素101R、101G、101Bのレイアウトは、例えば、ストライプ状に形成された副画素101の組み合わせがマトリクス状に配置されるレイアウトを挙げることができる。図1の例では、副画素101R、101G、101Bが、発光領域10A内で二次元的に設けられている。
 以下の説明では、副画素101R、101G、101Bを特に区別しない場合、副画素101という語が使用される。
(基板)
 基板11(以下、主基板と呼ぶことがある)は、ベース基板11Aに複数の発光素子104を駆動する回路層12を設けた回路基板15と、回路基板15の上に複数の発光素子104とを有する。
(回路層)
 主基板を形成する回路基板15に形成される回路層12は、回路を形成する回路構造13と絶縁層14とを有する。回路構造13にて形成される回路としては、発光素子104の駆動を制御する制御回路、複数の発光素子104に電力を供給する電源回路(いずれも図示せず)などを例示することができる。図2においては、説明の便宜上、回路構造13は、包括的に一つの層として図示する。主基板としての基板11を形成する回路基板15は、いわゆるバックプレーンに対応している。これは、図4から図9についても同様である。
(ベース基板)
 ベース基板11Aは、例えば、水分および酸素の透過性が低いガラスまたは樹脂で構成されていてもよく、トランジスタ等の形成が容易な半導体で形成されてもよい。具体的には、ベース基板11Aは、ガラス基板、半導体基板または樹脂基板等であってもよい。ガラス基板は、例えば、高歪点ガラス、ソーダガラス、ホウケイ酸ガラス、フォルステライト、鉛ガラスまたは石英ガラス等を含む。半導体基板は、例えば、アモルファスシリコン、多結晶シリコンまたは単結晶シリコン等を含む。樹脂基板は、例えば、ポリメチルメタクリレート、ポリビニルアルコール、ポリビニルフェノール、ポリエーテルスルホン、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタラートおよびポリエチレンナフタレート等からなる群より選ばれる少なくとも1種を含む。
 ベース基板11Aの第1の面には、発光素子104と回路層12の回路構造13に設けられた回路とを接続するための複数のコンタクトプラグ17が設けられている。ベース基板11A上に形成された回路構造13やコンタクトプラグ17の周囲には、絶縁層14が形成されている。
(絶縁層)
 絶縁層14は、例えば有機材料または無機材料により構成される。有機材料は、例えば、ポリイミドおよびアクリル樹脂のうちの少なくとも1種を含む。無機材料は、例えば、酸化シリコン、窒化シリコン、酸窒化シリコンおよび酸化アルミニウムのうちの少なくとも1種を含む。
(コンタクトプラグ)
 コンタクトプラグ17は、例えば、絶縁層14に形成された孔部に導電構造を形成した部分として形成することができる。コンタクトプラグ17は、発光素子104と回路構造13とを導通する。導電構造としては、孔部の内周面に導電性材料の層が形成されている場合や、孔部の内部に導電性材料が充填されている場合のいずれも含まれる。導電性材料としては、後述する第1導電構造115となる貫通孔115Aを形成する導電性材料と同様のものを用いることができる。図2では、説明の便宜上、画素ごとにコンタクトプラグ17が形成されているが、コンタクトプラグ17は、副画素101ごとに形成されていることが好適である。
(発光素子)
 表示素子10では、基板11の第1の面側に、複数の発光素子104が設けられている。図2等の例では、発光素子104は、有機エレクトロルミネッセンス素子(有機EL素子、OLED素子)となっている。また、図2の例では、説明の便宜上、複数の発光素子104が画素ごとに形成されているが、通常は、複数の発光素子104は、個々の副画素101R、101G、101Bに対応するように、副画素ごとに設けられる。複数の発光素子104は、例えば、マトリクス状等の規定の配置パターンで2次元配置されている。
 発光素子104は、第1の電極と、有機層と、第2の電極とを備える(図示しない)。第1の電極、有機層および第2の電極は、ベース基板11A側からこの順序で、第2の面から第1の面に向かう方向に積層されている。
(第1の電極)
 第1の電極は、ベース基板11Aの第1の面側に複数設けられる。第1の電極は、コンタクトプラグ17に電気的に接続される(図示しない)。第1の電極は、副画素101ごとに接続される。第1の電極は、後述する絶縁層で副画素101毎に、電気的に分離されている。第1の電極は、アノード電極である。第1の電極は、金属層および金属酸化物層のうちの少なくとも一層により構成されている。第1の電極は、金属層もしくは金属酸化物層の単層膜、または金属層と金属酸化物層の積層膜により構成されていてもよい。
 金属層は、例えば、クロム(Cr)、金(Au)、白金(Pt)、ニッケル(Ni)、銅(Cu)、モリブデン(Mo)、チタン(Ti)、タンタル(Ta)、アルミニウム(Al)、マグネシウム(Mg)、鉄(Fe)、タングステン(W)および銀(Ag)からなる群より選ばれる少なくとも1種の金属元素を含む。金属層は、上記少なくとも1種の金属元素を合金の構成元素として含んでいてもよい。合金の具体例としては、アルミニウム合金または銀合金が挙げられる。アルミニウム合金の具体例としては、例えば、AlNdまたはAlCuが挙げられる。
 金属酸化物層は、例えば、インジウム酸化物と錫酸化物の混合体(ITO)、インジウム酸化物と亜鉛酸化物の混合体(IZO)および酸化チタン(TiO)のうちの少なくとも1種を含む。
(有機層)
 有機層は、第1の電極と第2の電極の間に設けられている。有機層は、副画素101に共通する層として設けられてもよいし、副画素101R、101G、101Bごとに独立した層として設けられてもよい。有機層としては、副画素101R、101G、101Bに応じて、赤色の光を生じる有機層、青色の光を生じる有機層、緑色の光を生じる有機層などが採用されてよい。また、有機層が副画素101に共通する層である場合には例えば有機層として白色の光を生じる有機層が採用されてよい。
 有機層は、例えば、第1の電極から第2の電極に向かって正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層がこの順序で積層された構成を有する。電子輸送層と第2の電極との間には、電子注入層を設けてもよい。電子注入層は、電子注入効率を高めるためのものである。なお、有機層の構成はこれに限定されるものではなく、発光層以外の層は必要に応じて設けられるものである。正孔注入層は、発光層への正孔注入効率を高めるためのものであると共に、リークを抑制するためのバッファ層である。正孔輸送層は、発光層への正孔輸送効率を高めるためのものである。電子輸送層は、発光層への電子輸送効率を高めるためのものである。
 発光層は、電界をかけることにより電子と正孔との再結合が起こり、光を発生するものである。発光層は、有機発光材料を含む有機発光層である。
(第2の電極)
 発光素子104において、第2の電極は、第1の電極と対向して設けられる。第2の電極は、副画素101ごとに設けられてもよいし、複数の副画素101に共通の電極として設けられてもよい。第2の電極は、カソード電極である。第2の電極は、有機層で発生した光に対して透過性を有する透明電極であることが好適である。ここでいう透明電極は、透明導電層で形成されたもの、及び透明導電層と半透過反射層を有する積層構造で形成されたものを含む。
 透明導電層は、例えば、金属酸化物で形成することができる。具体的に、透明導電層の材料としては、インジウム酸化物と錫酸化物の混合体(ITO)、インジウム酸化物と亜鉛酸化物の混合体(IZO)および酸化亜鉛(ZnO)のうちの少なくとも1種を含むものを例示することができる。
 半透過反射層は、例えば金属層で形成することができる。具体的には、半透過反射層の材料は、マグネシウム(Mg)、アルミニウム(Al)、銀(Ag)、金(Au)および銅(Cu)からなる群より選ばれる少なくとも1種の金属元素を含むものを例示することができる。金属層は、上記少なくとも1種の金属元素を合金の構成元素として含んでいてもよい。合金の具体例としては、MgAg合金、AgPdCu合金等が挙げられる。
(保護層)
 図2に示すように、発光素子104の第1の面を覆うように、保護層18が形成されている。保護層18は、発光素子104を外気と遮断し、外部環境から発光素子104への水分浸入を抑制する。
 保護層18は、絶縁材料で形成される。絶縁材料としては、例えば、熱硬化性樹脂などを用いることができる。そのほかにも、絶縁材料としては、SiO、SiON、AlO、TiO等でもよい。この場合、保護層18として、SiO、SiON等を含むCVD膜や、AlO、TiO、SiO等を含むALD膜等を例示することができる。なお、CVD膜は、化学気相成長法(chemical vapor deposition)を用いて形成された膜を示す。ALD膜は、原子層堆積法(Atomic layer deposition)を用いて形成された膜を示す。なお、図2では、説明の便宜上、保護層18、隣り合う第1電極の間に形成される絶縁層、及び、カラーフィルタ16と対向基板19の間を埋める層を、一体的な層構造として記載している。すなわち、図2では、保護層18が発光素子104の第2の面側にも形成されており、カラーフィルタ16と対向基板19の間にも形成されているように図示される。
(カラーフィルタ)
 発光素子104には、必要に応じてカラーフィルタ16が設けられていてもよい。図2の例では、副画素101の色種に対応したカラーフィルタ16が設けられている。副画素101Rにおいては、カラーフィルタ16として、赤色フィルタ16Rが設けられている。副画素101Gにおいては、カラーフィルタ16として、緑色フィルタ16Gが設けられている。副画素101Bにおいては、カラーフィルタ16として、青色フィルタ16Bが設けられている。またその他に、レンズ等が設けられてよい。なお、カラーフィルタ16と対向基板19との間にも保護層18と同様の層構造が形成されてよい。
(対向基板)
 発光素子104の第1の面側には、図1、図2等の例に示すように、対向基板19が設けられていてもよい。対向基板19の材質は、基板11のベース基板11Aの材料等を用いることができる。例えば、対向基板19としてガラス基板を用いることができる。ガラス基板の材質は特に限定されず、有機層から発光される光を透過させる物質にて形成されていればよい。ガラス基板の材質としては、例えば、高歪点ガラス、ソーダガラス、硼珪酸ガラス、鉛ガラス等の各種ガラス基板、石英基板等を挙げることができる。
(基板側の電極パッド)
 基板11の第1の面側には、後述する駆動集積回路110に対して電気的に接続される電極パッド21が形成されている。基板11側の電極パッド21は、基板11の平面視上、外側領域10Bのうち駆動集積回路110を配置される位置で、駆動集積回路110に対して電気的に接続可能となるように設けられている。電極パッド21は、図2の例では層状に形成されている。このような電極パッド21は、例えばスパッタリング法とエッチング法を用いて形成することができる。駆動集積回路110に接続される電極パッド21の材質は、例えば、導電性材料で形成することができる。導電性材料としては、銅、アルミニウム、銀など金属材料などを例示することができる。電極パッド21は、ベース基板11A上に設けられる絶縁層14内に設けられている。また、電極パッド21の上面側(発光面Dと同面側)で電極パッド21の少なくとも一部の領域(露出面21A)が露出している。この電極パッド21の露出面21Aで、電極パッド21は、図2に示すように後述する駆動集積回路110に電気的に接続される。図2の例では、電極パッド21は、突起電極118を介して駆動集積回路110の電気的に接続される。
(駆動集積回路)
 表示素子10には、基板11の一方面側に、駆動集積回路110が設けられている。図1、図2の例では、基板11の発光面D側に駆動集積回路110が設けられている。駆動集積回路110は、発光素子104の駆動を制御する駆動回路を形成した集積回路(integrated circuit;IC)である。図1、図2及び図3の例では、駆動集積回路110は、基板11の回路の駆動を制御するディスプレイドライバー集積回路(Display Driver integrated circuit;DDIC)である。DDICは、発光面Dの発光状態を制御する。駆動集積回路110は、図1等の例では、外側領域10Bに設けられている。
 図3の例では、駆動集積回路110は、ベース基板111Aに駆動回路層112を形成した構造を備えた基板111(副基板と呼ぶことがある)を有する。すなわち基板111は、駆動回路層112に形成された駆動回路を搭載した基板となっている。ベース基板111Aは、基板11を形成するベース基板11Aと同様に、ガラス基板、半導体基板または樹脂基板等を用いられてよい。ベース基板111Aとしては、シリコン基板等を好適に用いることができる。
 駆動回路層112は、図3に示すように、絶縁層114の内部に駆動回路を設けた構造を有する。図3では、駆動回路を構成する配線113が例示されている。絶縁層114の材料としては、ベース基板11A上に設けられる絶縁層14と同様の材料が用いられてよい。
(第1導電構造)
 駆動集積回路110には、フレキシブル基板150との電気的接続を中継する導電構造が設けられている。この導電構造を第1導電構造115と呼ぶ。第1導電構造115は、駆動集積回路110の駆動回路と、フレキシブル基板150の回路とを電気的に接続する。第1の実施形態にかかる表示素子10においては、第1導電構造115として貫通孔115Aが設けられている。
(貫通孔)
 第1導電構造115としての貫通孔115Aは、その一方端115A1と他方端115A2の間を駆動集積回路110の厚み方向(Z軸方向)に導通する構造を有する。貫通孔115Aは、基板11との対向面110A(いわゆる能動面)側から非対向面110B(能動面とは逆面)側に向かう方向に延びている。貫通孔115Aは、対向面110A側の先端部で駆動回路を形成する配線113に接続されており、非対向面110B側の先端部については駆動集積回路110の非対向面110Bまであるいはその近傍位置まで延びている。図2、図3の例では、貫通孔115Aは、ベース基板111Aを貫通する孔として形成されている。貫通孔115Aは、導電性を有する貫通電極を形成する。ベース基板111Aがシリコン基板である場合、貫通孔115Aは、いわゆるシリコン貫通電極(Through-Silicon Via;TSV)である。
 貫通孔115Aの形成数及び位置は、非対向面110B側の電極パッド117に応じた形成数及び位置に定められている。
 図2、図3に例示する貫通孔115Aは、中実構造を有している。このような貫通孔115Aは、例えば、貫通孔115Aを構成する孔の内部に金属材料の層(金属層)を形成し、さらに金属層の内周面側に金属層の材質と同種又は異種の金属材料を充填した構造を例示することができる。金属材料は、導電性材料であれば特に限定されるものではないが、銅、タングステン等を例示することができる。ただし、ここに記載する例は一例であり、貫通孔115Aが貫通電極であればよく、貫通孔115Aの構造を限定するものではない。例えば貫通孔115Aは、孔の内部に金属層を形成した中空構造を有してもよい。このことは、後述する貫通孔136A、第1基板貫通孔125A、第2基板貫通孔130A、第3基板貫通孔145A、ビア145Bについても同様である。
(駆動集積回路の電極パッド)
 図2に示す駆動集積回路110には、対向面110A側及び非対向面110B側のそれぞれに電極パッド116、117が設けられている。対向面110A側に設けられる電極パッド116は、その一方面側(第2の面側)で突起電極118に対して電気的に接続される。また、この電極パッド116は、その他方面側(第1の面側)で駆動回路層112の駆動回路に対して電気的に接続されている。
 対向面110A側に設けられる電極パッド116の構造は、特に限定されず、アルミニウムなどの金属材料で形成された金属層を例示することができる。図2、図3の例では、対向面110A側の電極パッド116は、基板11の電極パッド21に対応した位置に複数設けられている。
 非対向面110B側に設けられる電極パッド117は、一方面側(第2の面側)で貫通孔115Aと電気的に接続されている。また、この電極パッド117は、露出面117A側となる他方面側(第1の面側)でフレキシブル基板150に対して電気的に接続される。
 非対向面110B側の電極パッド117の構造は、対向面110A側の電極パッド116と同様の構造を有してもよい。また、非対向面110B側の電極パッド117は、貫通孔115Aを構成する金属材料で形成された層を有してもよい。この場合、電極パッド117は、貫通孔115Aと一体的に形成してもよい。また、この場合、電極パッド117は、露出面117A側にニッケル/金メッキが施されていることが好適である。これにより、電極パッド117とフレキシブル基板150との接合の安定性を向上させることができる。
(突起電極)
 基板11と駆動集積回路110との間には、突起電極118が配置されている。突起電極118としては、いわゆるバンプが好適に用いられる。突起電極118は、駆動集積回路110の対向面110A側の電極パッド116に設けられることが好ましい。図2の例では、突起電極118は、電極パッド116の露出面116Aを含む所定の領域上に設けられており、電極パッド116に電気的に接続されている。突起電極118は、電解メッキ、無電解メッキ、及びスタッドバンプ形成方法から選ばれた方法で形成される構造物であることが好ましい。ただし、このことは、突起電極118が、これらの方法以外の方法で形成されることを除外するものではない。
 突起電極118の材質としては、Au、Cu、Al、Ni、Sn系の半田合金または、これらの複数の金属の積層構造等を挙げることができる。
(絶縁層)
 駆動集積回路110の対向面110A側には、絶縁層119が設けられている。絶縁層119は、駆動集積回路110の平面視上、隣接する電極パッド116の間を埋めている。また、図2に示すように、絶縁層119は、電極パッド116の外周縁を覆うように電極パッド116の面(第2の面)上に乗り上げるように形成されてよい。ただし、絶縁層119には開口部119Aが形成されており、開口部119Aから電極パッド116が露出する。開口部119Aから露出した電極パッド116の面の部分が露出面116Aとなっている。
(駆動集積回路と基板との接続方法)
 駆動集積回路110は、基板11の回路層12の回路に対して電気的に接続されている。基板11と駆動集積回路110との接続方法は特に限定されるものではない。この接続方法としては、例えば、図2に示すように、導電性粒子120Aを含有させた樹脂製フィルムからなる異方性導電フィルム120(Anisotropic Conductive Film;ACF)を用いる方法があげられる。この方法は例えば次のように実施することができる。駆動集積回路110の突起電極118が異方性導電フィルム120を介して基板11側の電極パッド21に向かいあうように、駆動集積回路110の位置合わせがなされる。そして突起電極118と電極パッド21が異方性導電フィルム120を介して圧着される。圧着の際、異方性導電フィルム120に含まれる導電性粒子120Aを介して基板11の回路と駆動集積回路110の駆動回路が電気的に接続される。なお、このとき、駆動集積回路110の駆動回路層112の形成面(能動面)が基板11側に向けられており、駆動集積回路110は、基板11に対してフリップチップ実装された状態が形成されている。
 なお、基板11と駆動集積回路110との接続方法は、上記した異方性導電フィルム120を用いる方法に限定されない。基板11と駆動集積回路110との接続方法としては、例えば、非導電性接着フィルム(Non Conductive File;NCF)を用いて突起電極118と電極パッド21と直接的に接続した状態で固定する方法や、異方性導電フィルムと非導電性接着フィルムを併用する方法、または半田接続等が用いられてもよい。
(フレキシブル基板)
 フレキシブル基板150は、いわゆるフレキシブルプリント回路基板(Flexible Printed Circuits;FPC)である。フレキシブル基板150は外部の装置等との電気的な接続を中継する。フレキシブル基板150としては、図1に示すような、基材層151と、基材層151上に形成された回路部152と、回路部152を覆うカバー層153を備えた積層シートを例示することができる。フレキシブル基板150の一方端側の所定位置で、カバー層153に露出部154が形成されている。フレキシブル基板150は、露出部154から回路部152を構成する配線部分が露出しており、この露出した配線部分が接続端子155となっている。そして、接続端子155が駆動集積回路110の非対向面110B側の電極パッド117に電気的に接続される。フレキシブル基板150の接続端子155は、非対向面110B側の電極パッド117のレイアウトに応じて形成されている。なお、フレキシブル基板150は、上記した接続端子155とは逆端側に、外部に接続される外部接続端子(図示しない)を有していることが好ましい。なお、図2、図4から図9では、説明の便宜上、基材層151、回路部152及びカバー層153の明示を省略している。
(フレキシブル基板と駆動集積回路との接続方法)
 フレキシブル基板150は、駆動集積回路110の面のうち基板11との非対向面110B上に設けられる。この場合、フレキシブル基板150の接続端子155と駆動集積回路110の電極パッド117とが接続される。フレキシブル基板150の接続端子155と駆動集積回路110の電極パッド117との接続方法は特に限定されるものではない。フレキシブル基板150の接続端子155と電極パッド117との接続方法としては、駆動集積回路110と基板11との接続方法の説明でも記載したように、例えば、異方性導電フィルム121を用いる方法があげられる。この方法は、例えば次のように実施することができる。駆動集積回路110の電極パッド117にフレキシブル基板150の接続端子155を向かい合わせる。駆動集積回路110の電極パッド117とフレキシブル基板150の接続端子155の間に異方性導電フィルム121を介在させる。そして、駆動集積回路110と異方性導電フィルム121とフレキシブル基板150を圧着させることで、異方性導電フィルム121に含まれる導電性粒子121Aを介して電極パッド117と接続端子155が電気的に接続される。このように駆動集積回路110とフレキシブル基板150とが接続されることで、フレキシブル基板150の回路部152は、第1導電構造115に対応する貫通孔115Aに電気的に接続され、さらに第1導電構造115を中継して駆動集積回路110の駆動回路層112に電気的に接続される。
[1-2 表示素子の製造方法]
 次に、第1の実施形態にかかる表示素子10の製造方法の一例について、詳細に説明する。
(基板の準備)
 ベース基板11Aを準備する。例えばスパッタリング法、リソグラフィ法やエッチング、蒸着法などの技術を必要に応じて用いて、ベース基板11Aの上に、回路層12、発光素子104、電極パッド21などを形成することで、基板11を得ることができる。
(駆動集積回路の準備)
 ベース基板111Aを準備し、基板11の準備と同様の技術を適宜用いて、駆動回路層112を形成する。駆動回路層112上に例えばスパッタリング法とエッチング技術を用いて電極パッド116を形成し、隣接する電極パッド116間を埋めるように絶縁層119を形成する。このとき絶縁層119の開口部119Aから電極パッド116が露出する。
 電極パッド116の露出面116Aを覆うように、電極パッド116を形成した位置に突起電極118が形成される。突起電極118の形成方法としては、上記でも述べたように電解メッキ法、無電解メッキ法又はスタッドバンプの形成方法等を挙げることができる。
 駆動集積回路110には、貫通孔115Aが形成される。貫通孔115Aの形成方法は特に限定されない。例えば、ベース基板111Aに駆動回路層112を形成する前に又は後に、エッチング法などを用いて、駆動回路層112の形成面側(対向面110A)からベース基板111Aに対して貫通孔115Aのレイアウトに対応したレイアウトでプラグを埋め込んだ構造を形成し、駆動回路層112の形成面とは逆面側(非対向面110B)を研削し、プラグを露出させる方法を挙げることができる。この方法以外にも例えば、駆動回路層112の非形成面からベース基板111Aにプラグを形成する方法が用いられてもよい。プラグは、ベース基板111Aの厚み方向にのびる柱状の構造体を示し、導電性を有する。プラグの材質は、銅、タングステンなどの金属材料を例示することができる。
 駆動集積回路110の駆動回路層112の非形成面側に、電極パッド117が形成される。電極パッド117は、例えばスパッタリング法とエッチング法を用いて形成することができる。電極パッド117は、プラグに接触するようなレイアウトで形成される。
 そして、基板11と駆動集積回路110が電気的に接続される。また、駆動集積回路110とフレキシブル基板150とが電気的に接続される。これら基板11と駆動集積回路110の接続方法、及び駆動集積回路110とフレキシブル基板150の接続方法は、既述した方法を用いることができる。これにより表示素子10を得ることができる。
[1-3 作用及び効果]
 第1の実施形態にかかる表示素子10においては、主基板となる基板11の上に副基板となる駆動集積回路110が設けられ、さらに駆動集積回路110の非対向面110B(能動面とは逆面側の面)の上にフレキシブル基板150が設けられている。したがって、第1の実施形態によれば、発光素子104を備えた基板11の小面積化を実現できる。また、第1の実施形態にかかる表示素子10によれば、突起電極118の寸法をおおむね均一化させた構造にすることが容易であり、異方性導電フィルム120を介して基板11と駆動集積回路110の接続を行う場合にも、基板11と駆動集積回路110の接続の安定性を高めることができる。また、異方性導電フィルム120を介して駆動集積回路110とフレキシブル基板150との接続を行う場合にも、駆動集積回路110とフレキシブル基板150との接続の安定性を高めることができる。
 また、第1の実施形態にかかる表示素子10によれば、フレキシブル基板150の回路から駆動集積回路110の集積回路までの電気信号の伝送距離を短縮することができ、伝送速度を高速化することができる。また、第1導電構造115が貫通孔115Aである場合には、貫通孔115Aは大きな断面積を有する構造をとりやすいため、表示素子10における信号伝送経路の低抵抗化を図ることも容易となり、これによっても伝送速度の高速化を図ることができる。
[2 第2の実施形態]
[2-1 表示素子の構成]
 第2の実施形態にかかる表示素子10は、図4に示すような第1導電構造を有する。図4は、第2の実施形態にかかる表示素子10の一実施例を模式的に示す断面図である。第2の実施形態においては、第1導電構造115は、駆動集積回路110の側面110Cに形成さられた配線として側面配線115B1を有する。第2の実施形態にかかる表示素子10は、第1導電構造115の構成を除き、第1の実施形態と同様に構成されてよい。このため、第2の実施形態の説明においては、第1導電構造115の構成を除く他の構成についての説明を省略する。
(第1導電構造)
 第1導電構造115は、図4に示すように側面配線115B1を有する。また、図4の例では、第1導電構造115は、基板11に対する対向面110A側(能動面側)に、側面配線115B1の一方端に連続しており且つ対向面110A側の電極パッド116に連結する配線(第1連結配線115B2)を有する。第1導電構造115は、能動面とは逆面側(非対向面110B側)に、側面配線115B1の他方端に連続しており且つ非対向面110B側の電極パッド117に連結する配線(第2連結配線115B3)を有している。ただし、このことは、第1導電構造115が第1連結配線115B2と第2連結配線115B3の少なくとも一方を省略される場合を禁止するものではない。図4に示す、第1連結配線115B2は、電極パッド116の側面に接続されており、第2連結配線115B3は、電極パッド117とベース基板111Aとの間に介在している。ただし、これは一例であり、第1連結配線115B2と電極パッド116の接続位置と第2連結配線115B3と電極パッド117の接続位置を限定するものではない。
 図4の例に示す第1導電構造115は、側面配線115B1、第1連結配線115B2及び第2連結配線115B3を、駆動集積回路110の外周面に形成された金属配線層で構成している。このような金属配線層は、例えば、成形回路部品(Molded Interconnect Device;MID)のように、ダイシング後に配線形成を行ってもよいし、貫通孔を形成したウエハを貫通孔の該中央部をダイシングし個片化することでも形成することができる。
 側面配線115B1、第1連結配線115B2及び第2連結配線115B3の材質は特に限定されず、アルミニウム、銀、銅等を例示することができる。
 図4に示す第2の実施形態にかかる表示素子10の例では、第1の実施形態にかかる貫通孔115Aが省略されているが、第2の実施形態にかかる表示素子10においては、第1導電構造115として側面配線115B1の他に貫通孔115Aが併用されてもよい。
[2-2 作用及び効果]
 第2の実施形態にかかる表示素子10によれば、第1の実施形態と同様の効果を得ることが可能となる。
[3 第3の実施形態]
[3-1 表示素子の構成]
 第3の実施形態にかかる表示素子10は、図5に示すように、基板11の面のうち前記発光面Dとは逆面側(第2の面側)にフレキシブル基板150を設けている。図5は、第3の実施形態にかかる表示素子10の一実施例を模式的に示す断面図である。第3の実施形態においては、基板11に第2導電構造125と第2導電構造125に接続された電極パッド126が設けられており、電極パッド126を介してフレキシブル基板150が第2導電構造125に電気的に接続されている。また、この例では、第1の実施形態で説明した第1導電構造115及び電極パッド117が省略されている。これらの構成を除いて、第3の実施形態にかかる表示素子10は、第1の実施形態と同様に構成されてよい。このため、第3の実施形態の説明においては、第2導電構造125及び電極パッド126の構成とフレキシブル基板150と第2導電構造125との接続構造とを除く他の構成についての説明を省略する。
(第2導電構造)
 基板11には、フレキシブル基板150を接続される位置に対応した位置に第2導電構造125が設けられている。第2導電構造125は、導電性を有し、駆動集積回路110との電気的接続を中継する導電構造である。第3の実施形態にかかる表示素子10においては、第2導電構造125として基板貫通孔が設けられている。この基板貫通孔は、第1基板貫通孔125Aと称呼される。
(基板貫通孔)
 第2導電構造125としての第1基板貫通孔125Aは、第1基板貫通孔125Aの一方端125A1と他方端125A2の間を基板11の厚み方向に導通する構造を有する。第1基板貫通孔125Aは、基板11の面のうち発光面D側(第1の面側)から発光面Dとは逆面側(第2の面側)に向かう方向に延びている。第1基板貫通孔125Aは、発光面D側の端部で駆動集積回路110の突起電極118に繋がる電極パッド21に接続されており、発光面Dとは逆面側の端部についてはフレキシブル基板150に接続される電極パッド126に接続されている。図5の例では、第1基板貫通孔125Aは、ベース基板11Aを貫通する孔として形成されており、さらに絶縁層14を通り電極パッド21まで繋がっている。
 第1基板貫通孔125Aは、導電性を有する貫通電極を形成する。ベース基板11Aがシリコン基板である場合、第1基板貫通孔125Aは、いわゆるシリコン貫通電極である。第1基板貫通孔125Aは、第1の実施形態で説明した貫通孔115Aと同様の構造を有してよい。また、第1基板貫通孔125Aは、貫通孔115Aと同様の方法で形成することができる。
 第1基板貫通孔125Aの形成数及び位置は、電極パッド126に応じた形成数及び位置に定められる。
(電極パッド)
 基板11の第2の面側には、電極パッド126が形成されている。電極パッド126は、フレキシブル基板150の接続端子155に対応したレイアウトで形成される。電極パッド126は、第1基板貫通孔125Aに対して電気的に接続されている。電極パッド126の材質は、駆動集積回路110の第1の面の電極パッド117の材質と同様のものを採用されてよい。また、電極パッド126は、電極パッド117と同様の方法で形成されてよい。
(フレキシブル基板と第2導電構造との接続方法)
 フレキシブル基板150の接続端子155と電極パッド126との接続に伴って接続端子155と基板11の第2導電構造125が電気的に接続される。フレキシブル基板150の接続端子155と電極パッド126との接続方法は特に限定されるものではない。接続端子155と電極パッド126との接続方法としては、第1の実施形態におけるフレキシブル基板150と駆動集積回路110の接続方法の説明でも記載したように、例えば、異方性導電フィルム127を用いる方法があげられる。この方法は、例えば次のように実施することができる。基板11の電極パッド126にフレキシブル基板150の接続端子155を向かい合わせる。電極パッド126とフレキシブル基板150の接続端子155の間に異方性導電フィルム127を介在させる。そして、基板11と異方性導電フィルム127とフレキシブル基板150を圧着させることで、異方性導電フィルム127に含まれる導電性粒子127Aを介して電極パッド126と接続端子155が電気的に接続される。このとき、フレキシブル基板150の回路は、第2導電構造125に電気的に接続され、さらに第2導電構造125から突起電極118を経由して駆動集積回路110の駆動回路に電気的に接続される。
[3-2 表示素子の製造方法]
 次に、第3の実施形態にかかる表示素子10の製造方法の一例について説明する。
(基板の準備)
 基板11は、第1の実施形態と同様の方法で得ることができる。ただし、第3の実施形態では、第2導電構造125となる第1基板貫通孔125A及び電極パッド126がさらに形成される。第1基板貫通孔は、第1の実施形態にかかる表示素子10の製造方法において説明された貫通孔115Aの形成方法と同様の方法を用いることができる。
(駆動集積回路の準備)
 駆動集積回路110は、第1の実施形態と同様の方法で得ることができる。ただし、第3の実施形態では、第1の実施形態にかかる表示素子10の製造方法において説明された貫通孔115Aの形成方法が省略され、さらに電極パッド117の形成が省略される。 
 電極パッド116の露出面116Aを覆うように、電極パッド116を形成した位置に突起電極118が形成される。突起電極118の形成方法としては、上記でも述べたように電解メッキ法、無電解メッキ法又はスタッドバンプの形成方法等を挙げることができる。
 そして、基板11と駆動集積回路110が電気的に接続される。基板11と駆動集積回路110の接続方法は、第1の実施形態で説明した接続方法と同様に実施することができる。その後、駆動集積回路110を基板11の第2の面側に接合することで、駆動集積回路110とフレキシブル基板150とが第2導電構造125を介して電気的に接続される。駆動集積回路110とフレキシブル基板150の第2導電構造125を介した接続方法は、既述した方法を用いることができる。これにより表示素子10を得ることができる。
(対向基板と駆動集積回路の厚みの関係)
 第3実施形態にかかる表示素子10では、基板11の同一面側(図5の例では発光面D側)に、対向基板19と駆動集積回路110が配置されている。表示素子10は、上下方向(基板11の厚み方向(Z軸方向))の位置について、駆動集積回路110の面のうち基板11との非対向面110Bの位置(駆動集積回路110の第1の面側の位置)と対向基板19の露出面の位置(対向基板19の第1の面側の位置)とが揃っていることが好ましい。この場合、基板11の第1の面(発光面D)から駆動集積回路110の第1の面(非対向面110B)までの距離H1と、基板11の第1の面から対向基板19の第1の面(発光素子104に対する非対向面)までの距離H2とがおおむね等しくなっている。また、発光素子104の厚みや突起電極118の大きさ(高さ)は、通常、対向基板19や駆動集積回路110の厚みに対してきわめて小さい値であることが多いことを考慮すれば、対向基板19の厚みと駆動集積回路110の厚みとがおおむね等しいことが好ましい。表示素子10の製造工程では、上記したように駆動集積回路110とフレキシブル基板150とが電気的に接続される。この場合に、駆動集積回路110とフレキシブル基板150とが同一のステージに載置されることが多い。このとき距離H1と距離H2がおおよそ等しいことで、駆動集積回路110とフレキシブル基板150の第2導電構造125を介した接続を効率的に実現することができる。
[3-3 作用及び効果]
 第3の実施形態にかかる表示素子10によれば、第1の実施形態と同様に、基板11の小面積化を実現でき、また、基板11と駆動集積回路110の電気的接続の安定性の向上と、駆動集積回路110とフレキシブル基板150との電気的接続の安定性の向上を実現することができる。
 また、第3の実施形態にかかる表示素子10によれば、フレキシブル基板150の回路から駆動集積回路110の集積回路までの電気信号の伝送距離を短縮することができ、伝送速度を高速化することができる。
[4 第4の実施形態]
[4-1 表示素子の構成]
 第4の実施形態にかかる表示素子10においては、図6に示すように、駆動集積回路110を設けられる基板11の一方の面が、第1の実施形態から第3の実施形態とは異なり、発光面Dとは逆側の面となっている。すなわち、駆動集積回路110は、基板11の面のうち発光面Dとは逆面に設けられている。図6は、第4の実施形態にかかる表示素子10の一実施例を模式的に示す断面図である。
 第4の実施形態にかかる表示素子10においては、基板11に第3導電構造130と第3導電構造130に接続された電極パッド131とが設けられており、電極パッド131を介して駆動集積回路110が第3導電構造130に電気的に接続されている。第3の実施形態で説明した第2導電構造125は、その一方端部をフレキシブル基板150に接続しているが、第2導電構造125の他方端部を基板11の回路層12の回路に電気的に接続している。これらの構成を除いて、第4の実施形態にかかる表示素子10は、第3の実施形態と同様に構成されてよい。このため、第4の実施形態の説明においては、第3導電構造130及び電極パッド131の構成と駆動集積回路110と第3導電構造130との接続構造とを除く他の構成についての説明を省略する。なお、第4の実施形態では、第3の実施形態と同様に、第1の実施形態で説明した第1導電構造115が省略されている。さらに、第1の実施形態で説明した電極パッド21が省略されている。
(第3導電構造)
 基板11には、駆動集積回路110を接続される位置に対応した位置に第3導電構造130が設けられている。第3導電構造130は、第3の実施形態で説明した第2導電構造125と同様に、導電性を有する。第3導電構造130は、基板11の回路との電気的接続を中継する導電構造である。第4の実施形態にかかる表示素子10においては、第3導電構造130として基板貫通孔が設けられている。この基板貫通孔は、第2基板貫通孔130Aと称呼される。
(基板貫通孔)
 第3導電構造130としての第2基板貫通孔130Aは、第2基板貫通孔130Aの一方端と他方端との間を基板11の厚み方向に導通する構造を有する。第2基板貫通孔130Aは、第3実施形態で説明した第1基板貫通孔125Aと同様に、基板11の面のうち発光面D側(第1の面側)から発光面Dとは逆面側(第2の面側)に向かう方向に延びている。第2基板貫通孔130Aは、発光面D側の端部で回路層12の回路に接続されており、発光面Dとは逆面側の端部については駆動集積回路110の突起電極118に電極パッド131を介して接続されている。図5の例では、第2基板貫通孔130Aは、ベース基板11Aを貫通する孔として形成されている。第4の実施形態においては、基板11に、基板貫通孔として、上記第3の実施形態で説明した第1基板貫通孔125Aと、第2基板貫通孔130Aが形成されている。ただし、第1基板貫通孔125Aは、発光面Dとは逆面側の端部についてはフレキシブル基板150の接続端子155に接続されているが、第3の実施形態の場合と異なり発光面D側の端部で回路層12の回路に接続されている。
 第2基板貫通孔130Aは、導電性を有する貫通電極を形成する。第3の実施形態で説明した第1基板貫通孔125Aと同様に、ベース基板11Aがシリコン基板である場合、第2基板貫通孔130Aは、いわゆるシリコン貫通電極である。第2基板貫通孔130Aは、第1基板貫通孔125Aと同様に、第1の実施形態で説明した貫通孔115Aと同様の構造を有してよい。また、第2基板貫通孔130Aは、貫通孔115Aと同様の方法で形成することができる。
 第2基板貫通孔130Aの形成数及び位置は、電極パッド131に応じた形成数及び位置に定められる。
(電極パッド)
 基板11の第2の面側には、電極パッド126の他に電極パッド131が形成されている。電極パッド131は、駆動集積回路110の突起電極118に対応したレイアウトで形成される。電極パッド131は、第2基板貫通孔130Aに対して電気的に接続されている。電極パッド131の材質は、電極パッド126の材質と同様のものを採用されてよい。また、電極パッド131は、電極パッド126と同様の方法で形成されてよい。
(駆動集積回路と第3導電構造との接続方法)
 駆動集積回路110の突起電極118と電極パッド131との接続に伴って駆動集積回路110と第3導電構造130が電気的に接続される。駆動集積回路110の突起電極118と電極パッド131との接続方法は特に限定されるものではない。駆動集積回路110の突起電極118と電極パッド131との接続方法としては、第1の実施形態における駆動集積回路110と基板11との接続方法の説明でも記載したように、例えば、異方性導電フィルム132を用いる方法があげられる。この方法は、例えば次のように実施することができる。基板11の電極パッド131に駆動集積回路110の突起電極118を向かい合わせる。基板11と駆動集積回路110の間に異方性導電フィルム132を介在させ、相互に圧着させることで、異方性導電フィルム132に含まれる導電性粒子132Aを介して電極パッド131と突起電極118が電気的に接続される。このように基板11の電極パッド131と駆動集積回路110が接続されることで、駆動集積回路110の駆動回路は、第3導電構造130に電気的に接続され、さらに第3導電構造130から基板11の回路層12を構成する回路に電気的に接続される。
[4-2 作用及び効果]
 第4の実施形態にかかる表示素子10によれば、第1の実施形態と同様に、基板11の小面積化を実現でき、また、基板11と駆動集積回路110の接続の安定性の向上と、駆動集積回路110とフレキシブル基板150との接続の安定性の向上を実現することができる。駆動集積回路110と表示素子10の間のチャンネル数を増やすことが可能になり、伝送速度の高速化が可能となる。
[5 第5の実施形態]
[5-1 表示素子の構成]
 第5の実施形態にかかる表示素子10は、図7に示すように、外部との電気的接続を中継する導電性接続部材135を備える。図7は、第5の実施形態にかかる表示素子10の一実施例を示す断面図である。第5の実施形態にかかる表示素子10では、駆動集積回路110を有する。駆動集積回路110は、駆動回路との電気的接続を中継する導電構造として第4導電構造136が設けられている。そして駆動集積回路110の第4導電構造136と導電性接続部材135とが電気的に接続されている。これらの点を除き、第5の実施形態にかかる表示素子10は、第1の実施形態と同様に形成されている。したがって、導電性接続部材135、第4導電構造136、及び導電性接続部材135と駆動集積回路110との接続構造を除く他の構成についての詳細な説明を省略する。なお、第5の実施形態にかかる表示素子10は、第1の実施形態にかかる表示素子10と同様に、基板11の一方面上(発光面Dの上)に駆動集積回路110を設けた構造を有する。
(導電性接続部材)
 導電性接続部材135は、外部との電気的接続を中継する導電性を有する部材である。導電性接続部材135の一端部が、駆動集積回路110の面のうち基板11との非対向面110B上に設けられている。導電性接続部材135は、フレキシブル基板150とは異なる部材であり、図7に示す例では、ワイヤ135Aである。図7は一例であり、導電性接続部材135がワイヤ135Aとは異なる場合を禁止するものではない。ただし、第5の実施形態の説明では、導電性接続部材135がワイヤ135Aである場合を例として説明を続ける。
(ワイヤ)
 図7の例では、ワイヤ135Aは、その一方端側で駆動集積回路の電極パッドに電気的に接続されている。ワイヤ135Aの材質は、特に限定されず、銀、金、銅などの金属材料を用いることが可能である。ワイヤ135Aは、通常、電極パッドのレイアウトに応じて、個々の電極パッド137に接続される。
 (第4導電構造)
 駆動集積回路110には、導電性接続部材135との電気的接続を中継する第4導電構造136が設けられている。第4導電構造136は、第1の実施形態にかかる表示素子10に形成された第1導電構造115と同様に形成されてよい。第4導電構造136は、駆動集積回路110に設けられ、導電性接続部材135と駆動回路とを電気的に接続する。第5の実施形態にかかる表示素子10においては、第4導電構造136として図7に示すように貫通孔136Aが設けられている。貫通孔136Aは、その一方端と他方端との間を駆動集積回路110の厚み方向に導通する構造を有する。貫通孔136Aは、第1導電構造115として形成される貫通孔115Aと同じ構造を有してよい。
(電極パッド)
 第5の実施形態においては、第1の実施形態の電極パッド117と同様に、駆動集積回路110の非対向面110B(発光面Dに対向する面とは逆側の面)に電極パッド137が形成されており、電極パッド137が貫通孔136Aに電気的に接続されている。電極パッド137は、電極パッド117と同様の材質で形成されてよい。また、電極パッド137は、電極パッド117と同様の方法で形成されてよい。
(導電性接続部材と駆動集積回路との接続方法)
 導電性接続部材135と駆動集積回路110との電気的な接続方法は、特に限定されないが、図7に示すように導電性接続部材135がワイヤ135Aである場合、導電性接続部材135と駆動集積回路との電気的な接続方法としてワイヤボンディングを例示することができる。この場合、ワイヤ135Aの一端部が電極パッド137上でワイヤボンディング法により固定された状態となる。なお、図7においては、符号149は、ワイヤ135Aを電極パッド137に固定するための接合材を示す。接合材149で固定された部分が接続部139Aとなる。
(封止層)
 第5実施形態にかかる表示素子10では、例えば図7に示すように封止層138を設けられていることが好ましい。封止層138は、導電性接続部材135と駆動集積回路110との接続部139Aを覆う。図7の例では、封止層138は、接続部139Aとワイヤ135Aを覆っている。封止層138は、接続部139Aの破壊とワイヤ135Aの断線を抑制する。封止層138の材料は、樹脂材料などを例示することができる。
[5-2 作用及び効果]
 第5の実施形態にかかる表示素子10によれば、第1の実施形態と同様の効果を得ることが可能となる。
 第5の実施形態にかかる表示素子10の変形例を説明する。
[5-3 変形例]
 第5の実施形態の変形例にかかる表示素子10では、図8に示すように、基板11からなる第1基板140と、第1基板140とは異なる第2基板141を備え、導電性接続部材135の他方端を第2基板141に電気的に接続している。図8は、第5の実施形態の変形例にかかる表示素子10の一実施例を示す断面図である。図8においても、導電性接続部材135がワイヤ135Aである場合の表示素子10の一実施例が図示されている。
(第2基板)
 第2基板141は、図8に示すように、ベース基板141Aに回路を形成したプリント配線基板となっている。図8においては、第2基板141については、回路を形成する配線142の一部を図示し、回路全体の記載を省略する。より具体的には、第2基板として、いわゆるマザーボード等を例示することができる。第2基板141は、上記したフレキシブル基板150とは異なる基板となっている。第2基板141としては、リジット基板を例示することができる。第2基板141は、第1基板140の面のうち発光面Dとは逆側の面(第2の面)側に接合されている。第2基板141と第1基板140との接合方法は特に限定されず、例えば、ダイボンディング法等を挙げることができる。
(導電性接続部材と第2基板の接続方法)
 導電性接続部材135は、一方端側を駆動集積回路110に電気的に接続しており、他方端側を第2基板141に電気的に接続している。導電性接続部材135と第2基板141との電気的な接続方法は特に限定されない。図8に示すように、導電性接続部材135がワイヤ135Aである場合、ワイヤ135Aと第2基板141とがワイヤボンディング法によって電気的に接続されていてもよい。図8の例では、第2基板141のうち第1基板140との対向面側(第1の面側)に、第2基板141の回路に形成された配線142で形成された導電性を有する接続端子142Aが露出している。そして、ワイヤ135Aの他方端と第2基板141の接続端子142Aとがワイヤボンディング法で電気的に接続されている。なお、図8に示すように、第5の実施形態の変形例にかかる表示素子10においては、ワイヤ135Aと駆動集積回路110との接続部139Aと、ワイヤ135Aと第2基板141の接続部139Bとの両方について、封止層138で封止されていることが好適である。
[6 第6の実施形態]
[6-1 表示素子の構成]
 第6の実施形態にかかる表示素子10は、図9に示すように、基板11の面のうち前記発光面Dとは逆面側(第2の面側)に導電性接続部材135を設けている。図9は、第6の実施形態にかかる表示素子10の一実施例を模式的に示す断面図である。
 第6の実施形態においては、基板11に第5導電構造145と第5導電構造145に接続された電極パッド146が設けられており、電極パッド146を介して導電性接続部材135が第5導電構造145に電気的に接続されている。図9に示す例では、導電性接続部材135はコネクタ135Bとなっている。また、この例では、第5の実施形態で設けられた第4導電構造136及び、適宜設けられる封止層138が省略されている。これらの構成を除いて、第6の実施形態にかかる表示素子10は、第5の実施形態と同様に構成されてよい。このため、第6の実施形態の説明においては、導電性接続部材135、第5導電構造145及び電極パッド146の構成と導電性接続部材135と第5導電構造145との接続構造とを除く他の構成についての説明を省略する。
(導電性接続部材)
 導電性接続部材135は、第5の実施形態でも示したように、外部との電気的接続を中継する導電性を有する接続部材である。導電性接続部材135は、フレキシブル基板150とは異なる部材であり、図9に示す例では、コネクタ135Bである。図9は一例であり、導電性接続部材135がコネクタ135Bとは異なる場合を禁止するものではない。ただし、第6の実施形態の説明では、導電性接続部材135がコネクタ135Bである場合を例として説明を続ける。
(コネクタ)
 図9の例では、コネクタ135Bは、ボディ147とボディ147の外周面に配置された配線148とを有する。配線148の材質は、特に限定されず、銀、金、銅などの金属材料を用いることが可能である。配線148は、ボディ147の面のうち基板11との非対向面側(第2の面側)から基板11の側面上を基板11との対向面側に向かって連続的に延びている。コネクタ135Bのうち基板11との対向面側に延びた配線148の端部が、基板11の電極パッド146に対して電気的に接続されている。コネクタ135Bのボディ147は、形状を限定されず、図9の例では断面台形状に形成されている。また、コネクタ135Bのボディ147の材質は、絶縁材料で形成されていることが好適であり、具体的に、樹脂材料などを例示することができる。
(第5導電構造)
 基板11には、導電性接続部材135の例となるコネクタ135Bを接続される位置に対応した位置に導電構造として第5導電構造145が設けられている。第5導電構造145は、第3の実施形態で説明した第2導電構造125と同じ構造でよい。第5導電構造145は、第2導電構造125と同様の材質及び方法で形成されてよい。第5導電構造145は、その一方端と他方端との間を基板11の厚み方向に導通する構造を有する。図9の例では、第5導電構造145は、第2導電構造125と同じ構造の基板貫通孔(第3基板貫通孔145Aと称する)が設けられている。なお、図9にも示すように、第5導電構造145として、第2導電構造125と異なり、駆動集積回路110に繋がる電極パッド21に対して電気的に非接続となっており且つ導電性を有する孔(ビア145B(Via))が、採用されてもよい。
(電極パッド)
 基板11の第2の面側には、電極パッド146が形成されている。電極パッド146は、第3の実施形態で説明した電極パッド126と同様の材質及び方法で形成されてよい。
(導電性接続部材と第5導電構造との接続方法)
 導電性接続部材135の配線148と電極パッド146との接続に伴って配線148と基板11の第5導電構造145が電気的に接続される。導電性接続部材135の配線148と電極パッド146との接続方法は特に限定されるものではない。導電性接続部材135の配線148と電極パッド146との接続方法としては、ダイボンディング法などがあげられる。
[6-2 作用及び効果]
 第6の実施形態にかかる表示素子10によれば、第1の実施形態と同様に、基板11の小面積化を実現できる。
 また、第6の実施形態にかかる表示素子10によれば、コネクタ135Bなどの導電性接続部材135から駆動集積回路110の集積回路までの電気信号の伝送距離を短縮することができ、伝送速度を高速化することができる。
[7 応用例]
(電子機器)
 本開示にかかる表示素子10は、種々の電子機器に備えられてもよい。例えば、上述の一実施形態(第1の実施形態から第6の実施形態のいずれか1つ)に係る表示素子(表示素子10)が、種々の電子機器に備えられてもよい。上述の一実施形態に係る表示素子は、特にビデオカメラや一眼レフカメラの電子ビューファインダまたはヘッドマウント型ディスプレイ等の高解像度が要求され、目の近くで拡大して使用されるものに備えられることが好ましい。
(具体例1)
 図10Aは、デジタルスチルカメラ310の外観の一例を示す正面図である。図10Bは、デジタルスチルカメラ310の外観の一例を示す背面図である。このデジタルスチルカメラ310は、レンズ交換式一眼レフレックスタイプのものであり、カメラ本体部(カメラボディ)311の正面略中央に交換式の撮影レンズユニット(交換レンズ)312を有し、正面左側に撮影者が把持するためのグリップ部313を有している。
 カメラ本体部311の背面中央から左側にずれた位置には、モニタ314が設けられている。モニタ314の上部には、電子ビューファインダ(接眼窓)315が設けられている。撮影者は、電子ビューファインダ315を覗くことによって、撮影レンズユニット312から導かれた被写体の光像を視認して構図決定を行うことが可能である。電子ビューファインダ315としては、上述の一実施形態および変形例に係る表示素子10のいずれかを用いることができる。
(具体例2)
 図11は、ヘッドマウントディスプレイ320の外観の一例を示す斜視図である。ヘッドマウントディスプレイ320は、例えば、眼鏡形の表示部321の両側に、使用者の頭部に装着するための耳掛け部322を有している。表示部321としては、上述の一実施形態および変形例に係る表示素子10のいずれかを用いることができる。
(具体例3)
 図12は、テレビジョン装置330の外観の一例を示す斜視図である。このテレビジョン装置330は、例えば、フロントパネル332およびフィルターガラス333を含む映像表示画面部331を有しており、この映像表示画面部331は、上述の一実施形態および変形例に係る表示素子10のいずれかにより構成される。
 以上、本開示の第1の実施形態から第6の実施形態及び変形例にかかる表示素子、ならびに応用例について具体的に説明したが、本開示は、上述の第1の実施形態から第6の実施形態及び変形例にかかる表示素子、ならびに応用例に限定されるものではなく、本開示の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。
 例えば、上述の第1の実施形態から第6の実施形態及び変形例にかかる表示素子、ならびに応用例において挙げた構成、方法、工程、形状、材料および数値等はあくまでも例に過ぎず、必要に応じてこれと異なる構成、方法、工程、形状、材料および数値等を用いてもよい。
 上述の第1の実施形態から第6の実施形態及び変形例にかかる表示素子、ならびに応用例の構成、方法、工程、形状、材料および数値等は、本開示の主旨を逸脱しない限り、互いに組み合わせることが可能である。
 上述の第1の実施形態から第6の実施形態及び変形例にかかる表示素子、ならびに応用例に例示した材料は、特に断らない限り、1種を単独でまたは2種以上を組み合わせて用いることができる。
 また、本開示は以下の構成を採用することもできる。
(1)発光素子が設けられ発光面を有する基板と、
 前記発光素子の駆動を制御する駆動回路を有する駆動集積回路と、
 接続端子を有するフレキシブル基板と、を備え、
 前記駆動集積回路が、前記基板の一方面上に設けられ、
 前記フレキシブル基板が、前記駆動集積回路の面のうち前記基板との非対向面に設けられている、
 表示素子。
(2)
 前記駆動集積回路には、前記駆動回路との電気的接続を中継する第1導電構造が設けられており、
 前記フレキシブル基板は、前記第1導電構造に電気的に接続されている、
 上記(1)に記載の表示素子。
(3)
 前記第1導電構造は、導電性を有し前記駆動集積回路の厚み方向に導通する貫通孔である、
 上記(2)に記載の表示素子。
(4)
 前記第1導電構造は、前記駆動集積回路の側面に形成された配線を有する、
 上記(2)に記載の表示素子。
(5)前記駆動集積回路は、前記駆動回路を搭載された副基板で形成される、
 上記(1)から(4)のいずれか1つに記載の表示素子。
(6)
 発光素子が設けられ発光面を有する基板と、
 前記発光素子の駆動を制御する駆動回路を有する駆動集積回路と、
 フレキシブル基板と、を備え、
 前記駆動集積回路が、前記基板の一方面上に設けられ、
 前記フレキシブル基板が、前記基板の面のうち前記発光面とは逆面に設けられている、
 表示素子。
(7)
 前記基板には、前記駆動集積回路との電気的接続を中継する第2導電構造が設けられており、
 前記フレキシブル基板は、前記第2導電構造に電気的に接続されている、
 上記(6)に記載の表示素子。
(8)
 前記第2導電構造は、導電性を有し前記基板の厚み方向に導通する第1基板貫通孔である、
 上記(7)に記載の表示素子。
(9)
 前記基板の前記発光面を覆う対向基板が設けられており、
 前記駆動集積回路が、前記基板の前記発光面側に設けられ、
 前記駆動集積回路の面のうち前記基板との非対向面の位置と、前記対向基板の露出面の位置とが揃えられている、
 上記(6)から(8)のいずれか1つに記載の表示素子。
(10)
 前記駆動集積回路は、前記基板の面のうち前記発光面とは逆面に設けられている、
 上記(6)から(8)のいずれか1つに記載の表示素子。
(11)
 前記基板は、回路を有しており、
 前記基板には、前記回路との電気的接続を中継する第3導電構造が設けられており、
 前記駆動集積回路は、前記第3導電構造に電気的に接続されている、
 上記(10)に記載の表示素子。
(12)
 前記第3導電構造は、導電性を有し前記基板の厚み方向に導通する第2基板貫通孔である、
 上記(11)に記載の表示素子。
(13)
 発光素子が設けられ発光面を有する基板と、
 前記発光素子の駆動を制御する駆動回路を有する駆動集積回路と、
 外部との電気的接続を中継する導電性接続部材と、を備え、
 前記駆動集積回路が、前記基板の一方面上に設けられ、
 前記導電性接続部材が、前記駆動集積回路の面のうち前記基板との非対向面に設けられている、
 表示素子。
(14)
 前記駆動集積回路には、前記駆動回路との電気的接続を中継する第4導電構造が設けられており、
 前記導電性接続部材は、前記第4導電構造に電気的に接続されている、
 上記(13)に記載の表示素子。
(15)
 前記第4導電構造は、導電性を有し前記駆動集積回路の厚み方向に導通する貫通孔である、
 上記(14)に記載の表示素子。
(16)
 前記導電性接続部材が、ワイヤである、
 上記(13)から(15)のいずれか1つに記載の表示素子。
(17)
 前記基板から形成された第1基板と、
 該第1基板とは異なり且つ前記第1基板に対して前記発光面側とは逆面側に設けられる第2基板を備え、
 前記導電性接続部材の一方端が、前記駆動集積回路に電気的に接続され、且つ、前記導電性接続部材の他方端が、前記第2基板に電気的に接続されている、
 上記(13)から(16)のいずれか1つに記載の表示素子。
(18)
 発光素子を設けた基板と、
 前記発光素子の駆動を制御する駆動回路を有する駆動集積回路と、
 外部との電気的接続を中継する導電性接続部材と、を備え、
 前記駆動集積回路が、前記基板の一方面上に設けられ、
 前記導電性接続部材が、前記基板の面のうち前記発光面とは逆面側に設けられている、
 表示素子。
(19)
 前記基板には、前記駆動集積回路との電気的接続を中継する第5導電構造が設けられており、
 前記導電性接続部材は、前記第5導電構造に電気的に接続されている、
 上記(18)に記載の表示素子。
(20)
 前記第5導電構造は、導電性を有し前記基板の厚み方向に導通する基板貫通孔である、
 上記(19)に記載の表示素子。
(21)
 前記導電性接続部材が、コネクタである、
 上記(18)から(20)のいずれか1つに記載の表示素子。
(22)
 上記(1)から(21)のいずれか1つに記載の表示素子を備えた、
 電子機器。
10    :表示素子
11    :基板
19    :対向基板
104   :発光素子
110   :駆動集積回路
110A  :対向面
110B  :非対向面
110C  :側面
111   :基板
113   :配線
115   :第1導電構造
115A  :貫通孔
115B1 :側面配線
115B2 :第1連結配線
115B3 :第2連結配線
116   :電極パッド
117A  :露出面
118   :突起電極
120   :異方性導電フィルム
120A  :導電性粒子
121   :異方性導電フィルム
121A  :導電性粒子
125   :第2導電構造
125A  :第1基板貫通孔
130   :第3導電構造
130A  :第2基板貫通孔
135   :導電性接続部材
135A  :ワイヤ
135B  :コネクタ
136   :第4導電構造
136A  :貫通孔
138   :封止層
139A   :接続部
140   :第1基板
141   :第2基板
142   :配線
145   :第5導電構造
145A  :第3基板貫通孔
150   :フレキシブル基板
155   :接続端子
310   :デジタルスチルカメラ
320   :ヘッドマウントディスプレイ
330   :テレビジョン装置

Claims (18)

  1.  発光素子が設けられ発光面を有する基板と、
     前記発光素子の駆動を制御する駆動回路を有する駆動集積回路と、
     フレキシブル基板と、を備え、
     前記駆動集積回路が、前記基板の一方面上に設けられ、
     前記フレキシブル基板が、前記駆動集積回路の面のうち前記基板との非対向面に設けられている、
     表示素子。
  2.  前記駆動集積回路には、前記駆動回路との電気的接続を中継する第1導電構造が設けられており、
     前記フレキシブル基板は、前記第1導電構造に電気的に接続されている、
     請求項1に記載の表示素子。
  3.  前記第1導電構造は、導電性を有し前記駆動集積回路の厚み方向に導通する貫通孔である
     請求項2に記載の表示素子。
  4.  前記第1導電構造は、前記駆動集積回路の側面に形成された配線を有する、
     請求項2に記載の表示素子。
  5.  前記駆動集積回路は、前記駆動回路を搭載された副基板で形成される、
     請求項1に記載の表示素子。
  6.  発光素子が設けられ発光面を有する基板と、
     前記発光素子の駆動を制御する駆動回路を有する駆動集積回路と、
     フレキシブル基板と、を備え、
     前記駆動集積回路が、前記基板の一方面上に設けられ、
     前記フレキシブル基板が、前記基板の面のうち前記発光面とは逆面に設けられている、
     表示素子。
  7.  前記基板には、前記駆動集積回路との電気的接続を中継する第2導電構造が設けられており、
     前記フレキシブル基板は、前記第2導電構造に電気的に接続されている、
     請求項6に記載の表示素子。
  8.  前記第2導電構造は、導電性を有し前記基板の厚み方向に導通する第1基板貫通孔である、
     請求項7に記載の表示素子。
  9.  前記基板の前記発光面を覆う対向基板が設けられており、
     前記駆動集積回路が、前記基板の前記発光面側に設けられ、
     前記駆動集積回路の面のうち前記基板との非対向面の位置と、前記対向基板の露出面の位置とが揃えられている、
     請求項6に記載の表示素子。
  10.  前記駆動集積回路は、前記基板の面のうち前記発光面とは逆面に設けられている、
     請求項6に記載の表示素子。
  11.  前記基板は、回路を有しており、
     前記基板には、前記回路との電気的接続を中継する第3導電構造が設けられており、
     前記駆動集積回路は、前記第3導電構造に電気的に接続されている、
     請求項10に記載の表示素子。
  12.  前記第3導電構造は、導電性を有し前記基板の厚み方向に導通する第2基板貫通孔である、
     請求項11に記載の表示素子。
  13.  発光素子が設けられ発光面を有する基板と、
     前記発光素子の駆動を制御する駆動回路を有する駆動集積回路と、
     外部との電気的接続を中継する導電性接続部材と、を備え、
     前記駆動集積回路が、前記基板の一方面上に設けられ、
     前記導電性接続部材が、前記駆動集積回路の面のうち前記基板との非対向面に設けられている、
     表示素子。
  14.  前記駆動集積回路には、前記駆動回路との電気的接続を中継する第4導電構造が設けられており、
     前記導電性接続部材は、前記第4導電構造に電気的に接続されている、
     請求項13に記載の表示素子。
  15.  前記第4導電構造は、導電性を有し前記駆動集積回路の厚み方向に導通する貫通孔である、
     請求項14に記載の表示素子。
  16.  前記導電性接続部材が、ワイヤである、
     請求項13に記載の表示素子。
  17.  前記基板から形成された第1基板と、
     該第1基板とは異なり且つ前記第1基板に対して前記発光面側とは逆面側に設けられる第2基板を備え、
     前記導電性接続部材の一方端が、前記駆動集積回路に電気的に接続され、且つ、前記導電性接続部材の他方端が、前記第2基板に電気的に接続されている、
     請求項13に記載の表示素子。
  18.  請求項1記載の表示素子を備えた、
     電子機器。
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